TW202204051A - 霧產生裝置、薄膜製造裝置、及薄膜製造方法 - Google Patents

Abstract

提供一種霧產生裝置，其具備收容液體之容器、將氣體供應至該容器内之氣體供應部、以及與在該液體之間產生該氣體之電漿之電極，從該氣體供應部之氣體供應口供應之該氣體之供應方向與重力作用之方向相異。

Description

霧產生裝置、薄膜製造裝置、及薄膜製造方法

本發明係關於霧產生裝置、薄膜製造裝置、及薄膜製造方法。

一直以來，作為在基板製作薄膜之技術係使用專利文獻1所示般之蒸鍍法。一般而言，於成膜程序中，除蒸鍍法之外，會使用濺鍍法等需要真空或減壓環境之手法。因此，會有裝置大型化、高價等問題。先行技術文獻

[專利文獻1] 日本特開2010－265508

本發明第1態樣，係一種霧產生裝置，具備：容器，係收容液體；氣體供應部，係從氣體供應口將第1氣體供應至該容器内；以及電極，係在與該液體之間產生電漿；從該氣體供應部之氣體供應口供應之該第1氣體之供應方向與重力作用之方向相異。

本發明第2態樣，係一種霧產生裝置，具備：容器，係收容液體；氣體供應部，係從氣體供應口將第1氣體供應至該容器内；以及電極，係在與該液體之間產生電漿；該氣體供應部之氣體供應口與液面不對向。

本發明第3態樣，係一種霧產生裝置，具備：容器，係收容液體；氣體供應部，係從氣體供應口將第1氣體供應至該容器内；以及電漿產生部，其具備在與該液體之液面之間產生電漿之電極、與圍繞該電極之中空體；該中空體之一前端位在該液體之液面之下。

本發明第4態樣，係一種在基板上進行成膜之薄膜製造裝置，具有：第1至第3態樣中任一態樣之裝置；以及將霧化之該液體供應至既定基板上之霧供應部。

本發明第5態樣，係一種在基板上進行成膜之薄膜製造方法，具備：使用第1至第3態樣中任一態樣之裝置，使該液體霧化之程序；以及將霧化之該液體供應至既定基板之程序。

以下，針對用以實施本發明之形態（以下，稱「本實施形態」）中之霧產生裝置90、具備霧產生裝置90之薄膜製造裝置1、以及使用霧產生裝置90製作薄膜之薄膜製造方法，舉較佳之實施形態，一邊參照附圖、一邊詳細說明於下。以下之本實施形態係為說明本發明，而非將本發明限定於以下内容。又，圖中，上下左右等之位置關係若無特別限制，則係根據圖所示之位置關係。再者，圖之尺寸比率並不限於圖示之比率。

［第1實施形態］ 圖1係顯示第1實施形態中之產生霧之霧產生裝置90之一例的概略圖。又，以下說明中，係設定一XYZ正交座標系，依據圖所示之箭頭，定義X軸方向、Y軸方向及Z軸方向。

＜霧產生裝置＞ 圖1所示之霧產生裝置90，在外部容器91内具備容器62（62A）、氣體供應部70（70A）、排出部74（74A）、電極78（78A）以及霧化部80。容器62A具備收容部60A與蓋部61A。於收容部60A內收容有液體。液體並無特別限定，以包含分散介質64與粒子66之分散液63較佳。

接著，說明使用霧產生裝置90產生霧之流程。首先，氣體供應部70A將氣體供應至收容部60A。於電極78A，從未圖示之電源部施加電壓，在電極78A與分散液63之液面（以下，有時僅稱為「液面」）之間進行上述氣體之電漿化。其次，藉由霧化部80使收容部60A内之分散液63霧化。霧化部80，例如係超音波振動件。容器62A與外部容器91之間被液體充滿，超音波振動件之振動透過該液體傳遞至容器62A内之分散液63。其結果，分散液63霧化。分散液63之霧化，可在使電漿產生之期間進行、亦可在產生後進行。分散液63之霧化，為防止粒子66之凝集而可在電漿照射後進行，但為了使粒子66之分散性變佳，以在電漿照射中進行較佳。之後，霧化之分散液63（以下，有時僅稱為「霧」）與從氣體供應部70供應之氣體一起從排出部74被排出至外部。

本實施形態之電漿為水面上電漿。所謂水面上電漿，係指將1個以上之電極與液體之液面對向配置，而在電極與液體之液面之間產生之電漿。圖1中，電極78沿Z軸方向與液面對向設置。又，為了在收容部60A内均勻的產生電漿，電極數量不限於1個，可以是設置2個以上電極之構成。靜止狀態之液體之液面與電極78之間隔以30mm以下較佳，5nm～10mm則更佳。此外，為了使產生之電漿易於貼在分散液之液面，可於容器62A之下設置接地（G）電極（未圖示）。

當電漿接觸分散液63時，會產生羥基。藉由此羥基修飾粒子表面以提高粒子彼此間之斥力，能提升粒子之分散性。

為了在分散介質64内使粒子66以良好效率分散，以0.1Hz以上50kHz以下之頻率施加電壓較佳。下限值以1Hz較佳、30Hz則更佳。上限值以5kHz較佳、1kHz則更佳。又，施加於電極之電壓，最好是在21kV（電場為1.1×10⁶ V／m）以上較佳。

作為電極78A之材料，並無特別限定，可使用銅、鐵、鈦等。

圖2係顯示第1實施形態中之電極78之前端部79之一例的概略圖。圖2A係前端部79A之形狀為針狀之電極78A之一例、圖2B係於前端部79B具有複數個針狀部分之電極78A之一例、圖2C係前端部79C之形狀為球狀之電極78C之一例。又，電極78B、78C為電極78A之變形例。電極78A具有前端部79A。從－Z軸方向觀察前端部79A時，就電漿產生效率之觀點而言，前端部79A最接近液面之部分之面積小者較佳。因此，前端部79A之形狀為針狀（圖2A）。惟電極前端之形狀不限於此。電極78B具有具複數個針狀之形狀的前端部79B（圖2B）。此外，電極78C具有球狀之前端部79C（圖2C）。不過，前端部之尺寸、形狀不限於此圖所示者。

又，圖1、圖2所示之電極78雖為直線形狀，但亦可是各自彎曲。

於本實施形態之霧產生裝置90，以能冷卻分散液63較佳。此處所謂之冷卻亦包含漸冷。由於接觸電漿會有使分散液63之溫度上升之情形。當分散液63之溫度上升，粒子66即會凝集而在分散液63内沉降，而有無法維持分散性之情形。例如，可將冷卻管（未圖示）置入容器62A中，並藉由使冷媒循環來控制分散液63之溫度上升。又，為了防止雜質混入分散液63内，亦可在容器62A與外部容器91内置入冷卻管，以冷卻管（未圖示）使冷媒循環來調整分散液之溫度。此外，分散液63之溫度以40度以下較佳、30度以下則更佳。又，分散液63之溫度以0度以上較佳，為了使超音波振動件80更容易發揮功能以10度以上更佳。冷卻可在電漿之產生中進行、亦可在產生後進行，但就抑制溫度上升之觀點而言，以產生中進行更佳。

圖1中，雖係以霧化部80與容器62A分離配置之例做了說明，但霧化部80可與容器62A直接接觸。為了防止在霧化部80產生之熱直接熱傳導至容器62A之情形時，將霧化部80與容器62A分離配置較佳。又，在將霧化部80與容器62A分離配置之情形時，如上所述，最好是將容器62A與外部容器91之間以液體加以充滿。藉由此種構成，可將在霧化部80產生之振動傳遞至容器62A。此外，亦可藉由振動來冷卻於霧化部80產生之熱。又，液體只要是能傳遞振動者即可，較佳是水。

以本實施形態之裝置所得之霧非常適合使用於後述之成膜裝置、及成膜方法等。

蓋部61A係收容部60A之蓋。蓋部61A可以要、亦可不要。於圖1所示之霧產生裝置90，蓋部61A係被氣體供應部70A、排出部74A及電極78A插通。蓋部61A可以是將容器62A密閉之構造，亦可以不是密閉之構造。又，若係蓋部61A將容器62A密閉之構造的話，易以氣體充滿容器62A内，使電漿之產生效率良好。

收容部60A係收容分散液63之容器。容器之材質雖無特別限定，但為了使霧化部80產生之振動以良好效率傳遞至分散液63，材質可以是塑膠、或金屬。

粒子66以無機氧化物較佳。無機氧化物雖無特別限定，但以二氧化矽、氧化鋯、氧化銦、氧化鋅、氧化錫、氧化鈦、氧化銦錫、鉭酸鉀、氧化鉭、氧化鋁、氧化鎂、氧化鉿、氧化鎢等較佳。此等可單獨使用、亦可任意組合2種類以上。

粒子66之平均粒徑雖無特別限定，但可以是5nm～1000nm。作為下限值，以10nm較佳、15nm更佳、20nm更為良好、25nm則更為理想。作為上限值，以800nm較佳、100nm更佳、50nm則更為理想。本說明書中之平均粒徑，係指藉由動態光散射光譜法所求出之散射強度之中位直徑。

分散介質64之種類並無特別限定，只要是粒子可分散即可。作為分散介質，可以是例如水、異丙醇（IPA）、乙醇、甲醇等之酒精、丙酮、二甲基甲醯胺（DMF）、二甲基亞碸（DMSO）、乙酸乙酯、醋酸、四氫呋喃（THF）、乙醚（DME）、甲苯、四氯化碳、正己烷等、以及此等之混合物。此等之中，就粒子之分散性及介電率等之觀點，分散介質以含水者較佳，水溶劑則更佳。

分散液63中之粒子66之濃度雖無特別限定，但就所得之分散效果等之觀點，以0.001質量％～80質量％以下較佳。又，上限值以50質量％較佳、25質量％更佳、10質量％則更為理想。下限值以1質量％較佳、2質量％更佳、3質量％則更為理想。

作為產生電漿之電漿源的氣體種類並無特別限定，可使用公知之物。作為氣體之具體例，例如有氦氣、氬氣、氙氣、氧氣、氮氣、空氣等。此等之中，尤以安定性高之氦氣、氬氣、氙氣較佳。

電漿之產生時間雖無特別限定，但就使粒子66良好分散之觀點，產生時間之合計可以是25秒～1800秒以下。又，下限值以25秒較佳。此外，上限值以1800秒較佳、900秒更佳、600秒則更為理想。又，關於電漿之產生，可以是連續產生（一次產生）亦可以是斷續產生。即使是斷續產生之情形，其合計產生時間仍以上述照射時間較佳。

氣體供應部70A將從霧產生裝置90之外部供應之氣體導入容器62A内。氣體供應部70A之形狀不限於圓筒形。氣體供應部70A之氣體供應口72A設置在收容部60A内。氣體供應口72A之形狀不限於圓形。

圖3係顯示供應方向、供應方向與重力方向所夾角度θ之一例的概略圖。圖3A顯示了第1實施形態之氣體供應部70A之一例，係說明供應方向的概略圖。圖3B係用以說明氣體供應部70B之供應方向的概略圖。圖3C係用以說明圖3A中之角度θ的圖。

以下，使用圖3A及圖3B，說明氣體供應部70A及氣體供應部70B中，從氣體供應口72A及氣體供應口72B供應之氣體之供應方向。供應方向，係指從氣體供應口72使氣體供應部70延長之方向（延長方向）。圖3A之情形，氣體供應部70A之延長方向為＋X軸方向，供應方向如箭頭（a）所示的為＋X軸方向。圖3B之情形，氣體供應部70B之延長方向為重力方向，供應方向如箭頭（a）所示的為重力方向（－Z軸方向）。又，箭頭（a）係從氣體供應口72之重心往供應方向描繪之線。

其次，使用圖3C，說明供應方向與重力方向（g）所夾角度θ（圖3C中，係使用圖3A之氣體供應部）。將供應方向與重力方向所夾角度中、小角度者稱為供應方向與重力方向所夾角度θ。例如，本實施形態之情形，θ為90度。

圖1所示之霧產生裝置之情形，箭頭（a）（從氣體供應口72之重心往供應方向描繪之線）最先交叉之部分為容器62A之側面，供應之氣體之流勢變弱。亦即，係構成為從氣體供應口72之重心往供應方向描繪之線最先交叉之部分不是分散液63之液面。據此，液面不會產生大的波動，能安定的產生電漿。在氣體直接碰觸液面之情形時，液面會有大的波動。其結果，電極78A與分散液63之液面接觸，在電極78A與分散液63之間不會產生電漿。

於本實施形態，氣體供應口72與分散液63之液面最好是不對向。此處，本說明書中之「氣體供應口與分散液之液面不對向」，係代表從氣體供應口72之重心往供應方向描繪之線最先交叉之部分是分散液之液面以外之部分。

排出部74A將在收容部60A内產生之霧及氣體排出至容器62A之外部。排出部74A之形狀不限於圓筒形。排出部之排出口76A設置在收容部60A内，從收容部60A内將霧及氣體排出至霧產生裝置90之外部。排出口76A之形狀不限於圓形。

圖4係顯示排出方向、排出方向與重力方向所夾角度α之一例的概略圖。圖4A顯示第1實施形態之排出部74A之一例，為說明排出方向的概略圖。圖4B係說明排出部74B之排出方向的概略圖。圖4C係用以說明圖4A中之角度α的圖。

接著，使用圖4A及圖4B，說明在排出部74A及排出部74B，從排出口76A及排出口76B排出之霧及氣體之排出方向。又，所謂排出方向，係指與從排出口76使排出部74延長之方向（延長方向）相反之方向。圖4A之情形，排出部74A之延長方向之反方向為＋Z軸方向，排出方向如箭頭（b）所示的為＋Z軸方向。圖4B之情形，排出部74B之延長方向之反方向為－X軸方向，排出方向為－X軸方向。此處，箭頭（b）係設定為從排出口76之重心往排出方向描繪。

其次，使用圖4C說明排出方向與重力方向（g）所夾角度α（圖4C中，係使用圖4A之排出部）。如圖4C所示，將排出方向與重力方向所夾角度中、小角度者稱為排出方向與重力方向所夾角度α。又，如本實施形態般，2個方向彼此朝向相反方向之情形，180度之角度雖有2個，此時係以任一方之角度為α。圖4C中，從重力方向看以反時鐘之角度定義為180度，但亦可以順時鐘之角度定義為180度。

α＝180度之情形時，由於液面與排出口76A係對向，因此產生之霧能以良好效率排出至容器62A之外部。

氣體供應口72A可設置在較排出口76A上方或下方之任一方。不過，為了使供應之氣體更易於攪拌，而能將均勻之霧排出容器62A之外部，氣體供應口72A以設置在排出口76A之下方較佳。

圖5係顯示供應方向與排出方向所夾角度β之一例的說明圖。圖5A係第1實施形態之氣體供應部70C與排出部74C的概略圖。圖5B係用以說明角度β的圖。將圖5A所示之供應方向（此處，以箭頭（A）表示）與排出方向（此處，以箭頭（b）表示）顯示於圖5B。圖5B中，將2個方向所夾角度中、小角度者稱為供應方向與排出方向所夾角度β。所夾角度β，以做成從排出部74C排出之氣體中包含霧之角度較佳。因此，所夾角度β可以是30度～150度。上限值可以是135度、亦可以是120度。下限值可以是60度、90度更佳。

又，圖3A及圖4A係顯示θ＝90度、α＝180度之情形，但本實施形態不限於此。以下，顯示其變形例。

［第1實施形態：變形例1］ 圖6係顯示第1實施形態之變形例1中之霧產生裝置90之一例的概略圖。以下，說明與上述實施形態之相異點。又，圖6～圖18所示之實施形態及變形例中之霧產生裝置90，具備與上述實施形態相同之外部容器91與霧化部80。因此，以下所示之例中，省略了霧化部80與外部容器91之圖示。

圖6所示之霧產生裝置90，具有氣體供應部70D。氣體供應部70D，具有氣體供應口72D，θ＜90度。本變形例中，箭頭（a）（從氣體供應口72D之重心往供應方向描繪之線）最先交叉之部分係收容部60A之側面。藉由氣體碰撞於容器側面，供應之氣體流勢減弱，能在不致使液面劇烈翻動的情形下，將氣體供應至容器62A内。本變形例中，箭頭（a）最先交叉之部分不限於收容部60A之側面，可以是排出部74A、亦可以是電極78A。

［第1實施形態：變形例2］ 圖7係顯示第1實施形態之變形例2中之霧產生裝置90之一例的概略圖。圖7所示之霧產生裝置90，在氣體供應部70E（θ＝0度）之下部設有板狀構件81。亦即，板狀構件81係配置在氣體供應部70E與分散液63之液面之間。由於箭頭（a）（從氣體供應口72E之重心往供應方向描繪之線）最先交叉之部分係板狀構件81，因此供應之氣體流勢減弱，能在不致使液面劇烈翻動的情形下將氣體供應至容器62A内。又，θ之角度不限於0度，只要箭頭（a）最先接觸之部分係板狀構件即可。

［第1實施形態：變形例3］ 圖8係顯示第1實施形態之變形例3中之霧產生裝置90之一例的概略圖。圖8所示之霧產生裝置90，氣體供應部70F從收容部60A之側面插入。本變形例，箭頭（a）（從氣體供應口72F之重心往供應方向描繪之線）最先交叉之部分係電極78A。箭頭（a）最先交叉之部分不限於電極78A，可以是排出部74A、可以是收容部60A之側面、亦可以是蓋部61A。

［第1實施形態：變形例4］ 圖9係第1實施形態之變形例4中之霧產生裝置90之一例的概略圖。圖9所示之霧產生裝置90，係具有在排出方向與重力方向所夾角度α為180度之狀態下，使供應方向與重力方向所夾角度θ大於90度之氣體供應部70G。箭頭（a）（從氣體供應口72G之重心往供應方向描繪之線）最先交叉之部分以非液面較佳（非與液面交叉），由於從氣體供應口72G供應之氣體不會直接被吹至液面，因此能防止液面大幅晃動。所夾角度θ可以是90度～150度。上限值可以是135度、亦可以是120度。下限值可以是100度、亦可以是105度。

［第1實施形態：變形例5］ 圖10係顯示第1實施形態之變形例5中之霧產生裝置90之一例的概略圖。圖10所示之霧產生裝置90，具有在供應方向與重力方向所夾角度θ在90度之狀態下，使排出方向與重力方向所夾角度α小於180度之排出部74D。所夾角度α，為了能以良好效率收集所產生之霧，可以是120度～180度。上限值可以是165度、亦可以是150度。下限值可以是130度、亦可以是135度。

［第2實施形態］ 接著，使用圖11說明第2實施形態。以下，說明與上述實施形態之相異點。第2實施形態中之各構成，在不特別說明之情形下，與上述第1實施形態相同。

圖11係顯示第2實施形態中之霧產生裝置90之一例的概略圖。本實施形態中之霧產生裝置90，具有2個以上之氣體供應部70A。圖11中顯示了第2實施形態之霧產生裝置90中之容器62A、2個氣體供應部70A、排出部74A以及電極78A之配置構成。又，圖11中，省略了霧化部80之圖示。

圖11所示之霧產生裝置90，係具有2個氣體供應部70A之構成。當增加氣體供應部70A之數量時，一次即能將多量氣體供應至容器62A内。欲以1個氣體供應部70A對容器62A内供應多量氣體時，即使氣體不是直接被供應至分散液63之液面，但由於會有局部流速較快的氣體供應，因此會有容器62A内之氣流大幅紊亂、液面大幅波動的情形。藉由增加氣體供應部70A之數量，即能一邊增加氣體之供應量、一邊抑制從1個氣體供應部70A供應之氣體流速上升，因此能抑制分散液63之液面大幅波動。

又，氣體供應部70A之數量不限於2個，亦可以是3個以上。此外，本實施形態雖係針對圖11所示之構成做了說明，但不限於此，亦可將上述第1實施形態所說明之氣體供應部70A～70G加以組合使用。

［第3實施形態］ 接著，使用圖12說明第3實施形態。第3實施形態中之各構成，若無特別說明，則與上述第1實施形態相同。

圖12係顯示第3實施形態中之霧產生裝置90之一例的概略圖。本實施形態中之霧產生裝置90，具有2個以上之氣體供應口72H。圖12中，顯示了第3實施形態之霧產生裝置90中之容器62A、氣體供應部70H、排出部74A及電極78A之配置構成。又，圖12中，省略了霧化部80之圖示。

圖12所示之霧產生裝置90，係在1個氣體供應部70H具有2個氣體供應口72H1、H2之構成。當欲以1個氣體供應口72H1（H2）將多量氣體供應至容器62A内時，每1個氣體供應口72H1（H2）每單位時間流量將變多。如此，即使氣體不是直接被供應至液面，但由於在容器62A内會有局部流速較快的氣體供應，因此會有容器62A内之氣流大幅紊亂、分散液63之液面大幅波動的情形。藉由對1個氣體供應部70H設置複數個氣體供應口72H1（H2），每1個氣體供應口72H1（H2）每單位時間之流量會減少。其結果，即使是在將多量氣體供應至容器62A内之情形時，亦能抑制分散液63之液面產生大幅波動。

氣體供應口72H1（H2）之數量不限於2個，亦可以是3個以上。此外，本實施形態不限於此，亦可將上述第1實施形態所說明之氣體供應口72加以組合。

［第3實施形態：變形例］ 圖13係顯示第3實施形態中之霧產生裝置90之變形例的概略圖。圖13所示之氣體供應部70I，具有傾斜相異之2個氣體供應口72I1、I2。又，本變形例中之氣體供應部70I，只要是具有傾斜相異之複數個氣體供應口72I即可，複數個氣體供應口72I，只要是針對各自之供應方向滿足上述所夾角度θ及所夾角度β即可。又，進一步如第2實施形態之說明，可將複數個氣體供應部70加以組合。

［第4實施形態］ 接著，使用圖14說明第4實施形態。第4實施形態中之各構成，若無特別說明，則與上述第1實施形態相同。本實施形態中之霧產生裝置90，具有2個以上之排出部74A。

圖14係顯示第4實施形態中之霧產生裝置90之一例的概略圖。圖14中顯示了第4實施形態之霧產生裝置90中之容器62A、氣體供應部70A、2個排出部74A及電極78A之配置構成。又，圖14中，省略了霧化部80之圖示。

圖14所示之霧產生裝置90，係具有2個排出部74A之構成。當增加排出部74A之數量時，能一次將多量氣體從容器62A内排出。又，能將容器62A内產生之霧整個排出。

又，排出部74A之數量不限於2個，亦可以是3個以上。本實施形態雖係針對圖14所示之構成做了說明，但不限於此，亦可在上述第1實施形態至第3實施形態中設置2個以上之排出部74。

［第5實施形態］ 接著，使用圖15說明第5實施形態。第5實施形態中之各構成，若無特別說明，則與上述第1實施形態相同。

圖15係顯示第5實施形態中之霧產生裝置90之一例的概略圖。本實施形態中之霧產生裝置90，具有2個以上之排出口76E。圖15中顯示了第5實施形態之霧產生裝置90中之容器62A、氣體供應部70A、排出部74E及電極78A之配置構成。又，圖15中，省略了霧化部80之圖示。

圖15所示之霧產生裝置90，係對1個排出部74E具有2個排出口76E1、E2之構成。當欲以1個排出部74E將多量氣體與霧從容器62A内排出時，每1個排出口76E1（E2）每單位時間之流量變多。如此，會有液面大幅波動之情形。藉由對1個排出部74E設置複數個排出口76E1（E2），每1個排出口76E1（E2）每單位時間之流量會減少。其結果，能抑制液面大幅波動。又，由於在相異位置存在排出口76E1（E2），因此能將容器62A内產生之霧均勻的整個排出。

排出口76E1（E2）之數量不限於2個，亦可以是3個以上。又，排出部74E之構成不限於圖15所示之構成。

［第5實施形態：變形例］ 圖16係顯示第5實施形態中之霧產生裝置90之變形例的概略圖。圖16所示之排出部74E，具有傾斜相異之2個排出口76E1、E2。又，本變形例中之排出部74E，只要具有傾斜相異之複數個排出口76E即可，各個排出口76E，只要是如第1實施形態所說明，相對各自之排出方向滿足上述角度α及角度β即可。此外，如第4實施形態之說明，霧產生裝置90可將複數個排出部74加以組合使用。

［第6實施形態］ 接著，使用圖17說明第6實施形態。第6實施形態中之各構成，若無特別說明，則與上述第1實施形態相同。

圖17係顯示第6實施形態中之霧產生裝置90之一例的概略圖。圖17中顯示了第6實施形態之霧產生裝置中之容器62B、氣體供應部70J、排出部74A及電極78A之配置構成。又，圖17省略了霧化部80之圖示。

圖17所示之容器62B，於收容部60B設有隔板94。收容部60B内，有2個空間。收容有分散液之空間為收容空間96。未收容分散液63之空間為空空間98。收容空間96及空空間98不限於1個，亦可以是複數個。氣體供應口72J係設置在空空間98内。

又，為了將從氣體供應口72J供應至容器62B内之氣體從排出部74A排出，隔板94不具有到容器62B之蓋部61B之高度，收容空間96與空空間98在收容部60B之上部彼此開放。換言之，被隔板94隔開、收容有分散液63之空間且向上方擴展至蓋部61B之空間為收容空間96，被隔板94隔開、未收容有分散液之空間且向上方擴展至蓋部61B之空間為空空間98。

藉由在空空間98内設置氣體供應口72J，可在不直接將氣體吹至分散液63之情形下，將氣體充填至容器62B内。此外，排出部74A位於收容空間96内。其結果，能以良好效率將霧排出至容器62B之外部。又，本實施形態不限於本圖所示之例。

［第6實施形態：變形例］ 圖18係顯示第6實施形態中之霧產生裝置90之變形例的概略圖。圖18中所示之容器62C具有高低差。分散液63被收容至高低差之高度。高低差之數量不限於1個，亦可以是複數個。

氣體供應口72J係設置在不與液面對向之位置。如此，能在不直接將氣體供應至液面之情形下，以氣體充填容器62C内。排出口76A設置在與液面對向之位置，能將產生之霧以良好效率排出至容器62C之外部。本實施形態不限於此，可將上述第1實施形態至第5實施形態之氣體供應部70與排出部74加以組合使用。

［第7實施形態］ ＜薄膜製造裝置、製造方法＞ 根據本發明態樣之霧產生裝置90，例如能以下述裝置進行薄膜之成膜。以下，使用圖19說明之。

圖19係顯示第7實施形態中之薄膜製造裝置1之構成例的圖，係電子元件製造裝置之構成中之一個。本實施形態之霧產生部20A、霧產生部20B相當於上述霧產生裝置90。此外，導管（duct）21A、21B相當於上述排出部74。

本實施形態中之薄膜製造裝置1，係藉由卷對卷（Roll to Roll）方式，於具有可撓性之長條片狀基板FS表面連續的形成由粒子66構成之薄膜。

（裝置之概略構成） 圖19中，係以設置裝置本體之工廠地面為XY平面，並將與地面正交之方向為Z軸方向來設定一正交座標系XYZ。又，圖19之薄膜製造裝置1，係以片狀基板FS之表面恆與XZ面垂直之狀態往長條方向搬送。

於安裝在架台部EQ1之供應卷RL1，以既定長度捲繞有作為被處理體之長條片狀基板FS（以下，簡稱為基板FS）。於架台部EQ1，設有用以卷掛從供應卷RL1拉出之片狀基板FS的輥輪CR1，供應卷RL1之旋轉中心軸與輥輪CR1之旋轉中心軸係以彼此平行之方式於Y軸方向（與圖19之紙面垂直之方向）延伸配置。被輥輪CR1彎折向－Z軸方向（重力方向）之基板FS，被空氣阻尼器TB1折返向Z軸方向，再被輥輪CR2彎折向斜上方向（相對XY面成45度±15度之範圍）。關於空氣阻尼器TB1，係例如WO2013／105317所說明之藉由空氣軸承（氣體層）將基板FS以些微浮起之狀態彎折向搬送方向之物。又，空氣阻尼器TB1，可藉由未圖示之壓力調整部之驅動往Z軸方向移動，對基板FS以非接觸方式賦予張力。

通過輥輪CR2後之基板FS，在通過第1處理室10之狹縫狀氣封部10A後，通過收容成膜本體部之第2處理室12之狹縫狀氣封部12A後往斜上方向直線的被搬入第2處理室12（成膜本體部）内。當基板FS在第2處理室12内以一定速度被搬送時，於基板FS之表面，藉由大氣壓電漿輔助之霧沉積法或霧CVD（Chemical Vapor Deposition）法，以既定厚度形成由粒子66構成之膜。

在第2處理室12内接受了成膜處理之基板FS，通過狹縫狀氣封部12B從第2處理室退出後，被輥輪CR3折返向－Z軸方向後，被設在架台部EQ2之輥輪CR4彎折，捲繞至回收卷RL2。回收卷RL2與輥輪CR4，係以其旋轉中心軸彼此平行之方式於Y軸方向（與圖19之紙面垂直之方向）延伸架設於架台部EQ2。又，若有需要，可在從氣封部10B到空氣阻尼器TB2之搬送路中，設置用以使附著或含浸於基板FS之不需要之水成分乾燥的乾燥部（加熱部）50。

圖19所示之氣封部10A、10B、12A、12B，例如WO2012／115143所揭示般，具備在阻止第1處理室10或第2處理室12之外壁内側空間與外側空間之間的氣體（大氣等）流通之同時，使片狀基板FS於長條方向搬入、搬出之狹縫狀開口部。在該開口部上端邊與片狀基板FS之上表面（被處理面）之間、以及開口部下端邊與片狀基板FS之下表面（背面）之間，形成有真空賦壓方式之空氣軸承（靜壓氣體層）。因此，成膜用之霧氣體會留在第2處理室12内及第1處理室10内，防止漏出至外部。

又，本實施形態之場合，基板FS往長條方向之搬送控制與張力控制，係透過對回收卷RL2進行旋轉驅動之設在架台部EQ2之伺服馬達、與對供應卷RL1進行旋轉驅動之設在架台部EQ1之伺服馬達進行。圖19中雖省略圖示，設在架台部EQ1與架台部EQ2之各伺服馬達受到馬達控制部之控制，而能一邊將基板FS之搬送速度保持於目標值、一邊至少在輥輪CR2與輥輪CR3之間對基板FS賦予既定張力（長條方向）。片狀基板FS之張力，可藉由設置例如測量將空氣阻尼器TB1、TB2頂向Z軸方向之力的測力器等加以求出。

又，架台部EQ1（及供應卷RL1、輥輪CR1），具備根據測量在到達空氣阻尼器TB1前一刻之片狀基板FS兩側之邊緣（端部）Y軸方向（與片狀基板FS之長條方向正交之寬度方向）變動之邊緣感測器ES1的檢測結果，藉由伺服馬達等於Y軸方向在±數mm程度之範圍內進行微動之功能，亦即，具備EPC（邊緣位置控制）功能。據此，即使在捲繞於供應卷RL1之片狀基板有Y軸方向之捲繞不均之情形時，亦能將通過輥輪CR2之片狀基板FS之Y軸方向之中心位置，恆抑制在一定範圍（例如±0.5mm）内之變動。從而，片狀基板FS即在寬度方向正確被定位之狀態搬入成膜本體部（第2處理室12）。

同樣的，架台部EQ2（及回收卷RL2、輥輪CR4），具備根據測量在通過空氣阻尼器TB2後一刻之片狀基板FS兩側之邊緣（端部）Y軸方向變動之邊緣感測器ES2的檢測結果，藉由伺服馬達等於Y軸方向在±數mm程度之範圍內進行微動之EPC功能。據此，成膜後之片狀基板FS即在Y軸方向之捲繞不均被防止之狀態下，被捲繞於回收卷RL2。又，架台部EQ1及EQ2、供應卷RL1、回收卷RL2、空氣阻尼器TB1及TB2、輥輪CR1、CR2、CR3、CR4，具有將基板FS導向霧供應部22（22A、22B）之搬送部的功能。

圖19之裝置中，輥輪CR2、CR3被配置成在成膜本體部（第2處理室12）之片狀基板FS之直線搬送路，係沿著基板FS之搬送進行方向以45度±15度程度之傾斜（此處為45度）漸高。藉由此搬送路之傾斜，能使透過霧沉積法或霧CVD法噴至片狀基板FS上之分散液63之霧，適度地滯留在片狀基板FS之表面上，提升粒子66之堆積效率（成膜率、亦稱成膜速度）。該成膜本體部之構成將留待後敘，而由於基板FS在第2處理室12内係於長條方向傾斜，因此設定一將與基板FS之被處理面平行之面稱為Y・Xt面、將與Y・Xt面垂直之方向稱為Zt的正交座標系Xt・Y・Zt。

於本實施形態，於該第2處理室12内沿基板FS之搬送方向（Xt方向）以一定間隔設有2個霧供應部22A、22B。霧供應部22A、22B形成為筒狀，在對向於基板FS之前端側設有用以將霧氣體（氣體與霧之混合氣體）Mgs朝向基板FS噴出之於Y軸方向細長延伸的狹縫狀開口部。再者，在霧供應部22A、22B之開口部近旁，設有用以產生非熱平衡狀態之大氣壓電漿的一對平行線狀電極24A、24B。於一對電極24A、24B之各個，以既定頻率施加來自高壓脈衝電源部40之脈衝電壓。

在霧供應部22A、22B内產生電漿之作為電漿源的氣體種類無特別限，可使用公知之物。氣體之具體例，例如有氦氣、氬氣、（氙氣）、氧氣、氮氣等。其中，尤以安定性高之氦氣、氬氣、氙氣較佳。又，亦可將在霧產生部20A、20B用於電漿產生之氣體，直接作為在霧供應部22A、22B内產生電漿之氣體來利用。如此，能減少成膜裝置整體所使用之氣體，降低成本。

又，在霧供應部22A、22B之外周設有用以將霧供應部22A、22B之内部空間維持於設定溫度之調溫部23A、23B。調溫部23A、23B係藉由調溫控制部28將其控制於設定溫度。

於霧供應部22A、22B之各個，透過導管21A、21B以既定流量供應有在第1霧產生部20A、第2霧產生部20B產生之分散液63之霧氣體Mgs。從霧供應部22A、22B之狹縫狀開口部朝－Zt軸方向噴出之分散液63之霧氣體Mgs，由於係以既定流量吹至基板FS之上表面，因此會立即向下方（－Z軸方向）流動。為了延長分散液63之霧氣體在基板FS之上表面之滯留時間，第2處理室12内之氣體係透過導管12C被排氣控制部30吸引。亦即，藉由在第2處理室12内做出一個從霧供應部22A、22B之狹縫狀開口部朝向導管12C之氣流，據以控制分散液63之霧氣體Mgs從基板FS之上表面立即往下方（－Z軸方向）流落的情形。

排氣控制部30，除去所吸引之第2處理室12内氣體中所含之粒子66或氣體，使之成為正常的氣體（空氣）後透過導管30A放出至環境中。又，圖19中，雖係將霧產生部20A、20B設置在第2處理室12之外側（第1處理室10之内部），此係由於為了使第2處理室12之容積變小，在以排氣控制部30進行氣體吸引時易於控制氣體在第2處理室12内之流動（流量、流速、流路等）之故。當然，亦可將霧產生部20A、20B設在第2處理室12之内部。

在使用來自霧供應部22A、22B各個之分散液63之霧氣體Mgs以霧CVD法於基板FS上堆積膜之情形時，須將基板FS設定為較常溫高之溫度、例如設定為200℃程度。因此，於本實施形態，係隔著基板FS在與霧供應部22A、22B各個之狹縫狀開口部對向之位置（基板FS之背面側）設置基板溫度控制部27A、27B，藉由調溫控制部28控制基板FS上被分散液63之霧氣體Mgs噴射之區域的溫度成為設定值。另一方面，以霧沉積法進行成膜時，亦可以是常溫，因此雖不需要使基板溫度控制部27A、27B作動，但在使基板FS較常溫低之溫度（例如40℃以下）較佳之情形時，可適當地使基板溫度控制部27A、27B作動。

以上說明之霧產生部20A、20B、調溫控制部28、排氣控制部30、高壓脈衝電源部40及馬達控制部（用以旋轉驅動供應卷RL1、回收卷RL2之伺服馬達之控制系統）等，係以包含電腦之主控制單元100加以統籌控制。

（片狀基板） 其次，說明作為被處理體之片狀基板FS。如以上所述，基板FS，係使用例如樹脂薄膜、由不鏽鋼等之金屬或合金構成之箔（foil）等。作為樹脂薄膜之材質，可使用例如包含聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚酯樹脂、乙烯-乙烯共聚物樹脂、聚氯乙烯樹脂、纖維素樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚苯乙烯樹脂、乙酸乙烯酯樹脂中之1或2種者。又，基板FS之厚度及剛性（楊氏係數）只要是在搬送時，不會產生因基板FS彎折造成之折痕及不可逆的皺褶的範圍即可。作為電子元件，在製作可撓性顯示面板、觸控面板、濾色器、防電磁波過濾器等之情形時，使用厚度為25μm～200μm程度之PET（聚對苯二甲酸乙二酯）及PEN（聚萘二甲酸乙二醇酯）等價廉的樹脂片。

基板FS，以選擇例如在對基板FS施以各種處理中受熱造成之變形量可實質忽略之熱膨脹係數不會顯著大者較佳。又，在作為基底之樹脂薄膜中混入例如氧化鈦、氧化鋅、氧化鋁、氧化矽等之無機填料的話，亦能減小熱膨脹係數。此外，基板FS，可以是以浮製法等製造之厚度100μm程度之極薄玻璃單層體、或將不鏽鋼等之金屬壓延成薄膜狀之金屬片單層體，亦可以是於此極薄玻璃或金屬片上貼合上述樹脂薄膜、或鋁、銅等之金屬層（箔）等的積層體。再者，使用本實施形態之薄膜製造裝置1以霧沉積法進行成膜之情形時，可將基板FS之溫度設定在100℃以下（一般為常溫程度），但若是以霧CVD法進行成膜時，則須將基板FS之溫度設定在100℃～200℃程度。因此，以霧CVD法進行成膜時，係使用即使是在200℃程度之溫度下亦不會產生變形、變質之基板材料（例如，聚醯亞胺樹脂、極薄玻璃、金屬片等）。

此處，基板FS之可撓性（Flexibility）係指基板FS即使受到施加自重程度之力亦不會折斷或撕裂，該基板FS可撓曲之性質。因自重程度之力而彎曲之性質亦包含於可撓性。此外，視基板FS之材質、大小、厚度、基板FS上成膜之層構造、溫度、濕度等之環境等，可撓性之程度會改變。無論如何，只要在將基板FS正確捲繞於本實施形態之薄膜製造裝置1、或職司其前後製程之製造裝置之搬送路内所設之各種搬送用輥輪、方向轉換棒、旋轉筒等之情形時，不會因彎折而產生折痕或破損（產生破斷或裂開），而能順暢的搬送基板FS的話，皆屬於可撓性之範圍。

又，從圖19所示之供應卷RL1供應之基板FS，可以是中間製程之基板。亦即，可以是在捲繞於供應卷RL1之基板FS之表面，已形成有電子元件用之特定層構造。該層構造，係在作為基底之片狀基板表面，以一定厚度成膜之樹脂膜（絕緣膜）或金屬薄膜（銅、鋁等）等之單層、或由該等膜構成之多層構造體。又，於圖19之薄膜製造裝置1適用霧沉積法之基板FS，例如WO2013／176222所揭示的，可以是在基板表面塗布感光性矽烷偶合劑並使其乾燥後，使用露光裝置以對應電子元件用圖案形狀之分布照射紫外線（波長365nm以下），而在紫外線之照射部分與未照射部分對霧液體之親撥液性具有大差異之表面狀態者。此時，霧會附著在照射部分或未照射部分中具有親水性之部分，可藉由使用圖1之薄膜製造裝置1之霧沉積法，在基板FS之表面視圖案形狀選擇性地使霧附著。

此外，供應至圖19之薄膜製造裝置1之長條片狀基板FS，可以是在長條之薄金屬片（例如厚度為0.1mm程度之SUS帶）表面，將與待製造之電子元件之大小對應尺寸的一片片樹脂片等，於金屬片之長條方向以一定間隔貼合而成者。此場合，以圖19之薄膜製造裝置1成膜之被處理體，為一片片的樹脂片。

其次，針對圖19之薄膜製造裝置1之各部構成，參照圖19及圖20～圖24加以說明之。

（霧供應部22A、22B） 圖20係從座標系Xt・Y・Zt之－Zt側、亦即從基板FS側觀察霧供應部22A（22B亦同）之一立體圖例。霧供應部22A以石英板構成，於Y軸方向具有一定長度，以朝向－Zt方向之Xt方向寬度漸窄之傾斜的内壁Sfa、Sfb與和Xt・Zt面平行之側面的内壁Sfc與和Y・Xt面平行的頂板25A（25B）構成。於頂板25A（25B），在開口部Dh連接來自霧產生部20A（20B）之導管21A（21B），霧氣體Mgs被供應至霧供應部22A（22B）内。於霧供應部22A（22B）之－Zt軸方向前端部，形成有於Y軸方向之全長度La細長延伸之狹縫狀開口部SN，以在Xt方向夾著該開口部SN之方式設有一對電極24A（24B）。因此，透過開口部Dh被供應至霧供應部22A（22B）内之霧氣體Mgs（正壓），從狹縫狀開口部SN通過一對電極24A（24B）之間，於－Zt軸方向以相同之流量分布噴出。

一對電極24A，係以在Y軸方向延伸超過長度La之線狀電極EP、與在Y軸方向延伸超過長度La以上之線狀電極EG構成。電極EP、EG之各個，係以在Xt方向以既定間隔成平行之方式，被保持在具有介電體Cp之功能的圓筒狀石英管Cp1、具有介電體Cg之功能的石英管Cg1内，該石英管Cp1、Cg1以位於狹縫狀開口部SN兩側之方式被固定在霧供應部22A（22B）之前端部。石英管Cp1、Cg1，以内部不含金屬成分者較佳。又，介電體Cp、Cg亦可以是絕緣耐壓性高的陶瓷製管。

圖21係從Y軸方向觀察霧供應部22A（22B）之前端部與一對電極24A（24B）的一剖面圖例。於本實施形態，例如係將石英管Cp1、Cg1之外徑φa設定為約3mm、内徑φb設定為約1.6mm（厚度0.7mm），電極EP、EG以鎢、鈦等低阻抗之金屬的直徑0.5nm～1mm之線構成。電極EP、EG，係以直線狀通過石英管Cp1、Cg1内徑中心之方式，在石英管Cp1、Cg1之Y方向兩端部以絕緣體加以保持。又，石英管Cp1、Cg1，只要有其中任一方即可，例如可將連接於高壓脈衝電源部40之正極的電極EP以石英管Cp1包圍，將連接於高壓脈衝電源部40之負極（接地）的電極EG露出。不過，視從霧供應部22A（22B）前端部之開口部SN噴出之霧氣體Mgs之氣體成分，會產生露出之電極EG之汙染、腐蝕，因此仍以將兩電極EP、EG以石英管Cp1、Cg1加以包圍，以免霧氣體Mgs直接接觸電極EP、EG之構成較佳。

此處，線狀電極EP、EG之各個，皆是在與基板FS之表面相隔作動距離（working distance）WD之高度位置與基板FS之表面平行配置，且於基板FS之搬送方向（Xt方向）相距間隔Lb配置。間隔Lb，為了使非熱平衡狀態之大氣壓電漿於－Zt軸方向以相同分布安定的持續產生，係設定的盡可能窄，例如設定為5mm程度。因此，從霧供應部22A（22B）之開口部SN噴出之霧氣體Mgs通過一對電極間時之Xt方向之有效寬度（間隙）Lc為Lc＝Lb－φa，在使用外徑3mm之石英管之情形時，寬度Lc為2mm程度。

此外，雖非必要構成，但作動距離WD最好是大於線狀電極EP、EG之Xt軸方向之間隔Lb。此係由於，當是Lb＞WD之配置關係時，有可能會在作為正極之電極EP（石英管Cp1）與基板FS之間產生電漿、或產生電弧放電之故。

換言之，從電極EP、EG到基板FS之距離的作動距離WD，最好是較電極EP、EG間之間隔Lb長。

不過，在能將基板FS之電位設定在作為接地極之電極EG之電位與作為正極之電極EP之電位之間的情形時，亦可設定為Lb＞WD。

又，電極24A與電極24B所構成之面，可以不是相對基板FS成平行。此場合，係將電極中最接近基板FS之部分到基板FS之距離設為間隔WD，據以調整霧供應部22A（22B）或基板FS之設置位置。

本實施形態之情形，非熱平衡狀態之電漿會在一對電極24A（24B）之間隔最窄區域、亦即在圖21中之寬度Lc之間、於Zt軸方向之有限範圍區域PA内強烈產生。因此，縮小作動距離WD，即代表可以縮短霧氣體Mgs在受到非熱平衡狀態之電漿照射後到達基板FS表面之時間，可以期待成膜率（每單位時間之堆積膜厚）之提升。圖21中，線狀電極EP、EG之Xt方向間隔Lb，就電漿產生效率之觀點可以是10μm～20mm，下限值以0.1mm較佳、1mm則更佳。上限值以15mm較佳、10mm則更佳。

在不改變一對電極24A（24B）之間隔Lb（或寬度Lc）與作動距離WD之情形時，由於成膜率會因施加在電極EP、EG間之脈衝電壓之峰值與頻率、霧氣體Mgs從開口部SN噴出之噴出流量（速度）、霧氣體Mgs中所含之成膜用特定物質（粒子、分子、離子等）之濃度、或以配置在基板FS背面側之基板溫度控制部27A（27B）進行之控制溫度等而變化，因此此等條件係根據基板FS上成膜之特定物質之種類、成膜厚度、平坦性等之狀態，由主控制單元100加以適當調整。

（高壓脈衝電源部40） 圖22係顯示高壓脈衝電源部40之概略構成之一例的方塊圖，由可變直流電源40A與高壓脈衝生成部40B構成。可變直流電源40A，係輸入100V或200V之商用交流電源後，輸出經平滑化之直流電壓Vo1。電壓Vo1可在例如0V～150V之間變化，由於作為對次一層高壓脈衝生成部40B之供應電源，因此亦稱為1次電壓。於高壓脈衝生成部40B内，設有反復生成與施加至線狀電極EP、EG間之高壓脈衝電壓之頻率對應之脈衝電壓（峰值大致為1次電壓Vo1之矩形短脈衝波）的脈衝產生電路部40Ba、以及承受該脈衝電壓後生成上升時間與脈衝持續時間極短之高壓脈衝電壓以作為電極間電壓Vo2的升壓電路部40Bb。

脈衝產生電路部40Ba，係將1次電壓Vo1以頻率f高速turn on／turn off之半導體開關元件等構成。該頻率f雖係設定為數KHz以下，藉由開關之脈衝波形之上升時間／下降時間則設定為數十nS以下、脈衝時間寬設定為數百nS以下。升壓電路部40Bb，係將上述之脈衝電壓升壓至20倍程度之物，以脈衝變壓器等構成。

此等脈衝產生電路部40Ba、升壓電路部40Bb僅為一例，作為最終的電極間電壓Vo2，只要能以數kHz以下之頻率f連續生成峰值20kV程度、脈衝之上升時間為100nS程度以下、脈衝時間寬為數百nS以下之脈衝電壓的話，無論何種構成皆可。又，電極間電壓Vo2越高、越能使圖20所示之一對電極24A（24B）間之間隔Lb（及寬度Lc）更廣，因此能將基板FS上之霧氣體Mgs之噴射區域於Xt方向擴展，提升成膜率。

又，為了調整在一對電極24A（24B）間之非熱平衡狀態之電漿之產生狀態，可變直流電源40A具備能回應來自主控制單元100之指令變更1次電壓Vo1（即電極間電壓Vo2）的功能，且高壓脈衝生成部40B具備回應來自主控制單元100之指令變更施加至一對電極24A（24B）間之脈衝電壓之頻率f的功能。

圖23係以圖22所示構成之高壓脈衝電源部40所得之電極間電壓Vo2之波形特性之一例，縱軸代表電壓Vo2（kV）、橫軸代表時間（μS）。圖23之特性，顯示1次電壓Vo1為120V、頻率f為1kHz之情形時所得之電極間電壓Vo2之1脈衝量之波形，作為峰值得到約18kV之脈衝電壓Vo2。再者，從最初之峰值（18kV）之5％到95％之上升時間Tu約為120nS。又，圖22之電路構成，在最初峰值之波形（脈衝時間寬約400nS）後之2μS為止之期間雖產生了減幅振盪（ringing）波形（衰減波形），但此部分之電壓波形不至於產生非熱平衡狀態之電漿及電弧放電。

先前例示之電極之構成例，在將被外徑3mm、内徑1.6mm之石英管Cp1、Cg1包圍之電極EP、EG以間隔Lb＝5mm設置之情形時，因圖23所示之最初峰值之波形部分以頻率f反復，使得在一對電極24A（24B）間之區域PA（圖21）内，非熱平衡狀態之大氣壓電漿安定的持續產生。

（基板溫度控制部27A、27B） 圖24係顯示圖19中之基板溫度控制部27A（27B亦同）之構成之一例的剖面圖。片狀基板FS係於長條方向（Xt軸方向）以一定速度（例如，毎分數mm～數cm）連續搬送，因此在基板溫度控制部27A（27B）之上面與片狀基板FS之背面接觸之狀態下，基板FS背面恐有受損之虞。因使，於本實施形態，係在基板溫度控制部27A（27B）之上面與基板FS之背面之間，以數μm～數十μm程度之厚度形成空氣軸承之氣體層，來以非接觸狀態（或低摩擦狀態）搬送基板FS。

基板溫度控制部27A（27B），由與基板FS之背面對向配置的基座台270、在其上（Zt軸方向）之複數處設置之一定高度的間隔件272、設在複數個間隔件272之上的平坦金屬製板件274、以及在複數個間隔件272之間配置在基座台270與板件274之間的複數個基板調溫部275。

於複數個間隔件272之各個，形成有貫通至板件274表面之氣體的噴出孔274A、以及吸引氣體的吸氣孔274B。貫通各間隔件272内之噴出孔274A，透過基座台270内形成之氣體流路連接於氣體之導入埠271A，貫通各間隔件272内之吸氣孔274B，透過基座台270内形成之氣體流路連接於氣體之排氣埠271B。導入埠271A連接於加壓氣體之供應源，排氣埠271B連接於製造真空壓之減壓源。

在板件274之表面，噴出孔274A與吸氣孔274B係在Y・Xt面内近接設置，因此從噴出孔274A噴出之氣體會立刻被吸氣孔274B吸引。據此，在板件274之平坦表面與基板FS之背面之間形成空氣軸承之氣體層。在基板FS是於長條方向（Xt軸方向）伴隨既定張力被搬送之情形時，基板FS係順著板件274之表面而保持平坦狀態。

再者，由於被複數個基板調溫部275進行溫度調節之板件274之表面與基板FS之背面間之間隙僅為數μm～數十μm程度，因此基板FS會因來自板件274表面之輻射熱而立即被調整為設定溫度。該設定溫度，係以圖19所示之調溫控制部28加以控制。

又，不僅是從基板FS之背面，在從上面（被處理面）側亦需要進行溫度調整之情形時，將與基板FS上面以既定間隙對向之溫度調整板件（圖24中之板件274與基板調溫部275之組）27C，於基板FS之搬送方向設在霧氣體Mgs之噴射區域上游側。

如以上所述，基板溫度控制部27A（27B），兼具有對基板FS之承受霧氣體Mgs噴射之一部分進行溫度調整的調溫功能、以及將基板FS以空氣軸承方式浮起支承為平坦的非接觸（低摩擦）支承功能。圖23所示之基板FS之上面與一對電極24A（24B）之Zt方向之作動距離WD，為了維持成膜時膜厚之均勻性，在基板FS之搬送中最好是能保持一定。如圖24所示，本實施形態之基板溫度控制部27A（27B），由於係以真空賦壓型之空氣軸承支承基板FS，因此能將基板FS之背面與板件274之上面間之間隙大致保持一定，抑制基板FS往Zt方向之位置變動。

以上，本實施形態（圖19～圖24）之構成之薄膜製造裝置1，係在將基板FS於長條方向以一定速度搬送之狀態下，使高壓脈衝電源部40作動以在一對電極24A、24B間產生非熱平衡狀態之大氣壓電漿，從霧供應部22A、22B之開口部SN以既定流量噴出霧氣體Mgs。通過產生大氣壓電漿之區域PA（圖21）之霧氣體Mgs噴射至基板FS，霧氣體Mgs之霧中所含之特定物質即在基板FS上連續堆積。

於本實施形態，藉由在基板FS之搬送方向排列2個霧供應部22A、22B，使得在基板FS上堆積之特定物質之薄膜之成膜率提升約2倍。因此，藉由在基板FS之搬送方向增加霧供應部22A、22B，可進一步提升成膜率。

此外，於本實施形態，由於係對各個霧供應部22A、22B個別的設置霧產生部20A、20B，個別的設置基板溫度控制部27A、27B，因此可使從霧供應部22A之開口部SN噴出之霧氣體Mgs、與從霧供應部22B之開口部SN噴出之霧氣體Mgs之特性（前驅體LQ之特定物質含有濃度、霧氣體之噴出流量及溫度等）相異，或使基板FS之溫度相異。可藉由使從霧供應部22A、22B各自之開口部SN噴出之霧氣體Mgs之特性或基板FS之溫度相異，來調整成膜狀態（膜厚、平坦性等）。

由於圖19之薄膜製造裝置1，係單獨的以卷對卷（Roll to Roll）方式搬送基板FS，因此成膜率亦可藉由基板FS之搬送速度之變更加以調整。不過，若連接有在以圖19般之薄膜製造裝置1成膜之前對基板FS施以表面處理等的前製程用裝置、或連接有對成膜後基板FS立即施以光阻或感光性矽烷偶合劑等之塗布處理等的後製程用裝置時，有時會有變更基板FS之搬送速度困難的情形。在此種情形時，本實施形態之薄膜製造裝置1，能以適合設定之基板FS之搬送速度的方式，調整成膜狀態。

當然，可將以1個霧產生部20A生成之霧氣體Mgs，分配供應至2個霧供應部22A、22B、或2個以上之霧供應部之各個。

又，本實施形態，雖係就對基板FS從Zt軸方向供應霧氣體Mgs之構成做了說明，但不限於此，亦可以是對基板FS從－Zt方向供應霧氣體Mgs之構成。在對基板從Zt方向供應霧氣體Mgs之構成時，雖有積在霧供應部22A、22B内之液滴滴落至基板FS之可能，但藉由做成對基板FS從－Zt軸方向供應霧氣體Mgs之構成，即能抑制此種情形。從哪個方向供應霧氣體Mgs，可依據霧氣體Mgs之供應量或其他製造條件適當決定即可。

［第8實施形態］ 接著，使用圖25說明第8實施形態。圖25係顯示第8實施形態中之霧產生裝置90之一例的概略圖。第8實施形態中之各構成，若無特別說明，則與上述第1實施形態相同。此外，圖25～圖28所示之實施形態及變形例中之霧產生裝置90，具備與上述實施形態相同之外部容器91與霧化部80。以下所示例中，除特別敘述之情形外，省略霧化部80與外部容器91之圖示。

本實施形態中之霧產生裝置90，具有電漿產生部82。電漿產生部82，除前述之電極78A外，具有中空體83、栓84、及氣體導入部85。中空體83係圍繞電極之至少一部分、内部具有空洞之構件。

中空體83，其一端位在分散液63之液面之下，該一端開口。另一端封閉，中空體83之内部充填有氣體。例如，中空體83之另一端係以電極78A插通之栓84加以密閉。又，中空體可以不是以栓密閉之構造，而是中空體本身之該另一端為封閉之構造。圖25所示之例中，中空體83貫通蓋部61A。亦即，栓84是位在容器62A之外側。

中空體83係以具有絕緣性之材料形成，以將從電極78A產生之電漿安定的輸出至分散液63。中空體83，係以例如玻璃、石英、樹脂等形成。又，由於從電極78A產生電漿時，有發熱的可能性，因此中空體83以具有耐熱性之材料形成較佳。此外，為了確認電漿對分散液63之液面是安定的產生，亦可以具有穿透性之素材形成。就此點而言，中空體83尤以玻璃或石英形成者較佳。

氣體導入部85係將氣體導入中空體83之中。例如，氣體導入部85貫通栓84。以氣體導入部85導入之氣體，係為了使藉由電極78A產生之電漿安定的照射於分散液63之液面而使用。作為氣體之具體例，例如有氦、氬、氙、氧、氮、空氣等。此等之中，以包含安定性高之氦、氬、氙中至少一種者較佳。

又，氣體導入部85之設置位置，不限於圖25所示之位置。例如，可於中空體83之壁面，設置具有氣體導入部85之功能的氣體導入口。氣體導入部85，可設置在容器62A之外部、亦可設置在容器62A之内部。

即使是將中空體83之内部充滿氣體，將上端以栓84加以密閉之情形時，亦有可能因例如密閉不完全之情形等，使得微量之氣體從中空體83内部漏出。從氣體導入部85之氣體之導入，係用以補充漏出之氣體，係導入至氣體不會從中空體83之下端開口出來之程度。又，本實施形態中，氣體導入部85並非必須之構成。

又，圖25中記載之霧產生裝置90，雖具有圍繞1個電極78A之1個中空體83，但霧產生裝置90所具有之中空體83及電極78A之數量不限於此。霧產生裝置90，可具備複數個具有圍繞1個電極78A之1個中空體83的電漿產生部82。亦即，可於容器62A内，具有分別具有1個電極78A之複數個中空體83。此外，霧產生裝置90所具備之1或複數個中空體83，可具有複數個電極78A。

由於霧產生裝置90具有以中空體83圍繞之複數個電極78A，因此照射於液面之電漿增加，而能提高分散液63之粒子66之分散性。

圖26係用以說明電漿產生部82之概要的圖。圖26A為電漿產生部82之前端部分之外觀的一例、圖26B為電漿產生部82之剖面圖（俯視）之例（其1）、圖26C為電漿產生部82之剖面圖（俯視）之例（其2）。

本實施形態中之電極78A之形狀，與上述實施形態同樣的，不限於圖26所示之例。例如電極78A，可以是圖2所示之電極78B或電極78C。從電漿產生效率之觀點，本實施形態中之電極78A，與圖2所示之第1實施形態同樣的，電極78A之前端、最接近液面之部分的面積小者較佳。

如圖26A所示，中空體83内部之氣體與分散液63之交界的液面LS，位於中空體83之前端開口部分。電極78A係被設置在前端不會接觸到分散液63之液面LS之位置。於霧產生裝置90，為提升粒子66之分散性，以能對分散液63安定的從電極78A照射電漿較佳。當分散液63之液面LS與電極78A之前端的距離過遠時，將會損及電漿照射之安定性。電極78A之前端與中空體83之下端的距離Dt之上限，以30mm較佳，25mm更佳。

又，當分散液63之液面LS與電極78A之前端的距離較近時，在液面LS晃動時等，液面LS與電極78A之前端有可能接觸。電極78A之前端與中空體83之下端的距離Dt之下限，以10mm較佳，15mm更佳。

當因為霧化部之霧產生，使容器62A中之分散液63之液面晃動時，電極78A之前端與液面的距離變動，損及電漿照射之安定性，粒子66之分散性降低。藉由將電極78A之周圍以中空體83加以圍繞，將中空體83之前端設在分散液63之液面下，能抑制液面LS之晃動，使電漿安定的照射於分散液63。

又，如圖26A所示，亦可藉由將氣體充填於中空體83，使液面LS從中空體83之前端向下方突出。藉由液面LS之表面張力，抑制霧化部產生霧時之液面LS之晃動，因此能安定的將電漿照射於分散液63，提高分散液63之粒子66之分散性。

圖26B及圖26C係從Z軸方向所見之電漿產生部82之剖面圖之一例。圖26B所示之中空體83之剖面及電極78A之剖面，為大致圓形。圖26C所示之中空體83之剖面為大致圓形、但電極78A之剖面為大致正方形。如圖26B及圖26C所示，電極78A之剖面形狀並無限定。又，關於中空體83之剖面形狀，亦不限於本圖所示之例。

又，亦可將電漿產生部82構成為電極78A之軸與中空體83之中心軸一致。如此，能將從電極78A產生之電漿安定的導向液面LS。

又，圖25所示之收容部60A，係壁面向下方漸尖的錐形。然而，收容部之形狀不限於圖25所示之例，亦可以是例如圓柱等。此外，收容部只要要是能將霧化部之振動傳遞至分散液63之材質及厚即可。關於收容部之形狀、材質以及厚度，在上述其他實施形態中之收容部亦同。

［第8實施形態：變形例1］ 圖27係顯示第8實施形態之變形例1中之霧產生裝置90之一例的概略圖。本圖中省略了栓84及氣體導入部85之記載。本變形例中之中空體83及電極78A係相對液面傾斜設置。中空體83及電極78A，可相對分散液63之液面垂直設置、或傾斜設置。

［第8實施形態：變形例2］ 圖28係顯示第8實施形態之變形例2中之霧產生裝置90之一例的概略圖。本變形例中之中空體83，其上端位在蓋部61A之下側。亦即，中空體83之整體係位於收容部60A内。

若電極78A之前端被收容在中空體83之内部，中空體83之下端位在分散液63之液面之下的話，即能將從前端產生之電漿安定的照射於分散液63。又，本變形例中，電漿產生部82亦可具有氣體導入部85。

［第8實施形態：變形例3］ 圖29係顯示第8實施形態之變形例3中之霧產生裝置90之一例的概略圖。本變形例中之霧產生裝置90，具有接地電極86。接地電極86設置在容器62A之下部，其功能在於作為對施加至電極78A之電壓的接地電極。

又，將容器62A内之接地電極86上部之既定範圍區域設為接地上部區域PC。亦即，接地上部區域PC係接地電極86正上方之區域。例如，假設接地電極86之上端係延伸至容器62A之底面時，將從接地電極86之上端起既定範圍内設為底面，接地上部區域PC係在收容部60A內從該底面往正上方至蓋部61A的區域。電極78A係設置成至少前端位於接地上部區域PC。

從電極78A之前端射出之電漿，被導向接地電極86。藉由將電極78A之前端構成為位在接地電極86之正上方，能將電漿適當地導向液面LS。亦即，能更有效率的使粒子66分散。

又，將容器62A内之霧化部80正上方之區域設為霧化部上部區域PB。本變形例中之霧化部80，例如是超音波振動件。由於霧化部80之驅動，霧化部上部區域PB之液面有晃動之傾向。本變形例之中空體83，為了減輕液面晃動對電漿之影響，係設置在除霧化部上部區域PB以外之位置。詳言之，中空體83係設置在除霧化部80上部之既定範圍區域的霧化部上部區域PB以外之位置。

又，本變形例中之中空體83，可與圖27所示之中空體83同樣的，設置成相對液面傾斜。中空體83，只要是下端設在除霧化部上部區域PB以外之位置即可。藉由本構成，能安定的將電漿照射於分散液63，進一步提高分散液63之粒子66之分散性。

此外，第8實施形態中之霧產生裝置90，與上述其他實施形態同樣的，可以構成為從氣體供應部70A之氣體供應口供應之氣體之供應方向與重力方向相異。例如，從氣體供應口供應之氣體之供應方向與重力作用之重力方向所夾之角，可以是90度以上150度以下。又，排出口76，為了使產生之霧易於從收容部60排出，以如圖25所示的位在氣體供應口72上方較佳。

1:薄膜製造裝置 10:第1處理室 10A、10B:氣封部 12:第2處理室 12A、12B:氣封部 12C:導管 20A、20B:霧產生部 21A、21B:導管 22A、22B:霧供應部 23A、23B:調溫部 24A、24B:電極 25A、25B:頂板 27A、27B:基板溫度控制部 27C:溫度調整板件 28:調溫控制部 30:排氣控制部 30A:導管 40:高壓脈衝電源部 40A:可變直流電源 40B:高壓脈衝生成部 40Ba:脈衝產生電路部 40Bb:升壓電路部 50:乾燥部 60、60A、60B、60C:收容部 61、61A、61B、61C:蓋部 62、62A、62B、62C:容器 70A、70B、70C、70D、70E、70F、70G、70H、70I、70J:氣體供應部 72、72A、72B、72C、72D、72E、72F、72G、72H、72I、72J:氣體供應口 74、74A、74B、74C、74D、74E、74F:排出部 76、76A、76B、76C、76D、76E1、76E2、76F1、76F2:排出口 78、78A、78B、78C:電極 79、79A、79B、79C:前端部 80:霧化部 81:板狀構件 82:電漿產生部 83:中空體 84:栓 85:氣體導入部 86:接地電極 90:霧產生裝置 91:外部容器 94:隔板 96:收容空間 98:空空間 100:主控制單元 270:基座台 271A:導入埠 271B:排氣埠 272:間隔件 274:板件 274A:噴出孔 274B:吸氣孔 275:基板調溫部 Cg、Cp:介電體 Cg1、Cp1:石英管 CR1、CR2、CR3、CR4:輥輪 Dh:開口部 Dt:距離 EG、EP、EP1、EP2:電極 EQ1、EQ2:架台部 ES1、ES2:邊緣感測器 FS:基板 La、Lb、Lc:間隔 LS:液面 Mgs:霧氣體 PA:區域 PB:霧化部上部區域 PC:接地上部區域 RL1:供應卷 RL2:回收卷 Sfa、Sfb、Sfc:内壁 SN:開口部 TB1、TB2:空氣阻尼器 Tu:時間 Vo1、Vo2:電壓 WD:間隔 φa:外徑 φb:内徑

[圖1]係顯示第1實施形態中之霧產生裝置之一例的概略圖。 [圖2]係顯示第1實施形態中之電極78之前端部79之一例的概略圖。圖2A係前端部79A之形狀為針狀之電極78A之一例、圖2B係在前端部79B具有複數個針狀部分之電極78A之一例、圖2C係前端部79C之形狀為球狀之電極78C之一例。 [圖3]係顯示供應方向、供應方向與重力方向所夾角度θ之一例的說明圖。圖3A係顯示第1實施形態之氣體供應部之一例，說明供應方向的概略圖。圖3B係說明氣體供應部70B之供應方向的概略圖。圖3C係用以說明圖3A中之角度θ的圖。 [圖4]係顯示排出方向、排出方向與重力方向所夾角度α之一例的說明圖。圖4A係顯示第1實施形態之排出部74A之一例，說明排出方向的概略圖。圖4B係說明排出部74B之排出方向的概略圖。圖4C係用以說明角度α的圖。 [圖5]係顯示供應方向與排出方向所夾角度β之一例的說明圖。圖5A係第1實施形態之氣體供應部70C與排出部74C的概略圖。圖5B係用以說明角度β的圖。 [圖6]係顯示第1實施形態之變形例1中之霧產生裝置之一例的概略圖。 [圖7]係顯示第1實施形態之變形例2中之霧產生裝置之一例的概略圖。 [圖8]係顯示第1實施形態之變形例3中之霧產生裝置之一例的概略圖。 [圖9]係顯示第1實施形態之變形例4中之霧產生裝置之一例的概略圖。 [圖10]係顯示第1實施形態之變形例5中之霧產生裝置之一例的概略圖。 [圖11]係顯示第2實施形態中之霧產生裝置之一例的概略圖。 [圖12]係顯示第3實施形態中之霧產生裝置之一例的概略圖。 [圖13]係顯示第3實施形態中之霧產生裝置之變形例的概略圖。 [圖14]係顯示第4實施形態中之霧產生裝置之一例的概略圖。 [圖15]係顯示第5實施形態中之霧產生裝置之一例的概略圖。 [圖16]係顯示第5實施形態中之霧產生裝置之變形例的概略圖。 [圖17]係顯示第6實施形態中之霧產生裝置之一例的概略圖。 [圖18]係顯示第6實施形態中之霧產生裝置之變形例的概略圖。 [圖19]係顯示第7實施形態中之薄膜製造裝置之構成例的圖。 [圖20]係霧供應部從基板側所見之立體圖的一例。 [圖21]係霧供應部之前端部與一對電極從Y軸方向所見之剖面圖的一例。 [圖22]係顯示高壓脈衝電源部之概略構成之一例的方塊圖。 [圖23]係顯示以高壓脈衝電源部所得之電極間電壓之波形特性之一例的圖。 [圖24]係顯示基板溫度控制部之一構成例的剖面圖。 [圖25]係顯示第8實施形態中之霧產生裝置之一例的概略圖。 [圖26]係用以說明電漿產生部之概要的圖。圖26A係電漿產生部之前端部分之外觀之一例、圖26B係電漿產生部之剖面圖（俯視）之例（其1）、圖26C係電漿產生部之剖面圖（俯視）之例（其2）。 [圖27]係顯示第8實施形態之變形例1中之霧產生裝置之一例的概略圖。 [圖28]係顯示第8實施形態之變形例2中之霧產生裝置之一例的概略圖。 [圖29]係顯示第8實施形態之變形例3中之霧產生裝置之一例的概略圖。

60A:收容部

61A:蓋部

62A:容器

63:分散液

64:分散介質

66:粒子

70A:氣體供應部

72A:氣體供應口

74A:排出部

76A:排出口

78A:電極

80:霧化部

90:霧產生裝置

91:外部容器

(a):從氣體供應口之重心往供應方向描繪之線

Claims (42)

1. 一種霧產生裝置，具備： 容器，係收容液體； 氣體供應部，係從氣體供應口將第1氣體供應至該容器内；以及 電極，係在與該液體之間產生電漿； 從該氣體供應部之氣體供應口供應之該第1氣體之供應方向與重力作用之方向相異。
2. 一種霧產生裝置，具備： 容器，係收容液體； 氣體供應部，係從氣體供應口將第1氣體供應至該容器内；以及 電極，係在與該液體之間產生電漿； 該氣體供應部之氣體供應口與液面不對向。
3. 如請求項2所述之霧產生裝置，其具備設在該容器内之構件； 該構件係配置在該氣體供應部之該氣體供應口與該液體之液面之間。
4. 如請求項3所述之霧產生裝置，其中，該構件為板狀。
5. 如請求項1至4中任一項所述之霧產生裝置，其具備使該液體霧化之霧化部。
6. 如請求項5所述之霧產生裝置，其中，該霧化部係超音波振動件。
7. 如請求項1至6中任一項所述之霧產生裝置，其中，從該氣體供應部之該氣體供應口供應之該第1氣體之供應方向與重力作用之重力方向所夾之角度為90度到150度。
8. 一種霧產生裝置，具備： 容器，係收容液體； 氣體供應部，係從氣體供應口將第1氣體供應至該容器内；以及 電漿產生部，其具備在與該液體之液面之間產生電漿之電極、與圍繞該電極之中空體； 該中空體之一前端位在該液體之液面之下。
9. 如請求項8所述之霧產生裝置，其中，該電極係設置在該電極之該液面側之前端與該液體之液面不接觸之位置。
10. 如請求項8或9所述之霧產生裝置，其中，該電漿產生部具有將第2氣體導入該中空體中之氣體導入部。
11. 如請求項8至10中任一項所述之霧產生裝置，其中，該電極係以該電極之軸與該中空體之中心軸一致之方式配置在該中空體内。
12. 如請求項8至11中任一項所述之霧產生裝置，其進一步具備產生該液體之霧的霧化部。
13. 如請求項12所述之霧產生裝置，其中，該霧化部係超音波振動件。
14. 如請求項12或13所述之霧產生裝置，其中，該中空體係設置在該容器内、除該霧化部之上部之既定範圍區域的霧化部上部區域以外的位置。
15. 如請求項10所述之霧產生裝置，其中，該第2氣體係至少包含氦、氙、氬中任一種之氣體。
16. 如請求項8至15中任一項所述之霧產生裝置，其中，在該容器之下部，具備針對施加於該電極之電壓的接地電極； 該電極，係以位在該容器内、該接地電極之上部既定範圍區域的接地上部區域之方式設置。
17. 如請求項8至16中任一項所述之霧產生裝置，其中，該氣體供應部從該氣體供應部之該氣體供應口供應之第1氣體之供應方向與重力方向相異。
18. 如請求項17所述之霧產生裝置，其中，從該氣體供應部之該氣體供應口供應之該第1氣體之供應方向與重力作用之重力方向所夾角度為90度至150度。
19. 如請求項1至18中任一項所述之霧產生裝置，其具備將霧化之該液體從該容器排出之排出部。
20. 如請求項19所述之霧產生裝置，其中，該容器具備具有開口部之收容部、與覆蓋該開口部之蓋部； 該電極、該氣體供應部、該排出部係插通該蓋部而配置。
21. 如請求項19或20所述之霧產生裝置，其中，從該排出部之排出口排出之該第1氣體之排出方向與重力作用之重力方向所夾角度為120度至180度。
22. 如請求項21所述之霧產生裝置，其中，從該氣體供應部之該氣體供應口供應之該第1氣體之供應方向與從該排出口排出之該第1氣體之排出方向所夾角度為30度至150度。
23. 如請求項21或22所述之霧產生裝置，其中，該排出部具有2個以上之該排出口。
24. 如請求項21至23中任一項所述之霧產生裝置，其中，該氣體供應口設置在該排出口之下方。
25. 如請求項1至24中任一項所述之霧產生裝置，其具有2個以上之該氣體供應部。
26. 如請求項1至25中任一項所述之霧產生裝置，其具有2個以上之該氣體供應口。
27. 如請求項1至26中任一項所述之霧產生裝置，其具有2個以上之該電極。
28. 如請求項1至27中任一項所述之霧產生裝置，其中，該容器係由塑膠或金屬構成。
29. 如請求項1至28中任一項所述之霧產生裝置，其中，該電極前端部之形狀為球狀。
30. 如請求項1至28中任一項所述之霧產生裝置，其中，該電極前端部之形狀為針狀。
31. 如請求項1至30中任一項所述之霧產生裝置，其中，該第1氣體係氦、氬、氙中之任一種。
32. 如請求項1至31中任一項所述之霧產生裝置，其具備對該電極施加電壓之電源部； 該電源部係以0.1Hz以上、50kHz以下之頻率施加電壓。
33. 如請求項32所述之霧產生裝置，其中，該電源部係施加21kV以上之電壓。
34. 如請求項32或33所述之霧產生裝置，其中，該電源部係藉由施加電壓使該電極產生1.1×10⁶ V／m以上之電場。
35. 如請求項1至34中任一項所述之霧產生裝置，其中，該液體係包含粒子與分散介質之分散液。
36. 如請求項35所述之霧產生裝置，其中，該分散介質包含水。
37. 如請求項35或36所述之霧產生裝置，其中，該粒子為無機氧化物。
38. 如請求項35至37中任一項所述之霧產生裝置，其中，該粒子包含二氧化矽、氧化鋯、氧化銦、氧化鋅、氧化錫、氧化鈦、氧化銦錫、鉭酸鉀、氧化鉭、氧化鋁、氧化鎂、氧化鉿、氧化鎢中之任1種以上。
39. 如請求項35至38中任一項所述之霧產生裝置，其中，該粒子之平均粒徑為5nm～1000nm。
40. 如請求項35至39中任一項所述之霧產生裝置，其中，該分散液中所含之該粒子之濃度為0.001質量％～80質量％。
41. 一種薄膜製造裝置，係於基板上進行成膜，其具有： 如請求項1至40中任一項所述之霧產生裝置；以及 將霧化之該液體供應至既定基板上之霧供應部。
42. 一種薄膜製造方法，係於基板上進行成膜，其具備： 使用請求項1至40中任一項所述之霧產生裝置，使該液體霧化之程序；以及 將霧化之該液體供應至既定基板之程序。

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