TW202134451A - 箔基材的真空熱處理裝置、箔基材的熱處理方法 - Google Patents

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黒川好徳
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Abstract

本發明提供一種：能以高處理精度，對「由金屬箔所形成的基材」連續地執行熱處理之箔基材的真空熱處理裝置、箔基材的熱處理方法。真空熱處理裝置(1)具備：真空艙室、捲出軸(12)、捲取軸(46)、至少表背一對(表裡一對)的加熱機構(22)、至少基材的表背一對(表裡一對)第1冷卻機構(23)。箔基材(W)，在真空艙室內被搬送於「從捲出軸(12)到捲取軸(46)」的處理路徑。加熱機構(22)，在箔基材(W)的處理路徑中，分別配置成面向箔基材(W)的表面及背面，而加熱箔基材(W)。第1冷卻機構(23)，在前述處理路徑中，在比加熱機構(22)更捲取軸(46)側，分別配置成面向箔基材(W)的表面及背面，而冷卻箔基材(W)。

Description

箔基材的真空熱處理裝置、箔基材的熱處理方法
本發明關於：對箔基材實施熱處理之箔基材的真空熱處理裝置、箔基材的熱處理方法。
傳統上，不鏽鋼、銅、鋁之類的基底金屬(base metal)；白金和金、銀之類的貴金屬；鈦和鎳之類的稀有金屬(rare metal)等的各種金屬箔，用於各式各樣的領域。已知有熱處理裝置，以這種金屬箔之表面的清淨化和改質作為目的。
在專利文獻1中揭示：鈦等反應性高的金屬，在批次式(batch type)真空爐中接受輝面退火(bright annealing)等之熱處理的技術。在該技術中，為了防止在加熱處理中從爐壁等所放出之排氣(outgas)的影響而使還原作用低落，將爐內維持成數Pa程度的壓力，並使Ar等惰性氣體或者還原氣體流動於「圍繞被處理物的反射器(reflector)」內，同時加熱被處理物。
此外，在專利文獻2中揭示：為了排除於「鈦箔的成形加工時」引起損傷的表面影響層，以不會對表面造成損傷的方式去除表面影響層的技術。這些鈦箔的表面影響層，也包含：未觀察到因氧化著色而變色的表面影響層(由氧、氮、碳、氫等所形成的表面硬化層)、鈦箔於冷壓延時與壓延潤滑油之間的反應層。在該技術中，在以硝酸-氫氟酸(nitric-hydrofluoric acid)水溶液酸洗溶解去除後，在批次式真空爐以1E-2 Pa以下的真空環境(氧、氮的環境回壓)執行輝面退火，可藉由從鈦箔去除壓延油的影響層，可獲得「鏽皮(scale)也控制為一定量以下」的退火鈦製品。
除此之外，在專利文獻3中，為了抑制因「鈦箔與氧、氮、氫等之間的反應」而產生之表面的鏽皮，在調整成氧含有量0.07%以下、露點-15℃以下的Ar等之惰性環境的爐內，使箔連續地通過並加熱、保溫為780℃以上，既能防止因表面反應物的生成所導致的著色和脆化，又能在執行大粒徑化與退火處理而形成適合加工的硬度後，藉由持續將Ar噴吹於箔形成冷卻，可對箔的捲料(coil)執行連續處理。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本實開昭52-33609號公報 [專利文獻2]日本特開昭60-238465號公報 [專利文獻3]日本特開昭53-60310號公報
在專利文獻1至專利文獻3所記載的技術中，相對於由金屬箔所形成的基材，很難以高處理精度連續地執行熱處理。在採用專利文獻1所記載的技術，對捲繞之捲料狀的金屬箔執行特定熱處理的場合中，由於箔被捲入捲繞的捲料內，而具有以下的問題：在捲料的內部，由於箔本身所釋放之排氣的影響、和爐的加熱對溫度分布的影響，而具有容易在捲料內，特別是寬度方向產生部分的處理狀態的不一致性(nonuniformity)。
同樣地，即使在專利文獻2所記載的技術中，也和專利文獻1相同，具有：對應於捲繞捲料內的位置，產生處理不一致性的問題。此外，為了去除專利文獻2所記載的壓延殘留油，採用了濕式處理(酸洗去除處理)，在真空條件下難以連續地處理。
除此之外，在專利文獻3所記載的技術中，如同專利文獻1、2降低了批次處理中的不一致性問題，另外大氣壓條件中Ar氣體的純度具有限度，難以執行需要「清淨且低濃度的雜質條件」的熱處理。
本發明的目的在於：提供一種能以高處理精度，對「由金屬箔所形成的基材」連續地執行熱處理之箔基材的真空熱處理裝置、箔基材的熱處理方法。
本發明所提供的發明，是箔基材的真空熱處理裝置，具備：真空艙室，具有內部空間；真空泵，用來使前述內部空間形成真空狀態；捲出軸，配置於前述內部空間，保持已捲繞成捲料狀的箔基材，並可將前述箔基材捲出；捲取軸，配置於前述內部空間，捲取「從前述捲出軸捲出，且已通過前述內部空間內之特定處理路徑」的前述箔基材；至少表背一對的加熱機構，在前述處理路徑中，分別配置成面向前述箔基材的表面及背面，用來加熱前述箔基材；至少表背一對的第1冷卻機構，在前述處理路徑中，比前述加熱機構更位於前述捲取軸側，分別配置成面向前述箔基材的前述表面及前述背面，用來冷卻前述箔基材。
此外，本發明所提供的發明，是箔基材的熱處理方法，具備：將「可保持已捲繞成捲料狀的箔基材，並將前述箔基材捲出」的捲出軸、與「捲取從前述捲出軸捲出，且已通過前述內部空間內之特定處理路徑的前述箔基材」的捲取軸，配置於具有內部空間的真空艙室；使前述內部空間形成真空狀態；將前述箔基材從前述捲出軸連續地送出，並藉由「在前述處理路徑中，分別配置成面向前述箔基材的表面及背面」的至少表背一對的加熱機構，加熱前述箔基材；藉由「在前述處理路徑中，比前述加熱機構更位於前述捲取軸側，分別配置成面向前述箔基材的前述表面及前述背面」的至少表背一對冷卻機構，冷卻前述箔基材；將經冷卻的前述箔基材捲取於前述捲取軸。
以下，參考圖面說明本發明之其中一種實施形態的真空熱處理裝置1。圖1，為本發明其中一種實施形態之真空熱處理裝置1的示意剖面圖。圖2，為本發明其中一種實施形態的真空熱處理裝置1之捲出室10的示意剖面圖。圖3，為本發明其中一種實施形態的真空熱處理裝置1之熱處理室20的示意剖面圖。圖4，為本發明其中一種實施形態的真空熱處理裝置1之冷卻室30的示意剖面圖。圖5，為本發明其中一種實施形態的真空熱處理裝置1之捲取室40的示意剖面圖。
真空熱處理裝置1，沿著水平方向搬送箔基材(金屬箔)，同時對箔基材執行熱處理。在其他的實施形態中，真空熱處理裝置1，也可以是沿著垂直方向搬送箔基材，同時對箔基材執行熱處理的縱型爐。
真空熱處理裝置1具備：捲出室10(UW(Un Wind)室)、熱處理室20、冷卻室30(GC室)、捲取室40(RW(Re Wind)室)、控制部50(圖2)。捲出室10、熱處理室20、冷卻室30及捲取室40彼此連通，構成具有內部空間之本發明的真空艙室(真空容器)。在各室的連通部，配置有圖面未顯示的O型環，氣密性受到保持。
在本實施形態中，採用：鈦箔之類的箔基材W在已捲繞於筒狀芯的捲料狀態(箔捲料WR、圖2)下插入捲出室10內，在真空環境下依序搬送並於接受熱處理(譬如，退火)後，再度捲繞之捲對捲(roll-to-roll)的批次處理方式。箔基材W，從捲出室10之後述的捲出軸12(圖2)捲出，通過前述內部空間內的特定處理路徑，由捲取室40之後述的捲取軸46(圖5)所捲取。由於對箔基材W的處理，是在真空環境內連續地執行，因此可高度地維持處理的再現性及穩定性。箔捲料WR(母材捲料)的捲繞量(捲繞徑)越大，批次處理量增大，可提高產性。
如同圖1、圖2所示，捲出室10具備：捲出框體11(真空艙室)、捲出軸12、張力調節輥子13、測力計輥子14、張力輥子(bridle roller)15、測力計輥子16、氣體供給部17、第1驅動部18。
捲出框體11，由略呈矩形的形狀所形成，並構成前述真空艙室的一部分。捲出框體11具有開閉壁11A。開閉壁11A，在圖2中如箭號所示，形成可朝左右方向(水平方向)移動(可開閉)，開放或者封閉捲出框體11的內部空間。作業者，在捲出框體11的內部以大氣環境開放的狀態下，開放開閉壁11A，對捲出框體11的內部裝卸箔捲料WR。此外，捲出框體11，具有圖面未顯示之可開閉的前門(front door)，作業者可通過該前門進入捲出框體11的內部，可使箔基材W通過各輥子、和執行捲出框體11內的維修保養。捲出框體11具有捲出室的出口側S。
捲出軸12，由捲出框體11支承成可轉動。捲出軸12，是由第1驅動部18所轉動驅動。捲出軸12，配置於捲出框體11的內部空間，保持箔捲料WR(捲繞成捲料狀的箔基材W)，並可將箔基材W捲出。
如圖2所示，已從捲出軸12捲出的箔基材W，由張力調節輥子13、測力計輥子14、張力輥子15、測力計輥子16依序導引後，從「在捲出框體11形成開口」的捲出室的出口側S搬入後續的熱處理室20。張力調節輥子13具有一定的圍包角(wrap angle)，且具有可變更箔基材W之搬送方向的功能。張力調節輥子13，並非受到驅動，而是以箔基材W的搬送力形成轉動(從動轉動)。即使是稍後所述的其他張力調節輥子也相同。
測力計輥子14，由捲出框體11支承成可轉動。測力計輥子14，與張力調節輥子13相同，從動於箔基材W而轉動。在測力計輥子14的兩端部，具備圖面中未顯示的測力計，該測力計輸出「對應於箔基材W之張力」的訊號。該訊號輸入後述的控制部50。即使是稍後所述的其他測力計輥子也相同。
張力輥子15，是由第1輥子151、第2輥子152及第3輥子153共3個輥子所構成。這種張力輥子15之箔基材W的圍包角受到充分的確保，可發現充分的抓取力(grip force)。第1輥子151、第2輥子152及第3輥子153，藉由橡膠襯片等將輥子表面的磨擦係數設高而由控制部50所控制驅動，可藉由摩擦抓取力，使箔基材W不會滑動地產生「箔基材W之捲出軸12側與張力輥子15的後段側之間的張力差」。其結果，在張力輥子15可削減箔基材W的張力，相較於張力輥子15的更上游側(測力計輥子14側)，可降低「較張力輥子15更下游側(測力計輥子16)之箔基材W的張力」。張力輥子15，是由第1驅動部18所轉動驅動。
測力計輥子16，被配置於張力輥子15與熱處理室的入口側(捲出室的出口側)S之間，將箔基材W朝熱處理室20送出，並且將對應於箔基材W之張力的訊號輸出至控制部50。
第1驅動部18產生：用來轉動驅動捲出軸12及張力輥子15的驅動力。第1驅動部18，包含圖面未顯示的馬達和齒輪機構。
控制部50，控制氣體供給部17及第1驅動部18的動作。此外，控制部50，對應從測力計輥子14及測力計輥子16輸入的訊號，控制張力輥子15的轉動速度。
如同圖1、圖3所示，熱處理室20，連通至前述的捲出室10，並對箔基材W實施特定的熱處理。如圖1所示，熱處理室20，具有加熱區P、輻射冷卻區Q，對箔基材W實施加熱處理及輻射冷卻處理。因此，熱處理室20具有：熱處理框體21(真空艙室)、上下複數對的加熱器22(至少箔基材W之表背一對的加熱機構)、上下複數對的冷卻面板23(至少箔基材W之表背一對的第1冷卻機構)、冷卻系統24(輔助冷卻機構)、真空泵25。
氣體供給部17，從捲出室10的捲出框體11對熱處理室20供給氮N2 和氧O2 等的反應性氣體。在本實施形態中，氣體供給部17，在熱處理室的入口側(捲出室的出口側)S的附近，沿著與「箔基材W送出方向」交叉(正交)的方向，供給前述反應性氣體(請參考圖2的箭號)。由於捲出室10所供給的氣體由熱處理室20的真空泵25所排出(排氣)，因此捲出室10的壓力高於熱處理室20的壓力，氣體的流動形成從捲出室10朝向熱處理室20，該反應性氣體達成作為「封閉熱處理室之入口側(捲出室的出口側)S」之氣簾(air curtain)的作用，能抑制「含有雜質的氣體」從熱處理室20流入捲出室10。
熱處理框體21，由略呈矩形的形狀所形成，並構成前述真空艙室的一部分。在熱處理框體21的下表面部，固定有左右一對(左右成對)的腳部211。熱處理框體21，具有熱處理室的入口側S、熱處理室的出口側T。箔基材W，通過熱處理室的入口側(捲出室的出口側)S而搬入熱處理框體21的內部空間，並通過熱處理室的出口側(冷卻室的入口側)T而從熱處理框體21的內部空間搬出。如圖1、圖3所示，箔基材W在熱處理框體21內沿著水平方向搬送。此時，在本實施形態中，並未在熱處理框體21內配置「接觸箔基材W的輥子構件」，而是由配置於捲出室10及冷卻室30的輥子所導引，而執行箔基材W的搬送。熱處理框體21，具有可開閉的上蓋21A，搬運箱和維修保養的作業者，可藉由開放上蓋21A，而對熱處理框體21內進行處理。
上下複數對的加熱器22，在真空處理裝置1的前述處理路徑中，分別配置成面向箔基材W的上表面(背面)及下表面(表面)，而加熱箔基材W。各加熱器22，對應由控制部50輸入的訊號而加熱。舉例來說，在不鏽鋼材之輝面退火處理的場合中，箔基材W由加熱器22加熱至800℃至1000℃的範圍。為了加熱部的保溫，加熱器22的背面(加熱器22中，箔基材W的相反側)，配置有圖面中未顯示，用來遮斷加熱器之熱量的反射器板或水冷面板。此外，加熱器22，除了上下一對(上下成對)，亦可採分別面向箔基材W之一對側面的方式，更進一步具備側邊一對的加熱器22。在該場合中，各加熱器22在剖面中構成四角形，且配置成圍繞箔基材W。不僅如此，在加熱器22與箔基材W之間，為了使溫度分布更平均，亦可配置「由具有熱傳導性的板子所形成」的均熱板。
上下複數對的冷卻面板23，在真空處理裝置1的前述處理路徑中，在較加熱器22更靠捲取軸46(圖5)側，分別配置成面向箔基材W的上表面(背面)及下表面(背面)，而對箔基材W形成冷卻輻射。面向箔基材W的冷卻面板23具有：由銅板形成的面板基材；形成於該面板基材中面向箔基材W的表面側，具有較前述面板基材(銅板)更高之放射率的表面層(氧化鋯(Zirconia)層)。在本實施形態中，將具有耐熱性及高放射率的氧化鋯熱噴塗於面板基材，而實現表面層。就其中一種例子而言，箔基材W，藉由被冷卻面板23所輻射冷卻，而冷卻至約400℃以下的溫度領域。此外，冷卻面板23，除了上下一對(上下成對)，亦可採分別面向箔基材W之一對側面的方式，更進一步具備側邊一對的冷卻面板23。在該場合中，各冷卻面板23在剖面中構成四角形，且配置成圍繞箔基材W。
冷卻系統24，藉由使冷卻水循環於上下複數對的冷卻面板23，而冷卻各冷卻面板23。具體地說，使冷卻水循環於「軟焊(soldering)於冷卻面板23的冷卻水管241」內。熱處理框體21，由於箔基材的搬送方向上變長，為了易於製造，亦可分割加熱器部與冷卻面板部。該冷卻面板23、冷卻系統24，構成本發明的第1冷卻機構。
真空泵25，從熱處理框體21通過開口，使彼此連通的捲出室10、冷卻室30及捲取室40的內部空間形成真空狀態。真空泵25，可採用低、中度真空用的乾式泵(dry pump)、或高度真空用的渦輪分子泵(turbomolecular pump)等。真空泵25具有以下的功能：在真空熱處理裝置1的抽真空(evacuation)和後述的氣體供給時，將真空熱處理裝置1的內部空間維持特定處理壓力的排氣功能。即使是稍後所述的其他真空泵也相同。
如同圖1、圖4所示，冷卻室30，連通至含有前述第1冷卻機構的熱處理室20，在捲取前對箔基材W更進一步進行冷卻。冷卻室30，配置於熱處理室20與捲取室40之間。冷卻室30具有：導熱框體31(真空艙室)、張力調節輥子32、張力調節輥子33、水冷輥子34(冷卻輥子、第2冷卻機構)、張力調節輥子35、分隔壁部36(分隔壁體、第2冷卻機構)、第2驅動部37、氣體供給部17、導熱氣體供給單元38(導熱氣體供給部、第2冷卻機構)。圖4所示的形態，相當於在圖1中追加本發明之分隔壁體的實施形態。本發明的第2冷卻機構，如稍後所述，可以由水冷輥子34所構成、亦可由水冷輥子34及分隔壁部36所構成。
導熱框體31，由略呈矩形的形狀所形成，並構成前述真空艙室的一部分。導熱框體31具有：冷卻室入口側(熱處理室出口側)T、冷卻室出口側(捲取室入口側)U。箔基材W，通過冷卻室入口側(熱處理室出口側)T而搬入導熱框體31的內部空間，並通過冷卻室出口側(捲取室入口側)U而從導熱框體31的內部空間搬出。此外，導熱框體31，具有圖面未顯示之可開閉的前門及後門，作業者可通過這些門進入或者接近導熱框體31內。
張力調節輥子32由3個輥子所形成。張力調節輥子33，將已通過張力調節輥子32的箔基材W朝水冷輥子34導引。水冷輥子34，具有用來支承「箔基材W的前述表面及前述背面之其中一個面」的外周面，朝特定的轉動方向轉動，導引箔基材W並冷卻箔基材W。在水冷輥子34的內部，形成有圖面中未顯示的冷卻水路，藉由冷卻水循環於該水路，水冷輥子34從內周側受到冷卻。本構造(水冷輥子34)，構成本發明的第2冷卻機構。
張力調節輥子35，將「沿著水冷輥子34的外周面所搬送的箔基材W」朝冷卻室出口側(捲取室入口側)U導引。第2驅動部37產生：用來轉動驅動水冷輥子34的驅動力。第2驅動部37由控制部50所控制。
分隔壁部36，在與「箔基材W的前述表面及前述背面中的前述其中一個面」相反的另一面具有：在水冷輥子34的徑向，隔著特定的間隙空間對向配置之圓筒狀的內周面。分隔壁部36具有：第1分隔壁塊361(第1分隔壁部)、第2分隔壁塊362(第2分隔壁部)、複數個車輪363。
第1分隔壁塊361含有：在左右方向(與水冷輥子34的軸方向正交的水平方向)的其中一側，構成分隔壁部36之前述內周面局部的第1內周面36S。第1分隔壁塊361，為了使分隔壁部36與水冷輥子34之間的前述空間擴張或收縮，而形成可相對於水冷輥子34沿著左右方向移動。因此，在第1分隔壁塊361的下表面部，配置有可在導熱框體31之底面部上滾動的複數個車輪363。
第2分隔壁塊362含有：在左右方向中，於第1分隔壁塊361之內周面36S的相反側，構成分隔壁部36之內周面局部的第2內周面36S。第2分隔壁塊362，為了使分隔壁部36與水冷輥子34之間的前述空間擴張或收縮，而形成可相對於水冷輥子34沿著左右方向(水平方向)移動。因此，在第2分隔壁塊362的下表面部，也配置有可在導熱框體31之底面部上滾動的複數個車輪363。藉由使分隔壁部36朝左右方向移動，能容易地接近水冷輥子表面，可執行水冷輥子之清掃等的維修保養。
導熱氣體供給單元38，對分隔壁部36的前述內周面與箔基材W的前述另一面之間的前述間隙空間，供給適當的特定導熱氣體。在本實施形態中，導熱氣體供給單元38，供給高純度Ar氣體作為導熱氣體。其結果，箔基材W受到氣體導熱冷卻至200℃以下，最好為100℃以下。導熱氣體供給單元38之導熱氣體的供給量，由控制部50所控制。
水冷輥子34、分隔壁部36及導熱氣體供給單元38，為本發明的第2冷卻機構，且構成強化了其冷卻效果的型態。該第2冷卻機構，在真空熱處理裝置1的前述處理路徑中，配置在較冷卻面板23更靠近捲取軸46側，以接觸導熱及氣體導熱的效果，冷卻箔基材W。在第2冷卻機構中，即使是「不具有分隔壁部36及導熱氣體供給單元38，將箔基材W捲繞於水冷輥子34並搬送」的形態，也能藉由水冷輥子34與箔基材W之間的接觸導熱所產生的冷卻，而獲得一定的冷卻效果。
氣體供給部17，從冷卻室30對熱處理室20供給氮N2 和氧O2 等的反應性氣體。在本實施形態中，氣體供給部17，在冷卻室入口側T的附近，沿著與「箔基材W搬入方向」交叉(正交)的方向，供給前述反應性氣體(請參考圖4的箭號)。由於從冷卻室30所供給的氣體，由熱處理室20的真空泵25所排出(排氣)，因此熱處理室20的壓力，低於冷卻室30的壓力。因此，氣體的流動，從冷卻室30朝向熱處理室20，，該反應性氣體達成作為「封閉氣體導熱冷卻室入口側T之氣簾」的作用，能抑制「含有雜質的氣體」從熱處理室20流入冷卻室30、捲取室40。
如圖1、圖5所示，捲取室40具備：捲取框體41(真空艙室)、張力調節輥子42、張力輥子43、測力計輥子44、張力調節輥子45、捲取軸46、第3驅動部48。
捲取框體41，由略呈矩形的形狀所形成，並構成前述真空艙室的一部分。捲取框體41具有開閉壁41A。開閉壁41A，在圖5中如箭號所示，形成可朝左右方向(水平方向)移動(可開閉)，開放或者封閉捲取框體41的內部空間。作業者，在捲取框體41的內部以大氣環境開放的狀態下，開放開閉壁41A，從捲取框體41的內部取出處理材的箔捲料WR。此外，捲取框體41，具有圖面未顯示之可開閉的前門，作業者可通過該前門進入捲取框體41的內部，可使箔基材W通過各輥子、和執行捲取框體41內的維修保養。捲取框體41，具有捲取室入口側(氣體導熱室出口側)U。
張力調節輥子42，將「從捲取室入口側(氣體導熱室出口側)U搬入的箔基材W」朝張力輥子43導引。
張力輥子43，是由第1輥子431、第2輥子432及第3輥子433共3個輥子所構成。這種張力輥子43之箔基材W的圍包角受到充分的確保，可發現充分的抓取力。第1輥子431、第2輥子432及第3輥子433，藉由橡膠襯片等將輥子表面的磨擦係數設高而由控制部50所控制驅動，可藉由摩擦抓取力，使箔基材W不會滑動地產生「到張力輥子43為止之箔基材W的張力」與「從張力輥子43到捲取軸46側為止之箔基材W的張力」之間的張力差。其結果，在張力輥子43可削減箔基材W的張力，相較於張力輥子43的更下游側(測力計輥子44側)，可降低「較張力輥子43更上游側(張力調節輥子42側)之箔基材W的張力」。張力輥子43，是由後述的第3驅動部48所轉動驅動。
張力調節輥子45，將「已通過張力輥子43的箔基材W」朝捲取軸46導引。
捲取軸46，由捲取框體41支承成可轉動。捲取軸46，是由第3驅動部48所轉動驅動。捲取軸46，被配置於捲取框體41的內部空間，用來捲取「從捲出軸12捲出，且通過真空熱處理裝置1的內部空間內之特定處理路徑」的箔基材W。
第3驅動部48產生：用來轉動驅動張力輥子43及捲取軸46的驅動力。第3驅動部48，包含圖面未顯示的馬達和齒輪機構。
前述的控制部50，控制第3驅動部48的動作。此外，控制部50，對應從測力計輥子44輸入的訊號，控制張力輥子43的轉動速度。
＜真空熱處理裝置1中箔基材W的加熱處理＞ 如以上所述，在本實施形態中，真空熱處理裝置1的真空艙室內之箔基材W的搬送，是由輥子搬送系統所實現。箔基材W，從「已安裝了處理前之捲料(箔捲料WR)的捲出軸12(UW(UnWind)軸)」捲出，並連續地搬送，並且在加熱區P經熱處理後，於輻射冷卻區Q受到冷卻。不僅如此，在冷卻室30受到冷卻的箔基材W，在捲取軸46(RW(ReWind)軸)再次捲繞成捲料狀。在箔基材W之處理路徑的特定位置，配置有「具有一定圍包角，用來改變箔基材W之搬送路徑」的各張力調節輥子。為了穩定地捲出、捲取箔基材W，有必要對箔基材W施加特定的張力。另外，當對箔基材W執行熱處理時，最好不要對箔基材W施加過度的張力。因此，捲出側及捲取側的高張力、與用來執行熱處理(加熱、冷卻)的低張力，可藉由將各測力計輥子所偵測的張力反饋至控制部50而調整。其結果，如圖1所示，將熱處理室20及冷卻室30，設定於對箔基材W的張力相對較低的低張力領域LTA，並將捲出室10及捲取室40，設定於對箔基材W的張力相對較高的高張力領域HTA。
更詳細地說，譬如在不鏽鋼材的輝面退火等熱處理中，箔基材W的溫度形成800~1000℃的高溫，由於箔基材W的強度下降，故不必對箔基材W施加高張力。另外，當以低張力捲取箔基材W時，於捲料產生鬆弛現象，而在箔基材W產生彎折或蛇行之類的問題。因此，箔基材W的捲取預先以高張力確實地捲取，為了穩定地捲出該箔基材W，在捲出軸側最好也以高張力捲出，至少在熱處理區(加熱區P、輻射冷卻區Q及冷卻室30)的入口，有必要以低張力搬送。因此，在真空熱處理裝置1，於前述熱處理區的前後配置前述張力輥子，可降低箔基材W的張力。
在以低張力搬送的加熱區P，各加熱器22配置成從上下包夾箔基材W，在輻射冷卻區Q，各冷卻面板23配置成從上下包夾箔基材W。箔基材W，搬送的同時進行加熱，而升溫至「因應箔基材W的特性和必要之處理的溫度(譬如不鏽鋼材的輝面退火，需要800~1000℃左右)」，並於執行了熱處理後，在後續的輻射冷卻區Q進行搬送的同時，實施輻射冷卻，而冷卻至約400℃以下的溫度。在這樣的高溫領域中，箔基材W的強度變低而容易變形，此外，用來支承各輥子的軸承構造，也容易受到高溫的影響。因此，如圖2所示，在這些處理區並未配置輥子，箔基材W以通過空中之所謂「跨距(span)處理」狀態執行搬送處理。
除此之外，已冷卻至約400℃以下的箔基材W，從熱處理室20的輻射冷卻區Q，搬送至「含有水冷輥子34及分隔壁部36」的冷卻室30，執行以下的冷卻：與水冷輥子34的外周面之間的接觸導熱所形成的冷卻；及對水冷輥子34與分隔壁部36之間的空間，供給高純度Ar氣體作為導熱氣體，由氣體導熱所形成的冷卻。其結果，將箔基材W充分冷卻至「不易在處理結束的箔捲料WR產生星型屈曲，芯也不會損傷」的100℃以下，箔基材W可由捲取軸46穩定地捲取，並能抑制捲取室40之捲取軸46的損傷。
為了確保冷卻室30內之箔基材W的冷卻搬送長度，水冷輥子34形成大徑。此外，配置成面向水冷輥子34之外周面的分隔壁部36具有：在和水冷輥子34的外周面之間，可形成狹小空間(間隙)之已水冷的第1分隔壁塊361及第2分隔壁塊362。第1分隔壁塊361及第2分隔壁塊362，在水冷輥子34的左右(水平)配置成可分割，在各個分隔壁塊配置有車輪363，並且在導熱框體31的底面部配置有圖面中未顯示的軌道。其結果，由於作業者能容易地使分隔壁部36沿著水平方向移動，因此在水冷輥子34能容易地執行：堵塞之箔基材W的處理、和擦拭等的維修保養處理。
雖然希望水冷輥子34與分隔壁部36之間的間隙越窄越好，但是在箔基材W因熱處理而變形的場合中，分隔壁部36的內周面36S與箔基材W有產生干涉的可能，在箔基材W的寬度方向外側，於箔基材W不會通過的非通過領域，前述間隙最好設定為0.3mm左右，在箔基材W通過的通過領域，前述間隙最好大於非通過領域，而設定為2mm左右。其結果，可抑制導熱氣體從間隙空間的洩漏量，能使冷卻箔基材W的分隔壁性能形成實用等級。
如以上所述，在本實施形態中，在真空熱處理裝置1的內部空間，藉由連續地捲出箔基材W並搬送，可使箔基材W暴露於真空空間。因此，可將被捲入箔捲料WR內的殘留氣體、或吸附於箔基材W表面的水分和油等去除(排氣)。傳統上以大氣環境處理箔基材W的裝置中，形成惰性環境的Ar氣體供給裝置，即使是昂貴且高純度的六個9(99.9999%)的氣體，1ppm左右之雜質濃度為其極限。在本實施形態的真空熱處理裝置中，可以在「箔基材W充分暴露於真空」的狀態下熱處理。由於大氣壓為1E5 (Pa)，0.1(Pa)的真空環境與1ppm之雜質濃度的環境相等，只要使本真空環境更進一步形成1E-4 (Pa)程度的高真空環境，雜質濃度可更進一步減少，可在比ppb更高純度環境下熱處理。此外，由於在「搬送中的箔基材W被擴張成帶狀」的狀態下，加熱器22配置成面向箔基材W的表背(表面及背面)，因此能更有效率地加熱箔基材W。其結果，在箔基材W之面方向中溫度分布變小，能抑制箔基材W的熱處理不一致性。此外，由於冷卻面板23配置成面向搬送中之箔基材W的表背，因此能更有效率地從表背冷卻箔基材W。
在真空環境中對箔基材W實施譬如800~1000℃的高溫熱處理後，在真空環境內搬送並捲取箔基材W的場合，高溫條件下輻射導熱具有主導性。此外，在箔基材W的溫度為400℃左右的高溫領域，利用輻射冷卻進行箔基材W的冷卻。話雖如此，在箔基材W的溫度為400℃以下的領域，特別是在250℃以下的低溫領域中，輻射冷卻效率大幅地下降，僅以輻射冷卻難以使箔基材W的溫度下降。
此外，倘若箔基材W保持250℃以上並由捲取軸46捲取複數次，捲取軸46的溫度將逐漸上升而形成250℃以上，有時捲取軸46周邊的構件、特別是耐熱性低的構件(真空密封構件等)將受到損傷。除此之外，由於捲取軸46的初期溫度為常溫，因捲繞250℃以上的箔基材W，使得捲取軸46的溫度緩緩地上升。因此，已捲繞於捲取軸46之箔捲料WR的內周側部分形成後期收縮(after-shrinkage)，高溫的外周側形成屈曲(buckling)亦即所謂的星型屈曲，因此使箔基材W損傷，容易產生捲取的問題。倘若用來捲曲箔基材W的金屬芯，也在已捲繞有箔基材W的狀態下進行冷卻，將容易產生以下的問題：對芯形成緊箍而對芯造成損傷、或因屈曲變形而形成破壞。在本實施形態中，能抑制這樣的問題。
不僅如此，在本實施形態中，在輻射冷卻區Q與捲取軸46之間具備：具有分隔壁構造的冷卻室30。然後，將不會與箔基材W形成反應之高純度的惰性氣體、或者非反應氣體供給至水冷輥子34與分隔壁部36之間，使箔基材W受到氣體導熱冷卻，藉此，即能抑制前述氣體與箔基材W之間的不必要反應，又能將箔基材W冷卻至100℃以下並捲取。因此，可避免上述之周邊構件的耐久性問題，並抑制箔基材W的星型屈曲，能避免芯損傷。
如先前所述，既使在以「不具有分隔壁，僅具有水冷輥子34的冷卻室」來取代冷卻室30的場合中，由於存在對水冷輥子34的接觸導熱，某種程度上也能促進箔基材W的冷卻。在該場合中，只要是比較低速的搬送條件，可在箔基材W更進一步冷卻後，捲取於捲曲軸46，可降低捲取軸46的周邊構件於溫度上的耐久性問題，並能抑制箔基材W之星型屈曲的發生。
此外，在本實施形態中，對輻射冷卻區Q之冷卻面板23的表面，施行「提高放射率」的表面處理。因此，能提高冷卻面板23的輻射冷卻效率，可縮短輻射冷卻區Q的長度，或者使通過輻射冷卻區Q後之箔基材W的冷卻到達溫度形成更低溫。在前者的場合中，能使真空熱處理裝置1的真空艙室形成小型化，並實現真空熱處理裝置1之設置面積的縮小、和真空熱處理裝置1的成本下降。另外，在後者的場合中，由於輻射冷卻區Q後之冷卻室30的冷卻負擔減少，因此可縮小水冷輥子34的輥子徑(=氣體冷卻長度)，使冷卻室30小型化，結果可實現真空熱處理裝置1的小型化與成本下降。此外，藉由將冷卻系統24(水冷式輔助冷卻機構)連接於複數個冷卻面板23，能抑制冷卻面板23的溫度上升，可以長時間穩定地冷卻箔基材W。在該場合中，能實現長時間的穩定運轉。
此外，在本實施形態中，由於分隔壁部36含有第1分隔壁塊361及第2分隔壁塊362，因此可容易地分割分隔壁部36。因此，即使箔基材W纏繞於水冷輥子34的場合，藉由開放分隔壁部36的內部使作業者能容易地進入，因而容易實現：去除已纏繞的箔基材W、和水冷輥子34之清掃等的維修保養。
此外，在本實施形態中，真空熱處理裝置1的前述真空艙室具備：捲出室10，於內部具有捲出軸12；熱處理室20，連通於前述捲出室10，並且於內部具有前述至少表背一對的加熱器22及前述至少表背一對的冷卻面板23；冷卻室30，連通於前述熱處理室20，並且於內部具有水冷輥子34、分隔壁部36；捲取室40，連通於前述冷卻室30，並且於內部具有捲取軸46。根據這樣的構造，箔基材W的捲出、箔基材W的加熱及輻射冷卻、箔基材W的接觸導熱冷卻及氣體導熱冷卻、箔基材W的捲取等的各種處理，分別可在各自的處理室中實現。亦可依據「基於與冷卻速度間之平衡」的搬送速度，如先前所述地配置「在內部不具有分隔壁，僅具有水冷輥子34」的冷卻室，來取代冷卻室30。此外，亦可不具備用來構成第2冷卻機構的冷卻室30，而配置成：捲取室40直接連通於熱處理室20。
此外，在本實施形態中，為了使至少熱處理室20中之箔基材W的張力，小於捲出室10及捲取室40中之箔基材W的張力，真空熱處理裝置1具備：將箔基材W的張力分離，並且支承箔基材W的張力輥子15(圖2)及張力輥子43(圖5)(皆為張力分離機構)。根據這樣的構造，當接受熱處理時不會對箔基材W作用大量的張力，除了能抑制箔基材W形成變形、損傷，箔基材W的捲出、捲取，能以大的張力穩定捲取。因此，在熱處理室20中作用了大量的張力，因為大幅的蠕變和塑性變形而難以確保箔基材W之平整性的情形受到抑制。
除此之外，在本實施形態中，張力輥子15及張力輥子43，為了使冷卻室30中之箔基材W的張力，小於捲出室10及捲取室40中之箔基材W的張力，而對箔基材W進行張力控制。根據這樣的構造，當箔基材W藉由接觸導熱冷卻及氣體導熱冷卻而受到冷卻時，不會對箔基材W作用大量的張力，能抑制「箔基材W在冷卻輥子上的縮小滑動」所導致之箔基材W的損傷。
此外，本實施形態之箔基材W的熱處理方法，具備： 在具有內部空間的真空艙室配置：捲出軸12，用來保持已捲繞成捲料狀的箔基材W，並容許前述箔基材W的捲出；捲取軸46，用來捲取「從前述捲出軸12捲出，且通過前述內部空間內之特定處理路徑」的前述箔基材W； 使前述內部空間形成真空狀態； 從前述捲出軸12連續地送出前述箔基材W，並藉由在前述處理路徑中，分別配置成面向前述箔基材W的表面及背面之至少表背一對的加熱器22，對前述箔基材W進行加熱； 藉由在前述處理路徑中，於較前述加熱器22更前述捲取軸46側，分別配置成面向前述箔基材W的前述表面及前述背面之至少表背一對的冷卻面板23，對前述箔基材W進行冷卻； 將已冷卻的前述箔基材W捲取於前述捲取軸46。
根據這種箔基材W的熱處理方法，藉由在真空熱處理裝置內部的真空空間連續地捲出箔基材W並搬送，可使箔基材W暴露於真空。因此，可將被捲入捲料狀之箔基材W(箔捲料WR)內的殘留氣體、或吸附於箔基材W表面的水分和油等去除(排氣)。此外，由於箔基材W在真空環境中受到處理，故可在雜質濃度低、高純度的環境下執行熱處理。不僅如此，由於至少表背一對的加熱器22配置成面向搬送中之箔基材W的表背，因此能更有效率地從表背加熱箔基材W。其結果，在箔基材W之面方向中溫度分布變小，能抑制箔基材W的熱處理不一致性。如此一來，提供一種能以高處理精度，對「由金屬箔所形成的基材」連續地執行熱處理之箔基材W的熱處理方法。
更進一步具備：在前述表背一對的冷卻機構的下游側，藉由將前述箔基材W捲附於特定的水冷輥子，而更進一步以接觸導熱來冷卻前述箔基材W，最好將該經進一步冷卻的前述箔基材W捲取於前述捲取軸46。
此外，最好更進一步具備：設置「用來在與前述水冷輥子的外周面之間，形成特定間隙空間」的分隔壁，並藉由對該間隙空間供給氣體，而對前述箔基材W執行氣體導熱冷卻。
雖然在上述的實施形態中，說明了於真空熱處理裝置1的熱處理室20中，對箔基材W實施輝面退火處理的樣態，但本發明並不侷限於此。亦可對箔基材W實施輝面退火處理以外的處理。舉例來說，亦可將本發明的真空熱處理裝置1，作為以下所述的真空張力退火(vacuum tension annealing)裝置利用：在較大氣壓更清淨的真空環境下，執行與「在大氣壓下處理箔的連續輝面退火處理爐」相同的加熱處理，而改善平坦度。此外，除了退火處理以外，亦可作為滲氮(nitriding)處理裝置，以高真空背壓(high vacuum back pressure)在雜質少的真空環境中，供給雜質少的高純度氮氣，並以特定壓力、特定溫度對箔基材連續實施滲氮處理。此外，亦可作為氧化處理裝置，同樣地供給氧並執行處理。
以上，雖然說明了本發明其中一種實施形態的真空熱處理裝置1及箔基材W的熱處理方法，但本發明並不侷限於這些形態，也可以是以下的變形實施形態。
(1)圖6為本發明的第1變形實施形態之真空熱處理裝置1A的示意剖面圖。本變形實施形態的真空熱處理裝置1A，裝置整體形成小型化，適合對小徑(少量)的箔基材W熱處理的場合。如圖6所示，箔基材W的捲出、捲取及熱處理(加熱、輻射冷卻、接觸導熱冷卻、氣體導熱冷卻)，集中配置於1個真空艙室。以下，以「與先前所述的實施形態的差異點」作為中心進行說明。
真空熱處理裝置1A具備：框體60、捲出軸61、張力調節輥子62、測力計輥子63、張力調節輥子64、張力調節輥子65、複數個加熱器66(至少表背一對的加熱機構)、複數個水冷面板67(至少表背一對的第1冷卻機構)、張力調節輥子68、水冷輥子69(第2冷卻機構、冷卻輥子)、分隔壁70(第2冷卻機構、分隔壁體)、夾持輥子(nip roller)單元71、測力計輥子72、張力調節輥子73、捲取軸74、真空泵75。在圖6的真空熱處理裝置1A中，也具備和先前所述的實施形態相同的導熱氣體供給單元38(圖4)，對水冷輥子69與分隔壁70之間的空間，供給導熱氣體。
框體60，構成本變形實施形態中的真空艙室。框體60的內部空間，由真空泵75形成真空吸引。在框體60的左右，具備大型的門(請參考開閉門60A)，倘若該門開放，便可將箔捲料WR安裝於捲出軸61，並從捲取軸74搬出處理後的捲料。
本變形實施形態的真空熱處理裝置1A，適合用於小徑的箔捲料WR。因此，由於星型屈曲等捲取上的問題不易產生，因此為了捲出、捲取而作用於箔基材W的張力，相較於先前所述的實施形態，即使更低亦無妨。因此，先前所述之實施形態的張力輥子15、張力輥子43並非必要，捲出、捲取時之箔基材W的張力；與熱處理之箔基材W的張力，是以幾乎相同的張力運轉。另外，在這種箔基材W以低張力搬送的場合中，為了在「箔基材W的搬送速度受到控制的水冷輥子69」抑制箔基材W的滑動，水冷輥子69之中，在箔基材W的溫度已充分下降之分隔壁70的下游側，設有夾持輥子單元71，該夾持輥子單元71含有已安裝橡膠襯片的夾持輥子(施加壓附壓力的張力調節輥子)。
已從捲出軸61捲出的箔基材W，由張力調節輥子62、測力計輥子63變更軌道，並在被牽引至框體60的上部後，在框體60的右側部從上方搬送至下方。在此，透過分別面向箔基材W之表面、背面的加熱器66(加熱區)及水冷面板67(輻射冷卻區)，對箔基材W實施加熱處理及輻射冷卻處理。在此之後，將箔基材W搬送至水冷輥子69與分隔壁70之間，在和水冷輥子69之間形成接觸導熱冷卻，更進一步透過高純度Ar的導熱氣體形成氣體導熱冷卻，而由捲取軸74所捲取。如此一來，藉由箔基材W受到氣體導熱冷卻，在捲取軸74周邊，由於箔基材W已冷卻至100℃以下，因此前述之捲取軸74的耐熱問題也受到抑制。
(2)此外，圖7為本發明的第2變形實施形態之真空熱處理裝置1的示意剖面圖。雖然在圖1所示之先前的實施形態中，採用「真空泵25連通於熱處理室20之熱處理框體21」的樣態進行了說明，但是本發明並不侷限於此。亦可如圖7所示，成為以下的樣態：使渦輪分子泵19連通於捲出室10，並使渦輪分子泵19也連通於捲取室40，藉此使真空熱處理裝置1的內部空間形成高真空(high vacuum)。在此，在從冷卻室之熱處理室出口側(氣體導熱冷卻室入口側)T附近的氣體供給部17大量地供給惰性氣體氬(argon)，同時從冷卻室入口側(捲取室出口側)U附近的氣體供給部17供給氮的形態中，能使熱處理室形成惰性環境(inert atmosphere)，同時使捲取室形成滲氮環境。如此一來，可以將渦輪分子泵19配置於其他的處理室，藉由變更「氣體供給之配置的組合」與「排氣之配置的組合」，而控制各室的反應環境。
如以上所述，本發明所提供的發明，是箔基材的真空熱處理裝置，具備：真空艙室，具有內部空間；真空泵，用來使前述內部空間形成真空狀態；捲出軸，配置於前述內部空間，保持已捲繞成捲料狀的箔基材，並可將前述箔基材捲出；捲取軸，配置於前述內部空間，捲取「從前述捲出軸捲出，且已通過前述內部空間內之特定處理路徑」的前述箔基材；至少表背一對的加熱機構，在前述處理路徑中，分別配置成面向前述箔基材的表面及背面，用來加熱前述箔基材；至少表背一對的第1冷卻機構，在前述處理路徑中，比前述加熱機構更位於前述捲取軸側，分別配置成面向前述箔基材的前述表面及前述背面，用來冷卻前述箔基材。
根據本構造，藉由在真空熱處理裝置的內部空間連續地捲出箔基材並搬送，可使箔基材暴露於真空空間。因此，可將被捲入捲料狀之箔基材內的殘留氣體、或吸附於箔基材表面的水分和油等去除(排氣)。此外，由於箔基材在真空環境中受到處理，故可在雜質濃度低、高純度的環境下執行熱處理。不僅如此，由於至少表背一對的加熱機構配置成面向搬送中之箔基材的表背，因此能更有效率地從表背加熱箔基材。其結果，在箔基材之面方向中溫度分布變小，能抑制箔基材的熱處理不一致性。如此一來，提供一種能以高處理精度，對「由金屬箔所形成的基材」連續地執行熱處理之箔基材的真空熱處理裝置。
在上述的構造中，最好更進一步具備「在前述處理路徑中，配置在較前述第1冷卻機構更前述捲取軸側，用來冷卻前述箔基材」的第2冷卻機構，前述第2冷卻機構具有冷卻輥子，該冷卻輥子具有用來支承「前述箔基材的前述表面及前述背面中之其中一面」的外周面，且朝特定轉動方向轉動，用來導引前述箔基材，並冷卻前述箔基材。
根據本構造，藉由在第2冷卻機構具有冷卻輥子，能更進一步冷卻並捲取箔基材。因此，可降低捲取軸周邊構件之溫度上的耐久性問題，並抑制箔基材的星型屈曲、和因基材收縮而引發之基材芯的損傷。
在上述的構造中，前述第2冷卻機構，最好更進一步具備：分隔壁體，在與「前述箔基材的前述表面及前述背面中的前述其中一面」相反的另一面，具有「在前述水冷輥子的徑向，隔著特定的間隙空間對向配置」的內周面；導熱氣體供給部，對「前述分隔壁體的前述內周面」與「前述箔基材的前述另一面」之間的前述間隙空間，供給特定的導熱氣體。
根據本構造，將不會與箔基材形成反應之高純度的惰性氣體、或者非反應氣體供給至水冷輥子與分隔壁體之間的空間，使箔基材受到氣體導熱冷卻，藉此，即能抑制前述氣體與箔基材之間的不必要反應，又能將更進一步冷卻箔基材並捲取。因此，可更進一步降低捲取軸周邊構件之溫度上的耐久性問題，並更進一步抑制箔基材的星型屈曲、和因基材收縮而引發之基材芯的損傷。
在上述的構造中，前述分隔壁體最好具有：第1分隔壁部，含有「在與前述冷卻輥子的軸方向正交之水平的方向的其中一側，構成前述內周面之一部分」的第1內周面，為了前述間隙空間的擴張、收縮，可相對於前述冷卻輥子而沿著前述水平的方向移動；第2分隔壁部，含有「相對於前述冷卻輥子，在前述水平的方向中，於前述第1內周面的相反側，構成前述內周面之一部分」的第2內周面，為了前述間隙空間的擴張、收縮，可相對於前述冷卻輥子而沿著前述水平的方向移動。
根據本構造，由於分隔壁體含有第1分隔壁部及第2分隔壁部，因此能容易地分割分隔壁體而形成開放。因此，即使箔基材纏繞於水冷輥子的場合，藉由開放分隔壁體的內部使作業者能容易地進入，因而容易實現：去除已纏繞的箔基材、和水冷輥子之清掃等的維修保養。
在上述的構造中，前述至少表背一對的第1冷卻機構，最好分別是由「具有面向前述箔基材之表面的冷卻面板」所形成。
根據本構造，由於至少表背一對的第1冷卻機構的冷卻面板配置成面向搬送中之箔基材的表背，因此能有效率地從表背冷卻箔基材。
在上述的構造中，前述冷卻面板最好具有：面板基材；表面層，形成於前述面板基材的表面，具有較前述面板基材更高的放射率。
根據本構造，能提高冷卻面板的輻射冷卻效率，可縮短配置有第1冷卻機構之輻射冷卻區的長度，或者使通過輻射冷卻區後之箔基材的冷卻到達溫度形成更低溫。
在上述的構造中，最好更進一步具備：用來冷卻前述冷卻面板的冷卻機構。
根據本構造，藉由將冷卻機構連接於冷卻面板，能抑制冷卻面板的溫度上升，即使長時間運轉也能穩定，並且有效率地冷卻箔基材。
在上述的構造中，前述真空艙室最好具備：捲出室，在內部具有前述捲出軸；熱處理室，連通於前述捲出室，在內部具有前述至少表背一對的加熱機構及前述至少表背一對的第1冷卻機構；捲取室，連通於前述熱處理室，在內部具有前述捲取軸。
根據本構造，箔基材的捲出、箔基材的加熱及輻射冷卻、箔基材的捲取等的各種處理，分別可在各自的處理室中穩定地實現。
在上述的構造中，最好更進一步具備「在前述處理路徑中，配置在較前述第1冷卻機構更前述捲取軸側，用來冷卻前述箔基材」的第2冷卻機構，前述第2冷卻機構具有冷卻輥子，該冷卻輥子具有用來支承「前述箔基材的前述表面及前述背面中之其中一面」的外周面，且朝特定轉動方向轉動，用來導引前述箔基材，並冷卻前述箔基材。此外，亦可形成具備冷卻室(真空艙室)的構造，該冷卻室(真空艙室)配置於前述熱處理室與前述捲取室之間，並在內部具有前述第2冷卻機構。
根據本構造，即使在箔基材的低溫領域，也能更進一步冷卻，能更穩定地實現箔基材的捲取。
在上述的構造中，前述第2冷卻機構，最好更進一步具備：分隔壁體，在與「前述箔基材的前述表面及前述背面中的前述其中一面」相反的另一面，具有「在前述水冷輥子的徑向，隔著特定的間隙空間對向配置」的內周面；導熱氣體供給部，對「前述分隔壁體的前述內周面」與「前述箔基材的前述另一面」之間的前述間隙空間，供給特定的導熱氣體。
根據本構造，箔基材的氣體導熱冷卻變得可能，能穩定地實現箔基材的冷卻及捲取。
在上述的構造中，為了使至少前述熱處理室中之前述箔基材的張力，小於前述捲出室及前述捲取室中之前述箔基材的張力，最好具備：支承前述箔基材的張力分離機構。
根據本構造，當接受熱處理時不會對箔基材作用大量的張力，除了能抑制箔基材形成變形、損傷之外，能以大張力穩定地實現箔基材的捲出、捲取。
另外，為了使至少前述熱處理室中之前述箔基材的張力，小於前述捲出室及前述捲取室中之前述箔基材的張力，更進一步具備：支承前述箔基材的張力分離機構，前述張力分離機構，為了更進一步使前述冷卻室中之前述箔基材的張力，小於前述捲出室及前述捲取室中之前述箔基材的張力，亦可支承前述箔基材。
根據本構造，當箔基材在冷卻區域中受到冷卻時，不會對箔基材作用大量的張力，能抑制箔基材的變形、損傷。
本發明之箔基材的熱處理方法，具備：將「可保持已捲繞成捲料狀的箔基材，並將前述箔基材捲出」的捲出軸、與「捲取從前述捲出軸捲出，且已通過前述內部空間內之特定處理路徑的前述箔基材」的捲取軸，配置於具有內部空間的真空艙室；使前述內部空間形成真空狀態；將前述箔基材從前述捲出軸連續地送出，並藉由「在前述處理路徑中，分別配置成面向前述箔基材的表面及背面」的至少表背一對的加熱機構，加熱前述箔基材；藉由「在前述處理路徑中，比前述加熱機構更位於前述捲取軸側，分別配置成面向前述箔基材的前述表面及前述背面」的至少表背一對冷卻機構，冷卻前述箔基材；將經冷卻的前述箔基材捲取於前述捲取軸。
根據本方法，藉由在真空熱處理裝置的內部空間連續地捲出箔基材並搬送，可使箔基材暴露於真空空間。因此，可將被捲入捲料狀之箔基材內的殘留氣體、或吸附於箔基材表面的水分和油等去除(排氣)。此外，由於箔基材在真空環境中受到處理，故可在雜質濃度低、高純度的環境下執行熱處理。不僅如此，由於至少表背一對的加熱機構配置成面向搬送中之箔基材的表背，因此能更有效率地從表背加熱箔基材。其結果，在箔基材之面方向中溫度分布變小，能抑制箔基材的熱處理不一致性。如此一來，提供一種能以高處理精度，對「由金屬箔所形成的基材」連續地執行熱處理之箔基材的熱處理方法。
在上述的構造中，最好更進一步具備：在前述表背一對的冷卻機構的下游側，藉由將前述箔基材捲附於特定的水冷輥子，而冷卻前述箔基材，並將該經進一步冷卻的前述箔基材捲取於前述捲取軸。
此外，在上述的構造中，最好更進一步具備：設置用來「在與前述水冷輥子的外周面之間，形成特定間隙空間」的分隔壁，並藉由對該間隙空間供給氣體，而對前述箔基材執行氣體導熱冷卻。
根據本發明，可提供一種：能以高處理精度，對「由金屬箔所形成的基材」連續地執行熱處理之箔基材的真空熱處理裝置、箔基材的熱處理方法。
P:加熱區 Q:輻射冷卻區 S:捲出室的出口側(熱處理室的入口側) T:熱處理室的出口側(冷卻室的入口側) U:冷卻室出口側(捲取室入口側、氣體導熱室出口側) W:箔基材 WR:箔捲料 HTA:高張力領域 LTA:低張力領域 1,1A:真空熱處理裝置 10:捲出室 11:捲出框體 11A:開閉壁 12:捲出軸 13:張力調節輥子 14:測力計輥子 15:張力輥子 16:測力計輥子 17:氣體供給部 18:第1驅動部 19:渦輪分子泵 20:熱處理室 21:熱處理框體 21A:上蓋 22:加熱器(加熱機構) 23:冷卻面板(第1冷卻機構) 24:冷卻系統 25:真空泵 30:冷卻室 31:導熱框體 32:張力調節輥子 33:張力調節輥子 34:水冷輥子(冷卻輥子) 35:張力調節輥子 36:分隔壁部(分隔壁體) 36S:內周面(第1內周面、第2內周面) 37:第2驅動部 38:導熱氣體供給單元(導熱氣體供給部) 40:捲取室 41:捲取框體 41A:開閉壁 42:張力調節輥子 43:張力輥子 44:測力計輥子 45:張力調節輥子 46:捲取軸 48:第3驅動部 50:控制部 60:框體 60A:開閉壁 61:捲出軸 62:張力調節輥子 63:測力計輥子 64:張力調節輥子 65:張力調節輥子 66:加熱器 67:水冷面板 68:張力調節輥子 69:水冷輥子 70:分隔壁 71:夾持輥子單元 72:測力計輥子 73:張力調節輥子 74:捲取軸 75:真空泵 151:第1輥子 152:第2輥子 153:第3輥子 211:腳部 241:冷卻水管 361:第1分隔壁塊(第1分隔壁部) 362:第2分隔壁塊(第2分隔壁部) 363:車輪 431:第1輥子 432:第2輥子 433:第3輥子
[圖1]：為本發明其中一種實施形態之真空熱處理裝置的示意剖面圖。 [圖2]：為本發明其中一種實施形態的真空熱處理裝置之捲出室的示意剖面圖。 [圖3]：為本發明其中一種實施形態的真空熱處理裝置之熱處理室的示意剖面圖。 [圖4]：為本發明其中一種實施形態的真空熱處理裝置之氣體導熱冷卻室的示意剖面圖。 [圖5]：為本發明其中一種實施形態的真空熱處理裝置之捲取室的示意剖面圖。 [圖6]：為本發明的第1變形實施形態之真空熱處理裝置的示意剖面圖。 [圖7]：為本發明的第2變形實施形態之真空熱處理裝置的示意剖面圖。
1:真空熱處理裝置
10:捲出室
12:捲出軸
17:氣體供給部
20:熱處理室
22:加熱器(加熱機構)
23:冷卻面板(第1冷卻機構)
25:真空泵
30:冷卻室
40:捲取室
46:捲取軸
P:加熱區
Q:輻射冷卻區
S:捲出室的出口側(熱處理室的入口側)
T:熱處理室的出口側(冷卻室的入口側)
U:冷卻室出口側(捲取室入口側、氣體導熱室出口側)
HTA:高張力領域
LTA:低張力領域

Claims (15)

  1. 一種箔基材的真空熱處理裝置，具備： 真空艙室，具有內部空間； 真空泵，使前述內部空間形成真空狀態； 捲出軸，配置於前述內部空間，保持已捲繞成捲料狀的箔基材，並可將前述箔基材捲出； 捲取軸，配置於前述內部空間，用來捲取從前述捲出軸捲出並且已通過前述內部空間內之特定處理路徑的前述箔基材； 至少表背一對的加熱機構，在前述處理路徑中，分別配置成面向前述箔基材的表面及背面，並加熱前述箔基材； 至少表背一對的第1冷卻機構，在前述處理路徑中，於較前述加熱機構更前述捲取軸側，分別配置成面向前述箔基材的前述表面及前述背面，並冷卻前述箔基材。
  2. 如請求項1所記載之箔基材的真空熱處理裝置，其中更進一步具備：第2冷卻機構，在前述處理路徑中，配置在較前述第1冷卻機構更前述捲取軸側，並冷卻前述箔基材， 前述第2冷卻機構具有冷卻輥子，該冷卻輥子具有用來支承前述箔基材的前述表面及前述背面中之其中一面的外周面，且朝特定轉動方向轉動，用來導引前述箔基材，並冷卻前述箔基材。
  3. 如請求項2所記載之箔基材的真空熱處理裝置，其中前述第2冷卻機構，更進一步具備： 分隔壁體，在與前述箔基材的前述表面及前述背面中的前述其中一面相反的另一面，具有在前述冷卻輥子的徑向中，隔著特定的間隙空間對向配置的內周面； 導熱氣體供給部，對前述分隔壁體的前述內周面與前述箔基材的前述另一面之間的前述間隙空間，供給特定的導熱氣體。
  4. 如請求項3所記載之箔基材的真空熱處理裝置，其中前述分隔壁體具有： 第1分隔壁部，含有第1內周面，且為了前述間隙空間的擴張、收縮，可相對於前述冷卻輥子而沿著前述水平的方向移動，前述第1內周面，在與前述冷卻輥子的軸方向正交之水平的方向的其中一側，構成前述內周面之一部分； 第2分隔壁部，含有第2內周面，且為了前述間隙空間的擴張、收縮，可相對於前述冷卻輥子而沿著前述水平的方向移動，前述第2內周面，相對於前述冷卻輥子，在前述水平的方向中，於前述第1內周面的相反側，構成前述內周面之一部分。
  5. 如請求項1至請求項4的其中任1項所記載之箔基材的真空熱處理裝置，其中前述至少表背一對的第1冷卻機構，分別是由具有面向前述箔基材之表面的冷卻面板所形成。
  6. 如請求項5所記載之箔基材的真空熱處理裝置，其中前述冷卻面板具有：面板基材；表面層，形成於前述面板基材的表面，具有較前述面板基材更高的放射率。
  7. 如請求項5所記載之箔基材的真空熱處理裝置，其中更進一步具備：用來冷卻前述冷卻面板的冷卻機構。
  8. 如請求項1所記載之箔基材的真空熱處理裝置，其中前述真空艙室具備： 捲出室，在內部具有前述捲出軸； 熱處理室，連通於前述捲出室，在內部具有前述至少表背一對的加熱機構及前述至少表背一對的第1冷卻機構； 捲取室，連通於前述熱處理室，在內部具有前述捲取軸。
  9. 如請求項8所記載之箔基材的真空熱處理裝置，其中更進一步具備：第2冷卻機構，在前述處理路徑中，配置在較前述第1冷卻機構更前述捲取軸側，並冷卻前述箔基材， 前述第2冷卻機構具有冷卻輥子，該冷卻輥子具有用來支承前述箔基材的前述表面及前述背面中之其中一面的外周面，且朝特定轉動方向轉動，用來導引前述箔基材，並冷卻前述箔基材， 更進一步具備冷卻室，配置於前述熱處理室與前述捲取室之間，並在內部具有前述第2冷卻機構。
  10. 如請求項9所記載之箔基材的真空熱處理裝置，其中前述第2冷卻機構，更進一步具備： 分隔壁體，在與前述箔基材的前述表面及前述背面中的前述其中一面相反的另一面，具有在前述冷卻輥子的徑向中，隔著特定的間隙空間對向配置的內周面； 導熱氣體供給部，對前述分隔壁體的前述內周面與前述箔基材的前述另一面之間的前述間隙空間，供給特定的導熱氣體。
  11. 如請求項8至請求項10的其中任1項所記載之箔基材的真空熱處理裝置，其中更進一步具備張力分離機構，用來支承前述箔基材，而使至少前述熱處理室中之前述箔基材的張力，小於前述捲出室及前述捲取室中之前述箔基材的張力。
  12. 如請求項9或請求項10所記載之箔基材的真空熱處理裝置，其中更進一步具備張力分離機構，用來支承前述箔基材，而使至少前述熱處理室中之前述箔基材的張力，小於前述捲出室及前述捲取室中之前述箔基材的張力， 前述張力分離機構，用來支承前述箔基材，而使至少前述冷卻室中之前述箔基材的張力，小於前述捲出室及前述捲取室中之前述箔基材的張力。
  13. 一種箔基材的熱處理方法，具備： 在具有內部空間的真空艙室配置捲出軸及捲取軸，該捲出軸，用來保持已捲繞成捲料狀的箔基材，並容許前述箔基材的捲出，該捲取軸，用來捲取已從前述捲出軸捲出且通過前述內部空間內之特定處理路徑的前述箔基材； 使前述內部空間形成真空狀態； 從前述捲出軸連續地送出前述箔基材，並藉由在前述處理路徑中，分別配置成面向前述箔基材的表面及背面之至少表背一對的加熱機構，加熱前述箔基材； 藉由在前述處理路徑中，於較前述加熱機構更前述捲取軸側，分別配置成面向前述箔基材的前述表面及前述背面之至少表背一對的冷卻機構，冷卻前述箔基材； 將已冷卻的前述箔基材捲取於前述捲取軸。
  14. 如請求項13所記載之箔基材的熱處理方法，其中更進一步具備：在前述表背一對的冷卻機構的下游側，藉由將前述箔基材捲附於特定的冷卻輥子，而冷卻前述箔基材；並將該經進一步冷卻的前述箔基材捲取於前述捲取軸。
  15. 如請求項14所記載之箔基材的熱處理方法，其中更進一步具備：設置用來在與前述冷卻輥子的外周面之間，形成特定間隙空間的分隔壁，並藉由對該間隙空間供給氣體，而對前述箔基材執行氣體導熱冷卻。
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