TW202200601A - 一種金屬銥絡合物及其應用 - Google Patents
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Abstract
本發明涉及一種金屬銥絡合物及其應用。所述金屬銥絡合物具有式(I)所示結構。本發明提供的化合物具有昇華溫度低,光、電穩定性好,發光效率高,壽命長,色飽和度高等優點,可用於有機發光器件中,特別是作為紅色發光磷光材料,具有應用於AMOLED產業的可能。
Description
本發明涉及有機電致發光技術領域,尤其涉及一種適合有機電致發光器件的有機發光材料,特別涉及一種金屬銥絡合物及其在有機電致發光器件上的應用。
目前,作為新一代顯示技術的有機電致發光器件(OLED)在顯示和照明技術方面都獲得了越來越多的關注,應用前景十分廣泛。但是,和市場應用要求相比,OLED器件的發光效率、驅動電壓、使用壽命等性能還需要繼續加強和改進。
一般來說,OLED器件基本結構為在金屬電極中間夾雜各種不同功能的有機功能材料薄膜,猶如一個三明治的結構,在電流的驅動下,從陰陽兩極分別注入空穴和電子,空穴和電子在移動一段距離後,在發光層得到複合,並以光或熱的形式進行釋放,從而產生了OLED的發光。
然而,有機功能材料是有機電致發光器件的核心組成部分,材料的熱穩定性、光化學穩定性、電化學穩定性、量子產率、成膜穩定性、結晶性、色飽和度等都是影響器件性能表現的主要因素。
一般地,有機功能材料包括螢光材料和磷光材料。螢光材料通常為有機小分子材料,一般只能利用25%單重態發光,所以發光效率比較低。而磷光材料由於重原子效應引起地自旋軌道耦合作用,除了利用25%單重態之外,還可以利用75%三重態激子的能量,所以發光效率可以得到提升。但是相較於螢光材料,磷光材料起步較晚,且材料的熱穩定性、壽命、色飽和度等都有待提升,這是一個具有挑戰性的課題。現已經有人開發各種化合物作為磷光材料。例如發明專利文獻CN107973823公開了一類喹啉類的銥化合物,但是該類化合物的色飽和度以及器件性能尤其是發光效率和器件壽命都有待改善;發明專利文獻CN106459114公開了一類β-二酮配位基配位的銥化合物,但是該類化合物的昇華溫度高,色飽和度不佳,特別的,器件性能尤其是發光效率和器件壽命表現不理想,有待進一步改進。
本發明的目的之一在於提供一種磷光化合物,該類化合物具有昇華溫度較低,光、電化學穩定性高,色飽和度高,發光效率高,器件壽命長等優點,可用於有機電致發光器件中。特別是作為紅色發光摻雜體,能應用於OLED產業中。
本發明是為了解決上述課題而完成的,目的在於提供高性能的有機電致發光器件及可實現這樣的有機電致發光器件的新型材料。
本發明人為了達成前述目的而反復進行了深入的研究,結果發現,通過使用下述式(1)表示的金屬銥絡合物,可以得到高性能的有機電致發光器件。
本發明涉及一種金屬銥絡合物及其應用。所述金屬銥絡合物具有式(I)所示結構。本發明提供的絡合物具有昇華溫度低,光、電穩定性好,發光效率高,壽命長,色飽和度高等優點,可用於有機發光器件中,特別是作為紅色發光磷光材料,具有應用於AMOLED產業的可能。
本發明的目的之一在於提供一種金屬銥絡合物,該類絡合物具有昇華溫度較低,光、電化學穩定性高,色飽和度高,發光效率高,器件壽命長等優點,可用於有機電致發光器件中。特別是作為紅色發光摻雜體,能應用於OLED產業中。
一種金屬銥絡合物,結構式如式(I)所示:(I)
其中
A為CR0
或者N;
R1
、R2
、R3
的個數為單取代到最大可能取代;
其中R1
、R4
獨立的選自取代的或未取代的C1-C10烷基、取代的或未取代的C3-C20環烷基、取代的或未取代的C2-C10烯基、取代的或未取代的C1-C10雜烷基、取代的或未取代的C6-C30芳烷基、取代的或未取代的C6-C30芳基、或取代的或未取代的C1-C8雜芳基;
R0
、R2
、R3
獨立的選自氫、氘、鹵素、取代的或未取代的C1-C10烷基、取代的或未取代的C3-C20環烷基、取代的或未取代的C2-C10烯基、取代的或未取代的C1-C10雜烷基、取代的或未取代的C6-C30芳烷基、取代的或未取代的C6-C30芳基、取代的或未取代的C1-C8雜芳基;
或者R0
、R1
、R2
、R3
任意兩個相鄰基團可以相互連接形成環或並環結構;
其中當R3
存在且在A的鄰位時,不為F;Rx-Rz獨立的選自氫、氘、取代的或未取代的C1-C10烷基、取代的或未取代的C3-C20環烷基、取代的或未取代的C2-C10烯基、或取代的或未取代的C1-C10雜烷基;
其中Z獨立地選自O,S,C(R)2
,NR;其中R獨立地選自取代的或未取代的C1-C10的烷基或烷氧基、取代的或未取代的C2-C30的環烷基、取代的或未取代的C6-C30芳基、或者取代的或未取代的C1-C18雜芳基;
其中所述取代為被氘、F、Cl、Br、C1-C5烷基C3-C6環烷基取代;
所述雜烷基或雜芳基中的雜原子為N、S、O中的一個或多個。
優選:其中R1
、R2
、R3
的個數為單取代,其中R1
,R4
為取代的或未取代的C1-C6烷基、取代的或未取代的C3-C6環烷基,R0
、R2
、R3
獨立的選自氫、氘、鹵素、取代的或未取代的C1-C6烷基、取代的或未取代的C3-C6環烷基。
更優選:結構式如式(II)所示:(II)
其中R1
,R4
為取代或未取代的C3-C6支鏈烷基、取代的C3-C6直鏈烷基、取代的或未取代的C3-C6環烷基,R0
、R2
、R3
獨立的選自氫、氘、取代的或未取代的C1-C6烷基、取代的或未取代的C3-C6環烷基,所述取代為被氘、F、C1-C5烷基或C3-C6環烷基取代。
其中所述取代為被D、F、部分或完全D或F取代的C1-C5烷基或C3-C6環烷基取代。
其中A為CH或者A為N。
其中A為N,R3
不為H。
作為優選的金屬銥絡合物,其中式(I)中的右側的的結構,優選為以下結構之一或者他們對應的部分或完全氘代物或者他們對應的部分或完全氟代物,其中虛線表示連接金屬的位置,
A1 | A2 | A3 | A4 | A5 |
A6 | A7 | A8 | A9 | A10 |
A11 | A12 | A13 | A14 | A15 |
A16 | A17 | A18 | A19 | A20 |
A21 | A22 | A23 | A24 | A25 |
A26 | A27 | A28 | A29 | A30 |
A31 | A32 | A33 | A34 | A35 |
A36 | A37 | A38 | A39 | A40 |
A41 | A42 | A43 | A44 |
作為優選的金屬銥絡合物,具有下列結構式之一或者他們對應的部分或完全氘代物或者他們對應的部分或完全氟代物,
CPD 1 | CPD 2 | CPD 3 |
CPD 4 | CPD 5 | CPD 6 |
CPD 7 | CPD 8 | CPD 9 |
CPD 10 | CPD 11 | CPD 12 |
CPD 13 | CPD 14 | CPD 15 |
CPD 16 | CPD 17 | CPD 18 |
CPD 19 | CPD 20 | CPD 21 |
CPD 22 | CPD 23 | CPD 24 |
CPD 25 | CPD 26 | CPD 27 |
CPD 28 | CPD 29 | CPD 30 |
CPD 31 | CPD 32 | CPD 33 |
CPD 34 | CPD 35 | CPD 36 |
CPD 37 | CPD 38 | CPD 39 |
CPD 40 | CPD 41 | CPD 42 |
CPD 43 | CPD 44 | CPD 45 |
CPD 46 | CPD 47 | CPD 48 |
CPD 49 | CPD 50 | CPD 51 |
CPD 52 | CPD 53 | CPD 54 |
CPD 55 | CPD 56 | CPD 57 |
CPD 58 | CPD 59 | CPD 60 |
CPD 61 | CPD 62 | CPD 63 |
CPD 64 | CPD 65 | CPD 66 |
CPD 67 | CPD 68 | CPD 69 |
CPD 70 | CPD 71 | CPD 72 |
CPD 73 | CPD 74 | CPD 75 |
CPD 76 | CPD 77 | CPD 78 |
CPD 79 | CPD 80 | CPD 81 |
CPD 82 | CPD 83 | CPD 84 |
CPD 85 | CPD 86 | CPD 87 |
CPD 88 | CPD 89 | CPD 90 |
CPD 91 | CPD 92 | CPD 93 |
CPD 94 | CPD 95 | CPD 96 |
CPD 97 | CPD 98 | CPD 99 |
CPD 100 | CPD 101 | CPD 102 |
CPD 103 | CPD 104 | CPD 105 |
CPD 106 | CPD 107 | CPD 108 |
CPD 109 | CPD 110 | CPD 111 |
CPD 112 | CPD 113 | CPD 114 |
CPD 115 | CPD 116 | CPD 117 |
CPD 118 | CPD 119 | CPD 120 |
CPD 121 | CPD 122 | CPD 123 |
CPD 124 | CPD 125 | CPD 126 |
CPD 127 | CPD 128 | CPD 129 |
CPD 130 | CPD 131 | CPD 132 |
CPD 133 | CPD 134 | CPD 135 |
CPD 136 | CPD 137 | CPD 138 |
CPD 139 | CPD 140 | CPD 141 |
CPD 142 | CPD 143 | CPD 144 |
CPD 145 | CPD 146 | CPD 147 |
CPD 148 | CPD 149 | CPD 150 |
CPD 151 | CPD 152 | CPD 153 |
CPD 154 | CPD 155 | CPD 156 |
CPD 157 | CPD 158 | CPD 159 |
CPD 160 | CPD 161 | CPD 162 |
CPD 163 | CPD 164 | CPD 165 |
CPD 166 | CPD 167 | CPD 168 |
CPD 169 | CPD 170 | CPD 171 |
CPD 172 | CPD 173 | CPD 174 |
CPD 175 | CPD 176 | CPD 177 |
CPD 178 | CPD 179 | CPD 180 |
CPD 181 | CPD 182 | CPD 183 |
CPD 184 | CPD 185 | CPD 186 |
CPD 187 | CPD 188 | CPD 189 |
CPD 190 | CPD 191 | CPD 192 |
CPD 193 | CPD 194 | CPD 195 |
CPD 196 | CPD 197 | CPD 198 |
CPD 199 | CPD 200 | CPD 201 |
CPD 202 | CPD 203 | CPD 204 |
CPD 205 | CPD 206 | CPD 207 |
CPD 208 | CPD 209 | CPD 210 |
CPD 211 | CPD 212 | CPD 213 |
CPD 214 | CPD 215 | CPD 216 |
CPD 217 | CPD 218 | CPD 219 |
CPD 220 | CPD 221 | CPD 222 |
CPD 223 | CPD 224 | CPD 225 |
CPD 226 | CPD 227 | CPD 228 |
CPD 229 | CPD 230 | CPD 231 |
CPD 232 | CPD 233 | CPD 234 |
CPD 235 | CPD 236 | CPD 237 |
CPD 238 | CPD 239 | CPD 240 |
CPD 241 | CPD 242 | CPD 243 |
CPD 244 | CPD 245 | CPD 246 |
CPD 247 | CPD 248 | CPD 249 |
CPD 250 | CPD 251 | CPD 252 |
CPD 253 | CPD 254 | CPD 255 |
CPD 256 | CPD 257 | CPD 258 |
CPD 259 | CPD 260 | CPD 261 |
CPD 262 | CPD 263 | CPD 264 |
CPD 265 | CPD 266 | CPD 267 |
CPD 268 | CPD 269 | CPD 270 |
CPD 271 | CPD 272 | CPD 273 |
CPD 274 | CPD 275 | CPD 276 |
CPD 277 | CPD 278 | CPD 279 |
CPD 280 | CPD 281 | CPD 282 |
CPD 283 | CPD 284 | CPD 285 |
CPD 286 | CPD 287 | CPD 288 |
CPD 289 | CPD 290 | CPD 291 |
CPD 292 | CPD 293 | CPD 294 |
CPD 295 | CPD 296 | CPD 297 |
CPD 298 | CPD 299 | CPD 300 |
CPD 301 | CPD 302 | CPD 303 |
CPD 304 | CPD 305 | CPD 306 |
CPD 307 | CPD 308 | CPD 309 |
CPD 310 | CPD 311 | CPD 312 |
CPD 313 | CPD 314 | CPD 315 |
CPD 316 | CPD 317 | CPD 318 |
CPD 319 | CPD 320 | CPD 321 |
CPD 322 | CPD 323 | CPD 324 |
一種電致發光器件,其包括:陰極,陽極以及設置在陰極與陽極之間的有機層,所述有機層中包含上述的金屬銥絡合物。
其中所述有機層中包括有發光層,所述金屬銥絡合物作為發光層的紅色發光摻雜材料;或者其中所述有機層中包括有空穴注入層,所述的金屬銥絡合物作為空穴注入層中的空穴注入材料。
本發明的材料不但具有昇華溫度較低,光、電化學穩定性高,色飽和度高,發光效率高,器件壽命長等優點。本發明的材料作為磷光材料,可以將三重激發態轉換成光,所以能夠提高有機電致發光器件的發光效率,從而降低能耗。
本發明的化合物由下式(I)表示(I)
其中
A為CR0
或者N;
R1
、R2
、R3
的個數為單取代到最大可能取代;
其中R1
、R4
獨立的選自取代的或未取代的C1-C10烷基、取代的或未取代的C3-C20環烷基、取代的或未取代的C2-C10烯基、取代的或未取代的C1-C10雜烷基、取代的或未取代的C6-C30芳烷基、取代的或未取代的C6-C30芳基、或取代的或未取代的C1-C8雜芳基;
R0
、R2
、R3
獨立的選自氫、氘、鹵素、取代的或未取代的C1-C10烷基、取代的或未取代的C3-C20環烷基、取代的或未取代的C2-C10烯基、取代的或未取代的C1-C10雜烷基、取代的或未取代的C6-C30芳烷基、取代的或未取代的C6-C30芳基、取代的或未取代的C1-C8雜芳基;
或者R0
、R1
、R2
、R3
任意兩個相鄰基團可以相互連接形成環或並環結構;
其中當R3
存在且在A的鄰位時,不為F;Rx-Rz獨立的選自氫、氘、取代的或未取代的C1-C10烷基、取代的或未取代的C3-C20環烷基、取代的或未取代的C2-C10烯基、或取代的或未取代的C1-C10雜烷基;
其中Z獨立地選自O,S, C(R)2
, NR, ;其中R獨立地選自取代的或未取代的C1-C10的烷基或烷氧基、取代的或未取代的C2-C30的環烷基、取代的或未取代的C6-C30芳基、或者取代的或未取代的C1-C18雜芳基;
其中所述取代為被氘、F、Cl、Br、C1-C5烷基C3-C6環烷基取代,
所述雜烷基或雜芳基中的雜原子為N、S、O中的一個或多個。
式(1)中,在R3
為2個以上的情況下,多個R3
可以分別相同也可以不同。
式(1)中,在所述取代基為2個以上的情況下,多個取代基可以分別相同也可以不同。
優選:R1
、R2
、R3
的個數為單取代。
以下,對於式(1)所表示的化合物的各基團的例子進行說明。
需要說明的是,本說明書中,“取代或未取代的碳數a~b的X基”這一表述中的“碳數a~b”表示的是X基未取代的情況下的碳數,不包括X基被取代時的取代基的碳數。
作為C1~C10的烷基,為直鏈狀或支鏈狀的烷基,具體來說,為甲基、乙基、丙基、、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基及其異構體、正己基及其異構體、正庚基及其異構體、正辛基及其異構體、正壬基及其異構體、正癸基及其異構體等,優選為甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基,更優選為丙基、異丙基、異丁基、仲丁基、叔丁基。
作為C3~C20的環烷基,可舉出環丙基、環丁基、環戊基、環己基、1-金剛烷基、2-金剛烷基、1-降冰片烷基、2-降冰片烷基等,優選為環戊基、環己基。
作為C2~C10的烯基,可舉出乙烯基、丙烯基、烯丙基、1-丁二烯基、2-丁二烯基、1-己三烯基、2-己三烯基、3-己三烯基等,優選為丙烯基、烯丙基。
作為C1~C10雜烷基,為含有除碳氫以外的原子構成的直鏈狀或支鏈狀的烷基、環烷基等,可舉出巰甲基甲烷基、甲氧基甲烷基、乙氧基甲烷基、叔丁氧基甲烷基、N,N-二甲基甲烷基、環氧丁烷基、環氧戊烷基、環氧己烷基等,優選為甲氧基甲烷基、環氧戊烷基。
作為芳基的具體例,為苯基、萘基、蒽基、菲基、並四苯基、芘基、屈基、苯並[c]菲基、苯並[g] 屈基、芴基、苯並芴基、二苯並芴基、聯苯基、三聯苯基、四聯苯基、熒蒽基等,優選為苯基、萘基。
作為雜芳基的具體例,可舉出吡咯基、吡嗪基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、吲哚基、異吲哚基、咪唑基、呋喃基、苯並呋喃基、異苯並呋喃基、二苯並呋喃基、二苯並噻吩基、氮雜二苯並呋喃基、氮雜二苯並噻吩基、二氮雜二苯並呋喃基、二氮雜二苯並噻吩基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、吩噻嗪基、吩噁嗪基、噁唑啉基、噁二唑基、呋咱基、噻吩基、苯並噻吩基、二氫吖啶基、氮雜咔唑基、二氮雜咔唑基、喹唑啉基等,優選為吡啶基、嘧啶基、三嗪基、二苯並呋喃基、二苯並噻吩基、氮雜二苯並呋喃基、氮雜二苯並噻吩基、二氮雜二苯並呋喃基、二氮雜二苯並噻吩基、咔唑基、氮雜咔唑基、二氮雜咔唑基。
下述實施例僅僅是為了便於理解技術發明,不應視為本發明的具體限制。
本發明中的化合物合成中涉及的原物料和溶劑等均購自於Alfa、Acros等本領域技術人員熟知的供應商。
實施例1 化合物CPD1的合成
共用中間體化合物B1的合成:
向一個1L三口燒瓶,依次加入化合物B1-1(49.0g,169.4mmol,1.0eq)、聯硼酸頻那醇酯(51.6g,203.3mmol,1.2eq),[1,1'-雙(二苯基膦基)二茂鐵]二氯化鈀(2.48g,3.39mmol,0.02eq)、醋酸鉀(33.2g,338.9mmol,2.0eq),二氧六環(500ml),抽真空,氮氣置換3次,油浴加熱到100℃左右,攪拌16h,取樣TLC監控原料B1-1反應完。降至室溫,分批轉移至1L單口瓶中旋蒸除去大部分二氧六環,再加入甲苯(300ml),加熱溶解,加入去離子水水洗3次(100ml/次),分液,將有機相過矽膠濾(200-300目,30g),並用甲苯100ml淋洗。濃縮有機相至剩80ml左右,加入正己烷(160ml),常溫攪拌析晶4h。過濾,濾餅用正己烷(40ml)淋洗,所得產品烘乾後,得到44.7g類白色固體化合物B1,收率78.5%。質譜:337.2(M+H)。
化合物L1-3的合成:
向一個1L三口燒瓶,依次加入化合物L1-1(42.1g,173.61mmol,1.0eq)、化合物L1-2(27.21g,243.05mmol,1.4eq),二氯-二叔丁基-(4-二甲基氨基苯基)磷鈀(II)(1.23g,1.74mmol,0.01eq)、無水K3
PO4
(73.7g,347.22mmol,2.0eq),甲苯(505ml),抽真空,氮氣置換3次,油浴加熱到80℃左右,攪拌16h,取樣TLC監控原料L1-1基本反應完。降至室溫,在反應瓶中加入乙酸乙酯(250ml),加入去離子水水洗3次(150ml/次),分液,有機相進行減壓濃縮成固體。將粗品進行柱層析分離(EA:Hex=1:10),所得產品乾燥後,得到27.4g類白色固體化合物L1-3,收率68.71%。質譜:230.7(M+H)。
化合物L1-4的合成:
向一個500ml三口燒瓶,依次加入化合物L1-3(25.5g,111.01mmol,1.0eq)、化合物B1(41.06g,122.11mmol,1.1eq),二氯-二叔丁基-(4-二甲基氨基苯基)磷鈀(II)(0.78g,1.11mmol,0.01eq)、碳酸鈉(23.53g,222.02mmol,2.0eq),四氫呋喃(250ml),去離子水(62ml),抽真空,氮氣置換3次,油浴加熱到60℃左右,攪拌2h,取樣TLC監控原料L1-3基本反應完。降至室溫,將反應液轉移至1L單口瓶中,再加入乙酸乙酯(300ml),加入去離子水水洗3次(150ml/次),分液,有機相進行減壓濃縮成固體。將粗品採用甲苯/甲醇進行重結晶(粗品:甲苯:甲醇=1:5:20),所得產品乾燥後,得到35.97g白色固體化合物L1-4,收率80.3%。質譜:404.5(M+H)。
化合物L1的合成:
向一個250ml單口瓶,依次加入化合物L1-4(32.0g,79.3mmol,1.0eq)、10%的鈀碳(8.44g,7.93mmol,0.1eq),四氫呋喃(64ml)和乙醇(96ml)的混合溶劑,向反應瓶通入H2,油浴加熱到40℃左右,攪拌24h,取樣TLC監控原料L1-4基本反應完。降至室溫,將反應液直接過濾,收集濾液,濃縮乾燥。將粗品進行柱層析分離(EA:Hex=1:8),所得產品乾燥後,得到25.47g類白色固體化合物L1,收率79.2%。質譜:406.5(M+H)。1
HNMR(400MHz, CDCl3
) δ8.64(d,J=5.7Hz,1H),7.93(d,J=7.4 Hz,1H), 7.85 (s,1H), 7.70 (d,J =7.9Hz,2H), 7.68– 7.55 (m,2H),7.51 (s,1H), 7.43–7.24(m,3H), 2.94 (s,1H), δ2.87(s,1H), 2.00(m,2H), 1.71 (m,J=25.0 Hz,6H),1.20 (d,6H)。
共用中間體化合物CPD1-1的合成:
將化合物L1(24.7g,60.91mmol,3.0eq)、IrCl3
.3H2
O(6.83g,20.3mmol,1.0eq)置於一個500ml三口燒瓶中,加入乙二醇乙醚(247ml)及去離子水(82.3ml)中,混合液於N2保護作用下,110o
C攪拌回流16小時。冷卻到室溫後,過濾,濾渣依次用甲醇(100ml*3)、正己烷(100ml*3),乾燥得到化合物CPD1-1(22.03g,88.3%)。得到的化合物不經純化直接使用於下一步。
化合物CPD1的合成:
將化合物CPD1-1(8.75,7.12mmol,1.0eq)溶於乙二醇乙醚(87.5ml),依次加入無水碳酸鈉(7.55g,71.2mmol,10.0eq)以及化合物A1(3.65g, 35.6mmol, 5.0eq),加入完畢後,混合液於N2
保護作用下,40o
C攪拌16小時後冷卻到室溫。取樣TLC監控有紅色產品點生成。向反應液中加入甲醇(87.5ml),攪拌析出紅色固體,過濾收集固體。固體採用二氯甲烷(150ml)溶解澄清,然後進行矽膠過濾,用少量二氯甲烷淋洗濾餅。收集濾液加入去離子水水洗3次(60ml/次),分液,有機相進行減壓濃縮成固體。將固體採用四氫呋喃/甲醇進行重結晶3次(粗品:四氫呋喃:甲醇=1:5:7),所得產品乾燥後,得到目標化合物CPD1(4.83g,61.7%)。將4.83克CPD 1粗品昇華純化後得到昇華純CPD 1(3.32g,68.73%)。質譜:1101.37(M+H)。
實施例2 化合物CPD3的合成:
參照化合物CPD1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可,得到目標化合物CPD3(4.64g,58.81%)。將4.64克CPD3粗品昇華純化後得到昇華純CPD3(3.26g,70.25%)。質譜:1213.5(M+H)。
實施例3 化合物CPD8的合成:
化合物B2的合成:
參照化合物B1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可。質譜:351.3(M+H)。
化合物L4-2的合成:
參照化合物L1-4的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可。質譜:418.5(M+H)。
化合物L4的合成:
參照化合物L1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可。質譜:420.6(M+H)。1
HNMR(400MHz,CDCl3
) δ8.64(d,J=5.7Hz,1H), 7.94(d,J=7.4 Hz,1H),7.86(s,1H),7.70 (d,J =7.9Hz,2H),7.68–7.55 (m,2H),7.51 (s,1H), 7.43–7.24(m,3H), 2.92 (s, 1H), 1.98(d,J = 7.0 Hz,2H),1.72(dd,J = 28.5, 21.5Hz, 6H), 1.32(s,9H)。
化合物CPD8-1的合成:
參照化合物CPD1-1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可。得到的化合物不經純化直接使用於下一步。
化合物CPD8的合成:
參照化合物CPD1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可,得到目標化合物CPD8(3.77g,60.3%)。將3.77克CPD8粗品昇華純化後得到昇華純CPD8(2.87g,76.12%)。質譜:1185.5(M+H)。
實施例4 化合物CPD21的合成:
化合物B3的合成:
參照化合物B1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可。質譜:351.3(M+H)。
化合物L6-1的合成:
參照化合物L1-4的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可。質譜:418.5(M+H)。
化合物L6的合成:
參照化合物L1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可。質譜:420.6(M+H)。1
HNMR(400MHz,CDCl3
) δ8.65(d,J=5.7Hz,1H), 7.95(d,J=7.4 Hz,1H),7.86(s,1H), 7.70 (d,J =7.9Hz,2H),7.68–7.55 (m,2H),7.51 (s,1H), 7.43–7.24(m,3H), 2.85 (dt,1H), 2.43(d,2H),2.00(m,2H),1.82(dq,1H),1.79–1.60 (m,6H), 0.87(d,6H)。
化合物CPD21-1的合成:
參照化合物CPD1-1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可。得到的化合物不經純化直接使用於下一步。
化合物CPD21的合成:
參照化合物CPD1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可,得到目標化合物CPD21(4.11g,62.3%)。將4.11克CPD21粗品昇華純化後得到昇華純CPD21(2.94g,71.53%)。質譜:1241.6(M+H)。
實施例5 化合物CPD27的合成:
化合物L7-2的合成:
參照化合物L1-3的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可。質譜:206.7(M+H)。
化合物L7的合成:
參照化合物L1-4的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可。質譜:380.5(M+H)。1
HNMR(400MHz,CDCl3
)δ8.66(d,J=5.7Hz,1H), 7.98(d,J = 7.4 Hz,1H),7.89(s, 1H),7.80–7.67(m,3H),7.50(s,1H),7.37(dq,J = 13.9, 6.2Hz,4H), 3.11(dt,J = 13.7,6.8Hz, 1H), 2.87(dt,1H), 2.60(s,3H), 1.36(d,J=6.9Hz,6H), 1.20(d,6H)。
化合物CPD27-1的合成:
參照化合物CPD1-1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可。得到的化合物不經純化直接使用於下一步。
化合物CPD27的合成:
參照化合物CPD1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可,得到目標化合物CPD27(4.35g,57.6%)。將4.35克CPD27粗品昇華純化後得到昇華純CPD27(3.01g,69.19%)。質譜:1161.5(M+H)。
實施例6 化合物CPD28的合成:
參照化合物CPD1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可,得到目標化合物CPD28(3.52g,54.71%)。將3.52克CPD28粗品昇華純化後得到昇華純CPD28(2.47g,70.17%)。質譜:1133.5(M+H)。
實施例7 化合物CPD33的合成:
化合物L9-2的合成:
參照化合物L1-3的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可。質譜:220.7(M+H)。
化合物L9的合成:
參照化合物L1-4的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可。質譜:394.5(M+H)。1
HNMR(400 MHz, CDCl3
)δ8.67(d,J = 5.7 Hz,1H), 7.99 (d,J = 7.4 Hz,1H), 7.89(s,1H), 7.75(d,J = 8.6 Hz,1H), 7.72–7.63 (m,2H), 7.52(s,1H), 7.40 (d J = 5.4 Hz, 2H), 7.36–7.27(m,2H),2.87(m,1H), 2.68(d,J=7.2 Hz,2H) ,2.01(m,1H), 1.20(d,6H), 0.97 (d,J = 6.6 Hz,6H)。
化合物CPD33-1的合成:
參照化合物CPD1-1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可。得到的化合物不經純化直接使用於下一步。
化合物CPD33的合成:
參照化合物CPD1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可,得到目標化合物CPD33(3.77g,57.6%)。將3.77克CPD33粗品昇華純化後得到昇華純CPD33(2.69g,71.35%)。質譜:1189.6(M+H)。
實施例8 化合物CPD39的合成:
化合物B5的合成:
參照化合物B1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可。質譜:361.3(M+H)。
化合物L10-1的合成:
參照化合物L1-4的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可。質譜:428.5(M+H)。
化合物L10的合成:
參照化合物L1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可。質譜:432.6(M+H)。1
HNMR(400 MHz, CDCl3
)δ8.67(d,J = 5.7 Hz,1H), 7.99 (d,J = 7.4 Hz,1H), 7.89(s,1H), 7.75(d,J = 8.6 Hz,1H), 7.72–7.63 (m,2H), 7.52(s,1H), 7.40 (d J = 5.4 Hz, 2H), 7.36–7.27(m,2H),2.87(m,1H), 3.00(m,1H), 2.84 (m,1H), 2.14–1.88(m,4H),1.86– 1.56(m,12H)。
化合物CPD39-1的合成:
參照化合物CPD1-1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可。得到的化合物不經純化直接使用於下一步。
化合物CPD39的合成:
參照化合物CPD1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可,得到目標化合物CPD39(3.96g,60.71%)。將3.96克CPD39粗品昇華純化後得到昇華純CPD39(3.74g,69.19%)。質譜:1265.6(M+H)。
實施例9 化合物CPD75的合成:
化合物L11-2的合成:
參照化合物L1-3的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可。質譜:262.8(M+H)。
化合物L11的合成:
參照化合物L1-4的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可。質譜:436.6(M+H)。1
HNMR(400 MHz, CDCl3
)δ8.68(d,J = 5.7 Hz,1H), 7.98 (d,J = 7.4 Hz,1H), 7.89(s,1H), 7.76(d,J = 8.6 Hz,1H), 7.72–7.63 (m,2H), 7.52(s,1H), 7.40 (d J = 5.4 Hz, 2H), 7.36–7.27(m,2H),2.97(m,1H), 2.87(m,1H), 2.68(d,J=7.2 Hz,2H) ,2.01(m,1H), 1.20(m,12H), 0.97 (d,J = 6.6 Hz,6H)。
化合物CPD75-1的合成:
參照化合物CPD1-1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可。得到的化合物不經純化直接使用於下一步。
化合物CPD75的合成:
參照化合物CPD1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可,得到目標化合物CPD75(4.17g,61.81%)。將4.17克CPD75粗品昇華純化後得到昇華純CPD75(2.94g,70.5%)。質譜:1273.6(M+H)。
實施例10 化合物CPD93的合成:
化合物B6的合成:
參照化合物B1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可。質譜:309.2(M+H)。
化合物L12的合成:
參照化合物L1-4的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可。質譜:366.5(M+H)。1
HNMR(400 MHz, CDCl3
)δ8.67(d,J = 5.7 Hz,1H), 7.99 (d,J = 7.4 Hz,1H), 7.89(s,1H), 7.75(d,J = 8.6 Hz,1H), 7.72–7.63 (m,2H), 7.52(s,1H), 7.40 (d J = 5.4 Hz, 2H), 7.36–7.27(m,2H), 2.68(d,J=7.2 Hz,2H),2.60(s, 3H),2.01 (m,1H), 0.97 (d,J = 6.6 Hz,6H)。見圖1所示。
化合物CPD93-1的合成:
參照化合物CPD1-1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可。得到的化合物不經純化直接使用於下一步。
化合物CPD93的合成:
參照化合物CPD1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可,得到目標化合物CPD93(3.55g,54.8%)。將3.55克CPD93粗品昇華純化後得到昇華純CPD93(2.23g,62.81%)。質譜:1133.5(M+H)。如附圖2所示,1
HNMR (400 MHz, CDCl3
)δ8.89 (d,J = 8.8 Hz,2H), 8.26 (d, J = 6.4 Hz,2H),7.80(d,J=7.5Hz,2H),7.58(s,2H),7.48 (dd,J=15.7,8.5 Hz,4H),7.39 –7.31 (m,3H), 7.31–7.19 (m,5H),4.81(s,1H),2.76(dd,J = 14.3,7.1 Hz,5H), 2.21–2.01 (m,4H), 1.76–1.41(m,12H),1.20–0.92(m,11H),0.78(dd,J=17.0,9.6 Hz,3H), 0.47(t,J= 7.4Hz,5H), 0.01(s,2H),-0.16(t,J=7.4Hz,4H)。
實施例11 化合物CPD99的合成
化合物L13-2的合成:
參照化合物L1-3的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可。質譜:260.7(M+H)。
化合物L13的合成:
參照化合物L1-4的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可。質譜:406.4(M+H)。1
HNMR(400MHz,CDCl3
)δ8.69(d,J=5.7Hz,1H), 8.01(d,J=7.4 Hz,1H), 7.90(s,1H), 7.76(d,J=8.6 Hz,1H),7.73–7.64(m,2H),7.52(s,1H), 7.41(d,J=5.4Hz,2H),7.38–7.28 (m,2H),2.93(t,3H),2.46(t,3H),2.31(s,3H)。
化合物CPD99-1的合成:
參照化合物CPD1-1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可。得到的化合物不經純化直接使用於下一步。
化合物CPD99的合成:
參照化合物CPD1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可,得到目標化合物CPD99(3.79g,57.8%)。將3.79克CPD99粗品昇華純化後得到昇華純CPD99(2.44g,64.37%)。質譜:1213.4(M+H)。
實施例12 化合物CPD121的合成
化合物L14-1的合成:
參照化合物L1-4的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可。質譜:376.5(M+H)。
化合物L14的合成:
參照化合物L1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可。質譜:378.5(M+H)。1
HNMR(400MHz,CDCl3
)δ8.65(d,J=5.7 Hz,1H), 7.94(d,J=7.4Hz,1H),7.86 (s,1H),7.72 (d,J =7.9 Hz,2H), 7.69–7.56 (m,2H),7.52 (s,1H), 7.44–7.25(m,3H), 2.96 (s,1H),2.31(s,3H),1.96(s,2H),1.72(t,J=25.0Hz,6H). 見圖3所示。
化合物CPD121-1的合成:
參照化合物CPD1-1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可。得到的化合物不經純化直接使用於下一步。
化合物CPD121的合成:
參照化合物CPD1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可,得到目標化合物CPD121(4.05g,59.3%)。將4.05克CPD121粗品昇華純化後得到昇華純CPD121(2.71g,66.91%)。質譜:1045.3(M+H)。
實施例13 化合物CPD123的合成
參照化合物CPD1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可,得到目標化合物CPD123(3.97g,61.1%)。將3.97克CPD123粗品昇華純化後得到昇華純CPD123(2.66g,67.0%)。質譜:1157.5(M+H)。如附圖4所示,1
HNMR(400MHz,CDCl3) δ8.93 (d,J = 8.9 Hz,2H),8.28(d,J=6.3 Hz,2H),7.82(d,J=7.5 Hz,2H),7.67(s,2H),7.60(dd,J = 8.9,1.6 Hz,2H),7.50(d,J=8.0 Hz,2H),7.36(d,J=7.5 Hz,3H),7.34–7.22(m,5H),4.82(s,1H), 3.4–3.18(m,2H), 2.24(s,4H), 1.86(dd,J=34.0,16.9Hz,11H),1.66(s,5H),1.61–1.46 (m,3H),1.36–1.19(m,3H),1.11(dd,J=15.2,9.7Hz,3H),0.91–0.65(m,4H),0.49(t,J=7.4Hz,6H),-0.15(t,J=7.4 Hz,5H)。
化合物L15的合成:
向一個250ml單口瓶,依次加入化合物L14(14.3g,37.88mmol,1.0eq)、叔丁醇鈉(10.92g,113.65mmol,3eq),DMSO-d6(172ml),抽真空氮氣置換3次,油浴加熱到75℃,攪拌24h。降至室溫,加入重水(35ml)攪拌10min,有黃色固體析出,再加入去離子水(350ml)攪拌10min,抽濾,收集黃色固體。固體採用乙酸乙酯(450ml)溶解,再加入去離子水水洗3次(200ml/次),分液,水相合併用少量乙酸乙酯萃取一次,合併有機相,濃縮乾燥。將粗品進行柱層析分離(EA:Hex=1:8),所得產品乾燥後,得到白色固體化合物L15(12.8g, 收率88.6%)。質譜:382.5(M+H)。1
HNMR(400MHz, CDCl3
)δ8.65(d,J=5.7Hz,1H),7.94(d,J=7.4Hz,1H), 7.86(s,1H),7.72(d,J=7.9Hz,2H), 7.69–7.56 (m,2H), 7.52(s,1H),7.44–7.25(m,3H), 1.99(m,2H),1.89–1.58(m,6H)。
化合物CPD145-1的合成:
參照化合物CPD1-1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可。得到的化合物不經純化直接使用於下一步。
化合物CPD145的合成:
參照化合物CPD1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可,得到目標化合物CPD145(3.62g,53.7%)。將3.62克CPD145粗品昇華純化後得到昇華純CPD145(2.25g,62.15%)。質譜:1053.3(M+H)。
實施例15 化合物CPD147的合成:
參照化合物CPD1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可,得到目標化合物CPD147(3.55g,54.4%)。將3.55克CPD147粗品昇華純化後得到昇華純CPD147(2.12g,59.71%)。質譜:1165.5(M+H)。
化合物L16-2的合成:
參照化合物L1-3的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可。質譜:244.7(M+H)。
化合物L16-3的合成:
參照化合物L1-4的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可。質譜:390.4(M+H)。
化合物L16-4的合成:
向一個500ml單口瓶,依次加入化合物L16-3(25g,64.19mmol,1.0eq)、二氯甲烷(150ml),將反應體系降溫至0℃左右,緩慢滴加雙(2-甲氧基乙基)氨基三氟化硫(BAST,35.51ml,192.58mmol,3.0eq),滴加完畢,在室溫下攪拌16h,取樣TLC監控原料L16-3基本反應完。將反應液加入飽和碳酸鈉溶液中(450ml)攪拌0.5h,靜置分液,水層再加入二氯甲烷(150ml)萃取1次,合併有機相,再用去離子水水洗3次(100ml/次),分液,有機相濃縮乾燥。將粗品進行柱層析分離(EA:Hex=1:10),所得產品乾燥後,得到19.28g白色固體化合物L16-4,收率73%。質譜:412.4(M+H)。
化合物L16的合成:
參照化合物L1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可。質譜:414.5(M+H)。1
HNMR(400MHz,CDCl3
)δ8.65(d,J
=5.7Hz,1H), 7.94(d,J
=7.4Hz,1H), 7.86(s,1H), 7.72(d,J
=7.9Hz,2H),7.69–7.56(m,2H),7.52(s,1H), 7.44–7.25 (m,3H),3.26(d,1H),2.44(m,1H), 2.32(s,3H),2.03(m,J
= 28.1,24.1 Hz,4H), 1.76(m,1H)。
化合物CPD175-1的合成:
參照化合物CPD1-1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可。得到的化合物不經純化直接使用於下一步。
化合物CPD175的合成:
參照化合物CPD1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可,得到目標化合物CPD175(3.77g,51.5%)。將3.77克CPD175粗品昇華純化後得到昇華純CPD175(2.44g,64.72%)。質譜:1117.3(M+H)。
實施例17 化合物CPD177的合成:
參照化合物CPD1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可,得到目標化合物CPD177(3.61g,52.7%)。將3.61克CPD177粗品昇華純化後得到昇華純CPD177(2.37g,65.65%)。質譜:1229.4(M+H)。
化合物L17的合成:
參照化合物L1-4的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可。質譜:352.4(M+H)。1
HNMR(400MHz,CDCl3
)δ8.66(d,J=5.7Hz,1H), 7.98(d,J = 7.4 Hz,1H),7.89(s, 1H),7.80–7.67(m,3H),7.50(s,1H),7.37(dq,J = 13.9, 6.2Hz,4H),3.11(dt,J = 13.7,6.8Hz, 1H),2.60(s,3H),1.36(d,J=6.9Hz,6H).見圖5所示。
化合物CPD247-1的合成:
參照化合物CPD1-1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可。得到的化合物不經純化直接使用於下一步。
化合物CPD247的合成:
參照化合物CPD1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可,得到目標化合物CPD247(3.23g,48.9%)。將3.23克CPD247粗品昇華純化後得到昇華純CPD247(2.03,62.84%)。質譜:993.2(M+H)。
實施例19 化合物CPD249的合成:
參照化合物CPD1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可,得到目標化合物CPD249(3.51g,50.7%)。將3.51克CPD249粗品昇華純化後得到昇華純CPD249(2.17,61.82%)。質譜:1105.4(M+H)。如附圖6所示,1
HNMR (400MHz,CDCl3
)δ8.89 (d,J = 8.8Hz,2H), 8.26(d,J=6.4 Hz,2H), 7.79(d,J =7.5Hz,2H),7.58(s,2H),7.48 (dd,J=15.7,8.5 Hz,5H),7.37–7.30 (m,4H), 7.28(d,J=5.8Hz,2H),4.80(s,1H),2.75(qd,J= 13.2,7.2 Hz,4H),2.10 (dt,J = 13.5, 6.7Hz,2H),1.63(s,6H),1.61–1.48(m,12H),1.09–0.98(m,12H), 0.46 (t, J=7.4Hz,6H)。
化合物B7的合成:
參照化合物B1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可。質譜:324.2(M+H)。
化合物L18的合成:
參照化合物L1-4的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可。質譜:367.5(M+H)。1
HNMR(400MHz,CDCl3
)δ8.4(d,1H),7.81(dd,1H), 7.74(dd,1H),7.71(s,1H), 7.50(s,1H),7.27-7.36(m,3H),7.1(d,1H),3.12(q,1H), 2.55 (s,3H), 2.35(s,3H),1.29(d,6H)。
化合物CPD253-1的合成:
參照化合物CPD1-1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可。得到的化合物不經純化直接使用於下一步。
化合物CPD253的合成:
參照化合物CPD1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可,得到目標化合物CPD253(4.13g,56.3%)。將4.13克CPD253粗品昇華純化後得到昇華純CPD253(2.78g,67.3%)。質譜:1023.3(M+H)。
實施例21 化合物CPD256的合成:
參照化合物CPD1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可,得到目標化合物CPD256(4.02g,58.1%)。將4.02克CPD256粗品昇華純化後得到昇華純CPD256(2.67g,66.41%)。質譜:1107.4(M+H)。
化合物L19的合成:
參照化合物L1-4的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可。質譜:366.5(M+H)。1
HNMR(400MHz,CDCl3
)δ8.65(d,J=5.7Hz,1H), 7.97(d,J=7.4Hz,1H),7.88(s, 1H),7.80–7.67(m,3H),7.50(s,1H),7.37(dq,J=13.9, 6.2Hz, 4H), 2.60(s,3H),1.43(s,9H)。
化合物CPD309-1的合成:
參照化合物CPD1-1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可。得到的化合物不經純化直接使用於下一步。
化合物CPD309的合成:
參照化合物CPD1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可,得到目標化合物CPD309(3.08g,47.8%)。將3.08克CPD309粗品昇華純化後得到昇華純CPD309(1.89,61.36%)。質譜:1133.5(M+H)。
化合物L20的合成:
參照化合物L1-4的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可。質譜:394.5(M+H)。1
HNMR(400MHz,CDCl3
)δ8.65(d,J=5.7Hz,1H), 7.99(d,J=7.4Hz,1H),7.88(s, 1H),7.80–7.67(m,3H),7.50(s,1H),7.37(dq,J=13.9,6.2Hz, 4H), 2.60(s,3H),1.78(m,J= 4.6Hz,4H),1.35(s,3H),0.89(t,6H)。
化合物CPD315-1的合成:
參照化合物CPD1-1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可。得到的化合物不經純化直接使用於下一步。
化合物CPD315的合成:
參照化合物CPD1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可,得到目標化合物CPD315(3.44g,52.2%)。將3.44克CPD315粗品昇華純化後得到昇華純CPD315(2.24,65.11%)。質譜:1189.5(M+H)。
化合物L21的合成:
參照化合物L1-4的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可。質譜:380.5(M+H)。1
HNMR(400MHz,CDCl3
)δ8.66(d,J=5.7Hz,1H), 7.98(d,J = 7.4 Hz,1H),7.89(s, 1H),7.80–7.67(m,3H),7.50(s,1H),7.37(dq,J=13.9,6.2Hz, 4H),2.60(s,3H),1.78(t,2H),0.90(d,J=10.0Hz,9H)。
化合物CPD321-1的合成:
參照化合物CPD1-1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可。得到的化合物不經純化直接使用於下一步。
化合物CPD321的合成:
參照化合物CPD1的合成過程及後處理純化方法,只需要將對應的原物料變更即可,得到目標化合物CPD321(3.21g,51.1%)。將3.21克CPD321粗品昇華純化後得到昇華純CPD321(2.16,67.28%)。質譜:1161.5(M+H)。
選取對應的材料,用同樣類似的方法可以用於合成、昇華得到其他化合物。
本發明的化合物CPD 93/ CPD 123/ CPD 249在二氯甲烷溶液中的紫外吸收光譜以及發射光譜。見圖7所示。本發明的化合物均表現出更飽和的紅色發光以及較窄的半峰寬,利於實現較高的發光效率。
應用例:有機電致發光器件的製作
將50mm*50mm*1.0mm的具有ITO(100nm)透明電極的玻璃基板在乙醇中超聲清洗10分鐘,再150度烘乾後經過N2
Plasma處理30分鐘。將洗滌後的玻璃基板安裝在真空蒸鍍裝置的基板支架上,首先再有透明電極線一側的面上按照覆蓋透明電極的方式蒸鍍化合物HATCN,形成膜厚為5nm的薄膜,緊接著蒸鍍一層HTM1形成膜厚為60nm的薄膜,再在HTM1薄膜上蒸鍍一層HTM2形成膜厚為10nm的薄膜,然後,在HTM2膜層上再採用共蒸鍍的模式蒸鍍主體材料CBP和摻雜化合物(對比化合物X、CPD X),膜厚為30nm,主體材料和摻雜材料比例為90%:10%。在發光層上再依次蒸鍍AlQ3膜層(25nm)LiF膜層(1nm),最後蒸鍍一層金屬Al(100nm)作為電極。
評價:將上述器件進行器件性能測試,在各實施例和比較例中,使用恒定電流電源(Keithley 2400),使用固定的電流密度流過發光元件,使用分光輻射亮度計(CS 2000)測試發光波譜。同時測定電壓值以及測試亮度為初始亮度的90%的時間(LT90)。結果如下:
摻雜材料 | 啟動電壓 V | 電流效率 Cd/A | 功率效率 lm/W | 峰值波長 nm | LT90@ 3000nits | |
實施例1 | CPD 1 | 4.21 | 30.3 | 22.0 | 616 | 192 |
實施例2 | CPD 3 | 4.18 | 32.9 | 24.6 | 616 | 233 |
實施例3 | CPD 8 | 4.17 | 29.9 | 22.5 | 615 | 212 |
實施例4 | CPD 21 | 4.18 | 33.1 | 24.6 | 617 | 225 |
實施例5 | CPD 27 | 4.16 | 30.6 | 22.9 | 616 | 218 |
實施例6 | CPD 28 | 4.17 | 29.3 | 22.1 | 615 | 201 |
實施例7 | CPD 33 | 4.15 | 31.2 | 23.6 | 616 | 219 |
實施例8 | CPD 39 | 4.20 | 32.6 | 24.4 | 617 | 239 |
實施例9 | CPD 75 | 4.19 | 31.6 | 23.7 | 618 | 218 |
實施例10 | CPD 93 | 4.16 | 31.3 | 23.6 | 616 | 232 |
實施例11 | CPD 99 | 4.13 | 30.9 | 23.5 | 615 | 189 |
實施例12 | CPD 121 | 4.18 | 29.3 | 22.0 | 616 | 186 |
實施例13 | CPD 123 | 4.15 | 32.5 | 24.6 | 617 | 225 |
實施例14 | CPD 145 | 4.16 | 29.6 | 22.4 | 616 | 203 |
實施例15 | CPD 147 | 4.16 | 33.2 | 25.1 | 618 | 229 |
實施例16 | CPD 175 | 4.25 | 30.2 | 22.3 | 620 | 178 |
實施例17 | CPD 177 | 4.26 | 29.9 | 22.1 | 620 | 192 |
實施例18 | CPD 247 | 4.18 | 29.1 | 21.8 | 615 | 201 |
實施例19 | CPD 249 | 4.16 | 30.3 | 22.9 | 616 | 222 |
實施例20 | CPD 253 | 4.05 | 31.0 | 24.03 | 620 | 211 |
實施例21 | CPD 256 | 3.99 | 33.1 | 25.97 | 626 | 232 |
實施例22 | CPD 309 | 4.14 | 30.9 | 23.4 | 616 | 229 |
實施例23 | CPD 315 | 4.15 | 31.6 | 23.9 | 617 | 220 |
實施例24 | CPD 321 | 4.15 | 31.3 | 23.7 | 617 | 219 |
對比例1 | 對比 化合物1 | 4.56 | 21 | 14.46 | 610 | 102 |
對比例2 | 對比 化合物2 | 4.41 | 20 | 14.24 | 612 | 116 |
對比例3 | 對比 化合物3 | 4.64 | 21 | 14.21 | 611 | 94 |
對比例4 | 對比 化合物4 | 4.88 | 18 | 11.58 | 608 | 82 |
由上面表格中的資料對比可知,使用本發明的化合物作為摻雜劑的有機電致發光器件,相較於對比化合物在驅動電壓、發光效率、器件壽命都表現出更加優越的性能。
昇華溫度對比:昇華溫度的定義為:在10-7Torr的真空度,蒸鍍速率為1埃每秒對應的溫度。測試結果如下:
摻雜材料 | 昇華溫度 |
CPD 1 | 263 |
CPD 75 | 262 |
CPD 93 | 265 |
CPD 99 | 258 |
CPD 123 | 269 |
CPD 249 | 268 |
對比化合物1 | 280 |
對比化合物2 | 288 |
對比化合物3 | 286 |
對比化合物4 | 276 |
由上面表格中的資料對比可知,本發明金屬銥絡合物具有較低的昇華溫度,有利於產業化應用。
本發明通過對取代基的特殊搭配,出乎意料地提供了更好的器件發光效率和改善的壽命,同時相對於現有技術,出乎意料地提供了較低的昇華溫度。上述結果表明本發明的化合物具有昇華溫度較低,光、電化學穩定性高,色飽和度高,發光效率高,器件壽命長等優點,可用於有機電致發光器件中。特別是作為紅色發光摻雜體,具有應用於OLED產業的可能。
圖1是本發明的化合物L12在氘代氯仿溶液中的1HNMR譜圖。
圖2是本發明的化合物CPD 93在氘代氯仿溶液中的1HNMR譜圖。
圖3是本發明的化合物L14在氘代氯仿溶液中的1HNMR譜圖。
圖4是本發明的化合物CPD 123在氘代氯仿溶液中的1HNMR譜圖。
圖5是本發明的化合物L17在氘代氯仿溶液中的1HNMR譜圖。
圖6是本發明的化合物CPD 249在氘代氯仿溶液中的1HNMR譜圖。
圖7是本發明的化合物CPD 93/ CPD 123/ CPD 249在二氯甲烷溶液中的紫外吸收光譜以及發射光譜。
Claims (10)
- 一種金屬銥絡合物,結構式如式(I)所示:(I) 其中 A為CR0 或者N; R1 、R2 、R3 的個數為單取代到最大可能取代; 其中R1 、R4 獨立的選自取代的或未取代的C1-C10烷基、取代的或未取代的C3-C20環烷基、取代的或未取代的C2-C10烯基、取代的或未取代的C1-C10雜烷基、取代的或未取代的C6-C30芳烷基、取代的或未取代的C6-C30芳基、或取代的或未取代的C1-C8雜芳基; R0 、R2 、R3 獨立的選自氫、氘、鹵素、取代的或未取代的C1-C10烷基、取代的或未取代的C3-C20環烷基、取代的或未取代的C2-C10烯基、取代的或未取代的C1-C10雜烷基、取代的或未取代的C6-C30芳烷基、取代的或未取代的C6-C30芳基、取代的或未取代的C1-C8雜芳基; 或者R0 、R1 、R2 、R3 任意兩個相鄰基團可以相互連接形成環或並環結構; 其中當R3 存在且在A的鄰位時,不為F;Rx-Rz獨立的選自氫、氘、取代的或未取代的C1-C10烷基、取代的或未取代的C3-C20環烷基、取代的或未取代的C2-C10烯基、或取代的或未取代的C1-C10雜烷基; 其中Z獨立地選自O,S,C(R)2 ,NR;其中R獨立地選自取代的或未取代的C1-C10的烷基或烷氧基、取代的或未取代的C2-C30的環烷基、取代的或未取代的C6-C30芳基、或者取代的或未取代的C1-C18雜芳基; 其中所述取代為被氘、F、Cl、Br、C1-C5烷基C3-C6環烷基取代;以及 所述雜烷基或雜芳基中的雜原子為N、S、O中的一個或多個。
- 如請求項1所述的金屬銥絡合物,其中R1 、R2 、R3 的個數為單取代,其中R1 ,R4 為取代的或未取代的C1-C6烷基、取代的或未取代的C3-C6環烷基,R0 、R2 、R3 獨立的選自氫、氘、鹵素、取代的或未取代的C1-C6烷基、取代的或未取代的C3-C6環烷基。
- 如請求項3所述的金屬銥絡合物,其中所述取代為被D、F、部分或完全D或F取代的C1-C5烷基或C3-C6環烷基取代。
- 如請求項4所述的金屬銥絡合物,其中A為CH或者A為N。
- 如請求項5所述的金屬銥絡合物,其中A為N,R3 不為H。
- 如請求項1所述的金屬銥絡合物,具有下列結構式之一或者他們對應的部分或完全氘代物或者他們對應的部分或完全氟代物,
CPD 1 CPD 2 CPD 3 CPD 4 CPD 5 CPD 6 CPD 7 CPD 8 CPD 9 CPD 10 CPD 11 CPD 12 CPD 13 CPD 14 CPD 15 CPD 16 CPD 17 CPD 18 CPD 19 CPD 20 CPD 21 CPD 22 CPD 23 CPD 24 CPD 25 CPD 26 CPD 27 CPD 28 CPD 29 CPD 30 CPD 31 CPD 32 CPD 33 CPD 34 CPD 35 CPD 36 CPD 37 CPD 38 CPD 39 CPD 40 CPD 41 CPD 42 CPD 43 CPD 44 CPD 45 CPD 46 CPD 47 CPD 48 CPD 49 CPD 50 CPD 51 CPD 52 CPD 53 CPD 54 CPD 55 CPD 56 CPD 57 CPD 58 CPD 59 CPD 60 CPD 61 CPD 62 CPD 63 CPD 64 CPD 65 CPD 66 CPD 67 CPD 68 CPD 69 CPD 70 CPD 71 CPD 72 CPD 73 CPD 74 CPD 75 CPD 76 CPD 77 CPD 78 CPD 79 CPD 80 CPD 81 CPD 82 CPD 83 CPD 84 CPD 85 CPD 86 CPD 87 CPD 88 CPD 89 CPD 90 CPD 91 CPD 92 CPD 93 CPD 94 CPD 95 CPD 96 CPD 97 CPD 98 CPD 99 CPD 100 CPD 101 CPD 102 CPD 103 CPD 104 CPD 105 CPD 106 CPD 107 CPD 108 CPD 109 CPD 110 CPD 111 CPD 112 CPD 113 CPD 114 CPD 115 CPD 116 CPD 117 CPD 118 CPD 119 CPD 120 CPD 121 CPD 122 CPD 123 CPD 124 CPD 125 CPD 126 CPD 127 CPD 128 CPD 129 CPD 130 CPD 131 CPD 132 CPD 133 CPD 134 CPD 135 CPD 136 CPD 137 CPD 138 CPD 139 CPD 140 CPD 141 CPD 142 CPD 143 CPD 144 CPD 145 CPD 146 CPD 147 CPD 148 CPD 149 CPD 150 CPD 151 CPD 152 CPD 153 CPD 154 CPD 155 CPD 156 CPD 157 CPD 158 CPD 159 CPD 160 CPD 161 CPD 162 CPD 163 CPD 164 CPD 165 CPD 166 CPD 167 CPD 168 CPD 169 CPD 170 CPD 171 CPD 172 CPD 173 CPD 174 CPD 175 CPD 176 CPD 177 CPD 178 CPD 179 CPD 180 CPD 181 CPD 182 CPD 183 CPD 184 CPD 185 CPD 186 CPD 187 CPD 188 CPD 189 CPD 190 CPD 191 CPD 192 CPD 193 CPD 194 CPD 195 CPD 196 CPD 197 CPD 198 CPD 199 CPD 200 CPD 201 CPD 202 CPD 203 CPD 204 CPD 205 CPD 206 CPD 207 CPD 208 CPD 209 CPD 210 CPD 211 CPD 212 CPD 213 CPD 214 CPD 215 CPD 216 CPD 217 CPD 218 CPD 219 CPD 220 CPD 221 CPD 222 CPD 223 CPD 224 CPD 225 CPD 226 CPD 227 CPD 228 CPD 229 CPD 230 CPD 231 CPD 232 CPD 233 CPD 234 CPD 235 CPD 236 CPD 237 CPD 238 CPD 239 CPD 240 CPD 241 CPD 242 CPD 243 CPD 244 CPD 245 CPD 246 CPD 247 CPD 248 CPD 249 CPD 250 CPD 251 CPD 252 CPD 253 CPD 254 CPD 255 CPD 256 CPD 257 CPD 258 CPD 259 CPD 260 CPD 261 CPD 262 CPD 263 CPD 264 CPD 265 CPD 266 CPD 267 CPD 268 CPD 269 CPD 270 CPD 271 CPD 272 CPD 273 CPD 274 CPD 275 CPD 276 CPD 277 CPD 278 CPD 279 CPD 280 CPD 281 CPD 282 CPD 283 CPD 284 CPD 285 CPD 286 CPD 287 CPD 288 CPD 289 CPD 290 CPD 291 CPD 292 CPD 293 CPD 294 CPD 295 CPD 296 CPD 297 CPD 298 CPD 299 CPD 300 CPD 301 CPD 302 CPD 303 CPD 304 CPD 305 CPD 306 CPD 307 CPD 308 CPD 309 CPD 310 CPD 311 CPD 312 CPD 313 CPD 314 CPD 315 CPD 316 CPD 317 CPD 318 CPD 319 CPD 320 CPD 321 CPD 322 CPD 323 CPD 324 。 - 一種電致發光器件,其包括:陰極,陽極以及設置在陰極與陽極之間的有機層,所述有機層中包含請求項1至8中任一項所述的金屬銥絡合物。
- 如請求項9所述的電致發光器件,其中所述有機層中包括有發光層,所述請求項1至9中任一項所述的金屬銥絡合物作為發光層的紅色發光摻雜材料;或者其中所述有機層中包括有空穴注入層,所述請求項1至9中任一項所述的金屬銥絡合物作為空穴注入層中的空穴注入材料。
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