TW202201522A

TW202201522A - 基板處理方法

Info

Publication number: TW202201522A
Application number: TW110106261A
Authority: TW
Inventors: 山口貴大; 澤島隼; 東克栄; 小林健司
Original assignee: 日商斯庫林集團股份有限公司
Priority date: 2020-03-06
Filing date: 2021-02-23
Publication date: 2022-01-01
Also published as: JP2024053042A; KR20230062497A; KR102643412B1; JP2021141241A; TWI813950B; KR20210113061A; KR20230062498A; CN113363180A; JP7453020B2

Abstract

本發明之課題在於提高蝕刻輪廓之自由度。本發明之基板處理方法包括如下工序：使基板旋轉；使用中央噴嘴向旋轉之基板之中央部噴出第1處理液；及使用周緣噴嘴向旋轉之基板之周緣部噴出第2處理液，俯視時該周緣部包圍中央部；周緣噴嘴從相對於基板之主表面傾斜之方向，順著基板之旋轉方向噴出第2處理液，且周緣噴嘴向如下位置之基板之周緣部噴出第2處理液，即，俯視時從連結基板之中心與中央噴嘴之線，順著基板之旋轉方向前進半周後之位置。

Description

基板處理方法

本案說明書中所揭示之技術係關於一種基板處理方法。作為處理對象之基板例如包含半導體基板、液晶顯示裝置用基板、有機EL(electroluminescence，電致發光)顯示裝置等平板顯示器(FPD，flat panel display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板或太陽能電池用基板等。

以往，於半導體基板(以下簡稱為「基板」)之製造工序中，會使用基板處理裝置對基板進行各種處理。該處理包含去除該基板之上表面之蝕刻處理。 [背景技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利6064875號公報

[發明所欲解決之問題]

於上述蝕刻處理中，需要各種蝕刻輪廓。例如，有時需要用以抵消前一工序中之蝕刻不均之蝕刻輪廓。

於是，業者想到例如於基板之中央部與周緣部進行蝕刻輪廓差異較大之蝕刻處理，藉此，一面抵消蝕刻之不均，一面進行基板處理。

本案說明書中所揭示之技術係鑒於如上所述之問題而完成，其係一種用以提高基板處理中之蝕刻輪廓之自由度之技術。 [解決問題之技術手段]

本案說明書中所揭示之與基板處理方法相關之技術之第1態樣包括如下工序：使保持於基板保持部之基板旋轉；使用中央噴嘴向旋轉之上述基板之中央部噴出第1處理液；及使用周緣噴嘴向旋轉之上述基板之周緣部噴出第2處理液，俯視時該周緣部包圍上述中央部；上述周緣噴嘴從相對於上述基板之主表面傾斜之方向，順著上述基板之旋轉方向噴出上述第2處理液，上述周緣噴嘴向處於如下位置之上述基板之周緣部噴出上述第2處理液，即，俯視時從連結上述基板之中心與上述中央噴嘴之線，順著上述基板之旋轉方向前進半周後之位置。

本案說明書中所揭示之技術之第2態樣包括如下工序：使保持於基板保持部之基板旋轉；使用中央噴嘴向旋轉之上述基板之中央部噴出第1處理液；使用周緣噴嘴向旋轉之上述基板之周緣部噴出第2處理液；檢測上述第2處理液之液膜於上述基板之周緣部之徑向寬度，即液膜寬度；及基於檢測出之上述液膜寬度來控制旋轉之上述基板之轉速、及從上述周緣噴嘴噴出之上述第2處理液之噴出量；上述周緣噴嘴從相對於上述基板之主表面傾斜之方向，順著上述基板之旋轉方向噴出上述第2處理液。

本案說明書中所揭示之技術之第3態樣與第1或第2態樣相關，其中於上述基板之中央部形成上述第1處理液之液膜之後，上述周緣噴嘴噴出上述第2處理液。

本案說明書中所揭示之技術之第4態樣與第1至第3態樣中之任一態樣相關，其中上述第1處理液與上述第2處理液係不同種類之處理液。

本案說明書中所揭示之技術之第5態樣與第1至第4態樣中之任一態樣相關，其中上述中央噴嘴可沿上述基板之上述徑向擺動。 [發明之效果]

根據本案說明書中所揭示之技術之第1至第5態樣，可提高基板處理中之蝕刻輪廓之自由度。

又，藉由以下所示之詳細說明與隨附圖式，進而明確本案說明書中所揭示之技術相關之目的、特徵、形態及優點。

以下，參照隨附圖式來說明實施方式。以下實施方式中，出於技術說明之目的而示出詳細特徵等，但該等僅為例示，未必均係用以實現實施方式之必要特徵。

再者，圖式係概略表示之圖，為了便於說明，圖式中適當地省略或簡化了構成。又，不同圖式中分別示出之構成等之大小及位置之相互關係未必準確地記載，可適當變更。又，即便於俯視圖而非剖視圖等圖式中，為了易於理解實施方式之內容，有時亦會標註影線。

又，於以下所示之說明中，對相同構成要素標註相同符號來圖示，關於其等之名稱與功能亦同樣如此。因此，為了避免重複，有時省略該等構成要素之詳細說明。

又，以下記載之說明中，當記載為諸如「具備」「包含」或「具有」某個構成要素時，只要未作特別說明，則非排除其他要素之存在之排他性表述。

又，於以下記載之說明中，雖然有時會使用「第1」或「第2」等序數，但該等術語係為了易於理解實施方式之內容而使用，其等之間並不一定具備可能由序數之使用而產生之順序等相關性。

又，以下記載之說明中，關於表示相對位置關係或絕對位置關係之表達，例如「一方向上」、「沿著一方向」、「平行」、「正交」、「中心」、「同心」或「同軸」等，只要未作特別說明，則包含以下兩種情形，即，嚴格地表示位置關係之情形；及於公差或者可獲得相同程度之功能之範圍內，角度或距離發生位移之情形。

又，以下記載之說明中，表示相等狀態之表達，例如「相同」、「相等」、「均勻」或「均質」等，只要未作特別說明，則包含以下兩種情形，即，嚴格地表示相等狀態之情形；及於公差或者可獲得相同程度之功能之範圍內產生差異之情形。

又，以下記載之說明中，雖然有時會使用「上」、「下」、「左」、「右」、「側」、「底」、「正」或「背」等表示特定位置或方向之術語，但該等術語係為了易於理解實施方式之內容而使用，與實際實施時之位置或方向無關。

又，以下記載之說明中，當記載為「…之上表面」或「…之下表面」時，除了表示作為對象之構成要素之上表面本身或下表面本身之外，還包含在作為對象之構成要素之上表面或下表面形成有其他構成要素之狀態。即，例如，當記載為「設置於甲上表面之乙」時，並不妨礙甲與乙之間介置另一構成要素「丙」。

＜實施方式＞以下，說明本實施方式之基板處理裝置及基板處理方法。

＜關於基板處理裝置之構成＞圖1係概略地表示本實施方式1之基板處理裝置1之構成例之俯視圖。如圖1所例示，基板處理裝置1包含載具載置部3、分度機械手IR、中央機械手CR、控制裝置9(控制器)及至少一個處理單元7(圖1中有4個處理單元)。複數個處理單元7用以處理基板W(晶圓)。

基板處理裝置1係可用於基板處理之單片式裝置，例如為濕式蝕刻裝置。基板處理裝置1具有腔室80。藉由控制腔室80內之氣體氛圍，可於所期望之氣體氛圍中進行基板處理。控制裝置9可控制基板處理裝置1所具備之各部之動作。各個載具CA係收容基板W之收容器。載具載置部3係用以保持複數個載具CA之機構。分度機械手IR可於載具載置部3與基板載置部PS之間搬送基板W。中央機械手CR可將基板W從基板載置部PS及至少1個處理單元7中之任一個搬送至另一個。根據以上構成，分度機械手IR、基板載置部PS及中央機械手CR作為於各個處理單元7與載具載置部3之間搬送基板W之搬送機構發揮功能。

未處理之基板W由分度機械手IR從載具CA中取出，經由基板載置部PS被傳送至中央機械手CR。中央機械手CR將該未處理之基板W搬入處理單元7。處理單元7對基板W進行處理。處理後之基板W由中央機械手CR從處理單元7中取出，視需要經過其他處理單元7後，經由基板載置部PS被傳送至分度機械手IR。分度機械手IR將處理後之基板W搬入載具CA。根據以上所述，對基板W進行處理。

＜關於控制裝置＞圖2係概念性地表示基板處理裝置1之控制裝置9之構成例之圖。控制裝置9以可進行通信之方式與分度機械手IR、中央機械手CR及處理單元7連接。

控制裝置9具備控制部90，該控制部90控制分度機械手IR、中央機械手CR及處理單元7中之各動作部之動作。又，控制裝置9可具備檢測部91。檢測部91參照下文所述之記憶媒體中記憶之基板W之處理配方，檢測於處理單元7中進行之基板處理之設定值。又，檢測部91藉由基於下文所述之相機所拍攝之圖像進行圖像分析，來檢測於處理單元7中進行之基板處理之設定值。於此種情形時，控制部90可參照檢測部91中檢測出之設定值來控制處理單元7中之各個動作部之動作。

控制裝置9係藉由執行各種處理之中央運算處理裝置(central processing unit，即CPU)、作為運算處理之作業區域之隨機存取記憶體(random access memory，即RAM)或固定磁碟等記憶媒體等來實現。記憶媒體預先記憶各種資訊。記憶媒體例如記憶與分度機械手IR、中央機械手CR及處理單元7之動作條件有關之資訊。與處理單元7之動作條件有關之資訊例如係用以處理基板W之處理配方(處理程式)。記憶媒體例如記憶用以識別各基板W之資訊。

＜關於處理單元＞圖3係概略地表示本實施方式之基板處理裝置1中之處理單元7及其相關構成之例之側視圖。

基板處理裝置1具備：旋轉夾盤10，其將1片基板W以大致水平之姿勢保持，且使基板W繞通過基板W之中央部之鉛直之旋轉軸線Z1旋轉；中央噴嘴20，其主要向基板W之中央部噴出處理液120；處理液供給源29，其向中央噴嘴20供給處理液120；閥25，其切換從處理液供給源29向中央噴嘴20之處理液120之供給及供給停止；噴嘴臂22，其於端部安裝有中央噴嘴20；周緣噴嘴50，其主要向基板W之周緣部(即，俯視時包圍基板W之中央部之，除基板W之中央部以外之部分)噴出處理液150；處理液供給源59，其向周緣噴嘴50供給處理液150；閥55，其切換從處理液供給源59向周緣噴嘴50之處理液150之供給及供給停止；噴嘴臂52，其於端部安裝有周緣噴嘴50；筒狀處理護罩12，其繞基板W之旋轉軸線Z1將旋轉夾盤10包圍；及相機70，其例如為CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補金屬氧化物半導體)相機或CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合)相機等，主要從上方拍攝基板W之周緣部。

此處，圖3中，中央噴嘴20被示為朝與基板W之上表面正交之方向噴出處理液120，但中央噴嘴20之噴出方向不限於圖3所示之情形。又，所謂基板W之周緣部係指例如從基板W之外周起10 mm左右之範圍。

又，處理液120或處理液150例如可為含有硫酸、乙酸、硝酸、鹽酸、氫氟酸、氨水、純水(DIW)、過氧化氫水、有機酸(例如檸檬酸或草酸等)、有機鹼(例如氫氧化四甲基銨(TMAH)等)、表面活性劑、防腐蝕劑中之至少1種之液體。作為將其等混合而得之藥液之例，可例舉硫酸與過氧化氫水之混合溶液(SPM)、氨與過氧化氫水之混合液(SC1)、用純水稀釋氫氟酸(HF)而獲得之稀氫氟酸(DHF)等。

又，從處理液供給源29供給之處理液120與從處理液供給源59供給之處理液150可為相同種類之處理液，亦可為不同種類之處理液。

旋轉夾盤10具備：圓板狀之旋轉基座10A，其與大致水平姿勢之基板W之下表面對向；複數個夾盤銷10E，其等從旋轉基座10A之外周部夾持基板W；旋轉軸10C，其從旋轉基座10A之中央部向下方延伸；及旋轉馬達10D，其藉由使旋轉軸10C旋轉，而使保持於旋轉基座10A之基板W旋轉。複數個夾盤銷10E沿著圓形基板W之圓周上等間隔地配置。再者，可使用真空吸附基板W之下表面之吸附式夾盤來代替旋轉夾盤10。

噴嘴臂22具備臂部22A、軸體22B及致動器22C。致動器22C調整軸體22B繞軸之角度。臂部22A之一端部固定於軸體22B上，臂部22A之另一端部遠離軸體22B之軸而配置。又，於臂部22A之另一端部安裝有中央噴嘴20。藉由利用致動器22C調整軸體22B之角度，中央噴嘴20構成為可沿基板W之徑向擺動。再者，擺動所引起之中央噴嘴20之移動方向只要具有基板W之徑向之分量即可，無需嚴格地平行於基板W之徑向。

噴嘴臂52具備臂部52A及基部52B。臂部52A之一端部固定於基部52B，臂部52A之另一端部安裝有周緣噴嘴50。噴嘴臂52之配置位置可沿處理護罩12之圓周方向變更。再者，圖3中示出將周緣噴嘴50固定於噴嘴臂52所配置之位置上，但噴嘴臂52亦可與噴嘴臂22同樣，以可擺動之方式保持周緣噴嘴50。

又，於上述例中，處理單元7中之噴嘴之數量設為2個，但亦可於基板W之中央部或周緣部進而設置用以噴出處理液之噴嘴。

圖4係表示周緣噴嘴50與基板W之位置關係之例之側視圖。如圖4所例示，從周緣噴嘴50噴出之處理液之噴出方向X1相對於基板W之上表面以作為銳角之角度θ傾斜。

藉由以此種角度向基板W噴出處理液，例如與噴出方向X1為與基板W之上表面正交之方向之情形相比，可減少噴出之處理液於基板W之上表面上濺起之量。

圖5係表示中央噴嘴20及周緣噴嘴50於基板W之上表面之位置關係之例的俯視圖。如圖5所例示，中央噴嘴20可沿著圍繞軸體22B之路徑Y1擺動。另一方面，周緣噴嘴50可配置於基板W之圓周方向上之任意位置。

此處，從周緣噴嘴50噴出之處理液之噴出方向X1較理想為，俯視時平行於被噴到處理液之位置上之基板W之旋轉方向(即，與該位置上之基板W之外周相切之方向)。當噴出方向X1為此種方向時，處理液順著基板W之旋轉方向噴出，因此可抑制處理液於基板W上濺起。又，當噴出方向X1為此種方向時，噴出之處理液難以沿基板W之徑向流動，因此，抑制了處理液從旋轉基座10A之外周部被夾持基板W之夾盤銷10E彈開而飛散。

＜關於基板處理裝置之動作＞其次，參照圖6來說明基板處理裝置1之動作例。再者，圖6係表示基板處理裝置之動作中之處理單元之動作的流程圖。

分度機械手IR將基板W從載具載置部3上之載具CA搬送至基板載置部PS。中央機械手CR將基板W從基板載置部PS搬送至一個處理單元7。處理單元7對基板W進行處理。中央機械手CR將基板W從處理單元7搬送至基板載置部PS。分度機械手IR將基板W從基板載置部PS搬送至載具載置部3上之載具CA。

作為處理單元7中之基板處理，首先，向基板W之上表面供給藥液，進行規定之藥液處理(圖6中之步驟ST01)。然後，向基板W之上表面供給純水(DIW)等，進行沖洗處理(圖6中之步驟ST02)。進而，藉由使基板W高速旋轉來甩落純水，藉此使基板W乾燥(圖6中之步驟ST03)。

關於上述基板處理中之藥液處理，從中央噴嘴20及周緣噴嘴50向被旋轉夾盤10保持且旋轉之基板W之上表面噴出規定之處理液。從中央噴嘴20及周緣噴嘴50噴出之處理液之種類、噴出量、濃度、溫度或噴出時機等，由控制裝置9中之控制部90根據記憶於記憶媒體中之處理配方來控制。

例如，於相同或不同時機從中央噴嘴20與周緣噴嘴50噴出相同種類之處理液(SPM等)。此時，藉由使從中央噴嘴20與周緣噴嘴50噴出之處理液之濃度或溫度不同，可使基板W之中央部與周緣部之蝕刻速率不同，因此，即便例如根據處理配方瞭解到，於前一工序(乾式蝕刻工序等)之前，基板W之中央部與周緣部之蝕刻速率產生不均之情形時，亦可於本工序中抵消該不均。

又，例如，於相同或不同之時機從中央噴嘴20與周緣噴嘴50噴出不同種類之處理液(SPM與純水之組合等)。如此一來，可使基板W之中央部與周緣部之蝕刻速率有較大差異，因此，即便例如根據處理配方瞭解到，於前一工序(乾式蝕刻工序等)之前，基板W之中央部與周緣部之蝕刻速率產生不均，亦可於本工序中抵消該不均。

再者，進行基板處理時之中央噴嘴20可固定於基板W之中央部之上方，亦可藉由利用致動器22C調整軸體22B之角度而沿基板W之徑向擺動。

又，從周緣噴嘴50噴出處理液之時機較理想為，從中央噴嘴20噴出之處理液所形成之液膜延展至基板W之上表面之中央部之後。若為此種狀態，則基板W之上表面之中央部不易受到從周緣噴嘴50噴出之處理液之影響，因此可抑制由該處理液之作用所致之基板W之中央部的缺陷。

＜關於周緣噴嘴之處理液之噴出位置＞其次，以下對周緣噴嘴50之處理液之噴出位置進行說明。如上所述，周緣噴嘴50可配置於基板W之圓周方向上之任意位置，但當從中央噴嘴20噴出之處理液於基板W之上表面擴散時，周緣噴嘴50較理想為配置成，對由從中央噴嘴20噴出之處理液形成之液膜相對變薄之部位噴出來自周緣噴嘴50之處理液。

圖7係表示中央噴嘴20及周緣噴嘴50於基板W之上表面之位置關係之例的俯視圖。

於中央噴嘴20配置於圖7所示之位置之情形時，從中央噴嘴20噴出之處理液會朝基板W之旋轉方向R1之方向擴散而形成液膜。此時，從中央噴嘴20噴出之處理液因基板W旋轉所產生離心力而逐漸向基板W之周緣部流動，從基板W之外周流下，與此同時，基板W之上表面之液膜亦變薄。

如此一來，周緣噴嘴50較理想為例如配置成朝如下位置噴出處理液，上述位置係指相較連結中央噴嘴20與基板W之中心位置CP之直線D1上之、相對於中心位置CP與中央噴嘴20為相反側之基板W的周緣部(即，從中央噴嘴20之位置沿旋轉方向R1前進半周之位置上之基板W的周緣部)，沿旋轉方向R1前進之位置。

圖7中，周緣噴嘴50配置於如上所述之位置，故從周緣噴嘴50噴出之處理液會噴出至由中央噴嘴20噴出之處理液所形成之液膜相對變薄之部位。於此種情形時，從周緣噴嘴50噴出之處理液不易受到從中央噴嘴20噴出之處理液之干擾，故從周緣噴嘴50噴出之處理液到達基板W之上表面，容易作用於基板W之上表面。因此，從周緣噴嘴50噴出之處理液之處理作用提高，例如，即便於基板W之中央部與周緣部進行蝕刻速率差異較大之基板處理，亦會因從中央噴嘴20噴出之處理液與從周緣噴嘴50噴出之處理液之干擾得到抑制，而容易實現所期望之蝕刻速率。

圖8係表示中央噴嘴20及周緣噴嘴50於基板W之上表面之位置關係之例的俯視圖。

於將中央噴嘴20配置於圖8所示之位置之情形時，從中央噴嘴20噴出之處理液於基板W之旋轉方向R1之方向上擴散而形成液膜。此時，從中央噴嘴20噴出之處理液因基板W旋轉所產生之離心力而逐漸向基板W之周緣部流動，從基板W之外周流下，與此同時，基板W之上表面之液膜亦不斷變薄。

如此一來，周緣噴嘴50較理想為例如配置成朝如下位置噴出處理液，上述位置係指相較連結中央噴嘴20與基板W之中心位置CP之直線D2上之、相對於中心位置CP與中央噴嘴20為相反側之基板W的周緣部(即，從中央噴嘴20之位置沿旋轉方向R1前進半周之位置上之基板W的周緣部)，沿旋轉方向R1前進之位置。

＜關於周緣噴嘴之處理液之液膜寬度之控制＞圖9係表示從周緣噴嘴50噴出之處理液150之液膜寬度W1之例的俯視圖。再者，圖9中例示之處理液150之液膜寬度W1僅為包含液膜寬度W1相對於整個基板W之比率之例示。

如圖9所例示，從周緣噴嘴50噴出之處理液150於基板W之旋轉方向R1上擴散，同時亦朝基板W之徑向之內側與外側擴散。此處，將從周緣噴嘴50噴出之處理液150擴散而形成之液膜於基板W之徑向上之寬度設為液膜寬度W1。

液膜寬度W1可藉由以下任一種方法或其等之組合來控制。再者，該控制係由控制裝置9進行。

作為第1方法，首先，使用相機70(參照圖3)拍攝形成於基板W之上表面之上述液膜。然後，將利用相機70拍攝到之圖像之圖像資料輸入至控制裝置9中之檢測部91(參照圖2)。然後，檢測部91藉由對該圖像資料進行圖像分析，來檢測上述液膜寬度W1。

其次，控制裝置9中之控制部90參照檢測部91所檢測出之液膜寬度W1，對基板W之轉速及從周緣噴嘴50噴出之處理液150之噴出量進行調整。

具體而言，要使液膜寬度W1變窄時，控制部90會提高基板W之轉速來增大基板W之離心力。另一方面，要使液膜寬度W1變寬時，控制部90會降低基板W之轉速來減小基板W之離心力。然後，於已提高基板W之轉速之情形時，視需要減少處理液150之噴出量，另一方面，於已降低基板W之轉速之情形時，視需要增加處理液150之噴出量。進而，於已減少處理液150之噴出量之情形時，可提高處理液150之濃度或溫度。同樣地，於已增加處理液150之噴出量之情形時，可降低處理液150之濃度或溫度。

作為第2方法，首先，控制裝置9中之檢測部91從控制裝置9之記憶媒體等中參照用以處理基板W之處理配方。然後，根據本工序所對應之處理配方之蝕刻輪廓等，檢測理應由處理液150形成之液膜之寬度W1。

其次，控制裝置9中之控制部90一面參照檢測部91所檢測出之液膜寬度W1及下文所述之對應表格，一面對基板W之轉速及從周緣噴嘴50噴出之處理液150之噴出量進行調整。

此處，上述對應表格係表示由處理液150形成之液膜寬度W1與基板W之轉速及處理液150之噴出量之關係的表格，藉由實驗等預先製作。

藉由控制從周緣噴嘴50噴出之處理液150之液膜寬度W1，可高精度地特定出由處理液150所決定之蝕刻速率之範圍，因此可實現所期望之蝕刻輪廓。

＜關於藉由以上記載之實施方式產生之效果＞其次，示出藉由以上記載之實施方式產生之效果之例。再者，於以下說明中，基於以上記載之實施方式中例示之具體構成來記載該效果，但於產生相同效果之範圍內，可置換為本案說明書中例示之其他具體構成。

根據以上記載之實施方式，基板處理方法包括如下工序：使保持於基板保持部之基板W旋轉；使用中央噴嘴20向旋轉之基板W之中央部噴出第1處理液；及使用周緣噴嘴50向旋轉之基板W之周緣部噴出第2處理液。此處，基板保持部例如對應於旋轉夾盤10等。又，第1處理液例如對應於處理液120等。又，第2處理液例如對應於處理液150等。此處，周緣噴嘴50從相對於基板W之主表面傾斜角度θ之方向，順著基板W之旋轉方向噴出處理液150。又，周緣噴嘴50向如下位置之基板W之周緣部噴出處理液150，即，俯視時從連結基板W之中心位置CP與中央噴嘴20之直線D1，順著基板W之旋轉方向前進半周後之位置。

根據此種構成，可提高蝕刻輪廓之自由度。具體而言，從周緣噴嘴50噴出之處理液150向從中央噴嘴20噴出之處理液120所形成之液膜相對變薄之部位噴出。因此，處理液150不易受到處理液120之干擾，故處理液150容易到達基板W之上表面，於基板W之上表面發揮作用。因此，處理液150之處理作用提高，容易實現所期望之蝕刻速率，例如於基板W之中央部與周緣部差異較大之蝕刻速率等。結果，例如用於使乾式蝕刻之蝕刻速率均勻化之聚焦環因該乾式蝕刻而發生形狀變化，即便如基板W之周緣部之蝕刻氣體濃度不均之蝕刻工序為前一工序之情形時，藉由於基板之中央部與周緣部進行蝕刻輪廓差異較大之蝕刻處理，可於抵消蝕刻不均之同時進行基板處理。

再者，於無特別限制之情形時，可變更各處理之執行順序。

又，即便對上述構成追加本案說明書中例示之其他構成時，即，適當追加未被提及作為上述構成之本案說明書中之其他構成時，亦可產生相同之效果。

又，根據以上記載之實施方式，基板處理方法包括如下工序：使保持於旋轉夾盤10之基板W旋轉；使用中央噴嘴20向旋轉之基板W之中央部噴出處理液120；使用周緣噴嘴50向旋轉之基板W之周緣部噴出處理液150；檢測處理液150之液膜於基板W之周緣部之徑向寬度，即液膜寬度W1；及基於檢測出之液膜寬度W1來控制旋轉之基板W之轉速及來自周緣噴嘴50之處理液150之噴出量。此處，周緣噴嘴50從相對於基板W之主表面傾斜角度θ之方向，順著基板W之旋轉方向噴出處理液150。

根據此種構成，可提高蝕刻輪廓之自由度。具體而言，藉由控制從周緣噴嘴50噴出之處理液150之液膜寬度W1，可高精度地確定由處理液150所決定之蝕刻速率之範圍，因此可實現所期望之蝕刻輪廓。

再者，於無特別限制之情形時，可變更各處理之執行順序。

又，根據以上記載之實施方式，於基板W之中央部形成處理液120之液膜之後，周緣噴嘴50噴出處理液150。根據此種構成，基板W之上表面之中央部不易受到從周緣噴嘴50噴出之處理液之影響，因此可抑制由處理液150之作用所致之基板W之中央部之缺陷。

又，根據以上記載之實施方式，處理液120與處理液150係不同種類之處理液。根據此種構成，可使蝕刻速率於基板W之中央部與周緣部差異較大。

又，根據以上所記載之實施方式，中央噴嘴20可沿基板W之徑向擺動。根據此種構成，可使從中央噴嘴20噴出之處理液120快速且均勻地擴散。

＜關於以上記載之實施方式之變化例＞於以上記載之實施方式中，為了抵消根據處理配方預測之蝕刻速率之不均，控制中央噴嘴20及周緣噴嘴50之處理液之噴出量、濃度或溫度等。於使用中央噴嘴20及周緣噴嘴50進行基板處理之前，可使用光學感測器等實際測量形成於基板W之上表面之膜之厚度或槽之深度等，並藉由參照該實際測量值來控制中央噴嘴20及周緣噴嘴50之處理液之噴出量、濃度或溫度等。

於以上所記載之實施方式中，有記載各個構成要素之材質、材料、尺寸、形狀、相對配置關係或實施條件等之情形，但該等於所有形態中均僅為一例，並不限於本案說明書中記載之內容。

因此，於本案說明書中所揭示之技術範圍內假設了無數未例示之變化例及等效物。例如包含改變至少一個構成要素之情形，添加至少一個構成要素之情形，或省略至少一個構成要素之情形。

又，於以上所記載之實施方式中，未特別指定而記載有材料名稱等時，只要不產生矛盾，則該材料中亦能包含其他添加物，例如合金等。

1:基板處理裝置 3:載具載置部 7:處理單元 9:控制裝置 10:旋轉夾盤 10A:旋轉基座 10C:旋轉軸 10D:旋轉馬達 10E:夾盤銷 12:處理護罩 20:中央噴嘴 22:噴嘴臂 22A:臂部 22B:軸體 22C:致動器 25:閥 29:處理液供給源 50:周緣噴嘴 52:噴嘴臂 52A:臂部 52B:基部 55:閥 59:處理液供給源 70:相機 80:腔室 90:控制部 91:檢測部 120:處理液 150:處理液 CA:載具 CP:中心位置 CR:中央機械手 D1:直線 D2:直線 IR:分度機械手 PS:基板載置部 R1:旋轉方向 W:基板 W1:液膜寬度 X1:噴出方向 Y1:路徑 Z1:旋轉軸線 θ:主表面傾斜角度

圖1係概略地表示實施方式之基板處理裝置之構成例之俯視圖。圖2係概念性地表示基板處理裝置之控制裝置之構成例之圖。圖3係概略地表示實施方式之基板處理裝置中之處理單元及其相關構成之例的側視圖。圖4係表示周緣噴嘴與基板之位置關係之例之側視圖。圖5係表示中央噴嘴及周緣噴嘴於基板之上表面之位置關係之例的俯視圖。圖6係表示基板處理裝置之動作中之處理單元之動作的流程圖。圖7係表示中央噴嘴及周緣噴嘴於基板之上表面之位置關係之例的俯視圖。圖8係表示中央噴嘴及周緣噴嘴於基板之上表面之位置關係之例的俯視圖。圖9係表示從周緣噴嘴噴出之處理液之液膜寬度之例的俯視圖。

1:基板處理裝置

3:載具載置部

7:處理單元

9:控制裝置

80:腔室

CA:載具

CR:中央機械手

IR:分度機械手

PS:基板載置部

W:基板

Claims

一種基板處理方法，其包括如下工序：使保持於基板保持部之基板旋轉；使用中央噴嘴向旋轉之上述基板之中央部噴出第1處理液；使用周緣噴嘴向旋轉之上述基板之周緣部噴出第2處理液，俯視時該周緣部包圍上述中央部；及上述周緣噴嘴從相對於上述基板之主表面傾斜之方向，順著上述基板之旋轉方向噴出上述第2處理液；上述周緣噴嘴向如下位置之上述基板之周緣部噴出上述第2處理液，即，俯視時從連結上述基板之中心與上述中央噴嘴之線，順著上述基板之旋轉方向前進半周後之位置。
一種基板處理方法，其包括如下工序：使保持於基板保持部之基板旋轉；使用中央噴嘴向旋轉之上述基板之中央部噴出第1處理液；使用周緣噴嘴向旋轉之上述基板之周緣部噴出第2處理液；檢測上述第2處理液之液膜於上述基板之周緣部之徑向寬度，即液膜寬度；及基於檢測出之上述液膜寬度，來控制旋轉之上述基板之轉速及從上述周緣噴嘴噴出之上述第2處理液之噴出量；上述周緣噴嘴從相對於上述基板之主表面傾斜之方向，順著上述基板之旋轉方向噴出上述第2處理液。
如請求項1或2之基板處理方法，其中於上述基板之中央部形成上述第1處理液之液膜之後，上述周緣噴嘴噴出上述第2處理液。
如請求項1或2之基板處理方法，其中上述第1處理液與上述第2處理液係不同種類之處理液。
如請求項1或2之基板處理方法，其中上述中央噴嘴可沿上述基板之上述徑向擺動。