KR20010078154A - 연마 비율 변화를 통한 종점 모니터링 - Google Patents

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KR20010078154A
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조셉 제이. 스위니
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Abstract

제 2층상에 배열된 제 1층을 가진 기판이 화학적 기계적으로 연마된다. 연마 종점 검출시스템은 종점기준을 위해 모니터된 신호를 발생시킨다. 제 1층의 용적(bulk)이 제거되었을 때, 그러나 제 2층이 노출되기 전에 연마비율은 감소된다. 예를 들면, 연마시간이 예상된 연마 종료시간에 도달할 때, 그러나 종점기준이 검출되기 전에 연마비율은 감소된다. 기초층이 노출된 후에 종점기준이 검출될 때 연마는 중지한다.

Description

연마 비율 변화를 통한 종점 모니터링 {ENDPOINT MONITORING WITH POLISHING RATE CHANGE}
본 발명은 일반적으로 기판들의 화학적 기계적 연마와 관련이 있으며, 특히 화학적 기계적 연마작용 동안에 연마 종점을 검출하기 위한 방법과 장치에 관련이 있다.
집적회로는 전형적으로 실리콘 웨이퍼상의 도체, 반도체, 절연체층들의 연속적인 증착(deposition)에 의해 기판상에 형성된다. 각 층이 증착된 후에, 상기 층은 회로적 특징들을 발생하기 위해 에칭된다. 일련의 층들이 연속적으로 증착되고 에칭될 때, 기판의 외부 또는 최상부 표면, 즉 기판의 노출된 표면은 점차 비평면(non-planar)으로 된다. 이 비평면 표면은 집적회로 제작공정의 포토리소그래픽(photolithographic)단계에서 문제를 드러낸다. 그러므로, 기판 표면을 구간적으로 평탄화할 필요가 있다.
화학적 기계적 연마(CMP)는 평탄화의 한 방법이다. 이 평탄화 방법은 전형적으로 기판이 캐리어나 폴리싱 헤드(polishing head)상에 설치되는 것을 요구한다. 기판의 노출된 표면은 회전하는 폴리싱 디스크 패드나 벨트 패드의 반대편에 위치한다. 폴리싱 패드는 "표준"패드 또는 고정된 연마재 패드(fixed-abrasive pad)일 수 있다. 표준 패드는 항구성의 거친 표면을 가지는 반면에 고정된 연마재 패드는 함유 매체(containment media)내에 연마재 입자를 지니고 있다. 캐리어 헤드는 폴리싱 패드의 반대편에서 그것을 밀기 위해 기판상에 제어 가능한 부하를, 즉 압력, 제공한다.
CMP 에서 한 가지 문제는 연마 공정이 완벽한지를, 즉 기판층이 요구된 평탄함 또는 두께로 평탄화가 되었는지를, 결정하는 것이다. 기판층의 최초 두께에서의 변화, 슬러리(slurry) 구성, 폴리싱 패드 상태, 폴리싱 패드와 기판 사이의 적절한 속도, 그리고 기판상의 부하는 재료의 제거비율에서의 변화들을 야기할 수 있다. 이러한 변화들은 연마 종점에 도달하기 위해 필요한 시간의 변화를 야기한다. 그러므로, 연마 종점은 연마 시간의 함수로서만 결정될 수 없다.
연마 종점을 결정하는 한 가지 방법은 연마 표면으로부터 기판을 제거하고 그것을 검사하는 것이다. 예를 들면, 기판은 프로파일러미터(profilometer)나 저항력 측정으로 기판층의 두께가 측정되는 계측 스테이션으로 옮겨질 수 있다. 만약 요구된 설계를 충족하지 못한다면, 기판은 더 많은 공정을 위해 CMP 장치 속으로 다시 로드된다. 이것은 CMP 장치의 작업 처리량을 감소시키는 소비적 공정이다. 이와 달리, 검사는 과도한 양의 재료가 제거되어 기판이 쓸모 없게 되었다는 것을 나타낼 수 있다.
요즈음, 기판의 광학 모니터링은 연마 종점을 검출하기 위하여 예를 들면, 간섭계 또는 반사계를 가지고 수행되어왔다. 금속층이 제거될 때, 예를 들면, 기초가 되는 절연체 또는 유전체층을 노출하기 위해 금속층을 연마하는 때, 기판의 반사력은 급격하게 떨어진다. 그러나, 기판이 연마되는 때, 패드-기판 경계면에서 연마 패드 조건과 슬러리(slurry) 구성은 변화하게 된다. 그러한 변화들은 기초층의 노출을 감추거나 또는 종점 조건을 모방(imitate)하게 된다. 그래서, 반사력에서 예민한 변화가 있을 때일지라도, 적절한 연마종점을 결정하는 것이 어렵게 된다. 게다가, 만약 산화물 또는 질화물 연마가 수행된다면, 평탄화가 수행된다면, 기초층이 과연마된다면, 또는 만약 기초층과 상부층이 유사한 물리적특성을 가지고 있다면 종점 검출은 더 어려워질 수 있다.
CMP 에서 다른 재발하는 문제는 기판의 표면에서의 소위 "디싱(dishing)"이다. 특히, 기초층을 노출하기 위한 CMP 동안에, 기초층이 노출될 때, 패턴화된 기초층의 돋아진 영역사이의 충전재(filler)층의 영역은 과연마될 수 있으며, 기판 표면에서 오목한 함몰이 발생될 수 있다. 디싱은 집적회로 제작에 기판이 부적당하게 할 수 있으며, 더 낮은 공정을 가져올 수 있다.
일 양상으로, 본 발명은 화학적 기계적 연마 작용을 위해 컴퓨터로 실행되는 종점 검출 방법을 제시한다. 본 방법에서, 화학적 기계적 연마시스템에 의해 연마되는 기판의 연마시간이 측정된다. 신호는 연마종점 검출 시스템으로부터 받으며, 상기 신호는 종점기준을 위해 모니터된다. 화학적 기계적 연마작용의 연마 파라미터는 연마시간이 예상된 연마종점시간에 접근할 때 그러나 종점기준이 검출되기 전에 연마되는 기판의 연마비율을 감소하기 위하여 수정된다.
본 발명의 구현예들은 다음의 특징들을 포함할 것이다. 종점 검출 시스템은 기판을 광학적으로 모니터하게 된다. 연마작용은 금속층 또는 유전체층을 연마한다. 연마 파라미터를 수정할 시간은 종점 모니터링 시스템으로부터 받은 신호로부터 계산된 디폴트시간으로 저장된다. 연마 파라미터를 수정하는 것은 기판상의 압력을 감소하거나 또는 기판과 연마표면사이의 상대적인 속도를 감소하는 것을 포함할 수 있다. 기판은 제 2층(예를 들면, 산화규소(silicon oxide))상에 배열된 제 1층(예를 들면, 구리)을 포함할 것이며, 연마비율은 제 2층이 노출되기 전에 감소된다.
다른 면에서, 본 발명은 기판이 연마 표면과 접촉하도록 되며, 상대적 운동이 기판과 연마 표면사이에서 발생되는 화학적 기계적 연마방법을 제시한다. 기판의 연마시간은 측정되며, 신호는 연마종점 검출시스템으로 발생되고, 그리고 상기 신호는 종점기준을 위해 모니터된다. 기판의 연마비율은 연마시간이 예상된 연마종점시간에 접근할 때 그러나 종점기준이 검출되기 전에 감소된다. 연마는 종점기준이 검출될 때 중지된다.
본 발명의 구현예들은 다음의 특징들을 포함할 것이다. 종점 검출 시스템은 기판을 광학적으로 모니터하게 된다. 연마 파라미터를 변화하는 것은 기판상의 압력을 감소하거나 또는 기판과 연마표면사이의 상대적인 속도를 감소하는 것을 포함할 수 있다.
다른 면에서, 본 발명은 제 2층상에 배열된 제 1층을 포함하는 기판의 화학적 기계적 연마방법을 제시한다. 본 방법에서, 기판의 제 1층은 연마표면과 접촉하도록 되며, 기판과 연마표면 사이의 상대적 운동은 기판의 제 1층을 연마하기 위하여 발생된다. 기판의 연마비율은 제 2층이 노출되기 전에 감소되며, 연마는 기초층이 노출된 후에 중지된다.
본 발명의 구현예들은 다음의 특징들을 포함할 것이다. 연마비율을 감소시키는 것은 컴퓨터로 기판의 연마시간을 측정하고, 컴퓨터에 파라미터 변화시간을 저장하고, 그리고 연마시간이 파라미터 변화시간에 도달할 때 연마 파라미터를 수정하는 것을 포함한다. 연마를 중지하는 것은 연마종점 검출 시스템으로 신호를발생시키고, 종점기준을 위해 상기 신호를 모니터하며, 그리고 종점기준이 검출될 때 연마를 중지하는 것을 포함할 수 있다.
다른 면에서, 본 발명은 연마 표면, 연마 표면과 접촉하고 있는 기판을 유지하기 위한 캐리어 헤드(carrier head), 연마 표면중의 적어도 하나와 연마 표면과 기판사이에 상대적 운동을 발생시키기 위한 캐리어 헤드에 결합된 모터, 연마종점 검출 시스템, 그리고 종점 검출 시스템으로부터 신호를 받기 위한 제어기를 포함하는 화학적 기계적 연마장치를 제시한다. 제어기는 연마작용 동안에 기판의 연마시간을 측정하고, 종점기준을 위한 신호를 모니터하고, 연마시간이 예상된 연마종점시간에 접근할 때 그러나 종점기준이 검출되기 전에 기판의 연마비율을 감소하기 위하여 연마 파라미터를 수정하며, 그리고 종점기준이 검출될 때 기판의 연마를 중지하도록 구성된다.
본 발명의 구현예들은 하나 이상의 다음과 같은 이점들을 포함할 수 있다. 연마종점은 더욱 정확하게 결정될 수 있다. 부가하여, 연마장치가 스위치 연마 파라미터들을 변화시키는 지점은 더욱 정확하게 결정될 수 있다.
본 발명의 다른 특징들과 이점들은 이하의 상세한 설명, 도면과 청구항으로부터 명백해 질 것이다.
도 1은 화학적 기계적 연마장치의 분해된 투시도이다.
도 2는 광학 모니터링 시스템을 포함하는 화학적 기계적 연마장치의 측면도이다.
도 3은 진행되고 있는 기판의 간소화된 횡단면도로서, 레이저 빔이 기판으로 향하고 기판으로부터 반사되는 것을 도식적으로 보여준다.
도 4는 캐리어 헤드(carrier head) 밑에 레이저의 경로를 보여주는 개략도이다.
도 5는 광학 모니터링 시스템으로부터 추측한 강도 측정값들을 도시하는 그래프이다.
도 6은 캐리어 헤드 밑에 투명창의 다수의 스위프(sweep)로부터 발생된 추측한 강도자취(trace)를 도시하는 그래프이다.
도 7은 연마 종점을 결정하는 방법의 순서도이다.
도 1과 2에 대해 설명하면, 하나 또는 그 이상의 기판들(10)은 CMP 장치 (20)에 의해 연마될 수 있다. 유사한 연마장치(20)의 설명은 미국특허 제 5,738,574호에서 개시되어 있으며, 이 문헌은 본 명세서에서 참조된다. 연마장치는 일련의 폴리싱 스테이션(polishing station)(22)들과 트랜스퍼 스테이션 (transfer station)(23)을 포함한다. 트랜스퍼 스테이션(23)은 로딩장치(도시되지 않음)로 부터 각 기판들을 받으며, 기판들을 세척하며, 기판을 캐리어 헤드 속으로 로드하며, 캐리어 헤드로부터 기판들을 받으며, 기판들을 재세척하고, 최종적으로 로딩장치에 기판들을 되옮기는 것을 포함하는 다중기능을 제공한다.
각각의 폴리싱 스테이션은 폴리싱 패드(polishing pad)(30)상에 위치한 회전판(24)을 포함한다. 제 1과 제 2 스테이션들은 단단하고 내구성 있는 외부표면 또는 내장된 연마재 입자들을 가진 고정된 연마재 패드를 지닌 두 층의 폴리싱 패드를 포함한다. 반면에 마지막 폴리싱 스테이션은 상대적으로 부드러운 패드를 포함한다. 두 층의 폴리싱 패드(30)는 전형적으로 판의 표면과 인접한 배면층 (backing layer)(32)과 기판(10)을 연마하기 위해 사용되는 커버링층(34)을 포함한다.
회전 가능한 멀티-헤드 캐로셀(multi-head carousel)(60)은 중앙기둥(center post)(62)에 의해 지지되고 캐로셀 모터 어셈블리(carousel motor assembly)(도시되지 않음)에 의해 캐로셀축(64)에 대하여 회전된다.
회전 가능한 멀티-헤드 캐로셀(multi-head carousel)은 중앙기둥(62)에 의해 지지되고 캐로셀 모터 어셈블리(carousel motor assembly)(도시되지 않음)에 의해 캐로셀축(64)에 대하여 회전된다. 중앙기둥(62)은 캐로셀 지지판(66)과 덮개(68)를 지지한다. 캐로셀(60)은 네 개의 캐리어 헤드 시스템(70)을 포함한다. 중앙기둥(62)은 캐로셀 모터가 캐로셀 지지판(66)을 회전하도록 하며 캐리어 헤드 시스템들과 그곳에 부착된 기판들을 캐로셀 축(64)에 대하여 선회하도록 한다. 캐리어 헤드 시스템들중 세 개는 기판들을 받아서 유지하며, 폴리싱 패드에 대하여 기판들을 가압함으로써 연마한다. 그 동안에, 캐리어 헤드 시스템들중 하나는 기판을 받아서 트랜스퍼 스테이션(23)으로 넘겨준다.
각 캐리어 헤드 시스템은 캐리어나 캐리어 헤드(80)를 포함한다. 캐리어 드라이브 샤프트(carrier drive shaft)(74)는 캐리어 헤드 로테이션 모터가(carrier head rotation motor)(76)(덮개(68)의 4분의 1이 제거됨으로 보여짐) 각각의 캐리어 헤드가 각각의 축에 대하여 독립적으로 회전할 수 있도록 각각의 캐리어 헤드 (80)에 연결된다. 각 헤드를 위해 캐리어 드라이브 샤프트와 모터가 있다. 부가하여, 각각의 캐리어 헤드(80)는 캐로셀 지지판(66)에서 형성된 라디얼 슬롯 (radial slot)(72)에서 독립적으로 옆으로 왕복 운동한다. 각각의 캐리어 헤드 (80)는 캐리어 헤드안의 체임버(chamber)(84)에서 압력을 조절하기 위한 압력원 (pressure source) 또는 캐리어 헤드의 수직위치를 변화하기 위한 기압 작동기 (pnuematic)와 같은 압력 기구(pressure mechanism)와 결합된다. 압력 기구는 폴리싱 패드 반대편의 기판의 압력을 조절한다.
캐리어 헤드(80)는 몇 가지 기계적 기능들을 수행한다. 일반적으로, 캐리어 헤드는 폴리싱 패드 반대편에서 기판을 유지하고, 기판의 뒷표면을 가로질러 하향 압력을 고르게 분배하고, 토크를 드라이브 샤프트에서 기판으로 이동하고, 기판이연마작업동안에 캐리어 헤드 밑으로부터 미끄러지지 않도록 작용한다. 작용시, 판은 판의 중심축(25)에 대하여 회전되고, 캐리어 헤드는 캐리어 헤드의 중심축(81)에 대하여 회전되고 폴리싱 패드의 표면을 가로질러 측면으로 옮겨진다.
반응이 빠른 작용제(예를 들면, 산화물 연마를 위한 이온이 제거된 물)와 화학적으로 반응이 빠른 촉매(예를 들면, 산화물 연마를 위한 수산화 칼륨(potassium hydroxide))를 포함하는 하나 또는 그 이상의 슬러리(slurry)(50)들은 슬러리 공급 시스템(52)에 의해 폴리싱 패드의 표면에 공급된다. 만약 폴리싱 패드 (30)가 기준 패드라면, 슬러리(50)는 연마재(예를 들면, 산화물 폴리싱을 위한 이산화규소 (silicon dioxide))를 역시 포함한다. 각각의 스테이션에서, 슬러리 공급 시스템 (52)은 밸브(58)에 의해 슬러리 공급구 또는 결합된 슬러리/린스 암 (slurry/rinse arm)(56)에 유동적으로 연결된 다중 슬러리원(slurry sources)(54)들을 포함할 수 있다. 밸브(58)의 제어에 의해, 다른 슬러리 구성이 폴리싱 패드표면에 공급된다.
홀(hole)(26)은 판(24)에서 형성되고, 투명창(transparent window)(36)은 홀 위에 놓여있는 폴리싱 패드(30)의 영역에서 형성된다. 홀(26)과 투명창(36)은 캐리어 헤드의 병진운동상의 위치와 상관없이 판의 회전영역 동안에 기판(10)을 점검하기 위해서 놓여진다.
반사계와 간섭계로서 기능할 수 있는 광학 모니터링 시스템(40)은 일반적으로 홀(26) 밑의 판(24)에 의해 고정되고 판과 함께 회전한다. 광학 모니터링 시스템은 광원(44)과 검출기(46)를 포함한다. 광원은 기판(10)의 노출된 표면상에 충돌하기 위하여 투명창(36)과 슬러리(50)를 통하여 전파하는 라이트 빔(light beam) (42)을 발생시킨다 (도 3에 도시). 예를 들면, 광원(44)은 레이저이며, 라이트 빔(42)은 조준된(collimated) 레이저 빔이다. 광 레이저빔(42)은 통상의 축에서기판의 표면까지의 각 (α), 즉 축(25) 와 (81) 들로부터의 각(α)인 지점에서 레이저(44)로부터 투사될 수 있다. 부가하여, 만약 홀(26)과 투명창(36)들이 연장된다면, 빔 확장기는(beam expander) (묘사되지는 않음) 투명창의 연장된 축을 따라 라이트 빔을 확장시키기 위해 라이트 빔의 경로에 놓여진다. 레이저(44)는 연속적으로 작동된다. 이와 달리, 레이저는 홀(26)이 일반적으로 기판(10)에 인접하는 시기 동안에 레이저 빔(42)을 발생하기 위해서 활성화될 수 있다.
CMP 장치(20)는 투명창(36)이 기판에 근접할 때 감지하기 위해서 광학 단속기(optical interrupter)와 같은 위치 센서(90)를 포함한다. 예를 들면, 광학 단속기는 캐리어 헤드(80)의 반대편의 고정된 점에 설치될 수 있다. 플래그 (flag) (92)는 판의 외부에 부착된다. 부착점과 플래그(92)의 길이는 적어도 투명창(36)이 기판(10)의 밑을 스위프하는 동안에 센서(90)의 광학신호를 차단하도록 선택된다.
작용시, CMP 장치(20)는 언제 연마를 중지할지를 결정하기 위하여 광학 모니터링 시스템(40)을 사용한다. 일반적 목적 프로그래머블 디지털 컴퓨터(48)는 레이저(44), 검출기(46)와 센서(90)에 연결된다. 컴퓨터(48)는 기판이 통상 투명창상에 놓여질 때 레이저를 활성화하고, 검출기로부터 강도 측정들을 저장하고, 출력장치(49)상에 강도 측정들을 나타내고, 라디얼 범위로 강도 측정들을 분류하고, 연마 종점을 검출하기 위해 프로그램된다. 컴퓨터(48)는 캐리어 헤드 (80)에 의해 인가된 압력을 제어하기 위하여 압력기구(82)에 연결되고, 캐리어 헤드 회전비율을 제어하기 위하여 캐리어 헤드 회전모터(76)에 연결되고, 판 회전 비율을 제어하기위하여 판 회전모터(도시되지 않음)에 연결되거나 또는 폴리싱 패드에 공급된 슬러리 구성을 제어하기 위해 슬러리 분배 시스템(52)에 연결된다.
도 3에 대해 설명하면, 금속연마를 위해 기판(10)은 그 자신이 패턴화된 산화물 또는 질화물층(14)상에 배열되거나 또는 서로 다른 패턴화된 층상에 배열된 실리콘 웨이퍼(12)와 금속층(16)을 포함한다. 금속은 여럿 가운데 구리, 텅스텐, 또는 알루미늄이 된다. 다른 반사력을 가진 기판의 다른 영역들이 연마될 때, 검출기(46)로부터의 신호 출력은 시간에 따라 변한다. 검출기(46)의 시변출력은 반사율 측정값의 자취(reflectance measurement trace)(또는 더 간단히, 반사율 자취)로 지칭된다. 아래에서 논의될 때, 이 반사율 추적은 금속층 연마작용의 종점을 결정하기 위해 사용된다.
도 4에 대해 설명하면, 판의 결합된 회전과 캐리어 헤드의 선형 스위프 (sweep)는 투명창(36)(그리고 레이저 빔(42))이 스위프 경로(120)안에서 캐리어 헤드(80)의 하부표면과 기판(10)을 가로질러 스위프하도록 한다. 도 5에 대해 설명하면, 레이저 빔이 기판을 가로질러 스위프할 때, 광학 모니터링 시스템(40)은 일련의 강도 측정값들 (I1, I2, I3...,IN)(수 N은 스위프로부터 스위프까지 다를 수 있다.)을 발생시킨다. 광학 모니터링 시스템(40)의 견본 비율(F)(발생된 강도 측정값들에서의 비율)은 약 0.5와 2 밀리세컨드(milliseconds) 사이의 견본구간에 관하여 약 500에서 2000 헤르츠(Hz)이거나 더 높을 수 있다.
컴퓨터(48)가 광학 모니터링 시스템으로부터 신호를 가공할 때, 하나 또는그 이상의 값들은 일련의 강도 측정값들(I1, I2, I3...,IN) 각각으로부터 추출된다. 예를 들면, 싱글 스위프로부터의 일련의 강도 측정값들은 평균 강도(IMEAN)를 산출하기 위해 평균화될 수 있다. 교대로, 컴퓨터는 연속값들로부터 최소 강도(IMIN)또는 최대 강도(IMAX)를 추출할 수 있다. 부가하여, 컴퓨터는 최대와 최소 강도사이의 차(즉, IMAX-IMIN)와 같은 강도 차이(intensity difference)(IDIF)를 산출할 수 있다.
일련의 스위프를 위한 컴퓨터(48)에 의해 추출된 일련의 값들은 메모리 또는 비휘발성 저장장치(non-volatile storage)에 저장될 수 있다. 도 6에 대해 설명하면, 일련의 추출된 값들 (스위프당 하나의 추출된 값을 가지는)은 기판의 반사력의 시변자취(time-varying trace)(100)를 제공하기 위한 측정 시간의 함수로서 정리되고 표시될 수 있다. 이러한 시변자취는 잡음을 제거하기 위하여 여과된다. 강도 자취(100)의 전체형태는 다음과 같이 설명된다. 처음에, 금속층은 기초가 되는 패턴화된 층(underlying patterned layer)(14)의 지세(topology) 때문에 여러 초기 지형을 (topography) 가진다.
이런 지형 때문에, 라이트 빔은 그것이 금속층에 충돌할 때 소산된다. 강도자취의 영역(102)에서 연마작용이 진행할 때, 금속층은 더욱 평탄해지고 연마된 금속층의 반사력은 증가한다. 금속층의 대부분은 강도자취의 영역(104)에서 제거되기 때문에 강도는 비교적 안정하게 유지된다. 강도자취에서 산화물층이 노출되기 시작할 때, 전체 신호세기는 강도자취의 영역(106)에서 급속히 떨어진다. 강도자취에서 산화물층이 완전히 노출될 때, 비록 산화물층이 제거될 때 간섭계의 영향 때문에 작은 진동이 있을 수 있지만 강도는 강도자취의 영역(108)에서 다시 안정된다.
강도 데이터가 수집되고 시변 강도자취가 발생될 때, 컴퓨터(48)는 연마종점을 트리거(trigger)할 시변 자취(100)에서 일련의 종점기준(110, 112 와 114)을 검색하기 위한 패턴 인식공정을 수행한다. 비록 일련의 세 종점기준이 도시되더라도, 단지 하나 또는 두 종점기준, 또는 네 개 또는 그 이상의 종점기준이 있을 수 있다. 각 종점기준은 하나 또는 그 이상의 종점조건들을 포함할 수 있다. 가능한 종점조건들은 특수지역의 최소치 또는 최대치, 슬로프에서의 변화, 또는 강도나 슬로프에서의 임계값, 또는 그들의 결합을 포함한다. 종점기준은 전형적으로 실험, 시험용 웨이퍼로부터의 종점자취의 분석, 그리고 광학 시뮬레이션을 통한 연마기계의 조작자에 의해 세트된다. 예를 들면, 금속연마동안에 반사력 자취를 모니터할 때, 만약 컴퓨터(48)가 평탄화 영역(110), 첨예한 추락영역(112), 그리고 다른 평탄화 영역(114)을 검출한다면 조작자는 연마기계가 연마하는 것을 중지하도록 지시한다. 도 6에서 도시된 종점기준이 강도자취의 슬로프에서 변화와 관련이 있더라도, 다른 종점기준은 사용될 수 있다. 일반적으로, 마지막 종점기준이 검출되었을 때, 연마작용은 중지된다. 이와 달리, 연마는 마지막 종점기준의 검출 후에 미리 세트된 시간동안에 계속되며, 그런 후에 중지될 수도 있다.
불행히도, 어떤 환경 하에서, 광학 검출기로부터의 신호는 컴퓨터(48)가 종점기준을 검출하기에 너무 약하거나 잡음이 있을 수 있다. 부가하여, 강도자취(100)의 급속히 변하는 슬로프 때문에 연마종점은 정확히 계산될 수 없다.
이제 도 7에 대해 설명하면, 수정된 종점 결정 공정이 도시된다. 처음에, 종점 결정동안에 사용될 여러 연마 파라미터들은 컴퓨터(48) 의 메모리에 저장된다 (단계 120). 관심있는 연마 파라미터들은 캐리어 헤드 압력, 캐리어 헤드의 회전비율과 판의 회전비율, 예상된 연마종료시간, 그리고 연마 파라미터들을 수정하기 위한 디폴트 시간(default time)을 포함한다.
투명창이 기판밑을 통과할 때마다, 기판으로부터 반사된 강도가 측정된다(단계 124). 강도는 수집되고, 시변 강도자취가 발생된다. 컴퓨터는 종점기준을 검출하기 위한 강도자취에 패턴인식 프로그램을 수행한다 (단계 126).
기판이 예상된 연마종점에서 완전한 연마에 접근할 때, 컴퓨터(48)는 연마비율을 감소하기 위해 연마 파라미터들을 수정한다 (단계 128). 특히, 기초가 되는 패턴화된 층이 노출될 때까지 커버링층이 연마되는 연마 작용시에 (금속, 폴리실리콘 또는 얕은 홈 형태의 절연(shallow trench isolation)), 기초층이 최초로 노출되기 전에 연마비율은 감소될 수 있다. 폴리싱 비율은 대략 2 내지 4의 요인에 의해 감소된다, 즉 대략 50% 내지 75%. 연마비율을 감소하기 위하여, 캐리어 헤드 압력은 감소될 수 있고, 캐리어 헤드 회전비율은 감소될 수 있고, 슬러리의 구성은 더 느린 연마 슬러리를 도입하기 위하여 변화될 수 있고/또는 판 회전비율은 감소될 수 있다. 예를 들면, 캐리어 헤드로부터 기판상의 압력은 대략 33% 내지 50% 로 감소될 수 있고, 판 회전비율과 캐리어 헤드 회전비율은 대략 50% 로 감소될 수 있다.
기초가 되는 유전체층이 노출되기 전에 연마비율을 감소함으로써, 디싱 (dishing)과 부식효과는 감소될 수 있다. 부가하여, 연마기계의 상대적 반응 시간은 향상되어, 최종 종점기준이 검출된 후에는 연마기계가 재료를 덜 제거한 채로 연마를 중지할 수 있다. 게다가, 더 많은 강도 측정값들이 예상된 연마 종료시간 근처에서 수집될 수 있으며, 그 때문에 연마종점 계산의 정확성은 잠재적으로 향상될 수 있다. 그러나, 대부분의 연마작용 동안에 높은 연마비율을 유지함으로써, 높은 작업 처리량이 성취된다. 바람직하게, 캐리어 헤드 압력이 감소되거나 다른 연마 파라미터들이 변화되기 전에 금속층의 용적 연마의 적어도 75% ,예를 들면 80-90%, 가 완료된다.
컴퓨터(48)가 연마비율을 감소하는 시간은 실험을 통한 연마기계의 조작자와 시험용 웨이퍼로부터의 종점자취의 분석에 의해 선택된 디폴트 시간(Tdeafault)에 의해 세트될 수 있다. 교대로, 연마 파라미터들이 연마비율을 감소하기 위해 변화되는 시간은 기판의 연마동안에 검출된 연마종점으로부터 계산될 수 있다. 예를 들면, 시간은 제 1 종점기준이 검출된 곳에서의 다수의 또는 미리 세트된 마진을 따르는 시간(Tdetect1)이 될 수 있다.
컴퓨터가 최종 종점기준을 검출할 때, 연마는 즉시 중지되거나 미리 세트된 시간이 경과한 후에 중지된다 (단계 130). 최종 종점기준을 위한 정확한 값들을 선택시에 연마기계 조작자는 예상된 연마종점 근처에 감소된 연마비율을 고려할 수 있다는 것을 유념해야 한다.
평균, 최소, 최대와 차이 강도자취들(differential intensity traces)이 주어지면, 다양한 종점 검출 알고리즘이 수행될 수 있다. 개별적인 종점기준은 (예를 들면, 특수한 지역의 최소치 또는 최대치, 슬로프, 또는 임계값들에 근거한) 강도자취의 각각의 형태를 위해 생성될 수 있고, 다양한 강도자취들을 위한 종점 조건들은 불 로직(Boolean logic)으로 결합된다. 강도자취들은 기판상의 다수의 라디얼 범위를 위해 생성될 수 있다. 다수의 라디얼 범위들을 위한 강도자취들의 발생은 1998년 11월 2일에 출원된 미국 특허출원 제 09,184,767호에서 논의되며, 이 문헌은 본 명세서에서 참조된다.
종점기준은 연마 파라미터들에서 변화를 트리거하기 위해 역시 사용될 수 있다. 예를 들면, 광학 모니터링 시스템이 제 2 종점기준을 검출할 때, CMP 장치는 슬러리 구성을(예를 들면 높은 선택성 슬러리에서 낮은 선택성 슬러리로) 변화한다.
비록 금속층 연마작용으로 부터의 반사율 신호에 대한 하나의 구현예가 개시되었지만, 종점 검출공정은 유전체 연마와 같은 다른 연마작용에 적용될 수 있고, 간섭계, 분광계와 타원측정(ellipsometry)과 같은 다른 광학 모니터링 기술들에 적용될 수 있다. 부가하여, 비록 본 발명은 광학 모니터링 시스템에 의하여 묘사되고 있지만, 본 발명의 원리는 커패시턴스, 모터 전류, 또는 마찰 모니터링 시스템과 같은 다른 화학적 기계적 연마종점 모니터링 시스템에도 적용된다.
본 발명은 바람직한 실시예에 의하여 묘사된다. 발명은, 그러나, 서술되고 묘사된 실시예에 한정되지 않는다. 오히려, 발명의 범위는 부가된 항들에 의해 정의된다.
본 발명의 실행은 하나이상의 다음과 같은 이점들을 포함할 수 있다. 연마종점은 더욱 정확하게 결정될 수 있다. 부가하여, 연마장치가 스위치 연마 파라미터들을 변화시키는 지점은 더욱 정확하게 결정될 수 있다.
본 발명의 다른 특징들과 이점들은 이하의 상세한 설명, 도면과 청구항으로부터 명백해 질 것이다.

Claims (18)

  1. 화학적 기계적 연마 작용을 위해 컴퓨터로 실행되는 종점 검출 방법에 있어서,
    화학적 기계적 연마시스템에 의해 연마되는 기판의 연마시간을 측정하는 단계;
    연마 종점검출 시스템으로부터의 신호를 받는 단계;
    종점기준을 위해 상기 신호를 모니터하는 단계;
    연마시간이 예상된 연마 종료시간에 접근하고 종점기준이 검출되기 전에, 연마되는 기판의 연마비율을 감소하기 위해 화학적 기계적 연마작용의 연마 파라미터를 수정하는 단계; 그리고
    종점기준이 검출되면 연마를 중지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 종점 검출방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    종점 검출시스템이 기판을 광학적으로 모니터하는 것을 특징으로 하는 종점 검출방법.
  3. 제 2항에 있어서,
    연마작용이 기판상의 금속층을 연마하는 것을 특징으로 하는 종점 검출방법.
  4. 제 2항에 있어서,
    연마작용이 기판상의 유전체층(dielectric layer)을 연마하는 것을 특징으로 하는 종점 검출방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    연마 파라미터가 수정될 디폴트 시간을 저장하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 종점 검출방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    연마 파라미터가 종점 모니터링 시스템으로부터 받은 신호로부터 수정될 시간을 계산하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 종점 검출방법.
  7. 제 1항에 있어서,
    연마 파라미터를 수정하는 단계는 기판상의 압력을 감소하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 종점 검출방법.
  8. 제 1항에 있어서,
    연마 파라미터를 수정하는 단계는 기판과 연마표면 사이의 상대 속도를 감소시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 종점 검출방법.
  9. 제 1항에 있어서,
    기판이 제 2층상에 배열된 제 1층을 포함하며, 제 2층이 노출되기 전에 연마비율이 감소되는 것을 특징으로 하는 종점 검출방법.
  10. 제 9항에 있어서,
    제 1층은 구리(copper)이며 제 2층은 산화규소(silicon oxide)임을 특징으로 하는 종점 검출방법.
  11. 화학적 기계적 연마방법에 있어서,
    기판을 연마표면과 접촉시키는 단계;
    기판과 연마표면 사이에 상대적 이동을 발생시키는 단계;
    기판의 연마시간을 측정하는 단계;
    연마 종점 검출시스템으로 신호를 발생시키는 단계;
    종점 기준을 위해 상기 신호를 모니터하는 단계;
    연마시간이 예상된 연마 종료시간에 접근하고 종점기준이 검출되기 전에, 연마되는 기판의 연마비율을 감소하는 단계; 그리고
    종점기준이 검출될 때 연마를 중지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마방법.
  12. 제 11항에 있어서,
    종점 검출 시스템이 기판을 광학적으로 모니터하는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마방법.
  13. 제 11항에 있어서,
    연마 파라미터를 변화하는 단계는 기판상의 압력을 감소하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마방법.
  14. 제 11항에 있어서,
    연마 파라미터를 변화하는 단계는 기판과 연마표면 사이의 상대 속도를 감소시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마방법.
  15. 제 2층상에 배열된 제 1층을 포함하는 기판의 화학적 기계적 연마방법에 있어서,
    기판의 제 1층을 연마표면과 접촉시키는 단계;
    기판의 제 1층을 연마하기 위해 기판과 연마표면 사이에 상대적 이동을 발생시키는 단계;
    제 2층이 노출되기 전에 기판의 연마비율을 감소시키는 단계; 그리고
    기초층이 노출된 후에 연마를 중지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마방법.
  16. 제 15항에 있어서,
    연마비율을 감소시키는 단계는 컴퓨터로 기판의 연마시간을 측정하고, 컴퓨터에서 파라미터 변화시간을 저장하고, 연마시간이 파라미터 변화시간에 도달할 때 연마 파라미터를 수정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마방법.
  17. 제 15항에 있어서,
    연마를 중지하는 단계는 연마 종점 검출시스템으로 신호를 발생시키고, 종점기준을 위해 상기 신호를 모니터하고, 종점기준이 검출되면 연마를 중지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마방법.
  18. 화학적 기계적 연마장치에 있어서,
    연마 표면;
    연마 표면과 기판의 접촉을 유지하기 위한 캐리어 헤드;
    연마 표면과 캐리어 헤드 사이에서 상대적 이동을 발생시키기 위해 연마표면과 캐리어 헤드중의 적어도 하나에 결합된 모터;
    연마 종점 검출 시스템; 그리고
    종점 검출 시스템으로부터의 신호를 받기 위한 제어기로서, 연마작용 동안에 기판의 연마시간을 측정하고, 종점기준을 위해 상기 신호를 모니터하고, 연마시간이 예상된 연마 종료시간에 접근하고 종점기준이 검출되기 전에 기판의 연마비율을 감소시키기 위해 연마 파라미터를 수정하며, 종점기준이 검출되면 기판의 연마를 중지하기 위한 제어기를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마장치.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100434189B1 (ko) * 2002-03-21 2004-06-04 삼성전자주식회사 화학 기계적 연마장치 및 그 제어방법
KR20150066685A (ko) * 2013-12-09 2015-06-17 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마 방법 및 장치
KR20180133530A (ko) * 2011-04-27 2018-12-14 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 고감도 와전류 모니터링 시스템

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000060650A1 (fr) * 1999-03-31 2000-10-12 Nikon Corporation Corps de polissage, dispositif de polissage, procede de reglage du dispositif de polissage, dispositif de mesure de l'epaisseur du film poli ou du point terminal de polissage, procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteur
US6506097B1 (en) * 2000-01-18 2003-01-14 Applied Materials, Inc. Optical monitoring in a two-step chemical mechanical polishing process
US6924641B1 (en) * 2000-05-19 2005-08-02 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for monitoring a metal layer during chemical mechanical polishing
US6428673B1 (en) * 2000-07-08 2002-08-06 Semitool, Inc. Apparatus and method for electrochemical processing of a microelectronic workpiece, capable of modifying processing based on metrology
US6747734B1 (en) 2000-07-08 2004-06-08 Semitool, Inc. Apparatus and method for processing a microelectronic workpiece using metrology
US6712669B1 (en) * 2001-02-15 2004-03-30 Tawain Semiconductor Manufacturing Company BPSG chemical mechanical planarization process control for production control and cost savings
US6608495B2 (en) 2001-03-19 2003-08-19 Applied Materials, Inc. Eddy-optic sensor for object inspection
US6966816B2 (en) * 2001-05-02 2005-11-22 Applied Materials, Inc. Integrated endpoint detection system with optical and eddy current monitoring
US6534328B1 (en) * 2001-07-19 2003-03-18 Advanced Micro Devices, Inc. Method of modeling and controlling the endpoint of chemical mechanical polishing operations performed on a process layer, and system for accomplishing same
US6811466B1 (en) * 2001-12-28 2004-11-02 Applied Materials, Inc. System and method for in-line metal profile measurement
US7001242B2 (en) * 2002-02-06 2006-02-21 Applied Materials, Inc. Method and apparatus of eddy current monitoring for chemical mechanical polishing
US6783426B2 (en) * 2002-04-10 2004-08-31 Agere Systems, Inc. Method and apparatus for detection of chemical mechanical planarization endpoint and device planarity
CN100352067C (zh) * 2003-09-23 2007-11-28 深圳市方大国科光电技术有限公司 蓝宝石衬底减薄方法
US7040958B2 (en) * 2004-05-21 2006-05-09 Mosel Vitelic, Inc. Torque-based end point detection methods for chemical mechanical polishing tool which uses ceria-based CMP slurry to polish to protective pad layer
US7363195B2 (en) * 2004-07-07 2008-04-22 Sensarray Corporation Methods of configuring a sensor network
US7361602B1 (en) * 2004-10-22 2008-04-22 Cypress Semiconductor Corporation CMP process
US8337278B2 (en) 2007-09-24 2012-12-25 Applied Materials, Inc. Wafer edge characterization by successive radius measurements
CN102089122A (zh) * 2008-05-15 2011-06-08 3M创新有限公司 具有终点窗口的抛光垫以及使用其的系统和方法
TWI396603B (zh) * 2008-06-26 2013-05-21 3M Innovative Properties Co 具多孔元件之研磨墊及其製造及使用方法
TWI415711B (zh) * 2008-07-18 2013-11-21 3M Innovative Properties Co 具有浮動元件之研磨墊，及其製造與使用方法
US9579767B2 (en) * 2010-04-28 2017-02-28 Applied Materials, Inc. Automatic generation of reference spectra for optical monitoring of substrates
US8694144B2 (en) 2010-08-30 2014-04-08 Applied Materials, Inc. Endpoint control of multiple substrates of varying thickness on the same platen in chemical mechanical polishing
US8747189B2 (en) * 2011-04-26 2014-06-10 Applied Materials, Inc. Method of controlling polishing
US9960088B2 (en) * 2011-11-07 2018-05-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. End point detection in grinding
US9358660B2 (en) 2011-11-07 2016-06-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Grinding wheel design with elongated teeth arrangement
JP6252052B2 (ja) * 2013-09-09 2017-12-27 富士通セミコンダクター株式会社 研磨方法、半導体装置の製造方法、及び研磨終点検出プログラム
US9490186B2 (en) * 2013-11-27 2016-11-08 Applied Materials, Inc. Limiting adjustment of polishing rates during substrate polishing
US9873180B2 (en) 2014-10-17 2018-01-23 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
US11745302B2 (en) 2014-10-17 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process
CN107078048B (zh) 2014-10-17 2021-08-13 应用材料公司 使用加成制造工艺的具复合材料特性的cmp衬垫建构
US10875153B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pad materials and formulations
US9475168B2 (en) * 2015-03-26 2016-10-25 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad window
CN113103145B (zh) 2015-10-30 2023-04-11 应用材料公司 形成具有期望ζ电位的抛光制品的设备与方法
US10391605B2 (en) 2016-01-19 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process
US11471999B2 (en) 2017-07-26 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods
WO2019032286A1 (en) 2017-08-07 2019-02-14 Applied Materials, Inc. ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME
WO2019152222A1 (en) 2018-02-05 2019-08-08 Applied Materials, Inc. Piezo-electric end-pointing for 3d printed cmp pads
CN112654655A (zh) 2018-09-04 2021-04-13 应用材料公司 先进抛光垫配方
US11878389B2 (en) 2021-02-10 2024-01-23 Applied Materials, Inc. Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4179852A (en) 1978-03-13 1979-12-25 Three Phoenix Company Method and apparatus for polishing floppy discs
JPS62199354A (ja) * 1986-02-21 1987-09-03 Kashio Denki Kk 結晶板等の自動ラツプ仕上方法及びその装置
JPH0632194B2 (ja) 1986-03-24 1994-04-27 九州日立マクセル株式会社 デイスククリ−ナ
JPH03234467A (ja) 1990-02-05 1991-10-18 Canon Inc スタンパの金型取付面の研磨方法およびその研磨機
US5081796A (en) 1990-08-06 1992-01-21 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for mechanical planarization and endpoint detection of a semiconductor wafer
US6614529B1 (en) 1992-12-28 2003-09-02 Applied Materials, Inc. In-situ real-time monitoring technique and apparatus for endpoint detection of thin films during chemical/mechanical polishing planarization
US5700180A (en) * 1993-08-25 1997-12-23 Micron Technology, Inc. System for real-time control of semiconductor wafer polishing
US5433651A (en) 1993-12-22 1995-07-18 International Business Machines Corporation In-situ endpoint detection and process monitoring method and apparatus for chemical-mechanical polishing
US5413941A (en) 1994-01-06 1995-05-09 Micron Technology, Inc. Optical end point detection methods in semiconductor planarizing polishing processes
US5791969A (en) 1994-11-01 1998-08-11 Lund; Douglas E. System and method of automatically polishing semiconductor wafers
JPH08174411A (ja) 1994-12-22 1996-07-09 Ebara Corp ポリッシング装置
TW316995B (ko) 1995-01-19 1997-10-01 Tokyo Electron Co Ltd
US5964643A (en) 1995-03-28 1999-10-12 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for in-situ monitoring of chemical mechanical polishing operations
US5893796A (en) 1995-03-28 1999-04-13 Applied Materials, Inc. Forming a transparent window in a polishing pad for a chemical mechanical polishing apparatus
US5593343A (en) 1995-04-03 1997-01-14 Bauer; Jason Apparatus for reconditioning digital recording discs
US5838447A (en) 1995-07-20 1998-11-17 Ebara Corporation Polishing apparatus including thickness or flatness detector
US5605760A (en) 1995-08-21 1997-02-25 Rodel, Inc. Polishing pads
US5640242A (en) 1996-01-31 1997-06-17 International Business Machines Corporation Assembly and method for making in process thin film thickness measurments
US5958148A (en) * 1996-07-26 1999-09-28 Speedfam-Ipec Corporation Method for cleaning workpiece surfaces and monitoring probes during workpiece processing
US5872633A (en) 1996-07-26 1999-02-16 Speedfam Corporation Methods and apparatus for detecting removal of thin film layers during planarization
JPH1098960A (ja) 1996-10-01 1998-04-21 Yamaguchi Engei:Kk 栽培システム
US6012970A (en) 1997-01-15 2000-01-11 Motorola, Inc. Process for forming a semiconductor device
US6111634A (en) 1997-05-28 2000-08-29 Lam Research Corporation Method and apparatus for in-situ monitoring of thickness using a multi-wavelength spectrometer during chemical-mechanical polishing
US6108091A (en) 1997-05-28 2000-08-22 Lam Research Corporation Method and apparatus for in-situ monitoring of thickness during chemical-mechanical polishing
US6168683B1 (en) 1998-02-24 2001-01-02 Speedfam-Ipec Corporation Apparatus and method for the face-up surface treatment of wafers
US6068539A (en) * 1998-03-10 2000-05-30 Lam Research Corporation Wafer polishing device with movable window

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100434189B1 (ko) * 2002-03-21 2004-06-04 삼성전자주식회사 화학 기계적 연마장치 및 그 제어방법
KR20180133530A (ko) * 2011-04-27 2018-12-14 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 고감도 와전류 모니터링 시스템
KR20150066685A (ko) * 2013-12-09 2015-06-17 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마 방법 및 장치

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