TW202227276A - 印表機驅動系統之系統級封裝晶片 - Google Patents
印表機驅動系統之系統級封裝晶片 Download PDFInfo
- Publication number
- TW202227276A TW202227276A TW110100487A TW110100487A TW202227276A TW 202227276 A TW202227276 A TW 202227276A TW 110100487 A TW110100487 A TW 110100487A TW 110100487 A TW110100487 A TW 110100487A TW 202227276 A TW202227276 A TW 202227276A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- chip
- package
- printer
- common
- carrier
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0652—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next and on each other, i.e. mixed assemblies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
- H01L23/49816—Spherical bumps on the substrate for external connection, e.g. ball grid arrays [BGA]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16153—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Accessory Devices And Overall Control Thereof (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
一種印表機驅動系統之系統級封裝晶片,適用於一印表機其包含佈置在一共同封裝中的一第一晶片、一第二晶片及一第三晶片;其中第一晶片及第二晶片被並排佈置在共同封裝中的一載體上;以及第三晶片被佈置在共同封裝中的第一晶片之頂部上;以及一導線載體結構被放置第三晶片之前形成在第一晶片之頂部。
Description
本案係有關一種系統級晶片封裝技術,特別是指一種印表機驅動系統之系統級封裝晶片。
近年來印表機技術不斷突破創新,其製作技術可參考習知的半導體製程以降低製作成本,尤其應用在晶片封裝元件的可靠度及減少元件尺寸的方面,在半導體工藝領域,為了增加速度、功率與效率,同時為了減少整體元件的尺寸,晶片做得愈來愈小,在一些情形中,晶片並列地安裝在封裝基材上,且透過封裝基材連在一起,或直接與佈線連接。在其它情形中,晶片一個接著另一個地安裝於基板上,以直接連而沒有任何中間佈線或封裝基材。這有時稱為堆疊晶片封裝。使用取放(pick and pick)機或許多其他類型的設備,將一個晶片放置在另一個晶片上,可將其組合封裝,就像是具有兩倍高度的單一個晶片。
舉例一實施例,晶片可使用不同技術點,例如22nm、14nm、10nm等等來製作,可將這些不同點組合,且與其它類型不同點組合,使得可將來自不同製程與不同製造商的不同類型晶片放在單一個封裝體內。在半導體晶片封裝領域中,將多個晶片組合成單一個封裝,以允許兩個或更多個不同類型的晶片放入單一個封裝內,這可稱為晶片對晶片連接的異質整合。
在封裝技術中,可在一晶片上方形成重佈層(RDL)並將其電連接至晶片中之主動裝置。然後可形成輸入/輸出(I/O)連接器(諸如凸塊下金屬(UBM)上之焊球)以透過RDL將其電連接至晶片。此封裝技術有利特徵係形成扇出型封裝之可能性。因此,晶片上之I/O墊可經重佈以覆蓋比晶片大之一區,且因此可增加包裝於經封裝晶片之表面上之I/O墊之數目。整合式扇出型(InFO)封裝技術正變得愈加流行,當與晶圓級封裝(WLP)技術組合時尤其如此。此等所得封裝結構提供高功能密度,具有相對低成本及高效能封裝。
本案係為一種印表機驅動系統之系統級封裝晶片,其主要目的係將複數不同功效的晶片進行一次性封裝,不僅可提昇工作效率,同時可降低製作成本及元件尺寸。
為達上述目的,本案之印表機驅動系統之系統級封裝晶片,適用於一印表機,包含佈置在一共同封裝中的一第一晶片、一第二晶片及一第三晶片;其中第一晶片及第二晶片被並排佈置在共同封裝中一載體上;以及第三晶片被佈置在共同封裝中的第一晶片之頂部上;以及一導線載體結構被放置第三晶片之前形成在第一晶片之頂部。
為達上述目的,本案之印表機驅動系統之系統級封裝晶片,適用於一印表機,包含佈置在一共同封裝中的一第一晶片、一第二晶片及一第三晶片;其中第一晶片、第二晶片及第三晶片以平行、併排設置於共同封裝中。
為達上述目的,本案之印表機驅動系統之系統級封裝晶片,適用於一印表機,包含佈置在一共同封裝中的一第一晶片、一第二晶片及一第三晶片;其中第一晶片、第二晶片及第三晶片以垂直、堆疊設置於共同封裝中。
較佳地,第一晶片為一無線通信晶片,第二晶片為一電源整合驅動晶片,第三晶片為一列印系統單晶片。
較佳地,第一晶片為一無線通信晶片,第二晶片為一列印系統單晶片,第三晶片為一電源整合驅動晶片。
較佳地,第一晶片為一電源整合驅動晶片,第二晶片為一無線通信晶片,第三晶片為一列印系統單晶片。
較佳地,第一晶片為一電源整合驅動晶片,第二晶片為一列印系統單晶片,第三晶片為一無線通信晶片。
較佳地,第一晶片為一列印系統單晶片,第二晶片為一無線通信晶片,第三晶片為一電源整合驅動晶片。
體現本案特徵與優點的實施例將在後段的說明中詳細敘述。應理解的是本案能夠在不同的態樣上具有各種的變化,其皆不脫離本案的範圍,且其中的說明及圖示在本質上當作說明之用,而非用以限制本案。
請綜合參閱第1圖至第8圖所示,以下詳細說明本案實施例。本案係為一種系統級晶片封裝技術,應用實施於印表機驅動系統之系統級封裝晶片。
如第1圖及第2圖所示,其為本案第一實施例。系統級封裝裝置10包含設置在一共同封裝20中的一第一晶片A、一第二晶片B及一第三晶片C,第一晶片A包含一第一垂直尺寸H1,第二晶片B包含一第二垂直尺寸H2,第三晶片C包含一第三垂直尺寸H3,其中第一晶片A與第二晶片B並排設置於共同封裝20中,而第三晶片C直接或間接的設置於第一晶片A之上。藉由把第一晶片A、第二晶片B及第三晶片C設置於共同封裝20內,並且把薄的晶片設置在一堆疊中,而較厚的晶片與較薄的晶片堆疊設置,藉此可減小系統級封裝裝置10的尺寸。
於本實施例中,第一晶片A為一無線通信晶片,第二晶片B為一電源整合驅動晶片,第三晶片C為一列印系統單晶片;或第一晶片A為一無線通信晶片,第二晶片B為一列印系統單晶片,第三晶片C為一電源整合驅動晶片;或第一晶片A為一電源整合驅動晶片,第二晶片B為一無線通信晶片,第三晶片C為一列印系統單晶片;或第一晶片A為一電源整合驅動晶片,第二晶片B為一列印系統單晶片,第三晶片C為一無線通信晶片;或第一晶片A為一列印系統單晶片,第二晶片B為一無線通信晶片,第三晶片C為一電源整合驅動晶片;或第一晶片A為一列印系統單晶片,第二晶片B為一電源整合驅動晶片,第三晶片C為一無線通信晶片,以上第一晶片A、第二晶片B及第三晶片C欲撰擇何種晶片進行系統級封裝,係可依實際求選用。
以及,共同封裝20可為一扇出晶圓級系統級封裝、一扇出面板系統級封裝或一覆晶系統級封裝。
請再一併參閱第1圖~第3圖所示,進一步說明本案第一實施例的元件關係,其中,系統級封裝裝置10係包含位於共同封裝20中的第一晶片A與第三晶片C之間的一導線載體結構2,其中,導線載體結構2把位於第一晶片A之一橫向覆蓋區域外部的至少一個垂直導電結構3連接到第一晶片A,以及至少一垂直導電結構3把導線載體結構2連接到一載體1,且載體1之底面係附接外部一金屬球5與一印刷電路板(PCB)連接。其中,第一晶片A的一底面表面及第二晶片B的一底面表面被佈置在實質上相同的載體1位準面上。以及在第一晶片A之一底面處的一接觸介面41及在第二晶片B之一底面處的一接觸介面42被連接到載體1。其中在第三晶片C之一底面處的一接觸介面43被連接到導線載體結構2,據此第一晶片A、第二晶片B及第三晶片C形成一部份平行並排,部份垂直重疊設置,且形成電性連接。
以及,於本實施例中,導線載體結構2可為一共同正面重新分佈層結構、一共同面板結構或一共同覆晶基體之群組中之一者;載體1可為一金屬載體、一扇出面板或一覆晶基體的群組中之一者。
再請參閱第1圖~第3圖所示,系統級封裝裝置10包含佈置在共同封裝20中的至少三晶片,包含第一晶片A、第二晶片B及第三晶片C分別以第一垂直尺寸H1、第二垂直尺寸H2及第三垂直尺寸H3被並排或垂直佈置在共同封裝20中,使其不同垂直尺寸的各晶片佈置於共同封裝20內,其中,第三晶片C之第三垂直尺寸H3小於第二晶片B之第二垂直尺寸H2,第三晶片C可被間接地佈置在共同封裝中之第一晶片A之上,據此,藉由將第一晶片A、第二晶片B及第三晶片C先預先整合後,再以系統級封裝裝置10將第一晶片A、第二晶片B及第三晶片C封裝並且設置於共同封裝20之內,俾能完成一次性的晶片封裝技術,俾使製造成本呈現顯著的降低。
請參閱第4圖~第5圖所示,其為本案第二實施例,本實施例係為一種系統級晶片封裝技術,應用實施於印表機驅動系統之系統級封裝晶片,系統級封裝裝置10包含設置在一共同封裝20中的一第一晶片A、一第二晶片B及一第三晶片C,第一晶片A包含一第一垂直尺寸H1,第二晶片B包含一第二垂直尺寸H2,第三晶片C包含一第三垂直尺寸H3,其中第一晶片A與第二晶片B及第三晶片C平行並排地設置於共同封裝20中。
於本實施例中,第一晶片A為一無線通信晶片,第二晶片B為一電源整合驅動晶片,第三晶片C為一列印系統單晶片;或第一晶片A為一無線通信晶片,第二晶片B為一列印系統單晶片,第三晶片C為一電源整合驅動晶片;或第一晶片A為一電源整合驅動晶片,第二晶片B為一無線通信晶片,第三晶片C為一列印系統單晶片;或第一晶片A為一電源整合驅動晶片,第二晶片B為一列印系統單晶片,第三晶片C為一無線通信晶片;或第一晶片A為一列印系統單晶片,第二晶片B為一無線通信晶片,第三晶片C為一電源整合驅動晶片;或第一晶片A為一列印系統單晶片,第二晶片B為一電源整合驅動晶片,第三晶片C為一無線通信晶片,以上第一晶片A、第二晶片B及第三晶片C欲撰擇何種晶片進行系統級封裝,係可依實際求選用。
以及,共同封裝20可為一扇出晶圓級系統級封裝、一扇出面板系統級封裝或一覆晶系統級封裝。
請一併參閱第4圖~第6圖所示,進一步說明本案第二實施例的元件關係,其中,系統級封裝裝置10係包含位於共同封裝20中的第一晶片A、第二晶片B與第三晶片C之間的一導線載體結構2,其中,導線載體結構2使得第一晶片A、第二晶片B及第三晶片C之一橫向覆蓋區域形成電性連接。其中,第一晶片A的一底面表面、第二晶片B及第三晶片C的一底面表面被佈置在實質上相同的載體1位準面上。以及在第一晶片A之一底面處的一接觸介面41、第二晶片B之一底面處的一接觸介面42及第三晶片C之一底面處的一接觸介面43連接至載體1,據此,第一晶片A、第二晶片B、第三晶片C形成一平行並排設置且形成電性連接。
於本實施例中,載體1可為一金屬載體、一扇出面板或一覆晶基體的群組中之一者。
如第4圖、第5圖所示,系統級封裝裝置10包含佈置在共同封裝20中的至少三晶片,其中第一晶片A、第二晶片B及第三晶片C分別以第一垂直尺寸H1、第二垂直尺寸H2及第三垂直尺寸H3被並排佈置在共同封裝20中,使其不同垂直尺寸的各晶片佈置於共同封裝20內,其中,第三晶片C之第三垂直尺寸H3小於第二晶片B之第二垂直尺寸H2。據此,藉由將第一晶片A、第二晶片B及第三晶片C先預先整合後,再以系統級封裝裝置10將第一晶片A、第二晶片B及第三晶片C封裝置於共同封裝20之內,俾能完成一次性的晶片封裝技術,俾使製造成本呈現顯著的降低。
請參閱第7圖及第8圖所示,其為本案第三實施例,本案係為一種系統級晶片封裝技術,應用實施於印表機驅動系統之系統級封裝晶片,系統級封裝裝置10包含設置在一共同封裝20中的一第一晶片A、一第二晶片B及一第三晶片C,第一晶片A包含一第一垂直尺寸H1,第二晶片B包含一第二垂直尺寸H2,第三晶片C包含一第三垂直尺寸H3,其中第一晶片A與第二晶片B及第三晶片C垂直堆疊設置於共同封裝20中。
於本實施例中,第一晶片A為一無線通信晶片,第二晶片B為一電源整合驅動晶片,第三晶片C為一列印系統單晶片;或第一晶片A為一無線通信晶片,第二晶片B為一列印系統單晶片,第三晶片C為一電源整合驅動晶片;或第一晶片A為一電源整合驅動晶片,第二晶片B為一無線通信晶片,第三晶片C為一列印系統單晶片;或第一晶片A為一電源整合驅動晶片,第二晶片B為一列印系統單晶片,第三晶片C為一無線通信晶片;或第一晶片A為一列印系統單晶片,第二晶片B為一無線通信晶片,第三晶片C為一電源整合驅動晶片;或第一晶片A為一列印系統單晶片,第二晶片B為一電源整合驅動晶片,第三晶片C為一無線通信晶片,以上第一晶片A、第二晶片B及第三晶片C欲撰擇何種晶片進行系統級封裝,係可依實際求選用。
以及,共同封裝20可為一扇出晶圓級系統級封裝、一扇出面板系統級封裝或一覆晶系統級封裝。
請一併參閱第7圖~第8圖所示,進一步說明本案第三實施例的元件關係,其中,系統級封裝裝置10係包含位於共同封裝20中的第一晶片A、第二晶片B與第三晶片C之間的一導線載體結構2,其中,導線載體結構2使位於第一晶片A、第二晶片B及第三晶片C之一縱覆蓋區域形成電性連接。其中,第一晶片A之一頂面處及底面處的一接觸介面44、45與導線載體結構2及載體1連接,第二晶片B之一頂面處及底面處的一接觸介面46、47共同與導線載體結構2連接,第三晶片C之一底面處的一接觸介面48連接至導線載體結構2,據此第一晶片A、第二晶片B及第三晶片C形成一垂直堆疊設置且形成電性連接。
於本實施例中,載體1可為一金屬載體、一扇出面板或一覆晶基體的群組中之一者。
如第7圖、第8圖所示,系統級封裝裝置10包含佈置在共同封裝20中的至少三晶片,其中第一晶片A、第二晶片B及第三晶片C分別以第一垂直尺寸H1、第二垂直尺寸H2及第三垂直尺寸H3被垂直堆疊設置在共同封裝20中,使其不同垂直尺寸的各晶片佈置於共同封裝20內,其中,第三晶片C之第三垂直尺寸H3大於第二晶片B之第二垂直尺寸H2,而第二晶片B直接或間接的設置於第一晶片A,第三晶片C直接或間接的設置於第一晶片A之上。據此,藉由將第一晶片A、第二晶片B及第三晶片C先預先整合後,再以系統級封裝裝置10將第一晶片A、第二晶片B及第三晶片C封裝置於共同封裝20之內,俾能完成一次性的晶片封裝技術,俾使製造成本呈現顯著的降低。
不論是第一實施例、第二實施例、或第三實施例,雖然三個晶片被敘述來配合圖式所示之實施例,但實際使用上,可以在共同封裝20內設置超過三之任何數量的晶片。
優先地,系統級封裝裝置10可以包含一內部重新分佈結構,用於實現在系統級封裝裝置10的第一晶片A~第三晶片C之間的電氣連接/或用在實現從外部裝置或一印刷電路板到設置在共同封裝20內的至一或多個晶片(例如第三晶片C),而不用直接接取系統級封裝裝置10的正面。內部重新分佈層結構可包含至少一結構化金屬(例如銅層)來實現金屬線用於在電絕緣材料中做嵌入式的佈線。
綜上所述,本案為一種印表機驅動系統之系統級封裝晶片,提供系統級封裝裝置10將第一晶片A、第二晶片B及第三晶片C一次性地封裝於共同封裝20內,有效改善習知的封裝方式,避免一個晶片就執行一次封裝,除此,第一晶片A、第二晶片B及第三晶片C可依實際需求選擇採用無線通信晶片或電源整合驅動晶片或列印系統單晶片。如此一來,習知的封裝方式係對應欲封裝的晶片數量決定封裝次數,而反觀本案的系統級封裝,係可將複數個晶片進行一次性地封裝,有效減少製造成本,及封裝後的元件尺寸。
1:載體
2:導線載體結構
3:垂直導電結構
5:金屬球
10:系統級封裝裝置
20:共同封裝
41、42、43、44、45、46、47、48:接觸介面
A:第一晶片
B:第二晶片
C:第三晶片
H1:第一垂直尺寸
H2:第二垂直尺寸
H3:第三垂直尺寸
第1圖係本案第一實施例封裝示意圖(一)。
第2圖係本案第一實施例封裝示意圖(二)。
第3圖係本案第一實施例封裝示意圖(三)。
第4圖係本案第二實施例封裝示意圖(一)。
第5圖係本案第二實施例封裝示意圖(二)。
第6圖係本案第二實施例封裝示意圖(三)。
第7圖係本案第三實施例封裝示意圖(一)。
第8圖係本案第三實施例封裝示意圖(二)。
1:載體
2:導線載體結構
3:垂直導電結構
5:金屬球
10:系統級封裝裝置
20:共同封裝
41、42、43:接觸介面
Claims (18)
- 一種印表機驅動系統之系統級封裝晶片,適用於一印表機,包含佈置在一共同封裝中的一第一晶片、一第二晶片及一第三晶片; 其中該第一晶片及該第二晶片被並排佈置在該共同封裝中之一載體上; 其中該第三晶片被佈置在該共同封裝中的該第一晶片之頂部上; 其中一導線載體結構被放置該第三晶片之前形成在該第一晶片之頂部上。
- 如請求項1所述之印表機驅動系統之系統級封裝晶片,其中該導線載體結構把位於該第一晶片之一橫向覆蓋區域外部的至少一垂直導電結構連接到該第一晶片。
- 如請求項2所述之印表機驅動系統之系統級封裝晶片,其中該至少一垂直導電結構把該導線載體結構連接到該載體。
- 如請求項1所述之印表機驅動系統之系統級封裝晶片,其中該第一晶片的一底面表面及該第二晶片的一底面表面被佈置在實質上相同的該載體之位準面上。
- 如請求項1所述之印表機驅動系統之系統級封裝晶片,其中在該第一晶片之一底面處的接觸介面及在該第二晶片之一底面處的接觸介面被連接到該載體。
- 如請求項1所述之印表機驅動系統之系統級封裝晶片,其中在該第三晶片之一底面處的接觸介面被連接到該導線載體結構。
- 如請求項1所述之印表機驅動系統之系統級封裝晶片,其中該導線載體結構係為一共同正面重新分佈層結構、一共同面板結構或一共同覆晶基體之群組中之一者。
- 如請求項1所述之印表機驅動系統之系統級封裝晶片,其中該載體係為一金屬載體、一扇出面板或一覆晶基體的群組中之一者。
- 如請求項1所述之印表機驅動系統之系統級封裝晶片,其中該共同封裝係為一扇出晶圓級系統級封裝、一扇出面板系統級封裝或一覆晶系統級封裝。
- 如請求項1所述之印表機驅動系統之系統級封裝晶片,其中該載體之底面係附接外部金屬球與印刷電路板連接。
- 如請求項1所述之印表機驅動系統之系統級封裝晶片,其中該第一晶片為一無線通信晶片,該第二晶片為一電源整合驅動晶片,該第三晶片為一列印系統單晶片。
- 如請求項1所述之印表機驅動系統之系統級封裝晶片,其中該第一晶片為一無線通信晶片,該第二晶片為一列印系統單晶片,該第三晶片為一電源整合驅動晶片。
- 如請求項1所述之印表機驅動系統之系統級封裝晶片,其中該第一晶片為一電源整合驅動晶片,該第二晶片為一無線通信晶片,該第三晶片為一列印系統單晶片。
- 如請求項1所述之印表機驅動系統之系統級封裝晶片,其中該第一晶片為一電源整合驅動晶片,該第二晶片為一列印系統單晶片,該第三晶片為一無線通信晶片。
- 如請求項1所述之印表機驅動系統之系統級封裝晶片,其中該第一晶片為一列印系統單晶片,該第二晶片為一無線通信晶片,該第三晶片為一電源整合驅動晶片。
- 如請求項1所述之印表機驅動系統之系統級封裝晶片,其中該第一晶片為一列印系統單晶片,該第二晶片為一電源整合驅動晶片,該第三晶片為一無線通信晶片。
- 一種印表機驅動系統之系統級封裝晶片,適用於一印表機,包含佈置在一共同封裝中的一第一晶片、一第二晶片及一第三晶片; 其中該第一晶片、該第二晶片及該第三晶片平行、併排設置於一共同封裝中。
- 一種印表機驅動系統之系統級封裝晶片,適用於一印表機,包含佈置在一共同封裝中的一第一晶片、一第二晶片及一第三晶片; 其中該第一晶片、該第二晶片及該第三晶片以垂直、堆疊設置於一共同封裝中。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW110100487A TWI744166B (zh) | 2021-01-06 | 2021-01-06 | 印表機驅動系統之系統級封裝晶片 |
US17/559,025 US20220216181A1 (en) | 2021-01-06 | 2021-12-22 | System-in-package chip of printer driver system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW110100487A TWI744166B (zh) | 2021-01-06 | 2021-01-06 | 印表機驅動系統之系統級封裝晶片 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWI744166B TWI744166B (zh) | 2021-10-21 |
TW202227276A true TW202227276A (zh) | 2022-07-16 |
Family
ID=80782756
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW110100487A TWI744166B (zh) | 2021-01-06 | 2021-01-06 | 印表機驅動系統之系統級封裝晶片 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220216181A1 (zh) |
TW (1) | TWI744166B (zh) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI646706B (zh) * | 2015-09-21 | 2019-01-01 | 隆達電子股份有限公司 | 發光二極體晶片封裝體 |
JP2022033064A (ja) * | 2018-12-19 | 2022-02-28 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | フィルム状接着剤、接着シート、並びに半導体装置及びその製造方法 |
TWI677040B (zh) * | 2018-12-20 | 2019-11-11 | 華邦電子股份有限公司 | 積體電路及其多晶片狀態的偵測方法 |
TWI715257B (zh) * | 2019-10-22 | 2021-01-01 | 欣興電子股份有限公司 | 晶片封裝結構及其製作方法 |
-
2021
- 2021-01-06 TW TW110100487A patent/TWI744166B/zh active
- 2021-12-22 US US17/559,025 patent/US20220216181A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220216181A1 (en) | 2022-07-07 |
TWI744166B (zh) | 2021-10-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10109573B2 (en) | Packaged semiconductor devices and packaging devices and methods | |
TWI720801B (zh) | 具有封裝面積縮減的高頻寬晶粒對晶粒互連 | |
TWI747127B (zh) | 晶片封裝結構及其製造方法 | |
US8704349B2 (en) | Integrated circuit package system with exposed interconnects | |
US7119427B2 (en) | Stacked BGA packages | |
US9030021B2 (en) | Printed circuit board having hexagonally aligned bump pads for substrate of semiconductor package, and semiconductor package including the same | |
TW201717343A (zh) | 封裝上封裝構件及其製作方法 | |
US10784244B2 (en) | Semiconductor package including multiple semiconductor chips and method of manufacturing the semiconductor package | |
US11488894B2 (en) | Semiconductor device having planarized passivation layer and method of fabricating the same | |
JP2001257307A (ja) | 半導体装置 | |
TW201133762A (en) | Integrated circuit and three-dimensional stacked multi-chip module | |
KR20200102883A (ko) | 브리지 다이를 포함한 시스템 인 패키지 | |
KR20080062577A (ko) | 적층 패키지 및 그의 제조 방법 | |
US8637987B2 (en) | Semiconductor assemblies with multi-level substrates and associated methods of manufacturing | |
KR101013556B1 (ko) | 스택 패키지의 제조방법 | |
US20230230902A1 (en) | Semiconductor package structure and manufacturing method thereof | |
TWI744166B (zh) | 印表機驅動系統之系統級封裝晶片 | |
TWI409933B (zh) | 晶片堆疊封裝結構及其製法 | |
KR101013558B1 (ko) | 인터포저 및 이를 이용한 반도체 패키지 | |
TWM537303U (zh) | 3d多晶片模組封裝結構(二) | |
US20240153886A1 (en) | Semiconductor package | |
TWM537310U (zh) | 3d多晶片模組封裝結構(一) | |
TW202339130A (zh) | 電子封裝件及其製法 | |
TW202247362A (zh) | 電子封裝件及其製法 | |
CN114725028A (zh) | 打印机驱动系统的系统级封装芯片 |