TW202142894A - 低折射率膜、積層體、光學元件、防風材、及顯示裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明之低折射率膜10至少具備第一層11、及第二層12。第一層11與基材20鄰接。低折射率膜10具有1.01以上1.30以下之折射率。第一層11及第二層12之各者含有中空粒子13及黏合劑14。第一層11例如滿足下述(I)及(II)之條件之至少一者。
(I)於第一層11之剖面中具有1000 nm2
以上之剖面積之空隙15之數量密度ρv1為5/μm2
以上100/μm2
以下。
(II)相對於第一層11之剖面的總面積而言之剖面之空隙15之剖面積的比為5%以上70%以下。
Description
本發明係關於一種低折射率膜、積層體、光學元件、防風材、及顯示裝置。
過去,已知有一種抗反射膜,其藉由將具有規定之折射率之材料塗覆於成為對象之透明物品或基材而抑制來自其等表面之光之反射。尤其,於透鏡或濾光器等光學元件、或建築物等所使用之窗或結構材料、汽車用之擋風玻璃、頭盔或護目鏡等護罩等領域或用途中,為了抑制來自其等表面之反射光,並且增大穿透其等物品或基材之光之光量,重要的是於表面形成抗反射膜。例如,玻璃之一表面之反射率通常為4~5%左右。因此,對於由板狀玻璃構成之物品,考慮正面之反射及背面之反射之整體反射率可成為8~10%。來自與相機等攝像裝置一併使用之玻璃製之透鏡表面的反射光,藉由裝置內或其他透鏡表面而反覆地反射或折射,可能引起重像或耀斑之類的不佳現象。因此,重要的是於發揮光之穿透或折射等功能之物品或基材之表面形成抗反射膜,抑制表面之反射。
根據光反射之理論,藉由構成抗反射膜之材料之折射率小於經覆膜之基材之折射率(理想而言為經覆膜之物品之折射率之平方根),而可期待容易減少反射光。然而,由單一物質構成之材料中不存在折射率充分低之材料,以往,存在使具有不同折射率之複數層積層而成之多層膜之構成、或包含被稱為低折射率膜之膜之構成,該被稱為低折射率膜之膜含有產生使中空粒子等之折射率降低之效果之物質,從而降低膜整體之折射率。
例如,專利文獻1記載有由黏合劑將中空粒子結合而成之抗反射膜。黏合劑含有剖面面積未達1000 nm2
之空隙及剖面面積為1000 nm2
以上之空隙。黏合劑所含有之剖面面積為1000 nm2
以上之空隙之個數相對於黏合劑之剖面面積1 μm2
為10個/μm2
以下。實施例中,於玻璃基板BK7上形成抗反射膜,抗反射膜之折射率為1.27。
又,專利文獻2中,記載有於基材上形成抗反射膜之光學元件。該抗反射膜包含藉由利用黏合劑將內部為孔隙之中空微粒子相互結合而形成之低折射率層。低折射率層由作為最表層之第1層、及與第1層鄰接且位於基材之側之第2層構成。第1層中之黏合劑之填充率低於第2層中之黏合劑之填充率。
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2012-108320號公報
專利文獻2:日本特開2013-033124號公報
[發明所欲解決之課題]
根據專利文獻1,抗反射膜中位於玻璃基板BK7附近之部分之空隙之定量狀態並不穩定。另一方面,根據專利文獻2,第2層之黏合劑之填充率較高,且並未記載第2層中存在空隙。因此,第2層之折射率易變得較高。
基於此種情形,專利文獻1及2所記載之技術就提高抗反射性能之觀點而言有再研究之餘地。因此,本發明提供一種就發揮較高之抗反射性能之觀點而言有利之新的低折射率膜。
[解決課題之技術手段]
本發明提供一種低折射率膜,其係
至少具有第一層、及與上述第一層鄰接之第二層者,且
具有1.01以上1.30以下之折射率,
上述第一層及上述第二層之各者含有中空粒子及黏合劑,
上述第一層具有該低折射率膜之厚度之一半以下、且200 nm以下之厚度,
上述第一層具有滿足下述(I)及(II)之至少一個條件之空隙:
(I)於上述第一層之剖面中具有1000 nm2
以上之剖面積之上述空隙之數量密度為5/μm2
以上100/μm2
以下;
(II)相對於上述第一層之上述剖面的面積而言之上述剖面之上述空隙之剖面積的比為5%以上70%以下。
又,本發明提供一種積層體,其
依序包含基材、及上述低折射率膜,且
上述第一層相較上述第二層更接近基材。
[發明之效果]
上述低折射率膜就發揮較高之抗反射性能之觀點而言有利。
以下,參照隨附圖式,並同時對本發明之實施形態進行說明。再者,以下說明係關於本發明之例示,本發明並非限定於以下之實施形態。本說明書中,「抗反射」係具備防止來自表面之光反射之作用、或即便於為必定會有反射之情形時,相比於不存在用於抗反射之構成之情形亦會使反射降低之作用,「膜」可理解為與薄膜、塗層、及與層同義者。
如圖1所示,低折射率膜10係沿基材20之表面形成之膜。低折射率膜10具備第一層11及第二層12。第一層11於低折射率膜10之厚度方向相對於基材20位於近端。第二層12於低折射率膜10之厚度方向鄰接於第一層11,且相對於基材20位於遠端。低折射率膜10具有1.01以上1.30以下之折射率。本說明書中「折射率」係指絕對折射率,例如相當於鈉之使用D線的於25℃之測定值。低折射率膜10之折射率例如可藉由根據反射率分光法之測定而決定。
「基材」係由低折射率膜或抗反射膜覆膜之物品或物品之一部分。「基材」並非限於該等,例如為透鏡、反射鏡、稜鏡、擴散器、平板微透鏡陣列、偏光元件、繞射光柵、全像圖、光調變元件、光偏轉元件、及濾光器等光學元件(亦包含聲光學元件)、固體攝像器件、建築物或汽車之窗或者擋風玻璃、頭盔及護目鏡等透光性之護罩、或顯示器及螢幕等顯示裝置。「基材」之覆膜面可為平面,可為曲面,亦可為凹凸面。
如圖1所示,第一層11及第二層12之各者含有中空粒子13及黏合劑14。第一層11具有低折射率膜10之厚度之一半以下、且200 nm以下之厚度。第一層11以滿足下述(I)及(II)之至少一個條件之方式具有空隙15。再者,空隙15係存在於低折射率膜10之內部或界面,且未被中空粒子13及黏合劑14佔據之空間。例如,中空粒子13之內部空間不屬於空隙15。空隙15中例如存在空氣。
(I)第一層11之剖面S1中具有1000 nm2
以上之剖面積之空隙15之數量密度ρv1為5/μm2
以上100/μm2
以下。
(II)相對於第一層11之剖面S1的面積(At1)而言之存在於剖面S1之空隙15之剖面積(Av1)的比(Av1/At1)為5%以上70%以下。
藉由第一層11滿足(I)及(II)之至少一個條件,而使第一層11之空隙15之定量狀態成為所需之狀態,低折射率膜10中第一層11易具有較低折射率。其結果,低折射率膜10易發揮較高之抗反射性能。空隙15可形成於第一層11之內部或低折射率膜10與其他構件之界面。
關於(I)之條件,「具有1000 nm2
以上之剖面積之空隙15」係指剖面S1中由空隙15與空隙15周圍物質之邊界所界定之1個空隙15之剖面積為1000 nm2
以上者。於求出數量密度ρv1之情形時,將包含第一層11之積層體之剖面中由具有沿基材20之表面1000 nm(1 μm)之長度(寬度)、與和第一層11之厚度d1對應之高度之長方形所包圍之區域設為剖面S1,對存在於其內部之具有1000 nm2
以上之剖面積之空隙15之數量進行計數。藉由將此數除以剖面S1之面積At1而求出數量密度ρv1。再者,於求出數量密度ρv1之情形時,對完全包含於剖面S1之區域內之空隙、基材或基底層之表面之一部分成為邊界之一部分之空隙、及僅一部分包含於剖面S1之空隙亦進行計數。藉由數量密度ρv1為5/μm2
以上,而使低折射率膜10中第一層11易具有較低折射率。此外,即便基材20之膨脹係數與低折射率膜10之膨脹係數之差較大,亦容易降低由溫度變化所導致之在低折射率膜10產生裂痕或破裂之風險。數量密度ρv1較理想為6/μm2
以上,更理想為8/μm2
以上,進而理想為10/μm2
以上。藉由數量密度ρv1為100/μm2
以下,而使低折射率膜10易具有所需之機械強度。此外,易防止可見光等入射光之散射變大,易將具備低折射率膜10之物品之霧度保持得較低。數量密度ρv1較理想為99/μm2
以下,更理想為90/μm2
以下,進而理想為85/μm2
以下。數量密度ρv1可為75/μm2
以下,亦可為50/μm2
以下。
關於(II)之條件,將以百分率表示之比(Av1/At1)亦稱為空隙率Vv1[%]。於求出空隙率Vv1之情形時,將存在於剖面S1之具有1000 nm2
以上之剖面積之空隙15之面積之總和設為Av1。再者,於求出空隙15之面積之總和Av1之情形時,考慮完全包含於剖面S1之區域內之空隙之面積,針對僅一部分包含於剖面S1之區域內之空隙則考慮存在於剖面S1之區域內的部分之面積,而求出Av1。藉由空隙率Vv1為5%以上,而使低折射率膜10中第一層11易具有較低之折射率。此外,即便基材20之膨脹係數與低折射率膜10之膨脹係數之差較大,亦容易降低由溫度變化所導致之低折射率膜10中產生裂痕或破裂之風險。空隙率Vv1較理想為高於5%,更理想為9%以上,進而理想為10%以上。藉由空隙率Vv1為70%以下,而使低折射率膜10易具有所需之機械強度。空隙率Vv1較理想為低於70%,更理想為65%以下。空隙率Vv1可為50%以下,亦可為30%以下。
當第一層11滿足上述(I)之條件時,數量密度ρv1例如多於沿基材20之表面延伸之第二層12之剖面S2中具有1000 nm2
以上的剖面積之空隙15之數量密度ρv2。藉此,於低折射率膜10中第一層11易更確實地具有較低折射率。於求出數量密度ρv2之情形時,對包含第二層12之積層體之剖面中由具有沿基材20之表面1000 nm(1 μm)之長度(寬度)、與和第二層12之厚度d2(=dt-d1)對應之高度之長方形所包圍之剖面S2之內部存在的具有1000 nm2
以上之剖面積之空隙15之數量進行計數。藉由將此數除以剖面S2之面積At2而求出數量密度ρv2。再者,於求出數量密度ρv2之情形時,除完全包含於剖面S2之區域內之空隙之外,對第二層12中與和第一層11相接之面相反側之面之一部分成為邊界之一部分之空隙、及僅一部分包含於剖面S2之區域內之空隙亦進行計數。將存在於剖面S2之具有1000 nm2
以上之剖面積之空隙15之面積的總和設為Av2。於求出空隙15之面積之總和Av2之情形時,考慮完全包含於剖面S2之區域內之空隙之面積,針對僅一部分包含於剖面S2之區域內之空隙則考慮存在於剖面S2之區域內之部分之面積,而求出Av2。
當第一層11滿足上述(II)之條件時,比(Av1/At1)例如高於比(Av2/At2)。比(Av2/At2)係將相對於沿基材20之表面延伸之具有1000 nm長度之第二層12之剖面S2的總面積At2而言之存在於第二層12之剖面S2之空隙15之剖面積Av2的比以百分率表示者。藉此,低折射率膜10中第一層11易更確實地具有較低之折射率。
典型而言,剖面S1及剖面S2係沿著與基材20之表面之法線平行之平面將低折射率膜10切斷而形成之剖面。隨附圖式中之剖視圖或電子顯微鏡照片所示之剖面屬於此種剖面。
第一層11及第二層12藉由與基材20之表面之法線正交之邊界面而區分。典型而言,於低折射率膜10之厚度方向,相較該邊界面更靠近基材20之部分屬於第一層11,相較該邊界面更遠離基材20之部分屬於第二層12。再者,該邊界面可為實際存在,亦可為假想。例如,黏合劑14可於第一層11及第二層12中呈連續相。
低折射率膜10例如具有70 nm以上之厚度dt。第一層11之厚度d1例如於70 nm≦dt≦400 nm時等於dt/2。又,第一層11之厚度d1例如於400 nm<dt時等於200 nm。藉由具有此種厚度之第一層11滿足(I)及(II)之至少一個條件,而使低折射率膜10易更確實地發揮較高之抗反射性能。
低折射率膜10之折射率較理想為1.05以上1.28以下,更理想為1.10以上1.25以下。
黏合劑14之材料並不限定於特定之材料。黏合劑14之材料例如係就耐環境性、耐磨性、及與基材之密接性等觀點而言滿足所需特性之材料。又,黏合劑14之材料較理想為相對於具備低折射率膜10之物品中使用之規定波長範圍之光具有較高透明性之材料。具備低折射率膜10之物品中使用之規定波長範圍可存在於可見光區域或近紅外線區域。
黏合劑14例如包含二氧化矽(silica)、矽倍半氧烷、或二氧化矽與矽倍半氧烷之混合物。該情形時,黏合劑14中,於可見光區域可確保透明性之波長之範圍易變廣。此外,亦能夠以某種程度降低黏合劑14之折射率。
黏合劑14例如亦可根據基材20之種類或具備低折射率膜10之物品所要求之性能而包含規定之硬化性樹脂。硬化性樹脂塗佈於基材20之表面之情形時為液狀,但於塗佈後藉由加熱及光能照射等方法而硬化,故低折射率膜10之製造變得容易。硬化性樹脂之例為酚樹脂、環氧樹脂、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺酯(polyurethane)樹脂、聚醯亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、及聚矽氧系樹脂。
於黏合劑14包含二氧化矽、矽倍半氧烷、或二氧化矽與矽倍半氧烷之混合物之情形時,例如滿足1%≦WSi
≦60%及5%≦WSq
≦90%之至少一個條件。WSi
係黏合劑14所包含之二氧化矽之質量相對於低折射率膜10之固形物成分之質量的比。WSq
係黏合劑14所包含之矽倍半氧烷之質量相對於低折射率膜10之固形物成分之質量的比。較理想為滿足5%≦WSi
≦60%及8%≦WSq
≦80%之至少一個條件,更理想為滿足8%≦WSi
≦30%及10%≦WSq
≦60%之至少一個條件。
於黏合劑14包含二氧化矽、矽倍半氧烷、或二氧化矽與矽倍半氧烷之混合物之情形時,例如滿足5%≦Wb≦90%之條件。Wb係黏合劑14所包含之二氧化矽之質量與矽倍半氧烷之質量之和相對於低折射率膜10之固形物成分之質量的比。較理想為滿足10%≦Wb≦85%之條件,更理想為滿足20%≦Wb≦80%之條件。黏合劑14之二氧化矽例如藉由四官能性烷氧基矽烷之水解及縮聚而獲得。黏合劑14中之矽倍半氧烷例如藉由三官能性烷氧基矽烷之水解及縮聚而獲得。
中空粒子13典型而言係具有由殼劃分之孔隙之粒子。藉由低折射率膜10含有中空粒子13,而使低折射率膜10之折射率易變低。
中空粒子13之平均粒徑de
並不限定於特定之值。中空粒子13之平均粒徑de
例如為20 nm以上100 nm以下。藉由平均粒徑de
為20 nm以上,而使中空粒子13之內部之孔隙易具有所需之容積。藉此,低折射率膜10之折射率易變低。藉由平均粒徑de
為100 nm以下,而使光之散射不易變大。中空粒子13之平均粒徑de
例如係個數基準之粒度分佈中之平均粒徑。
中空粒子13之平均粒徑de
較理想為25 nm以上90 nm以下,更理想為30 nm以上80 nm以下。
中空粒子13之殼之材料並不限定於特定之材料。中空粒子13之殼之材料之例為SiO2
、ZrO2
、及MgF2
等無機化合物、聚四氟乙烯(PTFE)及四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物(PFA)等氟系化合物、以及形成樹脂之聚合物。中空粒子13之殼之材料較理想為具有較低之折射率,例如具有SiO2
之折射率以下之折射率。
中空粒子13之殼之厚度並不限定於特定之值。中空粒子13之殼之厚度例如為5 nm以上20 nm以下,較理想為10 nm以上20 nm以下。
中空粒子13之質量相對於低折射率膜10之固形物成分之質量的比Whp[%]並不限定於特定之值。比Whp例如為5%以上90%以下,較理想為10%以上85%以下,更理想為20%以下80%以下。
低折射率膜10中之中空粒子13之含量與黏合劑14之含量之關係並不限定於特定之關係。低折射率膜10例如滿足0.2<Wb/Whp<20之條件。藉由滿足Wb/Whp<20之條件,而使低折射率膜10之折射率易變低。此外,即便基材20之膨脹係數與低折射率膜10之膨脹係數之差較大,亦不易因溫度變化導致低折射率膜10產生裂痕或破裂。藉由滿足0.2<Wb/Whp之條件,而使低折射率膜10易具有所需之機械強度,從而可期待不易產生低折射率膜10之破壞或低折射率膜10之剝離。
低折射率膜10較理想為滿足0.3<Wb/Whp<15之條件,更理想為滿足0.4<Wb/Whp<12之條件,進而理想為滿足0.5<Wb/Whp<10之條件。
低折射率膜10視需要亦可含有光吸收劑等功能性成分。藉此,低折射率膜10能夠發揮與功能性成分對應之附加功能。光吸收劑之例為紫外線吸收劑及紅外線吸收劑。紫外線吸收劑並不限定於特定之紫外線吸收劑。紫外線吸收劑之例為二苯基酮系紫外線吸收劑、苯并三唑系紫外線吸收劑、及三系紫外線吸收劑。紅外線吸收劑之例並不限定於特定之紅外線吸收劑。紅外線吸收劑之例為方酸菁(squarylium)系紅外線吸收劑、二亞銨(diimmonium)系紅外線吸收劑、花青系紅外線吸收劑、酞青系紅外線吸收劑、偶氮系紅外線吸收劑、以及包含膦酸及磷酸酯等磷酸衍生物與銅等金屬成分之磷酸-金屬化合物。
如圖1所示,例如可提供具備低折射率膜10之積層體1a。積層體1a具備基材20、及低折射率膜10。於積層體1a中,低折射率膜10沿基材20之表面形成。
低折射率膜10例如與基材20之表面接觸。
如圖1所示,於積層體1a中,低折射率膜10例如與基材20之一主面相接而形成。低折射率膜10例如亦可與基材20之兩主面相接而形成。
基材20可為具有平面之表面之板狀之構件,可為具有曲面之表面之透鏡等構件,可為包含具有凹凸之表面之繞射光柵等構件,亦可為包含具有微細凹凸之表面之微透鏡陣列及擴散器等構件。基材20亦可為具有藉由其等表面之組合而定義之表面之構件。
基材20係由低折射率膜或抗反射膜覆膜之物品或物品之一部分,但並不限定於具有特定功能之物品。基材20例如亦可為透鏡、反射鏡、稜鏡、擴散器、平板微透鏡陣列、偏光元件、繞射光柵、全像圖、光調變元件、光偏轉元件、及濾光器等光學元件(亦包含聲光學元件)、固體攝像器件、建築物或汽車之窗或擋風玻璃、頭盔、及護目鏡等透光性之護罩、顯示器及螢幕等顯示裝置。將低折射率膜10用於抗反射之情形時,積層體1a中光之穿透性易變高。
如圖1所示,基材20具備例如具有朝彼此相反側之2個主面之板狀之基板21。基板21之材料並不限定於特定之材料。基板21之材料例如為玻璃、樹脂、或矽等半導體材料。玻璃之例為鈉玻璃、硼矽酸玻璃、鋁硼矽酸玻璃、氟磷酸玻璃、磷酸玻璃、及折射率等光學特性提高之多成分系光學玻璃。樹脂之例為聚烯烴系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、環氧系樹脂、丙烯酸系樹脂、聚醚系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚胺酯系樹脂、及聚矽氧系樹脂。
依據日本產業標準(JIS)B 0601-1994而決定之基材20表面之算術平均粗糙度Ra並不限定於特定之值。基材20表面之算術平均粗糙度Ra例如為0.3 nm以上140 nm以下。藉由基材20表面之算術平均粗糙度Ra為0.3 nm以上,而使基材20與低折射率膜10之密接性易變得良好。因此,即便第一層11具有空隙15,低折射率膜10亦不易自基材20剝離。藉由基材20表面之算術平均粗糙度Ra為140 nm以下,而使低折射率膜10之膜厚不易於空間上不均,且低折射率膜10應發揮之功能不易於面內不均。此外,於積層體1a中藉由光之散射等現象而可防止有效光之穿透性能降低。
基材20表面之算術平均粗糙度Ra較理想為0.4 nm以上100 nm以下,更理想為0.5 nm以上50 nm以下,進而理想為0.5 nm以上35 nm以下。
基材20表面之算術平均粗糙度Ra及朝積層體1a之入射光之波長λi
[nm]例如滿足Ra≦λi
/4之關係。藉此,於積層體1a中不易引起光之散射。例如,於入射光為具有550 nm之波長之可見光之情形時,藉由滿足Ra≦550/4[nm]=137.5 nm之關係,而可防止由光之散射所導致之穿透率之降低。
基材20表面之算術平均粗糙度Ra及中空粒子13之平均粒徑de
例如滿足Ra≦de
之關係。藉此,於低折射率膜10中,中空粒子13易均勻地分散。例如,於中空粒子13之平均粒徑de
為50 nm之情形時,較理想為滿足Ra≦50 nm之關係。
基材20表面之水滴之接觸角α並不限定於特定之值。另一方面,藉由調節基材20之表面之潤濕性,而使低折射率膜10中於低折射率膜10與基材20之界面附近易形成空隙15。
基材20表面之水滴之接觸角α例如為5°以上140°以下。藉由接觸角α為5°以上,使作為低折射率膜10之前驅物之液狀組成物於基材20之表面彈起而可於第一層11以所需之狀態形成空隙15。藉由接觸角α為140°以下,而可防止作為低折射率膜10之前驅物之液狀組成物於基材20之表面過度彈起,從而低折射率膜10易具有所需之膜厚。此外,於低折射率膜10中不易產生條紋狀之疵點及膜厚之不均,於低折射率膜10之面內易發揮均勻之特性。
基材20表面之算術平均粗糙度Ra及基材20表面之水滴之接觸角α例如可藉由對基材20的表面實施規定之表面處理而調整。表面處理之方法之例為使用化學品處理或噴砂處理等使基材20之表面狀態產生化學或物理變化之方法。例如,根據使基材20之表面形成微細凹凸之方法,於基材20之表面,作為低折射率膜10之前驅物之液狀組成物易發揮投錨效應等物理接著效應。表面處理之方法之例亦可為電暈處理、電漿處理、紫外線照射處理、及火焰處理等使基材20表面之官能基的化學鍵結狀態變化之方法。藉由此種方法,亦可調節基材20表面之作為低折射率膜10之前驅物之液狀組成物之潤濕性。又,藉由底塗劑或矽烷偶合劑等表面處理劑之塗佈,亦可調節基材20表面之作為低折射率膜10之前驅物之液狀組成物之潤濕性。此外,基材20表面之算術平均粗糙度Ra及基材20表面之水滴的接觸角α亦可藉由以功能層及基底層等規定之層形成基材20之表面而調整。
基材20亦可具備規定之功能層。該情形時,功能層例如為抗反射膜、光吸收膜、及光反射膜等調節光之穿透性及反射性之層、膜、或薄膜狀者。抗反射膜例如為包含SiO2
、MgF2
、及TiO2
等無機材料之單層或多層之介電膜。光反射膜例如為包含SiO2
、MgF2
、及TiO2
等無機材料之單層或多層之介電膜。光反射膜亦可為金屬膜。光吸收膜例如為包含內包有紅外線吸收劑或紫外線吸收劑之樹脂之膜。紅外線吸收劑之例為方酸菁系色素、二亞銨系色素、花青系色素、酞青系色素、偶氮系色素、及包含含磷氧化物與銅等金屬之錯合物。紫外線吸收劑之例為二苯基酮系色素、苯并三唑系色素、及三系色素。功能層亦可為防霧膜、撥水性膜、撥油性膜、及親水性膜等調節對環境所包含之水分或油分之舉動之層、膜、或薄膜狀者。
低折射率膜10例如可藉由將規定之液狀組成物塗佈於基材20之表面以形成塗膜,且使該塗膜硬化而製造。液狀組成物例如可藉由將黏合劑14之原料與中空粒子13混合而調整。可視需要於液狀組成物添加上述功能性成分。
液狀組成物例如亦可包含溶劑及水。藉此,易實現液狀組成物之黏度調整、液狀組成物中之功能性成分之分散性之提昇、或黏合劑14之原料之溶解性之提昇等目的。溶劑並不限定於特定之溶劑。溶劑之例亦可為四氫呋喃(THF)、環己酮、環己烷、甲苯、二甲苯、醇類、酚類、水、甘油、丙酮、甲基乙基酮(MEK)、二乙醚、乙酸乙酯、及其等之混合物。
液狀組成物例如亦可包含酸。於黏合劑14之原料包含烷氧基矽烷之情形時,酸作為烷氧基矽烷之水解等反應之觸媒發揮作用。酸並不限定於特定之酸。酸之例為甲酸及鹽酸。
積層體1a根據各種觀點而能夠變更。例如,積層體1a亦可形成為圖2A所示之積層體1b、圖2B所示之積層體1c、圖2C所示之積層體1d、或圖2D所示之積層體1e。積層體1b、積層體1c、積層體1d、及積層體1e之各者除特別說明之部分外,與積層體1a同樣地構成。對於與積層體1a之構成要素相同或對應之積層體1b、積層體1c、積層體1d、或積層體1e之構成要素標註相同之符號,省略詳細之說明。關於積層體1a之說明,只要技術上不矛盾,則亦適於積層體1b、積層體1c、積層體1d、及積層體1e。
如圖2A及圖2B所示,積層體1b及1c之基材20進而具備基底層22。藉由基底層22而形成基材20之一個或兩個主面之表面。於積層體1b中,低折射率膜10形成於基底層22之上。藉由基底層22,易將基材20之表面調整成適於形成低折射率膜10之狀態。例如,易將基材20表面之算術平均粗糙度Ra或基材20表面之水滴之接觸角α調整成所需之範圍。
於積層體1c,於基材20之兩主面之表面上形成一對低折射率膜10。一對低折射率膜10之一者形成於基底層22上。
基底層22並不限定於特定之層。基底層22例如包含二氧化矽及矽倍半氧烷之至少一者。基底層22可包含二氧化矽,可包含矽倍半氧烷,亦可包含其等之混合物。基底層22亦可包含SiO2
、TiO2
、及MgF2
等無機材料。基底層22亦可為將該等無機材料之複數層積層而成之多層膜。基底層22亦可為包含聚烯烴系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、環氧系樹脂、丙烯酸系樹脂、聚醚系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚胺酯系樹脂、氟系樹脂、及聚矽氧系樹脂等樹脂之層。
如圖2A及圖2B所示,藉由基底層22而形成基材20之一主面之表面。另一方面,亦可藉由基底層22而形成基材20之兩主面之表面。該情形時,亦可於基材20之形成兩主面之表面之基底層22上形成一對低折射率膜10。
基底層22之厚度並不限定於特定之厚度。基底層22例如具有5~50 nm之厚度。
如圖2C及圖2D所示,積層體1d及1e之基材20進而具備功能層23。藉由功能層23而形成基材20之一主面之表面。於積層體1d,低折射率膜10形成於功能層23上。藉由功能層23而可對積層體1d及1e賦予所需之功能。此外,藉由功能層23亦能夠將基材20之表面調整成適於形成低折射率膜10之狀態。例如,藉由功能層23而易將基材20表面之算術平均粗糙度Ra或基材20表面之水滴之接觸角α調整成所需之範圍。
於積層體1e,於基材20之兩主面之表面上形成一對低折射率膜10。一對低折射率膜10中之一者形成於功能層23上。
功能層23只要具有規定之功能,則並不限定於特定之層。功能層23例如為抗反射膜、光吸收膜、及光反射膜等調節光之穿透性及反射性之層、膜、或薄膜狀者。抗反射膜例如係由包含SiO2
、MgF2
、及TiO2
等無機材料之單層或多層構成之膜。光反射膜例如亦可包含由包含SiO2
、MgF2
、及TiO2
等無機材料之單層或多層所構成之膜、或由金屬構成之金屬膜。光吸收膜例如為包含內包有紅外線吸收劑或紫外線吸收劑之樹脂之膜。紅外線吸收劑之例為方酸菁系色素、二亞銨系色素、花青系色素、酞青系色素、偶氮系色素、及包含含磷氧化物與銅等金屬之錯合物。紫外線吸收劑之例為二苯基酮系色素、苯并三唑系色素、及三系色素。光吸收膜亦可包含由金屬構成之金屬膜。
功能層23亦可為防霧膜、撥水性膜、撥油性膜、及親水性膜等調節對環境所含之水分或油分之舉動之層、膜、或薄膜狀者。換言之,積層體1d及1e亦可具備基材20、形成於基材20上之防霧膜、撥水性膜、撥油性膜、及親水性膜之至少一者、及低折射率膜10。
如圖2C及圖2D所示,藉由功能層23而形成基材20之一主面之表面。另一方面,亦可藉由功能層23形成基材20之兩主面之表面。該情形時,於基材20之形成兩主面之表面之功能層23上亦可分別形成低折射率膜10。
可提供具備低折射率膜10之各種物品。例如,可提供具有由低折射率膜10形成之表面之光學元件。又,亦可提供具備低折射率膜10之防風材。防風材之例為窗玻璃及擋風玻璃。進而,亦可提供具備低折射率膜10之顯示裝置。
實施例
由實施例更詳細地說明本發明。再者,本發明並不限定於以下實施例。首先,說明關於各實施例及各比較例之評價方法。
<成膜性之評價>
評價各實施例及各比較例之低折射率膜用液狀組成物對各實施例及各比較例之基材之表面之成膜性。於確認到將低折射率膜用液狀組成物塗佈於基材之表面時存在未塗佈之部分、或存在低折射率膜之厚度不均勻之情形時,將成膜性評價為「F」。另一方面,當未確認到該等情況時,將成膜性評價為「A」。將結果示於表2。
<反射率、折射率、及膜厚>
使用分光光度計(日立高新技術公司製造,產品名:U-4000),將入射角度調整成12°,測定各實施例及各比較例之積層體之分光反射率。進而,使用光學薄膜設計軟體FilmWizard(Scientific Computing International公司製造),求出各實施例及各比較例之低折射率膜之折射率及膜厚。將在D線(波長589 nm)之分光反射率、折射率、及膜厚示於表2。又,作為分光反射率之測定相關之積層體,可使用以下積層體,即,於在基材之一主面形成低折射率膜之情形時,藉由將未形成低折射率膜之主面製成以黑色塗裝其整面之粗糙面、或製成無光澤面等方法而可忽略該主面之反射等之影響。該情形時,黑色之塗料並不限定於特定之塗料,可為墨塗,亦可為被稱為防眩料(flare cut)之光學領域使用之塗料。作為黑色之塗料,例如可使用CANON化成公司製造之GT-1000、GT-2000、GT-7、及CS-37。無光澤面例如使用具有#500(500號)以上之粒度之研削材而形成。亦可將已被加工成無光澤面之主面於其後塗裝成黑色。於積層體包含基底層之情形時,關於基底層之膜厚,於形成低折射率膜前,使用FILMETRICS公司製造之膜厚測定系統F20-UV,藉由反射分光法而測定膜厚。
<霧度>
使用霧度計(SUGA Test Instruments公司製造,產品名:HZ-V3),於各實施例及各比較例之積層體彼此分開1 cm之3點測定霧度,求出其平均值,且將該平均值作為各實施例及比較例之霧度。將結果示於表2。
<空隙之數量Nv及空隙率Vv1>
為了確認各實施例及各比較例之積層體之低折射率膜中之空隙之狀態,首先,沿與基材表面之法線平行之剖面,使用精工電子奈米科技公司製造之聚焦離子束裝置SMI3200F切下100 nm之厚度。於最表面蒸鍍厚度400~500 nm之碳而製作試樣。對該試樣之剖面,使用日立高新技術公司製造之掃描穿透式電子顯微鏡(STEM)S-5500,於250000倍之倍率之視野進行明視野之穿透觀察,取得包含低折射率膜之積層體之穿透拍攝影像。加速電壓為200 kV。於積層體之穿透拍攝影像中,進行白增強而觀察空隙。將所取得之積層體之剖面之穿透拍攝影像以0~255之色調數值化後,進行直方圖等化處理,取得具有固定對比度之影像。其後,將229~255之色調視為空隙。以如下方式算出空隙之數量、數量密度、及剖面積。首先,對積層體之剖面之穿透拍攝影像,沿著與基材之表面平行之方向取得1000 nm(1 μm)之影像,並基於上述方法特定出空隙。圖4中顯示積層體之剖面之穿透拍攝影像與所特定出之空隙之圖。圖4中以黑色表示空隙以便與其他部分進行區分。繼而,測量低折射率膜之厚度dt並求出第一層之厚度d1,藉由d1×1000之運算而求出第一層之剖面S1之面積At1。關於第一層之厚度d1,當70 nm≦dt≦400 nm時,d1=dt/2,當400 nm<dt時d1=200 nm。對第一層之剖面S1所包含之空隙中之其剖面積為1000 nm2
以上之空隙之數量Nv1進行計數,算出剖面積為1000 nm2
以上之空隙之剖面積之和Av1。以相同之方式算出第二層之剖面S2之面積At2(=(dt-d1)×1000),對第二層之剖面S2所包含之空隙中之其剖面積為1000 nm2
以上之空隙之數量Nv2進行計數,算出剖面積為1000 nm2
以上之空隙之剖面積之和Av2。將空隙之數量Nv1除以面積At1而求出數量密度ρv1。此外,將空隙之剖面積之和Av1除以面積At1而決定空隙率Vv1。於各實施例等中,對於面內分開10 mm之3點取得積層體之穿透拍攝影像,分別求出上述參數並採用其等之平均值。空隙之數量Nv及空隙之面積比Vv[%]之值採用捨去小數點以下之值。關於以上運算等,於需要時,藉由美國國立衛生研究所提供之影像處理軟體ImageJ版本1.51進行。
<耐磨性試驗>
在將50 g/cm2
之負載施加於各實施例及各比較例之積層體之狀態,以旭化成化學公司製造之棉布Clint於積層體之表面往返5次。其後,測定在D線(波長=589 nm)之反射率,比較耐磨性試驗前後之反射率之差。關於反射率之差ΔRD
,將ΔRD
/(耐磨性試驗前之在D線之反射率RD
)≦25%之情形評價為「A」,將ΔRD
/(耐磨性試驗前之在D線之反射率RD
)>25%之情形評價為「F」。
<實施例1>
將0.6 g之四乙氧基矽烷(TEOS)(東京化成工業公司製造)、1.18 g之甲基三乙氧基矽烷(MTES)(東京化成工業公司製造)、0.82 g之0.3質量%甲酸(岸田化學公司製造)、3 g之含中空二氧化矽粒子之溶膠(日揮觸媒化成公司製造,產品名:Thrulya 4110)、及22.4 g之乙醇(岸田化學公司製造)混合,於35℃反應3小時。所使用之含中空二氧化矽粒子之溶膠包含溶劑,作為固形物成分含有25質量%之中空二氧化矽,於個數基準之粒度分佈之中空二氧化矽粒子之平均粒徑為約50 nm。中空二氧化矽粒子之由二氧化矽形成之殼之厚度為10~20 nm。中空二氧化矽粒子之內部空間之最大尺寸為約10~30 nm。中空粒子之折射率為1.25。以此方式,獲得實施例1之低折射率膜用液狀組成物。於實施例1之低折射率膜用液狀組成物中,來自TEOS之固形物成分之含量換算成二氧化矽為0.6質量%,來自MTES之固形物成分甲基矽倍半氧烷(MeSq)之含量為1.6質量%,中空二氧化矽粒子之含量為2.6質量%。於實施例1之低折射率膜用液狀組成物之固形物成分中,以質量基準計,包含來自TEOS之二氧化矽13%、來自MTES之MeSq 33%、及中空二氧化矽粒子54%。再者,中空二氧化矽粒子之含量係在假定含中空二氧化矽粒子之溶膠中之固形物成分為25質量%,且該固形物成分為中空二氧化矽粒子的前提下求出。又,於實施例1之低折射率膜用液狀組成物之製備中添加之MTES之物質量相對於TEOS之物質量的比為7/3。
使用超音波清洗機(日本Emerson公司製造,型號:Bransonic 5510-J-DTH,輸出:135 W),將由鈉鈣玻璃構成之玻璃基板(尺寸:40 mm×40 mm,厚度:1 mm,雙面研磨品,折射率:1.52)於超純水中清洗15分鐘。其後,將該玻璃基板於市售之鹼性清洗液(Semi Clean L.G.L之2%稀釋液,橫浜油脂工業公司製造)中清洗15分鐘,繼而於超純水中清洗15分鐘。其後,使用電暈表面處理裝置(信光電氣儀錶公司製造,型號:Corona Master PS-1M),以14 kV之輸出對玻璃基板之表面進行電暈處理。電暈處理後之玻璃基板表面之水滴之接觸角為2°。將該玻璃基板於保持為溫度23~25℃及相對濕度50~60%之條件之潔淨度未達100之清潔台中保存12小時。以此方式製作實施例1之基材。如表1所示,實施例1之基材表面之水滴之接觸角為32°,實施例1之基材表面之算術平均粗糙度Ra為0.5 nm。水滴之接觸角係使用ASUMI GIKEN公司製造之接觸角計測定。算術平均粗糙度Ra係基於在循環接觸模式使用精工電子公司製造之電子力顯微鏡SPI3700之測定結果,依照JIS B 0601-1994而決定。此情形於其他實施例及比較例中亦相同。
於實施例1之基材之一主面,以旋轉塗佈法塗佈實施例1之低折射率膜用液狀組成物,形成塗膜。塗膜具有良好且均勻之外觀。其後,將形成有塗膜之基材於保持為200℃之烘箱內設置10分鐘,使塗膜乾燥,獲得實施例1之低折射率膜。藉此,獲得具備基材、及形成於基材上之低折射率膜之實施例1之積層體。觀察實施例1之低折射率膜之外觀時發現,具有均勻之厚度。將實施例1之積層體之未形成低折射率膜之基材的面研削而使其成為無光澤面後,測定分光反射率。實施例1之積層體之在D線(波長589 nm)之反射率為0.53%,實施例1之低折射率膜之膜厚為121 nm,求出折射率為1.16。於實施例1之低折射率膜中,將形成黏合劑之二氧化矽及矽倍半氧烷以及中空二氧化矽粒子之各質量假定為與實施例1之液狀組成物之固形物成分所包含的對應成分之各質量相等而求出。將結果示於表2。
<實施例2>
除下述方面外,以與實施例1相同之方式製備實施例2之低折射率膜用液狀組成物。在假定相對於低折射率膜用液狀組成物之固形物成分整體之質量而言之各成分之質量的比,與相對於低折射率膜之質量而言之各成分之質量的比相等的前提下,以相對於低折射率膜之質量而言之各成分之質量的比成為表2所示之值之方式,調整TEOS、MTES、及含中空二氧化矽粒子之溶膠之添加量。
將0.6 g之四乙氧基矽烷(TEOS)(東京化成工業公司製造)、1.18 g之甲基三乙氧基矽烷(MTES)(東京化成工業公司製造)、0.82 g之0.3質量%甲酸(岸田化學公司製造)、及22.4 g之乙醇(岸田化學公司製造)混合,於35℃反應3小時。其後,將乙醇添加至該混合液,將來自TEOS之二氧化矽與來自MTES之甲基矽倍半氧烷(MeSq)之固形物成分之總計調整為3質量%,獲得基底層用液狀組成物B。
於預先藉由鹼清洗而清洗之由浮法玻璃構成之玻璃基板(尺寸:40 mm×40 mm,厚度:1 mm,折射率:1.52)之一主面,以旋轉塗佈法塗佈基底層用液狀組成物B,形成塗膜。繼而,使該塗膜於烘箱內部於200℃及10分鐘之條件乾燥而形成基底層B2。獲得實施例2之基材。基底層B2之厚度為13 nm。基底層B2表面之水滴之接觸角為45°,基底層B2表面之算術平均粗糙度Ra為17 nm。
於實施例2之基材之基底層B2之表面,以旋轉塗佈法塗佈實施例2之低折射率膜用液狀組成物,形成塗膜。剛塗佈後之塗膜具有良好且均勻之外觀。其後,將實施例2之基材於保持為200℃之烘箱中設置10分鐘而使塗膜乾燥,形成實施例2之低折射率膜。藉此,獲得具備基材、及形成於基材上之低折射率膜之實施例2之積層體。根據實施例2之低折射率膜之外觀觀察,實施例2之低折射率膜具有均勻之厚度。將實施例2之積層體之未形成低折射率膜之基材之面研削而使其成為無光澤面後,測定分光反射率。又,基底層B2之膜厚為10 nm左右,折射率與作為基材之玻璃幾乎無變化,故認為基底層B2對積層體之反射率幾乎不會造成影響。根據所獲得之分光反射率,積層體之在D線之反射率為0.1%以下,實施例2之低折射率膜之膜厚為121 nm,算出折射率為1.23。以質量基準計,於實施例2之低折射率膜包含形成黏合劑之二氧化矽23%、矽倍半氧烷57%、及中空二氧化矽粒子20%。
<實施例3>
除下述方面外,以與實施例1相同之方式製備實施例3之低折射率膜用液狀組成物。在假定相對於低折射率膜用液狀組成物之固形物成分整體之質量而言之各成分之質量的比,與相對於低折射率膜之質量而言之各成分之質量的比相等的前提下,以相對於低折射率膜之質量而言之各成分之質量的比成為表2所示之值之方式,調整TEOS、MTES、及含中空二氧化矽粒子之溶膠之添加量。
於預先藉由鹼清洗而清洗之由浮法玻璃構成之玻璃基板(尺寸:40 mm×40 mm,厚度:1 mm,折射率:1.52)之兩主面,以旋轉塗佈法塗佈與實施例2相同之基底層用液狀組成物B,形成塗膜。繼而,使該塗膜於烘箱內部於200℃及10分鐘之條件乾燥而形成基底層B3,獲得實施例3之基材。基底層B3之厚度為13 nm。基底層B3表面之水滴之接觸角為43°,基底層B3表面之算術平均粗糙度Ra為11 nm。
於實施例3之基材之基底層B3之表面,以旋轉塗佈法塗佈實施例3之低折射率膜用液狀組成物,形成塗膜。剛塗佈後之塗膜具有良好且均勻之外觀。其後,將實施例3之基材於保持為200℃之烘箱中設置10分鐘而使塗膜乾燥,形成實施例3之低折射率膜。藉此,獲得具備基材、及形成於基材上之低折射率膜之實施例3之積層體。根據實施例3之低折射率膜之外觀觀察,實施例3之低折射率膜具有均勻之厚度。以與實施例1之情形相同之方式測定實施例3之積層體之分光反射率後,算出各參數。實施例3之積層體之在D線之反射率為0.25%,實施例3之低折射率膜之膜厚為120 nm,折射率為1.19。以質量基準計,於實施例3之低折射率膜包含形成黏合劑之二氧化矽19%、矽倍半氧烷51%、及中空二氧化矽粒子30%。
<實施例4>
除下述方面外,以與實施例1相同之方式製備實施例4之低折射率膜用液狀組成物。在假定相對於低折射率膜用液狀組成物之固形物成分整體之質量而言之各成分之質量的比,與相對於低折射率膜之質量而言之各成分之質量的比相等的前提下,以相對於低折射率膜之質量而言之各成分之質量的比成為表2所示之值之方式,調整TEOS、MTES、及含中空二氧化矽粒子之溶膠之添加量。
於預先藉由鹼清洗而清洗之由浮法玻璃構成之玻璃基板(尺寸:40 mm×40 mm,厚度:1 mm,折射率:1.52)之一主面,以旋轉塗佈法塗佈與實施例2相同之基底層用液狀組成物B,形成塗膜。繼而,使該塗膜於烘箱內部於200℃及10分鐘之條件乾燥而形成基底層B4,獲得實施例4之基材。基底層B4之厚度為11 nm。基底層B4表面之水滴之接觸角為42°,基底層B4表面之算術平均粗糙度Ra為13 nm。
於實施例4之基材之基底層B4之表面,以旋轉塗佈法塗佈實施例4之低折射率膜用液狀組成物,形成塗膜。剛塗佈後之塗膜具有良好且均勻之外觀。其後,將實施例4之基材於保持為200℃之烘箱中設置10分鐘而使塗膜乾燥,形成實施例4之低折射率膜。藉此,獲得具備基材、及形成於基材上之低折射率膜之實施例4之積層體。根據實施例4之低折射率膜之外觀觀察,實施例4之低折射率膜具有均勻之厚度。以與實施例1之情形相同之方式測定實施例4之積層體之分光反射率後,算出各參數。實施例4之積層體之在D線之反射率為0.62%,實施例4之低折射率膜之膜厚為123 nm,折射率為1.15。以質量基準計,於實施例4之低折射率膜包含形成黏合劑之二氧化矽17%、矽倍半氧烷43%、及中空二氧化矽粒子40%。
<實施例5>
除下述方面外,以與實施例1相同之方式製備實施例5之低折射率膜用液狀組成物。在假定相對於低折射率膜用液狀組成物之固形物成分整體之質量而言之各成分之質量的比,與相對於低折射率膜之質量而言之各成分之質量的比相等的前提下,以相對於低折射率膜之質量而言之各成分之質量的比成為表2所示之值之方式,調整TEOS、MTES、及含中空二氧化矽粒子之溶膠之添加量。
於預先藉由鹼清洗而清洗之由浮法玻璃構成之玻璃基板(尺寸:40 mm×40 mm,厚度:1 mm,折射率:1.52)之一主面,以旋轉塗佈法塗佈與實施例2相同之基底層用液狀組成物B,形成塗膜。繼而,使該塗膜於烘箱內部於200℃及10分鐘之條件乾燥而形成基底層B5,獲得實施例5之基材。基底層B5之厚度為11 nm。基底層B5表面之水滴之接觸角為44°,基底層B5表面之算術平均粗糙度Ra為16 nm。
於實施例5之基材之基底層B5之表面,以旋轉塗佈法塗佈實施例5之低折射率膜用液狀組成物,形成塗膜。剛塗佈後之塗膜具有良好且均勻之外觀。其後,將實施例5之基材於保持為200℃之烘箱中設置10分鐘而使塗膜乾燥,形成實施例5之低折射率膜。藉此,獲得具備基材、及形成於基材上之低折射率膜之實施例5之積層體。根據實施例5之低折射率膜之外觀觀察,實施例5之低折射率膜具有均勻之厚度。以與實施例1之情形相同之方式測定實施例5之積層體之分光反射率後,算出各參數。實施例5之積層體之在D線之反射率為1.13%,實施例5之低折射率膜之膜厚為121 nm,折射率為1.12。以質量基準計,於實施例5之低折射率膜包含形成黏合劑之二氧化矽14%、矽倍半氧烷36%、及中空二氧化矽粒子50%。
<實施例6>
除下述方面外,以與實施例1相同之方式製備實施例6之低折射率膜用液狀組成物。在假定相對於低折射率膜用液狀組成物之固形物成分整體之質量而言之各成分之質量的比,與相對於低折射率膜之質量而言之各成分之質量的比相等的前提下,以相對於低折射率膜之質量而言之各成分之質量的比成為表2所示之值之方式,調整TEOS、MTES、及含中空二氧化矽粒子之溶膠之添加量。
於預先藉由鹼清洗而清洗之由浮法玻璃構成之玻璃基板(尺寸:40 mm×40 mm,厚度:1 mm,折射率:1.52)之兩主面,以旋轉塗佈法塗佈與實施例2相同之基底層用液狀組成物B,形成塗膜。繼而,使該塗膜於烘箱內部於200℃及10分鐘之條件乾燥而形成基底層B6,獲得實施例6之基材。基底層B6之厚度為14 nm。基底層B6表面之水滴之接觸角為41°,基底層B6表面之算術平均粗糙度Ra為12 nm。
於實施例6之基材之基底層B6之表面,以旋轉塗佈法塗佈實施例6之低折射率膜用液狀組成物,形成塗膜。剛塗佈後之塗膜具有良好且均勻之外觀。其後,將實施例6之基材於保持為200℃之烘箱中設置10分鐘而使塗膜乾燥,形成實施例6之低折射率膜。藉此,獲得具備基材、及形成於基材上之低折射率膜之實施例6之積層體。根據實施例6之低折射率膜之外觀觀察,實施例6之低折射率膜具有均勻之厚度。以與實施例1之情形相同之方式測定實施例6之積層體之分光反射率後,算出各參數。實施例6之積層體之在D線之反射率為1.50%,實施例6之低折射率膜之膜厚為122 nm,折射率為1.10。以質量基準計,於實施例6之低折射率膜包含形成黏合劑之二氧化矽8%、矽倍半氧烷22%、及中空二氧化矽粒子70%。
<實施例7>
於3 g正辛基三氯矽烷(東京化成工業公司製造)添加97 g乙醇,獲得基底層用液狀組成物C。
於預先藉由鹼清洗而清洗之由浮法玻璃構成之玻璃基板(尺寸:40 mm×40 mm,厚度:1 mm,折射率:1.52)之一主面,以旋轉塗佈法塗佈基底層用液狀組成物C,形成塗膜。繼而,使該塗膜於烘箱內部於200℃及10分鐘之條件乾燥而形成基底層C7,獲得實施例7之基材。基底層C7之厚度為13 nm。基底層C7表面之水滴之接觸角為64°,基底層C7表面之算術平均粗糙度Ra為23 nm。
於實施例7之基材之基底層C7之表面,以旋轉塗佈法塗佈與實施例1相同之低折射率膜用液狀組成物,形成塗膜。剛塗佈後之塗膜具有良好且均勻之外觀。其後,將實施例7之基材於保持為200℃之烘箱中設置10分鐘而使塗膜乾燥,形成實施例7之低折射率膜。藉此,獲得具備基材、及形成於基材上之低折射率膜之實施例7之積層體。根據實施例7之低折射率膜之外觀觀察,實施例7之低折射率膜具有均勻之厚度。以與實施例1之情形相同之方式測定實施例7之積層體之分光反射率後,算出各參數。實施例7之積層體之在D線之反射率為0.45%,實施例7之低折射率膜之膜厚為119 nm,折射率為1.17。以質量基準計,於實施例7之低折射率膜包含形成黏合劑之二氧化矽13%、矽倍半氧烷33%、及中空二氧化矽粒子54%。
<實施例8>
於3 g之1H,1H,2H,2H-全氟辛基三氯矽烷(東京化成工業公司製造)添加97 g乙醇,獲得基底層用液狀組成物D。
於預先藉由鹼清洗而清洗之由浮法玻璃構成之玻璃基板(尺寸:40 mm×40 mm,厚度:1 mm,折射率:1.52)之一主面,以旋轉塗佈法塗佈基底層用液狀組成物D,形成塗膜。繼而,使該塗膜於烘箱內部於200℃及10分鐘之條件乾燥而形成基底層D8,獲得實施例8之基材。基底層D8之厚度為11 nm。基底層D8表面之水滴之接觸角為118°,基底層D8表面之算術平均粗糙度Ra為35 nm。
於實施例8之基材之基底層D8之表面,以旋轉塗佈法塗佈與實施例1相同之低折射率膜用液狀組成物,形成塗膜。剛塗佈後之塗膜具有良好且均勻之外觀。其後,將實施例8之基材於保持為200℃之烘箱中設置10分鐘而使塗膜乾燥,形成實施例8之低折射率膜。藉此,獲得具備基材、及形成於基材上之低折射率膜之實施例8之積層體。根據實施例8之低折射率膜之外觀觀察,實施例8之低折射率膜具有均勻之厚度。以與實施例1之情形相同之方式測定實施例8之積層體之分光反射率後,算出各參數。實施例8之積層體之在D線之反射率為0.55%,實施例8之低折射率膜之膜厚為120 nm,折射率為1.16。以質量基準計,於實施例8之低折射率膜包含形成黏合劑之二氧化矽13%、矽倍半氧烷33%、及中空二氧化矽粒子54%。
<實施例9>
使用超音波清洗機,將聚碳酸酯(PC)製之基板(AS ONE公司製造,商品號:PCC0050503,尺寸:40 mm×40 mm,厚度:1 mm,折射率:1.59)於超純水中清洗15分鐘。其後,將PC製之基板以市售之鹼性清洗液清洗15分鐘,進而於超純水中清洗15分鐘。繼而,以與實施例1時相同之方法及條件使用電暈表面處理裝置(信光電氣儀錶公司製造,型號:Corona Master PS-1M),以14 kV之輸出將PC製之基板之表面電暈處理10分鐘,獲得實施例9之基材。電暈處理後之PC製之基板表面之水滴之接觸角為19°,電暈處理後之PC製之基板表面之算術平均粗糙度Ra為34 nm。
於實施例9之基材之一主面以旋轉塗佈法塗佈與實施例1相同之低折射率膜用液狀組成物。剛塗佈後之塗膜具有良好且均勻之外觀。其後,將實施例9之基材於保持為200℃之烘箱中設置10分鐘而使塗膜乾燥,形成實施例9之低折射率膜。藉此,獲得具備基材、及形成於基材上之低折射率膜之實施例9之積層體。根據實施例9之低折射率膜之外觀觀察,實施例9之低折射率膜具有均勻之厚度。以與實施例1之情形相同之方式測定實施例9之積層體之分光反射率後,算出各參數。實施例9之積層體之在D線之反射率為0.57%,實施例9之低折射率膜之膜厚為122 nm,折射率為1.18。以質量基準計,於實施例9之低折射率膜包含形成黏合劑之二氧化矽13%、矽倍半氧烷33%、及中空二氧化矽粒子54%。
<實施例10>
使用超音波清洗機,將與實施例9中使用之PC製之基板相同種類之基板於超純水中清洗15分鐘。其後,將PC製之基板以市售之鹼性清洗液清洗15分鐘,進而於超純水中清洗15分鐘。繼而,除將處理時間調整為1分鐘之外,以與實施例1時相同之方法及條件進行電暈處理,獲得實施例10之基材。電暈處理後之PC製之基板表面之水滴之接觸角為37°,電暈處理後之PC製之基板表面之算術平均粗糙度Ra為27 nm。
於實施例10之基材之一主面以旋轉塗佈法塗佈與實施例1相同之低折射率膜用液狀組成物。剛塗佈後之塗膜具有良好且均勻之外觀。其後,將實施例10之基材於保持為200℃之烘箱中設置10分鐘而使塗膜乾燥,形成實施例10之低折射率膜。藉此,獲得具備基材、及形成於基材上之低折射率膜之實施例10之積層體。根據實施例10之低折射率膜之外觀觀察,實施例10之低折射率膜具有均勻之厚度。以與實施例1之情形相同之方式測定實施例10之積層體之分光反射率後,算出各參數。實施例10之積層體之在D線之反射率為0.73%,實施例10之低折射率膜之膜厚為121 nm,折射率為1.17。如表2所示,以質量基準計,於實施例10之低折射率膜包含形成黏合劑之二氧化矽13%、矽倍半氧烷33%、及中空二氧化矽粒子54%。
<實施例11>
使用超音波清洗機,將與實施例9中使用之PC製之基板相同種類之基板於超純水中清洗15分鐘。其後,將PC製之基板以市售之鹼性清洗液清洗15分鐘,進而於超純水中清洗15分鐘,獲得實施例11之基材。實施例11之基材表面之水滴之接觸角為71°,實施例11之基材表面之算術平均粗糙度Ra為21 nm。
於實施例11之基材之一主面以旋轉塗佈法塗佈與實施例1相同之低折射率膜用液狀組成物。剛塗佈後之塗膜具有良好且均勻之外觀。其後,將實施例11之基材於保持為200℃之烘箱中設置10分鐘而使塗膜乾燥,形成實施例11之低折射率膜。藉此,獲得具備基材、及形成於基材上之低折射率膜之實施例11之積層體。根據實施例11之低折射率膜之外觀觀察,實施例11之低折射率膜具有均勻之厚度。以與實施例1之情形相同之方式測定實施例11之積層體之分光反射率後,算出各參數。實施例11之積層體之在D線之反射率為0.84%,實施例11之低折射率膜之膜厚為123 nm,折射率為1.16。如表2所示,以質量基準計,實施例11之低折射率膜包含形成黏合劑之二氧化矽13%、矽倍半氧烷33%、及中空二氧化矽粒子54%。
<比較例1>
攪拌99.5 g之十甲基環五矽氧烷(信越化學工業公司製造,產品名KF-995),並同時將0.5 g之信越化學工業公司製造之四氯矽烷(SiCl4
)添加至十甲基環五矽氧烷,製備以二氧化矽為主成分之基底層用組成物E1。此外,攪拌98 g之十甲基環五矽氧烷,並同時將2 g之十七氟癸基三氯矽烷(CF3
(CF2
)7
(CH2
)2
SiCl3
)添加至十甲基環五矽氧烷,製備基底層用組成物E2。
將基底層用組成物E1於溫度25℃及相對濕度30%之環境以流塗法塗佈於預先藉由鹼清洗而清洗之由浮法玻璃構成之玻璃基板(尺寸:40 mm×40 mm,厚度:1 mm,折射率:1.52)之一主面而形成塗膜,將塗膜以濕式狀態靜置一分鐘。繼而,將基底層用組成物E1以相同之條件由流塗法塗佈於該塗膜上,將塗佈物以濕式狀態靜置一分鐘。接著,自玻璃基板表面上之濕式之基底層用組成物E1之塗膜上,以與上述條件相同之條件藉由流塗法塗佈基底層用組成物E2,將塗佈物以濕式狀態靜置一分鐘。繼而,以乙醇將表面之基底層用組成物之剩餘成分完全洗掉,使塗膜自然乾燥而形成基底層E14,獲得比較例1之基材。基底層E14藉由基底層用組成物E2之作用而具有撥水性。此外,確認到藉由基底層用組成物E1之作用而於基底層E14之表面形成微粒子狀突起物與柱狀突起物。基底層E14之厚度為14 nm。基底層E14表面之水滴之接觸角為157°,基底層E14表面之算術平均粗糙度Ra為43 nm。
於比較例1之基材之基底層E14之表面,以旋轉塗佈法塗佈比較例1之低折射率膜用液狀組成物。然而,橫跨比較例1之基材之表面之一面產生條紋狀之塗佈不均,未獲得均勻之膜。
<比較例2>
將0.6 g之四乙氧基矽烷(TEOS)(東京化成工業公司製造)、1.18 g之甲基三乙氧基矽烷(MTES)(東京化成工業公司製造)、0.82 g之0.3質量%甲酸(岸田化學公司製造)、3 g之二氧化矽溶膠(日產化學製造,產品名:Snowtex MP-2040,平均粒徑:200 nm)、及22.4 g之乙醇(岸田化學公司製造)混合,於35℃反應3小時。於該混合液添加乙醇,將來自四乙氧基矽烷之二氧化矽與來自甲基三乙氧基矽烷之甲基矽倍半氧烷(MeSq)之固形物成分之總計調整為5質量%,獲得基底層用液狀組成物F。
於預先藉由鹼清洗而清洗之由浮法玻璃構成之玻璃基板(尺寸:40 mm×40 mm,厚度:1 mm,折射率:1.52)之一主面,以旋轉塗佈法塗佈基底層用液狀組成物F,形成塗膜。繼而,使該塗膜於烘箱內部於200℃及10分鐘之條件乾燥而形成基底層F15,獲得比較例2之基材。基底層F15之厚度為170 nm。基底層F15表面之水滴之接觸角為52°,基底層F15表面之算術平均粗糙度Ra為150 nm。
於比較例2之基材之基底層F15之表面以旋轉塗佈法塗佈比較例1之低折射率膜用液狀組成物。然而,遍及比較例2之基材之表面之一面而產生條紋狀之塗佈不均,未獲得均勻之膜。
[表1]
基板 材質 | 預處理 | 基底層 | 保存時間 [小時] | 表面之參數 | |||||
鹼 清洗 | 電暈 處理 [分鐘] | 種類 | 膜厚 [nm] | 算術平均粗糙度 Ra[nm] | 水滴之接觸角 [°] | ||||
實施例1 | 玻璃 | 〇 | 10 | - | - | 12 | 0.5 | 32 | |
實施例2 | 玻璃 | 〇 | - | B2 | 13 | - | 17 | 45 | |
實施例3 | 玻璃 | 〇 | - | B3 | 13 | - | 11 | 43 | |
實施例4 | 玻璃 | 〇 | - | B4 | 11 | - | 13 | 42 | |
實施例5 | 玻璃 | 〇 | - | B5 | 11 | - | 16 | 44 | |
實施例6 | 玻璃 | 〇 | - | B6 | 14 | - | 12 | 41 | |
實施例7 | 玻璃 | 〇 | - | C7 | 13 | - | 23 | 64 | |
實施例8 | 玻璃 | 〇 | - | D8 | 11 | - | 35 | 118 | |
實施例9 | PC | 〇 | 10 | - | - | - | 34 | 19 | |
實施例10 | PC | 〇 | 1 | - | - | - | 27 | 37 | |
實施例11 | PC | 〇 | - | - | - | - | 21 | 71 | |
比較例1 | 玻璃 | 〇 | - | E14 | 14 | - | 43 | 157 | |
比較例2 | 玻璃 | 〇 | - | F15 | 170 | - | 150 | 52 |
[表2]
實施例 | 積層體、低折射率膜 | ||||||||||||
中空 粒子 | 黏合劑 | 黏合劑/ 中空粒子 | 空隙 | 光學特性 | 膜厚 [nm] | 成膜性 | 耐磨性 | ||||||
質量比 Whp [質量%] | 二氧化矽質量比 [質量%] | MeSq 質量比 [質量%] | Wb [質量%] | Wb/Whp | ρv1 [/μm2 ] | Vv1 [%] | 反射率 (D線) [%] | 折射率 (D線) | 霧度 [%] | ||||
實施例1 | 54 | 13 | 33 | 46 | 0.85 | 19 | 36 | 0.53 | 1.16 | 0.1 | 121 | A | A |
實施例2 | 20 | 23 | 57 | 80 | 4.00 | 8 | 9 | 0.1≧ | 1.23 | 0.2 | 121 | A | A |
實施例3 | 30 | 19 | 51 | 70 | 2.33 | 13 | 26 | 0.25 | 1.19 | 0.4 | 120 | A | A |
實施例4 | 40 | 17 | 43 | 60 | 1.50 | 42 | 42 | 0.62 | 1.15 | 0.3 | 123 | A | A |
實施例5 | 50 | 14 | 36 | 50 | 1.00 | 62 | 53 | 1.13 | 1.12 | 0.4 | 121 | A | A |
實施例6 | 70 | 8 | 22 | 30 | 0.43 | 83 | 61 | 1.50 | 1.10 | 0.3 | 122 | A | A |
實施例7 | 54 | 13 | 33 | 46 | 0.85 | 18 | 32 | 0.45 | 1.17 | 0.2 | 119 | A | A |
實施例8 | 54 | 13 | 33 | 46 | 0.85 | 24 | 36 | 0.55 | 1.16 | 0.2 | 120 | A | A |
實施例9 | 54 | 13 | 33 | 46 | 0.85 | 16 | 29 | 0.57 | 1.18 | 0.3 | 122 | A | A |
實施例10 | 54 | 13 | 33 | 46 | 0.85 | 21 | 34 | 0.73 | 1.17 | 0.4 | 121 | A | A |
實施例11 | 54 | 13 | 33 | 46 | 0.85 | 23 | 36 | 0.84 | 1.16 | 0.2 | 123 | A | A |
比較例1 | 54 | 13 | 33 | 46 | 0.85 | 36 | 41 | - | - | 0.4 | 121 | F | A |
比較例2 | 54 | 13 | 33 | 46 | 0.85 | 32 | 43 | - | - | 5.2 | 120 | F | F |
1a,1b,1c,1d,1e:積層體
10:低折射率膜
11:第一層
12:第二層
13:中空粒子
14:黏合劑
20:基材
[圖1]係表示本發明之積層體之一例之剖視圖。
[圖2A]係表示本發明之積層體之另一例之剖視圖。
[圖2B]係表示本發明之積層體之進而另一例之剖視圖。
[圖2C]係表示本發明之積層體之進而另一例之剖視圖。
[圖2D]係表示本發明之積層體之進而另一例之剖視圖。
[圖3]係表示實施例1之積層體之剖面之掃描穿透式電子顯微鏡(STEM)照片。
[圖4]係表示實施例1之積層體之剖面之STEM照片中將空隙著色成黑色之圖。
1a:積層體
10:低折射率膜
11:第一層
12:第二層
13:中空粒子
14:黏合劑
15:空隙
20:基材
21:基板
Claims (16)
- 一種低折射率膜,其係至少具有第一層、及與上述第一層鄰接之第二層者,且 具有1.01以上1.30以下之折射率, 上述第一層及上述第二層之各者含有中空粒子及黏合劑, 上述第一層具有該低折射率膜之厚度之一半以下、且200 nm以下之厚度, 上述第一層具有滿足下述(I)及(II)之至少一個條件之空隙: (I)於上述第一層之剖面中具有1000 nm2 以上之剖面積之上述空隙之數量密度為5/μm2 以上100/μm2 以下; (II)相對於上述第一層之上述剖面的面積而言之上述剖面之上述空隙之剖面積的比為5%以上70%以下。
- 如請求項1之低折射率膜,其中,上述第一層滿足上述(I)之條件,且 上述第一層之上述剖面中具有1000 nm2 以上之剖面積之上述空隙的上述數量密度多於上述第二層之剖面中具有1000 nm2 以上之剖面積之上述空隙的數量密度。
- 如請求項1或2之低折射率膜,其中,上述第一層滿足上述(II)之條件,且 上述第一層之上述剖面之上述空隙的剖面積相對於上述第一層之上述剖面之面積的上述比高於上述第二層之上述剖面之上述空隙的剖面積相對於上述第二層之剖面之面積的比。
- 如請求項1至3中任一項之低折射率膜,其中,該低折射率膜具有70 nm以上之厚度dt,且 當70 nm≦dt≦400 nm時,上述第一層之厚度d1等於dt/2,當400 nm<dt時,上述第一層之厚度d1等於200 nm。
- 如請求項1至4中任一項之低折射率膜,其中,上述中空粒子之平均粒徑為20 nm以上100 nm以下。
- 如請求項1至4中任一項之低折射率膜,其中,以質量基準計,上述黏合劑之含量相對於上述中空粒子之含量之比為0.2以上20以下。
- 一種積層體,其依序包含基材、及請求項1至6中任一項之低折射率膜,且 上述第一層相較上述第二層更接近基材。
- 如請求項7之積層體,其中,依照日本產業標準(JIS)B 0601-1994而決定之上述基材表面之算術平均粗糙度為0.3 nm以上140 nm以下。
- 如請求項7或8之積層體,其中,上述基材表面之水滴之接觸角為5°以上140°以下。
- 如請求項7至9中任一項之積層體,其中,上述基材具有形成上述基材之表面之基底層。
- 如請求項10之積層體,其中,上述基底層包含二氧化矽及矽倍半氧烷之至少一者。
- 如請求項10或11之積層體,其中,上述基底層具有5~50 nm之厚度。
- 一種積層體,其具備: 基材; 形成於上述基材上之防霧膜、撥水性膜、撥油性膜、及親水性膜之至少一者;及 請求項1至6中任一項之低折射率膜。
- 一種光學元件,其具有由請求項1至6中任一項之低折射率膜形成之表面。
- 一種防風材,其具備請求項1至6中任一項之低折射率膜。
- 一種顯示裝置,其具備請求項1至6中任一項之低折射率膜。
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