TW202140820A - 蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩的製造方法及顯示裝置的製造方法 - Google Patents
蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩的製造方法及顯示裝置的製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TW202140820A TW202140820A TW110111314A TW110111314A TW202140820A TW 202140820 A TW202140820 A TW 202140820A TW 110111314 A TW110111314 A TW 110111314A TW 110111314 A TW110111314 A TW 110111314A TW 202140820 A TW202140820 A TW 202140820A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- frame
- mask
- main body
- opening
- vapor deposition
- Prior art date
Links
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims abstract description 191
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 26
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 79
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 79
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 31
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 17
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 13
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 13
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 2
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 claims description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 65
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 58
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 58
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 49
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 description 30
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 20
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 11
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 5
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Co].[Ni] Chemical compound [Fe].[Co].[Ni] KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 3
- UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N iron nickel Chemical compound [Fe].[Ni] UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- LHOWRPZTCLUDOI-UHFFFAOYSA-K iron(3+);triperchlorate Chemical compound [Fe+3].[O-]Cl(=O)(=O)=O.[O-]Cl(=O)(=O)=O.[O-]Cl(=O)(=O)=O LHOWRPZTCLUDOI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000005373 porous glass Substances 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
蒸鍍遮罩係具備遮罩框架和遮罩部,遮罩框架係具備:本體部,具備有第1表面、第1表面的相反側之第1背面、及貫通第1表面與第1背面之間的第1開口部;及框狀部,具備第2表面及第2表面的相反側之第2背面,且具備貫通第2表面與第2背面之間的第2開口部;構成為以第2表面之第2開口部的位置與第1表面之第1開口部的位置整合的方式在第1背面側將框狀部可卸下地安裝於本體部;遮罩部係具有複數個遮罩孔,且以覆蓋第2開口部的方式接合於第2背面。
Description
本發明係關於一種蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩的製造方法及顯示裝置的製造方法。
有機EL顯示裝置的製造中,有機EL顯示元件所具備之有機發光層的形成,係使用真空蒸鍍。藉真空蒸鍍形成有機發光層時,為了將具有既定形狀的有機發光層形成於蒸鍍對象中的既定位置,而使用蒸鍍遮罩。蒸鍍遮罩具備有複數個遮罩部和遮罩框架。各遮罩部係形成有複數個遮罩孔的金屬箔。複數個遮罩孔具有與有機發光層的形狀及配置對應之形狀及配置。遮罩框架具有框架孔,該框架孔用以使蒸鍍材料到達安裝於遮罩框架的遮罩部。各遮罩部係以塞住彼此相異的一個框架孔之方式接合於遮罩框架(例如參照專利文獻1)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2019/054462號
[發明欲解決之課題]
遮罩部對遮罩框架的接合,係使用例如熔接。熔接被使用於遮罩部的接合時,係在遮罩框架形成接合有遮罩部的接合痕。接合痕係為遮罩框架中形成於熔接有遮罩部的部分之凹部。
另一方面,進行複數次使用一個蒸鍍遮罩的蒸鍍時,會有遮罩部的一部分變形、或蒸鍍材料沉積在遮罩部的一部分之情況。關於這點,在上述的蒸鍍遮罩中,可僅將必須更換的遮罩部從遮罩框架卸下,將新的遮罩部接合於遮罩框架。然而,在遮罩框架因遮罩部的接合而形成有接合痕,所以為了抑制因接合痕而造成遮罩部相對於遮罩框架的位置偏移、或遮罩部沒有接合於遮罩框架的情形,必須對接合痕進行加工。因此,按必須對接合痕加工之程度,遮罩部對遮罩框架的再接合是繁雜的。
此外,上述課題不限於在遮罩部的接合是使用熔接之情況,在遮罩部的接合是使用接著之情況也是共通的。在遮罩部的接合是使用接著時,係形成接著層作為接合痕。
本發明之目的在於提供一種可使遮罩部對遮罩框架的再接合容易之蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩的製造方法及顯示裝置的製造方法。
[用以解決課題之手段]
用以解決上述課題的蒸鍍遮罩係具備遮罩框架和遮罩部,
前述遮罩框架係具備:
本體部,具備有第1表面、前述第1表面的相反側之第1背面、及貫通前述第1表面與前述第1背面之間的第1開口部;及
框狀部,具備第2表面及前述第2表面的相反側之第2背面,且具備貫通前述第2表面與前述第2背面之間的第2開口部;
構成為以前述第2表面之前述第2開口部的位置與前述第1表面之前述第1開口部的位置整合的方式,在前述第1背面側將前述框狀部以卸下的方式安裝於前述本體部;
前述遮罩部係具有複數個遮罩孔且以覆蓋前述第2開口部的方式接合於前述第2背面。
用以解決上述課題之蒸鍍遮罩的製造方法係包含:
將遮罩部接合於具有貫通第2表面與第2背面之間的第2開口部之框狀部;及將前述框狀部安裝於具有貫通第1表面與第1背面之間的第1開口部之本體部。接合前述遮罩部係包含以覆蓋前述第2開口部的方式將前述遮罩部接合於前述第2背面。安裝前述框狀部係包含以前述第2表面之前述第2開口部的位置與前述第1表面之前述第1開口部的位置整合的方式,在前述第1背面側將前述框狀部以可卸下的方式安裝於前述本體部。
用以解決上述課題之顯示裝置的製造方法,係包含使用藉由上述蒸鍍遮罩的製造方法所製造的蒸鍍遮罩在蒸鍍對象形成圖案。
根據上述蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩的製造方法及顯示裝置的製造方法,將蒸鍍遮罩所具備的遮罩部更換成新的遮罩部之際,將遮罩部連同可從本體部卸下的框狀部一起從本體部拆除。藉此,藉由遮罩部對框狀部的接合,形成於框狀部的接合痕也會從本體部被拆除。因此,藉由對本體部安裝新的框狀部,且對新的框狀部接合新的遮罩部,可得到蒸鍍遮罩。如此,將遮罩部再接合於遮罩框架之際,由於不需要對遮罩框架所具有的接合痕進行加工,所以可使遮罩部對遮罩框架的再接合容易。
[用以實施發明的形態]
[第1實施形態]
參照圖1至圖17,說明蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩的製造方法及顯示裝置的製造方法之第1實施形態。以下,依序說明蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩的製造方法及顯示裝置的製造方法。
[蒸鍍遮罩]
蒸鍍遮罩具備有遮罩框架和遮罩部。遮罩框架具備有本體部和框狀部。本體部具備:表面、和表面相反的那一側的背面、及貫通表面與背面之間的第1貫通孔。框狀部具備:表面、和表面相反之側的背面、及貫通表面與背面之間的第2貫通孔。遮罩框架係可構成為:在相對於本體部的表面之本體部的背面側,第2開口部中之表面的開口與第1開口部中之表面的開口對向之方式將框狀部安裝於本體部、以及將框狀部從本體部卸下。遮罩部係以具有複數個遮罩孔,且以覆蓋第2開口部之方式與框狀部的背面接合。
亦即,本體部具備:第1表面、第1表面的相反側之第1背面、及貫通第1表面與第1背面之間之第1開口部。框狀部具備:第2表面、及2表面的相反側之第2背面。框狀部具備貫通第2表面與第2背面之間的第2開口部。遮罩框架係可構成為:能夠在第1背面側將框狀部可卸下地安裝於本體部,以使第2表面之第2開口部的位置與第1表面之第1開口部的位置整合。
以下,參照圖1至圖5,說明第1實施形態的蒸鍍遮罩。圖1係顯示從和蒸鍍遮罩的遮罩框架所具備之本體部的背面對應的視點觀看之蒸鍍遮罩的立體構造。
如圖1所示,蒸鍍遮罩10具備有遮罩框架11和複數個遮罩部12。遮罩框架11具有複數個框架孔11H。各遮罩部12係以覆蓋彼此不同的一個框架孔11H之方式接合於遮罩框架11。
遮罩框架11的外形具有例如四角形狀。遮罩框架11具備有:表面11F、以及表面11F之相反側的背面11R。蒸鍍遮罩10搭載於蒸鍍裝置時,遮罩框架11的背面11R與蒸鍍對象S對向,相對於此,遮罩框架11的表面11F與蒸鍍源對向。從和遮罩框架11的背面11R對向的視點觀看,遮罩框架11的外形比蒸鍍對象S大。此外,圖1所示的例子中,遮罩框架11的外形雖比蒸鍍對象S大,但遮罩框架11的外形亦可小於蒸鍍對象S。
各框架孔11H從和背面11R對向的視點觀看,具有長方形狀。複數個框架孔11H係在第1方向D1以及和第1方向D1正交的第2方向D2,隔著等間隔排列成矩形格子狀。此外,框架孔11H亦可不具有長方形狀。例如,框架孔11H亦可具有正方形、圓形、及橢圓形等形狀。又,複數個框架孔11H,亦可含有具有第1形狀的框架孔11H和具有第2形狀的框架孔11H。複數個框架孔11H亦可不是排列成矩形格子狀。例如,複數個框架孔11H亦可排列成交錯格子狀。又,複數個框架孔11H亦可在第1方向D1及第2方向D2的至少一者,呈不規則地排列。
遮罩部12係具有從和遮罩框架11的背面11R對向的視點觀看,具有可覆蓋框架孔11H的形狀及大小。本實施形態中,遮罩部12具有長方形狀。遮罩部12係針對一個框架孔11H一個一個地安裝。因此,蒸鍍遮罩10具備有與框架孔11H相同數量的遮罩部12。
遮罩框架11及遮罩部12為金屬製。較佳為形成遮罩框架11的金屬和形成遮罩部12的金屬係相同。藉此,由於蒸鍍遮罩10的線膨脹係數與遮罩部12的線膨脹係數之差小,所以在使用蒸鍍遮罩10時即便蒸鍍遮罩10被加熱,也可抑制遮罩部12變形。結果,可抑制使用蒸鍍遮罩10所形成之圖案的位置的精確度降低。
形成遮罩部12的材料,係可使用以鐵和鎳為主成分的合金之鐵‐鎳系合金。形成遮罩部12的材料,係例如含有30質量%以上的鎳、和剩餘成分的鐵之合金。形成遮罩部12的材料,較佳為在鐵‐鎳系合金中含有36質量%的鎳之合金、即不變鋼。形成遮罩部12的材料亦可為含有42質量%的鎳之合金、即合金。遮罩部12除了含有鐵及鎳外,亦可含有鉻、錳、碳及鈷等的添加物。
在形成遮罩部12的材料為鐵‐鎳‐鈷系合金時,該材料係以鐵、鎳及鈷為主成分,且包含例如30質量%以上的鎳、3質量%以上的鈷及剩餘成分的鐵之合金。較佳為以鐵‐鎳‐鈷系合金中包含32質量%的鎳和4質量%以上5質量%以下的鈷之合金、即超不變鋼,作為用以形成遮罩部12的材料。在超不變鋼中,相對於32質量%的鎳和4質量%以上5質量%以下的鈷之剩餘成分,係有包含為主成分之鐵以外的添加物之情況。添加物為例如鉻、錳及碳等。鐵‐鎳‐鈷系合金所含的添加物,最大為0.5質量%以下。
此外,蒸鍍對象S較佳為玻璃基板。當蒸鍍對象S為玻璃基板時,藉由遮罩部12為不變鋼製,可抑制蒸鍍對象S的線膨脹係數與遮罩部12的線膨脹係數之差變大。此外,蒸鍍對象S亦可為玻璃基板與樹脂層的積層體。於此情況,亦可在蒸鍍對象S所具備的樹脂層形成圖案。又,蒸鍍對象S亦可為樹脂薄膜。形成樹脂層及樹脂薄膜的材料,較佳為例如聚醯亞胺樹脂。
圖2係顯示沿著與遮罩框架11的背面11R正交的面之蒸鍍遮罩10的剖面構造。圖2係僅顯示蒸鍍遮罩10的剖面構造中包含一個框架孔11H和一個遮罩部12的部分的構造。
如圖2所示,遮罩框架11具備有本體部11A和複數個框狀部11B。本體部11A具備有:表面11AF、表面11AF之相反側的背面11AR、及複數個第1開口部11AH。表面11AF係第1表面的一例,背面11AR係第1背面的一例。第1開口部11AH係貫通表面11AF與背面11AR之間。本體部11A係具有在第1開口部11AH中之本體部11A的背面11AR中的開口被擴開之階差部AH1。
各框狀部11B係具有以劃分第2開口部11BH的方式嵌入階差部AH1的框狀,該第2開口部11BH係與互不相同之第1開口部11AH中的表面11AF的開口對向。換言之,各框狀部11B的第2開口部11BH在表面11BF的位置,係與第1開口部11AH在表面11AF的位置整合,第1開口部11AH在表面11AF的位置係不同於和其他第2開口部11BH在表面11BF的位置整合之第1開口部11AH在表面11AF的位置。
各框狀部11B具備有表面11BF和背面11BR。表面11BF係第2表面的一例,背面11BR係第2背面的一例。框狀部11B的背面11BR係在和階差部AH1的相反側露出之露出面的一例。各框狀部11B係構成為可從本體部11A的階差部AH1卸下。
各遮罩部12具有複數個遮罩孔12H。各遮罩部12係以覆蓋彼此不同的一個框狀部11B所具有的第2開口部11BH之方式和框狀部11B的背面11BR接合。換言之,各遮罩部12係接合於與其他遮罩部12所接合之框狀部11B不同的框狀部11B的背面11BR。遮罩部12係例如藉熔接而和框狀部11B的背面11BR接合。
蒸鍍遮罩10所具備的遮罩部12更換成新的遮罩部12之際,係連同可從本體部11A卸下的框狀部11B,將遮罩部12一起從本體部11A卸下。藉此,藉由遮罩部12相對於框狀部11B的接合,形成於框狀部11B的接合痕也從本體部11A被拆除。因此,藉由對本體部11A嵌入新的框狀部11B,且對新的框狀部11B接合新的遮罩部12,可得到蒸鍍遮罩10。以此方式,將遮罩部12再接合於遮罩框架11之際,由於不需要對遮罩框架11所具有的接合痕進行加工,所以可使遮罩部12對遮罩框架11的再接合容易。
由於框狀部11B位於階差部AH1,所以與本體部11A不具有階差部AH1的情況相比,可縮小本體部11A的背面11AR與遮罩部12之間的間隙。因此,在蒸鍍遮罩10和蒸鍍對象相接的情況,可將作用在蒸鍍對象中蒸鍍遮罩10所連接的部分和蒸鍍遮罩10未連接的部分之力的差變小。
在和本體部11A的背面11AR對向的平面視圖中,框狀部11B的外形具有矩形,且框狀部11B係劃分了矩形區域。框狀部11B具備有:供接合遮罩部12的背面11BR、以及和背面11BR相反之側的表面11BF。背面11BR係相對於表面11BF位在和本體部11A的表面11AF相反側之面。
在和本體部11A的背面11AR正交的剖面中,框狀部11B的第2開口部11BH具有梯形。另一方面,在和本體部11A的背面11AR正交的剖面中,本體部11A的各第1開口部11AH係具有:連接有在表面11AF開口且具有梯形的部分、和在背面11AR開口且具有長方形狀的部分之形狀。藉由框狀部11B嵌入本體部11A的階差部AH1,而由本體部11A的第1開口部11AH和框狀部11B的第2開口部11BH形成一個框架孔11H。在和本體部11A的背面11AR正交的剖面中,框架孔11H具有梯形。
此外,在和本體部11A的背面11AR正交的剖面中,框架孔11H亦可具有梯形以外的形狀。例如,框架孔11H亦可具有從表面11AF朝向背面11AR逐漸變窄的半圓弧狀,亦可具有矩形。
框架孔11H係為從蒸鍍源氣化或昇華之蒸鍍材料的通路。藉由框架孔11H具有梯形,換言之具有沿著從本體部11A的表面11AF朝向背面11AR的方向逐漸變窄的形狀,可抑制由遮罩框架11所產生的陰影(shadow)效應。
在和本體部11A的背面11AR正交之剖面中,框狀部11B係具有本體部11A的階差部AH1的深度D以上的厚度TB。本實施形態中,本體部11A的階差部AH1所具有的深度D係與框狀部11B所具有的厚度TB相等。在本體部11A的階差部AH1已嵌入有框狀部11B的情況下,框狀部11B的背面11BR係與本體部11A的背面11AR齊平。因此,可抑制本體部11A的背面11AR相對於框狀部11B的背面11BR突出,藉此,可抑制在遮罩部12與蒸鍍對象S之間形成間隙。
此外,在框狀部11B的厚度TB比階差部AH1的深度D大的情況,框狀部11B的背面11BR係相對於本體部11A的背面11AR突出。因此,與框狀部11B的背面11BR和本體部11A的背面11AR齊平的情況同樣,可抑制本體部11A的背面11AR相對於框狀部11B的背面11BR突出,藉此,可抑制在遮罩部12和蒸鍍對象S之間形成間隙。
在與本體部11A的背面11AR正交的剖面中,框狀部11B的厚度TB係比本體部11A的厚度TA薄。本體部11A的厚度TA可為例如5mm以上50mm以下。框狀部11B的厚度TB可為例如100μm以上10mm以下。
上述之遮罩框架11的表面11F係本體部11A的表面11AF。相對地,遮罩框架11的背面11R係由本體部11A的背面11AR和各框狀部11B的背面11BR所形成。
此外,在和本體部11A的背面11AR正交的剖面中,於框狀部11B中繫接表面11BF與背面11BR的側面,亦可在框狀部11B內或在框狀部11B的厚度方向,具有曲率中心是位在相對於框狀部11B的遮罩部12側之曲率。又,從和本體部11A的背面11AR對向的視點觀看,在第2開口部11BH之背面11BR的開口所具有的角部,亦可具有曲率中心位於該開口內之曲率。又,從和本體部11A的背面11AR對向的視點觀看,框狀部11B的外緣所具有的角部,亦可具有曲率中心位於框狀部11B內之曲率。
又,從和本體部11A的背面11AR對向的視點觀看,階差部AH1的內緣所具有的角部,亦可具有曲率中心是位在階差部AH1的內緣所包圍的區域內之曲率。又,從和本體部11A的表面11AF對向的視點觀看,第1開口部11AH中之表面11AF的開口所具有的角部,亦可具有曲率中心位於該開口內之曲率。
藉由各角部具有曲率,與各角部不具有曲率的情況相比,在對本體部11A嵌入框狀部11B之際,可抑制因框狀部11B接觸本體部11A所具有的角部所致之損傷、或本體部11A接觸框狀部11B所具有的角部所致之損傷。
遮罩框架11係可具備將框狀部11B固定於本體部11A之固定部。圖3係示意地顯示固定部的一例。固定部係將框狀部11B以可從本體部11A卸下的方式固定於本體部11A。
在框狀部11B是由具有磁性的金屬形成的情況,本體部11A係可具備以可從本體部11A卸下的方式藉由磁性吸附將框狀部11B固定於本體部11A之固定部。藉此,由於框狀部11B係被磁性吸附於本體部11A,所以與使用螺絲等的連結構件將框狀部11B固定於本體部11A的情況相比,框狀部11B相對於本體部11A之位置的精確度不易降低。
例如,如圖3所示,本體部11A係可在本體部11A的內部具備磁鐵11AM。磁鐵11AM為例如永久磁鐵。磁鐵11AM係可具有第1狀態和第2狀態。第1狀態係磁鐵11AM沿著劃分階差部AH1的面設置之狀態,藉此,磁鐵11AM係藉磁性吸附將框狀部11B固定於本體部11A。另一方面,與第1狀態相比之下,第2狀態係磁鐵11AM自劃分階差部AH1的面分離之狀態,在磁鐵11AM具有第2狀態的情況,磁鐵11AM係解除框狀部11B對本體部11A的固定。
因此,在磁鐵11AM為第1狀態的情況,可將框狀部11B固定於本體部11A。且,藉由將磁鐵11AM的狀態從第1狀態變更成第2狀態,可將固定於本體部11A的框狀部11B從本體部11A卸下。
圖4係示意地顯示與框狀部11B接合之遮罩部12的平面構造。圖5係顯示沿著與遮罩部12擴展的平面正交的剖面之遮罩部12的構造。
如圖4所示,遮罩部12具備有:形成有複數個遮罩孔12H之遮罩區域12A;以及不具有遮罩孔12H之周邊區域12B。周邊區域12B圍繞著遮罩區域12A。周邊區域12B的一部分係接合於框狀部11B。
圖4所示的例子,遮罩部12僅具備有一個遮罩區域12A。此外,遮罩部12亦可具備複數個遮罩區域12A。在遮罩部12具備複數個遮罩區域12A的情況,彼此相鄰的遮罩區域12A係藉由周邊區域12B相互區分。又,在蒸鍍遮罩10所具備的複數個遮罩部12全部當中,各遮罩部12所具有的遮罩區域12A的數量亦可相同。或者,複數個遮罩部12,亦可包含具備第1數量的遮罩區域12A之遮罩部12、和具備第2數量的遮罩區域12A之遮罩部12。第2數量係異於第1數量。
如圖5所示,遮罩部12具備有表面12F、和表面12F之相反側的背面12R。表面12F係藉由在遮罩框架11的框架孔11H所劃分的區域露出而在蒸鍍裝置內用以與蒸鍍源對向之面。背面12R係在蒸鍍裝置內用以與蒸鍍對象S接觸之面。
遮罩部12可由單一金屬板形成,也可由複數個金屬板形成。在遮罩部12由複數個金屬板形成的情況,複數個金屬板係堆積在遮罩部12的厚度方向。劃分遮罩孔12H的孔側面係在沿著遮罩部12的厚度方向之剖面,具有從表面12F朝背面12R逐漸變窄的半圓弧狀。各遮罩孔12H係從彼此相鄰的遮罩孔12H分離。此外,各遮罩孔12H亦可和彼此相鄰的遮罩孔12H相連。
表面12F係和遮罩框架11的框狀部11B接合之面。表面12F係包含有屬於遮罩孔12H的開口之表面開口H1。背面12R係包含有屬於遮罩孔12H的開口之背面開口H2。表面開口H1的大小從和表面12F對向的視點觀看,係比背面開口H2大。各遮罩孔12H係供從蒸鍍源氣化或昇華之蒸鍍粒子通過的通路。從蒸鍍源氣化或昇華之蒸鍍粒子係從表面開口H1朝背面開口H2進入遮罩孔12H內。在遮罩孔12H中,藉由表面開口H1比背面開口H2大,從朝向遮罩部12飛行的蒸鍍粒子觀看蒸鍍對象時,可減少因蒸鍍遮罩10而變成影子的部分、亦即可抑制陰影效應。
遮罩部12的厚度係為例如1μm以上15μm以下。若為這樣薄的遮罩部12,則可抑制針對由表面開口H1進入的蒸鍍粒子之陰影效應。
[蒸鍍遮罩的製造方法]
參照圖6至圖15,說明蒸鍍遮罩10的製造方法。
蒸鍍遮罩10的製造方法係包含:在具有貫通表面11BF與背面11BR之間的第2開口部11BH之框狀部11B,接合遮罩部12;以及在具有貫通表面11AF與背面11AR之間的第1開口部11AH之本體部11A,安裝具有第2開口部11BH的框狀部11B。接合遮罩部12係包含:以覆蓋第2開口部11BH的方式,將遮罩部12接合於框狀部11B的背面11BR。
安裝框狀部11B係包含:在與本體部11A的表面11AF相對的本體部11A的背面11AR側,第2開口部11BH的表面11BF的開口係與第1開口部11AH的表面11AF的開口對向,且以能夠從本體部11A卸下的方式安裝框狀部11B。亦即,安裝框狀部11B係包含:以第2表面之第2開口部11BH的位置與第1表面之第1開口部11AH的位置整合的方式,在第1背面側將框狀部11B以可卸下的方式安裝於本體部11A。以下,參照圖式,更詳細地說明蒸鍍遮罩10的製造方法。
此外,圖6至圖11係顯示從準備遮罩部12形成用的基材之步驟到形成遮罩部12為止的步驟。又,圖12至圖15係顯示從將遮罩部12接合於遮罩框架11的步驟至從遮罩部12卸下支持體的步驟為止。此外,圖12至圖15中,為了方便圖示,係以遮罩框架11僅具有一個框架孔11H且蒸鍍遮罩10具有一個遮罩部12之構造來顯示。
如圖6至圖11所示,在蒸鍍遮罩10的製造方法中,首先,準備用以形成遮罩部12的基材20(參照圖6)。遮罩部12的基材20具備有:用以形成遮罩部12的金屬板21;以及用以支持金屬板21的支持體22。支持體22係由樹脂層22a及玻璃基板22b形成。在基材20中,樹脂層22a係被金屬板21和玻璃基板22b所包夾。
如上述,金屬板21亦可由鐵‐鎳系合金形成。玻璃基板22b亦可由選自由無鹼玻璃、石英玻璃、結晶化玻璃、硼矽酸玻璃、高矽酸玻璃、多孔質玻璃、及鈉鈣玻璃所構成的群組之任一者形成。
其次,藉由將金屬板21從表面21F蝕刻,將金屬板21的厚度變薄。例如,可將金屬板21的厚度減少至蝕刻前的金屬板21的厚度之1/2以下的厚度為止(參照圖7)。然後,在金屬板21的表面21F形成阻劑層PR(參照圖8)。藉由對阻劑層PR進行曝光及顯影,在表面21F形成阻劑遮罩RM(參照圖9)。
其次,使用阻劑遮罩RM將金屬板21從表面21F進行濕式蝕刻。藉此,在金屬板21形成複數個遮罩孔12H(參照圖10)。在金屬板21的濕式蝕刻中,表面開口H1形成於表面21F,其後,比表面開口H1小的背面開口H2形成於背面21R。接著,藉由阻劑遮罩RM從表面21F去除,而製造遮罩部12(參照圖11)。此外,金屬板21的表面21F係和遮罩部12的表面12F對應,金屬板21的背面21R係和遮罩部12的背面12R對應。
準備基材20的步驟(參照圖6)係包含:在金屬板21和玻璃基板22b之間夾著樹脂層22a,透過樹脂層22a接合金屬板21和玻璃基板22b之步驟。在金屬板21、樹脂層22a及玻璃基板22b被接合時,首先,在金屬板21及玻璃基板22b各自具有的面中,至少在與樹脂層22a相接的面進行CB(Chemical bonding,化學鍵結)處理。在金屬板21及玻璃基板22b中進行CB處理的面是對象面。在CB處理中,例如,藉由在對象面塗布藥液,賦予對象面對樹脂層22a具有反應性的官能基等。在CB處理中,例如賦予對象面Si系化合物等。
接著,將金屬板21、樹脂層22a及玻璃基板22b按記載的順序重疊後,將此等熱壓接。此時,使金屬板21的對象面和玻璃基板22b的對象面和樹脂層22a接觸。藉此,藉由賦予對象面之官能基和位於樹脂層22a的表面之官能基反應,使金屬板21與樹脂層22a接合,且玻璃基板22b與樹脂層22a接合。
樹脂層22a宜為聚醯亞胺製。於此情況,金屬板21的線膨脹係數、樹脂層22a的線膨脹係數及玻璃基板22b的線膨脹係數為相同程度。因此,在製造蒸鍍遮罩10的過程中,即便由金屬板21、樹脂層22a及玻璃基板22b形成的積層體被加熱,也能抑制因形成積層體之層間的線膨脹係數的差所致之積層體的翹曲。
製造金屬板21的方法,係使用電解或壓延。作為藉由此等方法得到的金屬板21之後處理,可適當使用研磨或退火等。在金屬板21的製造是使用電解的情況,係在使用於電解之電極的表面形成金屬板21。其後,使金屬板21從電極的表面離型。藉此,製造金屬板21。在上述的接合步驟中,較佳為隔介樹脂層22a將具有10μm以上的厚度之金屬板21接合於玻璃基板22b。此外,在金屬板21藉壓延製造的情況,金屬板21的厚度宜為15μm以上。在金屬板21藉由電解製造的情況,金屬板21的厚度較佳為10μm以上。
在金屬板21形成阻劑遮罩RM之前先減少金屬板21的厚度之薄板化步驟(參照圖7)中,可使用濕式蝕刻。如上述,在薄板化步驟中,將薄板化後之金屬板21的厚度減少到薄板化前之金屬板21的厚度之1/2以下為止。因此,可將金屬板21的厚度設為遮罩部12中之厚度的2倍以上。藉此,即便遮罩部12所要求的厚度係如上述為15μm以下的薄度,也可在金屬板21接合於玻璃基板22b前,使用剛性比蒸鍍遮罩10所具有的遮罩部12還高之金屬板21。因此,與將具有和遮罩部12相同厚度的金屬板21接合於玻璃基板22b相比,更容易將金屬板21接合於玻璃基板22b。此外,減少金屬板21的厚度之步驟係可省略。
用以將金屬板21藉濕式蝕刻薄板化的蝕刻液,係可使用酸性蝕刻液。在金屬板21由不變鋼形成的情況,蝕刻液只要是可蝕刻不變鋼之蝕刻液即可。酸性蝕刻液亦可為例如對過氯酸鐵(Ⅲ)、及過氯酸鐵(Ⅲ)與氯化鐵(Ⅲ)的混合液之任一者混合有過氯酸、鹽酸、硫酸、蟻酸及醋酸的任一者而成的溶液。蝕刻表面21F的方式,係可使用浸漬(dip)式、噴灑式、及旋轉(spin)式的任一者。
用以在金屬板21形成複數個遮罩孔12H的蝕刻步驟(參照圖10)中,可使用酸性蝕刻液來作為蝕刻液。在金屬板21由不變鋼形成時,蝕刻液係可使用能夠在上述的薄板化步驟中的蝕刻液之任一者。用以形成遮罩孔12H的蝕刻方式,也可使用能夠在薄板化步驟中使用的方式之任一者。
此外,準備基材20的步驟係可包含:在將金屬板21、樹脂層22a及玻璃基板22b相互接合前,從金屬板21的一個面將金屬板21薄板化之步驟。於此情況,準備基材20的步驟所包含之薄板化步驟為第1薄板化步驟,準備基材20的步驟後所進行之薄板化步驟為第2薄板化步驟。
在第1薄板化步驟中,金屬板21係藉由從第1面蝕刻而薄板化。相對地,在第2薄板化步驟中,金屬板21係藉由從與第1面相異的第2面蝕刻而薄板化。第1面經蝕刻後所得的面係在金屬板21會與樹脂層22a接合之面,且是會進行CB處理之面。
藉由對金屬板21的第1面和第2面兩者進行蝕刻,可從第1面和第2面兩者調節金屬板21的殘留應力。藉此,與僅對一面蝕刻的情況相比,可抑制在蝕刻後之金屬板21的殘留應力產生偏差。因此,將從金屬板21得到的遮罩部12接合於遮罩框架11時,可抑制在遮罩部12產生皺褶。在金屬板21中,藉第1面的蝕刻所得到之面係與遮罩板的背面12R對應,藉第2面的蝕刻所得到之面係與遮罩部12的表面12F對應。
此外,將金屬板21從第1面蝕刻時的蝕刻量為第1蝕刻量,從第2面蝕刻時的蝕刻量為第2蝕刻量。第1蝕刻量和第2蝕刻量可相同,也可不同。第1蝕刻量和第2蝕刻量不同時,第1蝕刻量亦可比第2蝕刻量大,第2蝕刻量亦可比第1蝕刻量大。惟,在第2蝕刻量比第1蝕刻量大的情況,由於金屬板21藉樹脂層22a和玻璃基板22b所支持之狀態下的蝕刻量更大,所以金屬板21的處理性佳,結果,金屬板21的蝕刻容易。
如圖12至圖15所示,遮罩框架11的一部分與遮罩部12一部分被接合(參照圖12)。此時,以各遮罩部12將彼此不同的框架孔11H逐一覆蓋之方式,使複數個遮罩部12接合於單一的遮罩框架11。接著,從樹脂層22a卸下玻璃基板22b(參照圖14)。其次,從各遮罩部12卸下樹脂層22a(參照圖15)。藉此,可得到上述之蒸鍍遮罩10。
如圖12所示,在將遮罩框架11的一部分和遮罩部12的一部分接合的步驟中,首先準備遮罩框架11。此時,藉由對本體部11A的階差部AH1嵌入框狀部11B,形成遮罩框架11。遮罩框架11可為不變鋼製,也可由不變鋼以外的金屬形成。不變鋼以外的金屬亦可為例如不鏽鋼。用以形成本體部11A的金屬與用以形成框狀部11B的金屬可彼此相同,也可彼此不同。
在將遮罩部12接合於遮罩框架11的框狀部11B之步驟(參照圖12)中,可使用雷射熔接作為接合方法。第1雷射光線L1通過玻璃基板22b和樹脂層22a被照射到遮罩部12中包含於周邊區域12B的部分。因此,玻璃基板22b及樹脂層22a必須具有對第1雷射光線L1的穿透性。換言之,第1雷射光線L1必須具有可穿透玻璃基板22b及樹脂層22a之波長。藉由沿著第2開口部11BH的邊緣間歇地照射第1雷射光線L1,而形成間歇的接合部。另一方面,藉由沿著第2開口部11BH的邊緣連續地持續照射第1雷射光線L1,而形成連續的接合部。藉此,遮罩部12被熔著於遮罩框架11的框狀部11B。第1雷射光線L1所具有的波長宜為355nm。
圖13係將圖12所示的區域A放大顯示。區域A中包含藉由遮罩部12對框狀部11B的熔接所形成的接合痕,圖13中示意地顯示接合痕。
如圖13所示,各框狀部11B具備有藉由遮罩部12對該框狀部11B的熔接所形成之熔接痕11BW。在遮罩部12被雷射熔接於框狀部11B之際,係對遮罩部12及框狀部11B照射第1雷射光線L1。藉由對遮罩部12照射第1雷射光線L1,遮罩部12中被照射了第1雷射光線L1的部位,係以沿著從框狀部11B的背面11BR朝向表面11BF的方向咬入框狀部11B之方式變形。藉此,在框狀部11B,係按咬入有遮罩部12的一部分之份量而形成凹部,亦即,框狀部11B所具有的熔接痕11BW,係形成於背面11BR之凹部。
卸下支持體22的步驟係包含有第1步驟(參照圖14)和第2步驟(參照圖15)。第1步驟中,對樹脂層22a與玻璃基板22b的界面,照射第2雷射光線L2。第2雷射光線L2係具有被玻璃基板22b穿透且被樹脂層22a吸收之波長。藉此,將玻璃基板22b從樹脂層22a卸下。第2雷射光線L2所具有的波長宜為308nm或355nm。
第1步驟中,藉由對樹脂層22a和玻璃基板22b的界面照射第2雷射光線L2,使由第2雷射光線L2所產生的熱能被樹脂層22a吸收。藉此,透過加熱樹脂層22a,減低樹脂層22a和玻璃基板22b間之化學鍵結的強度。接著,將玻璃基板22b從樹脂層22a卸下。在第1步驟中,較佳為對接合部全體照射第2雷射光線L2,只要能夠使接合部的全體中玻璃基板22b與樹脂層22a之間的結合強度減低,亦可對接合部的一部分照射第2雷射光線L2。
第2雷射光線L2所具有的波長中,較佳為玻璃基板22b的穿透率比樹脂層22a的穿透率高。藉此,與玻璃基板22b的穿透率比樹脂層22a的穿透率低的情況相比,可提高樹脂層22a中形成玻璃基板22b與樹脂層22a的界面之部分被加熱的效率。
如上述,樹脂層22a較佳為聚醯亞胺製。樹脂層22a較佳為由聚醯亞胺中之有色的聚醯亞胺形成。玻璃基板22b較佳為透明。
在第2步驟中,較佳為在第1步驟之後,使用藥液LM將樹脂層22a溶解,藉此將樹脂層22a從遮罩部12卸下。藥液LM,係可使用能夠將形成樹脂層22a的材料溶解之液體,且對形成遮罩部12的材料不具有反應性之液體。藥液LM係可使用例如鹼性溶液。鹼性溶液亦可為例如氫氧化鈉水溶液。此外,圖15中,作為使樹脂層22a和藥液LM接觸的方法,係例示了浸漬方法,但使樹脂層22a和藥液LM接觸的方法,亦可使用噴灑式及旋轉式。
如此,將支持體22從遮罩部12卸下的步驟中,係藉由第1步驟將玻璃基板22b從樹脂層22a卸下,且藉由第2步驟將樹脂層22a從遮罩部12卸下。因此,與藉由對玻璃基板22b、樹脂層22a及遮罩部12的積層體施加的外力所產生之界面破壞,將支持體22從遮罩部12卸下的情況相比,可減小作用在遮罩部12的外力。藉此,可抑制因支持體22的卸下所導致之遮罩部12的變形,進而可抑制遮罩部12所具有之遮罩孔12H的變形。
此外,框狀部11B係如上所述,亦可在對本體部11A的階差部AH1嵌入框狀部11B之後再接合遮罩部12,亦可在對本體部11A的階差部AH1嵌入框狀部11B之前接合遮罩部12。
[蒸鍍遮罩的作用]
參照圖16,說明對框狀部11B熔接有遮罩部12之蒸鍍遮罩10的作用。圖16係顯示遮罩部12連同框狀部11B一起從遮罩框架11的本體部11A被卸下之步驟。
如圖16所示,將接合於遮罩框架11的遮罩部12更換成新的遮罩部12時,遮罩部12係與框狀部11B一起從本體部11A被卸下。因此,藉由遮罩部12對遮罩框架11的熔接所形成之熔接痕11BW係與框狀部11B一起從本體部11A被拆除。
藉遮罩部12的熔接而形成於遮罩框架11的熔接痕11BW,係形成於遮罩框架11中供接合遮罩部12的面之凹部。因此,為了從遮罩框架11去除熔接痕11BW,必須進行從遮罩框架11拆除熔接痕11BW之加工、或埋住熔接痕11BW之加工。在除了需要加工之遮罩部12以外的遮罩部12被接合於遮罩框架11的狀態下,難以進行此等加工。因此,在遮罩部12被熔接於框狀部11B的情況下,能夠更顯著地得到在遮罩框架11所具備的框狀部11B接合遮罩部12所產生之功效。
此外,為了將熔接痕11BW從遮罩框架11去除,將遮罩框架11中包含熔接痕11BW的部分從遮罩框架11中之其以外的部分拆除時,有時也會有框狀部11B所劃分的第2開口部11BH被擴開之情況。藉此,從與框狀部11B的表面11BF對向的視點觀看,會導致框狀部11B所隔開之第2開口部11BH的大小改變。
在將新的遮罩部12接合於遮罩框架11之際,亦可在對本體部11A嵌入框狀部11B後,再對框狀部11B接合遮罩部12。於此情況,玻璃基板22b及樹脂層22a會連同框狀部11B一起從安裝於本體部11A的遮罩部12被卸下。因此,在將樹脂層22a從遮罩部12卸下之際,例如,必須以只有遮罩部12及樹脂層22a與藥液LM接觸之方式固定遮罩框架11。
或者,亦可在對框狀部11B接合有遮罩部12之後,再將框狀部11B嵌入本體部11A。於此情況,玻璃基板22b及樹脂層22a會從接合於框狀部11B的遮罩部12被卸下。因此,在從遮罩部12卸下樹脂層22a之際,例如必須以只有遮罩部12及樹脂層22a與藥液LM接觸之方式固定框狀部11B。
任一情況,均藉由對框狀部11B熔接遮罩部12,而在框狀部11B形成熔接痕11BW。然而,框狀部11B的熔接痕11BW會連同作為更換對象的遮罩部12一起從本體部11A被拆除,所以遮罩部12對遮罩框架11的再接合是容易的。又,藉由以此方式將遮罩部12再接合於遮罩框架11,可再利用一個遮罩框架11。
[顯示裝置的製造方法]
參照圖17,說明顯示裝置的製造方法。
顯示裝置的製造方法係包含有使用藉由蒸鍍遮罩10的製造方法所製造之蒸鍍遮罩10在蒸鍍對象S形成圖案。以下,說明蒸鍍裝置的一例與形成圖案的步驟。
如圖17所示,蒸鍍裝置30具備有收容蒸鍍遮罩10、和蒸鍍對象S之收容槽31。收容槽31係以將蒸鍍對象S和蒸鍍遮罩10保持在收容槽31內的既定位置之方式構成。保持蒸鍍材料Mvd的保持部32和加熱蒸鍍材料Mvd的加熱部33係位於收容槽31內。被保持部32所保持的蒸鍍材料Mvd係為例如有機發光材料。收容槽31係使蒸鍍對象S和蒸鍍遮罩10以蒸鍍遮罩10位於蒸鍍對象S與保持部32之間,且蒸鍍遮罩10與保持部32相對向之方式位於收容槽31內。蒸鍍遮罩10係在遮罩部12的背面12R密接於蒸鍍對象S的狀態下配置於收容槽31內。
形成圖案的步驟中,藉由蒸鍍材料Mvd利用加熱部33被加熱,蒸鍍材料Mvd會氣化或昇華。經氣化或昇華的蒸鍍材料Mvd,係通過蒸鍍遮罩10的遮罩部12所具備的遮罩孔12H而附著於蒸鍍對象S。藉此,具有與蒸鍍遮罩10所具有之遮罩孔12H的形狀及位置對應之形狀的有機層,係形成於蒸鍍對象S中的既定位置。此外,蒸鍍材料Mvd亦可為用以形成顯示層的像素電路所具備之像素電極的金屬材料等。
如以上說明所示,根據蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩的製造方法及顯示裝置的製造方法的第1實施形態,可得到以下所記載的功效。
(1‐1)將遮罩部12再接合於遮罩框架11之際,由於不需要對遮罩框架11所具有的接合痕進行加工,所以可使遮罩部12對遮罩框架11的再接合容易。
(1‐2)由於框狀部11B的背面11BR係與本體部11A的背面11AR齊平,所以可抑制本體部11A的背面11AR相對於框狀部11B的背面11BR突出,藉此可抑制在遮罩部12與蒸鍍對象S之間形成間隙。
(1‐3)由於框狀部11B被磁性吸附於本體部11A,所以與使用螺絲等的連結構件對本體部11A固定框狀部11B的情況相比,框狀部11B對本體部11A的位置之精確度不易降低。
(1‐4)在遮罩部12被熔接於框狀部11B的情況,藉由遮罩部接合於遮罩框架11所具備的框狀部11B,可更顯著地獲得使遮罩部12的再結合容易之功效。
(1‐5)由於框狀部11B位於階差部AH1,所以可使本體部11A的背面11AR與遮罩部12之間的間隙變小,藉此,可使作用在蒸鍍對象中蒸鍍遮罩10所連接的部分與蒸鍍遮罩10沒有連接的部分之力的差變小。
[第1實施形態的變更例]
此外,上述的第1實施形態係可以如下的方式變更來實施。
[固定部]
・固定部亦可不具備永久磁鐵,例如亦可具備電磁鐵。或者,固定部亦可不是藉由磁性吸附,而是藉由例如靜電力及真空吸附等,將框狀部11B固定於本體部11A。又,或者,固定部亦可藉由連結構件將框狀部11B固定於本體部11A。又,或者,固定部亦可為包含銦的接合材。
・本體部11A亦可不具有固定部。於此情況,亦可藉由對被嵌入本體部11A具有的階差部AH1之框狀部11B接合遮罩部12,而得到根據上述(1‐1)之功效。
[框狀部]
・在與本體部11A的背面11AR正交之剖面中,框狀部11B所具有的厚度TB亦可小於本體部11A所具有的階差部AH1的深度D。即便是這情況,可藉由對被嵌入本體部11A具有的階差部AH1之框狀部11B接合遮罩部12,而得到根據上述(1‐1)之功效。
又,於此情況,在與本體部11A的背面11AR正交的剖面中,較佳為遮罩部12的背面12R從本體部11A的背面11AR突出。藉此,可抑制在遮罩部12與蒸鍍對象S之間形成間隙,結果,可提高形成於蒸鍍對象S之圖案的形狀的精確度。
[本體部]
・本體部11A亦可僅具備一個第1開口部11AH。於此情況,蒸鍍遮罩10只要具備一個框狀部11B和一個遮罩部12即可。即便是這情況,藉由對被嵌入本體部11A具有的階差部AH1之框狀部11B接合遮罩部12,可得到根據上述(1‐1)之功效。
・本體部11A亦可不具有階差部AH1。於此情況,框狀部11B係可位於本體部11A所具有的平坦背面11AR上。此情況也是,由於遮罩框架11具備本體部11A和框狀部11B,所以可得到根據上述(1‐1)之功效。
[接合]
・遮罩部12對框狀部11B的接合不限於雷射熔接,例如亦可使用電阻熔接及超音波熔接等。即便是此等的任一情況,皆可藉由對被嵌入本體部11A具有的階差部AH1之框狀部11B接合遮罩部12,而得到根據上述(1‐1)之功效。
・遮罩部12對框狀部11B的接合,並不限於熔接,亦可使用接著。於此情況,作為在框狀部11B接合有遮罩部12的接合痕係形成接著層。藉由對框狀部11B接著遮罩部12且將框狀部11B嵌入本體部11A,且藉由將形成有為接合痕的接著層之框狀部11B更換成新的框狀部11B,可從本體部11A拆除接著層。
此外,在框狀部11B與遮罩部12的接合是使用接著的情況,搭載蒸鍍遮罩10的蒸鍍裝置較佳為具備冷卻蒸鍍遮罩10的冷卻部。又,從提高框狀部11B與遮罩部12的接合之強度及耐熱性的觀點來看,遮罩部12較佳為藉由熔接與框狀部11B接合。
[第2實施形態]
參照圖18至圖22,說明蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩的製造方法及顯示裝置的製造方法之第2實施形態。第2實施形態中,與第1實施形態相比,將框狀部固定於本體部的構造是不同的。因此,以下,詳細說明此種相異點,另一方面,在第2實施形態中與第1實施形態共通的構造係標註與第1實施形態相同的符號,並省略該構造的詳細說明。
[蒸鍍遮罩]
圖18係顯示從與遮罩框架的背面對向的視點所觀看之蒸鍍遮罩的構造。此外,圖18中僅顯示蒸鍍遮罩中一個第1開口部與該第1開口部的周邊構造。
如圖18所示,蒸鍍遮罩40具備有遮罩框架41和遮罩部12。遮罩框架41係與第1實施形態的遮罩框架11同樣,具備有本體部41A和框狀部41B。遮罩框架41具備有固定部41C。固定部41C係將框狀部41B固定於本體部41A。在圖18所示的例子中,遮罩框架41具備有三個固定部41C。由於藉由三個固定部41C將框狀部41B固定於本體部41A,所以能以高精確度決定框狀部41B在遮罩部12擴展的平面上的位置。
圖18所示的例子中,框狀部41B的外形係具有矩形。固定部41C係分別位於框狀部41B中對向的一對邊當中之一邊的端部的每一者、與另一邊的中央部。固定部係第1位置調整部的一例。
圖19係顯示沿著圖18所示之XIX‐XIX線的剖面。XIX‐XIX線係通過兩個固定部41C之線段。
如圖19所示,本體部41A係與第1實施形態的本體部11A同樣,具備有第1開口部41AH及階差部AH1。第1開口部41AH係貫通表面41AF和背面41AR之間。本體部41A的階差部AH1係位於背面41AR的凹部,且在與背面41AR對向的平面視圖中包圍著第1開口部41AH。
框狀部41B係與第1實施形態的框狀部11B同樣,具備有第2開口部41BH。第2開口部41BH係貫通表面41BF與背面41BR之間。第2開口部41BH從與本體部41A的表面41AF對向的視點來看,係位在第1開口部41AH所劃分的區域內。框狀部41B進一步具備有固定孔BH1。本實施形態的框狀部41B具備有與固定部41C相同數量的固定孔BH1。各固定孔BH1係構成為可供配置一個固定部41C。固定部41C係以可從本體部41A卸下的方式將框狀部41B固定於本體部41A。
在框狀部41B的背面41BR接合有遮罩部12。遮罩部12藉由第1實施形態及第1實施形態的變更例中將遮罩部12接合於框狀部41B的方法之任一者而被接合於框狀部41B。
圖20係顯示遮罩框架41中之一個固定部41C及該固定部41C的周邊構造。
如圖20所示,固定部41C具備有螺絲部41C1和吸附部41C2。在劃分固定孔BH1的面,形成有供螺絲部41C1螺合之未圖示的溝。螺絲部41C1的外周面具有可螺合於固定孔BH1的溝之形狀。螺絲部41C1係具有沿著從框狀部41B的背面41BR朝向表面41BF的方向延伸之棒狀。在螺絲部41C1的全體位於固定孔BH1內的情況,在螺絲部41C1中與背面41BR相隔之距離小的端部為基端,基端之相反側的端部為前端。吸附部41C2係位於螺絲部41C1的前端。
吸附部41C2係由磁鐵所形成。本體部41A係藉由強磁性體形成。或者,為本體部41A的一部分且包含吸附部41C2相接的區域之部分係藉由強磁性體形成。藉此,在吸附部41C2與本體部41A相接的情況,吸附部41C2被固定於本體部41A,藉此,框狀部41B被固定於本體部41A。此外,圖19及圖20係顯示吸附部41C2從本體部41A分離的狀態,且顯示框狀部41B沒有固定於本體部41A的狀態。
[固定方法]
參照圖19至圖22,說明框狀部41B對本體部41A的固定方法。
如圖19及圖20所示,在框狀部41B沒有固定於本體部41A的狀態下,係以吸附部41C2沒有與本體部41A相接之方式,使固定部41C安裝於框狀部41B。藉由使固定部41C在第1旋轉方向旋轉,使吸附部41C2接近框狀部41B的表面41BF之方式,變更固定部41C對框狀部41B的位置。藉由使固定部41C旋轉直到吸附部41C2成為與框狀部41B的表面41BF齊平為止,可使吸附部41C2與本體部41A接觸。藉此,藉由吸附部41C2所具有的磁力,可將框狀部41B固定於本體部41A。
如圖21所示,藉由使固定部41C進一步朝第1旋轉方向旋轉,可使螺絲部41C1的前端從框狀部41B的表面41BF突出。
如圖22所示,框狀部41B的表面41BF與螺絲部41C1的前端之間的距離係固定部41C的突出量。突出量愈小,框狀部41B的背面41BR與本體部41A的背面41AR之間的距離就愈小。換言之,突出量愈大,框狀部41B的背面41BR與本體部41A的背面41AR之間的距離就愈大。如此,藉由固定部41C,可在本體部41A的厚度方向,將框狀部41B相對於本體部41A的位置在第1位置與第2位置之間進行變更。因此,因複數個框狀部41B間之厚度不均所致之遮罩部12的位置偏離可藉由固定部41C來抑制。
此外,在將框狀部41B從本體部41A卸下之際,只要使固定部41C朝第2旋轉方向旋轉即可。第2旋轉方向係與第1旋轉方向相反的方向。藉此,藉由使螺絲部41C1的前端位於固定孔BH1內,可在吸附部41C2與本體部41A之間形成間隙。其結果,可解除框狀部41B對本體部41A的固定。
如此,根據本實施形態的蒸鍍遮罩40,藉由固定部41C,可將框狀部41B固定於本體部41A。再者,藉由固定部41C,可變更框狀部41B的背面41BR與本體部41A的背面41AR之間的距離。換言之,藉由固定部41C,可變更在遮罩部12的厚度方向之框狀部41B的位置。
如以上說明所示,根據蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩的製造方法及顯示裝置的製造方法之第2實施形態,除了可得到上述之(1‐1)、(1‐3)、(1‐4)記載的功效外,還可得到以下記載的功效。
(2‐1)藉由固定部41C,可將框狀部41B固定於本體部41A。
(2‐2)藉由固定部41C,可變更在遮罩部12的厚度方向之框狀部41B的位置。因此,因複數個框狀部41B間之厚度不均所致之遮罩部12的位置偏離可藉由固定部41C予以抑制。
(2‐3)藉由利用三個固定部41C將框狀部41B固定於本體部41A,能以高精確度決定框狀部41B在遮罩部12擴展的平面上的位置。
[第2實施形態的變更例]
以上說明的第2實施形態係可以如下方式變更來實施。
[固定部]
・遮罩框架41亦可具備四個以上的固定部41C。例如,在遮罩框架41具備四個固定部41C的情況,固定部41C亦可分別位於框狀部51B的角部。
・遮罩框架41亦可僅具備兩個固定部41C。於此情況,固定部41C亦可分別位於框狀部41B的角部中之位在同一對角線上的角部。
[第3實施形態]
參照圖23及圖24,說明蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩的製造方法及顯示裝置的製造方法之第3實施形態。在第3實施形態中,與第1實施形態相比,將框狀部固定於本體部的構造是不同的。因此,以下,說明此種相異點,另一方面,在第3實施形態中與第1實施形態共通的構造附上與第1實施形態相同的符號,並首略該構造的詳細說明。
[蒸鍍遮罩]
圖23係顯示從與遮罩框架的背面對向的視點所觀看之蒸鍍遮罩的構造。此外,圖23中僅顯示蒸鍍遮罩中一個第1開口部與該第1開口部的周邊構造。
如圖23所示,蒸鍍遮罩50具備有遮罩框架51和遮罩部12。遮罩框架51係與第1實施形態的遮罩框架11同樣,具備有本體部51A和框狀部51B。本體部51A具有第1開口部51AH。圖23所示的例子中,第1開口部51AH的外形具有矩形。本體部51A具備有從劃分第1開口部51AH的側面朝第1開口部51AH內突出的複數個支持台51A1。支持台51A1係由從本體部51A的背面51AR朝向表面51AF的中途,向第1開口部51AH內突出。
圖23所示的例子中,本體部51A係在每一個第1開口部51AH具備有複數個支持台51A1。在本例子中,本體部51A係在每一個第1開口部51AH具備有三個支持台51A1。從與背面51AR對向的視點觀看,支持台51A1係分別位在第1開口部51AH所具有的角部中在X軸相鄰的兩個角部。其餘的支持台51A1係在沿X軸延伸的側面中位在與兩個角部所設置的側面對向之側面的中央部。從與背面51AR對向的視點觀看,各支持台51A1具有四角形狀。
本體部51A進一步具備從劃分第1開口部51AH的側面朝第1開口部51AH內突出的複數個固定片51A2。各固定片51A2係由從本體部51A的背面51AR朝向表面51AF(圖24參照)的中途,向第1開口部51AH內突出。圖23所示的例子中,一對固定片51A2係從劃分第1開口部51AH的側面中沿著Y軸延伸之側面的每一者,朝第1開口部51AH內突出。又,一對固定片51A2係從劃分第1開口部51AH的側面中沿著X軸延伸之側面且沒有配置支持台51A1的側面之中央部,朝第1開口部51AH內突出。
框狀部51B係位在由X軸和與X軸正交的Y軸所規定之XY平面上。與XY平面正交的軸為Z軸。框狀部51B具備有框本體51B1和複數個突出片51B2。框本體51B1具有矩形框狀。框狀部51B係位於第1開口部51AH內。各突出片51B2位於框狀部51B的表面51BF(參照圖24)。各突出片51B2係從框本體51B1朝向本體部51A的表面51AF延伸至下方。圖23所示的例子中,框狀部51B具備有三個突出片51B2。從與框狀部51B的背面51BR對向的視點觀看,一個突出片51B2位於一對固定片51A2之間。此外,圖23中,框狀部51B所劃分的第2開口部係藉遮罩部12覆蓋。
圖24係顯示沿著圖23所示之XXIV‐XXIV線的剖面。
如圖24所示,遮罩框架51進一步具備有:X軸調整用螺絲51C、固定用螺絲51E及Z軸調整用螺絲51F。在X軸,框狀部51B的突出片51B2係被一對固定片51A2夾住,且被X軸調整用螺絲51C和固定用螺絲51E夾住。X軸調整用螺絲51C係將突出片51B2安裝於一對固定片51A2中之一者。固定用螺絲51E係將突出片51B2安裝於一對固定片51A2中之另一者。藉由變更X軸調整用螺絲51C對突出片51B2的鎖緊量,可變更在X軸之框狀部51B的位置。
此外,遮罩框架51進一步具備有兩個Y軸調整用螺絲51D和兩個固定用螺絲51E(參照圖23)。其餘的突出片51B2係分別在Y軸中被一對固定片51A2夾住,且被Y軸調整用螺絲51D和固定用螺絲51E夾住。Y軸調整用螺絲51D係將突出片51B2安裝於一對固定片51A2中之一者。固定用螺絲51E係將突出片51B2安裝於一對固定片51A2中之另一者。藉由變更Y軸調整用螺絲51D對突出片51B2的鎖緊量,可變更在Y軸之框狀部51B的位置。
亦即,本實施形態中,藉由X軸調整用螺絲51C、Y軸調整用螺絲51D及固定用螺絲51E,構成了第2位置調整部的一例。根據第2位置調整部,在框狀部51B擴展的平面中,可將框狀部51B相對於本體部51A的位置在第3位置和第4位置之間作變更。因此,藉由第2位置調整部可抑制在複數個框狀部51B間之第2開口部的位置的偏離。
Z軸調整用螺絲51F係具有沿Z軸延伸之棒狀。Z軸調整用螺絲51F係通過沿著Z軸貫通支持台51A1之貫通孔,藉此,Z軸調整用螺絲51F被安裝於本體部51A。在Z軸調整用螺絲51F接於框狀部51B的狀態下,Z軸調整用螺絲51F中,與框狀部51B相接的端部為前端,前端之相反側的端部為基端。未圖示的吸附部位於Z軸調整用螺絲51F的前端。吸附部係由磁鐵所形成。框狀部51B的框本體51B1係藉由強磁性體形成。或者,框本體51B1的一部分且包含Z軸調整用螺絲51F所相接的區域之部分係藉由強磁性體形成。藉此,在Z軸調整用螺絲51F繫接於框本體51B1的情況,框本體51B1被Z軸調整用螺絲51F固定。藉由變更Z軸調整用螺絲51F的前端從支持台51A1突出的量,可變更在Z軸之框狀部51B的位置。亦即,本實施形態中,Z軸調整用螺絲51F為第1位置調整部的一例。根據Z軸調整用螺絲51F,在本體部51A的厚度方向,亦即在Z軸,因複數個框狀部51B間之厚度不均所致之遮罩部12的位置偏離可藉由Z軸調整用螺絲51F予以抑制。
[固定方法]
以下,說明框狀部51B對本體部51A的固定方法。此外,在將框狀部51B固定於本體部51A之際,係可使用保持框狀部51B的保持台。例如從與本體部51A的背面51AR對向的視點觀看,保持台可位於第1開口部51AH中比支持台51A1更內側的區域。保持台具備有載置部和升降部。載置部係供載置框狀部51B。升降部係構成為可在Z軸中以改變框狀部51B相對於本體部51A的位置之方式將載置部升降。
本實施形態的蒸鍍遮罩50中,在將框狀部51B固定於本體部51A之際,首先,在使框狀部51B保持於保持台的狀態下,藉由三個Z軸調整用螺絲51F,決定框狀部51B在Z軸的位置。此時,將各Z軸調整用螺絲51F從支持台51A1突出的量設定為既定的大小,接著,對Z軸調整用螺絲51F固定框狀部51B。然後,使用固定用螺絲51E將各突出片51B2固定於固定片51A2。接著,一邊使用X軸調整用螺絲51C將框狀部51B的突出片51B2固定於本體部51A的固定片51A2,一邊決定框狀部51B在X軸的位置。又,一邊使用Y軸調整用螺絲51D將突出片51B2固定於固定片51A2,一邊決定框狀部51B在Y軸的位置。藉此,在XY平面上及Z軸上的既定位置,框狀部51B被固定於本體部51A。
此外,藉由將X軸調整用螺絲51C、Y軸調整用螺絲51D及Z軸調整用螺絲51F從框狀部51B卸下,可解除框狀部51B對本體部51A的固定。
如以上說明,蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩的製造方法及顯示裝置的製造方法,除了可得到上述之(1‐1)、(1‐3)、(1‐4)記載的功效外,也可得到以下記載的功效。
(3‐1)使用X軸調整用螺絲51C及Y軸調整用螺絲51D,可調整在XY平面上之框狀部51B的位置。藉此,可抑制在複數個框狀部51B間之第2開口部的位置偏離。
(3‐2)使用Z軸調整用螺絲51F,可調整框狀部51B在Z軸的位置。藉此,藉由Z軸調整用螺絲51F可抑制因在複數個框狀部51B間之厚度不均所致之遮罩部12的位置偏離。
[第3實施形態的變更例]
以上說明的第3實施形態係可以如下方式變更來實施。
[支持台]
・本體部51A亦可具備四個以上的支持台51A1。例如,在本體部51A具備四個支持台51A1的情況,各支持台51A1亦可從第1開口部51AH的角部突出。此外,在本體部51A具備四個以上的支持台51A1之情況,遮罩框架51亦可具備與支持台51A1相同數量的Z軸調整用螺絲51F。
・本體部51A的支持台51A1亦可具有涵蓋第1開口部51AH的全周朝第1開口部51AH突出的形狀。亦即,本體部51A亦可具備在第1開口部51AH中的本體部51A的背面51AR的開口被擴開的階差部。
[蓋罩]
・蒸鍍遮罩50亦可具備覆蓋支持台51A1、固定片51A2及突出片51B2之蓋罩。蓋罩從和本體部51A的表面51AF對向的視點觀看,係覆蓋支持台51A1、固定片51A2及突出片51B2。藉此,當蒸鍍遮罩50被搭載於蒸鍍裝置時,蓋罩係位於蒸鍍源、與支持台51A1、固定片51A2及突出片51B2之間。因此,蒸鍍材料附著於支持台51A1、固定片51A2及突出片51B2的情況係可透過蓋罩被抑制。藉此,蒸鍍材料附著於X軸調整用螺絲51C、Y軸調整用螺絲51D、固定用螺絲51E、Z軸調整用螺絲51F的情況也可藉由蓋罩被抑制。
[第4實施形態]
參照圖25及圖26,說明蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩的製造方法及顯示裝置的製造方法之第4實施形態。第4實施形態中,與第1實施形態相比較之下,將框狀部固定於本體部的構造是不同的。因此,以下,詳細說明這種相異點,另一方面,在第4實施形態中與第1實施形態共通的構造係標註與第1實施形態相同的符號,並首略該構造的詳細說明。
[蒸鍍遮罩]
圖25係顯示從與遮罩框架的背面對向的視點觀看之蒸鍍遮罩的構造。此外,圖25係僅顯示蒸鍍遮罩中一個第1開口部與該第1開口部的周邊構造。
如圖25所示,蒸鍍遮罩60具備有遮罩框架61與遮罩部12。遮罩框架61係與第1實施形態的遮罩框架11同樣,具備有本體部61A和框狀部61B。框狀部61B具備有框本體61B1和複數個突出片61B2。框本體61B1係構成為具有矩形框狀,且可支持遮罩部12。框本體61B1係位於由X軸、和正交於X軸的Y軸所規定之XY平面上。與XY平面正交的軸為Z軸。
突出片61B2係從框本體61B1的邊緣朝向比邊緣更外側突出。圖25所示的例子中,框狀部61B具備有三個突出片61B2。框狀部61B具備有在框本體61B1的邊緣中從沿著X軸延伸的邊沿著Y軸延伸之突出片61B2。框狀部61B具備有:在框本體61B1的邊緣中從沿Y軸延伸的一邊沿著X軸延伸之突出片61B2;及在框本體61B1的邊緣中從沿Y軸延伸的另一方沿著X軸延伸之突出片61B2。
本體部61A具備有支持部61A1和複數個固定片61A2。支持部61A1具有複數個第1開口部61AH。各固定片61A2被支持於支持部61A1。固定片61A2係位在第1開口部61AH的周圍。在各固定片61A2固定一個突出片61B2。從與XY平面對向的視點觀看,在框狀部61B固定於本體部61A的狀態下,各固定片61A2具有包圍固定於該固定片61A2的突出片61B2之U字狀。藉由突出片61B2被固定片61A2固定,支持部61A1係支持框本體61B1。
遮罩框架61進一步具備X軸調整用螺絲61C、Y軸調整用絲61D及固定用螺絲61E。圖25所示的例子中,遮罩框架61具備有一個X軸調整用螺絲61C、兩個Y軸調整用螺絲61D及三個固定用螺絲61E。
X軸調整用螺絲61C係連同一個固定用螺絲61E,將沿著Y軸延伸的突出片61B2一起固定於包圍該突出片61B2的固定片61A2。X軸調整用螺絲61C及固定用螺絲61E係在沿著X軸夾著突出片61B2之狀態下,將突出片61B2固定於固定片61A2。X軸調整用螺絲61C及固定用螺絲61E均為具有可對形成於固定片61A2的貫通孔劃分之側面螺合的形狀之螺絲。藉由變更X軸調整用螺絲61C的鎖緊量,可變更突出片61B2在X軸的位置,進而變更框狀部61B的位置。
各Y軸調整用螺絲61D係連同一個固定用螺絲61E,將沿著X軸延伸的突出片61B2一起固定於包圍該突出片61B2的固定片61A2。Y軸調整用螺絲61D及固定用螺絲61E係在Y軸上夾著突出片61B2的狀態下,將突出片61B2固定於固定片61A2。Y軸調整用螺絲61D及固定用螺絲61E均為可對劃分形成於固定片61A2的貫通孔之側面螺合之螺絲。藉由變更Y軸調整用螺絲61D的鎖緊量,可變更突出片61B2在Y軸的位置,進而可變更框狀部61B的位置。
亦即,本實施形態中,藉由X軸調整用螺絲61C、Y軸調整用螺絲61D及固定用螺絲61E,構成第2位置調整部的一例。
遮罩框架61進一步具備有複數個Z軸調整用螺絲61F。圖25所示的例子中,具備有三個Z軸調整用螺絲61F。從與XY平面對向的視點觀看,一個Z軸調整用螺絲61F係位在框本體61B1的邊緣中沿Y軸延伸之固定片61A2所在位置的部分的附近。其餘的Z軸調整用螺絲61F,係分別位於框本體61B1所具有的角部中之在X軸上相鄰的兩個角部,且是連同上述一個Z軸調整用螺絲61F所在位置的部分一起形成三角形的頂部。
圖26係顯示沿著圖25所示之XXVI‐XXVI線的剖面。
如圖26所示,各Z軸調整用螺絲61F係安裝於形成在支持部61A1的貫通孔。各Z軸調整用螺絲61F具備有螺絲部61F1和吸附部61F2。螺絲部61F1具有沿著Z軸延伸之棒狀。在Z軸調整用螺絲61F安裝於支持部61A1的狀態下,在螺絲部61F1的端部中,與框狀部61B相隔的距離小的端部為前端,前端之相反側的端部為基端。吸附部61F2係位於螺絲部61F1的前端。
吸附部61F2係由磁鐵形成。框狀部61B的框本體61B1係藉由強磁性體形成。或者,框本體61B1的一部分且包含吸附部61F2相接的區域之部分,係藉強磁性體形成。藉此,當吸附部61F2與框本體61B1相接時,吸附部61F2被固定於框本體61B1。藉由變更Z軸調整用螺絲61F從支持部61A1突出的量,可變更框狀部61B在Z軸的位置。亦即,本實施形態中,Z軸調整用螺絲61F為第1位置調整部的一例。
[固定方法]
以下,說明框狀部61B對本體部61A的固定方法。此外,第4實施形態中,將框狀部61B固定於本體部61A時,可使用與第3實施形態所記載的保持台同等的保持台。
本實施形態的蒸鍍遮罩60中,將框狀部61B固定於本體部61A之際,首先,在使框狀部61B保持於保持台的狀態下,調整Z軸調整用螺絲61F從支持部61A1突出的量,並使位於Z軸調整用螺絲61F的前端的吸附部61F2吸附於框狀部61B。藉此,藉由三個Z軸調整用螺絲61F,決定框狀部61B在Z軸的位置。然後,使用固定用螺絲61E將各突出片61B2固定於固定片61A2。其次,使用一個X軸調整用螺絲61C及兩個Y軸調整用螺絲61D,決定框狀部61B在XY平面上的位置。藉此,在XY平面上及Z軸上的既定位置,框狀部61B被固定於本體部61A。此外,藉由將X軸調整用螺絲61C、Y軸調整用螺絲61D及Z軸調整用螺絲61F從框狀部61B卸下,可解除框狀部61B對本體部61A的固定。
如以上說明,根據蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩的製造方法及顯示裝置的製造方法之第4實施形態,除了可得到除了上述之(1‐1)、(1‐3)、(1‐4)所記載的功效外,還可得到以下記載的功效。
(4‐1)可使用X軸調整用螺絲61C及Y軸調整用螺絲61D,調整在XY平面上之框狀部61B的位置。藉此,可抑制在複數個框狀部61B間之第2開口部的位置偏離。
(4‐2)可使用Z軸調整用螺絲61F,調整框狀部61B在Z軸的位置。藉此,藉由Z軸調整用螺絲61F可抑制因在複數個框狀部61B間之厚度不均所致之遮罩部12的位置偏離。
[第4實施形態的變更例]
以上說明的第4實施形態係可以如下方式變更來實施。
[框狀部]
・框狀部61B亦可具備四個以上的突出片61B2。例如,在框狀部61B具備四個突出片61B2的情況,框狀部61B係可具備從框本體61B1的邊緣中沿著X軸延伸之一對邊的每一者各突出兩個之突出片61B2。於此情況,本體部61A只要具備與突出片61B2相同數量的固定片61A2即可。
[Z軸調整用螺絲]
・遮罩框架61亦可具備四個以上的Z軸調整用螺絲61F。例如,在遮罩框架61具備四個Z軸調整用螺絲61F的情況下,從與XY平面對向的視點觀看,Z軸調整用螺絲61F亦可分別位於與框本體61B1的角部重疊的位置。
[第5實施形態]
參照圖27及圖28,說明蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩的製造方法及顯示裝置的製造方法之第5實施形態。第5實施形態中,與第1實施形態相比,將框狀部固定於本體部的構造是不同的。因此,以下,詳細說明這種相異點,另一方面,在第5實施形態中與第1實施形態共通的構造係標註與第1實施形態相同的符號,並首略該構造的詳細說明。
[蒸鍍遮罩]
圖27係顯示從與遮罩框架的背面對向的視點觀看之蒸鍍遮罩的構造。此外,圖27係僅顯示蒸鍍遮罩中一個第1開口部與該第1開口部的周邊構造。
如圖27所示,蒸鍍遮罩70具備有遮罩框架71和遮罩部12。與第1實施形態的遮罩框架11同樣,遮罩框架71具備有本體部71A和框狀部71B。框狀部71B具有矩形框狀。框狀部71B係位於由X軸、和正交於X軸的Y軸所規定的XY平面上。與XY平面正交的軸係Z軸。
本體部71A具有第1開口部71AH。從與本體部71A的背面71AR對向之視點觀看,第1開口部71AH的外形具有矩形。上述的框狀部71B從與背面71AR對向的視點觀看,係位在第1開口部71AH內。本體部71A在每一個第1開口部71AH具備有複數個凹部71A1。複數個凹部71A1係包含有:沿著X軸夾著第1開口部71AH之兩對凹部71A1;和沿著Y軸夾著第1開口部71AH之兩對凹部71A1。在沿著X軸夾著第1開口部71AH的兩對凹部71A1中,各凹部71A1係與第1開口部71AH所具有之彼此不同的角部相鄰。在沿著Y軸夾著第1開口部71AH的兩對凹部71A1中,各凹部71A1係與第1開口部71AH所具有之彼此不同的角部相鄰。
遮罩框架71進一步具備有複數個X軸調整用螺絲71C、複數個Y軸調整用螺絲71D及複數個Z軸調整部71E。圖27所示的例中,遮罩框架71具備有四個X軸調整用螺絲71C。
X軸調整用螺絲71C係一個一個地安裝於框狀部71B的角部。各X軸調整用螺絲71C具有從框狀部71B的角部朝框狀部71B外延伸之棒狀。在X軸調整用螺絲71C中,安裝於框狀部71B的端部為前端,前端之相反側的端部為基端。X軸調整用螺絲71C之未圖示的前端係具有球狀,被保持於框狀部71B所形成的溝內。因此,X軸調整用螺絲71C的前端未被固定於框狀部71B。X軸調整用螺絲71C係通過第1開口部71AH與凹部71A1之間所形成的貫通孔,藉此,X軸調整用螺絲71C被支持於本體部71A。X軸調整用螺絲71C的基端係位於凹部71A1內。藉由變更X軸調整用螺絲71C突出於凹部71A1內的量,可變更框狀部71B在X軸的位置。X軸調整用螺絲71C突出的量,係可藉由X軸調整用螺絲71C的鎖緊量來變更。
遮罩框架71具備有四個Y軸調整用螺絲71D。Y軸調整用螺絲71D係逐一安裝於框狀部71B的角部。各Y軸調整用螺絲71D具有從框狀部71B的角部朝框狀部71B外延伸之棒狀。在Y軸調整用螺絲71D中,安裝於框狀部71B的端部為前端,前端之相反側的端部為基端。Y軸調整用螺絲71D之未圖示的前端係具有球狀,被保持於框狀部71B所形成的溝內。因此,Y軸調整用螺絲71D的前端未被固定於框狀部71B。Y軸調整用螺絲71D係通過第1開口部71AH與凹部71A1之間所形成的貫通孔,藉此,Y軸調整用螺絲71D被支持於本體部71A。Y軸調整用螺絲71D的基端係位於凹部71A1內。藉由變更Y軸調整用螺絲71D朝凹部71A1內突出的量,可變更框狀部71B在Y軸的位置。Y軸調整用螺絲71D突出的量,係可藉由Y軸調整用螺絲71D的鎖緊量來變更。
亦即,本實施形態中,藉由X軸調整用螺絲71C及Y軸調整用螺絲71D,構成有第2位置調整部的一例。
圖28係顯示沿著圖27所示之XXVIII‐XXVIII線的剖面。
如圖28所示,本體部71A具備有第1開口部71AH中之本體部71A的背面71AR的開口被擴開的階差部AH1。遮罩框架71具備有四個Z軸調整部71E。在Z軸,一個Z軸調整部71E係位在劃分階差部AH1的側面與框狀部71B的角部之間。
各Z軸調整部71E為彈性體,例如為彈簧。Z軸調整部71E係藉由在Z軸調整部71E上載置框狀部71B,因應由框狀部71B所賦予的荷重而縮短。因此,框狀部71B在Z軸的位置,係由Z軸調整部71E的彈性力與框狀部71B賦予至Z軸調整部71E的荷重所決定。又,賦予至Z軸調整部71E的荷重,不僅包含框狀部71B的重量所產生之荷重,亦可包含載置於框狀部71B的蒸鍍對象所產生之荷重。蒸鍍對象係如上述為例如玻璃基板。玻璃基板中,在與框狀部71B相接的面形成有堤壩(bank),其係用以將形成於玻璃基板的像素與其他像素隔開。因此,在框狀部51B載置有玻璃基板的情況,玻璃基板所產生的荷重係經由玻璃基板所具有的堤壩被賦予至Z軸調整部71E。
[固定方法]
以下,說明框狀部71B對本體部71A的固定方法。此外,第5實施形態中,在將框狀部71B固定於本體部71A之際,可使用與第3實施形態所記載的保持台相同的保持台。
本實施形態的蒸鍍遮罩70中,在將框狀部71B固定於本體部71A之際,首先在使框狀部71B保持於保持台的狀態下,使安裝於本體部71A的X軸調整用螺絲71C及Y軸調整用螺絲71D保持於框狀部71B。其次,調整X軸調整用螺絲71C突出於凹部71A1內之量、及Y軸調整用螺絲71D突出於凹部71A1內之量的至少一者。藉此,在XY平面上的既定位置,將框狀部71B固定於本體部71A。接著,藉由從框狀部71B取下保持台,使框狀部71B的荷重作用於Z軸調整部71E。藉此,框狀部71B係在Z軸的既定位置被Z軸調整部71E所支持。此外,藉由將X軸調整用螺絲71C及Y軸調整用螺絲71D從框狀部71B卸下,可解除框狀部71B對本體部71A的固定。
如以上說明,根據蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩的製造方法及顯示裝置的製造方法之第5實施形態,除了可得到上述之(1‐1)、(1‐4)所記載的功效外,還可得到以下記載的功效。
(5‐1)使用X軸調整用螺絲71C及Y軸調整用螺絲71D,可調整在XY平面上之框狀部61B的位置。藉此,可抑制在複數個框狀部71B間之第2開口部的位置偏離。
[第5實施形態的變更例]
此外,上述的第5實施形態係可以如下方式變更來實施。
[X軸調整用螺絲]
・遮罩框架71亦可僅具有三個X軸調整用螺絲71C。於此情況,上述的遮罩框架71所具備之四個X軸調整用螺絲71C中之任一者亦可被省略。
[Y軸調整用螺絲]
・遮罩框架71亦可僅具有3個Y軸調整用螺絲71D。於此情況,上述的遮罩框架71所具備之四個Y軸調整用螺絲71D中之任一者亦可被省略。
10,40,50,60,70:蒸鍍遮罩
11,41,51,61,71:遮罩框架
11A,41A,51A,61A,71A:本體部
11AF,11BF,11F,12F,41AF,41BF,51AF,51BF:表面
11AH,41AH,51AH,61AH,71AH:第1開口部
11AR,11BR,11R,12R,41AR,41BR,51AR,51BR,71AR:背面
11B,41B,51B,61B,71B:框狀部
11BH,41BH:第2開口部
12:遮罩部
12H:遮罩孔
圖1係顯示第1實施形態中之蒸鍍遮罩的構造之立體圖。
圖2係顯示圖1所示之蒸鍍遮罩的構造的一部分之剖面圖。
圖3係顯示圖2所示之蒸鍍遮罩的構造的一部分之剖面圖。
圖4係顯示圖2所示之蒸鍍遮罩所具備的遮罩部的構造之平面圖。
圖5係將圖2所示之蒸鍍遮罩所具備的遮罩部的構造放大顯示之剖面圖。
圖6係用以說明蒸鍍遮罩的製造方法之步驟圖。
圖7係用以說明蒸鍍遮罩的製造方法之步驟圖。
圖8係用以說明蒸鍍遮罩的製造方法之步驟圖。
圖9係用以說明蒸鍍遮罩的製造方法之步驟圖。
圖10係用以說明蒸鍍遮罩的製造方法之步驟圖。
圖11係用以說明蒸鍍遮罩的製造方法之步驟圖。
圖12係用以說明蒸鍍遮罩的製造方法之步驟圖。
圖13係將圖12所示的區域A予以放大顯示之剖面圖。
圖14係用以說明蒸鍍遮罩的製造方法之步驟圖。
圖15係用以說明蒸鍍遮罩的製造方法之步驟圖。
圖16係用以說明蒸鍍遮罩的作用之作用圖。
圖17係將蒸鍍裝置的構成連同蒸鍍遮罩及蒸鍍對象一起示意地顯示之裝置構成圖。
圖18係顯示第2實施形態中的蒸鍍遮罩的構造之平面圖。
圖19係顯示沿著圖18所示的XIX‐XIX線的構造之剖面圖。
圖20係顯示圖18所示的固定部及固定部的周邊構造之剖面圖。
圖21係顯示沿著圖18所示的XIX‐XIX線的構造之剖面圖。
圖22係顯示圖18所示的固定部及固定部的周邊構造之剖面圖。
圖23係顯示第3實施形態中之蒸鍍遮罩的構造之平面圖。
圖24係顯示沿著圖23所示的XXIV‐XXIV線的構造之剖面圖。
圖25係顯示第4實施形態中之蒸鍍遮罩的構造之平面圖。
圖26係顯示沿著圖25所示的XXVI‐XXVI線的構造之剖面圖。
圖27係顯示第5實施形態中之蒸鍍遮罩的構造之平面圖。
圖28係顯示沿著圖27所示的XXVIII‐XXVIII線的構造之剖面圖。
11:遮罩框架
11A:本體部
11AF,11BF:表面
11AR,11BR:背面
11AH:第1開口部
11B:框狀部
11BH:第2開口部
11H:框架孔
12:遮罩部
12H:遮罩孔
AH1:階差部
D:深度
TA,TB:厚度
Claims (9)
- 一種蒸鍍遮罩,其係具備遮罩框架和遮罩部, 前述遮罩框架係具備: 本體部,具備有第1表面、前述第1表面的相反側之第1背面、及貫通前述第1表面與前述第1背面之間的第1開口部;及 框狀部,具備第2表面及前述第2表面的相反側之第2背面,且具備貫通前述第2表面與前述第2背面之間的第2開口部; 構成為以前述第2表面之前述第2開口部的位置與前述第1表面之前述第1開口部的位置整合的方式,在前述第1背面側將前述框狀部以可卸下的方式安裝於前述本體部; 前述遮罩部係具有複數個遮罩孔,且以覆蓋前述第2開口部的方式接合於前述第2背面。
- 如請求項1之蒸鍍遮罩,其中 前述遮罩部係複數個遮罩部中之一者, 前述本體部具備複數個第1開口部,前述第1開口部係前述複數個第1開口部中之一者, 前述遮罩框架具備複數個框狀部,前述框狀部係前述複數個框狀部中之一者, 各框狀部之前述第2開口部在前述第2表面的位置,係與前述第1開口部在前述第1表面的位置整合,前述第1開口部在前述第1表面的位置係不同於和其他第2開口部在前述第2表面的位置整合之前述第1開口部在前述第1表面的位置, 各遮罩部係藉由熔接而接合於與接合其他遮罩部的框狀部不同之前述框狀部的前述第2背面, 各框狀部係具備藉由前述遮罩部對該框狀部的熔接所形成的熔接痕,前述熔接痕係形成於前述第2背面的凹部。
- 如請求項1或2之蒸鍍遮罩,其中 前述框狀部係藉由具有磁性的金屬所形成, 前述遮罩框架進一步具備固定部,其以可將前述框狀部從前述本體部卸下的方式,藉由磁性吸附固定於前述本體部。
- 如請求項1或2之蒸鍍遮罩,其中 前述遮罩框架具備第1位置調整部,該第1位置調整部係構成為在前述本體部的厚度方向將前述框狀部相對於前述本體部的位置在第1位置與第2位置之間進行變更。
- 如請求項1或2之蒸鍍遮罩,其中 前述遮罩框架具備第2位置調整部,該第2位置調整部係構成為在前述框狀部擴展的平面中,將前述框狀部相對於前述本體部的位置在第3位置與第4位置之間進行變更。
- 如請求項1或2之蒸鍍遮罩,其中 前述本體部具有前述第1開口部在前述第1背面的開口被擴開的階差部, 前述框狀部係以位在前述階差部的方式構成。
- 如請求項6之蒸鍍遮罩,其中 前述框狀部係在和前述第2背面正交的剖面中,具有前述本體部之前述階差部的深度以上的厚度。
- 一種蒸鍍遮罩的製造方法,其係包含: 將遮罩部接合於具有貫通第2表面與第2背面之間的第2開口部之框狀部;及 將前述框狀部安裝於具有貫通第1表面與第1背面之間的第1開口部之本體部; 接合前述遮罩部係包含以覆蓋前述第2開口部的方式將前述遮罩部接合於前述第2背面, 安裝前述框狀部係包含以前述第2表面之前述第2開口部的位置與前述第1表面之前述第1開口部的位置整合的方式,在前述第1背面側將前述框狀部以可卸下的方式安裝於前述本體部。
- 一種顯示裝置的製造方法,其係包含:使用藉由如請求項8之蒸鍍遮罩的製造方法所製造的蒸鍍遮罩,在蒸鍍對象形成圖案。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020065160 | 2020-03-31 | ||
JP2020-065160 | 2020-03-31 | ||
JP2021022158A JP2021161535A (ja) | 2020-03-31 | 2021-02-15 | 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法、および、表示装置の製造方法 |
JP2021-022158 | 2021-02-15 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202140820A true TW202140820A (zh) | 2021-11-01 |
Family
ID=77928553
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW110111314A TW202140820A (zh) | 2020-03-31 | 2021-03-29 | 蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩的製造方法及顯示裝置的製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20220161310A (zh) |
CN (1) | CN115398027A (zh) |
TW (1) | TW202140820A (zh) |
WO (1) | WO2021201124A1 (zh) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4396251B2 (ja) * | 2003-12-09 | 2010-01-13 | 凸版印刷株式会社 | 有機el用蒸着マスクの製造方法 |
KR20070082317A (ko) * | 2006-02-16 | 2007-08-21 | 삼성전자주식회사 | 마스크 및 그 제조 방법 |
KR100741138B1 (ko) * | 2006-09-05 | 2007-07-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 증착용 마스크 프레임 조립체 및 이를 이용한 유기발광 표시장치의 제조방법 |
TWM508803U (zh) * | 2013-11-20 | 2015-09-11 | Applied Materials Inc | 用於製造有機發光二極體(oled)的陶瓷遮罩組件 |
KR102341448B1 (ko) | 2017-09-15 | 2021-12-21 | 도판 인사츠 가부시키가이샤 | 증착 마스크의 제조 방법, 표시 장치의 제조 방법, 및 증착 마스크 |
CN108034923B (zh) * | 2018-01-24 | 2020-06-05 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 掩模组件、掩模框架以及掩模支撑架 |
-
2021
- 2021-03-29 TW TW110111314A patent/TW202140820A/zh unknown
- 2021-03-31 KR KR1020227033224A patent/KR20220161310A/ko unknown
- 2021-03-31 WO PCT/JP2021/013916 patent/WO2021201124A1/ja active Application Filing
- 2021-03-31 CN CN202180024875.3A patent/CN115398027A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2021201124A1 (ja) | 2021-10-07 |
CN115398027A (zh) | 2022-11-25 |
KR20220161310A (ko) | 2022-12-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109207919B (zh) | 蒸镀掩模、蒸镀掩模装置、蒸镀掩模的制造方法和蒸镀掩模装置的制造方法 | |
KR102471409B1 (ko) | 증착 마스크 장치 및 증착 마스크 장치의 제조 방법 | |
WO2018110253A1 (ja) | 蒸着マスク装置及び蒸着マスク装置の製造方法 | |
TWI649439B (zh) | 附框架蒸鍍遮罩之製造方法、拉張裝置、有機半導體元件之製造裝置及有機半導體元件之製造方法 | |
TWI593048B (zh) | Substrate processing system, substrate holder, substrate holder pair, substrate bonding apparatus, and device manufacturing method | |
KR20170132068A (ko) | 증착 마스크 및 그 제조 방법 | |
JP7222376B2 (ja) | 蒸着マスクの製造方法 | |
CN111088473B (zh) | 对位掩膜板、对位机构、对位掩膜板的制备方法 | |
CN213232465U (zh) | 蒸镀掩模、蒸镀掩模装置以及中间体 | |
TW202140820A (zh) | 蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩的製造方法及顯示裝置的製造方法 | |
CN107155049A (zh) | 摄像头装置 | |
US20210407800A1 (en) | Method for manufacturing deposition mask, method for manufacturing display device, and deposition mask intermediate | |
JP2021161535A (ja) | 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法、および、表示装置の製造方法 | |
WO2018146904A1 (ja) | 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法および蒸着マスクの製造装置 | |
KR20190122599A (ko) | 프레임 일체형 마스크의 제조 장치 | |
JP2014088606A (ja) | 成膜装置、成膜方法及び素子製造方法 | |
JPH043909A (ja) | 半導体基板の張合わせ方法 | |
TWI385480B (zh) | 光罩集合之製備方法 | |
JP2022165092A (ja) | 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法、および、表示装置の製造方法 | |
JPH08166636A (ja) | カメラ用データ写し込み装置 | |
JP2009246760A (ja) | 振動子の製造方法 |