TWI805171B - 選擇性形成薄膜的方法 - Google Patents
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Abstract
所揭示的是一種形成一區域選擇性薄膜的方法，該方法包含將一核生長阻滯劑供應至其中放置有基材的腔體之內，使得該核生長阻滯劑被吸附於該基材之一非生長區；清洗該腔體之內部；將一前驅物供應至該腔體之內，使得該前驅物被吸附於該基材之一生長區；清洗該腔體之內部；以及將一反應材料供應至該腔體之內，使得該反應材料與該被吸附之前驅物反應以形成該薄膜。
Description
技術領域
本發明關於一種形成薄膜的方法，且更特別地是關於一種利用核生長阻滯之選擇性形成薄膜的方法。
背景
半導體裝置的圖形化是利用各種材料層的布置以及光刻或蝕刻製程來實施。然而，在過去數十年，裝置的微型化已加速並且所需的圖形之尺寸已縮減至奈米(nm)位準，此大幅增加奈米圖形形成的成本及時間。此外，有需要發展能夠獲得自對準結構之選擇性沉積製程，而無須實施後續製程。
本發明的一目的係在提供一種用於形成一具有關於一區域之選擇性之薄膜的方法。
本發明之其他目的將從以下詳細說明中變得更加清楚。
概要
所揭示的是一種形成一區域選擇性薄膜的方法，該方法包含將一核生長阻滯劑供應至其中放置有基材的腔體之內，使得該核生長阻滯劑被吸附於該基材之一非生長區；清洗該腔體之內部；將一前驅物供應至該腔體之內，使得該前驅物被吸附於該基材之一生長區；清洗該腔體之內部；以及將一反應材料供應至該腔體之內，使得該反應材料與該被吸附之前驅物反應以形成該薄膜。
該核生長阻滯劑可由下列化學式1所表示：
＜化學式1＞
在＜化學式1＞中，n係1或2，R係選自氫、具有1至5個碳原子之烷基、具有3至6個碳原子之環烷基以及具有6至12個碳原子之芳基。
該核生長阻滯劑可由下列化學式2所表示：
＜化學式2＞
在＜化學式2＞中，n係各自獨立地為1至5之整數。
該核生長阻滯劑可由下列化學式3所表示：
＜化學式3＞
在＜化學式3＞中，n係各自獨立地為0至8之整數，
R
1係各自獨立地選自具有1至10個碳原子之烷基、具有1至5個碳原子之烷氧基以及氫，
R
2係各自獨立地選自具有1至8個碳原子之烷基、具有3至6個碳原子之環烷基以及具有6至12個碳原子之芳基。
該核生長阻滯劑可由下列化學式4所表示：
＜化學式4＞
在＜化學式4＞中，n係各自獨立地為1至8之整數，
m係各自獨立地為1至5之整數，
R
1以及R
2係各自獨立地選自具有1至8個碳原子之烷基、具有3至6個碳原子之環烷基以及具有6至12個碳原子之芳基。
該核生長阻滯劑可由下列化學式5所表示：
＜化學式5＞
在＜化學式5＞中，n係各自獨立地為1至5之整數，
m係各自獨立地為0至8之整數，
R
1係各自獨立地選自具有1至8個碳原子之烷基以及氫，
R
2係各自獨立地選自具有1至8個碳原子之烷基、具有3至6個碳原子之環烷基以及具有6至12個碳原子之芳基。
該核生長阻滯劑可由下列化學式6所表示：
＜化學式6＞
在＜化學式6＞中，n係各自獨立地為1至8之整數，
m係各自獨立地為1至6之整數，
R
1以及R
2係各自獨立地選自具有1至8個碳原子之烷基、具有3至6個碳原子之環烷基以及具有6至12個碳原子之芳基。
該核生長阻滯劑可由下列化學式7所表示：
＜化學式7＞
在＜化學式7＞中，n係各自獨立地為0至5之整數，
m係各自獨立地為1至5之整數，
R係各自獨立地選自具有1至10個碳原子之烷基、具有3至10個碳原子之環烷基以及具有6至12個碳原子之芳基。
該核生長阻滯劑可由下列化學式8所表示：
＜化學式8＞
在＜化學式8＞中，n係各自獨立地為0至8之整數，
R
1至R
3係各自獨立地選自具有1至8個碳原子之烷基，
R
4係各自獨立地選自氫、具有1至6個碳原子之烷基以及具有1至8個碳原子之烷氧基。
該非生長區可為一含金屬膜，其具有第一族至第十三族元素中之至少一者作為重要元素。
該含金屬膜可具有第四族元素中之至少一者作為重要元素，第四族元素包含Zr、Hf以及Ti。
該含金屬膜可具有第五族元素中之至少一者作為重要元素，第五族元素包含Nb以及Ta。
該含金屬膜可具有第六族元素中之至少一者作為重要元素，第六族元素包含W。
該含金屬膜可具有第十一族元素中之至少一者作為重要元素，第十一族元素包含Cu。
該含金屬膜可具有第十三族元素中之至少一者作為重要元素，第十三族元素包含Al。
該含金屬膜可為一金屬本身。
該含金屬膜可為一金屬氧化物。
該含金屬膜可為一金屬氮化物。
該生長區可具有第十四族元素中之至少一者作為重要元素，第十四族元素包含Si、Ge。
該生長區可為一含矽膜。
該含矽膜可為至少一選自Si、SiO、SiN、SiCN、C摻雜之SiN、以及SiON。
該生長區可為一含鍺膜。
該前驅物可為一有機化合物，其具有第十四族元素中之至少一者作為重要元素，第十四族元素包含Si以及Ge。
該前驅物可由下列化學式9所表示：
＜化學式9＞
在＜化學式9＞中，M係包含Si及Ge之第十四族元素中之一者，
R
1至R
4係各自獨立地選自氫、具有1至10個碳原子之烷基、具有6至12個碳原子之芳基、具有1至10個碳原子之烷基胺基、具有1至10個碳原子之二烷基胺基、具有6至12個碳原子之芳基胺基、具有7至13個碳原子之芳烷基胺基、具有3至10個碳原子之環胺基、具有3至10個碳原子之雜環胺基、具有6至12個碳原子之雜芳基胺基、具有2至10個碳原子之烷基矽基胺基、疊氮基以及鹵素。
該前驅物可由下列化學式10所表示：
＜化學式10＞
在＜化學式10＞中，M係包含Si及Ge之第十四族元素中之一者，
R
1至R
6係各自獨立地選自氫、具有1至10個碳原子之烷基、具有6至12個碳原子之芳基、具有1至10個碳原子之烷基胺基、具有1至10個碳原子之二烷基胺基、具有6至12個碳原子之芳基胺基、具有7至13個碳原子之芳烷基胺基、具有3至10個碳原子之環胺基、具有3至10個碳原子之雜環胺基、具有6至12個碳原子之雜芳基胺基、具有2至10個碳原子之烷基矽基胺基、疊氮基以及鹵素。
該前驅物可由下列化學式11所表示：
＜化學式11＞
在＜化學式11＞中，M係包含Si及Ge之第十四族元素中之一者，
R
1至R
5係各自獨立地選自氫、具有1至10個碳原子之烷基，
R
6至R
9係各自獨立地選自氫、具有1至10個碳原子之烷基、具有6至12個碳原子之芳基、具有1至10個碳原子之烷基胺基、具有1至10個碳原子之二烷基胺基、具有6至12個碳原子之芳基胺基、具有7至13個碳原子之芳烷基胺基、具有3至10個碳原子之環胺基、具有3至10個碳原子之雜環胺基、具有6至12個碳原子之雜芳基胺基、具有2至10個碳原子之烷基矽基胺基、疊氮基以及鹵素。
該前驅物可由下列化學式12所表示：
＜化學式12＞
在＜化學式12＞中，M係包含Si及Ge之第十四族元素中之一者，
R
1至R
10係各自獨立地選自氫、具有1至10個碳原子之烷基，
R
11至R
14係各自獨立地選自氫、具有1至10個碳原子之烷基、具有6至12個碳原子之芳基、具有1至10個碳原子之烷基胺基、具有1至10個碳原子之二烷基胺基、具有6至12個碳原子之芳基胺基、具有7至13個碳原子之芳烷基胺基、具有3至10個碳原子之環胺基、具有3至10個碳原子之雜環胺基、具有6至12個碳原子之雜芳基胺基、具有2至10個碳原子之烷基矽基胺基、疊氮基以及鹵素。
該前驅物可由下列化學式13所表示：
＜化學式13＞
在＜化學式13＞中，M係包含Si及Ge之第十四族元素中之一者，
R
1至R
6係各自獨立地選自氫、具有1至10個碳原子之烷基、具有6至12個碳原子之芳基、具有1至10個碳原子之烷基胺基、具有1至10個碳原子之二烷基胺基、具有6至12個碳原子之芳基胺基、具有7至13個碳原子之芳烷基胺基、具有3至10個碳原子之環胺基、具有3至10個碳原子之雜環胺基、具有6至12個碳原子之雜芳基胺基、具有2至10個碳原子之烷基矽基胺基、疊氮基以及鹵素。
該反應材料可為至少一選自O
3、O
2、H
2O、H
2O
2、N
2O以及NH
3。
該薄膜可藉由有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)或原子層沉積(ALD)而形成。
詳細說明
以下，將使用圖1至圖6描述本發明之實施例。本發明之實施例可包含各種修飾，並且本發明之範圍不應被解讀為受限於以下描述之實施例。這些實施例係提供來向本發明所屬技術領域具通常知識者更加詳細解釋本發明。據此，在圖式中顯示的各元件之形狀可能被誇飾以強調較清楚之描述。
在整份說明書中，當一部件「包含」一特定組件時，除非另有指明，其表示其他組件可能被進一步包含，而非排除其他組件。
如整份說明書中所使用，術語「大約」、「實質上」及類似術語，係在當所指明之意義中隱含之製造與材料公差存在時以位於或接近於該數值的意義來使用，並且意欲防止本揭示內容，包含其中用於理解本發明之精準或絕對之數字，被不道德之侵權者不公平地使用。
在整份說明書中，術語「烷基」或「烷基基團」意指1至12個碳原子、1至10個碳原子、1至8個碳原子、1至5個碳原子、1至3個碳原子、具有從3至8個碳原子、或從3至5個碳原子之直鏈或分支的烷基。例如，烷基包含甲基、乙基、正丙基(nPr)、異丙基(iPr)、正丁基(nBu)、叔丁基(tBu)、異丁基(iBu)、仲丁基(sBu)、正戊基、叔戊基、異戊基、仲戊基、新戊基、3-戊基、己基、異己基、庚基、4,4-二甲基戊基、辛基、2,2,4-三甲基戊基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、以及其等之異構體，但可不限於此。
在整份說明書中，術語「膜」可包含，但不限於「薄膜」。
當該薄膜藉由原子層沉積方法來沉積時，在起始周期中反應物並未沉積在基材或下層上，並且沉積可能需要數個周期。此一期間係稱為孕育時間(incubation time)，且孕育時間可能取決於諸如反應物特性與基材或下層之特性之各種條件而變化。本發明尋求克服先前技術之限制並且利用孕育時間以及ALD沉積製程之差異而提供用於選擇性沉積薄膜之改良方法。
圖1係一示意地呈現依據本發明之一實施例之一種形成薄膜之方法的流程圖，而圖2係示意地呈現依據圖1之供應周期的圖。
一基材被裝入一加工腔體，並且調整下述的ALD製程條件。ALD製程條件可包含該基材或加工腔體之溫度、該加工腔體中之壓力、氣體流率。
該基材係暴露於被供應至該腔體之內部的該核生長阻滯劑，並且該核生長阻滯劑被吸附於該基材之表面。該基材具有一非生長區以及一生長區，該核生長阻滯劑被吸附於該非生長區以及該生長區以防止在後續製程中該金屬前驅物之吸附。
該非生長區可為一含金屬膜，其具有第一族至第十三族元素中之至少一者作為重要元素。具體地，該含金屬膜可具有第四族元素中之至少一者作為重要元素，第四族元素包含Zr、Hf以及Ti。該含金屬膜可具有第五族元素中之至少一者作為重要元素，第五族元素包含Nb以及Ta。該含金屬膜可具有第六族元素中之至少一者作為重要元素，第六族元素包含W。該含金屬膜可具有第十一族元素中之至少一者作為重要元素，第十一族元素包含Cu。該含金屬膜可具有第十三族元素中之至少一者作為重要元素，第十三族元素包含Al。該含金屬膜可為一金屬本身、一金屬氧化物、或一金屬氮化物。
該生長區可具有第十四族元素中之至少一者作為重要元素，第十四族元素包含Si、Ge。具體地，該生長區可為一含矽膜。該含矽膜可為至少一選自Si、SiO、SiN、SiCN、C摻雜之SiN、以及SiON。並且，該生長區可為一含鍺膜。
該核生長阻滯劑可由下列化學式1所表示：
＜化學式1＞
在＜化學式1＞中，n係1或2，R係選自氫、具有1至5個碳原子之烷基、具有3至6個碳原子之環烷基以及具有6至12個碳原子之芳基。
該核生長阻滯劑可由下列化學式2所表示：
＜化學式2＞
在＜化學式2＞中，n係各自獨立地為1至5之整數。
該核生長阻滯劑可由下列化學式3所表示：
＜化學式3＞
在＜化學式3＞中，n係各自獨立地為0至8之整數，
R
1係各自獨立地選自具有1至10個碳原子之烷基、具有1至5個碳原子之烷氧基以及氫，
R
2係各自獨立地選自具有1至8個碳原子之烷基、具有3至6個碳原子之環烷基以及具有6至12個碳原子之芳基。
該核生長阻滯劑可由下列化學式4所表示：
＜化學式4＞
在＜化學式4＞中，n係各自獨立地為1至8之整數，
m係各自獨立地為1至5之整數，
R
1以及R
2係各自獨立地選自具有1至8個碳原子之烷基、具有3至6個碳原子之環烷基以及具有6至12個碳原子之芳基。
該核生長阻滯劑可由下列化學式5所表示：
＜化學式5＞
在＜化學式5＞中，n係各自獨立地為1至5之整數，
m係各自獨立地為0至8之整數，
R
1係各自獨立地選自具有1至8個碳原子之烷基以及氫，
R
2係各自獨立地選自具有1至8個碳原子之烷基、具有3至6個碳原子之環烷基以及具有6至12個碳原子之芳基。
該核生長阻滯劑可由下列化學式6所表示：
＜化學式6＞
在＜化學式6＞中，n係各自獨立地為1至8之整數，
m係各自獨立地為1至6之整數，
R
1以及R
2係各自獨立地選自具有1至8個碳原子之烷基、具有3至6個碳原子之環烷基以及具有6至12個碳原子之芳基。
該核生長阻滯劑可由下列化學式7所表示：
＜化學式7＞
在＜化學式7＞中，n係各自獨立地為0至5之整數，
m係各自獨立地為1至5之整數，
R係各自獨立地選自具有1至10個碳原子之烷基、具有3至10個碳原子之環烷基以及具有6至12個碳原子之芳基。
該核生長阻滯劑可由下列化學式8所表示：
＜化學式8＞
在＜化學式8＞中，n係各自獨立地為0至8之整數，
R
1至R
3係各自獨立地選自具有1至8個碳原子之烷基，
R
4係各自獨立地選自氫、具有1至6個碳原子之烷基以及具有1至8個碳原子之烷氧基。
隨後，將一清洗氣體(舉例而言，如Ar之惰性氣體)供應至該腔體之內部，以排出未被吸附之該核生長阻滯劑或副產物。
隨後，該基材係暴露於被供應至該腔體之內部的一前驅物，並且該前驅物被吸附於該基材之表面。該前驅物可為一有機化合物，其具有第十四族元素中之至少一者作為重要元素，第十四族元素包含Si以及Ge。
該前驅物可由下列化學式9所表示：
＜化學式9＞
在＜化學式9＞中，M係包含Si及Ge之第十四族元素中之一者，
R
1至R
4係各自獨立地選自氫、具有1至10個碳原子之烷基、具有6至12個碳原子之芳基、具有1至10個碳原子之烷基胺基、具有1至10個碳原子之二烷基胺基、具有6至12個碳原子之芳基胺基、具有7至13個碳原子之芳烷基胺基、具有3至10個碳原子之環胺基、具有3至10個碳原子之雜環胺基、具有6至12個碳原子之雜芳基胺基、具有2至10個碳原子之烷基矽基胺基、疊氮基以及鹵素。
該前驅物可由下列化學式10所表示：
＜化學式10＞
在＜化學式10＞中，M係包含Si及Ge之第十四族元素中之一者，
R
1至R
6係各自獨立地選自氫、具有1至10個碳原子之烷基、具有6至12個碳原子之芳基、具有1至10個碳原子之烷基胺基、具有1至10個碳原子之二烷基胺基、具有6至12個碳原子之芳基胺基、具有7至13個碳原子之芳烷基胺基、具有3至10個碳原子之環胺基、具有3至10個碳原子之雜環胺基、具有6至12個碳原子之雜芳基胺基、具有2至10個碳原子之烷基矽基胺基、疊氮基以及鹵素。
該前驅物可由下列化學式11所表示：
＜化學式11＞
在＜化學式11＞中，M係包含Si及Ge之第十四族元素中之一者，
R
1至R
5係各自獨立地選自氫、具有1至10個碳原子之烷基，
R
6至R
9係各自獨立地選自氫、具有1至10個碳原子之烷基、具有6至12個碳原子之芳基、具有1至10個碳原子之烷基胺基、具有1至10個碳原子之二烷基胺基、具有6至12個碳原子之芳基胺基、具有7至13個碳原子之芳烷基胺基、具有3至10個碳原子之環胺基、具有3至10個碳原子之雜環胺基、具有6至12個碳原子之雜芳基胺基、具有2至10個碳原子之烷基矽基胺基、疊氮基以及鹵素。
該前驅物可由下列化學式12所表示：
＜化學式12＞
在＜化學式12＞中，M係包含Si及Ge之第十四族元素中之一者，
R
1至R
10係各自獨立地選自氫、具有1至10個碳原子之烷基，
R
11至R
14係各自獨立地選自氫、具有1至10個碳原子之烷基、具有6至12個碳原子之芳基、具有1至10個碳原子之烷基胺基、具有1至10個碳原子之二烷基胺基、具有6至12個碳原子之芳基胺基、具有7至13個碳原子之芳烷基胺基、具有3至10個碳原子之環胺基、具有3至10個碳原子之雜環胺基、具有6至12個碳原子之雜芳基胺基、具有2至10個碳原子之烷基矽基胺基、疊氮基以及鹵素。
該前驅物可由下列化學式13所表示：
＜化學式13＞
在＜化學式13＞中，M係包含Si及Ge之第十四族元素中之一者，
R
1至R
6係各自獨立地選自氫、具有1至10個碳原子之烷基、具有6至12個碳原子之芳基、具有1至10個碳原子之烷基胺基、具有1至10個碳原子之二烷基胺基、具有6至12個碳原子之芳基胺基、具有7至13個碳原子之芳烷基胺基、具有3至10個碳原子之環胺基、具有3至10個碳原子之雜環胺基、具有6至12個碳原子之雜芳基胺基、具有2至10個碳原子之烷基矽基胺基、疊氮基以及鹵素。
隨後，將一清洗氣體(舉例而言，如Ar之惰性氣體)供應至該腔體之內部以排出未被吸附之該前驅物或副產物。
隨後，該基材係暴露於被供應至該腔體之內部的一反應物，並且一薄膜形成於該基材之表面。該反應物與該金屬前驅物反應以形成該薄膜，並且該反應物可選自O
3、O
2、H
2O、H
2O
2、N
2O、NH
3。該反應物係用於形成氧化物以及氮化物，並且可以被所例示者以外之材料替換。
隨後，將一清洗氣體(舉例而言，如Ar之惰性氣體)供應至該腔體之內部以排出未反應之材料或副產物。
實施例
一氧化矽膜係使用前述之核生長阻滯劑而分別地形成於Si/SiN/SiO/TiN/HfO/NbO下層上，並且所述下層係一基材本身或藉由一ALD製程所形成。該氧化矽膜係藉由ALD製程形成，該製程溫度為320°C，並且該反應物為臭氧氣體(O
3)。
藉由ALD製程形成該氧化矽膜之製程係如下所示，並且下述之製程係作為一周期來執行(參見圖1以及圖2)。
1) 將一核生長阻滯劑供應至該反應腔體以被吸附至該基材上。
2) 將Ar氣供應至該反應腔體內以排出未被吸附之核生長阻滯劑或副產物。
3) Ar被使用為載體氣體，將該矽前驅物(二異丙基胺基矽烷(DIPAS))供應至該反應腔體，並且該矽前驅物被吸附至該基材上。
4) 將Ar氣供應至該反應腔體內以排出未被吸附之矽前驅物或副產物。
5) 藉由供應臭氧氣體(O
3)至該反應腔體來形成氧化矽膜。
6) 將Ar氣供應至該反應腔體內以排出未反應之物質或副產物。
比較例
一氧化矽膜係沒有使用前述之核生長阻滯劑而分別地形成於Si/SiN/SiO/TiN/HfO/NbO下層上，並且所述下層係一基材本身或藉由一ALD製程所形成。該氧化矽膜係藉由ALD製程形成，該製程溫度為320°C，並且該反應物為臭氧氣體(O
3)。
藉由ALD製程形成該氧化矽膜之製程係如下所示，並且下述之製程係作為一周期來執行。
1) Ar被使用為載體氣體，將該矽前驅物(二異丙基胺基矽烷(DIPAS))供應至該反應腔體，並且該矽前驅物被吸附至該基材上。
2) 將Ar氣供應至該反應腔體內以排出未被吸附之矽前驅物或副產物。
3) 藉由供應臭氧氣體(O
3)至該反應腔體來形成氧化矽膜。
4) 將Ar氣供應至該反應腔體內以排出未反應之物質或副產物。
圖3及圖4顯示根據本發明之比較例的每周期之該氧化矽膜之厚度，圖5及圖6顯示根據本發明之實施例的每周期之該氧化矽膜之厚度。
在比較例之情況中，用作該含矽前驅物之DIPAS不具有孕育時間，沒有取決於在下之膜(或基材)之選擇性。然而在實施例之情況中，該孕育時間取決於在下之膜(或基材)而出現差異，且可以看出的是在一特定周期內選擇性可被確保。
這些結果可以被解讀為因為孕育時間的差異而發生，且孕育時間的差異可被解讀為藉由改變在下之層(或基材)上的該核生長阻滯劑之吸附強度(程度)而發生。亦即，在一具有強吸附強度(程度)之下層(或基材)的情況下，阻礙該前驅物之吸附的效果係大的，該前驅物係難以被吸附並且成核。又，成核密度低。然而，在一具有弱吸附強度(程度)之下層(或基材)的情況下，阻礙該前驅物之吸附的效果係小的，該前驅物容易被吸附並且成核。又，成核密度大。並且，由於其他複雜成因而可以獲得所欲之選擇性。
依據本發明之一實施例，在該核生長阻滯劑被吸附至該非生長區的一狀態中，該前驅物被避免吸附於該非生長區，藉此避免在該非生長區中形成薄膜。
本發明已參照實施例詳細解釋，但仍可能包含其他實施例。據此，下面請求項中所描述之技術思想及範圍並不受限於此等實施例。
(無)
圖1為一流程圖，示意地呈現依據本發明之一實施例之一種形成薄膜之方法。
圖2為示意地呈現依據圖1之供應周期的圖。
圖3以及圖4顯示根據本發明之比較例之每周期的氧化矽膜之厚度。
圖5以及圖6顯示根據本發明之一實施例之每周期的氧化矽膜之厚度。
Claims (20)
- 一種形成一區域選擇性薄膜的方法，其包含：將一核生長阻滯劑供應至其中放置有基材的腔體之內，使得該核生長阻滯劑被吸附於該基材之一非生長區及一生長區；清洗該腔體之內部；將一前驅物供應至該腔體之內；清洗該腔體之內部；以及將一反應材料供應至該腔體之內，使得該反應材料與該被吸附之前驅物反應以形成該薄膜，其中該非生長區係一含金屬膜，其具有第一族至第十三族元素中之至少一者作為重要元素以及該生長區具有第十四族元素中之至少一者作為重要元素，第十四族元素包含Si、Ge，其中該核生長阻滯劑係由下列化學式4、下列化學式6及下列化學式8中之一者所表示：
- 如請求項1的方法，其中該含金屬膜具有第四族元素中之至少一者作為重要元素，第四族元素包含Zr、Hf以及Ti。
- 如請求項1的方法，其中該含金屬膜具有第五族元素中之至少一者作為重要元素，第五族元素包含Nb以及Ta。
- 如請求項1的方法，其中該含金屬膜具有第六族元素中之至少一者作為重要元素，第六族元素包含W。
- 如請求項1的方法，其中該含金屬膜具有第十一族元素中之至少一者作為重要元素，第十一族元素包含Cu。
- 如請求項1的方法，其中該含金屬膜具有第十三族元素中之至少一者作為重要元素，第十三族元素包含Al。
- 如請求項1的方法，其中該含金屬膜係一金屬本身。
- 如請求項1的方法，其中該含金屬膜係一金屬氧化物。
- 如請求項1的方法，其中該含金屬膜係一金屬氮化物。
- 如請求項1的方法，其中該生長區係一含矽膜。
- 如請求項10的方法，其中該含矽膜係至少一選自Si、SiO、SiN、SiCN、C摻雜之SiN、以及SiON。
- 如請求項1的方法，其中該生長區係一含鍺膜。
- 如請求項1的方法，其中該前驅物係一有機化合物，其具有第十四族元素中之至少一者作為重要元素，第十四族元素包含Si以及Ge。
- 如請求項13的方法，其中該前驅物係由下列化學式9所表示：
- 如請求項13的方法，其中該前驅物係由下列化學式10所表示：<化學式10>
- 如請求項13的方法，其中該前驅物係由下列化學式11所表示：
- 如請求項13的方法，其中該前驅物係由下列化學式12所表示：
- 如請求項13的方法，其中該前驅物係由下列化學式13所表示：
- 如請求項1的方法，其中該反應材料係至少一選自O3、O2、H2O、H2O2、N2O以及NH3。
- 如請求項1的方法，其中該薄膜係藉由有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)或原子層沉積(ALD)而形成。
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