TW202202919A

TW202202919A - 顯示面板

Info

Publication number: TW202202919A
Application number: TW109141979A
Authority: TW
Inventors: 林宜欣; 黃朝偉
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2020-07-08
Filing date: 2020-11-30
Publication date: 2022-01-16
Also published as: TW202232211A; TW202202923A; TWI830215B; TWI754514B; TWI760014B; TWI759984B; TWI764516B; TW202202914A; TW202202921A

Abstract

一種顯示面板，包括第一基底、多個畫素結構、第二基底、顯示介質、第一封膠及第二封膠。第一基底具有主動區及主動區外的周邊區。多個畫素結構設置於第一基底的主動區上。第二基底設置於第一基底的對向。第一封膠設置於第一基底與第二基底之間，且位於第一基底的周邊區上。第二封膠設置於第一基底的側壁及第二基底的側壁上。第二封膠具有重疊於第一基底之側壁及第二基底之側壁的凸面。此外，上述顯示面板的製造方法也被提出。

Description

顯示面板

本發明是有關於一種顯示面板。

隨著顯示科技的發達，人們對顯示裝置的需求，不再滿足於高解析度、高對比、廣視角等光學特性，人們還期待顯示裝置具有優雅的外觀。舉例而言，人們期待顯示裝置的邊框窄。

一般而言，顯示裝置可包括非自發光顯示面板及非自發光顯示面板下方的背光模組。為實現窄邊框的顯示裝置，並避免背光模組發出的光束從非自發光顯示面板的周邊區漏出，會於非自發光顯示面板的側壁上形成擋光的側邊封膠（side sealant）。然而，當非自發光顯示面板的上下基板錯位時，易產生側邊漏光的問題。

本發明提供一種顯示面板，性能佳。

本發明一實施例的顯示面板，包括第一基底、多個畫素結構、第二基底、顯示介質、第一封膠以及第二封膠。第一基底具有主動區及主動區外的周邊區。多個畫素結構設置於第一基底的主動區上。第二基底設置於第一基底的對向。顯示介質設置於第一基底與第二基底之間。第一封膠設置於第一基底與第二基底之間，且位於第一基底的周邊區上。第二封膠設置於第一基底的側壁及第二基底的側壁上。第二封膠具有重疊於第一基底之側壁及第二基底之側壁的凸面，且第二封膠的光學密度值大於或等於0.68。在一實施例中，上述之第二封膠的光學密度值是指：在第二封膠的膜厚實質上等於160μm時所量測到的數值。

本發明一實施例的顯示面板，包括第一基底、多個畫素結構、第二基底、顯示介質、第一封膠以及第二封膠。第一基底具有主動區及主動區外的周邊區。多個畫素結構設置於第一基底的主動區上。第二基底設置於第一基底的對向。顯示介質設置於第一基底與第二基底之間。第一封膠設置於第一基底與第二基底之間，且位於第一基底的周邊區上。第二封膠設置於第一基底的側壁及第二基底的側壁上。第二封膠具有重疊於第一基底之側壁及第二基底之側壁的凸面。第一基底的側壁與第二基底的側壁實質上切齊。

現將詳細地參考本發明的示範性實施例，示範性實施例的實例說明於附圖中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。

應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件“上”或“連接到”另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為“直接在另一元件上”或“直接連接到”另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，“連接”可以指物理及/或電性連接。再者，“電性連接”或“耦合”可以是二元件間存在其它元件。

本文使用的“約”、“近似”、或“實質上”包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量（即，測量系統的限制）。例如，“約”可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30％、±20％、±10％、±5％內。再者，本文使用的“約”、“近似”或“實質上”可依光學性質、蝕刻性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。

除非另有定義，本文使用的所有術語（包括技術和科學術語）具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。

圖1為本發明一實施例之顯示面板10的剖面示意圖。

請參照圖1，顯示面板10包括畫素陣列基板1、對向基板2及顯示介質3。畫素陣列基板1具有第一基底110，對向基板2具有第二基底210，第二基底210設置於第一基底110的對向，且顯示介質3設置於第一基底110與第二基底210之間。

舉例而言，在本實施例中，顯示介質3可以是非自發光材料（例如但不限於：液晶），顯示面板10還可包括分別設置於第一基底110之外表面112及第二基底210之外表面212上的偏光片4及偏光片5，且顯示面板10下方設有背光模組（未繪示）。

在本實施例中，第一基底110的材質可以是玻璃、石英、有機聚合物、或是其它可適用的材料；第二基底210的材質可以是玻璃、石英、有機聚合物、或是其它可適用的材料。

畫素陣列基板1包括第一基底110及多個畫素結構SPX。第一基底110具有主動區110a及主動區110a外的周邊區110b。多個畫素結構SPX設置於第一基底110的主動區110a。

每一畫素結構SPX包括薄膜電晶體T及電性連接至薄膜電晶體T的畫素電極120。薄膜電晶體T具閘極Tc、半導體圖案Td和分別與半導體圖案Td之不同兩區電性連接的源極Ta和汲極Tb，其中薄膜電晶體T的閘極Tc電性連接至對應的一條閘極線GL（繪示於圖2），薄膜電晶體T的源極Ta電性連接至對應的一條資料線DL（繪示於圖2），且薄膜電晶體T的汲極Tb電性連接至對應的一個畫素電極120。

圖2為本發明一實施例之畫素陣列基板1的上視示意圖。

請參照圖2，畫素陣列基板1包括多條資料線DL和多條閘極線GL，設置於第一基底110上。多條資料線DL在第一方向x上排列，多條閘極線GL第二方向y上排列，其中第一方向x與第二方向y交錯。畫素陣列基板1還包括多條轉接線gl，設置於第一基底110上且在第一方向x上排列。在第一方向x上排列的多條轉接線gl電性連接至在第二方向y上排列的多條閘極線GL。

請參照圖1，在本實施例中，顯示面板10還可選擇性地包括多個色阻130，分別重疊於多個畫素結構SPX的多個畫素電極120。舉例而言，在本實施例中，多個色阻130可選擇性地與多個畫素結構SPX設置於同一第一基板110上，進而形成一彩色濾光器位於陣列上（color filter on array，COA）的結構。然而，本發明不限於此，在另一實施例中，多個色阻130也可選擇性設置於第二基板210上；在又一實施例中，顯示面板10也可選擇性地不包括色阻130。

顯示面板10還包括第一封膠6，設置於畫素陣列基板1的第一基底110與對向基板2的第二基底210之間，且位於第一基底110的周邊區110b上。被第一封膠6圍繞之第一基底110的區域即主動區110a。被第一封膠6佔據及位於第一封膠6外圍之第一基底110的區域即周邊區110b。

在本實施例中，第一基底110的周邊區110b可具有超出第二基底210之外的一凸出部110b-1，顯示面板10還可包括至少一擋光圖案140，其中至少一擋光圖案140設置於第一基底110的凸出部110b-1上。

在本實施例中，第二基底210的側壁214可重疊於至少一擋光圖案140。也就是說，第二基底210之側壁214於第一基板110上的垂直投影與至少一擋光圖案140於第一基板110上的垂直投影可重疊。然而，本發明不限於此，在其它實施例中，畫素陣列基板1與對向基板2也可能組立偏移，導致擋光圖案140與第二基底210的側壁214錯開而不相重疊。

在本實施例中，至少一擋光圖案140可選擇性地包括至少一導電圖案141。在本實施例中，導電圖案141的材質例如是金屬；但本發明不限於此，在其它實施例中，導電圖案141的材質也可以是其它能遮光的導電材料，例如但不限於：合金。

在本實施例中，為簡化製程，至少一導電圖案141可選擇性地與薄膜電晶體T之源極Ta、汲極Tb及閘極Tc的至少一者一起製作，而至少一導電圖案141的材質與薄膜電晶體T之源極Ta、汲極Tb及閘極Tc的至少一者的材質可相同。

舉例而言，在本實施例中，至少一導電圖案141可與薄膜電晶體T的源極Ta及/或汲極Tb一起製作，而至少一導電圖案141的材質與薄膜電晶體T之源極Ta及/或汲極Tb的材質可相同。然而，本發明不限於此，在另一實施例中，至少一導電圖案141也可與薄膜電晶體T的閘極Tc一起製作，而至少一導電圖案141的材質與薄膜電晶體T之閘極Tc的材質可相同；在又一實施例中，至少一導電圖案141可包括相堆疊的多個導電圖案（未繪示），所述多個導電圖案可分別與薄膜電晶體T的閘極Tc及源極Ta一起製作，而所述多個導電圖案的材質可分別與薄膜電晶體T之閘極Tc及源極Ta的材質相同；於再一實施例中，至少一導電圖案141可包括相堆疊的多個導電圖案（未繪示），所述多個導電圖案可分別與薄膜電晶體T的閘極Tc及汲極Tb一起製作，而所述多個導電圖案的材質可分別與薄膜電晶體T之閘極Tc及汲極Tb的材質相同。

顯示面板10還包括遮光圖案層220。在本實施例中，遮光圖案層220可選擇性地設置於第二基底210上且位於第二基底210與顯示介質3之間。遮光圖案層220具有多個開口222，多個開口222分別重疊於多個畫素結構SPX的多個畫素電極120，遮光圖案層220即俗稱的黑矩陣（Black Matrix；BM）。

在本實施例中，遮光圖案層220具有位於第一基板110之周邊區110b上方的側壁224，且至少一擋光圖案140與遮光圖案層220之位於周邊區110b上方的側壁224可重疊。也就是說，由側壁224定義之遮光圖案層220的外輪廓於第一基底110上的垂直投影與至少一擋光圖案140於第一基底110上的垂直投影可重疊。然而，本發明不限於此，在其它實施例中，畫素陣列基板1與對向基板2也可能組立偏移，導致至少一擋光圖案140與遮光圖案層220的側壁224彼此錯開而不相重疊。

顯示面板10還包括第二封膠7，設置於第一基底110的側壁114及第二基底210的側壁214上。在本實施例中，第二封膠7更設置於至少一擋光圖案140與偏光片5之間、至少一擋光圖案140的至少一側壁140s上以及遮光圖案層220的側壁224上。

第二封膠7具有一凸面7a，重疊於第一基底110之側壁114及第二基底210之側壁214。在本實施例中，第二封膠7的凸面7a更重疊於至少一擋光圖案140的至少一側壁140s及遮光圖案層220的側壁224。

第二封膠7的光學密度值（optical density；OD）大於或等於0.68。舉例而言，在本實施例中，第二封膠7的光學密度值為OD，由於材料限制，0.68≤OD≤2.5。更進一步地說，0.68≤OD≤1.06，但本發明不以此為限。上述之第二封膠7的光學密度值是指：在第二封膠7的膜厚實質上等於160μm時所量測到的數值。

第一偏光片4設置於第一基底110上，其中第一基底110位於顯示介質3與第一偏光片4之間。第二偏光片5設置於第二基底210上，其中第二基底210位於顯示介質3與第二偏光片5之間。在本實施例中，第二偏光片5可具有超出第二基底210的一凸出部5-1，部分的第二封膠7設置於第二偏光片5的凸出部5-1與至少一擋光圖案140之間。

值得一提的是，由於第二封膠7的光學密度值大於或等於0.68，因此第二封膠7能阻擋設置於顯示面板10下方之背光模組（未繪示）所發出的光束，避免所述光束自第一基底110之凸出部110b-1的上方漏出。藉此，顯示面板10之側邊漏光的現象能獲得改善。此外，在本實施例中，設置於第一基底110之凸出部110b-1上的至少一擋光圖案140也能阻擋背光模組（未繪示）所發出的光束，而更進一步地改善側邊漏光現象。

在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重述。

圖3為本發明一實施例之顯示面板10A的剖面示意圖。

圖3的顯示面板10A與圖1的顯示面板10類似，兩者的差異在於：圖3的至少一擋光圖案140與圖1的至少一擋光圖案140不同。

請參照圖3，具體而言，在本實施例中，至少一擋光圖案140可選擇性地包括至少一濾光圖案142A、142B。在本實施例中，為簡化製程，位於周邊區110b的至少一濾光圖案142A、142B可選擇性地與位於主動區110a的至少一色阻130一起形成，而至少一濾光圖案142A、142B的材質與至少一色阻130的材質可相同。

舉例而言，在本實施例中，至少一濾光圖案142A、142B可包括相堆疊的多個濾光圖案142A、142B，多個濾光圖案142A、142B的顏色互不相同；位於周邊區110b的一濾光圖案142A與位於主動區110a之多個畫素結構SPX的一第一畫素結構的色阻130可於同一道製程中形成，而位於周邊區110b的濾光圖案142A與位於主動區110a之所述第一畫素結構的色阻130可具有相同材質及顏色；位於周邊區110b的一濾光圖案142B與位於主動區110a之多個畫素結構SPX的一第二畫素結構的色阻130可於同一道製程中形成，而位於周邊區110b之濾光圖案142B與位於主動區110a之所述第二畫素結構的色阻130可具有相同材質及顏色。

在本實施例中，所述第一畫素結構及所述第二畫素結構例如是分別用以顯示紅色及藍色，而濾光圖案142A的顏色及濾光圖案142B的顏色例如是紅色及藍色。但本發明不限於此，在其它實施例中，濾光圖案142A及濾光圖案142B的顏色也可以是其它種的顏色組合。舉例而言，在一實施例中，濾光圖案142A及濾光圖案142B的顏色可以是紅色及綠色；在又一實施例中，濾光圖案142A及濾光圖案142B的顏色可以是綠色及藍色。

此外，在本實施例中，設置於周邊區110b之至少一濾光圖案142A、142B的數量並不限於圖3所繪示的二個。在一實施例中，設置於周邊區110b之至少一濾光圖案142A、142B的數量也可以是一個、三個或超過三個。

圖4為本發明一實施例之顯示面板10B的剖面示意圖。

圖4的顯示面板10B與圖1的顯示面板10類似，兩者的差異在於：圖4的至少一擋光圖案140與圖1的至少一擋光圖案140不同。

請參照圖4，具體而言，在本實施例中，至少一擋光圖案140可選擇性地包括遮光光阻143，例如但不限於：黑色光阻。

在本實施例中，顯示面板10還包括支撐物226設置於第一基底110的主動區110a上且抵頂第二基底210。支撐物226又可稱間隙物（Spacer）。在本實施例中，遮光圖案層220與畫素結構SPX可選擇性設置在同一第一基底110上而形成一黑色矩陣在陣列上（Black Matrix on Array，BOA）的結構。在本實施例中，於形成遮光圖案層220時，還可選擇性地同時形成支撐物226。在本實施例中，為簡化製程，遮光光阻143例如是與支撐物226於同一道製程中一起形成的，而遮光光阻143的材質與支撐物226的材質可相同。然而，本發明不限於此，在另一實施例中，遮光光阻143也可不與支撐物226及/或遮光圖案層220一起形成，遮光光阻143也可以使用在非BOA（Black Matrix on Array；BOA）結構的顯示面板中。

圖5為本發明一實施例之顯示面板10C的剖面示意圖。

圖5的顯示面板10C與圖1的顯示面板10類似，兩者的差異在於：圖5的第一基底110不具有圖1的凸出部110b-1。

請參照圖5，具體而言，在顯示面板10C的製程中，於畫素陣列基板1與對向基板2組立後及貼附第一偏光片4及第二偏光片5前，會對畫素陣列基板1與對向基板2進行一研磨工序，而畫素陣列基板1之第一基底110的側壁114與對向基板2之第二基底210的側壁214實質上切齊。

圖6A示出為本發明一實施例之顯示面板10C之第一基底110的側壁114及第二基底210的側壁214。圖6B示出為一比較例之顯示面板之第一基底的側壁114’及第二基底的側壁214’。其中，圖6A之第一基底110的側壁114及第二基底210的側壁214經研磨，圖6B之第一基底的側壁114’及第二基底的側壁214’未經研磨。

請參照圖5及圖6A，在本實施例中，畫素陣列基板1與對向基板2經研磨，而第一基底110的側壁114及第二基底210的側壁214為粗糙面。直觀上，第一基底110的側壁114及第二基底210的側壁214為霧面，如圖6A所示。請參照圖5及圖6A，第一基底110具有一承載面111，且畫素結構SPX設置於承載面111上；第一基底110的側壁114與承載面111具有一交界111a。比對圖6A及圖6B可發現，經研磨後，第一基底110的側壁114及第二基底210的側壁214具有相對於交界111a傾斜的條紋。

請參照圖5，第二封膠7設置於第一基底110的側壁114及第二基底210的側壁214上，且第二封膠7的光學密度值大於或等於0.68，而顯示裝置10C不易出現側邊漏光的問題。下表一示出具有相同厚度TA（例如：160μm）及不同光學密度值之第二封膠7之多種顯示面板的實驗結果。請參照下表一，由下表一的實驗結果可知，第二封膠7的光學密度值大於或等於0.68時，顯示裝置10C便不易出現側邊漏光的問題。

第二封膠7的光學密度值	0.13	0.45	0.68	0.83	1.06
是否出現側邊漏光	是	是	否	否	否

[表一]

圖7A至圖7F為本發明一實施例之顯示面板10D的剖面示意圖。

請參照圖7A，首先提供一晶胞C（Cell），其中晶胞C包括第一封膠6、利用第一封膠6彼此連接的畫素陣列基板1及對向基板2和設置於第一封膠6、畫素陣列基板1及對向基板2 所圍出之空間內的顯示介質3。接著，令第一偏光片4及第二偏光片5分別貼附於畫素陣列基板1之第一基底110的外表面112及對向基板2之第二基底210的外表面212上，其中第一基底110位於顯示介質3與第一偏光片4之間，第一偏光片4具有超出第一基底110的一延伸部4-1’，第二基底210位於第二偏光片5與顯示介質3之間，且第二偏光片5具有超出第二基底210的一延伸部5-1’。

請參照圖7B及圖7C，接著，去除第二偏光片5之延伸部5-1’的一部分，以形成第二偏光片5的一凸出部5-1，其中第二偏光片5的凸出部5-1超出第二基底210。舉例而言，在本實施例中，可以使用雷射LS切除第二偏光片5之延伸部5-1’的一部分以形成凸出部5-1，但本發明不以此為限。

請參照圖7D及圖7E，然後，去除第一偏光片4之延伸部4-1’的一部分，以形成第一偏光片4的一凸出部4-1，其中第一偏光片4的凸出部4-1超出第一基底110。舉例而言，在本實施例中，可以使用雷射LS切除第一偏光片4之延伸部4-1’的一部分以形成凸出部4-1，但本發明不以此為限。

在本實施例中，是在切割完第二偏光片5之後，才切割第一偏光片4；切割第一偏光片4時，用以切割第一偏光片4的雷射LS會通過已切割完成之第二偏光片5的旁邊，且不破壞第二偏光片5。因此，完成第一偏光片4及第二偏光片5的切割後，第一偏光片4的凸出部4-1會略微超出第二偏光片5的凸出部5-1，如圖7E所示。舉例而言，在本實施例中，第一偏光片4之凸出部4-1超出第二偏光片5之凸出部5-1的長度L大約落在100μm至200μm的範圍，但本發明不以此為限。

請參照圖7F，最後，形成第二封膠7於第一偏光片4的凸出部4-1、第一基底110的側壁114、第二基底210的側壁214及第二偏光片5的凸出部5-1所圍出的空間G，於此，便完成了本實施例的顯示裝置10D。

圖7F的顯示面板10D與圖1的顯示面板10類似，兩者的差異在於：圖7F的顯示面板10D可不包括圖1之顯示面板10的遮光圖案140。此外，在圖7F的實施例中，第一偏光片4可超出第一基底110的側壁114。

圖8為本發明一實施例之顯示面板10E的剖面示意圖。

圖8的顯示面板10E與圖1的顯示面板10類似，兩者的差異在於：在圖1的實施例中，第一偏光片4未超出第一基底110的側壁114；但在圖8的實施例中，第一偏光片4超出第一基底110的側壁114。圖8之顯示面板10E的製程與圖7F之顯示面板10D的製程類似，於此便不再重述。

圖9為本發明一實施例之顯示面板10F的剖面示意圖。

圖9的顯示面板10F與圖3的顯示面板10A類似，兩者的差異在於：在圖3的實施例中，第一偏光片4未超出第一基底110的側壁114；但在圖9的實施例中，第一偏光片4超出第一基底110的側壁114。圖9之顯示面板10F的製程與圖7F之顯示面板10D的製程類似，於此便不再重述。

圖10為本發明一實施例之顯示面板10G的剖面示意圖。

圖10的顯示面板10G與圖4的顯示面板10B類似，兩者的差異在於：在圖4的實施例中，第一偏光片4未超出第一基底110的側壁114；但在圖10的實施例中，第一偏光片4超出第一基底110的側壁114。圖10之顯示面板10G的製程與圖7F之顯示面板10D的製程類似，於此便不再重述。

圖11為本發明一實施例之顯示面板10H的剖面示意圖。

圖11的顯示面板10H與圖5的顯示面板10C類似，兩者的差異在於：在圖5的實施例中，第一偏光片4未超出第一基底110的側壁114；但在圖11的實施例中，第一偏光片4超出第一基底110的側壁114。圖11之顯示面板10H的製程與圖7F之顯示面板10D的製程類似，於此便不再重述。

1:畫素陣列基板 2:對向基板 3:顯示介質 4、5:偏光片 4-1’、5-1’:延伸部 4-1、5-1、110b-1:凸出部 6:第一封膠 7:第二封膠 7a:凸面 10、10A、10B、10C、10D、10E、10F、10G、10H:顯示面板 110:第一基底 110a:主動區 110b:周邊區 112、212:外表面 114、140s、214、224:側壁 120:畫素電極 130:色阻 140:擋光圖案 141:導電圖案 142A、142B:濾光圖案 143:遮光光阻 210:第二基底 220:遮光圖案層 222:開口 226:支撐物 DL:資料線 L:長度 G:空間 GL:閘極線 gl:轉接線 LS:雷射 SPX:畫素結構 TA:厚度 T:薄膜電晶體 Ta:源極 Tb:汲極 Tc:閘極 Td:半導體圖案 x:第一方向 y:第二方向

圖1為本發明一實施例之顯示面板10的剖面示意圖。圖2為本發明一實施例之畫素陣列基板1的上視示意圖。圖3為本發明一實施例之顯示面板10A的剖面示意圖。圖4為本發明一實施例之顯示面板10B的剖面示意圖。圖5為本發明一實施例之顯示面板10C的剖面示意圖。圖6A示出為本發明一實施例之顯示面板10C之第一基底110的側壁114及第二基底210的側壁214。圖6B示出為一比較例之顯示面板之第一基底的側壁114’及第二基底的側壁214’。圖7A至圖7F為本發明一實施例之顯示面板10D的剖面示意圖。圖8為本發明一實施例之顯示面板10E的剖面示意圖。圖9為本發明一實施例之顯示面板10F的剖面示意圖。圖10為本發明一實施例之顯示面板10G的剖面示意圖。圖11為本發明一實施例之顯示面板10H的剖面示意圖。

1:畫素陣列基板

2:對向基板

3:顯示介質

4、5:偏光片

5-1、110b-1:凸出部

6:第一封膠

7:第二封膠

7a:凸面

10:顯示面板

110:第一基底

110a:主動區

110b:周邊區

112、212:外表面

114、140s、214、224:側壁

120:畫素電極

130:色阻

140:擋光圖案

141:導電圖案

210:第二基底

220:遮光圖案層

222:開口

SPX:畫素結構

T:薄膜電晶體

Ta:源極

Tb:汲極

Tc:閘極

Td:半導體圖案

Claims

一種顯示面板，包括：一第一基底，具有一主動區及該主動區外的一周邊區；多個畫素結構，設置於該第一基底的該主動區上；一第二基底，設置於該第一基底的對向；一顯示介質，設置於該第一基底與該第二基底之間；一第一封膠，設置於該第一基底與該第二基底之間，且位於該第一基底的該周邊區上；以及一第二封膠，設置於該第一基底的一側壁及該第二基底的一側壁上；其中，該第二封膠具有重疊於該第一基底之該側壁及該第二基底之該側壁的一凸面，且該第二封膠的光學密度值大於或等於0.68。
如請求項1所述的顯示面板，更包括：至少一擋光圖案，其中該第一基底的該周邊區具有超出該第二基底之外的一凸出部，該至少一擋光圖案設置於該第一基底的該凸出部上，且該第二封膠設置於該至少一擋光圖案與該第二基底之間。
如請求項2所述的顯示面板，其中該第二封膠更設置於該至少一擋光圖案的至少一側壁上。
如請求項2所述的顯示面板，更包括：一第一偏光片，設置於該第一基底上，其中該第一基底位於該顯示介質與該第一偏光片之間；以及一第二偏光片，設置於該第二基底上，其中該第二基底位於該顯示介質與該第二偏光片之間，且該第二偏光片具有超出該第二基底的一凸出部；部分的該第二封膠設置於該第二偏光片的該凸出部與該至少一擋光圖案之間。
如請求項4所述的顯示面板，其中該第一偏光片具有超出該第一基底的一凸出部，且該第二封膠設置於該第一偏光片之該凸出部、該第一基底之該側壁、該第二基底之該側壁及該第二偏光片之該凸出部定義的一空間。
如請求項2所述的顯示面板，其中該至少一擋光圖案包括至少一導電圖案。
如請求項6所述的顯示面板，其中每一該畫素結構包括一薄膜電晶體及電性連接至該薄膜電晶體的一畫素電極，且至少一導電圖案的材質與該薄膜電晶體之一閘極、一源極及一汲極之至少一者的材質相同。
如請求項2所述的顯示面板，其中該至少一擋光圖案包括至少一濾光圖案。
如請求項8所述的顯示面板，其中每一該畫素結構包括一主動元件及電性連接至該主動元件的一畫素電極，且該顯示面板更包括：多個色阻，分別重疊於該些畫素結構的多個畫素電極，其中該至少一濾光圖案的材質與至少一該色阻的材質相同。
如請求項8所述的顯示面板，其中該至少一濾光圖案包括相堆疊的多個濾光圖案，且該些濾光圖案的顏色互不相同。
如請求項2所述的顯示面板，其中該至少一擋光圖案包括一遮光光阻。
如請求項11所述的顯示面板，更包括：一支撐物，設置於該第一基底的該主動區上，且抵頂該第二基底，其中該遮光光阻的材質與該支撐物的材質相同。
如請求項1所述的顯示面板，更包括：一第一偏光片，設置於該第一基底上，其中該第一基底位於該顯示介質與該第一偏光片之間，且該第一偏光片具有超出該第一基底的一凸出部；一第二偏光片，設置於該第二基底上，其中該第二基底位於該第二偏光片與該顯示介質之間，該第二偏光片具有超出該第二基底的一凸出部；該第二封膠的至少一部分設置於該第一偏光片之該凸出部、該第一基底的該側壁、該第二基底的該側壁及該第二偏光片之該凸出部定義的一空間。
如請求項13所述的顯示面板，其中該第一基底的該側壁與該第二基底的該側壁實質上切齊。
如請求項13所述的顯示面板，其中該第一偏光片之該凸出部超出該第二偏光片的該凸出部。
如請求項1所述的顯示面板，其中該第一基底的該側壁與該第二基底的該側壁實質上切齊。
如請求項1所述的顯示面板，更包括：多條資料線，設置於第一基底上，且在一第一方向上排列；多條閘極線，設置於第一基底上，且在一第二方向上排列，其中該第一方向與該第二方向交錯，且每一該畫素結構電性連接至對應的一該資料線及一該閘極線；以及多條轉接線，設置於該第一基底上，且在該第一方向上排列，其中該些轉接線電性連接至該些閘極線。
一種顯示面板，包括：一第一基底，具有一主動區及該主動區外的一周邊區；多個畫素結構，設置於該第一基底的該主動區上；一第二基底，設置於該第一基底的對向；一顯示介質，設置於該第一基底與該第二基底之間；一第一封膠，設置於該第一基底與該第二基底之間，且位於該第一基底的該周邊區上；以及一第二封膠，設置於該第一基底的一側壁及該第二基底的一側壁上；其中，該第二封膠具有重疊於該第一基底之該側壁及該第二基底之該側壁的一凸面，且該第一基底的該側壁與該第二基底的該側壁實質上切齊。
如請求項18所述的顯示面板，其中該第一基底的該側壁及該第二基底的該側壁為粗糙面。
如請求項18所述的顯示面板，其中該第一基底具有一承載面，且該些畫素結構設置於該承載面上；該第一基底的該側壁與該承載面具有一交界；該第一基底的該側壁及該第二基底的該側壁具有相對於該交界傾斜的條紋。
如請求項18所述的顯示面板，更包括：多條資料線，設置於第一基底上，且在一第一方向上排列；多條閘極線，設置於第一基底上，且在一第二方向上排列，其中該第一方向與該第二方向交錯，且每一該畫素結構電性連接至對應的一該資料線及一該閘極線；以及多條轉接線，設置於該第一基底上，且在該第一方向上排列，其中該些轉接線電性連接至該些閘極線。