CN114293175A - 利用了表面保护物质的薄膜形成方法 - Google Patents
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Abstract
根据本发明的一实施例，利用了表面保护物质的薄膜形成方法，包括如下步骤：掺杂用前驱体供应步骤，向置有基板的腔体内部供应掺杂用前驱体；净化步骤，对上述腔体内部进行净化；掺杂用薄膜形成步骤，向上述腔体内部供应第一反应物质，与被吸附的上述掺杂用前驱体反应形成掺杂用薄膜；介电膜用前驱体供应步骤，向上述腔体内部供应介电膜用前驱体；净化步骤，对上述腔体内部进行净化；以及介电膜形成步骤，向上述腔体内部供应第二反应物质，与被吸附的上述介电膜用前驱体反应形成介电膜，上述方法在上述掺杂用薄膜形成步骤之前还包括：表面保护物质供应步骤，向上述腔体内部供应上述表面保护物质；以及净化步骤，对上述腔体内部进行净化。
Description
技术领域
本发明涉及薄膜形成方法，更具体来说，涉及如下的薄膜形成方法：通过形成很薄厚度的掺杂用薄膜，容易调节介电膜厚度及介电膜内组分，从而能够实现所需的组分比，由此改善了介电常数。
背景技术
随着DRAM及Flash等内存/非内存半导体器件的高度集成化、低耗电等变化，对形成优良特性的介电薄膜的需求正逐渐加深。
作为一例,氧化锆(ZrO2)和氧化铪(HfO2)被应用作电容(Capacitor)介电膜，氧化锆和氧化铪即使有很薄厚度也具有大介电常数值。氧化锆(ZrO2)和氧化铪(HfO2)根据温度及压力以多样的结晶结构存在，且根据其结构，其静电容不同。已知与其他结构相比，正方晶(Tetragonal)结构的氧化锆(ZrO2)和立方晶(Cubic)或正方晶(Tetragonal)相的氧化铪(HfO2)具有大约2倍以上的静电容，但是一般来说在常温常压下单斜晶相稳定。
因此，为了通过掺杂稳定化氧化锆及氧化铪的结晶结构来获得高介电常数，进行了许多研究。但是，掺杂会因局部组分的不均匀性导致介电性能劣化及漏电，很难予以应用。所以需要通过提高薄膜内组分均匀度及结晶度来改善静电容，需要开发改善了阶梯覆盖率的薄膜形成方法。
【在先技术文献】
【专利文献】
(专利文献0001)韩国公开专利申请公报2007-0015958号(2007.02.06.)
发明内容
【所要解决的技术课题】
本发明的目的在于，提供一种能够形成很薄厚度的掺杂用薄膜的薄膜形成方法。
本发明的另一目的在于，提供一种如下的薄膜形成方法：该方法容易调节介电膜内组分，因此能够实现所需的组分比，由此改善了介电常数。
本发明的另一目的在于，提供一种如下的薄膜形成方法：该方法提高结晶度，由此形成阶梯覆盖性良好的薄膜，能够提供优秀的半导体器件。
本发明的其他一目的将在后面的详细说明中更加明确。
【课题解决方案】
根据本发明的一实施例，利用了表面保护物质的薄膜形成方法，包括如下步骤：掺杂用前驱体供应步骤，向置有基板的腔体内部供应掺杂用前驱体；净化步骤，对上述腔体内部进行净化；掺杂用薄膜形成步骤，向上述腔体内部供应第一反应物质，与被吸附的上述掺杂用前驱体反应形成掺杂用薄膜；介电膜用前驱体供应步骤，向上述腔体内部供应介电膜用前驱体；净化步骤，对上述腔体内部进行净化；以及介电膜形成步骤，向上述腔体内部供应第二反应物质，与被吸附的上述介电膜用前驱体反应形成介电膜，上述方法在上述掺杂用薄膜形成步骤之前还包括：表面保护物质供应步骤，向上述腔体内部供应上述表面保护物质；以及净化步骤，对上述腔体内部进行净化。
上述表面保护物质可由下面的化学式1表示。
<化学式1>
在上述化学式1中，n为1、2，R从氢原子、具有1至5个碳原子的烷基、具有3至6个碳原子的环烷基和具有6至12个碳原子的芳基中选择。
上述表面保护物质可由下面的化学式2表示。
<化学式2>
在上述化学式2中，n分别独立地从1至5的整数中选择。
上述表面保护物质可由下面的化学式3表示。
<化学式3>
在上述化学式3中，n各自分别为0至8的整数，R1各自分别从具有1到10个碳原子的烷基、具有1至5个碳原子的烷氧基或氢原子中选择，R2各自分别从具有1至8个碳原子的烷基、具有3至6个碳原子的环烷基和具有6至12个碳原子的芳基中选择。
上述表面保护物质可由下面的化学式4表示。
<化学式4>
在上述化学式4中，n各自分别为1至8的整数，m各自分别为1至5的整数，R1或R2各自分别从具有1至8个碳原子的烷基、具有3至6个碳原子的环烷基和具有6至12个碳原子的芳基中选择。
上述表面保护物质可由下面的化学式5表示。
<化学式5>
在上述化学式5中，n各自分别为1至5的整数，m各自分别为0至8的整数，R1各自分别从具有1至8个碳原子的烷基或氢原子中选择，R2各自分别从具有1至8个碳原子的烷基、具有3至6个碳原子的环烷基和和具有6至12个碳原子的芳基中选择。
上述表面保护物质可由下面的化学式6表示。
<化学式6>
在上述化学式6中，n各自分别为1至8的整数，m各自分别为1至6的整数，R1或R2各自分别从具有1至8个碳原子的烷基、具有3至6个碳原子的环烷基和具有6至12个碳原子的芳基中选择。
上述表面保护物质可由下面的化学式7表示。
<化学式7>
在上述化学式7中，n各自分别为0至5的整数，m各自分别为1至5的整数，R各自分别从具有1到10个碳原子的烷基、具有3至10个碳原子的环烷基和具有6至12个碳原子的芳基中选择。
上述表面保护物质可由下面的化学式8表示。
<化学式8>
在上述化学式8中，n各自分别为0至8的整数，R1～R3各自分别为具有1至8个碳原子的烷基，R4从具有1至6个氢、碳原子的烷基、具有1至8个碳原子的烷氧基中选择。
上述掺杂用前驱体可由下面的化学式9表示。
<化学式9>
在上述化学式9中，R1～R3各自分别从氢原子、具有1至10个碳原子的烷基、具有6至12个碳原子的芳基、具有1至10个碳原子的烷基胺基、具有2至10个碳原子的二烷基胺基、具有6至12个碳原子的芳基胺基(arylamine group)、具有7至13个碳原子的芳胺基(aralkylamine group)、具有3至10个碳原子的环胺基、具有3至10个碳原子的杂环胺基、具有6至12个碳原子的杂芳胺基或具有2至10个碳原子的烷基硅烷胺基中选择。
上述掺杂用前驱体可由下面的化学式10-14中之一表示。
<化学式10>
<化学式11>
<化学式12>
<化学式13>
<化学式14>
上述掺杂用前驱体可由下面的化学式15表示。
<化学式15>
在上述化学式15中，A和B各自分别从氢原子、氦原子、具有1至10个碳原子的烷基、具有6至12个碳原子的芳基、具有2至10个碳原子的烷基胺基、具有6至12个碳原子的芳基胺基、具有7至13个碳原子的芳胺基、具有3至10个碳原子的环胺基、具有3至10个碳原子的杂环胺基具有2至10个碳原子的烷基硅烷胺基中选择，L从氦原子、氢原子或者叠氮基中选择。
上述掺杂用前驱体可由下面的化学式16-21中之一表示。
<化学式16>
<化学式17>
<化学式18>
<化学式19>
<化学式20>
<化学式21>
上述掺杂用前驱体可由下面的化学式22表示。
<化学式22>
在上述化学式22中，R1～R6各自分别从各自分别从氢原子、具有1至10个碳原子的烷基、具有6至12个碳原子的芳基、具有1至10个碳原子的烷基胺基、具有6至12个碳原子的芳基胺基、具有7至13个碳原子的芳胺基、具有3至10个碳原子的环胺基、具有3至10个碳原子的杂环胺基(heterocyclic amine group)、具有6至12个碳原子的杂芳胺基(heteroarylamine group)或具有2至10个碳原子的烷基硅烷胺基(alkyl silylaminegroup)中选择。
上述掺杂用前驱体可由下面的化学式23表示。
<化学式23>
上述掺杂用前驱体可由下面的化学式24表示。
<化学式24>
在上述化学式24中，R1～R5各自分别从氢原子、具有1至4个碳原子的烷基中选择，R6～R9各自分别从氢原子、具有1至4个碳原子的烷基、具有1至4个碳原子的烷基胺基、具有2至4个碳原子的二烷基胺基、具有6至12个碳原子的芳基中选择。
上述掺杂用前驱体可由下面的化学式25～27中之一表示。
<化学式25>
<化学式26>
<化学式27>
上述掺杂用前驱体可由下面的化学式28表示。
<化学式28>
在上述化学式28中，R1～R4各自分别从氢原子、具有1至4个碳原子的烷基、具有1至4个碳原子的烷基胺基、具有2至4个碳原子的二烷基胺基、具有6至12个碳原子的芳基中选择。
上述掺杂用前驱体可由下面的化学式29表示。
<化学式29>
上述第一及第二反应物质可以为O3，O2，H2O，H2O2，N2O及NH3中之一。
上述介电膜用前驱体可以是包括Ti、Zr及Hf的4价金属中一个以上的化合物。
发明效果:
根据本发明的一实施例，通过掺杂用薄膜的低成长速度，可容易调节掺杂用薄膜的厚度，能够得到所需组分的介电膜。
此外，能够缓解局部的组分不均匀度，由此能够得到介电膜内的结晶度及介电常数得到改善的介电膜。
附图说明
图1是示意性地表示基于本发明的实施例1的薄膜形成方法的流程图。
图2是示意性地表示基于本发明的比较例1的供应周期的图表。
图3是基于本发明的比较例1的薄膜的XRD(X-ray diffraction(X射线衍射))结果。
图4是表示基于本发明的比较例1的薄膜对碳的二次离子质谱分析(SIMS:Secondary Ion Mass Spectrometry)的图表。
图5是表示基于本发明的比较例1的薄膜对硅的二次离子质谱分析(SIMS:Secondary Ion Mass Spectrometry)的图表。
图6是示意性地表示基于本发明的实施例1的供应周期的图表。
图7是基于本发明的实施例1的薄膜的XRD(X-ray diffraction)结果。
图8是基于本发明的实施例1的薄膜对碳的二次离子质谱分析(SIMS:SecondaryIon Mass Spectrometry)的图表。
图9是基于本发明的实施例1的薄膜对硅的二次离子质谱分析(SIMS:SecondaryIon Mass Spectrometry)的图表。
具体实施方式
下面，参考附图1～图9，进一步详细说明本发明的优选实施例。本发明的实施例可以变形为各种形态，本发明的范围不应限定于下面说明的实施例进行解释。本实施例是为了向本领域的普通技术人员更详细地说明本发明而提供的。因此，为了强调更分明的说明，图中所示的各要素的形状有可能夸张显示。
图1是示意性地表示基于本发明的实施例1的薄膜形成方法的流程图。基板安装到工序腔体内部，下面的ALD(原子层沉积技术(AtomicLayerDeposition；)工序条件得到调节。ALD工序条件可包括基板或工序腔体的温度、腔体压力、气体流动率，温度为50至500℃。
基板暴露于供应到腔体内部的表面保护物质中，表面保护物质可物理附着到基板表面。表面保护物质在工序进行过程中存在与掺杂用前驱体类似的行为，形成一种抑制层，以在后续工序中阻碍吸附掺杂用前驱体，从而缓解岛状成长(island growth)，能够改善之后形成的薄膜内局部组分不均匀度。
上述表面保护物质可由下面的化学式表示。
<化学式1>
在上述化学式1中，n为1、2，R从氢原子、具有1至5个碳原子的烷基、具有3至6个碳原子的环烷基和具有6至12个碳原子的芳基中选择。
上述表面保护物质可由下面的化学式2表示。
<化学式2>
在上述化学式2中，n各自分别从1至5的整数中选择。
上述表面保护物质可由下面的化学式3表示。
<化学式3>
在上述化学式3中，n各自分别为0至8的整数，R1各自分别从具有1至10个碳原子的烷基、具有1至5个碳原子的烷氧基或者氢原子中选择，R2各自分别从具有1至8个碳原子的烷基、具有3至6个碳原子的环烷基和具有6至12个碳原子的芳基中选择。
上述表面保护物质可由下面的化学式4表示。
<化学式4>
在上述化学式4中，n各自分别为1至8的整数，m各自分别为1至5的整数，R1或R2各自分别从具有1至8个碳原子的烷基、具有3至6个碳原子的环烷基和具有6至12个碳原子的芳基中选择。
上述表面保护物质可由下面的化学式5表示。
<化学式5>
在上述化学式5中，n各自分别为1至5的整数，m各自分别为0至8的整数，R1各自分别从具有1至8个碳原子的烷基或氢原子中选择，R2各自分别从具有1至8个碳原子的烷基、具有3至6个碳原子的环烷基和具有6至12个碳原子的芳基中选择。
上述表面保护物质可由下面的化学式6表示。
<化学式6>
在上述化学式6中，n各自分别为1至8的整数，m各自分别为1至6的整数，R1或R2各自分别从具有1至8个碳原子的烷基、具有3至6个碳原子的环烷基和具有6至12个碳原子的芳基中选择。
上述表面保护物质可由下面的化学式7表示。
<化学式7>
在上述化学式7中，n各自分别为0至5的整数，m各自分别为1至5的整数，R各自分别为具有1至10个碳原子的烷基、具有3至10个碳原子的环烷基和具有6至12个碳原子的芳基中选择。
上述表面保护物质可由下面的化学式8表示。
<化学式8>
在上述化学式8中，n各自分别为0至8的整数，R1～R3各自分别为具有1至8个碳原子的烷基，R4从氢、碳原子数为1至6的烷基、具有1至8个碳原子的烷氧基中选择。
之后，向腔体内部供应净化气体(例如，诸如Ar的惰性气体)，将未吸附的表面保护物质或副产物予以除去或净化。
之后，基板暴露于供应到腔体内部的掺杂用前驱体中，在基板表面吸附掺杂用前驱体。
上述掺杂用前驱体可由下面的化学式9表示。
<化学式9>
在上述化学式9中，R1～R3各自分别从氢原子、具有1至10个碳原子的烷基、具有6至12个碳原子的芳基、具有1至10个碳原子的烷基胺基、具有2至10个碳原子的二烷基胺基、具有6至12个碳原子的芳基胺基、具有7至13个碳原子的芳胺基、具有3至10个碳原子的环胺基、具有3至10个碳原子的杂环胺基、具有6至12个碳原子的杂芳胺基或具有2至10个碳原子的烷基硅烷胺基中选择。
上述掺杂用前驱体可由下面的化学式10～14中之一表示。
<化学式10>
<化学式11>
<化学式12>
<化学式13>
<化学式14>
上述掺杂用前驱体可由下面的化学式15表示。
<化学式15>
在上述化学式15中，A和B各自分别从氢原子、氦原子、具有1至10个碳原子的烷基、具有6至12个碳原子的芳基、具有2至10个碳原子的烷基胺基、具有6至12个碳原子的芳基胺基、具有7至13个碳原子的芳胺基、具有3至10个碳原子的环胺基、具有3至10个碳原子的杂环胺基具有2至10个碳原子的烷基硅烷胺基中选择，L从氦原子、氢原子或者叠氮基中选择。
上述掺杂用前驱体可由下面的化学式16～21中之一表示。
<化学式16>
<化学式17>
<化学式18>
<化学式19>
<化学式20>
<化学式21>
上述掺杂用前驱体可由下面的化学式22表示。
<化学式22>
在上述化学式22中，R1～R6各自分别从氢原子、具有1至10个碳原子的烷基、具有6至12个碳原子的芳基、具有1至10个碳原子的烷基胺基、具有6至12个碳原子的芳基胺基、具有7至13个碳原子的芳胺基、具有3至10个碳原子的环胺基、具有3至10个碳原子的杂环胺基、具有6至12个碳原子的杂芳胺基或具有2至10个碳原子的烷基硅烷胺基中选择。
上述掺杂用前驱体可由下面的化学式23表示。
<化学式23>
上述掺杂用前驱体可由下面的化学式24表示。
<化学式24>
在上述化学式24中，R1～R5各自分别从氢原子、具有1至4个碳原子的烷基中选择，R6～R9各自分别从氢原子、具有1至4个碳原子的烷基、具有1至4个碳原子的烷基胺基、具有2至4个碳原子的二烷基胺基、具有6至12个碳原子的芳基中选择。
上述掺杂用前驱体可由下面的化学式25～27中之一表示。
<化学式25>
<化学式26>
<化学式27>
上述掺杂用前驱体可由下面的化学式28表示。
<化学式28>
在上述化学式28中，R1～R4各自分别从氢原子、具有1至4个碳原子的烷基、具有1至4个碳原子的烷基胺基、具有2至4个碳原子的二烷基胺基、具有6至12个碳原子的芳基中选择。
上述掺杂用前驱体可由下面的化学式29表示。
<化学式29>
举例进行说明。当前面说明的表面保护物质被吸附时，掺杂用前驱体不会被吸附到表面保护物质所吸附的位置，表面保护物质阻碍掺杂用前驱体的吸附。
之后，向腔体内部供应净化气体(例如，诸如Ar的惰性气体)，将未吸附的掺杂用前驱体或副产物予以除去或净化。
之后，基板被暴露于供应到腔体内部的反应物质中，在基板表面形成掺杂用薄膜。反应物质与掺杂用前驱体层反应形成掺杂用薄膜，反应物质可以是O3、O2、H2O、H2O2、N2O及NH3中某一个。
之后，向腔体内部供应净化气体(例如，诸如Ar的惰性气体)，将未反应物质或副产物予以除去或净化。
之后，基板暴露于供应到腔体内部的介电膜用前驱体中，在基板表面吸附介电膜用前驱体。介电膜用前驱体可以是包括Ti、Zr及Hf的4价金属中一个以上的化合物。
之后，向腔体内部供应净化气体(例如，诸如Ar的惰性气体)，将未吸附的介电膜用前驱体或副产物予以除去或净化。
之后，基板被暴露于供应到腔体内部的反应物质中，在基板表面形成介电膜。反应物质与介电膜用前驱体层反应形成介电膜，反应物质可以是O3、O2、H2O、H2O2、N2O及NH3中某一个。
之后，向腔体内部供应净化气体(例如，诸如Ar的惰性气体)，将未反应物质或副产物予以除去或净化。
-比较例1
图2是示意性地表示基于本发明的比较例1的供应周期的图表。不使用前面说明的表面保护物质，而是用氧化硅形成掺杂用薄膜，用氧化铪形成介电膜，把硅烷二异丙胺(Diisoprophylamino Silane:DIPAS)用作形成氧化硅的掺杂用前驱体，把三(二甲氨基)环戊二烯基铪(IV)[CpHf(NMe2)3](HAC)用作形成氧化铪的介电膜用前驱体，工序温度为320℃，反应物质采用了O3气体。
基于ALD工序的薄膜形成过程如下：与现有的掺杂方式同样，氧化硅和氧化铪的循环比(cycle ratio)如下表1所示。表1表示基于比较例1和实施例1的SiO2和HfO2的循环比和XRD四方相比率(％)，由T(101)/[(T101)+M(-111)+M(111)]值计算了XRD四方相比率。
【表1】
1)将Ar作为载气，在常温下将掺杂用前驱体DIPAS供应到反应腔中，在基板上吸附掺杂用前驱体。
2)向反应腔内供应Ar气体，除去未吸附的掺杂用前驱体或副产物。
3)向反应腔供应O3气体，形成掺杂用薄膜。
4)向反应腔内供应Ar气体，除去未反应物质或副产物。
5)以Ar作为载气，在常温下将介电膜用前驱体HAC供应到反应腔，在基板上吸附介电膜用前驱体。
6)向反应腔内供应Ar气体，除去未吸附的介电膜用前驱体或者副产物。
7)向反应腔供应O3气体形成介电膜。
8)向反应腔内供应Ar气体，除去未反应物质或副产物。
图3是基于本发明的比较例1的薄膜的XRD(X-ray diffraction)结果。Si比率低的情况下(1:30)，HfO和四方比率类似，但是在Si比率增加时(1:12)，四方比减小。
图4是表示基于本发明的比较例1的薄膜对碳的二次离子质谱分析(SIMS:Secondary Ion Mass Spectrometry)的图表。图5是表示基于本发明的比较例1的薄膜对硅的二次离子质谱分析(SIMS:Secondary Ion Mass Spectrometry)的图表。碳杂质的情况下，与HfO相比类似水平，硅的情况下，与Si循环比无关地，硅峰值强度类似水平。
-实施例1
把原甲酸三甲酯(Trimethyl orthoformate)用作表面保护物质，在硅基板上形成了铝氧化膜。通过ALD工序形成了铝氧化膜，ALD工序温度为250～390℃，反应物质采用了O3。
图6是示意性地表示基于本发明的实施例1的供应周期的图表。把原甲酸三甲酯(Trimethyl orthoformate)用作表面保护物质，把氧化硅用作掺杂用薄膜，作为介电膜形成了氧化铪，把硅烷二异丙胺(Diisoprophylamino Silane:DIPAS)用作形成氧化硅的掺杂用前驱体，把三(二甲氨基)环戊二烯基铪(IV)[CpHf(NMe2)3](HAC)用作形成氧化铪的介电膜用前驱体，工序温度为320℃，反应物质使用了O3气体。
基于ALD工序的薄膜形成过程如下：与现有的掺杂方式同样，氧化硅和氧化铪的循环比(cycle ratio)如表1所示。
1)向反应腔内供应表面保护物质来吸附到基板上。
2)向反应腔内供应Ar气体，除去未吸附的表面保护物质或副产物。
3)将Ar作为载气，在常温下向反应腔供应掺杂用前驱体DIPAS，在基板上吸附掺杂用前驱体。
4)向反应腔内供应Ar气体，除去未吸附的掺杂用前驱体或副产物。
5)向反应腔供应O3气体，形成掺杂用薄膜。
6)向反应腔内供应Ar气体，除去未反应物质或副产物。
7)将Ar作为载气，在常温下向反应腔供应介电膜用前驱体HAC，在基板上吸附介电膜用前驱体。
8)向反应腔内供应Ar气体，除去未吸附的介电膜用前驱体或者副产物。
9)向反应腔供应O3气体，形成介电膜。
10)向反应腔内供应Ar气体，除去未反应物质或副产物。
图7是基于本发明的实施例1的薄膜的XRD(X-ray diffraction)结果。可推定与Si比率无关地，与单斜相(monoclinic phase)相比，四方晶相(Tetragonal phase)(101)的比率更大，因表面保护物质，被吸附的SiO2的沉积速度减小，由此含微小的Si浓度，对结晶度的改善造成了影响。结果，在实现相同Si浓度时，不增加氧化铪基质厚度(HfO2 MatrixTHK)，就容易形成四方相。
图8是基于本发明的实施例1的薄膜对碳的二次离子质谱分析(SIMS:SecondaryIon Mass Spectrometry)的图表，图9是基于本发明的实施例1的薄膜对硅的二次离子质谱分析(SIMS:Secondary Ion Mass Spectrometry)的图表。碳杂质的情况下，与HfO相比是类似水准，硅的情况下，与比较例1相比减小了2倍以上，峰值偏差也减小。通过在形成氧化硅膜时使用表面保护物质，能够降低氧化硅膜沉积速度，减少之后沉积的介电膜内硅浓度的微细调节及峰值偏差，可形成所需组分的薄膜及均匀的层。
以上，通过实施例详细说明了本发明，但是其他形态的实施例也是可能的。因此，下面的权利要求中的技术思想和范围不限定于这些实施例。
Claims (21)
1.一种利用了表面保护物质的薄膜形成方法，其特征在于，
包括：
掺杂用前驱体供应步骤，向置有基板的腔体内部供应掺杂用前驱体；
净化步骤，对上述腔体内部进行净化；
掺杂用薄膜形成步骤，向上述腔体内部供应第一反应物质，与被吸附的上述掺杂用前驱体反应形成掺杂用薄膜；
介电膜用前驱体供应步骤，向上述腔体内部供应介电膜用前驱体；
净化步骤，对上述腔体内部进行净化；以及
介电膜形成步骤，向上述腔体内部供应第二反应物质，与被吸附的上述介电膜用前驱体反应形成介电膜，
上述方法在上述掺杂用薄膜形成步骤之前还包括：
表面保护物质供应步骤，向上述腔体内部供应上述表面保护物质；以及
净化步骤，对上述腔体内部进行净化。
2.如权利要求1所述的利用了表面保护物质的薄膜形成方法，其特征在于，
上述表面保护物质由下面的化学式1表示：
<化学式1>
在上述化学式1中，n为1、2，
R从氢原子、具有1至5个碳原子的烷基、具有3至6个碳原子的环烷基和具有6至12个碳原子的芳基中选择。
3.如权利要求1所述的利用了表面保护物质的薄膜形成方法，其特征在于，
上述表面保护物质由下面的化学式2表示：
<化学式2>
在上述化学式2中，n分别独立地从1至5的整数中选择。
4.如权利要求1所述的利用了表面保护物质的薄膜形成方法，其特征在于，
上述表面保护物质由下面的化学式3表示：
<化学式3>
在上述化学式3中，n各自分别为0至8的整数，
R1各自分别从具有1至10个碳原子的烷基、具有1至5个碳原子的碳原子的烷氧基或氢原子中选择，
R2各自分别从具有1至8个碳原子的烷基、具有3至6个碳原子的环烷基和具有6至12个碳原子的芳基中选择。
5.如权利要求1所述的利用了表面保护物质的薄膜形成方法，其特征在于，
上述表面保护物质由下面的化学式4表示：
<化学式4>
在上述化学式4中，n各自分别为1至8的整数，m各自分别为1至5的整数，
R1或R2各自分别从具有1至8个碳原子的烷基、具有3至6个碳原子的环烷基和具有6至12个碳原子的芳基中选择。
6.如权利要求1所述的利用了表面保护物质的薄膜形成方法，其特征在于，
上述表面保护物质由下面的化学式5表示：
<化学式5>
在上述化学式5中，n各自分别为1至5的整数，m各自分别为0至8的整数，
R1各自分别为具有1至8个碳原子的烷基或氢原子中选择，
R2各自分别从具有1至8个碳原子的烷基、具有3至6个碳原子的环烷基、具有6至12个碳原子的芳基中选择。
7.如权利要求1所述的利用了表面保护物质的薄膜形成方法，其特征在于，
上述表面保护物质由下面的化学式6表示：
<化学式6>
在上述化学式6中，n各自分别为1至8的整数，m各自分别为1至6的整数，
R1或R2各自分别从具有1至8个碳原子的烷基、具有3至6个碳原子的环烷基、具有6至12个碳原子的芳基中选择。
8.如权利要求1所述的利用了表面保护物质的薄膜形成方法，其特征在于，
上述表面保护物质由下面的化学式7表示：
<化学式7>
在上述化学式7中，n各自分别为0至5的整数，m各自分别为1至5的整数，
R各自分别从具有1至10个碳原子的烷基、具有3至10个碳原子的环烷基和具有6至12个碳原子的芳基中选择。
9.如权利要求1所述的利用了表面保护物质的薄膜形成方法，其特征在于，
上述表面保护物质由下面的化学式8表示：
<化学式8>
在上述化学式8中，n各自分别为0至8的整数，
R1～R3各自分别为具有1至8个碳原子的烷基，
R4从氢子、具有1至8个碳原子的烷基和具有1至8个碳原子的烷氧基中选择。
10.如权利要求1所述的利用了表面保护物质的薄膜形成方法，其特征在于，
上述掺杂用前驱体由下面的化学式9表示：
<化学式9>
在上述化学式9中，
R1～R3各自分别从氢原子、具有1至10个碳原子的烷基、具有6-12碳原子的芳基、具有1至10个碳原子的烷基胺基、具有2至10个碳原子的二烷基胺基、具有6至12个碳原子的芳基胺基、具有7至13个碳原子的芳胺基、具有3至10个碳原子的环胺基、具有3至10个碳原子的杂环胺基、具有6至12个碳原子的杂芳胺基或具有2至10个碳原子的烷基硅烷胺基中选择。
11.如权利要求10所述的利用了表面保护物质的薄膜形成方法，其特征在于，
上述掺杂用前驱体由下面的化学式10～14中之一表示：
<化学式10>
<化学式11>
<化学式12>
<化学式13>
<化学式14>
12.如权利要求1所述的利用了表面保护物质的薄膜形成方法，其特征在于，
上述掺杂用前驱体由下面的化学式15表示：
<化学式15>
在上述化学式15中，
A和B各自分别从氢原子、氦原子、具有1至10个碳原子的烷基、具有6至12个碳原子的芳基、具有2至10个碳原子的烷基胺基、具有6至12个碳原子的芳基胺基、具有7至13个碳原子的芳胺基、具有3至10个碳原子的环胺基、具有3至10个碳原子的杂环胺基、具有2至10个碳原子的烷基硅胺基中选择，
L从氦原子、氢原子或者叠氮基中选择。
13.如权利要求12所述的利用了表面保护物质的薄膜形成方法，其特征在于，
上述掺杂用前驱体由下面的化学式16～21中之一表示：
<化学式16>
<化学式17>
<化学式18>
<化学式19>
<化学式20>
<化学式21>
14.如权利要求1所述的利用了表面保护物质的薄膜形成方法，其特征在于，
上述掺杂用前驱体由下面的化学式22表示：
<化学式22>
在上述化学式22中，
R1～R6各自分别从氢原子、具有1至10个碳原子的烷基、具有6-12碳原子的芳基、具有1至10个碳原子的烷基胺基、具有6至12个碳原子的芳胺基、具有7至13个碳原子的芳胺基、具有3至10个碳原子的环胺基、具有3至10个碳原子的杂环胺基、具有6至12个碳原子的杂芳胺基或具有2至10个碳原子的烷基硅烷胺基中选择。
15.如权利要求14所述的利用了表面保护物质的薄膜形成方法，其特征在于，
上述掺杂用前驱体由下面的化学式23表示：
<化学式23>
16.如权利要求1所述的利用了表面保护物质的薄膜形成方法，其特征在于，
上述掺杂用前驱体由下面的化学式24表示：
<化学式24>
在上述化学式24中，
R1～R5各自分别从氢原子、具有1至4个碳原子的烷基中选择，
R6～R9各自分别从氢原子、具有1至4个碳原子的烷基、具有1至4个碳原子的烷基胺基、具有2至4个碳原子的二烷基胺基、具有6至12个碳原子的芳基中选择。
17.如权利要求16所述的利用了表面保护物质的薄膜形成方法，其特征在于，
上述掺杂用前驱体由下面的化学式25～27中之一表示：
<化学式25>
<化学式26>
<化学式27>
18.如权利要求1所述的利用了表面保护物质的薄膜形成方法，其特征在于，
上述掺杂用前驱体由下面的化学式28表示：
<化学式28>
在上述化学式28中，
R1～R4各自分别从氢原子、具有1至4个碳原子的烷基、具有1至4个碳原子的烷基胺基、具有2至4个碳原子的二烷基胺基、具有6至12个碳原子的芳基中选择。
19.如权利要求18所述的利用了表面保护物质的薄膜形成方法，其特征在于，
上述掺杂用前驱体由下面的化学式29表示：
<化学式29>
20.如权利要求1所述的利用了表面保护物质的薄膜形成方法，其特征在于，
上述第一及第二反应物质为O3、O2、H2O、H2O2、N2O及NH3中之一。
21.如权利要求1所述的利用了表面保护物质的薄膜形成方法，其特征在于，
上述介电膜用前驱体是包括Ti、Zr及Hf的4价金属中一个以上的化合物。
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