TW202136357A

TW202136357A - 組成物及含有該組成物的發光元件

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Publication number: TW202136357A
Application number: TW109132367A
Authority: TW
Inventors: 石野雄太; 杉山真佑子
Original assignee: 日商住友化學股份有限公司
Priority date: 2019-10-15
Filing date: 2020-09-18
Publication date: 2021-10-01
Also published as: EP4047032A1; JP2021063210A; CN114599719A; WO2021075183A1; KR20220084085A; EP4047032A4

Abstract

本發明之目的在於提供一種組成物，其係可用於製造使用在發光元件之硬化性優異的有機層者。

本發明提供一種組成物、發光元件用膜、以及發光元件，該組成物係包含：具有式(X)所示之構成單元的環狀低分子化合物、及具有與前述環狀低分子化合物相同之式(X)所示之構成單元的高分子化合物，且前述環狀低分子化合物及前述高分子化合物之藉由液相層析法所求得的面積百分率的合計值設為100時，前述環狀低分子化合物之藉由液相層析法所求得之面積百分率的合計值為0.1以上1.5以下。

[式中，a^X1及a^X2分別獨立地表示0以上之整數。Ar^X1及Ar^X3分別獨立地表示伸芳基或2價雜環基等。Ar^X2及Ar^X4分別獨立地表示伸芳基、2價雜環基等。R^X1至R^X5分別獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、芳基等。]

Description

組成物及含有該組成物的發光元件

本發明係關於一種組成物及含有該組成物之發光元件。

有機電致發光元件(以下，亦標記為有機EL元件)等之發光元件係可適宜使用於顯示器及照明之用途。構成發光元件之有機層係可使用包含高分子化合物之組成物而藉由濕式成膜法來形成。該高分子化合物係藉由各種製法來製造，但有時源自於該製法而包含環狀之低分子化合物。使用包含該環狀低分子化合物之高分子化合物而成膜時，因對形成膜造成不良影響等之理由，在高分子化合物中以不包含環狀低分子化合物者為佳。例如，在專利文獻1中記載一種具有經刪減環狀寡聚物等之低分子量成分的預定之重量平均分子量及分散度之共軛聚合物，在專利文獻2記載一種經刪減包含環狀化合物之低分子量成分的高分子量化合物。

[先前技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2009-287000號公報

[專利文獻2]日本特開2005-209626號公報

發光元件之有機層可由多層膜所構成，係使用一種依序塗佈及乾燥包含高分子化合物之溶液的濕式成膜法來形成。其時，在已經形成之膜上塗佈溶液時，若有機物從下部之膜溶析或混入，各膜之功能會喪失，且對發光元件之特性造成不良影響。因此，塗佈及乾燥後之膜係以對溶劑之耐性(亦即，硬化性)高者為佳。惟，上述專利文獻1及2所記載之發光元件係膜之硬化性未必充分。因此，本發明之主要目的在於提供一種組成物，其係可用於製造使用在發光元件之硬化性優異的有機層(膜)。

本發明係提供以下之[1]至[7]。

[1]一種組成物，係包含：具有式(X)所示之構成單元的環狀低分子化合物、及具有與前述環狀低分子化合物相同之式(X)所示之構成單元的高分子化合物，且前述環狀低分子化合物及前述高分子化合物之藉由液相層析法所求得的面積百分率的合計值設為100時，前述環狀低分子化合物之藉由液相層析法所求得之面積百分率的合計值為0.1以上1.5以下。

[式中，

a^X1及a^X2分別獨立地表示0以上之整數；

Ar^X1及Ar^X3分別獨立地表示伸芳基或2價雜環基，此等基可具有取代基；

Ar^X2及Ar^X4分別獨立地表示伸芳基、2價雜環基、或伸芳基與2價雜環基直接鍵結而成的2價基，此等基可具有取代基；Ar^X2及Ar^X4存在複數個時，此等可為相同或相異；

R^X1至R^X5分別獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、芳基、1價雜環基、或包含交聯基之基，此等基可具有取代基；R^X2、R^X3及R^X5存在複數個時，此等可為相同或相異。]

[2]如[1]所述之組成物，其中，前述環狀低分子化合物之分子量為1000至10000。

[3]如[1]或[2]所述之組成物，其係包含：具有前述式(X)所示之構成單元及式(Y)所示之構成單元的環狀低分子化合物、及具有與前述環狀低分子化合物相同之式(X)所示的構成單元及式(Y)所示之構成單元之高分子化合物。

[式中，Ar^Y1表示伸芳基、2價雜環基、或伸芳基與2價雜環基直接鍵結而成之2價基，此等基可具有取代基。]

[4]如[1]至[3]中任一項所述之組成物，其中，前述環狀低分子化合物為式(Z)所示之環狀化合物。

[式中，p表示1至8之整數，q表示0至8之整數，且為3≦p+q≦16；其它記號與前述相同；其中，式(X)所示之構成單元及式(Y)所示之構成單元的鍵結順序並無限定。式(X)所示之構成單元存在複數個時，該構成單元可為相同亦可為相異；式(Y)所示之構成單元存在複數個時，該構成單元可為相同亦可為相異。]

[5]如[1]至[4]中任一項所述之組成物，其更含有選自由電洞輸送材料、電洞注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、發光材料及抗氧化劑所組成之群組中的至少1種。

[6]一種發光元件用膜，係含有[1]至[5]中任一項所述之組成物及/或其硬化物。

[7]一種發光元件，係具有陽極、陰極及有機層，且該發光元件係在前述陽極及前述陰極之間具有前述有機層，前述有機層為[6]所述之發光元件用膜。

若依據本發明，可提供一種組成物，其係可用於形成發光元件中之硬化性優異的有機層(膜)。又，若依據本發明，可提供一種發光元件，其係包含含有該組成物或其硬化物之有機層(膜)。

圖1係在合成例1所得到之混合物A的液相層析法分析之圖表。

圖2係在合成例2所得到之高分子化合物(P2)的液相層析法分析之圖表。

圖3表示使混合物A之液相層析法分析的圖表中之6.0分鐘附近的成分(包含環狀低分子化合物)經MALDI-TOFMS分析之結果。

圖4表示在實施例1至3及比較例1至3使用之組成物中的環狀低分子化合物之含量(面積百分率)與殘膜率之關係的圖表。

以下，詳細說明有關本發明之較佳實施型態。

1.常用術語說明

本說明書中之常用術語如無特別記載，為以下之意義。

Me表示甲基，Et表示乙基，Bu表示丁基，i-Pr表示異丙基，t-Bu表示第三丁基。

氫原子可為重氫原子，亦可為輕氫原子。

表示金屬錯合物之式中、表示與金屬之鍵結的實線係指離子鍵、共價鍵或配位鍵。

所謂「高分子化合物」係指具有分子量分佈，且藉由凝膠滲透層析法(GPC)(聚苯乙烯換算)所求得之重量平均分子量為1×10³至1×10⁸之聚合物。

高分子化合物可為嵌段共聚物、隨機共聚物、交替共聚物、接枝共聚物之任一者，亦可為其它態樣。

高分子化合物係具有鏈狀構造，兩末端基係以具有安定的基為較佳。若在末端基直接殘留聚合活性基，將高分子化合物使用於發光元件之製作時，會有發光特性或亮度壽命降低之情形。高分子化合物之末端基較佳係與主鏈進行共軛鍵結之基，可列舉例如：隔著碳-碳鍵而與高分子化合物之主鏈進行鍵結之芳基(苯基等)或1價雜環基。

所謂「低分子化合物」係指不具有分子量分佈，而分子量為1×10⁴以下之化合物。

所謂「構成單元」係在高分子化合物或低分子化合物中存在1個以上(甚至2個以上)之單元。在高分子化合物或低分子化合物中存在2個以上之構成單元一般被稱為「重複單元」。

「烷基」可為直鏈及分支之任一者。直鏈烷基的碳原子數通常為1至50，較佳係3至30，更佳係4至20。分支烷基的碳原子數通常為3至50，較佳係3至30，更佳係4至20。

「烷基」係可具有取代基，可具有該取代基之烷基係可列舉例如：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、2-丁基、異丁基、第三丁基、戊基、異戊基、2-乙基丁基、己基、庚基、辛基、2-乙基己基、3-丙基庚基、癸基、3,7-二甲基辛基、2-乙基辛基、2-己基癸基、十二烷基、及此等基中的氫原子經環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、氟原子等取代的基(例如，三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基、3-苯基丙基、3-(4-甲基苯基)丙基、3-(3,5-二-己基苯基)丙基、6-乙基氧基己基)。

「環烷基」之碳原子數通常為3至50，較佳係3至30，更佳係4至20。

「環烷基」係可具有取代基，可具有該取代基之環烷基係可列舉例如：環己基、環己基甲基、環己基乙基。

「芳基」係指直接鍵結於由芳香族烴構成環之碳原子上的氫原子經去除1個後殘留之原子團。芳基之碳原子數通常為6至60，較佳係6至20，更佳係6至10。

「芳基」係可具有取代基，可具有該取代基之芳基係可列舉例如：苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、2-茀基、3-茀基、4-茀基、2-苯基苯基、3-苯基苯基、4-苯基苯基、及此等基中的氫原子經烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、氟原子等取代的基。

「烷氧基」可為直鏈及分支之任一者。直鏈烷氧基的碳原子數通常為1至40，較佳係4至10。分支烷氧基的碳原子數通常為3至40，較佳係4至10。

「烷氧基」係可具有取代基，可具有該取代基之烷氧基係可列舉例如：甲氧基、乙氧基、丙基氧基、異丙基氧基、丁基氧基、異丁基氧基、第三丁基氧基、戊基氧基、己基氧基、庚基氧基、辛基氧基、2-乙基己基氧基、壬基氧基、癸基氧基、3,7-二甲基辛基氧基、月桂基氧基、及此等基中之氫原子經環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、氟原子等取代之基。

「環烷氧基」之碳原子數通常係3至40，較佳係4至10。

「環烷氧基」係可具有取代基，可具有該取代基之環烷氧基係可列舉例如：環己基氧基。

「芳氧基」之碳原子數通常係6至60，較佳係6至48。

「芳基氧基」係可具有取代基，可具有該取代基之芳氧基係可列舉例如：苯氧基、1-萘基氧基、2-萘基氧基、1-蒽基氧基、9-蒽基氧基、1-芘基氧基、及此等基中的氫原子經烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、氟原子等取代之基。

所謂「p價雜環基」(p表示1以上之整數，尤其表示1或2。)係指從雜環式化合物，直接鍵結於構成環之碳原子或雜原子上的氫原子之中，去除p個氫原子之所殘留的原子團。p價雜環基之中，從芳香族雜環式化合物，直接鍵結於構成環之碳原子或雜原子上的氫原子之中，去除p個氫原子之殘餘的原子團的「p價芳香族雜環基」為較佳。

「芳香族雜環式化合物」係指噁二唑、噻二唑、噻唑、噁唑、噻吩、吡咯、磷雜茂(phosphole)、呋喃、吡啶、吡嗪、嘧啶、三嗪、嗒嗪(pyridazine)、喹啉、異喹啉、咔唑、二苯并磷雜茂等雜環本身顯示芳香族性之化合物、及啡噁嗪(phenoxazine)、啡噻嗪(phenothiazine)、二苯并硼雜茂、二苯并矽雜茂(dibenzosilole)、苯并吡喃等雜環本身就算不顯示芳香族性，芳香環亦與雜環稠合之化合物。

「1價雜環基」之碳原子數通常係2至60，較佳係4至20。

「1價雜環基」係可具有取代基，可具有該取代基之1價雜環基係可列舉例如：噻吩基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、六氫吡啶基、喹啉基、異喹啉基、嘧啶基、三嗪基、及此等基中的氫原子經烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基等取代的基。

所謂「鹵素原子」表示氟原子、氯原子、溴原子或碘原子。

「胺基」較佳係可具有取代基，以取代胺基為較佳。胺基具有之取代基較佳係烷基、環烷基、芳基或1價雜環基。

取代胺基係可列舉例如：二烷基胺基、二環烷基胺基及二芳基胺基。具體而言，可列舉例如：二甲基胺基、二乙基胺基、二苯基胺基、雙(4-甲基苯基)胺基、雙(4-第三丁基苯基)胺基、雙(3,5-二-第三丁基苯基)胺基。

「烯基」可為直鏈及分支之任一者。直鏈烯基的碳原子數通常係2至30，較佳係3至20。分支烯基的碳原子數通常係3至30，較佳係4至20。

「環烯基」之碳原子數通常係3至30，較佳係4至20。

「烯基」及「環烯基」可具有取代基、可具有該取代基之烯基及環烯基係可列舉例如：乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、3-戊烯基、4-戊烯基、1-己烯基、5-己烯基、7-辛烯基、及此等基具有取代基之基。

「炔基」可為直鏈及分支之任一者。炔基之碳原子數通常係2至20，較佳係3至20。分支之炔基的碳原子數通常係4至30，較佳係4至20。

「環炔基」之碳原子數通常係4至30，較佳係4至20。

「炔基」及「環炔基」可具有取代基，可具有該取代基之炔基及環炔基係可列舉例如：乙炔基、1-丙炔基、2-丙炔基、2-丁炔基、3-丁炔基、3-戊炔基、4-戊炔基、1-己炔基、5-己炔基、及此等基具有取代基之基。

「伸芳基」係指直接鍵結於由芳香族烴構成環之碳原子上的氫原子經去除2個後所殘留的原子團。伸芳基之碳原子數通常係6至60，較佳係6至30，更佳係6至18。

「伸芳基」係可具有取代基，可具有該取代基之伸芳基係可列舉例如：伸苯基、萘二基、蒽二基、菲二基、二氫菲二基、萘二基、茀二基、芘二基、苝二基、苯并菲(chrysene)二基、及此等基具有取代基之基，較佳係式(A-1)至式(A-20)所示之基。伸芳基係包含此等基經複數鍵結之基。

[式中，R及R^a分別獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或1價雜環基。存在複數個之R及R^a係分別可為相同，亦可為相異，R^a彼此間係可互相鍵結，而與分別進行鍵結之原子一起形成環。]

「2價雜環基」之碳原子數通常係2至60，較佳係3至20，更佳係4至15。

「2價雜環基」係可具有取代基，可具有該取代基之2價的雜環基係可列舉例如：直接鍵結於由吡啶、二氮雜苯、三嗪、氮雜萘、二氮雜萘、咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、二苯并矽雜茂、啡噁嗪、啡噻嗪、吖啶、二氫吖啶、呋喃、噻吩、唑、二唑、三唑構成環之碳原子或雜原子上的氫原子之中，去除2個氫原子後的2價基，較佳係式(AA-1)至式(AA-34)所示之基。2價雜環基係包含此等基經複數鍵結之基。

[式中，R及R^a表示與前述相同的意義。]

所謂「交聯基」係藉由供應至加熱處理、紫外線照射處理、近紫外線照射處理、可見光照射處理、紅外線照射處理、自由基反應等，可生成新的鍵結之基。較佳係交聯基A群組之式(XL-1)至式(XL-19)所示之交聯基，更佳係式(XL-1)或式(XL-17)所示之交聯基。

(交聯基A群組)

[式中，

R^XL表示亞甲基、氧原子、硫原子或-CO-，

n^XL表示0至5之整數。R^XL存在複數個時，此等可為相同或相異。存在複數個之n^XL可為相同或相異。

＊1表示鍵結位置。

此等交聯基可具有取代基，該取代基存在複數個時，可互相鍵結而與分別鍵結之碳原子一起形成環。]

又，在式(XL-2)至式(XL-4)中，波浪線表示異構物(較佳係Z體或E體)。波浪線存在複數個時，此等可為相同或相異。

所謂「包含交聯基之基」係可列舉例如：式(1)所示之基。

-L-Y (1)[式中，L表示單鍵、或-(CH₂)-、-O-、-S-、-(CO)-、-(C₆H₄)-、或選自此等之2個以上之基經鍵結而成的2價基。但，-O-彼此間、-S-彼此間、-O-及-S-並不互相直接鍵結。Y表示交聯基。Y存在複數個時，此等可為相同或相異。]

L係可列舉例如：-(CH₂)_m-(m表示0至20之整數)、-(CH₂)_p-(C₆H₄)-(CH₂)_q-(p表示0至10之整數，q表示0至10之整數)、-(CH₂)_r-O-(CH₂)_s-(r表示0至10之整數，s表示0至10之整數)、-(CH₂)_t-(C₆H₄)-O-(CH₂)_u-(t表示0至10之整數，u表示0至10之整數)等。

所謂「取代基」係例如，表示鹵素原子、氰基、烷基、環烷基、芳基、1價雜環基、烷氧基、環烷氧基、芳氧基、胺基、取代胺基、烯基、環烯基、炔基或環炔基。取代基可為包含交聯基之基。

2.組成物

本發明之組成物係包含：具有預定量之式(X)所示的構成單元之環狀低分子化合物、及具有與前述環狀低分子化合物相同之式(X)所示的構成單元之高分子化合物者。使前述環狀低分子化合物及前述高分子化合物之藉由液相層析法所求得的面積百分率之合計值設為100時，前述環狀低分子化合物之藉由液相層析法所求得的面積百分率之合計值為0.1以上1.5以下(例如，可為0.2以上1.5以下，亦可為0.3以上1.4以下)。

在本發明之組成物中所含有的環狀低分子化合物係就上述面積百分率，較佳係0.1以上1.3以下，更佳係0.2以上1.2以下，再更佳係0.2以上1.1以下，特佳係0.4以上1.1以下。若發光元件中之環狀低分子化合物量為該範圍，使用該組成物之發光元件的有機層之硬化性會提高。

(1)高分子化合物

在本發明之組成物中所含有的高分子化合物係具有與前述環狀低分子化合物相同之式(X)所示的構成單元。

在前述高分子化合物中，式(X)所示之構成單元的含有率(莫耳分率)係相對於高分子化合物所含有的構成單元之合計莫耳量，上限值例如為80莫耳%，較佳係70莫耳%，再更佳係60莫耳%，下限值例如為1莫耳%，較佳係10莫耳%，再更佳係30莫耳%。式(X)所示之構成單元係在高分子化合物中可僅含有1種，亦可含有2種以上。

前述高分子化合物係因本實施型態之發光元件的亮度壽命更優異，故更佳係包含式(Y)所示之構成單元。式(Y)所示之構成單元的含有率(莫耳分率)係相對於高分子化合物所含有之構成單元的合計莫耳量，上限值例如為90莫耳%，較佳係80莫耳%，更佳係70莫耳%，下限值例如為0.5莫耳%，較佳係10莫耳%，再更佳係30莫耳%。式(Y)所示之構成單元係在高分子化合物中可僅含有1種，亦可含有2種以上。

前述高分子化合物係可更含有其它構成單元。其它構成單元的含有率(莫耳分率)係相對於高分子化合物所含有之構成單元的合計莫耳量，例如為20莫耳%以下，再更佳係10莫耳%以下。其它構成單元係在高分子化合物中可僅含有1種，亦可含有2種以上。

前述高分子化合物之較佳態樣係可列舉例如：包含式(X)所示之構成單元及式(Y)所示之構成單元的高分子化合物，相對於該高分子化合物所含有之構成單元的合計莫耳量，式(X)所示之構成單元為1至80莫耳%(較佳係30至60莫耳%)，式(Y)所示之構成單元為1至90莫耳%(較佳係30至70莫耳%)，且式(X)所示之構成單元與式(Y)所示之構成單元之莫耳分率之和為70至100莫耳%者。

前述高分子化合物係因可更提高發光元件之有機層(膜)的硬化性，故較佳係具有選自前述交聯基A群組中之至少1種的交聯性基。

又，有關式(X)所示之構成單元、式(Y)所示之構成單元係如後述。

前述高分子化合物可為嵌段共聚物、隨機共聚物、交替共聚物、接枝共聚物之任一者，可為其它之態樣。較佳係使複數種之原料單體進行共聚合之共聚物。

前述高分子化合物藉由GPC(聚苯乙烯換算)求得之重量平均分子量較佳係5×10³至1×10⁷，更佳係1×10⁴至1×10⁶，再更佳係1.5×10⁴至5×10⁵。

<式(X)所示之構成單元>

a^X1係因本實施型態之發光元件的亮度壽命更優異，故較佳係0、1或2，更佳係0或1，再更佳係1。

a^X2係因本實施型態之發光元件的亮度壽命更優異，故較佳係0、1或2，更佳係0。

R^X1至R^X5較佳係烷基、環烷基、芳基、1價雜環基、或由交聯基A群組所表示之交聯基，更佳係芳基或由交聯基A所示之交聯基，此等基可具有取代基。

Ar^X1至Ar^X4所示之「伸芳基」及「2價雜環基」之例及較佳範圍係分別與後述式(Y)中的Ar^Y1所示之「伸芳基」及「2價雜環基」之例及較佳範圍相同。

Ar^X2及Ar^X4所示之「伸芳基與2價雜環基直接鍵結而成的2價基」中之「伸芳基」及「2價雜環基」之例及較佳範圍係分別與後述式(Y)中的Ar^Y1所示之「伸芳基」及「2價雜環基」之例及較佳範圍相同。

Ar^X2及Ar^X4所示之「伸芳基與2價雜環基直接鍵結而成的2價基」係可列舉與後述式(Y)中的Ar^Y1所示之「伸芳基與2價雜環基直接鍵結而成的2價基」為相同者。

Ar^X1至Ar^X4較佳係可具有取代基之伸芳基。

Ar^X1至Ar^X4所示之基可具有的「取代基」之例及較佳範圍係與後述式(Y)中的Ar^Y1所示之基可具有的「取代基」之例及較佳範圍相同。

不含交聯基之式(X)所示的構成單元係可列舉例如：式(X1-1)至式(X1-15)所示之構成單元。

具有交聯基之「Ar^X2-R^X2」及「Ar^X3-R^X4」之構造係可列舉例如：式(3-1)至式(3-30)所示之構造。

具有交聯基之式(X)所示的構成單元係可列舉例如：式(4-1)至式(4-9)所示之構成單元。

<式(Y)所示之構成單元>

式(Y)所示之構成單元係如下述。

[式中，Ar^Y1表示伸芳基、2價雜環基、或伸芳基與2價雜環基直接鍵結而成的2價基，此等基可具有取代基。]

Ar^Y1所示之「伸芳基」係因本實施型態之發光元件的亮度壽命更優異，故較佳係式(A-1)至式(A-10)、式(A-19)或式(A-20)所示之基，更佳係式(A-1)至式(A-3)、式(A-6)-式(A-10)、式(A-19)或式(A-20)所示之基，再更佳係式(A-1)、式(A-2)、式(A-7)、式(A-9)或式(A-19)所示之基。

Ar^Y1所示之「2價雜環基」係本實施型態之發光元件之亮度壽命更優異，故較佳係式(AA-1)-式(AA-4)、式(AA-10)-式(AA-15)、式(AA-18)-式(AA-22)、式(AA- 33)或式(AA-34)所示之基，更佳係式(AA-4)、式(AA-10)、式(AA-12)或式(AA-14)所示之基。

Ar^Y1所示之「伸芳基與2價雜環基直接鍵結而成之2價基」中之「伸芳基」及「2價雜環基」之較佳範圍分別與前述Ar^Y1所示之「伸芳基」及「2價雜環基」之較佳範圍相同。

Ar^Y1所示之「伸芳基與2價雜環基直接鍵結而成之2價基」係可列舉例如：下述式所示之基，此等可具有取代基。

[式中，R^XX表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或1價雜環基，此等基可具有取代基。]

R^XX較佳係烷基、環烷基或芳基，此等基可具有取代基。

Ar^Y1所示之基可具有的「取代基」較佳係烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、1價雜環基、取代胺基、或包含交聯基之基，更佳係烷基、環烷基、芳基或1價雜環基，再更佳係烷基、環烷基或芳基，此等基可更具有取代基。

Ar^Y1所示之基可具有的取代基為可更具有的「取代基」較佳係烷基、環烷基、芳基或1價雜環基，更佳係烷基或環烷基，此等基可更具有取代基，但以不具有取代基為更佳。

式(Y)所示之構成單元係可列舉例如：後述式(Y-1)至式(Y-7)所示之構成單元，從本實施型態之發光元件的亮度壽命之觀點而言，較佳係式(Y-1)或式(Y-2)所示之構成單元，從電子輸送性之觀點而言，較佳係式(Y-3)或式(Y-4)所示之構成單元，從電洞輸送性之觀點而言，較佳係式(Y-5)至式(Y-7)所示之構成單元。

[式中，R^Y1表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基或1價雜環基，此等基可具有取代基。存在複數個R^Y1可為相同或相異，可互相鍵結而與分別鍵結之碳原子一起形成環。

X^Y1表示-C(R^Y2)₂-、-C(R^Y2)=C(R^Y2)-或C(R^Y2)₂-C(R^Y2)₂-所示之基。R^Y2表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、1價雜環基、或包含交聯基之基，此等基可具有取代基。存在複數個R^Y2可為相同或相異，可互相鍵結而與分別鍵結之碳原子一起形成環。]

R^Y1較佳係氫原子、烷基、環烷基或芳基，此等基可具有取代基。

R^Y2較佳係烷基、環烷基、芳基、1價雜環基、或包含交聯基之基，更佳係烷基、環烷基、芳基、或包含交聯基之基，此等基可具有取代基。

R^Y1及R^Y2可具有之取代基之例及較佳範圍係與Ar^Y1所示之基可具有的取代基為可更具有的取代基之例及較佳範圍相同。

在X^Y1中，-C(R^Y2)₂-所示之基中之2個R^Y2之組合較佳係兩者為烷基或環烷基，兩者為芳基，兩者為1價雜環基、或一者為烷基或環烷基，另一者為芳基或1價雜環基，更佳係一者為烷基或環烷基，另一者為芳基，此等基可具有取代基。存在2個R^Y2係可互相鍵結而與分別鍵結之原子一起形成環，R^Y2形成環時，-C(R^Y2)₂-所示之基較佳係式(Y-A1)至式(Y-A5)所示之基，更佳係式(Y-A4)所示之基，此等基可具有取代基。

在X^Y1中，-C(R^Y2)=C(R^Y2)-所示之基中的2個R^Y2之組合較佳係兩者為烷基或環烷基，或，一者為烷基或環烷基，另一者為芳基，此等基可具有取代基。

在X^Y1中，-C(R^Y2)₂-C(R^Y2)₂-所示之基中之4個R^Y2較佳係可具有取代基之烷基或環烷基。複數之R^Y2係可互相鍵結而與分別鍵結之原子一起形成環，R^Y2形成環時，-C(R^Y2)₂-C(R^Y2)₂-所示之基較佳係式(Y-B1)至式(Y-B5)所示之基，更佳係式(Y-B3)所示之基，此等基可具有取代基。

[式中，R^Y2表示與前述為相同的意義。]

式(Y-1)所示之構成單元較佳係式(Y-1')所示之構成單元。式(Y-2)所示之構成單元較佳係式(Y-2')所示之構成單元。

[式中，R^Y1及X^Y1表示與前述相同的意義。R^Y11表示烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基或1價雜環基，此等基可具有取代基。存在複數個R^Y11可為相同或相異。]

R^Y11較佳係烷基、環烷基或芳基，更佳係烷基或環烷基，此等基可具有取代基。

R^Y11為可具有之取代基之例及較佳範圍係與Ar^Y1所示之基可具有的取代基為可更具有的取代基之例及較佳範圍相同。

[式中，R^Y1表示與前述相同的意義。R^Y3表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基或1價雜環基，此等之基係亦可具有取代基。]

R^Y3較佳係烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基或1價雜環基，更佳係芳基，此等基亦可具有取代基。

R^Y3可具有之取代基之例及較佳範圍係與Ar^Y1所示之基可具有之取代基可更具有的取代基之例及較佳範圍相同。

[式中，R^Y1表示與前述相同的意義。R^Y4表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基或1價雜環基，此等基可具有取代基。]

R^Y4較佳係烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基或1價雜環基，更佳係芳基，此等基可具有取代基。

R^Y4可具有之取代基之例及較佳範圍係與Ar^Y1所示之基可具有的取代基可更具有的取代基之例及較佳範圍相同。

式(Y)所示之構成單元係可列舉例如：式(Y-11)至式(Y-55)所示之構成單元。

<其它構成單元>

前述高分子化合物可更含有其它構成單元。該其它構成單元係式(X)所示之構成單元及式(Y)所示之構成單元以外之構成單元，可在發揮本發明之效果的範圍任意地選擇。

<高分子化合物之製造方法>

前述高分子化合物係可使用化學彙總(Chem.Rev.)，第109卷，897-1091頁(2009年)等記載之公知的聚合方法來製造。可列舉例如：Suzuki反應、Yamamoto 反應、Buchwald反應、Stille反應、Negishi反應及Kumada反應等之藉由使用過渡金屬觸媒的偶合反應使其聚合的方法。

聚合所使用的單體係在前述式(X)所示之構成單元、式(Y)所示之構成單元、及其它構成單元等之2個鍵結對象上，具有適於該偶合反應之反應性基的化合物。

在前述聚合方法中，裝填單體之方法係可列舉將單體總量一次裝填於反應系之方法；裝填單體之一部分使其反應之後，將殘留之單體一次連續或分次裝填之方法；將單體連續或分次裝填之方法等。

過渡金屬觸媒係可列舉鈀觸媒、鎳觸媒等。

聚合反應之後處理係可使用公知之方法。例如，藉由分液去除水溶性雜質之方法；在甲醇等低級醇中加入聚合反應後之反應液，而將析出之沈澱過濾後，使其乾燥之方法等；可從此等之中組合1種或2種以上來進行。包含具有交聯基之構成單元的高分子化合物之純度低時，例如，可以再結晶、再沈澱、索氏(Soxhlet)萃取器進行連續萃取、管柱色層分析法等通常的方法進行純化。

(2)環狀低分子化合物

在本發明之組成物所含有的環狀低分子化合物係藉由前述式(X)所示之構成單元直接鍵結、或隔著其它原子、基或構成單元，而進行複數鍵結，成為環狀之化合物。環狀低分子化合物通常係在上述高分子化合物之製造方法中使單體聚合時副生成之化合物。

環狀低分子化合物係含有1種以上式(X)所示之構成單元。包含2種以上式(X)所示之構成單元時，該構成單元可為相同或相異。

環狀低分子化合物較佳係更包含1種以上式(Y)所示之構成單元。包含2種以上式(Y)所示之構成單元時，該構成單元可為相同或相異。

環狀低分子化合物之分子量通常係200至10000，較佳係1000至10000。

環狀低分子化合物較佳係具有式(X)所示之構成單元及式(Y)所示之構成單元的化合物，更佳係由式(X)所示之構成單元及式(Y)所示之構成單元所構成的化合物。

環狀低分子化合物係可列舉例如：下述式(Z)所示之環狀化合物。

[式中，p表示1至8之整數，q表示0至8之整數，為3≦p+q≦16。其它記號與前述相同。在此，式(X)所示之構成單元及式(Y)所示之構成單元的鍵結順序並無限定。式(X)所示之構成單元存在複數個時，該構成單元可為相同或相異。式(Y)所示之構成單元存在複數個時，該構成單元可為相同或相異。]

式(Z)所示之環狀化合物之中，較佳係p為2至8之整數，且，q為2至8之整數的環狀化合物，更佳係p為3至6之整數，且q為3至6之整數之環狀化合物。

此等之環狀低分子化合物之構造分析係例如，可使用以基質輔助雷射脫附游離法的質量分析(MALDI-TOFMS)來實施。

就環狀低分子化合物而言，具體而言，可列舉例如：下述式所示之化合物。

(3)組成物中可含有的其它材料

本發明之組成物係可含有其它材料。就其它材料而言，可列舉例如：電洞輸送材料、電洞注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、發光材料、抗氧化劑。本發明之組成物係可更包含選自由此等所組成的群組中之至少1種材料。

[電洞輸送材料]

電洞輸送材料係分類成低分子化合物與高分子化合物，較佳係具有交聯基之高分子化合物。

高分子化合物係可列舉例如：聚乙烯基咔唑及其衍生物；在側鏈或主鏈具有芳香族胺構造之聚伸芳基及其衍生物。高分子化合物可為富勒烯、四氟四氰醌二甲烷、四氰基乙烯及三硝基茀酮等之鍵結有電子接受性部位的化合物。

在本發明之組成物中，電洞輸送材料之調配量係使前述環狀低分子化合物及前述高分子化合物之合計設為100質量份時，通常，為1至400質量份。電洞輸送材料係可單獨使用一種，亦可併用二種以上。

[電子輸送材料]

電子輸送材料係分類成低分子化合物與高分子化合物。電子輸送材料係可具有交聯基。

低分子化合物係可列舉例如：以8-羥基喹啉作為配位基之金屬錯合物、噁二唑、蒽醌二甲烷、苯醌、萘醌、蒽醌、四氰基蒽醌二甲烷、茀酮、二苯基二氰基乙烯及聯對苯醌(diphenoquinone)、以及此等之衍生物。

高分子化合物係可列舉例如：聚苯、聚茀、及此等之衍生物。高分子化合物係可以金屬摻雜。

本發明之組成物中，電子輸送材料之調配量係使前述環狀低分子化合物及前述高分子化合物之合計設為100質量份時，通常為1至400質量份。電子輸送材料係可一種單獨使用，亦可併用二種以上。

[電洞注入材料及電子注入材料]

電洞注入材料及電子注入材料係分別分類成低分子化合物與高分子化合物。電洞注入材料及電子注入材料係可具有交聯基。

低分子化合物係可列舉例如：銅酞菁等金屬酞菁；碳；鉬、鎢等金屬氧化物；氟化鋰、氟化鈉、氟化銫、氟化鉀等金屬氟化物。

高分子化合物係可列舉例如：聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚伸苯乙烯、聚伸噻吩乙烯、聚喹啉及聚喹喔啉、以及此等之衍生物；在主鏈或側鏈包含芳香族胺構造之聚合物等導電性高分子。

在本發明之組成物中，電洞注入材料及電子注入材料之調配量係分別使前述環狀低分子化合物及前述高分子化合物之合計設為100質量份時，通常為1至400質量份。電洞注入材料及電子注入材料係分別可單獨使用一種，亦可併用二種以上。

[離子摻雜]

電洞注入材料或電子注入材料含有導電性高分子時，導電性高分子之導電度較佳係1×10^-5S/cm至1×10³S/cm。為使導電性高分子之導電度設為如此之範圍，可於導電性高分子摻雜適量之離子。

[發光材料]

發光材料係分類成低分子化合物與高分子化合物。發光材料係可具有交聯基。

低分子化合物係可列舉例如：萘及其衍生物、蒽及其衍生物、苝及其衍生物、以及以銥、鉑或銪作為中心金屬之三重態發光錯合物。

高分子化合物係可列舉例如：伸苯基、萘二基、茀二基、伸菲二基、二氫菲二基、蒽二基及芘二基等伸芳基；從芳香族胺去除2個氫原子而成之基等的芳香族胺殘基；以及咔唑二基、啡噁嗪二基及啡噻嗪二基等之包含2價雜環基的高分子化合物。

三重態發光錯合物係可列舉例如：下列所示之金屬錯合物。

在本發明之組成物中，相對於前述環狀低分子化合物及前述高分子化合物之合計100質量份，發光材料之含量通常為0.1至400質量份。發光材料係可單獨使用一種，亦可併用二種以上。

[抗氧化劑]

抗氧化劑係只要為可溶於與具有交聯基之交聯材料為相同的溶劑，並不阻礙發光及電荷輸送之化合物即可，可列舉例如：酚系抗氧化劑、磷系抗氧化劑。

在本發明之組成物中，相對於前述環狀低分子化合物及前述高分子化合物之合計100質量份，抗氧化劑之調配量通常為0.001至10質量份。抗氧化劑係可單獨使用一種，亦可併用二種以上。

3.組成物中之環狀低分子化合物之分析

分析本發明之組成物所含有的環狀低分子化合物之量的方法係可列舉例如：高速液相層析法、質量分析法。藉由高速液相層析法進行分析之方法係可列舉例如：使本發明之組成物溶解於溶劑，並使該溶液以高速液相層析法進行測定之方法。使組成物溶解的溶劑係可列舉例如：四氫呋喃、甲苯等。

詳細說明定量本發明之組成物所含有的環狀低分子化合物之方法。首先，使本發明之組成物溶解於溶劑。相對於組成物1質量份，溶液中之組成物與溶劑之比通常係溶劑為2000質量份至100質量份。將所得到之組成物的溶液以高速液相層析法進行測定。使用於測定之管柱係可列舉經十八烷基改質之矽膠載體管柱(ODS管柱)。因組成物係包含高分子化合物，故管柱之細孔徑係以80Å至300Å為佳。本發明之組成物所含有的環狀低分子化合物係依據液相層析法之面積百分率算出。

詳細說明液相層析法之測定條件的研究方法。首先，以本發明之組成物中的良溶劑作為移動相而僅以試料溶解溶劑進行測定，記錄源自溶劑之尖峰的保持時間。然後，以同條件測定本發明之組成物，而加總全部尖峰的面積值。其次，在移動相中添加本發明之組成物中的弱溶劑1容積%而進行測定，加總所得到之尖峰的面積值。重複該操作，記錄以液相層析法所得到之尖峰的面積值，相對於移動相為僅良溶劑時之面積值，為減少10%以上時之移動相組成。相對於該移動相組成，以減少移動相之弱溶劑組成1容積%的條件作為使用於環狀低分子化合物之定量的測定條件。在本條件中，接近試料溶解溶劑之尖峰的尖峰為對應於環狀低分子化合物之尖峰。又，組成物之良溶劑係可列舉例如：甲苯、四氫呋喃等，組成物之弱溶劑係可列舉例如：乙腈、甲醇等。

在各尖峰所含有之化合物的構造分析係可分取各尖峰而濃縮溶液，並使用以基質輔助雷射脫附游離法之質量分析(MALDI-TOFMS)來實施。

從如上述方式所測定之液相層析法之結果，可依據下列之式算出環狀低分子化合物之面積百分率。

環狀低分子化合物之面積百分率=環狀低分子化合物之面積值/(環狀低分子化合物之面積值+高分子化合物之面積值)×100

又，在組成物因有時含有複數之環狀低分子化合物，故亦有時會檢測出複數之環狀低分子化合物的尖峰。其時，複數之環狀低分子化合物的全部尖峰面積之總和為相當於環狀低分子化合物之尖峰面積。

4.發光元件用膜

藉由使用本發明之組成物，可形成含有本發明之組成物及/或其硬化物的發光元件用膜。發光元件用膜係例如，可使用來作為發光元件之有機層。發光元件用膜之厚度通常為1nm至10μm。

發光元件用膜係使用含有高分子化合物、環狀低分子化合物及溶劑之組成物(以下，稱為「印墨」。)，例如，可藉由旋轉塗佈法、澆鑄法、微凹版塗佈法、凹版塗佈法、桿塗佈法、輥塗佈法、線棒塗佈法、浸漬塗佈法、噴塗法、網版印刷法、柔版印刷法、平版印刷法、噴墨印刷法、毛細管塗佈法及噴嘴塗佈法等濕式法來製作。印墨之黏度係只要可依據濕式法之種類而調整即可，但較佳係在25℃中為1至20mPa‧s。

印墨所含有之溶劑較佳係可使印墨中之固體成分溶解或均勻地分散之溶劑。在印墨中，相對於前述環狀低分子化合物及前述高分子化合物之合計1質量份，溶劑之使用量通常為10至1000質量份。就溶劑而言，具體而言係可列舉甲苯、二甲苯等芳香族烴溶劑；四氫呋喃、二噁烷等醚溶劑等。

在發光元件用膜之製作中，高分子化合物中所含有之式(X)所示的構成單元及/或式(Y)所示的構成單元具有交聯基時，用以使該高分子化合物交聯之加熱溫度通常為50℃至300℃，更佳係190℃至220℃。加熱之時間通常為1 分鐘至1000分鐘，較佳係40分鐘至80分鐘。又，交聯係可藉由紫外光、近紫外光、可見光等之照射來進行。

5.發光元件

本實施型態之發光元件係具有陽極、陰極、以及設於前述陽極及前述陰極之間且含有前述組成物之有機層的發光元件。有機層係可列舉例如：發光層、電洞輸送層、電洞注入層、電子輸送層、電子注入層。此等之至少1個層為含有本發明之組成物。

含有本發明之組成物的有機層通常係選自由發光層、電洞輸送層、電洞注入層、電子輸送層及電子注入層所組成之群組中的1種以上之層，較佳係電洞輸送層。在此等之層中所含有之材料除了本發明之組成物之外，分別可列舉上述發光材料、電洞輸送材料、電子輸送材料、電洞注入材料及電子注入材料等。

此等有機層係將本發明之組成物、與各別之發光材料、電洞輸送材料、電洞注入材料、電子輸送材料或電子注入材料溶解於上述溶劑中並調製印墨，並使用與上述發光元件用膜的製作為相同的方法來形成。

發光元件係在陽極與陰極之間具有發光層。從電洞注入性及電洞輸送性之觀點而言，本實施型態之發光元件較佳係在陽極與發光層之間具有電洞注入層及電洞輸送層之至少1層，從電子注入性及電子輸送性之觀點而言，較佳係在陰極與發光層之間具有電子注入層及電子輸送層之至少1層。

在本實施型態之發光元件中，發光層、電洞輸送層、電子輸送層、電洞注入層、電子注入層等各層之形成方法通常係使用低分子化合物時，例如，來自粉末之真空蒸鍍法、來自溶液或熔融狀態之成膜所進行的方法，使用高分子化合物時，可列舉例如：來自溶液或熔融狀態之成膜所進行的方法。進行積層之層的順序、數量及厚度係考量發光效率及亮度壽命而進行調整。

積層有此等之有機層(尤其，電洞輸送層、電子輸送層及發光層)係以濕式成膜法形成為較佳。濕式成膜法係將包含有機材料之溶液依序塗佈而形成複數之有機層的方法。惟，在所形成之有機層上塗佈其它溶液時，有機層會溶解於該溶液，或有時有機材料超過層而溶析或混入，有時會對發光元件之特性造成不良影響。為避免此，在該有機材料較佳係具有交聯基。亦即，可使用具有交聯基之有機材料而塗佈形成各層之後，藉由使該交聯基交聯而使該層不溶以提高硬化性，形成發光元件特性優異之有機層。尤其，在本發明之組成物中所含有之高分子化合物係以具有1種以上之交聯基為較佳。

又，在本發明之組成物中係包含高分子化合物以及預定比例之環狀低分子化合物。因此，使用包含該組成物之溶液而以濕式成膜法所形成的有機層(膜)，係成為硬化性提高且耐溶劑性優異者(參照表1之實施例及比較例中之殘膜率)。該理由未必明確清楚，但咸認為係因下列之理由所致者。一般，為提高有機層之殘膜率係必須降低組成物中之分子的運動性。佔有組成物之大多數的鏈狀高分子成分可進行併進運動，相對於此，環狀低分子化合物係容易引起與鏈狀成分之纏結，且運動性低。咸認為藉由在組成物中含有少量之如此運動性低之環狀低分子化合物，引起組成物整體之運動性降低，並提高殘膜率，亦即，會提高膜硬化性。

發光元件中之基板係只要為可形成電極，且形成有機層時無化學性變化之基板即可，例如，由玻璃、塑膠、矽等材料所構成的基板。為不透明的基板時，較佳係離基板最遠之電極為透明或半透明者。

陽極之材料係可列舉例如：導電性之金屬氧化物、半透明之金屬，較佳係氧化銦、氧化鋅、氧化錫；氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅等導電性化合物；銀、鈀與銅之複合體(APC)；NESA、金、鉑、銀、銅。

陰極之材料係可列舉例如：鋰、鈉、鉀、銣、銫、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇、鋁、鋅、銦等金屬；此等中之2種以上之合金；此等中之一種以上、與銀、銅、錳、鈦、鈷、鎳、鎢、錫中之一種以上的合金；以及石墨及石墨層間化合物。合金係可列舉例如：鎂-銀合金、鎂-銦合金、鎂-鋁合金、銦-銀合金、鋰-鋁合金、鋰-鎂合金、鋰-銦合金、鈣-鋁合金。

陽極及陰極係可分別為2層以上之積層構造。

本實施型態之發光元件係例如，可使用於電腦、電視、行動終端機等之顯示器、照明。

[實施例]

以下，藉由實施例而更詳細說明本發明，但本發明係不限定於此等之實施例。

(重量平均分子量之測定)

在實施例中，高分子化合物之聚苯乙烯換算的重量平均分子量(Mw)係在移動相使用四氫呋喃，藉由凝膠滲透層析法(GPC)來求得。

(凝膠滲透層析法(GPC)之條件)

使進行測定之高分子化合物以約0.05質量%之濃度溶解於四氫呋喃，注入於GPC裝置(TOSOH股份有限公司製、商品名：HLC-8320GPC)10μL。移動相係以1.0mL/分鐘之流量流動。管柱係使用PLgel MIXED-B(聚合物Laboratories公司製)。檢測器係使用UV-VIS檢測器(TOSOH股份有限公司製、商品名：UV-8320GPC)。

<合成例1>

使反應容器內設為氮氣體環境之後，將化合物(M1)19.0569g(21.50mmol)、化合物(M2)17.413g(18.94mmol)、化合物(M3)1.788g(3.34mmol)、二氯雙[參(2-甲氧基苯基)膦]鈀5.89mg(0.0068mmol)、及甲苯(569g)混合，加熱至80℃。在所得到之混合物中加入20質量%氫氧化四乙銨水溶液(77.1g)，攪拌3小時，再加入化合物(M1)0.233g(0.26mmol)，並攪拌1小時。其後，於此中加入苯基硼酸(272mg)，再攪拌15小時。

其後，冷卻至室溫(25℃)，將反應液以甲苯(2344g)稀釋，以離子交換水(150g)洗淨。藉由將所得到之甲苯溶液通入混合有氧化鋁及矽膠之管柱來純化。將所得到之甲苯溶液以10質量%鹽酸(150g)、3質量%氨水(150g)、離子交換水(150g)之順序，分別各洗淨2次，藉由通入混合有氧化鋁及矽膠之管柱來純化。

將所得到之甲苯溶液滴入4.5倍量之甲醇中，攪拌1小時之後，濾取所得到之固體，並使其乾燥，以獲得高分子化合物(P1)與環狀低分子化合物1之混合物A(27.8g)。

混合物A之聚苯乙烯換算的重量平均分子量為1.07×10⁵。從後述(環狀低分子化合物之定量)之項所記載的液相層析法之結果(圖1)，混合物A所含有之環狀低分子化合物1的量(面積百分率)為8.0%。

又，對於環狀低分子化合物1，依據後述(環狀低分子化合物之定量)的項，實施構造分析的結果，確認出下述式所示之化合物。此等化合物係對應於圖3之結果。又，下述式中，(M1’)表示從屬於原料之化合物(M1)去除2個反應性基(-B(pin))的2價基，(M2’)表示從屬於原料之化合物(M2)去除2個溴原子的2價基，(M3’)表示從屬於原料之化合物(M3)去除2個溴原子的2價基。

<合成例2>

使合成例1所得到之混合物A(8.0g)溶解於甲苯，調製1.0質量%溶液(800g)。將該溶液滴入3200g之乙酸乙酯中，再攪拌2.5小時後，靜置，使高分子化合物沈澱。進行傾析，去除取得上清液後，在所得到之沈澱中加入500g之甲苯，使其再溶解。將所得到之甲苯溶液滴入2600g之甲醇溶液中，再攪拌40分鐘後，濾取所得到之固體，使其乾燥，獲得高分子化合物(P2)(5.6g)。

高分子化合物(P2)之聚苯乙烯換算的重量平均分子量為1.34×10⁵。從後述(環狀低分子化合物之定量)之項所記載的液相層析法之結果(圖2)，環狀低分子化合物係在反應系中未被檢測出。

(環狀低分子化合物之定量)

分別在合成例1所得到之混合物A、及合成例2所得到之高分子化合物(P2)中所含有的環狀低分子化合物1之定量係依下列之方法實施。

(步驟1)

秤量試料(混合物A或高分子化合物(P2))5mg，使其溶解於5mL之四氫呋喃。在室溫(25℃)下靜置直到看不到固體成分為止而使試料溶解。

(步驟2)

依以下之條件實施試料溶液之液相層析法測定。

‧液相層析法裝置：島津製作所股份有限公司 LC-20A系列

‧移動相：四氫呋喃/乙腈=76/24(容積%)

‧管柱：GL Science股份有限公司製 Inertsil ODS WP300 4.6mm×250mm

‧測定溫度：35℃

‧檢測器：島津製作所股份有限公司 SPD-20A 365nm

‧流量：0.5mL/分鐘

混合物A之主要成分的尖峰係出現在4.0分鐘附近，溶劑溶析之時間的6.0分鐘附近亦出現小的尖峰。分取各尖峰而濃縮溶液後，實施使用以基質輔助雷射脫附游離法之質量分析(MALDI-TOFMS)而進行構造分析，確認出4.0分鐘附近之尖峰係高分子化合物(P1)，6.0分鐘附近之尖峰係複數之環狀低分子化合物1。具體而言，分取圖1之混合物A的液相層析法之圖表中的6.0分鐘附近之成分而將經MALDI-TOFMS分析之結果呈示於圖3中。

對於高分子化合物(P2)亦同樣地經構造分析，結果，4.0分鐘附近之尖峰係高分子化合物(P2)，由環狀低分子化合物所構成的尖峰係未被確認出(圖2)。

從液相層析法之結果依下列之式計算環狀低分子化合物之面積百分率。環狀低分子化合物及高分子化合物之面積在圖1中，使用LC分析軟體(LabSolutions、島津製作所股份有限公司製)而求出。對於尖峰重疊之部分的處理，以尖峰與尖峰之間的極小點進行垂直分割而求出面積值、面積百分率。

<實施例1至3、比較例1至3>殘膜率之評價

依據國際公開第2016/047536號之[0458]至[0463]記載的方法而進行殘膜率之評估。以預定之比(質量%)混合在合成例1所得到之混合物A與在合成例2所得到之高分子化合物(P2)，評估殘膜率。將結果呈示於表1及圖4中。

[表1]

從表1及圖4之結果，可看到環狀低分子化合物成為預定之比時殘膜率會提高，故膜之硬化性提高。

[產業上之利用性]

藉由使用本發明之組成物，可在發光元件中形成硬化性優異之有機層。

Claims

一種組成物，係包含：具有式(X)所示之構成單元的環狀低分子化合物、及具有與前述環狀低分子化合物相同之式(X)所示之構成單元的高分子化合物，且使前述環狀低分子化合物及前述高分子化合物之藉由液相層析法所求得的面積百分率的合計值設為100時，前述環狀低分子化合物之藉由液相層析法所求得之面積百分率的合計值為0.1以上1.5以下；

式中，

a^X1及a^X2分別獨立地表示0以上之整數；

Ar^X1及Ar^X3分別獨立地表示伸芳基或2價雜環基，此等基可具有取代基；

Ar^X2及Ar^X4分別獨立地表示伸芳基、2價雜環基、或伸芳基與2價雜環基直接鍵結而成的2價基，此等基可具有取代基；Ar^X2及Ar^X4存在複數個時，此等可為相同或相異；

R^X1至R^X5分別獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、芳基、1價雜環基、或包含交聯基之基，此等基可具有取代基；R^X2、R^X3及R^X5存在複數個時，此等可為相同或相異。
如請求項1所述之組成物，其中，前述環狀低分子化合物之分子量為1000至10000。
如請求項1或2所述之組成物，其係包含：具有前述式(X)所示之構成單元及式(Y)所示之構成單元的環狀低分子化合物、及具有與前述環狀低分子化合物相同之式(X)所示的構成單元及式(Y)所示之構成單元之高分子化合物；

式中，Ar^Y1表示伸芳基、2價雜環基、或伸芳基與2價雜環基直接鍵結而成之2價基，此等基可具有取代基。
如請求項1至3中任一項所述之組成物，其中，前述環狀低分子化合物為式(Z)所示之環狀化合物；

式中，p表示1至8之整數，q表示0至8之整數，且為3≦p+q≦16；其它記號與前述相同；其中，式(X)所示之構成單元及式(Y)所示之構成單元的鍵結順序並無限定；式(X)所示之構成單元存在複數個時，該構成單元可為相同亦可為相異；式(Y)所示之構成單元存在複數個時，該構成單元可為相同亦可為相異。
如請求項1至4中任一項所述之組成物，其更含有選自由電洞輸送材料、電洞注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、發光材料及抗氧化劑所組成之群組中的至少1種。
一種發光元件用膜，係含有請求項1至5中任一項所述之組成物及/或其硬化物。
一種發光元件，係具有陽極、陰極及有機層，且該發光元件係在前述陽極及前述陰極之間具有前述有機層，前述有機層為請求項6所述之發光元件用膜。