KR102406174B1 - 선택성 부여제를 이용한 영역 선택적 박막 형성 방법 - Google Patents

선택성 부여제를 이용한 영역 선택적 박막 형성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102406174B1
KR102406174B1 KR1020200114669A KR20200114669A KR102406174B1 KR 102406174 B1 KR102406174 B1 KR 102406174B1 KR 1020200114669 A KR1020200114669 A KR 1020200114669A KR 20200114669 A KR20200114669 A KR 20200114669A KR 102406174 B1 KR102406174 B1 KR 102406174B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thin film
chamber
selectivity
substrate
imparting agent
Prior art date
Application number
KR1020200114669A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20220032850A (ko
Inventor
김재민
김하나
최웅진
Original Assignee
주식회사 이지티엠
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 이지티엠 filed Critical 주식회사 이지티엠
Priority to KR1020200114669A priority Critical patent/KR102406174B1/ko
Priority to US18/044,562 priority patent/US20230366080A1/en
Priority to JP2023515391A priority patent/JP2023545619A/ja
Priority to PCT/KR2021/008734 priority patent/WO2022055103A1/ko
Priority to CN202180061551.7A priority patent/CN116113724A/zh
Priority to TW110133264A priority patent/TWI798816B/zh
Publication of KR20220032850A publication Critical patent/KR20220032850A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102406174B1 publication Critical patent/KR102406174B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02312—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/405—Oxides of refractory metals or yttrium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C23C16/45534—Use of auxiliary reactants other than used for contributing to the composition of the main film, e.g. catalysts, activators or scavengers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02178—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing aluminium, e.g. Al2O3
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02181—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing hafnium, e.g. HfO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02183—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing tantalum, e.g. Ta2O5
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02189—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing zirconium, e.g. ZrO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02192—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing at least one rare earth metal element, e.g. oxides of lanthanides, scandium or yttrium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/32—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers using masks
    • H01L27/10805—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/40—Capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
    • H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

본 발명의 일 실시예에 의하면, 영역 선택적 박막 형성 방법은, 선택성 부여제를 기판이 놓여진 챔버의 내부에 공급하여, 상기 기판의 비성장영역에 흡착시키는 선택성 부여제 공급 단계; 상기 챔버의 내부를 퍼지하는 단계; 상기 챔버의 내부에 금속 전구체를 공급하여, 상기 기판의 성장영역에 흡착시키는 금속 전구체 공급 단계; 상기 챔버의 내부를 퍼지하는 단계; 그리고 상기 챔버의 내부에 반응 물질을 공급하여 흡착된 상기 금속 전구체와 반응하고 박막을 형성하는 박막 형성 단계를 포함한다.

Description

선택성 부여제를 이용한 영역 선택적 박막 형성 방법{SELECTIVITY MATERIAL AND METHOD OF SELECTIVE FORMATION OF THIN FILM USING SELECTIVITY MATERIAL}
본 발명은 박막 형성 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 선택성 부여제를 이용한 영역 선택적인 박막의 형성 방법에 관한 것이다.
DRAM 소자는 혁신적인 기술 개발로 계속 미세화되어 10nm 시대에 도달하였다. 이에 따라, 성능 및 신뢰성을 개선하기 위하여 커패시터의 크기가 작아지더라도 높은 정전용량과 낮은 누설전류 특성은 충분하게 유지되어야 하고, 항복 전압(breakdown voltage)도 높아야 한다.
종래의 high-k 물질의 정전용량을 높이기 위해 다양한 연구가 진행되고 있으며, 그 중 유전막의 결정화를 돕기 위해 seed layer를 이용하는 방법이 있다.
이를 통해 상대적으로 낮은 온도에서도 높은 유전상수를 갖는 결정 구조를 형성할 수 있지만, 유전막이 증착되지 않아야 하는 곳에도 seed layer가 증착되어 누설전류가 발생하는 문제가 있다.
한국공개특허공보 2007-0015958호(2007.02.06.)
본 발명의 목적은 높은 정전용량을 가진 박막을 형성하는 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 누설전류를 최소화할 수 있는 박막 형성 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 영역에 따른 선택이 가능한 박막 형성 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적들은 다음의 상세한 설명으로부터 보다 명확해질 것이다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 영역 선택적 박막 형성 방법은, 선택성 부여제를 기판이 놓여진 챔버의 내부에 공급하여, 상기 기판의 비성장영역에 흡착시키는 선택성 부여제 공급 단계; 상기 챔버의 내부를 퍼지하는 단계; 상기 챔버의 내부에 전구체를 공급하여, 상기 기판의 성장영역에 흡착시키는 전구체 공급 단계; 상기 챔버의 내부를 퍼지하는 단계; 그리고 상기 챔버의 내부에 반응 물질을 공급하여 흡착된 상기 전구체와 반응하고 박막을 형성하는 박막 형성 단계를 포함한다.
상기 성장영역은 티타늄 질화막 또는 나이오븀 질화막일 수 있다.
상기 비성장영역은 실리콘 질화막일 수 있다.
상기 실리콘 질화막은 SiN, SiCN, C-doped SiN, SiON 중 선택된 하나 이상일 수 있다.
상기 선택성 부여제는 하기 <화학식 1>로 표시될 수 있다.
<화학식 1>
Figure 112020095102227-pat00001
상기 <화학식 1>에서, n은 각각 독립적으로 0 내지 8의 정수이며, R1 내지 R3는 독립적으로 탄소 개수가 1 내지 8인 알킬기 이며, R4는 수소, 탄소 개수가 1 내지 8인 알킬기, 탄소 개수가 1 내지 8인 알콕시기 중에서 선택된다.
상기 반응 물질은 O3, O2, H2O 중 어느 하나일 수 있다.
상기 전구체는 Al을 포함하는 3가 금속, Zr 및 Hf을 포함하는 4가 금속, Nb 및 Ta을 포함하는 5가 금속 중 하나 이상을 포함하는 화합물일 수 있다.
상기 박막은 화학기상 증착법(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD) 또는 원자층 증착법(Atomic layer Deposition, ALD)에 의해 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 선택성 부여제가 비성장영역에 흡착된 상태에서 후속적으로 공급되는 전구체가 비성장영역에 흡착되는 것을 방지하며, 이를 통해 비성장영역에 박막이 형성되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 이를 통해 누설전류를 최소화할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 형성 방법을 개략적으로 나타내는 흐름도이다.
도 2는 도 1에 따른 공급 주기를 개략적으로 나타내는 그래프이다.
도 3은 도 1에 따른 박막 형성 과정을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예 및 비교예 1에 따른 XPS(X-ray photoelectron spectroscopy) 분석에 의한 Nb 함량을 나타내는 그래프이다.
도 5는 비교예1을 기준으로, 본 발명의 일 실시예에 대한 두께 감소율을 나타내는 표이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예들을 첨부된 도 1 내지 도 5를 참고하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예들은 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 설명하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예들은 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 상세하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에 나타난 각 요소의 형상은 보다 분명한 설명을 강조하기 위하여 과장될 수 있다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "약", "실질적으로" 등은 언급된 의미에 고유한 제조 및 물질 허용 오차가 제시될 때 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로 사용되고, 본원의 이해를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다.
본원 명세서 전체에서, 용어 "알킬"또는 "알킬기"는, 1 내지 12 개의 탄소 원자, 1 내지 10 개의 탄소 원자, 1 내지 8 개의 탄소 원자, 1 내지 5 개의 탄소 원자, 1 내지 3 개의 탄소 원자, 3 내지 8 개의 탄소 원자, 또는 3 내지 5 개의 탄소 원자를 갖는 선형 또는 분지형 알킬기를 포함한다. 예를 들어, 상기 알킬기로는 메틸기, 에틸기, n-프로필기(nPr), iso-프로필기(iPr), n-부틸기(nBu), tert-부틸기(tBu), iso-부틸기(iBu), sec-부틸기(sBu), n-펜틸기, tert-펜틸기, iso-펜틸기, sec-펜틸기, 네오펜틸기, 3-펜틸기, 헥실기, 이소헥실기, 헵틸기, 4,4-디메틸펜틸기, 옥틸기, 2,2,4-트리메틸펜틸기, 노닐기, 데실기, 운데실기, 도데실기, 및 이들의 이성질체 등을 들 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원 명세서 전체에서, 용어 "막"은 "막" 또는 "박막"을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
종래의 공정은 비성장영역, 예를 들어 실리콘 질화막과 같은 비금속 박막에 유전막이 증착되어 누설전류가 발생하는 문제가 있다. 그러나, 이하에서 설명하는 선택성 부여제는 금속 박막 보다 비금속 박막(예를 들어 실리콘 질화막)에 더 높은 밀도로 흡착되며, 선택성 부여제는 이후에 투입되는 금속 전구체의 흡착을 막아 금속 박막에만 seed layer를 형성할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 형성 방법을 개략적으로 나타내는 흐름도이며, 도 2는 도 1에 따른 공급 주기를 개략적으로 나타내는 그래프이다. 도 3은 도 1에 따른 박막 형성 과정을 개략적으로 나타내는 도면이다.
기판은 공정챔버의 내부로 로드되며, 이하의 ALD 공정 조건은 조정된다. ALD 공정 조건은 기판 또는 공정챔버의 온도, 챔버 압력, 가스 유동률을 포함할 수 있으며, 온도는 10 내지 900℃이다.
기판은 챔버의 내부에 공급된 선택성 부여제에 노출되며, 선택성 부여제는 기판의 비성장영역 표면에 흡착된다. 비성장영역은 실리콘 질화막일 수 있으며, SiN, SiCN, C-doped SiN, SiON 중 선택된 하나 이상일 수 있다. 선택성 부여제는 비성장영역의 표면에 높은 밀도로 흡착되며, 후속 공정에서 금속 전구체가 흡착되는 것을 방해한다.
선택성 부여제는 하기 <화학식 1>로 표시될 수 있다.
<화학식 1>
Figure 112020095102227-pat00002
상기 <화학식 1>에서, n은 각각 독립적으로 0 내지 8의 정수이며, R1 내지 R3는 독립적으로 탄소 개수가 1 내지 8인 알킬기 이며, R4는 수소, 탄소 개수가 1 내지 8인 알킬기, 탄소 개수가 1 내지 8인 알콕시기 중에서 선택된다.
이후, 챔버의 내부에 퍼지가스(예를 들어, Ar과 같은 비활성가스)를 공급하여, 미흡착 선택성 부여제 또는 부산물을 제거하거나 정화한다.
이후, 기판은 챔버의 내부에 공급된 금속 전구체에 노출되며, 금속 전구체는 성장영역의 표면에 흡착되고 비성장영역의 표면에는 선택성 부여제로 인해 흡착되지 않는다. 금속 전구체는 Al과 같은 3족을 포함하거나 Zr, Hf과 같은 4족을 포함하거나, Nb, Ta과 같은 5족을 포함할 수 있다.
이후, 챔버의 내부에 퍼지가스(예를 들어, Ar과 같은 비활성가스)를 공급하여, 미흡착 금속 전구체 또는 부산물을 제거하거나 정화한다.
이후, 기판은 챔버의 내부에 공급된 반응 물질에 노출되며, 기판의 표면에 박막이 형성된다. 반응 물질은 금속 전구체층과 반응하여 박막을 형성하며, 반응 물질은 O3, O2, H2O 가스 일 수 있고 반응 물질을 통해 금속 산화막이 형성될 수 있다. 이때, 반응 물질은 흡착된 표면 보호 물질을 산화시키며, 기판의 표면으로부터 분리하여 제거한다.
이후, 챔버의 내부에 퍼지가스(예를 들어, Ar과 같은 비활성가스)를 공급하여, 미반응 물질 또는 부산물을 제거하거나 정화한다.
한편, 앞서 선택성 부여제가 금속 전구체 보다 먼저 공급되는 것으로 설명하였으나, 이와 달리, 선택성 부여제는 금속 전구체 이후에 공급되거나 금속 전구체가 이전 및 이후에 모두 공급될 수 있다.
- 실시예 1
선택성 부여제로 Trimethyl orthoformate를 사용하여 금속 박막(TiN) 기판, 비금속 박막(SiN) 기판 상에 각각 나이오븀 산화막을 형성하였다. ALD 공정을 통해 나이오븀 산화막을 형성하였으며, ALD 공정 온도는 290℃, 반응 물질은 O3 가스를 사용하였다.
ALD 공정을 통한 나이오븀 산화막 형성 과정은 아래와 같으며, 아래 과정을 1사이클로 하여 진행하였다(도 1 내지 3 참고).
1) 반응 챔버 내에 선택성 부여제를 공급하여 기판에 흡착
2) 반응 챔버 내에 Ar 가스를 공급하여 미흡착 선택성 부여제 또는 부산물을 제거
3) Ar을 캐리어 가스로 하여, 나이오븀 전구체 TBTDEN(Tert-butylimido tris(diethylamido) niobium)를 반응 챔버에 공급하고 기판에 나이오븀 전구체를 흡착
4) 반응 챔버 내에 Ar 가스를 공급하여 미흡착 나이오븀 전구체 또는 부산물을 제거
5) O3 가스를 반응 챔버에 공급하여 나이오븀 산화막을 형성
6) 반응 챔버 내에 Ar 가스를 공급하여 미반응물질 또는 부산물을 제거
- 비교예 1
앞서 설명한 선택성 부여제를 사용하지 않고 금속 박막(TiN) 기판, 비금속 박막(SiN) 기판 상에 각각 나이오븀 산화막을 형성하였다. ALD 공정을 통해 나이오븀 산화막을 형성하였으며, ALD 공정 온도는 290℃, 반응 물질은 O3 가스를 사용하였다.
ALD 공정을 통한 나이오븀 산화막 형성 과정은 아래와 같으며, 아래 과정을 1사이클로 하여 진행하였다.
1) Ar을 캐리어 가스로 하여, 나이오븀 전구체 TBTDEN(Tert-butylimido tris(diethylamido) niobium)를 반응 챔버에 공급하고 기판에 나이오븀 전구체를 흡착
2) 반응 챔버 내에 Ar 가스를 공급하여 미흡착 나이오븀 전구체 또는 부산물을 제거
3) O3 가스를 반응 챔버에 공급하여 나이오븀 산화막을 형성
4) 반응 챔버 내에 Ar 가스를 공급하여 미반응물질 또는 부산물을 제거
도 4는 본 발명의 일 실시예 및 비교예 1에 따른 XPS(X-ray photoelectron spectroscopy) 분석에 의한 Nb 함량을 나타내는 그래프이다(30 cycle 기준). 비교예 1에서, Nb 함량은 SiN 기판 : TiN 기판 = 1 : 1.2인 반면, 실시예 1에서, Nb 함량은 SiN : TiN = 1 : 3.2 로 선택성이 증가했다. 이와 같은 결과는 선택성 부여제가 SiN 기판에 흡착하여 나이오븀 전구체 증착을 억제한 것으로 해석할 수 있다.
삭제
삭제
삭제
도 5는 비교예1을 기준으로, 본 발명의 일 실시예에 대한 두께 감소율을 나타내는 표이다. 도 5에 도시한 바와 같이, 실시예 1의 나이오븀 산화막은 TiN 기판에서 두께가 42% 감소한 반면 SiN 기판에서 두께가 82% 감소하였으며, 선택성이 증가한 것을 확인할 수 있다. 실시예 1에서 선택성 부여제가 선택성을 가지는 이유는 SiN 기판과 구조적으로 적합하여 흡착력이 강화되고, 이로 인해 SiN 기판에서 금속 박막의 핵 성장을 지연시키는 것으로 해석되며 기타 복합적인 원인에 의한 결과로 원하는 선택성을 얻을 수 있다.
결론적으로, 선택성 부여제는 비금속 박막에 대한 선택적인 흡착을 통해 높은 두께 감소 효과를 보이며, 이를 통해 원하는 기판의 영역에 유전막이 증착되도록 선택성을 부여할 수 있을 뿐만 아니라, 불필요한 영역에 박막이 형성되는 것을 방지하여 누설전류를 최소화할 수 있다.
이상에서 본 발명을 실시예를 통하여 상세하게 설명하였으나, 이와 다른 형태의 실시예들도 가능하다. 그러므로, 이하에 기재된 청구항들의 기술적 사상과 범위는 실시예들에 한정되지 않는다.

Claims (8)

  1. 선택성 부여제를 기판이 놓여진 챔버의 내부에 공급하여, 상기 기판의 비성장영역에 흡착시키는 선택성 부여제 공급 단계;
    상기 챔버의 내부를 퍼지하는 단계;
    상기 챔버의 내부에 전구체를 공급하여, 상기 기판의 성장영역에 흡착시키는 전구체 공급 단계;
    상기 챔버의 내부를 퍼지하는 단계; 및
    상기 챔버의 내부에 반응 물질을 공급하여 흡착된 상기 전구체와 반응하고 박막을 형성하는 박막 형성 단계를 포함하되,
    상기 선택성 부여제는 하기 <화학식 1>로 표시되는, 영역 선택적 박막 형성 방법.
    <화학식 1>
    Figure 112021153324768-pat00009

    상기 <화학식 1>에서, n은 각각 독립적으로 0 내지 8의 정수이며, R1 내지 R3는 독립적으로 탄소 개수가 1 내지 8인 알킬기 이며, R4는 수소, 탄소 개수가 1 내지 8인 알킬기, 탄소 개수가 1 내지 8인 알콕시기 중에서 선택된다.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 성장영역은 티타늄 질화막 또는 나이오븀 질화막인, 영역 선택적 박막 형성 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 비성장영역은 실리콘 질화막인, 영역 선택적 박막 형성 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 실리콘 질화막은 SiN, SiCN, C-doped SiN, SiON 중 선택된 하나 이상인, 영역 선택적 박막 형성 방법.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 반응 물질은 O3, O2, H2O 중 어느 하나인, 영역 선택적 박막 형성 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 전구체는 Al을 포함하는 3가 금속, Zr 및 Hf을 포함하는 4가 금속, Nb 및 Ta을 포함하는 5가 금속 중 하나 이상을 포함하는 화합물인, 영역 선택적 박막 형성 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 박막은 화학기상 증착법(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD) 또는 원자층 증착법(Atomic layer Deposition, ALD)에 의해 형성되는, 증착 방법.
KR1020200114669A 2020-09-08 2020-09-08 선택성 부여제를 이용한 영역 선택적 박막 형성 방법 KR102406174B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200114669A KR102406174B1 (ko) 2020-09-08 2020-09-08 선택성 부여제를 이용한 영역 선택적 박막 형성 방법
US18/044,562 US20230366080A1 (en) 2020-09-08 2021-07-08 Method for forming region-selective thin film using selectivating agent
JP2023515391A JP2023545619A (ja) 2020-09-08 2021-07-08 選択性付与剤を用いた領域選択的薄膜形成方法
PCT/KR2021/008734 WO2022055103A1 (ko) 2020-09-08 2021-07-08 선택성 부여제를 이용한 영역 선택적 박막 형성 방법
CN202180061551.7A CN116113724A (zh) 2020-09-08 2021-07-08 用选择剂形成区域选择性薄膜的方法
TW110133264A TWI798816B (zh) 2020-09-08 2021-09-07 選擇性材料及使用選擇性材料之選擇性形成薄膜的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200114669A KR102406174B1 (ko) 2020-09-08 2020-09-08 선택성 부여제를 이용한 영역 선택적 박막 형성 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20220032850A KR20220032850A (ko) 2022-03-15
KR102406174B1 true KR102406174B1 (ko) 2022-06-08

Family

ID=80631914

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200114669A KR102406174B1 (ko) 2020-09-08 2020-09-08 선택성 부여제를 이용한 영역 선택적 박막 형성 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20230366080A1 (ko)
JP (1) JP2023545619A (ko)
KR (1) KR102406174B1 (ko)
CN (1) CN116113724A (ko)
TW (1) TWI798816B (ko)
WO (1) WO2022055103A1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102366555B1 (ko) * 2021-01-05 2022-02-23 주식회사 이지티엠 핵성장 지연을 이용한 영역 선택적 박막 형성 방법
CN115181961A (zh) * 2022-07-15 2022-10-14 江苏鹏举半导体设备技术有限公司 选择性原子层处理设备及方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7229405B2 (en) 2002-11-15 2007-06-12 Paracor Medical, Inc. Cardiac harness delivery device and method of use
KR20080009528A (ko) * 2006-07-24 2008-01-29 삼성전자주식회사 박막 형성 방법
WO2008042981A2 (en) * 2006-10-05 2008-04-10 Asm America, Inc. Ald of metal silicate films
US8293658B2 (en) * 2010-02-17 2012-10-23 Asm America, Inc. Reactive site deactivation against vapor deposition
US9981286B2 (en) * 2016-03-08 2018-05-29 Asm Ip Holding B.V. Selective formation of metal silicides
KR102375981B1 (ko) * 2016-07-04 2022-03-18 삼성전자주식회사 반도체 장치 제조 방법 및 반도체 장치 제조 설비
US10242866B2 (en) * 2017-03-08 2019-03-26 Lam Research Corporation Selective deposition of silicon nitride on silicon oxide using catalytic control
US9911595B1 (en) * 2017-03-17 2018-03-06 Lam Research Corporation Selective growth of silicon nitride
US10157740B1 (en) * 2017-06-15 2018-12-18 Applied Materials, Inc. Selective deposition process utilizing polymer structure deactivation process
TWI762194B (zh) * 2017-07-18 2022-04-21 美商應用材料股份有限公司 在金屬材料表面上沉積阻擋層的方法
WO2019023001A1 (en) * 2017-07-23 2019-01-31 Applied Materials, Inc. METHODS FOR SELECTIVE DEPOSITION ON SILICON-BASED DIELECTRICS
KR102138149B1 (ko) * 2019-08-29 2020-07-27 솔브레인 주식회사 박막 형성용 성장 억제제, 이를 이용한 박막 형성 방법 및 이로부터 제조된 반도체 기판

Also Published As

Publication number Publication date
US20230366080A1 (en) 2023-11-16
JP2023545619A (ja) 2023-10-31
KR20220032850A (ko) 2022-03-15
TW202225443A (zh) 2022-07-01
TWI798816B (zh) 2023-04-11
WO2022055103A1 (ko) 2022-03-17
CN116113724A (zh) 2023-05-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102095710B1 (ko) 표면 보호 물질을 이용한 박막 형성 방법
KR101502251B1 (ko) 유전체 필름의 형성 방법, 신규 전구체 및 그의 반도체 제조에서의 용도
KR102333599B1 (ko) 표면 보호 물질을 이용한 박막 형성 방법
KR102406174B1 (ko) 선택성 부여제를 이용한 영역 선택적 박막 형성 방법
CN113943321A (zh) 用于薄膜沉积的第5族金属化合物和使用该化合物形成含第5族金属的薄膜的方法
KR102366555B1 (ko) 핵성장 지연을 이용한 영역 선택적 박막 형성 방법
US20220144861A1 (en) Rare earth precursor, method of manufacturing same and method of forming thin film using same
JP2007113103A (ja) 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
JP7485403B2 (ja) 表面保護物質を用いた薄膜形成方法
KR102614175B1 (ko) 선택성 부여제를 이용한 영역 선택적 박막 형성 방법
KR102199999B1 (ko) 표면 보호 물질을 이용한 박막 형성 방법
KR102632516B1 (ko) 박막 형성용 조성물
KR102504146B1 (ko) 선택성 부여제를 이용한 영역 선택적 박막 형성 방법
KR102401570B1 (ko) 5족 금속 화합물 및 이의 제조 방법, 그리고 이를 포함하는 막 증착용 전구체 조성물, 그리고 이를 이용한 막의 증착 방법
KR20210087808A (ko) 표면 보호 물질을 이용한 물질막 형성 방법
WO2014112572A1 (ja) 半導体装置の製造方法および基板処理装置
KR100766007B1 (ko) 하프늄 금속 유기물을 이용한 하프늄 산화막 형성 방법
KR20050015441A (ko) 산화하프늄 박막 증착 방법
KR20030092600A (ko) 산화물박막의 원자층증착법
KR20050015442A (ko) 엠오씨브이디에 의한 산화하프늄 박막 증착 방법
KR20050001219A (ko) 원자층 증착법을 이용한 금속 산화막 형성 방법

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant