WO2020021871A1 - ワークの両面研磨装置および両面研磨方法 - Google Patents

ワークの両面研磨装置および両面研磨方法 Download PDF

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double
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workpiece
side polishing
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真美 久保田
啓一 高梨
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株式会社Sumco
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Definitions

  • the present invention relates to an apparatus and a method for polishing both sides of a work.
  • the entire shape of the wafer in the initial stage of polishing, the entire shape of the wafer is convex upward, and a large sag shape is also observed at the outer periphery of the wafer. At this time, the thickness of the wafer is sufficiently larger than the thickness of the carrier plate.
  • the polishing proceeds, the overall shape of the wafer approaches a flat surface, but a sagging shape remains on the outer periphery of the wafer. At this time, the thickness of the wafer is slightly larger than the thickness of the carrier plate.
  • the entire surface shape of the wafer becomes substantially flat, and the amount of sag on the outer periphery of the wafer decreases.
  • the thickness of the wafer is substantially equal to the thickness of the carrier plate. Thereafter, when polishing is advanced, the shape of the wafer gradually becomes concave at the center, and the outer periphery of the wafer becomes a cut-up shape. At this time, the thickness of the wafer is thinner than the thickness of the carrier plate.
  • the wafer is polished until the thickness of the wafer becomes substantially equal to the thickness of the carrier plate.
  • the polishing amount was controlled.
  • the adjustment of the polishing time by the operator is greatly affected by the polishing environment, such as the timing of replacing auxiliary polishing materials and the timing of stopping the apparatus, so that the polishing amount cannot always be controlled accurately. Relied on the experience of the elderly.
  • Patent Document 1 the thickness of a wafer being polished is measured in real time from a monitoring hole (through hole) above the upper platen (or below the lower platen), and polishing is performed based on the measurement result.
  • a double-sided wafer polishing apparatus capable of determining the end timing of the wafer.
  • the present invention is intended to solve the above-described problem, and an object of the present invention is to perform double-side polishing during a double-side polishing, in which the double-side polishing can be terminated at a timing at which the shape of the workpiece becomes a target shape.
  • An object of the present invention is to provide a double-side polishing apparatus and a double-side polishing method.
  • a rotating surface plate having an upper surface plate and a lower surface plate, a sun gear provided at a central portion of the rotating surface plate, an internal gear provided at an outer peripheral portion of the rotating surface plate, and the upper surface plate Provided between the lower platen, and a carrier plate provided with one or more wafer holding holes for holding the work, a double-side polishing apparatus for a work,
  • the upper surface plate or the lower surface plate has one or more monitoring holes penetrating from the upper surface to the lower surface of the upper surface plate or the lower surface plate
  • a double-side polishing apparatus for a work including one or more work thickness measuring devices, which can measure the thickness of the work in real time from the one or more monitoring holes
  • a calculating unit that determines the timing of ending the double-side polishing of the work, the calculating unit, A first step of classifying work thickness data measured by the work thickness measuring device for each work
  • the set value Y of the shape index of the work is a target value A, a result value in the previous batch B, a set value of the work shape index in the previous batch C, a constant D, and an adjustment sensitivity constant.
  • the work double-side polishing apparatus according to the above [1], wherein a (0 ⁇ a ⁇ 1) is represented by the following equation (1). Y C + ((AB) / D) ⁇ a (1)
  • each of the shape components is measured by actually measuring the distance between the center of the sun gear and the center of the monitoring hole, the rotation angle of the carrier plate, and the revolution angle of the carrier plate. It is also possible to specify the position of the work in the radial direction on the work, or to measure the thickness of the work for various conditions of the number of revolutions of the upper platen, the number of revolutions of the carrier plate and the number of rotations of the carrier plate. A possible section is calculated by simulation, and the calculated measurable section and the section where the actual measurement was possible most coincide with the rotation speed of the upper platen, the number of revolutions of the carrier plate, and the number of rotations of the carrier plate. To specify the position in the work radial direction on the work where each of the shape components is measured, as described in the above [1] or [2]. Double-side polishing apparatus of the work.
  • the relationship between the shape index of the work and the polishing time is approximated by a straight line, and the polishing time at which the shape index of the work becomes a predetermined value from the approximated straight line ends the double-side polishing of the work.
  • the relationship between the shape component of the work and the position in the work radial direction on the work is approximated by an even function, and the shape index of the work is a maximum value and a minimum value of the approximated even function.
  • the double-side polishing apparatus for a work according to any one of [1] to [4], which is determined based on a value.
  • the relationship between the thickness data of the workpiece and the polishing time is approximated by a quadratic function, and the difference between the thickness data of the workpiece and the approximated quadratic function is used as the shape component of the workpiece.
  • the work double-side polishing apparatus according to any one of [1] to [6].
  • the work is held on a carrier plate provided with one or more wafer holding holes for holding the work, and the work is sandwiched between a rotating platen composed of an upper platen and a lower platen, and a central portion of the rotating platen.
  • the upper surface plate or the lower surface plate has one or more monitoring holes penetrating from the upper surface to the lower surface of the upper surface plate or the lower surface plate,
  • the double-side polishing method of the work during the double-side polishing of the work, A first step of classifying work thickness data measured by the work thickness measuring device for each work, For each work A second step of extracting a workpiece shape component from the workpiece thickness data; A third step of specifying, for each of the extracted
  • the set value Y of the shape index of the work is a target value A, an actual value B in the previous batch, a set value C of the work shape index in the previous batch, a constant D, and an adjustment sensitivity constant.
  • each of the shape components is measured by actually measuring the distance between the center of the sun gear and the center of the monitoring hole, the rotation angle of the carrier plate, and the revolution angle of the carrier plate. It is also possible to specify the position of the work in the radial direction on the work, or to measure the thickness of the work for various conditions of the number of revolutions of the upper platen, the number of revolutions of the carrier plate and the number of rotations of the carrier plate. A possible section is calculated by simulation, and the calculated measurable section and the section where the actual measurement was possible most coincide with the rotation speed of the upper platen, the number of revolutions of the carrier plate, and the number of rotations of the carrier plate. And [8] or [9] to specify the position in the work radial direction on the work where each of the shape components is measured. Double-sided polishing method of the mounting of the work.
  • the relationship between the shape index of the work and the polishing time is approximated by a straight line, and the polishing time at which the shape index of the work becomes a predetermined value is determined from the approximated straight line to finish the double-side polishing of the work.
  • the relationship between the shape component of the work and the position in the work radial direction on the work is approximated by an even function, and the shape index of the work is a maximum value and a minimum value of the approximated even function.
  • the relationship between the thickness data of the work and the polishing time is approximated by a quadratic function, and the difference between the thickness data of the work and the approximated quadratic function is used as the shape component of the work.
  • the method for polishing both sides of a work according to any one of [8] to [13].
  • the double-side polishing can be ended at the timing when the shape of the work becomes the target shape during the double-side polishing.
  • FIG. 1 is a top view of a work double-side polishing apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a sectional view taken along line AA in FIG. 1. It is a figure showing an example of thickness data of a wafer from which an abnormal value was removed.
  • FIG. 4 is a diagram illustrating thickness data of one wafer W separated from the thickness data illustrated in FIG. 3.
  • FIG. 5 is a diagram showing a time variation of an average thickness of a wafer obtained by approximating the thickness data of the wafer shown in FIG. 4 by a quadratic function.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating a time variation of a shape component of a wafer surface extracted from the thickness data of the wafer illustrated in FIG. 4.
  • FIG. 4 is a sectional view taken along line AA in FIG. 1. It is a figure showing an example of thickness data of a wafer from which an abnormal value was removed.
  • FIG. 4 is a diagram illustrating thickness data of one wafer W separated from the thickness
  • FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a positional relationship between a carrier plate and a wafer at a certain point in time when the thickness of the wafer is measured.
  • (A) is an enlarged view of the time variation of the shape distribution shown in FIG. 6 from the polishing time of 500 seconds to 1000 seconds
  • (b) is the shape distribution of the wafer obtained from (a).
  • FIG. 4 is a diagram illustrating a relationship between an average value of a wafer shape index and a polishing time. It is a figure which shows the shape index of the wafer approximated by the straight line. It is a figure which shows a mode that the shape of the wafer after double-side polishing deviates from a target shape by repeating double-side polishing.
  • FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a positional relationship between a carrier plate and a wafer at a certain point in time when the thickness of the wafer is measured.
  • (A) is an enlarged view of the time variation of the shape distribution shown
  • FIG. 9 is a diagram illustrating a state in which a wafer having a target shape can be obtained even when double-side polishing is repeated by correcting the timing for terminating double-side polishing.
  • 4 is a flowchart of a method for polishing both sides of a work according to the present invention. It is a figure which shows GBIR of the silicon wafer after double-side polish.
  • FIG. 1 is a top view of a work double-side polishing apparatus according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a sectional view taken along line AA in FIG.
  • the double-side polishing apparatus 1 includes a rotary platen 4 having an upper platen 2 and a lower platen 3 opposed thereto, and a sun gear 5 provided at the center of rotation of the rotary platen 4. And an internal gear 6 provided in an annular shape on the outer peripheral portion of the rotary platen 4.
  • FIG. 1 is a top view of a work double-side polishing apparatus according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a sectional view taken along line AA in FIG.
  • the double-side polishing apparatus 1 includes a rotary platen 4 having an upper platen 2 and a lower platen 3 opposed thereto, and a sun gear 5 provided at the center of rotation of the rotary platen 4. And an internal gear 6 provided in an annular shape on the outer peripheral portion of the rotary platen 4.
  • FIG. 1 is a
  • polishing pads 7 are respectively attached to opposing surfaces of the upper and lower rotating platens 4, that is, a lower surface side which is a polishing surface of the upper platen 2 and an upper surface side which is a polishing surface of the lower platen 3. Is clothed.
  • the apparatus 1 is provided between an upper surface plate 2 and a lower surface plate 3 and has one or more (one in the illustrated example) wafer holding holes for holding a work. 8 are provided. Note that FIG. 1 shows only one of the plurality of carrier plates 9. The number of the wafer holding holes 8 may be one or more, and may be, for example, three. In the illustrated example, a workpiece (a wafer in this embodiment) W is held in the wafer holding hole 8.
  • the apparatus 1 is a planetary gear type double-side polishing apparatus capable of rotating the sun gear 5 and the internal gear 6 to cause the carrier plate 9 to perform planetary motion of revolving motion and rotation motion. That is, while supplying the polishing slurry, the carrier plate 9 is caused to perform planetary motion, and at the same time, the upper platen 2 and the lower platen 3 are relatively rotated with respect to the carrier plate 9. Thereby, both sides of the wafer W can be polished simultaneously by sliding the polishing pad 7 stuck on the upper and lower rotary platens 4 and both sides of the wafer W held in the wafer holding holes 8 of the carrier plate 9.
  • the upper surface plate 2 has one or more monitoring holes 10 penetrating from the upper surface of the upper surface plate 2 to the lower surface which is a polishing surface. Is provided.
  • one monitoring hole 10 is arranged at a position passing near the center of the wafer W.
  • the monitoring holes 10 are provided on the upper stool 2, but may be provided on the lower stool 3, and one or more monitoring holes 10 are provided on either the upper stool 2 or the lower stool 3. Just do it.
  • one monitoring hole 10 is provided in the examples shown in FIGS. 1 and 2, a plurality of monitoring holes 10 may be provided on the periphery of the upper surface plate 2 (on the dashed line in FIG. 1).
  • the monitoring hole 10 penetrates to the polishing pad 7 attached to the upper surface plate 2, and penetrates from the upper surface of the upper surface plate 2 to the lower surface of the polishing pad 7.
  • this apparatus 1 can measure the thickness of the wafer W from one or more (one in the illustrated example) monitoring holes 10 in real time during double-side polishing of the wafer W.
  • the above-mentioned (one in the illustrated example) the work thickness measuring instrument 11 is provided above the upper surface plate 2 in the illustrated example.
  • the work thickness measuring device 11 is a wavelength variable infrared laser device.
  • the work thickness measuring device 11 includes an optical unit that irradiates a laser beam to the wafer W, a detection unit that detects a laser beam reflected from the wafer W, and an operation that calculates the thickness of the wafer W from the detected laser beam.
  • a unit can be provided.
  • the work thickness measuring device 11 may be any device that can measure the thickness of the work in real time, and is not particularly limited to a device using an infrared laser as described above.
  • the double-side polishing apparatus 1 of the present embodiment includes a control unit 12. As shown in FIG. 2, in this example, the control unit 12 is connected to the upper and lower stools 2, 3, the sun gear 5, the internal gear 6, and the work thickness measuring device 11.
  • the double-side polishing apparatus 1 includes an arithmetic unit 13 that determines the timing of ending the double-side polishing of the work during the double-side polishing of the work, and is connected to the control unit 12.
  • the calculation unit 13 acquires the work thickness data measured by the work thickness measuring device 11 and determines the timing for terminating the double-side polishing of the work.
  • one work thickness measuring instrument 11 constituted by an infrared laser, and five monitoring holes 10 provided on the upper surface plate 2 are provided at equal intervals in the circumferential direction of the upper surface plate 2.
  • the processing of the calculation unit 13 will be described by taking as an example a case where the number of plates 9 is five and one wafer W as a work is held on each carrier plate 9.
  • the thickness measurement of the wafer W by the work thickness measuring device 11 is performed correctly when the laser light emitted from the work thickness measuring device 11 passes through the monitoring hole 10 of the upper surface plate 2 and is irradiated on the surface of the wafer W. Is done.
  • the thickness of the wafer W is not obtained.
  • a temporally continuous section in which the thickness of the wafer W is measured by the work thickness measuring device 11 is referred to as a “measurable section”, and a section in which the thickness of the wafer W is not correctly measured is referred to as a “measurable section”.
  • the upper stool 2 since the upper stool 2 has five monitoring holes 10 for thickness measurement, when the upper stool 2 is rotated at, for example, 20 rpm (three-second cycle), 0 is obtained.
  • the laser beam from the work thickness measuring device 11 passes through the monitoring hole 10 at a period of .6 seconds.
  • the time required to pass through the diameter of the monitoring hole 10 (for example, 15 mm) is 0.01 second
  • the time interval between the measurable section and the next measurable section, that is, the unmeasurable section is 0.59 seconds. This is 1.19 seconds or less.
  • an abnormal value may be included when the thickness of the outermost peripheral portion of the wafer is measured, and when such an abnormal value is included, the wafer W May not be able to evaluate the shape correctly. Therefore, first, it is preferable to remove an abnormal value from the measured thickness data.
  • the removal of the abnormal value can be performed based on the initial thickness of the carrier plate 9, the initial thickness of the wafer W, and the like. Further, at a stage where a certain measured value of the wafer thickness is obtained, data in which, for example, the standard deviation exceeds a predetermined value (for example, 0.2 ⁇ m) can be statistically removed as an abnormal value.
  • a predetermined value for example, 0.2 ⁇ m
  • FIG. 3 shows an example of the thickness data of the wafer W from which an abnormal value has been removed.
  • a measurement-impossible section appears after a thickness-measurable section appears, and then a measurement-measurable section appears again.
  • the appearance of the unmeasurable section is repeated alternately.
  • the appearance of the unmeasurable section indicates that the wafer W irradiated with the laser beam is replaced. Therefore, the thickness data measured in the measurable section can be classified for each wafer using the appearance of such an unmeasurable section as an index.
  • the thickness of the wafer W held on a certain carrier plate 9 in the measurable section was measured, and then an unmeasurable section appeared. It has been found that the wafer W to be measured is not necessarily held on the adjacent carrier plate 9 but may be held on the carrier plate 9 separated by two or more.
  • the carrier plates 9 to which the labels A, B, C, D, and E are attached are arranged in a ring shape, and the thickness of the work is set in the order of A, B, C, D, E, A, B.
  • the thickness of the wafer W held on the carrier plate 9 of the label A was measured, an unmeasurable section appeared, and the wafer W measured in the measurable section that appeared thereafter was separated by two.
  • the wafer W may be held on the carrier plate 9 of the label C. In this case, the time of the unmeasurable section is longer than when the wafer W of the adjacent carrier plate 9 is measured.
  • the carrier plate 9 of the label B It can be determined whether the thickness of the wafer W has been measured or whether the wafer W on the carrier plate 9 of the label C or D has been measured. Thus, the thickness data of the wafer W can be correctly classified for each wafer W.
  • FIG. 4 shows the thickness data of one wafer W separated from the thickness data shown in FIG. Although not shown in the figure, thickness data of the other four wafers W having the same tendency as that shown in FIG. 4 is obtained.
  • the shape component of the wafer W is extracted from the thickness data of the wafer W (second step).
  • the thickness data for each wafer W classified in the first step decreases with the polishing time. That is, since the average thickness of the wafer W decreases with the polishing time, the thickness data obtained in the first step includes not only the time variation of the shape component of the surface of the wafer W but also the time variation of the average thickness of the wafer W. include. Therefore, the time variation of the shape component of the surface of the wafer W is extracted by removing the time variation of the average thickness of the wafer W from the thickness data of the wafer W.
  • FIG. 5 shows the time variation of the average thickness of the wafer W obtained by approximating the thickness data of the wafer W shown in FIG. 4 by a quadratic function.
  • the thickness data of the wafer W can be well fitted by a quadratic function.
  • the time variation of the average thickness of the wafer W can be obtained.
  • the time variation of the average thickness of the wafer W obtained as described above is subtracted from the thickness data of the wafer W.
  • FIG. 6 shows the time variation of the obtained shape components.
  • FIG. 7 shows an example of the positional relationship between the carrier plate 9 and the wafer W at a certain point in time when the thickness of the wafer W is measured.
  • the thickness measurement position that is, the position of the wafer thickness measurement device 11 or the position of the center of the monitoring hole 10) is located on the reference line, and the distance from the center of the sun gear 5 to the thickness measurement position (that is, The distance from the center of the sun gear 5 to the center of the monitoring hole 10) is a design value and is known.
  • the radius of the rotary platen 4, the sun gear 5, the radius of the carrier plate 9, and the distance from the center of the carrier plate 9 to the center of the wafer W are design values and are known.
  • is the revolving angle of the carrier plate 9 and is an angle between a reference position (reference line) and a line connecting the center of the sun gear 5 and the center of the carrier plate 9. Further, ⁇ is the rotation angle of the carrier plate 9 and indicates an angle between a line connecting the center of the sun gear 5 and the center of the carrier plate 9 and a line connecting the center of the carrier plate 9 and the center of the wafer W. ing.
  • an angle from a reference position is determined in order to confirm whether the rotating platen 4 and the carrier plate 9 are rotating under the set conditions. (Or the amount of movement) is monitored and controlled using a device called an “encoder”. Therefore, the revolution angle ⁇ and the rotation angle ⁇ at the time when the thickness of the wafer W is measured can be specified. Then, the center position of the carrier plate 9 can be obtained from the specified revolution angle ⁇ , and the center position of the wafer W can be obtained from the rotation angle ⁇ .
  • the distance from the center of the sun gear 5 to the thickness measurement position (that is, the center of the monitoring hole 10) is known, the distance from the center of the wafer W to the thickness measurement position, that is, the shape of the wafer W
  • the radial position of each of the components can be determined.
  • the design values such as the rotating platen 4, the sun gear 5, the radius of the carrier plate 9, the distance from the center of the carrier plate 9 to the center of the wafer W, and the position of the wafer thickness measuring device 11 (that is, the center of the sun gear 5) From the center of the monitoring hole 10), and (1) the rotation angle ⁇ of the carrier plate 9 and (2) the rotation angle ⁇ of the carrier plate 9 when measuring the thickness of the wafer W.
  • the position in the wafer radial direction can be obtained.
  • (1) the rotation angle ⁇ of the carrier plate and (2) the rotation angle ⁇ of the carrier plate 9 can be obtained by actual measurement. However, these measurements require high accuracy. Therefore, by simulation, (1) and (2) are specified from the pattern of the measurable section at a fixed time (for example, 200 seconds) from the start of polishing, and the position of each of the shape components of the wafer W in the wafer radial direction is obtained. Is preferred.
  • the polishing conditions such as the number of revolutions (rpm) of the upper platen 2, the number of revolutions (rpm) of the carrier plate 9 and the number of revolutions (rpm) of the carrier plate 9 are given, and the initial position of the wafer W (FIG. 7, the revolution angle ⁇ and the rotation angle ⁇ of the wafer W from the reference position (reference line) are given as parameters.
  • the time pattern in which the thickness of the wafer W is measured that is, the pattern of the measurable section
  • the position where the thickness associated with it is measured that is, the position of the shape component of the wafer W in the wafer radial direction
  • the rotational speed (rpm) of the upper platen 2 the revolution number (rpm) of the carrier plate 9 and the carrier plate 9 at which the pattern of the measurable section obtained by the simulation and the pattern of the measurable section obtained by the actual measurement best match. Is obtained, and the position where the thickness is measured is specified.
  • the position in the wafer radial direction of each of the shape components of the wafer W can be obtained by the simulation.
  • the shape distribution of the wafer W is calculated from the specified position in the wafer radial direction on the wafer W and the shape component of the wafer W (fourth step). This can be calculated by using shape components for different measurement positions.
  • the shape distribution of the wafer W at a certain polishing time t is obtained using a shape component obtained from thickness data measured from the polishing time t- ⁇ t to the polishing time t.
  • FIG. 8 (a) is an enlarged view of the time variation of the shape distribution shown in FIG. 6 from the polishing time of 500 seconds to 1000 seconds.
  • the shape distribution of the wafer W during the polishing time of 880 seconds is obtained using the shape components from 680 seconds to 880 seconds in the illustrated example.
  • FIG. 8B shows the obtained shape distribution.
  • the shape distribution of the obtained wafer W is not the shape distribution at the polishing time t, but the average shape distribution of the wafer W during the polishing time t- ⁇ t to t. ing.
  • the time range of the shape component used to determine the shape distribution depends on the number of measurable data per unit time and depends on the polishing conditions, and therefore cannot be unconditionally determined. As the time range is longer, the accuracy of the shape distribution can be improved, but the calculation of the shape distribution requires more time, and the speed is inferior. On the other hand, the shorter the time range, the shorter the time required for calculating the shape distribution. Therefore, the speed distribution is excellent, but the accuracy of the shape distribution is inferior.
  • the present inventors have found that by obtaining the shape distribution of the wafer W using, for example, a shape component in a time range of 75 seconds or more, the shape distribution can be obtained with high accuracy without impairing the high-speed operation. More preferably, the shape distribution of the wafer W is obtained using a shape component in a time range of 200 seconds to 300 seconds.
  • a shape index of the wafer W is obtained from the shape distribution of the wafer W calculated as described above (fifth step).
  • One of the indexes indicating the flatness of the wafer W is GBIR (Global ⁇ Backside ⁇ Ideal ⁇ Range).
  • GBIR is a representative index indicating the global flatness of the entire wafer, and is used to evaluate unevenness in the thickness of the entire surface of the wafer. GBIR can be obtained as the difference between the maximum value and the minimum value of the shape distribution on the wafer W.
  • GBIR is used as a shape index of the wafer W.
  • the obtained GBIR is also an average GBIR in the time range from t- ⁇ t to t of the shape component used for calculating the shape distribution, and is not a strict GBIR. Therefore, in the present invention, the difference between the maximum value and the minimum value of the shape distribution is expressed as “shape index of wafer W”.
  • the shape distribution is approximated by an even function, and the shape distribution is expressed by the obtained even function.
  • the maximum value and the minimum value are obtained, and the shape index of the wafer W can be calculated from the difference between the obtained maximum value and the minimum value.
  • a quartic function is preferably used because the shape distribution of the wafer W can be reproduced well.
  • the shape distribution near the center of the wafer W is not obtained, it is preferable to use a quadratic function since the shape distribution of the wafer W can be satisfactorily reproduced.
  • the obtained shape index for each wafer W is determined based on the difference between the target value and the actual value of the shape index of the work in the previous batch. Is determined as the timing to end the double-side polishing of the wafer W (sixth step). Specifically, an average value of the shape indices obtained for each wafer is obtained, and a timing for ending double-side polishing of the wafer W is determined based on the average value.
  • FIG. 9 shows the relationship between the average value of the shape index of the wafer W and the polishing time.
  • the double-side polishing is finished when the shape index of the wafer W becomes a predetermined value, for example, zero.
  • the surface of a wafer W to be subjected to double-side polishing is relatively flat before polishing, and when double-side polishing is started, the surface shape of the wafer changes, the flatness once deteriorates, and the GBIR increases.
  • the flatness improves, and the GBIR starts to decrease.
  • the GBIR tends to decrease linearly with the polishing time as the double-side polishing is continued.
  • the shape index of the wafer W in the present invention also decreases linearly after the value starts to decrease, and shows the same tendency as GBIR. Therefore, after the value of the shape index of the wafer W starts to decrease, as shown in FIG.
  • the timing at which the shape index of the wafer W becomes a predetermined value (for example, zero) is obtained. Can be predicted. According to the study of the present inventors, by determining the timing of ending the double-side polishing based on the shape index of the wafer W during the double-side polishing, the double-side polishing is performed at the timing when the shape of the wafer W becomes the target shape. Can be terminated.
  • the set value of the shape index of the wafer W for which double-side polishing is completed is set to the target value of 100 nm, and the double-side polishing is performed.
  • the GBIR of the wafer W after double-side polishing is 100 nm as the target value.
  • the actual value of GBIR gradually increases as the number of batches increases, and the shape of the wafer W gradually deviates from the target shape.
  • the GBIR value of the wafer W after double-side polishing is: Once it becomes smaller than the target value, it increases as the number of batches increases to reach the target value. However, when the number of batches further increases, the shape of the wafer W after double-side polishing deviates again from the target shape.
  • the life variation of the auxiliary material such as the polishing pad 7, the carrier plate 9, and the slurry can be considered.
  • the auxiliary material is replaced every several batches in which the deviation of the shape does not occur as described above. It is difficult in terms of cost. Therefore, it is necessary to suppress the divergence of the shape by a method capable of coping with the life fluctuation of the auxiliary material due to the increase in the number of batches.
  • the present inventors have intensively studied ways to solve the above-mentioned shape. As is clear from FIG. 11, it can be seen that the shape of the wafer W linearly departs from the target shape with respect to the life fluctuation of the auxiliary material.
  • the present inventors when determining the timing to end the double-side polishing of the wafer W, based on the difference between the actual value and the target value of the shape index of the wafer W that has been double-side polished in the previous batch, the current batch By correcting the set value of the shape index of the wafer W corresponding to the timing of ending the double-side polishing in the above, it was found that the deviation of the shape can be suppressed.
  • the present inventors have conducted a detailed investigation on the relationship between the set value of the shape index and the actual value when terminating the double-side polishing for a large number of wafers W after the double-side polishing.
  • A the target value is A
  • the actual value in the previous batch is B
  • the constant is D
  • the setting value of the wafer W shape index in the previous batch is C
  • the adjustment sensitivity is C. It has been found that by setting the constant to a (0 ⁇ a ⁇ 1) and setting it to Y represented by the following equation (1), the divergence of the shape can be suppressed well.
  • Y C + ((AB) / D) ⁇ a (3)
  • the constant D in the above equation (3) can be calculated by performing statistical analysis on the target value A and the actual value B for a large number of wafers W after actual double-side polishing.
  • the value of D was calculated to be 0.665693.
  • the adjustment sensitivity constant a is a constant for adjusting the influence of the actual value of the shape index in the previous batch when determining the set value of the shape index of the wafer W in the current batch.
  • FIG. 12 shows the relationship between the number of batches and the GBIR when the timing for terminating double-side polishing is determined using the above equation (3).
  • the actual value (%) of the GBIR is shown with respect to the set value.
  • the set value of the shape index of the wafer W corresponding to the timing of terminating the double-side polishing using the above equation (3) gradually decreases as the number of batches increases.
  • the actual value of the GBIR of the wafer W after double-side polishing is maintained at the target value even when the number of batches increases.
  • the obtained shape index for each wafer W is determined based on the difference between the target value and the actual value of the shape index of the work in the previous batch.
  • the timing at which the set value of the shape index of the work is reached is determined as the timing for ending the double-side polishing of the wafer W, and by ending the double-side polishing at the determined timing, even when the double-side polishing is repeatedly performed, The double-side polishing can be completed with the shape described above.
  • FIG. 13 shows a flowchart of a method for polishing both sides of a work according to the present invention.
  • the method of the present invention is the same as the above-described method in which the arithmetic unit 13 in the apparatus for polishing a double-sided workpiece according to the present invention determines the timing for ending the double-side polishing, and thus will be briefly described, and detailed description will be omitted.
  • step S1 the thickness data of the workpiece from which the abnormal value has been removed is separated for each workpiece (first step). This can be performed, for example, based on a time interval in which the thickness data of the work is continuously measured.
  • step S2 the shape component of the work is extracted from the thickness data of the work for each work (second step). This can be performed, for example, by approximating the thickness data of the work with a quadratic function and subtracting the time variation of the average thickness of the work obtained by approximating with the quadratic function from the time variation of the shape component of the work. .
  • step S3 for each of the extracted shape components of the workpiece, the measured position in the workpiece radial direction on the workpiece is specified (third step).
  • each of the shape components is measured by actually measuring the distance between the center of the sun gear 5 and the center of the monitoring hole 10, the rotation angle ⁇ of the carrier plate 9, and the revolution angle ⁇ of the carrier plate 9. It is possible to specify the position of the workpiece on the workpiece in the radial direction, or to measure the thickness of the workpiece under various conditions such as the number of revolutions of the upper surface plate 2, the number of revolutions of the carrier plate 9, and the number of revolutions of the carrier plate 9.
  • step S4 the shape distribution of the work is calculated from the specified position in the work radial direction on the work and the shape component of the work (fourth step). If the number of shape components is small when obtaining the shape distribution, the shape distribution can be obtained by approximating with an even function.
  • step S5 a work shape index is obtained from the calculated work shape distribution (fifth step).
  • the difference between the maximum value and the minimum value of the work shape distribution is used as a work shape index.
  • step S6 the timing at which the calculated shape index of each work becomes the set value of the work shape index determined based on the difference between the target value and the actual value of the work shape index in the previous batch is set.
  • the timing is determined to end the double-side polishing of the work (sixth step).
  • the relationship between the work shape index and the polishing time is approximated by a straight line, and the polishing time at which the work shape index becomes a predetermined value (for example, zero) from the approximated straight line is determined by the timing at which the double-side polishing of the work is finished. can do.
  • the set values of the shape index of the wafer W corresponding to the timing of terminating the double-side polishing are A, the target value is B, the actual value is B, the set value of the shape index of the wafer W in the previous batch is C, and the constant is D.
  • step S7 the double-side polishing is ended at the timing when the double-side polishing of the determined work is ended.
  • the double-side polishing can be completed at the timing when the shape of the work becomes the target shape.
  • FIG. 14 shows the target value of GBIR and the GBIR of the silicon wafer after double-side polishing.
  • step S6 the set value of the shape index of the silicon wafer corresponding to the timing of terminating double-side polishing was the same GBIR target value as in the invention example in all batches. The other conditions are all the same as those of the invention.
  • FIG. 14 shows the GBIR of the silicon wafer after double-side polishing.
  • the GBIR of the silicon wafer after double-side polishing was larger than the target value, and the variation in GBIR was large.
  • the double-side polishing timing was determined based on the silicon wafer shape index obtained in steps S1 to S5 in FIG. It can be seen that the difference from the value is small and the variation is small. Furthermore, it can be seen that the difference between the average value and the target value of the GBIR of the wafer after double-side polishing is smaller and the variation is smaller in the invention example than in the comparative example.
  • the timing for ending the double-side polishing is determined based on the shape index of the work, and during the double-side polishing, the double-side polishing can be stopped at the timing when the shape of the work becomes the target shape, Useful in the semiconductor wafer manufacturing industry.

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Abstract

両面研磨中に、ワークの形状が目標形状となるタイミングで両面研磨を終了できるワークの両面研磨装置および両面研磨方法を提供する。演算部13は、ワーク厚み計測器11によって計測されたワークの厚みデータをワーク毎に分類する第1工程と、ワーク毎に、厚みデータからワークの形状成分を抽出する第2工程と、抽出した形状成分の各々について、測定されたワーク上のワーク径方向位置を特定する第3工程と、特定されたワーク径方向の位置およびワークの形状成分からワークの形状分布を算出する第4工程と、算出した形状分布からワークの形状指標を求める第5工程と、求めたワーク毎の形状指標が、前回のバッチにおけるワークの形状指標の目標値と実績値との差に基づいて決定されたワークの形状指標の設定値となるタイミングをワークの両面研磨を終了するタイミングとして決定する第6工程とを行い、決定したタイミングで両面研磨を終了する。

Description

ワークの両面研磨装置および両面研磨方法
 本発明は、ワークの両面研磨装置および両面研磨方法に関するものである。
 研磨に供するワークの典型例であるシリコンウェーハなどの半導体ウェーハの製造において、より高精度なウェーハの平坦度品質や表面粗さ品質を得るために、ウェーハの表裏面を同時に研磨する両面研磨工程が一般的に採用されている。
 特に近年、半導体素子の微細化と、半導体ウェーハの大口径化により、露光時における半導体ウェーハの平坦度要求が厳しくなってきているという背景から、適切なタイミングで研磨を終了させる手法が強く希求されている。
 一般的な両面研磨においては、研磨初期では、ウェーハの全面形状は、上に凸の形状であり、ウェーハ外周でも大きなダレ形状が見られる。このとき、ウェーハの厚みはキャリアプレートの厚みより十分に厚い。次に、研磨が進むと、ウェーハの全面形状は、平坦に近づくものの、ウェーハ外周ではダレ形状が残っている。このとき、ウェーハの厚みは、キャリアプレートの厚みより少し厚い状態である。さらに研磨が進むと、ウェーハの全面形状は、ほぼ平坦な形状となり、ウェーハ外周のダレ量が小さくなる。このとき、ウェーハの厚みとキャリアプレートの厚みは、ほぼ等しい。その後、研磨を進めると、ウェーハの形状が段々と中心部が凹んだ形状となり、ウェーハの外周が切上がり形状となる。その際、ウェーハの厚みは、キャリアプレートの厚みより薄い状態となる。
 以上のことから、全面および外周の平坦度の高いウェーハを得るために、ウェーハの厚みがキャリアプレートの厚みにほぼ等しくなるまでウェーハの研磨を行うのが一般的であり、作業者が研磨時間を調整することにより、研磨量を制御していた。
 ところが、作業者による研磨時間の調整では、研磨副資材の交換タイミングや、装置の停止のタイミングのずれなど、研磨環境による影響を大きく受けてしまい、研磨量を必ずしも正確に制御できず、結局作業者の経験に頼るところが大きかった。
 これに対し、例えば、特許文献1では、上定盤の上方(または下定盤の下方)の監視穴(貫通孔)から研磨中のウェーハの厚みをリアルタイムで計測し、当該計測結果に基づいて研磨の終了タイミングを判定することのできるウェーハの両面研磨装置が提案されている。
特開2010-030019号公報
 特許文献1をはじめとする従来の方法では、両面研磨を終了するタイミングをウェーハ厚みの測定結果に基づいて行っているため、予め設定された厚みにおいて研磨を終了することはできる。しかし、研磨後のウェーハの形状が、目標としている形状と一致しない問題があった。
 本発明は、上記の問題を解決しようとするものであり、その目的とするところは、両面研磨中に、ワークの形状が目標としている形状となるタイミングで両面研磨を終了させることができるワークの両面研磨装置および両面研磨方法を提供することにある。
 上記課題を解決する本発明は、以下の通りである。
[1]上定盤および下定盤を有する回転定盤と、該回転定盤の中心部に設けられたサンギアと、前記回転定盤の外周部に設けられたインターナルギアと、前記上定盤と前記下定盤との間に設けられ、ワークを保持する1つ以上のウェーハ保持孔が設けられたキャリアプレートとを備えるワークの両面研磨装置であって、
 前記上定盤または前記下定盤は、該上定盤または下定盤の上面から下面まで貫通した1つ以上の監視穴を有し、
 前記ワークの両面研磨中に、前記ワークの厚みを前記1つ以上の監視穴からリアルタイムに計測可能な、1つ以上のワーク厚み計測器を備えるワークの両面研磨装置において、
 前記ワークの両面研磨中に、前記ワークの両面研磨を終了するタイミングを決定する演算部であって、該演算部は、
 前記ワーク厚み計測器によって計測されたワークの厚みデータをワーク毎に分類する第1工程と、
 ワーク毎に、
  ワークの厚みデータからワークの形状成分を抽出する第2工程と、
  抽出したワークの形状成分の各々について、測定されたワーク上のワーク径方向の位置を特定する第3工程と、
  特定されたワーク上のワーク径方向の位置および前記ワークの形状成分から、ワークの形状分布を算出する第4工程と、
  算出したワークの形状分布からワークの形状指標を求める第5工程と、
  求めたワーク毎の形状指標が、前回のバッチにおけるワークの形状指標の目標値と実績値との差に基づいて決定されたワークの形状指標の設定値となるタイミングを前記ワークの両面研磨を終了するタイミングとして決定する第6工程と、
を行い、決定された前記ワークの両面研磨を終了するタイミングに両面研磨を終了させる、演算部を備えることを特徴とするワークの両面研磨装置。
[2]前記ワークの形状指標の設定値Yは、目標値をA、前回のバッチにおける実績値をB、前回のバッチにおけるワークの形状指標の設定値をC、定数をD、調整感度定数をa(0<a≦1)として、下記の式(1)で表される、前記[1]に記載のワークの両面研磨装置。
  Y=C+((A-B)/D)×a     (1)
[3]前記第3工程において、前記サンギアの中心と前記監視穴の中心との間の距離、前記キャリアプレートの自転角度および前記キャリアプレートの公転角度を実測して前記形状成分の各々が測定されたワーク上のワーク径方向の位置を特定するか、あるいは前記上定盤の回転数、前記キャリアプレートの公転数および前記キャリアプレートの自転数の様々な条件について前記ワークの厚みを計測することが可能な区間をシミュレーションにより算出し、算出した計測可能区間と、実際に計測が可能だった区間とが最も一致する前記上定盤の回転数、前記キャリアプレートの公転数および前記キャリアプレートの自転数を特定して、前記形状成分の各々が測定されたワーク上のワーク径方向の位置を特定する、前記[1]または[2]に記載のワークの両面研磨装置。
[4]前記第6工程は、前記ワークの形状指標と研磨時間との関係を直線で近似し、近似した直線から前記ワークの形状指標が所定値となる研磨時間を前記ワークの両面研磨を終了するタイミングとする、前記[1]~[3]のいずれか一項に記載のワークの両面研磨装置。
[5]前記第5工程において、前記ワークの形状成分と前記ワーク上のワーク径方向の位置との関係を偶関数で近似し、前記ワークの形状指標は、近似した偶関数の最大値および最小値に基づいて決定される、前記[1]~[4]のいずれか一項に記載のワークの両面研磨装置。
[6]前記第1工程において、前記ワークの厚みデータが連続して測定された時間間隔に基づいて、前記厚みデータをワーク毎に分類する、前記[1]~[5]のいずれか一項に記載のワークの両面研磨装置。
[7]前記第2工程において、前記ワークの厚みデータと研磨時間との関係を2次関数で近似し、前記ワークの厚みデータと近似した2次関数との差を前記ワークの形状成分とする、前記[1]~[6]のいずれか一項に記載のワークの両面研磨装置。
[8]ワークを保持する1つ以上のウェーハ保持孔が設けられたキャリアプレートにワークを保持し、該ワークを上定盤および下定盤からなる回転定盤で挟み込み、前記回転定盤の中心部に設けられたサンギアの回転と、前記回転定盤の外周部に設けられたインターナルギアの回転とにより、前記キャリアプレートの自転および公転を制御し、これにより、前記回転定盤と前記キャリアプレートとを相対回転させて前記ワークの両面を同時に研磨するワークの両面研磨方法において、
 前記上定盤または前記下定盤は、該上定盤または該下定盤の上面から下面まで貫通した1つ以上の監視穴を有し、
 前記ワークの両面研磨方法は、前記ワークの両面研磨中に、
 前記ワーク厚み計測器によって計測されたワークの厚みデータをワーク毎に分類する第1工程と、
 ワーク毎に、
  ワークの厚みデータからワークの形状成分を抽出する第2工程と、
  抽出したワークの形状成分の各々について、測定されたワーク上のワーク径方向の位置を特定する第3工程と、
  特定されたワーク上のワーク径方向の位置および前記ワークの形状成分から、ワークの形状分布を算出する第4工程と、
  算出したワークの形状分布からワークの形状指標を求める第5工程と、
  求めたワーク毎の形状指標が、前回のバッチにおけるワークの形状指標の目標値と実績値との差に基づいて決定されたワークの形状指標の設定値となるタイミングを前記ワークの両面研磨を終了するタイミングとして決定する第6工程と、
を備え、決定された前記ワークの両面研磨を終了するタイミングに両面研磨を終了することを特徴とするワークの両面研磨方法。
[9]前記ワークの形状指標の設定値Yは、目標値をA、前回のバッチにおける実績値をB、前回のバッチにおけるワークの形状指標の設定値をC、定数をD、調整感度定数をa(0<a≦1)として、下記の式(2)で表される、前記[8]に記載のワークの両面研磨方法。
  Y=C+((A-B)/D)×a     (2)
[10]前記第3工程において、前記サンギアの中心と前記監視穴の中心との間の距離、前記キャリアプレートの自転角度および前記キャリアプレートの公転角度を実測して前記形状成分の各々が測定されたワーク上のワーク径方向の位置を特定するか、あるいは前記上定盤の回転数、前記キャリアプレートの公転数および前記キャリアプレートの自転数の様々な条件について前記ワークの厚みを計測することが可能な区間をシミュレーションにより算出し、算出した計測可能区間と、実際に計測が可能だった区間とが最も一致する前記上定盤の回転数、前記キャリアプレートの公転数および前記キャリアプレートの自転数を特定して、前記形状成分の各々が測定されたワーク上のワーク径方向の位置を特定する、前記[8]または[9]に記載のワークの両面研磨方法。
[11]前記第6工程は、前記ワークの形状指標と研磨時間との関係を直線で近似し、近似した直線から前記ワークの形状指標が所定値となる研磨時間を前記ワークの両面研磨を終了するタイミングとする、前記[8]~[10]のいずれか一項に記載のワークの両面研磨方法。
[12]前記第5工程において、前記ワークの形状成分と前記ワーク上のワーク径方向の位置との関係を偶関数で近似し、前記ワークの形状指標は、近似した偶関数の最大値および最小値に基づいて決定される、前記[8]~[11]のいずれか一項に記載のワークの両面研磨方法。
[13]前記第1工程において、前記ワークの厚みデータが連続して測定された時間間隔に基づいて、前記厚みデータをワーク毎に分類する、前記[8]~[12]のいずれか一項に記載のワークの両面研磨方法。
[14]前記第2工程において、前記ワークの厚みデータと研磨時間との関係を2次関数で近似し、前記ワークの厚みデータと近似した2次関数との差を前記ワークの形状成分とする、前記[8]~[13]のいずれか一項に記載のワークの両面研磨方法。
 本発明によれば、ワークの形状指標に基づいて両面研磨を終了するタイミングを決定するため、両面研磨中に、ワークの形状が目標としている形状となるタイミングで両面研磨を終了させることができる。
本発明の一実施形態にかかるワークの両面研磨装置の上面図である。 図1における、A-A断面図である。 異常値が除去されたウェーハの厚みデータの一例を示す図である。 図3に示した厚みデータから分離された1枚のウェーハWの厚みデータを示す図である。 図4に示したウェーハの厚みデータを2次関数で近似して得られたウェーハの平均厚みの時間変動を示す図である。 図4に示したウェーハの厚みデータから抽出されたウェーハ表面の形状成分の時間変動を示す図である。 ウェーハの厚みが計測されたある時点でのキャリアプレートおよびウェーハの位置関係の一例を示す図である。 (a)は図6に示した形状分布の時間変動の、研磨時間500秒から1000秒までの拡大図であり、(b)は(a)から得られたウェーハの形状分布である。 ウェーハの形状指標の平均値と研磨時間との関係を示す図である。 直線で近似したウェーハの形状指標を示す図である。 両面研磨の繰り返しにより、両面研磨後のウェーハの形状が目標形状から乖離していく様子を示す図である。 両面研磨を終了するタイミングを補正することにより、両面研磨を繰り返した場合にも、目標形状のウェーハが得られる様子を示す図である。 本発明によるワークの両面研磨方法のフローチャートである。 両面研磨後のシリコンウェーハのGBIRを示す図である。
(ワークの両面研磨装置)
 以下、本発明のワークの両面研磨装置の一実施形態について、図面を参照して詳細に例示説明する。図1は、本発明の一実施形態にかかるワークの両面研磨装置の上面図であり、図2は、図1におけるA-A断面図である。図1、図2に示すように、この両面研磨装置1は、上定盤2およびそれに対向する下定盤3を有する回転定盤4と、回転定盤4の回転中心部に設けられたサンギア5と、回転定盤4の外周部に円環状に設けられたインターナルギア6とを備えている。図2に示すように、上下の回転定盤4の対向面、すなわち、上定盤2の研磨面である下面側及び下定盤3の研磨面である上面側には、それぞれ研磨パッド7が貼布されている。
 また、図1、図2に示すように、この装置1は、上定盤2と下定盤3との間に設けられ、ワークを保持する1つ以上(図示例では1つの)のウェーハ保持孔8を有する複数のキャリアプレート9を備えている。なお、図1では、複数のキャリアプレート9のうちの1つのみが示されている。また、ウェーハ保持孔8の数は1つ以上であればよく、例えば3つとすることもできる。図示例では、ウェーハ保持孔8にワーク(本実施形態ではウェーハ)Wが保持されている。
 ここで、この装置1は、サンギア5とインターナルギア6とを回転させることにより、キャリアプレート9に、公転運動および自転運動の遊星運動をさせることができる、遊星歯車方式の両面研磨装置である。すなわち、研磨スラリーを供給しながら、キャリアプレート9を遊星運動させ、同時に上定盤2および下定盤3をキャリアプレート9に対して相対的に回転させる。これにより、上下の回転定盤4に貼布した研磨パッド7とキャリアプレート9のウェーハ保持孔8に保持したウェーハWの両面とを摺動させてウェーハWの両面を同時に研磨することができる。
 さらに、図1、図2に示すように、本実施形態の装置1では、上定盤2は、該上定盤2の上面から研磨面である下面まで貫通した1つ以上の監視穴10が設けられている。図示例では、監視穴10は、ウェーハWの中心付近を通過する位置に1つ配置されている。なお、この例では、監視穴10は、上定盤2に設けているが、下定盤3に設けてもよく、上定盤2および下定盤3のいずれかに監視穴10を1つ以上設ければよい。また、図1、図2に示す例では、監視穴10を1つ設けているが、上定盤2の周上(図1における一点鎖線上)に複数配置してもよい。ここで、図2に示すように、監視穴10は上定盤2に貼布した研磨パッド7まで貫通しており、上定盤2の上面から研磨パッド7の下面まで貫通している。
 また、図2に示すように、この装置1は、ウェーハWの両面研磨中に、ウェーハWの厚みを1つ以上の(図示例では1つの)監視穴10からリアルタイムで計測可能な、1つ以上の(図示例で1つの)ワーク厚み計測器11を、図示例で上定盤2の上方に備えている。この例では、ワーク厚み計測器11は、波長可変型の赤外線レーザ装置である。例えば、このワーク厚み計測器11は、ウェーハWにレーザ光を照射する光学ユニットと、ウェーハWから反射されたレーザ光を検出する検出ユニットと、検出したレーザ光からウェーハWの厚みを計算する演算ユニットを備えることができる。このようなワーク厚み計測器11によれば、ウェーハWに入射させたレーザ光の、ウェーハWの表側の表面で反射した反射光と、ウェーハWの裏面で反射した反射光との光路長の差からウェーハWの厚みを計算することができる。なお、ワーク厚み計測器11は、ワークの厚みをリアルタイムで計測することができるものであればよく、上記のような赤外線レーザを用いたものには特に限定されない。
 さらに、図2に示すように、本実施形態の両面研磨装置1は制御部12を備えている。図2に示すように、この例では、制御部12は、上下定盤2、3、サンギア5、インターナルギア6およびワーク厚み計測器11に接続されている。
 そして、本実施形態の両面研磨装置1は、ワークの両面研磨中に、ワークの両面研磨を終了するタイミングを決定する演算部13を備えており、制御部12に接続されている。この演算部13は、ワーク厚み計測器11によって測定されたワーク厚みデータを取得し、ワークの両面研磨を終了するタイミングを決定する。以下、赤外線レーザで構成されたワーク厚み計測器11が1台、上定盤2に設けられた監視穴10の数が上定盤2の周方向に等間隔に5個設けられており、キャリアプレート9の数が5枚、各キャリアプレート9にワークとしてのウェーハWが1枚保持されている場合を例に、演算部13の処理について説明する。
 ワーク厚み計測器11によるウェーハWの厚み計測は、ワーク厚み計測器11から照射されたレーザ光が上定盤2の監視穴10を通過してウェーハWの表面に照射される場合に、正しく計測される。
 これに対して、レーザ光が監視穴10を通過せず、上定盤2の上面に照射された場合や、レーザ光が監視穴10を通過するものの、ウェーハWの表面ではなく、キャリアプレート9の表面に照射される場合には、ウェーハWの厚みは取得されない。以下、ワーク厚み計測器11によって、ウェーハWの厚みが計測される時間的に連続な区間を「計測可能区間」、ウェーハWの厚みが正しく計測されなかった区間を「計測不可能区間」と呼ぶ。
 上記計測可能区間において計測されたデータであっても、計測されたデータのばらつきが大きく、ウェーハWの形状を正しく評価することができない場合がある。そのような場合には、計測可能区間において計測されたデータを監視穴10毎に平均化することにより、ウェーハWの形状を評価することができる。
 具体的には、上述のように、上定盤2は厚み計測用の監視穴10を5個有しているため、上定盤2を、例えば20rpm(3秒周期)で回転させると、0.6秒周期で、ワーク厚み計測器11からのレーザ光が監視穴10を通過する。また、監視穴10の直径(例えば、15mm)を通過するのに要する時間が0.01秒である場合には、ある監視穴10の計測可能区間と次の計測可能区間との間の時間間隔、すなわち計測不可能区間が0.01秒以上0.59秒以下となる。そのため、計測不可能区間が上記0.01秒以上0.59秒以下となった場合には、それまで測定された連続データを監視穴10のうちの1つで連続計測されたデータと見做して平均化処理し、隣の監視穴10へ移動したと判断する。また、ウェーハ厚み計測器11直下に監視穴10が通過したとしても、ウェーハWが存在していないために、計測不可能区間となる場合がある。そのため、現在計測された監視穴10から2つ隣の監視穴10へ移動する場合には、計測可能区間と次の計測可能区間との間の時間間隔、すなわち計測不可能区間は0.59秒以上1.19秒以下となる。
 また、上述のように平均化されたデータにおいても、例えば、ウェーハ最外周部の厚みが測定された場合等に異常値を含む場合があり、このような異常値を含む場合には、ウェーハWの形状を正しく評価することはできない場合がある。そこでまず、計測された厚みデータから、異常値を除去することが好ましい。
 上記異常値の除去は、キャリアプレート9の初期厚みや、ウェーハWの初期厚み、等に基づいて行うことができる。また、ある程度のウェーハ厚みの計測値が得られた段階で、統計的に、例えば標準偏差が所定の値(例えば、0.2μm)を超えるデータを異常値として除去することもできる。以下、異常値が除去された値を「正常値」と呼ぶ。図3は、異常値が除去されたウェーハWの厚みデータの一例を示している。
 通常の研磨条件でウェーハWの両面研磨を行うと、ウェーハWの厚みの計測可能区間が現れた後に、計測不可能区間が現れ、再度計測可能区間が現れるというように、計測可能区間の出現と計測不可能区間の出現が交互に繰り返される。ここで、計測不可能区間の出現は、レーザ光が照射されるウェーハWが入れ替わることを示している。従って、このような計測不可能区間の出現を指標として、計測可能区間で計測された厚みデータをウェーハ毎に分類することができる。
 なお、本発明者らの検討の結果、計測可能区間においてあるキャリアプレート9に保持されたウェーハWの厚みを計測し、その後計測不可能区間が出現し、次に出現した計測可能区間において厚みが計測されるウェーハWは、隣接するキャリアプレート9に保持されたものとは限らず、2つ以上離れたキャリアプレート9に保持されたものである場合があることが判明した。
 具体的には、ラベルA、B、C、D、Eが付されたキャリアプレート9が環状に順に並べられており、A、B、C、D、E、A、B…の順でワーク厚み計測器11に向かって公転する場合を考える。そして、ラベルAのキャリアプレート9に保持されたウェーハWの厚みを計測していたところ、計測不可能区間が出現し、その後に出現した計測可能区間において計測されるウェーハWが、2つ離れたラベルCのキャリアプレート9に保持されたウェーハWである場合があるのである。この場合には、隣接するキャリアプレート9のウェーハWが計測される場合よりも、計測不可能区間の時間が長い。
 そのため、計測不可能区間の時間、換言すれば、計測可能区間と計測可能区間との間の時間間隔に基づいて、例えばラベルAのキャリアプレート9のウェーハWの後に、ラベルBのキャリアプレート9のウェーハWの厚みが計測されたのか、あるいはラベルCやDのキャリアプレート9のウェーハWが計測されたのかを判定することができる。こうして、ウェーハWの厚みデータをウェーハW毎に正しく分類することができる。
 図4は、図3に示した厚みデータから分離された1つのウェーハWの厚みデータを示している。図には示さないが、その他4つのウェーハWについても、図4に示したものと同様の傾向を示すウェーハWの厚みデータが得られている。
 次に、ウェーハW毎に分類されたウェーハWの厚みデータに対して、以下の工程を行う。まず、ウェーハWの厚みデータからウェーハWの形状成分を抽出する(第2工程)。第1工程において分類されたウェーハW毎の厚みデータは、研磨時間とともに小さくなる。すなわち、ウェーハWの平均厚みは、研磨時間とともに小さくなるため、第1工程で得られた厚みデータには、ウェーハW表面の形状成分の時間変動のみならず、ウェーハWの平均厚みの時間変動も含まれている。そこで、ウェーハWの厚みデータからウェーハWの平均厚みの時間変動を除去することにより、ウェーハW表面の形状成分の時間変動を抽出する。
 上記ウェーハWの平均厚みの時間変動は、2次関数で近似することができる。図5は、図4に示したウェーハWの厚みデータを2次関数で近似して得られたウェーハWの平均厚みの時間変動を示している。この図に示すように、ウェーハWの厚みデータは、2次関数で良好にフィッティングすることができる。こうして、ウェーハWの平均厚みの時間変動を得ることができる。次に、ウェーハWの厚みデータから、上述のように得られたウェーハWの平均厚みの時間変動を差し引く。これにより、ウェーハW表面の形状成分の時間変動を抽出することができる。得られた形状成分の時間変動を図6に示す。
 続いて、上述のように抽出したウェーハWの形状成分の各々について、測定されたウェーハW上のウェーハ径方向の位置、すなわちウェーハ中心からの距離を特定する(第3工程)。図7は、ウェーハWの厚みが計測されたある時点でのキャリアプレート9およびウェーハWの位置関係の一例を示している。この図において、厚み計測位置(すなわち、ウェーハ厚み計測器11の位置、または監視穴10の中心の位置)は基準線上に位置しており、サンギア5の中心から厚み計測位置までの距離(すなわち、サンギア5の中心から監視穴10の中心までの距離)は設計値であり、分かっている。同様に、回転定盤4やサンギア5、キャリアプレート9の半径、キャリアプレート9の中心からウェーハWの中心までの距離についても設計値であり、分かっている。
 また、αはキャリアプレート9の公転角度であり、基準位置(基準線)と、サンギア5の中心とキャリアプレート9の中心とを結ぶ線との間の角度である。さらに、βはキャリアプレート9の自転角度であり、サンギア5の中心とキャリアプレート9の中心とを結ぶ線と、キャリアプレート9の中心とウェーハWの中心とを結ぶ線との間の角度を示している。
 本発明による両面研磨装置1に限らず、両面研磨装置においては、設定した条件で回転定盤4やキャリアプレート9等が回転しているかを確認するために、基準位置(基準線)からの角度(もしくは移動量)を「エンコーダ」と呼ばれる装置を使用して監視し、制御している。よって、ウェーハWの厚みが計測された時点での公転角度αおよび自転角度βは特定することができる。そして、特定した公転角度αからキャリアプレート9の中心位置を、自転角度βからウェーハWの中心位置を、それぞれ求めることができる。上述のように、サンギア5の中心から厚み計測位置(すなわち、監視穴10の中心)までの距離は分かっているため、ウェーハWの中心からの厚みの計測位置までの距離、すなわちウェーハWの形状成分の各々のウェーハ径方向の位置を求めることができる。
 このように、設計値である回転定盤4やサンギア5、キャリアプレート9の半径、キャリアプレート9の中心からウェーハWの中心までの距離、ウェーハ厚み計測器11の位置(すなわち、サンギア5の中心から監視穴10の中心までの距離)、さらにウェーハWの厚み計測時の(1)キャリアプレート9の公転角度α、(2)キャリアプレート9の自転角度βにより、ウェーハWの形状成分の各々のウェーハ径方向の位置を求めることができる。
 上述のように、(1)キャリアプレートの公転角度αおよび(2)キャリアプレート9の自転角度βは、実測によって求めることができる。しかし、これらの実測には高い精度が求められる。そのため、シミュレーションによって、研磨開始から一定時間における(例えば、200秒)計測可能区間のパターンから(1)および(2)を特定し、ウェーハWの形状成分の各々のウェーハ径方向の位置を求めることが好ましい。
 具体的には、研磨条件である、上定盤2の回転数(rpm)、キャリアプレート9の公転数(rpm)およびキャリアプレート9の自転数(rpm)を与え、ウェーハWの初期位置(図7における基準位置(基準線)からのウェーハWの公転角度αおよび自転角度β)をパラメータとして与える。これによって、ウェーハWの厚みが計測された時間パターン(すなわち、計測可能区間のパターン)と、それに紐付く厚みが計測された位置(すなわち、ウェーハWの形状成分のウェーハ径方向の位置)をシミュレーションによって求めることができる。
 そして、シミュレーションにより得られた計測可能区間のパターンと、実測による計測可能区間のパターンが最もよく一致する上定盤2の回転数(rpm)、キャリアプレート9の公転数(rpm)およびキャリアプレート9の自転数(rpm)を求め、厚みが計測された位置を特定する。こうして、シミュレーションによりウェーハWの形状成分の各々のウェーハ径方向の位置を求めることができる。
 次いで、特定されたウェーハW上のウェーハ径方向の位置およびウェーハWの形状成分から、ウェーハWの形状分布を算出する(第4工程)。これは、異なる計測位置に対する形状成分を用いることによって算出することができる。本発明においては、ある研磨時間tでのウェーハWの形状分布は、研磨時間t-Δtから研磨時間tまでに測定された厚みデータから得られた形状成分を用いて求める。
 図8(a)は、図6に示した形状分布の時間変動の、研磨時間500秒から1000秒までの拡大図を示している。例えば、研磨時間880秒でのウェーハWの形状分布を、図示例では680秒から880秒までの形状成分を用いて求める。得られた形状分布を図8(b)に示す。なお、上記説明から明らかなように、得られたウェーハWの形状分布は、研磨時間tにおける形状分布ではなく、研磨時間t-Δtからtまでの間のウェーハWの平均的な形状分布を示している。
 上記形状分布を求めるために使用する形状成分の時間範囲は、単位時間あたりの測定可能データ数に依存し、研磨条件に依存するため、一概には決定できない。時間範囲が長いほど、形状分布の精度を高めることができる一方、形状分布の算出に時間を要するようになり、高速性の点で劣る。これに対して、時間範囲が短いほど、形状分布の算出に要する時間が短いため、高速性の点で優れる一方、形状分布の精度が劣る。本発明者らは、例えば75秒以上の時間範囲の形状成分を用いてウェーハWの形状分布を求めることによって、高速性を損なうことなく、形状分布を高精度に求めることができることを見出した。200秒以上300秒以下の時間範囲の形状成分を用いてウェーハWの形状分布を求めることがより好ましい。
 次に、上述のように算出したウェーハWの形状分布から、ウェーハWの形状指標を求める(第5工程)。ウェーハWの平坦度を表す指標の1つに、GBIR(Global Backside Ideal Range)が挙げられる。GBIRは、ウェーハ全体のグローバルな平坦度を表す代表的指標であり、ウェーハ全面の厚みのむらを評価するものである。GBIRは、ウェーハWにおける形状分布の最大値と最小値との差として求めることができる。
 本発明においては、ウェーハWの形状指標としてGBIRを用いる。ただし、得られたGBIRについても、形状分布の算出に用いた形状成分のt-Δtからtまでの時間範囲での平均的なGBIRであり、厳密な意味でのGBIRではない。そこで、本発明においては、形状分布の最大値と最小値との差を「ウェーハWの形状指標」として表記する。
 なお、図8(b)に示した例のように、形状成分の数が不十分な場合には、形状分布を偶関数で近似し、得られた偶関数で表されウェーハWの形状分布から最大値および最小値を求め、求めた最大値と最小値との差からウェーハWの形状指標を算出することができる。
 上記偶関数としては、ウェーハWの中心近傍での形状成分が得られている場合には、ウェーハWの形状分布を良好に再現することができることから、4次関数を用いることが好ましい。一方、ウェーハWの中心近傍での形状分布が得られていない場合には、ウェーハWの形状分布を良好に再現することができることから、2次関数を用いることが好ましい。
 以上、ウェーハW毎にウェーハWの形状指標を求めた後、求めたウェーハW毎の形状指標が、前回のバッチにおけるワークの形状指標の目標値と実績値との差に基づいて決定されたワークの形状指標の設定値となるタイミングを、ウェーハWの両面研磨を終了するタイミングとして決定する(第6工程)。具体的には、ウェーハ毎に得られた形状指標の平均値を求め、この平均値に基づいてウェーハWの両面研磨を終了するタイミングを決定する。
 図9は、ウェーハWの形状指標の平均値と研磨時間との関係を示している。実際には、ウェーハWの形状指標が所定値、例えばゼロとなったタイミングで両面研磨を終了する。
 一般に、両面研磨に供するウェーハWの表面は、研磨前は比較的平坦であり、両面研磨を開始すると、ウェーハの表面形状が変化して平坦度は一旦悪化してGBIRは増加する。しかし、両面研磨を継続すると平坦度が向上し、GBIRは減少に転じる。GBIRは、両面研磨を継続してゆくと、研磨時間に対して直線的に減少する傾向を示す。本発明におけるウェーハWの形状指標についても、値が減少に転じた後には直線的に減少しており、GBIRと同様の傾向が示している。よって、ウェーハWの形状指標の値が減少に転じた後に、図10に示すように、形状指標を直線で近似することにより、ウェーハWの形状指標が所定値(例えば、ゼロ)となるタイミングを予測することができる。本発明者らの検討によれば、両面研磨を終了するタイミングを、両面研磨中のウェーハWの形状指標に基づいて決定することにより、ウェーハWの形状が目標としている形状となるタイミングで両面研磨を終了することができる。
 ところで、本発明者らがさらに検討を進めた結果、ウェーハWの両面研磨のバッチ処理を繰り返し行うと、バッチ数が少ない場合には、上記した、ウェーハWの形状指標が所定値となったタイミングで両面研磨を終了すれば、ウェーハWの形状が目標形状となるタイミングで両面研磨を終了することができた。しかしながら、バッチ数が増加するにつれて、ウェーハWの形状が目標形状から徐々に乖離していくことが判明した。
 具体的には、図11に示すように、例えばウェーハWの目標形状がGBIR=100nmの場合に、両面研磨を終了するウェーハWの形状指標の設定値を、目標値である100nmとして両面研磨を行うと、バッチ数が少ない場合には、両面研磨後のウェーハWのGBIRは目標値どおりの100nmとなる。しかしながら、バッチ数の増加とともにGBIRの実績値が徐々に増加し、ウェーハWの形状が目標の形状から徐々に乖離していく。
 こうした乖離を抑制し、目標とするGBIR=100nmであるウェーハWを得るために、形状指標の設定値を下げると(図11の例では70nm)、両面研磨後のウェーハWのGBIRの値は、一旦目標値よりも小さくなり、バッチ数の増加とともに増加して目標値となる。しかし、バッチ数がさらに増加すると、両面研磨後のウェーハWの形状は目標形状から再び乖離するようになる。
 こうした形状の乖離の原因としては、研磨パッド7やキャリアプレート9、スラリー等の副資材のライフ変動が考えられるが、上記のような形状の乖離が起こらない数バッチ毎に上記副資材を交換するのは、コストの点で困難である。そこで、バッチ数の増加による副資材のライフ変動に対応可能な方法で、上記形状の乖離を抑制する必要がある。
 本発明者らは、上記形状を解決する方途について鋭意検討した。図11から明らかなように、ウェーハWの形状は、上記副資材のライフ変動に対して、目標の形状から線形に乖離していくことが分かる。本発明者らは、ウェーハWの両面研磨を終了するタイミングを決定する際に、前回のバッチにおいて両面研磨されたウェーハWの形状指標の実績値と目標値との差に基づいて、今回のバッチにおける両面研磨を終了するタイミングに対応するウェーハWの形状指標の設定値を補正することにより、上記形状の乖離を抑制できることを見出した。
 そして、本発明者らは、多数枚の両面研磨後のウェーハWについて、両面研磨を終了させる際の形状指標の設定値と実績値との関係について詳細に調査した結果、今回のバッチにおける両面研磨を終了する際のウェーハWの形状指標の設定値を、目標値をA、前回のバッチにおける実績値をB、定数をD、前回のバッチにおけるウェーハWの形状指標の設定値をC、調整感度定数をa(0<a≦1)として、下記の式(1)で表されるYとすることにより、上記形状の乖離を良好に抑制できることが判明した。
  Y=C+((A-B)/D)×a     (3)
 上記式(3)における定数Dは、実際の両面研磨後の多数枚のウェーハWについて、目標値Aおよび実績値Bに対して統計解析を行うことにより算出することができる。例えば、後述する実施例においては、Dの値は0.665693と算出された。また、調整感度定数aは、今回のバッチにおけるウェーハWの形状指標の設定値を決定する際の前回のバッチにおける形状指標の実績値の影響を調整するための定数であり、aを0超え1以下の値にすることにより、前回のバッチにおけるウェーハの形状指標を測定する際の研磨パッド7やキャリアプレート9、スラリー等の副資材ライフの変動に伴う外乱による実績値の測定誤差の影響を低減することができる。上記aの値は、例えば0.2とすることができる。
 図12は、上記式(3)を用いて両面研磨を終了するタイミングを決定した場合のバッチ数とGBIRとの関係を示している。なお、図12においては、GBIRは設定値に対する実績値(%)が示されている。この図から明らかなように、上記式(3)を用いて両面研磨を終了するタイミングに対応するウェーハWの形状指標の設定値は、バッチ数の増加とともに徐々に減少する。しかし、両面研磨後のウェーハWのGBIRの実績値は、バッチ数が増えても目標値が維持されていることが分かる。
 このように、ウェーハW毎にウェーハWの形状指標を求めた後、求めたウェーハW毎の形状指標が、前回のバッチにおけるワークの形状指標の目標値と実績値との差に基づいて決定されたワークの形状指標の設定値となるタイミングを、ウェーハWの両面研磨を終了するタイミングとして決定し、決定されたタイミングに両面研磨を終了させることにより、両面研磨を繰り返し行った場合にも、目標とする形状で両面研磨を終了させることができる。
(ワークの両面研磨方法)
 次に、本発明の一実施形態にかかるワークの両面研磨方法について説明する。本実施形態の方法では、例えば、図1、図2に示した装置を用いてウェーハWの両面研磨を行うことができる。図1、図2に示す装置構成については既に説明しているため、再度の説明を省略する。
 図13は、本発明によるワークの両面研磨方法のフローチャートを示している。本発明の方法は、上記した本発明によるワークの両面研磨装置における演算部13が、両面研磨を終了するタイミングを決定する方法と同じであるため、簡単に説明し、詳細な説明は省略する。
 まず、タイミングの決定に先立って、ワーク厚み計測器11によって測定されたワークの厚みデータから異常値を除去し、正常値のみからなるワークの厚みデータを得る。ステップS1において、こうして異常値が除去されたワークの厚みデータを、ワーク毎に分離する(第1工程)。これは、例えばワークの厚みデータが連続して測定された時間間隔に基づいて行うことができる。
 次に、ステップS2において、ワーク毎に、ワークの厚みデータからワークの形状成分を抽出する(第2工程)。これは、例えばワークの厚みデータを2次関数で近似し、ワークの形状成分の時間変動から、2次関数で近似して得られたワークの平均厚みの時間変動を引くことによって行うことができる。
 続いて、ステップS3において、抽出したワークの形状成分の各々について、測定されたワーク上のワーク径方向の位置を特定する(第3工程)。これは、上述のように、サンギア5の中心と監視穴10の中心との間の距離、キャリアプレート9の自転角度βおよびキャリアプレート9の公転角度αを実測して形状成分の各々が測定されたワーク上のワーク径方向の位置を特定するか、あるいは上定盤2の回転数、キャリアプレート9の公転数およびキャリアプレート9の自転数の様々な条件についてワークの厚みを計測することが可能な区間をシミュレーションにより算出し、算出した計測可能区間と、実際に計測が可能だった区間とが最も一致する上定盤2の回転数、キャリアプレート9の公転数およびキャリアプレート9の自転数を特定して、形状成分の各々が測定されたウェーハ上のウェーハ径方向の位置を特定することができる。
 次に、ステップS4において、特定されたワーク上のワーク径方向の位置およびワークの形状成分から、ワークの形状分布を算出する(第4工程)。形状分布を求める際に形状成分の数が少ない場合には、偶関数で近似することにより形状分布を得ることができる。
 続いて、ステップS5において、算出したワークの形状分布からワークの形状指標を求める(第5工程)。本発明においては、ワークの形状分布の最大値と最小値との差をワークの形状指標として用いる。
 次いで、ステップS6において、求めたワーク毎の形状指標が、前回のバッチにおけるワークの形状指標の目標値と実績値との差に基づいて決定されたワークの形状指標の設定値となるタイミングを、上記ワークの両面研磨を終了するタイミングとして決定する(第6工程)。このステップでは、ワークの形状指標と研磨時間との関係を直線で近似し、近似した直線からワークの形状指標が所定値(例えば、ゼロ)となる研磨時間をワークの両面研磨を終了するタイミングとすることができる。
 そして、上記両面研磨を終了するタイミングに対応するウェーハWの形状指標の設定値を、目標値をA、実績値をB、前回のバッチにおけるウェーハWの形状指標の設定値をC、定数をD、調整感度定数をa(0<a≦1)として、下記の式(4)で表されるYとすることにより、上記形状の乖離を良好に抑制することができる。式(4)における定数Dは、実際の両面研磨後の多数枚のウェーハWについて、目標値Aおよび実績値Bに対して統計解析を行うことにより算出することができる。
  Y=C+((A-B)/D)×a     (4)
 最後に、ステップS7において、決定されたワークの両面研磨を終了するタイミングに両面研磨を終了する。こうして、ワークの形状が目標としている形状となるタイミングで両面研磨を終了することができる。
(発明例)
 直径300mmのシリコンウェーハを100枚用意し、これらのシリコンウェーハに対して、図13に示したフローチャートに従って両面研磨を施した。また、ステップS6において、両面研磨を終了するタイミングに対応するシリコンウェーハの形状指標の設定値は、式(3)を用いて決定した。GBIRの目標値および両面研磨後のシリコンウェーハのGBIRを図14に示す。
(比較例)
 発明例と同様に、100枚のシリコンウェーハに対して両面研磨を施した。ただし、ステップS6において、両面研磨を終了するタイミングに対応するシリコンウェーハの形状指標の設定値は、全てのバッチにおいて、発明例と同じGBIRの目標値とした。その他の条件は発明例と全て同じである。両面研磨後のシリコンウェーハのGBIRを図14に示す。
(従来例)
 発明例と同様に、100枚のシリコンウェーハに対して両面研磨を施した。その際、図13のステップS1~S6は行わず、両面研磨後のウェーハの形状指標の実測値から両面研磨を終了するタイミング(研磨時間)を決定し、決定したタイミングで両面研磨を終了した。両面研磨後のシリコンウェーハのGBIRを図14に示す。
 図14から明らかなように、従来例については、両面研磨後のシリコンウェーハのGBIRは目標値よりも大きくなり、またGBIRのばらつきも大きかった。これに対して、比較例については、図14のステップS1~S5によって求めたシリコンウェーハの形状指標に基づいて両面研磨のタイミングを決定したことにより、両面研磨後のウェーハのGBIRの平均値と目標値との差は小さくなっており、ばらつきも小さくなっていることが分かる。さらに、発明例については、比較例に比べて両面研磨後のウェーハのGBIRの平均値と目標値との差はさらに小さくなっており、ばらつきもさらに小さくなっていることが分かる。
 本発明によれば、ワークの形状指標に基づいて両面研磨を終了するタイミングを決定し、両面研磨中に、ワークの形状が目標としている形状となるタイミングで両面研磨を停止することができるため、半導体ウェーハ製造業において有用である。
1 両面研磨装置
2 上定盤
3 下定盤
4 回転定盤
5 サンギア
6 インターナルギア
7 研磨パッド
8 ウェーハ保持孔
9 キャリアプレート
10 監視穴
11 ワーク厚み計測器
12 制御部
13 演算部
W ウェーハ

Claims (14)

  1.  上定盤および下定盤を有する回転定盤と、該回転定盤の中心部に設けられたサンギアと、前記回転定盤の外周部に設けられたインターナルギアと、前記上定盤と前記下定盤との間に設けられ、ワークを保持する1つ以上のウェーハ保持孔が設けられたキャリアプレートとを備えるワークの両面研磨装置であって、
     前記上定盤または前記下定盤は、該上定盤または下定盤の上面から下面まで貫通した1つ以上の監視穴を有し、
     前記ワークの両面研磨中に、前記ワークの厚みを前記1つ以上の監視穴からリアルタイムに計測可能な、1つ以上のワーク厚み計測器を備えるワークの両面研磨装置において、
     前記ワークの両面研磨中に、前記ワークの両面研磨を終了するタイミングを決定する演算部であって、該演算部は、
     前記ワーク厚み計測器によって計測されたワークの厚みデータをワーク毎に分類する第1工程と、
     ワーク毎に、
      ワークの厚みデータからワークの形状成分を抽出する第2工程と、
      抽出したワークの形状成分の各々について、測定されたワーク上のワーク径方向の位置を特定する第3工程と、
      特定されたワーク上のワーク径方向の位置および前記ワークの形状成分から、ワークの形状分布を算出する第4工程と、
      算出したワークの形状分布からワークの形状指標を求める第5工程と、
      求めたワーク毎の形状指標が、前回のバッチにおけるワークの形状指標の目標値と実績値との差に基づいて決定されたワークの形状指標の設定値となるタイミングを前記ワークの両面研磨を終了するタイミングとして決定する第6工程と、
    を行い、決定された前記ワークの両面研磨を終了するタイミングに両面研磨を終了させる、演算部を備えることを特徴とするワークの両面研磨装置。
  2.  前記ワークの形状指標の設定値Yは、目標値をA、前回のバッチにおける実績値をB、前回のバッチにおけるワークの形状指標の設定値をC、定数をD、調整感度定数をa(0<a≦1)として、下記の式(1)で表される、請求項1に記載のワークの両面研磨装置。
      Y=C+((A-B)/D)×a     (1)
  3.  前記第3工程において、前記サンギアの中心と前記監視穴の中心との間の距離、前記キャリアプレートの自転角度および前記キャリアプレートの公転角度を実測して前記形状成分の各々が測定されたワーク上のワーク径方向の位置を特定するか、あるいは前記上定盤の回転数、前記キャリアプレートの公転数および前記キャリアプレートの自転数の様々な条件について前記ワークの厚みを計測することが可能な区間をシミュレーションにより算出し、算出した計測可能区間と、実際に計測が可能だった区間とが最も一致する前記上定盤の回転数、前記キャリアプレートの公転数および前記キャリアプレートの自転数を特定して、前記形状成分の各々が測定されたワーク上のワーク径方向の位置を特定する、請求項1または2に記載のワークの両面研磨装置。
  4.  前記第6工程は、前記ワークの形状指標と研磨時間との関係を直線で近似し、近似した直線から前記ワークの形状指標が所定値となる研磨時間を前記ワークの両面研磨を終了するタイミングとする、請求項1~3のいずれか一項に記載のワークの両面研磨装置。
  5.  前記第5工程において、前記ワークの形状成分と前記ワーク上のワーク径方向の位置との関係を偶関数で近似し、前記ワークの形状指標は、近似した偶関数の最大値および最小値に基づいて決定される、請求項1~4のいずれか一項に記載のワークの両面研磨装置。
  6.  前記第1工程において、前記ワークの厚みデータが連続して測定された時間間隔に基づいて、前記厚みデータをワーク毎に分類する、請求項1~5のいずれか一項に記載のワークの両面研磨装置。
  7.  前記第2工程において、前記ワークの厚みデータと研磨時間との関係を2次関数で近似し、前記ワークの厚みデータと近似した2次関数との差を前記ワークの形状成分とする、請求項1~6のいずれか一項に記載のワークの両面研磨装置。
  8.  ワークを保持する1つ以上のウェーハ保持孔が設けられたキャリアプレートにワークを保持し、該ワークを上定盤および下定盤からなる回転定盤で挟み込み、前記回転定盤の中心部に設けられたサンギアの回転と、前記回転定盤の外周部に設けられたインターナルギアの回転とにより、前記キャリアプレートの自転および公転を制御し、これにより、前記回転定盤と前記キャリアプレートとを相対回転させて前記ワークの両面を同時に研磨するワークの両面研磨方法において、
     前記上定盤または前記下定盤は、該上定盤または該下定盤の上面から下面まで貫通した1つ以上の監視穴を有し、
     前記ワークの両面研磨方法は、前記ワークの両面研磨中に、
     前記ワーク厚み計測器によって計測されたワークの厚みデータをワーク毎に分類する第1工程と、
     ワーク毎に、
      ワークの厚みデータからワークの形状成分を抽出する第2工程と、
      抽出したワークの形状成分の各々について、測定されたワーク上のワーク径方向の位置を特定する第3工程と、
      特定されたワーク上のワーク径方向の位置および前記ワークの形状成分から、ワークの形状分布を算出する第4工程と、
      算出したワークの形状分布からワークの形状指標を求める第5工程と、
      求めたワーク毎の形状指標が、前回のバッチにおけるワークの形状指標の目標値と実績値との差に基づいて決定されたワークの形状指標の設定値となるタイミングを前記ワークの両面研磨を終了するタイミングとして決定する第6工程と、
    を備え、決定された前記ワークの両面研磨を終了するタイミングに両面研磨を終了することを特徴とするワークの両面研磨方法。
  9.  前記ワークの形状指標の設定値Yは、目標値をA、前回のバッチにおける実績値をB、前回のバッチにおけるワークの形状指標の設定値をC、定数をD、調整感度定数をa(0<a≦1)として、下記の式(2)で表される、請求項8に記載のワークの両面研磨方法。
      Y=C+((A-B)/D)×a     (2)
  10.  前記第3工程において、前記サンギアの中心と前記監視穴の中心との間の距離、前記キャリアプレートの自転角度および前記キャリアプレートの公転角度を実測して前記形状成分の各々が測定されたワーク上のワーク径方向の位置を特定するか、あるいは前記上定盤の回転数、前記キャリアプレートの公転数および前記キャリアプレートの自転数の様々な条件について前記ワークの厚みを計測することが可能な区間をシミュレーションにより算出し、算出した計測可能区間と、実際に計測が可能だった区間とが最も一致する前記上定盤の回転数、前記キャリアプレートの公転数および前記キャリアプレートの自転数を特定して、前記形状成分の各々が測定されたワーク上のワーク径方向の位置を特定する、請求項8または9に記載のワークの両面研磨方法。
  11.  前記第6工程は、前記ワークの形状指標と研磨時間との関係を直線で近似し、近似した直線から前記ワークの形状指標が所定値となる研磨時間を前記ワークの両面研磨を終了するタイミングとする、請求項8~10のいずれか一項に記載のワークの両面研磨方法。
  12.  前記第5工程において、前記ワークの形状成分と前記ワーク上のワーク径方向の位置との関係を偶関数で近似し、前記ワークの形状指標は、近似した偶関数の最大値および最小値に基づいて決定される、請求項8~11のいずれか一項に記載のワークの両面研磨方法。
  13.  前記第1工程において、前記ワークの厚みデータが連続して測定された時間間隔に基づいて、前記厚みデータをワーク毎に分類する、請求項8~12のいずれか一項に記載のワークの両面研磨方法。
  14.  前記第2工程において、前記ワークの厚みデータと研磨時間との関係を2次関数で近似し、前記ワークの厚みデータと近似した2次関数との差を前記ワークの形状成分とする、請求項8~13のいずれか一項に記載のワークの両面研磨方法。
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