TW202201815A - 半導體封裝體基板、半導體封裝體及半導體發光裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明的問題是要提供一種半導體封裝體基板、半導體封裝體及半導體發光裝置，其能夠抑制AuSn共晶焊料流到收容半導體發光元件的模穴內的情形，而防止蓋構件的破損或剝離。本發明的解決手段是一種半導體封裝體基板，其具備：半導體收容空間，其由構裝面與反射壁所形成，該構裝面形成於底側且構裝半導體發光元件，該反射壁設於構裝面的周圍，並將自構裝於該構裝面的半導體發光元件所發出的光加以反射；裝載區域，其形成於緣部，且裝載有覆蓋半導體發光元件的蓋構件；以及，流動防止部，其將裝載區域與反射壁在空間上分離，以使得接合蓋構件與緣部的接合構件不會自裝載區域流入半導體收容空間。
Description
本發明關於半導體封裝體基板、半導體封裝體及半導體發光裝置。
作為先前的半導體發光裝置，已知有一種將半導體發光裝置收容在形成於封裝體基板上的模穴中的裝置。作為這樣的半導體發光裝置，例如為了提高自半導體封裝體的光取出效率，而在模穴的壁部具有設為傾斜狀的構造(例如參照專利文獻1)。
專利文獻1所記載的半導體發光裝置的封裝體基板，在模穴的壁部具有設為傾斜狀的構造。又，以覆蓋模穴開口的方式配置有使半導體發光裝置的出射光透過的窗構件。並且，封裝體基板與窗構件藉由接合構件而密封，該接合構件由包含金錫(AuSn)合金的低熔點金屬材料所構成。
[先前技術文獻]
(專利文獻)
專利文獻1：日本特開2018-037583號公報。
(發明所欲解決的問題)
然而，根據專利文獻1所記載的半導體發光裝置，當使用AuSn共晶焊料來作為接合構件時，該AuSn共晶焊料有可能會沿著模穴的壁部而流到模穴內。若AnSn共晶焊料流到模穴內，則殘留在蓋構件的裝載區域的AuSn共晶焊料的量會減少一部分。然後，若AuSn共晶焊料冷卻硬化，在AuSn共晶焊料的量有減少的部分與沒有減少的部分之間，會在AuSn共晶焊料的厚度上產生高低差，而有可能在兩部分之間發生應力而造成蓋構件破損或剝離。
因此，本發明的目的是要提供一種半導體封裝體基板、半導體封裝體及半導體發光裝置，其能夠抑制接合構件流到收容半導體發光元件的模穴內的情形，而防止蓋構件的破損或剝離。
(用於解決問題的手段)
以解決上述問題為目的，本發明的一實施態樣之半導體封裝體基板具備：半導體收容空間，其由構裝面與反射壁所形成，該構裝面形成於底側且構裝半導體發光元件，該反射壁設於前述構裝面的周圍，並將自構裝於該構裝面的前述半導體發光元件所發出的光加以反射；裝載區域，其形成於緣部，且裝載有覆蓋前述半導體發光元件的蓋構件；以及，流動防止部，其將前述裝載區域與前述反射壁在空間上分離，以使得接合前述蓋構件與前述緣部的接合構件不會自前述裝載區域流入前述半導體收容空間。
本發明的另一實施態樣之半導封裝體具備：前述半導體封裝體基板；以及，前述蓋構件，其裝載至前述裝載區域。本發明的另一實施態樣之半導體發光裝置具備：前述半導體封裝體；以及，半導體發光元件，其構裝於前述半導體封裝體基板。
(發明的功效)
根據本發明的半導體封裝體基板、半導體封裝體及半導體發光裝置，能夠抑制接合構件流到收容半導體發光元件的模穴內的情形，而防止蓋構件的破損或剝離。
[實施型態]
關於本發明的實施型態，參照圖式來加以說明。此外，以下所說明的實施型態，是表示來作為要實施本發明時的適當具體例，且具體例示了技術上較佳的各種技術性事項，但本發明的技術性範圍並不限定於該具體態樣。
第1圖是說明本發明的一實施型態之半導體發光裝置的構成之爆炸斜視圖。如第1圖所示，該半導體發光裝置1被構成為具備：半導體發光元件2、保護元件3及半導體封裝體4，該保護元件3起到保護半導體發光元件2或電路的作用，該半導體封裝體4包覆該等半導體發光元件2和保護元件3來加以防護。以下，對各構成要素的詳細加以說明。
(半導體發光元件2)
半導體發光元件2，例如包含電晶體、雷射二極體(Laser Diode：LD)、發光二極體(Light Emitting Diode：LED)等。本實施型態中，作為半導體發光元件2，是舉出發出紫外區域波長的光(特別是中心波長在300nm以下的深紫外光)的發光二極體作為例子來加以說明。
第2圖是示意性表示半導體發光元件2的積層構造的一例之說明圖。如第2圖所示，本實施型態之半導體發光元件2具有：由藍寶石所形成的透明基板21、形成於透明基板21上的AlGaN系的氮化物半導體層22、電極23。
本實施型態中，氮化物半導體層22被構成為自透明基板21側起依序形成：包含AlN的緩衝層22a、包含n型AlGaN的n包覆層22b、包含AlGaN的發光層22c、包含p型AlGaN的p包覆層22d及包含p型GaN的接觸層22e。電極23具有：形成於接觸層22e上的陽極側電極(p電極)23a，以及形成於n包覆層22b上的陰極側電極(n電極)23b。
(保護元件3)
保護元件3，例如有不受到電流值影響而將電壓值保持一定的齊納二極體。
(半導體封裝體4)
半導體封裝體4具備：半導體封裝體基板5，其收容半導體發光元件2和保護元件3；蓋構件6，其以披覆半導體發光元件2和保護元件3的方式來裝載；以及接合構件7，其接合半導體封裝體基板5和蓋構件6。
〔半導體封裝體基板5〕
第3圖是表示半導體封裝體基板5的構成的一例之圖，其中(a)是俯視圖，(b)是第1圖的A-A剖面圖。半導體封裝體基板5，是包含陶瓷的無機材質基板。具體而言，半導體封裝體基板5，例如是藉由高溫煅燒陶瓷多層基板(HTCC：High Temperature Co-fired Ceremic)所形成。
半導體封裝體基板5，被形成為大約長方體形狀，且在其一個面(圖示中稱為+Z方向的面，以下亦稱為「上表面」)上形成有凹狀的模穴51，該模穴收容半導體發光元件2和保護元件3。模穴51是半導體收容空間的一例。
模穴51，是由構裝面511與反射壁512所形成，該構裝面511形成於底側(圖示中的-Z方向側)，該反射壁512設於該構裝面511的周圍並將光(此處，特別是指包含深紫外線的紫外線)加以反射。
構裝面511，是構裝半導體發光元件2和保護元件3的底面，雖然在圖中加以省略，但設有用來連接半導體發光元件2和保護元件3的電極(以下亦稱為「基板側電極」)。
反射壁512，是將自構裝於構裝面511的半導體發光元件2發出的紫外線加以反射，並引導到模穴51的開口51a側的構件。因此，較佳是反射壁512由傾斜面所形成，該傾斜面自構裝面511朝向模穴51的開口51a側，越遠離構裝面511則越向外側(指遠離模穴51的中心的方向)擴展。構裝面511與反射壁512的夾角，例如是60±5°。
反射壁512，是由金屬膜來形成。為了增高紫外線的反射率並提高光取出效率，該金屬膜例如可使用以Al來形成的Al蒸鍍膜。
又，半導體封裝體基板5，在緣部52形成裝載蓋構件6的裝載區域(參照第5圖(b)的虛線和「R」)。此處，所謂緣部52，是指半導體封裝體基板5的上表面的框狀區域。又，所謂裝載區域R，是指緣部52中的經由熔融的接合構件7而與蓋構件6接合的區域。
裝載區域R，披覆有Au鍍膜521。Au鍍膜521，形成將接合構件7加以熔融的熔融圖案。
Au鍍膜521，沿著半導體封裝體基板5的緣部52而披覆成矩形框形狀。又，Au鍍膜521，被形成在自緣部52的內側(稱為模穴51側)的端部52a跨到比緣部52的外側(稱為遠離模穴51側)的端部52b稍微內側的位置。因此，Au鍍膜521的寬度，比緣部52的寬度要小。
此外，應注意在第3圖(b)中為了便於說明而將Au鍍膜521的厚度描繪成較厚，但實際的Au鍍膜521較薄，相對於半導體封裝體基板5或蓋構件6是能夠忽略的程度的厚度。
又，半導體封裝體基板5，具備形成於緣部52與反射壁512之間的第1流動防止部53。第1流動防止部53，在空間上隔開反射壁512與裝載區域R(特別是Au鍍膜521)，以使得接合構件7不會自裝載區域R沿著反射壁512流到模穴51內。
第1流動防止部53，具有段差狀的形狀。具體而言，第1流動防止部53，是由側面531與底端面532所形成的段差部。側面531，是與半導體封裝體基板5的緣部52的內側端部52a連接，並在構裝面50的方向(圖示中的-Z方向)延伸的平面。底端面532，是與該側面531連接而向模穴51側延伸，並且與反射壁512連接的平面。底端面532，是分離面的一例。此外，側面531和底端面532，並不一定要是平面，亦可為曲面或是在表面包含凹凸形狀的面。
側面531，較佳為與半導體封裝體基板5的緣部52垂直連接。又，底端面532，較佳為與側面531垂直連接。以上換言之，第1流動防止部53，較佳為垂直段差。
此外，「垂直」不僅有夾角為嚴格90°的情況，亦包含有混入了在製造過程等中可能產生的些微誤差(例如1°以內)的情況。以下，省略相同的說明。
第1流動防止部53具有高度h，當要將蓋構件6裝載到半導體封裝體基板5的緣部52時，該高度h使得自裝載區域R向模穴51側溢出的接合構件7(參照第8圖的「7A」)不會到達反射壁512。此處，第1流動防止部53的高度h，是指半導體封裝體基板5的厚度方向(圖示中的Z方向)中的裝載區域R與反射壁512的距離，且在本實施型態中是指側面531的高度。
又，半導體封裝體基板5，亦可更具備形成於構裝面511與反射壁512之間的第2流動防止部54。第2流動防止部54，具有對接合構件7沿著反射壁512流到構裝面511的情形加以抑制的功能。第2流動防止部54，與第1流動防止部53同樣可形成為垂直段差。
半導體發光元件2，被收容於模穴51中且構裝於構裝面511。半導體發光元件2，將透明基板21作為上側(模穴51的開口51a側、圖示中的+Z方向側)，並將氮化物半導體層22作為下側(構裝面511側，圖示中的-Z方向側)，而以覆晶方式構裝於半導體封裝體基板5。電極23a、23b，例如經由金突塊等而與設於半導體封裝體基板5的基板側電極電性連接。
〔蓋構件6〕
第4圖是表示蓋構件6的構成的一例之底面圖。此外，二點鎖線是虛擬性地表示蓋構件6裝載於半導體封裝體基板5的狀態(參照第5圖)中Au鍍膜521的位置。蓋構件6，裝載於形成在半導體封裝體基板5的緣部52的裝載區域R。蓋構件6，例如是包含石英玻璃的玻璃蓋。此外，蓋構件6，可藉由使紫外線透過的材料來形成，例如可藉由水晶或藍寶石來形成。
如第4圖所示，蓋構件6的底面6a形成有金屬膜61，該金屬膜61具有矩形框狀的形狀。該金屬膜61，是由具有會使熔融的接合構件7附著的性質之金屬來形成。又，金屬膜61，是將接合構件7的預成型體暫時附著上去的積層狀膜。此處，所謂「預成型體」是指處於熔融前狀態的構件。接合構件7的預成型體的厚度，例如是20±2μm。
該金屬膜61的外緣61a，在蓋構件6裝載於半導體封裝體基板5的狀態中，位於比Au鍍膜521的外緣521a更朝向蓋構件6的內側間隔規定的距離W處。又，金屬膜61的內緣61b，也位於比Au鍍膜521的內緣521b更偏向蓋構件6的外側的位置處。這是為了使得在半導體封裝體基板5與蓋構件6接合後，蓋構件6不易自半導體封裝體基板5剝離。
〔接合構件7〕
第5圖是說明半導體發光裝置1的構成的一例之圖，其中(a)是俯視圖，(b)是縱剖面圖。如第5圖(b)所示，接合構件7，在裝載有蓋構件6的狀態中，設於半導體封裝體基板5的Au鍍膜521與蓋構件6的金屬膜61之間，且接合半導體封裝體基板5與蓋構件6來加以密封。
具體而言，接合構件7，藉由焊接來接合半導體封裝體基板5與蓋構件6。接合構件7，例如是藉由含有金(Au)與錫(Sn)來作為主成份的合金而形成的AuSn共晶焊料。該AuSn共晶焊料，例如包含20%的Sn。
接合構件7，藉由焊接而熔融，將半導體封裝體基板5與蓋構件6接合起來並一體化，而以氣密的方式將由半導體封裝體基板5與蓋構件6所形成的內部空間自外部密封。
此外，應注意到在第5圖(b)中，為了便於說明而將Au鍍膜521的厚度、金屬膜61的厚度及接合構件7的厚度描繪得較厚，但實際的Au鍍膜521、金屬膜61的厚度及接合構件7較薄，相對於半導體封裝體基板5或蓋構件6是能夠忽略的程度的厚度。
(實施例)
第6圖是表示半導體封裝體基板5與蓋構件6的附著結果的一例之照片圖，其中(a)是比較例之半導體發光裝置，(b)是本發明的一實施例之半導體發光裝置1。該照片圖，是自上側(圖示中的+Z方向側)對半導體發光裝置1進行拍攝所得。此處，比較例是不具有第1流動防止部53的半導體發光裝置1。
如第6圖(a)所示，比較例之半導體發光裝置1中，產生了AuSn共晶焊料流到模穴51內的焊料流70。又，在蓋構件6上產生了好幾個石英玻璃的裂痕(參照「P」)，這被認為是由焊料流70所引起的。
相對之下，如第6圖(b)所示，本發明的一實施例之半導體發光裝置1，亦即具備第1流動防止部53的半導體發光裝置1中未產生焊料流70。又，在蓋構件6上未產生石英玻璃的裂痕P。如以上所比較，藉由具備第1流動防止部53，能夠抑制AuSn共晶焊料流到模穴51內的情形，藉此能夠抑制蓋構件6的破損。
第7圖是針對試作出的幾個半導體發光裝置1，調查蓋構件6是否能夠接合良好，並將調查結果統整成表格來表示的圖。發明者們試作出了條件不同的8個半導體發光裝置1，並針對裝載區域R的表面積與AuSn共晶焊料的體積對蓋構件6的密閉性造成的影響進行調查。
此處，「面積(mm2
)」是表示裝載區域R的表面積，亦即Au鍍膜521的表面積。「厚度(mm)」是表示假設AuSn共晶焊料預成型體熔融而擴展到「面積(mm2
)」欄所記載的表面積時的厚度。亦即，「厚度(mm)」欄中，記載了將「AuSn共晶焊料預成型體體積(mm3
)欄中所記載的值除以「面積(mm2
)」所記載的值後的值。「石英玻璃接合」欄中，針對蓋構件6的附著性，表示蓋構件6是否能夠接合的結果。
又，「反射壁」欄的「垂直面」是表示半導體封裝體基板5的反射壁512具有垂直構造，且「傾斜面」是表示半導體封裝體基板5的反射壁512具有傾斜構造。
如第7圖所示，當Au鍍膜521的表面積在4.965mm2
以上時(參照第2、3、8號)，皆能夠達成蓋構件6的接合。此結果表示，藉由將Au鍍膜521的表面積作成在4.965mm2
以上，能夠提高蓋構件6的附著性。
此外，將Au鍍膜521的表面積作成在4.965mm2
時，蓋構件6的金屬膜61上所設的AuSn共晶焊料預成型體的體積是0.0466mm3
。因此，AuSn共晶焊料預成型體的體積較佳是0.0466mm3
。
第8圖是示意性表示當將蓋構件6接合於半導體封裝體基板5時，在模穴51側有AuSn共晶焊料溢出之狀態中的半導體發光裝置1之剖面圖。第8圖中，為了說明方便而在描繪上省略Au鍍膜521和金屬膜61。
如第8圖所示，藉由設置第1流動防止部53，自裝載區域R溢出的AuSn共晶焊料70並未流動掉到構裝面511側，而是先沿著蓋構件6的底面6a移動。又，自裝載區域R溢出的AuSn共晶焊料70，藉由表面張力而成為半球狀，能夠停留住而不落到蓋構件6的底面6a上。
此時，若將第1流動防止部53的高度h作成規定高度以上，便能夠使溢出的AuSn共晶焊料70無法到達反射壁512。亦即，能夠抑制溢出的AuSn共晶焊料70沿著反射壁512而流到模穴51內的情形。如以上所述，藉由設置第1流動防止部53，能夠抑制AuSn共晶焊料流到模穴51內的情形。
作為一例，將Au鍍膜521的表面積作成4.965mm2
時，第1流動防止部53的高度h較佳為作成0.15mm以上。若作成這樣的型態，便能夠提高蓋構件6的附著性，並且抑制AuSn共晶焊料流到模穴51內的情形，而防止已附著的蓋構件6破損或剝離的情況發生。
(變化例)
第9圖是表示本發明的一變化例之半導體封裝體基板5的構成之縱剖面圖。如第9圖所示，半導體封裝體基板5，並不一定要具備第2流動防止部54，亦可為反射壁512直接連接至構裝面511的構成。
(實施型態的總結)
接著，針對自以上說明過的實施型態所掌握的技術思想，援用實施型態中的元件符號等來加以記載。然而，以下記載中的各元件符號等，並不將申請專利範圍中的構成要素限定在實施型態中具體表示的構件等。
[1] 一種半導體封裝體基板(5)，其具備：半導體收容空間，其由構裝面(511)與反射壁(512)所形成，該構裝面(511)形成於底側且構裝半導體發光元件(2)，該反射壁(512)設於前述構裝面(511)的周圍，並將自構裝於該構裝面(511)的前述半導體發光元件(2)所發出的光加以反射；裝載區域(R)，其形成於緣部(52)，且裝載有覆蓋前述半導體發光元件(2)的蓋構件(6)；以及，流動防止部(53)，其將前述裝載區域(R)與前述反射壁(512)在空間上分離，以使得接合前述蓋構件(6)與前述緣部(52)的接合構件(6)不會自前述裝載區域(R)流入前述半導體收容空間。
[2] 如前述[1]所述的半導體封裝體基板(5)，其中前述流動防止部(53)具有由側面(531)與分離面所形成的段差狀的形狀，該側面(531)與前述緣部(52)連接並向前述構裝面(511)的方向延伸，該分離面與前述側面(531)連接並向前述半導體收容空間側延伸。
[3] 如前述[2]所述的半導體封裝體基板(5)，其中前述側面(531)與前述緣部(52)垂直連接；前述分離面與前述側面(531)垂直連接。
[4] 如前述[1]到 [3]所述的半導體封裝體基板(5)，其中前述裝載區域(R)披覆有Au鍍膜(521)。
[5] 如前述[4]所述的半導體封裝體基板(5)，其中前述Au鍍膜(521)具有4.965mm2
以上的表面積。
[6] 如前述[1]到[5]中任一者所述的半導體封裝體基板(5)，其中前述接合構件(7)的預成型體的體積在0.0466mm3
以上。
[7] 如前述[5]或[6]所述的半導體封裝體基板(5)，其中前述流動防止部(53)的高度在0.15mm以上。
[8] 如前述[1]到[7]中任一者所述的半導體封裝體基板(5)，其中將前述流動防止部(53)作為第1流動防止部(53)的情況下，前述半導體封裝體基板(5)更具備：第2流動防止部(54)，其形成於前述構裝面(511)與前述反射壁(512)之間。
[9] 如前述[1]到[8]中任一者所述的半導體封裝體基板(5)，其中前述反射壁(512)由越遠離前述構裝面(511)越向外側擴展的傾斜面所形成。
[10] 如前述[1]到[9]中任一者所述的半導體封裝體基板(5)，其中前述反射壁(512)由Al蒸鍍膜所披覆，該Al蒸鍍膜由Al所形成。
[11] 一種半導體封裝體(4)，其具備：前述[1]到[10]中任一者所述的半導體封裝體基板(5)；以及，前述蓋構件(6)，其裝載至前述裝載區域(R)。
[12] 如前述[11]所述的半導體封裝體(4)，其中前述蓋構件(6)由石英玻璃所形成。
[13] 一種半導體發光裝置(1)，其具備：前述[11]或[12]所述的半導體封裝體(4)；以及，前述半導體發光元件(2)，其構裝於前述半導體封裝體基板(5)。
1:半導體發光裝置
2:半導體發光元件
3:保護元件
4:半導體封裝體
5:半導體封裝體基板
6:蓋構件
6a:底面
7:接合構件
21:透明基板
22:氮化物半導體基板
22a:緩衝層
22b:包覆層
22c:發光層
22d:包覆層
22e:接觸層
23:電極
23a:陽極側電極(p電極)
23b:陰極側電極(n電極)
51:模穴
51a:開口
52:緣部
52a:內側的端部
52b:外側的端部
53:第1流動防止部
54:第2流動防止部
61:金屬膜
61a:外緣
61b:內緣
70:溢出的AuSn共晶焊料
511:構裝面
512:反射壁
521:Au鍍膜
521a:外緣
521b:內緣
531:側面
532:底端面
第1圖是說明本發明的一實施型態之半導體發光裝置的構成之爆炸斜視圖。
第2圖是示意性表示半導體發光元件的積層構造的一例之說明圖。
第3圖是表示半導體封裝體基板的構成的一例之圖，其中(a)是俯視圖，(b)是第1圖的A-A剖面圖。
第4圖是表示蓋構件的構成的一例之底面圖。
第5圖是說明半導體發光裝置的構成的一例之圖，其中(a)是俯視圖，(b)是縱剖面圖。
第6圖是表示半導體封裝體基板與蓋構件的附著結果的一例之照片圖，其中(a)是比較例之半導體發光裝置，(b)是本發明的一實施例之半導體發光裝置。
第7圖是針對試作出的幾個半導體發光裝置，調查蓋構件是否能夠接合良好，並將調查結果統整成表格來表示的圖。
第8圖是示意性表示在模穴側有AuSn共晶焊料溢出之狀態中的半導體發光裝置之剖面圖。
第9圖是表示本發明的一變化例之半導體封裝體基板的構成之縱剖面圖。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記)
無
國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記)
無
1:半導體發光裝置
2:半導體發光元件
3:保護元件
4:半導體封裝體
5:半導體封裝體基板
6:蓋構件
7:接合構件
51:模穴
52:緣部
53:第1流動防止部
54:第2流動防止部
61:金屬膜
511:構裝面
512:反射壁
521:Au鍍膜
Claims (13)
- 一種半導體封裝體基板，其具備： 半導體收容空間，其由構裝面與反射壁所形成，該構裝面形成於底側且構裝半導體發光元件，該反射壁設於前述構裝面的周圍，並將自構裝於該構裝面的前述半導體發光元件所發出的光加以反射； 裝載區域，其形成於緣部，且裝載有覆蓋前述半導體發光元件的蓋構件；以及， 流動防止部，其將前述裝載區域與前述反射壁在空間上分離，以使得接合前述蓋構件與前述緣部的接合構件不會自前述裝載區域流入前述半導體收容空間。
- 如請求項1所述之半導體封裝體基板，其中： 前述流動防止部具有由側面與分離面所形成的段差狀的形狀，該側面與前述緣部連接並向前述構裝面的方向延伸，該分離面與前述側面連接並向前述半導體收容空間側延伸。
- 如請求項2所述之半導體封裝體基板，其中： 前述側面與前述緣部垂直連接； 前述分離面與前述側面垂直連接。
- 如請求項1～3中任一項所述之半導體封裝體基板，其中： 前述裝載區域披覆有Au鍍膜。
- 如請求項4所述之半導體封裝體基板，其中： 前述Au鍍膜具有4.965mm2 以上的表面積。
- 如請求項1～5中任一項所述之半導體封裝體基板，其中： 前述接合構件的預成型體的體積在0.0466mm3 以上。
- 如請求項5或6所述之半導體封裝體基板，其中： 前述流動防止部的高度在0.15mm以上。
- 如請求項1～7中任一項所述之半導體封裝體基板，其中： 將前述流動防止部作為第1流動防止部的情況下， 前述半導體封裝體基板更具備：第2流動防止部，其形成於前述構裝面與前述反射壁之間。
- 如請求項1～8中任一項所述之半導體封裝體基板，其中： 前述反射壁由越遠離前述構裝面越向外側擴展的傾斜面所形成。
- 如請求項1～9中任一項所述之半導體封裝體基板，其中： 前述反射壁由Al蒸鍍膜所披覆，該Al蒸鍍膜由Al所形成。
- 一種半導體封裝體，其具備： 請求項1～10中任一項所述的半導體封裝體基板；以及， 前述蓋構件，其裝載至前述裝載區域。
- 如請求項11所述之半導體封裝體，其中： 前述蓋構件由石英玻璃所形成。
- 一種半導體發光裝置，其具備： 請求項11或12所述的半導體封裝體；以及， 前述半導體發光元件，其構裝於前述半導體封裝體基板。
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