JP2018065209A - 研磨パッドの表面性状測定装置 - Google Patents

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尚典 松尾
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恵友 鈴木
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一篤 坂本
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Abstract

【課題】種々の外乱等の影響を排除して研磨パッドの表面性状を正確に測定することができる研磨パッドの表面性状測定装置を提供する。【解決手段】表面性状測定装置12は、光を通さない筐体50と、筐体50に取り付けられた光学窓51と、レーザー光線を発するレーザー光源55と、レーザー光線を光学窓51を通じて研磨パッド1に導く入射光線ミラー57と、レーザー光線が研磨パッド1に当たったときに発生する散乱光の強度を測定する受光センサー59とを備える。レーザー光源55、入射光線ミラー57、および受光センサー59は、筐体50内に配置されている。【選択図】図4

Description

本発明は、半導体ウェーハ等の基板の研磨に用いられる研磨パッドの表面形状や表面状態などの表面性状を測定する研磨パッドの表面性状測定装置に関するものである。
近年、半導体デバイスの高集積化・高密度化に伴い、回路の配線がますます微細化し、多層配線の層数も増加している。回路の微細化を図りながら多層配線を実現しようとすると、下側の層の表面凹凸を踏襲しながら段差がより大きくなるので、配線層数が増加するに従って、薄膜形成における段差形状に対する膜被覆性(ステップカバレッジ)が悪くなる。したがって、多層配線するためには、このステップカバレッジを改善し、然るべき過程で平坦化処理しなければならない。また光リソグラフィの微細化とともに焦点深度が浅くなるため、半導体デバイスの表面の凹凸段差が焦点深度以下に収まるように半導体デバイス表面を平坦化処理する必要がある。
従って、半導体デバイスの製造工程においては、半導体デバイス表面の平坦化技術がますます重要になっている。この平坦化技術のうち、最も重要な技術は、化学的機械的研磨(CMP(Chemical Mechanical Polishing))である。この化学的機械的研磨は、研磨装置を用いて、シリカ(SiO)やセリア(CeO)等の砥粒を含んだ研磨液を研磨パッドに供給しつつ半導体ウェーハなどの基板を研磨パッドに摺接させて研磨を行うものである。
上述したCMPを行う研磨装置は、研磨パッドを有する研磨テーブルと、半導体ウェーハ(基板)を保持するためのキャリア又はトップリング等と称される基板保持装置とを備えている。このような研磨装置を用いて基板保持装置により基板を保持しつつ、この基板を研磨パッドに対して所定の圧力で押圧して、基板上の絶縁膜や金属膜を研磨することが行われている。
基板の研磨を行なうと、研磨パッドの表面には砥粒や研磨屑が付着し、また、研磨パッドの表面形状や状態が変化して研磨性能が劣化してくる。このため、基板の研磨を繰り返すに従い、研磨速度が低下し、また、研磨むらが生じてしまう。そこで、劣化した研磨パッドの表面形状や状態を再生するために、ドレッサーを用いて研磨パッドのドレッシング(コンディショニング)を行っている。
特開平9−119822号公報 特開2003−151934号公報 特開2012−137484号公報
櫛田高志,木村景一,カチョーンルンルアン・パナート,鈴木恵友著「光学的フーリエ変換に基づくCMP用ポリシングパッドの表面形状評価に関する研究(第二報)―測定装置の試作―」2012年度精密工学会春季大会学術講演会講演論文集,2012年3月14日頒布,p.823−824 櫛田高志,木村景一,カチョーンルンルアン・パナート,鈴木恵友著「光学的フーリエ変換に基づいたCMP用ポリシングパッドの表面形上評価に関する研究」2011年度精密工学会秋季大会学術講演会講演論文集,2011年9月20日頒布,p.159−160
CMP(化学的機械的研磨)においては、研磨パッドの表面形状や状態は研磨性能に与える影響が大きく、種々の測定方法により研磨パッドの表面形状、状態を測定して、ドレッシング条件や研磨条件に反映させることが提案されている。
上記非特許文献1及び2には、研磨パッドの表面にレーザー光を照射し、その散乱反射光を光学的FFT解析することにより研磨パッドの表面形状特性を測定可能であることが示唆されている。
研磨パッドの表面にレーザー光を照射し、その散乱反射光を用いて研磨パッドの表面形状や表面状態などの表面性状を測定するにあたって、種々の外乱等の影響があるため、散乱反射光を適切にセンシングすることが重要である。
本発明は、上述の事情に鑑みなされたもので、種々の外乱等の影響を排除して研磨パッドの表面性状を正確に測定することができる研磨パッドの表面性状測定装置および当該測定装置を備えた研磨装置を提供することを目的とする。
上述した目的を達成するために、本発明の一態様は、基板の研磨に使用される研磨パッドの表面性状測定装置であって、光を通さない筐体と、前記筐体に取り付けられた光学窓と、レーザー光線を発するレーザー光源と、前記レーザー光線を前記光学窓を通じて前記研磨パッドに導く入射光線ミラーと、前記レーザー光線が前記研磨パッドに当たったときに発生する散乱光の強度を測定する受光センサーとを備え、前記レーザー光源、前記入射光線ミラー、および前記受光センサーは、前記筐体内に配置されていることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記受光センサーを上下動させる上下動機構をさらに備えたことを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記上下動機構は、前記散乱光の0次光からn次光(nは予め定められた自然数)を前記受光センサーが受けることができる位置まで、前記受光センサーを上昇および/または下降させることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記研磨パッドの研磨面に気体の噴流を送る噴流ノズルをさらに備え、前記噴流ノズルは前記筐体に固定されていることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記光学窓と前記受光センサーとの間に配置されたバンドパスフィルターをさらに備えたことを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記バンドパスフィルターは、前記レーザー光線の波長を含む限られた範囲内の波長を持つ光のみを通過させるように構成されていることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記レーザー光源と前記光学窓との間に配置された減光フィルターをさらに備えたことを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記レーザー光源と前記光学窓との間に配置された偏光フィルターをさらに備えたことを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記研磨パッドの研磨面に平行な平面内で前記筐体を移動させる平行移動機構をさらに備えたことを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記研磨パッドからの散乱光を反射させ、前記受光センサーに導く散乱光ミラーをさらに備えたことを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記散乱光ミラーは、凹面ミラーであることを特徴とする。
本発明の一態様は、研磨パッドを支持する研磨テーブルと、基板を前記研磨パッドに押し付ける研磨ヘッドと、前記研磨パッドの表面性状を測定する上記表面性状測定装置とを備えたことを特徴とする研磨装置である。
本発明によれば、筐体は、レーザー光源や受光センサーを含む光学系をスラリーや純水などの液体から保護することができるのみならず、レーザー光線以外の光を遮ることができる。したがって、表面性状測定装置は、種々の外乱等の影響を排除して研磨パッドの表面性状を正確に測定することができる。上下動機構は、受光センサーが0次光からn次光までの散乱光を受けることができる最適な位置にまで受光センサーを移動させることができる。したがって、表面性状測定装置は、研磨パッドの表面性状を正確に測定することができる。
研磨パッドの表面性状測定装置を備えた研磨装置の一実施形態を示す模式平面図である。 図1に示す研磨装置を矢印Aの方向から見た側面図である。 図1に示す研磨装置を矢印Bの方向から見た側面図である。 測定ヘッドの断面図である。 散乱光のスペクトルを示す図である。 受光センサーが低すぎる位置にある場合に受光センサーが受けることができる散乱光の範囲を示す図である。 受光センサーが高すぎる位置にある場合に受光センサーが受けることができる散乱光の範囲を示す図である。 測定ヘッドの他の実施形態を示す図である。 測定ヘッドをドレッサーアームに固定した実施形態を示す図である。 測定ヘッドを研磨ヘッドアームに固定した実施形態を示す図である。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
図1は、研磨パッドの表面性状測定装置を備えた研磨装置の一実施形態を示す模式平面図である。
研磨装置は、研磨面1aを有する研磨パッド1を支持する研磨テーブル2と、基板の一例であるウェーハWを研磨するための研磨ヘッド5と、研磨パッド1上にスラリーまたは純水を選択的に供給する処理液供給ノズル7と、研磨パッド1の研磨面1aをドレッシング(またはコンディショニング)するドレッサー10と、研磨パッド1の表面性状を測定する表面性状測定装置12とを備えている。
図2は、図1に示す研磨装置を矢印Aの方向から見た側面図であり、図3は、図1に示す研磨装置を矢印Bの方向から見た側面図である。説明のために、図2では、表面性状測定装置12および処理液供給ノズル7の図示は省略されており、図3では、研磨ヘッド5および処理液供給ノズル7の図示は省略されている。
研磨テーブル2はテーブル軸2aを介してテーブルモータ15に連結されている。研磨テーブル2および研磨パッド1はその軸心を中心にテーブルモータ15によって回転されるように構成されている。研磨パッド1の上面は、ウェーハWを研磨するための上記研磨面1aを構成している。処理液供給ノズル7は、研磨テーブル2および研磨パッド1の上方に配置されており、研磨パッド1の研磨面1a上にスラリーまたは純水を選択的に供給するように構成されている。
研磨ヘッド5は、その下面にウェーハWを真空吸引などにより保持することができるように構成されている。研磨ヘッド5は研磨ヘッドアーム18に回転可能に支持されている。研磨ヘッド5は、研磨ヘッドアーム18内に設置された研磨ヘッド回転機構(図示せず)に連結されており、研磨ヘッド5はその軸心を中心に研磨ヘッド回転機構によって回転されるようになっている。
研磨ヘッドアーム18は、研磨ヘッド旋回軸19に固定されている。この研磨ヘッド旋回軸19は、研磨ヘッド旋回機構21および研磨ヘッド上下動機構23に連結されている。研磨ヘッド上下動機構23は、研磨ヘッド旋回軸19、研磨ヘッドアーム18、および研磨ヘッド5を一体に上下動させることが可能に構成されている。研磨ヘッド旋回機構21は、研磨ヘッド旋回軸19を所定の角度だけ時計回りおよび反時計回りに回転させるように構成されている。研磨ヘッド旋回機構21が研磨ヘッド旋回軸19を回転させると、研磨ヘッドアーム18および研磨ヘッド5は、研磨面1aと平行な平面内で旋回する。より具体的には、研磨ヘッド5は、研磨パッド1の上方の研磨位置と、研磨パッド1の外側のウェーハ受け渡し位置(基板受け渡し位置)との間を移動可能となっている。
ドレッサー10はドレッサーアーム27に回転可能に支持されている。ドレッサー10は、ドレッサーアーム27内に設置されたドレッサー回転機構(図示せず)に連結されており、ドレッサー10はその軸心を中心にドレッサー回転機構によって回転されるようになっている。ドレッサー10の底部にはダイヤモンド粒子などの砥粒が固定されており、この砥粒は研磨面1aをドレッシングするためのドレッシング面を構成する。
ドレッサーアーム27は、ドレッサー旋回軸29に固定されている。このドレッサー旋回軸29は、ドレッサー旋回機構31およびドレッサー上下動機構33に連結されている。ドレッサー上下動機構33は、ドレッサー旋回軸29、ドレッサーアーム27、およびドレッサー10を一体に上下動させることが可能に構成されている。ドレッサー旋回機構31は、ドレッサー旋回軸29を所定の角度だけ時計回りおよび反時計回りに回転させるように構成されている。ドレッサー旋回機構31がドレッサー旋回軸29を回転させると、ドレッサーアーム27およびドレッサー10は、研磨面1aと平行な平面内で旋回する。より具体的には、ドレッサー10は、研磨パッド1の研磨面1aの中心側領域と外側領域との間を往復移動可能となっている。
ウェーハWは次のようにして研磨される。研磨ヘッド5はその下面にウェーハWを保持し、研磨パッド1の研磨面1aの上方の研磨位置に移動する。研磨ヘッド5は、その軸心を中心に研磨ヘッド回転機構(図示せず)により回転される。研磨テーブル2および研磨パッド1は、テーブルモータ15により回転され、さらに処理液供給ノズル7からスラリーが研磨パッド1の研磨面1a上に供給される。研磨ヘッド5は、その軸心を中心に回転しながら、ウェーハWの表面を研磨パッド1の研磨面1aに対して押し付ける。ウェーハWの表面は、スラリーの存在下で研磨パッド1に摺接され、スラリーに含まれる砥粒の機械的作用と、スラリーの化学的作用とにより研磨される。
ウェーハWの研磨前および/または研磨後に、研磨パッド1の研磨面1aのドレッシング(またはコンディショニング)が行われる。具体的には、ドレッサー10は、その軸心を中心にドレッサー回転機構(図示せず)により回転され、ドレッサー10のドレッシング面(下面)はドレッサー上下動機構33により研磨パッド1の研磨面1aに対して押し付けられる。純水を処理液供給ノズル7から研磨パッド1の研磨面1aに供給しながら、ドレッサー旋回機構31によりドレッサー10は研磨面1a上を研磨パッド1の半径方向に往復移動する。回転するドレッサー10のドレッシング面は、研磨パッド1の研磨面1aを僅かに削り取ることで、研磨面1aを再生する。一実施形態では、ドレッサー10は、ウェーハWの研磨中に研磨パッド1の研磨面1aをドレッシングしてもよい。
研磨パッド1の表面性状測定装置12は、測定ヘッド41とデータ処理部42を備えている。測定ヘッド41は、研磨パッド1の研磨面1aの上方に配置されている。測定ヘッド41は、研磨面1aに平行な平面内で測定ヘッド41を移動させる平行移動機構44、および測定ヘッド41を上下動させる上下動機構45に連結されている。平行移動機構44は、測定ヘッド41を支持する支持構造体48と、支持構造体48に連結された回転アクチュエータ49とを備えている。回転アクチュエータ49は、研磨テーブル2の外側に配置されている。回転アクチュエータ49は、モータおよびトルク伝達機構(例えば減速ギヤ)の組み合わせ等から構成される。
支持構造体48は、研磨テーブル2の外側から研磨テーブル2の上方位置まで延びている。支持構造体48は、アーム、ブロック、トラス構造、ラーメン構造などの剛性のある構成を有していれば、特に限定されない。支持構造体48の一端は上下動機構45に連結され、支持構造体48の他端は回転アクチュエータ49に連結されている。
本実施形態では、上下動機構45は、研磨テーブル2および研磨パッド1の上方に配置されており、測定ヘッド41は上下動機構45に連結され、かつ支持されている。上下動機構45は、サーボモータとボールねじ機構との組み合わせから構成されてもよい。一実施形態では、上下動機構45は、回転アクチュエータ49に接続され、回転アクチュエータ49、支持構造体48、および測定ヘッド41を一体に上下動させてもよい。
回転アクチュエータ49は、支持構造体48を所定の角度だけ時計回りおよび反時計回りに回転させるように構成されている。回転アクチュエータ49が支持構造体48を回転させると、測定ヘッド41は研磨パッド1の研磨面1aの上方を研磨面1aと平行な方向に移動する。本実施形態では、測定ヘッド41は、研磨パッド1の半径方向に移動する。平行移動機構44は、測定ヘッド41を予め設定された測定位置まで移動させることができる。上下動機構45は、測定ヘッド41を所望の高さにまで上昇または下降させることができる。測定ヘッド41は、上記測定位置において、研磨パッド1の研磨面1aの性状を測定する。研磨面1aの性状の具体例としては、表面形状が挙げられる。
図4は、測定ヘッド41の断面図である。測定ヘッド41は、赤外線、可視光線、紫外線を含む光を通さない筐体50と、筐体50の底部に固定された光学窓51を備えている。光学窓51は光の通過を許容する透明な材料から構成されている。光学窓51は、測定ヘッド41の底部を構成し、研磨パッド1の研磨面1aに対向している。光は、光学窓51のみを通じて筐体50の内部空間に入ることができる。筐体50は、上述した平行移動機構44および上下動機構45に連結されている。
測定ヘッド41は、筐体50内に配置されたレーザー光源55、入射光線ミラー57、および受光センサー59をさらに備えている。レーザー光源55は、入射光線ミラー57を向いて配置されており、レーザー光線を入射光線ミラー57に向けて発するように構成されている。レーザー光線は入射光線ミラー57で反射し、透明窓である光学窓51を通って研磨パッド1の研磨面1aに導かれる。入射光線ミラー57は、レーザー光線の反射角度を変えることができるように、回転軸58を中心に回転可能に構成されている。レーザー光線は、研磨面1aで反射および散乱し、散乱光を形成する。この散乱光は、測定ヘッド41に向かって進む。
研磨パッド1の研磨面1aからの散乱光は、光学窓51を通過し、受光センサー59によって検出される。受光センサー59は、散乱光の強度を測定することができるように構成されている。受光センサー59は、CCDセンサー、CMOSセンサーなどのイメージセンサーから構成されている。
本実施形態では、レーザー光源55と光学窓51との間に、偏光フィルター61および減光フィルター(neutral-density filter またはNDフィルター)62が配置されている。偏光フィルター61は、ある特定の方向に振動する光のみを通過させる光学フィルターである。減光フィルター62は、光を減じる光学フィルターである。偏光フィルター61および減光フィルター62は、筐体50内に配置されている。レーザー光源55から発せられたレーザー光線は、偏光フィルター61および減光フィルター62を通って入射光線ミラー57に当たる。したがって、ある特定の方向に振動した、弱められたレーザー光線が研磨パッド1の研磨面1aに導かれる。
偏光フィルター61を設ける理由は、次の通りである。入射するレーザー光線のp偏光成分の反射率は、s偏光成分の反射率よりも低い。さらに、p偏光成分は研磨パッド1を透過しやすく、または研磨パッド1に吸収されやすい。本実施形態の表面性状測定装置12には、研磨パッド1の最表層の性状を測定することが望まれる。入射するレーザー光線がp偏光成分を含むと、研磨パッド1の内部の空孔で散乱する成分が多くなる。その結果、受光センサー59で検出される散乱光には、研磨パッドの1の表面性状を反映した成分のみならず、研磨パッド1の内部で発生した散乱成分が外乱として含まれてしまう。
そこで、本実施形態では、p偏光成分を除去するために、偏光フィルター61が設けられている。この偏光フィルター61は、入射面(入射するレーザー光線を含み、かつ研磨パッド1の研磨面1aに垂直な平面)に垂直な方向に振動する光成分のみを通過させる光学フィルターである。レーザー光線を偏光フィルター61に通すことで、s偏光成分のみを含むレーザー光線を研磨パッド1に照射することができる。結果として、受光センサー59は、研磨パッド1の内部で発生した散乱成分を含まない散乱光を検出することができる。
減光フィルター62を設ける理由は、次の通りである。受光センサー59には、検出可能な光の強度の上限が存在する。上限を超えた強度の光を受光センサー59が受光すると、検出された光の強度は飽和してしまい、表面性状測定装置12は研磨パッド1の表面性状を正しく測定できない。そこで、レーザー光線を減光フィルター62に通すことで、受光センサー59での光の強度の飽和を防止することができ、表面性状測定装置12は研磨パッド1の表面性状を正しく測定することができる。
本実施形態では、偏光フィルター61および減光フィルター62は、レーザー光源55と入射光線ミラー57との間に配置されている。一実施形態では、偏光フィルター61および減光フィルター62の一方または両方は、入射光線ミラー57と光学窓51との間に配置されてもよい。
本実施形態では、測定ヘッド41は、受光センサー59の受光面を覆うバンドパスフィルター65をさらに備えている。このバンドパスフィルター65は、筐体50内に配置されており、光学窓51と受光センサー59との間に配置されている。バンドパスフィルター65は、レーザー光源55から発せられたレーザー光線の波長を含む限られた範囲内の波長の光のみを通過させるように構成されている。一実施形態では、バンドパスフィルター65は、レーザー光線と実質的に同じ波長の光のみを通過させるように構成されてもよい。このようなバンドパスフィルター65は、自然光などの外乱となりうる、レーザー光線以外の光を除去することができる。
測定ヘッド41は、研磨パッド1の研磨面1aに気体の噴流を送る噴流ノズル69を備えている。この噴流ノズル69は、筐体50の底部に固定されており、光学窓51に近接している。噴流ノズル69は、下方に傾いている。噴流ノズル69が気体の噴流を研磨面1aに衝突させることで、スラリーおよび/または純水を研磨面1aから除去することができる。使用される気体の例としては、清浄な空気、または窒素ガスなどの不活性ガスが挙げられる。本実施形態によれば、測定ヘッド41は、気体の噴流によってスラリーおよび/または純水を研磨面1aから除去しながら、レーザー光線を研磨面1aに照射することができる。したがって、表面性状測定装置12は、スラリーおよび/または純水の影響を受けることなく、研磨パッド1の表面性状を正確に測定することができる。
本実施形態では、測定ヘッド41を構成する筐体50、光学窓51、レーザー光源55、入射光線ミラー57、受光センサー59、偏光フィルター61、減光フィルター62、バンドパスフィルター65、および噴流ノズル69は、平行移動機構44によって一体に移動され、上下動機構45によって一体に上下動される。
測定ヘッド41の受光センサー59は、データ処理部42に接続されており、受光センサー59によって取得された測定データはデータ処理部42に送られるようになっている。データ処理部42は、散乱光の測定データから散乱光のスペクトルを生成し、該スペクトルからパッド表面指数を算出するように構成される。測定データには、受光センサー59の受光位置(すなわち、ピクセル位置)、および各受光位置での散乱光の強度が含まれる。データ処理部42は、測定データから、図5に示すような、散乱光のスペクトルを生成する。図5の縦軸は、散乱光の強度を表し、横軸は、受光センサー59の受光位置を表している。図5に示すスペクトルは、散乱光の強度分布を示すパワースペクトルである。
上記非特許文献1,2に記載されているように、散乱光のスペクトルは、研磨パッド1の表面形状に対して空間的フーリエ変換(あるいは空間的高速フーリエ変換)を行って得られるスペクトルに相当する。図5に示す横軸に示される受光センサー59の受光位置は、研磨パッド1の表面形状の空間波長に相当する。
データ処理部42は、図5に示す散乱光のスペクトルに公知の処理を行って、パッド表面指数を求める。この公知の処理は、特定空間波長領域の散乱光強度の積分値の算出、または第一の空間波長領域の積分値に対する、第二の空間波長領域の積分値の比の算出などである。パッド表面指数は、研磨パッド1の研磨面1aの表面性状、すなわち研磨パッド1の研磨性能を示している。
研磨パッド1の研磨性能を正しく示すパッド表面指数を算出するためには、適切な角度範囲で反射した散乱光を受光センサー59が受ける必要がある。具体的には、受光センサー59は、0次光から7次光前後の散乱光を受けることが好ましい。整数次光は、図5に示すように、特徴的なピークとしてスペクトル上に現れる。
受光センサー59が受けることができる散乱光の範囲は、研磨パッド1の研磨面1aからの受光センサー59の高さに従って変わる。例えば、図6に示すように、受光センサー59が低すぎる位置にある場合、受光センサー59は高次光を受けることができない。一方、図7に示すように、受光センサー59が高すぎる位置にある場合、受光センサー59は低次光を受けることができない。図4に示す受光センサー59は、0次光から高次光までの散乱光を受けることができる。つまり、受光センサー59が0次光から高次光までの散乱光を受けることができる受光センサー59の最適な高さが存在する。
そこで、上下動機構45は、散乱光の0次光からn次光(nは予め定められた自然数)を受光センサー59が受けることができる位置まで、受光センサー59を含む測定ヘッド41の全体を上昇および/または下降させるように構成されている。より具体的には、レーザー光源55から研磨パッド1の研磨面1aにレーザー光線を照射し、研磨面1aからの散乱光を受光センサー59で検出しながら、受光センサー59の予め定められた最適受光位置に、最高強度の散乱光(0次光が最高強度を有する)が入射するまで、上下動機構45は測定ヘッド41を上昇および/または下降させる。上記最適受光位置は、最高強度の散乱光が最適受光位置に入射するときに、受光センサー59が0次光からn次光までの散乱光を受けることができる位置である。
このように研磨面1aからの受光センサー59の高さを調整することによって、受光センサー59は、0次光から高次光までの散乱光を受けることができる。一実施形態では、上下動機構45は、筐体50内に配置され、受光センサー59を上昇および/または下降させるように構成されてもよい。
図8は、測定ヘッド41の他の実施形態を示す図である。特に説明しない本実施形態の構成は、上述した実施形態と同じであるので、その重複する説明を省略する。この実施形態では、光学窓51と受光センサー59との間に散乱光ミラー70が配置されている。この散乱光ミラー70は、筐体50内に配置されている。研磨パッド1からの散乱光は、光学窓51を通過した後、散乱光ミラー70で反射し、受光センサー59に導かれる。このような配置によれば、筐体50内における受光センサー59の配置の自由度が増し、測定ヘッド41を小型化することができる。
一実施形態では、上記散乱光ミラー70は、凹面ミラーであってもよい。凹面ミラーからなる散乱光ミラー70は、散乱光を集束させることができる。したがって、受光センサー59として、より小型の受光センサーを使用することができ、測定ヘッド41の小型化に寄与する。
図9は、測定ヘッド41をドレッサーアーム27に固定した実施形態を示す図である。測定ヘッド41は、ドレッサー10とともに研磨パッド1の上方を移動する。この実施形態では、測定ヘッド41を研磨面1aと平行な平面内で移動させる平行移動機構は、ドレッサーアーム27、ドレッサー旋回軸29(図2参照)、およびドレッサー旋回機構31(図2参照)により構成され、測定ヘッド41を上下動させる上下動機構は、ドレッサー上下動機構33(図2参照)により構成される。
図10は、測定ヘッド41を研磨ヘッドアーム18に固定した実施形態を示す図である。測定ヘッド41は、研磨ヘッド5ともに研磨パッド1の上方を移動する。この実施形態では、測定ヘッド41を研磨面1aと平行な平面内で移動させる平行移動機構は、研磨ヘッドアーム18、研磨ヘッド旋回軸19(図2参照)、および研磨ヘッド旋回機構21(図2参照)により構成され、測定ヘッド41を上下動させる上下動機構は、研磨ヘッド上下動機構23(図2参照)により構成される。
上述した実施形態は、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を実施できることを目的として記載されたものである。上記実施形態の種々の変形例は、当業者であれば当然になしうることであり、本発明の技術的思想は他の実施形態にも適用しうる。したがって、本発明は、記載された実施形態に限定されることはなく、特許請求の範囲によって定義される技術的思想に従った最も広い範囲に解釈されるものである。
1a 研磨面
1 研磨パッド
2 研磨テーブル
5 研磨ヘッド
7 処理液供給ノズル
10 ドレッサー
12 表面性状測定装置
15 テーブルモータ
18 研磨ヘッドアーム
19 研磨ヘッド旋回軸
21 研磨ヘッド旋回機構
23 研磨ヘッド上下動機構
27 ドレッサーアーム
29 ドレッサー旋回軸
31 ドレッサー旋回機構
33 ドレッサー上下動機構
41 測定ヘッド
42 データ処理部
44 平行移動機構
45 上下動機構
48 支持構造体
49 回転アクチュエータ
50 筐体
51 光学窓
55 レーザー光源
57 入射光線ミラー
58 回転軸
59 受光センサー
61 偏光フィルター
62 減光フィルター
65 バンドパスフィルター
70 散乱光ミラー

Claims (12)

  1. 基板の研磨に使用される研磨パッドの表面性状測定装置であって、
    光を通さない筐体と、
    前記筐体に取り付けられた光学窓と、
    レーザー光線を発するレーザー光源と、
    前記レーザー光線を前記光学窓を通じて前記研磨パッドに導く入射光線ミラーと、
    前記レーザー光線が前記研磨パッドに当たったときに発生する散乱光の強度を測定する受光センサーとを備え、
    前記レーザー光源、前記入射光線ミラー、および前記受光センサーは、前記筐体内に配置されていることを特徴とする表面性状測定装置。
  2. 前記受光センサーを上下動させる上下動機構をさらに備えたことを特徴とする請求項1に記載の表面性状測定装置。
  3. 前記上下動機構は、前記散乱光の0次光からn次光(nは予め定められた自然数)を前記受光センサーが受けることができる位置まで、前記受光センサーを上昇および/または下降させることを特徴とする請求項2に記載の表面性状測定装置。
  4. 前記研磨パッドの研磨面に気体の噴流を送る噴流ノズルをさらに備え、前記噴流ノズルは前記筐体に固定されていることを特徴とする請求項1に記載の表面性状測定装置。
  5. 前記光学窓と前記受光センサーとの間に配置されたバンドパスフィルターをさらに備えたことを特徴とする請求項1に記載の表面性状測定装置。
  6. 前記バンドパスフィルターは、前記レーザー光線の波長を含む限られた範囲内の波長を持つ光のみを通過させるように構成されていることを特徴とする請求項5に記載の表面性状測定装置。
  7. 前記レーザー光源と前記光学窓との間に配置された減光フィルターをさらに備えたことを特徴とする請求項1に記載の表面性状測定装置。
  8. 前記レーザー光源と前記光学窓との間に配置された偏光フィルターをさらに備えたことを特徴とする請求項1に記載の表面性状測定装置。
  9. 前記研磨パッドの研磨面に平行な平面内で前記筐体を移動させる平行移動機構をさらに備えたことを特徴とする請求項1に記載の表面性状測定装置。
  10. 前記研磨パッドからの散乱光を反射させ、前記受光センサーに導く散乱光ミラーをさらに備えたことを特徴とする請求項1に記載の表面性状測定装置。
  11. 前記散乱光ミラーは、凹面ミラーであることを特徴とする請求項10に記載の表面性状測定装置。
  12. 研磨パッドを支持する研磨テーブルと、
    基板を前記研磨パッドに押し付ける研磨ヘッドと、
    前記研磨パッドの表面性状を測定する、請求項1乃至11のいずれか一項に記載の表面性状測定装置とを備えたことを特徴とする研磨装置。

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020190869A1 (en) * 2019-03-21 2020-09-24 Applied Materials, Inc. Monitoring of polishing pad texture in chemical mechanical polishing
CN113070809A (zh) * 2019-12-17 2021-07-06 大量科技股份有限公司 化学机械研磨装置的研磨垫检测方法与研磨垫检测装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102580487B1 (ko) * 2018-06-18 2023-09-21 주식회사 케이씨텍 패드 모니터링 장치 및 이를 포함하는 패드 모니터링 시스템, 패드 모니터링 방법

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000271854A (ja) * 1999-03-25 2000-10-03 Hitachi Ltd 加工方法及びその装置並びに半導体基板の加工方法
JP2001223190A (ja) * 2000-02-08 2001-08-17 Hitachi Ltd 研磨パッドの表面状態評価方法及びその装置とそれを用いた薄膜デバイスの製造方法及びその製造装置
JP2002261059A (ja) * 2001-03-01 2002-09-13 Omron Corp 研磨状態検出装置
US7002677B2 (en) * 2003-07-23 2006-02-21 Kla-Tencor Technologies Corporation Darkfield inspection system having a programmable light selection array
EP1747434B1 (en) * 2004-05-14 2011-07-27 KLA-Tencor Technologies Corporation Systems for measurement or analysis of a specimen using vuv light
JP2010120130A (ja) * 2008-11-20 2010-06-03 Disco Abrasive Syst Ltd 研磨装置、研磨方法および研磨用制御プログラム
JP5699597B2 (ja) * 2010-12-28 2015-04-15 株式会社Sumco 両面研磨装置
JP6066192B2 (ja) * 2013-03-12 2017-01-25 株式会社荏原製作所 研磨パッドの表面性状測定装置
JP2015208840A (ja) * 2014-04-30 2015-11-24 株式会社荏原製作所 研磨装置、研磨パッドプロファイル計測用治具、及び、研磨パッドプロファイル計測方法
US10369675B2 (en) * 2015-01-07 2019-08-06 Ebara Corporation CMP apparatus having polishing pad surface property measuring device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020190869A1 (en) * 2019-03-21 2020-09-24 Applied Materials, Inc. Monitoring of polishing pad texture in chemical mechanical polishing
US11731238B2 (en) 2019-03-21 2023-08-22 Applied Materials, Inc. Monitoring of polishing pad texture in chemical mechanical polishing
CN113070809A (zh) * 2019-12-17 2021-07-06 大量科技股份有限公司 化学机械研磨装置的研磨垫检测方法与研磨垫检测装置

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