TW202339900A - 雙面研磨裝置及雙面研磨方法 - Google Patents

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Abstract

本發明所欲解決的問題在於提供一種雙面研磨裝置，能夠正確地評價在研磨中的晶圓外周部的厚度(形狀)，而能夠實行可信賴的厚度測定。 為了解決此問題，本發明的晶圓的雙面研磨裝置，進一步配置有厚度測定裝置，在被保持於載具中的晶圓在研磨中通過的位置，測定晶圓的厚度；雙面研磨裝置，進一步具有評價處理部，該評價處理部，構成為：藉由厚度測定裝置來測定晶圓的厚度，特定已測定厚度的晶圓，並取得在該已特定的晶圓上連續地獲得的厚度測定位置的通過軌跡，且以使通過軌跡收斂於晶圓模板的方式，使通過軌跡相對於晶圓模板進行相對地平行移動，其後，取得自晶圓模板的中心起算的通過軌跡的半徑位置，以評價前述已特定的晶圓的形狀。

Description

雙面研磨裝置及雙面研磨方法
本發明關於一種雙面研磨裝置及雙面研磨方法，有關晶圓的加工，特別是雙面研磨，能夠在研磨中正確地測量晶圓的形狀和厚度。
揭露一種技術，在行星齒輪式的雙面研磨裝置中，藉由調整相對於載具的厚度之晶圓的完工厚度，以調整平坦度。例如，自專利文獻1可知，在行星齒輪式的雙面研磨裝置中，研磨後的晶圓的平坦度，會依據研磨結束時的晶圓的厚度亦即晶圓的完工厚度與載具的厚度的關係而變化，針對加工結束時的所期望的晶圓形狀，對厚度加以控制是重要的。
關於此厚度測定，例如，在雙面研磨方法中，依據使用樣本晶圓來測量的研磨率來算出使晶圓成為規定厚度的研磨時間，僅以所算出的研磨時間進行研磨並結束研磨。但是，伴隨著研磨布的表面狀態等的條件變化，研磨率會變化，所以每批次中的晶圓的厚度會產生變化。在每批次中使用樣本晶圓來算出研磨率，則研磨所需的時間變長而成為非效率。
於是，為了解決此問題，提案有一種即便在研磨中也能夠測定晶圓的厚度的方法。
專利文獻2中，揭露一種雙面研磨裝置及雙面研磨方法，能夠一邊實施研磨一邊正確地把握工件的厚度，以在適當的時序結束研磨。又，專利文獻2中，揭露在研磨步驟中測量在工件的規定位置的厚度的步驟；及，基於該測量的結果來判定研磨結束時期的步驟。
專利文獻3中，揭露一種剖面形狀測定方法，能夠測定工件的剖面形狀。此方法中，藉由分別且逐次地求得由厚度測定部測定的複數個的厚度、及由位置演算部求得的複數個的面內位置，來將在各面內位置的厚度轉換處理成在晶圓的規定的徑向的各位置的厚度，以求得規定的徑向的晶圓的剖面形狀，該位置演算部用以求得已測定厚度的晶圓的面內位置，該規定的徑向的各位置對應於自晶圓的中心至各面內位置為止的徑向距離。
專利文獻4中，揭露一種剖面形狀測定方法，以測定工件的剖面形狀。此方法中，至少取得1個資料系列，該資料系列是由測量孔的藉由上平台和下平台的旋轉而在晶圓的面上的通過期間中連續地獲得，且由在通過軌跡上的晶圓W的各面內位置的厚度的資料所構成，對所取得的資料系列之中的資料數較多的資料系列進行擷取，藉由剖面形狀演算裝置，基於用以表示此所擷取的擷取資料系列的資料的順序之行號碼、這些行號碼的資料、及晶圓W的直徑，來求得自晶圓W的一端沿著徑向到另一端的各面內位置的厚度，以求得晶圓的徑向的剖面形狀。
專利文獻5中，揭露一種研磨裝置，基於在研磨中的工件的形狀變化的演變，在已成為希望的工件形狀的時序或成為希望的工件形狀的時序，停止工件的研磨加工。此研磨裝置，具備：研磨機，其藉由旋轉的平台來研磨工件；形狀測定器，其測定工件的形狀；記憶體，其記憶藉由形狀測定器所測得的工件的形狀；顯示器，其顯示藉由形狀測定器所測得的工件的形狀資訊；及，控制部，其控制顯示器的顯示內容；控制部，其產生第一繪畫並將第一繪畫顯示於顯示器，該第一繪畫是以時系列來排列的由形狀測定器所測得的現在研磨中的工件也就是研磨中工件的形狀繪畫。
專利文獻6中，揭露一種在雙面處理機中對確實且極精密地處理的工件決定厚度的方法。此方法，在工件的處理中，包含：藉由配置於上部加工碟及/或下部加工碟上的至少1個的光學厚度測定裝置來對工件的厚度進行光學測定的步驟；將至少1個的厚度測定裝置的測定結果供給到雙面處理機的控制裝置的步驟；及，若到達工件的預先指定的目標厚度，則控制裝置停止工件的處理的作業的步驟。
專利文獻7中，揭露一種研磨方法，其取得在基板的研磨中已形成在基板上的膜的正確的厚度，並基於所取得的膜的厚度來正確地決定基板的研磨終點。此方法，在基板的研磨中，對基板照射光，並接受自基板反射的光，對每個波長測定所反射的光的強度，將所測定的光的強度除以規定的基準強度來算出相對反射率，產生用以表示相對反射率與光的波長的關係之分光波形，對分光波形實行傅立葉轉換處理，以決定膜的厚度及對應的頻率成分的強度，當所決定的頻率成分的強度比規定的閥值更高時，將所決定的膜的厚度認定為信賴性高的測定值，當所決定的頻率成分的強度在規定的閥值以下時，將所決定的膜的厚度認定為信賴性低的測定值，基於在信賴性高的測定值達到規定的目標值的時點來決定基板的研磨終點，然後算出不良資料率，該不良資料率用以表示相對於過去所取得的信賴信高的測定值的數值和信賴信低的測定值的數值的合計，信賴信低的測定值的數值的比率，並基於不良資料率來改變規定的閥值。
專利文獻8中，揭露一種晶圓的雙面研磨裝置，也可進行晶圓的中心部的厚度的測定，又可進行信賴性高的厚度測定。此方法中，藉由厚度測定裝置，對在研磨中的晶圓照射雷射光。並接收晶圓的表面和背面的各反射光，然後根據該反射光的峰值來演算晶圓的厚度。
專利文獻9中，揭露一種拋光裝置，能夠在包含基板的中心部及周緣部之整個面，取得精度高的膜厚資料。此裝置中，使光學頭的前端伴隨著研磨台的旋轉而沿著基板的周緣部移動，以增加在周緣部的測定點的數目，藉此獲得精度高的膜厚。
[先前技術文獻] (專利文獻) 專利文獻1：日本特開平5-177539號公報 專利文獻2：日本特開2015-047656號公報 專利文獻3：日本特開2017-204609號公報 專利文獻4：日本特開2017-207455號公報 專利文獻5：日本特開2019-181657號公報 專利文獻6：日本特開2018-034298號公報 專利文獻7：日本特開2014-216457號公報 專利文獻8：日本特開2008-227393號公報 專利文獻9：日本特開2012-138442號公報
[發明所欲解決的問題] 然而，上述專利文獻1～9的先前技術中，分別具有下述問題。
作為決定研磨後的晶圓形狀的外周部的翹曲形狀、塌邊形狀之主要原因，舉例有完工厚度與載具厚度的差(差距，gap)。特別是完工厚度在外周部容易受到研磨布的沉入所造成的影響，導致獲得在研磨中的晶圓外周部的厚度成為重要。
根據設置於上平台上的晶圓厚度測定器來測定晶圓的厚度，能夠根據其厚度的測定資訊與同時刻的上平台、太陽齒輪及內齒輪的旋轉角度來進行晶圓的特定。
但是，實際上受到在載具內的晶圓的偏移、及載具和機械內部所包含的齒輪的背隙等的影響，而不易進行正確的位置資訊的決定。也就是說，雖然能夠進行已測定厚度的晶圓的特定，但是不能夠正確地對該晶圓的哪個面內的位置的資訊(哪個半徑位置的資訊)加以測定。因此，不能夠正確地把握在研磨中的特定的半徑位置的晶圓的厚度。特別是針對外周形狀的誤差變大，則可能對完工厚度與載具厚度的差(差距)的控制造成影響。會有不能夠正確地評價晶圓外周部的問題。
本發明是為了解決上述問題而完成，其目的在於提供一種雙面研磨裝置及雙面研磨方法，能夠正確地評價在研磨中的晶圓外周部的厚度(形狀)，而能夠實行可信賴的厚度測定。
[解決問題的技術手段] 為了解決上述問題，本發明中提供一種晶圓的雙面研磨裝置，具備： 下平台，其將頂面作為研磨面； 上平台，在該下平台的上方被支持框架支持成可上下移動自如，且其底面作為研磨面； 載具，其配置在前述下平台與前述上平台之間，並具有保持晶圓之透孔； 平台驅動裝置，其以軸線為中心的方式旋轉驅動前述上平台和前述下平台； 載具驅動裝置，其旋轉驅動前述載具；及， 漿液供給源； 該雙面研磨裝置，一邊將漿液自前述漿液供給源供給到前述下平台上，一邊使前述上平台和前述下平台旋轉且使前述載具旋轉，藉此對被夾在前述上平台與前述下平台之間的晶圓的雙面進行研磨； 該雙面研磨裝置的特徵在於： 進一步配置有厚度測定裝置，在被保持於前述載具中的晶圓在研磨中通過的位置，測定前述晶圓的厚度； 前述雙面研磨裝置，進一步具有評價處理部； 前述評價處理部，構成為：藉由前述厚度測定裝置來測定晶圓的厚度， 藉由厚度的測定資訊、及同時刻的前述平台驅動裝置和前述載具驅動裝置的位置資訊來特定已測定厚度的晶圓， 並取得在該已特定的晶圓上連續地獲得的厚度測定位置的通過軌跡， 且以使在前述已特定的晶圓上的前述通過軌跡收斂於晶圓模板的方式，使前述通過軌跡相對於前述晶圓模板進行相對地平行移動，該晶圓模板具有對應於研磨的晶圓的平均直徑之直徑； 其後，取得自前述晶圓模板的中心起算的前述通過軌跡的半徑位置，以評價前述已特定的晶圓的形狀。
依據這種本發明的雙面研磨裝置，能夠使厚度測定位置的通過軌跡收斂於晶圓模板，再加上取得自晶圓模板的中心起算的通過軌跡的半徑位置，所以能夠正確地評價在研磨中的晶圓外周部的厚度(形狀)，而能夠實行可信賴的厚度測定。
又，依據本發明的雙面研磨裝置，能夠正確地把握在研磨中的各晶圓半徑位置的與載具的厚度的差，而能夠在加工(研磨)結束時將晶圓的形狀和厚度控制為所期望的值或範圍內。
特別是，可以在加工經過時間內監視針對外周部(例如，自外周位置起算的35mm以內)的正確的外周剖面形狀之許多資料。
再者，依據本發明的雙面研磨裝置，能夠基於正確的外周剖面形狀來正確地決定研磨結束時點。特別是，在外周形狀沒有發生反曲點的最小的PV(Peak to Valley，峰-谷)值、Range值(測定值的最大值與最小值的差)及σ值(標準偏差)下結束加工，藉此能夠獲得容易在下個步驟中進行修正的晶圓。
例如，前述厚度測定裝置，是藉由雷射光干涉來測定在研磨中的晶圓的厚度之尺寸控制裝置。
作為厚度測定裝置，例如使用藉由雷射光干涉來測定在研磨中的晶圓的厚度之尺寸控制裝置，藉此能夠也縮短取樣時間，且實行精度良好的厚度測定。
前述厚度測定裝置，較佳為以能夠將前述軸線作為中心在前述上平台上公轉的方式配置在前述上平台上。
厚度測定裝置，配置在上平台上且在加工中進行公轉，藉此能夠進一步取得更多的厚度資料。
又，本發明中，提供一種雙面研磨方法，使用雙面研磨裝置，該雙面研磨裝置，具備：下平台，其將頂面作為研磨面；上平台，在該下平台的上方被支持框架支持成可上下移動自如，且其底面作為研磨面；載具，其配置在前述下平台與前述上平台之間，並具有保持晶圓之透孔；平台驅動裝置，其以軸線為中心的方式旋轉驅動前述上平台和前述下平台；載具驅動裝置，其旋轉驅動前述載具；及，漿液供給源； 該雙面研磨方法一邊將漿液自前述漿液供給源供給到前述下平台上，一邊使前述上平台和前述下平台旋轉且使前述載具旋轉，藉此對被夾在前述上平台與前述下平台之間的晶圓的雙面進行研磨，該雙面研磨方法的特徵在於，具有： 藉由厚度測定裝置來測定在研磨中的晶圓的厚度的步驟； 藉由厚度的測定資訊、及同時刻的前述平台驅動裝置和前述載具驅動裝置的位置資訊來特定已測定厚度的晶圓的步驟； 取得在該已特定的晶圓上連續地獲得的厚度測定位置的通過軌跡的步驟； 以使在前述已特定的晶圓上的前述通過軌跡收斂於晶圓模板的方式，使前述通過軌跡對於前述晶圓模板進行相對地平行移動的步驟，該晶圓模板具有對應於研磨的晶圓的平均直徑之直徑； 其後，取得自前述晶圓模板的中心起算的前述通過軌跡的半徑位置，以評價前述已特定的晶圓的形狀的步驟；及， 基於已評價的晶圓的形狀來判定研磨結束時期的步驟。
依據這種本發明的雙面研磨方法，能夠使厚度測定位置的通過軌跡收斂於晶圓模板，再加上取得自晶圓模板的中心起算的前述通過軌跡的半徑位置，藉此能夠正確地評價在研磨中的晶圓外周部的厚度(形狀)，而能夠實行可信賴的厚度測定。
又，依據本發明的雙面研磨方法，能夠正確地把握在研磨中的各晶圓半徑位置的與載具的厚度的差，而能夠在加工(研磨)結束時將晶圓的形狀和厚度控制為所期望的值或範圍內。
此時，較佳為同時地研磨複數片的晶圓。
取得許多的晶圓形狀，藉此能夠進一步正確地實行研磨結束的判斷。
在前述測定厚度的步驟中，較佳為以0.1毫秒以下的間隔來獲得厚度的測定結果。
這樣一來，能夠進一步取得更多的厚度資料，其結果，能夠進一步正確地實行研磨結束的判斷。
較佳為取得對於在研磨中的1個晶圓之複數個前述通過軌跡。
在取得厚度測定位置的通過軌跡的步驟中，取得對於同一個晶圓之複數個通過軌跡，藉此能夠作成高精度的半徑位置的厚度輪廓。利用這種輪廓，藉此能夠進一步精度良好地求得晶圓外周形狀。
[發明的效果] 如以上，依據本發明的雙面研磨裝置，能夠正確地評價在研磨中的晶圓外周部的厚度(形狀)，而能夠實行可信賴的厚度測定。
又，依據本發明的雙面研磨方法，能夠正確地評價在研磨中的晶圓外周部的厚度(形狀)，而能夠實行可信賴的厚度測定。
如上述，謀求一種雙面研磨裝置及雙面研磨方法的開發，能夠正確地評價在研磨中的晶圓外周部的厚度(形狀)，而能夠實行可信賴的厚度測定。
本發明人對上述問題重複深入地進行檢討的結果，發現使厚度測定位置的通過軌跡收斂於晶圓模板，再加上取得自晶圓模板的中心起算的通過軌跡的半徑位置，藉此能夠正確地評價在研磨中的晶圓外周部的厚度(形狀)，而能夠實行可信賴的厚度測定，從而完成本發明。
亦即，本發明中的晶圓的雙面研磨裝置，具備： 下平台，其將頂面作為研磨面； 上平台，在該下平台的上方被支持框架支持成可上下移動自如，且其底面作為研磨面； 載具，其配置在前述下平台與前述上平台之間，並具有保持晶圓之透孔； 平台驅動裝置，其以軸線為中心的方式旋轉驅動前述上平台和前述下平台； 載具驅動裝置，其旋轉驅動前述載具；及， 漿液供給源； 該雙面研磨裝置，一邊將漿液自前述漿液供給源供給到前述下平台上，一邊使前述上平台和前述下平台旋轉且使前述載具旋轉，藉此對被夾在前述上平台與前述下平台之間的晶圓的雙面進行研磨； 該雙面研磨裝置的特徵在於： 進一步配置有厚度測定裝置，在被保持於前述載具中的晶圓在研磨中通過的位置，測定前述晶圓的厚度； 前述雙面研磨裝置，進一步具有評價處理部； 前述評價處理部，構成為： 藉由前述厚度測定裝置來測定晶圓的厚度， 藉由厚度的測定資訊、及同時刻的前述平台驅動裝置和前述載具驅動裝置的位置資訊來特定已測定厚度的晶圓， 並取得在該已特定的晶圓上連續地獲得的厚度測定位置的通過軌跡， 且以使在前述已特定的晶圓上的前述通過軌跡收斂於晶圓模板的方式，使前述通過軌跡相對於前述晶圓模板進行相對地平行移動，該晶圓模板具有對應於研磨的晶圓的平均直徑之直徑； 其後，取得自前述晶圓模板的中心起算的前述通過軌跡的半徑位置，以評價前述已特定的晶圓的形狀。
又，本發明的雙面研磨方法，使用雙面研磨裝置，該雙面研磨裝置，具備：下平台，其將頂面作為研磨面；上平台，在該下平台的上方被支持框架支持成可上下移動自如，且其底面作為研磨面；前述載具，其配置在前述下平台與前述上平台之間，並具有保持晶圓之透孔；平台驅動裝置，其以軸線為中心的方式旋轉驅動前述上平台和前述下平台； 載具驅動裝置，其旋轉驅動前述載具；及，漿液供給源； 該雙面研磨方法一邊將漿液自前述漿液供給源供給到前述下平台上，一邊使前述上平台和前述下平台旋轉且使前述載具旋轉，藉此對被夾在前述上平台與前述下平台之間的晶圓的雙面進行研磨，該雙面研磨方法的特徵在於，具有： 藉由厚度測定裝置來測定在研磨中的晶圓的厚度的步驟； 藉由厚度的測定資訊、及同時刻的前述平台驅動裝置和前述載具驅動裝置的位置資訊來特定已測定厚度的晶圓的步驟； 取得在該已特定的晶圓上連續地獲得的厚度測定位置的通過軌跡的步驟； 以使在前述已特定的晶圓上的前述通過軌跡收斂於晶圓模板的方式，使前述通過軌跡對於前述晶圓模板進行相對地平行移動的步驟，該晶圓模板具有對應於研磨的晶圓的平均直徑之直徑； 其後，取得自前述晶圓模板的中心起算的前述通過軌跡的半徑位置，以評價前述已特定的晶圓的形狀的步驟；及， 基於已評價的晶圓的形狀來判定研磨結束時期的步驟。
以下，一邊參照圖式一邊詳細說明本發明。不發明不限定於這些圖式和說明。
另外，在本發明的雙面研磨裝置及雙面研磨方中的研磨對象也就是晶圓，典型為矽晶圓。但是，研磨對象不限於矽晶圓，本發明也能夠適用於其他的晶圓的雙面研磨。
[雙面研磨裝置] 首先，一邊參照第1圖，一邊說明本發明的雙面研磨裝置的例子。
第1圖所示的雙面研磨裝置10，具備下平台1和上平台2。
下平台1，在頂面安裝有研磨墊1a。藉此將下平台1的頂面設為研磨面。
上平台2，在下平台1的上方被支持框架3支持成可上下移動自如。上平台2，藉由作為上下移動機構的例如壓缸裝置4而成為可上下移動。又，在上平台2形成有窗部2c。窗部2c，是藉由將窗材2d嵌入已設置於上平台2的透孔來形成。針對窗部2c，在後面加以說明。
上平台2，在底面安裝有研磨墊2a。藉此將上平台2的底面設為研磨面。
在下平台1的底面，配置有下平台驅動裝置1b。又，在支持框架3的頂面，配置有上平台驅動裝置2b。下平台驅動裝置1b和上平台驅動裝置2b，構成平台驅動裝置，以通過下平台1的中心和上平台2的中心的軸線5作為中心的方式來旋轉驅動上平台2和下平台1。下平台驅動裝置1b和上平台驅動裝置2b，例如能夠包含馬達。又，下平台1，其底面也可以由環狀的支持軸承(未圖示)來支持。
上平台2和下平台1，例如第1圖所示，構成為彼此往相反方向自轉。
雙面研磨裝置10，進一步具備被配置在下平台1與上平台2之間的載具6，以保持晶圓W，該載具6具有透孔。
第2圖是表示本發明的雙面研磨裝置能夠具備的載具的例子的概略平面圖。
如第1圖和第2圖所示，載具6位於太陽齒輪7與內齒輪8之間，該太陽齒輪(內側銷齒輪，sun gear)7配置於下平台1的中心，該內齒輪(外側銷齒輪)8位於外側。第2圖中，僅以圓形來表示載具6、太陽齒輪7及內齒輪8，而實際上為齒輪，載具6與太陽齒輪7彼此嚙合，且載具6與內齒輪8彼此嚙合。
載具6，藉由太陽齒輪7和內齒輪8的旋轉而被旋轉驅動，以進行自轉和公轉。藉此，太陽齒輪7和內齒輪8，構成為載具驅動裝置，以旋轉驅動載具6。太陽齒輪7和內齒輪8，能夠藉由習知的機構來進行旋轉。
各載具6，包含保持晶圓W之透孔6a。各載具6，可以如第2圖所示般具有1個透孔6a，也可以如第3圖所示般具有複數個透孔6a。其中，載具6的態樣，不限定於已圖示的例子。
雙面研磨裝置10，進一步具備漿液供給源9。第1圖中概略地圖示有漿液供給源9，而能夠使用在雙面研磨裝置中通常使用的任何漿液供給源來作為漿液供給源9。
本發明的雙面研磨裝置10中，進一步配置有厚度測定裝置11，在被保持於載具6中的晶圓W在研磨中通過的位置，測定晶圓W的厚度。
第4圖是關於本發明的設置有光學式的厚度測量裝置之雙面研磨裝置的一例的概略圖，該厚度測定裝置具體為藉由雷射光干涉來測定晶圓的厚度。另外，一邊參照第1圖一邊詳細說明雙面研磨裝置的本身，而在第4圖中僅圖示上平台2、下平台1、厚度測定裝置11及晶圓W的位置關係，並省略其他構件的圖示。
在上平台2，形成有窗部2c，以供來自厚度測定裝置11的雷射光透過。形成窗部2c的位置，對應於被保持於載具(未圖示於第4圖)中的晶圓W通過的位置。窗部2c，如第1圖所示，藉由將玻璃製的窗材2d嵌入已設置於上平台2中的透孔來形成。又，藉由橡膠製的密封材來密封透孔與窗材2d之間。窗部2c，較佳是將直徑設為10～15mm的程度。窗部2c，能夠配設在上平台2上的1個位置、或配設在上平台2的同一個圓周上的複數個位置。
第1圖所示的例子中，光學式的厚度測定裝置11，以位於由上平台2的旋轉而產生的窗部2c的移動軌跡(例如第4圖的虛線)的一部分的上方的方式，配置於支持框架3。
光學式的厚度測定裝置11，其本身能夠使用習知的裝置。例如，厚度測定裝置11，具備：發光部(未圖示)，其將雷射光朝向窗部發光；對物透鏡(未圖示)，其以將自該發光部發光的雷射光的焦點，對準位於窗部2c的下方的晶圓W的表面和背面的方式，藉由驅動裝置來移動；受光部(未圖示)，其接受被晶圓W的表面和背面反射的反射光；及，演算部(未圖示)，其輸入有來自該受光部的受光信號，並根據晶圓W的表面和背面的各反射光的峰值來演算晶圓的厚度。
特別是厚度的取得頻度越頻繁越好，較佳為以0.1毫秒以下的間隔來合計厚度的資料。間隔的下限沒有特別限定，例如更佳為以0.01毫秒以上且0.1毫秒以下的間隔來合計厚度的資料。
或者，厚度測定裝置11，例如第5圖所示，也可以配置成以軸線5為中心而在上平台2上進行公轉。
若這樣設定，則能夠獲得更多的厚度資訊。另外，這種態樣中，雖然所獲得的厚度資料較多，但是反面來說也較多地受到位置偏移的影響。但是，本發明的雙面研磨裝置中，如以下的詳細說明般，能夠抑制位置偏移的影響，所以反而在此態樣中，實施本發明的效果大。
雙面研磨裝置10，進一步具有評價處理部12。第1圖所示的例子中，評價處理部12，電性連接於厚度測定裝置11、載具驅動裝置(太陽齒輪7和內齒輪8)及平台驅動裝置(下平台驅動裝置1b和上平台驅動裝置2b)。連接，也可以是無線連接，若不會阻礙到上平台2、下平台1及載具6的旋轉，則也可以是有線連接。
第1圖所示的雙面研磨裝置10中，一邊將漿液自漿液供給源9供給到下平台1上，一邊使上平台2和下平台1旋轉且使載具6旋轉，藉此能夠對被夾在上平台2與下平台1之間的晶圓W的雙面進行研磨。另外，雙面研磨裝置10，也可以是研光(lapping)裝置，也可以是拋光裝置。
又，第1圖所示的雙面研磨裝置10，藉由厚度測定裝置11和評價處理部12來測定在研磨中的晶圓W的厚度，以評價晶圓W的形狀。以下，詳細說明這種測定和評價。
首先，評價處理部12，構成為藉由厚度測定裝置11來測定在研磨中的晶圓W的厚度。厚度測定，例如以下述的方式來實行。
自厚度測定裝置11的發光部，發出具有的光譜在波長1μm～2μm之間的紅外線頻域的雷射光，並將此雷射光射入窗部2c。上述波長頻域的紅外線雷射光，透過窗材2d和晶圓W，其一部分的成分被各界面反射。亦即，以窗材2d的表面、窗材2d的背面、晶圓W的表面及晶圓W的背面，強烈地反射。
藉由被此晶圓W的表面和背面反射的反射光的峰位置與對物透鏡的移動距離的關係，能夠利用演算部來算出晶圓W的厚度。
另外，自厚度測定裝置11的發光部恆常地照射出雷射光，但是因為上平台2會旋轉，所以在第1圖和第4圖所示的例子中，會有雷射光沒有照射到窗部2c的時候。此時，在受光部受光的反射光不是很強，所以資料作為計測錯誤而不會加以繪製。又，晶圓W藉由載具6的旋轉而得以移動，所以會有晶圓W不是位於窗部2c的正下方，而是載具6的一部分位於窗部2c的正下方的情況。此情況下，也是來自載具6的反射光微弱，所以資料作為計測錯誤而不會加以繪製。
這樣一來，能夠獲得特定的晶圓W的厚度資料。
以能夠實行如以上般的測定的方式，在空間考量下將窗部2c設置在上平台2的一側並不很困難。上平台2的可設置窗部2c的位置，較佳為也能夠測定在研磨中藉由載具6而移動的晶圓W的中心部的厚度的位置。例如，將窗部2c設置在載具6的透孔6a的中心可通過的位置上，藉此不僅對晶圓W的周邊部，也可以對中心附近的厚度進行測定。
又，評價處理部12，構成為能夠藉由厚度的測定資訊、及同時刻的平台驅動裝置(下平台驅動裝置1b和上平台驅動裝置2b)和載具驅動裝置(太陽齒輪7和內齒輪8)的位置資訊來特定已測定厚度的晶圓。
因此，由厚度測定裝置11來測定晶圓W的厚度，且取得與該測定資訊同時刻的上平台2和下平台1的位置的測定資訊。又，取得同時刻的太陽齒輪7和內齒輪8的旋轉角度順序資訊。
若為本發明的雙面研磨裝置10的機構，能夠藉由厚度的測定資訊、及同時刻的平台驅動裝置和載具驅動裝置的位置資訊(順序資訊)來特定晶圓。更具體來說，能夠根據厚度測定位置、及同時刻的下平台驅動裝置1b和上平台驅動裝置2b的位置資訊、及太陽齒輪7和內齒輪8的旋轉角度，來在複數片已處理的晶圓W之中，特定是否為已測定厚度的資料等的晶圓的厚度資訊。
進一步，評價處理部12，構成為如以上般取得在已特定的晶圓W上連續地獲得的厚度測定位置的通過軌跡。
該取得在已特定的晶圓W上連續地獲得的厚度測定位置的通過軌跡，是指取得在晶圓W上連續地獲得的點的集合來作為已特定的晶圓W的1片份量的厚度的通過軌跡。連續地實行實際的厚度測定，不僅對特定的晶圓W進行測定，在加工中反覆地通過複數的晶圓W上的同時也對這些晶圓W實行。也就是說，在晶圓W之間，不能夠取得厚度資料而成為不連續的厚度資料。因此，對在晶圓W上連續地獲得的點的集合，取得並作為已特定的晶圓W的1片份量的厚度的通過軌跡。
再者，評價處理部12，構成為以使在已特定的晶圓W上的通過軌跡收斂於晶圓模板的方式，使通過軌跡相對於晶圓模板進行相對地平行移動，該晶圓模板具有對應於研磨的晶圓的平均直徑之直徑，其後，取得自晶圓模板的中心起算的通過軌跡的半徑位置，以評價已特定的晶圓的形狀。此平行移動和晶圓的形狀的評價，詳細說明於以下。
本發明中，針對如先前說明所獲得的厚度測定位置的通過軌跡，取得自晶圓模板的中心起算的半徑位置。此是預先設定晶圓模板，取得自其中心起算的通過軌跡的半徑位置且設為晶圓形狀。
晶圓W的1片份量的厚度的通過軌跡，主要是構成為圓弧形，其長度依據研磨條件(載具驅動裝置的條件、上平台2的旋轉速度、及厚度測定裝置11的設置位置)而具有各種長度。因此，即便是已特定的1個晶圓W，也可獲得複數個通過軌跡。本發明中，利用這樣獲得的複數個或任1個通過軌跡，來作成厚度輪廓。
晶圓模板，是具有對應於研磨的晶圓W的平均直徑之直徑的假想的模板。例如，晶圓模板，能夠設為具有與研磨的晶圓W的平均直徑(在研磨1片晶圓的情況是其直徑)同樣的直徑的圓形狀的模板、或在因為倒角部分的位置、及測定裝置的能力的關係而導致不能夠測定晶圓的平均直徑的情況下，以藉由厚度測定裝置11的測定精度等來設定的測定區域作為直徑的圓形狀的模板。
在這種處理之中所獲得的厚度資料，會有自晶圓模板偏離的情況。此是因為裝置間的差異，例如在載具內的晶圓的晃動和偏移、及載具和機械內部所包含的齒輪的背隙，或者，由於太陽齒輪、內齒輪、載具等的磨耗等所造成影響，而不可獲得正確的資訊情報的情況。此現象，在300mm的晶圓中，例如會有偏移數毫米，嚴重時是偏移近乎10mm的情況。這種狀態下，在取得自晶圓模板的中心起算的半徑位置的情況，可能會對測定位置產生誤差。
若具有這種偏移，則針對藉由上下平台的驅動裝置及載具驅動裝置的位置資訊來特定的晶圓W，會有出現自已設定的理論上的晶圓模板的位置偏離的資料的情況。或者，會有不能夠評價徑向的正確的厚度(自中心起算的位置偏移)的情況。
原本也會有不能處理晶圓模板以外的資料，而造成測定資料數目變少等的問題，而不可獲得正確的形狀資料。若資料少則會有誤差增加的風險。
於是，本發明中，針對厚度資料的處理進行深入的檢討，以使在晶圓上的厚度測定位置的通過軌跡收斂於晶圓模板的方式，使通過軌跡相對於晶圓模板進行相對地平行移動，且以不會自晶圓模板偏離的方式來設定測定資料。當使通過軌跡相對於晶圓模板進行相對地平行移動時，使通過軌跡或晶圓模板的任一方、或這些的兩方進行平行移動，以對新的通過軌跡的座標及/或晶圓模板的座標加以定義。
例如，第6圖所示，在由厚度測定裝置11產生的厚度測定位置的通過軌跡13的一部分，位於晶圓模板14’的外側的情況，使通過軌跡13相對於晶圓模板14’進行相對地平行移動，以例如第7圖所示般使通過軌跡13收斂於新的晶圓模板14。
也就是說，本發明中，例如以圓弧狀的測定位置的通過軌跡13進入晶圓模板14中的方式進行修正。進一步，以使由任意的晶圓W所獲得的厚度的未處理資料的開始點和終點的位置，位於晶圓模板14的外周的方式來使晶圓模板14的座標進行平行移動，以實行修正。
具體來說，當實行此修正時，例如進行以下的計算。規定未知的第一移動向量，其使晶圓模板14’在平面內進行平行移動。又，求得未知的第二移動向量，其使通過軌跡13的兩端的座標來到平行移動後的晶圓模板14的圓方程式上。在所獲得的2個移動向量內，採用向量的尺寸較小的一方。此處的晶圓模板14的圓方程式的半徑，對應於可由厚度測定裝置11來檢測的研磨的晶圓的半徑。
針對這樣地修正而獲得的厚度測定位置的通過軌跡13，取得自晶圓模板14的中心起算的半徑位置。
本發明中，通過軌跡13的自晶圓模板14的中心起算的半徑位置，是指通過軌跡13中所包含的複數個厚度測定位置，各自與晶圓模板14的中心的距離。
作為厚度資料的處理，測定點通常是描繪為圓弧狀的軌跡。本發明中，將此測定點轉換成半徑位置的厚度輪廓。亦即，如先前的說明般，準備晶圓模板，其具有對應於加工的晶圓W的平均直徑之直徑，算出自此晶圓模板的中心起算直到測定點的距離，以作成輪廓。
在第8圖和第9圖，分別概略地表示取得自晶圓模板14的中心14a起算的通過軌跡13的半徑位置的例子。
如第8圖和第9圖所示，本發明的雙面研磨裝置中，能夠藉由第1圖所示的評價處理部12來測定自晶圓模板14的中心14a起算直到通過軌跡13中所包含的各個厚度測定位置的距離。
在第10圖，表示所獲得的厚度輪廓的例子。厚度輪廓，是對於如以上般獲得的自晶圓模板14的中心14a起算直到通過軌跡13中所包含的各個厚度測定位置的距離，將在各測定位置所獲得的厚度測定值繪製而成。
從第10圖可明確得知，藉由本發明的雙面研磨裝置來取得通過軌跡的半徑位置，藉此能夠正確地評價在研磨中的晶圓外周部的厚度(形狀)，而能夠實行可信賴的厚度測定。另外，也可以將這樣獲得的資料，進一步作成複數個資料的平均值、或是實施在半徑方向上取得移動平均等的處理。
又，若為本發明的雙面研磨裝置，能夠正確地把握在研磨中的在各晶圓半徑位置的與載具的厚度的差，而能夠在加工(研磨)結束時將晶圓的形狀和厚度控制為所期望的值或範圍內。
特別是，可以在加工經過時間內監視針對外周部(例如，自外周位置起算的35mm以內)的正確的外周剖面形狀的許多資料。
再者，若為本發明的雙面研磨裝置，能夠基於正確的外周剖面形狀來正確地決定研磨結束時點。特別是，在外周形狀沒有發生反曲點的最小的PV(Peak to Valley，峰-谷)值、Range值(測定值的最大值與最小值的差)及σ值(標準偏差)下結束加工，藉此能夠獲得容易在下個步驟中進行修正的晶圓。
[雙面研磨方法] 接著，一邊再度參照第1圖、第7圖及第8圖，一邊說明本發明的雙面研磨方法的例子。
本發明的雙面研磨方法，是例如使用參照第1圖來說明了的本發明的雙面研磨裝置10，一邊將漿液自漿液供給源9供給到下平台1上，一邊使上平台2和下平台1旋轉且使載具6旋轉，藉此對被夾在上平台2與下平台1之間的晶圓W的雙面進行研磨之雙面研磨方法。
本發明的雙面研磨方法，具有：藉由厚度測定裝置11來測定在研磨中的晶圓W的厚度的步驟；藉由厚度的測定資訊、及同時刻的平台驅動裝置(下平台驅動裝置1b和上平台驅動裝置2b)和載具驅動裝置(太陽齒輪7和內齒輪8)的位置資訊來特定已測定厚度的晶圓W的步驟；取得在該已特定的晶圓W上連續地獲得的厚度測定位置的通過軌跡13的步驟；以使在已特定的晶圓W上的通過軌跡13收斂於晶圓模板14的方式，使通過軌跡13相對於晶圓模板14進行相對地平行移動的步驟(例如第7圖)，該晶圓模板具有對應於研磨的晶圓W的平均直徑之直徑；及，其後，取得自晶圓模板14的中心14a起算的通過軌跡13的半徑位置(例如第8圖)，以評價已特定的晶圓W的形狀的步驟。對於這些步驟，請參照先前說明。
藉由這樣取得晶圓W的厚度測定點的通過軌跡13的半徑位置，如先前說明般，能夠正確地評價在研磨中的晶圓外周部的厚度(形狀)，而能夠實行可信賴的厚度測定。
特別是，可以在與晶圓加工的同時，監視針對外周部(例如，自外周位置起算的35mm以內)的正確的外周剖面形狀之許多資料。
進一步，在取得厚度測定位置的通過軌跡13的步驟中，對同一個晶圓W的資訊進行複數次合計(將複數個通過軌跡13加以合計)，藉此能夠作成高精度的半徑位置的厚度輪廓。關於如第9圖所示的在圓弧上的資料較短的通過軌跡13，也含有晶圓外周部的厚度資訊，所以能夠藉由有效活用這些資料來進一步精度良好地求得晶圓外周形狀。
本發明的雙面研磨方法，進一步具有基於已評價的晶圓的形狀來判定研磨結束時期的步驟。
若為包含此步驟之本發明的雙面研磨方法，能夠基於正確的外周剖面形狀的資訊來正確地決定研磨結束時點。因此，能夠在外周形狀沒有發生反曲點的最小的PV值、Range值及σ值下結束加工，藉此能夠獲得容易在下個步驟中進行修正的晶圓W。
又，若為這種本發明的雙面研磨方法，也能夠正確地把握在研磨中的各晶圓半徑位置的與載具的厚度的差，而能夠在加工(研磨)結束時將晶圓的形狀和厚度控制為所期望的值或範圍內。
本發明的雙面研磨方法中，較佳為同時地研磨複數片的晶圓。
對於相同批次的複數個晶圓，分別地取得正確的厚度(形狀)資料，而能夠更正確地實行研磨結束的判斷。
又，測定厚度的步驟中，較佳為以0.1毫秒以下的間隔來獲得厚度的測定結果。
這樣一來，能夠取得更多的厚度資料，其結果，能夠更正確地實行研磨結束的判斷。間隔的下限沒有特別限定，例如更佳為以0.01毫秒以上且0.1毫秒以下的間隔來合計厚度的資料。
[實施例] 以下，使用實施例和比較例來具體地說明本發明，但是本發明不限定於這些實施例。
(實驗例) 以本發明的研磨裝置及研磨方法來研磨複數個直徑為300mm的矽晶圓，該研磨裝置是如第5圖所示般，將尺寸控制探針配置於上平台2上以作為厚度測定裝置11，除了該尺寸控制探針11本身也構成為公轉機構的點以外，使用具有與第1圖所示的同樣的構造的雙面研磨裝置10，且使用如先前說明所構成的評價處理部12。使用的研磨劑，是在平均粒徑為35～70nm的膠態二氧化矽中添加苛性鉀(氫氧化鉀)，且以純水稀釋成pH成為10.5。使用的研磨布，是市售的不織布類型。
另外，厚度測定裝置11的雷射光是紅外線波長可變雷射，將波長設為1300nm，輸出設為10mW以上。
以這種條件來實行研磨步驟。以上述的方法，基於使通過軌跡13相對於晶圓模板14進行相對地平行移動而取得的通過軌跡13的半徑位置，來求得在與載具的厚度差充分的狀態下的任意的半徑位置的厚度輪廓。將此實驗例設為實施例1。在第11圖表示由實施例1所獲得的輪廓的一部分。在與載具的厚度差充分的狀態下發生研磨布往晶圓的沉入，所以外周部容易變薄。從第11圖可明確得知，在實施例1求得的晶圓形狀也是外周部的厚度薄而成為所謂的塌邊形狀，認為已正確地實行形狀的評價，特別是晶圓的外周形狀的評價。
接著，不要使通過軌跡13相對於晶圓模板14進行相對地平行移動，來求得在與同一個晶圓的半徑位置的厚度輪廓。將此實驗例設為比較例1。從第12圖可明確得知，不能夠正確地求得通過軌跡13的半徑位置，所以不能夠充分地表現外周部的塌邊形狀。
亦即，可知若不加入通過軌跡13的平行移動的修正，則所評價的形狀與實際的形狀之間會產生不同。
比較例1的合計中，大多有將外周厚度判斷為較厚的傾向，因為形狀的誤判而發生研磨後的形狀的偏差。
另一方面，實施例1中，能夠判斷正確的晶圓形狀，而能夠將研磨後的形狀作成目標形狀。
接著，作為實施例2，以與上述實驗例的實施例1相同的步驟來評價晶圓的形狀，規定外周的目標形狀，並基於所評價的形狀來結束研磨。又，作為比較例2，以與上述實驗例的比較例1相同的步驟來評價晶圓的形狀，規定外周的目標形狀，並基於所評價的形狀來結束研磨。在實施例2和比較例2的研磨後，評價晶圓的形狀參數(外周部的翹曲和塌邊的位準)。形狀參數，是指以正數側為外周翹曲形狀，以負數側為外周塌邊形狀，目標設為平坦也就是0。第13圖是表示由實施例2和比較例2所獲得的形狀參數的直方圖。從第13圖可明確得知，相較於比較例2，實施例2的一方的形狀參數是在0附近，成為能夠加工成精度更良好的目標形狀的結果。
本說明書，包含以下態樣。 [1]一種晶圓的雙面研磨裝置，具備：下平台，其將頂面作為研磨面；上平台，在該下平台的上方被支持框架支持成可上下移動自如，且其底面作為研磨面；載具，其配置在前述下平台與前述上平台之間，並具有保持晶圓之透孔；平台驅動裝置，其以軸線為中心的方式旋轉驅動前述上平台和前述下平台；載具驅動裝置，其旋轉驅動前述載具；及，漿液供給源；該雙面研磨裝置，一邊將漿液自前述漿液供給源供給到前述下平台上，一邊使前述上平台和前述下平台旋轉且使前述載具旋轉，藉此對被夾在前述上平台與前述下平台之間的晶圓的雙面進行研磨；該雙面研磨裝置的特徵在於：進一步配置有厚度測定裝置，在被保持於前述載具中的晶圓在研磨中通過的位置，測定前述晶圓的厚度；前述雙面研磨裝置，進一步具有評價處理部；前述評價處理部，構成為：藉由前述厚度測定裝置來測定晶圓的厚度，藉由厚度的測定資訊、及同時刻的前述平台驅動裝置和前述載具驅動裝置的位置資訊來特定已測定厚度的晶圓，並取得在該已特定的晶圓上連續地獲得的厚度測定位置的通過軌跡，且以使在前述已特定的晶圓上的前述通過軌跡收斂於晶圓模板的方式，使前述通過軌跡對於前述晶圓模板進行相對地平行移動，該晶圓模板具有對應於研磨的晶圓的平均直徑之直徑；其後，取得自前述晶圓模板的中心起算的前述通過軌跡的半徑位置，以評價前述已特定的晶圓的形狀。 [2]是在[1]記載的雙面研磨裝置中，前述厚度測定裝置，是藉由雷射光干涉來測定在研磨中的晶圓的厚度之尺寸控制裝置。 [3]是在[1]或[2]記載的雙面研磨裝置中，前述厚度測定裝置，以能夠將前述軸線作為中心在前述上平台上公轉的方式配置在前述上平台上。 [4]一種雙面研磨方法，使用雙面研磨裝置，該雙面研磨裝置，具備：下平台，其將頂面作為研磨面；上平台，在該下平台的上方被支持框架支持成可上下移動自如，且其底面作為研磨面；載具，其配置在前述下平台與前述上平台之間，並具有保持晶圓之透孔；平台驅動裝置，其以軸線為中心的方式旋轉驅動前述上平台和前述下平台；載具驅動裝置，其旋轉驅動前述載具；及，漿液供給源；該雙面研磨方法一邊將漿液自前述漿液供給源供給到前述下平台上，一邊使前述上平台和前述下平台旋轉且使前述載具旋轉，藉此對被夾在前述上平台與前述下平台之間的晶圓的雙面進行研磨之雙面研磨方法，該雙面研磨方法的特徵在於，具有：藉由厚度測定裝置來測定在研磨中的晶圓的厚度的步驟；藉由厚度的測定資訊、及同時刻的前述平台驅動裝置和前述載具驅動裝置的位置資訊來特定已測定厚度的晶圓的步驟；取得在該已特定的晶圓上連續地獲得的厚度測定位置的通過軌跡的步驟；以使在前述已特定的晶圓上的前述通過軌跡收斂於晶圓模板的方式，使前述通過軌跡對於前述晶圓模板進行相對地平行移動的步驟，該晶圓模板具有對應於研磨的晶圓的平均直徑之直徑；其後，取得自前述晶圓模板的中心起算的前述通過軌跡的半徑位置，以評價前述已特定的晶圓的形狀的步驟；及，基於已評價的晶圓的形狀來判定研磨結束時期的步驟。 [5]是在[4]記載的雙面研磨方法中，同時地研磨複數片的晶圓。 [6]是在[4]或[5]記載的雙面研磨方法中，在前述測定厚度的步驟中，以0.1毫秒以下的間隔來獲得厚度的測定結果。 [6]是在[4]至[6]的任一個記載的雙面研磨方法中，取得對於在研磨中的1個晶圓之複數個前述通過軌跡。
另外，本發明不限定於上述實施形態。上述實施形態為例示，只要是與已記載於本發明的申請專利範圍中的技術思想具有實質上相同的構成，發揮同樣的作用效果的任何實施形態，皆包含在本發明的技術範圍中。
1:下平台 1a,2a:研磨墊 1b:下平台驅動裝置 2:上平台 2b:上平台驅動裝置 2c:窗部 2d:窗材 3:支持框架 4:壓缸裝置 5:軸線 6:載具 6a:透孔 7:太陽齒輪 8:內齒輪 9:漿液供給源 10:雙面研磨裝置 11:厚度測定裝置 12:評價處理部 13:通過軌跡 14,14’:晶圓模板 14a:中心 W:晶圓
第1圖是表示本發明的雙面研磨裝置的一例的概略剖面圖。 第2圖是本發明的雙面研磨裝置能夠具備的載具的一例的概略平面圖。 第3圖是本發明的雙面研磨裝置能夠具備的載具的其他例的概略平面圖。 第4圖是表示在本發明的雙面研磨裝置的一例中的上平台、下平台及厚度測定裝置的配置的概略圖。 第5圖是表示在本發明的雙面研磨裝置的其他例中的上平台、下平台及厚度測定裝置的配置的概略圖。 第6圖是表示通過軌跡與晶圓模板的位置關係的一例的圖。 第7圖是表示使通過軌跡相對於晶圓模板進行相對地平行移動的一例的概略圖。 第8圖是表示取得自晶圓模板的中心起算的通過軌跡的半徑位置的一例的概略圖。 第9圖是表示取得自晶圓模板的中心起算的通過軌跡的半徑位置的其他例的概略圖。 第10圖是由本發明的雙面研磨裝置所獲得的半徑位置的厚度輪廓的一例。 第11圖是實施例1中的在研磨中的晶圓的厚度的測定結果。 第12圖是比較例1中的在研磨中的晶圓的厚度的測定結果。 第13圖是在實施例2和比較例2中評價的晶圓的形狀參數的直方圖。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
13:通過軌跡
14,14’:晶圓模板

Claims (8)

  1. 一種雙面研磨裝置，具備： 下平台，其頂面作為研磨面； 上平台，在該下平台的上方被支持框架支持成可上下移動自如，且其底面作為研磨面； 載具，其配置在前述下平台與前述上平台之間，並具有保持晶圓之透孔； 平台驅動裝置，其以軸線為中心的方式旋轉驅動前述上平台和前述下平台； 載具驅動裝置，其旋轉驅動前述載具；及， 漿液供給源； 該雙面研磨裝置，一邊將漿液自前述漿液供給源供給到前述下平台上，一邊使前述上平台和前述下平台旋轉且使前述載具旋轉，藉此對被夾在前述上平台與前述下平台之間的晶圓的雙面進行研磨； 該雙面研磨裝置的特徵在於： 進一步配置有厚度測定裝置，在被保持於前述載具中的晶圓在研磨中通過的位置，測定前述晶圓的厚度； 前述雙面研磨裝置，進一步具有評價處理部； 前述評價處理部，構成為：藉由前述厚度測定裝置來測定晶圓的厚度， 藉由厚度的測定資訊、及同時刻的前述平台驅動裝置和前述載具驅動裝置的位置資訊來特定已測定厚度的晶圓， 並取得在該已特定的晶圓上連續地獲得的厚度測定位置的通過軌跡， 且以使在前述已特定的晶圓上的前述通過軌跡收斂於晶圓模板的方式，使前述通過軌跡相對於前述晶圓模板進行相對地平行移動，該晶圓模板具有對應於研磨的晶圓的平均直徑之直徑， 其後，取得自前述晶圓模板的中心起算的前述通過軌跡的半徑位置，以評價前述已特定的晶圓的形狀。
  2. 如請求項1所述之雙面研磨裝置，其中，前述厚度測定裝置，是藉由雷射光干涉來測定在研磨中的晶圓的厚度之尺寸控制裝置。
  3. 如請求項1或2所述之雙面研磨裝置，其中，前述厚度測定裝置，以能夠將前述軸線作為中心在前述上平台上公轉的方式配置在前述上平台上。
  4. 一種雙面研磨方法，使用雙面研磨裝置，該雙面研磨裝置具備：下平台，其頂面作為研磨面；上平台，在該下平台的上方被支持框架支持成可上下移動自如，且其底面作為研磨面；載具，其配置在前述下平台與前述上平台之間，並具有保持晶圓之透孔；平台驅動裝置，其以軸線為中心的方式旋轉驅動前述上平台和前述下平台；載具驅動裝置，其旋轉驅動前述載具；及，漿液供給源； 該雙面研磨方法一邊將漿液自前述漿液供給源供給到前述下平台上，一邊使前述上平台和前述下平台旋轉且使前述載具旋轉，藉此對被夾在前述上平台與前述下平台之間的晶圓的雙面進行研磨，該雙面研磨方法的特徵在於，具有： 藉由厚度測定裝置來測定在研磨中的晶圓的厚度的步驟； 藉由厚度的測定資訊、及同時刻的前述平台驅動裝置和前述載具驅動裝置的位置資訊來特定已測定厚度的晶圓的步驟； 取得在該已特定的晶圓上連續地獲得的厚度測定位置的通過軌跡的步驟； 以使在前述已特定的晶圓上的前述通過軌跡收斂於晶圓模板的方式，使前述通過軌跡相對於前述晶圓模板進行相對地平行移動的步驟，該晶圓模板具有對應於研磨的晶圓的平均直徑之直徑； 其後，取得自前述晶圓模板的中心起算的前述通過軌跡的半徑位置，以評價前述已特定的晶圓的形狀的步驟；及， 基於已評價的晶圓的形狀來判定研磨結束時期的步驟。
  5. 如請求項4所述之雙面研磨方法，其中，同時地研磨複數片的晶圓。
  6. 如請求項4所述之雙面研磨方法，其中，在前述測定厚度的步驟中，以0.1毫秒以下的間隔來獲得厚度的測定結果。
  7. 如請求項5所述之雙面研磨方法，其中，在前述測定厚度的步驟中，以0.1毫秒以下的間隔來獲得厚度的測定結果。
  8. 如請求項4至7中任一項所述之雙面研磨方法，其中，取得對於在研磨中的1個晶圓之複數個前述通過軌跡。
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