TW202140177A - 基板切割方法及基板切割裝置 - Google Patents

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Abstract

基板切割方法及基板切割裝置用於切割基板，基板包括：第一黏合劑，配置於形成有發光元件晶片的基體材料的第一面；及第一薄膜，附著於第一黏合劑，當將電極所在的發光元件晶片的一部分稱爲第一部分，將與第一部分相鄰的發光元件晶片的另一部分稱爲第二部分時，該方法包括：沿著在第一部分與第二部分之間延伸的第一加工線、在發光元件晶片的外圍的與第二部分相鄰的位置延伸的第二加工線、在發光元件晶片的外圍的與第一部分相鄰的位置延伸的第三加工線照射第一雷射光束而去除第一薄膜和第一黏合劑從而分別形成第一槽、第二槽、第三槽的步驟。

Description

基板切割方法及基板切割裝置
本發明涉及一種對形成有具有電極的發光元件晶片的基板進行切割的基板切割方法及基板切割裝置。
一般來講，發光二極體（LED）或有機發光二極體（OLED）等發光二極體使用發光元件晶片而製成封裝形態。爲此，通過半導體製造工序在基板（晶圓）上形成多個發光元件晶片。而且，通過基板切割工序切割基板從而得到多個發光元件晶片。
關於切割基板的技術，專利文獻1（韓國公開專利第10-2013-0078457號）中提出了一種使用雷射光束切割形成有多個具有電極（電極墊）的發光元件晶片的基板的技術。根據專利文獻1，在基板的上部和下部分別附著第一薄膜（第一帶）和第二薄膜（第二帶）。第一薄膜和第二薄膜在基板被切割成發光元件晶片之後從發光元件晶片分離而被去除。
在專利文獻1中，在並未考慮基板的上部與第一薄膜之間的黏合劑（第一黏合劑）和基板的下部與第二薄膜之間的黏合劑（第二黏合劑）的情况下，向基板簡單地照射雷射光束而切割基板。但是，若對基板照射雷射光束，則第一黏合劑和第二黏合劑會變性。在該情况下，由於第一黏合劑和第二黏合劑變性，因而第一薄膜和第二薄膜會固定附著在發光元件晶片，因此存在難以將第一薄膜和第二薄膜從發光元件晶片分離而去除的問題。
先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1：韓國公開專利第10-2013-0078457號。
（發明所要解决的問題）
本發明的目的在於提供一種基板切割方法及基板切割裝置，其能够使黏合劑由於照射雷射光束而變性的區域最小化，從而能够從發光元件晶片容易地分離並去除薄膜。
（解决問題所采用的措施）
旨在達到上述目的的根據本發明的實施例的基板切割方法，用於切割基板，該基板包括：發光元件晶片，其包括電極；基體材料，其上形成有發光元件晶片；第一黏合劑，其配置於形成有發光元件晶片的基體材料的第一面；第二黏合劑，其配置於與基體材料的第一面相對的基體材料的第二面；第一薄膜，其附著於第一黏合劑；以及第二薄膜，其附著於第二黏合劑，當將電極所在的、發光元件晶片的一部分稱爲第一部分，將與第一部分相鄰的發光元件晶片的另一部分稱爲第二部分，將第一部分和第二部分依次就位的方向稱爲Y軸方向，並將與Y軸方向正交的方向稱爲X軸方向時，基板切割方法可以包括：沿著第一加工線、第二加工線和第三加工線照射第一雷射光束而沿著第一加工線、第二加工線和第三加工線去除第一薄膜和第一黏合劑，從而分別形成第一槽、第二槽和第三槽的步驟，其中，第一加工線在第一部分與第二部分之間沿著X軸方向延伸，第二加工線在發光元件晶片的外圍的與第二部分相鄰的位置沿著X軸方向延伸，第三加工線在發光元件晶片的外圍的與第一部分相鄰的位置沿著X軸方向延伸；使劃片輪穿過第二槽而對基體材料加壓，從而在基體材料形成輪劃片線的步驟；以及將第二雷射光束穿過第三槽而照射到基體材料，從而在基體材料形成雷射劃片線的步驟，分別通過在形成第二槽和第三槽的步驟形成的第二槽和第三槽暴露的基體材料的部分可以構成爲平面。
在形成第二槽的步驟中，照射到第二槽的底面部分的第一雷射光束的寬度可以大於劃片輪的尖端的厚度。
在距基體材料有相同的距離的Z軸方向上的位置，第一雷射光束的寬度可以大於第二雷射光束的寬度。
在第二槽的預先設定的深度處的第二槽的寬度可以大於劃片輪的尖端的厚度。
第一雷射光束可以在遠離發光元件晶片的方向上向下傾斜地照射。
第二雷射光束可以在靠近發光元件晶片的方向上向下傾斜地照射。
根據本發明的實施例的基板切割方法可以進一步包括：沿著第四加工線和第五加工線照射第一雷射光束而沿著第四加工線和第五加工線去除第一薄膜和第一黏合劑，從而分別形成第四槽和第五槽的步驟，其中，第四加工線和第五加工線沿著發光元件晶片的外圍在Y軸方向上延伸；以及使劃片輪穿過第四槽和第五槽而對基體材料加壓，從而在基體材料形成輪劃片線的步驟。
根據本發明的實施例的基板切割方法進一步包括：倒置基板的步驟；以及沿著第六加工線和第七加工線照射第一雷射光束而沿著第六加工線和第七加工線去除第二薄膜和第二黏合劑，從而分別形成第六槽和第七槽的步驟，其中，第六加工線和第七加工線沿著發光元件晶片的外圍在X軸方向上延伸。
根據本發明的實施例的基板切割方法可以進一步包括：倒置基板的步驟；以及沿著第八加工線和第九加工線照射第一雷射光束而沿著第八加工線和第九加工線去除第二薄膜和第二黏合劑，從而分別形成第八槽和第九槽的步驟，其中，第八加工線和第九加工線沿著發光元件晶片的外圍在Y軸方向上延伸。
旨在達到上述目的的根據本發明的實施例的基板切割裝置可以設置成能够沿著基板的表面移動，且包括頭單元，該頭單元包括劃片輪、第一雷射照射模組以及第二雷射照射模組，並且，構成爲執行基板切割方法而切割基板。
（發明的效果）
利用根據本發明的基板切割方法及基板切割裝置，可以將雷射光束和劃片輪一起使用而切割基板。因此，能够使黏合劑由於照射雷射光束而變性的區域最小化，從而能够從發光元件晶片容易地分離並去除薄膜。
另外，利用根據本發明的基板切割方法及基板切割裝置，在切割構成發光元件晶片的部分中的與對於外部衝擊較弱的電極相鄰的部分的過程中至少使用雷射光束，且所使用的雷射光束的類型不同於用來去除薄膜和黏合劑的雷射光束的類型。因此，能够防止與電極相鄰的部分由於外力而破損。
以下，參照附圖對根據本發明的一個實施例的基板切割方法及基板切割裝置進行說明。
首先，利用根據本發明的一個實施例的基板切割方法和基板切割裝置切割基板S（參照圖4和圖14）而得到的發光元件晶片10（參照圖13和圖19）包括基體材料11、半導體層12以及電極13。
半導體層12形成在基體材料11上。例如，半導體層12可以包括在基體材料11上依次層疊的第一氮化物層121、主動層123以及第二氮化物層122。主動層123夾在第一氮化物層121與第二氮化物層122之間。例如，第一氮化物層121和第二氮化物層122可以摻雜有p型雜質和n型雜質中的互不相同的雜質。主動層123可以具有多個量子井層結構。
電極13形成在半導體層12上。例如，電極13可以是p型電極。電極13發揮將半導體層12與外部電路連接的作用。
然而，本發明不限定於具有上述結構的發光元件晶片10。本發明可以適用於製造具有多種形狀的發光元件晶片10的過程。亦即，雖然在圖13和圖19中公開了具有竪直型電極結構的發光元件晶片10的結構，但本發明不限定於具有竪直型電極結構的發光元件晶片。例如，本發明還可以適用於具有水平型電極結構的發光元件晶片。在本發明適用於具有水平型電極結構的發光元件晶片的情况下，發光元件晶片可以包括p型電極和n型電極。在該情况下，發光元件晶片的電極部可以由p型電極和n型電極構成。
另外，就根據本發明的一個實施例的基板切割方法及基板切割裝置而言，不限定於製造作爲發光元件晶片10的發光二極體（LED），還可以適用於製造有機發光二極體（OLED）。
如圖1和圖2所示，可以以形成有多個發光元件晶片10的晶圓（wafer）的形態提供將要透過根據本發明的一個實施例的基板切割方法及基板切割裝置來切割的基板S。但本發明不限定於晶圓的形態的基板S，本發明還可以適用於切割具有多種形狀的基板S的過程。
以下，將電極13所在的發光元件晶片10的一部分稱爲第一部分19（參照圖1、圖2、圖13），並將與第一部分19相鄰的發光元件晶片的另一部分稱爲第二部分18（參照圖1、圖2、圖13）。即，第一部分19可以包括電極13。此外，第二部分18可以不包括電極13。
根據本發明的一個實施例的基板切割方法及基板切割裝置發揮沿著第一部分19和第二部分18的外圍切割基板S的作用。另外，根據本發明的一個實施例的基板切割方法及基板切割裝置發揮沿著第一部分19與第二部分18之間的邊界去除薄膜（film）和黏合劑層的作用。
以下，將第一部分19和第二部分18依次配置的方向定義爲Y軸方向，並將與Y軸方向正交的方向定義爲X軸方向。而且，將垂直於X-Y平面的方向定義爲Z軸方向。而且，將基板S在Z軸方向上相對的兩個面定義爲第一面S1和第二面S2。這裏，基板S的第一面S1以基體材料11爲基準位於形成發光元件晶片10的方向上。
如圖1和圖2所示，針對基板S的第一面S1，沿著第一部分19與第二部分18之間的邊界設定一個加工線21。另外，沿著第一部分19和第二部分18的外圍設定多個加工線22、23、24、25、26、27、28、29。一個加工線21指稱爲第一加工線21。多個加工線22、23、24、25、26、27、28、29包括針對基板S的第一面S1設定的第二加工線22、第三加工線23、第四加工線24以及第五加工線25。另外，多個加工線22、23、24、25、26、27、28、29包括針對基板S的第二面S2設定的第六加工線26、第七加工線27、第八加工線28以及第九加工線29。
另一方面，對於多個加工線21、22、23、24、25、26、27、28、29可以依次執行規定的各工序。另外，對於多個加工線21、22、23、24、25、26、27、28、29中的一部分加工線可以同時執行規定的工序中的一部分工序。此外，對基板S執行的規定的工序可以包括將基板S倒置正面和背面的工序。另外，對基板S執行的規定的工序可以包括使基板S以與Z軸方向平行的軸爲中心旋轉的工序。由於基板S以與Z軸方向平行的軸爲中心旋轉，因此，可以在X軸方向和Y軸方向上對基板S執行規定的加工。
另一方面，執行這些工序的順序不限定於多個加工線21、22、23、24、25、26、27、28、29的順序。
第一加工線21沿著第一部分19與第二部分18之間的邊界在X軸方向上延伸。
第二加工線22在與第二部分18相鄰的位置沿著X軸方向延伸。第三加工線23在與第一部分19相鄰的位置沿著X軸方向延伸。第二加工線22和第三加工線23彼此平行，且沿著發光元件晶片10的外圍在X軸方向上延伸。
第四加工線24和第五加工線25彼此平行，且沿著發光元件晶片10的外圍在Y軸方向上延伸。
第六加工線26和第七加工線27彼此平行，且沿著發光元件晶片10的外圍在X軸方向上延伸。
第八加工線28和第九加工線29彼此平行，且沿著發光元件晶片10的外圍在Y軸方向上延伸。
沿著如上所述那樣設定的多個加工線21、22、23、24、25、26、27、28、29執行規定的加工，基板S能够分割成多個發光元件晶片10。
如圖4和圖14所示，具備發光元件晶片10的基板S包括基體材料11、第一黏合劑14、第二黏合劑15、第一薄膜16以及第二薄膜17。
在基體材料11上具備發光元件晶片10。例如，基體材料11可以由聚醯亞胺（PI）形成。
第一黏合劑14塗布在具備發光元件晶片10的基體材料11的第一面。第二黏合劑15塗布在與基體材料11的第一面相對的第二面。第一黏合劑14和第二黏合劑15可以由相同的材料形成。然而，本發明不限定於此，本發明還可以適用於第一黏合劑14和第二黏合劑15由互不相同的材料形成的構成。
第一薄膜16透過第一黏合劑14來附著於基板S的第一面S1。第二薄膜17透過第二黏合劑15來附著於基板S的第二面S2。第一薄膜16和第二薄膜17發揮在對基板S執行加工的過程中和/或傳送基板S的過程中保護基板S的作用。例如，第一薄膜16和第二薄膜17可以由聚對苯二甲酸乙二酯（PET）形成。在執行切割基板S的基板切割工序之後，可以將第一薄膜16和第二薄膜17與第一黏合劑14和第二黏合劑15一起從基板S去除。尤其重要的是，將第一薄膜16和第二薄膜17與第一黏合劑14和第二黏合劑15一起從發光元件晶片10去除。
如圖3所示，根據本發明的一個實施例的基板切割裝置包括載物台（stage）71、載物台升降單元72、載物台旋轉單元73、框架74、第一頭單元75以及第二頭單元76。
載物台71用於搭載並支撑基板S。載物台升降單元72發揮使載物台71升降的作用。載物台旋轉單元73發揮使載物台71以與Z軸方向平行的軸爲中心旋轉的作用。
框架74可以在與載物台71的上表面平行的方向上延伸。例如，框架74可以在X軸方向上或Y軸方向上延伸。
第一頭單元75和第二頭單元76能够沿著框架74移動。
第一頭單元75具備劃片輪51和第一雷射照射模組40。第二頭單元76具備第二雷射照射模組60。
第一頭單元75和第二頭單元76可以彼此分離。因此，第一頭單元75和第二頭單元76可以相對於彼此單獨地移動。
根據這種構成，劃片輪51和第一雷射照射模組40可以一起移動。劃片輪51和第一雷射照射模組40可以相對於第二雷射照射模組60單獨地移動。同樣地，第二雷射照射模組60可以相對於劃片輪51和第一雷射照射模組40單獨地移動。由於劃片輪51和第二雷射照射模組60能够相對於彼此單獨地移動，因而使用劃片輪51的工序和使用第二雷射照射模組60的工序可以同時進行。因此，可以减少切割基板S的工序所需的時間。
第一雷射照射模組40可以照射用於去除第一黏合劑14、第二黏合劑15、第一薄膜16以及第二薄膜17的第一雷射光束41（參照圖5至圖7、圖11、圖15、圖18）。例如，第一雷射光束41可以是CO2 雷射光束。
第二雷射照射模組60可以照射用於在基體材料11中形成雷射劃片線611的第二雷射光束61（參照圖9）。例如，第二雷射光束61可以是UV雷射光束。
這樣，在切割包括基體材料11、第一黏合劑14、第二黏合劑15、第一薄膜16以及第二薄膜17的多層基板S時，可以將第一雷射光束41、劃片輪51、第二雷射光束61適當地選擇而使用於各層。因此，能够更順利而有效地切割基板S。
另外，爲了切割基板S，並不僅僅使用一種雷射光束，且一併使用劃片輪51。因此，與僅使用一種雷射光束的情况相比，能够使因照射雷射光束而第一黏合劑14和第二黏合劑15變性的區域最小化。因此，能够防止第一薄膜16和第二薄膜17由於第一黏合劑14和第二黏合劑15變性而固定附著在基板S上。因此，能够容易地去除第一薄膜16和第二薄膜17。
以下，參照圖4至圖19對根據本發明的一個實施例的基板切割方法進行說明。
首先，參照圖4至圖13對沿著X軸方向加工基板S的第一面S1和第二面S2的方法進行說明。
首先，如圖5所示，沿著第一加工線21照射第一雷射光束41而沿著第一加工線21去除第一薄膜16和第一黏合劑14，從而形成第一槽31。
此外，如圖6所示，沿著第二加工線22照射第一雷射光束41而沿著第二加工線22去除第一薄膜16和第一黏合劑14，從而形成第二槽32。
這裏，優選照射第一雷射光束41使得基體材料11的一部分A能够通過第二槽32暴露。而且，借助於第二槽32暴露的基體材料11的一部分A優選構成爲平面。
而且，如圖7所示，沿著第三加工線23照射第一雷射光束41而沿著第三加工線23去除第一薄膜16和第一黏合劑14，從而形成第三槽33。
這裏，優選照射第一雷射光束41使得基體材料11的一部分A能够通過第三槽33暴露。而且，被第三槽33暴露的基體材料11的一部分A優選構成爲平面。
此外，如圖8所示，劃片輪51穿過第二槽32而插入，且劃片輪51對基體材料11進行加壓，由此，在基體材料11形成輪劃片線511。劃片輪51以對基體材料11加壓的狀態在X軸方向上移動。
此時，由於通過第二槽32暴露的基體材料11的一部分A構成爲平面，因此，劃片輪51能够與基體材料11的一部分A直接接觸。即，劃片輪51可以直接接觸基體材料11的暴露部分而不會干涉第一黏合劑14。
爲此，在形成第二槽32的步驟中，到達第二槽32的底面部分（即，基體材料11暴露的部分）的第一雷射光束41的寬度WL1（參照圖12）大於劃片輪51的尖端（刃部分）的厚度。由此，如圖8所示，在第二槽32的預先設定的深度處的第二槽32的寬度WG大於劃片輪51的在該深度處的厚度WW。
因此，劃片輪51的尖端不會直接接觸第一黏合劑14。因此，能够防止由於劃片輪51的尖端與第一黏合劑14接觸而會發生的問題。例如，能够防止由於第一黏合劑14附著於劃片輪51的尖端而會發生的劃片輪51的污染。另外，能够防止由於第一黏合劑14附著於劃片輪51的尖端而導致劃片輪51的切削力降低。
另一方面，爲了防止在劃片輪51上附著第一黏合劑14或第二黏合劑15（這裏，在第二黏合劑15的情况下參照圖16中所圖示的工序），優選適當地設定劃片輪51的速度。
例如，在劃片輪51的外徑爲2mm的情况下，在劃片輪51的行進速度（移動速度）爲30mm/s時，劃片輪51的旋轉速度優選爲4.8rps以上且9.6rps以下。在劃片輪51的旋轉速度小於4.8rps的情况下，有可能發生在劃片輪51上附著第一黏合劑14或第二黏合劑15的問題。
另外，在劃片輪51的外徑爲2mm的情况下，在劃片輪51的行進速度（移動速度）爲300mm/s時，劃片輪51的旋轉速度優選爲47.7rps以上且95.4rps以下。在劃片輪51的旋轉速度小於47.7rps的情况下，有可能發生在劃片輪51上附著第一黏合劑14或第二黏合劑15的問題。
另外，在劃片輪51的外徑爲2mm的情况下，在劃片輪51的行進速度（移動速度）爲500mm/s時，劃片輪51的旋轉速度優選爲79.6rps以上且159.2rps以下。在劃片輪51的旋轉速度小於79.6rps的情况下，有可能發生在劃片輪51上附著第一黏合劑14或第二黏合劑15的問題。
另外，在劃片輪51的外徑爲3mm的情况下，在劃片輪51的行進速度（移動速度）爲30mm/s時，劃片輪51的旋轉速度優選爲3.2rps以上且6.4rps以下。在劃片輪51的旋轉速度小於3.2rps的情况下，有可能發生在劃片輪51上附著第一黏合劑14或第二黏合劑15的問題。
另外，在劃片輪51的外徑爲3mm的情况下，在劃片輪51的行進速度（移動速度）爲300mm/s時，劃片輪51的旋轉速度優選爲31.8rps以上且63.6rps以下。在劃片輪51的旋轉速度小於31.8rps的情况下，有可能發生在劃片輪51上附著第一黏合劑14或第二黏合劑15的問題。
另外，在劃片輪51的外徑爲3mm的情况下，在劃片輪51的行進速度（移動速度）爲500mm/s時，劃片輪51的旋轉速度優選爲53.1rps以上且106.2rps以下。在劃片輪51的旋轉速度小於53.1rps的情况下，有可能發生在劃片輪51上附著第一黏合劑14或第二黏合劑15的問題。
接下來，如圖9所示，第二雷射光束61穿過第三槽33照射到基體材料11，從而在基體材料11中形成雷射劃片線611。
構成第一部分19的電極13是對於外力所帶來的衝擊脆弱的部分。因此，在劃片輪51對與第一部分19相鄰的部分（第三加工線23）進行加壓的情况下，存在電極13破損的可能性。因此，對於與第一部分19相鄰的部分（第三加工線23），使用第二雷射光束61執行加工以代替使用劃片輪51執行加工。因此，能够防止構成第一部分19的電極13在切割基板S的工序中由於外力而破損。
另外，如圖12所示，在距基體材料11有相同的距離的Z軸方向上的位置（即，距基體材料11的第一面（暴露面，形成發光元件晶片10的面）的Z軸方向上的位置有相同的距離的Z軸方向上的位置），第一雷射光束41的寬度WL1大於第二雷射光束61的寬度WL2。因此，在第二雷射光束61照射到由第一雷射光束41形成的第三槽33內時，能够使第二雷射光束61與第一黏合劑14干涉的程度最小化。即，能够使第二雷射光束61周圍的第一黏合劑14所受的第二雷射光束61的影響最小化。因此，能够使第一黏合劑14由於照射第二雷射光束61而變性的程度最小化。因此，能够防止第一薄膜16固定附著於發光元件晶片10。因此，能够從發光元件晶片10容易地去除第一薄膜16。
接下來，如圖10所示，倒置基板S。
此外，如圖11所示，沿著第六加工線26照射第一雷射光束41而沿著第六加工線26去除第二薄膜17和第二黏合劑15，從而形成第六槽36。此外，沿著第七加工線27照射第一雷射光束41而沿著第七加工線27去除第二薄膜17和第二黏合劑15，從而形成第七槽37。
接下來，參照圖14至圖19對沿著Y軸方向加工基板S的第一面S1和第二面S2的方法進行說明。
首先，如圖15所示，沿著第四加工線24照射第一雷射光束41而沿著第四加工線24去除第一薄膜16和第一黏合劑14，從而形成第四槽34。此外，沿著第五加工線25照射第一雷射光束41而沿著第五加工線25去除第一薄膜16和第一黏合劑14，從而形成第五槽35。
第四槽34和第五槽35的形狀與第二槽32和第三槽33的形狀相同。而且，用於形成第四槽34和第五槽35的第一雷射光束41的寬度與用於形成第二槽32和第三槽33的第一雷射光束41的寬度相同。
即，優選照射第一雷射光束41使得基體材料11的一部分能够透過第四槽34和第五槽35暴露。而且，透過第四槽34和第五槽35暴露的基體材料11的一部分優選構成爲平面。
此外，如圖16所示，劃片輪51穿過第四槽34和第五槽35並對基體材料11進行加壓，由此，在基體材料11中形成輪劃片線511。
與參照圖8進行的說明同樣地，由於通過第四槽34和第五槽35暴露的基體材料11的一部分構成爲平面，因此，劃片輪51能够與基體材料11的一部分直接接觸。即，劃片輪51可以直接接觸基體材料11的暴露部分而不會干涉第一黏合劑14。
與參照圖8進行的說明同樣地，在形成第四槽34和第五槽35的步驟中，到達第四槽34和第五槽35的底面部分（即，基體材料11暴露的部分）的第一雷射光束41的寬度WL1（參照圖12）大於劃片輪51的尖端（刃部分）的厚度。由此，在第四槽34和第五槽35的預先設定的深度處的第四槽34的寬度WG和第五槽35的寬度WG大於劃片輪51的在該深度處的厚度WW。
因此，劃片輪51的尖端不會直接接觸第一黏合劑14。因此，能够防止由於劃片輪51的尖端與第一黏合劑14接觸而會發生的問題。例如，能够防止由於第一黏合劑14附著於劃片輪51的尖端而會發生的劃片輪51的污染。另外，能够防止由於第一黏合劑14附著於劃片輪51的尖端而導致劃片輪51的切削力降低。
接下來，如圖17所示，倒置基板S。
此外，如圖18所示，沿著第八加工線28照射第一雷射光束41而沿著第八加工線28去除第二薄膜17和第二黏合劑15，從而形成第八槽38。而且，沿著第九加工線29照射第一雷射光束41而沿著第九加工線29去除第二薄膜17和第二黏合劑15，從而形成第九槽39。
此外，沿著如上所述那樣形成的第一至第九槽31、32、33、34、35、36、37、38、39去除第一薄膜16、第二薄膜17、第一黏合劑14以及第二黏合劑15。
此外，沿著輪劃片線511和雷射劃片線611切割基板S，從而能够獲得如圖13和圖19中所圖示那樣的發光元件晶片10。
以下，參照圖20和圖21對根據本發明的另一實施例的基板切割方法及基板切割裝置進行說明。
如圖20和圖21所示，在形成第二槽32、第三槽33、第四槽34以及第五槽35的過程中，可以向下傾斜地照射第一雷射光束41，以使第一雷射光束41靠近發光元件晶片10的上部（尤其是，使第一雷射光束41靠近發光元件晶片10上方的與第一薄膜16相鄰的部位）。
因此，通過第一雷射光束41能够容易地去除存在於發光元件晶片10上方的與第一薄膜16相鄰的部位的第一黏合劑14。因此，能够從發光元件晶片10容易地去除第一薄膜16。
以下，參照圖22對根據本發明的又一實施例的基板切割方法及基板切割裝置進行說明。
如圖22所示，在穿過第三槽33照射第二雷射光束61而形成雷射劃片線611的過程中，可以向下傾斜地照射第二雷射光束61，以使第二雷射光束61遠離發光元件晶片10的上部且靠近發光元件晶片10的下部（尤其是，使第二雷射光束61遠離發光元件晶片10上方的與第一薄膜16相鄰的部位）。
因此，能够使存在於發光元件晶片10上方的與第一薄膜16相鄰的部位的第一黏合劑14所受的第二雷射光束61的影響最小化。因此，能够使第一黏合劑14由於照射第二雷射光束61而變性的區域最小化。因此，能够從發光元件晶片10容易地去除第一薄膜16。
雖然例示性地說明了本發明的優選實施例，但本發明的範圍並不限定於這樣的特定實施例，可以在申請專利範圍中所記載的範疇內適當地進行變更。
10:發光元件晶片 11:基體材料 12:半導體層 121:第一氮化物層 122:第二氮化物層 123:主動層 13:電極 14:第一黏合劑 15:第二黏合劑 16:第一薄膜 17:第二薄膜 18:第二部分 19:第一部分 21:第一加工線 22:第二加工線 23:第三加工線 24:第四加工線 25:第五加工線 26:第六加工線 27:第七加工線 28:第八加工線 29:第九加工線 31:第一槽 32:第二槽 33:第三槽 34:第四槽 35:第五槽 36:第六槽 37:第七槽 38:第八槽 39:第九槽 40:第一雷射照射模組 41:第一雷射光束 51:劃片輪 511:輪劃片線 60:第二雷射照射模組 61:第二雷射光束 611:雷射劃片線 71:載物台 72:載物台升降單元 73:載物台旋轉單元 74:框架 75:第一頭單元 76:第二頭單元 A:部分 S:基板 S1:第一面 S2:第二面 WG、WL1、WL2、WW:寬度
圖1是示意性地圖示了將要透過根據本發明一個實施例的基板切割方法及基板切割裝置來切割的基板的第一面的圖。 圖2是示意性地圖示了將要透過根據本發明一個實施例的基板切割方法及基板切割裝置來切割的基板的第二面的圖。 圖3是示意性地圖示了根據本發明一個實施例的基板切割裝置的圖。 圖4是示意性地圖示了將要透過根據本發明一個實施例的基板切割方法及基板切割裝置來切割的基板的剖視圖。 圖5至圖11是依次圖示了透過根據本發明一個實施例的基板切割方法及基板切割裝置來沿著多個X軸方向加工線加工基板的過程的圖。 圖12是比較在根據本發明一個實施例的基板切割方法及基板切割裝置中使用的第一雷射光束的寬度和第二雷射光束的寬度的圖。 圖13是示意性地圖示了利用根據本發明一個實施例的基板切割方法及基板切割裝置來切割基板而得到的發光元件晶片的圖。 圖14是示意性地圖示了將要透過根據本發明一個實施例的基板切割方法及基板切割裝置來切割的基板的剖視圖。 圖15至圖18是依次圖示了透過根據本發明一個實施例的基板切割方法及基板切割裝置來沿著多個Y軸方向加工線加工基板的過程的圖。 圖19是示意性地圖示了利用根據本發明一個實施例的基板切割方法及基板切割裝置來切割基板而得到的發光元件晶片的圖。 圖20和圖21是示意性地圖示了利用根據本發明另一實施例的基板切割方法及基板切割裝置對基板照射第一雷射光束的過程的剖視圖。 圖22是示意性地圖示了利用根據本發明又一實施例的基板切割方法及基板切割裝置對基板照射第二雷射光束的過程的剖視圖。
10:發光元件晶片
18:第二部分
19:第一部分
21:第一加工線
22:第二加工線
23:第三加工線
24:第四加工線
25:第五加工線
S:基板
S1:第一面

Claims (10)

  1. 一種基板切割方法，用於切割基板，該基板包括：發光元件晶片，其包括電極；基體材料，該發光元件晶片形成於該基體材料；第一黏合劑，其形成於該基體材料的第一面，該發光元件晶片形成於該第一面；第二黏合劑，其形成於與該基體材料的第一面相對的該基體材料的第二面；第一薄膜，其附著於該第一黏合劑；以及第二薄膜，其附著於該第二黏合劑， 該基板切割方法的特徵在於，當將該電極所在的該發光元件晶片的一部分稱爲第一部分，將與該第一部分相鄰的該發光元件晶片的另一部分稱爲第二部分，將該第一部分和該第二部分依次就位的方向稱爲Y軸方向，並將與該Y軸方向正交的方向稱爲X軸方向時，包括： 沿著第一加工線、第二加工線和第三加工線照射第一雷射光束而沿著該第一加工線、該第二加工線和該第三加工線去除該第一薄膜和該第一黏合劑從而分別形成第一槽、第二槽和第三槽的步驟，其中，該第一加工線在該第一部分與該第二部分之間沿著該X軸方向延伸，該第二加工線在該發光元件晶片的外圍的與該第二部分相鄰的位置沿著該X軸方向延伸，該第三加工線在該發光元件晶片的外圍的與該第一部分相鄰的位置沿著該X軸方向延伸； 使劃片輪穿過該第二槽而對該基體材料加壓，從而在該基體材料形成輪劃片線的步驟；以及 將第二雷射光束穿過該第三槽而照射到該基體材料，從而在該基體材料形成雷射劃片線的步驟， 分別透過在形成該第二槽和該第三槽的步驟形成的該第二槽和該第三槽暴露的該基體材料的部分構成爲平面。
  2. 根據請求項1所述的基板切割方法，其中，在形成該第二槽的步驟中，照射到該第二槽的底面部分的該第一雷射光束的寬度大於該劃片輪的尖端的厚度。
  3. 根據請求項1所述的基板切割方法，其中，在離該基體材料的距離相同的位置，該第一雷射光束的寬度大於該第二雷射光束的寬度。
  4. 根據請求項1所述的基板切割方法，其中，在該第二槽的預先設定的深度處的該第二槽的寬度大於該劃片輪的尖端的厚度。
  5. 根據請求項1所述的基板切割方法，其中，該第一雷射光束向下傾斜地照射以使該第一雷射光束靠近該發光元件晶片的上部。
  6. 根據請求項1所述的基板切割方法，其中，該第二雷射光束向下傾斜地照射以使該第二雷射光束遠離該發光元件晶片的上部。
  7. 根據請求項1所述的基板切割方法，進一步包括： 沿著第四加工線和第五加工線照射該第一雷射光束而沿著該第四加工線和該第五加工線去除該第一薄膜和該第一黏合劑，從而分別形成第四槽和第五槽的步驟，其中，該第四加工線和該第五加工線沿著該發光元件晶片的外圍在該Y軸方向上延伸；以及 使該劃片輪穿過該第四槽和該第五槽而對該基體材料加壓，從而在該基體材料形成輪劃片線的步驟。
  8. 根據請求項7所述的基板切割方法，進一步包括： 倒置該基板的步驟；以及 沿著第六加工線和第七加工線照射該第一雷射光束而沿著該第六加工線和該第七加工線去除該第二薄膜和該第二黏合劑，從而分別形成第六槽和第七槽的步驟，其中，該第六加工線和該第七加工線沿著該發光元件晶片的外圍在該X軸方向上延伸。
  9. 根據請求項7所述的基板切割方法，進一步包括： 倒置該基板的步驟；以及 沿著第八加工線和第九加工線照射該第一雷射光束而沿著該第八加工線和該第九加工線去除該第二薄膜和該第二黏合劑，從而分別形成第八槽和第九槽的步驟，其中，該第八加工線和該第九加工線沿著該發光元件晶片的外圍在該Y軸方向上延伸。
  10. 一種基板切割裝置，其特徵在於， 設置成能够沿著基板的表面移動，且包括頭單元，該頭單元包括劃片輪、第一雷射照射模組以及第二雷射照射模組，並且， 構成爲執行請求項1至9中任一項所述的基板切割方法而切割該基板。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1241253C (zh) * 2002-06-24 2006-02-08 丰田合成株式会社 半导体元件的制造方法
JP2006086516A (ja) * 2004-08-20 2006-03-30 Showa Denko Kk 半導体発光素子の製造方法
JP2006245066A (ja) * 2005-02-28 2006-09-14 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 発光ダイオード及び発光ダイオードの製造方法
JP5082278B2 (ja) * 2005-05-16 2012-11-28 ソニー株式会社 発光ダイオードの製造方法、集積型発光ダイオードの製造方法および窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の成長方法
JP5019755B2 (ja) * 2006-02-08 2012-09-05 昭和電工株式会社 発光ダイオード及びその製造方法
JP5179068B2 (ja) * 2007-02-14 2013-04-10 昭和電工株式会社 化合物半導体素子の製造方法
JP5548143B2 (ja) * 2011-01-25 2014-07-16 三星ダイヤモンド工業株式会社 Ｌｅｄチップの製造方法
US8557683B2 (en) * 2011-06-15 2013-10-15 Applied Materials, Inc. Multi-step and asymmetrically shaped laser beam scribing
TW201301557A (zh) * 2011-06-17 2013-01-01 Univ Nat Cheng Kung 發光元件結構及其製造方法
US8574938B2 (en) * 2011-07-19 2013-11-05 Ncku Research And Development Foundation Using isolated epitaxial structures in glue bonding for multiple group-III nitride LEDS on a single substrate
KR101909633B1 (ko) 2011-12-30 2018-12-19 삼성전자 주식회사 레이저 스크라이빙을 이용한 발광소자 칩 웨이퍼의 절단 방법
KR101850539B1 (ko) * 2012-01-12 2018-05-31 삼성전자주식회사 형광체 필름이 부착된 발광소자 칩 웨이퍼의 절단 방법
TW201535779A (zh) * 2014-03-14 2015-09-16 Lextar Electronics Corp 半導體發光元件的製作方法
JP6234312B2 (ja) * 2014-04-11 2017-11-22 株式会社ディスコ 積層基板の加工方法
JP2015207604A (ja) * 2014-04-17 2015-11-19 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6486240B2 (ja) * 2015-08-18 2019-03-20 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
KR102633196B1 (ko) * 2016-12-01 2024-02-05 주식회사 탑 엔지니어링 스크라이빙 장치 및 스크라이빙 방법
KR101962754B1 (ko) * 2017-07-06 2019-03-28 주식회사 이오테크닉스 웨이퍼 가공방법 및 웨이퍼 가공장치
KR102408974B1 (ko) * 2017-11-23 2022-06-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101991267B1 (ko) * 2017-11-23 2019-06-20 주식회사 탑 엔지니어링 기판 절단 장치
JP2020017471A (ja) * 2018-07-27 2020-01-30 三星ダイヤモンド工業株式会社 多層基板を切断する方法及び切断装置
JP2020019070A (ja) * 2018-07-30 2020-02-06 三星ダイヤモンド工業株式会社 多層基板を切断する方法及び切断装置

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