JP6066192B2 - 研磨パッドの表面性状測定装置 - Google Patents
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Description
上記非特許文献1及び2には、研磨パッドの表面にレーザ光を照射し、その散乱反射光を光学的FFT解析することにより研磨パッドの表面形状特性を測定可能であることが示唆されている。
研磨パッドの表面にレーザ光を照射し、その散乱反射光を用いて研磨パッドの表面形状や表面状態などの表面性状を測定するにあたって、種々の外乱等の影響があるため、散乱反射光を適切にセンシングすることが重要である。
本発明の実施形態によれば、研磨パッドの表面性状測定装置は、基板に摺接して基板の被研磨面を研磨する研磨パッドの表面性状測定装置であって、レーザ光を出射するレーザ光源と、研磨パッドから反射散乱された散乱光を受光素子で受光することで光学的フーリエ変換により研磨パッドの表面形状に基いた空間波長スペクトルに相当する強度分布を得る受光素子を備え、前記レーザ光は、前記研磨パッド表面での反射率が50%以上となる入射角で照射される。
本発明の他の実施形態によれば、研磨パッドの表面性状測定装置は、基板に摺接して基板の被研磨面を研磨する研磨パッドの表面性状測定装置であって、レーザ光を出射するレーザ光源と、研磨パッドから反射散乱された散乱光を受光素子で受光することで光学的フーリエ変換により研磨パッドの表面形状に基いた空間波長スペクトルに相当する強度分布を得る受光素子を備え、前記レーザ光は、S偏光されて前記研磨パッド表面へ照射される。
上記他の実施形態において、前記レーザ光は、前記S偏光の前記研磨パッド表面での反射率が50%以上となる照射角度で照射される。
本発明の好ましい態様は、前記入射角は、45°以上であることを特徴とする。
さらに、本発明の好ましい態様は、前記入射角は、80°以上であることを特徴とする。
上記実施形態によれば、レーザ光源から出射されたレーザ光は、研磨パッド表面での反射率が50%以上となる入射角で照射され、または、S偏光されて前記研磨パッド表面へ照射される。これにより、レーザ光の研磨パッド内部への透過光による影響を抑制することができ、外乱等の影響を抑制して研磨パッドの表面性状を正確に測定できる。
1)請求項1乃至3のいずれか一項に記載の研磨パッドの表面性状測定装置で得られる研磨パッドの表面性状を現す数値に基づいて、ドレッシング条件を設定してドレッシングするドレッシング方法。
2)請求項1乃至3のいずれか一項に記載の研磨パッドの表面性状測定装置で得られる研磨パッドの表面性状を現す数値に基づいて、ドレッサーの寿命を検知するドレッサーの寿命検知方法。
3)請求項1乃至3のいずれか一項に記載の研磨パッドの表面性状測定装置で得られる研磨パッドの表面性状を現す数値に基づいて、パッドの寿命を検知するパッドの寿命検知方法。
4)請求項1乃至3のいずれか一項に記載の研磨パッドの表面性状測定装置で得られる研磨パッドの表面性状を現す数値に基づいて、パッドの表面性状に異常があることを検知するドレッシングの異常検知方法。
(1)研磨パッドやドレッサーを無駄なく寿命の最後まで使い切ることでできるために消耗材コストを抑制できる。
(2)何らかのドレッシング異常による研磨パッドの表面性状の非定常状態を即座に検知して発報することができるために、CMP性能不良による半導体デバイスの製造不良を最低限に抑えることができる。
(3)研磨パッドの表面性状の変化に応じてドレッシング条件を変更することで、常に研磨パッドの表面性状をCMP性能の確保に必要な状態に維持できる。
図3に示すように、表面性状測定装置30において以下のステップが実行される。
(1)表面形状u(x,y)を持つ研磨パッド2にレーザ光を照射する。
(2)研磨パッド表面で反射散乱した散乱光を受光素子35で受光し、散乱光強度分布を得る。散乱光強度分布は、研磨パッドの表面形状をその空間波長でフーリエ変換した分布に相当する。
(3)演算処理装置36において、所定の演算を経て、パッド表面指数を求める。
ここで所定の演算とは、
・特定空間波長領域の散乱光強度の積分値
・第一の空間波長領域の積分値に対する、第二の空間波長領域の積分値の比
などである。
1)研磨パッドからの散乱光強度分布
図4は、レーザ光を研磨パッドに照射した時に発生するパッド表面形状によって散乱した光の強度分布を示す模式図である。
図4に示すように、レーザ光(波長λ)を研磨パッドに照射した時に発生するパッド表面形状によって散乱した光の強度分布I(p)を受光素子で観察するとする。その時、受光素子上の各位置1/pは、各々の表面凹凸である空間波長pのスペクトルを示す。いわば、光強度分布は研磨パッドの表面形状の空間的フーリエ変換のスペクトルを示すことになる。例えば、比較的長い空間波長p1の場合は、受光素子の1/p1の位置(空間周波数領域)にそのスペクトルが現れる。一方、比較的短い空間波長p2の場合も、同様である。
図4において、各記号を以下のように定義する。
θ:入射角
d:レーザビーム径
β:回折角(回折した光が正反射光から偏角した角度)
L:受光素子−パッドの距離
p:研磨パッド表面形状の空間波長
偏角回折角(β)を決定する式は、式(1)に示され、適用する波長λ、設定入射角θ、凹凸の空間波長pで決定される。ただし、式(1)の条件は、Far−field回折の状態である必要がある。Far−field回折は、式(2)で示すように観察する受光素子が研磨パッドから十分な距離L離れていることが必要である。また、式(1)から、式(3)で示すように空間波長pがレーザ波長λより小さくなると、回折角が90°より大きくなり、研磨パッド表面から反射しなくなり、いわゆる吸収される現象になる。
pcosθsinβ+psinθ(1−cosβ)=λ ・・・(1)
far−field回折の条件:L>>(pcosθ)2/2λ ・・・(2)
空間波長とレーザ光波長の条件;p/λ>1 ・・・(3)
図5は、受光素子とパッドとの距離およびレーザスポット径の関係を示す模式図である。図5中の各記号は図4で定義したとおりである。
式(2)において、例えば、θ=45°とし、Lがp2/4λの100倍より大きいとすると、受光素子とパッドとの距離Lは式(2.1)に示される条件を満たす必要がある。
L>100(p2/4λ) ・・・(2.1)
次に、レーザビーム径d0の領域内では、回折光(β<β0の領域)が正反射光(幅d0)と重なるため評価不能となる。そのため、回折角β0(受光素子上では、相当するパッド表面凹凸の空間波数1/p0)より大きい回折角β(空間波長波数1/p)が評価可能領域(β>β0または1/p>1/p0)になる。
ここで、正反射光の境目では、AB/OA=tanβ0=d0/2L
ただし、L>>d0のため、(d0 2+4L2)1/2≒2Lとすると、
sinβ0≒d0/2L、cosβ0=2L/(d0 2+4L2)1/2≒2L/(4L2)1/2=1と近似される。そして、式(1)より、評価可能な空間波数1/pの範囲は、
1/p0=(cosθsinβ0+sinθ(1−cosβ0))/λ<1/pのため
次の条件が得られる。
pcosθ×(d0/2L)<λ ・・・(4)
i)受光素子とパッドとの距離Lの選定
例えば、研磨パッドがIC1000の場合は、パッドのポア径は、40〜60μmのため、p<p0=30μmとして空間波長を評価する。また、レーザ波長λ=0.532μmとすると、
L>100×(30μm)2/4(0.532μm)≒43mmのため
例えば、受光素子とパッドとの距離L>50mmとすればよい。
ii)レーザスポット径d0の選定
評価不能領域の境界条件では、スポット径
d0<4(50mm)(0.532μm)/21/2(30μm)=2.5mm
例えば、スポット径d<2mmとすればよい。
図6は、レーザ波長(λ〔nm〕)と測定可能な空間波長(p〔μm〕)との関係を示すグラフである。
受光素子とパッドとの距離Lとレーザスポット径d0を決定するには、レーザ波長を選定する必要がある。図6に示すように、基本的にレーザの波長λが短いほど測定可能な研磨パッド形状の空間波長の限界p(式(1)のθ=0,β=90°の時でp≒λ)は小さくなる。
しかし、レーザ波長が短くなると、大気による光の散乱(レイリー散乱強度y∝λ−4)のため、光強度の減光率が大きくなり、被測定表面からの散乱光に対しての外乱になる恐れがある。
そこで、図に矢印で示すように、光強度の減少率を13.5%以下にしようとすると、測定に用いるレーザ波長を450nm(0.45μm)以上にする必要があり、その際に測定可能な空間波長は、θ=0とすると約0.45μm以上となる。また、同様に光強度の減少率を25%以下にするには、測定に用いるレーザ波長を400nm(0.4μm)以上にすればよい。
例えば、小型半導体レーザを用いれば、波長が450nmより大きく、最も近い波長で、一般的よく使われる532nmのレーザ光を使用できる。
図7は、レーザ光を研磨パッドに照射した時のパッドの表面で反射散乱した散乱光の強度分布を示す模式図である。図7中の各記号は図4で定義したとおりである。
図7に示す空間波長p3から空間波長p4までの第一の空間波長領域の散乱光強度の積分値に対する、空間波長p1から空間波長p2までの第二の空間波長領域の散乱光強度の積分値の比を次式で求める。
図8(a),(b)は、本手法で得られた光強度分布に基づき、各々の空間波長(横軸)範囲の光強度の積分値と観察領域全体の光強度の積分値(30μmまで)の比(波長構成比)と研磨レート(MRR)の相関値(縦軸)を示すグラフである。
図8(a),(b)は、異なったドレッサ(#325と#100)でドレッシングされた研磨パッドを用いて、最も測定範囲の広い30〜1.8μm、次に測定範囲の広い30〜2.8μm、測定範囲を狭くした30〜4μmの観察領域の場合の相関値の特性をまとめたものである。
図8(a),(b)に示すように、30〜1.8μmの広い空間波長範囲で演算した方が30〜2.8μmや30〜4μmの空間波長範囲で演算したものより、相関値が高くなる傾向が見られた。したがって、30〜1.8μmの空間波長範囲でのスペクトルの積分値をとった方が良い結果が得られることが分かる。
図9(a),(b)は、本手法で得られた光強度分布に基づき、各々の空間波長(横軸)範囲の光強度の積分値と観察領域全体の光強度の積分値(30μmまで)の比(波長構成比)と研磨レート(MRR)の相関値(縦軸)を示すグラフである。
パッド性状を把握するには相関係数値が0.7以上が望ましい。図9(a),(b)において高い相関係数である0.7以上で考慮すると、より広範囲での測定(1.8μm)のほうが、比較的に幅広い波長領域、およびより小さい空間波長pの相関係数が高い傾向にある。
したがって、図9(a),(b)に示す例では、空間波長範囲を以下の通りとする。
1.全体の空間波長領域は4〜30μmを含み、好ましくは、2〜30μmを含む。
2.#325でドレシングされたパッドの場合の空間波長領域:2(1.8)〜5μm
3.#100でドレシングされたパッドの場合の空間波長領域:9〜13μm
図10は、上記評価結果を示し、各々の空間波長範囲(横軸)における波長構成比率と研磨レート(MRR)の相関係数値(縦軸)を示すグラフである。
図10に示す例においては、高い相関係数である相関係数値0.7以上で考慮した場合、研磨に寄与する微細凹凸の空間波長範囲を10〜15μmに限定するとよいことが分かる。
なお、図8乃至図10で示す実験結果は、図1および図2に示す装置構成で求めたものである。
以上のように、光学的FFTによるパッド表面形状の空間波長に対応した反射光強度スペクトルに基いて、研磨レート(MRR)と強い相関のある数値を演算することができることがわかる。ところで、研磨パッド表面にはドレッシングにより生じる微細形状のほか、元々の研磨パッド表面に形成された形状、ポアが存在し、本手法により得られる散乱光強度分布は、このポアの形状も反映したものとなる。
ポアの底部は研磨される基板と直接接触するわけではなく、研磨レート(MRR)や、ドレッシングの状況を把握するには、このポアの形状による影響をできるだけ排除したほうが良い場合がある。
レーザ光は研磨パッド表面で全て反射されるわけではなく、一部はパッド内部に透過する。内部に透過したレーザ光は、研磨パッド内部の構造(ポアなど)によって散乱反射し、その研磨パッド内部での散乱反射光の一部は、研磨パッド表面で反射された散乱反射光と一緒になってしまう。研磨パッドの表面性状を測定するためには、内部に透過したレーザ光の影響を小さくした方が望ましい。レーザ光の物質表面での反射率は、レーザ光の入射角によって変わり、入射角が大きくなるほど反射率が高くなる傾向がある。したがって、研磨パッド表面でのレーザ光の反射率が50%以上となる入射角にすることが望ましい。
また、演算処理装置36は、上記ステップで得られたCMP性能と相関の強い数値を、予め定めた条件に照らしてCMPパラメータ、特にドレッシング条件(面圧、回転数、揺動パターン)を変更する機能を持つ。例えば、上記の数値、ドレッシング条件、CMP性能の三者の相関を表わす式を予め得ておき、ドレッシング後に測定される上記の数値をその式に代入することで、CMP性能が常に一定になるようなドレッシング条件を算出し、その条件を次回のドレッシング時に適用する機能等である。
図12(a)に示す例においては、基板を研磨した後に研磨パッド2をドレッシングし、パッド表面の測定を行う。次に、パッド表面指数を算出し、パッド表面指数が所定範囲内か否かを判断する。パッド表面指数が所定範囲内にない場合(NOの場合)には、次回のドレッシング条件を変更する。パッド表面指数が所定範囲内の場合(YESの場合)には、ドレッシング条件を変更せず、そのままの条件で次回のドレッシングを行う。
ドレッシング条件の変更例を表1に示す。
図13に示すように、基板の処理を開始して基板を研磨する。すなわち、研磨液供給ノズル3から研磨パッド2に研磨液(スラリー)を滴下し、キャリア10を回転させながら下降させて、基板Wを回転する研磨パッド2に所定の研磨圧力で押圧する。これによって、基板上の金属膜や絶縁膜の研磨を行う研磨工程を開始する。なお、研磨工程に併行してドレッシングを行うインサイチュウドレッシングを行ってもよい。
前記モニタリング工程の終了後に基板処理を完了する。なお、モニタリング工程は、研磨工程中に行ってもよく、またドレッシング工程中に行ってもよい。
1a テーブル軸
2 研磨パッド
2a 研磨面
3 研磨液供給ノズル
10 キャリア
11 シャフト
12 キャリアアーム
20 ドレッシング装置
21 ドレッサーアーム
22 ドレッサー
22a ドレッシング部材
30 表面性状測定装置
31 レーザ光源
32 導光空間
33,34 ミラー
35 受光素子
36 演算処理装置
Claims (4)
- 基板に摺接して基板の被研磨面を研磨する研磨パッドの表面性状測定装置であって、
レーザ光を出射するレーザ光源と、
研磨パッドから反射散乱された散乱光を受光素子で受光することで光学的フーリエ変換により研磨パッドの表面形状に基いた空間波長スペクトルに相当する強度分布を得る受光素子を備え、
前記光源から出射された前記レーザ光は、前記研磨パッドの表面に直接入射され、かつ、前記研磨パッド表面に形成されたポア底部に到達しない入射角で照射されることを特徴とする研磨パッドの表面性状測定装置。 - 前記入射角は、45°以上であることを特徴とする請求項1記載の研磨パッドの表面性状測定装置。
- 前記入射角は、80°以上であることを特徴とする請求項2記載の研磨パッドの表面性状測定装置。
- 研磨対象物である基板を保持し前記研磨パッドに押圧するキャリアと、
前記研磨パッドを保持し、回転させる研磨テーブルと、
前記研磨パッドのドレッシングを行うドレッサーと、
請求項1乃至3のいずれか一項に記載の研磨パッドの表面性状測定装置とを備えることを特徴とする研磨装置。
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