TW202209691A

TW202209691A - 感測裝置及其製造方法

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Publication number: TW202209691A
Application number: TW110109694A
Authority: TW
Inventors: 黃郁涵; 丘兆仟
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2020-08-17
Filing date: 2021-03-18
Publication date: 2022-03-01
Also published as: TW202209169A; TW202208885A; TW202208907A; TWI764634B; TWI785478B; TWI761139B; TWI759153B

Abstract

一種感測裝置及其製造方法。感測裝置的製造方法包括以下步驟。提供基板。形成圖案化半導體層於基板上。形成閘極絕緣層於基板上並覆蓋圖案化半導體層。形成閘極於閘極絕緣層上。形成層間介電層於基板上並覆蓋閘極及閘極絕緣層，且層間介電層具有暴露出部分圖案化半導體層的介電開口。形成第二導電材料層於層間介電層上。形成光感材料層於第二導電材料層上。藉由光罩以於基板上形成圖案化光阻層。藉由圖案化光阻層移除部分的光感材料層以形成光感層，且移除部分的第二導電材料層以形成第一感測電極。形成第二感測電極於光感層上。

Description

感測裝置及其製造方法

本發明是有關於一種半導體裝置及其製造方法，且特別是有關於一種感測裝置及其製造方法。

隨著科技的進展，個人用電子設備的功能日益增加。舉例來說，現在市面上的手機往往除了通話功能以外，更包含了照相功能、錄影功能、記事功能、上網功能……等等生活中時常會使用的功能。在這些具備多功能的電子設備中，往往設置有感測裝置，感測裝置能偵測電子產品所處之環境的光線，除了能幫助使用者獲得更佳的拍照、錄影品質外，部分的感測裝置還能偵測使用者手指表面的起伏，使電子產品具備指紋辨識之功能。

一般來說，感測裝置中的光感層與其下方的感測電極為不同光罩製程。然而，不同光罩製程之間常會有偏移產生。因此，為了降低偏移的影響，常會使光感層較其下方的感測電極內縮。如此一來，可能會降低光感層的感光面積，而使其感測裝置的感光能力降低。

本發明提供一種感測裝置的製造方法，可以減少光罩製程，降低製造成本。

本發明提供一種感測裝置，可以具有較佳感光能力，而可以具有較佳的感測品質。

本發明的感測裝置的製作方法包括提供基板，形成圖案化半導體層於所述基板上，形成閘極絕緣層於所述基板上並覆蓋所述圖案化半導體層，形成閘極於所述閘極絕緣層上。形成層間介電層於所述基板上並覆蓋所述閘極及所述閘極絕緣層，且所述層間介電層具有暴露出部分所述圖案化半導體層的介電開口。形成第二導電材料層於所述層間介電層上，形成光感材料層於所述第二導電材料層上。藉由光罩以於所述基板上形成圖案化光阻層。藉由所述圖案化光阻層移除部分的所述光感材料層以形成光感層，且移除部分的所述第二導電材料層以形成第一感測電極。形成第二感測電極於所述光感層上。

本發明的感測裝置包括基板、主動元件以及光感元件。所述主動元件設置於所述基板上，其中所述主動元件包括閘極、通道、源極及汲極。光感元件，設置於所述基板上，其中所述光感元件包括第一感測電極、第二感測電極及夾於所述第一感測電極及所述第二感測電極之間的光感層，其中所述第一感測電極電性連接於所述汲極，且所述光感層的面積與所述第一感測電極的面積基本上相同。

本發明的另一感測裝置包括基板、主動元件以及光感元件。所述主動元件設置於所述基板上，其中所述主動元件包括閘極、通道、源極及汲極。光感元件，設置於所述基板上，其中所述光感元件包括第一感測電極、第二感測電極及夾於所述第一感測電極及所述第二感測電極之間的光感層，其中所述汲極完全重疊於所述第一感測電極。

基於上述，本發明的感測裝置藉由在同一道光罩下形成第一感測電極及感測層，與習知的製程相比可減少一道光罩的使用，進而可降低感測裝置的製造成本。且由本發明的感測裝置的製造方法所得的感測裝置，其具有較大面積的光感層，因此可以提昇感測裝置的感光能力，並使感測裝置的品質提升。

在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域等的厚度。在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同的元件。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，「連接」可以指物理及/或電性連接。再者，「電性連接」或「耦合」係可為二元件間存在其它元件。

應當理解，儘管術語「第一」、「第二」等在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分，但是這些元件、部件、區域、及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、部件、區域、層或部分與另一個元件、部件、區域、層或部分區分開。因此，下面討論的「第一元件」、「部件」、「區域」、「層」或「部分」可以被稱為第二元件、部件、區域、層或部分而不脫離本文的教導。

這裡使用的術語僅僅是為了描述特定實施例的目的，而不是限制性的。如本文所使用的，除非內容清楚地指示，否則單數形式「一」、「一個」和「該」旨在包括複數形式，包括「至少一個」。「或」表示「及/或」。如本文所使用的，術語「及/或」包括一個或多個相關所列項目的任何和所有組合。還應當理解，當在本說明書中使用時，術語「包括」及/或「包括」指定所述特徵、區域、整體、步驟、操作、元件的存在及/或部件，但不排除一個或多個其它特徵、區域整體、步驟、操作、元件、部件及/或其組合的存在或添加。

此外，諸如「下」或「底部」和「上」或「頂部」的相對術語可在本文中用於描述一個元件與另一元件的關係，如圖所示。應當理解，相對術語旨在包括除了圖中所示的方位之外的裝置的不同方位。例如，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其他元件的「下」側的元件將被定向在其他元件的「上」側。因此，示例性術語「下」可以包括「下」和「上」的取向，取決於附圖的特定取向。類似地，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其它元件「下方」或「下方」的元件將被定向為在其它元件「上方」。因此，示例性術語「下面」或「下面」可以包括上方和下方的取向。

除非另有定義，本文使用的所有術語（包括技術和科學術語）具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。

本文參考作為理想化實施例的示意圖的截面圖來描述示例性實施例。因此，可以預期到作為例如製造技術及/或公差的結果的圖示的形狀變化。因此，本文所述的實施例不應被解釋為限於如本文所示的區域的特定形狀，而是包括例如由製造導致的形狀偏差。例如，示出或描述為平坦的區域通常可以具有粗糙及/或非線性特徵。此外，所示的銳角可以是圓的。因此，圖中所示的區域本質上是示意性的，並且它們的形狀不是旨在示出區域的精確形狀，並且不是旨在限制權利要求的範圍。

圖1A至圖1H是依照本發明第一實施例的感測裝置的製造流程示意圖。

請參照圖1A，提供基板110。基板110例如為硬質基板（rigid substrate）或可撓式基板（flexible substrate）等，本發明並不限於此。舉例而言，基板110的材質可為玻璃、塑膠、複合材質或其他可以提供支撐且可製作板狀結構的材質。

請繼續參照圖1A，形成圖案化半導體層130於基板110上。形成圖案化半導體層130的方法例如可利用化學氣相沉積法全面性地形成半導體材料層（未繪示）於基板110上，再透過微影蝕刻製程形成圖案化半導體層130。其中圖案化半導體層130可為單層或多層結構，其包含非晶矽、多晶矽、微晶矽、單晶矽、有機半導體材料、氧化物半導體材料（例如：銦鋅氧化物、銦鎵鋅氧化物、其它合適的材料或上述之組合）、其它合適的材料、含有摻雜物（dopant）於上述材料中或上述材料之組合。在一些實施例中，在半導體材料層形成於基板110之前，可先形成緩衝層120於基板110上。緩衝層120的材料例如為氮化矽或氧化矽，本發明不以此為限。

請繼續參照圖1A，形成閘極絕緣層140於基板110上並覆蓋圖案化半導體層130。閘極絕緣層140可以全面性地形成於基板110上，以覆蓋圖案化半導體層130的上表面及側表面。閘極絕緣層140的形成方法例如是利用物理氣相沉積法、化學氣相沉積法、塗佈法或其他適宜的方式所形成。

在本實施例中，閘極絕緣層140的材料可為無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或上述至少二種材料的堆疊層）、有機材料（例如：聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂）或上述之組合，但本發明不以此為限。閘極絕緣層140可為單層結構，但本發明並不限於此。在其他實施例中，閘極絕緣層140也可為多層結構。

請繼續參照圖1A，形成閘極G於閘極絕緣層140上。舉例來說，可先利用物理氣相沉積法或金屬化學氣相沉積法於閘極絕緣層140上形成第一導電材料層（未繪示）。接著，圖案化第一導電材料層，以形成第一圖案化導電層150於閘極絕緣層140上，其中部分第一圖案化導電層150可構成閘極G。第一圖案化導電層150一般是使用金屬材料，然本發明不限於此。

請繼續參照圖1A，形成層間介電層160於所述基板110上。層間介電層160可以全面性地形成於基板110上，並覆蓋閘極絕緣層140及閘極G的上表面及側表面。層間介電層160的形成方法例如是利用物理氣相沉積法、化學氣相沉積法、塗佈法或其他適宜的方式所形成。在本實施例中，層間介電層160還具有暴露出部分圖案化半導體層130的介電開口160a、160b，介電開口160a、160b例如是透過微影蝕刻製程所形成。

在本實施例中，層間介電層160的材料可為無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或上述至少二種材料的堆疊層）、有機材料（例如：聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂）或上述之組合，但本發明不以此為限。層間介電層160可為單層結構，但本發明並不限於此。在其他實施例中，層間介電層160也可為多層結構。

請繼續參照圖1A，形成第二導電材料層170於所述層間介電層160上。第二導電材料層170例如是利用物理氣相沉積法或金屬化學氣相沉積法全面性地形成於層間介電層160上，以覆蓋層間介電層160，並填入層間介電層160的介電開口160a、160b，以使第二導電材料層170與圖案化半導體層130電性相連。第二導電材料層170一般是使用金屬材料，但本發明不限於此。

請繼續參照圖1A，形成光感材料層180於所述第二導電材料層170上。光感材料層180例如是利用化學氣相沉積法全面性地形成於第二導電材料層170上。在本實施例中，光感材料層180的材料包括富矽氧化物，但本發明不限於此。根據其他實施例，光感材料層180的材料可包括富矽氮化物、富矽氮氧化物、富矽碳化物、富矽碳氧化物、氫化富矽氧化物、氫化富矽氮化物、氫化富矽碳化物或其組合。

請同時參照圖1A、1B，藉由光罩MK以於基板110上形成圖案化光阻層PPR。舉例來說，可以於光感材料層180上形成光阻材料層PR。然後，利用光罩MK對光阻材料層PR進行微影製程，以形成圖案化光阻層PPR。

在本實施例中，光罩MK為半調光罩（half-tone mask）或稱為灰階光罩(gray-scale mask)。光罩MK具有第一區R1以及第二區R2，且第二區R2的透光率可以高於第一區R1的透光率。圖案化光阻層PPR包括第一光阻區PPR1及第二光阻區PPR2，且第一光阻區PPR1的厚度t1大於第二光阻區PPR2的厚度t2。其中，光罩MK的第一區R1與圖案化光阻層PPR的第一光阻區PPR1對應，光罩MK的第二區R2與圖案化光阻層PPR的第二光阻區PPR2對應。

請參照圖1C、1D，藉由圖案化光阻層PPR移除部分的光感材料層180以形成圖案化光感材料層180P，且移除部分的第二導電材料層170以形成第一感測電極172。舉例來說，可以圖案化光阻層PPR的第一光阻區PPR1及第二光阻區PPR2作為罩幕，藉由一次或多次蝕刻，以移除未被第一光阻區PPR1及第二光阻區PPR2所覆蓋的部分光感材料層180及部分的第二導電材料層170，進而形成圖案化光感材料層180P及第一感測電極172。

在本實施例中，圖案化光感材料層180P及第一感測電極172可以是經過兩道蝕刻製程而形成。舉例而言，如圖1C所示，第一道蝕刻製程先將未被第一光阻區PPR1及第二光阻區PPR2所覆蓋的部分光感材料層180移除，以形成圖案化光感材料層180P。之後，如圖1D所示，第二道蝕刻製程再將未被第一光阻區PPR1及第二光阻區PPR2所覆蓋的部分第二導電材料層170移除，以形成第二圖案化導電層170P，其中第二圖案化導電層170P包括第一感測電極172。在一可能的實施例中，圖案化光感材料層180P及第一感測電極172可經由同一道蝕刻製程而形成，本發明不以此為限。蝕刻製程例如可為濕式蝕刻或乾式蝕刻，本發明不以此為限。

請參照圖1D，第二圖案化導電層170P還可以包括第一訊號線174及/或第二訊號線176。其中，第一感測電極172及第二訊號線176與第一光阻區PPR1對應，第一訊號線174與第二光阻區PPR2對應。第一感測電極172及第二訊號線176分別透過介電開口160b、160a與圖案化半導體層130連接。

請參照圖1E，移除部分圖案化光阻層PPR。舉例而言，減少第一光阻區PPR1的厚度以形成第三光阻區PPR3，並移除第二光阻區PPR2，使部分圖案化光感材料層180P被暴露出來。移除圖案化光阻層PPR的方式例如可以藉由灰化製程，但本發明不限於此。

請參照圖1F，藉由第三光阻區PPR3移除部分的圖案化光感材料層180P，以形成光感層182。舉例來說，可以圖案化光阻層PPR的第三光阻區PPR3作為罩幕，藉由濕式蝕刻或乾式蝕刻，以移除未被第三光阻區PPR3所覆蓋的部分圖案化光感材料層180P，進而形成光感層182。光感層182與第一感測電極172對應，疊置於第一感測電極172上，光感層182的側壁182w與第一感測電極172的側壁172w基本上切齊。

在一些實施例中，移除部分的圖案化光感材料層180P，還可以形成光感層184。光感層184與第二訊號線176對應，疊置於第二訊號線176上。

請參照圖1G，移除第三光阻區PPR3。例如可利用灰化製程將第三光阻區PPR3移除，以暴露出光感層182、184的上表面。

請參照圖1H，形成第一圖案化絕緣層PL於基板110上，且第一圖案化絕緣層PL具有暴露出部分的光感層182的第一開口OP1及暴露出部分的第一訊號線174的第二開口OP2。第一圖案化絕緣層PL的形成方法例如可利用物理氣相沉積法、化學氣相沉積法、塗佈法或其他適宜的方式形成第一絕緣材料層(未繪示)於基板110上，並覆蓋層間介電層160、第一感測電極172、第一訊號線174、第二訊號線176及光感層182、184。接著，再透過微影蝕刻製程，圖案化第一絕緣材料層，以形成第一圖案化絕緣層PL，其中第一圖案化絕緣PL層具有第一開口OP1及第二開口OP2，第一圖案化絕緣層PL的第一開口OP1可暴露出光感層182的部分上表面，第一圖案化絕緣層PL的第二開口OP2可暴露出第一訊號線174的部分上表面。第一圖案化絕緣層PL的材料可為無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或上述至少二種材料的堆疊層）、有機材料（例如：聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂）或上述之組合。

請繼續參照圖1H，形成第三導電材料層190於第一圖案化絕緣層PL上，且填入第一開口OP1及第二開口OP2。例如可以藉由濺鍍法，以於第一圖案化絕緣層PL上全面性地形成第三導電材料層190，並填入第一圖案化絕緣層PL的第一開口OP1及第二開口OP2。第三導電材料層190的材質可以包括金屬氧化物導電材料（例如：銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物）、其他適宜的透明導電材料、或者是上述至少二者之堆疊層，但本發明不限於此。

第三導電材料層190可視需求圖案化，例如透過微影蝕刻製程，移除部分的第三導電材料層190，以形成第二感測電極192及第一連接線194。在圖1H中，第二感測電極192位於第一開口OP1中，使光感層182夾於第一感測電極172及第二感測電極192之間，其中第一感測電極172、光感層182及第二感測電極192可構成至少一光感元件PS。第一連接線194位於第二開口OP2中，並與第二感測電極192及第一訊號線174電性連接。應理解圖1H僅代表感測裝置100的部分剖面示意圖，感測裝置100的其他部分的第三導電材料層190也可被圖案化而有部分被移除，本發明不以此為限而。

基於上述，在本實施方式中，光感層182及第一感測電極172為藉由同一道光罩MK所形成，因此光感層182在基板110的投影面積與第一感測電極172在基板110的投影面積基本上相同，與習知的製程相比可減少一道光罩的使用並且增加光感層182的面積，進而可降低感測裝置100的製造成本，並提升其感光能力。

經過上述製程後即可大致上完成本實施例之感測裝置100的製作。

圖2是依照本發明第一實施例的感測裝置的部分上視示意圖。圖1H對應了圖2剖線A-A’的位置，且為了清楚表示，圖2省略繪示了圖1H中的部分構件，且第三導電材料層190以透視方式繪示。

請參照圖1H及圖2，感測裝置100包括依序堆疊的基板110、圖案化半導體層130、第一圖案化導電層150、第二圖案化導電層170P、光感層182及第二感測電極192。其中部分圖案化半導體層130可以構成至少一通道CH，部分第一圖案化導電層150可以構成至少一閘極G，部分第二圖案化導電層170P可以構成至少一第一感測電極172、一汲極D及一源極S，閘極G、通道CH、源極S以及汲極D可以構成主動元件T，第一感測電極172、光感層182及第二感測電極192可以構成光感元件PS，其中汲極D與第一感測電極172電性連接。

換句話說，感測裝置100至少包括基板110、主動元件T及光感元件PS。主動元件T設置於基板110上，主動元件T例如為薄膜電晶體，包括閘極G、通道CH、源極S及汲極D。光感元件PS設置於基板110上，光感元件PS包括第一感測電極172、第二感測電極192及夾於第一感測電極172及第二感測電極192之間的光感層182。汲極D可完全重疊於第一感測電極172並與第一感測電極172電性連接，換言之，第一感測電極172也可視為主動元件T的汲極D。

請繼續參照圖1H及圖2，光感層182在基板110的投影面積與第一感測電極172在基板110的投影面積基本上相同，且光感層182的側壁182w與第一感測電極172的側壁172w基本上切齊。前述的「基本上切齊」，包括光感層182的側壁182w與第一感測電極172的側壁172w之間的距離d1小於0.5微米（micrometer；μm）。由於光感層182在基板110的投影面積與第一感測電極172在基板110的投影面積基本上相同，使本發明的感測裝置相較於習知的感測裝置具有較大面積的光感層，因此可以提昇感測裝置的感光能力，並使感測裝置的品質提升。

在圖1H及圖2中，感測裝置100還可以包括第一訊號線174及第一連接線194。第一訊號線174例如可作為接地或其他訊號連接使用，與第一感測電極172位於相同膜層。第一連接線194電性連接於第一訊號線174及第二感測電極192，使第一訊號線174與第二感測電極192電性連接。

在圖1H及圖2中，感測裝置100還可以包括第二訊號線176。第二訊號線176例如為資料線，可與源極S重疊，並與源極S電性連接，換言之，第二訊號線176也可視為主動元件T的源極S。第二訊號線176與第一感測電極172位於相同膜層，且光感層184還可設置於第二訊號線176上，本發明不以此為限。

綜上所述，本發明的感測裝置藉由在同一道光罩下形成第一感測電極及感測層，與習知的製程相比可減少一道光罩的使用，進而可降低感測裝置的製造成本。且由本發明的感測裝置的製造方法所得的感測裝置，其具有較大面積的光感層，因此可以提昇感測裝置的感光能力，並使感測裝置的品質提升。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100:感測裝置 110:基板 120:緩衝層 130:圖案化半導體層 140:閘極絕緣層 150:第一圖案化導電層 160:層間介電層 160a、160b:介電開口 170:第二導電材料層 170P:第二圖案化導電層 172:第一感測電極 172w、182w:側壁 174:第一訊號線 176:第二訊號線 180:光感材料層 180P:圖案化光感材料層 182、184:光感層 190:第三導電材料層 192:第二感測電極 194:第一連接線 A-A’:剖線 CH:通道 D:汲極 d1:距離 G:閘極 MK:光罩 OP1:第一開口 OP2:第二開口 PL:第一圖案化絕緣層 PR:光阻材料層 PPR、PPR1、PPR2、PPR3:圖案化光阻層 PS:光感元件 R1:第一區 R2:第二區 S:源極 T:主動元件 t1、t2:厚度

圖1A至圖1H是依照本發明第一實施例的感測裝置的製造流程示意圖。圖2是依照本發明第一實施例的感測裝置的部分上視示意圖。

100:感測裝置

110:基板

120:緩衝層

130:圖案化半導體層

140:閘極絕緣層

150:第一圖案化導電層

160:層間介電層

160a、160b:介電開口

170P:第二圖案化導電層

172:第一感測電極

172w、182w:側壁

174:第一訊號線

176:第二訊號線

182、184:光感層

190:第三導電材料層

192:第二感測電極

194:第一連接線

CH:通道

D:汲極

d1:距離

G:閘極

OP1:第一開口

OP2:第二開口

PL:第一圖案化絕緣層

PS:光感元件

S:源極

T:主動元件

Claims

一種感測裝置的製作方法，包括：提供基板；形成圖案化半導體層於所述基板上；形成閘極絕緣層於所述基板上並覆蓋所述圖案化半導體層；形成閘極於所述閘極絕緣層上；形成層間介電層於所述基板上並覆蓋所述閘極及所述閘極絕緣層，且所述層間介電層具有暴露出部分所述圖案化半導體層的介電開口；形成第二導電材料層於所述層間介電層上；形成光感材料層於所述第二導電材料層上；藉由光罩以於所述基板上形成圖案化光阻層；藉由所述圖案化光阻層移除部分的所述光感材料層以形成光感層，且移除部分的所述第二導電材料層以形成第一感測電極；以及形成第二感測電極於所述光感層上。
如請求項1所述的方法，更包括：藉由所述圖案化光阻層移除部分的所述第二導電材料層以形成第一訊號線；形成第一圖案化絕緣層於所述基板上，且所述第一圖案化絕緣層具有暴露出部分的所述光感層的第一開口及暴露出部分的所述第一訊號線的第二開口；形成第三導電材料層於所述第一圖案化絕緣層上，且填入所述第一開口及所述第二開口；以及移除部分的所述第三導電材料層，以形成所述第二感測電極及第一連接線，其中所述第一連接線電性連接於所述第二感測電極及所述第一訊號線。
如請求項2所述的方法，其中所述圖案化光阻層包括第一光阻區及第二光阻區，所述第一光阻區的厚度大於所述第二光阻區的厚度，且所述方法更包括：藉由所述第一光阻區及所述第二光阻區，移除部分的所述光感材料層以形成圖案化光感材料層，且移除部分的所述第二導電材料層以形成所述第一感測電極及所述第一訊號線，其中所述第一感測電極對應於所述第一光阻區，且所述第一訊號線對應於所述第二光阻區；以及移除部分的所述圖案化光感材料層，以形成所述光感層。
如請求項3所述的方法，更包括：於形成所述第一感測電極及所述第一訊號線之後，減少所述第一光阻區的厚度以形成第三光阻區；以及藉由所述第三光阻區移除部分的所述圖案化光感材料層，以形成所述光感層。
如請求項1所述的方法，更包括：藉由所述圖案化光阻層移除部分的第二導電材料層以形成第二訊號線。
一種感測裝置，包括：基板；主動元件，設置於所述基板上，其中所述主動元件包括閘極、通道、源極及汲極；以及光感元件，設置於所述基板上，其中所述光感元件包括第一感測電極、第二感測電極及夾於所述第一感測電極及所述第二感測電極之間的光感層，其中所述第一感測電極電性連接於所述汲極，且所述光感層的面積與所述第一感測電極的面積基本上相同。
如請求項6所述的感測裝置，所述第一感測電極的側壁與所述光感層的側壁基本上切齊。
一種感測裝置，包括：基板；主動元件，設置於所述基板上，其中所述主動元件包括閘極、通道、源極及汲極；以及光感元件，設置於所述基板上，其中所述光感元件包括第一感測電極、第二感測電極及夾於所述第一感測電極及所述第二感測電極之間的光感層，其中所述汲極完全重疊於所述第一感測電極。
如請求項6或8所述的感測裝置，更包括：第一訊號線；以及第一連接線，電性連接於所述第二感測電極及所述第一訊號線。
如請求項6或8所述的感測裝置，更包括：第二訊號線，電性連接於所述源極。