TW202229004A - 聚醯亞胺前驅體、樹脂組成物、聚醯亞胺、聚醯亞胺成形體及可撓性印刷電路基板 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種聚醯亞胺前驅體、包含該聚醯亞胺前驅體的樹脂組成物、及使用所述聚醯亞胺前驅體而獲得的聚醯亞胺，所述聚醯亞胺前驅體包含源自二胺的結構單元及源自四羧酸二酐的結構單元，且包含相對於源自二胺的結構單元的全部單元為10莫耳%以上且80莫耳%以下的源自二聚物二胺的結構單元，重量平均分子量為15000以上且130000以下，用於可撓性印刷電路基板的基膜。
Description
本發明的一實施方式是有關於一種聚醯亞胺前驅體、樹脂組成物、聚醯亞胺、聚醯亞胺成形體、及可撓性印刷電路基板（Flexible Printed Circuit，FPC）。
聚醯亞胺由於耐熱性優異，具備機械強度，進而耐藥品性亦高，因此應用於各種用途。另外，聚醯亞胺由於顯示出高絕緣性，因此在電子零件或機械零件中用作絕緣材料。由於具備此種特性，聚醯亞胺在顯示器、太陽能電池、觸控面板、有機電致發光（electroluminescence，EL）照明、毫米波雷達等中用作基板、保護膜等的塗膜。
近年來，根據小型化及輕量化的需求，要求電子零件的高積體化及高頻率化，期望在包含高頻率的寬頻率區域中進一步改善絕緣材料的介電特性。絕緣性藉由降低材料的相對介電常數而獲得，但為了降低傳輸訊號的損失，降低介電損耗角正切亦很重要。傳輸損失在高頻區域中更成為問題，因此要求降低高頻區域中的介電損耗角正切。
在專利文獻1中，作為是低介電常數及低介電損耗角正切、且顯示出溶劑不溶性的聚醯亞胺膜，提出了包含相對於全部二胺成分為超過15莫耳%且小於50莫耳%的二聚物二胺的溶媒不溶性聚醯亞胺膜。
在專利文獻2中，作為是低介電常數及低熱膨脹係數、且剛性及韌性優異的聚醯亞胺膜，提出了以相對於全部二胺成分為5莫耳%以上且25莫耳%以下包含二聚物二胺的聚醯亞胺膜。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2020-76072號公報
專利文獻2：日本專利特開2020-7549號公報
[發明所欲解決之課題]
在專利文獻1中，若二聚物二胺的調配比例變高，則介電特性得到改善，但由於聚醯亞胺變得溶劑可溶，因此欲藉由限定二聚物二胺的調配比例的上限值，而獲得溶劑不溶性的聚醯亞胺膜。進而，在專利文獻1中，就低熱膨脹係數的觀點而言，提供了將包含二聚物二胺的聚醯亞胺利用不包含二聚物二胺的熱膨脹係數低的聚醯亞胺夾住的積層體板。
在專利文獻2中，揭示了為了顯示出適度的剛性及韌性，聚醯亞胺膜的伸長率較佳為50%以上且90%以下。韌性優異的聚醯亞胺膜具有塗膜形成性優異、容易形成曲面形狀的塗膜作為電線用的包覆樹脂等的優點。
另一方面，在先前技術中，在為了改善介電特性而使用二聚物二胺的情況下，所獲得的聚醯亞胺膜的強度不充分。在此種聚醯亞胺中，為低介電常數且低介電損耗角正切，難以進一步提高強度，特別是存在無法充分獲得斷裂伸長率的問題。
作為本揭示的一個目的，提供一種介電特性及斷裂伸長率優異的的聚醯亞胺、以及用於獲得該聚醯亞胺的聚醯亞胺前驅體。
[解決課題之手段]
本揭示的幾個方面如下所述。
[1]一種聚醯亞胺前驅體，包含源自二胺的結構單元及源自四羧酸二酐的結構單元，且包含相對於所述源自二胺的結構單元的全部單元為10莫耳%以上且80莫耳%以下的源自二聚物二胺的結構單元，重量平均分子量為15000以上且130000以下，且所述聚醯亞胺前驅體用於可撓性印刷電路基板的基膜。
[2]一種聚醯亞胺前驅體，包含源自二胺的結構單元及源自四羧酸二酐的結構單元，且包含相對於所述源自二胺的結構單元的全部單元為10莫耳%以上且小於50莫耳%的源自二聚物二胺的結構單元，重量平均分子量超過50000且為130000以下。
[3]一種樹脂組成物，包含如[1]或[2]所述的聚醯亞胺前驅體。
[4]一種聚醯亞胺，使用如[1]或[2]所述的聚醯亞胺前驅體而獲得。
[5]一種聚醯亞胺，包含源自二胺的結構單元及源自四羧酸二酐的結構單元，且包含相對於所述源自二胺的結構單元的全部單元為5莫耳%以上且80莫耳%以下的源自二聚物二胺的結構單元，斷裂伸長率為95%以上，且所述聚醯亞胺用於高頻可撓性印刷電路基板的基膜。
[6]一種聚醯亞胺，包含源自二胺的結構單元及源自四羧酸二酐的結構單元，且包含相對於所述源自二胺的結構單元的全部單元為5莫耳%以上且80莫耳%以下的源自二聚物二胺的結構單元，斷裂伸長率為95%以上，玻璃化轉變溫度為200℃以上，且所述聚醯亞胺用於可撓性印刷電路基板的基膜。
[7]一種聚醯亞胺，包含源自二胺的結構單元及源自四羧酸二酐的結構單元，且包含相對於所述源自二胺的結構單元的全部單元為10莫耳%以上且小於50莫耳%的源自二聚物二胺的結構單元，斷裂伸長率為95%以上，玻璃化轉變溫度為200℃以上。
[8]如[4]至[7]中任一項所述的聚醯亞胺，其中，相對介電常數Dk（10 GHz）為3.3以下。
[9]如[4]至[8]中任一項所述的聚醯亞胺，其中，介電損耗角正切Df（10 GHz）為0.003以下。
[10]如[4]至[9]中任一項所述的聚醯亞胺，其中，玻璃化轉變溫度為300℃以上。
[11]一種聚醯亞胺成形體，包含如[4]至[10]中任一項所述的聚醯亞胺。
[12]一種可撓性印刷電路基板，包含如[4]至[10]中任一項所述的聚醯亞胺。
[13]一種可撓性印刷電路基板，包含使用如[4]至[10]中任一項所述的聚醯亞胺而獲得的基膜。
[14]一種可撓性印刷電路基板，包括基膜及在所述基膜上形成的塗膜層，且至少所述塗膜層使用如[4]至[10]中任一項所述的聚醯亞胺而獲得。
[15]如[12]至[14]中任一項所述的可撓性印刷電路基板，其用於毫米波雷達、高頻天線或高速傳輸用基板。
[發明的效果]
根據一實施方式，可提供一種介電特性及斷裂伸長率優異的聚醯亞胺、以及用於獲得該聚醯亞胺的聚醯亞胺前驅體。
以下，對本發明的一實施方式進行說明，但本發明並不被以下的例示所限定。
（聚醯亞胺前驅體）
根據本揭示的一實施方式的聚醯亞胺前驅體是使用二胺及四羧酸二酐而獲得的聚醯亞胺前驅體，其特徵在於，包含相對於聚醯亞胺前驅體所含的二胺成分為5莫耳%～80莫耳%的二聚物二胺，重量平均分子量為15000～130000。
作為較佳的一例，為如下的聚醯亞胺前驅體：包含源自二胺的結構單元及源自四羧酸二酐的結構單元，且包含相對於源自二胺的結構單元的全部單元為10莫耳%以上且80莫耳%以下的源自二聚物二胺的結構單元，重量平均分子量為15000以上且130000以下，用於可撓性印刷電路基板的基膜。
在另一較佳例中，為如下的聚醯亞胺前驅體：包含源自二胺的結構單元及源自四羧酸二酐的結構單元，且包含相對於源自二胺的結構單元的全部單元為10莫耳%以上且小於50莫耳%的源自二聚物二胺的結構單元，重量平均分子量超過50000且為130000以下。
根據該些例示的聚醯亞胺前驅體，可提供一種介電特性及斷裂伸長率優異的聚醯亞胺。該聚醯亞胺可作為聚醯亞胺成形體廣泛地應用，適合於要求高絕緣性的用途。
認為使用該聚醯亞胺前驅體形成的聚醯亞胺包括二聚物二胺的骨架，藉此可利用自由體積的增加來實現低介電常數化。另外，認為該聚醯亞胺藉由導入源自二聚物二胺的長鏈結構，醯亞胺基的濃度降低，極性基相對減少，從而可獲得低介電損耗角正切。
相對介電常數低的聚醯亞胺可廣泛用作絕緣材料。為了降低傳輸損失，可具備低介電常數及低介電損耗角正切。由於存在頻率越高傳輸損失越增大的傾向，因此在高頻區域中亦可具備低介電損耗角正切。使用一實施方式的聚醯亞胺前驅體獲得的聚醯亞胺可包括低介電常數及低介電損耗角正切，在高頻區域亦顯示出該傾向。此種聚醯亞胺可用於各種電子零件及機械零件，例如可用於顯示器、太陽能電池、觸控面板、有機EL照明、毫米波雷達、高頻天線、高速傳輸用基板等。該些中，可較佳地用於在高頻區域使用的設備，例如可列舉毫米波雷達、高頻天線、高速傳輸用基板等。毫米波雷達是向對象物發送毫米波，接收來自對象物的反射波，並檢測對象物的雷達，搭載於車輛等的車載毫米波雷達應用於碰撞防止系統、自動駕駛系統等。在高頻天線中，為了在通信設備等中實現高速通訊化，要求高頻及高速傳輸，在小型通訊設備等中將高頻天線收容在框體內的情況下，期望具備更低介電常數及更低介電損耗角正切的材料。作為高速傳輸用基板，可列舉高速傳輸電纜及高速傳輸連接器等。
一實施方式的聚醯亞胺前驅體由於重量平均分子量大，因此獲得的聚醯亞胺的斷裂伸長率高，能夠成形為膜狀、基板狀、成形體狀等各種用途。該聚醯亞胺例如可用於可撓性印刷電路基板。該聚醯亞胺由於斷裂伸長率高，因此即使是聚醯亞胺單層亦可用於可撓性印刷電路基板的基膜。另外，在將該聚醯亞胺以膜狀形成在基材的情況下，由於是斷裂伸長率高的膜，因此在對形成有膜的基材進行彎折加工時，可防止膜的損傷。例如，可用於顯示器、太陽能電池、觸控面板、有機EL照明、毫米波雷達、高頻天線、高速傳輸用基板等可撓性印刷電路基板，特別是可用於可撓性印刷電路基板的基膜。其中，就要求在高頻區域具備低介電常數及低介電損耗角正切的特性，進而要求裝置的小型化及薄型化的觀點而言，可較佳地用於高頻可撓性印刷電路基板，具體而言為毫米波雷達、高頻天線、高速傳輸用基板等中使用的高頻可撓性印刷電路基板、特別是高頻可撓性印刷電路基板的基膜。高頻可撓性印刷電路基板例如宜為能夠在1 GHz以上、5 GHz以上、或10 GHz以上的頻率區域使用者。另外，毫米波雷達用的高頻可撓性印刷電路基板宜為能夠在30 GHz～300 GHz的頻率區域使用者。
一實施方式的聚醯亞胺前驅體的重量平均分子量為15000～130000，因此可提高所獲得的聚醯亞胺的耐化學藥品性、及耐水性。聚醯亞胺為耐熱性亦優異的材料。例如，在高溫環境下，即使在與藥品或水接觸的用途中，該聚醯亞胺亦抑制水解引起的分解等，可具備優異的介電特性。此種特性對於設置在汽車的發動機附近的電子零件等在高溫環境下使用的零件有用。例如，如車載毫米波雷達般，在高頻區域中的傳輸損失成為問題的用途中有用。由於該聚醯亞胺具備柔軟性，因此藉由用於車載毫米波雷達的基板、保護膜、或該些的組合，介電特性優異，並且能夠按照車體的形狀使基材變形而設置。
根據一實施方式的聚醯亞胺前驅體可使用二胺化合物與四羧酸二酐化合物合成聚醯胺酸而獲得。該合成可藉由將二胺化合物與四羧酸二酐化合物在有機溶媒中混合並聚合來進行。
聚醯亞胺前驅體可包含二聚物二胺作為二胺成分。
二聚物二胺是由二聚物酸衍生的化合物，詳細而言，是由作為油酸、亞油酸等不飽和脂肪酸的二聚體的二聚酸衍生的化合物。二聚物二胺例如為下述通式（1）～通式（4）所表示的化合物。該些二聚物二胺可單獨使用一種或組合兩種以上使用。
[化1]
[化2]
在所述通式（1）～通式（4）中，m、n、p、q為滿足m+n=6～17、p+q=8～19的整數。通式（4）中，虛線表示單鍵或雙鍵，三條虛線可全部為單鍵，亦可一部分或全部為雙鍵。通式（4）中，在CH
x間的虛線為單鍵的情況下，x為2，在為雙鍵的情況下，x為1。
二聚物二胺較佳為具有碳環結構的化合物，更佳為通式（4）所表示的化合物。在通式（4）所表示的化合物中，較佳為碳環結構上的虛線為單鍵，碳鏈狀的虛線兩者為單鍵，或者該些的組合，且較佳為全部的虛線為單鍵。通式（4）中，較佳為m+n=10～12、p+q=10～12、或該些的組合。
作為二聚物二胺的市售品，例如可列舉日本禾大（Croda Japan）股份有限公司製造的「普利阿敏（PRIAMINE）1075、普利阿敏（PRIAMINE）1074」等（均為商品名）。
根據一實施方式的聚醯亞胺前驅體可相對於聚醯亞胺前驅體中含有的二胺成分包含5莫耳%～80莫耳%的二聚物二胺。
就降低所獲得的聚醯亞胺的相對介電常數及介電損耗角正切的觀點而言，相對於聚醯亞胺前驅體中包含的二胺成分，二聚物二胺較佳為5莫耳%以上，更佳為10莫耳%以上，進而佳為20莫耳%以上，更進而佳為25莫耳%以上。
就所獲得的聚醯亞胺的耐熱性、拉伸強度、及拉伸彈性係數的觀點而言，相對於聚醯亞胺前驅體中包含的二胺成分，二聚物二胺較佳為80莫耳%以下，更佳為50莫耳%或小於50莫耳%，進而佳為45莫耳%以下，更進而佳為40莫耳%以下。就獲得高耐熱性、高拉伸強度或高拉伸彈性係數的觀點而言，該二聚物二胺的比例較佳為40莫耳%以下，更佳為35莫耳%以下，進而佳為30莫耳%以下。
例如，相對於聚醯亞胺前驅體中包含的二胺成分，二聚物二胺較佳為5莫耳%～80莫耳%，更佳為10莫耳%～80莫耳%。進而，可為10莫耳%～50莫耳%或10莫耳%以上且小於50莫耳%，亦可為20莫耳%～40莫耳%，亦可為20莫耳%～30莫耳%。在該些範圍內，可在維持各種特性的同時降低相對介電常數及介電損耗角正切。
此處，相對於聚醯亞胺前驅體中包含的二胺成分的二聚物二胺的量可使用投入到合成體系中的二胺化合物的莫耳比，利用下述式來求出。
（（二聚物二胺的莫耳數）/（二胺化合物的總莫耳數））×100（莫耳%）
聚醯亞胺前驅體亦可包含二聚物二胺以外的其他二胺作為聚醯亞胺前驅體的二胺成分。
作為其他二胺，可列舉芳香族二胺、脂環式二胺、脂肪族二胺等、或該些的兩種以上的組合。藉由包含芳香族二胺作為二胺成分，可進一步防止耐熱性的降低。
在芳香族二胺中，芳香環可為單環及多環的任意一種。作為多環，可為二環、三環、四環等，亦可為縮合環。芳香環可為芳香族烴環、芳香族雜環中的任一種。芳香族二胺較佳為具備苯環等單環結構、或聯苯、二苯基甲烷、二苯基醚等二環結構。另外，芳香族二胺亦可包含含氮原子的基、氟原子、磺醯基、磺基、烷基等取代基。
作為芳香族二胺，例如，可列舉：4,4'-二胺基二苯基甲烷、3,3'-二胺基二苯基甲烷、3,4'-二胺基二苯基甲烷、4,4'-二胺基-3,3'-二甲基二苯基甲烷、4,4'-二胺基二苯基乙烷、4,4'-二胺基二苯基醚、4,3'-二胺基二苯基醚、4,4'-二胺基聯苯、3,3'-二胺基聯苯、3,4'-二胺基聯苯、4,4'-二胺基-3,3'-二甲基聯苯、4,4'-二胺基-2,2'-二甲基聯苯、4,4'-二胺基-3,3'-二乙基聯苯、4,4'-二胺基-2,2'-二乙基聯苯、4,4'-二胺基-3,3'-二甲氧基聯苯、4,4'-二胺基-2,2'-二甲氧基聯苯、1,5-二胺基萘、2,6-二胺基萘、3-胺基苄基胺、4-胺基苄基胺、甲苯二胺、間伸二甲苯基二胺、對伸二甲苯基二胺、4,4'-雙(4-胺基苯氧基)聯苯、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷等。
該些中，較佳為具有2環至4環、更佳為2環的苯環的二胺。在另一方面，較佳為具有苯基醚結構的二胺。具體而言，較佳為4,4'-二胺基二苯基醚、4,3'-二胺基二苯基醚、4,4'-雙(4-胺基苯氧基)聯苯、或該些的組合，更佳為4,4'-二胺基二苯基醚。
在脂環式二胺中，脂環結構可為環烷烴、環烯烴、環炔烴中的任一種，亦可為單環結構、二環、三環、四環等多環結構中的任一種。
在脂環式二胺中，脂環結構的碳數較佳為3～20，更佳為4～12，進而佳為6～10。該脂環結構較佳為環烷烴，例如可列舉：環丙烷、環丁烷、環戊烷、環己烷、環庚烷、環辛烷、環壬烷、環癸烷、環十一烷、環十二烷、降冰片烷等環烷烴，具有兩個以上該些環烷烴的多環結構等。另外，脂環式二胺亦可包含含氮原子的基、氟原子、磺醯基、磺基、烷基等取代基。
作為脂環式二胺，例如可列舉：4,4'-亞甲基雙(環己烷胺)、4,4'-亞甲基雙(2-甲基環己烷胺)、1,3-雙(胺基甲基)環己烷、1,4-雙(胺基甲基)環己烷、1,3-環己烷二胺、1,4-環己烷二胺、異佛爾酮二胺、降冰片烷二胺、雙(胺基甲基)降冰片烷、氫化間伸二甲苯基二胺等。
作為脂肪族二胺，例如可列舉具有1分子的碳數為4～20、較佳為6～10的飽和或不飽和烴基的脂肪族二胺，具體而言可列舉六亞甲基二胺、2,2,4-三甲基六亞甲基二胺等。
所述其他二胺可使用一種，或者亦可組合使用兩種以上。
藉由組合使用兩種以上的二胺化合物，在包含聚醯亞胺前驅體的樹脂組成物中，可改善流動性而進一步改善塗佈性。認為其原因在於，藉由混合兩種以上的二胺化合物，在樹脂組成物中，可抑制難溶性的鹽等副產物的生成。
作為聚醯亞胺前驅體的四羧酸二酐成分，可列舉芳香族四羧酸二酐、脂環式四羧酸二酐、脂肪族四羧酸二酐等，或者該些的兩種以上的組合。藉由包含芳香族四羧酸二酐作為四羧酸二酐成分，可進一步防止耐熱性的降低。
在芳香族四羧酸二酐中，芳香環可為單環及多環的任一種。作為多環，可為二環、三環、四環等，亦可為縮合環。芳香環可為芳香族烴環、芳香族雜環中的任一種。芳香族四羧酸二酐較佳為包括苯環等單環結構、或聯苯、二苯基甲烷、二苯基醚等二環結構。另外，芳香族四羧酸二酐亦可包含含氮原子的基、氟原子、磺醯基、磺基、烷基等取代基。
作為芳香族四羧酸二酐，例如可列舉：均苯四甲酸二酐、3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐、2,3,3',4'-聯苯四羧酸二酐、3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸二酐、4,4'-氧雙鄰苯二甲酸酐、3,4'-氧雙鄰苯二甲酸酐、4,4'-磺醯基雙鄰苯二甲酸酐、1,2,5,6-萘四羧酸二酐、1,4,5,8-萘四羧酸二酐、2,3,5,6-芘四羧酸二酐、3,4,9,10-苝四羧酸二酐、間三聯苯-3,3',4,4'-四羧酸二酐、2,2-雙(2,3-或3,4-二羧基苯基)丙烷二酐、2,2-雙[4-(2,3-或3,4-二羧基苯氧基)苯基]丙烷二酐、1,1,1,3,3,3-六氟-2,2-雙(2,3-或3,4-二羧基苯基)丙烷二酐、1,1,1,3,3,3-六氟-2,2-雙[4-(2,3-或3,4-二羧基苯氧基)苯基]丙烷二酐、1,3-雙(3,4-二羧基苯基)-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷二酐等。
該些中，較佳為具有1環～2環的苯環的四羧酸二酐，例如，較佳為均苯四甲酸二酐、3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐、或該些的組合。其中，較佳為具有1環的苯環的四羧酸二酐，例如較佳為均苯四甲酸二酐。在該情況下，具有1環的苯環的四羧酸二酐相對於四羧酸二酐成分可為30莫耳%以上，較佳為50莫耳%以上，亦可為80莫耳%～100莫耳%。具有1環～2環、更佳為1環的苯環的四羧酸二酐的有助於分子間配向的醯亞胺基濃度高，可進一步提高玻璃化轉變溫度。
在脂環式四羧酸二酐中，脂環結構可為環烷烴、環烯烴、環炔烴中的任一種，亦可為單環結構、二環、三環、四環等多環結構中的任一種。
在脂環式四羧酸二酐中，脂環結構的碳數較佳為3～20，更佳為4～12，進而佳為6～10。該脂環結構例如可列舉：環丙烷、環丁烷、環戊烷、環己烷、環庚烷、環辛烷、環壬烷、環癸烷、環十一烷、環十二烷等環烷烴，具有兩個以上該些環烷烴的多環結構等。另外，脂環式四羧酸二酐亦可包含含氮原子的基、氟原子、磺醯基、磺基、烷基等取代基。
作為脂環式四羧酸二酐，例如可列舉：1,2,4,5-環己烷四羧酸二酐、1,2,3,4-環戊烷四羧酸二酐、1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐、1,2,3,4-四甲基-1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐、雙環[2.2.2]-辛-7-烯-2,3,5,6-四羧酸二酐、5-(2,5-二氧代四氫呋喃基)-3-甲基-3-環己烯-1,2-二羧酸二酐等。
作為脂肪族四羧酸二酐，例如可列舉具有1分子的碳數為4～20、較佳為6～10的飽和或不飽和的烴基的脂肪族四羧酸二酐等，具體而言可列舉丁烷四羧酸二酐等。
所述四羧酸二酐可使用一種或組合兩種以上使用。
在一實施方式中，聚醯亞胺前驅體的重量平均分子量較佳為15000～130000。聚醯亞胺前驅體的重量平均分子量更佳為50000或超過50000且為130000以下。
就所獲得的聚醯亞胺的斷裂伸長率、耐熱性、拉伸強度、及拉伸彈性係數的觀點而言，特別是就斷裂伸長率的觀點而言，聚醯亞胺前驅體的重量平均分子量較佳為15000以上，更佳為30000以上，更佳為50000或超過50000，進而佳為60000以上。另外，在所述範圍內，在塗料化時可進一步改善造膜性。就所獲得的聚醯亞胺的斷裂伸長率、耐熱性、拉伸強度、及拉伸彈性係數的觀點而言，聚醯亞胺前驅體的重量平均分子量可以為65000以上、70000以上、75000以上、或80000以上。
就抑制黏度上升的觀點而言，聚醯亞胺前驅體的重量平均分子量較佳為130000以下，更佳為100000以下。在要求低黏度化的用途中，可為90000以下或80000以下。藉由抑制黏度上升，可在塗料化時進一步改善塗佈性。
在一實施方式中，聚醯亞胺前驅體的數量平均分子量較佳為10000～80000。
就所獲得的聚醯亞胺的斷裂伸長率、耐熱性、拉伸強度、及拉伸彈性係數的觀點，特別是斷裂伸長率的觀點、以及塗料化時的成膜性的觀點而言，聚醯亞胺前驅體的數量平均分子量較佳為10000以上，更佳為20000以上，進而佳為30000以上，更進而佳為40000以上。
就抑制黏度上升的觀點而言，聚醯亞胺前驅體的數量平均分子量較佳為80000以下，更佳為60000以下，且更佳為55000以下，進而佳為50000以下。藉由抑制黏度上升，可在塗料化時進一步改善塗佈性。
在本揭示中，樹脂的重量平均分子量（Mw）及數量平均分子量（Mn）設為藉由凝膠滲透層析術（Gel Permeation Chromatography，GPC）測定並使用標準聚苯乙烯的校準曲線進行換算而得的值。標準曲線使用標準聚苯乙烯的5個樣品組（TSK標準聚苯乙烯（standard POLYSTYRENE）[東曹股份有限公司製造、商品名]）以3次式近似。GPC的條件如以下所示。
GPC裝置：高速GPC裝置HLC-8320GPC（東曹股份有限公司製造，商品名）
檢測器：紫外吸光檢測器UV-8320（東曹股份有限公司製造，商品名）
管柱：吉爾帕（Gelpack）GL-S300MDT-5（共2根）（昭和電工材料股份有限公司製造，商品名）
洗脫液：THF/DMF=1/1（容積比）+LiBr（0.06 mol/L）+H
3PO
4（0.06 mol/L）
流量：1 mL/分鐘
管柱尺寸：8 mml.D.×300 mm
試樣濃度：5 mg/1 mL
注入量：5 μL
測定溫度：40℃
聚醯亞胺前驅體的一例是相對於聚醯亞胺前驅體中含有的二胺成分包含5莫耳%～20莫耳%的二聚物二胺，重量平均分子量為60000以上的聚醯亞胺前驅體。使用該例的聚醯亞胺前驅體獲得的聚醯亞胺為高斷裂伸長率，且可滿足相對介電常數為3.3以下，介電損耗角正切為0.005以下，或者所述兩者。
聚醯亞胺前驅體的一例是相對於聚醯亞胺前驅體中含有的二胺成分包含10莫耳%～20莫耳%的二聚物二胺，重量平均分子量為60000以上的聚醯亞胺前驅體。使用該例的聚醯亞胺前驅體獲得的聚醯亞胺為高斷裂伸長率，可滿足相對介電常數為3.0以下，介電損耗角正切為0.003以下，或者所述兩者。
聚醯亞胺前驅體的另一例為相對於聚醯亞胺前驅體中包含的二胺成分包含20莫耳%以上且50莫耳%或小於50莫耳%的二聚物二胺，且重量平均分子量為60000以上的聚醯亞胺前驅體。使用該例的聚醯亞胺前驅體獲得的聚醯亞胺為高斷裂伸長率，可滿足相對介電常數為2.9以下，介電損耗角正切為0.0015以下，或者所述兩者。
聚醯亞胺前驅體的另一例為相對於聚醯亞胺前驅體中含有的二胺成分包含20莫耳%以上且30莫耳%或小於30莫耳%的二聚物二胺，且重量平均分子量為60000以上的聚醯亞胺前驅體。使用該例的聚醯亞胺前驅體獲得的聚醯亞胺為高斷裂伸長率，可滿足相對介電常數為2.9以下，介電損耗角正切為0.0015以下，或者所述兩者。
聚醯亞胺前驅體的另一例是相對於聚醯亞胺前驅體中含有的二胺成分包含20莫耳%～80莫耳%的二聚物二胺，重量平均分子量為60000以上的聚醯亞胺前驅體。使用該例的聚醯亞胺前驅體獲得的聚醯亞胺為高斷裂伸長率，可滿足相對介電常數為2.9以下，介電損耗角正切為0.0015以下，或者所述兩者。
聚醯亞胺前驅體的進而另一例是相對於聚醯亞胺前驅體中含有的二胺成分包含30莫耳%～80莫耳%的二聚物二胺，重量平均分子量為60000以上的聚醯亞胺前驅體。使用該例的聚醯亞胺前驅體獲得的聚醯亞胺為高斷裂伸長率，可滿足相對介電常數為2.7以下，介電損耗角正切為0.0015以下，或者所述兩者。
聚醯亞胺前驅體的進而另一例是相對於聚醯亞胺前驅體中含有的二胺成分包含50莫耳%～80莫耳%的二聚物二胺，重量平均分子量為60000以上的聚醯亞胺前驅體。使用該例的聚醯亞胺前驅體獲得的聚醯亞胺為高斷裂伸長率，可滿足相對介電常數為2.7以下，介電損耗角正切為0.0015以下，或者所述兩者。
根據一實施方式的聚醯亞胺前驅體只要包括所述結構即可，並不受其製造方法所限定。以下，對聚醯亞胺前驅體的製造方法的一例進行說明，但根據一實施方式的聚醯亞胺前驅體並不限定於藉由以下的製造方法製造的聚醯亞胺前驅體。
作為聚醯亞胺前驅體的製造方法的一種方法，可包括使二胺化合物與四羧酸二酐化合物反應。
二胺化合物可包含二聚物二胺。二胺化合物除了包含二聚物二胺以外，亦可包含芳香族二胺、脂環式二胺、脂肪族二胺等其他二胺。
四羧酸二酐化合物可包含芳香族四羧酸二酐、脂環式四羧酸二酐、脂肪族四羧酸二酐等。
二胺化合物及四羧酸二酐化合物的詳細情況如上所述。
二胺化合物與四羧酸二酐化合物的混合比例以莫耳比計，例如可大致為1：1，可在1.00：0.95～1.00～1.05的範圍內調節。
二胺化合物與四羧酸二酐的反應可藉由溶液聚合進行。
作為合成溶媒，例如可列舉：N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N'-二甲基甲醯胺、γ-丁內酯、N,N'-二甲基丙烯脲〔1,3-二甲基-3,4,5,6-四氫吡啶-2(1H)-酮〕、二甲基亞碸、二乙二醇二甲醚、三乙二醇二甲醚、環丁碸、二甲基乙醯胺等極性溶媒；二甲苯、甲苯等芳香族烴溶媒；甲基乙基酮、甲基異丁基酮等酮類等。該些可使用一種，或者亦可將兩種以上組合使用。
合成溶媒的反應時的使用量相對於二胺與四羧酸二酐的合計量100質量份，較佳為100質量份～600質量份，更佳為200質量份～400質量份。藉由使合成溶媒的使用量為100質量份以上，可使各成分均質地反應。藉由使合成溶媒的使用量為600質量份以下，可促進聚合反應。另外，合成溶媒的使用量少，藉此可提高所獲得的樹脂組成物的樹脂濃度，在塗料化時可使塗膜更厚膜化。
藉由所述方法合成的聚醯亞胺前驅體可包括所述範圍的重量平均分子量。例如，藉由在合成中對聚醯亞胺前驅體進行取樣，繼續合成直至達到目標重量平均分子量，從而可調節重量平均分子量。聚醯亞胺前驅體的數量平均分子量能夠與重量平均分子量同樣地調節。
反應溫度並無特別限制，可藉由在合成溶媒中混合原料來進行反應，例如可為50℃以下、亦可為40℃以下，且可為10℃以上，亦可為20℃以上。就獲得高分子量的聚醯亞胺前驅體的觀點而言，反應時間較佳為3小時以上，更佳為5小時以上，進而佳為8小時以上。關於反應的終點，可設為對反應產物進行取樣並測定重量平均分子量，直至達到目標重量平均分子量。
使用所述的聚醯亞胺前驅體，可提供聚醯亞胺。該聚醯亞胺由於具備低介電常數及低介電損耗角正切，因此可較佳地用於絕緣性的聚醯亞胺成形體。該聚醯亞胺是將高分子量的聚醯亞胺前驅體脫水閉環而獲得，因此可提供一種斷裂伸長率、耐熱性、拉伸強度、拉伸彈性係數優異的聚醯亞胺成形體，特別是高斷裂伸長率的聚醯亞胺成形體。此種聚醯亞胺成形體在要求介電特性及斷裂伸長率的各種用途中有用，例如在可撓性印刷電路基板中的應用中有用。
（樹脂組成物）
根據本揭示的一實施方式的樹脂組成物的特徵在於，包含根據所述的一實施方式的聚醯亞胺前驅體。
較佳的一例中，為如下的樹脂組成物：聚醯亞胺前驅體是使用二胺與四羧酸二酐而獲得的聚醯亞胺前驅體，且其包含相對於聚醯亞胺前驅體中包含的二胺成分為5莫耳%～80莫耳%的二聚物二胺，重量平均分子量為15000～130000。
較佳的另一例中，是包含聚醯胺前驅體的、用於可撓性印刷電路基板的基膜的樹脂組成物，所述聚醯胺前驅體包含源自二胺的結構單元及源自四羧酸二酐的結構單元，且包含相對於源自二胺的結構單元的全部單元為10莫耳%以上且80莫耳%以下的源自二聚物二胺的結構單元，且重量平均分子量為15000以上且130000以下。
較佳的進而另一例中，是包含聚醯亞胺前驅體的樹脂組成物，所述聚醯亞胺前驅體包含源自二胺的結構單元及源自四羧酸二酐的結構單元，且包含相對於源自二胺的結構單元的全部單元為10莫耳%以上且小於50莫耳%的源自二聚物二胺的結構單元，重量平均分子量超過50000且為130000以下。
樹脂組成物中包含的聚醯亞胺前驅體的詳細情況如上所述。該樹脂組成物包含聚醯亞胺前驅體及溶劑。作為溶劑，可使用在所述的聚醯亞胺前驅體的製造方法中作為合成溶媒而列舉的溶劑。
該樹脂組成物可直接使用將聚醯亞胺前驅體進行溶液聚合時獲得的聚醯亞胺前驅體與合成溶媒的混合物。另外，亦可自所獲得的混合物中除去剩餘的合成溶媒，或者亦可進一步添加稀釋溶劑。
該樹脂組成物的樹脂成分較佳為5質量%～50質量%，更佳為10質量%～30質量%。在該些範圍內，可調節至作為塗料而言更佳的黏度範圍。
該樹脂組成物可較佳地用作可撓性印刷電路基板用樹脂組成物。
樹脂組成物的黏度在30℃下較佳為1 Pa·s～10 Pa·s，更佳為1 Pa·s～5 Pa·s。
在本揭示中，黏度是在旋轉式B型黏度計中，在30℃下使用No.3轉子測定而得的數值。
該樹脂組成物中根據需要可包含添加劑。作為添加劑，可列舉顏料、染料等著色劑、無機填料、有機填料、潤滑劑等。藉由使樹脂組成物包含低介電常數的填料，能夠使所獲得的聚醯亞胺成形體進一步低介電常數化。另一方面，根據一實施方式的聚醯亞胺由於其自身顯示出低介電常數，因此就可撓性的觀點而言，亦可較佳地適用於聚醯亞胺成形體中不含填料的用途。例如，相對於聚醯亞胺成形體的總質量，填料可為10質量%以下、5質量%以下或1質量%以下，聚醯亞胺成形體中亦可實質上不包含填料。
（聚醯亞胺）
根據本揭示的一實施方式的聚醯亞胺的特徵在於，其為使用根據所述的一實施方式的聚醯亞胺前驅體而獲得的聚醯亞胺。
根據本揭示的另一實施方式的聚醯亞胺的特徵在於，其包含源自二胺的結構單元及源自四羧酸二酐的結構單元，且包含相對於源自二胺的結構單元的全部單元為5莫耳%～80莫耳%的源自二聚物二胺的結構單元，斷裂伸長率為95%以上。
較佳的一例中，為一種用於高頻可撓性印刷電路基板的基膜的聚醯亞胺，其包含源自二胺的結構單元及源自四羧酸二酐的結構單元，且包含相對於源自二胺的結構單元的全部單元為5莫耳%以上且80莫耳%以下的源自二聚物二胺的結構單元，斷裂伸長率為95%以上。
較佳的另一例中，為一種用於可撓性印刷電路基板的基膜的聚醯亞胺，其包含源自二胺的結構單元及源自四羧酸二酐的結構單元，且包含相對於源自二胺的結構單元的全部單元為5莫耳%以上且80莫耳%以下的源自二聚物二胺的結構單元，斷裂伸長率為95%以上，玻璃化轉變溫度為200℃以上。
在較佳的進而另一例中，為一種聚醯亞胺，包含源自二胺的結構單元及源自四羧酸二酐的結構單元，且包含相對於源自二胺的結構單元的全部單元為10莫耳%以上且小於50莫耳%的源自二聚物二胺的結構單元，斷裂伸長率為95%以上，玻璃化轉變溫度為200℃以上。
該些例示的聚醯亞胺為高斷裂伸長率，可具備低介電常數及低介電損耗角正切。藉由使用該聚醯亞胺，可提供一種介電特性及斷裂伸長率優異的聚醯亞胺成形體。
聚醯亞胺可包含源自二胺的結構單元及源自四羧酸二酐的結構單元。
在聚醯亞胺中，源自二胺的結構單元可為能夠用於所述的聚醯亞胺前驅體的源自二胺的結構單元。在聚醯亞胺中，源自四羧酸二酐的結構單元可為源自能夠用於所述的聚醯亞胺前驅體的四羧酸二酐的結構單元。
在聚醯亞胺中，源自二胺的結構單元可包含一種或組合包含兩種以上，源自四羧酸二酐的結構單元可包含一種或組合包含兩種以上。
在聚醯亞胺中，源自二胺的結構單元可包含源自二聚物二胺的結構單元。在聚醯亞胺中，源自二聚物二胺的結構單元可為源自能夠用於所述的聚醯亞胺前驅體的二聚物二胺的結構單元。
在聚醯亞胺中，可包含相對於源自二胺的結構單元的全部單元為5莫耳%～80莫耳%的源自二聚物二胺的結構單元。
就降低聚醯亞胺的相對介電常數及介電損耗角正切的觀點而言，相對於源自二胺的結構單元的全部單元，源自二聚物二胺的單元較佳為5莫耳%以上，更佳為10莫耳%以上，進而佳為20莫耳%以上，更進而佳為25莫耳%以上。
就防止聚醯亞胺的耐熱性、拉伸強度、及拉伸彈性係數降低的觀點而言，相對於源自二胺的結構單元的全部單元，源自二聚物二胺的單元較佳為80莫耳%以下，更佳為50莫耳%或小於50莫耳%，進而佳為45莫耳%以下，更進而佳為40莫耳%以下。就獲得高耐熱性、高拉伸強度或高拉伸彈性係數的觀點而言，該二聚物二胺的比例較佳為40莫耳%以下，更佳為35莫耳%以下，進而佳為30莫耳%以下。
就在維持各種特性的同時降低相對介電常數及介電損耗角正切的觀點而言，例如，相對於源自二胺的結構單元的全部單元，源自二聚物二胺的單元較佳為5莫耳%～80莫耳%，更佳為10莫耳%～80莫耳%。另外，較佳為10莫耳%～50莫耳%或10莫耳%以上且小於50莫耳%，更佳為20莫耳%～40莫耳%，亦可為20莫耳%～30莫耳%。
聚醯亞胺較佳為斷裂伸長率為95%以上。
就獲得具備柔軟性的成形體的觀點而言，聚醯亞胺的斷裂伸長率較佳為95%以上，更佳為100%以上，進而佳為110%以上，進而佳為120莫耳%以上，更進而佳為150%以上。藉由在該些範圍內具備斷裂伸長率，可有效地用於要求彎曲應力的成形體、例如可撓性印刷電路基板等。
聚醯亞胺的斷裂伸長率並無特別限制，可為500%以下，亦可為400%以下，進而亦可為350%以下。
例如，聚醯亞胺的斷裂伸長率較佳為95%～500%，可為100%～400%，進而亦可為150%～350%。
聚醯亞胺的拉伸強度較佳為10 MPa～400 MPa。
就材料強度的觀點而言，聚醯亞胺的拉伸強度較佳為10 MPa以上，更佳為50 MPa以上，進而佳為70 MPa以上，更進而佳為80 MPa以上。
聚醯亞胺的拉伸強度較佳為400 MPa以下，更佳為300 MPa以下，亦可為200 MPa以下。藉由在該些範圍內具備拉伸強度，可適當地進行膜製造時的拉伸步驟，藉由使分子鏈配向，可獲得面內特性優異的膜。
聚醯亞胺的拉伸彈性係數較佳為0.1 GPa～5 GPa。
就材料強度的觀點而言，聚醯亞胺的拉伸彈性係數較佳為0.1 GPa以上，更佳為0.3 GPa以上，亦可為0.5 GPa以上。若小於0.1 GPa，則在安裝半導體元件時，會產生配線電路或半導體元件沈入聚醯亞胺成形體中的現象。
聚醯亞胺的拉伸彈性係數較佳為5 GPa以下，更佳為3 GPa以下，進而佳為2.0 GPa以下，更進而佳為1.6 GPa以下。藉由在該些範圍內具備拉伸彈性係數，可改善當用於車載毫米波雷達模組時等，由於排斥力而引起剝離或斷線等安裝不良、或者由於彎曲時的半徑增大而需要額外的空間等問題。
在本揭示中，關於聚醯亞胺的拉伸強度，將寬10 mm、長60 mm、厚25 μm的聚醯亞胺的試驗片以卡盤間距離20 mm設置在拉伸試驗機上，在25℃下以5 mm/分鐘的速度拉伸的情況下，將拉伸試驗中施加的最大拉伸應力作為拉伸強度。斷裂伸長率是在相同條件的試驗中，藉由將直至試驗片斷裂的試驗片的伸長量除以卡盤間距離20 mm進行計算而求出的值。拉伸彈性係數是在相同條件的試驗中，由應力上升初期的彈性變形區域的斜率算出楊氏模量（MPa）而求出的值。其他的詳細條件及算出方法以國際標準（國際標準組織（International Standardization Organization，ISO））527-1：2019為準。拉伸試驗裝置例如可使用股份有限公司島津製作所製造的「奧托古拉夫（AUTO GRAPH）AGS-100NG」。
聚醯亞胺的一例是相對於源自二胺的結構單元的全部單元，包含5莫耳%～20莫耳%的源自二聚物二胺的結構單元，斷裂伸長率為95%以上的聚醯亞胺。該例的聚醯亞胺可滿足相對介電常數為3.3以下，介電損耗角正切為0.005以下，或者所述兩者。
聚醯亞胺的一例是相對於源自二胺的結構單元的全部單元，包含10莫耳%～20莫耳%的源自二聚物二胺的結構單元，斷裂伸長率為95%以上，較佳為100%以上的聚醯亞胺。該例的聚醯亞胺可滿足相對介電常數為3.0以下，介電損耗角正切為0.003以下，或者所述兩者。
聚醯亞胺的另一例為相對於源自二胺的結構單元的全部單元，以20莫耳%以上且50莫耳%或小於50莫耳%包含源自二聚物二胺的結構單元，斷裂伸長率為95%以上，較佳為150%以上的聚醯亞胺。該例的聚醯亞胺可滿足相對介電常數為2.9以下，介電損耗角正切為0.0015以下，或者所述兩者。
聚醯亞胺的另一例為相對於源自二胺的結構單元的全部單元，以20莫耳%以上且30莫耳%或小於30莫耳%包含源自二聚物二胺的結構單元，斷裂伸長率為95%以上，較佳為150%以上的聚醯亞胺。該例的聚醯亞胺可滿足相對介電常數為2.9以下，介電損耗角正切為0.0015以下，或者所述兩者。
聚醯亞胺的另一例為相對於源自二胺的結構單元的全部單元，包含20莫耳%～80莫耳%的源自二聚物二胺的結構單元，斷裂伸長率為95%以上，較佳為150%以上的聚醯亞胺。該例的聚醯亞胺可滿足相對介電常數為2.9以下，介電損耗角正切為0.0015以下，或者所述兩者。
聚醯亞胺的進而另一例是相對於源自二胺的結構單元的全部單元，包含30莫耳%～80莫耳%的源自二聚物二胺的結構單元，斷裂伸長率為95%以上，較佳為150%以上，進而佳為300%以上的聚醯亞胺。該例的聚醯亞胺可滿足相對介電常數為2.7以下，介電損耗角正切為0.0015以下，或者所述兩者。
聚醯亞胺的進而另一例是相對於源自二胺的結構單元的全部單元，包含50莫耳%～80莫耳%的源自二聚物二胺的結構單元，斷裂伸長率為95%以上，較佳為150%以上，進而佳為300%以上的聚醯亞胺。該例的聚醯亞胺可滿足相對介電常數為2.7以下、介電損耗角正切為0.0015以下、或者所述兩者。
就耐熱性的觀點而言，聚醯亞胺的玻璃化轉變溫度（Tg）較佳為200℃～500℃，更佳為300℃～500℃。就耐熱性的觀點而言，聚醯亞胺的玻璃化轉變溫度較佳為200℃以上，更佳為250℃以上，進而佳為300℃以上，更進而佳為350℃以上。
相對於源自二胺的結構單元的全部單元包含5莫耳%以上且小於30莫耳%的源自二聚物二胺的結構單元的聚醯亞胺中，玻璃化轉變溫度較佳為300℃～500℃，更佳為350℃～500℃，進而佳為380℃～500℃。
相對於源自二胺的結構單元的全部單元包含30莫耳%以上且小於50莫耳%的源自二聚物二胺的結構單元的聚醯亞胺中，玻璃化轉變溫度較佳為200℃～500℃，更佳為300℃～500℃，進而佳為320℃～500℃。
相對於源自二胺的結構單元的全部單元，包含50莫耳%以上且80莫耳%以下的源自二聚物二胺的結構單元的聚醯亞胺中，玻璃化轉變溫度較佳為200℃～500℃，更佳為250℃～500℃，進而佳為300℃～500℃。
在本揭示中，使用熱機械分析裝置，準備寬4 mm、長25 mm、厚25 μm的試樣片，按照以下順序測定玻璃化轉變溫度。首先，將試樣片以卡盤間距離10 mm，荷重10 g，拉伸模式在氮氣環境下以10℃/min的速度自室溫（20℃）升溫至350℃，保持30分鐘，然後以10℃/min的速度冷卻至30℃，除去殘留應力。接著，在卡盤間距離10 mm下，利用拉伸法在氮氣環境下以10℃/min自20℃至500℃對該試樣片進行升溫測定，將對應於拐點的溫度作為玻璃化轉變溫度（℃）而求出。
就耐熱性的觀點而言，聚醯亞胺的5%熱重量減少溫度（T
d5）較佳為200℃～600℃，更佳為300℃～500℃。
在本揭示中，T
d5是在惰性環境下以每分鐘10℃的升溫速度在50℃～500℃的範圍內進行測定，自初期開始重量減少了5%的溫度。
就獲得絕緣性高的聚醯亞胺成形體的觀點而言，聚醯亞胺的相對介電常數較佳為3.3以下，更佳為3.0以下。另外，聚醯亞胺的相對介電常數較佳為2.0以上且3.3以下，更佳為2.0以上且3.0以下。
更具體而言，聚醯亞胺的相對介電常數較佳為2.00～3.30。
就絕緣性的觀點而言，聚醯亞胺的相對介電常數較佳為3.30以下，更佳為3.20以下，進而佳為3.00以下，更進而佳為2.80以下，亦可為2.60以下。
聚醯亞胺的相對介電常數並無特別限制，就防止耐熱性、拉伸強度、及拉伸彈性係數降低的觀點而言，可為2.00以上。
就獲得傳輸損失小的聚醯亞胺成形體的觀點而言，聚醯亞胺的介電損耗角正切較佳為0.015以下，更佳為0.003以下。另外，聚醯亞胺的介電損耗角正切較佳為0.0001以上且0.015以下，更佳為0.0005以上且0.003以下。
更具體而言，就降低傳輸損失的觀點而言，聚醯亞胺的介電損耗角正切較佳為0.0150以下，更佳為0.0100以下，進而佳為0.0050以下。進而，為了用於絕緣性更高的用途，聚醯亞胺的介電損耗角正切較佳為0.0030以下，更佳為0.0025以下，進而佳為0.0015以下。
聚醯亞胺的介電損耗角正切並無特別限制，可為0.0001以上，亦可為0.0005以上。
在本揭示中，聚醯亞胺的相對介電常數及介電損耗角正切可根據空腔諧振器擾動法，由試樣片的靜電電容的值及厚度求出。具體而言，可使用將聚醯亞胺切成60 mm×60 mm、厚度25 μm的試樣片，利用空腔諧振器法（TE模式）測定相對介電常數及介電損耗角正切。測定條件設為頻率10 GHz、測定溫度25℃。
具備所述特性的聚醯亞胺可使用所述的聚醯亞胺前驅體而獲得，但不限於藉由該方法而獲得的聚醯亞胺。藉由將高分子量的聚醯亞胺前驅體脫水閉環，可獲得具備所述的斷裂伸長率的聚醯亞胺。
（成形體及可撓性印刷電路基板）
根據本揭示的一實施方式的聚醯亞胺成形體的特徵在於包含根據所述的一實施方式的聚醯亞胺。根據本揭示的另一實施方式的聚醯亞胺成形體的特徵在於，使用根據所述的一實施方式的樹脂組成物而形成。作為聚醯亞胺成形體，可為板狀的基板、塗佈在基材上的塗膜、能夠藉由成形模具成形的各種形狀等。
另外，根據本揭示的一實施方式的可撓性印刷電路基板（FPC）的特徵在於包含根據所述的一實施方式的聚醯亞胺。根據本揭示的另一實施方式的可撓性印刷電路基板的特徵在於包含使用所述的樹脂組成物而獲得的聚醯亞胺。
使用一實施方式的聚醯亞胺前驅體或樹脂組成物而獲得的聚醯亞胺具備低介電常數及低介電損耗角正切，因此藉由用於可撓性印刷電路基板，可提供一種具備高絕緣性的基板。另外，根據一實施方式的聚醯亞胺由於耐熱性及柔軟性高，因此可較佳地應用於可撓性印刷電路基板。此種可撓性印刷電路基板由於介電特性、耐熱性、及斷裂伸長率優異，因此對於車載用壓力感測器、角度感測器、轉換器配線用可撓性印刷電路基板、車載毫米波雷達等毫米波雷達用基板等中的應用有用。進而，可較佳地用於高頻可撓性印刷電路基板，具體而言，可較佳地適用於毫米波雷達、高頻天線、高速傳輸用基板等中使用的高頻可撓性印刷電路基板。
作為可撓性印刷電路基板的一例，具有基膜，且基膜包含根據所述的一實施方式的聚醯亞胺。作為可撓性印刷電路基板的另一例，具有基膜及在基膜上形成的塗膜層，且至少塗膜層包含根據所述的一實施方式的聚醯亞胺。
具體而言，可撓性印刷電路基板可包括基膜。基膜可為單層，亦可為積層體。在單層的基膜中，基膜可使用所述一實施方式的聚醯亞胺。在積層體的基膜中，基膜可使用一實施方式的聚醯亞胺的樹脂層及其他樹脂層，或者基膜的至少兩層可使用組成不同的兩種以上的所述一實施方式的聚醯亞胺。作為其他樹脂層，例如由聚對苯二甲酸乙二酯、液晶聚合物、聚醯胺醯亞胺、一實施方式的聚醯亞胺以外的其他聚醯亞胺等形成。根據一實施方式的聚醯亞胺具備高斷裂伸長率，因此即使藉由聚醯亞胺單層亦可提供基膜。
可撓性印刷電路基板可為在基膜的一面形成銅箔等導電層的單面可撓性印刷電路基板，亦可為在基膜的兩面形成銅箔等導電層的雙面可撓性印刷電路基板。
可撓性印刷電路基板亦可包括基膜及塗膜層。塗膜層可在對基膜塗敷銅箔等導電層等之後作為保護層形成。在該可撓性印刷電路基板中，較佳為基膜及塗膜層中的至少一者包含一實施方式的聚醯亞胺。具有一實施方式的聚醯亞胺的基膜如上所述。在基膜由其他樹脂形成的情況下，塗膜層較佳為包含一實施方式的聚醯亞胺。基膜及塗膜層兩者中可包含一實施方式的聚醯亞胺。
根據本揭示的一實施方式的成形體或可撓性印刷電路基板包含聚醯亞胺，聚醯亞胺包含源自二胺的結構單元及源自四羧酸二酐的結構單元，且相對於源自二胺的結構單元的總量，包含5莫耳%～80莫耳%的源自二聚物二胺的結構單元，斷裂伸長率為95%以上。聚醯亞胺的詳細情況如上所述。該成形體或可撓性印刷電路基板可使用包含所述一實施方式的聚醯亞胺前驅體的樹脂組成物形成，但並不限定於藉由該方法製造者。
作為板狀或塗膜狀的聚醯亞胺成形體的製造方法的一例，可包括塗佈包含聚醯亞胺前驅體及溶劑的樹脂組成物並加熱。聚醯亞胺前驅體、溶劑及樹脂組成物中可使用所述者。根據該方法，可提供一種絕緣性、耐熱性、強度、耐水解性、耐藥品性等優異的聚醯亞胺成形體。
塗膜狀的聚醯亞胺成形體可藉由在基材上塗佈樹脂組成物並加熱而獲得。作為基材，可為玻璃、金屬等剛性基材、樹脂等柔軟性基材等。作為柔軟性基材的材料，可使用一實施方式的聚醯亞胺。
基板狀的聚醯亞胺成形體可以如下方式獲得：將樹脂組成物塗佈在臨時固定基材上並進行加熱，藉此形成聚醯亞胺樹脂層，自臨時固定基材剝離聚醯亞胺樹脂層。該基板狀的聚醯亞胺成形體可用作可撓性印刷電路基板。
聚醯亞胺成形體可為藉由在成形模中填充樹脂組成物並進行加熱而成形為各種形狀的成形體。
作為將樹脂組成物賦予至基材的方法，可為在基材的表面塗佈樹脂組成物的方法、將基材浸漬於樹脂組成物中的方法等。例如有刷塗、浸漬塗佈（浸漬）、旋轉塗佈、鑄塗、刮塗、噴塗等。
賦予至基材的樹脂組成物藉由加熱而硬化，可形成聚醯亞胺成形體。
加熱溫度較佳為260℃～520℃。藉由使加熱溫度為該下限值以上，可自成形體中除去溶劑，不殘存殘留溶劑，促進成形體的硬化而進一步改善特性。另外，若極性溶劑殘留在成形體中，則有時在極性溶劑中樹脂成分溶解或溶脹而使成形體的特性降低。藉由使加熱溫度為該上限值以下，可防止加熱下的成形體的劣化。
加熱時間較佳為1秒～1小時。在該範圍內，可使成形體中不殘存殘留溶劑。另外，藉由使加熱時間不會過長，能夠防止加熱下的成形體的劣化。
在本說明書中，使用「～」表示的數值範圍表示將在「～」前後記載的數值分別作為最小值及最大值包含的範圍。在本說明書中階段性記載的數值範圍中，某階段的數值範圍的上限值或下限值可與其他階段的數值範圍的上限值或下限值任意組合。本說明書中例示的材料只要並無特別說明，可單獨使用一種或組合兩種以上使用。在本說明書中，組成物中的各成分的含量於在組成物中存在多個相當於各成分的物質的情況下，只要並無特別說明，是指組成物中存在的該多個物質的合計量。用語「步驟」不僅是獨立的步驟，即使在無法與其他步驟明確區分的情況下，只要達成該步驟所期望的作用，亦包含在本用語中。
以下，進一步例示幾個實施方式。
作為一實施方式，為一種聚醯亞胺前驅體，其是使二胺與四羧酸二酐反應而獲得的聚醯亞胺前驅體，且包含相對於聚醯亞胺前驅體中所含的二胺成分為5莫耳%～80莫耳%的二聚物二胺，重量平均分子量為15000～130000。一種聚醯亞胺，是將該聚醯亞胺前驅體硬化而獲得。一種樹脂組成物，包含該聚醯亞胺前驅體。一種聚醯亞胺成形體，是使用該樹脂組成物而形成。一種可撓性基板，具有使用該樹脂組成物形成的聚醯亞胺。
作為另一實施方式，為一種聚醯亞胺，其包含源自二胺的結構單元及源自四羧酸二酐的結構單元，且包含相對於所述源自二胺的結構單元的全部單元為5莫耳%～80莫耳%的源自二聚物二胺的結構單元，斷裂伸長率為95%以上。一種可撓性基板，具有該聚醯亞胺。
[實施例]
以下，藉由實施例對本發明進行具體說明，但本發明並不限定於該些實施例。
實施例的配方及評價結果示於表1。
（例1）
將作為二胺成分的二聚物二胺（商品名「普利阿敏（PRIAMINE）1075」、日本禾大（Croda Japan）股份有限公司、以下稱為「DDA」）79.9 g（0.15莫耳）、及4,4'-二胺基二苯基醚（以下稱為「ODA」）29.9 g（0.15莫耳）溶解在N-甲基-2-吡咯啶酮700.0 g中，並向其中加入作為酸酐成分的均苯四甲酸二酐（以下稱為「PMDA」）63.9 g（0.29莫耳），使其反應。該反應在50℃以下攪拌8小時以上來進行。攪拌8小時以上後，對反應生成物進行取樣，測定重量平均分子量及數量平均分子量，在反應充分進行的時刻停止反應。反應停止後，以表中所示的樹脂成分濃度獲得包含具有源自二聚物二胺的結構的聚醯亞胺前驅體的樹脂組成物。目視觀察該樹脂組成物的外觀，結果均勻且透明。
（例2）
將作為二胺成分的DDA 67.8 g（0.13莫耳）、及ODA 38.1 g（0.19莫耳）溶解於N-甲基-2-吡咯啶酮700.0 g中，並向其中加入作為酸酐成分的PMDA 67.7 g（0.31莫耳），使其反應。該反應在50℃以下攪拌8小時以上而進行。攪拌8小時以上後，對反應生成物進行取樣，測定重量平均分子量及數量平均分子量，在反應充分進行的時刻停止反應。反應停止後，以表中所示的樹脂成分濃度，獲得包含具有源自二聚物二胺的結構的聚醯亞胺前驅體的樹脂組成物。目視觀察該樹脂組成物的外觀，結果均勻且透明。
（例3）
將作為二胺成分的DDA 46.6 g（0.087莫耳）、及ODA 52.4 g（0.26莫耳）溶解於N-甲基-2-吡咯啶酮700.0 g中，並向其中加入作為酸酐成分的PMDA 74.5 g（0.34莫耳），使其反應。該反應在50℃以下攪拌8小時以上而進行。攪拌8小時以上後，對反應生成物進行取樣，測定重量平均分子量及數量平均分子量，在反應充分進行的時刻停止反應。反應停止後，以表中所示的樹脂成分濃度，獲得包含具有源自二聚物二胺的結構的聚醯亞胺前驅體的樹脂組成物。目視觀察該樹脂組成物的外觀，結果均勻且透明。
（例4）
將作為二胺成分的DDA 20.7 g（0.039莫耳）、及ODA 69.8 g（0.35莫耳）溶解於N-甲基-2-吡咯啶酮700.0 g中，並向其中加入作為酸酐成分的PMDA 82.8 g（0.38莫耳），使其反應。該反應在50℃以下攪拌8小時以上而進行。攪拌8小時以上後，對反應生成物進行取樣，測定重量平均分子量及數量平均分子量，在反應充分進行的時刻停止反應。反應停止後，以表中所示的樹脂成分濃度，獲得包含具有源自二聚物二胺的結構的聚醯亞胺前驅體的樹脂組成物。目視觀察該樹脂組成物的外觀，結果均勻且透明。
（例5）
將作為二胺成分的DDA 10.8 g（0.020莫耳）、及ODA 76.5 g（0.38莫耳）溶解於N-甲基-2-吡咯啶酮700.0 g中，並向其中加入作為酸酐成分的PMDA 86.0 g（0.40莫耳），使其反應。該反應在50℃以下攪拌8小時以上而進行。攪拌8小時以上後，對反應生成物進行取樣，測定重量平均分子量及數量平均分子量，在反應充分進行的時刻停止反應。反應停止後，以表中所示的樹脂成分濃度，獲得包含具有源自二聚物二胺的結構的聚醯亞胺前驅體的樹脂組成物。目視觀察該樹脂組成物的外觀，結果均勻且透明。
（例6）
將作為二胺成分的ODA 83.8 g（0.42莫耳）溶解於N-甲基-2-吡咯啶酮700.0 g中，並向其中加入作為酸酐成分的PMDA 89.4 g（0.41莫耳），使其反應。該反應在50℃以下攪拌3小時以上而進行。攪拌3小時以上後，對反應生成物進行取樣，測定重量平均分子量及數量平均分子量，在反應充分進行的時刻停止反應。反應停止後，以表中所示的樹脂成分濃度，獲得包含具有源自二聚物二胺的結構的聚醯亞胺前驅體的樹脂組成物。目視觀察該樹脂組成物的外觀，結果均勻且透明。
（例7）
將作為二胺成分的DDA 40.5 g（0.076莫耳）、及ODA 45.5 g（0.23莫耳）溶解在N-甲基-2-吡咯啶酮700.0 g中，向其中加入作為酸酐成分的3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐（以下稱為「s-BPDA」）87.3 g（0.30莫耳），使其反應。該反應在50℃以下攪拌8小時以上而進行。攪拌8小時以上後，對反應生成物進行取樣，測定重量平均分子量及數量平均分子量，在反應充分進行的時刻停止反應。反應停止後，以表中所示的樹脂成分濃度，獲得包含具有源自二聚物二胺的結構的聚醯亞胺前驅體的樹脂組成物。目視觀察該樹脂組成物的外觀，結果均勻且透明。
（例8）
將作為二胺成分的DDA 35.5 g（0.066莫耳）、及2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷（以下稱為「BAPP」）81.7 g（0.20莫耳）溶解在N-甲基-2-吡咯啶酮700.0 g中，並向其中加入作為酸酐成分的PMDA56.7 g（0.26莫耳），使其反應。該反應在50℃以下攪拌8小時以上而進行。攪拌8小時以上後，對反應生成物進行取樣，測定重量平均分子量及數量平均分子量，在反應充分進行的時刻停止反應。反應停止後，以表中所示的樹脂成分濃度，獲得包含具有源自二聚物二胺的結構的聚醯亞胺前驅體的樹脂組成物。目視觀察該樹脂組成物的外觀，結果均勻且透明。
（例9）
將作為二胺成分的DDA 31.8 g（0.060莫耳）、及BAPP 73.2 g（0.18莫耳）溶解於N-甲基-2-吡咯啶酮700.0 g中，並向其中加入作為酸酐成分的s-BPDA 68.6 g（0.23莫耳），使其反應。該反應在50℃以下攪拌8小時以上而進行。攪拌8小時以上後，對反應生成物進行取樣，測定重量平均分子量及數量平均分子量，在反應充分進行的時刻停止反應。反應停止後，以表中所示的樹脂成分濃度，獲得包含具有源自二聚物二胺的結構的聚醯亞胺前驅體的樹脂組成物。目視觀察該樹脂組成物的外觀，結果均勻且透明。
（樹脂組成物的重量平均分子量及數量平均分子量）
按照以下的順序對各例的包含聚醯亞胺前驅體的樹脂組成物進行測定。
重量平均分子量（Mw）及數量平均分子量（Mn）設為藉由凝膠滲透層析術（GPC）進行測定，使用標準聚苯乙烯的標準曲線進行換算而得的值。標準曲線使用標準聚苯乙烯的5個樣品組（TSK標準聚苯乙烯（standard POLYSTYRENE）[東曹股份有限公司製造，商品名]）以3次式近似。GPC的條件如以下所示。
GPC裝置：高速GPC裝置HLC-8320GPC（東曹股份有限公司製造、商品名）
檢測器：紫外吸光檢測器UV-8320（東曹股份有限公司製造、商品名）
管柱：吉爾帕（Gelpack）GL-S300MDT-5（共2根）（昭和電工材料股份有限公司製造、商品名）
洗脫液：THF/DMF=1/1（容積比）+LiBr（0.06 mol/L）+H
3PO
4（0.06 mol/L）
流量：1 mL/分鐘
管柱尺寸：8 mml.D.×300 mm
試樣濃度：5 mg/1 mL
注入量：5 μL
測定溫度：40℃
（膜的製作）
使用各例的包含聚醯亞胺前驅體的樹脂組成物，按照以下順序製作膜。
對市售的玻璃基板的表面進行丙酮脫脂，使用帶有膜厚調整功能的膜塗敷器以使硬化後的膜厚成為25 μm的方式塗佈樹脂組成物，並使用加熱板（hot plate）在80℃下預乾燥60分鐘。接著，使用惰性氣體烘箱，在150℃下升溫30分鐘，在200℃下升溫30分鐘，在250℃下升溫30分鐘後，在350℃下烘烤1小時，獲得聚醯亞胺硬化膜。將硬化後的膜浸漬於溫水中15分鐘左右，自玻璃基板上剝離。
（膜的相對介電常數及介電損耗角正切）
將上述獲得的各例的硬化膜切成60 mm×60 mm尺寸後，在120℃下進行15分鐘乾燥處理後，利用空腔諧振器法（TE模式）測定介電特性（相對介電常數Dk及介電損耗角正切Df）。裝置使用安立（ANRITSU）股份有限公司製造的「MS46122B」。條件設為頻率10 GHz、測定溫度25℃。
（膜的拉伸強度、拉伸彈性係數、斷裂伸長率）
各例的膜的拉伸強度、拉伸彈性係數、斷裂伸長率藉由下述步驟測定。
將所述獲得的硬化膜切成寬10 mm、長60 mm的尺寸，作為試驗樣品。在以下的測定條件下進行拉伸試驗，將拉伸試驗中施加的最大拉伸應力作為拉伸強度。另外，斷裂伸長率藉由將直至斷裂的膜的伸長量除以卡盤間距離20 mm而算出。由應力上升初期的彈性變形區域的斜率算出楊氏模量（MPa），將其作為拉伸彈性係數。其他的詳細條件及計算方法按照國際標準ISO527-1：2019進行。
裝置名：島津製作所股份有限公司製造的「奧托古拉夫（AUTO GRAPH）AGS-100NG」（商品名）
試驗速度：5 mm/min
卡盤間距離：20 mm
試驗片尺寸：寬10 mm、長60 mm
設定溫度：室溫（25℃）
（膜的玻璃化轉變溫度）
將各例的硬化膜切成寬4 mm、長25 mm，製作試樣片，按以下順序進行測定。首先，將試樣片在卡盤間距離10 mm，荷重10 g，拉伸模式下在氮氣環境下以10℃/min的速度自室溫（20℃）升溫至350℃，保持30分鐘，然後，以10℃/min的速度冷卻至30℃，除去殘留應力。繼而，使用熱機械分析裝置（「TMA7100」、日立高科技科學（Hitachi High-Tech Science）股份有限公司製造，商品名），在卡盤間距離10 mm下，利用拉伸法，在氮氣環境下以10℃/min自20℃至500℃對該試樣片進行升溫測定，將對應於拐點的溫度設為玻璃化轉變溫度（℃）。
[表1]
| 例1 | 例2 | 例3 | 例4 | 例5 | 例6 | ||
| 組成 （莫耳） | PMDA | 0.29 | 0.31 | 0.34 | 0.38 | 0.40 | 0.41 |
| s-BPDA | - | - | - | - | - | - | |
| ODA | 0.15 | 0.19 | 0.26 | 0.35 | 0.38 | 0.42 | |
| BAPP | - | - | - | - | - | - | |
| DDA | 0.15 | 0.13 | 0.087 | 0.039 | 0.020 | 0 | |
| 二胺成分中的 DDA（莫耳%） | 50 | 40 | 25 | 10 | 5 | 0 | |
| 樹脂 組成物 特性 | 重量平均分子量 | 69,800 | 80,100 | 78,400 | 86,500 | 82,400 | 81,600 |
| 數量平均分子量 | 36,700 | 47,000 | 48,000 | 51,200 | 50,100 | 50,400 | |
| 樹脂成分濃度（質量%） | 18.3 | 18.4 | 18.2 | 18.4 | 18.5 | 17.3 | |
| 膜特性 | 相對介電常數 Dk（10 GHz） | 2.66 | 2.73 | 2.86 | 2.99 | 3.15 | 3.43 |
| 介電損耗角正切Df （10 GHz） | 0.0014 | 0.0014 | 0.0014 | 0.0030 | 0.0046 | 0.0164 | |
| 拉伸強度（MPa） | 62.5 | 75.8 | 82.7 | 137.1 | 158.2 | 204.5 | |
| 拉伸彈性係數（GPa） | 0.3 | 0.8 | 1.3 | 1.6 | 1.7 | 2.1 | |
| 斷裂伸長率（%） | 312 | 252 | 165 | 107 | 97 | 81 | |
| 玻璃化轉變溫度（℃） | 329 | 355 | 396 | 399 | 404 | 405 |
[表2]
| 例7 | 例8 | 例9 | ||
| 組成 （莫耳） | PMDA | - | 0.26 | - |
| s-BPDA | 0.30 | - | 0.23 | |
| ODA | 0.23 | - | - | |
| BAPP | - | 0.20 | 0.18 | |
| DDA | 0.076 | 0.066 | 0.060 | |
| 二胺成分中的 DDA（莫耳%） | 25 | 25 | 25 | |
| 樹脂 組成物 特性 | 重量平均分子量 | 84,400 | 85,800 | 86,100 |
| 數量平均分子量 | 53,000 | 53,100 | 54,900 | |
| 樹脂成分濃度（質量%） | 18.3 | 18.1 | 18.4 | |
| 膜特性 | 相對介電常數 Dk（10 GHz） | 2.99 | 2.84 | 2.77 |
| 介電損耗角正切Df （10 GHz） | 0.0009 | 0.0014 | 0.0042 | |
| 拉伸強度（MPa） | 210.3 | 66.5 | 36.4 | |
| 拉伸彈性係數（GPa） | 6.2 | 1.1 | 1.8 | |
| 斷裂伸長率（%） | 122 | 127 | 108 | |
| 玻璃化轉變溫度（℃） | 382 | 380 | 211 |
如表1及表2所示，在例1～例5、例7～例9中，使用包含二聚物二胺（DDA）的聚醯亞胺前驅體，可獲得低介電常數且低介電損耗角正切的膜。可知例1～例5、例7～例9的聚醯亞胺膜具備低介電常數且低介電損耗角正切，同時斷裂伸長率高。例1～例5、例7～例9的樹脂組成物中所含的聚醯亞胺前驅體的重量平均分子量大，因此可知能夠製作斷裂伸長率高的成形體。可知例1～例5、例7～例9的聚醯亞胺膜例如適合於可撓性印刷電路基板的基膜用的膜。
例6是使用不含二聚物二胺的聚醯亞胺前驅體製作的膜，相對介電常數及介電損耗角正切高，無法充分獲得介電特性，斷裂伸長率亦低。
無
無
Claims (15)
- 一種聚醯亞胺前驅體，包含源自二胺的結構單元及源自四羧酸二酐的結構單元，且包含相對於所述源自二胺的結構單元的全部單元為10莫耳%以上且80莫耳%以下的源自二聚物二胺的結構單元，重量平均分子量為15000以上且130000以下，且所述聚醯亞胺前驅體用於可撓性印刷電路基板的基膜。
- 一種聚醯亞胺前驅體，包含源自二胺的結構單元及源自四羧酸二酐的結構單元，且包含相對於所述源自二胺的結構單元的全部單元為10莫耳%以上且小於50莫耳%的源自二聚物二胺的結構單元，重量平均分子量超過50000且為130000以下。
- 一種樹脂組成物，包含如請求項1或請求項2所述的聚醯亞胺前驅體。
- 一種聚醯亞胺，使用如請求項1或請求項2所述的聚醯亞胺前驅體而獲得。
- 一種聚醯亞胺，包含源自二胺的結構單元及源自四羧酸二酐的結構單元，且包含相對於所述源自二胺的結構單元的全部單元為5莫耳%以上且80莫耳%以下的源自二聚物二胺的結構單元，斷裂伸長率為95%以上，且所述聚醯亞胺用於高頻可撓性印刷電路基板的基膜。
- 一種聚醯亞胺，包含源自二胺的結構單元及源自四羧酸二酐的結構單元，且包含相對於所述源自二胺的結構單元的全部單元為5莫耳%以上且80莫耳%以下的源自二聚物二胺的結構單元，斷裂伸長率為95%以上，玻璃化轉變溫度為200℃以上，且所述聚醯亞胺用於可撓性印刷電路基板的基膜。
- 一種聚醯亞胺，包含源自二胺的結構單元及源自四羧酸二酐的結構單元，且包含相對於所述源自二胺的結構單元的全部單元為10莫耳%以上且小於50莫耳%的源自二聚物二胺的結構單元，斷裂伸長率為95%以上，玻璃化轉變溫度為200℃以上。
- 如請求項4至請求項7中任一項所述的聚醯亞胺，其中，相對介電常數Dk（10 GHz）為3.3以下。
- 如請求項4至請求項8中任一項所述的聚醯亞胺，其中，介電損耗角正切Df（10 GHz）為0.003以下。
- 如請求項4至請求項9中任一項所述的聚醯亞胺，其中，玻璃化轉變溫度為300℃以上。
- 一種聚醯亞胺成形體，包含如請求項4至請求項10中任一項所述的聚醯亞胺。
- 一種可撓性印刷電路基板，包含如請求項4至請求項10中任一項所述的聚醯亞胺。
- 一種可撓性印刷電路基板，包含使用如請求項4至請求項10中任一項所述的聚醯亞胺而獲得的基膜。
- 一種可撓性印刷電路基板，包括基膜及形成在所述基膜上的塗膜層，且至少所述塗膜層使用如請求項4至請求項10中任一項所述的聚醯亞胺而獲得。
- 如請求項12至請求項14中任一項所述的可撓性印刷電路基板，其用於毫米波雷達、高頻天線或高速傳輸用基板。
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