TW202138190A - 保護膜形成用薄片 - Google Patents

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Abstract

課題在於提供一種保護膜形成用薄片，其係可抑制經窄節距化之凸塊(bump)彼此間之短路。且，該課題係藉由作成一種保護膜形成用薄片而獲得解決，該保護膜形成用薄片為具有硬化性樹脂薄膜(x)與支持薄片(Y)之層合構造之保護膜形成用薄片，其係用來在具有複數凸塊且滿足顯示具有經窄節距化之凸塊之特定要件之半導體晶圓之凸塊形成面形成保護膜(X)，且係滿足拉伸彈性模數E’所規定之特定要件。

Description

保護膜形成用薄片
本發明係關於保護膜形成用薄片。
以往，將MPU或閘陣列等所使用之多針LSI封裝實裝於印刷配線基板之情況，作為半導體晶片至今係使用在該連接墊部已形成凸狀電極(以下，亦稱為「凸塊」)者。且，至今也採用覆晶實裝方法，其係藉由所謂面朝下(face down)方式，使該等凸塊面對晶片搭載用基板上之相對應之端子部而使其接觸，並進行熔融接合或擴散接合。
近年來伴隨電子機器之小型輕量化、薄型化、及高機能化，即使對於內藏之電子零件，也要求高密度實裝。專利文獻1~3中為了迴避伴隨高密度實裝之問題，即，由於α射線侵入於半導體積體電路之記憶單元中而記憶內容會被改寫之軟錯誤問題，而提出低α射線量之焊劑材料。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第4472752號公報 [專利文獻2]日本特開2011-214040號公報 [專利文獻3]國際公開第2012/120982號公報
[發明所欲解決之課題]
另外，由於對電子零件之高密度實裝之要求提高，故半導體晶片所具有之凸塊之窄節距化之要求也逐漸提高。然而，若將半導體晶片所具有之凸塊予以窄節距化，則會產生新的問題。例如，在將半導體晶片與配線基板隔著球形凸塊來電連接之步驟中，會產生球形凸塊崩壞而往橫向擴展，球形凸塊彼此接觸而引起短路的問題。又，為了對應更加高密度實裝之要求，亦有檢討將半導體封裝往高度方向堆疊之3次元高密度實裝，但於此情況，也會有由於半導體封裝之自身重量，而球形凸塊會徐徐地崩壞，從而導致短路之情況。
本發明者等有鑑於上述問題進行精心檢討，達成創造出一種形成能抑制球形凸塊崩壞而往橫向擴展之保護膜用的薄片。又，認為在具有柱形凸塊之半導體晶片中，也會有因柱形凸塊之彎曲等，而柱形凸塊彼此接觸而引起短路的情況。得知創造出之薄片在解決柱形凸塊之該種問題上亦為有效者。
因此，本發明之課題在於提供一種保護膜形成用薄片，其係可抑制經窄節距化之凸塊彼此間之短路。 [用以解決課題之手段]
本發明者等發現藉由下述發明即能解決上述課題。 即，本發明係關於下述[1]~[9]。 [1]　一種保護膜形成用薄片，其係具有：硬化性樹脂薄膜(x)與支持薄片(Y)之層合構造， 該保護膜形成用薄片係用來在具有複數凸塊且滿足下述要件(α1)~(α2)之半導體晶圓之凸塊形成面形成保護膜(X)，且係滿足下述要件(β1)~(β3)。 ・要件(α1)：前述凸塊之寬(BMw )(單位：μm)為20μm~ 350μm。 ・要件(α2)：前述凸塊之節距(BMP )(單位：μm)與前述凸塊之寬(BMw )(單位：μm)滿足下述式(I)。
Figure 02_image001
・要件(β1)：使前述硬化性樹脂薄膜(x)硬化所形成之保護膜(X)之在23℃下之拉伸彈性模數E’(23℃)為1×107 Pa~1×1010 Pa。 ・要件(β2)：使前述硬化性樹脂薄膜(x)硬化所形成之保護膜(X)之在260℃下之拉伸彈性模數E’(260℃)為1×105 Pa~1×108 Pa。 ・要件(β3)：使前述硬化性樹脂薄膜(x)硬化所形成之保護膜(X)在23℃下之厚度(XT )(單位：μm)與前述凸塊之高度(BMh )(單位：μm)滿足下述式(II)。
Figure 02_image003
[2]　如[1]之保護膜形成用薄片，其中更滿足下述要件(α3a)； ・要件(α3a)：前述凸塊之高度(BMh )與前述凸塊之寬(BMw )滿足下述式(IIIa)
Figure 02_image005
[3]　如[1]之保護膜形成用薄片，其中更滿足下述要件(α3b)； ・要件(α3b)：前述凸塊之高度(BMh )與前述凸塊之寬(BMw )滿足下述式(IIIb)
Figure 02_image007
[4]　如[1]~[3]中任一項之保護膜形成用薄片，其中更滿足下述要件(α4)； ・要件(α4)：前述凸塊之高度(BMh )為15μm~300μm [5]　如請求項[1]~[4]中任一項之保護膜形成用薄片，其中前述支持薄片(Y)為背面研磨膠帶。 [6]　一種附保護膜之半導體晶圓之製造方法，其係包含下述步驟(S1)~(S3)。 ・步驟(S1)：準備具有已設置複數凸塊之凸塊形成面之半導體晶圓的步驟 ・步驟(S2)：將如請求項1~5中任一項之保護膜形成用薄片之硬化性樹脂薄膜(x)作為貼附面按壓於前述半導體晶圓之前述凸塊形成面並進行貼附的步驟 ・步驟(S3)：使硬化性樹脂薄膜(x)硬化而形成保護膜(X)的步驟 其中，前述步驟(S1)準備之前述半導體晶圓滿足下述要件(α1)~(α2)。 ・條件(α1)：前述凸塊之寬(BMw )(單位：μm)為20μm~ 350μm ・條件(α2)：前述凸塊之節距(BMP )(單位：μm)與前述凸塊之寬(BMw )(單位：μm)滿足下述式(I)
Figure 02_image009
[7]　一種附保護膜之半導體晶片之製造方法，其係包含下述步驟(T1)~(T2)。 ・步驟(T1)：實施如[6]之製造方法而取得附保護膜之半導體晶圓的步驟 ・步驟(T2)：將前述附保護膜之半導體晶圓予以單片化的步驟 [8]　一種半導體封裝之製造方法，其係包含下述步驟(U1)~(U2)。 ・步驟(U1)：實施如[7]之製造方法而取得附保護膜之半導體晶片的步驟 ・步驟(U2)：隔著前述凸塊來電連接配線基板與前述附保護膜之半導體晶片的步驟 [9]　如[8]之半導體封裝之製造方法，其係更具有步驟(U3)。 ・步驟(U3)：在前述配線基板與前述附保護膜之半導體晶片之間填充底部填充材料的步驟。 [發明效果]
根據本發明，從而能提供一種保護膜形成用薄片，其係可抑制經窄節距化之凸塊彼此間之短路。
本說明書中，「有效成分」係指從成為對象之組成物所包含之成分之中，去除水或有機溶劑等之稀釋溶劑後之成分。 又，本說明書中，「(甲基)丙烯酸」表示「丙烯酸」與「甲基丙烯酸」之雙方，且其他類似用語亦為相同。 又，本說明書中，重量平均分子量及數平均分子量係藉由凝膠滲透層析(GPC)法所測量之聚苯乙烯換算值。 又，本說明書中，關於為佳數值範圍(例如，含量等之範圍)，階段性記載之下限值及上限值係能分別獨立地進行組合。例如，亦可從「以10~90為佳，較佳為30~60」之記載，將「為佳之下限值(10)」與「較佳之上限值(60)」予以組合而作成「10~60」。
[保護膜形成用薄片之態樣] 本發明之保護膜形成用薄片具有：硬化性樹脂薄膜(x)與支持薄片(Y)之層合構造。 本發明之保護膜形成用薄片係用來在具有複數凸塊且滿足下述要件(α1)~(α2)之半導體晶圓之凸塊形成面形成保護膜(X)。 ・要件(α1)：前述凸塊之寬(BMw )(單位：μm)為20μm~ 350μm。 ・要件(α2)：前述凸塊之節距(BMP )(單位：μm)與前述凸塊之寬(BMw )(單位：μm)滿足下述式(I)。
Figure 02_image011
且，本發明之保護膜形成用薄片滿足下述要件(β1)~ (β3)。 ・要件(β1)：使前述硬化性樹脂薄膜(x)硬化所形成之保護膜(X)之在23℃下之拉伸彈性模數E’(23℃)為1×107 Pa~1×1010 Pa。 ・要件(β2)：使前述硬化性樹脂薄膜(x)硬化所形成之保護膜(X)之在260℃下之拉伸彈性模數E’(260℃)為1×105 Pa~1×108 Pa。 ・要件(β3)：使前述硬化性樹脂薄膜(x)硬化所形成之保護膜(X)在23℃下之厚度(XT )(單位：μm)與前述凸塊之高度(BMh )(單位：μm)滿足下述式(II)。
Figure 02_image013
亦即，本發明之保護膜形成用薄片係使用於具有滿足上述要件(α1)~(α2)之經窄節距化之凸塊之半導體晶圓之凸塊形成面。且，本發明之保護膜形成用薄片之具體構成為具有硬化性樹脂薄膜(x)與支持薄片(Y)之層合構造，且滿足有關硬化性樹脂薄膜(x)之上述要件(β1)~ (β3)。
本發明者等發現藉由使用具有硬化性樹脂薄膜(x)與支持薄片(Y)之層合構造，且滿足有關硬化性樹脂薄膜(x)之上述要件(β1)~(β3)之保護膜形成用薄片，在具有滿足上述要件(α1)~(α2)之經窄節距化之凸塊之半導體晶圓之凸塊形成面形成保護膜(X)，而可抑制凸塊之崩壞及變形，且可抑制經窄節距化之凸塊彼此間之短路。 以下，說明關於本發明之保護膜形成用薄片所規定之有關保護膜(X)之上述要件(β1)~(β3)。
＜要件(β1)＞ 要件(β1)係規定使硬化性樹脂薄膜(x)硬化所形成之保護膜(X)之在23℃下之拉伸彈性模數E’(23℃)為1×107 Pa~ 1×1010 Pa。 拉伸彈性模數E’(23℃)若未滿1×107 Pa，則有保護膜(X)無法抑制凸塊之崩壞及變形，凸塊彼此間接觸而短路之憂慮。 另一方面，拉伸彈性模數E’(23℃)若超過1×1010 Pa，則加熱冷卻時之應力變高，會對凸塊造成負荷而導致信賴性降低。 在此，從作成更容易抑制凸塊之崩壞及變形，並同時抑制加熱冷卻時對凸塊之負荷的觀點，使硬化性樹脂薄膜(x)硬化所形成之保護膜(X)之在23℃下之拉伸彈性模數E’ (23℃)係以3×107 Pa~8×109 Pa為佳，較佳為5×107 Pa~7×109 Pa，更佳為7×107 Pa~6×109 Pa。 尚且，具有要件(β1)所規定之拉伸彈性模數E’(23℃)之保護膜(X)係使硬化性樹脂薄膜(x)進行硬化來形成者。形成保護膜(X)用之硬化性樹脂薄膜(x)之調製方法則如後述。
＜要件(β2)＞ 要件(β2)係規定使硬化性樹脂薄膜(x)硬化所形成之保護膜(X)之在260℃下之拉伸彈性模數E’(260℃)為1×105 Pa~ 1×108 Pa。 拉伸彈性模數E’(260℃)若未滿5×105 Pa，尤其在使配線基板與具有凸塊之半導體晶圓隔著凸塊來電接合之步驟中之加熱溫度區域(例如，250℃~270℃)中，會有保護膜(X)無法抑制凸塊之崩壞及變形，凸塊彼此接觸而短路之憂慮。 另一方面，拉伸彈性模數E’(260℃)若超過5×107 Pa，加熱冷卻時之應力變高，且會對凸塊造成負荷，導致信賴性及接合性降低。 在此，從作成更容易抑制凸塊之崩壞及變形，並同時抑制加熱冷卻時對凸塊之負荷的觀點、使硬化性樹脂薄膜(x)硬化所形成之保護膜(X)之在260℃下之拉伸彈性模數E’(260℃)係以7×105 Pa~3×107 Pa為佳，較佳為9×105 Pa~ 2×107 Pa，更佳為1×106 Pa~1.5×107 Pa。 尚且，具有要件(β2)所規定之拉伸彈性模數E’(260℃)之保護膜(X)係使硬化性樹脂薄膜(x)進行硬化所形成者。形成保護膜(X)用之硬化性樹脂薄膜(x)之調製方法則如後述。
＜要件(β3)＞ 要件(β3)係規定使硬化性樹脂薄膜(x)硬化所形成之保護膜(X)在23℃下之厚度(XT )(單位：μm)與前述凸塊之高度(BMh )(單位：μm)之關係。具體而言，滿足下述式(II)。
Figure 02_image015
若[(XT )/(BMh )]＜0.2，則保護膜(X)之被覆高度對凸塊之高度(BMh )為不充足，而有保護膜(X)無法抑制凸塊之崩壞及變形，凸塊彼此接觸而短路之憂慮。 尚且，[(XT )/(BMh )]之上限值並無特別限定，由會使凸塊頂部從保護膜(X)露出之觀點，以1.0以下為佳，較佳係未滿1.0。 在此，從作成更容易抑制凸塊之崩壞及變形之觀點，及會使凸塊頂部從保護膜(X)露出之觀點，要件(β3)係以滿足下述式(IIa)為佳。
Figure 02_image017
式(IIa)中，P為0.2，以0.30為佳，較佳為0.40，更佳為0.50。 又，式(IIa)中，Q係以1.0為佳，較佳為0.90，更佳為0.80。
尚且，滿足要件(β3)所規定之關係之硬化性樹脂薄膜(x)之厚度係可基於硬化性樹脂薄膜(x)之厚度與使硬化性樹脂薄膜(x)硬化所形成之保護膜(X)之厚度的關係，及成為使用對象之半導體晶圓所具有之凸塊之高度等之資訊來調整。 在圖11展示凸塊之高度(BMh )與使硬化性樹脂薄膜(x)硬化所形成之保護膜(X)在23℃下之厚度(XT )(單位：μm)的關係。 使硬化性樹脂薄膜(x)硬化所形成之保護膜(X)在23℃下之厚度(XT )(單位：μm)係意指如圖11所示般，著眼於經測量凸塊之高度(BMh )之凸塊(凸塊BM)，在該凸塊與保護膜(X)之接觸部當中，自凸塊形成面41a最遠離之位置50之從凸塊形成面41a之高度。 但，其係在形成於凸塊形成面41a上之保護膜(X)所連續性存在之區域內決定由凸塊形成面41a最遠離之位置50。因此，例如，自凸塊形成面41a最遠離之位置50並非係從一部分存在於凸塊頂部之保護膜(X)且係藉由後述之露出處理(電漿蝕刻處理)來除去之保護膜(X)與凸塊之接觸部來決定。又，在進行後述之露出處理(電漿蝕刻處理)之情況，利用該露出處理之保護膜(X)之後退後之厚度係必須滿足上述式(II)(0.2μm以上)。亦即，無論有無後述之露出處理，保護膜(X)之厚度係當然在將半導體晶片與配線基板隔著球形凸塊來電連接之步驟之正當前也必須滿足上述式(II)(0.2μm以上)。 凸塊之高度(BMh )與保護膜(X)之厚度(XT )係例如，可將附保護膜(X)之半導體晶圓以與凸塊形成面為垂直之方向且通過凸塊中心之方式進行裁切，並藉由光學顯微鏡觀察裁切後之剖面來進行測量。
以下，關於本發明之保護膜形成用薄片，也參照形成滿足要件(β1)及要件(β2)之保護膜(X)用之硬化性樹脂薄膜(x)之調製方法來詳細進行說明。
＜＜保護膜形成用薄片之構成＞＞ 將本發明之保護膜形成用薄片之構成例展示於圖1。 本發明之一態樣之保護膜形成用薄片係如展示於圖1之保護膜形成用薄片1般，其係在支持薄片(Y)之一側之面具備硬化性樹脂薄膜(x)。支持薄片(Y)之一側之面藉由具備硬化性樹脂薄膜(x)，作為製品封裝來搬運硬化性樹脂薄膜(x)，或在步驟內搬運硬化性樹脂薄膜(x)之際，硬化性樹脂薄膜(x)會安定地受到支持・保護。
又，將本發明之一態樣之保護膜形成用薄片之構成例展示於圖2~4。 本發明之一態樣之保護膜形成用薄片係如圖2所示之保護膜形成用薄片1a般，支持薄片(Y)為基材11，基材11之一側之面具備硬化性樹脂薄膜(x)。 又，本發明之一態樣之保護膜形成用薄片係如圖3所示之保護膜形成用薄片1b般，支持薄片(Y)為層合基材11與黏著劑層21而成之黏著薄片，該黏著薄片之黏著劑層21與硬化性樹脂薄膜(x)也可被貼合。 並且，本發明之一態樣之保護膜形成用薄片係如圖4所示之保護膜形成用薄片1c般，支持薄片(Y)為依照基材11與中間層31與黏著劑層21之順序層合而成之黏著薄片，該黏著薄片之黏著劑層21與硬化性樹脂薄膜(x)也可被貼合。依照基材11與中間層31與黏著劑層21之順序層合而成之黏著薄片係可適宜使用作為背面研磨膠帶。即，圖4所示之保護膜形成用薄片1c由於係具有背面研磨膠帶作為支持薄片(Y)，故能適宜使用在將保護膜形成用薄片1c之硬化性樹脂薄膜(x)與具有複數凸塊之半導體晶圓之凸塊形成面予以貼合後，研削與半導體晶圓之凸塊形成面為反對側之面(以下，亦稱為「半導體晶圓之背面」)來薄化處理半導體晶圓之情況。
以下，說明關於本發明之保護膜形成用薄片所使用之硬化性樹脂薄膜(x)及支持薄片(Y)。
＜＜硬化性樹脂薄膜(x)＞＞ 硬化性樹脂薄膜(x)為保護具有複數凸塊之半導體晶圓之凸塊形成面用之薄膜，藉由利用加熱或能量線照射之硬化而形成保護膜(X)。即，硬化性樹脂薄膜(x)可為藉由加熱而硬化之熱硬化性樹脂薄膜(x1)，也可為藉由能量線照射而硬化之能量線硬化性樹脂薄膜(x2)。 尚且，本說明書中，「能量線」係意指在電磁波或荷電粒子束之中具有能量量子者。作為其之例，可舉出如紫外線、電子線等，較佳可舉出紫外線。
硬化性樹脂薄膜(x)之物性係可藉由調整硬化性樹脂薄膜(x)之含有成分之種類及量之任意一方或雙方來進行調整。
以下，說明關於熱硬化性樹脂薄膜(x1)及能量線硬化性樹脂薄膜(x2)。
＜熱硬化性樹脂薄膜(x1)＞ 熱硬化性樹脂薄膜(x1)含有聚合物成分(A)及熱硬化性成分(B)。 熱硬化性樹脂薄膜(x1)係例如由含有聚合物成分(A)及熱硬化性成分(B)之熱硬化性樹脂組成物(x1-1)所形成。 聚合物成分(A)係視為聚合性化合物進行聚合反應所形成之成分。又，熱硬化性成分(B)係將熱作為反應之觸發器，而能進行硬化(聚合)反應之成分。尚且，該硬化(聚合)反應係也包括縮聚合反應。 尚且，本說明書之以下之記載中，「熱硬化性樹脂組成物(x1-1)之有效成分之總量中之各成分之含量」係與「由熱硬化性樹脂組成物(x1-1)所形成之熱硬化性樹脂薄膜(x1)之各成分之含量」為同義。
(聚合物成分(A)) 熱硬化性樹脂薄膜(x1)及熱硬化性樹脂組成物(x1-1)含有聚合物成分(A)。 聚合物成分(A)係為了對熱硬化性樹脂薄膜(x1)賦予造膜性或可撓性等之聚合物化合物。聚合物成分(A)係可單獨使用1種，亦可組合使用2種以上。在組合使用2種以上之聚合物成分(A)時，該等組合及比率係可任意選擇。
作為聚合物成分(A)，可舉出例如，聚乙烯縮醛、丙烯酸系樹脂(具有(甲基)丙烯醯基之樹脂)、聚酯、胺基甲酸酯系樹脂(具有胺基甲酸酯鍵之樹脂)、丙烯酸胺基甲酸酯樹脂(acrylic urethane resin)、矽氧系樹脂(具有矽氧烷鍵之樹脂)、橡膠系樹脂(具有橡膠構造之樹脂)、苯氧基樹脂、及熱硬化性聚醯亞胺等。該等係可單獨使用1種，或亦可組合使用2種以上。 該等之中，以選自聚乙烯縮醛及丙烯酸系樹脂之1種以上為佳。 以下，例舉較佳作為聚合物成分(A)之聚乙烯縮醛及丙烯酸系樹脂為例進進行說明。
・聚乙烯縮醛 作為使用當作聚合物成分(A)之聚乙烯縮醛並無特別限定，例如，可使用公知之聚乙烯縮醛。 在此，聚乙烯縮醛之中，可舉出例如，聚乙烯甲醛、聚乙烯縮丁醛等，以聚乙烯縮丁醛為較佳。 作為聚乙烯縮丁醛，從提升半導體晶圓之凸塊形成面與保護膜(X)之密著性的觀點，以具有下述式(i-1)、(i-2)、及(i-3)所示之構成單位者為佳。
Figure 02_image019
上述式(i-1)、(i-2)、及(i-3)中，p、q、及r係各自構成單位之含有比例(莫耳%)。
聚乙烯縮醛之重量平均分子量(Mw)係以5,000~200,000為佳，8,000~100,000為較佳，9,000~80,000為更佳，10,000~50,000為較更佳。聚乙烯縮醛之重量平均分子量藉由在此種範圍，而容易使半導體晶圓之凸塊形成面與保護膜(X)之密著性提升。又，抑制凸塊之上部(凸塊之頂部與其附近區域)之保護膜(X)殘存之效果變得更高。
上述式(i-1)所示之丁醛基之構成單位之含有比例p(丁醛化度)在以聚合物成分(A)之全構成單位基準計，以40~90莫耳%為佳，以50~85莫耳%為較佳，以60~76莫耳%為更佳。
上述式(i-2)所示之具有乙醯基之構成單位之含有比例q在以聚合物成分(A)之全構成單位基準計，以0.1~9莫耳%為佳，以0.5~8莫耳%為較佳，以1~7莫耳%為更佳。
上述式(i-3)所示之具有羥基之構成單位之含有比例r在以聚合物成分(A)之全構成單位基準計，以10~ 60莫耳%為佳，以10~50莫耳%為較佳，以20~40莫耳%為更佳。
聚乙烯縮醛之玻璃轉移溫度(Tg)係以40~80℃為佳，以50~70℃為較佳。聚乙烯縮醛之Tg藉由在此種範圍，將熱硬化性樹脂薄膜(x1)貼附在附凸塊之晶圓之凸塊形成面時，抑制凸塊之前述上部之保護膜(X)殘留之效果變得更高，又，可將藉由使熱硬化性樹脂層進行熱硬化所形成之保護膜之硬度作成充分者。 尚且，本說明書中，聚合物(樹脂)之玻璃轉移溫度(Tg)係藉由後述之實施例記載之方法所測量之值。
構成聚乙烯縮丁醛之上述3種構成單位之含有比率係可因應所欲之物性而任意調整。 又，聚乙烯縮丁醛亦可具有上述3種構成單位以外之構成單位，上述3種構成單位之含量在以聚乙烯縮丁醛之總量基準計，以80~100莫耳%為佳，較佳為90~100莫耳%，更佳為100莫耳%。
・丙烯酸系樹脂 作為丙烯酸系樹脂，可舉出如公知之丙烯酸聚合物。 丙烯酸系樹脂之重量平均分子量(Mw)係以10,000~ 2,000,000為佳，以100,000~1,500,000為較佳。 丙烯酸系樹脂之重量平均分子量藉由在上述之下限值以上，容易提升熱硬化性樹脂薄膜(x1)之形狀安定性(保管時之經時安定性)。又，丙烯酸系樹脂之重量平均分子量藉由在上述之上限值以下，熱硬化性樹脂薄膜(x1)變得容易追隨被黏著物之凹凸面，例如，在被黏著物與熱硬化性樹脂薄膜(x1)之間容易抑止孔隙等之發生。
丙烯酸系樹脂之玻璃轉移溫度(Tg)係以-60~ 70℃為佳，以-30~50℃為較佳。 丙烯酸系樹脂之玻璃轉移溫度(Tg)藉由在上述之下限值以上，保護膜(X)與支持薄片(Y)之接著力受到抑制，而支持薄片(Y)之剝離性提升。又，丙烯酸系樹脂之玻璃轉移溫度(Tg)藉由在上述之上限值以下，熱硬化性樹脂薄膜(x1)及保護膜(X)之與被黏著物之接著力提升。
作為丙烯酸系樹脂，可舉出例如，1種或2種以上之(甲基)丙烯酸酯之聚合物；選自(甲基)丙烯酸、伊康酸、乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯、及N-羥甲基丙烯醯胺等之2種以上之單體之共聚物等。
作為構成丙烯酸系樹脂之(甲基)丙烯酸酯，可舉出例如，(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸n-丙基酯、(甲基)丙烯酸異丙基酯、(甲基)丙烯酸n-丁基酯、(甲基)丙烯酸異丁基酯、(甲基)丙烯酸sec-丁基酯、(甲基)丙烯酸tert-丁基酯、(甲基)丙烯酸戊基酯、(甲基)丙烯酸己基酯、(甲基)丙烯酸庚基酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己基酯、(甲基)丙烯酸異辛基酯、(甲基)丙烯酸n-辛基酯、(甲基)丙烯酸n-壬基酯、(甲基)丙烯酸異壬基酯、(甲基)丙烯酸癸基酯、(甲基)丙烯酸十一基酯、(甲基)丙烯酸十二基酯((甲基)丙烯酸月桂基酯)、(甲基)丙烯酸十三基酯、(甲基)丙烯酸十四基酯((甲基)丙烯酸肉豆蔻基酯)、(甲基)丙烯酸十五基酯、(甲基)丙烯酸十六基酯((甲基)丙烯酸棕櫚基酯)、(甲基)丙烯酸十七基酯、及(甲基)丙烯酸十八基酯((甲基)丙烯酸硬脂醯基酯)等之，構成烷基酯之烷基為碳數1~18之鏈狀構造之(甲基)丙烯酸烷基酯； (甲基)丙烯酸異莰基酯及(甲基)丙烯酸二環戊基酯(dicyclopentanyl(meth)acrylate)等之(甲基)丙烯酸環烷基酯； (甲基)丙烯酸苄基等之(甲基)丙烯酸芳烷基酯； (甲基)丙烯酸二環戊烯基酯等之(甲基)丙烯酸環烯基酯； (甲基)丙烯酸二環戊烯基氧基乙基酯等之(甲基)丙烯酸環烯氧基烷基酯； (甲基)丙烯酸醯亞胺； (甲基)丙烯酸環氧丙基酯等之含環氧丙基之(甲基)丙烯酸酯； (甲基)丙烯酸羥基甲基酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙基酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙基酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙基酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁基酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁基酯、及(甲基)丙烯酸4-羥基丁基酯等之含羥基之(甲基)丙烯酸酯； (甲基)丙烯酸N-甲基胺基乙基等之含取代胺基之(甲基)丙烯酸酯等。 本說明書中，「取代胺基」係意指胺基之1個或2個氫原子被氫原子以外之基所取代而成之基。
丙烯酸系樹脂係例如，也可為除了(甲基)丙烯酸酯以外，使選自(甲基)丙烯酸、伊康酸、乙酸乙烯酯、丙烯腈、及苯乙烯及N-羥甲基丙烯醯胺等之1種以上之單體進行共聚合而成者。
構成丙烯酸系樹脂之單體可為單獨1種，亦可為2種以上。構成丙烯酸系樹脂之單體為2種以上時，該等組合及比率係可任意選擇。
丙烯酸系樹脂亦可具有乙烯基、(甲基)丙烯醯基、胺基、羥基、羧基、及異氰酸酯基等之能與其他化合物鍵結之官能基。 丙烯酸系樹脂之前述官能基係可與經由後述之交聯劑(F)而與其他化合物鍵結，亦可不經由交聯劑(F)而與其他化合物直接鍵結。丙烯酸系樹脂藉由前述官能基而與其他化合物鍵結，故有使用熱硬化性樹脂薄膜(x1)而得之封裝之信賴性提升的傾向。
・其他樹脂 在此，本發明之一態樣中，作為聚合物成分(A)，可不使用丙烯酸系樹脂而單獨使用聚乙烯縮醛及丙烯酸系樹脂以外之熱塑性樹脂(以下，有單略稱為「熱塑性樹脂」的情況)，亦可與聚乙烯縮醛及/或丙烯酸系樹脂併用。 藉由使用熱塑性樹脂，有保護膜(X)從支持薄片(Y)之剝離性提升，熱硬化性樹脂薄膜(x1)變得容易追隨被黏著物之凹凸面，被黏著物與熱硬化性樹脂薄膜(x1)之間孔隙等之產生更加受到抑制之情況。
熱塑性樹脂之重量平均分子量係以1,000~ 100,000為佳，以3,000~80,000為較佳。
前述熱塑性樹脂之玻璃轉移溫度(Tg)係以-30 ~150℃為佳，以-20~120℃為較佳。
作為熱塑性樹脂，可舉出例如，聚酯、聚胺基甲酸酯、苯氧基樹脂、聚丁烯、聚丁二烯、及聚苯乙烯等。
熱塑性樹脂係可單獨使用1種，亦可組合使用2種以上。熱塑性樹脂為2種以上時，該等之組合及比率係可任意選擇。
・聚合物成分(A)之含量 從容易取得滿足要件(β1)及要件(β2)之保護膜(X)的觀點，聚合物成分(A)之含量在以熱硬化性樹脂組成物(x1-1)之有效成分之總量基準計，以5~85質量%為佳，以10~80質量%為較佳，以15~70質量%為更佳，以15~60質量%為較更佳，以15~50質量%為再更佳。
・為佳之聚合物成分(A)之態樣 如上述般，作為聚合物成分(A)，以選自聚乙烯縮醛及丙烯酸系樹脂之1種以上為佳，從作成容易取得滿足要件(β1)及要件(β2)之保護膜(X)的觀點，聚合物成分(A)係以聚乙烯縮醛為佳。 尚且，聚合物成分(A)也有該當於熱硬化性成分(B)之情況。本發明中，熱硬化性樹脂組成物(x1-1)在含有此種該當於聚合物成分(A)及熱硬化性成分(B)雙方之成分時，熱硬化性樹脂組成物(x1-1)係視為含有聚合物成分(A)及熱硬化性成分(B)雙方。
(熱硬化性成分(B)) 熱硬化性樹脂薄膜(x1)及熱硬化性樹脂組成物(x1-1)含有熱硬化性成分(B)。 熱硬化性成分(B)係使熱硬化性樹脂薄膜(x1)而形成硬質之保護膜(X)用之成分。 熱硬化性成分(B)係可單獨使用1種，亦可組合使用2種以上。熱硬化性成分(B)為2種以上時，該等之組合及比率係可任意選擇。
作為熱硬化性成分(B)，可舉出例如，環氧系熱硬化性樹脂、熱硬化性聚醯亞胺、聚胺基甲酸酯、不飽和聚酯、及矽氧樹脂等。該等之中亦以環氧系熱硬化性樹脂為佳。
環氧系熱硬化性樹脂係由環氧樹脂(B1)及熱硬化劑(B2)所構成。 環氧系熱硬化性樹脂係可單獨使用1種，亦可組合使用2種以上。環氧系熱硬化性樹脂為2種以上時，該等之組合及比率係可任意選擇。
・環氧樹脂(B1) 作為環氧樹脂(B1)，可舉出如公知者，可舉出例如，多官能系環氧樹脂、聯苯化合物、雙酚A二環氧丙基醚及該氫化物、鄰甲酚酚醛環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、伸苯基骨架型環氧樹脂等、及2官能以上之環氧化合物。
作為環氧樹脂(B1)，可使用具有不飽和烴基脂環氧樹脂。比起不具有不飽和烴基之環氧樹脂，具有不飽和烴基之環氧樹脂與丙烯酸系樹脂之相溶性較高。因此，藉由使用具有不飽和烴基之環氧樹脂，使用熱硬化性樹脂薄膜(x1)所得之封裝之信賴性提升。
作為具有不飽和烴基之環氧樹脂，可舉出例如，多官能系環氧樹脂之環氧基之一部分被轉換成具有不飽和烴基之基而成之化合物。此種化合物係例如，藉由使環氧基與(甲基)丙烯酸或其衍生物進行加成反應而得。又，作為具有不飽和烴基之環氧樹脂，可舉出例如，具有不飽和烴基之基直接鍵結於構成環氧樹脂之芳香環等之化合物等。 不飽和烴基為具有聚合性之不飽和基，作為該具體例，可舉出如乙烯基(乙烯基)、2-丙烯基(烯丙基)、(甲基)丙烯醯基、及(甲基)丙烯醯胺基等。該等之中亦以丙烯醯基為佳。
環氧樹脂(B1)之數平均分子量並無特別限定，從熱硬化性樹脂薄膜(x1)之硬化性，以及硬化後之保護膜(X)之強度及耐熱性的觀點，以300~30,000為佳，以400~10,000為較佳，以500~3,000為更佳。 環氧樹脂(B1)之環氧當量係以100~1,000g/eq為佳，以300~800g/eq為較佳。
環氧樹脂(B1)係可單獨使用1種，亦可組合使用2種以上。在併用2種以上之環氧樹脂(B1)之情況，該等組合及比率係可任意選擇。
・熱硬化劑(B2) 熱硬化劑(B2)係機能作為對於環氧樹脂(B1)之硬化劑。 作為熱硬化劑(B2)，可舉出例如，1分子中具有2個以上能與環氧基反應之官能基的化合物。作為前述官能基，可舉出例如，酚性羥基、醇性羥基、胺基、羧基，及酸基經酐化之基等，以酚性羥基、胺基，或酸基經酐化之基為佳，以酚性羥基或胺基為較佳。
熱硬化劑(B2)之中，作為具有酚性羥基之酚系硬化劑，可舉出例如，多官能酚樹脂、聯酚(biphenol)、酚醛型酚樹脂、二環戊二烯系酚樹脂、及芳烷基酚樹脂等。 熱硬化劑(B2)之中，作為具有胺基之胺系硬化劑，可舉出例如，二氰二醯胺(以下，有略稱為「DICY」之情況)等。
熱硬化劑(B2)也可為具有不飽和烴基者。 作為具有不飽和烴基之熱硬化劑(B2)，可舉出例如，酚樹脂之羥基之一部分被具有不飽和烴基之基所取代而成之化合物，或，具有不飽和烴基之基直接鍵結於酚樹脂之芳香環而成之化合物等。熱硬化劑(B2)中之前述不飽和烴基係與上述之具有不飽和烴基之環氧樹脂中之不飽和烴基為相同者。
使用酚系硬化劑作為熱硬化劑(B2)時，從作成容易使保護膜(X)從支持薄片(Y)之剝離性容易提升的觀點，熱硬化劑(B2)係以軟化點或玻璃轉移溫度為高者為佳。
熱硬化劑(B2)之中，例如，多官能酚樹脂、酚醛型酚樹脂、二環戊二烯系酚樹脂、及芳烷基酚樹脂等之樹脂成分之數平均分子量係以300~30,000為佳，以400~ 10,000為較佳，以500~3,000為更佳。 熱硬化劑(B2)之中，例如，聯酚、二氰二醯胺等之非樹脂成分之分子量並無特別限定，例如，以60~500為佳。
熱硬化劑(B2)係可單獨使用1種，亦可組合使用2種以上。熱硬化劑(B2)為2種以上時，該等之組合及比率係可任意選擇。
熱硬化性樹脂組成物(x1-1)中，相對於環氧樹脂(B1)之含量100質量份，熱硬化劑(B2)之含量係以0.1~500質量份為佳，以1~200質量份為較佳。熱硬化劑(B2)之含量藉由在上述之下限值以上，熱硬化性樹脂薄膜(x1)之硬化變得更加容易進行。又，熱硬化劑(B2)之含量藉由在上述之上限值以下，熱硬化性樹脂薄膜(x1)之吸濕率降低，使用熱硬化性樹脂薄膜(x1)所得之封裝之信賴性更加提升。
熱硬化性樹脂組成物(x1-1)中，相對於聚合物成分(A)之含量100質量份，熱硬化性成分(B)之含量(環氧樹脂(B1)及熱硬化劑(B2)之合計含量)係以50~1000質量份為佳，以70~800質量份為較佳，以80~600質量份為更佳、以90~500質量份為較更佳，以100~400質量份為再更佳。熱硬化性成分(B)之含量藉由在此種範圍，保護膜(X)與支持薄片(Y)之接著力受到抑制，而支持薄片(Y)之剝離性提升。又，可容易取得滿足要件(β1)及要件(β2)之保護膜(X)。尚且，相對於聚合物成分(A)而熱硬化性成分(B)之量越增加，則有越容易提高拉伸彈性模數E’之傾向。反之，相對於聚合物成分(A)而熱硬化性成分(B)之量越減少，則有使拉伸彈性模數E’越容易降低之傾向。
(硬化促進劑(C)) 熱硬化性樹脂薄膜(x1)及熱硬化性樹脂組成物(x1-1亦可含有硬化促進劑(C)。 硬化促進劑(C)係調整熱硬化性樹脂組成物(x1-1)之硬化速度用之成分。 作為較佳之硬化促進劑(C)，可舉出例如，三乙二胺、苄基二甲基胺、三乙醇胺、二甲基胺基乙醇、參(二甲基胺基甲基)酚等之第3級胺；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑等之咪唑類(1個以上之氫原子被氫原子以外之基所取代之咪唑)；三丁基膦、二苯基膦、三苯基膦等之有機膦類(1個以上之氫原子被有機基所取代之膦)；四苯基鏻四苯基硼酸鹽、三苯基膦四苯基硼酸鹽等之四苯基硼鹽等。
硬化促進劑(C)係可單獨使用1種，亦可組合使用2種以上。硬化促進劑(C)為2種以上時，該等之組合及比率係可任意選擇。
熱硬化性樹脂組成物(x1-1)中，相對於熱硬化性成分(B)之含量100質量份，使用硬化促進劑(C)時之硬化促進劑(C)之含量係以0.01~10質量份為佳，以0.1~5質量份為較佳。硬化促進劑(C)之含量藉由在上述之下限值以上，容易更加顯著地取得使用硬化促進劑(C)所得之效果。又，硬化促進劑(C)之含量藉由在上述之上限值以下，例如，在高溫・高濕度條件下，在熱硬化性樹脂薄膜(x1)中抑制高極性之硬化促進劑(C)移動偏析至與被黏著物之接著界面側的效果變高，且使用熱硬化性樹脂薄膜(x1)所得之封裝之信賴性更加提升。
(填充材(D)) 熱硬化性樹脂薄膜(x1)及熱硬化性樹脂組成物(x1-1)亦可含有填充材(D)。 藉由含有填充材(D)，而變得容易將使硬化性樹脂薄膜(x1)硬化而得之保護膜(X)之熱膨脹係數調整成適當範圍，使用熱硬化性樹脂薄膜(x1)所得之封裝之信賴性更加提升。又，熱硬化性樹脂薄膜(x1)藉由含有填充材(D)，也可降低保護膜(X)之吸濕率，提高散熱性。
填充材(D)可為有機填充材及無機填充材之任意者，以無機填充材為佳。作為較佳之無機填充材，可舉出例如，二氧化矽、氧化鋁、滑石、碳酸鈣、鈦白、氧化鐵紅(Bengala)、碳化矽、氮化硼等之粉末；將該等無機填充材作成球形化之珠粒；該無機填充材之表面改質品；該等無機填充材之單結晶纖維；玻璃纖維等。該等之中，無機填充材亦以二氧化矽或氧化鋁為佳。
填充材(D)係可單獨使用1種，亦可組合使用2種以上。 填充材(D)為2種以上時，該等之組合及比率係可任意選擇。
使用填充材(D)時之填充材(D)之含量在以熱硬化性樹脂組成物(x1-1)之有效成分之總量基準計，以5~80質量%為佳，以7~60質量%為較佳。填充材(D)之含量藉由在此種範圍，變得更容易調整上述之熱膨脹係數。
填充材(D)之平均粒子徑係以5nm~1,000nm為佳，以5nm~500nm為較佳，以10nm~300nm為更佳。上述平均粒子徑係測量複數處1個粒子之外徑，並求出其平均值者。
(耦合劑(E)) 熱硬化性樹脂薄膜(x1)及熱硬化性樹脂組成物(x1-1)亦可含有耦合劑(E)。 作為耦合劑(E)，藉由使用具有能與無機化合物或有機化合物反應之官能基者，而容易提升熱硬化性樹脂薄膜(x1)對被黏著物之接著性及密著性。又，藉由使用耦合劑(E)，使熱硬化性樹脂薄膜(x1)硬化所得之保護膜(X)之耐熱性不會受損，又，容易提升耐水性。
耦合劑(E)係以具有能與聚合物成分(A)及熱硬化性成分(B)等所具有之官能基進行反應之官能基之化合物為佳，以矽烷耦合劑為較佳。作為較佳之矽烷耦合劑，可舉出例如，3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷、3-環氧丙氧基甲基二乙氧基矽烷、2-(3,4-環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基矽烷、3-(2-胺基乙基胺基)丙基甲基二乙氧基矽烷、3-(苯基胺基)丙基三甲氧基矽烷、3-苯胺基丙基三甲氧基矽烷、3-脲基丙基三乙氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、雙(3-三乙氧基矽基丙基)四硫烷(Bis(3-triethoxysilylpropyl) tetrasulfane)、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、及咪唑矽烷等。
耦合劑(E)係可單獨使用1種，亦可組合使用2種以上。耦合劑(E)為2種以上時，該等之組合及比率係可任意選擇。
熱硬化性樹脂組成物(x1-1)中，相對於聚合物成分(A)及熱硬化性成分(B)之合計含量100質量份，使用耦合劑(E)時之耦合劑(E)之含量係以0.03~20質量份為佳，以0.05~10質量份為較佳，以0.1~5質量份為更佳。耦合劑(E)之含量藉由在上述之下限值以上，可更顯著地取得填充材(D)之對樹脂之分散性提升，或熱硬化性樹脂薄膜(x1)之與被黏著物之接著性提升等之使用耦合劑(E)所得之效果。又，耦合劑(E)之含量藉由上述之上限值以下，會更加抑制釋出氣體之產生。
(交聯劑(F)) 作為聚合物成分(A)，在使用上述之丙烯酸系樹脂等之具有能與其他化合物鍵結之乙烯基、(甲基)丙烯醯基、胺基、羥基、羧基、或異氰酸酯基等之官能基者時，熱硬化性樹脂薄膜(x1)及熱硬化性樹脂組成物(x1-1)亦可含有使前述官能基與其他化合物鍵結合而進行交聯用之交聯劑(F)。 藉由使用交聯劑(F)進行交聯，可調節熱硬化性樹脂薄膜(x1)之初期接著力及凝聚力。
作為交聯劑(F)，可舉出例如，有機多價異氰酸酯化合物、有機多價亞胺化合物、金屬螯合物系交聯劑(具有金屬螯合物構造之交聯劑)、及氮丙啶系交聯劑(具有氮丙啶基之交聯劑)等。
作為有機多價異氰酸酯化合物，可舉出例如，芳香族多價異氰酸酯化合物、脂肪族多價異氰酸酯化合物及脂環族多價異氰酸酯化合物(以下，有將該等化合物整體略稱為「芳香族多價異氰酸酯化合物等」的情況)；前述芳香族多價異氰酸酯化合物等之三聚物、異三聚氰酸酯體及加成物；使前述芳香族多價異氰酸酯化合物等與聚醇化合物反應而得之末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物等。前述「加成物」係意指前述芳香族多價異氰酸酯化合物、脂肪族多價異氰酸酯化合物或脂環族多價異氰酸酯化合物，與乙二醇、丙二醇、新戊二醇、三羥甲基丙烷或蓖麻油等之低分子含活性氫之化合物之反應物，作為其例，可舉出如三羥甲基丙烷之伸二甲苯二異氰酸酯加成物等。
作為有機多價異氰酸酯化合物，更具體地可舉出例如，2,4-甲苯二異氰酸酯(tolylene diisocyanate)；2,6-甲苯二異氰酸酯；1,3-伸二甲苯二異氰酸酯(xylylene diisocyanate)；1,4-二甲苯二異氰酸酯(xylene diisocyanate)；二苯基甲烷-4,4’-二異氰酸酯；二苯基甲烷-2,4’-二異氰酸酯；3-甲基二苯基甲烷二異氰酸酯；六亞甲基二異氰酸酯；異佛爾酮二異氰酸酯；二環己基甲烷-4,4’-二異氰酸酯；二環己基甲烷-2,4’-二異氰酸酯；對三羥甲基丙烷等之聚醇之全部或一部分之羥基加成甲苯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯及伸二甲苯二異氰酸酯之任意1種或2種以上的化合物；離胺酸二異氰酸酯等。
作為前述有機多價亞胺化合物，可舉出例如，N,N’-二苯基甲烷-4,4’-雙(1-氮丙啶羧醯胺)、三羥甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、四羥甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、及N,N’-甲苯-2,4-雙(1-氮丙啶羧醯胺)三伸乙基三聚氰胺等。
在使用有機多價異氰酸酯化合物作為交聯劑(F)時，作為聚合物成分(A)，以使用含羥基之聚合物為佳。在交聯劑(F)具有異氰酸酯基，且聚合物成分(A)具有羥基時，藉由交聯劑(F)與聚合物成分(A)之反應，而能對熱硬化性樹脂薄膜(x1)簡便地導入交聯構造。
交聯劑(F)係可單獨使用1種，亦可組合使用2種以上。交聯劑(F)為2種以上時，該等之組合及比率係可任意選擇。
熱硬化性樹脂組成物(x1-1)中，相對於聚合物成分(A)之含量100質量份，使用交聯劑(F)時之交聯劑(F)之含量係以0.01~20質量份為佳，以0.1~10質量份為較佳，以0.5~5質量份為更佳。交聯劑(F)之前述含量藉由在前述下限值以上，可更顯著地取得使用交聯劑(F)所得之效果。又，交聯劑(F)之前述含量藉由在前述上限值以下，則會抑制交聯劑(F)之過剩使用。
(能量線硬化性樹脂(G)) 熱硬化性樹脂薄膜(x1)及熱硬化性樹脂組成物(x1-1)亦可含有能量線硬化性樹脂(G)。 熱硬化性樹脂薄膜(x1)藉由含有能量線硬化性樹脂(G)，則因能量線之照射而能使特性產生變化。
能量線硬化性樹脂(G)係使能量線硬化性化合物進行聚合(硬化)而得者。作為能量線硬化性化合物，可舉出例如，分子內具有至少1個聚合性雙鍵之化合物，以具有(甲基)丙烯醯基之丙烯酸酯系化合物為佳。
作為丙烯酸酯系化合物，可舉出例如，三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯等之含鏈狀脂肪族骨架之(甲基)丙烯酸酯；二環戊基二(甲基)丙烯酸酯等之含環狀脂肪族骨架之(甲基)丙烯酸酯；聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯等之聚烷二醇(甲基)丙烯酸酯；寡酯(甲基)丙烯酸酯；胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物；環氧基變性(甲基)丙烯酸酯；前述聚烷二醇(甲基)丙烯酸酯以外之聚醚(甲基)丙烯酸酯；伊康酸寡聚物等。
能量線硬化性化合物之重量平均分子量係以100~30,000為佳，以300~10,000為較佳。
使用於聚合之能量線硬化性化合物係可單獨使用1種，亦可組合使用2種以上。使用於聚合之能量線硬化性化合物為2種以上時，該等之組合及比率係可任意選擇。
使用能量線硬化性樹脂(G)時之能量線硬化性樹脂(G)之含量在以熱硬化性樹脂組成物(x1-1)之有效成分之總量基準計，以1~95質量%為佳，以5~90質量%為較佳，以10~85質量%為更佳。
(光聚合起始劑(H)) 熱硬化性樹脂薄膜(x1)及熱硬化性樹脂組成物(x1-1)在含有能量線硬化性樹脂(G)時，為了使能量線硬化性樹脂(G)之聚合反應效率良好地進行，熱硬化性樹脂薄膜(x1)及熱硬化性樹脂組成物(x1-1)亦可含有光聚合起始劑(H)。
作為光聚合起始劑(H)，可舉出例如，二苯甲酮、苯乙酮、安息香、安息香甲基醚、安息香乙基醚、安息香異丙基醚、安息香異丁基醚、安息香安息香酸、安息香安息香酸甲基、安息香二甲基縮酮、2,4-二乙基噻噸酮、1-羥基環己基苯基酮、苄基二苯基硫醚、四甲基秋蘭姆單硫醚、偶氮二異丁腈、苄基、二苄基、二乙醯基、1,2-二苯基甲烷、2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮、2,4,6-三甲基苄醯基二苯基膦氧化物、及2-氯蒽醌等。
光聚合起始劑(H)係可單獨使用1種，亦可組合使用2種以上。光聚合起始劑(H)為2種以上時，該等之組合及比率係可任意選擇。
熱硬化性樹脂組成物(x1-1)中，相對於能量線硬化性樹脂(G)之含量100質量份，光聚合起始劑(H)之含量係以0.1~20質量份為佳，以1~10質量份為較佳，以2~5質量份為更佳。
(泛用添加劑(I)) 在不損及本發明之效果範圍內，熱硬化性樹脂薄膜(x1)及熱硬化性樹脂組成物(x1-1)亦可含有泛用添加劑(I)。泛用添加劑(I)為公知即可，可因應目的來任意選擇，並無特別限定。 作為較佳泛用添加劑(I)，可舉出例如，塑化劑、防帶電劑、防氧化劑、著色劑(染料、顏料)、及吸除劑 (Gettering agent)等。
泛用添加劑(I)係可單獨使用1種，亦可組合使用2種以上。泛用添加劑(I)為2種以上時，該等之組合及比率係可任意選擇。 泛用添加劑(I)之含量並無特別限定，因應目的適宜選擇即可。
(溶劑) 熱硬化性樹脂組成物(x1-1)係以更含有溶劑為佳。 含有溶劑之熱硬化性樹脂組成物(x1-1)，其操作性會變得良好。 溶劑並無特別限定，作為較佳者，可舉出例如，甲苯、二甲苯等之烴；甲醇、乙醇、2-丙醇、異丁基醇(2-甲基丙烷-1-醇)、1-丁醇等之醇；乙酸乙基等之酯；丙酮、甲基乙基酮等之酮；四氫呋喃等之醚；二甲基甲醯胺、N-甲基吡咯啶酮等之醯胺(具有醯胺鍵之化合物)等。 溶劑係可單獨使用1種，亦可組合使用2種以上。溶劑為2種以上時，該等之組合及比率係可任意選擇。 溶劑在從能將熱硬化性樹脂組成物(x1-1)中之含有成分更加均勻混合之觀點，以甲基乙基酮等為佳。
(熱硬化性樹脂組成物(x1-1)之調製方法) 熱硬化性樹脂組成物(x1-1)係摻合構成該物用之各成分來調製。 各成分之摻合時之添加順序並無特別限定，可同時添加2種以上之成分。在使用溶劑時，可藉由將溶劑與該溶劑以外之任一之摻合成分混合，預先稀釋該摻合成分來使用，亦可不預先稀釋溶劑以外之任一之摻合成分，而藉由將溶劑與該等摻合成分進行混合來使用。 摻合時混合各成分之方法並無特別限定，可從使攪拌棒或攪拌葉等旋轉進行混合之方法；使用混合機進行混合之方法；施加超音波進行混合之方法等公知之方法當中適宜選擇即可。 各成分之添加及混合時之溫度以及時間只要各摻合成分不會劣化即無特別限定，適宜調節即可，溫度係以15~30℃為佳。
＜能量線硬化性樹脂薄膜(x2)＞ 能量線硬化性樹脂薄膜(x2)含有能量線硬化性成分(a)。 能量線硬化性樹脂薄膜(x2)係例如由含有能量線硬化性成分(a)之能量線硬化性樹脂組成物(x2-1)所形成。 能量線硬化性成分(a)係以未硬化為佳，以具有黏著性為佳，以未硬化且具有黏著性為較佳。 尚且，本說明書之以下之記載中，「能量線硬化性樹脂組成物(x2-1)之有效成分之總量基準計之各成分之含量」係與「由能量線硬化性樹脂組成物(x2-1)所形成之能量線硬化性樹脂薄膜(x2)之各成分之含量」為同義。
(能量線硬化性成分(a)) 能量線硬化性成分(a)係因能量線之照射而硬化之成分，也係對能量線硬化性樹脂薄膜(x2)賦予造膜性或可撓性等用之成分。 作為能量線硬化性成分(a)，可舉出例如，具有能量線硬化性基之重量平均分子量為80,000~2,000,000之聚合物(a1)，及具有能量線硬化性基之分子量為100~80,000之化合物(a2)。聚合物(a1)可為其至少一部分係藉由交聯劑而經交聯者，亦可為未經交聯者。
(聚合物(a1)) 作為具有能量線硬化性基之重量平均分子量為80,000 ~2,000,000之聚合物(a1)，可舉出例如，使丙烯酸系聚合物(a11)，與能量線硬化性化合物(a12)進行聚合而成之丙烯酸系樹脂(a1-1)，該丙烯酸系聚合物(a11)為具有能與其他化合物所具有之基反應之官能基者，該能量線硬化性化合物(a12)為具有會與前述官能基反應之基、及能量線硬化性雙鍵等之能量線硬化性基者。
作為能與其他化合物所具有之基反應之官能基，可舉出例如，羥基、羧基、胺基、取代胺基(胺基之1個或2個氫原子被氫原子以外之基所取代而成之基)、及環氧基等。但，在防止半導體晶圓或半導體晶片等之電路腐蝕之面上，前述官能基係以羧基以外之基為佳。該等之中，前述官能基亦以羥基為佳。
・具有官能基之丙烯酸系聚合物(a11) 作為具有官能基之丙烯酸系聚合物(a11)，可舉出例如，使具有官能基之丙烯酸系單體，與不具有官能基之丙烯酸系單體進行共聚合而成者，也可為該等單體之外，再與丙烯酸系單體以外之單體(非丙烯酸系單體)共聚合而成者。又，丙烯酸系聚合物(a11)可為無規共聚物，也可為嵌段共聚物。
作為具有官能基之丙烯酸系單體，可舉出例如，含羥基單體、含羧基單體、含胺基單體、含取代胺基單體、及含環氧基單體等。
作為含羥基單體，可舉出例如，(甲基)丙烯酸羥基甲基酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙基酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙基酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙基酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁基酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁基酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁基酯等之(甲基)丙烯酸羥基烷基；乙烯基醇、烯丙基醇等之非(甲基)丙烯酸系不飽和醇(不具有(甲基)丙烯醯基骨架之不飽和醇)等。
作為含羧基單體，可舉出例如，(甲基)丙烯酸、巴豆酸等之乙烯性不飽和單羧酸(具有乙烯性不飽和鍵之單羧酸)；富馬酸、伊康酸、馬來酸、檸康酸等之乙烯性不飽和二羧酸(具有乙烯性不飽和鍵之二羧酸)；前述乙烯性不飽和二羧酸之酐；甲基丙烯酸2-羧基乙基酯等之(甲基)丙烯酸羧基烷基酯等。
具有官能基之丙烯酸系單體係以含羥基單體，或含羧基單體為佳，以含羥基單體為較佳。
構成丙烯酸系聚合物(a11)之具有官能基之丙烯酸系單體係可單獨使用1種，亦可組合使用2種以上。構成丙烯酸系聚合物(a11)之具有官能基之丙烯酸系單體為2種以上時，該等之組合及比率係可任意選擇。
作為不具有官能基之丙烯酸系單體，可舉出例如，(甲基)丙烯酸甲基酯、(甲基)丙烯酸乙基酯、(甲基)丙烯酸n-丙基酯、(甲基)丙烯酸異丙基酯、(甲基)丙烯酸n-丁基酯、(甲基)丙烯酸異丁基酯、(甲基)丙烯酸sec-丁基酯、(甲基)丙烯酸tert-丁基酯、(甲基)丙烯酸戊基酯、(甲基)丙烯酸己基酯、(甲基)丙烯酸庚基酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己基酯、(甲基)丙烯酸異辛基酯、(甲基)丙烯酸n-辛基酯、(甲基)丙烯酸n-壬基酯、(甲基)丙烯酸異壬基酯、(甲基)丙烯酸癸基酯、(甲基)丙烯酸十一基酯、(甲基)丙烯酸十二基酯((甲基)丙烯酸月桂基酯)、(甲基)丙烯酸十三基酯、(甲基)丙烯酸十四基酯((甲基)丙烯酸肉豆蔻基酯)、(甲基)丙烯酸十五基酯、(甲基)丙烯酸十六基酯((甲基)丙烯酸棕櫚基酯)、(甲基)丙烯酸十七基酯、及(甲基)丙烯酸十八基酯((甲基)丙烯酸硬脂醯基酯)等之構成烷基酯之烷基為碳數1~18之鏈狀構造之(甲基)丙烯酸烷基酯等。
作為不具有官能基之丙烯酸系單體，尚可舉出例如，(甲基)丙烯酸甲氧基甲基酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙基酯、(甲基)丙烯酸乙氧基甲基酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙基酯等之含烷氧基烷基之(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸苯基等之包含(甲基)丙烯酸芳基酯等之具有芳香族基之(甲基)丙烯酸酯；非交聯性之(甲基)丙烯醯胺及其衍生物；(甲基)丙烯酸N,N-二甲基胺基乙基酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基胺基丙基酯等之非交聯性之具有3級胺基之(甲基)丙烯酸酯等。
構成丙烯酸系聚合物(a11)之不具有官能基之丙烯酸系單體係可單獨使用1種，亦可組合使用2種以上。構成丙烯酸系聚合物(a11)之不具有官能基之丙烯酸系單體為2種以上時，該等之組合及比率係可任意選擇。
作為非丙烯酸系單體，可舉出例如，乙烯、降莰烯等之烯烴；乙酸乙烯酯；苯乙烯等。
構成丙烯酸系聚合物(a11)之非丙烯酸系單體係可單獨使用1種，亦可組合使用2種以上。構成丙烯酸系聚合物(a11)之非丙烯酸系單體為2種以上時，該等之組合及比率係可任意選擇。
丙烯酸系聚合物(a11)中，由具有官能基之丙烯酸系單體所衍生之構成單位之量對構成該物之構成單位之總質量的比例(含量)係以0.1~50質量%為佳，以1~40質量%為較佳，以3~30質量%為更佳。前述比例藉由在此種範圍，藉由丙烯酸系聚合物(a11)與能量線硬化性化合物(a12)之共聚合而得之丙烯酸系樹脂(a1-1)中，能量線硬化性基之含量而能容易地將保護膜(X)之硬化程度調整成較佳範圍。
構成丙烯酸系樹脂(a1-1)之丙烯酸系聚合物(a11)係可單獨使用1種，亦可組合使用2種以上。構成丙烯酸系樹脂(a1-1)之丙烯酸系聚合物(a11)為2種以上時，該等之組合及比率係可任意選擇。
丙烯酸系樹脂(a1-1)之含量在以能量線硬化性樹脂組成物(x2-1)之有效成分之總量基準計，以1~60質量%為佳，以3~50質量%為較佳，以5~40質量%為更佳。
・能量線硬化性化合物(a12) 能量線硬化性化合物(a12)係以具有選自由異氰酸酯基、環氧基、及羧基所成群之1種或2種以上者作為能與丙烯酸系聚合物(a11)所具有之官能基進行反應之基為佳，以具有異氰酸酯基作為前述基者為較佳。 能量線硬化性化合物(a12)例如在具有異氰酸酯基作為前述基時，該異氰酸酯基係會容易與具有羥基作為前述官能基之丙烯酸系聚合物(a11)之該羥基反應。
能量線硬化性化合物(a12)係以1分子中具有1~5個能量線硬化性基為佳，以具有1~2個為較佳。
作為能量線硬化性化合物(a12)，可舉出例如，2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、間-異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯、甲基丙烯醯基異氰酸酯、烯丙基異氰酸酯、1,1-(雙丙烯醯氧基甲基)乙基異氰酸酯；藉由二異氰酸酯化合物或聚異氰酸酯化合物與羥基乙基(甲基)丙烯酸酯之反應而得之丙烯醯基單異氰酸酯化合物；藉由二異氰酸酯化合物或聚異氰酸酯化合物與聚醇化合物與羥基乙基(甲基)丙烯酸酯之反應而得之丙烯醯基單異氰酸酯化合物等。該等之中，能量線硬化性化合物(a12)亦以2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯為佳。
構成丙烯酸系樹脂(a1-1)之能量線硬化性化合物(a12)係可單獨使用1種，亦可組合使用2種以上。構成丙烯酸系樹脂(a1-1)之能量線硬化性化合物(a12)為2種以上時，該等之組合及比率係可任意選擇。
丙烯酸系樹脂(a1-1)中，源自能量線硬化性化合物(a12)之能量線硬化性基之含量對源自丙烯酸系聚合物(a11)之前述官能基之含量的比例係以20~120莫耳%為佳，以35~100莫耳%為較佳，以50~100莫耳%為更佳。前述含量之比例藉由在此種範圍，硬化後之保護膜(X)之接著力變得較大。尚且，能量線硬化性化合物(a12)為單官能(1分子中具有1個前述基)化合物時，前述含量之比例之上限值會成為100莫耳%，但前述能量線硬化性化合物(a12)為多官能(1分子中具有2個以上之前述基)化合物時，前述含量之比例之上限值則有超過100莫耳%的情況。
聚合物(a1)之重量平均分子量(Mw)係以100,000~2,000,000為佳，以300,000~1,500,000為較佳。
聚合物(a1)為其至少一部分係藉由交聯劑而經交聯者時，聚合物(a1)可為皆不該當於作為構成丙烯酸系聚合物(a11)者所說明之上述之單體之任一者且係具有與交聯劑反應之基之單體進行聚合，而在與前述交聯劑反應之基上經交聯者，也可為在源自能量線硬化性化合物(a12)之與前述官能基反應之基上經交聯者。
聚合物(a1)係可單獨使用1種，亦可組合使用2種以上。聚合物(a1)為2種以上時，該等之組合及比率係可任意選擇。
(化合物(a2)) 作為具有能量線硬化性基之重量平均分子量為100~80,000之化合物(a2)所具有之能量線硬化性基，可舉出如包含能量線硬化性雙鍵之基，作為較基者，可舉出如(甲基)丙烯醯基、或乙烯基等。
化合物(a2)只要係滿足上述條件者，即無特別限定，可舉出如具有能量線硬化性基之低分子量化合物、具有能量線硬化性基之環氧樹脂、及具有能量線硬化性基之酚樹脂等。
化合物(a2)之中，作為具有能量線硬化性基之低分子量化合物，可舉出例如，多官能之單體或寡聚物等，以具有(甲基)丙烯醯基之丙烯酸酯系化合物為佳。作為丙烯酸酯系化合物，可舉出例如，2-羥基-3-(甲基)丙烯醯氧基丙基甲基丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化乙氧基化雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、2,2-雙[4-((甲基)丙烯醯氧基聚乙氧基)苯基]丙烷、乙氧基化雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、2,2-雙[4-((甲基)丙烯醯氧基二乙氧基)苯基]丙烷、9,9-雙[4-(2-(甲基)丙烯醯氧基乙氧基)苯基]茀、2,2-雙[4-((甲基)丙烯醯氧基聚丙氧基)苯基]丙烷、三環癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、1,10-癸二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,9-壬二醇二(甲基)丙烯酸酯、二丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚四亞甲基二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、2,2-雙[4-((甲基)丙烯醯氧基乙氧基)苯基]丙烷、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、2-羥基-1,3-二(甲基)丙烯醯氧基丙烷等之2官能(甲基)丙烯酸酯；參(2-(甲基)丙烯醯氧基乙基)異三聚氰酸酯、ε-己內酯變性參-(2-(甲基)丙烯醯氧基乙基)異三聚氰酸酯、乙氧基化丙三醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、貳三羥甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇聚(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等之多官能(甲基)丙烯酸酯；胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物等之多官能(甲基)丙烯酸酯寡聚物等。
化合物(a2)之中，作為具有能量線硬化性基之環氧樹脂、具有能量線硬化性基之酚樹脂，可使用例如，「日本特開2013-194102號公報」之段落0043等記載者。
化合物(a2)之重量平均分子量係以100~ 30,000為佳，以300~10,000為較佳。
化合物(a2)係可單獨使用1種，亦可組合使用2種以上。化合物(a2)為2種以上時，該等之組合及比率係可任意選擇。
(不具有能量線硬化性基之聚合物(b)) 能量線硬化性樹脂組成物(x2-1)及能量線硬化性樹脂薄膜(x2)在含有化合物(a2)作為能量線硬化性成分(a)時，以也更含有：不具有能量線硬化性基之聚合物(b)為佳。 不具有能量線硬化性基之聚合物(b)可為其至少一部分藉由交聯劑而經交聯者，亦可為未經交聯者。
作為不具有能量線硬化性基之聚合物(b)，可舉出例如，丙烯酸系聚合物、苯氧基樹脂、胺基甲酸酯樹脂、聚酯、橡膠系樹脂、及丙烯醯基胺基甲酸酯樹脂等。該等之中，前述聚合物(b)係以丙烯酸系聚合物(以下，有略稱為「丙烯酸系聚合物(b-1)」的情況)為佳。
丙烯酸系聚合物(b-1)可為公知者，例如，可為1種之丙烯酸系單體之均聚物，亦可為2種以上之丙烯酸系單體之共聚物。又，丙烯酸系聚合物(b-1)也可為1種或2種以上之丙烯酸系單體，與1種或2種以上之丙烯酸系單體以外之單體(非丙烯酸系單體)之共聚物。
作為構成丙烯酸系聚合物(b-1)之前述丙烯酸系單體，可舉出例如，(甲基)丙烯酸烷基酯、具有環狀骨架之(甲基)丙烯酸酯、含環氧丙基之(甲基)丙烯酸酯、含羥基之(甲基)丙烯酸酯、及含取代胺基之(甲基)丙烯酸酯等。
作為(甲基)丙烯酸烷基酯，可舉出例如，(甲基)丙烯酸甲基酯、(甲基)丙烯酸乙基酯、(甲基)丙烯酸n-丙基酯、(甲基)丙烯酸異丙基酯、(甲基)丙烯酸n-丁基酯、(甲基)丙烯酸異丁基酯、(甲基)丙烯酸sec-丁基酯、(甲基)丙烯酸tert-丁基酯、(甲基)丙烯酸戊基酯、(甲基)丙烯酸己基酯、(甲基)丙烯酸庚基酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己基酯、(甲基)丙烯酸異辛基酯、(甲基)丙烯酸n-辛基酯、(甲基)丙烯酸n-壬基酯、(甲基)丙烯酸異壬基酯、(甲基)丙烯酸癸基酯、(甲基)丙烯酸十一基酯、(甲基)丙烯酸十二基酯((甲基)丙烯酸月桂基酯)、(甲基)丙烯酸十三基酯、(甲基)丙烯酸十四基酯((甲基)丙烯酸肉豆蔻基酯)、(甲基)丙烯酸十五基酯、(甲基)丙烯酸十六基酯((甲基)丙烯酸棕櫚基酯)、(甲基)丙烯酸十七基酯、及(甲基)丙烯酸十八基酯((甲基)丙烯酸硬脂醯基酯)等之構成烷基酯之烷基為碳數1~18之鏈狀構造之(甲基)丙烯酸烷基酯等。
作為具有環狀骨架之(甲基)丙烯酸酯，可舉出例如，(甲基)丙烯酸異莰基酯、(甲基)丙烯酸二環戊基酯等之(甲基)丙烯酸環烷基酯；(甲基)丙烯酸苄基酯等之(甲基)丙烯酸芳烷基酯；(甲基)丙烯酸二環戊烯基酯等之(甲基)丙烯酸環烯基酯；(甲基)丙烯酸二環戊烯氧基乙基酯等之(甲基)丙烯酸環烯氧基烷基酯等。
作為含環氧丙基之(甲基)丙烯酸酯，可舉出例如，(甲基)丙烯酸環氧丙基酯等。作為前述含羥基之(甲基)丙烯酸酯，可舉出例如，(甲基)丙烯酸羥基甲基酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙基酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙基酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙基酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁基酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁基酯、及(甲基)丙烯酸4-羥基丁基酯等。 作為前述含取代胺基之(甲基)丙烯酸酯，可舉出例如，(甲基)丙烯酸N-甲基胺基乙基酯等。
作為構成丙烯酸系聚合物(b-1)之非丙烯酸系單體，可舉出例如，乙烯、降莰烯等之烯烴；乙酸乙烯酯；苯乙烯等。
作為至少一部分藉由交聯劑而經交聯之不具有能量線硬化性基之聚合物(b)，可舉出例如，聚合物(b)中之反應性官能基與交聯劑反應而成者。 反應性官能基係可因應交聯劑之種類等來適宜選擇，並無特別限定。例如，交聯劑為聚異氰酸酯化合物時，作為前述反應性官能基，可舉出如羥基、羧基、及胺基等，該等之中亦以與異氰酸酯基之反應性為高之羥基為佳。 又，交聯劑為環氧系化合物時，作為前述反應性官能基，可舉出如羧基、胺基、及醯胺基等，該等之中亦以與環氧基之反應性為高之羧基為佳。 但，在防止半導體晶圓或半導體晶片之電路腐食之面上，前述反應性官能基係以羧基以外之基為佳。
作為具有反應性官能基但不具有能量線硬化性基之聚合物(b)，可舉出例如，使至少具有反應性官能基之單體聚合而得者。若為丙烯酸系聚合物(b-1)之情況，使用作為構成此之單體所例舉之丙烯酸系單體及非丙烯酸系單體之任一方或兩方作為具有反應性官能基者即可。例如，作為具有羥基作為反應性官能基之聚合物(b)，可舉出例如，使含羥基之(甲基)丙烯酸酯聚合而得者，除此以外也可舉出如使先前例舉之前述丙烯酸系單體或非丙烯酸系單體中，1個或2個以上之氫原子被前述反應性官能基所取代而成之單體進行聚合而得者。
具有反應性官能基之聚合物(b)中，由具有反應性官能基之單體所衍生之構成單位之量對構成此之構成單位之總質量的比例(含量)係以1~20質量%為佳，以2~10質量%為較佳。前述比例藉由在此種範圍，聚合物(b)中交聯程度會成為較佳之範圍。
從能量線硬化性樹脂組成物(x2-1)之造膜性會成更加良好之觀點，不具有能量線硬化性基之聚合物(b)之重量平均分子量(Mw)係以10,000~2,000,000為佳，100,000~1,500,000為較佳。
不具有能量線硬化性基之聚合物(b)係可單獨使用1種，亦可組合使用2種以上。不具有能量線硬化性基之聚合物(b)為2種以上時，該等之組合及比率係可任意選擇。
作為能量線硬化性樹脂組成物(x2-1)，可舉出如含有聚合物(a1)及化合物(a2)之任意一方或雙方者。 且，能量線硬化性樹脂組成物(x2-1)在含有化合物(a2)時，也以更含有不具有能量線硬化性基之聚合物(b)為佳，於此情況，也以含有聚合物(a1)為佳。 又，能量線硬化性樹脂組成物(x2-1)亦可不含有化合物(a2)，而一同含有聚合物(a1)、及不具有能量線硬化性基之聚合物(b)。
能量線硬化性樹脂組成物(x2-1)在含有聚合物(a1)、化合物(a2)、及不具有能量線硬化性基之聚合物(b)時，相對於聚合物(a1)及不具有能量線硬化性基之聚合物(b)之合計含量100質量份，化合物(a2)之含量係以10~400質量份為佳，以30~350質量份為較佳。
能量線硬化性成分(a)及不具有能量線硬化性基之聚合物(b)之合計含量在以能量線硬化性樹脂組成物(x2-1)之有效成分之總量基準計，以5~90質量%為佳，以10~80質量%為較佳，以20~70質量%為更佳。能量線硬化性成分之含量藉由在此種範圍，能量線硬化性樹脂薄膜(x2)之能量線硬化性會變得更加良好。
能量線硬化性樹脂組成物(x2-1)除了含有能量線硬化性成分以外，因應目的亦可含有選自由熱硬化性成分、光聚合起始劑、填充材、耦合劑、交聯劑及泛用添加劑所成群之1種或2種以上。 例如，藉由使用含有能量線硬化性成分及熱硬化性成分之能量線硬化性樹脂組成物(x2-1)，所形成之能量線硬化性樹脂薄膜(x2)會藉由加熱而對被黏著物之接著力提升，且由該能量線硬化性樹脂薄膜(x2)所形成之保護膜(X)之強度也會提升。
作為能量線硬化性樹脂組成物(x2-1)中之熱硬化性成分、光聚合起始劑、填充材、耦合劑、交聯劑、及泛用添加劑，分別可舉出與能量線硬化性樹脂組成物(x2-1)中之熱硬化性成分(B)、光聚合起始劑(H)、填充材(D)、耦合劑(E)、交聯劑(F)、及泛用添加劑(I)為相同者。
能量線硬化性樹脂組成物(x2-1)中，熱硬化性成分、光聚合起始劑、填充材、耦合劑、交聯劑及泛用添加劑係分別可單獨使用1種，亦可組合使用2種以上。在組合使用2種以上時，該等之組合及比率係可任意選擇。 能量線硬化性樹脂組成物(x2-1)中之熱硬化性成分、光聚合起始劑、填充材、耦合劑、交聯劑、及泛用添加劑之含量係因應目的適宜調節即可，而並無特別限定。
能量線硬化性樹脂組成物(x2-1)由於藉由稀釋而會提升其操作性，故以更含有溶劑者為佳。 作為能量線硬化性樹脂組成物(x2-1)所含有之溶劑，可舉出例如，與熱硬化性樹脂組成物(x1-1)中之溶劑為相同者。 能量線硬化性樹脂組成物(x2-1)所含有之溶劑係單獨使用一種，亦可組合使用2種以上。在組合使用2種以上時，該等之組合及比率係可任意選擇。
(其他成分) 能量線硬化性樹脂組成物(x2-1)除了含有上述之能量線硬化性成分之外，亦可與先前說明之熱硬化性樹脂薄膜(x1)之情況相同地適量含有硬化性成分以外之成分，即，硬化促進劑(C)或填充材(D)、耦合劑(E)等。
(能量線硬化性樹脂組成物(x2-1)之製造方法) 能量線硬化性樹脂組成物(x2-1)係藉由摻合構成此用之各成分而得者。各成分之摻合時之添加順序並無特別限定，也可同時添加2種以上之成分。 在使用溶劑時，可藉由將溶劑與該溶劑以外之任一之摻合成分混合，預先稀釋該摻合成分來使用，亦可不預先稀釋溶劑以外之任一之摻合成分，而藉由將溶劑與該等摻合成分進行混合來使用。摻合時混合各成分之方法並無特別限定，可從使攪拌棒或攪拌葉等旋轉進行混合之方法；使用混合機進行混合之方法；施加超音波進行混合之方法等公知之方法當中適宜選擇即可。 各成分之添加及混合時之溫度以及時間只要各摻合成分不會劣化即無特別限定，適宜調節即可，溫度係以15~30℃為佳。
＜＜支持薄片(Y)＞＞ 支持薄片(Y)係機能作為支持硬化性樹脂薄膜(x)用之支持體。 支持薄片(Y)係如圖2所示般，可為僅由基材11所構成，如圖3所示般，可為由基材11與黏著劑層21之層合體，如圖4所示般，可為依照基材11與中間層31與黏著劑層21之順序層合而成之層合體。依照基材11與中間層31與黏著劑層21之順序層合而成之層合體係適宜使用作為背面研磨膠帶。
以下，說明關於支持薄片(Y)具有之基材、支持薄片(Y)亦可具有之黏著劑層及中間層。
＜基材＞ 基材為薄片狀或薄膜狀者，作為其構成材料，可舉出例如，以下之各種樹脂。 作為構成基材之樹脂，可舉出例如，低密度聚乙烯(LDPE)、直鏈低密度聚乙烯(LLDPE)、高密度聚乙烯(HDPE)等之聚乙烯；聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、降莰烯樹脂等之聚乙烯以外之聚烯烴；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-降莰烯共聚物等之乙烯系共聚物(使用乙烯作為單體而得之共聚物)；聚氯乙烯、氯乙烯共聚物等之氯乙烯系樹脂(使用氯乙烯作為單體而得之樹脂)；聚苯乙烯；聚環烯烴；聚對酞酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚對酞酸丁二酯、聚間苯二甲酸乙二酯、聚乙烯-2,6-萘二羧酸酯、全部構成單位為具有芳香族環式基之全芳香族聚酯等之聚酯；2種以上之前述聚酯之共聚物；聚(甲基)丙烯酸酯；聚胺基甲酸酯；聚胺基甲酸酯丙烯酸酯；聚醯亞胺；聚醯胺；聚碳酸酯；氟樹脂；聚縮醛；變性聚苯醚；聚苯硫醚；聚碸；聚醚酮等。 又，作為構成基材之樹脂，也可舉出例如，前述聚酯與其以外之樹脂之混合物等之聚合物合金。前述聚酯與其以外之樹脂之聚合物合金係以聚酯以外之樹脂之量為相對性少量者為佳。 又，作為構成基材之樹脂，也可舉出例如，至此為止所例示之前述樹脂之中之1種或2種以上經交聯之交聯樹脂；使用至此為止所例示之前述樹脂之中之1種或2種以上之離子聚合物等之變性樹脂。
構成基材之樹脂係可單獨使用1種，亦可組合使用2種以上。構成基材之樹脂為2種以上時，該等之組合及比率係可任意選擇。
基材係可僅為1層(單層)，亦可為2層以上之複數層。基材為複數層時，該等複數層係互相可為相同亦可為相異，該等複數層之組合並無特別限定。
基材之厚度係以5μm~1,000μm為佳，以10μm ~500μm為較佳，以15μm~300μm為更佳，以20μm~150μm為較更佳。 在此，「基材之厚度」係意指基材全體之厚度，例如，由複數層所構成之基材之厚度係指構成基材之全部層之合計厚度。
基材係以厚度之精度為高者，即，不會因部位而厚度不同且厚度之偏差受到抑制者為佳。上述之構成材料之中，作為此種構成基材所能使用之厚度之精度為高之材料，可舉呼例如，聚乙烯、聚乙烯以外之聚烯烴、聚對酞酸乙二酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物等。
基材除了前述樹脂等之主要構成材料以外，亦可含有填充材、著色劑、防帶電劑、防氧化劑、有機滑劑、觸媒、軟化劑(塑化劑)等之公知之各種添加劑。
基材可為透明，可為不透明，因應目的也可被著色，或，也可蒸鍍其他之層。又，硬化性樹脂薄膜(x)為能量線硬化性樹脂薄膜(x2)之情況，及黏著劑層為能量性硬化性之黏著劑層之情況，基材係以能使能量線穿透者為佳。
基材係能以公知方法來製造。例如，含有樹脂之基材係可藉由使含有前述樹脂之樹脂組成物進行成形來製造。
＜黏著劑層＞ 黏著劑層為薄片狀或薄膜狀，且含有黏著劑。 作為黏著劑，可舉出例如，丙烯酸系樹脂(由具有(甲基)丙烯醯基之樹脂所構成之黏著劑)、胺基甲酸酯系樹脂(由具有胺基甲酸酯鍵之樹脂所構成之黏著劑)、橡膠系樹脂(由具有橡膠構造之樹脂所構成之黏著劑)、矽氧系樹脂(由具有矽氧烷鍵之樹脂所構成之黏著劑)、環氧系樹脂(由具有環氧基之樹脂所構成之黏著劑)、聚乙烯基醚、聚碳酸酯等之黏著性樹脂。該等之中亦以丙烯酸系樹脂為佳。
尚且，本發明中，「黏著性樹脂」係指包括：具有黏著性之樹脂，與具有接著性之樹脂雙方的概念，例如，不僅包括樹脂本身具有黏著性者，也包括藉由併用添加劑等之其他成分而展現黏著性之樹脂，或，藉由熱或水等之觸發器之存在而展現接著性之樹脂等。
黏著劑層係可為單僅1層(單層)，也可為2層以上之複數層。黏著劑層為複數層時，該等複數層係可互為相同亦可互為相異，該等複數層之組合並無特別限定。
黏著劑層之厚度係以1μm~1,000μm為佳，以5μm~500μm為較佳，以10μm~100μm為更佳。在此，「黏著劑層之厚度」係意指黏著劑層全體之厚度，例如，由複數層所構成之黏著劑層之厚度係意指構成黏著劑層之全部層之合計厚度。
黏著劑層係可為使用能量線硬化性黏著劑所形成者，亦可為使用非能量線硬化性黏著劑所形成者。使用能量線硬化性之黏著劑所形成之黏著劑層係能容易調節在硬化前及硬化後之物性。
＜中間層＞ 中間層為薄片狀或薄膜狀，其構成材料係因應目的適宜選擇即可，而並無特別限定。例如，在將抑制於覆蓋半導體表面之保護膜上因會反映出存在於半導體表面之凸塊形狀而導致保護膜(X)變形作為目的時，作為中間層之較佳構成材料，從提高凹凸追隨性之觀點，將凸塊貫通性作成良好之觀點、及更加提升中間層之貼附性之觀點，可舉出如胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。
中間層係可為單僅1層(單層)，也可為2層以上之複數層。中間層為複數層時，該等複數層係可互為相同亦可為相異，且該等複數層之組合並無特別限定。
中間層之厚度係可因應成為保護對象之半導體表面之凸塊高度來適宜調節，在能容易吸收相對性高度為高之凸塊之影響之面上，以50μm~600μm為佳，以70μm ~500μm為較佳，以80μm~400μm為更佳。在此，「中間層之厚度」係指中間層全體之厚度，例如，由複數層所構成之中間層之厚度係指構成中間層之全部層之合計厚度。
其次，說明關於保護膜形成用薄片之製造方法。
[保護膜形成用薄片之製造方法] 保護膜形成用薄片係可藉由以成為對應上述各層之位置關係之方式依序進行層合來製造。 例如，製造支持薄片之際，在基材上層合黏著劑層或中間層之情況，可在基材上塗佈黏著劑組成物或中間層形成用組成物，因應必要使其乾燥，或藉由照射能量線來層合黏著劑層或中間層。 作為塗佈方法，可舉出例如，旋轉塗佈法、噴霧塗佈法、棒塗法、刀塗佈(knife coating)法、輥塗法、刀輥塗法、刮刀塗佈法、模具塗佈法、凹版塗佈法等。
另一方面，例如，在基材上經層合之黏著劑層之上，再層合硬化性樹脂薄膜(x)時，能在黏著劑層上塗佈熱硬化性樹脂組成物(x1-1)或能量線硬化性樹脂組成物(x2-1)而直接形成硬化性樹脂薄膜(x)。 同樣地，在基材上經層合之中間層之上，再層合黏著劑層時，能在中間層上塗佈黏著劑組成物而直接形成黏著劑層。
如此般，使用任一之組成物形成連續2層之層合構造時，能在由前述組成物所形成之層之上，再塗佈組成物而形成新的層。但，該等2層之中，在之後才層合之層係以預先在另一剝離薄膜上使用前述組成物來形成，並將該已形成之層之與前述剝離薄膜接觸之側為反對側之露出面，與既已形成之剩餘層之露出面予以貼合，從而形成連續2層之層合構造為佳。此時，前述組成物係以塗佈在剝離薄膜之剝離處理面上為佳。剝離薄膜係在層合構造之形成後，因應必要去除即可。
[使用保護膜形成用薄片之附保護膜之半導體晶圓之製造方法] 本發明之附保護膜之半導體晶圓之製造方法係使用上述本發明之保護膜形成用薄片來實施。 具體而言，包含下述步驟(S1)~(S3)。 ・步驟(S1)：準備具有已設置複數凸塊之凸塊形成面之半導體晶圓的步驟 ・步驟(S2)：將上述本發明之保護膜形成用薄片之硬化性樹脂薄膜(x)作為貼附面按壓於前述半導體晶圓之前述凸塊形成面並進行貼附的步驟； ・步驟(S3)：使硬化性樹脂薄膜(x)硬化而形成保護膜(X)的步驟 以下，詳述關於為適用對象之半導體晶圓並進行說明有關本發明之附保護膜之半導體晶圓之製造方法。
＜步驟(S1)＞ 步驟(S1)係準備具有已設置複數凸塊之凸塊形成面之半導體晶圓的步驟 將本發明之附保護膜之半導體晶圓之製造方法中使用之具有已設置有複數凸塊之凸塊形成面之半導體晶圓之一例展示於圖5。具備凸塊之半導體晶圓40係在半導體晶圓41之凸塊形成面(電路面)41a具備複數凸塊BM。 以下之說明中，將「具備凸塊之半導體晶圓」也稱為「附凸塊之晶圓」。將「半導體晶圓」也單稱為「晶圓」。
晶圓41係例如在表面形成有配線、電容器、二極體、及電晶體等之電路。該晶圓之材質並無特別限定，可舉出例如，矽晶圓、碳化矽晶圓、化合物半導體晶圓、藍寶石晶圓、及玻璃晶圓等。
晶圓41之尺寸並無特別限定，從提高批次處理效率之觀點，通常為8吋(直徑200mm)以上，以12吋(直徑300mm)以上為佳。尚且，晶圓之形狀並不受限於圓形，例如可為正方形或長方形等之角型。角型之晶圓之情況，晶圓41之尺寸在從提高批次處理效率之觀點，最長邊之長度係以上述尺寸(直徑)以上為佳。
晶圓41之厚度並無特別限定，從作成容易抑制使硬化性樹脂薄膜(x)硬化所伴隨之晶圓41之翹曲的觀點，以100μm~1,000μm為佳，較佳為200μm~900μm，更佳為300μm~800μm。
凸塊BM之形狀並無特別限定，只能係能與晶片搭載用之基板上之電極等接觸並固定者，可為任何形狀。例如，圖5中雖係將凸塊BM作成球形狀，但凸塊BM也可為旋轉橢圓體。該旋轉橢圓體例如，可為晶圓41對凸塊形成面41a在垂直方向上經延伸之旋轉橢圓體，也可為晶圓41對凸塊形成面41a在水平方向上經延伸之旋轉橢圓體。 又，凸塊BM係如圖6所示般，也可為柱(pillar)形狀。 尚且，作為凸塊BM之材質，可舉出例如焊劑。
在此，本發明之適用對象為被以下說明之要件所規定之具有經窄節距化之凸塊之半導體晶圓。 亦即，本發明中，藉由使用保護膜形成用薄片，在具有經窄節距化之凸塊之半導體晶圓之凸塊形成面形成保護膜(X)，而作成能抑制經窄節距化之凸塊之崩壞或變形，且防止凸塊彼此間之短路。換言之，成為適用本發明之對象之半導體晶圓在未形成保護膜(X)之情況，則為具有會因凸塊之崩壞或變形而導致短路之憂慮的，具有經窄節距化之凸塊之半導體晶圓。 以下說明之半導體晶圓在未形成保護膜(X)之情況，則為具有會因凸塊之崩壞或變形而導致短路之憂慮的，具有經窄節距化之凸塊之半導體晶圓。
＜＜半導體晶圓＞＞ 本發明之保護膜形成用薄片係用來在滿足下述要件(α1)~(α2)之半導體晶圓之凸塊形成面形成保護膜(X)。 又，本發明之附保護膜之半導體晶圓之製造方法係使用滿足下述要件(α1)~(α2)之半導體晶圓來實施。 ・要件(α1)：前述凸塊之寬(BMw )(單位：μm)為20μm~350μm。 ・要件(α2)：前述凸塊之節距(BMP )(單位：μm)與前述凸塊之寬(BMw )(單位：μm)滿足下述式(I)。
Figure 02_image021
上述要件(α1)~(α2)係顯示為具有經窄節距化之凸塊之半導體晶圓的指標。即，顯示容易引起因凸塊之崩壞或變形所造成之短路的指標。 為了展示凸塊之節距(BMP )(單位：μm)與凸塊之寬(BMw )(單位：μm)之定義，在圖7展示將形成於晶圓41之凸塊形成面上之3個凸塊BM_a、BM_b、及BM_c予以擴大之俯視圖。 凸塊之節距(BMP )為2點之凸塊間之最短距離。圖7中，凸塊BM_a與凸塊BM_b之最短距離為P1 。又，凸塊BM_b與凸塊BM_c之最短距離為P2 。 凸塊之寬(BMw )為連接接點b1 與接點b2 之直線b1 -b2 之長度，該接點b1 為連接凸塊BM_a與凸塊BM_b之直線P1 之與凸塊BM_b之接點，該接點b2 為連接凸塊BM_b與凸塊BM_c之直線P2 之與凸塊BM_b之接點。 尚且，凸塊之節距(BMP )(單位：μm)與凸塊之寬(BMw ) (單位：μm)係根據上述定義，例如，可藉由光學顯微鏡觀察進行測量。
尚且，存在於晶圓上之複數凸塊之中，在至少任意一個凸塊間滿足上述要件(α1)~(α2)時，則由於該凸塊間即為窄節距，故在凸塊間會有產生短路之憂慮。 因此，本發明之適用對象之晶圓係為在存在於晶圓上之複數凸塊之中，在至少任意一個凸塊間滿足上述要件(α1)~(α2)之晶圓。
在此，要件(α1)係規定凸塊之寬(BMw )(單位：μm)為20μm~350μm。亦即，根據本發明，也可將具備複數之凸塊之寬(BMw )為小之20μm以上且未滿150μm(尤其係20μm~100μm)之凸塊的晶圓作為對象。換言之，也可將具備複數之窄節距且微小凸塊之晶圓作為對象。又，也可將具備複數之凸塊之寬(BMw )為大之150μm~350μm之凸塊的晶圓作為對象。換言之，也可將具備複數之窄節距且寬為大之凸塊的晶圓作為對象。具備複數之窄節距且寬為大之凸塊的晶圓特別容易引起凸塊間之短路，藉由本發明，即能抑制此種晶圓之凸塊間之短路。
在此，要件(α2)規定之[(BMP )/(BMw )]之值為展示、凸塊彼此間之短路之容易度之指標之一，該值可為0.9以下，也可為0.8以下。
在此，晶圓亦可更滿足下述要件(α3a)或下述要件(α3b)。 ・要件(α3a)：前述凸塊之高度(BMh )與前述凸塊之寬(BMw )滿足下述式(IIIa)
Figure 02_image023
・要件(α3b)：前述凸塊之高度(BMh )與前述凸塊之寬(BMw )滿足下述式(IIIb)
Figure 02_image025
上述要件(α3a)為展示凸塊為球形凸塊之指標，[(BMh )/(BMw )]之值越接近1.0則越接近真球狀，越接近0.2則表示晶圓41對於凸塊形成面41a為朝水平方向經延伸之旋轉橢圓體。 具有此種球形凸塊之半導體晶圓在將此予以單片化而作成半導體晶片，隔著球形凸塊來電連接該半導體晶片與配線基板之步驟中，會產生球形凸塊崩壞而往橫向擴展，球形凸塊彼此接觸而引起短路的問題。又，為了對應更加高密度實裝之要求，也檢討有將半導體封裝往高度方向堆疊之3次元高密度實裝，於此情況，也會有由於半導體封裝之自身重量而球形凸塊徐徐地崩壞，進而導致短路的情況。藉由本發明，即能抑制因球形凸塊彼此接觸所造成之短路。
上述要件(α3b)為展示凸塊為柱形凸塊之指標，[(BMh )/(BMw )]之值越接近5.0則越為該長寬比之柱形凸塊，越接近0.5，則表示長寬比越低之柱形凸塊。 具有此種柱形凸塊之半導體晶圓在將此予以單片化而作成半導體晶片，隔著柱形凸塊來電連接該半導體晶片與配線基板之步驟中，會產生柱形凸塊變形而被折彎，柱形凸塊彼此接觸而引起短路的問題。此外，因柱形凸塊變形而被折彎，也會有產生連接不良的問題。又，為了對應更加高密度實裝之要求，也檢討有將半導體封裝往高度方向堆疊之3次元高密度實裝，於此情況，也會有由於半導體封裝之自身重量而柱形凸塊徐徐地變形，進而導致短路的情況。藉由本發明，即能抑制柱形凸塊彼此接觸所造成之短路。又，也能抑制會有因柱形凸塊之變形所引起之連接不良的情況。
尚且，凸塊之高度(BMh )係意指在著眼於1個凸塊時，將凸塊形成面之與凸塊之接點，及，位在凸塊形成面最遠位置之凸塊之部位之間予以連接之直線距離。 具體而言，凸塊之高度(BMh )可為下述要件(α4)所規定之值。 ・要件(α4)：前述凸塊之高度(BMh )為15μm~300μm 亦即，本發明之一態樣係也可將具備複數之凸塊之高度(BMh )為低之20μm以上且未滿150μm(尤其係20μm~100μm)之凸塊的晶圓作為對象。又，也可將具備複數之凸塊之高度(BMh )為高之150μm~350μm之凸塊的晶圓作為對象。 凸塊之高度(BMh )係例如可藉由光學顯微鏡觀察剖面來進行測量，該剖面係將附凸塊之半導體晶圓以與凸塊形成面成為垂直方向且通過凸塊中心之方式進行裁切之剖面。
＜步驟(S2)＞ 將步驟(S2)之概略展示於圖8。 步驟(S2)係將上述本發明之保護膜形成用薄片1之硬化性樹脂薄膜(x)作為貼附面按壓於半導體晶圓41之凸塊形成面41a並進行貼附。 藉此，以硬化性樹脂薄膜(x)來被覆半導體晶圓41之凸塊形成面41a，並同時在複數凸塊BM之間也填充硬化性樹脂薄膜(x)。
尚且，從在複數凸塊BM之間更加良好地填充硬化性樹脂薄膜(x)的觀點，將保護膜形成用薄片1貼附於半導體晶圓41之凸塊形成面41a時之按壓力係以1kPa~ 200kPa為佳，較佳為5kPa~150kPa，更佳為10kPa~100 kPa。 尚且，將保護膜形成用薄片1貼附至半導體晶圓41之凸塊形成面41a時之按壓力係也可從貼附初期至抵達終期間適宜變動。例如，從在複數凸塊BM之間更加良好地填充硬化性樹脂薄膜(x)的觀點，以貼附初期放低按壓力，然後徐徐提高按壓力為佳。
又，將保護膜形成用薄片1貼附至半導體晶圓41之凸塊形成面41a之際，在硬化性樹脂薄膜(x)為熱硬化性樹脂薄膜(x1)之情況，從在複數凸塊BM之間更加良好地填充硬化性樹脂薄膜(x)的觀點，以進行加熱為佳。硬化性樹脂薄膜(x)為熱硬化性樹脂薄膜(x1)之情況，熱硬化性樹脂薄膜(x1)由於加熱而流動性會一時性提高，藉由持續加熱來進行硬化。因此，藉由在熱硬化性樹脂薄膜(x1)之流動性會提升之範圍內進行加熱，熱硬化性樹脂薄膜(x1)會變得容易來往於複數凸塊BM之間，從而熱硬化性樹脂薄膜(x1)對複數凸塊BM間之填充性更加提升。 作為具體之加熱溫度(貼著溫度)，以50℃~150℃為佳，較佳為60℃~130℃，更佳為70℃~110℃。 尚且，對熱硬化性樹脂薄膜(x1)進行之該加熱處理係不包含在熱硬化性樹脂薄膜(x1)之硬化處理。
並且，將保護膜形成用薄片1貼附於半導體晶圓41之凸塊形成面41a之際，亦可作成在減壓環境下進行。藉此，複數凸塊BM之間變成負壓，硬化性樹脂薄膜(x)變得容易來往於複數凸塊BM之間。其結果係在複數凸塊BM之間之硬化性樹脂薄膜(x)之填充性變得容易更加提升。作為減壓環境之具體壓力，以0.001kPa~50kPa為佳，較佳為0.01kPa~5kPa，更佳為0.05kPa~1kPa。
＜步驟(S3)＞ 實施步驟(S2)後，實施步驟(S3)。具體而言，如圖9所示般，使硬化性樹脂薄膜(x)而取得附保護膜之半導體晶圓。 使硬化性樹脂薄膜(x)硬化所形成之保護膜(X)在常溫(23℃)下變得比硬化性樹脂薄膜(x)還要強固。因此，藉由形成保護膜(X)，而良好地保護凸塊頸部(bump neck)。 又，本發明由於係使用滿足上述要件(β1)~(β3)之保護膜形成用薄片，故如既述般，對於具因凸塊之崩壞或變形而造成短路之憂慮之具有經窄節距化之凸塊之半導體晶圓，可抑制凸塊之崩壞或變形，且能迴避凸塊彼此之接觸所造成之短路。
硬化性樹脂薄膜(x)之硬化係可因應硬化性樹脂薄膜(x)所包含之硬化性成分之種類，並藉由熱硬化及利用照射能量線之硬化之任一者來進行。 作為在進行熱硬化時之條件，硬化溫度係以90℃~200℃為佳，硬化時間係以1小時~3小時為佳。 作為進行利用能量線照射之硬化時之條件，可藉由所使用之能量線種類來適宜設定，例如，在使用紫外線時，照度係以170mw/cm2 ~250mw/cm2 為佳，光量係以300mJ/cm2 ~ 3000mJ/cm2 為佳。
在此，使硬化性樹脂薄膜(x)硬化而形成保護膜(X)之過程中，從去除在步驟(S2)中以硬化性樹脂薄膜(x)來填充複數凸塊BM之間之際，可能會混入之氣泡等之觀點，硬化性樹脂薄膜(x)係以熱硬化性樹脂薄膜(x1)為佳。即，硬化性樹脂薄膜(x)為熱硬化性樹脂薄膜(x1)之情況，熱硬化性樹脂薄膜(x1)由於加熱而流動性會一時性提高，藉由持續加熱來進行硬化。藉由利用此一現象，在熱硬化性樹脂薄膜(x1)之流動性在已提高之際，進行去除以熱硬化性樹脂薄膜(x1)來填充複數凸塊BM之間之際可能會混入之氣泡等，進而能作成熱硬化性樹脂薄膜(x1)對複數凸塊BM之間之填充性變成更加良好者之狀態，並且使熱硬化性樹脂薄膜(x1)硬化。 又，從縮短硬化時間之觀點，硬化性樹脂薄膜(x)係以能量線硬化性樹脂薄膜(x1)為佳。
尚且，支持薄片(Y)係在硬化性樹脂薄膜(x)硬化之前剝離，藉由使硬化性樹脂薄膜(x)硬化而形成保護膜(X)，從而取得附保護膜之半導體晶圓。但，並不受限於此種實施態樣，亦可作成使硬化性樹脂薄膜(x)硬化形成保護膜(X)後，藉由剝離支持薄片(Y)，而取得附保護膜之半導體晶圓的方式。 又，亦可不剝離支持薄片(Y)，研削(背面研磨處理)半導體晶圓41之與凸塊形成面41a為反對面(即，半導體晶圓41之背面)，來薄化處理半導體晶圓41。背面研磨處理係可作成在硬化性樹脂薄膜(x)之硬化前進行，也可作成在硬化性樹脂薄膜(x)之硬化後才進行。 又，在進行背面研磨處理之情況，從良好地實施背面研磨處理之觀點，支持薄片(Y)係以背面研磨膠帶為佳。
又，也可作成在硬化性樹脂薄膜(x)之硬化後，去除覆蓋凸塊之頂部之保護膜(X)，或附著於凸塊之頂部之一部分之保護膜(X)，來進行使凸塊頂部露出之處理的方式。 作為使凸塊之頂部露出之露出處理，可舉出例如濕蝕刻處理或乾蝕刻處理等之蝕刻處理。 在此，作為乾蝕刻處理，可舉出例如電漿蝕刻處理等。 尚且，露出處理在保護膜之表面上凸塊之頂部未露出之情況，亦可在讓保護膜後退而使凸塊之頂部露出為止之目的上實施。
[附保護膜之半導體晶片之製造方法] 本發明之附保護膜之半導體晶片之製造方法包含下述步驟(T1)~(T2)。 ・步驟(T1)：實施本發明之附保護膜之半導體晶圓之製造方法而取得附保護膜之半導體晶圓的步驟 ・步驟(T2)：將前述附保護膜之半導體晶圓予以單片化的步驟
＜步驟(T1)＞ 步驟(T1)係實施上述本發明之附保護膜之半導體晶圓之製造方法來取得附保護膜之半導體晶圓。
＜步驟(T2)＞ 步驟(T2)係將步驟(T1)取得之附保護膜之半導體晶圓予以單片化。 單片化之方法並無特別限定，可適宜採用公知之單片化方法。具體地可舉出例如，雷射切割、刀切割、及隱形切割(Stealth dicing)(註冊商標)等。
尚且，亦可作成在實施步驟(T1)之前，包含在附保護膜之半導體晶圓之背面(與凸塊形成面為反對側之面)上形成背面保護膜的步驟。
[半導體封裝之製造方法] 本發明之半導體封裝之製造方法包含下述步驟(U1)~ (U2)。 ・步驟(U1)：實施本發明之附保護膜之半導體晶片之製造方法而取得附保護膜之半導體晶片的步驟 ・步驟(U2)：隔著前述凸塊來電連接之配線基板與前述附保護膜之半導體晶片的步驟
＜步驟(U1)＞ 步驟(U1)係實施上述本發明之附保護膜之半導體晶片之製造方法來取得附保護膜之半導體晶片。
＜步驟(U2)＞ 步驟(U2)係如圖10所示般，隔著凸塊BM來電連接具有配線Z1之配線基板(Z)，與附保護膜之半導體晶片CP。 更詳細而言，在隔著凸塊BM而使附保護膜之半導體晶片CP之凸塊形成面與配線基板(Z)之配線Z1之形成面成為對向之狀態下進行加熱(以下，亦稱為「加熱連接步驟」)。藉此，而能良好地電連接凸塊BM之頂部與配線Z1。 並且，本發明中，儘管係使用由具有因凸塊之崩壞或變形而造成短路之憂慮之具有經窄節距化之凸塊之半導體晶圓所得之半導體晶片，本發明之保護膜形成用薄片藉由滿足上述要件(β1)~(β3)，其中尤其係藉由滿足上述要件(β2)，在加熱連接步驟中，能抑制因凸塊之崩壞或變形所造成之凸塊彼此之接觸，且能迴避凸塊彼此之接觸所導致之短路。 加熱連接步驟之條件係例如在溫度250℃~270℃下30秒鐘~5分鐘。
＜步驟(U3)＞ 本發明之一態樣之半導體封裝之製造方法更包含下述步驟(U3)。 ・步驟(U3)：在前述配線基板與前述附保護膜之半導體晶片之間填充底部填充材料的步驟 本發明係如既述般，可抑制因凸塊之崩壞或變形所所造成之凸塊彼此之接觸。換言之，可抑制因凸塊之崩壞或變形所造成之凸塊彼此之接近。以往，若導致凸塊接近，即使試圖填充底部填充材料，但由於凸塊間之間隙為狹窄，故難以使用底部填充材料來填充該間隙。但，本發明中，由於也會抑制凸塊之接近，故在保護膜(X)與配線基板(Z)之間，也包括凸塊間之間隙，也能以底部填充材料來良好地填充。 [實施例]
藉由以下之實施例來具體地說明關於本發明，但本發明並非係受到以下之實施例所限定者。
[各種物性值之測量方法] 以下之實施例及比較例之物性值係藉由以下之方法進行測量之值。
＜重量平均分子量＞ 使用凝膠滲透層析裝置(東曹股份有限公司製，製品名「HLC-8020」)，在下述之條件下進行測量，使用經過標準聚苯乙烯換算後所測量之值。 (測量條件) ・管柱：依「TSK guard column HXL-L」「TSK gel G2500HXL」「TSK gel G2000HXL」「TSK gel G1000HXL」(皆為東曹股份有限公司製)之順序連結者 ・管柱溫度：40℃ ・展開溶劑：四氫呋喃 ・流速：1.0mL/min
＜各層之厚度之測量＞ 保護膜(硬化後)之厚度(XT )以外之厚度係使用股份有限公司Teclock製之定壓厚度測量器(型號：「PG-02J」，標準規格：依據JIS K6783、Z1702、Z1709)進行測量。
＜玻璃轉移溫度＞ 後述之聚合物成分(A)之玻璃轉移溫度(Tg)係使用Perkin Elmer股份有限公司製示差掃描熱量計(PYRIS Diamond DSC)，實施在昇降溫速度10℃/分，從-70℃至150℃之溫度分布下之測量，並確認且求出反曲點。
＜環氧當量＞ 依據JIS K 7236：2009進行測量。
＜平均粒徑＞ 藉由超音波使測量對象之粒子在水中分散，藉由動態光散射法式粒度分布測量裝置(股份有限公司堀場製作所製、LB-550)，以體積基準來測量粒子之粒度分布，並將其中徑(D50 )作為平均粒徑。
[實施例1-4、比較例1-2] 製造實施例所使用之熱硬化性樹脂薄膜(x1)所使用之熱硬化性樹脂組成物(x1-1)係藉由以下之方法來調製。
＜熱硬化性樹脂組成物(x1-1)之原料＞ (聚合物成分(A)) 使用具有下述式(i-1)、下述式(i-2)、及下述式(i-3)所示之構成單位之聚乙烯縮丁醛(積水化學工業股份有限公司製，Eslec(註冊商標)B BL-10，重量平均分子量25,000，玻璃轉移溫度59℃，下述式中，p為68~74莫耳%，q為1~3莫耳%，r為約28莫耳%。)。
Figure 02_image027
(環氧樹脂(B1)) 使用以下之2種環氧樹脂。 ・環氧樹脂(B1-1)：液狀雙酚A型環氧樹脂(DIC股份有限公司製，EPICLON(註冊商標)EXA-4850-1000、環氧當量404~412g/eq) ・環氧樹脂(B1-2)：二環戊二烯型環氧樹脂(DIC股份有限公司製，EPICLON(註冊商標)HP-7200，環氧當量254 ~264g/eq)
(熱硬化劑(B2)) 使用酚醛型酚樹脂(昭和電工股份有限公司製，Shonol(註冊商標)BRG-556)。
(硬化促進劑(C)) 使用2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑(四國化成工業股份有限公司製，Curezol(註冊商標)2PHZ)。
(填充材(D)) 使用經環氧基修飾之球狀二氧化矽(股份有限公司Admatex製、Admanano(註冊商標)YA050C-MKK、平均粒徑0.05μm)。
＜熱硬化性樹脂組成物(x1-1)之調製＞ 藉由將聚合物成分(A)、環氧樹脂(B1-1)、環氧樹脂(B1-2)、熱硬化劑(B2)、硬化促進劑(C)、及填充材(D)，以熱硬化性樹脂組成物(x1-1)之總量(100質量%)基準計會成為以下所示之含量之方式溶解或分散於甲基乙基酮，在23℃下進行攪拌，而調製出有效成分(固體成分)濃度為55質量%之熱硬化性樹脂組成物(x1-1)。 尚且，實施例1及2係使用以下所示之摻合1所調製之熱硬化性樹脂組成物(x1-1)來形成保護膜(X)。又，實施例3及4係使用以下所示之摻合2所調製之熱硬化性樹脂組成物(x1-1)來形成保護膜(X)。 (摻合1) ・聚合物成分(A)：41.4質量% ・環氧樹脂(B1-1)：23.2質量% ・環氧樹脂(B1-2)：15.2質量% ・熱硬化劑(B2)：11.2質量% ・硬化促進劑(C)：0.2質量% ・填充材(D)：8.8質量% (摻合2) ・聚合物成分(A)：19.9質量% ・環氧樹脂(B1-1)：33.1質量% ・環氧樹脂(B1-2)：21.7質量% ・熱硬化劑(B2)：16.1質量% ・硬化促進劑(C)：0.2質量% ・填充材(D)：9.0質量%
＜熱硬化性樹脂薄膜(x1)之製造＞ 對具有已施加利用矽氧之剝離處理之剝離處理面之聚對酞酸乙二酯製之剝離材(琳得科股份有限公司製，SP-PET381031，厚度38μm)之前述剝離處理面塗佈摻合1所調製之熱硬化性樹脂組成物(x1-1)，在120℃下加熱乾燥2分鐘，而取得厚度30μm之熱硬化性樹脂薄膜(x1：摻合1)。又，除了變更成摻合2所調製之熱硬化性樹脂組成物(x1-1)以外，其他係以相同方法來取得厚度50μm之熱硬化性樹脂薄膜(x1：摻合2)。
＜保護膜形成用薄片之製造＞ 使用依照基材(厚度：100μm)、中間層(厚度：400 μm)，及黏著劑層(厚度：10μm)之順序層合而成之貼附膠帶(琳得科股份有限公司製、E-8510HR)作為支持薄片(Y)，將該貼附膠帶之黏著劑層，與已形成於剝離材上之厚度30μm之熱硬化性樹脂薄膜(x1：摻合1)予以貼合，而製造出依照支持薄片(Y)、熱硬化性樹脂薄膜(x1)、及剝離材之順序層合而成之保護膜形成用薄片1。 關於厚度50μm之熱硬化性樹脂薄膜(x1：摻合2)，也係藉由相同之操作順序來製造保護膜形成用薄片2。
[保護膜(X)之拉伸彈性模數E’之測量] 使熱硬化性樹脂薄膜(x1)硬化後，藉由以下方法來測量保護膜(X)之拉伸彈性模數E’。 首先，重疊6枚厚度30μm之熱硬化性樹脂薄膜(x1：摻合1)，而製作出厚度0.18mm、寬4.5mm、長度20.0mm之試樣，將該試樣在加壓烤箱(琳得科股份有限公司製RAD-9100)中，在溫度：130℃、時間：2h、爐內壓力：0.5MPa之加熱條件下進行熱處理，而取得保護膜(X)。 其次，對保護膜(X)使用動態黏彈性測量裝置(TA instruments公司製、製品名「DMA Q800」)，以拉伸模式，在頻率11Hz、23℃、大氣環境下測量保護膜(X)之拉伸彈性模數E’(23℃)。又，除了將測量時之溫度設定成260℃以外，其他係作成相同條件來測量保護膜(X)之拉伸彈性模數E’(260℃)。 關於熱硬化性樹脂薄膜(x1：摻合2)，除了重疊4枚厚度50μm之熱硬化性樹脂薄膜(x1：摻合2)，並作成厚度0.20mm以外，其他係以相同操作順序來取得保護膜(X)，並測量保護膜(X)之拉伸彈性模數E’(23℃)、保護膜(X)之拉伸彈性模數E’(260℃)。
[短路評價] 藉由從上述取得之保護膜形成用薄片取下剝離材，使藉此露出之熱硬化性樹脂層之表面(露出面)壓著在附球形凸塊之晶圓之凸塊形成面，而在半導體晶圓之凸塊形成面貼附保護膜形成用薄片。此時，保護膜形成用薄片之貼附係使用貼附裝置(輥輪式層合機，琳得科股份有限公司製「RAD-3510 F/12」)，在工作檯溫度90℃、貼附速度2mm/sec、貼附壓力0.5MPa之條件下，加熱熱硬化性樹脂薄膜(x1)並同時進行。將已貼附保護膜形成用薄片1及2之附球形凸塊之晶圓之詳細內容(要件(α1)、(α2)、(α3a)、及(α4))展示於表1。 接著，使用琳得科股份有限公司製RAD-2700，進行紫外線照射來剝離保護膜形成用薄片之支持薄片(Y)。 在加壓烤箱(琳得科股份有限公司製RAD-9100)中，在溫度：130℃、時間：2h、爐內壓力：0.5MPa之加熱條件下熱處理已貼附熱硬化性樹脂薄膜(x1)之附凸塊之晶圓，來使熱硬化性樹脂薄膜(x1)熱硬化，從而取得附保護膜(X)之半導體晶圓(實施例1~4)。 保護膜(X)之厚度(XT )係將附保護膜(X)之半導體晶圓以與凸塊形成面為垂直之方向且通過凸塊中心之方式進行裁切，並藉由光學顯微鏡觀察裁切後之剖面來進行測量。 且，在使附保護膜(X)之半導體晶圓之凸塊形成面與配線基板之配線形成面隔著凸塊而成為對向之狀態下，以260℃進行1分鐘之加熱處理(加熱連接步驟)，來評價有無凸塊間之接觸(有無短路)。 尚且，作為比較試驗，對與實施例1及3以及實施例2及4相同之附凸塊之晶圓但並未形成保護膜(X)之晶圓，實施加熱連接步驟，並評價有無短路(比較例1及2)。 將結果展示於表1。
Figure 02_image029
從表1可得知以下之事項。 得知實施例1~4不論是否使用具有經窄節距化之凸塊之半導體晶圓，皆能抑制凸塊之短路。 另一方面，如比較例1及2所示，得知在未設置保護膜(X)之情況，並無法抑制具有經窄節距化之凸塊之半導體晶圓之凸塊短路。
1,1a,1b,1c:保護膜形成用薄片 x:硬化性樹脂薄膜 x1:熱硬化性樹脂薄膜 x2:能量線硬化性樹脂薄膜 X:保護膜 Y:支持薄片 11:基材 21:黏著劑層 31:中間層 40:附凸塊之半導體晶圓 41:半導體晶圓 41a:凸塊形成面 BM:凸塊 CP:附保護膜之半導體晶片 Z:配線基板 Z1:配線
[圖1]展示本發明之保護膜形成用薄片之構成的概略剖面圖。 [圖2]展示本發明之一態樣之保護膜形成用薄片之構成之一例的概略剖面圖。 [圖3]展示本發明之一態樣之保護膜形成用薄片之構成之其他例的概略剖面圖。 [圖4]展示本發明之一態樣之保護膜形成用薄片之構成之另一例的概略剖面圖。 [圖5]展示具有複數凸塊之半導體晶圓之一例的概略剖面圖。 [圖6]展示具有複數凸塊之半導體晶圓之其他例的概略剖面圖。 [圖7]為了定義凸塊之節距(BMP )及凸塊之寬(BMw )，而將半導體晶圓上之3個凸塊予以擴大之俯視圖。 [圖8]說明本發明之一態樣之附保護膜之半導體晶圓之製造方法之步驟(S2)的概略剖面圖。 [圖9]說明本發明之一態樣之附保護膜之半導體晶圓之製造方法之步驟(S3)的概略剖面圖。 [圖10]說明本發明之一態樣之半導體封裝之製造方法之步驟(U2)的概略剖面圖。 [圖11]展示使凸塊之高度(BMh )與使硬化性樹脂薄膜(x)硬化所形成之保護膜(X)在23℃下之厚度(XT )(單位：μm)之關係的概略剖面圖。
1:保護膜形成用薄片
x:硬化性樹脂薄膜
Y:支持薄片

Claims (9)

  1. 一種保護膜形成用薄片，其係具有：硬化性樹脂薄膜(x)與支持薄片(Y)之層合構造， 該保護膜形成用薄片係用來在具有複數凸塊且滿足下述要件(α1)~(α2)之半導體晶圓之凸塊形成面形成保護膜(X)，且該保護膜形成用薄片滿足下述要件(β1)~(β3)； ・要件(α1)：前述凸塊之寬(BMw )(單位：μm)為20μm~350μm； ・要件(α2)：前述凸塊之節距(BMP )(單位：μm)與前述凸塊之寬(BMw )(單位：μm)滿足下述式(I)
    Figure 03_image001
    ・要件(β1)：使前述硬化性樹脂薄膜(x)硬化所形成之保護膜(X)之在23℃下之拉伸彈性模數E’(23℃)為1×107 Pa~1×1010 Pa； ・要件(β2)：使前述硬化性樹脂薄膜(x)硬化所形成之保護膜(X)之在260℃下之拉伸彈性模數E’(260℃)為1×105 Pa~1×108 Pa； ・要件(β3)：使前述硬化性樹脂薄膜(x)硬化所形成之保護膜(X)在23℃下之厚度(XT )(單位：μm)與前述凸塊之高度(BMh )(單位：μm)滿足下述式(II)
    Figure 03_image003
  2. 如請求項1之保護膜形成用薄片，其中更滿足下述要件(α3a)； ・要件(α3a)：前述凸塊之高度(BMh )與前述凸塊之寬(BMw )滿足下述式(IIIa)
    Figure 03_image005
  3. 如請求項1之保護膜形成用薄片，其中更滿足下述要件(α3b)； ・要件(α3b)：前述凸塊之高度(BMh )與前述凸塊之寬(BMw )滿足下述式(IIIb)
    Figure 03_image007
  4. 如請求項1~3中任一項之保護膜形成用薄片，其中更滿足下述要件(α4)； ・要件(α4)：前述凸塊之高度(BMh )為15μm~300μm。
  5. 如請求項1~4中任一項之保護膜形成用薄片，其中前述支持薄片(Y)為背面研磨膠帶。
  6. 一種附保護膜之半導體晶圓之製造方法，其係包含下述步驟(S1)~(S3)； ・步驟(S1)：準備具有已設置複數凸塊之凸塊形成面之半導體晶圓的步驟； ・步驟(S2)：將如請求項1~5中任一項之保護膜形成用薄片之硬化性樹脂薄膜(x)作為貼附面按壓於前述半導體晶圓之前述凸塊形成面並進行貼附的步驟； ・步驟(S3)：使硬化性樹脂薄膜(x)硬化而形成保護膜(X)的步驟； 其中，前述步驟(S1)準備之前述半導體晶圓滿足下述要件(α1)~(α2)； ・條件(α1)：前述凸塊之寬(BMw )(單位：μm)為20μm~350μm； ・條件(α2)：前述凸塊之節距(BMP )(單位：μm)與前述凸塊之寬(BMw )(單位：μm)滿足下述式(I)
    Figure 03_image009
  7. 一種附保護膜之半導體晶片之製造方法，其係包含下述步驟(T1)~(T2)； ・步驟(T1)：實施如請求項6之製造方法而取得附保護膜之半導體晶圓的步驟； ・步驟(T2)：將前述附保護膜之半導體晶圓予以單片化的步驟。
  8. 一種半導體封裝之製造方法，其係包含下述步驟(U1)~(U2)； ・步驟(U1)：實施如請求項7之製造方法而取得附保護膜之半導體晶片的步驟； ・步驟(U2)：隔著前述凸塊來電連接配線基板與前述附保護膜之半導體晶片的步驟。
  9. 如請求項8之半導體封裝之製造方法，其係更具有步驟(U3)； ・步驟(U3)：在前述配線基板與前述附保護膜之半導體晶片之間填充底部填充材料的步驟。
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