WO2022158284A1 - 研磨パッドの表面性状測定装置、研磨パッドの表面性状測定方法、および研磨パッドの表面性状判定方法 - Google Patents

研磨パッドの表面性状測定装置、研磨パッドの表面性状測定方法、および研磨パッドの表面性状判定方法 Download PDF

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light
polishing
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浩平 大島
尚典 松尾
利文 金馬
暢行 ▲高▼田
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株式会社荏原製作所
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    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment

Definitions

  • the present invention relates to a polishing pad surface texture measuring apparatus, a polishing pad surface texture measuring method, and a polishing pad surface texture determining method used for polishing a substrate such as a semiconductor wafer.
  • step coverage worsens. Therefore, in order to achieve multi-layer wiring, the step coverage must be improved and planarization processing must be performed in a proper process. Further, since the depth of focus becomes shallower as the optical lithography becomes finer, it is necessary to planarize the surface of the semiconductor device so that the unevenness of the surface of the semiconductor device is kept below the depth of focus.
  • CMP chemical mechanical polishing
  • a polishing apparatus is used to polish a substrate such as a semiconductor wafer by slidingly contacting the polishing pad while supplying a polishing liquid to the polishing pad.
  • the polishing liquid is, for example, slurry containing abrasive grains such as silica (SiO 2 ) and ceria (CeO 2 ).
  • a polishing apparatus for performing CMP (Chemical Mechanical Polishing) described above includes a polishing table having a polishing pad and a substrate holding device called a polishing head or the like for holding a semiconductor wafer (substrate). Such a polishing apparatus is used to polish an insulating film, a metal film, or the like on a substrate by pressing the substrate against a polishing pad with a predetermined pressure while holding the substrate by a substrate holding device. ing.
  • CMP Chemical Mechanical Polishing
  • polishing pad When the substrate is polished, abrasive grains and polishing dust adhere to the surface of the polishing pad, and the surface shape and condition of the polishing pad change, degrading the polishing performance. Therefore, as the polishing of the substrate is repeated, the polishing speed decreases and polishing unevenness occurs. Therefore, in order to reproduce the surface shape and condition of the deteriorated polishing pad, dressing (conditioning) of the polishing pad is performed using a dresser.
  • the surface shape and condition of the polishing pad that is, the surface texture of the polishing pad, is one of the factors that determine CMP performance. Therefore, it is desirable to directly measure the surface properties of the polishing pad and reflect the measured values in the dressing conditions. Therefore, in a conventional polishing apparatus, a device for directly measuring the surface properties of the polishing pad is used to determine the dressing conditions.
  • a surface texture measuring apparatus an apparatus for measuring the surface texture of a polishing pad.
  • an object of the present invention is to provide a polishing pad surface texture measuring apparatus and a polishing pad surface texture measuring method that can improve the accuracy of measuring the surface texture of a polishing pad.
  • a further object of the present invention is to provide a method capable of accurately determining the surface properties of a polishing pad.
  • a surface texture measuring apparatus for a polishing pad used for polishing a substrate, wherein the polishing pad is irradiated with light from a plurality of directions when the polishing pad is viewed from the polishing surface side of the polishing pad. and a light receiving unit capable of receiving reflected light from a plurality of directions reflected by the surface of the polishing pad.
  • the surface texture measuring apparatus further includes an irradiation direction changing mechanism that changes the irradiation direction of the light.
  • the irradiation direction changing mechanism includes a rotary motor that rotates the light projecting section and the light receiving section, and a shaft coupled to the rotary motor.
  • the light projecting section includes a plurality of light sources arranged facing different directions
  • the light receiving section includes a plurality of light receiving elements arranged facing different directions.
  • the surface texture measuring apparatus further includes a data processing section electrically connected to the light receiving section, and the data processing section receives a plurality of lights irradiated onto the polishing pad from a plurality of directions different from each other. The intensity distribution of a plurality of reflected lights from the polishing pad is used to acquire an index value that indirectly indicates the surface properties of the polishing pad.
  • a polishing pad is irradiated with light from a plurality of irradiation directions different from each other, a plurality of reflected lights from the polishing pad corresponding to each of the plurality of lights irradiated to the polishing pad are received, and a plurality of reflected lights are received.
  • a method for measuring the surface texture of a polishing pad is provided, which is the direction when viewed from the polishing surface side of the polishing pad.
  • the polishing pad is irradiated with light from a plurality of irradiation directions different from each other, and the plurality of reflected lights from the polishing pad corresponding to each of the plurality of lights irradiated to the polishing pad are received.
  • the step includes irradiating the polishing pad with the light while changing the irradiation direction of the light, and receiving each reflected light from the polishing pad of the light in each irradiation direction.
  • the polishing pad is irradiated with light from a plurality of irradiation directions different from each other, and the plurality of reflected lights from the polishing pad corresponding to each of the plurality of lights irradiated to the polishing pad are received.
  • the step includes irradiating the polishing pad with light from a plurality of irradiation directions using a plurality of light sources, and transmitting a plurality of reflected lights from the polishing pad corresponding to the plurality of lights irradiated to the polishing pad to a plurality of light receiving elements. receiving light at.
  • a method for determining the surface properties of a polishing pad is provided, wherein the obtaining step includes the step of irradiating the surface of the polishing pad with a laser beam and receiving reflected light from the polishing pad.
  • the step of calculating a wavelength composition ratio that indirectly indicates the surface properties of the polishing pad from the plurality of intensity distributions obtained at the plurality of locations includes calculating the wavelength composition ratio from each of the plurality of intensity distributions. and calculating a plurality of wavelength composition ratios. In one aspect, the step of calculating a wavelength composition ratio that indirectly indicates the surface properties of the polishing pad from the plurality of intensity distributions obtained at the plurality of locations includes averaging the plurality of intensity distributions, and averaging the plurality of intensity distributions. and calculating the wavelength composition ratio from the intensity distribution of the reflected light.
  • the step of determining whether the surface texture of the polishing pad is good or bad based on the calculated wavelength composition ratios includes determining whether the plurality of calculated wavelength composition ratios are within a predetermined reference range. and determining that the surface properties of the polishing pad are good when all of the calculated plurality of wavelength composition ratios are within a predetermined reference range.
  • the step of determining whether the surface texture of the polishing pad is good or bad based on the calculated wavelength composition ratios includes calculating an average value of the plurality of calculated wavelength composition ratios, comparing a predetermined threshold value and confirming whether or not the calculated plurality of wavelength composition ratios are within a predetermined reference range, the average value being smaller than the threshold value, and determining that the surface properties of the polishing pad are good when all of the calculated plurality of wavelength composition ratios are within the reference range.
  • the step of determining whether the surface texture of the polishing pad is good or bad based on the calculated wavelength composition ratios includes calculating an average value of the plurality of calculated wavelength composition ratios, comparing a predetermined threshold value and confirming whether or not the calculated plurality of wavelength composition ratios are within a predetermined reference range, the average value being greater than the threshold value, and determining that the surface properties of the polishing pad are good when all of the calculated plurality of wavelength composition ratios are within the reference range.
  • the method further includes the step of terminating the break-in of the polishing pad when it is determined that the surface properties of the polishing pad are good.
  • the present invention it is possible to acquire intensity distributions of a plurality of reflected lights from the polishing pad of a plurality of lights irradiated to the polishing pad from a plurality of directions different from each other. As a result, it is possible to improve the measurement accuracy of the surface texture of the polishing pad. Furthermore, according to the present invention, by acquiring the intensity distribution of the reflected light from the polishing pad at a plurality of points on the surface of the polishing pad, it is possible to evaluate the surface properties of the polishing pad including in-plane variations. Thereby, the surface properties of the polishing pad can be determined with high accuracy.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing an embodiment of a polishing apparatus equipped with a polishing pad surface texture measuring device; 1 is a schematic diagram showing an embodiment of an internal structure (measurement structure) of a measurement head; FIG. FIG. 4 is a schematic diagram showing another embodiment of the internal structure of the measuring head; It is a figure explaining the reflected light from a polishing pad.
  • FIG. 4 is a schematic diagram showing the spatial wavelength spectrum of the surface of the polishing pad;
  • FIG. 4 is a perspective view schematically showing one embodiment in which the measuring head is arranged at the measuring position;
  • FIG. 7A is a front view of the measuring head.
  • FIG. 7B is a bottom view of the measuring head.
  • FIG. 7 is a schematic diagram showing an enlarged periphery of the measuring head shown in FIG. 6.
  • FIG. 4 is a flow chart showing an embodiment of a surface texture determination method;
  • FIG. 4 is a diagram showing an example of multiple measurement points on the surface of a polishing pad;
  • 4 is a graph showing an example of a wavelength composition ratio for each processing condition of a polishing pad during break-in.
  • FIG. 12A is a diagram comparing the wavelength composition ratio under condition 1 in FIG. 11 with a predetermined reference range and a predetermined threshold.
  • FIG. 12B is a diagram comparing the wavelength composition ratio under condition 6 in FIG. 11 with a predetermined reference range and a predetermined threshold.
  • FIG. 12C is a diagram comparing the wavelength composition ratio under condition 10 in FIG.
  • FIG. 11 is a flow chart showing another embodiment of a surface texture determination method
  • FIG. 10 is a diagram showing the result of measuring the surface properties of the polishing pad 2 after dressing under predetermined dressing conditions while polishing the substrate W, and calculating the wavelength composition ratio.
  • FIG. 4 is a schematic diagram showing another embodiment of the surface texture measuring device;
  • FIG. 10 is a diagram showing a state when the light projecting section and the light receiving section are rotated about their axes; 4 is a flow chart showing an embodiment of a polishing pad surface texture measuring method.
  • 4 is a graph showing the intensity distribution of reflected light from the polishing pad when the irradiation angle is 0°; 4 is a graph showing the intensity distribution of reflected light from the polishing pad when the irradiation angle is 45°; 4 is a graph showing the intensity distribution of reflected light from the polishing pad when the irradiation angle is 90°.
  • FIG. 4 is a graph showing the intensity distribution of reflected light from the polishing pad when the irradiation angle is 135°; 4 is a graph showing the intensity distribution of reflected light from the polishing pad when the irradiation angle is 180°; 4 is a graph showing the intensity distribution of reflected light from the polishing pad when the irradiation angle is 225°; 4 is a graph showing the intensity distribution of reflected light from the polishing pad when the irradiation angle is 270°; 4 is a graph showing the intensity distribution of reflected light from the polishing pad when the irradiation angle is 315°; FIG. 3 is a schematic diagram showing still another embodiment of the surface texture measuring device; 27 is a top view of the measuring head shown in FIG. 26; FIG.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing an embodiment of a polishing apparatus equipped with a polishing pad surface texture measuring apparatus.
  • a polishing apparatus CMP apparatus holds a polishing table 1 supporting a polishing pad 2, and a substrate W such as a semiconductor wafer, which is an object to be polished, and presses it against the polishing pad on the polishing table.
  • a polishing head 10 a dressing device 20 for dressing the polishing pad 2, a polishing pad surface property measuring device 30 for measuring surface properties such as the surface shape and surface state of the polishing pad 2, and operations of each component of the polishing device. and an operation control unit 9 for controlling the
  • the polishing table 1 is connected through a table shaft 4 to a table rotation motor 3 arranged below it, and is rotatable around the axis AX1 of the table shaft 4.
  • a polishing pad 2 is attached to the upper surface of the polishing table 1, and the surface of the polishing pad 2 constitutes a polishing surface 2a on which the substrate W is polished.
  • the polishing pad 2 is attached on the polishing table 1 so that its center O is on the axis AX1.
  • a polishing liquid supply nozzle (not shown) is installed above the polishing table 1, and the polishing liquid (slurry) is supplied to the polishing pad 2 on the polishing table 1 by the polishing liquid supply nozzle. .
  • the polishing head 10 is connected to a polishing head shaft 11, and the polishing head shaft 11 is vertically moved with respect to the polishing head swing arm 12 by an elevating mechanism (not shown).
  • the lifting mechanism is connected to the polishing head swing arm 12 .
  • the polishing head shaft 11 is rotated by driving a polishing head rotating motor (not shown), and the polishing head 10 rotates around the axis of the polishing head shaft 11 .
  • the polishing head rotation motor is located within the polishing head swing arm 12 .
  • the polishing head 10 can hold a substrate W such as a semiconductor wafer on its lower surface.
  • the polishing head swing arm 12 is configured to be rotatable, and the polishing head 10 holding the substrate W on its lower surface can be moved from the substrate receiving position to above the polishing table 1 by turning the polishing head swing arm 12 . It's becoming The polishing head 10 holds the substrate W on its lower surface and presses the substrate W against the surface of the polishing pad 2 (polishing surface 2a). At this time, the polishing table 1 and the polishing head 10 are rotated, and polishing liquid (slurry) is supplied onto the polishing pad 2 from a polishing liquid supply nozzle (not shown) provided above the polishing table 1 .
  • a polishing liquid containing silica (SiO 2 ) or ceria (CeO 2 ) as abrasive grains is used as the polishing liquid.
  • SiO 2 can be used as the insulating film.
  • a Cu film, a W film, a Ta film, and a Ti film can be used as the metal film.
  • the dressing device 20 includes a dresser 22 that slides on the polishing surface 2 a of the polishing pad 2 , a dresser shaft 24 that is connected to the dresser 22 , an air cylinder 23 provided at the upper end of the dresser shaft 24 , and the dresser shaft 24 . and a dresser arm 21 that is rotatably supported.
  • the lower part of the dresser 22 is composed of a dressing member 22a.
  • the dressing member 22a has a circular dressing surface, and hard particles are fixed to the dressing surface by electrodeposition or the like. Examples of hard particles include diamond particles and ceramic particles.
  • a dresser rotation motor (not shown) is arranged in the dresser arm 21 .
  • the dresser shaft 24 is driven by the dresser rotation motor, and the dresser shaft 24 rotates around the axis of the dresser shaft 24 .
  • the air cylinder 23 vertically moves the dresser shaft 24 and the dresser 22 integrally to press the dressing member 22a against the polishing surface 2a of the polishing pad 2 with a predetermined pressing force.
  • the air cylinder 23 is connected to a gas supply source (not shown) and is a device that applies a dressing load to the polishing pad 2 to the dresser 22 .
  • the dressing load can be adjusted by air pressure supplied to the air cylinder 23 .
  • the air cylinder 23 can separate the dresser 22 from the polishing surface 2 a of the polishing pad 2 .
  • the air cylinder 23 functions as an elevation actuator that vertically moves the dresser shaft 24 and the dresser 22 with respect to the dresser arm 21 .
  • a combination of a servomotor and a ball screw mechanism may be used as a lift actuator that moves the dresser shaft 24 and dresser 22 up and down relative to the dresser arm 21 .
  • the dressing device 20 further includes a spindle 26 connected to the dresser arm 21 and a spindle rotation motor (rotation actuator) 27 that rotates the spindle 26 .
  • a spindle rotation motor rotation actuator
  • the dressing of the polishing surface 2a of the polishing pad 2 is performed as follows.
  • a polishing table 1 and a polishing pad 2 are rotated by a table rotating motor 3, and a dressing liquid (for example, pure water) is supplied to the polishing surface 2a of the polishing pad 2 from a dressing liquid supply nozzle (not shown).
  • a dressing liquid for example, pure water
  • the dresser 22 is rotated around the axis of the dresser shaft 24 .
  • the dresser 22 is pressed against the polishing surface 2a by the air cylinder 23, and with the dressing liquid present on the polishing surface 2a, the lower surface of the dressing member 22a is brought into sliding contact with the polishing surface 2a.
  • the dresser arm 21 While the dresser 22 is rotating, the dresser arm 21 is turned (swinged) around the support shaft 26 to move the dresser 22 in the radial direction of the polishing surface 2a. In this manner, the polishing pad 2 is scraped off by the dresser 22, and the polishing surface 2a is dressed (regenerated).
  • the polishing pad 2 has a fine uneven structure on the polishing surface 2a, and as the polishing of the substrate W progresses, the convex portions of the uneven structure collapse. Dressing regenerates the convex portion in an upright state.
  • the operation control unit 9 includes a storage device 9a in which programs are stored, and a processing device 9b that executes operations according to instructions included in the programs.
  • the processing device 9b includes a CPU (Central Processing Unit) or GPU (Graphic Processing Unit) that performs operations according to instructions included in programs stored in the storage device 9a.
  • the storage device 9a comprises a main storage device (eg, random access memory) accessible by the processing unit 9b and a secondary storage device (eg, hard disk drive or solid state drive) for storing data and programs.
  • the operation control section 9 is composed of at least one computer.
  • the table rotation motor 3, the lifting mechanism (not shown), the polishing head rotation motor (not shown), the polishing liquid supply nozzle (not shown), the dressing device 20, and the surface texture measuring device 30 are controlled by the operation control unit 9. electrically connected. The operation of each component is controlled by the operation control section 9 .
  • the polishing pad surface texture measuring apparatus 30 includes a measuring head 31 and a data processing section 50 electrically connected to the measuring head 31 .
  • the polishing pad surface texture measuring device 30 is configured to measure the pad surface texture by irradiating the polishing pad 2 with light and receiving reflected light reflected from the surface (polishing surface 2a) of the polishing pad 2.
  • the data processing unit 50 includes a storage device 50a in which programs are stored, and a processing device 50b that executes operations according to instructions included in the programs.
  • the processing device 50b includes a CPU (Central Processing Unit) or GPU (Graphic Processing Unit) that performs operations according to instructions included in programs stored in the storage device 50a.
  • Storage device 50a includes primary storage (eg, random access memory) accessible by processing unit 50b and secondary storage (eg, hard disk drive or solid state drive) for storing data and programs.
  • the data processing unit 50 is composed of at least one computer. In one embodiment, the operation control section 9 and the data processing section 50 may be integrated.
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing an embodiment of the internal structure (measurement structure) of the measurement head 31.
  • the measuring head 31 includes a light projecting section 32 that irradiates the polishing pad 2 with light, and a light receiving section 35 that receives light reflected by the surface of the polishing pad 2 (polishing surface 2a).
  • the light projecting section 32 includes a light source 33 that emits light.
  • An example of the light emitted from the light source 33 is laser light.
  • the light source 33 is a laser light source that emits laser light. The laser light is applied to the irradiation position P on the polishing surface 2a.
  • the light receiving section 35 has a light receiving element 36 .
  • the light-receiving element 36 is a linear (one-dimensional) charge-coupled element having a dimension capable of receiving 0th-order diffracted light to n-order diffracted light (for example, 4th-order diffracted light or 7th-order diffracted light) of the light reflected from the polishing pad 2 . It consists of either a device (CCD) or a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) device.
  • CMOS complementary metal oxide semiconductor
  • the light-receiving element 36 has a large number of light-receiving pixels, and is configured to be able to detect the received light intensity of reflected light for each pixel.
  • the light projecting section 32 and the light receiving section 35 are electrically connected to the data processing section 50 .
  • FIG. 3 is a schematic diagram showing another embodiment of the internal structure of the measuring head 31.
  • the measurement head 31 of this embodiment includes a polarizer 38, an ND filter (neutral density filter) 39, and a mirror, which are sequentially arranged along the optical path of the laser beam emitted from the light projecting section 32. 40 are further provided.
  • the mirror 40 is configured to be able to change the optical path by reflecting the laser light emitted from the light projecting section 32 .
  • a light-reducing filter 41 is arranged in front of the light-receiving section 35 in the optical path of the reflected light reflected by the surface of the polishing pad 2 .
  • the laser light emitted from the light projecting section 32 is S-polarized by the polarizer 38, the light quantity is adjusted by the ND filter 39, and the laser light enters the mirror 40 whose angle is adjusted in advance. Then, the laser beam is reflected by the mirror 40 to change its optical path, and is incident on the surface of the polishing pad 2 . Reflected light reflected by the surface of the polishing pad 2 passes through the neutral density filter 41 and is received by the light receiving section 33 . In one embodiment, instead of the neutral density filter 41, a bandpass filter that allows transmission of only a specific wavelength band may be arranged.
  • the reflectance on the surface of the polishing pad 2 can be increased by causing the laser light emitted from the light source 33 to be S-polarized by the polarizer 38 and then incident on the polishing pad 2 .
  • a band-pass filter may be used to pass only reflected light within ⁇ 5 nm with respect to the wavelength of the laser light from the light source 33 .
  • laser light with a wavelength of 650 nm is used as the laser light from the light source 33 .
  • FIG. 4 is a diagram for explaining reflected light from the polishing pad 2.
  • the polishing pad 2 has a fine uneven structure on the polishing surface 2a, and the surface shape of the polishing pad 2 can be regarded as a superposition of simple (single-wavelength) spatial waveforms.
  • the surface (polishing surface 2a) of the polishing pad 2 has a spatial waveform of wavelength ⁇ 1 and a spatial waveform of wavelength ⁇ 2.
  • the reflected light from the polishing pad 2 includes scattered light from 0th-order diffracted light to n-th order diffracted light according to the wavelength (spatial wavelength) of each spatial waveform on the polishing surface 2a.
  • the light receiving element 36 acquires the intensity distribution of the reflected light by receiving the reflected light including the scattered light.
  • the intensity distribution of the reflected light is the distribution of the received light intensity for each light receiving position in the light receiving element 36 .
  • the light-receiving element 36 is configured to receive light of spatial wavelengths that differ from pixel to pixel.
  • the spatial wavelength of light received by each pixel can be calculated from the position of each pixel. Therefore, the intensity distribution of the reflected light acquired by the light receiving element 36 can also be said to be the intensity distribution of the spatial wavelength (or spatial frequency).
  • the surface of the polishing pad 2 is irradiated with laser light from the light source 33 .
  • the light receiving element 36 measures information on the surface of the polishing pad 2 by receiving the laser beam reflected by the surface of the polishing pad 2 .
  • the light receiving element 36 acquires the intensity distribution of reflected light from the polishing pad 2 .
  • the intensity distribution of the reflected light is transmitted to the data processing section 50 .
  • the data processing unit 50 converts the intensity distribution of the reflected light into a spatial wavelength spectrum of the surface of the polishing pad 2 by Fourier transforming it.
  • the data processing unit 50 calculates an index value that indirectly indicates the surface properties of the polishing pad 2 by calculating the spatial wavelength spectrum, and transfers the calculated index value to the operation control unit 9 .
  • the operation control unit 9 determines dressing conditions and determines the surface properties of the polishing pad 2 based on the received index value. In one embodiment, the operation control unit 9 detects insufficient dressing, determines the end of dressing, and the like by determining the surface properties of the polishing pad 2 .
  • FIG. 5 is a schematic diagram showing the spatial wavelength spectrum of the surface of the polishing pad 2. As shown in FIG. The vertical axis in FIG. 5 represents the intensity I( ⁇ ) of the reflected light obtained by the light receiving element 36, and the horizontal axis represents the spatial frequency. Spatial frequencies 1/ ⁇ 1 to 1/ ⁇ 4 are reciprocals of spatial wavelengths ⁇ 1 to ⁇ 4 .
  • the data processing unit 50 calculates an index value that indirectly indicates the surface properties of the polishing pad 2 from the intensity distribution of the reflected light from the polishing pad 2 .
  • An example of the index value is a wavelength composition ratio.
  • the wavelength composition ratio is defined as the integrated value of the intensity of reflected light in a predetermined spatial wavelength region (hereinafter sometimes referred to as reflection intensity), of a wider spatial wavelength region including the predetermined spatial wavelength region. It is defined as the ratio to the integrated value of the reflection intensity.
  • the larger the wavelength composition ratio the greater the intensity of the reflected light in the predetermined spatial wavelength region, which means that the measured surface of the polishing pad 2 contains more predetermined spatial wavelength components. It is shown that.
  • the magnitude of the predetermined spatial wavelength component has a strong relationship with the CMP performance
  • the spatial frequency 1 / ⁇ 3 that is, spatial wavelength ⁇ 3
  • spatial frequency 1/ ⁇ 4 that is, spatial wavelength ⁇ 4
  • the obtained spatial wavelength spectrum generally contains random noise over the entire wavelength range.
  • the operation control unit 9 calculates suitable dressing conditions by closed loop control based on the wavelength composition ratio obtained by the data processing unit 50 .
  • the dressing conditions are calculated so that the wavelength composition ratio changes within a preset range.
  • the operation control unit 9 obtains in advance a relational expression showing the relationship between the dressing conditions and the wavelength composition ratio, and obtains a suitable dressing condition from the same expression.
  • the dressing conditions mainly include the number of revolutions of the polishing pad, the number of revolutions of the dresser, the dressing load, the dresser rocking (turning) speed, and the like.
  • the relationship between the dressing load and the pad surface texture is obtained in advance, that is, how much the wavelength composition ratio increases as the dressing load increases, or
  • the ideal wavelength composition ratio is compared with the calculated wavelength composition ratio. set in a direction approaching a reasonable wavelength composition ratio.
  • the difference between the calculated wavelength composition ratio and a predetermined desired wavelength composition ratio may be obtained as the desired pad surface property change amount.
  • a previously created regression equation showing the relationship between the amount of change in at least one item of dressing load, number of revolutions of the dresser, number of revolutions of the polishing pad, and rocking (rotating) speed of the dresser and the amount of change in the surface properties of the pad, At least one of the dressing load, the number of revolutions of the dresser, the number of revolutions of the polishing pad, and the rocking speed of the dresser may be obtained by substituting the amount of change in surface properties.
  • a regression equation representing the relationship between the dressing conditions (dressing load, dresser rotation speed, polishing pad rotation speed, dresser oscillation speed, etc.) and the wavelength composition ratio is obtained in advance.
  • dR is the amount of change in wavelength composition ratio
  • dL is the amount of change in dressing load
  • a and B are constants.
  • the wavelength composition ratio obtained by the data processing unit 50 may be used for abnormality detection.
  • the operation control unit 9 determines that the pad surface property is abnormal, and issues an error notification or a notification that the dresser needs to be replaced. do.
  • Types of abnormalities in the surface properties of the polishing pad include the presence of abnormal points (defects) on the surface of the polishing pad, insufficient dressing of the polishing pad, service life of the dresser, service life of the polishing pad, and the like.
  • FIG. 6 is a perspective view schematically showing an embodiment in which the measuring head 31 is arranged at the measuring position.
  • 7A is a front view of the measuring head 31, and
  • FIG. 7B is a bottom view of the measuring head 31.
  • the casing 43 accommodates therein a measuring structure for measuring the surface properties of the polishing pad 2 .
  • the measurement structure accommodated inside the casing 43 includes, for example, the light projecting section 32, the light receiving section 35, the polarizer 38, the ND filter 39, the mirror 40, the neutral density filter 41, etc. described with reference to FIGS. is.
  • a cutout 44 is formed in the lower portion of the casing 43 .
  • the notch 44 has a trapezoidal shape defined by two opposing inclined surfaces 44a and 44b and a connecting surface 44c connecting the inclined surfaces 44a and 44b.
  • a light-transmitting filter 47a is arranged on one inclined surface 44a, and the polishing pad 2 is irradiated with laser light emitted from the light source 33 through the filter 47a.
  • a light-transmitting filter 47b is also arranged on the other inclined surface 44b, and the light receiving section 35 receives reflected light from the polishing pad 2 through the filter 47b.
  • these filters 47a and 47b include, for example, a transparent film or transparent glass.
  • the measuring head 31 has positioning plates 77 and 78 fixed to the side surfaces of the casing 43 .
  • the positioning plates 77 and 78 come into contact with the polishing surface 2a of the polishing pad 2.
  • FIG. The positioning plates 77, 78 make it possible to keep the vertical distance from the polishing surface 2a of the polishing pad 2 to the measuring structure of the measuring head 31 and the angle of the measuring head 31 with respect to the polishing surface 2a always constant.
  • surface texture measuring device 30 may include nozzle 45 having a tip protruding from connecting surface 44c.
  • the nozzle 45 is connected to a pressurized gas supply line (not shown), and blows pressurized gas (for example, pressurized nitrogen or pressurized air) from the pressurized gas supply line onto the polishing surface 2 a of the polishing pad 2 .
  • pressurized gas for example, pressurized nitrogen or pressurized air
  • the surface texture measuring device 30 can accurately measure the surface texture of the polishing pad 2 .
  • FIG. 8 is an enlarged schematic diagram showing the periphery of the measuring head 31 shown in FIG.
  • the measuring head 31 is supported by a support arm 51, and the support arm 51 is connected to a moving unit 53 fixed to a portion of the polishing apparatus.
  • the moving unit 53 is a unit for moving the measuring head 31 from the retracted position to the measuring position or from the measuring position to the retracted position.
  • the measurement position of the measurement head 31 is the position where the measurement head 31 is in contact with the polishing pad 2 in order to measure the surface properties of the polishing pad 2. is a position away from
  • the moving unit 53 includes a fixed block 55 fixed to a part of the polishing apparatus, a rotating block 56 connected to the support arm 51, and the rotating block 56 attached to the fixed block 55.
  • a rotating shaft 58 that is rotatably connected and a rotating mechanism 60 that rotates the rotating block 56 around the axis of the rotating shaft 58 are provided.
  • a fixed block 55 is fixed to the frame 48 of the polishing apparatus.
  • the support arm 51 is connected to the rotation block 56 via the support plate 52 .
  • the rotating block 56 is connected to the stationary block 55 via a rotating shaft 58 .
  • the rotation mechanism 60 is a piston-cylinder mechanism composed of a piston (not shown) connected to the rotation block 56 and a cylinder 63 that accommodates the piston so that it can move back and forth.
  • the tip of the piston is connected to the rotation block 56 .
  • a fluid supply line (not shown) is connected to the cylinder 63, and a fluid (for example, pressurized nitrogen or pressurized air) is supplied to the cylinder 63 through the fluid supply line.
  • the motion control unit 9 moves the piston up and down by controlling the supply of fluid to the cylinder 63 .
  • an on-off valve (not shown) is arranged in the fluid supply line, and the operation control unit 9 controls the operation of this on-off valve to move the piston up and down. More specifically, when the piston is lifted, the operation control section 9 opens the on-off valve and supplies fluid to the cylinder 63 . When lowering the piston, the operation control unit 9 closes the on-off valve to stop the supply of fluid to the cylinder 63 .
  • the operation control section 9 moves the piston of the rotation mechanism 60 downward.
  • the positioning plates 77 and 78 of the measuring head 31 come into contact with the polishing pad 2, and the measuring head 31 is positioned at the measuring position.
  • the operation control section 9 raises the piston of the rotating mechanism 60 .
  • the measuring head 31 is separated from the polishing pad 2, and the measuring head 31 moves to the retracted position.
  • the rotation block 56 has a first plate 64 connected to the support plate 52 and a second plate 65 connected to the fixed block 55 via the rotation shaft 58 .
  • the first plate 64 is rotatably connected to the second plate 65 by a hinge mechanism 87 .
  • the hinge mechanism 87 includes a first joint 88 fixed to the upper surface of the first plate 64 , a second joint 89 fixed to the upper surface of the second plate 65 , and the first joint 88 rotated with respect to the second joint 89 . and a rotating pin 66 which is movably connected.
  • the polishing apparatus further includes an attitude adjustment mechanism 70 that automatically adjusts the attitude of the measuring head 31.
  • the attitude adjustment mechanism 70 includes a support base 72 connected to the support arm 51 and a plurality of adjustment pins 73 fixed to the upper surface of the measurement head 31 and extending through through holes formed in the support base 72 .
  • four adjustment pins 73 are fixed to the top surface of the measuring head 31 .
  • the support base 72 has a column 72a connected to the support arm 51 and a flange portion 72b fixed to the lower portion of the column 72a.
  • Four through holes are formed in the four corners of the flange portion 72a.
  • Each adjustment pin 73 extends through a respective through hole formed in flange 72b.
  • the upper portion of the adjustment pin 73 has a diameter larger than the diameter of the through hole, and the diameter of the portion of the adjustment pin 73 penetrating the flange portion 72b is smaller than the diameter of the through hole. Therefore, the measuring head 31 is movable in a direction approaching the support base 72 and a direction away from the support base 72 .
  • the positioning plates 77 and 78 of the measuring head 31 are brought into contact with the polishing surface 2a of the polishing pad 2, the measuring head 31 is supported on the polishing surface 2a of the polishing pad 2 by its own weight. Therefore, the posture of the measuring head 31 is adjusted so that the lower surface of the measuring head 31 is parallel to the surface of the polishing pad 2 (polishing surface 2a).
  • the polishing apparatus further includes a measuring head moving mechanism 83 as an actuator that moves the measuring head 31 in the longitudinal direction of the support arm 51.
  • the support arm 51 is arranged to extend in the radial direction of the polishing pad 2 when the measuring head 31 is in the measuring position. Therefore, the measuring head moving mechanism 83 moves the measuring head 31 in the radial direction of the polishing pad 2 .
  • the measuring head moving mechanism 83 includes a ball screw mechanism 85 connected to the support base 72 and a servomotor 84 connected to the ball screw mechanism 85 .
  • a servomotor 84 is fixed to the lower surface of the support arm 51 .
  • the support arm 51 has an elongated hole 80 extending along its longitudinal direction.
  • a stepped portion (not shown) is formed inside the elongated hole 80 .
  • a support shaft 81 is fixed to the upper end of the support 72a. The support shaft 81 contacts the stepped portion of the elongated hole 80 and is supported by the stepped portion of the elongated hole 80 so as to be movable in the longitudinal direction of the elongated hole 80 .
  • the measuring head 31 and the posture adjusting mechanism 70 are movable in the longitudinal direction of the support arm 51 . That is, the elongated hole 80 functions as a guide hole for moving the posture adjusting mechanism 70 and the measuring head 31 along the support arm 50 .
  • the measuring head moving mechanism 83 is electrically connected to the operation control section 9 .
  • the operation of the measuring head moving mechanism 83 is controlled by the operation control section 9 .
  • the motion control unit 9 drives the servomotor 84, the ball screw mechanism 85 is driven, and the attitude adjustment mechanism 70 and the measuring head 31 are moved in the longitudinal direction of the support arm 51 (that is, in the radial direction of the polishing pad 2).
  • the measuring head moving mechanism 83 may be a combination air cylinder and pressure regulator.
  • FIG. 9 is a flow chart showing an example of incorporating the surface texture determination method of the polishing pad 2 into the break-in of the polishing pad 2 .
  • Break-in is a process for making the surface (polishing surface) of an unused polishing pad suitable for polishing.
  • the break-in includes at least a step (seasoning) of performing only dressing of the polishing pad 2 .
  • break-in may further include multiple processing steps.
  • the composite processing step is a step of dressing the polishing pad 2 after polishing one dummy wafer on which an oxide film (SiO 2 ) or metal film is formed.
  • the multiple processing steps may be repeated multiple times with different dummy wafers to be polished. In one embodiment, a predetermined number of multiple processing steps are performed after seasoning.
  • the surface properties of the polishing pad 2 are measured during break-in (step 1-2).
  • the surface texture of polishing pad 2 is measured after performing dressing (seasoning) of polishing pad 2 for a predetermined period of time or after performing a predetermined number of combined treatment steps.
  • step 1-2 the surface properties of the polishing pad 2 are measured. Specifically, the intensity distribution of the reflected light from the polishing pad 2 is obtained (measured) at a plurality of mutually different points (measurement points) on the surface of the polishing pad 2, and the plurality of intensity distributions obtained at the plurality of mutually different points are measured. A wavelength composition ratio indirectly indicating the surface properties of the polishing pad 2 is calculated from the intensity distribution.
  • the process of acquiring the intensity distribution of reflected light from the polishing pad 2 is as follows. That is, the light emitting section 32 irradiates the surface of the polishing pad 2 with laser light, and the light receiving section 35 receives the reflected light from the polishing pad 2 . The light receiving section 35 acquires the intensity distribution of the reflected light from the polishing pad 2 by receiving the reflected light from the polishing pad 2 .
  • the process of calculating the wavelength composition ratio that indirectly indicates the surface properties of the polishing pad 2 from a plurality of intensity distributions obtained at a plurality of locations different from each other is as follows.
  • a plurality of wavelength composition ratios are calculated by calculating a wavelength composition ratio from each of the plurality of intensity distributions.
  • the intensity distribution of reflected light acquired at each location is transmitted to the data processing unit 50 .
  • the data processing unit 50 calculates a wavelength composition ratio that indirectly indicates the surface properties of the polishing pad 2 from the intensity distribution of the reflected light. More specifically, the data processing unit 50 converts the intensity distribution of the reflected light into a spatial wavelength spectrum of the surface of the polishing pad 2 by Fourier transform, and calculates the wavelength composition ratio from the spatial wavelength spectrum.
  • the surface texture measurement process of the polishing pad 2 from the irradiation of the laser beam to the calculation of the wavelength composition ratio described above is performed a plurality of times while changing the irradiation position of the laser beam.
  • the data processing unit 50 averages the plurality of intensity distributions, and calculates a wavelength composition ratio that indirectly indicates the surface properties of the polishing pad 2 from the averaged intensity distribution of the reflected light. good. Specifically, intensity distributions of a plurality of reflected lights are averaged by averaging intensities for each pixel of a plurality of intensity distributions. By calculating the wavelength composition ratio after averaging the intensity distribution, it is possible to efficiently calculate the wavelength composition ratio.
  • the intensity distribution of reflected light from the polishing pad 2 is obtained (measured) at a plurality of points on at least one circumference centered on the center O of the polishing pad 2 .
  • the intensity distribution is measured at a plurality of points on a plurality of concentric circles around the center O of the polishing pad 2 .
  • FIG. 10 is a diagram showing an example of a plurality of measurement points on the surface of polishing pad 2. As shown in FIG. In the example shown in FIG. 10, the intensity distribution is measured at a plurality of measurement points P11 to P15, P21 to P25, P31 to P35 on a plurality of concentric circles C1, C2, C3 centered on the center O of the polishing pad 2. be.
  • the number of measurement points for the intensity distribution is not limited to this example.
  • the measurement of the intensity distribution of reflected light from the polishing pad 2 at multiple points on the surface of the polishing pad 2 is performed as follows. First, the measurement head 31 is moved to a predetermined position, and the intensity distribution is measured. Next, the polishing table 1 is rotated together with the polishing pad 2 by a predetermined angle, and the intensity distribution of the reflected light from the polishing pad 2 is measured again. By repeating the rotation of the polishing table 1 and the measurement of the intensity distribution described above while the position of the measuring head 31 is fixed, a plurality of measurements are performed on the same circumference with the center O as the center.
  • the measuring head moving mechanism 83 moves the measuring head 31 in the radial direction of the polishing pad 2, and similarly, the other circumferences around the center O are measured.
  • the intensity distribution of the reflected light from the polishing pad 2 is measured at a plurality of points on the same circumference.
  • step 1-3 the quality of the surface properties of the polishing pad 2 is determined based on the wavelength composition ratio calculated in step 1-2.
  • the data processing unit 50 transmits the wavelength composition ratio calculated in step 1-2 to the operation control unit 9, and the operation control unit 9 determines the quality of the surface texture of the polishing pad 2 based on the calculated wavelength composition ratio. judge.
  • the operation control unit 9 determines that the surface properties of the polishing pad 2 are good, it issues a command to each component of the polishing apparatus to end the break-in.
  • the operation control unit 9 calculates an average value of the calculated plurality of wavelength composition ratios, and determines the average value in advance. When the average value is smaller than the threshold, it is determined that the surface properties of the polishing pad 2 are good (the surface of the polishing pad 2 has become suitable for polishing). and terminate the break-in (step 1-4). When the average value is larger than the threshold value, the operation control unit 9 determines that the surface properties of the polishing pad 2 are not good (the surface of the polishing pad 2 is not suitable for polishing), Continue break-in (step 1-5). After performing the seasoning for a predetermined time or performing the combined processing steps a predetermined number of times, step 1-2 is executed again.
  • the wavelength composition ratio calculated from the averaged intensity distribution of reflected light may be compared with a predetermined threshold value. In this embodiment, when the wavelength composition ratio is smaller than the threshold value, it is determined that the surface properties of the polishing pad 2 are good, and the break-in ends. When the wavelength composition ratio is larger than the threshold value, the operation control unit 9 determines that the surface properties of the polishing pad 2 are not good, and continues break-in. After performing the seasoning for a predetermined time or performing the combined processing steps a predetermined number of times, step 1-2 is executed again.
  • the average value when the average value (or the wavelength composition ratio calculated from the average intensity distribution of the reflected light) is larger than the threshold value, it is determined that the surface properties of the polishing pad 2 are good. , may end the break-in.
  • the average value or the wavelength composition ratio calculated from the averaged intensity distribution of the reflected light
  • the polishing pad 2 The surface properties of may be improved.
  • the operation control unit 9 checks whether or not the calculated multiple wavelength configuration ratios are within a predetermined reference range, and all of the calculated multiple wavelength configuration ratios are within the predetermined range. When it is within the reference range, it may be determined that the surface properties of the polishing pad 2 are good, and the break-in may be terminated. If all of the plurality of wavelength composition ratios are not within the predetermined reference range, the operation control section 9 determines that the surface properties of the polishing pad 2 are not good, and continues break-in. After performing the seasoning for a predetermined time or performing the combined processing steps a predetermined number of times, step 1-2 is executed again.
  • the operation control unit 9 calculates an average value of the calculated multiple wavelength configuration ratios, compares the average value with a predetermined threshold value, and calculates the calculated multiple wavelength configuration ratios. It is checked whether the ratio is within a predetermined reference range, and the average value is smaller (or larger) than the threshold value, and all of the calculated multiple wavelength composition ratios are within the predetermined reference range. When it is within the range, it may be determined that the surface properties of the polishing pad 2 are good, and the break-in may be terminated.
  • the threshold value and the reference range described above can be set from measurement data of the surface texture of the polishing pad 2 after dressing or after break-in that has been obtained in advance.
  • the convex portions of the uneven structure of the polishing surface 2a are raised, and the in-plane uniformity of the uneven structure is improved.
  • the magnitude of the wavelength composition ratio and the in-plane variation at a plurality of measurement points on the surface of the polishing pad 2 are reduced. That is, the wavelength composition ratio indirectly indicates the surface properties of the polishing pad 2 . Therefore, it is possible to determine the surface properties of the polishing pad 2 (for example, detection of insufficient dressing and determination of completion of dressing) based on the wavelength composition ratio.
  • the intensity distribution of the reflected light from the polishing pad 2 at a plurality of points on the surface of the polishing pad 2, it is possible to evaluate the surface properties of the polishing pad including in-plane variations.
  • the surface texture of the polishing pad 2 (the surface texture of the entire polishing pad 2) can be accurately determined. be able to.
  • excessive dressing and break-in can be prevented, which contributes to prolonging the life of the dresser.
  • the break-in time can be shortened for a polishing pad whose protrusions rise quickly, and sufficient break-in can be performed for a pad whose protrusions rise slowly. That is, the break-in time can be adjusted according to the individual difference of polishing pads.
  • steps 1-2 to 1-5 may be executed each time a new polishing pad (unused polishing pad) is replaced, and the end of break-in may be individually determined. Furthermore, in one embodiment, steps 1-2 to 1-5 are performed once for a new polishing pad to determine appropriate break-in conditions, and after that, when the polishing pad is replaced with a new one, the break-in conditions are determined. A break-in may be executed with a break-in condition. Further, in one embodiment, a plurality of break-in termination conditions are determined by executing steps 1-2 to 1-5 in the break-in of a plurality of brand-new polishing pads, and the plurality of break-in termination conditions are met. Based on this, the upper limit of the break-in end condition may be set.
  • FIG. 11 is a graph showing an example of the wavelength composition ratio for each processing condition of the polishing pad 2 during break-in.
  • the intensity distribution of reflected light from the polishing pad 2 was measured at a plurality of locations on the polishing pad 2, and the wavelength composition ratio was calculated from each intensity distribution. shows the results.
  • the measured values in FIG. 11 show the measured values (wavelength composition ratio) obtained at each measurement position on the polishing pad.
  • Examples of processing conditions shown in FIG. 11 include seasoning time and the number of combined processing steps. In FIG. 11, in conditions 2 to 6, the larger the condition number, the longer the seasoning time. In conditions 7 to 10, the larger the condition number, the greater the number of combined processing steps.
  • conditions 2 to 6 only seasoning is performed, and in conditions 7 to 10, after performing seasoning for a predetermined period of time, a combined treatment process is performed a predetermined number of times.
  • the dressing time in each compound processing step of Conditions 7-10 is the same, and the seasoning time of Conditions 7-10 is the same.
  • the measurement results of condition 1 show the measurement results of an unused polishing pad before break-in.
  • FIG. 12A is a diagram comparing the wavelength composition ratio under condition 1 in FIG. 11 with a predetermined reference range and a predetermined threshold value
  • FIG. 12B is a diagram comparing the wavelength composition ratio under condition 6 in FIG.
  • FIG. 12C is a diagram comparing ranges and predetermined thresholds
  • FIG. 12C is a diagram comparing wavelength composition ratios under condition 10 in FIG. 11 with predetermined reference ranges and predetermined thresholds.
  • the threshold is not shown in FIG. 12A because it is well below the measured (calculated) wavelength composition ratio.
  • the wavelength composition ratio indirectly indicating the surface properties of the polishing pad 2 is calculated from a plurality of intensity distributions obtained at a plurality of locations different from each other, the entire polishing pad is in a state suitable for polishing. It can be determined whether or not
  • FIG. 13 is a flow chart showing an example of incorporating the surface texture determination method of the polishing pad 2 into the polishing process of the substrate W. As shown in FIG. Since the surface texture determination method of this embodiment, which is not specifically described, is the same as steps 1-2 and 1-3, redundant description thereof will be omitted.
  • the substrate W is polished in step 2-1.
  • the polishing pad 2 is dressed.
  • the dressing of the polishing pad 2 may be performed at the same time as the substrate W is polished. Further, in one embodiment, the polishing pad 2 may be dressed after polishing a predetermined number of substrates.
  • the surface properties of the polishing pad 2 are measured by the same method as in step 1-2 (step 2-3). In one embodiment, step 2-3 may be performed at any timing (eg, after each dressing, for each lot of substrates to be polished, or after polishing a predetermined number of substrates and after dressing). .
  • the quality of the surface properties of the polishing pad 2 is determined by the same method as in step 1-3. In one embodiment, the surface texture determination process (steps 2-3 to 2-5) may be performed simultaneously with the polishing pad 2 dressing.
  • FIG. 14 shows the result of measuring the surface properties of the polishing pad 2 after dressing the polishing pad 2 under predetermined dressing conditions while polishing the substrate W, and calculating the wavelength composition ratio.
  • One example of the dressing condition shown in FIG. 14 is the number of scans of the dresser arm 21 .
  • Condition 11 in FIG. 14 is a dressing condition when the polishing pad 2 is appropriately dressed (that is, when the surface properties of the polishing pad 2 are good).
  • Conditions 12 to 15 in FIG. 14 are measurement results of the surface properties of the polishing pad 2 after dressing when the polishing pad 2 was dressed only during polishing of the substrate W.
  • Condition 11 is during polishing of the substrate W. 2 shows the measurement results of the surface properties of the polishing pad 2 after dressing the polishing pad 2 under predetermined conditions in 1 and then dressing the polishing pad 2 again after polishing.
  • the operation control unit 9 determines that the surface properties of the polishing pad 2 are good (that is, the dressing has been performed appropriately), it starts polishing a new substrate.
  • the operation control unit 9 determines that the surface quality of the polishing pad 2 is not good (insufficient dressing)
  • the operation control unit 9 reduces the number of repetitions of additional dressing in step 2-6 described later to a predetermined number of times. Compare with a reference value (step 2-5). If the number of repetitions is greater than a predetermined repetition reference value, the operation control unit 9 generates an alarm signal to prompt the operator to consider replacing consumable parts of the polishing apparatus (step 2-7). Consumable parts of the polishing apparatus include the polishing pad 2, dressing member 22a, and slurry.
  • step 2-6 additional dressing of the polishing pad 2 is performed under predetermined dressing conditions (step 2-6), and after the additional dressing is performed, step 2-3 is performed again.
  • the dressing conditions (eg, dressing time) in step 2-6 may differ from the dressing conditions in step 2-2.
  • the surface texture of the polishing pad 2 (the surface texture of the entire polishing pad 2) can be accurately determined.
  • the lack of dressing is determined, and if necessary, additional dressing is performed to continue polishing, and consumable parts (for example, dressing members) are exchanged with high precision based on the surface properties of the polishing pad. can be determined.
  • steps 2-2 to 2-6 are a series of dressing steps performed after (or during) polishing of the substrate W, and step 2-4 determines the end of the dressing step.
  • step 2-4 determines the end of the dressing step.
  • FIG. 15 is a schematic diagram showing another embodiment of the surface texture measuring device 30.
  • the configuration and operation of this embodiment, which are not specifically described, are the same as those of the above-described embodiment, and thus overlapping descriptions thereof will be omitted.
  • the light emitting section 32 of the present embodiment is configured to be able to irradiate the polishing pad 2 with light from a plurality of directions when the polishing pad 2 is viewed from the polishing surface 2a side of the polishing pad 2.
  • the irradiation direction of the laser light means the irradiation direction of the laser light when the polishing pad 2 is viewed from the surface (polishing surface 2a) side.
  • the surface texture measuring device 30 of this embodiment further includes an irradiation direction changing mechanism 90 that changes the irradiation direction of the laser beam emitted from the light projecting section 32 .
  • the irradiation direction changing mechanism 90 is connected to the measurement head 31 .
  • the irradiation direction changing mechanism 90 rotatably supports the measuring head 31 and is configured to change the irradiation direction of the laser beam emitted from the light projecting section 32 by rotating the measuring head 31 .
  • the irradiation direction changing mechanism 90 includes a rotating motor 91 that rotates the measuring head 31 and a shaft 92 connected to the rotating motor 91 .
  • the measuring head 31 is connected to a rotary motor 91 via a shaft 92 .
  • the rotating motor 91 rotates the measuring head 31 about the axis AX2 of the shaft 92 in the direction indicated by the arrow.
  • the rotary motor 91 incorporates an angle measuring device 93 for measuring the rotation angle of the measuring head 31 .
  • the rotary motor 91 is configured to be able to control its rotation angle.
  • An example of the rotary motor 91 is a servomotor.
  • An example of the angle measuring device 93 is a rotary encoder.
  • the irradiation direction changing mechanism 90 is electrically connected to the data processing unit 50 , and the operation of the irradiation direction changing mechanism 90 is controlled by the data processing unit 50 .
  • the irradiation direction changing mechanism 90 is fixed to the lower surface of the base plate 74 and connected to the posture adjusting mechanism 70 via the base plate 74 .
  • the lower end of the adjustment pin 73 is fixed to the upper surface of the base plate 74 .
  • the shaft 92 may be rotatably supported by bearings (not shown) instead of the rotary motor 91 . In this case, the measurement head 31 may be manually rotated, and the irradiation direction changing mechanism 90 may not be electrically connected to the data processing section 50 .
  • the light projecting part 32 and the light receiving part 35 rotate around the axis AX2 of the shaft 93 .
  • the axial center AX2 and the axial center CP (see FIG. 2), which is a straight line passing through the irradiation position P of the laser beam and perpendicular to the polishing surface 2a, are aligned. Therefore, as shown in FIG. 16, the light projecting section 32 and the light receiving section 35 are configured to be rotatable about the axis CP.
  • the measuring head 31 that is, the light projecting section 32 and the light receiving section 35 rotate around the axis CP. Thereby, the irradiation direction of the laser light emitted from the light projecting section 32 is changed.
  • the irradiation direction of the laser light can also be said to be an angle around the axis CP.
  • the irradiation angle ⁇ of the laser beam is defined by the laser beam emitted from the light source 33 of the light projecting section 32 and the reference straight line RL when viewed from the direction perpendicular to the surface of the polishing pad 2 (polishing surface 2a). is the angle.
  • the reference straight line RL is a straight line passing through the irradiation position P and the center O of the polishing pad 2 .
  • the irradiation direction of the laser light can be changed without moving the irradiation position of the laser light.
  • step 3-1 multidirectional measurement of the surface properties of the polishing pad 2 (intensity distribution of reflected light from the polishing pad 2) is performed.
  • the multidirectional measurement of the surface texture of the polishing pad 2 is performed by irradiating the polishing pad 2 with laser light from a plurality of irradiation directions different from each other, and measuring the light from the polishing pad 2 corresponding to each of the plurality of laser light irradiated on the polishing pad 2.
  • the light projecting section 32 irradiates the polishing pad 2 with laser light from a predetermined irradiation direction, and the light receiving section 35 receives the reflected light from the polishing pad 2 .
  • the light receiving section 35 acquires the intensity distribution of the reflected light from the polishing pad 2 by receiving the reflected light from the polishing pad 2 .
  • the irradiation direction of the laser beam is changed by a predetermined angle by the irradiation direction changing mechanism 90
  • the polishing pad 2 is irradiated with the laser beam from the changed irradiation direction, and the reflected light of the laser beam from the polishing pad 2 is received by the light receiving unit.
  • 35 receives the light and obtains the intensity distribution of the reflected light.
  • the irradiation direction of the laser light is further changed by a predetermined angle, and the surface properties of the polishing pad 2 are measured from the changed direction.
  • the change of the irradiation direction of the laser beam and the measurement of the surface texture of the polishing pad 2 are repeated a predetermined number of times (for example, until the light source 33 makes one turn around the axis CP).
  • the measurement position for multi-directional measurement of the surface properties of the polishing pad 2 in this embodiment is the position on the polishing pad 2 with which the central portion of the substrate W contacts during polishing. Insufficient dressing is likely to occur at a location on the polishing pad 2 with which the central portion of the substrate W contacts, so the intensity of the reflected light is relatively high.
  • the surface texture of the polishing pad 2 is measured multiple times in each irradiation direction, the intensity distributions of the multiple reflected lights are averaged, and the averaged intensity distribution is used in step 3-2 described later. You may By averaging the intensity distributions of a plurality of reflected lights, the measurement variation can be reduced and the accuracy of the measurement result can be improved.
  • index values that indirectly indicate the surface properties of the polishing pad 2 are obtained using the plurality of intensity distributions obtained in the multidirectional measurement in step 3-1.
  • the data processing unit 50 of the present embodiment utilizes the intensity distribution of a plurality of reflected lights from the polishing pad 2 of a plurality of lights irradiated to the polishing pad 2 from a plurality of directions different from each other to determine the surface properties of the polishing pad 2. is configured to acquire an index value that indirectly indicates the
  • step 3-2 the data processing unit 50 compares a plurality of intensity distributions of a plurality of reflected lights from the polishing pad 2 of a plurality of laser beams irradiated onto the polishing pad 2 from a plurality of angles different from each other, and identifies , the irradiation direction of the laser beam that maximizes the intensity of the reflected light from the polishing pad 2 in the spatial wavelength region of . More specifically, the data processing unit 50 averages the intensity in a specific spatial wavelength region of each intensity distribution (that is, pixels within a predetermined range that receive reflected light in a specific spatial wavelength region of the light receiving element 36). A value is calculated, each calculated average value is compared, and the irradiation direction that maximizes the average value is determined.
  • the data processing unit 50 compares the intensity of the reflected light of a predetermined pixel (pixel position) in each irradiation direction, and determines the irradiation direction that maximizes the intensity of the reflected light in the predetermined pixel. good too. Furthermore, in one embodiment, the data processing unit 50 selects pixels that are most susceptible to changes in irradiation direction (that is, pixels that exhibit the largest change in intensity depending on the irradiation direction) as pixels for comparing the intensity of reflected light. Alternatively, a pixel having the highest intensity of reflected light among a plurality of distributions of reflected light may be used as a pixel for comparing the intensity of reflected light.
  • 18 to 25 are graphs showing the intensity distribution of reflected light from the polishing pad 2 in each irradiation direction.
  • the horizontal axis of the graphs of FIGS. 18 to 25 indicates pixels (pixel positions), and the vertical axis indicates the intensity of reflected light from the polishing pad 2 at each pixel.
  • 18 to 25 show intensity distributions of reflected light from the polishing pad 2 when the irradiation angles ⁇ are 0°, 45°, 90°, 135°, 180°, 225°, 270° and 315°, respectively. graph.
  • the intensity around pixel 1/ ⁇ 5 is high. It can be understood that this is because the convex portions of the concave-convex structure of the polished surface 2a are tilted in the direction of 90°, and the reflectance in the direction of 90° is increased.
  • the protrusions are tilted in the direction of 90°, it can be understood that the uneven structure corresponding to the long spatial wavelength exists in the direction of 90° on the surface of the polishing pad 2 . 18 to 25 correspond to the long spatial wavelength, and the pixels in the region with small intensity change for each irradiation angle on the right side of the graphs of FIGS. , corresponds to the short-wave spatial wavelength.
  • the measured value of the surface texture of the polishing pad 2 changes depending on the irradiation direction. That is, in order to examine the relationship between the state of the polishing pad 2 and the polishing performance and optimize the dressing conditions, it is more useful to obtain multi-directional unevenness information rather than unidirectional unevenness information.
  • the surface state of the polishing pad 2 can be evaluated in more detail, and the dressing can be performed. Conditions can be optimized.
  • the irradiation direction of the laser light is changed every 45°, but the change pitch of the irradiation direction is not limited to this embodiment.
  • the irradiation direction of the laser beam emitted from the light source 33 of the light projecting unit 32 is the irradiation direction determined in step 3-2, that is, the intensity of the reflected light from the polishing pad 2 in the specific spatial wavelength region is
  • the irradiation direction of the laser beam is set so as to maximize the irradiation direction.
  • the irradiation direction of the laser beam is set by adjusting the angles of the light projecting section 32 and the light receiving section 35 using the irradiation direction changing mechanism 90 .
  • the irradiation direction of the laser light becomes the optimum direction for measuring the surface properties of the polishing pad 2 .
  • the measurement accuracy of the surface texture of the polishing pad 2 can be improved, resulting in a more precise measurement. It is possible to determine the surface properties of the polishing pad 2 and optimize the dressing conditions.
  • Steps 3-1 to 3-3 may be performed each time before the surface texture measurement of the polishing pad 2, and are performed only once to determine the process of surface texture measurement of the polishing pad.
  • the direction setting step may be performed before the surface texture measurement of the polishing pad 2 in step 1-2 described with reference to FIG. It may be performed before the property measurement.
  • step 3-4 the surface properties of the polishing pad 2 are measured at multiple points. Specifically, the intensity distribution of the reflected light from the polishing pad 2 is measured at a plurality of different points on the surface of the polishing pad 2 .
  • the method of measuring the intensity distribution at multiple points on the surface of the polishing pad 2 is the same as in step 1-2.
  • step 3-5 the data processing unit 50 averages the intensity distributions of the multiple reflected lights acquired in step 3-4. Specifically, intensity distributions of a plurality of reflected lights are averaged by averaging intensities for each pixel of a plurality of intensity distributions. By executing step 3-6 described later after averaging the intensity distribution, an index value that indirectly indicates the surface properties of the polishing pad 2 can be efficiently calculated.
  • the data processing unit 50 calculates an index value that indirectly indicates the surface properties of the polishing pad 2 from the averaged intensity distribution of the reflected light of the polishing pad 2.
  • the index value that indirectly indicates the surface properties of the polishing pad 2 is the wavelength composition ratio described above.
  • the data processing unit 50 converts the intensity distribution of the reflected light into a spatial wavelength spectrum of the surface of the polishing pad 2 by Fourier transform, and calculates a wavelength composition ratio from the spatial wavelength spectrum. In this manner, the data processing section 50 acquires index values that indirectly indicate the surface properties of the polishing pad 2 .
  • index values that indirectly indicate the surface texture of the polishing pad 2 may be calculated from each of the plurality of intensity distributions obtained in step 3-4. In this case, steps 3-5 are not performed.
  • FIG. 26 is a schematic diagram showing still another embodiment of the surface texture measuring device 30, and FIG. 27 is a top view of the measuring head 31 shown in FIG.
  • the configuration and operation of this embodiment, which are not specifically described, are the same as those of the embodiment described with reference to FIGS.
  • the surface texture measuring device 30 of this embodiment differs from the embodiment described with reference to FIG. 15 in that it does not include an irradiation direction changing mechanism 90 .
  • the attitude adjustment mechanism 70 is connected to the measurement head 31 and the adjustment pin 73 is fixed to the upper surface of the measurement head 31, as in the embodiment described with reference to FIG.
  • the light projecting section 32 includes a plurality of light sources 33a, 33b, and 33c arranged facing different directions, and the light receiving section 35 faces in different directions. It has a plurality of light receiving elements 36a, 36b, 36c arranged in the same manner. Specifically, the light sources 33a, 33b, and 33c are arranged facing different directions when the polishing pad 2 is viewed from the polishing surface 2a side of the polishing pad 2, and the light receiving elements 36a, 36b, and 36c , are arranged facing different directions when the polishing pad 2 is viewed from the polishing surface 2a side of the polishing pad 2. As shown in FIG.
  • the light sources 33a, 33b, and 33c are arranged so as to be able to irradiate the same position (irradiation position P) with laser light.
  • the configurations of the light sources 33a, 33b, 33c and the light receiving elements 36a, 36b, 36c are the same as those of the light source 33 and the light receiving elements 36, respectively.
  • the light receiving elements 36a, 36b, and 36c face the light sources 33a, 33b, and 33c, respectively, and are configured to be able to receive the reflected light from the polishing pad 2 of the laser beams emitted from the light sources 33a, 33b, and 33c, respectively.
  • the light projecting section 32 of the present embodiment can irradiate the polishing pad 2 with light from a plurality of irradiation directions different from each other when the polishing pad 2 is viewed from the polishing surface 2a side of the polishing pad 2.
  • the light receiving section 35 is configured to receive light reflected from the surface of the polishing pad 2 from a plurality of directions.
  • the irradiation angle of the laser light from the light source 33a is 0°
  • the irradiation angle ⁇ 1 of the laser light from the light source 33b is 45°
  • the irradiation angle ⁇ 2 of the laser light from the light source 33c is 90°.
  • the number and arrangement angles of the light sources are not limited to those of this embodiment.
  • the surface properties of the polishing pad 2 intensity distribution of reflected light from the polishing pad 2 can be measured in a plurality of irradiation directions at once.
  • the surface texture measuring method of this embodiment which is not specifically described, is the same as the method described with reference to FIG.
  • laser light is emitted from a plurality of light sources 33a, 33b, and 33c from a plurality of irradiation directions.
  • a plurality of light beams reflected from the polishing pad 2 corresponding to the plurality of laser beams irradiated to the polishing pad 2 are received by the plurality of light receiving elements 36a, 36b, and 36c.
  • step 3-3 instead of adjusting the angles (directions) of the light projecting unit 32 and the light receiving unit 35 by the irradiation direction changing mechanism 90, the light reflected from the polishing pad 2 is in a specific spatial wavelength region.
  • the irradiation direction of the laser light is set by selecting a light source that irradiates the laser light in the irradiation direction in which the intensity is maximized.
  • the surface properties of the polishing pad 2 are measured using the selected light source and the light receiving element facing the selected light source.
  • the embodiment described with reference to FIGS. 15-25 may be combined with the embodiment described with reference to FIGS.
  • the surface properties of the polishing pad 2 (the intensity distribution of the reflected light from the polishing pad 2) can be measured in a plurality of irradiation directions at once, and the step of changing the irradiation direction of the laser light in step 3-1 can be eliminated. can be shortened.
  • a two-dimensional CCD may be used as the light receiving element 36 .
  • the reflected light can be received by the light-receiving element 36 without the need for adjustment even when the laser light is shifted in the horizontal direction.
  • the above-described embodiment can also be used to determine dressing conditions for each substrate processing.
  • the above-described embodiments are described for the purpose of enabling a person having ordinary knowledge in the technical field to which the present invention belongs to implement the present invention.
  • Various modifications of the above-described embodiments can be naturally made by those skilled in the art, and the technical idea of the present invention can be applied to other embodiments. Accordingly, the present invention is not limited to the described embodiments, but is to be construed in its broadest scope in accordance with the technical spirit defined by the claims.
  • the present invention can be used for a surface texture measuring apparatus, a polishing pad surface texture measuring method, and a polishing pad surface texture determining method used for polishing substrates such as semiconductor wafers.

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Abstract

本発明は、半導体ウエハ等の基板の研磨に用いられる研磨パッドの表面性状測定装置、研磨パッドの表面性状測定方法、および研磨パッドの表面性状判定方法に関するものである。表面性状測定装置(30)は、研磨パッド(2)を研磨パッド(2)の研磨面(2a)から見たときに、光を複数の照射角度から研磨パッド(2)に照射可能な投光部(32)と、研磨パッド(2)の表面で反射した複数の方向からの反射光を受光可能な受光部(35)を備えている。

Description

研磨パッドの表面性状測定装置、研磨パッドの表面性状測定方法、および研磨パッドの表面性状判定方法
 本発明は、半導体ウエハ等の基板の研磨に用いられる研磨パッドの表面性状測定装置、研磨パッドの表面性状測定方法、および研磨パッドの表面性状判定方法に関する。
 近年、半導体デバイスの高集積化・高密度化に伴い、回路の配線がますます微細化し、多層配線の層数も増加している。回路の微細化を図りながら多層配線を実現しようとすると、下側の層の表面凹凸を踏襲しながら段差がより大きくなるので、配線層数が増加するに従って、薄膜形成における段差形状に対する膜被覆性(ステップカバレッジ)が悪くなる。したがって、多層配線するためには、このステップカバレッジを改善し、然るべき過程で平坦化処理しなければならない。また光リソグラフィの微細化とともに焦点深度が浅くなるため、半導体デバイスの表面の凹凸段差が焦点深度以下に収まるように半導体デバイス表面を平坦化処理する必要がある。
 従って、半導体デバイスの製造工程においては、半導体デバイス表面の平坦化技術がますます重要になっている。この平坦化技術のうち、最も重要な技術は、化学的機械研磨(CMP(Chemical Mechanical Polishing))である。この化学的機械研磨は、研磨装置を用いて、研磨液を研磨パッドに供給しつつ半導体ウエハなどの基板を研磨パッドに摺接させて研磨を行うものである。研磨液は、例えば、シリカ(SiO)やセリア(CeO)等の砥粒を含んだスラリーである。
 上述したCMP(化学的機械研磨)を行う研磨装置は、研磨パッドを有する研磨テーブルと、半導体ウエハ(基板)を保持するための研磨ヘッド等と称される基板保持装置とを備えている。このような研磨装置を用いて基板保持装置により基板を保持しつつ、この基板を研磨パッドに対して所定の圧力で押圧して、基板上の絶縁膜や金属膜等を研磨することが行われている。
 基板の研磨を行なうと、研磨パッドの表面には砥粒や研磨屑が付着し、また、研磨パッドの表面形状や状態が変化して研磨性能が劣化してくる。このため、基板の研磨を繰り返すに従い、研磨速度が低下し、また、研磨むらが生じてしまう。そこで、劣化した研磨パッドの表面形状や状態を再生するために、ドレッサーを用いて研磨パッドのドレッシング(コンディショニング)を行っている。
 研磨パッドの表面形状や状態、すなわち、研磨パッドの表面性状は、CMP性能を決定付ける要因の一つである。したがって、研磨パッドの表面性状を直接的に測定して、この測定値をドレッシング条件に反映させることが望ましい。そこで、従来の研磨装置では、研磨パッドの表面性状を直接的に測定するための装置を用いて、ドレッシング条件を決定している。本明細書では、研磨パッドの表面性状を測定する装置を、「表面性状測定装置」と称する。
国際公開第2016/111335号公報 特開2015-174156号公報 特開2019-19370号公報
 最近では、研磨パッドの表面状態をより詳細に評価し、ドレッシング条件の最適化を行う等の観点から、研磨パッドの表面性状をより精度よく測定することができる装置への要請が高まっている。また、過剰なドレッシングを防ぐことによるドレッサーの長寿命化や、基板の研磨に使用されるスラリーなどの消耗部材の削減の観点から、精度よく研磨パッドの表面性状の判定を行うことへの要請が高まっている。
 そこで、本発明は、研磨パッドの表面性状の測定精度を向上させることができる、研磨パッドの表面性状測定装置および研磨パッドの表面性状測定方法を提供することを目的とする。さらに本発明は、精度よく研磨パッドの表面性状判定を行うことができる方法を提供することを目的とする。
 一態様では、基板の研磨に使用される研磨パッドの表面性状測定装置であって、前記研磨パッドを前記研磨パッドの研磨面側から見たときに、光を複数の方向から前記研磨パッドに照射可能な投光部と、前記研磨パッドの表面で反射した複数の方向からの反射光を受光可能な受光部を備えている、表面性状測定装置が提供される。
 一態様では、前記表面性状測定装置は、前記光の照射方向を変更する照射方向変更機構をさらに備えている。
 一態様では、前記照射方向変更機構は、前記投光部および前記受光部を回転させる回転モータと、前記回転モータに連結されたシャフトを備えている。
 一態様では、前記投光部は、互いに異なる方向を向いて配置された複数の光源を備え、前記受光部は、互いに異なる方向を向いて配置された複数の受光素子を備えている。
 一態様では、前記表面性状測定装置は、前記受光部に電気的に接続されたデータ処理部をさらに備え、前記データ処理部は、互いに異なる複数の方向から前記研磨パッドに照射された複数の光の前記研磨パッドからの複数の反射光の強度分布を利用して、前記研磨パッドの表面性状を間接的に示す指標値を取得するように構成されている。
 一態様では、互いに異なる複数の照射方向から研磨パッドに光を照射し、前記研磨パッドに照射された複数の光のそれぞれに対応する前記研磨パッドからの複数の反射光を受光し、複数の反射光の強度分布を取得し、前記複数の強度分布を利用して、前記研磨パッドの表面性状を間接的に示す指標値を取得する工程を含み、前記照射方向は、前記研磨パッドを前記研磨パッドの研磨面側から見たときの方向である、研磨パッドの表面性状測定方法が提供される。
 一態様では、前記互いに異なる複数の照射方向から前記研磨パッドに光を照射し、前記研磨パッドに照射された前記複数の光のそれぞれに対応する前記研磨パッドからの前記複数の反射光を受光する工程は、前記光の照射方向を変更しながら、前記光を前記研磨パッドに照射し、各照射方向における光の前記研磨パッドからの各反射光を受光する工程を含む。
 一態様では、前記互いに異なる複数の照射方向から前記研磨パッドに光を照射し、前記研磨パッドに照射された前記複数の光のそれぞれに対応する前記研磨パッドからの前記複数の反射光を受光する工程は、複数の光源によって、複数の照射方向から光を前記研磨パッドに照射し、前記研磨パッドに照射された複数の光のそれぞれに対応する研磨パッドからの複数の反射光を複数の受光素子で受光する工程を含む。
 一態様では、研磨パッドの表面の複数の箇所で、前記研磨パッドからの反射光の強度分布を取得する工程と、前記複数の箇所で取得された複数の前記強度分布から前記研磨パッドの表面性状を間接的に示す波長構成比を算出する工程と、前記算出された波長構成比に基づいて、前記研磨パッドの表面性状の良否を判定する工程を備え、前記研磨パッドからの反射光の強度分布を取得する工程は、前記研磨パッドの表面にレーザ光を照射し、前記研磨パッドからの反射光を受光する工程を含む、研磨パッドの表面性状判定方法が提供される。
 一態様では、前記複数の箇所で取得された複数の前記強度分布から前記研磨パッドの表面性状を間接的に示す波長構成比を算出する工程は、複数の前記強度分布のそれぞれから、波長構成比をそれぞれ算出することによって、複数の波長構成比を算出する工程を含む。
 一態様では、前記複数の箇所で取得された複数の前記強度分布から前記研磨パッドの表面性状を間接的に示す波長構成比を算出する工程は、前記複数の強度分布を平均化し、平均化された反射光の強度分布から、前記波長構成比を算出する工程を含む。
 一態様では、前記算出された波長構成比に基づいて、前記研磨パッドの表面性状の良否を判定する工程は、前記算出された複数の波長構成比が予め定められた基準範囲内にあるか否かを確認し、前記算出された複数の波長構成比の全てが予め定められた基準範囲内にあるときに、前記研磨パッドの表面性状が良好であると判定する工程を含む。
 一態様では、前記算出された波長構成比に基づいて、前記研磨パッドの表面性状の良否を判定する工程は、前記算出された複数の波長構成比の平均値を算出し、前記平均値と予め定められたしきい値を比較し、かつ前記算出された複数の波長構成比が予め定められた基準範囲内にあるか否かを確認し、前記平均値が前記しきい値よりも小さく、かつ前記算出された複数の波長構成比の全てが前記基準範囲内にあるときに前記研磨パッドの表面性状が良好であると判定する工程を含む。
 一態様では、前記算出された波長構成比に基づいて、前記研磨パッドの表面性状の良否を判定する工程は、前記算出された複数の波長構成比の平均値を算出し、前記平均値と予め定められたしきい値を比較し、かつ前記算出された複数の波長構成比が予め定められた基準範囲内にあるか否かを確認し、前記平均値が前記しきい値よりも大きく、かつ前記算出された複数の波長構成比の全てが前記基準範囲内にあるときに前記研磨パッドの表面性状が良好であると判定する工程を含む。
 一態様では、前記方法は、前記研磨パッドの表面性状が良好であると判定した場合、前記研磨パッドのブレークインを終了する工程をさらに含む。
 本発明によれば、互いに異なる複数の方向から前記研磨パッドに照射された複数の光の前記研磨パッドからの複数の反射光の強度分布を取得することができる。結果として、研磨パッドの表面性状の測定精度を向上させることができる。さらに本発明によれば、研磨パッドの表面の複数の箇所で研磨パッドからの反射光の強度分布を取得することで、研磨パッドの表面性状の面内ばらつきを含めた評価を行うことができる。これにより、精度よく研磨パッドの表面性状を判定することができる。
研磨パッドの表面性状測定装置を備えた研磨装置の一実施形態を示す模式図である。 測定ヘッドの内部構造(測定構造)の一実施形態を示す模式図である。 測定ヘッドの内部構造の他の実施形態を示す模式図である。 研磨パッドからの反射光を説明する図である。 研磨パッドの表面の空間波長スペクトルを示す模式図である。 測定ヘッドが測定位置に配置された状態の一実施形態を模式的に示す斜視図である。 図7Aは、測定ヘッドの正面図である。 図7Bは、測定ヘッドの下面図である。 図6に示す測定ヘッドの周辺を拡大して示す模式図である。 表面性状判定方法の一実施形態を示すフローチャートである。 研磨パッドの表面上の複数の測定点の一例を示す図である。 ブレークイン中の研磨パッドの処理条件毎の波長構成比の一例を示すグラフである。 図12Aは、図11の条件1における波長構成比と、所定の基準範囲および所定のしきい値を比較した図である。 図12Bは、図11の条件6における波長構成比と、所定の基準範囲および所定のしきい値を比較した図である。 図12Cは、図11の条件10における波長構成比と、所定の基準範囲および所定のしきい値を比較した図である。 表面性状判定方法の他の実施形態を示すフローチャートである。 基板Wを研磨しながら所定のドレッシング条件でドレッシングした後、研磨パッド2の表面性状を測定し、波長構成比を算出した結果を示す図である。 表面性状測定装置の他の実施形態を示す模式図である。 投光部および受光部が軸心周りに回転したときの状態を示す図である。 研磨パッドの表面性状測定方法の一実施形態を示すフローチャートである。 照射角度が0°のときの研磨パッドからの反射光の強度分布を示すグラフである。 照射角度が45°のときの研磨パッドからの反射光の強度分布を示すグラフである。 照射角度が90°のときの研磨パッドからの反射光の強度分布を示すグラフである。 照射角度が135°のときの研磨パッドからの反射光の強度分布を示すグラフである。 照射角度が180°のときの研磨パッドからの反射光の強度分布を示すグラフである。 照射角度が225°のときの研磨パッドからの反射光の強度分布を示すグラフである。 照射角度が270°のときの研磨パッドからの反射光の強度分布を示すグラフである。 照射角度が315°のときの研磨パッドからの反射光の強度分布を示すグラフである。 表面性状測定装置のさらに他の実施形態を示す模式図である。 図26に示す測定ヘッドを上から見た図である。
 以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、以下で説明する図面において、同一又は相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。
 図1は、研磨パッドの表面性状測定装置を備えた研磨装置の一実施形態を示す模式図である。図1に示すように、研磨装置(CMP装置)は、研磨パッド2を支持する研磨テーブル1と、研磨対象物である半導体ウエハ等の基板Wを保持して研磨テーブル上の研磨パッドに押圧する研磨ヘッド10と、研磨パッド2をドレッシングするドレッシング装置20と、研磨パッド2の表面形状や表面状態などの表面性状を測定する研磨パッドの表面性状測定装置30と、研磨装置の各構成要素の動作を制御する動作制御部9とを備えている。
 研磨テーブル1は、テーブル軸4を介してその下方に配置されるテーブル回転モータ3に連結されており、テーブル軸4の軸心AX1周りに回転可能になっている。研磨テーブル1の上面には研磨パッド2が貼り付けられており、研磨パッド2の表面が基板Wを研磨する研磨面2aを構成している。研磨パッド2は、その中心Oが軸心AX1上にあるように研磨テーブル1上に貼り付けられる。研磨テーブル1の上方には研磨液供給ノズル(図示せず)が設置されており、研磨液供給ノズルによって研磨テーブル1上の研磨パッド2に研磨液(スラリー)が供給されるようになっている。
 研磨ヘッド10は、研磨ヘッドシャフト11に接続されており、研磨ヘッドシャフト11は、昇降機構(図示せず)によって研磨ヘッド揺動アーム12に対して上下動するようになっている。昇降機構は、研磨ヘッド揺動アーム12に連結されている。研磨ヘッドシャフト11の上下動により、研磨ヘッド揺動アーム12に対して研磨ヘッド10の全体を上下動させ位置決めするようになっている。研磨ヘッドシャフト11は、研磨ヘッド回転モータ(図示せず)の駆動により回転するようになっており、研磨ヘッド10が研磨ヘッドシャフト11の軸心周りに回転するようになっている。一実施形態では、研磨ヘッド回転モータは、研磨ヘッド揺動アーム12内に配置される。
 図1に示すように、研磨ヘッド10は、その下面に半導体ウエハなどの基板Wを保持できるようになっている。研磨ヘッド揺動アーム12は旋回可能に構成されており、下面に基板Wを保持した研磨ヘッド10は、研磨ヘッド揺動アーム12の旋回により基板の受取位置から研磨テーブル1の上方に移動可能になっている。研磨ヘッド10は、下面に基板Wを保持して基板Wを研磨パッド2の表面(研磨面2a)に押圧する。このとき、研磨テーブル1および研磨ヘッド10をそれぞれ回転させ、研磨テーブル1の上方に設けられた研磨液供給ノズル(図示せず)から研磨パッド2上に研磨液(スラリー)を供給する。研磨液には砥粒としてシリカ(SiO)やセリア(CeO)などを含んだ研磨液が用いられる。このように、研磨液を研磨パッド2上に供給しつつ、基板Wを研磨パッド2に押圧して基板Wと研磨パッド2とを相対移動させて基板上の絶縁膜や金属膜等を研磨する。絶縁膜としてはSiOが挙げられる。金属膜としてはCu膜、W膜、Ta膜、Ti膜が挙げられる。
 ドレッシング装置20は、研磨パッド2の研磨面2aに摺接されるドレッサー22と、ドレッサー22が連結されるドレッサーシャフト24と、ドレッサーシャフト24の上端に設けられたエアシリンダ23と、ドレッサーシャフト24を回転自在に支持するドレッサーアーム21とを備えている。ドレッサー22の下部はドレッシング部材22aにより構成されている。ドレッシング部材22aは円形のドレッシング面を有しており、ドレッシング面には硬質な粒子が電着等により固定されている。この硬質な粒子としては、ダイヤモンド粒子やセラミック粒子などが挙げられる。
 ドレッサーアーム21内には、ドレッサー回転モータ(図示せず)が配置されている。ドレッサーシャフト24は、このドレッサー回転モータの駆動により回転し、ドレッサーシャフト24の回転により、ドレッサー22はドレッサーシャフト24の軸心周りに回転する。エアシリンダ23は、ドレッサーシャフト24およびドレッサー22を一体に上下動させ、ドレッシング部材22aを所定の押圧力で研磨パッド2の研磨面2aに押圧する。
 エアシリンダ23は、図示しない気体供給源に連結されており、研磨パッド2へのドレッシング荷重をドレッサー22に付与する装置である。ドレッシング荷重は、エアシリンダ23に供給される空気圧により調整することができる。さらに、エアシリンダ23によって、ドレッサー22を研磨パッド2の研磨面2aから離間させることができる。エアシリンダ23は、ドレッサーシャフト24およびドレッサー22をドレッサーアーム21に対して上下動させる昇降アクチュエータとして機能する。一実施形態では、サーボモータとボールねじ機構との組み合わせを、ドレッサーシャフト24およびドレッサー22をドレッサーアーム21に対して上下動させる昇降アクチュエータとして用いてもよい。
 ドレッシング装置20は、ドレッサーアーム21に連結された支軸26と、支軸26を回転させる支軸回転モータ(回転アクチュエータ)27をさらに備えている。支軸回転モータ27を駆動すると、ドレッサーアーム21は支軸26を中心として旋回する。
 研磨パッド2の研磨面2aのドレッシングは次のようにして行われる。研磨テーブル1および研磨パッド2をテーブル回転モータ3により回転させ、図示しないドレッシング液供給ノズルからドレッシング液(例えば、純水)を研磨パッド2の研磨面2aに供給する。この状態で、ドレッサー22をドレッサーシャフト24の軸心周りに回転させる。ドレッサー22はエアシリンダ23により研磨面2aに押圧され、研磨面2a上にドレッシング液が存在した状態で、ドレッシング部材22aの下面が研磨面2aに摺接される。ドレッサー22の回転中、ドレッサーアーム21を支軸26を中心に旋回(揺動)させてドレッサー22を研磨面2aの半径方向に移動させる。このようにして、ドレッサー22により研磨パッド2が削り取られ、研磨面2aがドレッシング(再生)される。研磨パッド2は、研磨面2aに微細な凹凸構造を有しており、基板Wの研磨が進むにつれて凹凸構造の凸部は倒れていく。ドレッシングにより、起き上がった状態の凸部が再生される。
 動作制御部9は、プログラムが格納された記憶装置9aと、プログラムに含まれる命令に従って演算を実行する処理装置9bを備えている。処理装置9bは、記憶装置9aに格納されているプログラムに含まれる命令に従って演算を行うCPU(中央処理装置)またはGPU(グラフィックプロセッシングユニット)などを含む。記憶装置9aは、処理装置9bがアクセス可能な主記憶装置(例えばランダムアクセスメモリ)と、データおよびプログラムを格納する補助記憶装置(例えば、ハードディスクドライブまたはソリッドステートドライブ)を備えている。動作制御部9は、少なくとも1台のコンピュータから構成されている。
 テーブル回転モータ3、昇降機構(図示せず)、研磨ヘッド回転モータ(図示せず)、研磨液供給ノズル(図示せず)、ドレッシング装置20、および表面性状測定装置30は、動作制御部9に電気的に接続されている。これら各構成要素の動作は、動作制御部9によって制御される。
 研磨パッドの表面性状測定装置30は、測定ヘッド31と、測定ヘッド31に電気的に接続されたデータ処理部50を備えている。研磨パッドの表面性状測定装置30は、研磨パッド2に光を照射し、研磨パッド2の表面(研磨面2a)で反射した反射光を受光することでパッド表面性状を測定するように構成されている。
 データ処理部50は、プログラムが格納された記憶装置50aと、プログラムに含まれる命令に従って演算を実行する処理装置50bを備えている。処理装置50bは、記憶装置50aに格納されているプログラムに含まれる命令に従って演算を行うCPU(中央処理装置)またはGPU(グラフィックプロセッシングユニット)などを含む。記憶装置50aは、処理装置50bがアクセス可能な主記憶装置(例えばランダムアクセスメモリ)と、データおよびプログラムを格納する補助記憶装置(例えば、ハードディスクドライブまたはソリッドステートドライブ)を備えている。データ処理部50は、少なくとも1台のコンピュータから構成されている。一実施形態では、動作制御部9とデータ処理部50とは一体に構成されていてもよい。
 図2は、測定ヘッド31の内部構造(測定構造)の一実施形態を示す模式図である。図2に示すように、測定ヘッド31は、研磨パッド2に光を照射する投光部32と、研磨パッド2の表面(研磨面2a)で反射した反射光を受光する受光部35とを備えている。投光部32は、光を発する光源33を備えている。光源33から発せられる光の一例として、レーザ光が挙げられる。本実施形態では、光源33は、レーザ光を発するレーザ光源である。レーザ光は、研磨面2a上の照射位置Pに照射される。
 受光部35は、受光素子36を備えている。受光素子36は、研磨パッド2から反射する光の0次回折光からn次回折光(例えば、4次回折光または7次回折光)までを受光可能な寸法を持った線状(1次元型)の電荷結合素子(CCD)、もしくは相捕型金属酸化膜半導体(CMOS)素子のいずれかからなる。受光素子36は、多数の受光ピクセルを備えており、画素(ピクセル)毎に反射光の受光強度を検知できるように構成されている。投光部32および受光部35は、データ処理部50に電気的に接続されている。
 図3は、測定ヘッド31の内部構造の他の実施形態を示す模式図である。特に説明しない本実施形態の構成および動作は、図2を参照して説明した実施形態と同じであるので、その重複する説明を省略する。図3に示すように、本実施形態の測定ヘッド31は、投光部32から発せられたレーザ光の光路に沿って順次配置された偏光子38、NDフィルター(減光フィルター)39、およびミラー40をさらに備えている。ミラー40は、投光部32から発せられたレーザ光を反射することにより光路を変更可能に構成されている。研磨パッド2の表面で反射した反射光の光路には、受光部35の手前に減光フィルター41が配置されている。
 投光部32から発せられたレーザ光は、偏光子38でS偏光された後に、NDフィルター39で光量が調整されて、予めその角度が調整されたミラー40に入射する。そして、レーザ光は、ミラー40で反射して光路が変更され、研磨パッド2の表面に入射する。研磨パッド2の表面で反射した反射光は、減光フィルター41を通過し、受光部33で受光される。一実施形態では、減光フィルター41の代わりに特定の波長帯のみの透過を許容するバンドパスフィルターを配置してもよい。
 本実施形態によれば、偏光子38によって光源33から発せられたレーザ光をS偏光させた後に研磨パッド2に入射させることで、研磨パッド2の表面での反射率を高めることができる。一実施形態では、バンドパスフィルターによって、光源33のレーザ光の波長に対して±5nm以内の反射光だけを通過させるようにしてもよい。これにより、ノイズとなる周囲の環境光の影響を低減することができる。本実施形態では、光源33のレーザ光として、波長が650nmのレーザ光が用いられる。
 図4は、研磨パッド2からの反射光を説明する図である。上述のように、研磨パッド2は、研磨面2aに微細な凹凸構造を有しており、研磨パッド2の表面形状は、単純な(単波長の)空間波形の重ね合わせと捉えることができる。図4に示す例では、研磨パッド2の表面(研磨面2a)は、波長ξの空間波形と、波長ξの空間波形を有している。研磨パッド2からの反射光は、研磨面2aの各空間波形の波長(空間波長)に応じた0次回折光からn次回折光までの散乱光を含んでいる。受光素子36は、上記散乱光を含む反射光を受光することで、反射光の強度分布を取得する。反射光の強度分布は、受光素子36における、受光位置ごとの受光強度の分布である。受光素子36は、画素毎に異なる空間波長の光を受光するように構成されている。各画素の位置から各画素が受光する光の空間波長が算出可能になっている。したがって、受光素子36が取得する反射光の強度分布は、空間波長(または空間周波数)の強度分布ともいうことができる。
 次に、研磨パッド2の表面性状測定方法について説明する。まず、光源33から研磨パッド2の表面にレーザ光を照射する。受光素子36は、研磨パッド2の表面で反射したレーザ光を受光することで、研磨パッド2の表面の情報を測定する。具体的には、受光素子36は、研磨パッド2からの反射光の強度分布を取得する。上記反射光の強度分布は、データ処理部50に送信される。次に、データ処理部50は、上記反射光の強度分布を、フーリエ変換することで、研磨パッド2の表面の空間波長スペクトルに変換する。さらに、データ処理部50は、上記空間波長スペクトルを演算することで、研磨パッド2の表面性状を間接的に示す指標値を算出し、算出された指標値を動作制御部9に受け渡す。動作制御部9は、受け取った指標値に基づいて、ドレッシング条件の決定や、研磨パッド2の表面性状の判定を行う。一実施形態では、動作制御部9は、研磨パッド2の表面性状を判定することで、ドレッシング不足の検知や、ドレッシングの終了判定等を実行する。
 図5は、研磨パッド2の表面の空間波長スペクトルを示す模式図である。図5の縦軸は、受光素子36で取得した反射光の強度I(ξ)であり、横軸は、空間周波数を示している。空間周波数1/ξ~1/ξは、空間波長ξ~ξの逆数である。
 上述のように、データ処理部50は、研磨パッド2からの反射光の強度分布から、研磨パッド2の表面性状を間接的に示す指標値を算出する。上記指標値の一例として、波長構成比が挙げられる。本明細書では、波長構成比を、所定の空間波長領域の反射光の強度(以下、反射強度と呼ぶことがある)の積分値の、上記所定の空間波長領域を含むより広い空間波長領域の反射強度の積分値に対する比率と定義する。波長構成比が大きいほど、所定の空間波長領域の反射光の強度が相対的に大きいことを示し、このことは即ち、測定された研磨パッド2の表面が、所定の空間波長成分をより多く含むことを示している。予め、所定の空間波長成分の大小が、CMP性能と強い関連性を持つことを調べてあるため、波長構成比によって、CMP性能を推測することが可能となる。プロセスに依って適当な空間波長領域を選択することで、CMP性能と強い関連性を持つ研磨パッド2の表面性状としての波長構成比を取得することができる。
 例えば、図5に示す、空間周波数1/ξ(すなわち空間波長ξ)から空間周波数1/ξ(すなわち空間波長ξ)までの空間波長領域における反射強度の、空間周波数1/ξ(すなわち空間波長ξ)から空間周波数1/ξ(すなわち空間波長ξ)までの空間波長領域における反射強度に対する波長構成比は、以下の式(1)で求められる。
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 研磨パッド2の表面性状を評価する場合、CMP性能に関連する(=「所定の」)空間波長領域の強度だけを抽出したい。しかしながら、得られた空間波長スペクトルには、一般に全波長領域に対してランダムノイズが含まれる。波長構成比を求めることで、ノイズの影響を除外して、所定の空間波長領域の反射強度だけを評価することができる。
 一実施形態では、動作制御部9は、データ処理部50で求めた波長構成比に基づいて、閉ループ制御で好適なドレッシング条件を算出する。例えば、波長構成比が、予め設定した所定の範囲内で推移するように、ドレッシング条件を算出する。その際、動作制御部9は、予め、ドレッシング条件と波長構成比との関連を示す関係式を得ておき、同式により、好適なドレッシング条件を求める。ここでドレッシング条件とは、主に、研磨パッド回転数、ドレッサー回転数、ドレッシング荷重、ドレッサー揺動(旋回)速度、などである。
 例えば、ドレッシング条件として、ドレッシング荷重が制御対象になる場合には、予め、ドレッシング荷重とパッド表面性状の関係性を取得しておき、即ち、ドレッシング荷重を大きくしたらどのくらい波長構成比が大きくなるか又は小さくなるかを取得しておき、予め定めた理想的な波長構成比と、算出された波長構成比とを比較して、そこにずれがあれば、上記関係性に基づいてドレッシング荷重を、理想的な波長構成比に近付く方向に設定する。
 一実施形態では、算出された波長構成比と、予め定められた所望の波長構成比との差異を所望パッド表面性状変化量として求めてもよい。予め作成された、ドレッシング荷重、ドレッサー回転数、研磨パッド回転数、ドレッサー揺動(旋回)速度の少なくとも一項目の変化量とパッド表面性状の変化量との関係を示す回帰式に、前記所望パッド表面性状変化量を代入することで前記ドレッシング荷重、ドレッサー回転数、研磨パッド回転数、ドレッサー揺動速度の少なくとも一項目を求めてもよい。
 上記実施形態によれば、予め、ドレッシング条件(ドレッシング荷重、ドレッサー回転数、研磨パッド回転数、ドレッサー揺動速度など)と波長構成比との関係を表す回帰式を求めておき、ここに波長構成比の変化量を代入することで、所望の波長構成比を得るために最適なドレッシング条件を一意的に得ることができる。
 回帰式は、例えば、dR=A×dL+Bと表すことができる。ここで、dRは波長構成比の変化量、dLはドレッシング荷重の変化量、AおよびBは定数、である。上記ドレッシング条件の決定方法によれば、研磨パッドの表面性状をパッドの使用初期から使用末期まで一定に保つことができるという効果が得られる。研磨パッドの表面性状は、パッドの使用初期から末期まで、研磨パッドの減耗量やドレッサーの切れ味の鋭さによって変化し、その変化に応じて、CMP性能も変化する。研磨パッドの表面性状を一定に保つことは、CMP性能を一定に保つことにつながる。
 一実施形態では、データ処理部50で得た波長構成比を異常検知に使用してもよい。この場合、動作制御部9は、波長構成比が予め定めた値の範囲から外れたら、パッド表面性状異常と判定し、異常の発報や、ドレッサー交換が必要であることの発報などを実行する。
 研磨パッドの表面性状の異常の種類として、研磨パッド表面の異常な点(欠陥)の存在、研磨パッドのドレッシング不足、ドレッサーの寿命、研磨パッドの寿命などが挙げられる。
 図6は、測定ヘッド31が測定位置に配置された状態の一実施形態を模式的に示す斜視図である。図7Aは、測定ヘッド31の正面図であり、図7Bは、測定ヘッド31の下面図である。図6および図7Aに示すように、測定ヘッド31は、ケーシング43を有している。ケーシング43は、その内部に、研磨パッド2の表面性状を測定するための測定構造を収容している。ケーシング43の内部に収容される測定構造は、例えば、図3および図4を参照して説明した投光部32、受光部35、偏光子38、NDフィルター39、ミラー40、減光フィルター41などである。
 図7Aに示すように、ケーシング43の下部には切り欠き44が形成されている。本実施形態では、切り欠き44は、2つの対向する傾斜面44a,44bと、これら傾斜面44a,44bを接続する接続面44cとによって区画される台形形状を有している。図7Bに示すように、一方の傾斜面44aには、透光性を有するフィルター47aが配置されており、フィルター47aを通して光源33から発せられたレーザ光が研磨パッド2に照射される。他方の傾斜面44bにも、透光性を有するフィルター47bが配置されており、受光部35は、フィルター47bを通して、研磨パッド2からの反射光を受光する。これらフィルター47a,47bの例としては、例えば、透明フィルム、または透明ガラスなどが挙げられる。
 測定ヘッド31は、ケーシング43の側面に固定された位置決めプレート77,78を有している。測定ヘッド31が図6および図7Aに示す測定位置に移動されたとき、位置決めプレート77,78が研磨パッド2の研磨面2aに接触する。位置決めプレート77,78によって、鉛直方向における研磨パッド2の研磨面2aから測定ヘッド31の測定構造までの距離、および測定ヘッド31の研磨面2aに対する角度を常に一定に保つことができる。
 一実施形態では、図7Aおよび図7Bに示すように、表面性状測定装置30は、接続面44cから突出する先端を有するノズル45を備えていてもよい。ノズル45は、図示しない加圧気体供給ラインに接続されており、加圧気体供給ラインからの加圧気体(例えば、加圧窒素、または加圧空気)を研磨パッド2の研磨面2aに吹き付けるように構成されている。ノズル45から吹き付けられた加圧気体によって、研磨面2a上の研磨液またはドレッシング液などの液体が除去される。これにより、表面性状測定装置30は、研磨パッド2の正確な表面性状を測定することができる。
 図8は、図6に示す測定ヘッド31の周辺を拡大して示す模式図である。図6および図8に示すように、測定ヘッド31は、支持アーム51に支持されており、支持アーム51は、研磨装置の一部に固定される移動ユニット53に連結されている。移動ユニット53は、測定ヘッド31を待避位置から測定位置に、または測定位置から待避位置に移動させるためのユニットである。測定ヘッド31の測定位置は、測定ヘッド31が研磨パッド2の表面性状を測定するために研磨パッド2に接触している位置であり、測定ヘッド31の待避位置は、測定ヘッド31が研磨パッド2から離間した位置である。
 図8に示すように、移動ユニット53は、研磨装置の一部に固定される固定ブロック55と、支持アーム51に連結される回動ブロック56と、回動ブロック56を固定ブロック55に対して回動自在に連結する回転軸58と、回動ブロック56を回転軸58の軸心まわりに回動させる回動機構60を備えている。固定ブロック55は、研磨装置のフレーム48に固定されている。支持アーム51は、支持プレート52を介して回動ブロック56に連結されている。回動ブロック56は、回転軸58を介して固定ブロック55に連結されている。
 回動機構60は、回動ブロック56に連結されたピストン(図示せず)と、ピストンを進退自在に収容するシリンダ63から構成されるピストンシリンダ機構である。ピストンの先端は、回動ブロック56に連結されている。シリンダ63には、流体供給ライン(図示せず)が接続されており、流体供給ラインを介して流体(例えば、加圧窒素または加圧空気)がシリンダ63に供給される。動作制御部9は、シリンダ63への流体の供給を制御することにより、ピストンを上下動させる。例えば、流体供給ラインに開閉弁(図示せず)を配置して、動作制御部9がこの開閉弁の動作を制御することにより、ピストンを上下動させる。より具体的には、ピストンを上昇させるときは、動作制御部9は、開閉弁を開き、シリンダ63に流体を供給する。ピストンを下降させるときは、動作制御部9は、開閉弁を閉じて、シリンダ63への流体の供給を停止させる。
 回動機構60のピストンを上昇させることにより、回動ブロック56および支持アーム51が測定ヘッド31を上方に移動させる方向に回動し、ピストンを下降させることにより、回動ブロック56および支持アーム51が測定ヘッド31を下方に移動させる方向に回動する。研磨パッド2の表面性状を測定するときは、動作制御部9は、回動機構60のピストンを下降させる。これにより、測定ヘッド31の位置決めプレート77,78が研磨パッド2に接触し、測定ヘッド31は、測定位置に位置する。研磨パッド2の表面性状の測定が終了すると、動作制御部9は、回動機構60のピストンを上昇させる。これにより、測定ヘッド31が研磨パッド2から離間し、測定ヘッド31は待避位置に移動する。
 図8に示すように、回動ブロック56は、支持プレート52に接続された第1プレート64と、固定ブロック55に回転軸58を介して連結された第2プレート65を備えている。第1プレート64は、ヒンジ機構87によって、第2プレート65に回動自在に連結されている。ヒンジ機構87は、第1プレート64の上面に固定される第1ジョイント88と、第2プレート65の上面に固定される第2ジョイント89と、第1ジョイント88を第2ジョイント89に対して回動自在に連結する回転ピン66とから構成されている。ヒンジ機構87を動作させることによって、支持アーム51をさらに上方に傾けることができる。これにより、測定ヘッド31が研磨パッド2からより遠くに位置するので、研磨パッド2のメンテナンスまたは交換を容易に行うことができる。
 研磨装置は、測定ヘッド31の姿勢を自動で調整する姿勢調整機構70をさらに備えている。姿勢調整機構70は、支持アーム51に連結された支持台72と、測定ヘッド31の上面に固定され、支持台72に形成された貫通孔を通って延びる複数の調整ピン73を備えている。本実施形態では、4つの調整ピン73が測定ヘッド31の上面に固定されている。支持台72は、支持アーム51に連結された支柱72aと、支柱72aの下部に固定されたフランジ部72bを有しており、4つの貫通孔がフランジ部72aの4角に形成されている。各調整ピン73は、フランジ72bに形成された各貫通孔を通って延びている。
 調整ピン73の上部は、上記貫通孔の直径よりも大きい直径を有しており、調整ピン73のフランジ部72bを貫通している部分の直径は、上記貫通孔の直径よりも小さい。したがって、測定ヘッド31は、支持台72に近付く方向および支持台72から遠ざかる方向に移動可能になっている。測定ヘッド31の位置決めプレート77,78を研磨パッド2の研磨面2aに接触させると、測定ヘッド31は、その自重により、研磨パッド2の研磨面2aに支持される。したがって、測定ヘッド31の下面が研磨パッド2の表面(研磨面2a)に対して平行になるように、測定ヘッド31の姿勢が調整される。
 研磨装置は、測定ヘッド31を支持アーム51の長手方向に移動させるアクチュエータとしての測定ヘッド移動機構83をさらに備えている。測定ヘッド31が測定位置にあるとき、支持アーム51は、研磨パッド2の半径方向に延びるように配置される。したがって、測定ヘッド移動機構83は、測定ヘッド31を研磨パッド2の半径方向に移動させる。測定ヘッド移動機構83は、支持台72に連結されたボールねじ機構85と、ボールねじ機構85に連結されたサーボモータ84を備えている。サーボモータ84は、支持アーム51の下面に固定されている。
 支持アーム51は、その長手方向に沿って延びる長穴80を有している。長穴80の内部には、段差部(図示せず)が形成されている。支柱72aの上端には、支持軸81が固定されている。支持軸81は、長穴80の段差部に接触し、長穴80の段差部によって、長穴80の長手方向に移動可能に支持されている。このような構成より、測定ヘッド31および姿勢調整機構70は、支持アーム51の長手方向に移動可能になっている。すなわち、長穴80は、姿勢調整機構70および測定ヘッド31を支持アーム50に沿って移動させるための案内穴として機能する。
 測定ヘッド移動機構83は、動作制御部9に電気的に接続されている。測定ヘッド移動機構83の動作は、動作制御部9によって制御される。動作制御部9がサーボモータ84を駆動すると、ボールねじ機構85が駆動し、姿勢調整機構70および測定ヘッド31が支持アーム51の長手方向(すなわち、研磨パッド2の半径方向)に移動する。一実施形態では、測定ヘッド移動機構83は、エアシリンダと圧力レギュレータの組み合わせであってもよい。
 次に、上述した表面性状測定装置30および研磨パッド2の表面性状測定方法を使用した研磨パッド2の表面性状判定方法の一実施形態について図9を参照して説明する。図9は、研磨パッド2のブレークインに、研磨パッド2の表面性状判定方法を組み込んだ例を示すフローチャートである。
 まず、未使用の研磨パッド2を研磨テーブル1に載置し、研磨パッド2のブレークインを開始する(ステップ1-1)。ブレークインとは、未使用の研磨パッドの表面(研磨面)を研磨に適した状態にするための工程のことである。ブレークインは、研磨パッド2のドレッシングのみを行う工程(シーズニング)を少なくとも含む。一実施形態では、ブレークインは、複合処理工程をさらに含んでもよい。複合処理工程は、酸化膜(SiO)または金属膜が成膜されたダミーウエハを一枚研磨した後、研磨パッド2をドレッシングする工程である。複合処理工程は、研磨するダミーウエハを変えて複数回繰り返してもよい。一実施形態では、シーズニングの後、所定回数の複合処理工程が実施される。
 ブレークインを行っている間、研磨パッド2の表面性状を測定する(ステップ1-2)。一実施形態では、所定時間研磨パッド2のドレッシング(シーズニング)を実施した後、または複合処理工程を所定回数実施した後、研磨パッド2の表面性状が測定される。
 ステップ1-2では、研磨パッド2の表面性状を測定する。具体的には、研磨パッド2の表面の互いに異なる複数の箇所(測定点)において、研磨パッド2からの反射光の強度分布を取得(測定)し、互いに異なる複数の箇所で取得された複数の上記強度分布から研磨パッド2の表面性状を間接的に示す波長構成比を算出する。研磨パッド2からの反射光の強度分布を取得する工程は、以下の通りである。すなわち、投光部32から研磨パッド2の表面にレーザ光を照射し、受光部35によって、研磨パッド2からの反射光を受光する。受光部35は、研磨パッド2からの反射光を受光することによって、研磨パッド2からの反射光の強度分布を取得する。
 互いに異なる複数の箇所で取得された複数の上記強度分布から研磨パッド2の表面性状を間接的に示す波長構成比を算出する工程は、以下の通りである。本実施形態では、複数の上記強度分布のそれぞれから、波長構成比をそれぞれ算出することによって、複数の波長構成比を算出する。具体的には、各箇所で取得された反射光の強度分布は、データ処理部50に送信される。次に、データ処理部50は、上記反射光の強度分布から、研磨パッド2の表面性状を間接的に示す波長構成比を算出する。より具体的には、データ処理部50は、上記反射光の強度分布を、フーリエ変換することで、研磨パッド2の表面の空間波長スペクトルに変換し、上記空間波長スペクトルから波長構成比を算出する。すなわち、本実施形態では、上述したレーザ光の照射から波長構成比の算出までの研磨パッド2の表面性状測定工程が、レーザ光の照射位置を変更して複数回実行される。
 一実施形態では、データ処理部50は、上記複数の強度分布を平均化し、平均化された反射光の強度分布から、研磨パッド2の表面性状を間接的に示す波長構成比を算出してもよい。具体的には、複数の強度分布の画素ごとに強度を平均化することによって、複数の反射光の強度分布を平均化する。強度分布の平均化を行った後で、波長構成比を算出することで、効率的に波長構成比を算出することができる。
 研磨パッド2からの反射光の強度分布は、研磨パッド2の中心Oを中心とする少なくとも1つの円周上の複数の箇所で取得(測定)される。一実施形態では、上記強度分布は、研磨パッド2の中心Oを中心とする複数の同心円上の複数の箇所で測定される。図10は、研磨パッド2の表面上の複数の測定点の一例を示す図である。図10に示す例では、上記強度分布は、研磨パッド2の中心Oを中心とする複数の同心円C1,C2,C3上の複数の測定点P11~P15,P21~P25,P31~P35で測定される。上記強度分布の測定点の数はこの例に限定されない。
 一実施形態では、研磨パッド2の表面の複数の箇所における研磨パッド2からの反射光の強度分布の測定は以下のように行われる。まず所定の位置に測定ヘッド31を移動させ、上記強度分布を測定する。次に、所定の角度だけ研磨テーブル1を研磨パッド2と一体に回転させ、再び研磨パッド2からの反射光の強度分布を測定する。測定ヘッド31の位置を固定したまま、研磨テーブル1の回転と、上記強度分布の測定を繰り返すことによって、中心Oを中心とする同一円周上で複数の測定が実施される。研磨パッド2からの反射光の強度分布を所定回数測定した後、測定ヘッド移動機構83によって測定ヘッド31を研磨パッド2の半径方向に移動させ、同様に、中心Oを中心とする他の円周の同一円周上の複数の箇所で研磨パッド2からの反射光の強度分布を測定する。研磨テーブル1の回転と、上記強度分布の測定と、測定ヘッド31の研磨パッド2の半径方向の移動を繰り返すことにより、研磨パッド2からの反射光の強度分布は、研磨パッド2の中心Oを中心とする複数の同心円上の複数の箇所で測定される。
 ステップ1-3では、ステップ1-2で算出された波長構成比に基づいて、研磨パッド2の表面性状の良否を判定する。データ処理部50は、ステップ1-2で算出された波長構成比を動作制御部9に送信し、動作制御部9は、算出された波長構成比に基づいて、研磨パッド2の表面性状の良否を判定する。動作制御部9は、研磨パッド2の表面性状が良好であると判定した場合、研磨装置の各構成要素に指令を発し、ブレークインを終了させる。
 一実施形態では、複数の上記強度分布のそれぞれから、波長構成比をそれぞれ算出した場合、動作制御部9は、算出された複数の波長構成比の平均値を算出し、上記平均値と予め定められたしきい値を比較し、上記平均値がしきい値よりも小さいときは、研磨パッド2の表面性状が良好である(研磨パッド2の表面が研磨に適した状態になった)と判定し、ブレークインを終了する(ステップ1-4)。上記平均値がしきい値よりも大きいときは、動作制御部9は、研磨パッド2の表面性状が良好ではない(研磨パッド2の表面が研磨に適した状態になっていない)と判定し、ブレークインを継続する(ステップ1-5)。所定時間のシーズニング、あるいは複合処理工程を所定回数実施した後、再度ステップ1-2を実行する。
 一実施形態では、平均化された反射光の強度分布から算出された波長構成比を予め定められたしきい値と比較してもよい。本実施形態では、上記波長構成比がしきい値よりも小さいときは、研磨パッド2の表面性状が良好であると判定し、ブレークインを終了する。上記波長構成比がしきい値よりも大きいときは、動作制御部9は、研磨パッド2の表面性状が良好ではないと判定し、ブレークインを継続する。所定時間のシーズニング、あるいは複合処理工程を所定回数実施した後、再度ステップ1-2を実行する。
 一実施形態では、上記平均値(または平均化された反射光の強度分布から算出された波長構成比)がしきい値よりも大きいときは、研磨パッド2の表面性状が良好であると判定し、ブレークインを終了してもよい。波長構成比を算出するための空間波長領域の選択方法によって、上記平均値(または平均化された反射光の強度分布から算出された波長構成比)がしきい値よりも大きいときに研磨パッド2の表面性状が良好となる場合がある。
 一実施形態では、動作制御部9は、算出された複数の波長構成比が予め定められた基準範囲内にあるか否かを確認し、算出された複数の波長構成比の全てが予め定められた基準範囲内にあるときに、研磨パッド2の表面性状が良好であると判定し、ブレークインを終了してもよい。複数の波長構成比の全てが予め定められた基準範囲内にない場合は、作制御部9は、研磨パッド2の表面性状が良好ではないと判定し、ブレークインを継続する。所定時間のシーズニング、あるいは複合処理工程を所定回数実施した後、再度ステップ1-2を実行する。
 さらに一実施形態では、動作制御部9は、算出された複数の波長構成比の平均値を算出し、上記平均値と予め定められたしきい値を比較し、かつ算出された複数の波長構成比が予め定められた基準範囲内にあるか否かを確認し、上記平均値がしきい値よりも小さく(または大きく)、かつ算出された複数の波長構成比の全てが予め定められた基準範囲内にあるときに研磨パッド2の表面性状が良好であると判定し、ブレークインを終了してもよい。上述したしきい値や基準範囲は予め取得したドレッシング後、またはブレークイン後の研磨パッド2の表面性状の測定データから設定することができる。
 研磨パッド2のドレッシングやブレークインが適切に実施されると、研磨面2aの凹凸構造の凸部が起き上がり、凹凸構造の面内均一性が向上する。その結果、研磨パッド2の表面の複数の測定点における波長構成比の大きさおよび面内ばらつきは小さくなる。すなわち、波長構成比は、研磨パッド2の表面性状を間接的に示している。したがって、波長構成比に基づいて、研磨パッド2の表面性状の判定(例えば、ドレッシング不足の検知や、ドレッシングの終了判定)を行うことができる。
 また、研磨パッド2の表面の複数の箇所で研磨パッド2からの反射光の強度分布を取得することで、研磨パッドの表面性状の面内ばらつきを含めた評価を行うことができる。このように、1箇所ではなく、複数の箇所で研磨パッド2からの反射光の強度分布を取得することで、精度よく研磨パッド2の表面性状(研磨パッド2の全体の表面性状)を判定することができる。結果として、過剰なドレッシングやブレークインを防止することができ、ドレッサーの長寿命化に寄与することができる。さらに工程短縮や、スラリーなどの消耗部材の削減にも繋がる。また、上述した表面性状判定方法によれば、凸部の立ち上がりが早い研磨パッドは、ブレークイン時間を短くでき、凸部の立ち上がりが遅いパッドには十分なブレークインを実施することができる。すなわち、研磨パッドの個体差に応じてブレークインの時間を調整することができる。
 一実施形態では、新品の研磨パッド(未使用の研磨パッド)を交換する毎に上述したステップ1-2~ステップ1-5を実行し、個別にブレークインの終了判定をしてもよい。さらに一実施形態では、新品のある研磨パッドにおいて、ステップ1-2~ステップ1-5を一度行って適切なブレークイン条件を決定し、それ以降に新品の研磨パッドに交換した際には決定したブレークイン条件でブレークインを実行してもよい。さらに一実施形態では、複数の新品の研磨パッドのブレークインにおいて、ステップ1-2~ステップ1-5を実行することによって複数のブレークインの終了条件を決定し、複数のブレークインの終了条件に基づいて、ブレークインの終了条件の上限値を設定してもよい。
 図11は、ブレークイン中の研磨パッド2の処理条件毎の波長構成比の一例を示すグラフである。図11は、各処理条件で研磨パッド2を処理した後、研磨パッド2の複数の箇所で研磨パッド2からの反射光の強度分布を測定し、それぞれの強度分布から波長構成比をそれぞれ算出した結果を示している。図11の測定値は、研磨パッドの各測定位置でそれぞれ得られた測定値(波長構成比)を示している。図11に示す処理条件の例として、シーズニング時間と複合処理工程の回数が挙げられる。図11では、条件2~6においては、条件番号が大きくなるほどシーズニング時間は長くなり、条件7~10においては、条件番号が大きくなるほど複合処理工程の回数が多くなる。また、条件2~6は、シーズニングのみを行っており、条件7~10では、所定時間シーズニングを行った後、複合処理工程を所定回数行っている。条件7~10の各複合処理工程におけるドレッシング時間は同じであり、条件7~10のシーズニング時間は同じである。また、条件1の測定結果は、ブレークイン前の未使用の研磨パッドの測定結果を示している。
 図12Aは、図11の条件1における波長構成比と、所定の基準範囲および所定のしきい値を比較した図であり、図12Bは、図11の条件6における波長構成比と、所定の基準範囲および所定のしきい値を比較した図であり、図12Cは、図11の条件10における波長構成比と、所定の基準範囲および所定のしきい値を比較した図である。
 図12Aでは、しきい値は、波長構成比の測定値(算出値)よりもかなり下にあるため、図12Aには、しきい値は図示されていない。
 図12Aに示すように、条件1では、波長構成比の全ての測定値は、基準範囲内に収まっているが、波長構成比の平均値は、しきい値よりも大きい。図12Bに示すように、条件6では、波長構成比の全ての測定値は、基準範囲内に収まっていないが、波長構成比の平均値は、しきい値よりも小さい。図12Cに示すように、条件10では、波長構成比の全ての測定値が基準範囲内に収まっており、かつ波長構成比の平均値は、しきい値よりも小さい。
 したがって、算出された複数の波長構成比と予め定められたしきい値を比較し、かつ算出された複数の波長構成比が予め定められた基準範囲内にあるか否かを確認することで、より正確なブレークインの終了判定を行うことができる。
 図11に示すように、例えば条件3以降の測定では、しきい値を下回る測定値が得られる場合があることが分かる(しかし他の測定点ではしきい値を大きく上回っており、ブレークインが不十分であることを示している)。上述した実施形態では、互いに異なる複数の箇所で取得された複数の上記強度分布から研磨パッド2の表面性状を間接的に示す波長構成比を算出するため、研磨パッド全体が研磨に適した状態になっているか否かを判断することができる。
 次に、上述した表面性状測定装置30および研磨パッド2の表面性状測定方法を使用した研磨パッド2の表面性状判定方法の他の実施形態について図13を参照して説明する。図13は、基板Wの研磨工程に、研磨パッド2の表面性状判定方法を組み込んだ例を示すフローチャートである。特に説明しない本実施形態の表面性状判定方法は、ステップ1-2およびステップ1-3と同様であるので、その重複する説明を省略する。
 ステップ2-1では基板Wの研磨が行われる。ステップ2-2では、研磨パッド2のドレッシングが実施される。一実施形態では、研磨パッド2のドレッシングは、基板Wの研磨と同時に行ってもよい。さらに一実施形態では、研磨パッド2のドレッシングは、所定枚数の基板を研磨する毎に実施してもよい。所定時間、研磨パッド2のドレッシングを行った後、ステップ1-2と同様の方法により、研磨パッド2の表面性状を測定する(ステップ2-3)。一実施形態では、ステップ2-3は、任意のタイミング(例えば、毎回のドレッシング終了後、研磨される基板のロット毎、または所定枚数の基板を研磨した後のドレッシング終了後)に行ってもよい。ステップ2-4では、ステップ1-3と同様の方法により研磨パッド2の表面性状の良否を判定する。一実施形態では、表面性状判定工程(ステップ2-3~ステップ2-5)は、研磨パッド2のドレッシングと同時に実施してもよい。
 図14は、基板Wを研磨しながら所定のドレッシング条件で研磨パッド2をドレッシングした後、研磨パッド2の表面性状を測定し、波長構成比を算出した結果を示している。図14に示すドレッシング条件の一例として、ドレッサーアーム21のスキャン回数が挙げられる。図14では、条件番号が大きくなるほどドレッサーアーム21のスキャン回数は少なくなる。図14の条件11は、研磨パッド2のドレッシングが適切に実施されたとき(すなわち、研磨パッド2の表面性状が良好であるとき)のドレッシング条件である。図14の条件12~15は、基板Wの研磨中にのみ研磨パッド2のドレッシングを行ったときのドレッシング後の研磨パッド2の表面性状の測定結果であり、条件11は、基板Wの研磨中に所定の条件で研磨パッド2のドレッシングを行った後、研磨終了後に再び研磨パッド2のドレッシングを行ったときのドレッシング後の研磨パッド2の表面性状の測定結果である。
 動作制御部9は、研磨パッド2の表面性状が良好である(すなわち、ドレッシングが適切に実施された)と判定した場合、新たな基板の研磨を開始する。動作制御部9が、研磨パッド2の表面性状が良好ではない(ドレッシング不足である)と判断した場合、動作制御部9は、後述するステップ2-6の追加ドレッシングの繰り返し回数を、所定の繰り返し基準値と比較する(ステップ2-5)。上記繰り返し回数が、所定の繰り返し基準値よりも多い場合、動作制御部9は、作業者に研磨装置の消耗部品の交換の検討を促すための警報信号を生成する(ステップ2-7)。研磨装置の消耗部品として、研磨パッド2や、ドレッシング部材22aや、スラリーが挙げられる。
 上記繰り返し回数が所定の繰り返し基準値未満の場合は、所定のドレッシング条件で研磨パッド2の追加ドレッシングを実施し(ステップ2-6)、追加ドレッシングを実施した後、再びステップ2-3を実施する。一実施形態では、ステップ2-6のドレッシング条件(例えば、ドレッシング時間)は、ステップ2-2におけるドレッシング条件と異なっていてもよい。本実施形態においても、複数の箇所で研磨パッド2からの反射光の強度分布を取得することで、精度よく研磨パッド2の表面性状(研磨パッド2の全体の表面性状)を判定することができる。本実施形態によれば、ドレッシングの不足を判定し、必要であれば追加のドレッシングを行って研磨を継続し、研磨パッドの表面性状に基づいて、精度よく消耗部品(例えば、ドレッシング部材)の交換の判定を行うことができる。
 一実施形態では、ステップ2-2からステップ2-6までの工程を基板Wの研磨後(または、研磨中)に行われる一連のドレッシング工程とし、ステップ2-4によってドレッシング工程の終了判定を行ってもよい。すなわち、動作制御部9は、ステップ2-4で研磨パッド2の表面性状が良好であると判定した場合、研磨装置の各構成要素に指令を発し、ドレッシング工程を終了させる。本実施形態によれば、精度よく研磨パッド2の表面性状を判定することができるため、過剰なドレッシングを防止することができる。
 図15は、表面性状測定装置30の他の実施形態を示す模式図である。特に説明しない本実施形態の構成および動作は、上述した実施形態と同じであるので、その重複する説明を省略する。本実施形態の投光部32は、研磨パッド2を研磨パッド2の研磨面2a側から見たときに、光を、複数の方向から研磨パッド2に照射可能に構成されており、受光部35は、研磨パッド2の表面で反射した複数の方向からの反射光を受光可能に構成されている。本明細書において、レーザ光の照射方向とは、研磨パッド2を表面(研磨面2a)側から見たときのレーザ光の照射方向を意味する。
 本実施形態の表面性状測定装置30は、投光部32から発せられるレーザ光の照射方向を変更する照射方向変更機構90をさらに備えている。照射方向変更機構90は、測定ヘッド31に接続されている。照射方向変更機構90は、測定ヘッド31を回転可能に支持しており、測定ヘッド31を回転させることによって、投光部32から発せられるレーザ光の照射方向を変更するように構成されている。
 照射方向変更機構90は、測定ヘッド31を回転させる回転モータ91と、回転モータ91に連結されたシャフト92を備えている。測定ヘッド31は、シャフト92を介して回転モータ91に連結されている。この回転モータ91により測定ヘッド31がシャフト92の軸心AX2を中心に矢印で示す方向に回転されるようになっている。回転モータ91には、測定ヘッド31の回転角度を測定する角度測定装置93が組み込まれている。回転モータ91は、その回転角度を制御可能に構成されている。回転モータ91の一例としてサーボモータが挙げられる。角度測定装置93の一例として、ロータリーエンコーダが挙げられる。
 照射方向変更機構90は、データ処理部50に電気的に接続されており、照射方向変更機構90の動作は、データ処理部50によって制御される。照射方向変更機構90は、ベースプレート74の下面に固定されており、ベースプレート74を介して姿勢調整機構70に連結されている。本実施形態では、調整ピン73の下端は、ベースプレート74の上面に固定されている。一実施形態では、シャフト92は、回転モータ91の代わりに、図示しない軸受によって回転可能に支持されていてもよい。この場合、測定ヘッド31は手動で回転し、照射方向変更機構90は、データ処理部50に電気的に接続されなくてもよい。
 投光部32および受光部35は、シャフト93の軸心AX2周りに回転する。本実施形態では、軸心AX2と、レーザ光の照射位置Pを通り研磨面2aに垂直な直線である軸心CP(図2参照)の位置は一致している。したがって、図16に示すように、投光部32および受光部35は、軸心CPを中心に、軸心CP周りに回転可能に構成されている。回転モータ91を駆動することにより、測定ヘッド31、すなわち投光部32および受光部35が軸心CP周りに回転する。これにより、投光部32から発せられるレーザ光の照射方向が変更される。
 本実施形態では、上記レーザ光の照射方向は、軸心CP周りの角度ともいうことができる。言い換えれば、レーザ光の照射角度θは、研磨パッド2の表面(研磨面2a)に垂直な方向から見たときの投光部32の光源33から発せられるレーザ光と、基準直線RLとが成す角度である。基準直線RLは、照射位置Pおよび研磨パッド2の中心Oを通る直線である。本実施形態では、レーザ光の照射位置を動かさずにレーザ光の照射方向を変更することができる。
 次に、本実施形態の表面性状測定装置30を使用した研磨パッド2の表面性状測定方法の一実施形態について、図17のフローチャートを参照して説明する。ステップ3-1では、研磨パッド2の表面性状(研磨パッド2からの反射光の強度分布)の多方向測定を実施する。研磨パッド2の表面性状の多方向測定は、互いに異なる複数の照射方向からレーザ光を研磨パッド2に照射し、研磨パッド2に照射された複数のレーザ光のそれぞれに対応する研磨パッド2からの複数の反射光を受光部35で受光し、複数の反射光の複数の強度分布を取得することにより行われる。具体的には、レーザ光の照射方向を変更しながら、レーザ光を研磨パッド2に照射し、各照射方向におけるレーザ光の研磨パッド2からの各反射光を受光部35で受光することで複数の強度分布を取得する。
 より具体的には、投光部32は、所定の照射方向からレーザ光を研磨パッド2に照射し、受光部35によって、研磨パッド2からの反射光を受光する。受光部35は、研磨パッド2からの反射光を受光することによって、研磨パッド2からの反射光の強度分布を取得する。その後、レーザ光の照射方向を所定の角度だけ照射方向変更機構90によって変更し、変更された照射方向からレーザ光を研磨パッド2に照射し、レーザ光の研磨パッド2からの反射光を受光部35で受光し、反射光の強度分布を取得する。その後、さらにレーザ光の照射方向を所定の角度だけ変更し、変更された方向から研磨パッド2の表面性状を測定する。このように、レーザ光の照射方向の変更と、研磨パッド2の表面性状の測定が、所定回数(例えば、光源33が軸心CPの周りを一周するまで)繰り返される。
 本実施形態における研磨パッド2の表面性状の多方向測定の測定位置は、研磨中に基板Wの中心部分が接触する研磨パッド2上の位置である。基板Wの中心部分が接触する研磨パッド2上の箇所は、ドレッシング不足が発生しやすいため、反射光の強度が比較的大きくなる。一実施形態では、各照射方向において、研磨パッド2の表面性状の測定を複数回実行し、複数の反射光の強度分布を平均化し、平均化された強度分布を後述するステップ3-2で使用してもよい。複数の反射光の強度分布を平均化することで、測定ばらつきが低下し、測定結果の精度を向上することができる。
 ステップ3-2~ステップ3-6では、ステップ3-1の多方向測定で取得した複数の強度分布を利用して、研磨パッド2の表面性状を間接的に示す指標値を取得する。本実施形態のデータ処理部50は、互いに異なる複数の方向から研磨パッド2に照射された複数の光の研磨パッド2からの複数の反射光の強度分布を利用して、研磨パッド2の表面性状を間接的に示す指標値を取得するように構成されている。
 ステップ3-2~ステップ3-6の具体的な工程は以下の通りである。ステップ3-2では、データ処理部50は、互いに異なる複数の角度から研磨パッド2に照射された複数のレーザ光の研磨パッド2からの複数の反射光の複数の強度分布を比較して、特定の空間波長領域における研磨パッド2からの反射光の強度が最大となるレーザ光の照射方向を決定する。より具体的には、データ処理部50は、各強度分布の特定の空間波長領域(すなわち、受光素子36の特定の空間波長領域の反射光を受光する所定の範囲内の画素)における強度の平均値を算出し、算出された各平均値を比較して、上記平均値が最大となる照射方向を決定する。
 一実施形態では、データ処理部50は、各照射方向における所定の画素(ピクセル位置)の反射光の強度を比較して、所定の画素における反射光の強度が最大となる照射方向を決定してもよい。さらに一実施形態では、データ処理部50は、照射方向の変更に最も影響を受けやすい画素(すなわち、照射方向による強度の変化が最も大きい画素)を、反射光の強度の比較を行うための画素としてもよく、複数の反射強度分布の中で最も反射光の強度が大きい画素を、反射光の強度の比較を行うための画素としてもよい。
 図18乃至図25は、各照射方向における研磨パッド2からの反射光の強度分布を示すグラフである。図18乃至図25のグラフの横軸は、画素(ピクセル位置)を示し、縦軸は、各画素における研磨パッド2からの反射光の強度を示している。図18乃至図25は、それぞれ照射角度θが0°、45°、90°、135°、180°、225°、270°、315°のときの研磨パッド2からの反射光の強度分布を示すグラフである。
 図18乃至図25に示す例では、空間周波数1/ξの光を受光する画素(以下、単に画素1/ξという)やその周辺における強度の変化が比較的大きく、画素1/ξにおける強度の最大値(照射角度θ=90°のときの画素1/ξにおける反射光の強度)も比較的大きい。したがって、図18乃至図25に示す例では、データ処理部50は、各反射光の強度分布を比較して、画素1/ξにおける反射光の強度が最大となる照射方向を決定してもよく、各反射光の強度分布を比較して、画素1/ξの周辺の画素1/ξから画素1/ξまでの範囲内(図20参照)の画素(空間周波数1/ξから空間周波数1/ξまでの空間波長領域)における複数の強度の平均値が最大となる照射方向を決定してもよい。
 図20に示すように、画素1/ξの周辺の強度は大きくなっている。これは、研磨面2aの凹凸構造の凸部が90°の方向に倒れて、90°の方向における反射率が上がっていると捉えることができる。また、凸部が90°の方向に倒れていることで、研磨パッド2の表面では90°の方向に長波長の空間波長に相当する凹凸構造が存在していると捉えることができる。図18乃至図25のグラフの左側の照射角度ごとの強度の変化が大きい領域の画素は、長波長の空間波長に相当し、グラフの右側の照射角度ごとの強度の変化が小さい領域の画素は、短波長の空間波長に相当する。
 図18乃至図25に示すように、研磨パッド2の表面性状の測定値(研磨パッド2からの反射光の強度)は、照射方向によって変化する。すなわち、研磨パッド2の状態と研磨性能との関係を調べ、ドレッシング条件の最適化等をするためには、一方向の凹凸情報ではなく、多方向の凹凸情報を得た方が有益である。本実施形態のように、複数の照射方向において研磨パッド2の表面性状(研磨パッド2からの反射光の強度分布)を測定することで、研磨パッド2の表面状態をより詳細に評価し、ドレッシング条件の最適化を行うことができる。本実施形態では、レーザ光の照射方向を45°毎に変化させているが、照射方向の変更ピッチは本実施形態に限定されない。
 ステップ3-3では、投光部32の光源33から発せられるレーザ光の照射方向がステップ3-2で決定された照射方向、すなわち研磨パッド2からの反射光の特定の空間波長領域における強度が最大となる照射方向になるようにレーザ光の照射方向を設定する。具体的には、照射方向変更機構90によって、投光部32および受光部35の角度を調整することによって、レーザ光の照射方向を設定する。これにより、レーザ光の照射方向が研磨パッド2の表面性状測定に最適な方向になる。最適な照射方向で研磨パッド2の表面性状(研磨パッド2からの反射光の強度分布)を測定することにより、研磨パッド2の表面性状の測定精度を向上させることができ、結果としてより精密な研磨パッド2の表面性状の判定や、ドレッシング条件の最適化を行うことができる。
 ステップ3-1~ステップ3-3(以下、方向設定工程という)は、研磨パッド2の表面性状測定前に毎回実施してもよく、研磨パッドの表面性状測定の工程を定めるために一度だけ実施してもよい。例えば、上記方向設定工程は、図9を参照して説明したステップ1-2の研磨パッド2の表面性状の測定前に実行してもよく、図13のステップ2-3の研磨パッド2の表面性状の測定前に実行してもよい。
 ステップ3-4では、研磨パッド2の表面性状の多点測定を実施する。具体的には、研磨パッド2の表面の互いに異なる複数の箇所で、研磨パッド2からの反射光の強度分布を測定する。研磨パッド2の表面の複数の箇所における上記強度分布の測定方法は、ステップ1-2と同様である。
 ステップ3-5では、データ処理部50は、ステップ3-4で取得した複数の反射光の強度分布を平均化する。具体的には、複数の強度分布の画素ごとに強度を平均化することによって、複数の反射光の強度分布を平均化する。強度分布の平均化を行った後で、後述するステップ3-6を実行することで、効率的に研磨パッド2の表面性状を間接的に示す指標値を算出することができる。
 ステップ3-6では、データ処理部50は、平均化された研磨パッド2の反射光の強度分布から研磨パッド2の表面性状を間接的に示す指標値を算出する。一実施形態では、研磨パッド2の表面性状を間接的に示す指標値は、上述した波長構成比である。データ処理部50は、上記反射光の強度分布を、フーリエ変換することで、研磨パッド2の表面の空間波長スペクトルに変換し、上記空間波長スペクトルから波長構成比を算出する。このようにして、データ処理部50は、研磨パッド2の表面性状を間接的に示す指標値を取得する。一実施形態では、ステップ3-6において、ステップ3-4で取得された複数の上記強度分布のそれぞれから、研磨パッド2の表面性状を間接的に示す指標値をそれぞれ算出してもよい。この場合、ステップ3-5は実施されない。
 本実施形態では、互いに異なる複数の方向から前記研磨パッドに照射された複数の光の前記研磨パッドからの複数の反射光の強度分布を取得することができる。結果として、研磨パッド2の表面性状の測定精度を向上させることができる。
 図26は、表面性状測定装置30のさらに他の実施形態を示す模式図であり、図27は、図26に示す測定ヘッド31を上から見た図である。特に説明しない本実施形態の構成および動作は、図15乃至図17を参照して説明した実施形態と同じであるので、その重複する説明を省略する。
 本実施形態の表面性状測定装置30は、照射方向変更機構90を備えていない点で、図15を参照して説明した実施形態と異なっている。本実施形態では、図8を参照して説明した実施形態と同様に、姿勢調整機構70は、測定ヘッド31に接続されており、調整ピン73は測定ヘッド31の上面に固定されている。
 図27に示すように、本実施形態では、投光部32は、互いに異なる方向を向いて配置された複数の光源33a,33b,33cを備えており、受光部35は、互いに異なる方向を向いて配置された複数の受光素子36a,36b,36cを備えている。具体的には、光源33a,33b,33cは、研磨パッド2を研磨パッド2の研磨面2a側から見たときに、互いに異なる方向を向いて配置されており、受光素子36a,36b,36cは、研磨パッド2を研磨パッド2の研磨面2a側から見たときに、互いに異なる方向を向いて配置されている。光源33a,33b,33cは、同じ位置(照射位置P)にレーザ光を照射可能に配置されている。光源33a,33b,33cおよび受光素子36a,36b,36cの構成は、光源33および受光素子36と同じである。受光素子36a,36b,36cは、光源33a,33b,33cにそれぞれ対面しており、光源33a,33b,33cから発せられたレーザ光の研磨パッド2からの反射光をそれぞれ受光可能に構成されている。
 このような構成により、本実施形態の投光部32は、研磨パッド2を研磨パッド2の研磨面2a側から見たときに、光を、互いに異なる複数の照射方向から研磨パッド2に照射可能に構成されており、受光部35は、研磨パッド2の表面で反射した複数の方向からの反射光を受光するように構成されている。本実施形態では、光源33aからのレーザ光の照射角度は、0°であり、光源33bからのレーザ光の照射角度θ1は、45°であり、光源33cからのレーザ光の照射角度θ2は、90°である。光源の数と配置角度は本実施形態に限定されない。本実施形態によれば、一度に複数の照射方向における研磨パッド2の表面性状(研磨パッド2からの反射光の強度分布)を測定することができる。
 次に、本実施形態の表面性状測定装置30を使用した研磨パッド2の表面性状測定方法の一実施形態について説明する。特に説明しない本実施形態の表面性状測定方法は、図17を参照して説明した方法と同じである。本実施形態では、ステップ3-1でレーザ光の照射方向を変更しながら、レーザ光を研磨パッド2に照射する代わりに、複数の光源33a,33b,33cによって、複数の照射方向からレーザ光を研磨パッド2に照射し、研磨パッド2に照射された複数のレーザ光のそれぞれに対応する研磨パッド2からの複数の反射光を複数の受光素子36a,36b,36cで受光する。
 さらに本実施形態では、ステップ3-3において、照射方向変更機構90によって投光部32および受光部35の角度(方向)を調整する代わりに、研磨パッド2からの反射光の特定の空間波長領域における強度が最大となる照射方向にレーザ光を照射する光源を選択することによって、レーザ光の照射方向を設定する。以降のプロセスでは、選択された光源および選択された光源に対面する受光素子を用いて研磨パッド2の表面性状を測定する。
 一実施形態では、図15乃至図25を参照して説明した実施形態に、図26および図27を参照して説明した実施形態を組み合わせてもよい。これにより、一度に複数の照射方向における研磨パッド2の表面性状(研磨パッド2からの反射光の強度分布)を測定することができ、ステップ3-1におけるレーザ光の照射方向を変更する工程を短縮することができる。
 さらに一実施形態では、受光素子36として、2次元型のCCDを用いてもよい。受光素子36として2次元型のCCDを用いることにより、レーザ光が水平方向にずれた場合でも調整の必要なく、反射光を受光素子36で受光することができる。
 上述した実施形態は、一枚の基板処理毎に行うドレッシングの条件決定のためにも利用することができる。上述した実施形態は、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を実施できることを目的として記載されたものである。上記実施形態の種々の変形例は、当業者であれば当然になしうることであり、本発明の技術的思想は他の実施形態にも適用しうる。したがって、本発明は、記載された実施形態に限定されることはなく、特許請求の範囲によって定義される技術的思想に従った最も広い範囲に解釈されるものである。
 本発明は、半導体ウエハ等の基板の研磨に用いられる研磨パッドの表面性状測定装置、研磨パッドの表面性状測定方法、および研磨パッドの表面性状判定方法に利用可能である。
   1 研磨テーブル
   2 研磨パッド
   3 テーブル回転モータ
   4 テーブル軸
   9 動作制御部
  10 研磨ヘッド
  11 研磨ヘッドシャフト
  12 研磨ヘッド揺動アーム
  20 ドレッシング装置
  21 ドレッサーアーム
  22 ドレッサー
  23 エアシリンダ
  24 ドレッサーシャフト
  26 支軸
  27 支軸回転モータ
  30 表面性状測定装置
  31 測定ヘッド
  32 投光部
  33 光源
  33a,33b,33c 光源
  35 受光部
  36 受光素子
  36a,36b,36c 受光素子
  38 偏光子
  39 NDフィルター
  40 ミラー
  41 減光フィルター
  43 ケーシング
  44 切り欠き
  45 ノズル
  47a,47b フィルター
  50 データ処理部
  51 支持アーム
  52 支持プレート
  53 移動ユニット
  55 固定ブロック
  56 回動ブロック
  58 回転軸
  60 回動機構
  63 シリンダ
  66 回転ピン
  70 姿勢調整機構
  72 支持台
  73 調整ピン
  74 ベースプレート
  77,78 位置決めプレート
  80 長穴
  81 支持軸
  83 測定ヘッド移動機構
  84 サーボモータ
  85 ボールねじ機構
  87 ヒンジ機構
  90 照射方向変更機構
  91 回転モータ
  92 シャフト
  93 角度測定装置

Claims (15)

  1.  基板の研磨に使用される研磨パッドの表面性状測定装置であって、
     前記研磨パッドを前記研磨パッドの研磨面側から見たときに、光を複数の方向から前記研磨パッドに照射可能な投光部と、
     前記研磨パッドの表面で反射した複数の方向からの反射光を受光可能な受光部を備えている、表面性状測定装置。
  2.  前記光の照射方向を変更する照射方向変更機構をさらに備えている、請求項1に記載の表面性状測定装置。
  3.  前記照射方向変更機構は、前記投光部および前記受光部を回転させる回転モータと、前記回転モータに連結されたシャフトを備えている、請求項2に記載の表面性状測定装置。
  4.  前記投光部は、互いに異なる方向を向いて配置された複数の光源を備え、
     前記受光部は、互いに異なる方向を向いて配置された複数の受光素子を備えている、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の表面性状測定装置。
  5.  前記受光部に電気的に接続されたデータ処理部をさらに備え、
     前記データ処理部は、互いに異なる複数の方向から前記研磨パッドに照射された複数の光の前記研磨パッドからの複数の反射光の強度分布を利用して、前記研磨パッドの表面性状を間接的に示す指標値を取得するように構成されている、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の表面性状測定装置。
  6.  互いに異なる複数の照射方向から研磨パッドに光を照射し、
     前記研磨パッドに照射された複数の光のそれぞれに対応する前記研磨パッドからの複数の反射光を受光し、複数の反射光の強度分布を取得し、
     前記複数の強度分布を利用して、前記研磨パッドの表面性状を間接的に示す指標値を取得する工程を含み、
     前記照射方向は、前記研磨パッドを前記研磨パッドの研磨面側から見たときの方向である、研磨パッドの表面性状測定方法。
  7.  前記互いに異なる複数の照射方向から前記研磨パッドに光を照射し、
     前記研磨パッドに照射された前記複数の光のそれぞれに対応する前記研磨パッドからの前記複数の反射光を受光する工程は、
     前記光の照射方向を変更しながら、前記光を前記研磨パッドに照射し、各照射方向における光の前記研磨パッドからの各反射光を受光する工程を含む、請求項6に記載の研磨パッドの表面性状測定方法。
  8.  前記互いに異なる複数の照射方向から前記研磨パッドに光を照射し、
     前記研磨パッドに照射された前記複数の光のそれぞれに対応する前記研磨パッドからの前記複数の反射光を受光する工程は、
     複数の光源によって、複数の照射方向から光を前記研磨パッドに照射し、前記研磨パッドに照射された複数の光のそれぞれに対応する研磨パッドからの複数の反射光を複数の受光素子で受光する工程を含む、請求項6または7に記載の研磨パッドの表面性状測定方法。
  9.  研磨パッドの表面の複数の箇所で、前記研磨パッドからの反射光の強度分布を取得する工程と、
     前記複数の箇所で取得された複数の前記強度分布から前記研磨パッドの表面性状を間接的に示す波長構成比を算出する工程と、
     前記算出された波長構成比に基づいて、前記研磨パッドの表面性状の良否を判定する工程を備え、
     前記研磨パッドからの反射光の強度分布を取得する工程は、
      前記研磨パッドの表面にレーザ光を照射し、
      前記研磨パッドからの反射光を受光する工程を含む、研磨パッドの表面性状判定方法。
  10.  前記複数の箇所で取得された複数の前記強度分布から前記研磨パッドの表面性状を間接的に示す波長構成比を算出する工程は、複数の前記強度分布のそれぞれから、波長構成比をそれぞれ算出することによって、複数の波長構成比を算出する工程を含む、請求項9に記載の研磨パッドの表面性状判定方法。
  11.  前記複数の箇所で取得された複数の前記強度分布から前記研磨パッドの表面性状を間接的に示す波長構成比を算出する工程は、前記複数の強度分布を平均化し、平均化された反射光の強度分布から、前記波長構成比を算出する工程を含む、請求項9に記載の研磨パッドの表面性状判定方法。
  12.  前記算出された波長構成比に基づいて、前記研磨パッドの表面性状の良否を判定する工程は、前記算出された複数の波長構成比が予め定められた基準範囲内にあるか否かを確認し、前記算出された複数の波長構成比の全てが予め定められた基準範囲内にあるときに、前記研磨パッドの表面性状が良好であると判定する工程を含む、請求項10に記載の研磨パッドの表面性状判定方法。
  13.  前記算出された波長構成比に基づいて、前記研磨パッドの表面性状の良否を判定する工程は、前記算出された複数の波長構成比の平均値を算出し、前記平均値と予め定められたしきい値を比較し、かつ前記算出された複数の波長構成比が予め定められた基準範囲内にあるか否かを確認し、前記平均値が前記しきい値よりも小さく、かつ前記算出された複数の波長構成比の全てが前記基準範囲内にあるときに前記研磨パッドの表面性状が良好であると判定する工程を含む、請求項10に記載の研磨パッドの表面性状判定方法。
  14.  前記算出された波長構成比に基づいて、前記研磨パッドの表面性状の良否を判定する工程は、前記算出された複数の波長構成比の平均値を算出し、前記平均値と予め定められたしきい値を比較し、かつ前記算出された複数の波長構成比が予め定められた基準範囲内にあるか否かを確認し、前記平均値が前記しきい値よりも大きく、かつ前記算出された複数の波長構成比の全てが前記基準範囲内にあるときに前記研磨パッドの表面性状が良好であると判定する工程を含む、請求項10に記載の研磨パッドの表面性状判定方法。
  15.  前記研磨パッドの表面性状が良好であると判定した場合、前記研磨パッドのブレークインを終了する工程をさらに含む、請求項9乃至14のいずれか一項に記載の研磨パッドの表面性状判定方法。
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