TW202219311A - 使用保護材料來沉積薄膜的方法 - Google Patents

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Abstract

揭示一種使用一表面保護材料形成一薄膜之方法，該方法包含將該表面保護材料供應至置放一基板之一腔室內部；沖洗該腔室之內部；將一摻雜前驅體供應至該腔室之內部；沖洗該腔室之內部；將一第一反應物供應至該腔室之內部，以使得該第一反應物與該經吸附摻雜前驅體反應以形成一摻雜薄膜；將一介電膜前驅體供應至該腔室之內部；沖洗該腔室之內部；及將一第二反應物供應至該腔室之內部，以使得該第二反應物與該經吸附介電膜前驅體反應以形成一介電膜。

Description

使用保護材料來沉積薄膜的方法
發明領域
本發明係關於一種沉積薄膜的方法。更特定言之，本發明係關於沉積具有極薄厚度之薄膜的方法，以使得可容易地控制介電膜厚度及介電膜中之組成，從而實現所需組成比且改良薄膜之介電常數。
發明背景
隨著諸如記憶體/非記憶體半導體裝置，諸如DRAM及Flash等的高整合及低功耗等變化，對形成具有極佳特性之介電薄膜的需求不斷加深。
例如，即使在極薄厚度下亦具有高介電常數之氧化鋯(ZrO2)及氧化鉿(HfO2)被用作電容器介電層。氧化鋯(ZrO2)及氧化鉿(HfO2)根據溫度及壓力以各種晶體結構存在，且電容根據結構而變化。已知四方氧化鋯(ZrO2)及立方或四方氧化鉿(HfO2)之電容相比於其他結構超過兩倍，但一般而言，單斜相在室溫及壓力下係穩定的。
因此，已經進行了許多研究以藉由摻雜穩定氧化鋯及氧化鉿晶體結構來獲得高介電常數。然而，摻雜會由於局部組成的不均勻性而導致介電特性及漏電流的劣化，且因此在應用中具有很多困難。因此，需要根據薄膜之組成均勻性及結晶度的提高來提高電容，且有必要開發階梯覆蓋度提高的薄膜沉積方法。
本發明之一個目標為提供一種沉積具有極薄厚度之薄膜的方法。
本發明之另一目標為提供一種沉積薄膜之方法，以使得藉由容易地控制薄膜中之組成，且因此提高介電常數，可實現所需的組成比。
本發明之另一目標為提供一種沉積薄膜之方法，以使得藉由形成具有良好階梯覆蓋度之薄膜，同時提高結晶度來提供極佳的半導體裝置。
本發明之其他目標將自以下實施方式變得更顯而易見。
發明概要
揭示一種使用一表面保護材料形成一薄膜之方法，該方法包含將該表面保護材料供應至置放一基板之一腔室內部；沖洗該腔室之內部；將一摻雜前驅體供應至該腔室之內部；沖洗該腔室之內部；將一第一反應物供應至該腔室之內部，以使得該第一反應物與該經吸附摻雜前驅體反應以形成一摻雜薄膜；將一介電膜前驅體供應至該腔室之內部；沖洗該腔室之內部；及將一第二反應物供應至該腔室之內部，以使得該第二反應物與該經吸附介電膜前驅體反應以形成一介電膜。
表面保護材料可由以下化學式1表示： ＜化學式1＞
Figure 02_image001
其中n為1或2，且R選自氫原子、具有1至5個碳原子之烷基、具有3至6個碳原子之環烷基及具有6至12個碳原子之芳基。
表面保護材料可由以下化學式2表示： ＜化學式2＞
Figure 02_image003
其中n各自獨立地選自1至5之整數。
表面保護材料可由以下化學式3表示： ＜化學式3＞
Figure 02_image005
其中n各自獨立地為0至8之整數， R1各自獨立地選自具有1至10個碳原子之烷基、具有1至5個碳原子之烷氧基或氫原子， R2各自獨立地選自具有1至8個碳原子之烷基、具有3至6個碳原子之環烷基及具有6至12個碳原子之芳基。
表面保護材料可由以下化學式4表示： ＜化學式4＞
Figure 02_image007
其中n各自獨立地為1至8之整數且m各自獨立地為1至5之整數， R1或R2各自獨立地選自具有1至8個碳原子之烷基、具有3至6個碳原子之環烷基及具有6至12個碳原子之芳基。
表面保護材料可由以下化學式5表示： ＜化學式5＞
Figure 02_image009
其中n各自獨立地為1至5之整數且m各自獨立地為0至8之整數， R1各自獨立地選自具有1至8個碳原子之烷基或氫原子， R2各自獨立地選自具有1至8個碳原子之烷基、具有3至6個碳原子之環烷基及具有6至12個碳原子之芳基。
表面保護材料可由以下化學式6表示： ＜化學式6＞
Figure 02_image011
其中n各自獨立地為1至8之整數且m各自獨立地為1至6之整數， R1或R2各自獨立地選自具有1至8個碳原子之烷基、具有3至6個碳原子之環烷基及具有6至12個碳原子之芳基。
表面保護材料可由以下化學式7表示： ＜化學式7＞
Figure 02_image013
其中n各自獨立地為0至5之整數且m各自獨立地為1至5之整數， R各自獨立地選自具有1至10個碳原子之烷基、具有3至10個碳原子之環烷基及具有6至12個碳原子之芳基。
表面保護材料可由以下化學式8表示： ＜化學式8＞
Figure 02_image015
其中n各自獨立地為0至8之整數， R1至R3各自獨立地選自具有1至8個碳原子之烷基， R4係選自氫、具有1至6個碳原子之烷基及具有1至8個碳原子之烷氧基。
摻雜前驅體可由以下化學式9表示： ＜化學式9＞
Figure 02_image017
其中R1至R3各自獨立地選自氫原子、具有1至10個碳原子之烷基、具有6至12個碳原子之芳基、具有1至10個碳原子之烷基胺基、具有2至10個碳原子之二烷基胺基、具有6至12個碳原子之芳基胺基、具有7至13個碳原子之芳烷基胺基、具有3至10個碳原子之環胺基、具有3至10個碳原子之雜環胺基、具有6至12個碳原子之雜芳基胺基、或具有2至10個碳原子之烷基矽烷胺基。
摻雜前驅體由以下化學式10至14中之任一者表示： ＜化學式10＞
Figure 02_image019
＜化學式11＞
Figure 02_image021
＜化學式12＞
Figure 02_image023
＜化學式13＞
Figure 02_image025
＜化學式14＞
Figure 02_image027
摻雜前驅體可由以下化學式15表示： ＜化學式15＞
Figure 02_image029
其中A及B各自獨立地選自氫原子、鹵素原子、具有1至10個碳原子之烷基、具有6至12個碳原子之芳基、具有2至10個碳原子之烷基胺基、具有6至12個碳原子之芳胺基及具有7至13個碳原子之芳烷基胺基、具有3至10個碳原子之環胺基、具有3至10個碳原子之雜環胺基及具有2至10個碳原子之烷基矽烷胺基， L選自鹵素原子、氫原子或疊氮基。
摻雜前驅體可由以下化學式16至21中之任一者表示： ＜化學式16＞
Figure 02_image031
＜化學式17＞
Figure 02_image033
＜化學式18＞
Figure 02_image035
＜化學式19＞
Figure 02_image037
＜化學式20＞
Figure 02_image039
＜化學式21＞
Figure 02_image041
摻雜前驅體可由以下化學式22表示： ＜化學式22＞
Figure 02_image043
其中R1至R6各自獨立地選自氫原子、具有1至10個碳原子之烷基、具有6至12個碳原子之芳基、具有1至10個碳原子之烷基胺基、具有6至12個碳原子之芳基胺基、具有7至13個碳原子之芳烷基胺基、具有3至10個碳原子之環胺基、具有3至10個碳原子之雜環胺基、具有6至12個碳原子之雜芳基胺基、或具有2至10個碳原子之烷基矽烷胺基。
摻雜前驅體可由以下化學式23表示： ＜化學式23＞
Figure 02_image045
摻雜前驅體可由以下化學式24表示： ＜化學式24＞
Figure 02_image047
其中R1至R5各自獨立地選自氫原子及具有1至4個碳原子之烷基， R6至R9各自獨立地選自氫原子及具有1至4個碳原子之烷基、具有1至4個碳原子之烷基胺基、具有2至4個碳原子之二烷基胺基及具有6至12個碳原子之芳基。
摻雜前驅體可由以下化學式25至27中之任一者表示： ＜化學式25＞
Figure 02_image049
＜化學式26＞
Figure 02_image051
＜化學式27＞
Figure 02_image053
摻雜前驅體可由以下化學式28表示： ＜化學式28＞
Figure 02_image055
其中R1至R4各自獨立地選自氫原子及具有1至4個碳原子之烷基、具有1至4個碳原子之烷基胺基、具有2至4個碳原子之二烷基胺基及具有6至12個碳原子之芳基。
摻雜前驅體可由以下化學式29表示： ＜化學式29＞
Figure 02_image057
第一反應物及第二反應物可選自O 3、O 2、H 2O、H 2O 2、N 2O及NH 3。
介電膜前驅體可為包括含有Ti、Zr及Hf之四價金屬中之至少一者的化合物。
較佳實施例之詳細說明
在下文中，將使用圖1至圖9描述本發明之實施例。本發明之實施例可包括各種修改，且不應將本發明之範疇解釋為限於下文所描述之實施例。
圖1為示意性地展現根據本發明之實施例1之薄膜形成方法的流程圖。將基板裝載至製程腔室中，且調整以下ALD製程條件。ALD製程條件可包括基板或製程腔室之溫度、製程腔室中之壓力、氣體流速，且溫度為50至500℃。
將基板暴露於供應至腔室內部的表面保護材料，且表面保護材料被吸附至基板的表面。表面保護材料在沉積製程期間具有與摻雜前驅體相似的行為。表面保護材料形成一種抑制層，防止摻雜前驅體在後續製程中的吸附，從而減輕島狀生長及類似者，且改善其後形成之薄膜的局部組成不均勻性。
表面保護材料可由以下化學式1表示： ＜化學式1＞
Figure 02_image059
其中n為1或2，且R選自氫原子、具有1至5個碳原子之烷基、具有3至6個碳原子之環烷基及具有6至12個碳原子之芳基。
表面保護材料可由以下化學式2表示： ＜化學式2＞
Figure 02_image061
其中n各自獨立地選自1至5之整數。
表面保護材料可由以下化學式3表示： ＜化學式3＞
Figure 02_image005
其中n各自獨立地為0至8之整數， R1各自獨立地選自具有1至10個碳原子之烷基、具有1至5個碳原子之烷氧基或氫原子， R2各自獨立地選自具有1至8個碳原子之烷基、具有3至6個碳原子之環烷基及具有6至12個碳原子之芳基。
表面保護材料可由以下化學式4表示： ＜化學式4＞
Figure 02_image007
其中n各自獨立地為1至8之整數且m各自獨立地為1至5之整數， R1或R2各自獨立地選自具有1至8個碳原子之烷基、具有3至6個碳原子之環烷基及具有6至12個碳原子之芳基。
表面保護材料可由以下化學式5表示： ＜化學式5＞
Figure 02_image009
其中n各自獨立地為1至5之整數且m各自獨立地為0至8之整數， R1各自獨立地選自具有1至8個碳原子之烷基或氫原子， R2各自獨立地選自具有1至8個碳原子之烷基、具有3至6個碳原子之環烷基及具有6至12個碳原子之芳基。
表面保護材料可由以下化學式6表示： ＜化學式6＞
Figure 02_image011
其中n各自獨立地為1至8之整數且m各自獨立地為1至6之整數， R1或R2各自獨立地選自具有1至8個碳原子之烷基、具有3至6個碳原子之環烷基及具有6至12個碳原子之芳基。
表面保護材料可由以下化學式7表示： ＜化學式7＞
Figure 02_image013
其中n各自獨立地為0至5之整數且m各自獨立地為1至5之整數， R各自獨立地選自具有1至10個碳原子之烷基、具有3至10個碳原子之環烷基及具有6至12個碳原子之芳基。
表面保護材料可由以下化學式8表示： ＜化學式8＞
Figure 02_image015
其中n各自獨立地為0至8之整數， R1至R3各自獨立地選自具有1至8個碳原子之烷基， R4係選自氫、具有1至6個碳原子之烷基及具有1至8個碳原子之烷氧基。
其後，將沖洗氣體(例如，諸如Ar之惰性氣體)供應至腔室內部以排出未吸附之表面保護材料或副產物。
其後，將基板暴露於供應至腔室內部之摻雜前驅體，且將摻雜前驅體吸附於基板之表面上。
摻雜前驅體可由以下化學式9表示： ＜化學式9＞
Figure 02_image017
其中R1至R3各自獨立地選自氫原子、具有1至10個碳原子之烷基、具有6至12個碳原子之芳基、具有1至10個碳原子之烷基胺基、具有2至10個碳原子之二烷基胺基、具有6至12個碳原子之芳基胺基、具有7至13個碳原子之芳烷基胺基、具有3至10個碳原子之環胺基、具有3至10個碳原子之雜環胺基、具有6至12個碳原子之雜芳基胺基、或具有2至10個碳原子之烷基矽烷胺基。
摻雜前驅體由以下化學式10至14中之任一者表示： ＜化學式10＞
Figure 02_image019
＜化學式11＞
Figure 02_image021
＜化學式12＞
Figure 02_image023
＜化學式13＞
Figure 02_image025
＜化學式14＞
Figure 02_image027
摻雜前驅體可由以下化學式15表示： ＜化學式15＞
Figure 02_image029
其中A及B各自獨立地選自氫原子、鹵素原子、具有1至10個碳原子之烷基、具有6至12個碳原子之芳基、具有2至10個碳原子之烷基胺基、具有6至12個碳原子之芳胺基及具有7至13個碳原子之芳烷基胺基、具有3至10個碳原子之環胺基、具有3至10個碳原子之雜環胺基及具有2至10個碳原子之烷基矽烷胺基， L選自鹵素原子、氫原子或疊氮基。
摻雜前驅體可由以下化學式16至21中之任一者表示： ＜化學式16＞
Figure 02_image031
＜化學式17＞
Figure 02_image033
＜化學式18＞
Figure 02_image035
＜化學式19＞
Figure 02_image037
＜化學式20＞
Figure 02_image039
＜化學式21＞
Figure 02_image041
摻雜前驅體可由以下化學式22表示： ＜化學式22＞
Figure 02_image043
其中R1至R6各自獨立地選自氫原子、具有1至10個碳原子之烷基、具有6至12個碳原子之芳基、具有1至10個碳原子之烷基胺基、具有6至12個碳原子之芳基胺基、具有7至13個碳原子之芳烷基胺基、具有3至10個碳原子之環胺基、具有3至10個碳原子之雜環胺基、具有6至12個碳原子之雜芳基胺基、或具有2至10個碳原子之烷基矽烷胺基。
摻雜前驅體可由以下化學式23表示： ＜化學式23＞
Figure 02_image045
摻雜前驅體可由以下化學式24表示： ＜化學式24＞
Figure 02_image047
其中R1至R5各自獨立地選自氫原子及具有1至4個碳原子之烷基， R6至R9各自獨立地選自氫原子及具有1至4個碳原子之烷基、具有1至4個碳原子之烷基胺基、具有2至4個碳原子之二烷基胺基及具有6至12個碳原子之芳基。
摻雜前驅體可由以下化學式25至27中之任一者表示： ＜化學式25＞
Figure 02_image049
＜化學式26＞
Figure 02_image051
＜化學式27＞
Figure 02_image053
摻雜前驅體可由以下化學式28表示： ＜化學式28＞
Figure 02_image055
其中R1至R4各自獨立地選自氫原子及具有1至4個碳原子之烷基、具有1至4個碳原子之烷基胺基、具有2至4個碳原子之二烷基胺基及具有6至12個碳原子之芳基。
摻雜前驅體可由以下化學式29表示： ＜化學式29＞
Figure 02_image057
舉例而言，摻雜前驅體不可吸附於吸附表面保護材料之位置處。換言之，表面保護材料防止摻雜前驅體之吸附。
其後，將沖洗氣體(例如，諸如Ar之惰性氣體)供應至腔室內部以排出未吸附之摻雜前驅體或副產物。
其後，將基板暴露於供應至腔室內部之反應物，且在基板之表面上形成摻雜薄膜。反應物與摻雜前驅體反應以形成摻雜薄膜，且反應物可選自O 3、O 2、H 2O、H 2O 2、N 2O以及NH 3。
其後，將沖洗氣體(例如，諸如Ar之惰性氣體)供應至腔室內部以排出未反應之材料或副產物。
其後，將基板暴露於供應至腔室內部之介電膜前驅體，且將介電膜前驅體吸附於基板之表面上。介電膜前驅體可為包括含有Ti、Zr及Hf之四價金屬中之至少一者的化合物。
其後，將沖洗氣體(例如，諸如Ar之惰性氣體)供應至腔室內部以排出未吸附之介電膜前驅體或副產物。
其後，將基板暴露於供應至腔室內部之反應物，且在基板之表面上形成介電膜。反應物與介電膜前驅體反應以形成介電膜，且反應物可選自O 3、O 2、H 2O、H 2O 2、N 2O以及NH 3。
其後，將沖洗氣體(例如，諸如Ar之惰性氣體)供應至腔室內部以排出未反應之材料或副產物。
比較實例1
圖2為示意性地展現根據本發明之比較實例1之供應循環的圖。氧化矽形成為摻雜薄膜，且氧化鉿形成為介電膜，而不使用上述表面保護材料。二異丙基胺基矽烷(DIPAS)用作摻雜前驅體以形成氧化矽，且參(二甲胺基)環戊二烯基鉿(IV)[CpHf(NMe2)3](HAC)用作介電膜前驅體，製程溫度為320℃，且反應物為O3氣體。
經由ALD製程形成薄膜之製程如下，且與習知摻雜方法類似，氧化矽及氧化鉿之循環比如下表1所示。表1示出根據比較實例1及實施例1之SiO2及HfO2的循環比及XRD四方相比(%)，且XRD四方相比係藉由T(101)/[(T101)+M(-111)+ M(111)]計算。
[表1]
  沉積溫度 (℃) 循環比 四方相比(%)
SiO HfO
比較實例1 320 0 1 0.44
1 12 0.173
1 30 0.408
實施例1 320 0 1 0.44
1 12 0.63
1 30 0.57
1)使用Ar作為載氣，在室溫下將摻雜前驅體(DIPAS)供應至反應腔室，且將摻雜前驅體吸附至基板上。
2)向反應腔室中供應Ar氣體以排出未吸附的摻雜前驅體或副產物。
3)藉由向反應腔室供應臭氧氣體(O 3)形成摻雜薄膜。
4)向反應腔室供應Ar氣體以排出未反應的物質或副產物。
5)使用Ar作為載氣，在室溫下將介電膜前驅體(HAC)供應至反應腔室，且將介電膜前驅體吸附至基板上。
6)向反應腔室中供應Ar氣體以排出未吸附的介電膜前驅體或副產物。
7)藉由向反應腔室供應臭氧氣體(O 3)形成介電膜。
8)向反應腔室供應Ar氣體以排出未反應的物質或副產物。
圖3為根據本發明之比較實例1之薄膜的X射線繞射(XRD)結果。當Si比率較低(1:30)時，HfO及四方比相似。但是，當Si比增加(1:12)時，四方比會減小。
圖4為展現根據本發明之比較實例1的薄膜之碳之次級離子質譜分析(SIMS)的圖，圖5為展現根據本發明之比較實例1的薄膜之矽之次級離子質譜分析(SIMS)的圖。在碳雜質的情況下，其與HfO處於相似的位準，且在矽的情況下，Si峰強度處於相似的位準，而與Si循環比無關。
實施例1
使用原甲酸三甲酯作為表面保護材料在矽基板上形成氧化鋁。經由ALD製程形成氧化鋁，製程溫度為250至390℃，且反應物為臭氧氣體(O 3)。
圖6為示意性地展現根據本發明之實施例1之供應循環的圖。表面保護材料為原甲酸三甲酯，氧化矽形成為摻雜薄膜，且氧化鉿形成為介電膜。二異丙基胺基矽烷(DIPAS)用作摻雜前驅體以形成氧化矽，且參(二甲胺基)環戊二烯基鉿(IV)[CpHf(NMe2)3](HAC)用作介電膜前驅體，製程溫度為320℃，且反應物為O3氣體。
經由ALD製程形成薄膜之製程如下，且與習知摻雜方法類似，氧化矽及氧化鉿之循環比如上表1所示。
1)將表面保護材料供應至反應腔室以被吸附至基板上。
2)向反應腔室中供應Ar氣體以排出未吸附的表面保護材料或副產物。
3)使用Ar作為載氣，在室溫下將摻雜前驅體(DIPAS)供應至反應腔室，且將摻雜前驅體吸附至基板上。
4)向反應腔室中供應Ar氣體以排出未吸附的摻雜前驅體或副產物。
5)藉由向反應腔室供應臭氧氣體(O 3)形成摻雜薄膜。
6)向反應腔室供應Ar氣體以排出未反應的物質或副產物。
7)使用Ar作為載氣，在室溫下將介電膜前驅體(HAC)供應至反應腔室，且將介電膜前驅體吸附至基板上。
8)向反應腔室中供應Ar氣體以排出未吸附的介電膜前驅體或副產物。
9)藉由向反應腔室供應臭氧氣體(O 3)形成介電膜。
10)向反應腔室供應Ar氣體以排出未反應的物質或副產物。
圖7為根據本發明之實施例1之薄膜的X射線繞射(XRD)結果。無論Si比如何，四方相(101)之比均大於單斜相之比，且表面保護材料所吸附之SiO2的沉積速率降低。因此，推測包括精細的Si濃度以對結晶性改良有影響。結果，當實施相同的Si濃度時，在不增加HfO2基質THK之情況下促進了四方相的形成。
圖8為展現根據本發明之實施例1的薄膜之碳之次級離子質譜分析(SIMS)的圖，圖9為展現根據本發明之實施例1的薄膜之矽之次級離子質譜分析(SIMS)的圖。在碳雜質之情況下，其與HfO處於相似的位準，而在矽之情況下，與比較實例1相比，其減小超過2倍，且峰偏差亦減小。藉由使用表面保護材料，在形成氧化矽膜時，可降低氧化矽膜之沉積速率。此外，在隨後沉積之介電膜中精細控制Si濃度及減小峰偏差係可能的，從而能夠實現所需組成的薄膜及均勻層的形成。
根據本發明，控制摻雜薄膜之低生長速率可容易地控制摻雜薄膜之厚度，且可獲得具有所需組成的介電膜。
此外，減輕了局部組成的不均勻性，從而獲得在介電膜中具有改良之結晶度及介電常數的介電膜。
已參考實施例詳細解釋了本發明，但可包括其他實施例。因此，以下申請專利範圍中描述之技術想法及範疇不限於實施例。
(無)
圖1為示意性地展現根據本發明之實施例1之薄膜形成方法的流程圖。
圖2為示意性地展現根據本發明之比較實例1之供應循環的圖。
圖3為根據本發明之比較實例1之薄膜的X射線繞射(XRD)結果。
圖4為展現根據本發明之比較實例1的薄膜之碳之次級離子質譜分析(SIMS)的圖。
圖5為展現根據本發明之比較實例1的薄膜之矽之次級離子質譜分析(SIMS)的圖。
圖6為示意性地展現根據本發明之實施例1之供應循環的圖。
圖7為根據本發明之實施例1之薄膜的X射線繞射(XRD)結果。
圖8為展現根據本發明之實施例1的薄膜之碳之次級離子質譜分析(SIMS)的圖。
圖9為展現根據本發明之實施例1的薄膜之矽之次級離子質譜分析(SIMS)的圖。

Claims (21)

  1. 一種使用一表面保護材料形成一薄膜之方法，該方法包含： 將該表面保護材料供應至置放一基板之一腔室內部； 沖洗該腔室之內部； 將一摻雜前驅體供應至該腔室之內部； 沖洗該腔室之內部； 將一第一反應物供應至該腔室之內部，以使得該第一反應物與該經吸附摻雜前驅體反應以形成一摻雜薄膜； 將一介電膜前驅體供應至該腔室之內部； 沖洗該腔室之內部；及 將一第二反應物供應至該腔室之內部，以使得該第二反應物與該經吸附介電膜前驅體反應以形成一介電膜。
  2. 如請求項1之方法，其中該表面保護材料由以下化學式1表示： ＜化學式1＞
    Figure 03_image001
    其中n為1或2，且R選自氫原子、具有1至5個碳原子之烷基、具有3至6個碳原子之環烷基及具有6至12個碳原子之芳基。
  3. 如請求項1之方法，其中該表面保護材料由以下化學式2表示： ＜化學式2＞
    Figure 03_image003
    其中n各自獨立地選自1至5之整數。
  4. 如請求項1之方法，其中該表面保護材料由以下化學式3表示： ＜化學式3＞
    Figure 03_image005
    其中n各自獨立地為0至8之整數， R1各自獨立地選自具有1至10個碳原子之烷基、具有1至5個碳原子之烷氧基或氫原子， R2各自獨立地選自具有1至8個碳原子之烷基、具有3至6個碳原子之環烷基及具有6至12個碳原子之芳基。
  5. 如請求項1之方法，其中該表面保護材料由以下化學式4表示： ＜化學式4＞
    Figure 03_image007
    其中n各自獨立地為1至8之整數且m各自獨立地為1至5之整數， R1或R2各自獨立地選自具有1至8個碳原子之烷基、具有3至6個碳原子之環烷基及具有6至12個碳原子之芳基。
  6. 如請求項1之方法，其中該表面保護材料由以下化學式5表示： ＜化學式5＞
    Figure 03_image009
    其中n各自獨立地為1至5之整數且m各自獨立地為0至8之整數， R1各自獨立地選自具有1至8個碳原子之烷基或氫原子， R2各自獨立地選自具有1至8個碳原子之烷基、具有3至6個碳原子之環烷基及具有6至12個碳原子之芳基。
  7. 如請求項1之方法，其中該表面保護材料由以下化學式6表示： ＜化學式6＞
    Figure 03_image011
    其中n各自獨立地為1至8之整數且m各自獨立地為1至6之整數， R1或R2各自獨立地選自具有1至8個碳原子之烷基、具有3至6個碳原子之環烷基及具有6至12個碳原子之芳基。
  8. 如請求項1之方法，其中該表面保護材料由以下化學式7表示： ＜化學式7＞
    Figure 03_image013
    其中n各自獨立地為0至5之整數且m各自獨立地為1至5之整數， R各自獨立地選自具有1至10個碳原子之烷基、具有3至10個碳原子之環烷基及具有6至12個碳原子之芳基。
  9. 如請求項1之方法，其中該表面保護材料由以下化學式8表示： ＜化學式8＞
    Figure 03_image015
    其中n各自獨立地為0至8之整數， R1至R3各自獨立地選自具有1至8個碳原子之烷基， R4係選自氫、具有1至6個碳原子之烷基及具有1至8個碳原子之烷氧基。
  10. 如請求項1之方法，其中該摻雜前驅體由以下化學式9表示： ＜化學式9＞
    Figure 03_image017
    其中R1至R3各自獨立地選自氫原子、具有1至10個碳原子之烷基、具有6至12個碳原子之芳基、具有1至10個碳原子之烷基胺基、具有2至10個碳原子之二烷基胺基、具有6至12個碳原子之芳基胺基、具有7至13個碳原子之芳烷基胺基、具有3至10個碳原子之環胺基、具有3至10個碳原子之雜環胺基、具有6至12個碳原子之雜芳基胺基、或具有2至10個碳原子之烷基矽烷胺基。
  11. 如請求項10之方法，其中該摻雜前驅體由以下化學式10至14中之任一者表示： ＜化學式10＞
    Figure 03_image019
    ＜化學式11＞
    Figure 03_image021
    ＜化學式12＞
    Figure 03_image023
    ＜化學式13＞
    Figure 03_image025
    ＜化學式14＞
    Figure 03_image027
    。
  12. 如請求項1之方法，其中該摻雜前驅體由以下化學式15表示： ＜化學式15＞
    Figure 03_image029
    其中A及B各自獨立地選自氫原子、鹵素原子、具有1至10個碳原子之烷基、具有6至12個碳原子之芳基、具有2至10個碳原子之烷基胺基、具有6至12個碳原子之芳胺基及具有7至13個碳原子之芳烷基胺基、具有3至10個碳原子之環胺基、具有3至10個碳原子之雜環胺基及具有2至10個碳原子之烷基矽烷胺基， L選自鹵素原子、氫原子或疊氮基。
  13. 如請求項12之方法，其中該摻雜前驅體由以下化學式16至21中之任一者表示： ＜化學式16＞
    Figure 03_image031
    ＜化學式17＞
    Figure 03_image033
    ＜化學式18＞
    Figure 03_image035
    ＜化學式19＞
    Figure 03_image037
    ＜化學式20＞
    Figure 03_image039
    ＜化學式21＞
    Figure 03_image041
    。
  14. 如請求項1之方法，其中該摻雜前驅體由以下化學式22表示： ＜化學式22＞
    Figure 03_image043
    其中R1至R6各自獨立地選自氫原子、具有1至10個碳原子之烷基、具有6至12個碳原子之芳基、具有1至10個碳原子之烷基胺基、具有6至12個碳原子之芳基胺基、具有7至13個碳原子之芳烷基胺基、具有3至10個碳原子之環胺基、具有3至10個碳原子之雜環胺基、具有6至12個碳原子之雜芳基胺基、或具有2至10個碳原子之烷基矽烷胺基。
  15. 如請求項14之方法，其中該摻雜前驅體由以下化學式23表示： ＜化學式23＞
    Figure 03_image045
    。
  16. 如請求項1之方法，其中該摻雜前驅體由以下化學式24表示： ＜化學式24＞
    Figure 03_image047
    其中R1至R5各自獨立地選自氫原子及具有1至4個碳原子之烷基， R6至R9各自獨立地選自氫原子及具有1至4個碳原子之烷基、具有1至4個碳原子之烷基胺基、具有2至4個碳原子之二烷基胺基及具有6至12個碳原子之芳基。
  17. 如請求項16之方法，其中該摻雜前驅體由以下化學式25至27中之任一者表示： ＜化學式25＞
    Figure 03_image049
    ＜化學式26＞
    Figure 03_image051
    ＜化學式27＞
    Figure 03_image053
    。
  18. 如請求項1之方法，其中該摻雜前驅體由以下化學式28表示： ＜化學式28＞
    Figure 03_image055
    其中R1至R4各自獨立地選自氫原子及具有1至4個碳原子之烷基、具有1至4個碳原子之烷基胺基、具有2至4個碳原子之二烷基胺基及具有6至12個碳原子之芳基。
  19. 如請求項18之方法，其中該摻雜前驅體由以下化學式29表示： ＜化學式29＞
    Figure 03_image057
    。
  20. 如請求項1之方法，其中該第一反應物及該第二反應物係選自O 3、O 2、H 2O、H 2O 2、N 2O及NH 3。
  21. 如請求項1之方法，其中該介電膜前驅體為包括含有Ti、Zr及Hf之四價金屬中之至少一者的一化合物。
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