TW202142716A - 抗菌構件 - Google Patents
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Abstract
具有基板(111)、和成膜於此基板(111)上之基底層(112)、和形成於與此基底層(112)之基板(111)相反側之面的同時，配置於最表層之銅層(113)，銅層(113)係以銅或銅合金所構成，基底層(112)係以金屬氧化物構成，基板(111)係以可撓性樹脂材料所構成為特徵。實施100次曲率半徑6mm之彎曲試驗之後，未確認到龜裂為佳。
Description
本發明係有關抗菌性及彎曲性優異之抗菌構件者。
又，本發明係有關低成本下抗菌性及耐久性優異之抗菌構件者。
又，本發明係有關可見光之透過率優異，且抗菌性優異之透明抗菌構件者。
本發明係根據2020年3月27日在日本申請之特願2020-057131號、2020年6月25日在日本申請之特願2020-109482號及2020年7月7日在日本申請之特願2020-116807號，主要優先權，將該內容援用於此。
一般而言，醫療機關、公共設施、衛生管理嚴格之研究設施(例如食品、化妝品、醫藥品等)中所使用之桌子、椅子、擱板等之器物，或扶手、門把等中，有不特定多數人接觸之疑慮之故，從傳染病之預防、病毒或細菌之擴散防止之觀點視之，期望能具有抗菌性。
在此，做為在桌子、椅子、擱板等之器物，或扶手、門把等之各種製品之表面，賦予抗菌性者，例如有提案專利文獻1、2所示抗菌薄膜(抗病毒性薄膜)。
於專利文獻1中，提案有在於可撓性高分子薄膜基材之表面，形成抗菌性金屬薄膜(例如銅、銀、銅合金、銀合金)之抗菌薄膜。
於專利文獻2中，提案有在於成為基材之薄膜上，Cu及Pd所成金屬粒子散布成島狀之抗病毒薄膜。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2010-247450號公報(A)
[專利文獻2]日本特開2018-134753號公報(A)
[發明欲解決之課題]
然而，於揭示於專利文獻1、2之抗菌性薄膜中，做為基材，使用樹脂薄膜，藉由從構成基材之樹脂材料之水分，阻礙了基材與金屬薄膜之密合性。為此，在彎曲抗菌性薄膜之時，會有基材與金屬薄膜剝離，於基材或金屬薄膜產生龜裂之疑慮。
本發明係將以上之情事為背景而成者，提供抗菌性及彎曲性優異，可安定使用之抗菌構件為目的。
又，揭示於專利文獻1、2之抗菌性薄膜中，於最表面配置有金屬。
在此，形成於抗菌構件之表面之金屬層係如上所述，以銅、銀、鈀等所構成。製造成本上較為高昂。又，金屬層之厚度變厚時，重量會增加，為了支持此部分，需將薄膜之厚度變厚，以確保剛性。為此，有需求將金屬層較薄之形成。
但是，減薄成膜最表層之金屬層時，會有金屬凝聚產生變色，產生外觀之不良，耐久性大為下降之問題。
本發明係將以上之情事為背景而成者，提供低成本下抗菌性優異，且耐久性優異之抗菌構件為目的。
又，揭示於專利文獻1、2之抗菌性薄膜中，於最表面配置有金屬之故，有金屬光澤，無法識別配置此抗菌性薄膜之各種製品之表面，會有設計性下降的問題。
又，減薄成膜最表層之金屬層時，會由於使用環境，金屬凝聚產生變色，產生外觀之不良之疑慮。
本發明係將以上之情事為背景而成者，提供抗菌性及可見光之透過率優異，可抑制外觀不良之產生，可安定使用之透明抗菌構件為目的。
[為解決課題之手段]
為解決此課題，本發明之一形態之抗菌構件(以下稱「本發明之抗菌構件」)係具有基板、和成膜於此基板上之基底層、和形成於與此基底層之前述基板相反側之面的同時，配置於最表層之銅層，前述銅層係以銅或銅合金所構成，前述基底層係以金屬氧化物所構成，前述基板係以可撓性樹脂材料或可撓性玻璃材料所構成為特徵。
於此構成之抗菌構件中，於最表層配置銅或銅合金所成銅層之故，抗菌性優異。
又，前述基板以可撓性樹脂材料構成之時，於此基板與銅層間，配設金屬氧化物所成基底層之故，來自構成基板之可撓性樹脂材料之水分，則抑制向銅層側移動，確保基板與銅層之密合性。因此，即使彎曲本發明之抗菌構件之時，亦可抑制基板與銅層之剝離或龜裂之產生，可安定加以使用。又，前述基板以可撓性玻璃材料構成之時，於此基板與銅層間，配設金屬氧化物所成基底層之故，確保基板與銅層之密合性。因此，即使彎曲本發明之抗菌構件之時，亦可抑制基板與銅層之剝離或龜裂之產生，可安定加以使用。
然而，銅層係以銅或銅合金所構成，於該表面，形成氧化膜亦可。
又，本發明之抗菌構件中，前述銅層之厚度為5μm以下為佳。
此時，銅層之厚度係如上述被加以抑制之故，於彎曲時，在於銅層可抑制龜裂之產生的同時，亦可抑制從基底層剝離，更可提升彎曲性。
又，本發明之抗菌構件中，前述銅層之厚度為35nm以下亦可。
於此構成之抗菌構件中，於最表層配置銅或銅合金所成銅層之故，抗菌性優異。又，前述銅層係厚度成為35nm以下之故，可將製造成本抑制在較低水準。
然後，於基板與銅層間，形成金屬氧化物所成基底層之故，銅層之厚度即使為35nm以下，亦可抑制銅層之銅凝聚，可抑制外觀不良之產生，耐久性優異。
然而，銅層係以銅或銅合金所成，於該表面，形成氧化膜亦可。
又，本發明之抗菌構件中，前述基板係透明基板，前述金屬氧化物係可為透過可見光之金屬氧化物。
於此構成之透明抗菌構件中，於最表層配置銅或銅合金所成銅層之故，抗菌性優異。
又，於透明基板之上，形成以透過可見光之金屬氧化物所構成之基底層，形成於與此基底層之前述透明基板相反側之面之銅層之厚度為35nm以下之故，可見光之透過率優異，可辨識配置此透明抗菌構件之各種製品之表面，設計性則優異。
然後，銅層之厚度減薄形成至35nm以下，於透明基板與銅層之間，形成以金屬氧化物所構成之基底層之故，可抑制銅層之銅凝聚，可抑制外觀不良之產生，耐久性優異。
在此，於本發明之抗菌構件中，實施100次曲率半徑6mm之彎曲試驗之後，未確認到龜裂為佳。
此時，即使實施如上述彎曲試驗之時，不產生龜裂之故，可對於各種形狀之製品之表面密接配置，可於製品之表面賦予抗菌性。
更且，本發明之抗菌構件中，前述基底層之厚度為500nm以下為佳。
此時，基底層之厚度係如上述被加以抑制之故，於彎曲時，在於基底層可抑制龜裂之產生，更可提升彎曲性。
又，本發明之抗菌構件中，前述基底層之厚度為100nm以下為佳。
此時，金屬氧化物所成前述基底層之厚度限制於100nm以下之故，可將製造成本更抑制在較低水準。
又，本發明之透明抗菌構件中，前述基底層之厚度為50nm以下為佳。
此時，前述基底層之可見光之透過率可充分確保，可充分辨識配置此透明抗菌構件之各種製品之表面。
又，本發明之抗菌構件中，前述基板之厚度為500μm以下為佳。
此時，基板之厚度係如上述被加以抑制之故，可確保基板本身之彎曲性，更可提升彎曲性。
更且，於本發明之抗菌構件中，構成前述基底層之前述金屬氧化物係包含選自In氧化物、Sn氧化物、Zn氧化物、Nb氧化物、Ti氧化物、Al氧化物、Ga氧化物、W氧化物、Mo氧化物、Si氧化物、Zr氧化物、Ta氧化物、Y氧化物、Ge氧化物、Cu氧化物、Ag氧化物之一種或二種以上為佳。
此時，前述基底層以上述之金屬氧化物構成之故，可確實抑制來自構成基板之樹脂材料之水分向銅層側移動，更可提升基板與銅層之密合性，更可提升彎曲性。
又，本發明之抗菌構件中，前述銅層係以包含合計0.1mass%以上選自Zn、Sn、Ni、Al、Si、Mn之一種或二種以上的同時，Cu之含有量為45mass%以上之銅合金所構成為佳。
此時，銅層之Cu之含有量為45mass%以上之故，可充分確保抗菌性。又，銅層係包含合計0.1mass%以上選自Zn、Sn、Ni、Al、Si、Mn之一種或二種以上之故，可抑制銅層之變色。
更且，本發明之抗菌構件中，於前述銅層之表層，形成Cu氧化膜，此Cu氧化膜之CuO與Cu2
O之莫爾比率CuO/Cu2
O為CuO/Cu2
O＜1為佳。
此時，形成於銅層之表層之Cu氧化膜中，Cu2
O較CuO含得多，可充分確保抗菌性。
又，本發明之抗菌構件中，於與前述基板之前述基底層相反側之面，設置黏著層為佳。
此時，使用黏著層，可於各種製品之表面，容易配置抗菌構件。
又，本發明之抗菌構件中，前述基板則以玻璃或樹脂加以構成為佳。
此時，可將較大型之抗菌構件，較容易以低成本加以製作。
又，本發明之抗菌構件中，對於層積方向之波長550nm之光的透過率為5%以上為佳。
此時，對於層積方向之波長550nm之光之透過率成為5%以上之故，可充分辨識配置此抗菌構件之各種製品之表面，可確實提升設計性。
[發明效果]
根據本發明時，可提供抗菌性及彎曲性優異，可安定使用之抗菌構件。
又，根據本發明時，可提供低成本下抗菌性優異，且耐久性優異之抗菌構件。
又，根據本發明時，可提供抗菌性及可見光之透過率優異，可抑制外觀不良之產生，可安定使用之透明抗菌構件。
[第1實施形態]
以下，對於本發明之第1實施形態之抗菌構件加以說明。
本實施形態之抗菌構件110係例如配置於桌子、椅子、擱板等之器物，或扶手、門把等之各種製品之表面，於各種製品之表面賦予抗菌性者。
本實施形態之抗菌構件110係如圖1所示，具備配設於基板111之一面(圖1中之上面)之基底層112、和層積於與此基底層112之基板111之相反側之面側的銅層113。
然而，於本實施形態中，如圖1所示，於與基板111之基底層112相反側之面，形成黏著層115。
在此，本實施形態之抗菌構件110係彎曲性優異，可密接配設於各種形狀之製品之表面。
具體而言，於本實施形態之抗菌構件110中，實施100次曲率半徑6mm之彎曲試驗之後，未確認到龜裂為佳。
基板111係支持基底層112及銅層113者，本實施形態，以彎曲性優異之可撓性樹脂材料加以構成。
做為構成基板111之可撓性樹脂材料，可列舉例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚烯烴(PO)、丙烯酸、聚氯乙烯等。
在此，於本實施形態中，為更確保抗菌構件110之彎曲性，基板111之厚度係500μm以下為佳，更佳為400μm以下，更甚者為300μm以下。另一方面，為確保基板111之剛性，基板111之厚度係10μm以上為佳，較佳為25μm以上，更佳為50μm以上。
基底層112係以透過可見光之金屬氧化物所構成，基底層112則做為抑制來自基板111之氣體成分・水分到達銅層113的阻障層加以工作，具有抑制界面之剝離現象之作用效果。又，於基板111與銅層113之間，做為基底層112配置金屬氧化物，銅層113(Cu)與基底層112(金屬氧化物)間之界面能量則下降，具有抑制銅層113之Cu之凝聚之作用效果。
構成基底層112之金屬氧化物係包含選自In氧化物、Sn氧化物、Zn氧化物、Nb氧化物、Ti氧化物、Al氧化物、Ga氧化物、W氧化物、Mo氧化物、Si氧化物、Zr氧化物、Ta氧化物、Y氧化物、Ge氧化物、Cu氧化物、Ag氧化物之一種或二種以上為佳。
具體而言，可列舉In-Sn氧化物、Al-Zn氧化物、In-Zn氧化物、Zn-Sn氧化物、Zn-Sn-Al氧化物、Ga-Zn氧化物、Zn-Y氧化物、Ga-Zn-Y氧化物、In-Ga-Zn氧化物等。
在此，於本實施形態中，為更確保抗菌構件110之彎曲性，基底層112之厚度係500nm以下為佳，較佳為400nm以下，更佳為300nm以下。另一方面，更可發揮做為阻障層之作用效果，基底層112之厚度係2nm以上為佳，較佳為5nm以上，更佳為10nm以上。
銅層113係以銅或銅合金所構成，在此，銅或銅合金中，已知有抗菌作用(包含滅菌之作用)。於多數人接觸之構件，經由使用有抗菌性(滅菌作用)之銅合金，可預防各種菌、病毒所造成之感染。
在此，於本實施形態中，為更確保抗菌構件110之彎曲性，銅層113之厚度係5μm以下為佳，較佳為4μm以下，更佳為3μm以下。另一方面，為充分確保抗菌性，銅層113之厚度係5nm以上為佳，較佳為10nm以上，更佳為15nm以上。
又，本實施形態中，述銅層113係以包含合計0.1mass%以上選自Zn、Sn、Ni、Al、Si、Mn之一種或二種以上的同時，Cu之含有量為45mass%以上之銅合金所構成亦可。
又，經由包含合計0.1mass%以上選自Zn、Sn、Ni、Al、Si、Mn之一種或二種以上，可大為提升成膜時之銅層113之均勻性或耐久性。然而，為充分發揮此作用效果，令選自Zn、Sn、Ni、Al、Si、Mn之一種或二種以上之合計含有量成為0.2mass%以上為較佳，成為0.3mass%以上則更佳。
又，Cu之含有量為45mass%以上時，可充分確保Cu所造成之抗菌性。然而，Cu之含有量之下限係47.5mass%以上為佳，更佳為50mass%以上。
更且，本實施形態中，於銅層113之最表面，有形成Cu氧化膜之情形。於此銅層113之最表面，CuO與Cu2
O之莫爾比率CuO/Cu2
O為CuO/Cu2
O＜1為佳。即，令Cu2
O較CuO含得更多為佳。經由令Cu2
O較CuO含得更多，可充分確保抗菌性。
然而，CuO與Cu2
O之莫爾比率CuO/Cu2
O係不足0.9為佳，，更佳為不足0.8。
以下，對於關於本實施形態之抗菌構件110之製造方法加以說明。
首先，準備形成黏著層115之基板111。
接著，經由濺鍍法，於基板111之一方之面(與黏著層115相反側之面)，成膜基底層112。此時，使用對應於構成基底層112之氧化物之組成之濺鍍靶為佳。例如，可使用構成基底層112之金屬氧化物所成氧化物濺鍍靶，亦可使用構成基底層112之金屬氧化物之金屬濺鍍靶，導入氧，適用反應性濺鍍法。然而，考量濺鍍靶之導電性，適切選擇使用DC(直流)濺鍍、RF(高頻)濺鍍、MF(中頻)濺鍍、AC(交流)濺鍍等為佳。
接著，於成膜之基底層112上，經由濺鍍法，成膜銅層113。此時，使用對應於構成銅層113之銅或銅合金之組成之濺鍍靶為佳。此時，使銅層113之厚度可成為指定之厚度，適切調整濺鍍條件。然而，於濺鍍時，將一定時間成膜時之膜厚，以階差測定計(DEKTAK-XT)測定，測定濺鍍率，從該值調整成膜時間，成為目標膜厚進行成膜。
經由上述之工程，可製造本實施形態之抗菌構件110。
根據如以上構成之本實施形態之抗菌構件110時，於最表層配置銅或銅合金所成銅層113之故，抗菌性優異。
又，基板111以可撓性樹脂材料構成，於此基板111與銅層113間，配設金屬氧化物所成基底層112之故，來自構成基板111之可撓性樹脂材料之水分，則抑制向銅層113側移動，確保基板111與銅層113之密合性。因此，即使彎曲本實施形態之抗菌構件110之時，亦可抑制基板111與銅層113之剝離，可安定加以使用。
又，前述基板以可撓性玻璃材料構成之時，於此基板與銅層間，配設金屬氧化物所成基底層之故，確保基板與銅層之密合性。因此，即使彎曲本發明之抗菌構件之時，亦可抑制基板與銅層之剝離或龜裂之產生，可安定加以使用。
又，於本實施形態中，在100次實施曲率半徑6mm之彎曲試驗後，未確認龜裂時，可對於各種形狀之製品之表面密接配置，可於製品之表面賦予抗菌性。
更且，於本實施形態中，銅層113之厚度為5μm以下之時，或基底層112之厚度係500nm以下為佳，或基板111之厚度為500μm以下之時，更可提升抗菌構件110之彎曲性。
更且，於本實施形態中，銅層113係以包含合計0.1mass%以上選自Zn、Sn、Ni、Al、Si、Mn之一種或二種以上的同時，Cu之含有量為45mass%以上之銅合金所構成之時，可充分確保抗菌性之同時，可提升銅層113之耐久性，可抑制變色之產生。
又，於本實施形態中，銅層113之表層形成Cu氧化膜，此Cu氧化膜之CuO與Cu2
O之莫爾比率CuO/Cu2
O為CuO/Cu2
O＜1之時，Cu2
O較CuO含得多，可充分確保抗菌性。
更且，於本實施形態中，於與基板111之基底層相反側之面，設置黏著層115之時，使用黏著層115，可於各種製品之表面，容易配置抗菌構件110。
以上，雖對於本發明的實施形態做了說明，但本發明非限定於此，在不脫離該發明之技術思想之範圍下，可適切加以變更。
例如，本實施形態中，以形成黏著層者做了說明，但亦可為不形成黏著層。
又，構成銅層之銅或銅合金係非限定於記載在實施形態者，可使用各種銅合金。例如，於Cu與Zn為主成分之黃銅，添加Sn、Ni、Al、Pb、Mn、Si、P等亦可。於此時，令Cu之含有量成為45mass%以上為佳。
[第2實施形態]
以下，對於本發明之第2實施形態之抗菌構件加以說明。
本實施形態之抗菌構件係例如配置於桌子、椅子、擱板等之器物，或扶手、門把等之各種製品之表面，於各種製品之表面賦予抗菌性者。
本實施形態之抗菌構件210係如圖3所示，具備配設於基板211之一面(圖3中之上面)之基底層212、和層積於與此基底層212之基板211之相反側之面側的銅層213。
然而，於本實施形態中，如圖3所示，於與基板211之基底層212相反側之面，形成黏著層215。
基板211係支持基底層212及銅層213者。本實施形態中，以玻璃材或樹脂材等構成為佳。
在此，做為構成基板211之樹脂材，可列舉例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚烯烴(PO)、丙烯酸、聚氯乙烯等。使用此等樹脂材所成基板211時，可彎曲抗菌構件210。尤其，令樹脂材所成基板211之厚度成為300μm以下之時，更可確保彎曲性。
又，即使令基板211以玻璃材構成之時，經由令厚度成為200μm以下，可獲得彎曲性。
基底層212係以金屬氧化物構成，於基板211與銅層213之間，做為基底層212配置金屬氧化物，銅層213(Cu)與基底層212(金屬氧化物)間之界面能量則下降，具有抑制銅層213之Cu之凝聚之作用效果。又，基底層212則做為抑制來自基板211之氣體成分・水分到達銅層213的阻障層加以工作，具有抑制界面之剝離現象之作用效果。
在此，構成基底層212之金屬氧化物係包含選自In氧化物、Sn氧化物、Zn氧化物、Nb氧化物、Ti氧化物、Al氧化物、Ga氧化物、W氧化物、Mo氧化物、Si氧化物、Zr氧化物、Ta氧化物、Y氧化物、Ge氧化物、Cu氧化物、Ag氧化物之一種或二種以上為佳。
具體而言，可列舉In-Sn氧化物、Al-Zn氧化物、In-Zn氧化物、Zn-Sn氧化物、Zn-Sn-Al氧化物、Ga-Zn氧化物、Zn-Y氧化物、Ga-Zn-Y氧化物、In-Ga-Zn氧化物等。
又，為達成製造成本之削減時，基底層212之厚度之上限成為100nm以下為佳，更佳為50nm以下。
另一方面，為充分發揮做為基底層212之作用效果，基底層212之厚度之下限係5nm以上為佳，較佳為8nm以上，更佳為10nm以上。
銅層213係以銅或銅合金所構成，在此，銅或銅合金中，已知有抗菌作用(包含滅菌之作用)。於不特定多數人接觸之構件，經由使用有抗菌性(滅菌作用)之銅合金，可預防各種菌、病毒所造成之感染。
在此，銅層213之厚度超過30nm時，不會更提升抗菌性，增加製造成本之外，還增加重量。為此，本實施形態中，令銅層213之厚度之上限為30nm以下。然而，銅層213之厚度之上限成為27nm以下為佳，更佳為25nm以下。
另一方面，銅層213之厚度過薄時，銅層213之體積之表面比例相對為高，在能量上不安定，銅易於凝聚，耐久性會有下降之疑慮。為此，銅層213之厚度之下限係2nm以上為佳，較佳為5nm以上，更佳為10nm以上。
又，本實施形態中，述銅層213係以包含合計0.1mass%以上選自Zn、Sn、Ni、Al、Si、Mn之一種或二種以上的同時，Cu之含有量為45mass%以上之銅合金所構成亦可。
又，經由包含合計0.1mass%以上選自Zn、Sn、Ni、Al、Si、Mn之一種或二種以上，可大為提升成膜時之銅層213之均勻性或耐久性。然而，為充分發揮此作用效果，令選自Zn、Sn、Ni、Al、Si、Mn之一種或二種以上之合計含有量成為0.2mass%以上為較佳，成為0.3mass%以上則更佳。
又，Cu之含有量為45mass%以上時，可充分確保Cu所造成之抗菌性。然而，Cu之含有量之下限係47.5mass%以上為佳，更佳為50mass%以上。
更且，本實施形態中，於銅層213之最表面，有形成Cu氧化膜之情形。於此銅層213之最表面，CuO與Cu2
O之莫爾比率CuO/Cu2
O為CuO/Cu2
O＜1為佳。即，令Cu2
O較CuO含得更多為佳。經由令Cu2
O較CuO含得更多，可充分確保抗菌性。
然而，CuO與Cu2
O之莫爾比率CuO/Cu2
O係不足0.9為佳，更佳為不足0.8。
以下，對於關於本實施形態之抗菌構件210之製造方法加以說明。
首先，準備形成黏著層215之基板211。
接著，經由濺鍍法，於基板211之一方之面(與黏著層215相反側之面)，成膜基底層212。此時，使用對應於構成基底層212之氧化物之組成之濺鍍靶為佳。例如，可使用構成基底層212之金屬氧化物所成氧化物濺鍍靶，亦可使用構成基底層212之金屬氧化物之金屬濺鍍靶，導入氧，適用反應性濺鍍法。然而，考量濺鍍靶之導電性，適切選擇使用DC(直流)濺鍍、RF(高頻)濺鍍、MF(中頻)濺鍍、AC(交流)濺鍍等為佳。
接著，於成膜之基底層212上，經由濺鍍法，成膜銅層213。此時，使用對應於構成銅層213之Cu或Cu合金之組成之濺鍍靶為佳。此時，使銅層213之厚度可成為指定之厚度，適切調整濺鍍條件。然而，於濺鍍時，將一定時間成膜時之膜厚，以階差測定計(DEKTAK-XT)測定，測定濺鍍率，從該值調整成膜時間，成為目標膜厚進行成膜。
經由上述之工程，可製造本實施形態之抗菌構件210。
根據如以上構成之本實施形態之抗菌構件210時，於最表層配置銅或銅合金所成銅層213之故，抗菌性優異。
又，銅層213之厚度成為30nm以下之故，可將製造成本抑制在較低水準。
然後，銅層213之厚度雖減薄形成至30nm以下，於基板211與銅層213之間，形成以金屬氧化物所構成之基底層212之故，可抑制銅層213之銅凝聚，可抑制外觀不良之產生，耐久性優異。
本實施形態中，基底層212之厚度成為100nm以下時，可將製造成本更抑制在較低水準。
更且。本實施形態中，構成基底層212之金屬氧化物包含選自In氧化物、Sn氧化物、Zn氧化物、Nb氧化物、Ti氧化物、Al氧化物、Ga氧化物、W氧化物、Mo氧化物、Si氧化物、Zr氧化物、Ta氧化物、Y氧化物、Ge氧化物、Cu氧化物、Ag氧化物之一種或二種時，更抑制銅層213之銅之凝聚，可更抑制外觀不良之產生，更提升耐久性。
又，於本實施形態中，銅層213係以包含合計0.1mass%以上選自Zn、Sn、Ni、Al、Si、Mn之一種或二種以上的同時，Cu之含有量為45mass%以上之銅合金所構成之時，可充分確保抗菌性之同時，更可提升銅層213之耐久性，可抑制變色之產生。
更且，本實施形態中，基板211以玻璃或樹脂構成之時，可將較大型之抗菌構件210，較容易以低成本加以製作。
又，於本實施形態中，銅層213之表層形成Cu氧化膜，此Cu氧化膜之CuO與Cu2
O之莫爾比率CuO/Cu2
O為CuO/Cu2
O＜1之時，Cu2
O較CuO含得多，可充分確保抗菌性。
更且，於本實施形態中，於與基板211之基底層相反側之面，設置黏著層215之時，使用黏著層215，可於各種製品之表面，容易配置抗菌構件210。
以上，雖對於本發明的實施形態做了說明，但本發明非限定於此，在不脫離該發明之技術思想之範圍下，可適切加以變更。
例如，本實施形態中，以形成黏著層者做了說明，但亦可為不形成黏著層。
又，構成銅層之銅或銅合金係非限定於記載在實施形態者，可使用各種銅合金。例如，於Cu與Zn為主成分之黃銅，添加Sn、Ni、Al、Pb、Mn、Si、P等亦可。於此時，令Cu之含有量成為45mass%以上為佳。
[第3實施形態]
以下，對於本發明之第3實施形態之透明抗菌構件加以說明。
本實施形態之透明抗菌構件係例如配置於桌子、椅子、擱板等之器物，或扶手、門把等之各種製品之表面，於各種製品之表面賦予抗菌性者。
本實施形態之透明抗菌構件310係如圖4所示，具備配設於透明基板311之一面(圖4中之上面)之基底層312、和層積於與此基底層312之透明基板311之相反側之面側的銅層313。
然而，於本實施形態中，如圖4所示，於與透明基板311之基底層312相反側之面，形成黏著層315。
透明基板311係以玻璃材或樹脂材等之可見光之透過率高之材料構成為佳。
在此，做為構成透明基板311之樹脂材，可列舉例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚烯烴(PO)、丙烯酸、聚氯乙烯等。使用此等樹脂材所成透明基板311時，可彎曲透明基板311。尤其，令樹脂材所成透明基板311之厚度成為300μm以下之時，更可確保彎曲性。
又，即使令透明基板311以玻璃材構成之時，經由令厚度成為200μm以下，可獲得彎曲性。
為此，透明基板311之厚度之下限雖無特別限制，從確保剛性之觀點視之，10μm以上為佳，更佳為20μm以上。
基底層312係以透過可見光之金屬氧化物所構成，於透明基板311與銅層313之間，做為基底層312配置金屬氧化物，銅層313(Cu)與基底層312(金屬氧化物)間之界面能量則下降，具有抑制銅層313之Cu之凝聚之作用效果。又，基底層312則做為抑制來自透明基板311之氣體成分・水分到達銅層313的阻障層加以工作，具有抑制界面之剝離現象之作用效果。
在此，構成基底層312之金屬氧化物係包含選自In氧化物、Sn氧化物、Zn氧化物、Nb氧化物、Ti氧化物、Al氧化物、Ga氧化物、W氧化物、Mo氧化物、Si氧化物、Zr氧化物、Ta氧化物、Y氧化物、Ge氧化物、Cu氧化物、Ag氧化物之一種或二種以上為佳。
具體而言，可列舉In-Sn氧化物、Al-Zn氧化物、In-Zn氧化物、Zn-Sn氧化物、Zn-Sn-Al氧化物、Ga-Zn氧化物、Zn-Y氧化物、Ga-Zn-Y氧化物、In-Ga-Zn氧化物等。
此等之金屬氧化物係可見光之透過率優異，
又，於基底層312中，為充分確保可見光之透過率，基底層312之厚度之上限成為100nm以下為佳，更佳為50nm以下。
另一方面，為充分發揮做為基底層312之作用效果，基底層312之厚度之下限係3nm以上為佳，較佳為4nm以上，更佳為5nm以上。
銅層313係以銅或銅合金所構成，在此，銅或銅合金中，已知有抗菌作用(包含滅菌之作用)。於不特定多數人接觸之構件，經由使用有抗菌性(滅菌作用)之銅合金，可預防各種菌、病毒所造成之感染。
在此，本實施形態中，令銅層313之厚度之上限為35nm以下。由此，可確保銅層313之可見光之透過率。然而，為更確保銅層313之可見光之透過率，銅層313之厚度之上限成為30nm以下為佳，更佳為25nm以下。
另一方面，銅層313之厚度過薄時，銅層313之體積之表面比例相對為高，在能量上不安定，銅易於凝聚，耐久性會有下降之疑慮。為此，銅層313之厚度之下限係2nm以上為佳，較佳為3nm以上，更佳為4nm以上。
又，本實施形態中，述銅層313係以包含合計0.1mass%以上選自Zn、Sn、Ni、Al、Si、Mn之一種或二種以上的同時，Cu之含有量為45mass%以上之銅合金所構成亦可。
又，經由包含合計0.1mass%以上選自Zn、Sn、Ni、Al、Si、Mn之一種或二種以上，可大為提升成膜時之銅層313之均勻性或耐久性。然而，為充分發揮此作用效果，令選自Zn、Sn、Ni、Al、Si、Mn之一種或二種以上之合計含有量成為0.2mass%以上為較佳，成為0.3mass%以上則更佳。
又，Cu之含有量為45mass%以上時，可充分確保Cu所造成之抗菌性。然而，Cu之含有量之下限係47.5mass%以上為佳，更佳為50mass%以上。
更且，本實施形態中，於銅層313之最表面，有形成Cu氧化膜之情形。於此銅層313之最表面，CuO與Cu2
O之莫爾比率CuO/Cu2
O為CuO/Cu2
O＜1為佳。即，令Cu2
O較CuO含得更多為佳。經由令Cu2
O較CuO含得更多，可充分確保抗菌性。
然而，CuO與Cu2
O之莫爾比率CuO/Cu2
O係不足0.9為佳，更佳為不足0.8。
然後，本實施形態之透明抗菌構件310中，對於層積方向之波長550nm之光的透過率為5%以上為佳。
然而，本實施形態之透明抗菌構件310中，對於層積方向之波長550nm之光的透過率為7%以上為佳，更佳為10%以上。
以下，對於關於本實施形態之透明抗菌構件310之製造方法加以說明。
首先，準備形成黏著層315之透明基板311。
接著，經由濺鍍法，於透明基板311之一方之面(與黏著層315相反側之面)，成膜基底層312。此時，使用對應於構成基底層312之氧化物之組成之濺鍍靶為佳。例如，可使用構成基底層312之金屬氧化物所成氧化物濺鍍靶，亦可使用構成基底層312之金屬氧化物之金屬濺鍍靶，導入氧，適用反應性濺鍍法。然而，考量濺鍍靶之導電性，適切選擇使用DC(直流)濺鍍、RF(高頻)濺鍍、MF(中頻)濺鍍、AC(交流)濺鍍等為佳。
接著，於成膜之基底層312上，經由濺鍍法，成膜銅層313。此時，使用對應於構成銅層313之Cu或Cu合金之組成之濺鍍靶為佳。此時，使銅層313之厚度可成為指定之厚度，適切調整濺鍍條件。然而，於濺鍍時，將一定時間成膜時之膜厚，以階差測定計(DEKTAK-XT)測定，測定濺鍍率，從該值調整成膜時間，成為目標膜厚進行成膜。
經由上述之工程，可製造本實施形態之透明抗菌構件310。
根據如以上構成之本實施形態之透明抗菌構件310時，於最表層配置銅或銅合金所成銅層313之故，抗菌性優異。
又，於透明基板311之上，形成以透過可見光之金屬氧化物所構成之基底層312，銅層313之厚度為35nm以下之故，可見光之透過率優異，可辨識配置此透明抗菌構件310之各種製品之表面，設計性則優異。
然後，銅層313之厚度雖減薄形成至35nm以下，於透明基板311與銅層313之間，形成以金屬氧化物所構成之基底層312之故，可抑制銅層313之銅凝聚，可抑制外觀不良之產生。
本實施形態中，對於層積方向之波長550nm之光之透過率成為5%以上之時，可充分辨識配置此透明抗菌構件310之各種製品之表面，可確實提升設計性。
更且，本實施形態中，構成基底層312之金屬氧化物包含選自In氧化物、Sn氧化物、Zn氧化物、Nb氧化物、Ti氧化物、Al氧化物、Ga氧化物、W氧化物、Mo氧化物、Si氧化物、Zr氧化物、Ta氧化物、Y氧化物、Ge氧化物、Cu氧化物、Ag氧化物之一種或二種時，充分確保基底層312之可見光之透過率，可充分辨識配置此透明抗菌構件310之各種製品之表面。
又，於本實施形態中，令基底層312之厚度成為50nm以下時，可充分確保基底層312之可見光之透過率，可充分辨識配置此透明抗菌構件310之各種製品之表面。
更且，於本實施形態中，銅層313係以包含合計0.1mass%以上選自Zn、Sn、Ni、Al、Si、Mn之一種或二種以上的同時，Cu之含有量為45mass%以上之銅合金所構成之時，可充分確保抗菌性之同時，可提升銅層313之耐久性，可抑制變色之產生。
又，於本實施形態中，銅層313之表層形成Cu氧化膜，此Cu氧化膜之CuO與Cu2
O之莫爾比率CuO/Cu2
O為CuO/Cu2
O＜1之時，Cu2
O較CuO含得多，可充分確保抗菌性。
更且，於本實施形態中，於與透明基板311之基底層相反側之面，設置黏著層315之時，使用黏著層315，可於各種製品之表面，容易配置透明抗菌構件310。
以上，雖對於本發明的實施形態做了說明，但本發明非限定於此，在不脫離該發明之技術思想之範圍下，可適切加以變更。
例如，本實施形態中，以形成黏著層者做了說明，但亦可為不形成黏著層。
又，構成銅層之銅或銅合金係非限定於記載在實施形態者，可使用各種銅合金。例如，於Cu與Zn為主成分之黃銅，添加Sn、Ni、Al、Pb、Mn、Si、P等亦可。於此時，令Cu之含有量成為45mass%以上為佳。
[實施例]
[第1實施例]
以下，對於確認本發明之效果所進行之確認實驗結果加以說明。
將於成膜銅層之時使用之濺鍍靶，以如下所述手序加以製造。
首先，做為原料，將純度99.9mass%以上之Cu原料、和純度99mass%以上之金屬原料秤量成為特定之組成。接著，於熔解爐中，將Cu原料在高真空或非活性氣體環境中熔解，於所得熔湯，添加特定之含有量之金屬原料。之後，在真空或非活性氣體環境中熔解，製作熔解鑄造錠。將所得鑄錠冷軋之後，在大氣中，例如施加600℃，保持2小時之熱處理，接著經由機械加工，製作成具有直徑152.4mm，厚6mm之尺寸之圓板狀，製作形成銅層之濺鍍靶。
對於在成膜基底層之時使用之濺鍍靶，使用經由高純度化學股份有限公司所購入之記載於表1及表2者。
將此等之濺鍍靶焊接於無氧銅製之支撐板，將此裝設於直流磁控管濺鍍裝置，於真空排氣裝置，將直流磁控管濺鍍裝置內排氣至5×10-5
Pa以下之後，導入Ar氣體，於與標靶平行配置之已洗淨之表1及表2所示基板，和上述標靶之間，產生電漿，形成基底層及銅層。將基底層之成膜條件及銅層之成膜條件，示於如下。
＜基底層之成膜條件＞
使用氣體:Ar+2體積%氧
氣壓:0.67Pa
濺鍍電力:直流300W
標靶/基板間距離:70mm
＜銅層之成膜條件＞
到達真空度:5×10-5
Pa以下
使用氣體:Ar
氣壓:0.67Pa
濺鍍電力:直流200W
標靶/基板間距離:70mm
對於如以上所述所得抗菌構件，對於以下之項目加以評估。
(形成銅層之濺鍍靶之成分組成)
自形成銅層之濺鍍靶採取分析用樣本，經由ICP發光分光分析法，測定成分。然而，確認形成銅層之濺鍍靶與成膜之銅層之組成為一致。
然而，做為表中之「他」之組成，可使用Pb、Mg、Zr、Te、Cr、Fe、Co、P等。
(膜厚測定)
基底層及銅層之厚度係經由透過電子顯微鏡(TEM)，觀察銅層之剖面加以確認，確認到以目標值之厚度成膜。為TEM觀察之試體製作中，例如可使用離子束截面研磨(CP)，或聚焦離子束(FIB)。
(彎曲性)
對於抗菌構件，於溫度30℃、相對濕度90%之環境下，保持24小時後，以曲率半徑6mm，凹凸交互地進行100次彎曲試驗，於試驗後觀察抗菌構件，確認剝離及內部之剝離(龜裂)之有無。
具體而言，如圖2A所示，將抗菌構件110，挾於立設在彎曲試驗用治具120之平台部120b上之一對挾持體120a之間，如圖2B及圖2C所示，各進行100次左1次，右1次之彎曲。然而，一對之挾持體120a係各別前端成為曲率半徑6mm之剖面圓弧形狀。即，於挾持體120a之曲率半徑6mm之前端，定位設定抗菌構件110，進行試驗。
對於龜裂之有無，進行5次試驗，自基板側觀察之龜裂，5次皆產生之時為「C」，1次~4次之時為「B」，1次也未確認到龜裂者為「A」。
(抗菌活性評估)
抗菌活性係評估形成於表面之濺鍍靶之銅及銅合金之抗菌活性，做為此特性。
將使用於濺鍍之標靶之表面以砂紙#1000進行研磨，露出新生面之後，調整表面氧化狀態，成為樣本。基準材係使用不含銅成分之不銹鋼板。之後，依據JIS Z 2801，於各試驗片之表面，接種一定之黃色葡萄球菌，定量30min後之生菌數(cfu)。以N=3實施，使用定量之生菌數，求得自以下之式所得菌之減少率，菌之減少率超過2之時為「A」，菌之減少率超過0，2以下之時為「B」，菌之減少率為0以下之時為「C」，進行評估。
菌之減少率=-log(2h後之試驗片之生菌數(cfu)/初期之接種菌數(cfu))
(表面之氧化物之存在形態)
準備與濺鍍靶同等之樣本，在氧化・還原環境下，進行熱處理，將存在於表面之氧化物之形態，如表3加以變化。由此，變化表面氧化物之CuO與Cu2
O之比率，測定該抗菌活性。表面氧化物之狀態係於XPS分析加以測定。
未形成基底層，於基板(PET樹脂基板)上，直接將銅層以厚度1000nm成膜之比較例A1中，彎曲性成為「C」。來自基板之水分則移動至銅層側，推測為基板與銅層之密合性下降之故。
對此，於可撓性樹脂材料所成基板與銅層之間，形成金屬氧化物所成基底層之本發明例A1-A30中，彎曲性成為「A~B」。又，表1及表2所示組成之銅層中，菌之減少率超過2，成為「A」之評估。
更且，如表3所示，形成於銅層之表層之Cu氧化膜CuO與Cu2
O之莫爾比率CuO/Cu2
O為不足1之本發明例A28中，相較Cu氧化膜CuO與Cu2
O之莫爾比率CuO/Cu2
O為1以上之本發明例A31，確認到抗菌性之提升。
由以上確認，根據本發明例時，可提供抗菌性及彎曲性優異，可安定使用之抗菌構件。
[第2實施例]
以下，對於確認本發明之效果所進行之確認實驗結果加以說明。
將於成膜銅層之時使用之濺鍍靶，以如下所述手序加以製造。
首先，做為原料，將純度99.9mass%以上之Cu原料、和純度99mass%以上之金屬原料秤量成為特定之組成。接著，於熔解爐中，將Cu原料在高真空或非活性氣體環境中熔解，於所得熔湯，添加特定之含有量之金屬原料。之後，在真空或非活性氣體環境中熔解，製作熔解鑄造錠。將所得鑄錠冷軋之後，在大氣中，例如施加600℃，保持2小時之熱處理，接著經由機械加工，製作成具有直徑152.4mm，厚6mm之尺寸之圓板狀，製作形成銅層之濺鍍靶。
對於在成膜基底層之時使用之濺鍍靶，使用經由高純度化學股份有限公司所購入之記載於表4及表5者。
將此等之濺鍍靶焊接於無氧銅製之支撐板，將此裝設於直流磁控管濺鍍裝置，於真空排氣裝置，將直流磁控管濺鍍裝置內排氣至5×10-5
Pa以下之後，導入Ar氣體，於與標靶平行配置之已洗淨之表4及表5所示基板，和上述標靶之間，產生電漿，形成基底層及銅層。將基底層之成膜條件及銅層之成膜條件，示於如下。
＜基底層之成膜條件＞
使用氣體:Ar+2體積%氧
氣壓:0.67Pa
濺鍍電力:直流300W
標靶/基板間距離:70mm
＜銅層之成膜條件＞
到達真空度:5×10-5
Pa以下
使用氣體:Ar
氣壓:0.67Pa
濺鍍電力:直流200W
標靶/基板間距離:70mm
對於如以上所述所得抗菌構件，對於以下之項目加以評估。
(形成銅層之濺鍍靶之成分組成)
自形成銅層之濺鍍靶採取分析用樣本，經由ICP發光分光分析法，測定成分。然而，確認形成銅層之濺鍍靶與成膜之銅層之組成為一致。
然而，做為表中之「他」之組成，可使用Pb、Mg、Zr、Te、Cr、Fe、Co、P等。
(膜厚測定)
基底層及銅層之厚度係經由透過電子顯微鏡(TEM)，觀察銅層之剖面加以確認，確認到以目標值之厚度成膜。為TEM觀察之試體製作中，例如可使用離子束截面研磨(CP)，或聚焦離子束(FIB)。
(耐久性試驗)
對於抗菌構件，做為恆溫恆濕試驗，於溫度60℃、濕度90%之環境下，保持250小時，對於試驗後之表面之外觀上之色調變化，進行確認。對於色調變化，以目視進行判定。40mm×40mm大小之樣本中之變色部偏佈整面之時，評估為「D」，變色部為一半以下時，評估為「B」，未發現變色部之時，評估為「A」。
(抗菌活性評估)
抗菌活性係評估形成於表面之濺鍍靶之銅及銅合金之抗菌活性，做為此特性。
將使用於濺鍍之標靶之表面以砂紙#1000進行研磨，露出新生面之後，調整表面氧化狀態，成為樣本。之後，依據JIS Z 2801，於各試驗片之表面，接種一定之黃色葡萄球菌，定量2小時後之生菌數(cfu)。以N=3實施，使用定量之生菌數，求得自以下之式所得菌之減少率，菌之減少率超過2之時為「A」，菌之減少率超過0，2以下之時為「B」，菌之減少率為0以下之時為「C」，進行評估。
菌之減少率=-log(2h後之試驗片之生菌數(cfu)/初期之接種菌數(cfu))
(表面之氧化物之存在形態)
準備與濺鍍靶同等之樣本，在氧化・還原環境下，進行熱處理，將存在於表面之氧化物之形態，如表6加以變化。由此，變化表面氧化物之CuO與Cu2
O之比率，測定該抗菌活性。表面氧化物之狀態係於XPS分析加以測定。
未形成基底層，於基板(玻璃基板基板)上，直接將銅層以厚度10nm成膜之比較例B1中，耐久性成為「D」。推測為未能抑制銅層之凝聚之產生。
對此，於基板與銅層之間，形成金屬氧化物所成基底層，令銅層之厚度為30nm以下之本發明例B1-B30中，耐久性優異。
又，表所示組成之銅層中，菌之減少率超過2，皆成為「A」之評估。
更且，如表6所示，形成於銅層之表層之Cu氧化膜CuO與Cu2
O之莫爾比率CuO/Cu2
O為不足1之本發明例B28中，相較Cu氧化膜CuO與Cu2
O之莫爾比率CuO/Cu2
O為1以上之本發明例B31，確認到抗菌性之提升。
由以上確認，根據本發明例時，可提供低成本下抗菌性優異，且耐久性優異之抗菌構件。
[第3實施例]
以下，對於確認本發明之效果所進行之確認實驗結果加以說明。
將於成膜銅層之時使用之濺鍍靶，以如下所述手序加以製造。
首先，做為原料，將純度99.9mass%以上之Cu原料、和純度99mass%以上之金屬原料秤量成為特定之組成。接著，於熔解爐中，將Cu原料在高真空或非活性氣體環境中熔解，於所得熔湯，添加特定之含有量之金屬原料。之後，在真空或非活性氣體環境中熔解，製作熔解鑄造錠。將所得鑄錠冷軋之後，在大氣中，例如施加600℃，保持2小時之熱處理，接著經由機械加工，製作成具有直徑152.4mm，厚6mm之尺寸之圓板狀，製作形成銅層之濺鍍靶。
對於在成膜基底層之時使用之濺鍍靶，使用經由高純度化學股份有限公司所購入之記載於表7及表8者。
將此等之濺鍍靶焊接於無氧銅製之支撐板，將此裝設於直流磁控管濺鍍裝置，於真空排氣裝置，將直流磁控管濺鍍裝置內排氣至5×10-5
Pa以下之後，導入Ar氣體，於與標靶平行配置之已洗淨之表7及表8所示透明基板，和上述標靶之間，產生電漿，形成基底層及銅層。將基底層之成膜條件及銅層之成膜條件，示於如下。
＜基底層之成膜條件＞
使用氣體:Ar+2體積%氧
氣壓:0.67Pa
濺鍍電力:直流300W
標靶/基板間距離:70mm
＜銅層之成膜條件＞
到達真空度:5×10-5
Pa以下
使用氣體:Ar
氣壓:0.67Pa
濺鍍電力:直流200W
標靶/基板間距離:70mm
對於如以上所述所得透明抗菌構件，對於以下之項目加以評估。
(形成銅層之濺鍍靶之成分組成)
自形成銅層之濺鍍靶採取分析用樣本，經由ICP發光分光分析法，測定成分。然而，確認形成銅層之濺鍍靶與成膜之銅層之組成為一致。
然而，做為表中之「他」之組成，可使用Pb、Mg、Zr、Te、Cr、Fe、Co等。
(膜厚測定)
基底層及銅層之厚度係經由透過電子顯微鏡(TEM)，觀察銅層之剖面加以確認，確認到以目標值之厚度成膜。為TEM觀察之試體製作中，例如可使用離子束截面研磨(CP)，或聚焦離子束(FIB)。
(透過率)
將透明抗菌構件之層積方向之透過率，使用分光光度計(日立High-Tech股份有限公司製 U-4100)加以測定。於表中，記載自波長530nm至550nm之透過率之平均值。然而，於測定時，將測定基準線以玻璃基板加以測定之故，表中記載之值係令玻璃基板之透過率為100時之相對透過率。
(耐久性試驗)
對於透明抗菌構件，做為恆溫恆濕試驗，於溫度60℃、濕度90%之環境下，保持250小時，對於試驗後之表面之外觀上之色調變化，進行確認。對於色調變化，以目視進行判定。40mm×40mm大小之樣本中之變色部偏佈整面之時，評估為「D」，變色部為一半以上時，評估為「C」，變色部為一半以下時，評估為「B」，未發現變色部之時，評估為「A」。
(抗菌活性評估)
抗菌活性係評估形成於表面之濺鍍靶之銅及銅合金之抗菌活性，做為此特性。
將使用於濺鍍之標靶之表面以砂紙#1000進行研磨，露出新生面，成為樣本。之後，依據JIS Z 2801，於各試驗片之表面，接種一定之黃色葡萄球菌，定量2小時後之生菌數(cfu)。以N=3實施，使用定量之生菌數，求得自以下之式所得菌之減少率，以菌之減少率超過2之時為「A」，未超過時為「C」，進行評估。
菌之減少率=-log(2h後之試驗片之生菌數(cfu)/初期之接種菌數(cfu))
未形成基底層，於透明基板(玻璃基板)上，直接將銅層以厚度10nm成膜之比較例C1中，耐久性成為「D」。推測為未能抑制銅層之凝聚之產生。
於透明基板(PET基板)與銅層之間，形成金屬氧化物所成基底層，令銅層之厚度為100nm成膜之比較例C2中，透過率成為0%。推測為銅層之厚度過厚。
對此，於透明基板與銅層之間，形成透過可見光之金屬氧化物所成基底層，令銅層之厚度為20nm以下之本發明例C1-C30中，透過率則充分為高。又，耐久性亦優異。
又，表所示組成之銅層中，菌之減少率超過2，皆成為「A」之評估。
由以上確認，根據本發明時，可提供抗菌性及可見光之透過率優異，可抑制外觀不良之產生，可安定使用之透明抗菌構件。
[產業上的可利用性]
可提供抗菌性及彎曲性優異，可安定使用之抗菌構件。
110:抗菌構件
111:基板
112:基底層
113:銅層
115:黏著層
120:彎曲試驗用治具
120a:挾持體
120b:台部
210:抗菌構件
211:基板
212:基底層
213:銅層
215:黏著層
310:透明抗菌構件
311:透明基板
312:基底層
313:銅層
315:黏著層
[圖1]顯示本發明之實施形態之抗菌構件之一例說明圖。
[圖2A]實施例中，評估彎曲性之試驗方法之說明圖。
[圖2B]實施例中，評估彎曲性之試驗方法之說明圖。
[圖2C]實施例中，評估彎曲性之試驗方法之說明圖。
[圖3]顯示本發明之實施形態之抗菌構件之一例說明圖。
[圖4]顯示本發明之實施形態之透明抗菌構件之一例說明圖。
110:抗菌構件
111:基板
112:基底層
113:銅層
115:黏著層
Claims (14)
- 一種抗菌構件，其特徵係係具有基板、和成膜於此基板上之基底層、和形成於與此基底層之前述基板相反側之面的同時，配置於最表層之銅層， 前述銅層係以銅或銅合金所構成，前述基底層係以金屬氧化物所構成， 前述基板係以可撓性樹脂材料或可撓性玻璃材料所構成。
- 如請求項1記載之抗菌構件，其中，前述銅層之厚度為5μm以下。
- 如請求項1或2記載之抗菌構件，其中，前述銅層之厚度為35nm以下。
- 如請求項1記載之抗菌構件，其中，前述基板係透明基板， 前述金屬氧化物係透過可見光之金屬氧化物。
- 如請求項1至4之任一項記載之抗菌構件，其中，實施100次曲率半徑6mm之彎曲試驗之後，未確認到龜裂者。
- 如請求項1至5之任一項記載之抗菌構件，其中，前述基底層之厚度為500nm以下。
- 如請求項1至6之任一項記載之抗菌構件，其中，前述基底層之厚度為100nm以下。
- 如請求項1至7之任一項記載之抗菌構件，其中，前述基底層之厚度為50nm以下。
- 如請求項1至8之任一項記載之抗菌構件，其中，前述基板之厚度為500μm以下。
- 如請求項1至9之任一項記載之抗菌構件，其中，構成前述基底層之前述金屬氧化物係包含選自In氧化物、Sn氧化物、Zn氧化物、Nb氧化物、Ti氧化物、Al氧化物、Ga氧化物、W氧化物、Mo氧化物、Si氧化物、Zr氧化物、Ta氧化物、Y氧化物、Ge氧化物、Cu氧化物、Ag氧化物之一種或二種以上。
- 如請求項1至10之任一項記載之抗菌構件，其中，前述銅層係以包含合計0.1mass%以上選自Zn、Sn、Ni、Al、Si、Mn之一種或二種以上的同時，Cu之含有量為45mass%以上之銅合金所構成。
- 如請求項1至11之任一項記載之抗菌構件，其中，於前述銅層之表層，形成Cu氧化膜，此Cu氧化膜之CuO與Cu2 O之莫爾比率CuO/Cu2 O為CuO/Cu2 O＜1。
- 如請求項1至12之任一項記載之抗菌構件，其中，於與前述基板之前述基底層相反側之面，設置黏著層。
- 如請求項1至13之任一項記載之抗菌構件，其中，對於層積方向之波長550nm之光的透過率為5%以上。
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