TW202218801A - 拋光墊修整裝置、化學機械拋光裝置和方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種拋光墊修整裝置、化學機械拋光裝置和方法。所述裝置包括修整器，用以修整拋光墊；和數據採集裝置，用以採集與所述拋光墊表面狀態相關的狀態數據，所述修整器根據所述狀態數據對所述拋光墊進行修整。根據本發明的拋光墊修整裝置、化學機械拋光裝置和方法，通過對拋光墊表面的狀態進行監控，根據拋光墊表面的狀態控制對拋光墊表面進行修整的頻率，及時對拋光墊進行修整。有效減少了拋光墊在化學機械拋光過程中的釉化層的累積，使晶圓的去除量或者厚度保持穩定。亦能減少拋光墊的更換頻率，減少化學機械拋光製程中的成本、人力，提升了機台產能。

Description

拋光墊修整裝置、化學機械拋光裝置和方法
本發明係關於半導體技術領域，尤其是關於一種拋光墊修整裝置、化學機械拋光裝置和方法。
在半導體製造過程中，從晶圓的製造到裝置的形成，存在多次對半導體晶圓進行化學機械拋光的步驟。拋光墊（Pad）是化學機械拋光中機械作用的主要來源，拋光過程中配合拋光液的化學作用來達到晶圓減薄、平坦度控制、缺陷減少、粗糙度改善等功能。拋光墊的表面有大小不一的孔洞，用於均勻的吸收拋光液，在保證均勻拋光速率的同時排出拋光殘屑。拋光墊在使用過程中隨著壓力的不斷施加，外加拋光殘渣在其表面的積累，會逐漸形成一層釉化層，釉化層會阻礙晶圓的去除速率，嚴重時引起劃傷。
在典型的化學機械拋光設備中，往往設置拋光墊修整器對拋光墊進行表面修整，去除釉化層，以恢復拋光墊表面粗糙度。然而隨著拋光墊表面不斷磨損，固定的修整條件已不能保證拋光墊在整個壽命過程中始終保持穩定的去除速率，同時對使用末期的拋光墊使用SEM進行表面觀察，發現其表面具有大量釉化層。
藉由減短拋光墊壽命、增加產品品質的監控頻率可以防止釉化層帶來的影響，但同時帶來一系列對於成本、人力、量測機台產能的影響。
為了解決現有技術中的問題，本發明提供了一種拋光墊修整裝置、化學機械拋光裝置和方法。
在發明內容部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實施方式部分中進一步詳細說明。本發明的發明內容部分並不意味著要試圖限定出所要求保護的技術方案的關鍵特徵和必要技術特徵，更不意味著試圖確定所要求保護的技術方案的保護範圍。
為了解決現有技術中的問題，本發明提供了一種拋光墊修整裝置，包括： 修整器，用以修整拋光墊；和 數據採集裝置，用以採集與所述拋光墊表面狀態相關的狀態數據，所述修整器根據所述狀態數據對所述拋光墊進行修整。
示例性地，所述數據採集裝置包括光傳感器，所述光傳感器向所述拋光墊表面發射光並且收集所述拋光墊表面的反射光，並將所述反射光轉換為所述狀態數據。
示例性地，所述數據採集裝置還包括壓縮空氣供給裝置，所述壓縮空氣供給裝置提供壓縮空氣用以去除所述拋光墊表面的液體。
示例性地，包括圍繞所述光傳感器均勻設置的多個所述壓縮空氣供給裝置。
示例性地，還包括用以支撐所述修整器對所述拋光墊進行修整的臂，所述臂在所述拋光墊上方從拋光墊外側水平延伸以使所述修整器位於拋光路徑的上方，所述數據採集裝置設置在所述臂上靠近所述修整器的一端。
示例性地，還包括控制裝置，所述控制裝置用以根據所述狀態數據控制所述修整器對所述拋光墊進行修整的參數，所述參數包括修整時間和/或修整頻率。
本發明還提供了一種化學機械拋光裝置，包括上述任一拋光墊修整裝置。
本發明還提供了一種化學機械拋光方法，採用上述化學機械拋光裝置執行，其中，根據與所述拋光墊表面狀態相關的狀態數據，控制所述修整器對所述拋光墊進行修整。
示例性的，包括以下步驟： 步驟S1：獲取所述狀態數據； 步驟S2：將所述狀態數據與預設狀態閾值進行對比獲得比較結果，所述比較結果包括反映所述拋光墊需要進行修整的第一結果和反映所述拋光墊可以繼續用於所述化學機械拋光步驟的第二結果；及 步驟S3：根據所述第一結果控制所述拋光墊修整裝置執行一次拋光墊修整步驟以對所述拋光墊進行修整，或者，根據所述第二結果繼續執行一次化學機械拋光步驟，循環執行所述步驟S1、所述步驟S2和所述步驟S3。
根據本發明的拋光墊修整裝置、化學機械拋光裝置和方法，通過對拋光墊表面的狀態進行監控，根據拋光墊表面的狀態控制對拋光墊表面進行修整的頻率，及時對拋光墊進行修整。有效減少了拋光墊在化學機械拋光過程中的釉化層的累積，使晶圓的去除量或者厚度保持穩定；減少拋光墊的更換頻率，減少了化學機械拋光製程中的成本、人力，提升了機台產能。
在下文的描述中，給出了大量具體的細節以便提供對本發明更為徹底的理解。然而，對於本領域技術人員而言顯而易見的是，本發明可以無需一個或多個這些細節而得以實施。在其他的例子中，為了避免與本發明發生混淆，對於本領域習知的一些技術特徵未進行描述。
為了徹底理解本發明，將在下列的描述中提出詳細的描述，以說明本發明的拋光墊修整裝置、化學機械拋光裝置和方法。顯然，本發明的施行並不限於半導體領域技術人員所熟習的特殊細節。本發明的較佳實施例詳細描述如下，然而除了這些詳細描述外，本發明還可以具有其他實施方式。
應予以注意的是，這裡所使用的術語僅是為了描述具體實施例，而非意圖限制根據本發明的示例性實施例。如在這裡所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數形式也意圖包括複數形式。此外，還應當理解的是，當在本說明書中使用術語“包含”和/或“包括”時，其指明存在所述特徵、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個或多個其他特徵、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合。
現在，將參照附圖更詳細地描述根據本發明的示例性實施例。然而，這些示例性實施例可以多種不同的形式來實施，並且不應當被解釋為只限於這裡所闡述的實施例。應當理解的是，提供這些實施例是為了使得本發明的公開徹底且完整，並且將這些示例性實施例的構思充分傳達給本領域普通技術人員。在附圖中，為了清楚起見，誇大了層和區域的厚度，並且使用相同的附圖標記表示相同的元件，因而將省略對它們的描述。
實施例一
為了解決現有技術中的問題，本發明提供了一種拋光墊修整裝置包括： 修整器，用以修整拋光墊；和 數據採集裝置，用以採集與所述拋光墊表面狀態相關的狀態數據，所述修整器根據所述狀態數據對所述拋光墊進行修整。
下面參看圖1、圖2、圖3和圖4對根據本發明的一種化學機械拋光方法進行示例性說明。其中，圖1為根據一種化學機械拋光裝置的結構示意圖；圖2為根據本發明的一個實施例的一種拋光墊修整裝置安裝在拋光墊之上的示意圖；圖3為根據本發明的一個實施例的一種拋光墊修整裝置中數據採集裝置上佈置壓縮空氣供給裝置的結構示意圖；圖4為根據本發明的一個實施例的數據採集裝置在拋光墊上進行數據采集的區域的示意圖。
首先，參看圖1，示出了根據本發明的一種化學機械拋光裝置的結構示意圖。其中，化學機械拋光裝置包括拋光台101，在拋光台101上設置有拋光墊102並帶動拋光墊102旋轉，在拋光墊102的上方設置有拋光頭103，用以夾持待拋光的晶圓（未示出），以使晶圓接觸拋光墊102的表面並相對拋光墊102運動，以使拋光墊102拋光晶圓。如圖1所示，在拋光過程中，拋光台101帶動拋光墊102沿著如圖1中箭頭A所示的方向做逆時針旋轉，拋光頭102帶動晶圓沿著箭頭B所示的方向做逆時針旋轉，兩者轉速不同，使拋光墊拋光晶圓。拋光墊在使用過程中隨著壓力的不斷施加，外加拋光殘渣的在其表面的積累，會逐漸形成一層釉化層，釉化層會阻礙晶圓的去除速率，嚴重時引起劃傷。
繼續參看圖1，在化學機械拋光裝置中還設置有拋光墊修整裝置104，拋光墊修整裝置包括修整器1041和臂1042。修整器1041用以修整拋光墊102，去除釉化層，以恢復拋光墊表面粗糙度。臂1042用以支撐修整器1041。
示例性的，修整器1041包括金剛石盤。
然而隨著拋光墊表面不斷磨損，固定的修整條件已不能保證拋光墊在整個壽命過程中始終保持穩定的去除速率，同時對使用末期的拋光墊使用SEM進行表面觀察，發現其表面具有大量釉化層。
根據本發明，在拋光墊修整裝置中還設置有數據採集裝置，用以採集與拋光墊表面狀態相關的狀態數據，所述修整器根據所述狀態數據對所述拋光墊進行修整。
在拋光墊修整裝置中設置數據採集裝置，通過對拋光墊表面的狀態進行監控，根據拋光墊表面的狀態控制對拋光墊表面進行修整的頻率，有效減少了拋光墊在化學機械拋光過程中的釉化層的累積，減少拋光墊的更換頻率，減少了化學機械拋光製程中的成本、人力，提升了機台產能。
例如，在對拋光墊進行修整的過程中，在進行一次修整步驟之後，採用數據採集裝置檢測拋光墊的表面狀態，根據檢測到的表面狀態分析拋光墊是否需要進一步的修整還是可以進行下一次化學機械拋光製程，當需要進行進一步的修整時，再次進行修整步驟，在此過程中可以避免人工判斷的誤差，同時通過連續進行修整步驟，增加修整頻率，減少拋光墊上的釉化層的積累速率，減少拋光墊的更換頻率。
參看圖2，示出了根據本發明的一個實施例的一種拋光墊修整裝置安裝在拋光墊之上的示意圖。其中，拋光台101上設置有拋光墊102，拋光墊修整裝置104安裝在拋光墊102的上方，拋光墊修整裝置104包括修整器1041、臂1042以及數據採集裝置1043。
繼續參看圖2，示例性的，所述數據採集裝置1043設置在所述修整器1041的臂1042上。將數據採集裝置設置在修整器的臂上，減少數據採集裝置的佔用空間。同時，將數據採集裝置1043設置在臂1042上，臂1042用以支撐所述修整器1041對所述拋光墊102進行修整，所述臂1042在所述拋光墊102上方從拋光墊102外側水平延伸以使所述修整器1041位於拋光路徑的上方。在本發明中將所述數據採集裝置設置在所述臂上靠近所述修整器的一端使數據採集裝置採集拋光路徑上的大部分數據，從而使獲得的數據更加有效，更加能夠反映拋光墊表面的當前狀態，最終得到準確可靠的狀態數據。參看圖4示出了，數據收集裝置在拋光墊上進行數據采集的區域的示意圖，其中，拋光墊102的表面外側P區域為對晶圓進行拋光的主要區域或拋光路徑，虛線L示出數據採集裝置對拋光墊進行狀態數據收集的採集路徑和區域。從圖中可以看出，安裝在臂上的數據採集裝置收集了晶圓在拋光墊上的主要拋光區域。
如圖2所示，在根據本發明的一個示例中，數據採集裝置1043的底部不低於修整器1041的底部，避免修整器1041在對拋光墊102進行修整的過程中數據採集裝置1043劃壞拋光墊。
示例性的，狀態數據包括拋光墊表面反射的光的強度數據、粗糙度數據等任何可以被收集的反映拋光墊表面狀態的數據。
示例性的，數據採集裝置包括光傳感器，光傳感器向所述拋光墊表面發射光並且接收所述拋光墊表面的反射光，並將所述反射光轉換為所述狀態數據。
示例性的，所述光傳感器包括光源和光電傳感器的組合，或者具有發射光源和採集光強度功能的傳感器、光敏傳感器等，在此並不限定。
光傳感器將光發射到拋光墊，由於拋光墊的粗糙度與釉層的粗糙度不同，同時釉層積累的量不同，導致釉層的粗糙度也有所差異，從而使最終從拋光墊上反射的光的強度不同，最終使光傳感器從拋光墊表面收集的反射光的強度不同，通過收集的反射光的強度從而可以反映拋光墊表面積累的釉層的量。修整器根據作為數據採集裝置的光傳感器收集的光的數據調整修整的參數，所述參數包括修整時間和/或修整頻率。
示例性的，所述數據採集裝置還包括壓縮空氣供給裝置，所述壓縮空氣供給裝置提供壓縮空氣用以去除所述拋光墊表面的水。
由於數據採集裝置在採集拋光墊表面的狀態數據的過程中往往會受到拋光液或者去離子水得影響，使得收集的狀態數據不準確，影響對拋光墊表面狀態的判斷。為了準確獲取拋光墊表面的狀態數據，在根據本發明的一個示例中，在數據採集裝置上還設置有壓縮空氣供給裝置，所述壓縮空氣供給裝置提供壓縮空氣去除所述拋光墊表面的液體，從而減少拋光墊上拋光液或者去離子水對拋光墊表面狀態數據（如拋光墊反射的光的強度）的影響。示例性的，壓縮空氣供給裝置包括壓縮空氣噴嘴。
參看圖3，示出了根據本發明的一個實施例的一種拋光墊修整裝置中數據採集裝置上佈置壓縮空氣供給裝置的結構示意圖。如圖3所示，數據採集裝置1043包括光傳感器10431和壓縮空氣供給裝置10432。其中，壓縮空氣噴嘴環繞光傳感器10431均勻設置。從而使光傳感器10431發射出的光所照射的拋光墊的區域被壓縮空氣供給裝置10432充分乾燥，以最大程度減少拋光液和去離子水對拋光墊的影響。
在根據本發明的一個示例中，拋光墊修整裝置還包括控制裝置，用以根據所述狀態數據控制所述修整器對所述拋光墊進行修整的參數，所述參數包括修整時間和/或修整頻率。
示例性的，控制裝置包括存儲有可執行的程序指令的存儲器和處理器，當執行所述可執行的程序指令時，使處理器執行將收集的狀態數據與預設的閾值數據進行對比，當狀態數據超出閾值數據反映需要對拋光墊執行修整時，控制裝置控制修整器修整拋光墊一次或者增加修整器修整拋光墊的時間。
需要理解的是，上述採用控制裝置根據收集的狀態數據控制修整器修整拋光墊的修整時間和修整頻率的方法僅僅是示例性的，本領域技術人員還可以採用控制裝置根據收集的狀態數據控制修整器修整拋光墊的壓力等任何其他參數。
採用控制參數對拋光墊修整裝置進行自動控制，使拋光墊修整裝置修整的過程進一步自動化，減少拋光過程中的數據收集和判斷的步驟的時間，進一步提升拋光的效率和產率。
根據本發明的拋光墊修整裝置通過對拋光墊表面的狀態進行監控，根據拋光墊表面的狀態控制對拋光墊表面進行修整的頻率，有效減少了拋光墊在化學機械拋光過程中的釉化層的累積，減少拋光墊的更換頻率，減少了化學機械拋光製程中的成本、人力，提升了機台產能。
實施例二
本發明還提供了一種化學機械拋光裝置，包括如實施例一所述的拋光墊修整裝置。
如圖1所示，化學機械拋光裝置包括拋光台101，在拋光台101上設置有拋光墊102並帶動拋光墊102旋轉，在拋光墊102的上方設置有拋光頭103，用以夾持待拋光的晶圓（未示出），以使晶圓接觸拋光墊102的表面並相對拋光墊102運動，以使拋光墊102拋光晶圓。如圖1所示，在拋光過程中，拋光台101帶動拋光墊102沿著如圖1中箭頭A所示的方向做逆時針旋轉，拋光頭102帶動晶圓沿著箭頭B所示的方向做逆時針旋轉，兩者轉速不同，使拋光墊拋光晶圓。
繼續參看圖1，在化學機械拋光裝置中還設置有拋光墊修整裝置104，拋光墊修整裝置包括修整器1041和臂1042。修整器1041用以修整拋光墊102，去除釉化層，以恢復拋光墊表面粗糙度。臂1042用以支撐修整器1041。
示例性的，修整器1041包括金剛石盤。
參看圖2，根據本發明的化學機械拋光裝置，其拋光墊修整裝置104包括修整器1041、臂1042以及數據採集裝置1043。
繼續參看圖2，示例性的，所述數據採集裝置1043設置在所述修整器1041的臂1042上。
通過對拋光墊表面的狀態進行監控，根據拋光墊表面的狀態控制對拋光墊表面進行修整的頻率，有效減少了拋光墊在化學機械拋光過程中的釉化層的累積，減少拋光墊的更換頻率，減少了化學機械拋光製程中的成本、人力，提升了機台產能。
在根據本發明的一個示例中，在化學機械拋光裝置中，在臂1042上的數據採集裝置1043的底部不低於修整器1041的底部，避免修整器1041在對拋光墊102進行修整的過程中數據採集裝置1043劃壞拋光墊。
示例性的，狀態數據包括拋光墊表面反射的光的強度數據、粗糙度數據等任何可以被收集的反映拋光墊表面狀態的數據。
示例性的，數據採集裝置包括光傳感器，光傳感器向所述拋光墊表面發射光並且接收所述拋光墊表面的反射光，並將所述反射光轉換為所述狀態數據。
在根據本發明的一個示例中，在化學機械拋光裝置中，在數據採集裝置上還設置有壓縮空氣供給裝置，所述壓縮空氣供給裝置提供壓縮空氣去除所述拋光墊表面的液體，從而減少拋光墊上拋光液或者去離子水對拋光墊表面狀態數據（如拋光墊反射的光的強度）的影響。
示例性的，壓縮空氣供給裝置包括壓縮空氣噴嘴。
參看圖3，示出了根據本發明的一個實施例的一種化學機械拋光裝置中，將拋光墊修整裝置中的數據採集裝置上佈置壓縮空氣供給裝置的結構示意圖。如圖3所示，數據採集裝置1043包括光傳感器10431和壓縮空氣供給裝置10432。其中，壓縮空氣噴嘴環繞光傳感器10431均勻設置。從而使光傳感器10431發射出的光所照射的拋光墊的區域被壓縮空氣供給裝置10432充分乾燥，以最大程度減少拋光液和去離子水對拋光墊的影響。
在根據本發明的一個示例中，拋光墊修整裝置還包括控制裝置，用以根據所述狀態數據控制所述修整器對所述拋光墊進行修整的參數，所述參數包括修整時間和/或修整頻率。
實施例三
本發明還提供了一種化學機械拋光方法，其採用如實施例二所述的化學機械拋光裝置執行，其中，根據與所述拋光墊表面狀態相關的狀態數據，控制所述修整器對所述拋光墊進行修整。
示例性的，包括以下步驟： 步驟S1：獲取所述狀態數據，並將所述狀態數據與預設狀態閾值進行對比獲得比較結果，所述比較結果包括反映所述拋光墊需要進行修整的第一結果和反映所述拋光墊可以繼續用於所述化學機械拋光步驟的第二結果； 步驟S2：根據所述第一結果控制所述拋光墊修整裝置執行一次拋光墊修整步驟以對所述拋光墊進行修整，或者，根據所述第二結果繼續執行一次化學機械拋光步驟。
具體的實現過程中，採用控制裝置執行步驟S1、步驟S2和步驟S3的控制。
例如，控制裝置控制數據採集裝置採集拋光墊表面的狀態數據以執行步驟S1。在控制裝置控制數據採集裝置完成步驟S1採集拋光墊表面的狀態數據之後，控制裝置繼續執行步驟S2對狀態數據進行處理並和預設的狀態預置進行對比。其中，預設的狀態預置是根據前期多次試驗獲得的需要執行拋光墊修整的拋光墊臨界狀態的數據。
在根據本發明的一個實施例中，在步驟S2中，控制裝置將在步驟S1中採集到的狀態數據與系統中預設的狀態預置進行對比，當狀態數據超過閾值數據時，說明需要對拋光墊修整；當狀態數據低於閾值數據反映拋光墊不需要進行修整，可以進行下一次化學機械拋光。
完成步驟S2後，繼續執行步驟S3，控制裝置控制修整器修整拋光墊一次，或者，控制進行化學機械拋光步驟一次。
在根據本發明的一個示例中，在步驟S2中獲得反映所述拋光墊需要進行修整的第一結果之後，在步驟S3中控制裝置控制控制修整器修整拋光墊一次；在根據本發明的又一個示例中，在步驟S2中獲得反映所述拋光墊可以繼續用於所述化學機械拋光步驟的第二結果控制進行化學機械拋光步驟一次。
如此，循環執行上述步驟S1、步驟S2步驟S3，從而可以實現對拋光墊修整頻率的控制。
本實施例中，通過控制裝置執行步驟S1、步驟S2步驟S3控制對拋光墊修整的頻率僅僅是示例性的，本領域技術人員還可以實現通過控制裝置事項對拋光墊修整的時間、力度等其他控制方法，在此並不限定。
根據本發明的化學機械拋光方法，通過對拋光墊表面的狀態進行監控，根據拋光墊表面的狀態控制對拋光墊表面進行修整的頻率，有效減少了拋光墊在化學機械拋光過程中的釉化層的累積，減少拋光墊的更換頻率，減少了化學機械拋光製程中的成本、人力，提升了機台產能。
本發明已經通過上述實施例進行了說明，但應當理解的是，上述實施例只是用於舉例和說明的目的，而非意在將本發明限制於所描述的實施例範圍內。此外本領域技術人員可以理解的是，本發明並不侷限於上述實施例，根據本發明的教導還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發明所要求保護的範圍以內。本發明的保護範圍由附屬的申請專利範圍及其等效範圍所界定。
101:拋光台 102:拋光墊 103:拋光頭 104:拋光墊修整裝置 1041:修整器 1042:臂 1043:數據採集裝置 10431:光傳感器 10432:壓縮空氣供給裝置 A、B:方向 L:狀態數據收集的採集路徑和區域 P:拋光的主要區域或拋光路徑
圖1為一種化學機械拋光裝置的結構示意圖。
圖2為根據本發明的一個實施例的一種拋光墊修整裝置安裝在拋光墊之上的示意圖。
圖3為根據本發明的一個實施例的安裝數據採集裝置上佈置壓縮空氣供給裝置的示意圖。
圖4為根據本發明的一個實施例的數據採集裝置在拋光墊上進行數據采集的區域的示意圖。
101:拋光台
102:拋光墊
104:拋光墊修整裝置
1041:修整器
1042:臂
1043:數據採集裝置

Claims (10)

  1. 一種拋光墊修整裝置，包括： 修整器，用以修整拋光墊；和 數據採集裝置，用以採集與所述拋光墊表面狀態相關的狀態數據，所述修整器根據所述狀態數據對所述拋光墊進行修整。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述的拋光墊修整裝置，其中，所述數據採集裝置包括光傳感器，所述光傳感器向所述拋光墊表面發射光並且收集所述拋光墊表面的反射光，並將所述反射光轉換為所述狀態數據。
  3. 根據申請專利範圍第2項所述的拋光墊修整裝置，其中，所述數據採集裝置還包括壓縮空氣供給裝置，所述壓縮空氣供給裝置提供壓縮空氣用以去除所述拋光墊表面的液體。
  4. 根據申請專利範圍第3項所述的拋光墊修整裝置，其中，包括圍繞所述光傳感器均勻設置的多個所述壓縮空氣供給裝置。
  5. 根據申請專利範圍第2項所述的拋光墊修整裝置，還包括用以支撐所述修整器對所述拋光墊進行修整的臂，所述臂在所述拋光墊上方從拋光墊外側水平延伸以使所述修整器位於拋光路徑的上方，所述數據採集裝置設置在所述臂上靠近所述修整器的一端。
  6. 根據申請專利範圍第2項所述的拋光墊修整裝置，還包括控制裝置，所述控制裝置用以根據所述狀態數據控制所述修整器對所述拋光墊進行修整的參數。
  7. 根據申請專利範圍第6項所述的拋光墊修整裝置，其中，所述參數包括修整時間和/或修整頻率。
  8. 一種化學機械拋光裝置，其中，包括如申請專利範圍第1-7項任一項所述的拋光墊修整裝置。
  9. 一種化學機械拋光方法，其中，採用如申請專利範圍第8項所述的化學機械拋光裝置執行，其中，根據與所述拋光墊表面狀態相關的狀態數據，控制所述修整器對所述拋光墊進行修整。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的化學機械拋光方法，包括以下步驟： 步驟S1：獲取所述狀態數據； 步驟S2：將所述狀態數據與預設狀態閾值進行對比獲得比較結果，所述比較結果包括反映所述拋光墊需要進行修整的第一結果和反映所述拋光墊可以繼續用於所述化學機械拋光步驟的第二結果； 步驟S3：根據所述第一結果控制所述拋光墊修整裝置執行一次拋光墊修整步驟以對所述拋光墊進行修整，或者，根據所述第二結果繼續執行一次化學機械拋光步驟，循環執行所述步驟S1、所述步驟S2和所述步驟S3。
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