TW202206862A - 附黏著劑層之偏光薄膜、影像顯示面板、影像顯示面板之製造方法及黏著劑層 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種附黏著劑層之偏光薄膜，其具備的黏著劑層即便是在貼合於導電層上時，亦可維持預熱後之重工性，同時具有於高溫環境下的耐久性。本發明之附黏著劑層之偏光薄膜具備偏光薄膜以及由黏著劑組成物形成的黏著劑層。黏著劑組成物含有具酸基或酸酐基之化合物(C)及聚醚化合物(D)。針對黏著劑層，接著力P85 在10.0N/25mm以下，且接著力P105 大於10.0N/25mm。

Description

附黏著劑層之偏光薄膜、影像顯示面板、影像顯示面板之製造方法及黏著劑層
發明領域 本發明涉及附黏著劑層之偏光薄膜、影像顯示面板、影像顯示面板之製造方法及黏著劑層。
背景技術 液晶顯示裝置等影像顯示裝置所具備的影像顯示面板，例如具有偏光薄膜已透過黏著劑層貼合於透明基板之結構。於透明基板表面，為了防止影像顯示裝置帶電，有時會設置有含氧化銦錫(ITO)等金屬氧化物之導電層。當透明基板表面設置有導電層時，在影像顯示面板中，黏著劑層通常會與導電層直接相接。
在製造影像顯示面板時，舉例言之，已具備黏著劑層及偏光薄膜的附黏著劑層之偏光薄膜會貼合於透明基板上。此時，有時會發生附黏著劑層之偏光薄膜之貼合位置偏離或者異物混入附黏著劑層之偏光薄膜與透明基板間的問題。在此情形下，為了提升影像顯示面板之生產性，宜將附黏著劑層之偏光薄膜自透明基板剝下並且將構件再利用。因此，附黏著劑層之偏光薄膜會要求能輕易地自透明基板剝離。本說明書中，有時會將附黏著劑層之偏光薄膜對透明基板或導電層的剝離容易度，表現為「黏著劑層之重工性」。
先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1：日本專利第6071459號公報
發明概要 發明欲解決之課題 當偏光薄膜之水分量大時，若於高溫環境下(例如溫度高於95℃之環境下)使用影像顯示裝置，便會有影像顯示裝置之光學特性降低之傾向(例如專利文獻1)。當偏光薄膜中的偏光件含有聚乙烯醇時，於高溫環境下的光學特性之降低會特別明顯。因此，當設想於高溫環境下使用影像顯示裝置時，例如影像顯示裝置使用作為車載用顯示器時，必須在已將附黏著劑層之偏光薄膜貼合於透明基板之階段，將附黏著劑層之偏光薄膜於70℃~95℃左右之溫度下進行加熱處理(預熱)，以事先減少偏光薄膜之水分量。
不過，藉由該預熱，有時偏光薄膜或透明基板會破損。因此，要求即使於預熱後亦可維持黏著劑層之重工性，而可自透明基板剝離附黏著劑層之偏光薄膜。然而，附黏著劑層之偏光薄膜中的黏著劑層通常會調整其組成，以於高溫環境下提升接著性。因此，當進行上述預熱時，會有黏著劑層之接著性提升而黏著劑層之重工性降低之傾向。依據發明人等之探討，當黏著劑層與導電層、尤其是ITO層直接相接時，重工性之降低明顯。
依據發明人等之探討，若於黏著劑層中過量添加能提升黏著劑層重工性之化合物，可能可以抑制因預熱所導致的黏著劑層重工性之降低。然而，在此情形下，會有於高溫環境下黏著劑層之耐久性大幅降低之傾向。
故，本發明之目的在於提供一種附黏著劑層之偏光薄膜，其具備的黏著劑層即便是在貼合於導電層上時，亦可維持預熱後之重工性，同時具有於高溫環境下的耐久性。
用以解決課題之手段 本發明提供一種附黏著劑層之偏光薄膜，其具備偏光薄膜以及由黏著劑組成物形成的黏著劑層，且前述黏著劑組成物含有具酸基或酸酐基之化合物(C)及聚醚化合物(D)，針對前述黏著劑層，利用下述試驗1求得之接著力P85 在10.0N/25mm以下，且利用下述試驗2求得之接著力P105 大於10.0N/25mm。 試驗1：針對已貼合於附氧化銦錫層之玻璃之氧化銦錫層上的黏著劑層，於85℃下進行5小時加熱處理。測定在剝離速度300mm/min及剝離角度90°下用以將前述黏著劑層自前述氧化銦錫層剝下所需之力(接著力P85 )。 試驗2：針對已貼合於附氧化銦錫層之玻璃之氧化銦錫層上的黏著劑層，於105℃下進行24小時加熱處理。測定在剝離速度300mm/min及剝離角度90°下用以將前述黏著劑層自前述氧化銦錫層剝下所需之力(接著力P105 )。
再者，本發明提供一種影像顯示面板，其具備：上述附黏著劑層之偏光薄膜；含金屬氧化物之導電層；及透明基板；前述黏著劑層與前述導電層直接相接。
再者，本發明提供一種影像顯示面板之製造方法，其係製造上述影像顯示面板之方法，包括：在已將前述附黏著劑層之偏光薄膜貼合於前述導電層之狀態下，針對前述黏著劑層，於70℃~95℃下進行第1加熱處理。
再者，本發明提供一種黏著劑層，其係由黏著劑組成物所形成，且前述黏著劑組成物含有具酸基或酸酐基之化合物(C)及聚醚化合物(D)，利用下述試驗1求得之接著力P85 在10.0N/25mm以下，且利用下述試驗2求得之接著力P105 大於10.0N/25mm。 試驗1：針對已貼合於附氧化銦錫層之玻璃之氧化銦錫層上的黏著劑層，於85℃下進行5小時加熱處理。測定在剝離速度300mm/min及剝離角度90°下用以將前述黏著劑層自前述氧化銦錫層剝下所需之力(接著力P85 )。 試驗2：針對已貼合於附氧化銦錫層之玻璃之氧化銦錫層上的黏著劑層，於105℃下進行24小時加熱處理。測定在剝離速度300mm/min及剝離角度90°下用以將前述黏著劑層自前述氧化銦錫層剝下所需之力(接著力P105 )。
發明效果 依據本發明，可提供一種附黏著劑層之偏光薄膜，其具備的黏著劑層即便是在貼合於導電層上時，亦可維持預熱後之重工性，同時具有於高溫環境下的耐久性。
用以實施發明之形態 以下，說明本發明之詳情，惟以下說明並非將本發明限制在特定實施形態之意。
(附黏著劑層之偏光薄膜之實施形態) 如圖1所示，本實施形態之附黏著劑層之偏光薄膜10具備黏著劑層1及偏光薄膜2。黏著劑層1例如與偏光薄膜2直接相接。黏著劑層1之表面例如朝附黏著劑層之偏光薄膜10之外部露出。
附黏著劑層之偏光薄膜10中，針對黏著劑層1，利用試驗1求得之接著力P85 在10.0N/25mm以下，利用試驗2求得之接著力P105 則大於10.0N/25mm。
試驗1是利用以下方法來進行。首先，將附黏著劑層之偏光薄膜10切出長150mm×寬25mm之薄長方形狀作成試驗片。接著，準備附氧化銦錫(ITO)層之玻璃。附ITO層之玻璃例如具有無鹼玻璃以及與無鹼玻璃相接的ITO層。無鹼玻璃為實質上不含鹼性成分(鹼金屬氧化物)的玻璃，詳而言之，玻璃中鹼性成分之重量比率例如為1000ppm以下，進而為500ppm以下。無鹼玻璃例如為板狀，並具有0.5mm以上之厚度。ITO層例如實質上僅由非結晶性(非晶質)之ITO構成。不過，ITO層亦可含有ITO以外的不純物。ITO層例如可藉由濺鍍法等物理堆積法，形成於無鹼玻璃之表面上。
接著，利用黏著劑層1，將試驗片貼合於附ITO層之玻璃的ITO層表面。試驗片於ITO層上的貼合例如使用積層機來進行，並且以氣泡不會混入ITO層與黏著劑層1間之方式實施。在已貼合試驗片後，收納於50℃及5氣壓(絕對壓力)之高壓釜內15分鐘，使ITO層與黏著劑層1之接合均質化，並且使黏著劑層1密著於ITO層。接著，針對試驗片(黏著劑層1)，於85℃之大氣壓環境氣體下進行5小時加熱處理。隨後將試驗片放置於室溫(例如23℃)之環境氣體下，使試驗片之溫度降低至室溫。在剝離速度300mm/min及剝離角度90°下將試驗片自ITO層剝下(測定長度80mm)。此時，以1次/0.5s之間隔測定用以將試驗片自ITO層剝下所需之力。將所獲得測定值之平均值界定為接著力P85 。
於高壓釜內使ITO層與黏著劑層1之接合均質化後的加熱處理，是在105℃之大氣壓環境氣體下進行24小時，除此之外，試驗2可藉由與試驗1相同的方法來進行。
依據發明人等之探討，當接著力P85 在10.0N/25mm以下時，會有預熱後可充分維持黏著劑層1之重工性之傾向。接著力P85 宜為9.0N/25mm以下，較佳為8.0N/25mm以下，更佳為7.0N/25mm以下，尤佳為6.0N/25mm以下。從實用上之觀點來看，接著力P85 之下限值例如為3.0N/25mm。
依據發明人等之探討，當接著力P105 大於10.0N/25mm時，黏著劑層1會有於高溫環境下具有充分耐久性之傾向。接著力P105 宜為11.0N/25mm以上，較佳為12.0N/25mm以上，更佳為13.0N/25mm以上，尤佳為14.0N/25mm以上。接著力P105 之上限值並無特殊限制，例如為30.0N/25mm。
再者，附黏著劑層之偏光薄膜10中，針對黏著劑層1，利用試驗3求得之接著力P0 可為10.0N/25mm以下。除了於高壓釜內使ITO層與黏著劑層1之接合均質化後不進行加熱處理外，試驗3可藉由與試驗1相同的方法來進行。接著力P0 宜為9.0N/25mm以下，較佳為8.0N/25mm以下，更佳為7.0N/25mm以下，尤佳為6.0N/25mm以下。從實用上之觀點來看，接著力P0 之下限值例如為3.0N/25mm。
[黏著劑層] 黏著劑層1係由黏著劑組成物所形成。黏著劑組成物含有具酸基或酸酐基之化合物(C)及聚醚化合物(D)，更含有例如基礎聚合物。「基礎聚合物」例如為黏著劑組成物中以重量為基準含有最多的聚合物，作為有助於黏著劑層1之黏著性的成分而發揮機能。
＜化合物(C)＞ 化合物(C)例如為低分子化合物或低聚物。化合物(C)所具有的酸基例如為羧基或巰基，較佳為羧基。化合物(C)之酸基亦可為藉由使酸酐基水解而產生的基。酸酐基之具體例可舉例琥珀酸酐基、酞酸酐基、馬來酸酐基等羧酸酐基，較佳為琥珀酸酐基。化合物(C)中酸基之含有率與酸酐基之含有率之合計值並無特殊限制，例如為5.0wt%~50wt%，較佳為8.3wt%~40wt%。
化合物(C)亦可含有矽原子，更可含有與矽原子鍵結的水解性基(h1)。水解性基(h1)例如可藉由水解反應及/或縮合反應而形成矽氧烷鍵。水解性基(h1)可舉例如：鹵素原子、烷氧基、醯氧基、烯氧基、胺甲醯基、胺基、胺氧基、酮肟基等。當水解性基(h1)具有碳原子時，其碳數例如為10以下，較佳為6以下，更佳為4以下。尤其是以碳數4以下的烷氧基或烯氧基為佳，且以甲氧基或乙氧基尤佳。化合物(C)中水解性基(h1)之含有率例如為10wt%以上，較佳為13wt%~50wt%，更佳為13wt%~49wt%。
化合物(C)亦可含有酸基、酸酐基及水解性基(h1)以外的其他官能基，惟以不含為佳。作為一例，化合物(C)不含聚醚基。
化合物(C)例如含有選自於由具酸基或酸酐基之烷氧基矽烷化合物(S1)、具酸基或酸酐基之有機聚矽氧烷化合物(S2)及該等之水解縮合物所構成群組中之至少1種，較佳為含有有機聚矽氧烷化合物(S2)。
烷氧基矽烷化合物(S1)例如以下述式(1)表示。 R1 R2 a Si(OR3 )3-a (1)
式(1)中，R1 為具酸基或酸酐基之碳數1~20之有機基。該有機基可為直鏈狀，亦可為支鏈狀，也可以是環狀。R2 相互獨立，為氫原子或鹵素原子可取代的碳數1~20之一價烴基。R3 相互獨立，為碳數1~10之烷基，較佳為甲基或乙基。a為0或1。
從烷氧基矽烷化合物(S1)之取得容易性之觀點來看，R1 宜為下述式(2)所示有機基。 [化學式1]
Figure 02_image001
式(2)中，A為直鏈狀或支鏈狀之碳數2~10之伸烷基或伸烯基，且以直鏈狀或支鏈狀之碳數2~6之伸烷基為佳。A之具體例為伸乙基、丙-1,3-二基等。
烷氧基矽烷化合物(S1)可舉例如：2-三甲氧基矽基乙基琥珀酸酐、3-三甲氧基矽基丙基琥珀酸酐(信越化學工業公司製，商品名「X-12-967C」)、3-三乙氧基矽基丙基琥珀酸酐、3-甲基二乙氧基矽基丙基琥珀酸酐、1-羧-3-三乙氧基矽基丙基琥珀酸酐等。
有機聚矽氧烷化合物(S2)為具有矽氧烷鍵的化合物，例如含有下述式(3)所示矽氧烷單元(U1)。有機聚矽氧烷化合物(S2)更可含有下述式(4)所示矽氧烷單元(U2)。 [化學式2]
Figure 02_image003
[化學式3]
Figure 02_image005
式(3)中，X為具酸基或酸酐基之有機基，且以式(2)所示有機基為佳。式(3)及式(4)中，R4 相互獨立，為氫原子、碳數1~10之烷氧基或鹵素原子可取代的碳數1~20之一價烴基。R4 之烷氧基宜為甲氧基或乙氧基。R4 之烴基例如為甲基。
有機聚矽氧烷化合物(S2)中所含矽氧烷單元(U1)之數量並無特殊限制，例如為1~100，較佳為1~50，更佳為1~20。有機聚矽氧烷化合物(S2)中所含矽氧烷單元(U2)之數量並無特殊限制，例如為0~100，較佳為0~50，更佳為0~20。有機聚矽氧烷化合物(S2)宜含有至少1個矽氧烷單元(U2)。
有機聚矽氧烷化合物(S2)亦可具有以下結構：於下述式(5)所示烷氧基矽烷或其部分水解縮合物中所含O-Si鍵間，已插入至少1個矽氧烷單元(U1)。於O-Si鍵間亦可插入矽氧烷單元(U1)及矽氧烷單元(U2)兩者。於複數個O-Si鍵中，亦可於一部分之O-Si鍵間插入矽氧烷單元(U1)，於其他O-Si鍵間則插入矽氧烷單元(U2)。 R5 n Si(OR6 )3-n (5)
式(5)中，R5 相互獨立，為氫原子或鹵素原子可取代的碳數1~20之一價烴基。R6 相互獨立，為碳數1~10之烷基。n為0或1。
式(5)所示烷氧基矽烷或其部分水解縮合物可舉例如：四甲氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、及該等烷氧基矽烷中1種或2種以上已部分水解縮合的化合物。
有機聚矽氧烷化合物(S2)例如可利用日本特開2013-129809號公報、日本特開2013-129691號公報等中記載的公知製造方法來製作。
化合物(C)只要具酸基或酸酐基，便不限於上述烷氧基矽烷化合物(S1)及有機聚矽氧烷化合物(S2)。化合物(C)亦可含有具酸基或酸酐基之(甲基)丙烯酸系低聚物(B)。(甲基)丙烯酸系低聚物(B)例如含有源自(甲基)丙烯酸烷基酯的結構單元作為主成分，同時含有源自具酸基或酸酐基之(甲基)丙烯酸酯的結構單元。本說明書中，「(甲基)丙烯酸酯」意指丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯。「主成分」意指聚合物中以重量為基準含有最多的結構單元。
構成(甲基)丙烯酸系低聚物(B)的(甲基)丙烯酸烷基酯可舉例如：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸二級丁酯、(甲基)丙烯酸三級丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸異戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一酯、(甲基)丙烯酸十二酯等。具酸基之(甲基)丙烯酸酯可舉例：(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯等含羧基之(甲基)丙烯酸酯。
構成(甲基)丙烯酸系低聚物(B)的其他單體可舉例如：如(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸異莰酯、(甲基)丙烯酸二環戊烷基酯般的(甲基)丙烯酸與脂環族醇之酯；如(甲基)丙烯酸苯酯、(甲基)丙烯酸苄酯般的(甲基)丙烯酸芳基酯；獲得自萜烯化合物衍生物醇的(甲基)丙烯酸酯；如(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯般的含醚鍵之(甲基)丙烯酸烷基酯等。此種(甲基)丙烯酸酯可單獨或組合2種以上來使用。構成(甲基)丙烯酸系低聚物(B)的單體亦可使用構成後述(甲基)丙烯酸系聚合物(A)的單體。
(甲基)丙烯酸系低聚物(B)之聚合方法與後述(甲基)丙烯酸系聚合物(A)相同，可舉例溶液聚合、乳化聚合、塊狀聚合、乳化聚合、利用熱或活性能量線照射之聚合(熱聚合、活性能量線聚合)等。其中，從透明性、耐水性、成本等觀點來看，又以溶液聚合、活性能量線聚合為佳。所製得(甲基)丙烯酸系低聚物(B)可為無規共聚物、嵌段共聚物、接枝共聚物等中任一者。
從提升黏著劑層1之耐久性、耐腐蝕性及重工性之觀點來看，黏著劑組成物中化合物(C)之含量相對於後述基礎聚合物100重量份宜為0.05~10重量份，較佳為3重量份以下，更佳為2重量份以下，尤佳為1重量份以下，最佳為0.6重量份以下。化合物(C)之含量，相對於基礎聚合物100重量份，較佳為0.1重量份以上，更佳為0.2重量份以上，尤佳為0.4重量份以上。
化合物(C)之重量平均分子量並無特殊限制，例如為10000以下，較佳為8000以下，更佳為5000以下，再更佳為3000以下，尤佳為1500以下。化合物(C)之重量平均分子量之下限值並無特殊限制，例如為100。
化合物(C)可源自酸基而具有低酸度常數pKa。化合物(C)之pKa(尤其是第一酸度常數)例如為12以下，較佳為11以下，更佳為8以下，再更佳為6以下，尤佳為5以下。化合物(C)之pKa之下限值並無特殊限制，例如為1。本說明書中，pKa是在25℃的水中之值。
＜聚醚化合物(D)＞ 聚醚化合物(D)為具有聚醚骨架的化合物。聚醚骨架可為直鏈狀，亦可為支鏈狀。聚醚化合物(D)所具有的聚醚骨架例如含有下述式(6)所示氧化烯單元(U3)。 [化學式4]
Figure 02_image007
式(6)中，R7 為碳數1~10之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基。R7 之碳數宜為2~6，更佳為3。聚醚化合物(D)可含有1種或2種以上的氧化烯單元(U3)。聚醚化合物(D)可為無規共聚物，亦可為嵌段共聚物。氧化烯單元(U3)之具體例可舉例：氧乙烯基、氧丙烯基、氧丁烯基等。從材料製造容易度、材料穩定性等觀點來看，氧化烯單元(U3)宜為氧丙烯基(尤其是-CH2 CH(CH3 )O-)。
聚醚化合物(D)亦可含有矽原子，更可含有與矽原子鍵結的水解性基(h2)。水解性基(h2)例如可藉由水解反應及/或縮合反應而形成矽氧烷鍵。水解性基(h2)可舉例如：鹵素原子、烷氧基、醯氧基、烯氧基、胺甲醯基、胺基、胺氧基、酮肟基等。當水解性基(h2)具有碳原子時，其碳數例如為10以下，較佳為6以下，更佳為4以下。尤其是以碳數4以下的烷氧基或烯氧基為佳，且以甲氧基或乙氧基尤佳。聚醚化合物(D)中水解性基(h2)之含有率例如為14wt%以下，較佳為小於13wt%，更佳為小於10wt%。水解性基(h2)之含有率之下限值並無特殊限制，例如為2.0wt%，亦可為2.5wt%，也可以是3.0wt%。視情況之不同，水解性基(h2)之含有率亦可為2.0wt%以下。
與矽原子鍵結的水解性基(h2)例如位於聚醚化合物(D)之末端。作為一例，聚醚化合物(D)於至少一個末端具有下述式(7)所示反應性矽基(b)。 -SiR8 a M3-a (7)
式(7)中，R8 相互獨立，為可具有取代基之碳數1~20之一價有機基。R8 宜為直鏈狀或支鏈狀之碳數1~8之烷基、碳數1~8之氟烷基或苯基，更佳為碳數1~6之烷基，且以甲基尤佳。當聚醚化合物(D)中存在有複數個R8 時，複數個R8 可互為相同，亦可不同。M相互獨立，為羥基或水解性基(h2)。當聚醚化合物(D)中存在有複數個M時，複數個M可互為相同，亦可不同。a為0~2之整數。
聚醚化合物(D)例如於其末端具有每一分子至少1個的反應性矽基(b)。當聚醚化合物(D)為直鏈狀時，聚醚化合物(D)可於其末端具有1個或2個反應性矽基(b)，較佳為具有2個反應性矽基(b)。當聚醚化合物(D)為支鏈狀時，聚醚化合物(D)則於主鏈末端或側鏈末端具有至少1個反應性矽基(b)。反應性矽基(b)之數量可因應聚醚化合物(D)之末端數適當調整，較佳為2個以上，亦可為3個以上。
聚醚化合物(D)宜於其分子末端之至少一部分具有反應性矽基(b)，且於該分子中具有至少1個、較佳為1.1~5個、更佳為1.1~3個反應性矽基(b)。
反應性矽基(b)宜為下述式(8)所示烷氧基矽基(b1)或下述式(9)所示烷氧基矽基(b2)。 [化學式5]
Figure 02_image009
[化學式6]
Figure 02_image011
式(8)及式(9)中，R9 、R10 及R11 各自相互獨立，為碳數1~6之一價烴基，可舉例如：直鏈狀或支鏈狀之碳數1~6之烷基、直鏈狀或支鏈狀之碳數2~6之烯基、碳數5~6之環烷基、苯基等。式(8)及式(9)中的-OR9 、-OR10 及-OR11 之具體例可舉例：甲氧基、乙氧基、丙氧基、丙烯氧基、苯氧基等，較佳為甲氧基、乙氧基，尤其是以甲氧基為佳。
聚醚化合物(D)宜除了反應性矽基(b)外，主鏈實質上由聚醚骨架構成。不過，聚醚化合物(D)之主鏈亦可含有少量其他化學結構。其他化學結構可舉例如：源自用以形成氧化烯單元(U3)之引發劑的化學結構、及聚醚骨架與反應性矽基(b)之連結基等。聚醚化合物(D)中氧化烯單元(U3)之含有率宜為50重量%以上，更佳為80重量%以上。
聚醚化合物(D)例如以下述式(10)表示。 R12 a M3-a Si-X-Y-(AO)n -Z       (10)
式(10)中，R12 相互獨立，為可具有取代基之碳數1~20之一價有機基。M相互獨立，為羥基或水解性基(h2)。a為0~2之整數。AO為直鏈狀或支鏈狀之碳數1~10之氧化烯基。n表示氧化烯基之平均加成莫耳數，為1~1700。X為直鏈狀或支鏈狀之碳數1~20之伸烷基。Y為醚鍵、酯鍵、胺甲酸乙酯鍵或碳酸酯鍵。Z為氫原子、碳數1~10之一價烴基、下述式(11)所示基或下述式(12)所示基。 -Y1 -X-SiR12 a M3-a (11) -Q{-(OA)n -Y-X-SiR12 a M3-a }m (12)
式(11)中，R12 、M及X與式(10)相同。Y1 為單鍵、-CO-鍵、-CONH-鍵或-COO-鍵。式(12)中，R12 、M、X、Y及n與式(10)相同。OA與式(10)之AO相同。Q為二價以上碳數1~10之烴基。m為Q之烴基價數減1之值。
式(10)中的X為直鏈狀或支鏈狀之碳數1~20之伸烷基。伸烷基之碳數宜為2~10，更佳為3。
式(10)中的Y為聚醚骨架末端之氧化烯基與羥基反應所形成的鍵結，較佳為醚鍵或胺甲酸乙酯鍵，更佳為胺甲酸乙酯鍵。
Z例如源自在合成氧化烯聚合物時的引發劑，即羥基化合物，且前述氧化烯聚合物為製作式(10)所示聚醚化合物(D)時所使用。Z例如為氫原子或一價之碳數1~10之烴基。此時，式(10)所示聚醚化合物(D)於其末端具有1個反應性矽基(b)。當Z為氫原子時，相當於羥基化合物使用了與氧化烯聚合物相同的構造單元之情形。當Z為一價之碳數1~10之烴基時，則相當於使用了具有1個羥基的羥基化合物之情形。
另一方面，當Z以式(11)或式(12)表示時，聚醚化合物(D)於其末端具有複數個反應性矽基(b)。當Z以式(11)表示時，相當於羥基化合物使用了與氧化烯聚合物相同的構造單元之情形。當Z以式(12)表示時，則相當於使用了不同於氧化烯聚合物之構造單元且具有2個羥基的羥基化合物之情形。另，式(11)之Y1 與式(10)之Y相同，為聚醚骨架末端之氧化烯基與羥基反應所形成的鍵結。
從重工性之觀點來看，聚醚化合物(D)宜以下述式(13)、式(14)或式(15)表示。 Z0 -A2 -O-(A1 O)n -Z1 (13) Z0 -A2 -NHCOO-(A1 O)n -Z2 (14) Z3 -O-(A1 O)n -CH{-CH2 -(A1 O)n -Z3 }2 (15)
式(13)~(15)中，Z0 為式(8)或式(9)所示烷氧基矽基。A1 O為碳數2~6之氧化烯基，較佳為氧丙烯基。A1 O之氧化烯基可為直鏈狀，亦可為支鏈狀。n表示A1 O之平均加成莫耳數，為1~1700。式(13)及式(14)之A2 為碳數2~6之伸烷基，較佳為伸丙基。A2 之伸烷基可為直鏈狀，亦可為支鏈狀。式(13)之Z1 為氫原子或-A2 -Z0 。式(14)之Z2 為氫原子或-CONH-A2 -Z0 。式(15)之Z3 為氫原子或-A2 -Z0 ，且至少1個Z3 為-A2 -Z0 。
式(14)所示化合物例如宜為下述式(16)所示化合物。 [化學式7]
Figure 02_image013
式(16)中，R9 、R10 及R11 各自相互獨立，為碳數1~6之一價烴基。n表示氧丙烯基之平均加成莫耳數，為1~1700。Z21 為氫原子或下述式(17)所示三烷氧基矽基。 [化學式8]
Figure 02_image015
式(17)中，R9 、R10 及R11 與式(16)相同。
從重工性之觀點來看，聚醚化合物(D)之數量平均分子量宜為300~100000。數量平均分子量宜為500以上，進而為1000以上，進而為2000以上，進而為3000以上，進而為4000以上，進而為5000以上，並且宜為50000以下，進而為40000以下，進而為30000以下，進而為20000以下，進而為10000以下。上述式(10)~(16)之n(聚醚骨架中氧化烯基之平均加成莫耳數)例如可適當調整為聚醚化合物(D)之數量平均分子量在上述範圍內。當聚醚化合物(D)之數量平均分子量在1000以上時，上述n通常為10~1700。
聚醚化合物(D)之Mw(重量平均分子量)/Mn(數量平均分子量)宜為3.0以下，更佳為1.6以下，尤佳為1.5以下。為了製得Mw/Mn小的聚醚化合物(D)，宜利用以下方法：使用下述複合金屬氰化物錯合物作為催化劑，並於引發劑存在下，使環狀醚聚合而製得氧化烯聚合物，針對該氧化烯聚合物，令其末端改質而導入反應性矽基。
聚醚化合物(D)例如可依下述來製造：使用於分子末端具有官能基的氧化烯聚合物作為原料，並透過伸烷基等有機基，使反應性矽基鍵結於該分子末端。使用作為原料的氧化烯聚合物，宜為在催化劑及引發劑存在下使環狀醚開環聚合而製得於末端具有羥基的聚合物。
上述引發劑可使用具有每一分子1個以上之活性氫原子的化合物，例如具有每一分子1個以上之羥基的羥基化合物等。引發劑可舉例如：乙二醇、丙二醇、二丙二醇、丁二醇、六亞甲二醇、氫化雙酚A、新戊二醇、聚丁二烯二醇、二乙二醇、三乙二醇、聚乙二醇、烯丙醇、甲基烯丙醇、丙三醇、三羥甲基甲烷、三羥甲基丙烷、新戊四醇及該等之環氧烷加成物等羥基化合物等。引發劑可為1種或2種以上。
在引發劑存在下使環狀醚開環聚合時，可使用聚合催化劑。聚合催化劑例如可例示：氫氧化鉀、甲氧鉀等鉀化合物、氫氧化銫等銫化合物等鹼金屬化合物；複合金屬氰化物錯合物；金屬卟啉錯合物；具P=N鍵之化合物等。
聚醚化合物(D)中的聚醚骨架(聚氧化烯鏈)，宜由已藉由碳數2~6之環氧烷之開環聚合而形成的氧化烯單元所構成，更為理想的是由已藉由選自於由環氧乙烷、環氧丙烷及環氧丁烷所構成群組中至少1種以上環氧烷之開環聚合而形成的氧化烯單元所構成，尤其理想的是由已藉由環氧丙烷之開環聚合而形成的氧化烯單元所構成。當聚氧化烯鏈由2種以上的氧化烯單元構成時，2種以上的氧化烯單元之排列法可為塊狀，亦可為無規狀。
上述式(14)所示聚醚化合物(D)例如可依下述製得：針對具有聚氧化烯鏈與羥基的聚合物，使用具有反應性矽基(b)及異氰酸酯基的化合物進行胺甲酸乙酯化反應。式(14)所示聚醚化合物(D)亦可利用以下方法製得：於具有不飽和基的氧化烯聚合物、例如以烯丙醇作為引發劑使環氧烷聚合而製得烯丙基末端聚氧丙烯單醇的不飽和基上，加成氫矽烷或巰基矽烷而於分子末端導入反應性矽基(b)。
於在引發劑存在下使環狀醚開環聚合而製得羥基末端氧化烯聚合物的末端基導入反應性矽基(b)之方法並無特殊限制，通常宜為於末端基更透過有機基連結反應性矽基的下述(a)~(c)之方法。
(a)於具有羥基的氧化烯聚合物之末端導入不飽和基後，使反應性矽基(b)鍵結於該不飽和基的方法。 該方法更可例示以下2種方法(a-1)及(a-2)。 (a-1)在鉑化合物等催化劑存在下，使矽氫基化合物與上述不飽和基反應，使用所謂矽氫化反應的方法。 (a-2)使巰基矽烷化合物與不飽和基反應的方法。
(a-2)之巰基矽烷化合物可舉例如：3-巰丙基三甲氧基矽烷、3-巰丙基三乙氧基矽烷、3-巰丙基三異丙烯氧基矽烷、3-巰丙基甲基二甲氧基矽烷、3-巰丙基二甲基單甲氧基矽烷、3-巰丙基甲基二乙氧基矽烷等。
使不飽和基與巰基反應時，可使用被用作自由基聚合引發劑的自由基產生劑等化合物，亦可依照期望不使用自由基聚合引發劑而利用放射線或熱來進行反應。自由基聚合引發劑可舉例如過氧化物系、偶氮系及氧化還原系聚合引發劑以及金屬化合物催化劑等，具體而言，可舉例：2,2’-偶氮雙異丁腈、2,2’-偶氮雙-2-甲基丁腈、過氧化苯甲醯、過氧三級烷基酯、過氧化乙醯及過氧碳酸二異丙酯等。使用自由基聚合引發劑使不飽和基與巰基反應時的反應條件依照聚合引發劑之分解溫度(半衰期溫度)而有所不同，例如宜於20~200℃、較佳為50~150℃之反應溫度下，進行數小時~數十小時反應。
於氧化烯聚合物之末端導入不飽和基的方法可舉例以下方法：使反應劑與氧化烯聚合物反應，而該反應劑具有能利用醚鍵、酯鍵、胺甲酸乙酯鍵或碳酸酯鍵等與氧化烯聚合物之末端羥基連結的官能基以及不飽和基。亦可利用以下方法：在引發劑存在下令環狀醚聚合時，使烯丙基環氧丙基醚等含不飽和基之環氧化合物共聚合，藉此於氧化烯聚合物之末端之至少一部分導入不飽和基。
矽氫化反應宜於60~120℃之溫度下進行。一般而言，以數小時以內的反應時間矽氫化反應即可充分進行。
(b)使末端具有羥基的氧化烯聚合物與具有反應性矽基(b)的異氰酸酯矽烷化合物反應的方法。 異氰酸酯矽烷化合物可例示：1-異氰酸酯甲基三甲氧基矽烷、1-異氰酸酯甲基三乙氧基矽烷、1-異氰酸酯丙基三甲氧基矽烷、1-異氰酸酯丙基三乙氧基矽烷、3-異氰酸酯丙基三甲氧基矽烷、3-異氰酸酯丙基三乙氧基矽烷、1-異氰酸酯甲基甲基二甲氧基矽烷、1-異氰酸酯甲基二甲基單甲氧基矽烷、1-異氰酸酯甲基甲基二乙氧基矽烷、1-異氰酸酯丙基甲基二甲氧基矽烷、1-異氰酸酯丙基二甲基單甲氧基矽烷、1-異氰酸酯丙基甲基二乙氧基矽烷、3-異氰酸酯丙基甲基二甲氧基矽烷、3-異氰酸酯丙基二甲基單甲氧基矽烷及3-異氰酸酯丙基甲基二乙氧基矽烷等異氰酸酯矽烷系化合物。其中，更佳為3-異氰酸酯丙基三甲氧基矽烷、1-異氰酸酯甲基甲基二甲氧基矽烷，尤佳為3-異氰酸酯丙基三甲氧基矽烷。
氧化烯聚合物與異氰酸酯矽烷化合物之反應，宜設為異氰酸酯矽烷化合物之異氰酸酯基(NCO)相對於氧化烯聚合物之羥基(OH)之莫耳比為NCO/OH=0.80~1.05來進行。該方法之製造步驟數少，因此可大幅縮短步驟時間，而且於製造步驟途中附帶產生的不純物亦少，因此亦無需精製等煩雜之操作。更為理想的NCO基與OH基之莫耳比為NCO/OH=0.85~1.00。當NCO之比率低時，會產生殘存的OH基與反應性矽基之反應等，因而有儲存穩定性降低之情形。在此情形下，宜重新與異氰酸酯矽烷化合物或單異氰酸酯化合物反應，消耗過剩的OH基，藉此調整為預定矽化率。
使氧化烯聚合物之羥基與上述異氰酸酯矽烷化合物反應時，亦可使用公知胺甲酸乙酯化反應催化劑。依照胺甲酸乙酯化反應催化劑之有無使用及使用量之不同，反應溫度及反應完結前所需反應時間會不同，氧化烯聚合物與異氰酸酯矽烷化合物之反應例如宜於20~200℃、較佳為50~150℃之溫度下進行數小時。
(c)在異氰酸酯基過剩之條件下，使聚異氰酸酯化合物對分子末端具有羥基的氧化烯聚合物反應，製造出末端之至少一部分具有異氰酸酯基的氧化烯聚合物，再使具官能基之矽化合物對該異氰酸酯基反應的方法。 矽化合物之官能基為選自於由羥基、羧基、巰基、一級胺基及二級胺基所構成群組中至少1種含活性氫的基。矽化合物可例示：N-苯基-3-胺丙基三甲氧基矽烷、3-胺丙基三甲氧基矽烷、3-胺丙基三乙氧基矽烷、N-苯基-3-胺丙基甲基二甲氧基矽烷、3-胺丙基甲基二甲氧基矽烷、3-胺丙基甲基二乙氧基矽烷等胺基矽烷系化合物；3-巰丙基三甲氧基矽烷、3-巰丙基甲基二甲氧基矽烷等巰基矽烷系化合物。使氧化烯聚合物與上述矽化合物反應時，亦可使用公知胺甲酸乙酯化反應催化劑。依照胺甲酸乙酯化反應催化劑之有無使用及使用量之不同，反應溫度及反應完結前所需反應時間會不同，上述反應例如宜於20~200℃、較佳為50~150℃之溫度下進行數小時反應。
聚醚化合物(D)之具體例可舉例：鐘化(KANEKA)公司製之MS聚合物S203、S303、S810；SILYL EST250、EST280；SAT10、SAT200、SAT220、SAT350、SAT400、旭硝子公司製之EXCESTAR S2410、S2420、S3430等。
黏著劑組成物中聚醚化合物(D)之含量相對於基礎聚合物100重量份宜為0.001~20重量份。藉由令該含量在0.001重量份以上，會有黏著劑層1之重工性充分提升之傾向。聚醚化合物(D)之含量宜為0.01重量份以上，且更宜為0.02重量份以上，進而為0.1重量份以上，進而為0.5重量份以上。當聚醚化合物(D)之含量在20重量份以下時，黏著劑層1具有充分之耐濕性，在可靠性試驗等中不易產生剝落。聚醚化合物(D)之含量宜為10重量份以下，且更宜為5重量份以下，進而為3重量份以下。聚醚化合物(D)之含量亦可為1重量份以下，進而為0.5重量份以下。
＜黏著劑＞ 黏著劑組成物中所含黏著劑可舉例如：橡膠系黏著劑、丙烯酸系黏著劑、聚矽氧系黏著劑、胺甲酸乙酯系黏著劑、乙烯基烷基醚系黏著劑、聚乙烯基吡咯啶酮系黏著劑、聚丙烯醯胺系黏著劑、纖維素系黏著劑等。從光學透明性優異、具有適度潤濕性、凝集性、接著性等黏著特性而且耐候性、耐熱性等優異之觀點來看，黏著劑宜為丙烯酸系黏著劑。
含有丙烯酸系黏著劑的黏著劑組成物含有(甲基)丙烯酸系聚合物(A)作為基礎聚合物。(甲基)丙烯酸系聚合物(A)例如含有源自(甲基)丙烯酸烷基酯的結構單元作為主成分。
＜(甲基)丙烯酸系聚合物(A)＞ 用以形成(甲基)丙烯酸系聚合物(A)之主骨架的(甲基)丙烯酸烷基酯中所含烷基之碳數並無特殊限制，例如為1~18。該烷基可為直鏈狀，亦可為支鏈狀，也可以是環狀。烷基可舉例如：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、戊基、己基、環己基、庚基、2-乙基己基、異辛基、壬基、癸基、異癸基、十二基、異肉豆蔻基、月桂基、十三基、十五基、十六基、十七基、十八基等。(甲基)丙烯酸烷基酯可單獨或組合使用。烷基之平均碳數宜為3~9。
構成(甲基)丙烯酸系聚合物(A)的單體，除了(甲基)丙烯酸烷基酯外，還可舉例選自於由含芳香環之(甲基)丙烯酸酯、含醯胺基之單體、含羧基之單體及含羥基之單體所構成群組中1種以上的共聚單體。共聚單體可單獨或組合使用。(甲基)丙烯酸系聚合物(A)宜具有起因於含羧基之單體等共聚單體的酸基。具酸基之(甲基)丙烯酸系聚合物(A)適於維持預熱後黏著劑層1之重工性。
含芳香環之(甲基)丙烯酸酯是在其結構中含有芳香環結構且含有(甲基)丙烯醯基的化合物。芳香環可舉例如：苯環、萘環、聯苯環等。含芳香環之(甲基)丙烯酸酯具有調整因偏光薄膜2等光學薄膜之收縮使得應力施加於黏著劑層1時產生的相位差之效果，可抑制因光學薄膜之收縮而產生的漏光。
含芳香環之(甲基)丙烯酸酯可舉例如：(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸苯酯、鄰苯基苯酚(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸苯氧酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸苯氧基丙酯、苯氧基二乙二醇(甲基)丙烯酸酯、環氧乙烷改質壬基酚(甲基)丙烯酸酯、環氧乙烷改質甲酚(甲基)丙烯酸酯、苯酚環氧乙烷改質(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸2-羥-3-苯氧基丙酯、(甲基)丙烯酸甲氧基苄酯、(甲基)丙烯酸氯苄酯、(甲基)丙烯酸甲苯酯、聚苯乙烯(甲基)丙烯酸酯等具有苯環者；羥乙基化β-萘酚丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸2-萘基乙酯、丙烯酸2-萘氧基乙酯、(甲基)丙烯酸2-(4-甲氧基-1-萘氧基)乙酯等具有萘環者；(甲基)丙烯酸聯苯酯等具有聯苯環者等。該等之中，從提升黏著劑層1之黏著特性或耐久性之觀點來看，又以(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯為佳。
含醯胺基之單體是在其結構中含有醯胺基且含有(甲基)丙烯醯基、乙烯基等聚合性不飽和雙鍵的化合物。含醯胺基之單體可舉例如：(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N,N-二乙基(甲基)丙烯醯胺、N-異丙基丙烯醯胺、N-甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丁基(甲基)丙烯醯胺、N-己基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲-N-丙烷(甲基)丙烯醯胺、胺甲基(甲基)丙烯醯胺、胺乙基(甲基)丙烯醯胺、巰甲基(甲基)丙烯醯胺、巰乙基(甲基)丙烯醯胺等丙烯醯胺系單體；N-(甲基)丙烯醯基𠰌啉、N-(甲基)丙烯醯基哌啶、N-(甲基)丙烯醯基吡咯啶等N-丙烯醯基雜環單體；N-乙烯基吡咯啶酮、N-乙烯基-ε-己內醯胺等含N-乙烯基之內醯胺系單體等。該等之中，從提升黏著劑層1對導電層之耐久性之觀點來看，又以含N-乙烯基之內醯胺系單體為佳。
含羧基之單體是在其結構中含有羧基且含有(甲基)丙烯醯基、乙烯基等聚合性不飽和雙鍵的化合物。含羧基之單體可舉例如：(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、伊康酸、馬來酸、延胡索酸、巴豆酸等。該等之中，從共聚性、價格及提升黏著劑層1之黏著特性之觀點來看，又以丙烯酸為佳。
含羥基之單體是在其結構中含有羥基且含有(甲基)丙烯醯基、乙烯基等聚合性不飽和雙鍵的化合物。含羥基之單體可舉例如：(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸3-羥丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥己酯、(甲基)丙烯酸8-羥辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥月桂酯等(甲基)丙烯酸羥烷基酯；(4-羥甲基環己基)-甲基丙烯酸酯等。該等之中，從提升黏著劑層1之耐久性之觀點來看，又以(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯為佳，更佳為(甲基)丙烯酸4-羥丁酯。
共聚單體會成為與交聯劑之反應點。含羧基之單體及含羥基之單體富含與分子間交聯劑之反應性，因此宜用來提升黏著劑層1之凝集性或耐熱性。含羧基之單體在兼顧耐久性與重工性方面較佳，含羥基之單體則在提升重工性方面較佳。
從提升黏著劑層1之接著性之觀點來看，(甲基)丙烯酸烷基酯相對於形成(甲基)丙烯酸系聚合物(A)之總單體成分之比率宜為50重量%以上。
當使用含芳香環之(甲基)丙烯酸酯作為單體成分時，從提升黏著劑層1之耐久性之觀點來看，含芳香環之(甲基)丙烯酸酯相對於形成(甲基)丙烯酸系聚合物(A)之總單體成分之比率宜為3~25重量%，較佳為22重量%以下，更佳為20重量%以下。該比率更宜為8重量%以上，且以12重量%以上更佳。藉由將含芳香環之(甲基)丙烯酸酯之共聚合率調整為上述範圍內，可抑制因光學薄膜之收縮所導致的漏光，而有能提升黏著劑層1之重工性之傾向。
當使用含羥基之單體作為單體成分時，從提升黏著劑層1之黏著特性、耐久性之觀點來看，含羥基之單體相對於形成(甲基)丙烯酸系聚合物(A)之總單體成分之比率宜為0.01~10重量%，較佳為5重量%以下，更佳為2重量%以下，尤佳為1重量%以下。該比率更宜為0.03重量%以上，且以0.05重量%以上更佳。藉由將含羥基之單體之共聚合率調整為上述範圍內，黏著劑層1中可使黏著劑充分交聯，並且抑制黏著劑變硬，從而有能提升黏著劑層1之耐久性之傾向。
單體成分除了(甲基)丙烯酸烷基酯及上述共聚單體外，以改善黏著劑層1之接著性、耐熱性為目的，還可使用具有含(甲基)丙烯醯基或乙烯基等不飽和雙鍵之聚合性官能基的其他共聚單體。其他共聚單體可單獨或組合使用。
其他共聚單體可舉例如：馬來酸酐、伊康酸酐等含酸酐基之單體；丙烯酸之己內酯加成物；烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯等含磺酸基之單體；2-羥乙基丙烯醯基磷酸酯等含磷酸基之單體；(甲基)丙烯酸胺乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基胺乙酯、(甲基)丙烯酸三級丁基胺乙酯等(甲基)丙烯酸烷基胺基烷基酯；(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯；N-(甲基)丙烯醯基氧基亞甲基琥珀醯亞胺、N-(甲基)丙烯醯基-6-氧基六亞甲基琥珀醯亞胺、N-(甲基)丙烯醯基-8-氧基伸辛基琥珀醯亞胺等琥珀醯亞胺系單體；N-環己基馬來醯亞胺、N-異丙基馬來醯亞胺、N-月桂基馬來醯亞胺、N-苯基馬來醯亞胺等馬來醯亞胺系單體；N-甲基伊康醯亞胺、N-乙基伊康醯亞胺、N-丁基伊康醯亞胺、N-辛基伊康醯亞胺、N-2-乙基己基伊康醯亞胺、N-環己基伊康醯亞胺、N-月桂基伊康醯亞胺等伊康醯亞胺系單體；乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等乙烯基系單體；丙烯腈、甲基丙烯腈等氰基丙烯酸酯系單體；(甲基)丙烯酸環氧丙酯等含環氧基之(甲基)丙烯酸酯；聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基乙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯等二醇系(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸四氫糠酯、氟(甲基)丙烯酸酯、聚矽氧(甲基)丙烯酸酯、丙烯酸2-甲氧基乙酯等(甲基)丙烯酸酯單體；3-丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、4-乙烯基丁基三甲氧基矽烷、4-乙烯基丁基三乙氧基矽烷、8-乙烯基辛基三甲氧基矽烷、8-乙烯基辛基三乙氧基矽烷、10-甲基丙烯醯基氧基癸基三甲氧基矽烷、10-丙烯醯基氧基癸基三甲氧基矽烷、10-甲基丙烯醯基氧基癸基三乙氧基矽烷、10-丙烯醯基氧基癸基三乙氧基矽烷等含矽原子之矽烷系單體等。
再者，其他共聚單體可舉例如：三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、雙酚A二環氧丙基醚二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、己內酯改質二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等具有2個以上不飽和雙鍵的多官能性單體。
當使用其他共聚單體作為單體成分時，其他共聚單體相對於形成(甲基)丙烯酸系聚合物(A)之總單體成分之比率宜為10重量%以下，較佳為7重量%以下，更佳為5重量%以下。
＜(甲基)丙烯酸系聚合物(A)之製造方法＞ (甲基)丙烯酸系聚合物(A)可利用溶液聚合、電子射線或UV等放射線聚合、塊狀聚合、乳化聚合等各種自由基聚合等公知聚合方法來製作。所製得(甲基)丙烯酸系聚合物(A)可為無規共聚物、嵌段共聚物、接枝共聚物等中任一者。
溶液聚合中，聚合溶劑例如可使用乙酸乙酯、甲苯等。溶液聚合例如於氮氣等惰性氣體氣流下加入聚合引發劑，通常在50~70℃左右且5~30小時左右之反應條件下進行。
用於自由基聚合的聚合引發劑、鏈轉移劑、乳化劑等並無特殊限制，可適當選用。(甲基)丙烯酸系聚合物(A)之重量平均分子量可藉由聚合引發劑、鏈轉移劑之使用量、反應條件等進行控制。因此，聚合引發劑及鏈轉移劑可因應其組成適當調整其使用量。
聚合引發劑可舉例如：2,2’-偶氮雙異丁腈、2,2’-偶氮雙(2-甲脒基丙烷)二鹽酸鹽、2,2’-偶氮雙[2-(5-甲-2-咪唑啉-2-基)丙烷]二鹽酸鹽、2,2’-偶氮雙(2-甲基丙脒)二硫酸鹽、2,2’-偶氮雙(N,N’-二亞甲基異丁基脒)、2,2’-偶氮雙[N-(2-羧乙基)-2-甲基丙脒]水合物(和光純藥公司製，VA-057)等偶氮系引發劑；過硫酸鉀、過硫酸銨等過硫酸鹽；過氧二碳酸二(2-乙基己)酯、過氧二碳酸二(4-三級丁基環己)酯、過氧二碳酸二-二級丁酯、過氧新癸酸三級丁酯、過氧三甲基乙酸三級己酯、過氧三甲基乙酸三級丁酯、過氧化二月桂醯、過氧化二正辛醯、過氧-2-乙己酸1,1,3,3-四甲基丁酯、過氧化二(4-甲基苯甲醯)、過氧化二苯甲醯、過氧異丁酸三級丁酯、1,1-二(三級己過氧)環己烷、氫過氧化三級丁基、過氧化氫等過氧化物系引發劑；過硫酸鹽與亞硫酸氫鈉之組合、過氧化物與抗壞血酸鈉之組合等組合有過氧化物與還原劑的氧化還原系引發劑等，惟不限於該等。
聚合引發劑可單獨或組合使用，整體使用量相對於單體成分100重量份宜為0.005~1重量份左右，更佳為0.01~0.5重量份左右。
鏈轉移劑可舉例如：月桂硫醇、環氧丙硫醇、巰乙酸、2-巰乙醇、硫乙醇酸、硫乙醇酸2-乙基己酯、2,3-二巰-1-丙醇等。鏈轉移劑可單獨使用，亦可混用2種以上，整體使用量相對於單體成分100重量份在0.1重量份左右以下。
用於乳化聚合時的乳化劑可舉例如：月桂硫酸鈉、月桂硫酸銨、十二基苯磺酸鈉、聚氧乙烯烷基醚硫酸銨、聚氧乙烯烷基苯基醚硫酸鈉等陰離子系乳化劑；聚氧乙烯烷基醚、聚氧乙烯烷基苯基醚、聚氧乙烯脂肪酸酯、聚氧乙烯-聚氧丙烯嵌段聚合物等非離子系乳化劑等。乳化劑可單獨或組合使用。
具反應性之乳化劑可舉例已導入丙烯基、烯丙醚基等自由基聚合性官能基的乳化劑。該乳化劑之具體例包括：AQUALON HS-10、HS-20、KH-10、BC-05、BC-10、BC-20(以上皆為第一工業製藥公司製)、ADEKA REASOAP SE10N(艾迪科(ADEKA)公司製)等。具反應性之乳化劑於聚合後會攝入聚合物鏈，並且提升耐水性，因此較為理想。乳化劑之使用量相對於單體成分之總量100重量份宜為0.3~5重量份，從聚合穩定性或機械穩定性來看，更宜為0.5~1重量份。
放射線聚合是藉由對單體成分照射電子射線、UV等放射線而進行聚合，並製造(甲基)丙烯酸系聚合物(A)。當利用電子射線進行放射線聚合時，毋須特別使單體成分含有光聚合引發劑。當利用UV進行放射線聚合時，出於可縮短聚合時間之優點等，可使單體成分含有光聚合引發劑。光聚合引發劑可單獨或組合使用。
光聚合引發劑只要能夠引發光聚合，即無特殊限制，可使用通常所使用的光聚合引發劑。光聚合引發劑例如可使用苯偶姻醚系、苯乙酮系、α-酮醇系、光活性肟系、苯偶姻系、二苯乙二酮系、二苯基酮系、縮酮系、9-氧硫𠮿
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(thioxanthone)系等。光聚合引發劑之使用量相對於單體成分100重量份為0.05~1.5重量份，較佳為0.1~1重量份。光聚合引發劑可單獨或組合使用。
(甲基)丙烯酸系聚合物(A)之重量平均分子量通常為100萬~250萬。若考慮耐久性、尤其是耐熱性，則(甲基)丙烯酸系聚合物(A)之重量平均分子量宜為120萬~200萬。重量平均分子量在100萬以上，從耐熱性方面來看是較為理想的。若重量平均分子量在250萬以下，則黏著劑不易變硬而有不易產生剝落之傾向。意指分子量分佈的重量平均分子量(Mw)/數量平均分子量(Mn)宜為1.8~10，較佳為1.8~7，更佳為1.8~5。分子量分佈(Mw/Mn)在10以下，從耐久性方面來看是較為理想的。重量平均分子量、分子量分佈(Mw/Mn)是利用GPC(凝膠滲透層析術)來測定，從已依照聚苯乙烯換算而算出的值求得。
＜矽烷耦合劑＞ 黏著劑組成物除了化合物(C)及聚醚化合物(D)外，更可含有矽烷耦合劑(E)。矽烷耦合劑(E)例如可具有酸基及酸酐基以外的反應性官能基。反應性官能基例如宜為選自於由環氧基、胺基、異氰酸酯基、三聚異氰酸酯基、乙烯基、苯乙烯基、乙醯乙醯基、脲基、硫脲基、(甲基)丙烯醯基及雜環基所構成群組中之至少1種。矽烷耦合劑(E)可單獨或組合使用。
矽烷耦合劑(E)可舉例如：3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷等含環氧基之矽烷耦合劑；3-胺丙基三甲氧基矽烷、N-2-(胺乙基)-3-胺丙基甲基二甲氧基矽烷、3-三乙氧基矽基-N-(1,3-二甲基亞丁基)丙胺、N-苯基-γ-胺丙基三甲氧基矽烷等含胺基之矽烷耦合劑；3-異氰酸酯丙基三乙氧基矽烷等含異氰酸酯基之矽烷耦合劑；乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷等含乙烯基之矽烷耦合劑；對苯乙烯基三甲氧基矽烷等含苯乙烯基之矽烷耦合劑；3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷等含(甲基)丙烯醯基之矽烷耦合劑等。該等之中，又以含環氧基之矽烷耦合劑為佳。
矽烷耦合劑(E)亦可使用於分子內具有複數個烷氧基矽基的矽烷耦合劑(低聚物型矽烷耦合劑)。低聚物型矽烷耦合劑之具體例可舉例：信越化學公司製含環氧基之低聚物型矽烷耦合劑，商品名「X-41-1053」、「X-41-1059A」、「X-41-1056」、「X-40-2651」等。低聚物型矽烷耦合劑不易揮發，而且具有複數個烷氧基矽基，因此可有效提升黏著劑層1之耐久性，故而較佳。
當黏著劑組成物含有矽烷耦合劑(E)時，黏著劑組成物中矽烷耦合劑(E)之含量相對於基礎聚合物100重量份宜為0.001~5重量份，較佳為1重量份以下，更佳為0.6重量份以下。矽烷耦合劑(E)之含量相對於基礎聚合物100重量份更宜為0.01重量份以上，且以0.05重量份以上更佳，以0.1重量份以上尤佳。藉由適度調節矽烷耦合劑(E)之含量，而有能提升黏著劑層1之耐久性之傾向。
當黏著劑組成物含有矽烷耦合劑(E)時，從提升黏著劑層1之耐久性之觀點來看，化合物(C)與矽烷耦合劑(E)之重量比(化合物(C)/矽烷耦合劑(E))宜為0.1以上，較佳為0.5以上，更佳為1以上，而且宜為50以下，較佳為15以下，更佳為5以下。
＜交聯劑＞ 黏著劑組成物更可含有交聯劑。交聯劑可使用有機系交聯劑、多官能性金屬螯合物等。有機系交聯劑可舉例如：異氰酸酯系交聯劑、過氧化物系交聯劑、環氧系交聯劑、亞胺系交聯劑等。多官能性金屬螯合物為多價金屬原子與有機化合物共價鍵結或配位鍵結之物。多價金屬原子可舉例：Al、Cr、Zr、Co、Cu、Fe、Ni、V、Zn、In、Ca、Mg、Mn、Y、Ce、Sr、Ba、Mo、La、Sn、Ti等。共價鍵結或配位鍵結的有機化合物例如含有氧原子等，較佳可舉例烷基酯、醇化合物、羧酸化合物、醚化合物、酮化合物等。交聯劑可單獨或組合使用。
交聯劑宜為異氰酸酯系交聯劑及/或過氧化物系交聯劑，更佳為併用異氰酸酯系交聯劑與過氧化物系交聯劑。
異氰酸酯系交聯劑可使用具有至少2個異氰酸酯基(包含已利用封端劑或多聚物化等暫時保護異氰酸酯的異氰酸酯再生型官能基)的化合物。譬如，可使用一般用於胺甲酸乙酯化反應的公知脂肪族聚異氰酸酯、脂環族聚異氰酸酯、芳香族聚異氰酸酯等。
脂肪族聚異氰酸酯可舉例如：三亞甲基二異氰酸酯、四亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、五亞甲基二異氰酸酯、1,2-伸丙基二異氰酸酯、1,3-伸丁基二異氰酸酯、十二亞甲基二異氰酸酯、2,4,4-三甲基六亞甲基二異氰酸酯等。
脂環族異氰酸酯可舉例如：1,3-環戊烯二異氰酸酯、1,3-環己烷二異氰酸酯、1,4-環己烷二異氰酸酯、異佛酮二異氰酸酯、加氫二苯甲烷二異氰酸酯、加氫伸茬基二異氰酸酯、加氫二異氰酸甲苯酯、加氫四甲基伸茬基二異氰酸酯等。
芳香族二異氰酸酯可舉例如：二異氰酸伸苯酯、2,4-二異氰酸甲苯酯、2,6-二異氰酸甲苯酯、2,2’-二苯甲烷二異氰酸酯、4,4’-二苯甲烷二異氰酸酯、4,4’-甲苯胺二異氰酸酯、4,4’-二苯基醚二異氰酸酯、4,4’-二苯基二異氰酸酯、1,5-萘二異氰酸酯、伸茬基二異氰酸酯等。
異氰酸酯系交聯劑可舉例：上述二異氰酸酯之多聚物(二聚物、三聚物、五聚物等)、與三羥甲基丙烷等多元醇反應的胺甲酸乙酯改質物、脲改質物、縮二脲改質物、脲甲酸酯改質物、三聚異氰酸酯改質物、碳二亞胺改質物等。
異氰酸酯系交聯劑之市售品可舉例如：東曹(TOSOH)公司製之商品名「Millionate MT」、「Millionate MTL」、「Millionate MR-200」、「Millionate MR-400」、「Coronate L」、「Coronate HL」、「Coronate HX」、三井化學公司製之商品名「TAKENATE D-110N」、「TAKENATE D-120N」、「TAKENATE D-140N」、「TAKENATE D-160N」、「TAKENATE D-165N」、「TAKENATE D-170HN」、「TAKENATE D-178N」、「TAKENATE500」、「TAKENATE600」等。
異氰酸酯系交聯劑宜為芳香族聚異氰酸酯及其改質物的芳香族聚異氰酸酯系化合物、脂肪族聚異氰酸酯及其改質物的脂肪族聚異氰酸酯系化合物。芳香族聚異氰酸酯系化合物之交聯速度與適用期之平衡佳而適合使用。芳香族聚異氰酸酯系化合物尤其是以二異氰酸甲苯酯及其改質物為佳。
作為過氧化物，只要是經加熱或光照射會產生自由基活性種而使黏著劑組成物之基礎聚合物(例如(甲基)丙烯酸系聚合物(A))進行交聯者，即可適當使用，惟考慮到作業性或穩定性，宜使用1分鐘半衰期溫度為80℃~160℃的過氧化物，更佳為使用90℃~140℃的過氧化物。
過氧化物可舉例如：過氧二碳酸二(2-乙基己)酯(1分鐘半衰期溫度：90.6℃)、過氧二碳酸二(4-三級丁基環己)酯(1分鐘半衰期溫度：92.1℃)、過氧二碳酸二-二級丁酯(1分鐘半衰期溫度：92.4℃)、過氧新癸酸三級丁酯(1分鐘半衰期溫度：103.5℃)、過氧三甲基乙酸三級己酯(1分鐘半衰期溫度：109.1℃)、過氧三甲基乙酸三級丁酯(1分鐘半衰期溫度：110.3℃)、過氧化二月桂醯(1分鐘半衰期溫度：116.4℃)、過氧化二正辛醯(1分鐘半衰期溫度：117.4℃)、過氧-2-乙己酸1,1,3,3-四甲基丁酯(1分鐘半衰期溫度：124.3℃)、過氧化二(4-甲基苯甲醯)(1分鐘半衰期溫度：128.2℃)、過氧化二苯甲醯(1分鐘半衰期溫度：130.0℃)、過氧異丁酸三級丁酯(1分鐘半衰期溫度：136.1℃)、1,1-二(三級己過氧)環己烷(1分鐘半衰期溫度：149.2℃)等。其中，尤其是從交聯反應效率優異來看，可舉例過氧二碳酸二(4-三級丁基環己)酯(1分鐘半衰期溫度：92.1℃)、過氧化二月桂醯(1分鐘半衰期溫度：116.4℃)、過氧化二苯甲醯(1分鐘半衰期溫度：130.0℃)等。
過氧化物之半衰期是表示過氧化物分解速度的指標，意指過氧化物之殘存量變成一半為止的時間。有關用以於任意時間內達到半衰期的分解溫度、或是於任意溫度下的半衰期時間，係記載於製造商型錄等，例如記載於日本油脂公司之「有機過氧化物型錄第9版(2003年5月)」等。
當黏著劑組成物中摻合有交聯劑時，交聯劑之摻合量相對於基礎聚合物100重量份宜為0.01~3重量份，較佳為0.02~2重量份，更佳為0.03~1重量份。當交聯劑之摻合量在0.01重量份以上時，黏著劑層1會充分交聯而有耐久性或黏著特性提升之傾向。另一方面，當交聯劑之摻合量在3重量份以下時，黏著劑層1會變硬而有能抑制耐久性降低之傾向。
當黏著劑組成物中摻合有異氰酸酯系交聯劑時，異氰酸酯系交聯劑之摻合量相對於基礎聚合物100重量份宜為0.01~2重量份，較佳為0.02~2重量份，更佳為0.05~1.5重量份。當異氰酸酯系交聯劑之摻合量在上述範圍內時，黏著劑層1之凝集力會提升而有抑制在耐久性試驗中剝離之傾向。
當黏著劑組成物中摻合有過氧化物時，過氧化物之摻合量相對於基礎聚合物100重量份宜為0.01~2重量份，較佳為0.04~1.5重量份，更佳為0.05~1重量份。當過氧化物之摻合量在上述範圍內時，可輕易地調整黏著劑層1之加工性、交聯穩定性等。
＜其他成分＞ 黏著劑組成物更可含有離子性化合物。離子性化合物並無特殊限制，可適當使用本領域中所用之物。離子性化合物可舉例如日本特開2015-4861號公報中記載之物，其等之中又以(全氟烷基磺醯基)醯亞胺鋰鹽為佳，更佳為雙(三氟甲磺醯基醯亞胺)鋰。離子性化合物之摻合量並無特殊限制，可設定在無損本發明效果的範圍內，譬如，相對於基礎聚合物100重量份，宜為10重量份以下，較佳為5重量份以下，更佳為3重量份以下，尤佳為1重量份以下。
黏著劑組成物亦可含有其他公知添加劑，例如可因應使用用途適當添加著色劑、顏料等粉體、染料、界面活性劑、塑化劑、賦黏劑、表面潤滑劑、調平劑、軟化劑、抗氧化劑、抗老化劑、光穩定劑、紫外線吸收劑、聚合抑制劑、無機或有機填充劑、金屬粉、粒子狀、箔狀物等。再者，亦可在可控制之範圍內，採用已加入還原劑的氧化還原系。該等添加劑宜相對於基礎聚合物100重量份，在5重量份以下、進而為3重量份以下、進而為1重量份以下之範圍內使用。
＜黏著劑層之製造方法＞ 由黏著劑組成物形成黏著劑層1時，宜調整交聯劑整體相對於黏著劑組成物的添加量，同時充分考慮交聯處理溫度或交聯處理時間之影響。
依照使用的交聯劑之不同，交聯處理溫度或交聯處理時間可適當調整。交聯處理溫度宜為170℃以下。所述交聯處理可於黏著劑層1乾燥步驟時的溫度下進行，亦可於乾燥步驟後另外設置交聯處理步驟來進行。有關交聯處理時間，可以考慮生產性或作業性進行設定，通常為0.2~20分鐘左右，較佳為0.5~10分鐘左右。
黏著劑層1之形成方法並無特殊限制，可為以下方法：於各種基材上塗佈黏著劑組成物，並利用熱烘箱等乾燥器進行乾燥使溶劑等揮發，視需要施行交聯處理而形成黏著劑層1，並將該黏著劑層1轉印至偏光薄膜2上；亦可為於偏光薄膜2上直接塗佈黏著劑組成物而形成黏著劑層1的方法。
基材並無特殊限制，可舉例如脫模薄膜、透明樹脂薄膜基材等各種基材。
對基材或偏光薄膜2塗佈黏著劑組成物的方法可使用各種方法。具體而言，可舉例如：噴注式塗佈機、輥塗、接觸輥塗佈、凹版塗佈、反向塗佈、輥刷、噴塗、浸漬輥塗佈、棒塗、刮刀塗佈、氣刀塗佈、簾塗、模唇塗佈、利用模具塗佈機等的擠出塗佈法等方法。
上述乾燥條件(溫度、時間)並無特殊限制，可依照黏著劑組成物之組成、濃度等適當設定，例如為80~170℃左右、較佳為90~200℃，且為1~60分鐘、較佳為2~30分鐘。乾燥後可以視需要施行交聯處理，其條件如上述。
黏著劑層1之厚度(乾燥後)例如宜為5~100μm，較佳為7~70μm，更佳為10~50μm。若黏著劑層1之厚度在5μm以上，對被黏著體的密著性會提升而有於加濕條件下具有充分耐久性之傾向。另一方面，當黏著劑層之厚度在100μm以下時，於形成黏著劑層1時的黏著劑組成物乾燥時可充分乾燥，能抑制氣泡殘存或者黏著劑層1產生厚度不均，而有不易產生外觀上的問題之傾向。
脫模薄膜之構成材料可舉例如：聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚酯薄膜等樹脂薄膜、紙、布、不織布等多孔質材料、網狀物、發泡片、金屬箔及該等之積層體等。從表面平滑性優異之觀點來看，脫模薄膜適合使用樹脂薄膜。樹脂薄膜可舉例如：聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜、聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、聚對苯二甲酸丁二酯薄膜、聚胺甲酸乙酯薄膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物薄膜等。
脫模薄膜之厚度通常為5~200μm，較佳為5~100μm左右。視需要，亦可對脫模薄膜施行利用聚矽氧系、氟系、長鏈烷基系、脂肪酸醯胺系等脫模劑、矽粉等來進行的脫模處理及防汙處理、或是塗佈型、捏合型、蒸鍍型等抗靜電處理。尤其是藉由對脫模薄膜之表面適當施行聚矽氧處理、長鏈烷基處理、氟處理等剝離處理，可進一步提高自黏著劑層1剝離的剝離性。
透明樹脂薄膜基材並無特殊限制，可使用具有透明性的各種樹脂薄膜。該樹脂薄膜由1層薄膜所形成。譬如，其材料可舉例：聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯系樹脂、乙酸酯系樹脂、聚醚碸系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚烯烴系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、聚氯乙烯系樹脂、聚二氯亞乙烯系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、聚乙烯醇系樹脂、聚芳酯系樹脂、聚伸苯硫醚系樹脂等。該等之中尤其理想的是聚酯系樹脂、聚醯亞胺系樹脂及聚醚碸系樹脂。薄膜基材之厚度宜為15~200μm。
[偏光薄膜] 偏光薄膜2是含有偏光件及透明保護薄膜的積層體。透明保護薄膜例如與層狀偏光件之主面(具有最大面積的表面)相接而配置。偏光件亦可配置於2個透明保護薄膜間。
偏光件並無特殊限制，可使用各種偏光件。偏光件可舉例如：使聚乙烯醇系薄膜、部分縮甲醛化聚乙烯醇系薄膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物系部分皂化薄膜等親水性高分子薄膜吸附碘或二色性染料之二色性物質並且經單軸延伸者；聚乙烯醇之脫水處理物、聚氯乙烯之脫鹽酸處理物等多烯系定向薄膜等。該等之中，又以由聚乙烯醇系薄膜與碘等二色性物質構成的偏光件為佳，更佳為含有碘及/或碘離子的碘系偏光件。偏光件之厚度並無特殊限制，一般為5~80μm左右。
若為聚乙烯醇系薄膜，於高溫環境下，聚乙烯醇因脫水反應而多烯化，從而有薄膜之光學特性降低之情形。多烯化在偏光薄膜2之水分量多時會有明顯發生之傾向。因此，當偏光件使用聚乙烯醇系薄膜時，用以事先減少偏光薄膜2之水分量的預熱尤其重要。
將聚乙烯醇系薄膜用碘染色並經單軸延伸的偏光件例如可依下述來製作：藉由將聚乙烯醇浸漬於碘水溶液中而進行染色，並延伸成原長的3~7倍。視需要，亦可將聚乙烯醇浸漬於含有硼酸、硫酸鋅、氯化鋅等的碘化鉀等水溶液中。更可視需要在染色前將聚乙烯醇系薄膜浸漬於水中進行水洗。藉由水洗聚乙烯醇系薄膜，可洗淨聚乙烯醇系薄膜表面的汙垢或抗結塊劑，除此之外，也有使聚乙烯醇系薄膜膨潤從而抑制染色不均等的產生之效果。聚乙烯醇系薄膜之延伸可於用碘染色後進行，亦可一邊染色一邊進行，也可以在用碘染色之前進行。延伸可於硼酸、碘化鉀等水溶液或水浴中進行。
偏光件亦可使用厚度在10μm以下的薄型偏光件。就薄型化之觀點而言，偏光件之厚度宜為1~7μm。此種薄型偏光件之厚度不均少、視辨性優異而且尺寸變化少，因此耐久性優異，再者，在謀求偏光薄膜2之薄型化方面較為理想。
薄型偏光件代表上可舉例：日本特開昭51-069644號公報、日本特開2000-338329號公報、國際公開第2010/100917號、日本專利第4751481號公報、日本特開2012-073563號公報中記載的薄型偏光膜。該等薄型偏光膜可藉由包含以下步驟的製法製得：將聚乙烯醇系樹脂(以下，亦稱作PVA系樹脂)層與延伸用樹脂基材以積層體狀態進行延伸的步驟；及染色步驟。若為該製法，由於PVA系樹脂層受到延伸用樹脂基材支持，因此，即使PVA系樹脂層較薄，亦可抑制因延伸所導致的斷裂等不良狀況。
於包含以積層體狀態進行延伸的步驟及染色步驟的製法中，從可延伸成高倍率且可提升偏光性能之觀點來看，又以國際公開第2010/100917號、日本專利第4751481號、日本特開2012-073563號公報中記載的製法為佳，該製法包含於硼酸水溶液中進行延伸的步驟，尤其是以日本專利第4751481號公報或日本特開2012-073563號公報中記載的製法為佳，該製法包含於硼酸水溶液中進行延伸前輔助性地進行空中延伸的步驟。
形成設置於偏光件之單面或兩面上的透明保護薄膜之材料，例如可使用透明性、機械強度、熱穩定性、水分阻斷性、各向同性等優異之熱塑性樹脂。此種熱塑性樹脂之具體例可舉例：三醋酸纖維素等纖維素樹脂、聚酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚碸樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚烯烴樹脂、(甲基)丙烯酸樹脂、環狀聚烯烴樹脂(降莰烯系樹脂)、聚芳酯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙烯醇樹脂及該等之混合物。透明保護薄膜之材料亦可為(甲基)丙烯酸系、胺甲酸乙酯系、丙烯酸胺甲酸乙酯系、環氧系、聚矽氧系等熱硬化性樹脂或紫外線硬化型樹脂。當偏光薄膜2具有2個透明保護薄膜時，2個透明保護薄膜之材料可互為相同，亦可不同。譬如，可透過接著劑，對偏光件之一主面貼合已由熱塑性樹脂構成的透明保護薄膜，並且對偏光件之另一主面貼合已由熱硬化性樹脂或紫外線硬化型樹脂構成的透明保護薄膜。透明保護薄膜可含有1種以上任意之添加劑。添加劑可舉例如：紫外線吸收劑、抗氧化劑、滑劑、塑化劑、脫模劑、抗著色劑、阻燃劑、成核劑、抗靜電劑、顏料、著色劑等。透明保護薄膜中熱塑性樹脂之含有率宜為50~100重量%，較佳為50~99重量%，更佳為60~98重量%，尤佳為70~97重量%。當透明保護薄膜中熱塑性樹脂之含有率在50重量%以上時，會有能充分顯現熱塑性樹脂原有的高透明性等之傾向。
透明保護薄膜之厚度可適當決定，一般從強度或處理性等作業性、薄膜性等觀點來看，為10~200μm左右。
偏光薄膜2中所含至少1個透明保護薄膜之透濕度宜為300g/m2 ．24h以上，較佳為500g/m2 ．24h以上，更佳為800g/m2 ．24h以上。當透明保護薄膜之透濕度高時，可藉由預熱輕易地減少偏光薄膜2之水分量。另一方面，若透明保護薄膜之透濕度過高，便會有偏光薄膜2之加濕耐久性降低之情形。因此，透明保護薄膜之透濕度宜為1600g/m2 ．24h以下，更佳為1300g/m2 ．24h以下。另，透濕度是根據JIS Z0208之透濕度試驗(杯式法)測得之值，且為在40℃、90%之相對濕度差之下於24小時內透過面積1m2 之試料的水蒸氣重量。
偏光件與透明保護薄膜通常會透過水系接著劑等密著。水系接著劑可例示：異氰酸酯系接著劑、聚乙烯醇系接著劑、明膠系接著劑、乙烯基系乳膠系、水系聚胺甲酸乙酯、水系聚酯等。上述接著劑以外的其他接著劑可舉例紫外線硬化型接著劑、電子射線硬化型接著劑等。電子射線硬化型偏光薄膜用接著劑對各種透明保護薄膜顯示適當之接著性。接著劑亦可含有金屬化合物填料。
偏光薄膜2中，亦可於偏光件上形成相位差薄膜等以取代透明保護薄膜。於透明保護薄膜上亦可進一步設置其他透明保護薄膜或設置相位差薄膜等等。
針對透明保護薄膜，亦可在與接著偏光件之表面相對向的表面設置硬塗層，亦可施行以抗反射、抗黏著、擴散、防眩等為目的之處理。
[其他構件] 附黏著劑層之偏光薄膜10更可具備偏光薄膜2以外的其他光學薄膜。其他光學薄膜可舉例如反射板、反透射板、相位差薄膜、視角補償薄膜、增亮薄膜等用於液晶顯示裝置的薄膜。相位差薄膜例如包含1/2波長板、1/4波長板等。附黏著劑層之偏光薄膜10亦可具備該等1種或2種以上的其他光學薄膜。
附黏著劑層之偏光薄膜10更可具備位於偏光薄膜2與黏著劑層1間的錨固層。形成錨固層的材料並無特殊限制，可舉例如各種聚合物類、金屬氧化物之溶膠、二氧化矽溶膠等。該等之中，尤其宜使用聚合物類。聚合物類之使用形態可為溶劑可溶型、水分散型、水溶解型中任一者。
上述聚合物類可舉例如：聚胺甲酸乙酯系樹脂、聚酯系樹脂、丙烯酸系樹脂、聚醚系樹脂、纖維素系樹脂、聚乙烯醇系樹脂、聚乙烯基吡咯啶酮、聚苯乙烯系樹脂等。
當附黏著劑層之偏光薄膜10的黏著劑層1露出時，直到供實際使用為止，可利用脫模薄膜(分離膜)來保護黏著劑層1。脫模薄膜可舉例前述之物。製作黏著劑層1時，當使用脫模薄膜作為基材時，藉由貼合脫模薄膜上的黏著劑層1與偏光薄膜2，可使用該脫模薄膜作為附黏著劑層之偏光薄膜10的黏著劑層1之脫模薄膜，在步驟面上可簡化。
[黏著劑層之特性] 附黏著劑層之偏光薄膜10的黏著劑層1，即便是在貼合於導電層上時，亦可維持預熱後之重工性，同時具有於高溫環境下的耐久性，接著，針對其理由，與思索機制一同來說明。
由黏著劑組成物形成黏著劑層1後，黏著劑層1中，化合物(C)之酸酐基會藉由空氣中的水分而水解，藉此變化成酸基。另一方面，在含有ITO等金屬氧化物的導電層之表面，不僅是羥基，還存在有羥基以羥離子之形式脫離而產生的金屬陽離子。如圖2所示，當已利用黏著劑層1將附黏著劑層之偏光薄膜10貼合於導電層3時，化合物(C)之酸基會藉由與存在於導電層3表面附近的羥離子之中和反應而去質子化。藉此生成的陰離子會與導電層3表面的金屬陽離子形成離子鍵。即，於化合物(C)之酸基與導電層3之間產生酸鹼反應。藉此可推斷，化合物(C)於導電層3之表面上偏析，黏著劑層1中可形成含化合物(C)之第1層11。
在形成第1層11後，於第1層11之表面上會有聚醚化合物(D)偏析之傾向。因此，黏著劑層1中，於第1層11上可形成含聚醚化合物(D)之第2層12。另，當黏著劑層1不含化合物(C)時，聚醚化合物(D)於導電層3之表面上幾乎不會偏析。因此，第1層11可視為將導電層3之表面改質而使聚醚化合物(D)容易偏析的表面改質層。
如此可推斷，藉由利用黏著劑層1將附黏著劑層之偏光薄膜10貼合於導電層3，黏著劑層1中可形成第1層11及第2層12。藉由形成第1層11及第2層12，黏著劑層1中可進一步形成例如主要含有黏著劑的第3層13。第1層11、第2層12及第3層13於積層方向上依序排列。
在進行預熱前，第1層11及第2層12之凝集力會小於第3層13。因此，在進行預熱前，可藉由在第1層11或第2層12之凝集破壞，將附黏著劑層之偏光薄膜10輕易地自導電層3剝離。
當例如於70℃~95℃左右之溫度下進行預熱時，藉由化合物(C)之反應等，會有第1層11之凝集力大幅增加之傾向。第1層11之凝集力之增加在化合物(C)含有水解性基(h1)時會特別明顯。另一方面，相較於第1層11，第2層12之凝集力不易增加。因此，在進行預熱後，可藉由在第2層12或第1層11與第2層12之界面之凝集破壞，將附黏著劑層之偏光薄膜10輕易地自導電層3剝離。即，第2層12作為在預熱後確保黏著劑層1之重工性之層體而發揮機能。
再者，當黏著劑層1配置於溫度高於95℃之環境下時，藉由聚醚化合物(D)之反應等，會有第2層12之凝集力大幅增加之傾向。第2層12之凝集力之增加在聚醚化合物(D)含有水解性基(h2)時會特別明顯。藉此，黏著劑層1與導電層3之接著力大幅增加而有黏著劑層1之耐久性提升之傾向。
本發明從另一方面來看提供一種黏著劑層1，其係由黏著劑組成物所形成，且黏著劑組成物含有具酸基或酸酐基之化合物(C)及聚醚化合物(D)，利用試驗1求得之接著力P85 在10.0N/25mm以下，且利用試驗2求得之接著力P105 大於10.0N/25mm。
(影像顯示面板之實施形態) 如圖3所示，本實施形態之影像顯示面板100具備附黏著劑層之偏光薄膜10、導電層3及透明基板4。導電層3及透明基板4例如為構成液晶單元20的構件。即，影像顯示面板100是具備附黏著劑層之偏光薄膜10及液晶單元20的液晶顯示面板。不過，影像顯示面板100亦可具備有機EL單元以取代液晶單元20。影像顯示面板100中，附黏著劑層之偏光薄膜10例如位於比液晶單元20更靠近視辨側。
附黏著劑層之偏光薄膜10、導電層3及透明基板4例如於積層方向上依序排列，而且附黏著劑層之偏光薄膜10的黏著劑層1與導電層3直接相接。換言之，附黏著劑層之偏光薄膜10利用黏著劑層1貼合於導電層3。導電層3例如與透明基板4直接相接。於導電層3與透明基板4間，亦可視需要配置有底塗層、防低聚物層等其他層。
[黏著劑層] 如上述，當已利用黏著劑層1將附黏著劑層之偏光薄膜10貼合於導電層3時，黏著劑層1中，可形成第1層11、第2層12及第3層13。導電層3、第1層11、第2層12及第3層13於積層方向上依序排列，且第3層13位於第2層12與偏光薄膜2間。
第1層11例如含有化合物(C)或其反應物(R1)。當化合物(C)含有水解性基(h1)時，反應物(R1)例如為複數個化合物(C)之水解縮合物、或是化合物(C)與導電層3表面之羥基之反應物。第1層11亦可含有化合物(C)或其反應物(R1)作為主成分。
第2層12例如含有聚醚化合物(D)或其反應物(R2)。當聚醚化合物(D)含有水解性基(h2)時，反應物(R2)例如為複數個聚醚化合物(D)之水解縮合物。第2層12亦可含有聚醚化合物(D)或其反應物(R2)作為主成分。
第3層13含有(甲基)丙烯酸系聚合物(A)等基礎聚合物或其反應物(R3)。當形成黏著劑層1的黏著劑組成物含有交聯劑時，反應物(R3)例如為(甲基)丙烯酸系聚合物(A)之交聯物。第3層13亦可含有(甲基)丙烯酸系聚合物(A)或其反應物(R3)作為主成分。
另，黏著劑層1具有第1層11、第2層12及第3層13，亦可利用飛行時間型二次離子質量分析法(TOF-SIMS：Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry)等方法來確認。譬如，準備用以形成黏著劑層1的黏著劑組成物。將該黏著劑組成物塗佈於導電層3上，製作乾燥後厚度達1μm左右之塗佈膜。針對使塗佈膜乾燥而製得之膜，自其表面遍及該膜之厚度方向進行利用TOF-SIMS之分析。藉此，可確認黏著劑層1具有第1層11、第2層12及第3層13。
[導電層] 導電層3只要含有金屬氧化物，即無特殊限制。金屬氧化物可舉例如含有以下金屬的氧化物：選自於由銦、錫、鋅、鎵、銻、鈦、矽、鋯、鎂、鋁、金、銀、銅、鈀及鎢所構成群組中至少1種。導電層3不僅是金屬氧化物，視需要更可含有上述群組所示之金屬。導電層3之材料例如宜使用氧化銦錫、含銻之氧化錫等。氧化銦錫意指含氧化錫之氧化銦，並稱作銦-錫複合氧化物或ITO。導電層3宜含有ITO，更佳為實質上由ITO構成。
導電層3中所含ITO中，氧化銦之含有率宜為80~99重量%。ITO中氧化錫之含有率宜為1~20重量%。ITO可具有結晶性，亦可為非結晶性(非晶質)。
導電層3之厚度並無特殊限制，宜為10nm以上，較佳為15~40nm，更佳為20~30nm。
導電層3之形成方法並無特殊限制，可採用以往公知方法。具體而言，導電層3可利用真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍法等來製作。該等方法可因應所需導電層3之膜厚適當選擇。
[透明基板] 透明基板4只要是透明的基板即可，其材料並無特殊限制。透明基板4可舉例如玻璃、透明樹脂薄膜基材。透明樹脂薄膜基材可舉例上述之物。
[液晶單元] 液晶單元20例如除了導電層3及透明基板4外，更具備液晶層5及透明基板6。液晶單元20中，導電層3、透明基板4、液晶層5及透明基板6於積層方向上依序排列。
液晶層5並無特殊限制，例如可任意使用TN型、STN型、π型、VA型、IPS型等型式。透明基板6只要是透明的基板即可，其材料並無特殊限制。透明基板6可舉例如玻璃、透明樹脂薄膜基材。透明樹脂薄膜基材可舉例上述之物。
[其他構件] 影像顯示面板100除了附黏著劑層之偏光薄膜10及液晶單元20外，更可具備相位差薄膜、視角補償薄膜、增亮薄膜等光學薄膜。
[影像顯示面板之製造方法] 影像顯示面板100之製造方法並無特殊限制，例如包括：在已將附黏著劑層之偏光薄膜10貼合於導電層3之狀態下，針對黏著劑層1，於70℃~95℃下進行第1加熱處理。
第1加熱處理相當於用以減少偏光薄膜2之水分量的預熱。第1加熱處理之溫度宜為80℃~95℃。第1加熱處理之時間並無特殊限制，例如為1小時~5小時，較佳為3小時~5小時。
第1加熱處理後偏光薄膜2之水分量並無特殊限制，例如為7g/m2 以下。偏光薄膜2之水分量之測定可利用專利文獻1中記載的方法。
影像顯示面板100之製造方法更可包括：於第1加熱處理後，針對黏著劑層1，於高於95℃之溫度下進行第2加熱處理。藉由第2加熱處理，黏著劑層1之接著力大幅增加而有黏著劑層1之耐久性提升之傾向。第2加熱處理之溫度可為100℃~150℃。第2加熱處理之時間並無特殊限制，例如為1小時~1000小時，較佳為24小時以上。
(影像顯示面板之變形例) 影像顯示面板100亦可具備2個附黏著劑層之偏光薄膜10。如圖4所示，本變形例之影像顯示面板110具備2個附黏著劑層之偏光薄膜10a及10b。除了附黏著劑層之偏光薄膜10b外，影像顯示面板110之結構與影像顯示面板100之結構相同。因此，在影像顯示面板100與變形例之影像顯示面板110中共通之要素會附上相同的參照符號，有時會省略其等之說明。
附黏著劑層之偏光薄膜10b會利用黏著劑層1b，貼合於液晶單元20之透明基板6。影像顯示面板110中，液晶單元20位於附黏著劑層之偏光薄膜10a及10b間，且位於比附黏著劑層之偏光薄膜10b更靠近視辨側。
附黏著劑層之偏光薄膜10b所具備的黏著劑層1b及偏光薄膜2b，可分別與附黏著劑層之偏光薄膜10a所具備的黏著劑層1a及偏光薄膜2a相同，亦可不同。黏著劑層1b及偏光薄膜2b亦可為以往本領域中所用之物。
(影像顯示裝置之實施形態) 本實施形態之影像顯示裝置例如具備影像顯示面板100及照明系統。影像顯示裝置中亦可使用影像顯示面板110以取代影像顯示面板100。影像顯示裝置中，影像顯示面板100例如配置於比照明系統更靠近視辨側。照明系統例如具有背光源或反射板，並將光照射至影像顯示面板100。
影像顯示裝置可舉例如：液晶顯示裝置、電致發光(EL)顯示器、電漿顯示器(PD)、場發射顯示器(FED：Field Emission Display)等。該等影像顯示裝置可用於家電用途、車載用途、公共資訊顯示器(PID)用途等，尤其理想的是用於車載用途。
實施例 以下，利用實施例，更詳細說明本發明。本發明並不限於以下所示實施例。另，以下，未特別事先聲明時，「%」是表示「重量%」，「份」是表示「重量份」，「厚度」則表示「物理膜厚」。未特別事先聲明時，室內之溫度及濕度為23℃、65%RH。
(丙烯酸系聚合物(A1)) 於具備攪拌槳葉、溫度計、氮氣導入管、冷卻器的四口燒瓶中，注入含丙烯酸丁酯(BA)100重量份、丙烯酸4-羥丁酯(HBA)0.075重量份、丙烯酸(AA)5重量份之單體混合物。再者，相對於單體混合物100重量份，與乙酸乙酯100份一同注入2,2’-偶氮雙異丁腈(AIBN)0.1重量份作為聚合引發劑，一邊緩慢地攪拌，一邊導入氮氣以進行氮取代後，將燒瓶內的液溫保持在55℃左右，進行6小時聚合反應。藉此，調製出重量平均分子量240萬、Mw/Mn=4.5的丙烯酸系聚合物(A1)之溶液。
(丙烯酸系聚合物(A2)) 除了如表1來變更使用的單體外，藉由與丙烯酸系聚合物(A1)相同之方法，分別調製出丙烯酸系聚合物(A2)之溶液。
(丙烯酸系低聚物(B1)) 於具備攪拌槳葉、溫度計、氮氣導入管、冷卻器的四口燒瓶中，注入丙烯酸丁酯(BA)85重量份、丙烯酸(AA)15重量份、作為聚合引發劑的2,2’-偶氮雙異丁腈0.1重量份、甲苯100重量份及α-硫甘油3.5重量份，一邊緩慢地攪拌，一邊導入氮氣以充分進行氮取代後，將燒瓶內的液溫保持在60℃左右，進行4小時聚合反應，調製出丙烯酸系低聚物(B1)之溶液。丙烯酸系低聚物(B1)之重量平均分子量為6700。
(丙烯酸系低聚物(B2)) 除了如表1來變更使用的單體外，藉由與丙烯酸系低聚物(B1)相同之方法，調製出丙烯酸系低聚物(B2)。
[表1]
Figure 02_image017
表1中的簡稱如下述。 BA：丙烯酸正丁酯 HBA：丙烯酸4-羥丁酯 AA：丙烯酸 PEA：丙烯酸苯氧基乙酯 NVP：N-乙烯基-2-吡咯啶酮 MEA：丙烯酸2-甲氧基乙酯
(化合物(C1)) 根據日本特開2013-129809號公報之實施例1中記載的方法，製作出化合物(C1)。化合物(C1)為有機聚矽氧烷化合物，並含有上述矽氧烷單元(U1)及(U2)。矽氧烷單元(U1)中，X為丙基琥珀酸酐基，R4 為甲基。矽氧烷單元(U2)中，2個R4 皆為甲氧基。化合物(C1)中矽氧烷單元(U1)之含有率為27mol%。化合物(C1)中矽氧烷單元(U2)之含有率為73mol%。化合物(C1)之重量平均分子量為1000左右。
(偏光薄膜) [附HC之TAC薄膜] 首先，準備以胺甲酸乙酯丙烯酸酯作為主成分的紫外線硬化型樹脂單體或低聚物已溶解於乙酸丁酯中的樹脂溶液(DIC公司製，商品名：UNIDIC17-806，固體成分濃度：80%)。接著，相對於該樹脂溶液之固體成分100份，於樹脂溶液中添加光聚合引發劑(巴斯夫(BASF)公司製，商品名：IRGACURE907)5份及調平劑(DIC公司製，商品名：GRANDIC PC4100)0.1份。其次，於該溶液中以45：55之比率加入環戊酮與丙二醇單甲基醚，使得所製得溶液之固體成分濃度達36%，藉此製作出用以形成硬塗層的材料。接著，將該材料塗佈於TAC薄膜(富士軟片(FUJIFILM)公司製之TJ40UL，原料：三醋酸纖維素系聚合物，厚度：40μm)上，使得硬化後硬塗層之厚度達7μm而形成塗膜。然後，於90℃下將塗膜乾燥1分鐘，再利用高壓水銀燈，對塗膜照射積算光量300mJ/cm2 之紫外線，藉此使塗膜硬化，並形成硬塗層(HC)。藉此，製作出附HC之TAC薄膜。
[丙烯酸薄膜] 於具備攪拌裝置、溫度感測器、冷卻管、氮導入管的容量30L之釜型反應器中，注入8,000g之甲基丙烯酸甲酯(MMA)、2,000g之2-(羥甲基)丙烯酸甲酯(MHMA)、10,000g之4-甲-2-戊酮(甲基異丁基酮，MIBK)、5g之正十二硫醇，使其通氮並且升溫至105℃。在開始回流時，添加5.0g之過氧異丙基碳酸三級丁酯(KAYAKARUBON BIC-7，化藥艾克索(KAYAKU AKZO)公司製)作為聚合引發劑，同時花費4小時滴定由10.0g之過氧異丙基碳酸三級丁酯與230g之MIBK構成的溶液，並且在回流下，於約105~120℃下進行溶液聚合，再花費4小時進行熟成。
於所製得聚合物溶液中加入30g之磷酸十八酯/磷酸二(十八基)酯混合物(PhoslexA-18，堺化學工業製)，在回流下，於約90~120℃下進行5小時環化縮合反應。接著，將所製得聚合物溶液，以在樹脂量換算下為2.0kg/h之處理速度導入料筒溫度260℃、旋轉數100rpm、減壓度13.3~400hPa(10~300mmHg)、後通氣孔數1個、前通氣孔數4個的通氣孔式雙螺桿擠出機(φ=29.75mm、L/D=30)。於該擠出機內，與進一步的環化縮合反應一同進行去揮發。藉此，製得含內酯環之聚合物之透明丸粒。
針對所製得含內酯環之聚合物進行動態TG之測定時，檢測出0.17質量%之質量減損。該含內酯環之聚合物之重量平均分子量為133,000，熔體流動速率為6.5g/10min，玻璃轉移溫度為131℃。
使用單軸擠出機(螺桿30mmφ)，將所製得丸粒與丙烯腈-苯乙烯(AS)樹脂(TOYO ASAS20，東洋苯乙烯公司製)以質量比90/10進行混練擠出，藉此製得透明丸粒。所製得丸粒之玻璃轉移溫度為127℃。
使用50mmφ單軸擠出機，將該丸粒從寬度400mm之衣架型T型模具熔融擠出，藉此製作出厚度120μm之薄膜。針對所製得薄膜，使用雙軸延伸裝置，於150℃之溫度條件下延伸成長2.0倍及寬2.0倍，藉此製得厚度30μm之延伸薄膜(丙烯酸薄膜)。測定該延伸薄膜之光學特性時，全光線透射率為93%，面內相位差Δnd為0.8nm，厚度方向相位差Rth為1.5nm。
其次，利用以下方法，製作出偏光薄膜。首先，於速度比相互不同的複數個輥間，將厚度45μm之聚乙烯醇薄膜於濃度0.3%之碘溶液(溫度30℃)中染色1分鐘，並延伸成延伸倍率達3倍。接著，將所製得延伸薄膜浸漬於硼酸濃度4%、碘化鉀濃度10%之水溶液(溫度60℃)中0.5分鐘，並延伸成總延伸倍率達6倍。然後，藉由將延伸薄膜浸漬於含有濃度1.5%之碘化鉀的水溶液(溫度30℃)中10秒鐘而進行洗淨。隨後令延伸薄膜於50℃下乾燥4分鐘，藉此製得厚度18μm之偏光件。於所製得偏光件之一主面上，透過聚乙烯醇系接著劑貼合經皂化處理的上述附HC之TAC薄膜。此時，三醋酸纖維素薄膜會位於比硬塗層更靠近偏光件側。於偏光件之另一主面上，透過聚乙烯醇系接著劑貼合上述丙烯酸薄膜。藉此，製得偏光薄膜。
(實施例1) 相對於丙烯酸系聚合物(A1)之溶液之固體成分100份，摻合化合物(C1)0.4份、聚醚化合物(D)(鐘化(KANEKA)公司製之SILYL SAT10)0.4份、雙(三氟甲磺醯基)醯亞胺鋰0.5份、異氰酸酯交聯劑(東曹(TOSOH)公司製之Coronate L，三羥甲基丙烷二異氰酸甲苯酯)1份及過氧化苯甲醯(日本油脂公司製之NYPER BMT)0.2份，調製出丙烯酸系黏著劑組成物之溶液。SILYL SAT10為上述式(13)所示化合物，A1 為-CH2 CH(CH3 )-，A2 為-C3 H6 -，Z1 為-C3 H6 -Z0 ，反應性矽基(Z0 -)為二甲氧基甲基矽基。SILYL SAT10之數量平均分子量為5000。
接著，於已藉由聚矽氧系剝離劑進行處理的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(分離薄膜：三菱化學聚酯薄膜公司製，MRF38)之單面上，將所製得丙烯酸系黏著劑組成物之溶液塗佈成乾燥後黏著劑層之厚度達20μm。針對塗佈膜，於155℃下進行1分鐘乾燥，藉此於分離薄膜之表面形成黏著劑層。接著，將已形成於分離薄膜上的黏著劑層轉印至偏光薄膜之丙烯酸薄膜側，藉此製作出實施例1之附黏著劑層之偏光薄膜。
(實施例2~12、比較例1~3) 除了如表2所示來變更丙烯酸系黏著劑組成物之組成外，藉由與實施例1相同的方法，製作出實施例2~12、比較例1~3之附黏著劑層之偏光薄膜。
[評價] ＜丙烯酸系聚合物及丙烯酸系低聚物之重量平均分子量(Mw)＞ 所製得丙烯酸系聚合物及丙烯酸系低聚物之重量平均分子量(Mw)是利用GPC(凝膠滲透層析術)來測定。 ．分析裝置：東曹(TOSOH)公司製，HLC-8120GPC ．管柱：東曹(TOSOH)公司製，G7000HXL +GMHXL +GMHXL ．管柱尺寸：各7.8mmφ×30cm  計90cm ．管柱溫度：40℃ ．流量：0.8ml/min ．注入量：100μl ．溶析液：四氫呋喃 ．檢測器：示差折射計(RI) ．標準試料：聚苯乙烯
＜接著力＞ 所製得黏著劑層之接著力P0 、P85 及P105 是利用上述試驗1~3來實施。附ITO層之玻璃是藉由於厚度7mm之無鹼玻璃(康寧(CORNING)公司製，商品名「EG-XG」)上形成ITO層來製作。ITO層則利用濺鍍法來製作。ITO層中，Sn原子重量相對於Sn原子重量與In原子重量之合計值之比率(Sn比率)為3wt%。針對ITO層，使用原子力顯微鏡(AFM，布魯克(Bruker)製，Dimension3100+NanoscopeV)，於下述測定條件下分析其表面。其結果，ITO層之平均表面粗糙度Ra為0.2nm，均方根粗糙度Rq為0.3nm，最大高度Rmax為2.6nm。自ITO層剝下試驗片的操作是使用拉伸試驗機(Autograph SHIMAZU AG-1 10KN)來進行。 (AFM測定條件) ．測定模式：輕敲模式 ．懸臂：Si單晶 ．測定區域：10μm見方
＜初始重工性＞ 使用於測定接著力時所使用的附ITO層之玻璃，利用以下方法，進行重工試驗。首先，將附黏著劑層之偏光薄膜切出長230mm×寬120mm之薄長方形狀作成試驗片。接著，利用黏著劑層，將試驗片貼合於附ITO層之玻璃的ITO層表面。試驗片於ITO層上的貼合是使用積層機來進行。在已貼合試驗片後，收納於50℃及5氣壓(絕對壓力)之高壓釜內15分鐘，使ITO層與黏著劑層之接合均質化，並且使黏著劑層密著於ITO層。接著，用人手從附ITO層之玻璃剝離試驗片。依上述順序反覆實施重工試驗3次，並利用下述基準，評價黏著劑層之初始重工性。 (評價基準) A：3片皆無糊劑殘留或薄膜斷裂，可以良好地剝離。 B：3片中的一部分因剝離使得薄膜斷裂，但可藉由再次剝離而剝下。 C：3片皆因剝離使得薄膜斷裂，但可藉由再次剝離而剝下。 D：3片皆有糊劑殘留、或者試著幾次剝離薄膜皆斷裂而無法剝下。
＜預熱後之重工性＞ 重工試驗中，於高壓釜內使ITO層與黏著劑層之接合均質化後，於85℃之大氣壓環境氣體下進行5小時加熱處理、以及於加熱處理後將試驗片放置於室溫之環境氣體下，使試驗片之溫度降低至室溫，除此之外，藉由與上述重工性之評價相同的方法，評價黏著劑層預熱後之重工性。
＜耐久性＞ 使用於測定接著力時所使用的附ITO層之玻璃，利用以下方法，進行耐久性試驗。首先，將附黏著劑層之偏光薄膜切出長300mm×寬220mm之薄長方形狀作成試驗片。接著，利用黏著劑層，將試驗片貼合於附ITO層之玻璃的ITO層表面。試驗片於ITO層上的貼合是使用積層機來進行。在已貼合試驗片後，收納於50℃及0.5MPa之高壓釜內15分鐘，使ITO層與黏著劑層之接合均質化，並且使黏著劑層密著於ITO層。接著，針對試驗片，於105℃之大氣壓環境氣體下進行500小時加熱處理。用目視來觀察偏光薄膜與ITO層間的黏著劑層之外觀，並利用下述基準，評價黏著劑層之耐久性。 (評價基準) A：完全無發泡、剝落等外觀上的變化。 B：端部有剝落或發泡，但若非特殊用途，實用上便不成問題。 C：端部有明顯剝落，實用上有問題。
[表2]
Figure 02_image019
表2中的簡稱如下述。 A1：丙烯酸系聚合物(A1) A2：丙烯酸系聚合物(A2) B1：丙烯酸系低聚物(B1) B2：丙烯酸系低聚物(B2) C1：化合物(C1) X-14-967C：3-三甲氧基矽基丙基琥珀酸酐(信越化學工業公司製) SAT10：SILYL SAT10(鐘化(KANEKA)公司製) X-41-1056：含環氧基之低聚物型矽烷耦合劑(信越化學工業公司製)
如由表2可知，本實施形態附黏著劑層之偏光薄膜的黏著劑層即便是在貼合於導電層上時，亦可維持預熱後之重工性，同時具有於高溫環境下的耐久性。另，化合物(C)不存在的比較例2及3中，可推斷於測定接著力P0 及P85 之條件下，聚醚化合物(D)的SILYL SAT10於ITO層之表面上幾乎不會偏析，另一方面，於測定接著力P105 之條件下，SILYL SAT10則於ITO層之表面上偏析。依此，吾人認為比較例2及3中，接著力P105 會低於接著力P85 ，結果，於105℃下的加熱處理後之耐久性低。
產業上之可利用性 本發明之附黏著劑層之偏光薄膜可適當利用在液晶顯示裝置、電致發光(EL)顯示器、電漿顯示器(PD)、場發射顯示器(FED)等影像顯示裝置。
1,1a,1b:黏著劑層 2,2a,2b:偏光薄膜 3:導電層 4,6:透明基板 5:液晶層 10,10a,10b:附黏著劑層之偏光薄膜 11:第1層 12:第2層 13:第3層 20:液晶單元 100,110:影像顯示面板
圖1為本發明一實施形態的附黏著劑層之偏光薄膜之截面圖。 圖2為用以說明附黏著劑層之偏光薄膜中所含黏著劑層之特性之圖。 圖3為本發明一實施形態的影像顯示面板之截面圖。 圖4為顯示影像顯示面板之變形例之截面圖。
1:黏著劑層
2:偏光薄膜
10:附黏著劑層之偏光薄膜

Claims (18)

  1. 一種附黏著劑層之偏光薄膜，具備偏光薄膜以及由黏著劑組成物形成的黏著劑層，且前述黏著劑組成物含有具酸基或酸酐基之化合物(C)及聚醚化合物(D)，針對前述黏著劑層，利用下述試驗1求得之接著力P85 在10.0N/25mm以下，且利用下述試驗2求得之接著力P105 大於10.0N/25mm： 試驗1：針對已貼合於附氧化銦錫層之玻璃之氧化銦錫層上的黏著劑層，於85℃下進行5小時加熱處理；測定在剝離速度300mm/min及剝離角度90°下用以將前述黏著劑層自前述氧化銦錫層剝下所需之力(接著力P85 )； 試驗2：針對已貼合於附氧化銦錫層之玻璃之氧化銦錫層上的黏著劑層，於105℃下進行24小時加熱處理；測定在剝離速度300mm/min及剝離角度90°下用以將前述黏著劑層自前述氧化銦錫層剝下所需之力(接著力P105 )。
  2. 如請求項1之附黏著劑層之偏光薄膜，其中針對前述黏著劑層，利用下述試驗3求得之接著力P0 在10.0N/25mm以下： 試驗3：在剝離速度300mm/min及剝離角度90°下，將已貼合於附氧化銦錫層之玻璃之氧化銦錫層上的黏著劑層自前述氧化銦錫層剝下；測定此時所需之力(接著力P0 )。
  3. 如請求項1或2之附黏著劑層之偏光薄膜，其中前述化合物(C)之重量平均分子量及前述聚醚化合物(D)之數量平均分子量分別在10000以下。
  4. 如請求項1至3中任一項之附黏著劑層之偏光薄膜，其中前述酸酐基為羧酸酐基。
  5. 如請求項1至4中任一項之附黏著劑層之偏光薄膜，其中前述化合物(C)更具有矽原子以及與前述矽原子鍵結的水解性基。
  6. 如請求項5之附黏著劑層之偏光薄膜，其中前述化合物(C)中前述水解性基之含有率在10wt%以上。
  7. 如請求項1至6中任一項之附黏著劑層之偏光薄膜，其中前述化合物(C)具有矽氧烷鍵。
  8. 如請求項1至7中任一項之附黏著劑層之偏光薄膜，其中前述聚醚化合物(D)更具有矽原子以及與前述矽原子鍵結的水解性基。
  9. 如請求項8之附黏著劑層之偏光薄膜，其中前述聚醚化合物(D)中前述水解性基之含有率在14wt%以下。
  10. 如請求項1至9中任一項之附黏著劑層之偏光薄膜，其中前述黏著劑組成物含有(甲基)丙烯酸系聚合物(A)作為基礎聚合物。
  11. 如請求項10之附黏著劑層之偏光薄膜，其中前述(甲基)丙烯酸系聚合物(A)具有酸基。
  12. 一種影像顯示面板，具備： 如請求項1至11中任一項之附黏著劑層之偏光薄膜； 含金屬氧化物之導電層；及 透明基板； 前述黏著劑層與前述導電層直接相接。
  13. 如請求項12之影像顯示面板，其中前述金屬氧化物含有氧化銦錫。
  14. 如請求項12或13之影像顯示面板，其中前述黏著劑層具有： 第1層，其含有前述化合物(C)或其反應物；及 第2層，其含有前述聚醚化合物(D)或其反應物； 前述導電層、前述第1層及前述第2層於積層方向上依序排列。
  15. 如請求項14之影像顯示面板，其中前述黏著劑層更具有第3層，該第3層含有(甲基)丙烯酸系聚合物(A)或其反應物，且前述第3層位於前述第2層與前述偏光薄膜間。
  16. 一種影像顯示面板之製造方法，係製造如請求項12至15中任一項之影像顯示面板之方法，包括： 在已將前述附黏著劑層之偏光薄膜貼合於前述導電層之狀態下，針對前述黏著劑層，於70℃~95℃下進行第1加熱處理。
  17. 如請求項16之影像顯示面板之製造方法，其更包括：於前述第1加熱處理後，針對前述黏著劑層，於高於95℃之溫度下進行第2加熱處理。
  18. 一種黏著劑層，係由黏著劑組成物所形成，且前述黏著劑組成物含有具酸基或酸酐基之化合物(C)及聚醚化合物(D)，利用下述試驗1求得之接著力P85 在10.0N/25mm以下，且利用下述試驗2求得之接著力P105 大於10.0N/25mm： 試驗1：針對已貼合於附氧化銦錫層之玻璃之氧化銦錫層上的黏著劑層，於85℃下進行5小時加熱處理；測定在剝離速度300mm/min及剝離角度90°下用以將前述黏著劑層自前述氧化銦錫層剝下所需之力(接著力P85 )； 試驗2：針對已貼合於附氧化銦錫層之玻璃之氧化銦錫層上的黏著劑層，於105℃下進行24小時加熱處理；測定在剝離速度300mm/min及剝離角度90°下用以將前述黏著劑層自前述氧化銦錫層剝下所需之力(接著力P105 )。
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