TWI698926B - 基板處理方法及基板處理裝置 - Google Patents

基板處理方法及基板處理裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI698926B
TWI698926B TW107147619A TW107147619A TWI698926B TW I698926 B TWI698926 B TW I698926B TW 107147619 A TW107147619 A TW 107147619A TW 107147619 A TW107147619 A TW 107147619A TW I698926 B TWI698926 B TW I698926B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
oxygen concentration
substrate
dissolved oxygen
etching
main surface
Prior art date
Application number
TW107147619A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201941294A (zh
Inventor
根来世
小林健司
Original Assignee
日商斯庫林集團股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商斯庫林集團股份有限公司 filed Critical 日商斯庫林集團股份有限公司
Publication of TW201941294A publication Critical patent/TW201941294A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI698926B publication Critical patent/TWI698926B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C5/00—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
    • B05C5/002—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the work consisting of separate articles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

基於要求蝕刻量決定設定溶氧濃度及設定環境氧濃度之一者。其後，基於要求蝕刻量與所決定之設定溶氧濃度及設定環境氧濃度之一者，決定設定溶氧濃度及設定環境氧濃度之另一者。使具有與所決定之設定環境氧濃度一致或接近之氧濃度之低氧氣體流入至收容基板之腔室內。進而，將以溶氧濃度與所決定之設定溶氧濃度一致或接近之方式減少了溶氧之蝕刻液供給至被保持為水平之基板之整個上表面。

Description

基板處理方法及基板處理裝置
本發明係關於一種對基板進行處理之基板處理方法及基板處理裝置。處理對象之基板例如包含半導體晶圓、液晶顯示裝置及有機EL(electroluminescence，電致發光)顯示裝置等FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板及太陽電池用基板等。
於半導體裝置或液晶顯示裝置等之製造工序中，使用對半導體晶圓或液晶顯示裝置用玻璃基板等基板進行處理之基板處理裝置。於JP 2015-153947 A中，揭示有一種單片式之基板處理裝置，其係於環境中之氧濃度較低之狀態下將溶氧濃度較低之處理液供給至基板。
如JP 2015-153947 A中所記載般，先前認為處理液之溶氧濃度及環境中之氧濃度較佳為儘可能低。然而，根據本發明者等人之研究，可知於使用處理液對基板進行蝕刻之情形時，不僅處理液之溶氧濃度及環境中之氧濃度會對蝕刻之結果帶來影響，該兩者之差亦會對蝕刻之結果帶來影響。
例如可知有如下情形：當環境中之氧濃度相對於處理液之溶氧濃度過低時，蝕刻之均勻性會變差。因此，處理液之溶氧濃度及環境中之氧濃度未必較低則佳。又，亦可知藉由不僅控制處理液之溶氧濃度及環境中之氧濃度，亦控制兩者之差，可使基板之正面或背面之整個區域之蝕刻量之分佈發生變化。
因此，本發明之目的之一在於提供一種藉由於環境中之氧濃度較低之狀態下將溶氧濃度較低之蝕刻液供給至基板之整個主面，可一面控制蝕刻量之分佈一面對基板之主面進行蝕刻之基板處理方法及基板處理裝置。
本發明之一實施形態提供一種基板處理方法，該基板處理方法包含：第1氧濃度決定工序，其係基於表示基板之主面之蝕刻量之要求值的要求蝕刻量，決定設定溶氧濃度及設定環境氧濃度之一者，該設定溶氧濃度表示蝕刻液之溶氧濃度之設定值，該設定環境氧濃度表示與保持於上述基板之主面之上述蝕刻液相接的環境中之氧濃度之設定值；第2氧濃度決定工序，其係基於上述要求蝕刻量與上述第1氧濃度決定工序中所決定之上述設定溶氧濃度及設定環境氧濃度之一者，決定上述設定溶氧濃度及設定環境氧濃度之另一者；低氧氣體供給工序，其係使低氧氣體流入至收容上述基板之腔室內，該低氧氣體具有與上述第1氧濃度決定工序或第2氧濃度決定工序中所決定之上述設定環境氧濃度一致或接近，且較空氣中之氧濃度低之氧濃度；及蝕刻工序，其係藉由如下操作對上述基板之主面進行蝕刻，即，一面使於上述低氧氣體供給工序中流入至上述腔室內之上述低氧氣體與保持於上述基板之主面之上述蝕刻液接觸，一面將以溶氧濃度與上述第1氧濃度決定工序或第2氧濃度決定工序中所決定之上述設 定溶氧濃度一致或接近之方式減少了溶氧之上述蝕刻液供給至被保持為水平之上述基板之整個主面。
根據該方法，於使環境中之氧濃度降低之狀態下，將溶氧濃度較低之蝕刻液供給至基板之主面。藉此，可一面控制溶入至保持於基板之蝕刻液之氧之量，一面將蝕刻液供給至基板之整個主面。供給至基板之主面之蝕刻液之實際溶氧濃度與設定溶氧濃度一致或者接近。同樣地，與保持於基板之主面之蝕刻液相接之環境中之實際氧濃度和設定環境氧濃度一致或者接近。
設定溶氧濃度及設定環境氧濃度相互建立關聯，而非基於要求蝕刻量分別獨立地設定。具體而言，設定溶氧濃度及設定環境氧濃度之一者係基於要求蝕刻量而決定。而且，基於所決定之值(設定溶氧濃度及設定環境氧濃度之一者)與要求蝕刻量，決定設定溶氧濃度及設定環境氧濃度之另一者。換言之，不僅控制設定溶氧濃度及設定環境氧濃度，亦控制設定溶氧濃度及設定環境氧濃度之差。
如此，一面控制設定溶氧濃度及設定環境氧濃度之差，一面使設定溶氧濃度及設定環境氧濃度降低，故而可不使蝕刻液相對於基板之主面之著液位置移動，而使遍及基板之主面之蝕刻量之分佈變化。例如，能以固定之蝕刻量均勻地對基板之整個主面進行蝕刻，或以蝕刻量之分佈成為圓錐狀或倒立圓錐狀之方式對基板之主面進行蝕刻。因此，可一面控制蝕刻量之分佈，一面對基板之主面進行蝕刻。
基板之主面意指基板之正面(器件形成面)及背面(非器件形成面)之任一者。於基板被保持為水平之情形時，基板之上表面或下表面相當於基板之主面。基板之主面亦可為基板之正面及背面之任一者。又， 低氧氣體意指具有較空氣中之氧濃度(約21vol%)低之氧濃度之氣體。
於上述實施形態中，亦可對上述基板處理方法添加以下特徵之至少一者。
上述第1氧濃度決定工序及第2氧濃度決定工序之一者包含如下工序之一者，即，將較可設定為上述設定溶氧濃度之數值範圍之最小值為大之值決定為上述設定溶氧濃度；及將較可設定為上述設定環境氧濃度之數值範圍之最小值為大之值決定為上述設定環境氧濃度。
根據該方法，將較可設定為設定溶氧濃度或設定環境氧濃度之數值範圍之最小值為大之值設定為設定溶氧濃度或設定環境氧濃度。換言之，並非如先前般儘可能使設定溶氧濃度及設定環境氧濃度降低，而亦控制兩者之差。藉此，可一面控制蝕刻量之分佈，一面對基板之主面進行蝕刻。
上述蝕刻工序包含液體噴出工序，該液體噴出工序係使自液體噴出口噴出之上述蝕刻液最初與上述基板之主面接觸之著液位置自上述蝕刻液之噴出開始至上述蝕刻液之噴出停止為止，位於上述基板之主面中央部，並朝向被保持為水平之上述基板之主面使上述液體噴出口噴出以溶氧濃度與上述第1氧濃度決定工序或第2氧濃度決定工序中所決定之上述設定溶氧濃度一致或接近之方式降低了溶氧之上述蝕刻液。
根據該方法，使蝕刻液之著液位置自噴出開始至噴出停止為止位於基板之主面中央部。即便於此種情形時，亦可藉由控制設定溶氧濃度及設定環境氧濃度之差，而控制蝕刻量之分佈。因此，為了控制蝕刻量之分佈，亦可不使蝕刻液相對於基板之主面之著液位置移動，或不設置朝向基板之主面噴出蝕刻液之複數個液體噴出口。
上述第2氧濃度決定工序係如下工序，即，以遍及上述基板之主面之蝕刻量之分佈成為圓錐狀或倒立圓錐狀之方式，基於上述要求蝕刻量與上述第1氧濃度決定工序中所決定之上述設定溶氧濃度及設定環境氧濃度之一者，決定上述設定溶氧濃度及設定環境氧濃度之另一者。
根據該方法，以遍及基板之主面之蝕刻量之分佈成為圓錐狀或倒立圓錐狀之方式，對設定溶氧濃度及設定環境氧濃度進行設定。若蝕刻前之基板之主面為圓錐狀，則只要以遍及基板之主面之蝕刻量之分佈成為圓錐狀之方式對基板之主面進行蝕刻，便可提高蝕刻後之基板之主面之平坦度。同樣地，若蝕刻前之基板之主面為倒立圓錐狀，則只要以遍及基板之主面之蝕刻量之分佈成為倒立圓錐狀之方式對基板之主面進行蝕刻，便可提高蝕刻後之基板之主面之平坦度。
上述第1氧濃度決定工序係基於上述要求蝕刻量，決定上述設定溶氧濃度之工序，上述第2氧濃度決定工序係基於上述要求蝕刻量與上述第1氧濃度決定工序中所決定之上述設定溶氧濃度，決定上述設定環境氧濃度之工序。
根據該方法，自決定設定溶氧濃度後，決定設定環境氧濃度。著液位置上之蝕刻速率依存於蝕刻液之溶氧濃度。換言之，設定環境氧濃度不會對著液位置上之蝕刻速率帶來較大影響。取而代之，蝕刻速率之斜率、亦即連結著液位置上之蝕刻速率與基板之主面內之任意位置上之蝕刻速率之直線的斜率依存於蝕刻液之溶氧濃度與環境中之氧濃度。因此，只要先決定設定溶氧濃度，便可相對容易地設定著液位置上之蝕刻速率與蝕刻速率之斜率。
與此相對，於先決定設定環境氧濃度之情形時，可能必須 亦變更除設定溶氧濃度及設定環境氧濃度以外之條件。例如，於先決定設定環境氧濃度之情形時，為了獲得所期望之蝕刻速率之斜率而大幅度地限制設定溶氧濃度。於在所決定之設定溶氧濃度下無法獲得所期望之蝕刻速率之情形時，可能必須亦變更蝕刻液之供給時間或濃度等其他條件。因此，藉由先決定設定溶氧濃度，可相對容易地設定著液位置上之蝕刻速率與蝕刻速率之斜率。
上述低氧氣體供給工序包含如下工序，即，一面使可於上述腔室內移動之對向構件之對向面與上述基板之主面對向，一面使上述低氧氣體自設置於上述對向面之開口流入至上述基板之主面與上述對向構件之對向面之間。
根據該方法，具有較空氣中之氧濃度低之氧濃度之低氧氣體自設置於對向構件之對向面之開口流出，並流入至基板之主面與對向構件之對向面之間之空間。藉此，基板與對向構件之間之空間被低氧氣體充滿，環境中之氧濃度降低。因此，與於腔室之整個內部空間使氧濃度降低之情形相比，可減少低氧氣體之使用量，可於短時間內使氧濃度發生變化。
對向構件可為阻隔構件，亦可為旋轉基座，該阻隔構件可於腔室中上下移動，且配置於基板之上方，該旋轉基座可繞鉛垂之旋轉軸線於腔室內旋轉，且配置於基板之下方。
上述低氧氣體供給工序包含如下工序，即，使上述低氧氣體自設置於上述對向構件之對向面且與上述基板之主面中央部對向之中央開口流入至上述基板之主面與上述對向構件之對向面之間；及使上述低氧氣體自設置於上述對向構件之對向面且與除上述基板之主面中央部以外之 上述基板之主面之一部分對向的外側開口流入至上述基板之主面與上述對向構件之對向面之間。
根據該方法，中央開口與外側開口設置於對向構件之對向面。中央開口與基板之主面中央部對向。外側開口配置於中央開口之外側。自中央開口流出之低氧氣體於基板與對向構件之間之空間朝外側流動。同樣地，自外側開口流出之低氧氣體於基板與對向構件之間之空間朝外側流動。因此，與未設置有外側開口之情形相比，其他氣體不易流入至基板與對向構件之間。藉此，可更精密地控制基板與對向構件之間之空間之氧濃度。
上述低氧氣體供給工序包含如下工序，即，一面將上述腔室內之氣體自上述腔室之下端部排出，一面使上述低氧氣體自上述腔室之上端部流入至上述腔室內。
根據該方法，低氧氣體自腔室之上端部流入至腔室之內部。流入至腔室內之低氧氣體朝向腔室之下端部流動，且自腔室之下端部排出至腔室之外。藉此，腔室之內部被低氧氣體充滿，環境中之氧濃度降低。因此，不設置阻隔構件等配置於基板之上方之構件，便可使環境中之氧濃度降低。藉此，可使腔室小型化。
上述基板處理方法包含：第1溶氧濃度調整工序，其係藉由使溶氧減少，而使第1貯槽內之上述蝕刻液之溶氧濃度降低至第1溶氧濃度為止；及第2溶氧濃度調整工序，其係藉由使溶氧減少，而使第2貯槽內之上述蝕刻液之溶氧濃度降低至與上述第1溶氧濃度不同之第2溶氧濃度為止；且上述蝕刻工序包含：選擇工序，其係選擇上述第1貯槽及第2貯槽中之貯存有具有與上述第1氧濃度決定工序或第2氧濃度決定工序中所決定之 上述設定溶氧濃度接近之溶氧濃度之上述蝕刻液的貯槽；及液體噴出工序，其係將上述選擇工序中所選擇之上述貯槽內之上述蝕刻液朝向被保持為水平之上述基板之主面噴出。
根據該方法，將溶氧濃度互不相同之蝕刻液貯存於第1貯槽及第2貯槽。所決定之設定溶氧濃度被與表示第1貯槽內之蝕刻液之溶氧濃度之第1溶氧濃度及表示第2貯槽內之蝕刻液之溶氧濃度之第2溶氧濃度加以比較。於第1溶氧濃度與所決定之設定溶氧濃度一致或接近之情形時，將第1貯槽內之蝕刻液供給至基板之主面。另一方面，於第2溶氧濃度與所決定之設定溶氧濃度一致或接近之情形時，將第2貯槽內之蝕刻液供給至基板之主面。
蝕刻液之溶氧濃度難以立即改變。因此，於改變相同之貯槽內之蝕刻液之溶氧濃度的情形時，將花費某種程度之時間。針對該情況，若預先將溶氧濃度互不相同之蝕刻液貯存於第1貯槽及第2貯槽，則可即刻改變供給至基板之主面之蝕刻液之溶氧濃度。藉此，可縮短基板處理裝置之停工時間(無法執行基板之處理之時間)，可減少基板處理裝置之產能(每單位時間之基板之處理片數)之減少量。
上述蝕刻工序係如下工序，即，一面使於上述低氧氣體供給工序中流入至上述腔室內之上述低氧氣體與保持於上述基板之主面之上述蝕刻液接觸，一面將以溶氧濃度與上述第1氧濃度決定工序或第2氧濃度決定工序中所決定之上述設定溶氧濃度一致或接近之方式減少了溶氧之上述蝕刻液供給至被保持為水平之上述基板之整個主面，藉此對形成於上述基板之主面之多晶矽膜進行蝕刻。
根據該方法，於使環境中之氧濃度降低之狀態下，對露出 有多晶矽膜之基板之主面供給溶氧濃度較低之蝕刻液。藉此，可一面控制溶入至保持於基板之蝕刻液之氧之量，一面對形成於基板之主面之多晶矽膜進行蝕刻。多晶矽膜係受到蝕刻液之溶氧濃度之影響之薄膜之一例。因此，不僅控制設定溶氧濃度及設定環境氧濃度，亦控制兩者之差，藉此，可一面控制蝕刻量之分佈，一面對多晶矽膜進行蝕刻。
本發明之另一實施形態提供一種基板處理裝置，該基板處理裝置具備：基板保持單元，其將基板保持為水平；蝕刻液供給單元，其對保持於上述基板保持單元之上述基板之主面供給已減少溶氧之蝕刻液；腔室，其收容保持於上述基板保持單元之上述基板；低氧氣體供給單元，其使具有較空氣中之氧濃度低之氧濃度之低氧氣體流入至收容上述基板之上述腔室內，藉此調整與保持於上述基板之主面之上述蝕刻液相接之環境中之氧濃度；溶氧濃度變更單元，其變更由上述蝕刻液供給單元供給至上述基板之上述蝕刻液之溶氧濃度；環境氧濃度變更單元，其變更由上述低氧氣體供給單元進行調整之環境中之氧濃度；及控制裝置。
上述控制裝置執行如下工序，即，第1氧濃度決定工序，其係基於表示上述基板之主面之蝕刻量之要求值的要求蝕刻量，決定設定溶氧濃度及設定環境氧濃度之一者，該設定溶氧濃度表示上述蝕刻液之溶氧濃度之設定值，該設定環境氧濃度表示與保持於上述基板之主面之上述蝕刻液相接的環境中之氧濃度之設定值；第2氧濃度決定工序，其係基於上述要求蝕刻量與上述第1氧濃度決定工序中所決定之上述設定溶氧濃度及設定環境氧濃度之一者，決定上述設定溶氧濃度及設定環境氧濃度之另一者；低氧氣體供給工序，其係使上述低氧氣體流入至收容上述基板之上述腔室內，該低氧氣體具有與上述第1氧濃度決定工序或第2氧濃度決定工 序中所決定之上述設定環境氧濃度一致或接近，且較空氣中之氧濃度低之氧濃度；及蝕刻工序，其係藉由如下操作對上述基板之主面進行蝕刻，即，一面使於上述低氧氣體供給工序中流入至上述腔室內之上述低氧氣體與保持於上述基板之主面之上述蝕刻液接觸，一面將以溶氧濃度與上述第1氧濃度決定工序或第2氧濃度決定工序中所決定之上述設定溶氧濃度一致或接近之方式減少了溶氧之上述蝕刻液供給至被保持為水平之上述基板之整個主面。根據該構成，關於上述基板處理方法，可發揮與所敍述之效果相同之效果。
於上述實施形態中，亦可對上述基板處理裝置添加以下特徵之至少一者。
上述第1氧濃度決定工序及第2氧濃度決定工序之一者包含如下工序之一者，即，將較可設定為上述設定溶氧濃度之數值範圍之最小值為大之值決定為上述設定溶氧濃度；及將較可設定為上述設定環境氧濃度之數值範圍之最小值為大之值決定為上述設定環境氧濃度。根據該構成，關於上述基板處理方法，可發揮與所敍述之效果相同之效果。
上述蝕刻液供給單元包含液體噴出口，該液體噴出口係朝向保持於上述基板保持單元之上述基板之主面噴出上述蝕刻液，上述蝕刻工序包含液體噴出工序，該液體噴出工序係使自上述液體噴出口噴出之上述蝕刻液最初與上述基板之主面接觸之著液位置自上述蝕刻液之噴出開始至上述蝕刻液之噴出停止為止，位於上述基板之主面中央部，並使朝向被保持為水平之上述基板之主面使上述液體噴出口噴出以溶氧濃度與上述第1氧濃度決定工序或第2氧濃度決定工序中所決定之上述設定溶氧濃度一致或接近之方式降低了溶氧之上述蝕刻液。根據該構成，關於上述基板處理 方法，可發揮與所敍述之效果相同之效果。
上述第2氧濃度決定工序係如下工序，即，以遍及上述基板之主面之蝕刻量之分佈成為圓錐狀或倒立圓錐狀之方式，基於上述要求蝕刻量與上述第1氧濃度決定工序中所決定之上述設定溶氧濃度及設定環境氧濃度之一者，決定上述設定溶氧濃度及設定環境氧濃度之另一者。根據該構成，關於上述基板處理方法，可發揮與所敍述之效果相同之效果。
上述第1氧濃度決定工序係基於上述要求蝕刻量，決定上述設定溶氧濃度之工序，上述第2氧濃度決定工序係基於上述要求蝕刻量與上述第1氧濃度決定工序中所決定之上述設定溶氧濃度，決定上述設定環境氧濃度之工序。根據該構成，關於上述基板處理方法，可發揮與所敍述之效果相同之效果。
上述基板處理裝置進而具備對向構件，該對向構件包含與保持於上述基板保持單元之上述基板之主面對向之對向面、及設置於上述對向面之開口，且可於上述腔室內移動，上述低氧氣體供給工序包含如下工序，即，一面使可於上述腔室內移動之上述對向構件之對向面與上述基板之主面對向，一面使上述低氧氣體自設置於上述對向面之上述開口流入至上述基板之主面與上述對向構件之對向面之間。根據該構成，關於上述基板處理方法，可發揮與所敍述之效果相同之效果。
上述對向構件之開口包含：中央開口，其設置於上述對向構件之對向面，且與上述基板之主面中央部對向；及外側開口，其設置於上述對向構件之對向面，且與除上述基板之主面中央部以外之上述基板之主面之一部分對向；且上述低氧氣體供給工序包含如下工序，即，使上述低氧氣體自上述中央開口流入至上述基板之主面與上述對向構件之對向面 之間；及使上述低氧氣體自上述外側開口流入至上述基板之主面與上述對向構件之對向面之間。根據該構成，關於上述基板處理方法，可發揮與所敍述之效果相同之效果。
上述低氧氣體供給單元包含：風扇單元，其使上述低氧氣體自上述腔室之上端部流入至上述腔室內；及排氣管，其將上述腔室內之氣體自上述腔室之下端部排出；且上述低氧氣體供給工序包含如下工序，即，一面將上述腔室內之氣體自上述腔室之下端部排出，一面使上述低氧氣體自上述腔室之上端部流入至上述腔室內。根據該構成，關於上述基板處理方法，可發揮與所敍述之效果相同之效果。
上述蝕刻液供給單元包含：第1貯槽，其貯存上述蝕刻液；第2貯槽，其貯存上述蝕刻液；第1溶氧濃度變更單元，其使上述第1貯槽內之上述蝕刻液之溶氧濃度降低；及第2溶氧濃度變更單元，其使上述第2貯槽內之上述蝕刻液之溶氧濃度降低；上述控制裝置進而執行如下工序，即，第1溶氧濃度調整工序，其係藉由使溶氧減少，而使上述第1貯槽內之上述蝕刻液之溶氧濃度降低至第1溶氧濃度為止；及第2溶氧濃度調整工序，其係藉由使溶氧減少，而使上述第2貯槽內之上述蝕刻液之溶氧濃度降低至與上述第1溶氧濃度不同之第2溶氧濃度為止；上述蝕刻工序包含：選擇工序，其係選擇上述第1貯槽及第2貯槽中之貯存有具有與上述第1氧濃度決定工序或第2氧濃度決定工序中所決定之上述設定溶氧濃度接近之溶氧濃度之上述蝕刻液的貯槽；及液體噴出工序，其係將上述選擇工序中所選擇之上述貯槽內之上述蝕刻液朝向被保持為水平之上述基板之主面噴出。根據該構成，關於上述基板處理方法，可發揮與所敍述之效果相同之效果。
上述蝕刻工序係如下工序，即，一面使於上述低氧氣體供給工序中流入至上述腔室內之上述低氧氣體與保持於上述基板之主面之上述蝕刻液接觸，一面將以溶氧濃度與上述第1氧濃度決定工序或第2氧濃度決定工序中所決定之上述設定溶氧濃度一致或接近之方式減少了溶氧之上述蝕刻液供給至被保持為水平之上述基板之整個主面，藉此對形成於上述基板之主面之多晶矽膜進行蝕刻。根據該構成，關於上述基板處理方法，可發揮與所敍述之效果相同之效果。
本發明之上述或進而其他目的、特徵及效果係藉由以下參照隨附圖式敍述之實施形態之說明而明確。
1:基板處理裝置
2:處理單元
3:控制裝置
4:腔室
5:FFU(風扇過濾器單元)
6:間隔壁
6a:送風口
6b:搬入搬出口
7:擋板
8:整流板
9:排氣管
10:旋轉夾盤
11:夾盤銷
12:旋轉基座
12u:上表面
13:旋轉軸
14:旋轉馬達
15:下表面噴嘴
15p:液體噴出口
16:下沖洗液配管
17:下沖洗液閥
18:下中央開口
19:下筒狀通路
20:下氣體配管
21:下氣體閥
22:下氣體流量調整閥
23:處理承杯
24:外壁構件
25:護罩
25a:護罩頂壁部
25b:護罩筒狀部
25u:上端
26:承杯
27:護罩升降單元
31:阻隔構件升降單元
32:升降框架
32L:下板
32s:側環
32u:上板
33:阻隔構件
34:凸緣部
35:連接部
36:圓板部
36L:下表面
37:筒狀部
37i:內周面
38:上中央開口
39:上筒狀通路
41:定位突起
42:定位孔
43:上支持部
44:下支持部
45:中心噴嘴
46:第1藥液體噴出口
47:第2藥液體噴出口
48:上沖洗液體噴出口
49:上氣體噴出口
50:第1藥液配管
51:第1藥液閥
52:第2藥液配管
53:第2藥液閥
54:上沖洗液配管
55:上沖洗液閥
56:上氣體配管
57:上氣體閥
58:上氣體流量調整閥
61:藥液產生單元
62:貯槽
62:第1貯槽A
62:第2貯槽B
63:循環配管
64:泵
65:溫度調節器
66:過濾器
67:溶氧濃度變更單元
68:氣體供給配管
68p:氣體噴出口
69:惰性氣體配管
70:惰性氣體閥
71:惰性氣體流量調整閥
72:含氧氣體配管
73:含氧氣體閥
74:含氧氣體流量調整閥
75:氧濃度計
76:測定配管
81:電腦本體
82:CPU
83:主記憶裝置
84:周邊裝置
85:輔助記憶裝置
86:讀取裝置
87:通信裝置
88:輸入裝置
89:顯示裝置
91:資訊獲取部
92:設定溶氧濃度決定部
93:設定環境氧濃度決定部
94:溶氧濃度變更部
95:環境氧濃度變更部
96:處理執行部
97:環境氧濃度變更單元
100:心軸
101:外側開口
102:內部通路
103:上氣體配管
104:上氣體閥
105:上氣體流量調整閥
106:第1藥液噴嘴
106p:第1藥液體噴出口
107:第2藥液噴嘴
107p:第2藥液體噴出口
108:沖洗液噴嘴
108p:沖洗液體噴出口
109:第1噴嘴移動單元
110:第2噴嘴移動單元
111:中繼配管
112:中繼閥
112:第2中繼閥A
112:第1中繼閥B
A1:旋轉軸線
C:載具
CR:中心機械手
H1:手部
H2:手部
IR:分度機械手
LP:裝載埠口
M:可移媒體
P:程式
S1:步驟
S2:步驟
S3:步驟
S4:步驟
S5:步驟
S6:步驟
S7:步驟
S8:步驟
S9:步驟
SL:下空間
Su:上空間
W:基板
圖1係自上方觀察本發明之第1實施形態之基板處理裝置所得之模式圖。
圖2係水平地觀察基板處理裝置所具備之處理單元之內部所得之模式圖。
圖3係將圖2之一部分放大所得之放大圖。
圖4係表示產生供給至基板之藥液之藥液產生單元、及調整藥液之溶氧濃度之溶氧濃度變更單元之模式圖。
圖5係表示控制裝置之硬體之方塊圖。
圖6係用以對由基板處理裝置執行之基板之處理之一例進行說明的工序圖。
圖7A~圖7D係表示對露出有多晶矽膜之基板之上表面供給蝕刻液，並對多晶矽膜進行蝕刻時之蝕刻速率之分佈的概念圖。
圖8係表示控制裝置之功能區塊之方塊圖。
圖9係表示本發明之第2實施形態之阻隔構件之鉛垂剖面的模式圖。
圖10係表示本發明之第2實施形態之阻隔構件之底面的模式圖。
圖11係水平地觀察本發明之第3實施形態之處理單元之內部所得的模式圖。
圖12係自上方觀察本發明之第3實施形態之處理單元之內部所得的模式圖。
圖13係表示第4實施形態之藥液產生單元及溶氧濃度變更單元之模式圖。
圖1係自上方觀察本發明之第1實施形態之基板處理裝置1所得之模式圖。
基板處理裝置1係將半導體晶圓等圓板狀之基板W逐片進行處理之單片式之裝置。基板處理裝置1具備：裝載埠口LP，其保持載具C，該載具C收容構成一個批次之1片以上之基板W；複數個處理單元2，其等利用處理液或處理氣體等處理流體對自裝載埠口LP上之載具C搬送之基板W進行處理；搬送機械手，其將基板W於裝載埠口LP上之載具C與處理單元2之間進行搬送；及控制裝置3，其控制基板處理裝置1。
搬送機械手包含：分度機械手IR，其對裝載埠口LP上之載具C進行基板W之搬入及搬出；及中心機械手CR，其對複數個處理單元2進行基板W之搬入及搬出。分度機械手IR將基板W於裝載埠口LP與中心機械手CR之間進行搬送，中心機械手CR將基板W於分度機械手IR與處理單元2之間進行搬送。分度機械手IR及中心機械手CR包含支持基板W之手 部H1、H2。
圖2係水平地觀察基板處理裝置1所具備之處理單元2之內部所得之模式圖。圖3係將圖2之一部分放大所得之放大圖。圖2表示升降框架32及阻隔構件33位於下位置之狀態，圖3表示升降框架32及阻隔構件33位於上位置之狀態。
處理單元2包含：箱型之腔室4，其具有內部空間；旋轉夾盤10，其將1片基板W於腔室4內保持為水平並使其繞通過基板W之中央部之鉛垂之旋轉軸線A1旋轉；及筒狀之處理承杯23，其繞旋轉軸線A1包圍旋轉夾盤10。
腔室4包含：箱型之間隔壁6，其設置有供基板W通過之搬入搬出口6b；及擋板7，其使搬入搬出口6b開閉。腔室4進而包含整流板8，該整流板8配置於在間隔壁6之頂面開口之送風口6a之下方。輸送潔淨空氣(由過濾器進行了過濾之空氣)之FFU5(風扇過濾器單元)配置於送風口6a之上。將腔室4內之氣體排出之排氣管9連接於處理承杯23。送風口6a設置於腔室4之上端部，排氣管9配置於腔室4之下端部。排氣管9之一部分配置於腔室4之外。
整流板8將間隔壁6之內部空間區隔為整流板8之上方之上空間Su及整流板8之下方之下空間SL。間隔壁6之頂面與整流板8之上表面之間之上空間Su係供潔淨空氣擴散之擴散空間。整流板8之下表面與間隔壁6之底面之間之下空間SL係進行基板W之處理之處理空間。旋轉夾盤10或處理承杯23配置於下空間SL。自間隔壁6之底面至整流板8之下表面為止之鉛垂方向之距離較自整流板8之上表面至間隔壁6之頂面為止之鉛垂方向之距離長。
FFU5經由送風口6a對上空間Su輸送潔淨空氣。供給至上空間Su之潔淨空氣接觸整流板8後於上空間Su擴散。上空間Su內之潔淨空氣通過上下貫通整流板8之複數個貫通孔，自整流板8之整個區域朝下方流動。供給至下空間SL之潔淨空氣被吸入至處理承杯23內，通過排氣管9自腔室4之下端部排出。藉此，自整流板8朝下方流動之均勻之潔淨空氣之下降流(降流)形成於下空間SL。基板W之處理係於形成有潔淨空氣之下降流之狀態下進行。
旋轉夾盤10包含：圓板狀之旋轉基座12，其被以水平之姿勢保持；複數個夾盤銷11，其等在旋轉基座12之上方將基板W以水平之姿勢保持；旋轉軸13，其自旋轉基座12之中央部朝下方延伸；及旋轉馬達14，其藉由使旋轉軸13旋轉而使旋轉基座12及複數個夾盤銷11旋轉。旋轉夾盤10並不限於使複數個夾盤銷11與基板W之外周面接觸之夾持式之夾盤，亦可為藉由使非器件形成面即基板W之背面(下表面)吸附於旋轉基座12之上表面12u而將基板W保持為水平之真空式之夾盤。
旋轉基座12包含配置於基板W之下方之上表面12u。旋轉基座12之上表面12u與基板W之下表面平行。旋轉基座12之上表面12u係與基板W之下表面對向之對向面。旋轉基座12之上表面12u係環繞旋轉軸線A1之圓環狀。旋轉基座12之上表面12u之外徑大於基板W之外徑。夾盤銷11自旋轉基座12之上表面12u之外周部朝上方突出。夾盤銷11保持於旋轉基座12。基板W係以基板W之下表面自旋轉基座12之上表面12u離開之狀態保持於複數個夾盤銷11。
處理單元2包含下表面噴嘴15，該下表面噴嘴15朝向基板W之下表面中央部噴出處理液。下表面噴嘴15包含：噴嘴圓板部，其配置 於旋轉基座12之上表面12u與基板W之下表面之間；及噴嘴筒狀部，其自噴嘴圓板部朝下方延伸。下表面噴嘴15之液體噴出口15p於噴嘴圓板部之上表面中央部開口。於基板W保持於旋轉夾盤10之狀態下，下表面噴嘴15之液體噴出口15p與基板W之下表面中央部上下對向。
基板處理裝置1包含：下沖洗液配管16，其將沖洗液引導至下表面噴嘴15；及下沖洗液閥17，其介裝於下沖洗液配管16。當將下沖洗液閥17打開時，由下沖洗液配管16引導之沖洗液自下表面噴嘴15朝上方噴出，且供給至基板W之下表面中央部。供給至下表面噴嘴15之沖洗液係純水(去離子水：DIW(Deionized Water))。供給至下表面噴嘴15之沖洗液並不限於純水，亦可為IPA(異丙醇)、碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、及稀釋濃度(例如1~100ppm左右)之鹽酸水之任一者。
雖然未圖示，但下沖洗液閥17包含：閥主體，其設置有供液體流動之內部流路及包圍內部流路之環狀之閥座；閥體，其可相對於閥座移動；及致動器，其使閥體於閥體與閥座接觸之閉位置和閥體自閥座離開之開位置之間移動。關於其他閥亦相同。致動器可為氣壓致動器或電動致動器，亦可為除該等以外之致動器。控制裝置3係藉由控制致動器，而使下沖洗液閥17開閉。
下表面噴嘴15之外周面與旋轉基座12之內周面形成上下延伸之下筒狀通路19。下筒狀通路19包含在旋轉基座12之上表面12u之中央部開口之下中央開口18。下中央開口18配置於下表面噴嘴15之噴嘴圓板部之下方。基板處理裝置1具備：下氣體配管20，其引導經由下筒狀通路19供給至下中央開口18之惰性氣體；下氣體閥21，其介裝於下氣體配管20；及下氣體流量調整閥22，其變更自下氣體配管20供給至下筒狀通路 19之惰性氣體之流量。
自下氣體配管20供給至下筒狀通路19之惰性氣體係氮氣。惰性氣體並不限於氮氣，亦可為氦氣或氬氣等其他惰性氣體。該等惰性氣體係具有較空氣中之氧濃度(約21vol%)低之氧濃度之低氧氣體。
當將下氣體閥21打開時，自下氣體配管20供給至下筒狀通路19之氮氣以與下氣體流量調整閥22之開度對應之流量自下中央開口18朝上方噴出。其後，氮氣於基板W之下表面與旋轉基座12之上表面12u之間呈放射狀朝每個方向流動。藉此，基板W與旋轉基座12之間之空間被氮氣充滿，環境中之氧濃度降低。基板W與旋轉基座12之間之空間之氧濃度係根據下氣體閥21及下氣體流量調整閥22之開度而變更。
處理承杯23包含：複數個護罩25，其等承接自基板W朝外側排出之液體；複數個承杯26，其等承接由複數個護罩25引導至下方之液體；及圓筒狀之外壁構件24，其包圍複數個護罩25及複數個承杯26。圖2表示設置有2個護罩25及2個承杯26之例。
護罩25包含：圓筒狀之護罩筒狀部25b，其包圍旋轉夾盤10；及圓環狀之護罩頂壁部25a，其自護罩筒狀部25b之上端部朝向旋轉軸線A1朝斜上方延伸。複數個護罩頂壁部25a上下重疊，複數個護罩筒狀部25b呈同心圓狀配置。複數個承杯26分別配置於複數個護罩筒狀部25b之下方。承杯26形成向上敞開之環狀之液體承接槽。
處理單元2包含使複數個護罩25個別地升降之護罩升降單元27。護罩升降單元27使護罩25位於自上位置至下位置為止之任意位置。上位置係護罩25之上端25u配置於較供配置保持於旋轉夾盤10之基板W之保持位置更靠上方的位置。下位置係護罩25之上端25u配置於較保持 位置更靠下方之位置。護罩頂壁部25a之圓環狀之上端相當於護罩25之上端25u。護罩25之上端25u於俯視下包圍基板W及旋轉基座12。
當於旋轉夾盤10使基板W旋轉之狀態下將處理液供給至基板W時，供給至基板W之處理液被甩落至基板W之周圍。於將處理液供給至基板W時，至少一個護罩25之上端25u配置於較基板W更靠上方。因此，排出至基板W之周圍之藥液或沖洗液等處理液被任一護罩25承接，且被引導至與該護罩25對應之承杯26。
如圖3所示，處理單元2包含：升降框架32，其配置於旋轉夾盤10之上方；阻隔構件33，其自升降框架32懸吊；中心噴嘴45，其插入至阻隔構件33；及阻隔構件升降單元31，其藉由使升降框架32升降而使阻隔構件33及中心噴嘴45升降。升降框架32、阻隔構件33及中心噴嘴45配置於整流板8之下方。
阻隔構件33包含：圓板部36，其配置於旋轉夾盤10之上方；及筒狀部37，其自圓板部36之外周部朝下方延伸。阻隔構件33包含向上凹陷之杯狀之內表面。阻隔構件33之內表面包含圓板部36之下表面36L及筒狀部37之內周面37i。以下，有時將圓板部36之下表面36L稱為阻隔構件33之下表面36L。
圓板部36之下表面36L係與基板W之上表面對向之對向面。圓板部36之下表面36L與基板W之上表面平行。筒狀部37之內周面37i自圓板部36之下表面36L之外周緣朝下方延伸。筒狀部37之內徑隨著向筒狀部37之內周面37i之下端靠近而增加。筒狀部37之內周面37i之下端之內徑大於基板W之直徑。筒狀部37之內周面37i之下端之內徑亦可大於旋轉基座12之外徑。當將阻隔構件33配置於下述下位置(圖2所示之位置) 時，基板W被筒狀部37之內周面37i包圍。
圓板部36之下表面36L係環繞旋轉軸線A1之圓環狀。圓板部36之下表面36L之內周緣形成有於圓板部36之下表面36L之中央部開口之上中央開口38。阻隔構件33之內周面形成有自上中央開口38朝上方延伸之貫通孔。阻隔構件33之貫通孔上下貫通阻隔構件33。中心噴嘴45插入至阻隔構件33之貫通孔。中心噴嘴45之下端之外徑小於上中央開口38之直徑。
阻隔構件33之內周面與中心噴嘴45之外周面為同軸。阻隔構件33之內周面於徑向(與旋轉軸線A1正交之方向)上隔開間隔包圍中心噴嘴45之外周面。阻隔構件33之內周面與中心噴嘴45之外周面形成有上下延伸之上筒狀通路39。中心噴嘴45自升降框架32及阻隔構件33朝上方突出。於將阻隔構件33自升降框架32懸吊時，中心噴嘴45之下端配置於較圓板部36之下表面36L更靠上方。藥液或沖洗液等處理液自中心噴嘴45之下端朝下方噴出。
阻隔構件33包含：筒狀之連接部35，其自圓板部36朝上方延伸；及環狀之凸緣部34，其自連接部35之上端部朝外側延伸。凸緣部34配置於較阻隔構件33之圓板部36及筒狀部37更靠上方。凸緣部34與圓板部36平行。凸緣部34之外徑小於筒狀部37之外徑。凸緣部34支持於下述升降框架32之下板32L。
升降框架32包含：上板32u，其位於阻隔構件33之凸緣部34之上方；側環32s，其自上板32u朝下方延伸，且包圍凸緣部34；及環狀之下板32L，其自側環32s之下端部朝內側延伸，且位於阻隔構件33之凸緣部34之下方。凸緣部34之外周部配置於上板32u與下板32L之間。凸 緣部34之外周部可於上板32u與下板32L之間上下移動。
升降框架32及阻隔構件33包含定位突起41及定位孔42，其等在阻隔構件33支持於升降框架32之狀態下，限制升降框架32及阻隔構件33之朝圓周方向(繞旋轉軸線A1之方向)之相對移動。圖2表示預先將複數個定位突起41設置於下板32L，且將複數個定位孔42設置於凸緣部34之例。亦可將定位突起41設置於凸緣部34，且將定位孔42設置於下板32L。
複數個定位突起41配置於具有配置在旋轉軸線A1上之中心之圓上。同樣地，複數個定位孔42配置於具有配置在旋轉軸線A1上之中心之圓上。複數個定位孔42以與複數個定位突起41相同之規則性排列於圓周方向上。自下板32L之上表面朝上方突出之定位突起41插入至自凸緣部34之下表面朝上方延伸之定位孔42。藉此，限制阻隔構件33相對於升降框架32之朝圓周方向之移動。
阻隔構件33包含複數個上支持部43，其等自阻隔構件33之內表面朝下方突出。旋轉夾盤10包含分別支持複數個上支持部43之複數個下支持部44。複數個上支持部43被阻隔構件33之筒狀部37包圍。上支持部43之下端配置於較筒狀部37之下端更靠上方。自旋轉軸線A1至上支持部43為止之徑向之距離大於基板W之半徑。同樣地，自旋轉軸線A1至下支持部44為止之徑向之距離大於基板W之半徑。下支持部44自旋轉基座12之上表面12u朝上方突出。下支持部44配置於較夾盤銷11更靠外側。
複數個上支持部43配置於具有配置在旋轉軸線A1上之中心之圓上。同樣地，複數個下支持部44配置於具有配置在旋轉軸線A1上之中心之圓上。複數個下支持部44以與複數個上支持部43相同之規則性排列於圓周方向上。複數個下支持部44與旋轉基座12一起繞旋轉軸線A1旋 轉。旋轉基座12之旋轉角由旋轉馬達14變更。當將旋轉基座12配置成基準旋轉角時，於俯視下，複數個上支持部43分別與複數個下支持部44重疊。
阻隔構件升降單元31連結於升降框架32。當於阻隔構件33之凸緣部34支持於升降框架32之下板32L之狀態下，阻隔構件升降單元31使升降框架32下降時，阻隔構件33亦下降。當於將旋轉基座12配置成俯視下複數個上支持部43分別與複數個下支持部44重疊之基準旋轉角之狀態下，阻隔構件升降單元31使阻隔構件33下降時，上支持部43之下端部與下支持部44之上端部接觸。藉此，複數個上支持部43分別支持於複數個下支持部44。
當於阻隔構件33之上支持部43與旋轉夾盤10之下支持部44接觸之後，阻隔構件升降單元31使升降框架32下降時，升降框架32之下板32L相對於阻隔構件33之凸緣部34朝下方移動。藉此，下板32L自凸緣部34離開，定位突起41自定位孔42脫出。進而，升降框架32及中心噴嘴45相對於阻隔構件33朝下方移動，故而中心噴嘴45之下端與阻隔構件33之圓板部36之下表面36L之高低差減少。此時，升降框架32配置於阻隔構件33之凸緣部34不與升降框架32之上板32u接觸之高度(下述下位置)。
阻隔構件升降單元31使升降框架32位於自上位置(圖3所示之位置)至下位置(圖2所示之位置)為止之任意位置。上位置係定位突起41插入至定位孔42且阻隔構件33之凸緣部34與升降框架32之下板32L接觸之位置。亦即，上位置係將阻隔構件33自升降框架32懸吊之位置。下位置係下板32L自凸緣部34離開且定位突起41自定位孔42脫出之位置。亦即，下位置係解除升降框架32及阻隔構件33之連結而阻隔構件33不與升降框 架32之任一部分接觸之位置。
當使升降框架32及阻隔構件33移動至下位置時，阻隔構件33之筒狀部37之下端配置於較基板W之下表面更靠下方，基板W之上表面與阻隔構件33之下表面36L之間之空間被阻隔構件33之筒狀部37包圍。因此，基板W之上表面與阻隔構件33之下表面36L之間之空間不僅與阻隔構件33之上方之環境隔斷，亦與阻隔構件33周圍之環境隔斷。藉此，可提高基板W之上表面與阻隔構件33之下表面36L之間之空間的密閉度。
進而，當將升降框架32及阻隔構件33配置於下位置時，即便使阻隔構件33相對於升降框架32繞旋轉軸線A1旋轉，阻隔構件33亦不會與升降框架32碰撞。當阻隔構件33之上支持部43支持於旋轉夾盤10之下支持部44時，上支持部43及下支持部44嚙合，上支持部43及下支持部44之朝圓周方向之相對移動被限制。於該狀態下，當旋轉馬達14旋轉時，旋轉馬達14之轉矩經由上支持部43及下支持部44傳遞至阻隔構件33。藉此，阻隔構件33於升降框架32及中心噴嘴45靜止之狀態下，與旋轉基座12朝相同之方向以相同之速度旋轉。
中心噴嘴45包含噴出液體之複數個液體噴出口、及噴出氣體之氣體噴出口。複數個液體噴出口包含噴出第1藥液之第1藥液體噴出口46、噴出第2藥液之第2藥液體噴出口47、及噴出沖洗液之上沖洗液體噴出口48。氣體噴出口係噴出惰性氣體之上氣體噴出口49。第1藥液體噴出口46、第2藥液體噴出口47及上沖洗液體噴出口48於中心噴嘴45之下端開口。上氣體噴出口49於中心噴嘴45之外周面開口。
第1藥液及第2藥液例如為包含硫酸、硝酸、鹽酸、氫氟酸、磷酸、乙酸、氨水、過氧化氫水、有機酸(例如檸檬酸、草酸等)、有 機鹼(例如TMAH：氫氧化四甲基銨等)、無機鹼(例如NaOH：氫氧化鈉等)、界面活性劑、及防腐蝕劑中之至少一者之液體。硫酸、硝酸、鹽酸、氫氟酸、磷酸、乙酸、氨水、過氧化氫水、檸檬酸、草酸、無機鹼及TMAH為蝕刻液。
第1藥液及第2藥液可為同種藥液，亦可為種類互不相同之藥液。圖2等表示第1藥液為DHF(稀氫氟酸)，第2藥液為TMAH之例。又，圖2等表示供給至中心噴嘴45之沖洗液為純水，且供給至中心噴嘴45之惰性氣體為氮氣之例。供給至中心噴嘴45之沖洗液亦可為除純水以外之沖洗液。供給至中心噴嘴45之惰性氣體亦可為除氮氣以外之惰性氣體。
基板處理裝置1具備：第1藥液配管50，其將第1藥液引導至中心噴嘴45；第1藥液閥51，其介裝於第1藥液配管50；第2藥液配管52，其將第2藥液引導至中心噴嘴45；第2藥液閥53，其介裝於第2藥液配管52；上沖洗液配管54，其將沖洗液引導至中心噴嘴45；及上沖洗液閥55，其介裝於上沖洗液配管54。基板處理裝置1進而具備：上氣體配管56，其將氣體引導至中心噴嘴45；上氣體閥57，其介裝於上氣體配管56；及上氣體流量調整閥58，其變更自上氣體配管56供給至中心噴嘴45之氣體之流量。
當將第1藥液閥51打開時，第1藥液被供給至中心噴嘴45，且自於中心噴嘴45之下端開口之第1藥液體噴出口46朝下方噴出。基板處理裝置1具備產生第2藥液之藥液產生單元61。當將第2藥液閥53打開時，由藥液產生單元61產生之第2藥液被供給至中心噴嘴45，且自於中心噴嘴45之下端開口之第2藥液體噴出口47朝下方噴出。當將上沖洗液閥55打開時，沖洗液被供給至中心噴嘴45，且自於中心噴嘴45之下端開口之上沖 洗液體噴出口48朝下方噴出。藉此，將藥液或沖洗液供給至基板W之上表面。
當將上氣體閥57打開時，由上氣體配管56引導之氮氣以與上氣體流量調整閥58之開度對應之流量供給至中心噴嘴45，且自於中心噴嘴45之外周面開口之上氣體噴出口49朝斜下方噴出。其後，氮氣一面於上筒狀通路39內在圓周方向上流動，一面於上筒狀通路39內朝下方流動。到達上筒狀通路39之下端之氮氣自上筒狀通路39之下端朝下方流出。其後，氮氣於基板W之上表面與阻隔構件33之下表面36L之間之空間呈放射狀朝每個方向流動。藉此，基板W與阻隔構件33之間之空間被氮氣充滿，環境中之氧濃度降低。基板W與阻隔構件33之間之空間之氧濃度係根據上氣體閥57及上氣體流量調整閥58之開度而變更。
圖4係表示產生供給至基板W之藥液之藥液產生單元61、及調整藥液之溶氧濃度之溶氧濃度變更單元67之模式圖。
藥液產生單元61包含：貯槽62，其貯存供給至基板W之藥液；及循環配管63，其形成使貯槽62內之藥液循環之環狀之循環路徑。藥液產生單元61進而包含：泵64，其將貯槽62內之藥液輸送至循環配管63；及過濾器66，其自於循環路徑中流動之藥液去除微粒等異物。藥液產生單元61除包含該等構件以外，亦包含溫度調節器65，該溫度調節器65係藉由藥液之加熱或冷卻而變更貯槽62內之藥液之溫度。
循環配管63之上游端及下游端連接於貯槽62。第2藥液配管52之上游端連接於循環配管63，第2藥液配管52之下游端連接於中心噴嘴45。泵64、溫度調節器65及過濾器66介裝於循環配管63。溫度調節器65可為以較室溫(例如20~30℃)高之溫度將液體加熱之加熱器，亦可為以 較室溫低之溫度將液體冷卻之冷卻器，且亦可具有加熱及冷卻之兩種功能。
泵64始終將貯槽62內之藥液輸送至循環配管63內。藥液被自貯槽62輸送至循環配管63之上游端，且自循環配管63之下游端返回至貯槽62。藉此，貯槽62內之藥液於循環路徑中循環。於藥液在循環路徑中循環之期間，藥液之溫度由溫度調節器65進行調節。藉此，貯槽62內之藥液維持於固定之溫度。當將第2藥液閥53打開時，於循環配管63內流通之藥液之一部分經由第2藥液配管52供給至中心噴嘴45。
基板處理裝置1具備調整藥液之溶氧濃度之溶氧濃度變更單元67。溶氧濃度變更單元67包含氣體供給配管68，該氣體供給配管68係藉由對貯槽62內供給氣體而使氣體溶入至貯槽62內之藥液。溶氧濃度變更單元67進而包含：惰性氣體配管69，其將惰性氣體供給至氣體供給配管68；惰性氣體閥70，其於惰性氣體自惰性氣體配管69流動至氣體供給配管68之開狀態與惰性氣體被惰性氣體配管69攔住之閉狀態之間開閉；及惰性氣體流量調整閥71，其變更自惰性氣體配管69供給至氣體供給配管68之惰性氣體之流量。
氣體供給配管68係包含配置於貯槽62內之藥液中之氣體噴出口68p之起泡配管。當將惰性氣體閥70打開時，亦即，當將惰性氣體閥70自閉狀態切換為開狀態時，氮氣等惰性氣體以與惰性氣體流量調整閥71之開度對應之流量自氣體噴出口68p噴出。藉此，於貯槽62內之藥液中形成大量氣泡，惰性氣體溶入至貯槽62內之藥液。此時，溶氧自藥液排出，藥液之溶氧濃度降低。貯槽62內之藥液之溶氧濃度係藉由變更自氣體噴出口68p噴出之氮氣之流量而變更。
溶氧濃度變更單元67除包含惰性氣體配管69等以外，亦可包含：含氧氣體配管72，其將潔淨空氣等包含氧之含氧氣體供給至氣體供給配管68；含氧氣體閥73，其於含氧氣體自含氧氣體配管72流動至氣體供給配管68之開狀態與含氧氣體被含氧氣體配管72攔住之閉狀態之間開閉；及含氧氣體流量調整閥74，其變更自含氧氣體配管72供給至氣體供給配管68之含氧氣體之流量。
當將含氧氣體閥73打開時，作為含氧氣體之一例之空氣以與含氧氣體流量調整閥74之開度對應之流量自氣體噴出口68p噴出。藉此，於貯槽62內之藥液中形成大量氣泡，空氣溶入至貯槽62內之藥液。空氣之體積之約21%為氧，與此相對，氮氣不包含氧或者僅包含極微量之氧。因此，與不對貯槽62內供給空氣之情形相比，可於短時間內使貯槽62內之藥液之溶氧濃度上升。例如於藥液之溶氧濃度較設定值而言過低之情形時，亦可有意地使空氣溶入至貯槽62內之藥液。
溶氧濃度變更單元67亦可進而包含測定藥液之溶氧濃度之氧濃度計75。圖4表示將氧濃度計75介裝於測定配管76之例。氧濃度計75亦可介裝於循環配管63。測定配管76之上游端連接於過濾器66，測定配管76之下游端連接於貯槽62。測定配管76之上游端亦可連接於循環配管63。循環配管63內之藥液之一部分流入至測定配管76，且返回至貯槽62。氧濃度計75測定流入至測定配管76內之藥液之溶氧濃度。惰性氣體閥70、惰性氣體流量調整閥71、含氧氣體閥73、及含氧氣體流量調整閥74之至少一者之開度係根據氧濃度計75之測定值而變更。
圖5係表示控制裝置3之硬體之方塊圖。
控制裝置3係包含電腦本體81、及連接於電腦本體81之周 邊裝置84之電腦。電腦本體81包含執行各種命令之CPU82(central processing unit：中央處理裝置)、及記憶資訊之主記憶裝置83。周邊裝置84包含記憶程式P等資訊之輔助記憶裝置85、自可移媒體M讀取資訊之讀取裝置86、及與主電腦等其他裝置進行通信之通信裝置87。
控制裝置3連接於輸入裝置88及顯示裝置89。輸入裝置88係於使用者或維護擔當者等操作者對基板處理裝置1輸入資訊時被操作。資訊顯示於顯示裝置89之畫面。輸入裝置88可為鍵盤、指標器件及觸控面板之任一者，亦可為除該等以外之裝置。亦可將兼作為輸入裝置88及顯示裝置89之觸控面板顯示器設置於基板處理裝置1。
CPU82執行輔助記憶裝置85中所記憶之程式P。輔助記憶裝置85內之程式P可為預先安裝於控制裝置3者，可為通過讀取裝置86自可移媒體M發送至輔助記憶裝置85者，亦可為自主電腦等外部裝置通過通信裝置87發送至輔助記憶裝置85者。
輔助記憶裝置85及可移媒體M係即便未被供給電力亦保持記憶之非揮發性記憶體。輔助記憶裝置85例如為硬碟驅動器等磁記憶裝置。可移媒體M例如為光碟(compact disk)等光碟或記憶卡等半導體記憶體。可移媒體M係記錄有程式P之電腦可讀取之記錄媒體之一例。
輔助記憶裝置85記憶有複數種配方。輔助記憶裝置85進而記憶有下述溶氧濃度決定資料及環境氧濃度決定資料。配方係規定基板W之處理內容、處理條件及處理程序之資訊。複數種配方係於基板W之處理內容、處理條件及處理程序之至少一方面互不相同。控制裝置3控制基板處理裝置1，以使其按照由主電腦指定之配方對基板W進行處理。以下各工序係藉由控制裝置3控制基板處理裝置1而執行。換言之，控制裝置3被 編程為執行以下各工序。
圖6係用以對由基板處理裝置1執行之基板W之處理之一例進行說明的工序圖。以下，參照圖1、圖2、圖3及圖6。
基板W之處理之具體例係對露出有多晶矽膜之基板W(矽晶圓)之正面供給作為蝕刻液之一例之TMAH，對多晶矽膜進行蝕刻之蝕刻處理。被蝕刻之對象亦可為除多晶矽膜以外之薄膜或基板W本身(矽晶圓)。又，亦可執行除蝕刻以外之處理。
於利用基板處理裝置1對基板W進行處理時，進行將基板W搬入至腔室4內之搬入工序(圖6之步驟S1)。
具體而言，於升降框架32及阻隔構件33位於上位置，且所有護罩25位於下位置之狀態下，中心機械手CR一面利用手部H1支持基板W，一面使手部H1進入至腔室4內。繼而，中心機械手CR將手部H1上之基板W以基板W之正面朝上之狀態置於複數個夾盤銷11之上。其後，將複數個夾盤銷11壓抵於基板W之外周面，而固持基板W。中心機械手CR於將基板W置於旋轉夾盤10之上後，使手部H1自腔室4之內部退避。
其次，將上氣體閥57及下氣體閥21打開，阻隔構件33之上中央開口38及旋轉基座12之下中央開口18開始噴出氮氣。藉此，與基板W相接之環境中之氧濃度降低。進而，阻隔構件升降單元31使升降框架32自上位置下降至下位置，護罩升降單元27使任一護罩25自下位置上升至上位置。此時，旋轉基座12保持為於俯視下複數個上支持部43分別與複數個下支持部44重疊之基準旋轉角。因此，阻隔構件33之上支持部43支持於旋轉基座12之下支持部44，阻隔構件33自升降框架32離開。其後，驅動旋轉馬達14，使基板W之旋轉開始(圖6之步驟S2)。
其次，進行將作為第1藥液之一例之DHF供給至基板W之上表面之第1藥液供給工序(圖6之步驟S3)。
具體而言，於阻隔構件33位於下位置之狀態下將第1藥液閥51打開，中心噴嘴45開始噴出DHF。自中心噴嘴45噴出之DHF係於著液於基板W之上表面中央部之後，沿著旋轉之基板W之上表面朝外側流動。藉此，形成覆蓋基板W之整個上表面之DHF之液膜，對基板W之整個上表面供給DHF。當自第1藥液閥51打開後經過特定時間時，將第1藥液閥51關閉，使DHF之噴出停止。
其次，進行將作為沖洗液之一例之純水供給至基板W之上表面之第1沖洗液供給工序(圖6之步驟S4)。
具體而言，於阻隔構件33位於下位置之狀態下將上沖洗液閥55打開，中心噴嘴45開始噴出純水。著液於基板W之上表面中央部之純水沿著旋轉之基板W之上表面朝外側流動。基板W上之DHF被自中心噴嘴45噴出之純水沖洗。藉此，形成覆蓋基板W之整個上表面之純水之液膜。當自上沖洗液閥55打開後經過特定時間時，將上沖洗液閥55關閉，使純水之噴出停止。
其次，進行將作為第2藥液之一例之TMAH供給至基板W之上表面之第2藥液供給工序(圖6之步驟S5)。
具體而言，於阻隔構件33位於下位置之狀態下將第2藥液閥53打開，中心噴嘴45開始噴出TMAH。於開始噴出TMAH之前，護罩升降單元27亦可使至少一個護罩25鉛垂地移動，以便切換承接自移動基板W排出之液體之護罩25。著液於基板W之上表面中央部之TMAH沿著旋轉之基板W之上表面朝外側流動。基板W上之純水被置換為自中心噴嘴45 噴出之TMAH。藉此，形成覆蓋基板W之整個上表面之TMAH之液膜。當自第2藥液閥53打開後經過特定時間時，將第2藥液閥53關閉，使TMAH之噴出停止。
如上所述，TMAH係溶氧濃度較低之蝕刻液。TMAH係於環境之氧濃度降低之狀態下供給至基板W之上表面。因此，TMAH一面與氧濃度較低之環境相接，一面沿著基板W之上表面朝外側流動。如下所述，供給至基板W之上表面之TMAH之溶氧濃度之設定值和與TMAH相接之環境中之氧濃度之設定值相互建立關聯，以便控制蝕刻量之分佈。
其次，進行將作為沖洗液之一例之純水供給至基板W之上表面之第2沖洗液供給工序(圖6之步驟S6)。
具體而言，於阻隔構件33位於下位置之狀態下將上沖洗液閥55打開，中心噴嘴45開始噴出純水。著液於基板W之上表面中央部之純水沿著旋轉之基板W之上表面朝外側流動。基板W上之TMAH被自中心噴嘴45噴出之純水沖洗。藉此，形成覆蓋基板W之整個上表面之純水之液膜。當自將上沖洗液閥55打開後經過特定時間時，將上沖洗液閥55關閉，使純水之噴出停止。
其次，進行藉由基板W之旋轉使基板W乾燥之乾燥工序(圖6之步驟S7)。
具體而言，於阻隔構件33位於下位置之狀態下，旋轉馬達14使基板W朝旋轉方向加速，且以較自第1藥液供給工序至第2沖洗液供給工序為止之期間之基板W之轉速大的高轉速(例如數千rpm)使基板W旋轉。藉此，自基板W去除液體，基板W乾燥。當自基板W之高速旋轉開始後經過特定時間時，旋轉馬達14停止旋轉。此時，旋轉馬達14以基準旋 轉角使旋轉基座12停止。藉此，使基板W之旋轉停止(圖6之步驟S8)。
其次，進行將基板W自腔室4搬出之搬出工序(圖6之步驟S9)。
具體而言，阻隔構件升降單元31使升降框架32上升至上位置為止，護罩升降單元27使所有護罩25下降至下位置為止。進而，將上氣體閥57及下氣體閥21關閉，阻隔構件33之上中央開口38與旋轉基座12之下中央開口18停止氮氣之噴出。其後，中心機械手CR使手部H1進入至腔室4內。中心機械手CR於複數個夾盤銷11解除基板W之固持之後，利用手部H1支持旋轉夾盤10上之基板W。其後，中心機械手CR一面利用手部H1支持基板W，一面使手部H1自腔室4之內部退避。藉此，將處理過之基板W自腔室4搬出。
圖7A、圖7B、圖7C、及圖7D係表示於蝕刻液為TMAH等有機鹼之情形時，對露出有多晶矽膜之基板W之上表面供給蝕刻液，對多晶矽膜進行蝕刻時之蝕刻速率之分佈的概念圖。
圖7A~圖7D表示通過基板W之上表面之中心及位於基板W之上表面之外周緣之2點的直線上之基板W之上表面之蝕刻速率(每單位時間之蝕刻量)之分佈。蝕刻速率相當於蝕刻速度。於以下說明中，基準線(圖7A~圖7D所示之縱軸)意指通過基板W之上表面之中心，且與基板W之上表面正交之直線。
於使用有作為蝕刻液之一例之TMAH等有機鹼之多晶矽膜的濕式蝕刻中，有蝕刻液之溶氧妨礙多晶矽膜之蝕刻之傾向。因此，當蝕刻液之溶氧濃度上升時，蝕刻速率降低，當蝕刻液之溶氧濃度降低時，蝕刻速率上升。
若於蝕刻液之溶氧濃度較低且環境中之氧濃度較高時，對基板W供給蝕刻液，則於蝕刻液沿著基板W之上表面朝外側流動之期間，環境中之氧溶入至基板W上之蝕刻液，蝕刻液之溶氧濃度隨著向基板W之外周靠近而上升。亦即，基板W之上表面外周部之蝕刻液之溶氧濃度較基板W之上表面中央部之蝕刻液之溶氧濃度高。因此，如圖7A所示，蝕刻速率表示關於基準線大致對稱之倒立V字狀之分佈。於此情形時，以遍及基板W之上表面之蝕刻量之分佈成為圓錐狀之方式對基板W進行蝕刻。
如圖7B所示，若不改變蝕刻液之溶氧濃度等除環境中之氧濃度以外之條件，而僅使環境中之氧濃度降低，並將蝕刻液供給至基板W，則溶入至基板W上之蝕刻液之氧之量減少，故而基板W上之蝕刻液之溶氧濃度之上升得以緩和。因此，如圖7B所示，基板W之上表面中央部之蝕刻速率幾乎不改變，但基板W之上表面外周部之蝕刻速率與使環境中之氧濃度降低之前相比上升。因此，基板W之上表面中央部之蝕刻速率與基板W之上表面外周部之蝕刻速率之差減少，蝕刻之均勻性提高。
圖7C表示相較獲得圖7B所示之蝕刻速率之分佈時之處理條件而言，使蝕刻液之溶氧濃度上升時之蝕刻速率之分佈。圖7C所示之蝕刻速率描畫出平緩之倒立V字狀之曲線。當使蝕刻液之溶氧濃度上升時，基板W之上表面中央部之蝕刻速率降低。進而，由於環境中之氧濃度降低，故而基板W上之蝕刻液之溶氧濃度幾乎未提高。因此，如圖7C所示，蝕刻速率之分佈描畫出大致平坦之曲線，蝕刻之均勻性進一步提高。認為於代替使蝕刻液之溶氧濃度上升，而使環境中之氧濃度進一步降低之情形時，亦可獲得相同之結果。
圖7D表示相較獲得圖7C所示之蝕刻速率之分佈時之處理 條件而言，使蝕刻液之溶氧濃度上升時之蝕刻速率之分佈。當使蝕刻液之溶氧濃度上升時，基板W之上表面中央部之蝕刻速率降低。另一方面，環境中之氧濃度大幅度地低於蝕刻液之溶氧濃度，故而不僅環境中之氧溶入至蝕刻液，環境中之氮亦溶入至基板W上之蝕刻液，蝕刻液之溶氧濃度降低。因此，如圖7D所示，蝕刻速率之分佈描畫出關於基準線大致對稱之V字狀之曲線。於此情形時，以遍及基板W之上表面之蝕刻量之分佈成為倒立圓錐狀之方式對基板W進行蝕刻。
如此，於提高蝕刻之均勻性之情形時，環境中之氧濃度並非越低越佳，必須根據供給至基板W之蝕刻液之溶氧濃度進行設定。同樣地，於環境中之氧濃度固定之情形時，若蝕刻液之溶氧濃度過低或過高，則蝕刻之均勻性會降低。若以不同之觀點考慮，則藉由使蝕刻液之溶氧濃度與環境中之氧濃度相互關聯，可使基板W之整個上表面之蝕刻速率之分佈平緩，亦可使其為圓錐狀或倒立圓錐狀。
於上文中，對當蝕刻液之溶氧濃度上升時，蝕刻速率降低之情形進行了說明，但亦同樣地考慮當蝕刻液之溶氧濃度上升時，蝕刻速率減少之情形。因此，並非只要使蝕刻液之溶氧濃度及環境中之氧濃度之兩者儘可能降低則佳，就控制蝕刻後之基板W之上表面之剖面形狀(輪廓)之方面而言，重要的是亦管理蝕刻液之溶氧濃度及環境中之氧濃度之差。
若蝕刻前之基板W之上表面平坦，則只要以蝕刻速率之分佈平坦之方式對基板W之上表面進行蝕刻，則蝕刻後之基板W之上表面亦平坦。若蝕刻前之基板W之上表面為圓錐狀，則只要以遍及基板W之上表面之蝕刻量之分佈成為圓錐狀之方式對基板W之上表面進行蝕刻，便可提高蝕刻後之基板W之上表面之平坦度。同樣地，若蝕刻前之基板W之上表 面為倒立圓錐狀，則只要以遍及基板W之上表面之蝕刻量之分佈成為倒立圓錐狀之方式對基板W之上表面進行蝕刻，便可提高蝕刻後之基板W之上表面之平坦度。
基板W之上表面中央部之蝕刻量與基板W之上表面外周部之蝕刻量之差不僅依存於蝕刻液之溶氧濃度及環境中之氧濃度，亦依存於包含蝕刻液之供給時間、蝕刻液之供給流量(每單位時間之供給量)、蝕刻液之濃度、蝕刻液之溫度及基板W之轉速之複數個條件。因此，只要使該等條件中之至少一者發生變化，便可提高蝕刻後之基板W之上表面之平坦度。或者，可有意地使蝕刻後之基板W之上表面為圓錐狀或倒立圓錐狀。
圖8係表示控制裝置3之功能區塊之方塊圖。
以下，參照圖5及圖8。圖8所示之資訊獲取部91、設定溶氧濃度決定部92、設定環境氧濃度決定部93、溶氧濃度變更部94、環境氧濃度變更部95及處理執行部96係藉由CPU82執行安裝於控制裝置3之程式P而實現之功能區塊。於以下說明中，對如下情形進行說明，即，除蝕刻液之溶氧濃度及環境中之氧濃度以外之條件固定，藉由變更蝕刻液之溶氧濃度及環境中之氧濃度之至少一者而變更基板W之蝕刻量之分佈。
如圖8所示，控制裝置3包含獲取輸入至基板處理裝置1之資訊之資訊獲取部91。資訊獲取部91所獲取之資訊可為自主電腦等外部裝置輸入至基板處理裝置1者，亦可為操作者經由輸入裝置88輸入至基板處理裝置1者。
輸入至資訊獲取部91之資訊包含表示基板W之上表面中央部之蝕刻量之設定值的設定中央蝕刻量、及表示基板W之上表面外周部之蝕刻量之設定值的設定外周蝕刻量。於均勻地對基板W之整個上表面進行 蝕刻之情形時，亦可代替設定中央蝕刻量及設定外周蝕刻量或者除其等以外，將蝕刻量之設定值及蝕刻之均勻性之設定值輸入至資訊獲取部91。蝕刻之均勻性係將標準偏差除以平均值所得之值。該等資訊相當於表示基板W之上表面之蝕刻量之要求值之要求蝕刻量。
控制裝置3包含：設定溶氧濃度決定部92，其決定表示蝕刻液之溶氧濃度之設定值之設定溶氧濃度；及設定環境氧濃度決定部93，其決定表示環境中之氧濃度之設定值之設定環境氧濃度。設定溶氧濃度決定部92記憶有表示著液位置上之蝕刻速率與設定溶氧濃度之關係之溶氧濃度決定資料。設定環境氧濃度決定部93記憶有表示蝕刻速率之斜率與設定環境氧濃度之關係之環境氧濃度決定資料。蝕刻速率之斜率意指連結著液位置上之蝕刻速率與基板W之上表面內之任意位置上之蝕刻速率的直線之斜率。
溶氧濃度決定資料係基於不改變除設定溶氧濃度以外之條件而將設定溶氧濃度改變為複數個值時之著液位置上之蝕刻速率之測定值製成。溶氧濃度決定資料可為表示著液位置上之蝕刻速率與溶氧濃度之關係之式或表，亦可為除該等以外者。同樣地，環境氧濃度決定資料係基於不改變除設定環境氧濃度以外之條件而將設定環境氧濃度改變為複數個值時之蝕刻速率之斜率之測定值作成。環境氧濃度決定資料可為表示蝕刻速率之斜率與設定環境氧濃度之關係之式或表，亦可為除該等以外者。
於除蝕刻液之溶氧濃度及環境中之氧濃度以外之條件固定之情形時，著液位置上之蝕刻速率主要依存於蝕刻液之溶氧濃度。亦即，只要蝕刻液之溶氧濃度相同，則即便改變環境中之氧濃度，著液位置上之蝕刻速率亦不會改變或者幾乎不改變。另一方面，蝕刻速率之斜率不僅依 存於環境中之氧濃度，亦依存於蝕刻液之溶氧濃度。亦即，即便環境中之氧濃度相同，只要改變蝕刻液之溶氧濃度改變，則蝕刻速率之斜率亦可能改變。
於除蝕刻液之溶氧濃度及環境中之氧濃度以外之條件固定之情形時，只要明確著液位置上之蝕刻速率、蝕刻速率之斜率、蝕刻液之供給時間及基板W之直徑，便可知包含中央部及外周部之基板W之上表面內之任意位置的蝕刻量之推定值。亦即，只要明確該等條件，則可知包含基板W之上表面中央部之蝕刻量之推定值及基板W之上表面外周部之蝕刻量之推定值的基板W之上表面內之蝕刻量之分佈之推定值。
設定溶氧濃度決定部92使用溶氧濃度決定資料計算或檢索相當於著液位置之基板W之上表面中央部之蝕刻量之推定值與設定中央蝕刻量一致或大致相等之設定溶氧濃度之值，並將已計算或檢索出之值決定為設定溶氧濃度。同樣地，設定環境氧濃度決定部93使用環境氧濃度決定資料計算或檢索基板W之上表面外周部之蝕刻量之推定值與設定外周蝕刻量一致或大致相等之設定環境氧濃度之值，並將已計算或檢索出之值決定為設定環境氧濃度。
於蝕刻液為TMAH，且蝕刻對象為多晶矽膜之情形時，可設定為設定溶氧濃度之數值範圍例如為0.02~6.6ppm(於40℃下進行處理之情形)，可設定為設定環境氧濃度之數值範圍例如為10~140000ppm。所決定之設定溶氧濃度可為上述數值範圍之最小值，亦可為較其大之值。關於所決定之設定環境氧濃度亦相同。雖然可能有設定溶氧濃度及設定環境氧濃度之兩者自結果來看為最小值之情形，但設定溶氧濃度及設定環境氧濃度終究基於要求蝕刻量決定。
控制裝置3包含：溶氧濃度變更部94，其以蝕刻液之實際溶氧濃度與由設定溶氧濃度決定部92決定之設定溶氧濃度一致或接近之方式，使溶氧濃度變更單元67變更蝕刻液之實際溶氧濃度；及環境氧濃度變更部95，其以環境中之實際氧濃度與由設定環境氧濃度決定部93決定之設定環境氧濃度一致或接近之方式，使環境氧濃度變更單元97變更環境中之實際氧濃度。環境氧濃度變更單元97包含下氣體閥21、下氣體流量調整閥22、上氣體閥57及上氣體流量調整閥58(參照圖2及3)。
溶氧濃度變更部94可變更配方中所規定之蝕刻液之溶氧濃度，亦可於執行配方之前使溶氧濃度變更單元67變更蝕刻液之實際溶氧濃度。同樣地，環境氧濃度變更部95可變更配方中所規定之環境中之氧濃度，亦可於執行配方之前使環境氧濃度變更單元97變更環境中之實際氧濃度。於變更配方之情形時，若執行配方，則實際溶氧濃度或實際環境氧濃度變更。
設定溶氧濃度及設定環境氧濃度可針對每片基板W進行變更，亦可針對複數片基板W進行變更，且亦可每隔固定時間進行變更。亦即，亦可將相同之設定溶氧濃度及設定環境氧濃度應用於複數片基板W。於此情形時，設定溶氧濃度及設定環境氧濃度可針對基板W之每一批次進行變更，亦可於每次利用除基板處理裝置1以外之裝置進行之基板W之處理條件改變時進行變更。
控制裝置3包含處理執行部96，該處理執行部96係藉由控制基板處理裝置1而按照配方使基板處理裝置1對基板W進行處理。當設定溶氧濃度及設定環境氧濃度之變更完成時，溶氧濃度變更部94及環境氧濃度變更部95對處理執行部96通知變更完成。其後，處理執行部96使處理 單元2等執行圖6所示之處理之一例。藉此，於蝕刻液之實際溶氧濃度與所決定之設定溶氧濃度大致一致，且環境中之實際氧濃度與所決定之設定環境氧濃度大致一致之狀態下，將蝕刻液供給至基板W之上表面。
如上所述，於第1實施形態中，在使環境中之氧濃度降低之狀態下，將TMAH等溶氧濃度較低之蝕刻液供給至基板W之上表面。藉此，可一面控制溶入至保持於基板W之蝕刻液之氧之量，一面對基板W之整個上表面供給蝕刻液。供給至基板W之上表面之蝕刻液之實際溶氧濃度與設定溶氧濃度一致或者接近。同樣地，與保持於基板W之上表面之蝕刻液相接之環境中之實際氧濃度和設定環境氧濃度一致或者接近。
設定溶氧濃度及設定環境氧濃度相互建立關聯，而非基於要求蝕刻量分別獨立地設定。具體而言，設定溶氧濃度及設定環境氧濃度之一者係基於要求蝕刻量而決定。而且，基於所決定之值(設定溶氧濃度及設定環境氧濃度之一者)與要求蝕刻量，決定設定溶氧濃度及設定環境氧濃度之另一者。換言之，不僅控制設定溶氧濃度及設定環境氧濃度，亦控制設定溶氧濃度及設定環境氧濃度之差。
如此，一面控制設定溶氧濃度及設定環境氧濃度之差，一面使設定溶氧濃度及設定環境氧濃度降低，故而可不使蝕刻液相對於基板W之上表面之著液位置移動，而使遍及基板W之上表面之蝕刻量之分佈變化。例如，能以固定之蝕刻量均勻地對基板W之整個上表面進行蝕刻，或以遍及基板W之上表面之蝕刻量之分佈成為圓錐狀或倒立圓錐狀之方式對基板W之上表面進行蝕刻。因此，可一面控制蝕刻量之分佈，一面對基板W之上表面進行蝕刻。
於第1實施形態中，將較可設定為設定溶氧濃度或設定環 境氧濃度之數值範圍之最小值為大之值設定為設定溶氧濃度或設定環境氧濃度。換言之，並非如先前般儘可能使設定溶氧濃度及設定環境氧濃度降低，而亦控制兩者之差。藉此，可一面控制蝕刻量之分佈，一面對基板W之上表面進行蝕刻。
於第1實施形態中，使蝕刻液之著液位置自噴出開始至噴出停止為止位於基板W之上表面中央部。即便於此種情形時，亦可藉由控制設定溶氧濃度及設定環境氧濃度之差，而控制蝕刻量之分佈。因此，為了控制蝕刻量之分佈，亦可不使蝕刻液相對於基板W之上表面之著液位置移動，或不設置朝向基板W之上表面噴出蝕刻液之複數個液體噴出口。
於第1實施形態中，以遍及基板W之上表面之蝕刻量之分佈成為圓錐狀或倒立圓錐狀之方式，對設定溶氧濃度及設定環境氧濃度進行設定。若蝕刻前之基板W之上表面為圓錐狀，則只要以遍及基板W之上表面之蝕刻量之分佈成為圓錐狀之方式對基板W之上表面進行蝕刻，便可提高蝕刻後之基板W之上表面之平坦度。同樣地，若蝕刻前之基板W之上表面為倒立圓錐狀，則只要以遍及基板W之上表面之蝕刻量之分佈成為倒立圓錐狀之方式對基板W之上表面進行蝕刻，便可提高蝕刻後之基板W之上表面之平坦度。
於第1實施形態中，自決定設定溶氧濃度後，決定設定環境氧濃度。著液位置上之蝕刻速率依存於蝕刻液之溶氧濃度。換言之，設定環境氧濃度不會對著液位置上之蝕刻速率帶來較大影響。取而代之，蝕刻速率之斜率、亦即連結著液位置上之蝕刻速率與基板W之上表面內之任意位置上之蝕刻速率之直線的斜率依存於蝕刻液之溶氧濃度與環境中之氧濃度。因此，只要先決定設定溶氧濃度，便可相對容易地設定著液位置上 之蝕刻速率與蝕刻速率之斜率。
與此相對，於先決定設定環境氧濃度之情形時，可能必須亦變更除設定溶氧濃度及設定環境氧濃度以外之條件。例如，於先決定設定環境氧濃度之情形時，為了獲得所期望之蝕刻速率之斜率，而大幅度地限制設定溶氧濃度。於在所決定之設定溶氧濃度下無法獲得所期望之蝕刻速率之情形時，可能必須亦變更蝕刻液之供給時間或濃度等其他條件。因此，藉由先決定設定溶氧濃度，可相對容易地設定著液位置上之蝕刻速率與蝕刻速率之斜率。
於第1實施形態中，作為具有較空氣中之氧濃度低之氧濃度的低氧氣體之一例之氮氣自設置於作為對向構件之一例之阻隔構件33之下表面36L之上中央開口38流出，並流入至基板W之上表面與阻隔構件33之下表面36L之間之空間。藉此，基板W與阻隔構件33之間之空間被氮氣充滿，環境中之氧濃度降低。因此，與於腔室4之整個內部空間使氧濃度降低之情形相比，可減少氮氣之使用量，可於短時間內使氧濃度發生變化。
於第1實施形態中，在使環境中之氧濃度降低之狀態下，對露出有多晶矽膜之基板W之上表面供給溶氧濃度較低之蝕刻液。藉此，可一面控制溶入至保持於基板W之蝕刻液之氧之量，一面對形成於基板W之上表面之多晶矽膜進行蝕刻。多晶矽膜係受到蝕刻液之溶氧濃度之影響之薄膜之一例。因此，不僅控制設定溶氧濃度及設定環境氧濃度，亦控制兩者之差，藉此，可一面控制蝕刻量之分佈，一面對多晶矽膜進行蝕刻。
第2實施形態
第2實施形態與第1實施形態之主要不同之處在於：阻隔構 件33之構造不同；及將噴出氣體之複數個外側開口101設置於阻隔構件33之下表面36L。
圖9係表示本發明之第2實施形態之阻隔構件33之鉛垂剖面的模式圖。圖10係表示本發明之第2實施形態之阻隔構件33之底面之模式圖。於圖9~圖10中，對與上述圖1~圖8所示之構成相同之構成，附上與圖1等相同之參照符號並省略其說明。
如圖9所示，阻隔構件33配置於旋轉夾盤10之上方。阻隔構件33係具有較基板W之直徑大之外徑之圓板部36。亦即，第1實施形態之筒狀部37未設置於第2實施形態之阻隔構件33。阻隔構件33被以水平姿勢保持。阻隔構件33之中心線配置於旋轉軸線A1上。阻隔構件33之下表面36L之外徑大於基板W之外徑。阻隔構件33之下表面36L與基板W之上表面平行，且與基板W之上表面對向。
如圖10所示，阻隔構件33之下表面36L係環繞旋轉軸線A1之圓環狀。阻隔構件33之下表面36L之內周緣形成有於阻隔構件33之下表面36L之中央部開口之上中央開口38。阻隔構件33之內周面形成有自上中央開口38朝上方延伸之貫通孔。中心噴嘴45插入至阻隔構件33之貫通孔。當自下方觀察阻隔構件33時，中心噴嘴45配置於阻隔構件33之上中央開口38內。
如圖9所示，阻隔構件升降單元31經由自阻隔構件33朝上方延伸之心軸100連結於阻隔構件33。中心噴嘴45連結於阻隔構件升降單元31。阻隔構件升降單元31使阻隔構件33於上位置(圖9中實線所示之阻隔構件33之位置)與下位置(圖9中兩點鏈線所示之阻隔構件33之位置)之間鉛垂地升降。中心噴嘴45與阻隔構件33一起於上位置與下位置之間鉛垂地 移動。
阻隔構件33之上位置係阻隔構件33之下表面36L自基板W之上表面朝上方離開，以便可使掃描噴嘴(參照圖11之第1藥液噴嘴106及第2藥液噴嘴107)進入至基板W之上表面與阻隔構件33之下表面36L之間之退避位置。阻隔構件33之下位置係阻隔構件33之下表面36L近接於基板W之上表面，以便使掃描噴嘴無法進入至基板W之上表面與阻隔構件33之下表面36L之間之近接位置。阻隔構件升降單元31使阻隔構件33位於自下位置至上位置為止之任意位置。
第1藥液配管50、第2藥液配管52及上沖洗液配管54連接於中心噴嘴45。上氣體配管56連接於形成在阻隔構件33之內周面與中心噴嘴45之外周面之間之上筒狀通路39，而非連接於中心噴嘴45。自上氣體配管56供給至上筒狀通路39之氮氣一面於上筒狀通路39內在圓周方向上流動，一面於上筒狀通路39內朝下方流動。繼而，自於阻隔構件33之下表面36L之中央部開口之上中央開口38朝下方流出。於阻隔構件33配置於下位置時，自上中央開口38流出之氮氣於基板W之上表面與阻隔構件33之下表面36L之間之空間朝外側流動。藉此，基板W與阻隔構件33之間之空間被氮氣充滿。
阻隔構件33包含：複數個外側開口101，其等在阻隔構件33之下表面36L開口；及內部通路102，其將氣體引導至複數個外側開口101。內部通路102設置於阻隔構件33之內部。各外側開口101自內部通路102朝下方延伸。外側開口101與基板W之上表面外周部對向。外側開口101可自內部通路102朝下方向鉛垂地延伸，亦可自內部通路102朝斜下方延伸。圖9表示外側開口101朝向基板W之周圍朝斜下方延伸之例。
如圖10所示，複數個外側開口101配置於具有配置在旋轉軸線A1上之中心之圓上。內部通路102環繞旋轉軸線A1。當自下方觀察阻隔構件33時，內部通路102與複數個外側開口101重疊。內部通路102包圍阻隔構件33之上中央開口38。同樣地，複數個外側開口101包圍阻隔構件33之上中央開口38。
如圖9所示，基板處理裝置1具備：上氣體配管103，其經由內部通路102將氣體引導至複數個外側開口101；上氣體閥104，其介裝於上氣體配管103；及上氣體流量調整閥105，其變更自上氣體配管103供給至中心噴嘴45之氣體之流量。上氣體配管103連接於阻隔構件33之內部通路102。
當將上氣體閥104打開時，作為惰性氣體之一例之氮氣以與上氣體流量調整閥105之開度對應之流量自上氣體配管103供給至內部通路102，且於內部通路102內在圓周方向上流動。內部通路102內之氮氣被供給至各外側開口101，且自各外側開口101朝下方噴出。藉此，對基板W與阻隔構件33之間之空間供給氮氣。上氣體閥104及上氣體流量調整閥105包含於環境氧濃度變更單元97(參照圖8)。
於第2實施形態中，除第1實施形態之作用效果以外，亦可發揮以下作用效果。具體而言，於第2實施形態中，上中央開口38與外側開口101設置於阻隔構件33之下表面36L。上中央開口38與基板W之上表面中央部對向。外側開口101配置於上中央開口38之外側。自上中央開口38流出之氮氣於基板W與阻隔構件33之間之空間朝外側流動。同樣地，自外側開口101流出之氮氣於基板W與阻隔構件33之間之空間朝外側流動。因此，與未設置有外側開口101之情形相比，其他氣體不易流入至基板W 與阻隔構件33之間。藉此，可更精密地控制基板W與阻隔構件33之間之空間之氧濃度。
第3實施形態
第3實施形態與第1實施形態之主要不同之處在於：省略了阻隔構件33；及利用FFU5將惰性氣體供給至腔室4之內部。
圖11係水平地觀察本發明之第3實施形態之處理單元2之內部所得的模式圖。圖12係自上方觀察本發明之第3實施形態之處理單元2之內部所得的模式圖。於圖11~圖12中，對與上述圖1~圖10所示之構成相同之構成，附上與圖1等相同之參照符號並省略其說明。
如圖11所示，處理單元2包含：第1藥液噴嘴106，其朝向基板W之上表面將第1藥液朝下方噴出；第2藥液噴嘴107，其朝向基板W之上表面將第2藥液朝下方噴出；及沖洗液噴嘴108，其朝向基板W之上表面將沖洗液朝下方噴出。第1藥液配管50、第2藥液配管52及上沖洗液配管54分別連接於第1藥液噴嘴106、第2藥液噴嘴107及沖洗液噴嘴108。
沖洗液噴嘴108固定於腔室4之間隔壁6。自沖洗液噴嘴108之沖洗液體噴出口108p噴出之沖洗液著液於基板W之上表面中央部。沖洗液噴嘴108亦可為使液體相對於基板W之上表面之著液位置移動之掃描噴嘴。亦即，亦可將使沖洗液噴嘴108水平地移動之噴嘴移動單元設置於處理單元2。
第1藥液噴嘴106及第2藥液噴嘴107係掃描噴嘴。如圖12所示，處理單元2包含使第1藥液噴嘴106於處理位置與退避位置之間水平地移動之第1噴嘴移動單元109，該處理位置係將自第1藥液噴嘴106之第1藥液體噴出口106p噴出之藥液供給至基板W之上表面之位置，該退避位置係 第1藥液噴嘴106於俯視下配置於基板W之周圍之位置。處理單元2包含使第2藥液噴嘴107於處理位置與退避位置之間水平地移動之第2噴嘴移動單元110，該處理位置係將自第2藥液噴嘴107之第2藥液體噴出口107p噴出之藥液供給至基板W之上表面之位置，該退避位置係第2藥液噴嘴107於俯視下配置於基板W之周圍之位置。
第1噴嘴移動單元109可為沿著俯視下通過基板W之中央部之圓弧狀之路徑使第1藥液噴嘴106水平地移動之回轉單元，亦可為沿著俯視下通過基板W之中央部之直線狀之路徑使第1藥液噴嘴106水平地移動之滑動單元。同樣地，第2噴嘴移動單元110可為回轉單元，亦可為滑動單元。圖12表示第1噴嘴移動單元109及第2噴嘴移動單元110為回轉單元之例。
引導作為惰性氣體之一例之氮氣之上氣體配管56連接於FFU5。當將上氣體閥57打開時，氮氣以與上氣體流量調整閥58之開度對應之流量自上氣體配管56供給至FFU5，由FFU5輸送至腔室4內之上空間Su。供給至上空間Su之氮氣接觸整流板8後於上空間Su擴散，自設置於整流板8之整個區域之複數個貫通孔朝下方流動。
基板W之上表面與整流板8之下表面直接對向，故而自整流板8朝下方流動之氮氣未被阻隔構件33(參照圖2)阻攔而流向基板W之上表面。其後，氮氣被吸入至處理承杯23內，且經由排氣管9(參照圖2)自腔室4排出。如此，腔室4之內部被氮氣充滿，腔室4內之氧濃度降低。腔室4內之氧濃度係根據上氣體閥57及上氣體流量調整閥58之開度而變更。
於進行第1藥液供給工序(圖6之步驟S3)時，第1噴嘴移動單元109使第1藥液噴嘴106自待機位置移動至處理位置。其後，打開第1 藥液閥51，使第1藥液噴嘴106開始噴出第1藥液。於第1藥液噴嘴106噴出第1藥液時，第1噴嘴移動單元109能以使第1藥液之著液位置沿著通過基板W之上表面中央部之路徑於基板W之上表面內移動之方式使第1藥液噴嘴106移動，亦能以使第1藥液之著液位置位於基板W之上表面中央部之方式使第1藥液噴嘴106靜止。
於第2藥液供給工序(圖6之步驟S5)中，代替第1藥液噴嘴106、第1藥液閥51及第1噴嘴移動單元109，而使用第2藥液噴嘴107、第2藥液閥53及第2噴嘴移動單元110。於第1沖洗液供給工序(圖6之步驟S4)及第2沖洗液供給工序(圖6之步驟S6)中，使上沖洗液閥55開閉，將沖洗液朝向基板W之上表面中央部自沖洗液噴嘴108噴出。
於第3實施形態中，除可發揮第1實施形態之作用效果以外，亦可發揮以下作用效果。具體而言，於第3實施形態中，作為低氧氣體之一例之氮氣自腔室4之上端部流入至腔室4之內部。流入至腔室4內之氮氣朝向腔室4之下端部流動，自腔室4之下端部排出至腔室4之外。藉此，腔室4之內部被氮氣充滿，環境中之氧濃度降低。因此，不設置阻隔構件33等配置於基板W之上方之構件，便可使環境中之氧濃度降低。藉此，可使腔室4小型化。
第4實施形態
第4實施形態與第1實施形態之主要不同之處在於：設置有與相同之處理單元2對應之複數組藥液產生單元61及溶氧濃度變更單元67。圖13表示設置有2組藥液產生單元61及溶氧濃度變更單元67之例。
圖13係表示第4實施形態之藥液產生單元61及溶氧濃度變更單元67之模式圖。於圖13中，對與上述圖1~圖12所示之構成相同之構 成，附上與圖1等相同之參照符號並省略其說明。
於以下說明中，有對配置於圖13中之左側之構成之開頭附上「第1」，對配置於圖13中之右側之構成之開頭附上「第2」之情形。例如，將圖13中之左側之貯槽62稱為「第1貯槽62A」，將圖13中之右側之貯槽62稱為「第2貯槽62B」之情形。
藥液產生單元61包含將循環配管63內之藥液引導至第2藥液配管52之中繼配管111、及介裝於中繼配管111之中繼閥112。於圖13所示之例之情形時，亦可代替2個中繼閥112而使用三向閥。當將第1中繼閥112A(左側之中繼閥112)打開時，第1貯槽62A(左側之貯槽62)內之藥液經由第2藥液配管52供給至中心噴嘴45。當將第2中繼閥112B(右側之中繼閥112)打開時，第2貯槽62B(右側之貯槽62)內之藥液經由第2藥液配管52供給至中心噴嘴45。
第1貯槽62A內之藥液與第2貯槽62B內之藥液具有互不相同之溶氧濃度。亦即，如此般調節了藥液之溶氧濃度。當決定了供給至基板W之上表面之藥液之溶氧濃度之設定值、亦即設定溶氧濃度時，控制裝置3自第1貯槽62A及第2貯槽62B中選擇貯存有具有與所決定之設定溶氧濃度接近之溶氧濃度之藥液的貯槽。繼而，控制裝置3於第2藥液供給工序(圖6之步驟S5)中，使中心噴嘴45噴出已選擇之貯槽內之藥液。例如於選擇了第1貯槽62A之情形時，將第1中繼閥112A與第2藥液閥53打開，第1貯槽62A內之藥液自中心噴嘴45朝向基板W之上表面噴出。
於第4實施形態中，除可發揮第1實施形態之作用效果以外，亦可發揮以下作用效果。具體而言，將溶氧濃度互不相同之蝕刻液貯存於第1貯槽62A及第2貯槽62B。所決定之設定溶氧濃度被與表示第1貯 槽62A內之蝕刻液之溶氧濃度之第1溶氧濃度及表示第2貯槽62B內之蝕刻液之溶氧濃度之第2溶氧濃度加以比較。於第1貯槽62A內之蝕刻液之溶氧濃度與所決定之設定溶氧濃度一致或接近之情形時，將第1貯槽62A內之蝕刻液供給至基板W之上表面。另一方面，於第2貯槽62B內之蝕刻液之溶氧濃度與所決定之設定溶氧濃度一致或接近之情形時，將第2貯槽62B內之蝕刻液供給至基板W之上表面。
蝕刻液之溶氧濃度難以立即改變。因此，於改變相同之貯槽62內之蝕刻液之溶氧濃度之情形時，將花費某種程度之時間。針對該情況，若預先將溶氧濃度互不相同之蝕刻液貯存於第1貯槽62A及第2貯槽62B，則可即刻改變供給至基板W之上表面之蝕刻液之溶氧濃度。藉此，可縮短基板處理裝置1之停工時間(無法執行基板W之處理之時間)，可減少基板處理裝置1之產能(每單位時間之基板W之處理片數)之減少量。
其他實施形態
本發明並不限定於上述實施形態之內容，可進行各種變更。
例如，亦可將TMAH等蝕刻液供給至基板W之下表面，而非基板W之上表面。或者，亦可將蝕刻液供給至基板W之上表面及下表面之兩者。於該等情形時，只要使下表面噴嘴15噴出蝕刻液便可。
控制裝置3亦可藉由使複數個液體噴出口朝向於基板W之徑向上分離之複數個位置同時噴出處理液，而對基板W之上表面或下表面供給處理液。於此情形時，亦可使噴出之藥液之流量、溫度及濃度之至少一者針對每個液體噴出口發生變化。
同樣地，控制裝置3亦可藉由使複數個氣體噴出口朝向於 基板W之徑向上分離之複數個位置同時噴出氣體，而對基板W之上表面或下表面供給氣體。例如，亦可將包含下中央開口18之複數個氣體噴出口設置於旋轉基座12之上表面12u。
控制裝置3亦可先決定設定環境氧濃度，而非先決定設定溶氧濃度。
基板處理裝置1並不限於對圓板狀之基板W進行處理之裝置，亦可為對多邊形之基板W進行處理之裝置。
亦可將上述所有構成之2個以上組合。亦可將上述所有工序之2個以上組合。
FFU5係風扇單元之一例。旋轉夾盤10係基板保持單元之一例。旋轉基座12係對向構件之一例。上表面12u係對向面之一例。下表面噴嘴15係蝕刻液供給單元之一例。下筒狀通路19係低氧氣體供給單元之一例。下氣體配管20係低氧氣體供給單元之一例。下氣體閥21係環境氧濃度變更單元之一例。下氣體流量調整閥22係環境氧濃度變更單元之一例。阻隔構件係對向構件33之一例。下表面36L係對向面之一例。上筒狀通路39係低氧氣體供給單元之一例。中心噴嘴45係蝕刻液供給單元之一例。上氣體配管56係低氧氣體供給單元之一例。上氣體閥57係環境氧濃度變更單元之一例。上氣體流量調整閥58係環境氧濃度變更單元之一例。溶氧濃度變更單元67係溶氧濃度變更單元之一例。環境氧濃度變更單元97係環境氧濃度變更單元之一例。上氣體配管103係低氧氣體供給單元之一例。上氣體閥104係環境氧濃度變更單元之一例。上氣體流量調整閥105係環境氧濃度變更單元之一例。第2藥液噴嘴107係蝕刻液供給單元之一例。
對本發明之實施形態進行了詳細說明，但該等只不過為用以明確本發明之技術性內容之具體例，本發明不應限定於該等具體例進行解釋，本發明之精神及範圍僅由隨附之申請專利範圍限定。
相關申請案
本申請案主張基於2018年1月15日提出之日本專利申請2018-004531號之優先權，本申請之全部內容係藉由引用而併入本文。
2‧‧‧處理單元
3‧‧‧控制裝置
67‧‧‧溶氧濃度變更單元
91‧‧‧資訊獲取部
92‧‧‧設定溶氧濃度決定部
93‧‧‧設定環境氧濃度決定部
94‧‧‧溶氧濃度變更部
95‧‧‧環境氧濃度變更部
96‧‧‧處理執行部
97‧‧‧環境氧濃度變更單元

Claims (20)

  1. 一種基板處理方法，其包含： 第1氧濃度決定工序，其係基於表示基板之主面之蝕刻量之要求值的要求蝕刻量，決定設定溶氧濃度及設定環境氧濃度之一者，該設定溶氧濃度表示蝕刻液之溶氧濃度之設定值，該設定環境氧濃度表示與保持於上述基板之主面之上述蝕刻液相接的環境中之氧濃度之設定值； 第2氧濃度決定工序，其係基於上述要求蝕刻量與上述第1氧濃度決定工序中所決定之上述設定溶氧濃度及設定環境氧濃度之一者，決定上述設定溶氧濃度及設定環境氧濃度之另一者； 低氧氣體供給工序，其係使低氧氣體流入至收容上述基板之腔室內，該低氧氣體具有與上述第1氧濃度決定工序或第2氧濃度決定工序中所決定之上述設定環境氧濃度一致或接近且較空氣中之氧濃度低之氧濃度；及 蝕刻工序，其係藉由如下操作對上述基板之主面進行蝕刻，即，一面使於上述低氧氣體供給工序中流入至上述腔室內之上述低氧氣體與保持於上述基板之主面之上述蝕刻液接觸，一面將以溶氧濃度與上述第1氧濃度決定工序或第2氧濃度決定工序中所決定之上述設定溶氧濃度一致或接近之方式減少了溶氧之上述蝕刻液供給至被保持為水平之上述基板之整個主面。
  2. 如請求項1之基板處理方法，其中上述第1氧濃度決定工序及第2氧濃度決定工序之一者包含如下工序之一者，即，將較可設定為上述設定溶氧濃度之數值範圍之最小值為大之值決定為上述設定溶氧濃度；及將較可設定為上述設定環境氧濃度之數值範圍之最小值為大之值決定為上述設定環境氧濃度。
  3. 如請求項1之基板處理方法，其中上述蝕刻工序包含液體噴出工序，該液體噴出工序係使自液體噴出口噴出之上述蝕刻液最初與上述基板之主面接觸之著液位置自上述蝕刻液之噴出開始至上述蝕刻液之噴出停止為止，位於上述基板之主面中央部，並朝向被保持為水平之上述基板之主面使上述液體噴出口噴出以溶氧濃度與上述第1氧濃度決定工序或第2氧濃度決定工序中所決定之上述設定溶氧濃度一致或接近之方式降低了溶氧之上述蝕刻液。
  4. 如請求項3之基板處理方法，其中上述第2氧濃度決定工序係如下工序，即，以遍及上述基板之主面之蝕刻量之分佈成為圓錐狀或倒立圓錐狀之方式，基於上述要求蝕刻量與上述第1氧濃度決定工序中所決定之上述設定溶氧濃度及設定環境氧濃度之一者，決定上述設定溶氧濃度及設定環境氧濃度之另一者。
  5. 如請求項1至3中任一項之基板處理方法，其中上述第1氧濃度決定工序係基於上述要求蝕刻量，決定上述設定溶氧濃度之工序， 上述第2氧濃度決定工序係基於上述要求蝕刻量與上述第1氧濃度決定工序中所決定之上述設定溶氧濃度，決定上述設定環境氧濃度之工序。
  6. 如請求項1至3中任一項之基板處理方法，其中上述低氧氣體供給工序包含如下工序，即，一面使可於上述腔室內移動之對向構件之對向面與上述基板之主面對向，一面使上述低氧氣體自設置於上述對向面之開口流入至上述基板之主面與上述對向構件之對向面之間。
  7. 如請求項6之基板處理方法，其中上述低氧氣體供給工序包含如下工序，即，使上述低氧氣體自設置於上述對向構件之對向面且與上述基板之主面中央部對向之中央開口流入至上述基板之主面與上述對向構件之對向面之間；及使上述低氧氣體自設置於上述對向構件之對向面且與除上述基板之主面中央部以外之上述基板之主面之一部分對向的外側開口流入至上述基板之主面與上述對向構件之對向面之間。
  8. 如請求項1至3中任一項之基板處理方法，其中上述低氧氣體供給工序包含如下工序，即，一面將上述腔室內之氣體自上述腔室之下端部排出，一面使上述低氧氣體自上述腔室之上端部流入至上述腔室內。
  9. 如請求項1至3中任一項之基板處理方法，其中上述基板處理方法包含：第1溶氧濃度調整工序，其係藉由使溶氧減少，而使第1貯槽內之上述蝕刻液之溶氧濃度降低至第1溶氧濃度為止；及第2溶氧濃度調整工序，其係藉由使溶氧減少，而使第2貯槽內之上述蝕刻液之溶氧濃度降低至與上述第1溶氧濃度不同之第2溶氧濃度為止；且 上述蝕刻工序包含：選擇工序，其係選擇上述第1貯槽及第2貯槽中之貯存有具有與上述第1氧濃度決定工序或第2氧濃度決定工序中所決定之上述設定溶氧濃度接近之溶氧濃度之上述蝕刻液的貯槽；及液體噴出工序，其係將上述選擇工序中所選擇之上述貯槽內之上述蝕刻液朝向被保持為水平之上述基板之主面噴出。
  10. 如請求項1至3中任一項之基板處理方法，其中上述蝕刻工序係如下工序，即，一面使於上述低氧氣體供給工序中流入至上述腔室內之上述低氧氣體與保持於上述基板之主面之上述蝕刻液接觸，一面將以溶氧濃度與上述第1氧濃度決定工序或第2氧濃度決定工序中所決定之上述設定溶氧濃度一致或接近之方式減少了溶氧之上述蝕刻液供給至被保持為水平之上述基板之整個主面，藉此對形成於上述基板之主面之多晶矽膜進行蝕刻。
  11. 一種基板處理裝置，其具備： 基板保持單元，其將基板保持為水平； 蝕刻液供給單元，其對保持於上述基板保持單元之上述基板之主面供給已減少溶氧之蝕刻液； 腔室，其收容保持於上述基板保持單元之上述基板； 低氧氣體供給單元，其使具有較空氣中之氧濃度低之氧濃度之低氧氣體流入至收容上述基板之上述腔室內，藉此調整與保持於上述基板之主面之上述蝕刻液相接之環境中之氧濃度； 溶氧濃度變更單元，其變更由上述蝕刻液供給單元供給至上述基板之上述蝕刻液之溶氧濃度； 環境氧濃度變更單元，其變更由上述低氧氣體供給單元進行調整之環境中之氧濃度；及 控制裝置；且 上述控制裝置執行如下工序，即， 第1氧濃度決定工序，其係基於表示上述基板之主面之蝕刻量之要求值的要求蝕刻量，決定設定溶氧濃度及設定環境氧濃度之一者，該設定溶氧濃度表示上述蝕刻液之溶氧濃度之設定值，該設定環境氧濃度表示與保持於上述基板之主面之上述蝕刻液相接的環境中之氧濃度之設定值； 第2氧濃度決定工序，其係基於上述要求蝕刻量與上述第1氧濃度決定工序中所決定之上述設定溶氧濃度及設定環境氧濃度之一者，決定上述設定溶氧濃度及設定環境氧濃度之另一者； 低氧氣體供給工序，其係使上述低氧氣體流入至收容上述基板之上述腔室內，該低氧氣體具有與上述第1氧濃度決定工序或第2氧濃度決定工序中所決定之上述設定環境氧濃度一致或接近且較空氣中之氧濃度低之氧濃度；及 蝕刻工序，其係藉由如下操作對上述基板之主面進行蝕刻，即，一面使於上述低氧氣體供給工序中流入至上述腔室內之上述低氧氣體與保持於上述基板之主面之上述蝕刻液接觸，一面將以溶氧濃度與上述第1氧濃度決定工序或第2氧濃度決定工序中所決定之上述設定溶氧濃度一致或接近之方式減少了溶氧之上述蝕刻液供給至被保持為水平之上述基板之整個主面。
  12. 如請求項11之基板處理裝置，其中上述第1氧濃度決定工序及第2氧濃度決定工序之一者包含如下工序之一者，即，將較可設定為上述設定溶氧濃度之數值範圍之最小值為大之值決定為上述設定溶氧濃度；及將較可設定為上述設定環境氧濃度之數值範圍之最小值為大之值決定為上述設定環境氧濃度。
  13. 如請求項11之基板處理裝置，其中上述蝕刻液供給單元包含液體噴出口，該液體噴出口係朝向保持於上述基板保持單元之上述基板之主面噴出上述蝕刻液， 上述蝕刻工序包含液體噴出工序，該液體噴出工序係使自上述液體噴出口噴出之上述蝕刻液最初與上述基板之主面接觸之著液位置自上述蝕刻液之噴出開始至上述蝕刻液之噴出停止為止，位於上述基板之主面中央部，並朝向被保持為水平之上述基板之主面使上述液體噴出口噴出以溶氧濃度與上述第1氧濃度決定工序或第2氧濃度決定工序中所決定之上述設定溶氧濃度一致或接近之方式降低了溶氧之上述蝕刻液。
  14. 如請求項13之基板處理裝置，其中上述第2氧濃度決定工序係如下工序，即，以遍及上述基板之主面之蝕刻量之分佈成為圓錐狀或倒立圓錐狀之方式，基於上述要求蝕刻量與上述第1氧濃度決定工序中所決定之上述設定溶氧濃度及設定環境氧濃度之一者，決定上述設定溶氧濃度及設定環境氧濃度之另一者。
  15. 如請求項11至13中任一項之基板處理裝置，其中上述第1氧濃度決定工序係基於上述要求蝕刻量，決定上述設定溶氧濃度之工序， 上述第2氧濃度決定工序係基於上述要求蝕刻量與上述第1氧濃度決定工序中所決定之上述設定溶氧濃度，決定上述設定環境氧濃度之工序。
  16. 如請求項11至13中任一項之基板處理裝置，其中上述基板處理裝置進而具備對向構件，該對向構件包含與保持於上述基板保持單元之上述基板之主面對向之對向面、及設置於上述對向面之開口，且可於上述腔室內移動， 上述低氧氣體供給工序包含如下工序，即，一面使可於上述腔室內移動之上述對向構件之對向面與上述基板之主面對向，一面使上述低氧氣體自設置於上述對向面之上述開口流入至上述基板之主面與上述對向構件之對向面之間。
  17. 如請求項16之基板處理裝置，其中上述對向構件之開口包含：中央開口，其設置於上述對向構件之對向面，且與上述基板之主面中央部對向；及外側開口，其設置於上述對向構件之對向面，且與除上述基板之主面中央部以外之上述基板之主面之一部分對向；且 上述低氧氣體供給工序包含如下工序，即，使上述低氧氣體自上述中央開口流入至上述基板之主面與上述對向構件之對向面之間；及使上述低氧氣體自上述外側開口流入至上述基板之主面與上述對向構件之對向面之間。
  18. 如請求項11至13中任一項之基板處理裝置，其中上述低氧氣體供給單元包含：風扇單元，其使上述低氧氣體自上述腔室之上端部流入至上述腔室內；及排氣管，其將上述腔室內之氣體自上述腔室之下端部排出；且 上述低氧氣體供給工序包含如下工序，即，一面將上述腔室內之氣體自上述腔室之下端部排出，一面使上述低氧氣體自上述腔室之上端部流入至上述腔室內。
  19. 如請求項11至13中任一項之基板處理裝置，其中上述蝕刻液供給單元包含：第1貯槽，其貯存上述蝕刻液；第2貯槽，其貯存上述蝕刻液；第1溶氧濃度變更單元，其使上述第1貯槽內之上述蝕刻液之溶氧濃度降低；及第2溶氧濃度變更單元，其使上述第2貯槽內之上述蝕刻液之溶氧濃度降低； 上述控制裝置進而執行如下工序，即，第1溶氧濃度調整工序，其係藉由使溶氧減少，而使上述第1貯槽內之上述蝕刻液之溶氧濃度降低至第1溶氧濃度為止；及第2溶氧濃度調整工序，其係藉由使溶氧減少，而使上述第2貯槽內之上述蝕刻液之溶氧濃度降低至與上述第1溶氧濃度不同之第2溶氧濃度為止； 上述蝕刻工序包含：選擇工序，其係選擇上述第1貯槽及第2貯槽中之貯存有具有與上述第1氧濃度決定工序或第2氧濃度決定工序中所決定之上述設定溶氧濃度接近之溶氧濃度之上述蝕刻液的貯槽；及液體噴出工序，其係將上述選擇工序中所選擇之上述貯槽內之上述蝕刻液朝向被保持為水平之上述基板之主面噴出。
  20. 如請求項11至13中任一項之基板處理裝置，其中上述蝕刻工序係如下工序，即，一面使於上述低氧氣體供給工序中流入至上述腔室內之上述低氧氣體與保持於上述基板之主面之上述蝕刻液接觸，一面將以溶氧濃度與上述第1氧濃度決定工序或第2氧濃度決定工序中所決定之上述設定溶氧濃度一致或接近之方式減少了溶氧之上述蝕刻液供給至被保持為水平之上述基板之整個主面，藉此對形成於上述基板之主面之多晶矽膜進行蝕刻。
TW107147619A 2018-01-15 2018-12-28 基板處理方法及基板處理裝置 TWI698926B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-004531 2018-01-15
JP2018004531A JP6993885B2 (ja) 2018-01-15 2018-01-15 基板処理方法および基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201941294A TW201941294A (zh) 2019-10-16
TWI698926B true TWI698926B (zh) 2020-07-11

Family

ID=67213030

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107147619A TWI698926B (zh) 2018-01-15 2018-12-28 基板處理方法及基板處理裝置

Country Status (5)

Country Link
US (2) US10861718B2 (zh)
JP (1) JP6993885B2 (zh)
KR (1) KR102182116B1 (zh)
CN (1) CN110047776B (zh)
TW (1) TWI698926B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6715019B2 (ja) * 2016-02-09 2020-07-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP7166089B2 (ja) * 2018-06-29 2022-11-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理システムおよび基板処理方法
JP2021077702A (ja) * 2019-11-06 2021-05-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP7407645B2 (ja) * 2020-04-03 2024-01-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2022041076A (ja) * 2020-08-31 2022-03-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080078426A1 (en) * 2006-09-28 2008-04-03 Katsuhiko Miya Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20110240601A1 (en) * 2010-03-31 2011-10-06 Akio Hashizume Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
US20150234296A1 (en) * 2014-02-17 2015-08-20 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08172068A (ja) 1994-12-19 1996-07-02 Fujitsu Ltd 半導体基板の洗浄方法及び半導体装置の製造方法
US6187216B1 (en) * 1997-08-27 2001-02-13 Motorola, Inc. Method for etching a dielectric layer over a semiconductor substrate
JP2002217165A (ja) * 2001-01-18 2002-08-02 Nisso Engineering Co Ltd 半導体ウエハ用液処理装置及び液処理方法
JP4245996B2 (ja) * 2003-07-07 2009-04-02 株式会社荏原製作所 無電解めっきによるキャップ膜の形成方法およびこれに用いる装置
JP2007088398A (ja) 2004-12-14 2007-04-05 Realize Advanced Technology Ltd 洗浄装置、この洗浄装置を用いた洗浄システム、及び被洗浄基板の洗浄方法
JP2009238798A (ja) * 2008-03-26 2009-10-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP5189121B2 (ja) 2010-03-10 2013-04-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体
US8778203B2 (en) * 2010-05-28 2014-07-15 Clarkson University Tunable polish rates by varying dissolved oxygen content
JP6300139B2 (ja) * 2012-05-15 2018-03-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理システム
JP5911757B2 (ja) * 2012-06-08 2016-04-27 ソニー株式会社 基板処理方法、基板処理装置、および記録媒体
US11004674B2 (en) * 2013-09-25 2021-05-11 Organo Corporation Substrate treatment method and substrate treatment equipment
TWI578396B (zh) * 2013-12-11 2017-04-11 斯克林集團公司 基板處理方法及基板處理裝置
JP6279954B2 (ja) * 2014-03-28 2018-02-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6418694B2 (ja) * 2015-03-26 2018-11-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
CN204885200U (zh) * 2015-07-30 2015-12-16 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种湿法刻蚀装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080078426A1 (en) * 2006-09-28 2008-04-03 Katsuhiko Miya Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20110240601A1 (en) * 2010-03-31 2011-10-06 Akio Hashizume Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
US20150234296A1 (en) * 2014-02-17 2015-08-20 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
CN110047776A (zh) 2019-07-23
KR102182116B1 (ko) 2020-11-23
CN110047776B (zh) 2023-07-07
TW201941294A (zh) 2019-10-16
JP6993885B2 (ja) 2022-01-14
US20210043468A1 (en) 2021-02-11
JP2019125660A (ja) 2019-07-25
KR20190087289A (ko) 2019-07-24
US20190221450A1 (en) 2019-07-18
US11222795B2 (en) 2022-01-11
US10861718B2 (en) 2020-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI698926B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP7064905B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
US8696863B2 (en) Liquid processing apparatus and liquid processing method
TWI774317B (zh) 藥液生成方法、藥液生成裝置及基板處理裝置
TWI774970B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP6817860B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TWI733075B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP7176936B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
WO2020044789A1 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2017118049A (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP2017041510A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR20220162329A (ko) 기판 처리 방법 및 장치