JP2022062709A - 表面保護物質を用いた薄膜形成方法 - Google Patents
表面保護物質を用いた薄膜形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022062709A JP2022062709A JP2021166344A JP2021166344A JP2022062709A JP 2022062709 A JP2022062709 A JP 2022062709A JP 2021166344 A JP2021166344 A JP 2021166344A JP 2021166344 A JP2021166344 A JP 2021166344A JP 2022062709 A JP2022062709 A JP 2022062709A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carbon atoms
- chemical formula
- surface protective
- thin film
- protective substance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 170
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 70
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 title claims abstract description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title abstract description 8
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 76
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 159
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 48
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 33
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 33
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 18
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 claims description 15
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 15
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 125000005264 aryl amine group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000005265 dialkylamine group Chemical group 0.000 claims description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 6
- 150000003974 aralkylamines Chemical group 0.000 claims description 3
- IVRMZWNICZWHMI-UHFFFAOYSA-N azide group Chemical group [N-]=[N+]=[N-] IVRMZWNICZWHMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000005241 heteroarylamino group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 23
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 14
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical group [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 5
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 5
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- MXKUPMZUKJUXOW-UHFFFAOYSA-N C(O)(O)O.C(OC)(OC)OC Chemical compound C(O)(O)O.C(OC)(OC)OC MXKUPMZUKJUXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JIGXARPLYFNBCG-UHFFFAOYSA-N C1(C=CC=C1)[Hf](N(C)C)(N(C)C)N(C)C Chemical compound C1(C=CC=C1)[Hf](N(C)C)(N(C)C)N(C)C JIGXARPLYFNBCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si].[Si] SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VBXQPQJYKGAVKV-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)N(C(C)C)[SiH3].C(C)(C)N(C(C)C)[SiH3] Chemical compound C(C)(C)N(C(C)C)[SiH3].C(C)(C)N(C(C)C)[SiH3] VBXQPQJYKGAVKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45553—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the use of precursors specially adapted for ALD
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0272—Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/403—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/405—Oxides of refractory metals or yttrium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
- C23C16/45531—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations specially adapted for making ternary or higher compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
- C23C16/45534—Use of auxiliary reactants other than used for contributing to the composition of the main film, e.g. catalysts, activators or scavengers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02142—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing silicon and at least one metal element, e.g. metal silicate based insulators or metal silicon oxynitrides
- H01L21/02148—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing silicon and at least one metal element, e.g. metal silicate based insulators or metal silicon oxynitrides the material containing hafnium, e.g. HfSiOx or HfSiON
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
- H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
- H01L21/02219—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/811—Controlling the atmosphere during processing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
【課題】非常に薄い厚さのドーピング用薄膜を形成することができ，また，本誘電膜内の組成の調節が容易で，必要な組成比を具現することができ，これにより，誘電率を改善した薄膜形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の，表面保護物質を用いた薄膜形成方法は，基板が載置されたチャンバの内部に，前記表面保護物質を供給し，前記表面保護物質を前記基板の表面の適宜箇所に吸着させる工程；前記チャンバ内を洗浄後，前記チャンバ内にドーピング用の前駆体を供給した後に第１の反応物質を供給して前記基板の表面にドーピング用薄膜を形成する工程；前記チャンバ内を洗浄後，前記チャンバ内に誘電膜用前駆体を供給した後に第２の反応物質を供給して前記基板の表面に誘電膜用前駆体膜を形成する工程；を含む。【選択図】 図１
Description
本発明は，薄膜形成方法に関するもので，より詳細には，非常に薄い厚さのドーピング用薄膜を形成することにより，誘電膜の厚さと誘電膜内の組成の調節が容易で，必要な組成比を具現することができ，これにより，誘電率を改善した薄膜形成方法に関するものである。
ＤＲＡＭ及びフラッシュ（Flash）などのメモリ/非メモリ半導体素子の高集積化，低消費電力化などの変化に応じて優れた特性の誘電薄膜形成の必要性が深刻化している。
一例としては，非常に薄い厚さでも誘電率の値が大きい酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）と酸化ハフニウム（ＨｆＯ2）がコンデンサ（Capacitor）誘電膜に適用されている。酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）と酸化ハフニウム（ＨｆＯ2）は，温度と圧力に応じて様々な結晶構造であり，その構造に応じて静電容量を異にする。 正方晶（Tetragonal）構造の酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）と立方晶（Cubic）又は正方晶（Tetragonal）構造の酸化ハフニウム（ＨｆＯ2）は，他の構造に比べて約２倍以上の静電容量を有することが知られているが，一般的に，常温，常圧で単斜晶（Monoclinic）構造を有することが安定である。
これにより，ドーピングによって酸化ジルコニウムと酸化ハフニウムの結晶構造を安定化させることで，高い誘電定数を得ようと多くの研究が行われてきた。しかし，ドーピングは局所的な組成の不均一性による誘電特性の劣化やリーク電流を発生し，適用に多くの困難を経験している。したがって，薄膜内の組成の均一性と結晶性の向上による静電容量の改善が求められて段差被覆性（step coverage）を改善した薄膜形成方法の開発が必要である。
本発明の目的は，非常に薄い厚さのドーピング用薄膜を形成することができる薄膜形成方法を提供することにある。
本発明の他の目的は，誘電膜内の組成の調節が容易で，必要な組成比を具現することができ，これにより，誘電率を改善した薄膜形成方法を提供することにある。
本発明のもう一つの目的は，結晶性を向上させながら，段差被覆性（step coverage）が良好な薄膜を形成して，優れた半導体素子を提供することができる薄膜形成方法を提供することにある。
本発明の他の目的は，以下の詳細な説明からより明確になるだろう。
本発明の一実施例によれば，表面保護物質を用いた薄膜形成方法は，表面保護物質を用いた薄膜形成方法において，基板が載置されたチャンバの内部に，前記表面保護物質を供給する表面保護物質供給工程；前記チャンバの内部を浄化する工程；前記チャンバの内部にドーピング用の前駆体を供給するドーピング用前駆体供給工程；前記チャンバの内部を浄化する工程；前記チャンバの内部に第１の反応物質を供給して吸着された前記ドーピング用前駆体と反応してドーピング用薄膜を形成するドーピング用薄膜形成工程；前記チャンバの内部に誘電膜用前駆体を供給する誘電膜用前駆体供給工程；前記チャンバの内部を浄化する工程；及び前記チャンバの内部に第２の反応物質を供給して吸着された前記誘電膜用前駆体と反応して誘電膜を形成する誘電膜形成工程を含む。
前記表面保護物質は，下記＜化学式１＞として表されることができる。
Ｒは水素原子，炭素数１～５のアルキル基，炭素数３～６のシクロアルキル基，炭素数６～１２のアリール基の中から選択される。
前記表面保護物質は，下記＜化学式２＞として表されることができる。
前記表面保護物質は，下記＜化学式３＞として表されることができる。
Ｒ１はそれぞれ独立して炭素数１～１０のアルキル基，炭素数１～５のアルコキシ基又は水素原子の中から選択され，
Ｒ２は，それぞれ独立して炭素数１～８のアルキル基，炭素数３～６のシクロアルキル基，炭素数６～１２のアリール基の中から選択される。
前記表面保護物質は，下記＜化学式４＞として表されることができる。
Ｒ１又はＲ２は，それぞれ独立して炭素数１～８のアルキル基，炭素数３～６のシクロアルキル基，炭素数６～１２のアリール基の中から選択される。
前記表面保護物質は，下記＜化学式５＞として表されることができる。
Ｒ１はそれぞれ独立して炭素数１～８のアルキル基又は水素原子の中から選択され，
Ｒ２は，それぞれ独立して炭素数１～８のアルキル基，炭素数３～６のシクロアルキル基，炭素数６～１２のアリール基の中から選択される。
前記表面保護物質は，下記＜化学式６＞として表されることができる。
Ｒ１又はＲ２は，それぞれ独立して炭素数１～８のアルキル基，炭素数３～６のシクロアルキル基，炭素数６～１２のアリール基の中から選択される。
前記表面保護物質は，下記＜化学式７＞として表されることができる。
Ｒは，それぞれ独立して炭素数１～１０のアルキル基，炭素数３～１０のシクロアルキル基，炭素数６～１２のアリール基の中から選択される。
前記表面保護物質は，下記＜化学式８＞として表されることができる。
前記＜化学式８＞において， ｎはそれぞれ独立して０～８の整数であり，
Ｒ１乃至Ｒ３は，それぞれ独立して炭素数が１～８であるアルキル基であり，
Ｒ４は水素，炭素数が１～６であるアルキル基，炭素数が１～８であるアルコキシ基の中から選択される。
前記ドーピング用の前駆体は，下記＜化学式９＞として表されることができる。
前記＜化学式９＞において， Ｒ１乃至Ｒ３は，それぞれ独立して，水素原子，炭素数１～１０のアルキル基，炭素数６～１２のアリール基，炭素数１～１０のアルキルアミン基，炭素数２～１０のジアルキルアミン基，炭素数６～１２のアリールアミン基，炭素数７～１３のアラルキルアミン基，炭素数３～１０のサイクリックアミン基，炭素数３～１０のヘテロサイクリックアミン基，炭素数６～１２のヘテロアリールアミン基又は炭素数２～１０のアルキルシリルアミン基の中から選択される。
前記ドーピング用の前駆体は，下記＜化学式１０＞から<化学式１４>のいずれかから表されることができる。
前記ドーピング用の前駆体は，下記＜化学式１５＞として表されることができる。
Ｌはハロゲン原子，水素原子，又はアジド基の中から選択される。
前記ドーピング用の前駆体は，下記＜化学式１６＞から<化学式２１>のいずれかから表されることができる。
前記ドーピング用の前駆体は，下記＜化学式２２＞として表されることができる。
前記ドーピング用の前駆体は，下記＜化学式２３＞として表されることができる。
前記ドーピング用の前駆体は，下記＜化学式２４＞として表されることができる。
Ｒ６からＲ９は，それぞれ独立して，水素原子，炭素数１～４のアルキル基，炭素数１～４のアルキルアミン基，炭素数２～４のジアルキルアミン基，炭素数６～１２のアリール基の中から選択される。
前記ドーピング用の前駆体は，下記＜化学式２５＞から<化学式２７>のいずれかから表されることができる。
前記ドーピング用の前駆体は，下記＜化学式２８＞として表されることができる。
前記ドーピング用の前駆体は，下記＜化学式２９＞として表されることができる。
前記反応物質はＯ3，Ｏ2，Ｈ2Ｏ，Ｈ2Ｏ2，Ｎ2ＯとＮＨ3の中から選択されることができる。
前記誘電膜用前駆体は，Ｔｉ，Ｚｒ及びＨｆを含む４価の金属（tetravalent metal）の少なくとも１つを含む化合物であることができる。
本発明の一実施例によれば，低ドーピング用薄膜の成長速度を介してドーピング用薄膜の厚さを容易に調節することができ，必要な組成の誘電膜を得ることができる。
また，局部的な組成不均一性を緩和させ，これにより，誘電膜の結晶性と誘電率が改善された誘電膜を得ることができる。
本発明は表面保護物質を用いた薄膜形成方法に関し，以下に添付した化学式を利用して本発明の実施例を説明する。本発明の実施例は様々な形態に変更されてもよく，本発明の範囲が以下で説明する実施例に限定すると解釈されてはならない。
図１は，本発明の実施例１による薄膜形成方法を概略的に示すフローチャートである。 基板は，工程チャンバの内部にロードされ，以下のＡＬＤ工程条件は調整される。 ＡＬＤ工程条件は，基板又は工程チャンバの温度，チャンバ圧力，ガス流量を含むことができ，温度は５０～５００℃である。
基板は，チャンバの内部に供給された表面保護物質にさらされており，表面保護物質は，基板の表面に吸着される。表面保護物質は，工程進行中ドーピング用前駆体と同様の挙動を持ち，一種の抑制層を形成して，後続の工程でドーピング用前駆体が吸着されることを妨げて島状成長（island growth）などを緩和させ，後に形成される薄膜内の局所的な組成の不均一性を改善することができる。
前記表面保護物質は，下記＜化学式１＞として表されることができる。
Ｒは水素原子，炭素数１～５のアルキル基，炭素数３～６のシクロアルキル基，炭素数６～１２のアリール基の中から選択される。
前記表面保護物質は，下記＜化学式２＞として表されることができる。
前記表面保護物質は，下記＜化学式３＞として表されることができる。
Ｒ１はそれぞれ独立して炭素数１～１０のアルキル基，炭素数１～５のアルコキシ基又は水素原子の中から選択され，
Ｒ２は，それぞれ独立して炭素数１～８のアルキル基，炭素数３～６のシクロアルキル基，炭素数６～１２のアリール基の中から選択される。
前記表面保護物質は，下記＜化学式４＞として表されることができる。
Ｒ１又はＲ２は，それぞれ独立して炭素数１～８のアルキル基，炭素数３～６のシクロアルキル基，炭素数６～１２のアリール基の中から選択される。
前記表面保護物質は，下記＜化学式５＞として表されることができる。
Ｒ１はそれぞれ独立して炭素数１～８のアルキル基又は水素原子の中から選択され，
Ｒ２は，それぞれ独立して炭素数１～８のアルキル基，炭素数３～６のシクロアルキル基，炭素数６～１２のアリール基の中から選択される。
前記表面保護物質は，下記＜化学式６＞として表されることができる。
Ｒ１又はＲ２は，それぞれ独立して炭素数１～８のアルキル基，炭素数３～６のシクロアルキル基，炭素数６～１２のアリール基の中から選択される。
前記表面保護物質は，下記＜化学式７＞として表されることができる。
前記＜化学式７＞において， ｎはそれぞれ独立して０～５の整数であり，ｍはそれぞれ独立して１～５の整数であり，
Ｒは，それぞれ独立して炭素数１～１０のアルキル基，炭素数３～１０のシクロアルキル基，炭素数６～１２のアリール基の中から選択される。
前記表面保護物質は，下記＜化学式８＞として表されることができる。
Ｒ１乃至Ｒ３は，それぞれ独立して炭素数が１～８であるアルキル基であり，
Ｒ４は水素，炭素数が１～６であるアルキル基，炭素数が１～８であるアルコキシ基の中から選択される。
以後，チャンバの内部に浄化(purge)ガス（例えば，Ａｒのような不活性ガス）を供給して，未吸着表面保護物質又は副産物を除去したり，清潔にする。
以後，基板は，チャンバの内部に供給されたドーピング用前駆体にさらされており，基板の表面にドーピング用前駆体が吸着される。
前記ドーピング用の前駆体は，下記＜化学式９＞として表されることができる。
前記ドーピング用の前駆体は，下記＜化学式１０＞から<化学式１４>のいずれかから表されることができる。
前記ドーピング用の前駆体は，下記＜化学式１５＞として表されることができる。
Ｌはハロゲン原子，水素原子，又はアジド基の中から選択される。
前記ドーピング用の前駆体は，下記＜化学式１６＞から<化学式２１>のいずれかから表されることができる。
前記ドーピング用の前駆体は，下記＜化学式２２＞として表されることができる。
前記＜化学式２２＞において， Ｒ１乃至Ｒ６は，それぞれ独立して，水素原子，炭素数１～１０のアルキル基，炭素数６～１２のアリール基，炭素数１～１０のアルキルアミン基，炭素数６～１２のアリールアミン基，炭素数７～１３のアラルキルアミン基，炭素数３～１０のサイクリックアミン基，炭素数３～１０のヘテロサイクリックアミン基，炭素数６～１２のヘテロアリールアミン基又は炭素数２～１０のアルキルシリルアミン基の中から選択される。
前記ドーピング用の前駆体は，下記＜化学式２３＞として表されることができる。
前記ドーピング用の前駆体は，下記＜化学式２４＞として表されることができる。
Ｒ６からＲ９は，それぞれ独立して，水素原子，炭素数１～４のアルキル基，炭素数１～４のアルキルアミン基，炭素数２～４のジアルキルアミン基，炭素数６～１２のアリール基の中から選択される。
前記ドーピング用の前駆体は，下記＜化学式２５＞から<化学式２７>のいずれかから表されることができる。
前記ドーピング用の前駆体は，下記＜化学式２８＞として表されることができる。
前記ドーピング用の前駆体は，下記＜化学式２９＞として表されることができる。
例えば説明すると，前述した表面保護物質が吸着されると，ドーピング用前駆体は，表面保護物質が吸着された位置に吸着されることがなく，表面保護物質は，ドーピング用前駆体の吸着を妨害する。
以後，チャンバの内部に浄化(purge)ガス（例えば，Ａｒのような不活性ガス）を供給して，未吸着ドーピング用前駆体又は副産物を除去したり，清潔にする。
以後，基板は，チャンバの内部に供給された反応物質にさらされており，基板の表面にドーピング用薄膜が形成される。反応物質は，ドーピング用前駆体層と反応してドーピング用薄膜を形成し，反応物質はＯ3，Ｏ2，Ｈ2Ｏ，Ｈ2Ｏ2，Ｎ2ＯとＮＨ3の中から選択されることができる。
以後，チャンバの内部に浄化(purge)ガス（例えば，Ａｒのような不活性ガス）を供給して，未反応物質又は副産物を除去したり，清潔にする。
以後，基板は，チャンバの内部に供給された誘電膜用前駆体にさらされており，基板の表面に誘電膜用前駆体が吸着される。誘電膜用前駆体は，Ｔｉ，Ｚｒ及びＨｆを含む４価の金属（tetravalent metal）の少なくとも１つを含む化合物であることができる。
以後，チャンバの内部に浄化(purge)ガス（例えば，Ａｒのような不活性ガス）を供給して，未吸着誘電膜用前駆体又は副産物を除去したり，清潔にする。
以後，基板は，チャンバの内部に供給された反応物質にさらされており，基板の表面に誘電膜が形成される。反応物質は，誘電膜用前駆体層と反応して誘電膜を形成し，反応物質はＯ3，Ｏ2，Ｈ2Ｏ，Ｈ2Ｏ2，Ｎ2ＯとＮＨ3の中から選択されることができる。
以後，チャンバの内部に浄化(purge)ガス（例えば，Ａｒのような不活性ガス）を供給して，未反応物質又は副産物を除去したり，清潔にする。
- 比較例１
図２は，本発明の比較例１による供給サイクルを概略的に示すグラフである。前述した表面保護物質を使用せずに，ドーピング用薄膜にシリコン酸化物，誘電膜にハフニウム酸化物を形成し，シリコン酸化物を形成するためのドーピング用前駆体としてジイソプロピルアミノシラン（Diisoprophylamino Silane：ＤＩＰＡＳ）とハフニウム酸化物を形成するための誘電膜用前駆体としてトリス（ジメチルアミノ）シクロペンタジエニルハフニウム（iv）[ＣｐＨｆ(ＮＭｅ２)３]（ＨＡＣ）を使用し， 工程温度は３２０℃，反応物質は，Ｏ3ガスを使用した。
図２は，本発明の比較例１による供給サイクルを概略的に示すグラフである。前述した表面保護物質を使用せずに，ドーピング用薄膜にシリコン酸化物，誘電膜にハフニウム酸化物を形成し，シリコン酸化物を形成するためのドーピング用前駆体としてジイソプロピルアミノシラン（Diisoprophylamino Silane：ＤＩＰＡＳ）とハフニウム酸化物を形成するための誘電膜用前駆体としてトリス（ジメチルアミノ）シクロペンタジエニルハフニウム（iv）[ＣｐＨｆ(ＮＭｅ２)３]（ＨＡＣ）を使用し， 工程温度は３２０℃，反応物質は，Ｏ3ガスを使用した。
ＡＬＤ工程を通じた薄膜形成過程は以下の通りで，従来のドーピング方式と同様に，シリコン酸化物とハフニウム酸化物のサイクルの割合（cycle ratio）は，下記の表１の通りである。表１は，比較例１及び実施例１によるＳｉＯ2とＨｆＯ2のサイクルの割合とＸＲＤ正方晶相の割合（Tetragonal phase ratio）（％）を示し，ＸＲＤ正方晶相の割合（Tetragonal phase ratio）はT(101)/[(T101)+ M(-111)+M(111)]の値として計算した。
１）Ａｒをキャリア(carrier)ガスとして，常温でドーピング用前駆体(ＤＩＰＡＳ)を反応チャンバに供給して，基板にドーピング用前駆体を吸着
２）反応チャンバ内にＡｒガスを供給して未吸着ドーピング用前駆体又は副産物を除去
３）Ｏ3ガスを反応室に供給してドーピング用薄膜を形成
４）反応チャンバ内にＡｒガスを供給して未反応物質又は副産物を除去
５) Ａｒをキャリア(carrier)ガスとして，常温で誘電膜用前駆体(ＨＡＣ)を反応チャンバに供給して，基板に誘電膜用前駆体を吸着
６）反応チャンバ内にＡｒガスを供給して未吸着誘電膜用前駆体又は副産物を除去
７）Ｏ3ガスを反応室に供給して誘電膜を形成
８）反応チャンバ内にＡｒガスを供給して未反応物質又は副産物を除去
２）反応チャンバ内にＡｒガスを供給して未吸着ドーピング用前駆体又は副産物を除去
３）Ｏ3ガスを反応室に供給してドーピング用薄膜を形成
４）反応チャンバ内にＡｒガスを供給して未反応物質又は副産物を除去
５) Ａｒをキャリア(carrier)ガスとして，常温で誘電膜用前駆体(ＨＡＣ)を反応チャンバに供給して，基板に誘電膜用前駆体を吸着
６）反応チャンバ内にＡｒガスを供給して未吸着誘電膜用前駆体又は副産物を除去
７）Ｏ3ガスを反応室に供給して誘電膜を形成
８）反応チャンバ内にＡｒガスを供給して未反応物質又は副産物を除去
図３は，本発明の比較例１による薄膜のＸＲＤ（X-ray diffraction）の結果である。Ｓｉの割合が低い場合（１:３０），ＨｆＯと正方晶の割合（Tetragonal ratio）が似ているが，Ｓｉの割合が増加した場合，（１:１２），正方晶の割合（Tetragonal ratio）が減少する。
図４は，本発明の比較例１による薄膜のカーボン（Carbon）の２次イオン質量分析（ＳＩＭＳ：Secondary Ion Mass Spectrometry）を示すグラフである ，図５は，本発明の比較例１による薄膜のシリコン（Silicon）の２次イオン質量分析（ＳＩＭＳ：Secondary Ion Mass Spectrometry）を示すグラフである。炭素不純物（Carbon Impurity）の場合ＨｆＯと同程度のレベルであり，シリコン（Silicon）の場合Ｓｉのサイクルの割合（cycle ratio）に関係なく，Ｓｉのピーク強度（peak intensity）が同程度のレベルである。
- 実施例１
表面保護物質でオルト蟻酸トリメチル（Trimethyl orthoformate）を使用して，シリコン基板上にアルミニウム酸化膜を形成した。 ＡＬＤ工程を使用してアルミニウム酸化膜を形成し，ＡＬＤ工程温度は２５０～３９０℃，反応物質は，Ｏ3ガスを使用した。
表面保護物質でオルト蟻酸トリメチル（Trimethyl orthoformate）を使用して，シリコン基板上にアルミニウム酸化膜を形成した。 ＡＬＤ工程を使用してアルミニウム酸化膜を形成し，ＡＬＤ工程温度は２５０～３９０℃，反応物質は，Ｏ3ガスを使用した。
図６は，本発明の実施例１による供給サイクルを概略的に示すグラフである。 表面保護物質でオルト蟻酸トリメチル（Trimethyl orthoformate）を使用して，ドーピング用薄膜にシリコン酸化物，誘電膜にハフニウム酸化物を形成し，シリコン酸化物を形成するためのドーピング用前駆体としてジイソプロピルアミノシラン（Diisoprophylamino Silane：ＤＩＰＡＳ）とハフニウム酸化物を形成するための誘電膜用前駆体としてトリス（ジメチルアミノ）シクロペンタジエニルハフニウム（iv）[ＣｐＨｆ(ＮＭｅ２)３]（ＨＡＣ）を使用し，工程温度は３２０℃，反応物質は，Ｏ3ガスを使用した。
ＡＬＤ工程を通じた薄膜形成過程は以下の通りで，従来のドーピング方式と同様に，シリコン酸化物とハフニウム酸化物のサイクルの割合（cycle ratio）は，上記の表１の通りである。
１）反応チャンバ内に表面保護物質を供給して基板に吸着
２）反応チャンバ内にＡｒガスを供給して未吸着表面保護物質又は副産物を除去
３）Ａｒをキャリアガスとして，常温でドーピング用前駆体(ＤＩＰＡＳ)を反応チャンバに供給して，基板にドーピング用前駆体を吸着
４）反応チャンバ内にＡｒガスを供給して未吸着ドーピング用前駆体又は副産物を除去
５）Ｏ3ガスを反応室に供給してドーピング用薄膜を形成
６）反応チャンバ内にＡｒガスを供給して未反応物質又は副産物を除去
７）Ａｒをキャリアガスとして，常温で誘電膜用前駆体(ＨＡＣ)を反応チャンバに供給して，基板に誘電膜用前駆体を吸着
８）反応チャンバ内にＡｒガスを供給して未吸着誘電膜用前駆体又は副産物を除去
９）Ｏ3ガスを反応室に供給して誘電膜を形成
１０）反応チャンバ内にＡｒガスを供給して未反応物質又は副産物を除去
２）反応チャンバ内にＡｒガスを供給して未吸着表面保護物質又は副産物を除去
３）Ａｒをキャリアガスとして，常温でドーピング用前駆体(ＤＩＰＡＳ)を反応チャンバに供給して，基板にドーピング用前駆体を吸着
４）反応チャンバ内にＡｒガスを供給して未吸着ドーピング用前駆体又は副産物を除去
５）Ｏ3ガスを反応室に供給してドーピング用薄膜を形成
６）反応チャンバ内にＡｒガスを供給して未反応物質又は副産物を除去
７）Ａｒをキャリアガスとして，常温で誘電膜用前駆体(ＨＡＣ)を反応チャンバに供給して，基板に誘電膜用前駆体を吸着
８）反応チャンバ内にＡｒガスを供給して未吸着誘電膜用前駆体又は副産物を除去
９）Ｏ3ガスを反応室に供給して誘電膜を形成
１０）反応チャンバ内にＡｒガスを供給して未反応物質又は副産物を除去
図７は，本発明の実施例１による薄膜のＸＲＤ（X-ray diffraction）の結果である。Ｓｉの割合に関係なく単斜晶相（monoclinic phase）より正方晶相（Tetragonal phase）（１０１）の割合が大きく，表面保護物質により，吸着されるＳｉＯ2の蒸着速度が低下している。これにより，Ｓｉ濃度が微細に含まれている結晶性の改善に影響を及ぼしたと推定される。その結果，同じＳｉ濃度を実装する際にＨｆＯ2マトリックスのＴＨＫ（HfO2 Matrix THK）を増加させることなく正方晶相（Tetragonal phase）の形成を容易にする。
図８は，本発明の実施例１による薄膜のカーボン（Carbon）の２次イオン質量分析（ＳＩＭＳ：Secondary Ion Mass Spectrometry）を示すグラフである，図９は，本発明の実施例１による薄膜のシリコン（Silicon）の２次イオン質量分析（ＳＩＭＳ：Secondary Ion Mass Spectrometry）を示すグラフである。炭素不純物（Carbon Impurity）の場合ＨｆＯと同程度のレベルであり，シリコン（Silicon）の場合，比較例１と対比すると，２倍以上減少し，ピーク（peak）偏差も減少する。シリコン酸化膜の形成時に表面保護物質を使用することにより，シリコン酸化膜蒸着速度を下げることができ，後に蒸着される誘電膜内Ｓｉ濃度の微調整とピーク（peak）偏差を減少させ，目的の組成の薄膜と均一な層（layer）の形成を可能にする。
これまで本発明を実施例を介して詳細に説明したが，これとは異なる形態の実施例も可能である。よって，以下に記載する請求項の技術的思想と範囲は実施例に限らない。
Claims (21)
- 表面保護物質を用いた薄膜形成方法において，
基板が載置されたチャンバの内部に，前記表面保護物質を供給する表面保護物質供給工程；
前記チャンバの内部を浄化する工程；
前記チャンバの内部にドーピング用の前駆体を供給するドーピング用前駆体供給工程；
前記チャンバの内部を浄化する工程；
前記チャンバの内部に第１の反応物質を供給して吸着された前記ドーピング用前駆体と反応してドーピング用薄膜を形成するドーピング用薄膜形成工程；
前記チャンバの内部に誘電膜用前駆体を供給する誘電膜用前駆体供給工程；
前記チャンバの内部を浄化する工程；及び
前記チャンバの内部に第２の反応物質を供給して吸着された前記誘電膜用前駆体と反応して誘電膜を形成する誘電膜形成工程を含む，表面保護物質を用いた薄膜形成方法。 - 前記表面保護物質は，下記＜化学式１＞として表される請求項１記載の表面保護物質を用いた薄膜形成方法。
前記＜化学式１＞において， ｎは１,２の中から選択されたいずれか一つであり，
Ｒは水素原子，炭素数１～５のアルキル基，炭素数３～６のシクロアルキル基，炭素数６～１２のアリール基の中から選択される。 - 前記表面保護物質は，下記＜化学式２＞として表される請求項１記載の表面保護物質を用いた薄膜形成方法。
前記＜化学式２＞において， ｎは，それぞれ独立して１～５の整数の中から選択される。
- 前記表面保護物質は，下記＜化学式３＞として表される請求項１記載の表面保護物質を用いた薄膜形成方法。
前記＜化学式３＞において， ｎは，それぞれ独立して０～８の整数であり，
Ｒ１はそれぞれ独立して炭素数１～１０のアルキル基，炭素数１～５のアルコキシ基又は水素原子の中から選択され，
Ｒ２は，それぞれ独立して炭素数１～８のアルキル基，炭素数３～６のシクロアルキル基，炭素数６～１２のアリール基の中から選択される。 - 前記表面保護物質は，下記＜化学式４＞として表される請求項１記載の表面保護物質を用いた薄膜形成方法。
前記＜化学式４＞において， ｎはそれぞれ独立して１～８の整数であり，ｍはそれぞれ独立して１～５の整数であり，
Ｒ１又はＲ２は，それぞれ独立して炭素数１～８のアルキル基，炭素数３～６のシクロアルキル基，炭素数６～１２のアリール基の中から選択される。 - 前記表面保護物質は，下記＜化学式５＞として表される請求項１記載の表面保護物質を用いた薄膜形成方法。
前記＜化学式５＞において， ｎはそれぞれ独立して１～５の整数であり，ｍはそれぞれ独立して０～８の整数であり，
Ｒ１はそれぞれ独立して炭素数１～８のアルキル基又は水素原子の中から選択され，
Ｒ２は，それぞれ独立して炭素数１～８のアルキル基，炭素数３～６のシクロアルキル基，炭素数６～１２のアリール基の中から選択される。 - 前記表面保護物質は，下記＜化学式６＞として表される請求項１記載の表面保護物質を用いた薄膜形成方法。
前記＜化学式６＞において， ｎはそれぞれ独立して１～８の整数であり，ｍはそれぞれ独立して１～６の整数であり，
Ｒ１又はＲ２は，それぞれ独立して炭素数１～８のアルキル基，炭素数３～６のシクロアルキル基，炭素数６～１２のアリール基の中から選択される。 - 前記表面保護物質は，下記＜化学式７＞として表される請求項１記載の表面保護物質を用いた薄膜形成方法。
前記＜化学式７＞において， ｎはそれぞれ独立して０～５の整数であり，ｍはそれぞれ独立して１～５の整数であり，
Ｒは，それぞれ独立して炭素数１～１０のアルキル基，炭素数３～１０のシクロアルキル基，炭素数６～１２のアリール基の中から選択される。 - 前記表面保護物質は，下記＜化学式８＞として表される請求項１記載の表面保護物質を用いた薄膜形成方法。
前記＜化学式８＞において， ｎはそれぞれ独立して０～８の整数であり，
Ｒ１乃至Ｒ３は，それぞれ独立して炭素数が１～８であるアルキル基であり，
Ｒ４は水素，炭素数が１～６であるアルキル基，炭素数が１～８であるアルコキシ基の中から選択される。 - 前記ドーピング用の前駆体は，下記＜化学式９＞として表される請求項１記載の表面保護物質を用いた薄膜形成方法。
前記＜化学式９＞において， Ｒ１乃至Ｒ３は，それぞれ独立して，水素原子，炭素数１～１０のアルキル基，炭素数６～１２のアリール基，炭素数１～１０のアルキルアミン基，炭素数２～１０のジアルキルアミン基，炭素数６～１２のアリールアミン基，炭素数７～１３のアラルキルアミン基，炭素数３～１０のサイクリックアミン基，炭素数３～１０のヘテロサイクリックアミン基，炭素数６～１２のヘテロアリールアミン基又は炭素数２～１０のアルキルシリルアミン基の中から選択される。
- 前記ドーピング用の前駆体は，下記＜化学式１０＞から<化学式１４>のいずれかから表される請求項１０記載の表面保護物質を用いた薄膜形成方法。
- 前記ドーピング用の前駆体は，下記＜化学式１５＞として表される請求項１記載の表面保護物質を用いた薄膜形成方法。
前記＜化学式１５＞において， ＡとＢは，それぞれ独立して，水素原子，ハロゲン原子，炭素数１～１０のアルキル基，炭素数６～１２のアリール基，炭素数２～１０のアルキルアミン基，炭素数６～１２のアリールアミン基，炭素数７～１３のアラルキルアミン基，炭素数３～１０のサイクリックアミン基，炭素数３～１０のヘテロサイクリックアミン基，炭素数２～１０のアルキルシリルアミン基の中から選択され，
Ｌはハロゲン原子，水素原子，又はアジド基の中から選択される。 - 前記ドーピング用の前駆体は，下記＜化学式１６＞から<化学式２１>のいずれかから表される請求項１２記載の表面保護物質を用いた薄膜形成方法。
- 前記ドーピング用の前駆体は，下記＜化学式２２＞として表される請求項１記載の表面保護物質を用いた薄膜形成方法。
前記＜化学式２２＞において， Ｒ１乃至Ｒ６は，それぞれ独立して，水素原子，炭素数１～１０のアルキル基，炭素数６～１２のアリール基，炭素数１～１０のアルキルアミン基，炭素数６～１２のアリールアミン基，炭素数７～１３のアラルキルアミン基，炭素数３～１０のサイクリックアミン基，炭素数３～１０のヘテロサイクリックアミン基，炭素数６～１２のヘテロアリールアミン基又は炭素数２～１０のアルキルシリルアミン基の中から選択される。
- 前記ドーピング用の前駆体は，下記＜化学式２３＞として表される請求項１４記載の表面保護物質を用いた薄膜形成方法。
- 前記ドーピング用の前駆体は，下記＜化学式２４＞として表される請求項１記載の表面保護物質を用いた薄膜形成方法。
前記＜化学式２４＞において， Ｒ１乃至Ｒ５は，それぞれ独立して，水素原子，炭素数１～４のアルキル基の中から選択され，
Ｒ６からＲ９は，それぞれ独立して，水素原子，炭素数１～４のアルキル基，炭素数１～４のアルキルアミン基，炭素数２～４のジアルキルアミン基，炭素数６～１２のアリール基の中から選択される。 - 前記ドーピング用の前駆体は，下記＜化学式２５＞から<化学式２７>のいずれかから表される請求項１６記載の表面保護物質を用いた薄膜形成方法。
- 前記ドーピング用の前駆体は，下記＜化学式２８＞として表される請求項１記載の表面保護物質を用いた薄膜形成方法。
前記＜化学式２８＞において， Ｒ１乃至Ｒ４は，それぞれ独立して，水素原子，炭素数１～４のアルキル基，炭素数１～４のアルキルアミン基，炭素数２～４のジアルキルアミン基，炭素数６～１２のアリール基の中から選択される。
- 前記ドーピング用の前駆体は，下記＜化学式２９＞として表される請求項１８記載の表面保護物質を用いた薄膜形成方法。
- 前記反応物質はＯ3，Ｏ2，Ｈ2Ｏ，Ｈ2Ｏ2，Ｎ2ＯとＮＨ3の中から選択される請求項１記載の表面保護物質を用いた薄膜形成方法。
- 前記誘電膜用前駆体は，Ｔｉ，Ｚｒ及びＨｆを含む４価の金属の少なくとも１つを含む化合物である請求項１記載の表面保護物質を用いた薄膜形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200129773A KR102199999B1 (ko) | 2020-10-08 | 2020-10-08 | 표면 보호 물질을 이용한 박막 형성 방법 |
| KR10-2020-0129773 | 2020-10-08 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022062709A true JP2022062709A (ja) | 2022-04-20 |
Family
ID=74127652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021166344A Pending JP2022062709A (ja) | 2020-10-08 | 2021-10-08 | 表面保護物質を用いた薄膜形成方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20220112600A1 (ja) |
| JP (1) | JP2022062709A (ja) |
| KR (1) | KR102199999B1 (ja) |
| CN (1) | CN114293175A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023195656A1 (ko) * | 2022-04-05 | 2023-10-12 | 솔브레인 주식회사 | 박막 형성 방법, 이로부터 제조된 반도체 기판 및 반도체 소자 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010239155A (ja) * | 2007-05-07 | 2010-10-21 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法および撮像装置 |
| JP2014053371A (ja) * | 2012-09-05 | 2014-03-20 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
| JP2014187269A (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム |
| WO2019023001A1 (en) * | 2017-07-23 | 2019-01-31 | Applied Materials, Inc. | METHODS FOR SELECTIVE DEPOSITION ON SILICON-BASED DIELECTRICS |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7229405B2 (en) | 2002-11-15 | 2007-06-12 | Paracor Medical, Inc. | Cardiac harness delivery device and method of use |
| KR20040100766A (ko) * | 2003-05-24 | 2004-12-02 | 삼성전자주식회사 | 원자층 증착법을 이용한 복합 유전막의 연속 형성방법 및이를 이용한 캐패시터의 제조방법 |
| KR100555543B1 (ko) * | 2003-06-24 | 2006-03-03 | 삼성전자주식회사 | 원자층 증착법에 의한 고유전막 형성 방법 및 그고유전막을 갖는 커패시터의 제조 방법 |
| US8159008B2 (en) * | 2009-09-18 | 2012-04-17 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating a trench-generated transistor structure |
| KR101785594B1 (ko) * | 2014-06-13 | 2017-10-17 | 주식회사 유진테크 머티리얼즈 | 성막용 전구체 조성물 및 이를 이용한 박막 형성 방법 |
| KR102095710B1 (ko) * | 2019-11-05 | 2020-04-01 | 주식회사 유진테크 머티리얼즈 | 표면 보호 물질을 이용한 박막 형성 방법 |
| EP4065746A4 (en) * | 2019-12-27 | 2023-06-28 | Versum Materials US, LLC | Method for depositing a film |
-
2020
- 2020-10-08 KR KR1020200129773A patent/KR102199999B1/ko active IP Right Grant
-
2021
- 2021-10-07 US US17/496,439 patent/US20220112600A1/en not_active Abandoned
- 2021-10-08 JP JP2021166344A patent/JP2022062709A/ja active Pending
- 2021-10-08 CN CN202111172039.8A patent/CN114293175A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010239155A (ja) * | 2007-05-07 | 2010-10-21 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法および撮像装置 |
| JP2014053371A (ja) * | 2012-09-05 | 2014-03-20 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
| JP2014187269A (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム |
| WO2019023001A1 (en) * | 2017-07-23 | 2019-01-31 | Applied Materials, Inc. | METHODS FOR SELECTIVE DEPOSITION ON SILICON-BASED DIELECTRICS |
| JP2020529513A (ja) * | 2017-07-23 | 2020-10-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | シリコンベース誘電体への選択的堆積のための方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20220112600A1 (en) | 2022-04-14 |
| CN114293175A (zh) | 2022-04-08 |
| KR102199999B1 (ko) | 2021-01-08 |
| TW202219311A (zh) | 2022-05-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2010539709A (ja) | モノシクロペンタジエニルチタン系前駆体を用いる原子層成長によるチタン含有薄膜の作製方法 | |
| TWI662145B (zh) | 成膜組成物及利用其製造模的方法 | |
| US20220403521A1 (en) | Method for forming thin film using surface protection material | |
| KR20190036794A (ko) | 박막 형성용 조성물 및 이를 이용한 박막 형성 방법 | |
| TWI718821B (zh) | 化合物、氣相沉積前驅物及製備薄膜的方法 | |
| TWI798816B (zh) | 選擇性材料及使用選擇性材料之選擇性形成薄膜的方法 | |
| TWI805171B (zh) | 選擇性形成薄膜的方法 | |
| JP2022062709A (ja) | 表面保護物質を用いた薄膜形成方法 | |
| JP6705006B2 (ja) | 有機４族化合物を含む前駆体造成物及びそれを利用した薄膜形成方法 | |
| JP7485403B2 (ja) | 表面保護物質を用いた薄膜形成方法 | |
| CN114539295B (zh) | 稀土前驱体、制备其的方法和使用其形成薄膜的方法 | |
| US20230312614A1 (en) | Group 4 metal element-containing compound, precursor composition including same, and method for manufacturing thin film using same | |
| US20220145461A1 (en) | Rare earth precursor, method of preparing the same, and method of forming thin film using the same | |
| KR102163933B1 (ko) | 유기금속화합물 및 이를 이용한 박막 | |
| KR20190122094A (ko) | 유기 4족 화합물을 포함하는 전구체 조성물 및 이를 이용한 박막 형성 방법 | |
| WO2008013675A2 (en) | Precursors for atomic layer deposition |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211008 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220926 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220927 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20221223 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20230221 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230327 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230619 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20230914 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231116 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240216 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240513 |