TW202133302A - 推送器、基板搬送裝置、及基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明抑制基板與推送器的接觸面積，且提升基板接收的安全性與確實性。推送器230包含：複數個支持柱272，在一端部具有用來支持基板WF的支持面272a；基座274，連接於複數個支持柱272的另一端部；以及第一升降機構233，使基座274升降。支持面構成為在將基板WF傳遞至頂環302時以及從頂環302接收基板WF時，支持基板WF。在複數個支持柱272的至少一者，形成有吸引管路272b，吸引管路272b連通真空源260並在支持面272a開口。

Description

推送器、基板搬送裝置、及基板處理裝置
本發明是關於一種推送器、基板搬送裝置及基板處理裝置。本發明主張基於2019年12月18日申請的日本專利申請號2019-228056以及2020年9月24日申請的日本專利申請號2020-159966的優先權。包含日本專利申請號2019-228056以及日本專利申請號2020-159966的說明書、申請專利範圍、圖式以及摘要的全部揭露內容，藉由參照全部引用至本案。
為了平坦化基板表面，使用化學機械研磨（CMP）於半導體裝置的製造。使用於半導體裝置製造的基板，在許多情況下是圓板狀。又，不限於半導體裝置，在平坦化CCL基板（Copper Clad Laminate基板）或PCB（Printed Circuit Board）基板、光罩基板、顯示面板等四角形基板表面時所需求的平坦度也高。又，對於平坦化配置有PCB基板等電子裝置的封裝基板的需求也高。
CMP裝置具備用來將研磨前的基板傳遞至頂環、從頂環接收研磨後基板的推送器。例如專利文獻1揭露了一種推送器，具備：複數個基板支持針，用來支持研磨前的基板並傳遞至頂環；以及複數個柱狀基板支持部件，用來從頂環接收研磨後基板。
專利文獻1揭露了因為在從頂環將研磨後的基板傳遞至推送器時，基板因表面張力緊密附著於頂環，而無法從頂環剝離基板的問題。對此問題，專利文獻1揭露了藉由以推送器吸附基板並傾斜基板，來從頂環剝離基板端部，將空氣或氮氣等氣體吹入於基板端部與頂環之間所形成的空隙。又，專利文獻1揭露了藉由將板狀或棒狀的剝離輔助部件插入基板端部與頂環之間所形成的空隙，來從頂環剝離基板。
[先前技術文獻] [專利文獻1]日本特開2008-110471號公報
[發明所欲解決的問題] 在處理對象的基板，有形成配線或功能性晶片等的區域（圖案區域），推送器接觸此圖案區域是不希望發生的情況。這點，在專利文獻1所記載的推送器，因為基板支持針接觸研磨前的基板，基板支持部件接觸研磨後的基板，所以會增加推送器與基板的接觸面積。在擴張基板圖案區域的自由度的觀點來看是不希望發生的情況。
又，已知藉由在使推送器上升至基板附近的狀態下解除頂環的基板吸附，使基板落下至推送器，來做為推送器從頂環接收基板的方法，在此情況下，因落下的衝擊導致基板有破損之虞。對此，也想到了藉由使推送器上升至接觸基板為止，在推送器接觸基板的狀態下解除頂環的基板吸附，使基板不破損並安全地接收。但是，在此方法中，因為基板黏在頂環，推送器有無法確實接收基板之虞。
在專利文獻1所揭露的技術，關於提升基板從頂環傳遞到基板的確實性仍有改善餘地。也就是說，專利文獻1所記載的技術是藉由傾斜基板，從頂環剝離基板端部，與從頂環剝離整個基板時相比是以較小的力來剝離基板。但是，頂環與基板間的表面張力大時，即使傾斜基板，也無法從頂環剝離基板端部，而有無法傳遞基板至推送器之虞。
本申請案的目的為解決或緩和上述至少一問題。 做為一例，本申請案的目的是抑制基板與推送器的接觸面積，且提升基板接收的安全性及確實性。又，做為一例，本申請案的目的是提升基板從頂環傳遞到基板的確實性。
[解決問題的手段] 根據一實施形態，揭露一種推送器。推送器包含：複數個第一支持柱，在一端部具有用來支持基板的支持面；第一基座，連接於前述複數個第一支持柱的另一端部；以及第一升降機構，使第一基座升降，其中前述支持面構成為在將前述基板傳遞至前述頂環時以及從前述頂環接收前述基板時，支持前述基板；在前述複數個第一支持柱的至少一者，形成有吸引管路，該吸引管路連通真空源並在前述支持面開口。
根據一實施形態，揭露一種基板處理裝置。基板處理裝置，包含：頂環，構成為在被研磨面向下方的狀態下保持基板的背面；推送器，構成為在前述頂環之間傳遞基板；以及楔形機構，包含：楔形部件，在從頂環向前述推送器傳遞前述基板時，配置於保持在前述頂環的基板的側面；以及驅動部件，構成為使前述楔形部件沿著前述基板的背面的方向移動，插入前述基板與前述頂環之間。
以下，與附加圖式一起說明關於本發明的推送器、基板搬送裝置及基板處理裝置的實施形態。在附加圖式中，對相同或類似元件賦予相同或類似的元件符號，在各實施形態的說明中，有時會省略關於相同或類似元件的重複說明。又，各實施形態所示的特徵，在彼此不矛盾下可適用於其他實施形態。
第一圖表示一實施形態的基板處理裝置1000的整體結構的平面圖。第一圖所示的基板處理裝置1000具有：裝載模組100、搬送模組200、研磨模組300、乾燥模組500、以及卸載模組600。在圖示的實施形態中，搬送模組200具有兩個搬送模組200A、200B，研磨模組300具有兩個研磨模組300A、300B。在一實施形態中，這些模組可獨立形成。因為這些模組獨立形成，藉由任意組合各模組的數量，可簡易形成不同結構的基板處理裝置1000。又，基板處理裝置1000具備控制裝置900，基板處理裝置1000的各構成元件是被控制裝置900來控制。在一實施形態中，控制裝置900可由具備輸出入裝置、演算裝置、記憶裝置等一般電子計算機所構成。
＜裝載模組＞ 裝載模組100是用來將進行研磨及洗淨等處理前的基板WF引進基板處理裝置1000內的模組。在一實施形態中，裝載模組100構成為符合SMEMA（Surface Mount Equipment Manufacturers Association）的機器裝置介面規格（IPC-SMEMA-9851）。
在圖示的實施形態中，裝載模組100的搬送機構具有複數個搬送輥202（第一搬送輥）以及安裝有搬送輥202的複數個輥軸204。在第一圖所示的實施形態中，在各輥軸204安裝有三個搬送輥202。基板WF配置於搬送輥202上，藉由搬送輥202旋轉來搬送基板WF。輥軸204上的搬送輥202的安裝位置，若為可穩定搬送基板WF的位置則可任意決定。但是，因為搬送輥202接觸基板WF，所以即使接觸處理對象的基板WF，也應配置成搬送輥202接觸沒有問題的區域。在一實施形態中，裝載模組100的搬送輥202可由導電性聚合物所構成。在一實施形態中，搬送輥202經由輥軸204等電性接地。這是為了防止基板WF帶電而損傷基板WF上的電子裝置等。又，在一實施形態中，也可以設置防止基板WF帶電的電離器（圖未顯示）於裝載模組100。
第二圖概略表示一實施形態的處理對象物的基板WF的平面圖。如第二圖所示，在一實施形態中，基板WF是大致長方形（包含正方形）的薄板狀基板。如第二圖所示的基板WF，具備圖案區域10與非圖案區域20。「圖案區域」是具備配線或功能性晶片等的區域，做為形成於基板上的裝置來使用的區域，具備在裝置功能有意義的配線或功能性晶片等。又，「非圖案區域」是不做為基板上的裝置來使用的區域。如第二圖所示的實施形態中，基板WF具備兩個圖案區域10，這些圖案區域10被非圖案區域20所包圍。又，在一實施形態中，基板WF可做為在非圖案區域包含基板WF的ID資訊者，例如，可做為具備ID標籤12者。基板WF的ID可被設於裝載模組100的ID讀取器所讀取。
裝載模組100接受、搬送基板WF，使在第二圖所示的基板WF的形成有圖案區域10的面為下面。因此，搬送輥202配置成僅接觸基板WF的非圖案區域20。具體來說，搬送輥202設於接觸基板WF的端部的非圖案區域20的位置，以及接觸基板WF的中央的非圖案區域20的位置。搬送輥202的位置可對應處理對象的基板WF來變更。因此，根據圖示的實施形態，藉由變更安裝至搬送輥202的輥軸204的位置，可用於搬送具備不同尺寸或不同圖案的基板WF。因為四角形的基板並未如圓形的半導體基板般係以規格來決定尺寸，因此本實施形態所揭示的搬送機構，能以微小變更來搬送各種尺寸的基板，這是優點。
＜研磨模組＞ 第三圖概略表示一實施形態的研磨模組300的斜視圖。第一圖所示的基板處理裝置1000具備兩個研磨模組300A、300B。因為兩個研磨模組300A、300B可為相同結構，以下一概以研磨模組300來說明。
如第三圖所示，研磨模組300具備研磨平台350與頂環302。研磨平台350被平台軸351所支持。研磨平台350藉由圖未顯示的驅動部，如箭頭AC所示，在平台軸351的軸心周圍旋轉。在研磨平台350，貼附有研磨墊352。頂環302保持基板WF並按壓至研磨墊352。頂環302被圖未顯示的驅動源旋轉驅動。基板WF藉由被保持於頂環302並按壓於研磨墊352來研磨。
如第三圖所示，研磨模組300具備：研磨液供給噴嘴354，用來供給研磨液或修整液至研磨墊352。研磨液為例如漿體，修整液為例如純水。又，如第三圖所示，在研磨平台350以及平台軸351設有用來供給研磨液的通路353。通路353連通研磨平台350表面的開口部355。在對應研磨平台350的開口部355的位置，研磨墊352形成有貫穿孔357，通過通路353的研磨液從研磨平台350的開口部355以及研磨墊352的貫穿孔357供給至研磨墊352的表面。又，研磨模組300具備：修整器356，用來進行研磨墊352的調節。又，研磨模組300具備：噴霧器358，用來向研磨墊352噴射液體或液體與氣體的混合流體。從噴霧器358噴射的液體為例如純水，氣體為例如氮氣。
頂環302被頂環軸304所支持。頂環302被圖未顯示的驅動部，如箭頭AB所示，在頂環軸304的軸心周圍旋轉。又，頂環軸304可由圖未顯示的驅動機構在上下方向移動。
基板WF藉由真空吸附保持在頂環302的面對研磨墊352的面。研磨時，從研磨液供給噴嘴354及/或研磨墊352的貫穿孔357，供給研磨液至研磨墊352的研磨面。又，在研磨時，研磨平台350以及頂環302被旋轉驅動。基板WF藉由被頂環302按壓至研磨墊352的研磨面來研磨。
如第三圖所示，頂環軸304連接於臂360，臂360可以旋轉軸362為中心搖動。在基板WF的研磨中，也可以使臂360固定或搖動成頂環302通過研磨墊352的中心。又，在基板WF的研磨中，也可以使臂360固定或搖動成基板WF覆蓋研磨墊352的貫穿孔357。如第一圖所示，藉由可搖動的臂360，頂環302可移動至搬送模組200。頂環302藉由移動至後述的搬送模組200的基板傳遞位置，頂環302可從後述的推送器230接收基板WF。又，在研磨模組300的基板WF研磨後，可從頂環302傳遞基板WF至推送器230。
第四圖概略表示一實施形態的頂環302的結構的側剖面圖。頂環302連接於頂環軸304的下端。頂環302具備：大致四角狀的頭本體306；以及保持器部件308，配置於頭本體306的下部。頭本體306可由金屬或陶瓷等強度及剛性高的材料所形成。又，保持器部件308可由剛性高的樹脂材料或陶瓷等所形成。
在頭本體306以及保持器部件308的內側所形成的空間內，收容抵接於基板WF的彈性墊310。在彈性墊310與頭本體306之間，設有壓力室（氣囊）P1。壓力室P1是由彈性墊310與頭本體306所形成。壓力室P1經由流體管路312供給加壓空氣等加壓流體，或進行真空吸引。在第四圖所示的實施形態中，壓力室P1是經由保持的基板WF的整個表面所形成。
基板WF的周端部被保持器部件308所包圍，研磨中使基板WF不會從頭本體306彈出。在保持器部件308與頭本體306之間，配置有彈性囊314，該彈性囊314內部形成有壓力室Pr。保持器部件308可藉由彈性囊314的膨脹/收縮，相對於頭本體306上下移動。在壓力室Pr連通有流體管路316，加壓空氣等加壓流體通過流體管路316被供給至壓力室Pr。壓力室Pr的內部壓力可調整。因此，獨立於對於基板WF的研磨墊352的按壓力，可調整保持器部件308對於研磨墊352的按壓力。
＜乾燥模組＞ 乾燥模組500是用來使基板WF乾燥的裝置。在第一圖所示的基板處理裝置1000中，乾燥模組500是以研磨模組300研磨後，使在搬送模組200的洗淨部所洗淨的基板WF乾燥。如第一圖所示，乾燥模組500配置於搬送模組200的下游。
乾燥模組500具有：噴嘴530，用來向搬送至搬送輥202上的基板WF噴射氣體。氣體可為例如壓縮的空氣或氮氣。藉由以乾燥模組500吹掉搬送的基板WF上的水滴，可使基板WF乾燥。
＜卸載模組＞ 卸載模組600是用來將進行過研磨及洗淨等處理後的基板WF搬出至基板處理裝置1000外的模組。第一圖所示的基板處理裝置1000中，卸載模組600接受在乾燥模組500乾燥後的基板。如第一圖所示，卸載模組600配置在乾燥模組500的下游。在一實施形態中，卸載模組600構成為符合SMEMA（Surface Mount Equipment Manufacturers Association）的機器裝置介面規格（IPC-SMEMA-9851）。
＜搬送模組＞ 第五圖概略表示一實施形態的搬送模組200的側面圖。第一圖所示的基板處理裝置1000，具備兩個搬送模組200A、200B。因為兩個搬送模組200A、200B可做為相同結構，以下一概以搬送模組200來說明。
第六圖表示一實施形態的搬送模組200的斜視圖。此外，在第六圖中，為了圖示的明瞭化，省略後述的上搬送輥（第二搬送輥）290及其驅動機構。圖示的搬送模組200具備用來搬送基板WF的複數個搬送輥（第一搬送輥）202。藉由使搬送輥202旋轉，可在特定方向搬送搬送輥202上的基板WF。搬送模組200的搬送輥202可由導電性聚合物所形成，也可由無導電性的聚合物所形成。搬送輥202安裝於輥軸（第一輥軸）204，經由齒輪206，被馬達208驅動。在一實施形態中，馬達208可為伺服馬達，齒輪206可為齒輪型，但也可為磁性齒輪。又，圖示的搬送模組200具備：導引輥212，支持搬送中的基板WF的側面。圖示的搬送模組200具有：感測器216，用來檢測在搬送輥202上特定位置的基板WF是否存在。感測器216可為任意形式的感測器，例如可為光學式感測器。第五圖所示的實施形態中，感測器216在搬送模組200設有7個（216a～216g）。在一實施形態中，可對應這些感測器216a～216g進行基板WF的檢測，來控制搬送模組200的動作。這些感測器216a～216g的各位置及功能將於後述。如第五圖所示，搬送模組200具有：入口閘門218，為了在搬送模組200內接受基板WF而可開閉。
如第五圖所示，搬送模組200具有停止器220。停止器220連接於停止器移動機構222，停止器220可進入在搬送輥202上移動的基板WF的搬送路徑內。停止器220位於基板WF的搬送路徑內時，在搬送輥202上移動的基板WF的側面接觸停止器220，可使移動中的基板WF在停止器220的位置停止。又，停止器220位於從基板WF的搬送路徑退避的位置時，基板WF可在搬送輥202上移動。因停止器220造成的基板WF的停止位置，是後述的推送器230可接收在搬送輥202上的基板WF的位置（基板傳遞位置）。
感測器216a設於搬送模組200的入口側。當以感測器216a確認基板WF的後方通過後，可使入口閘門218關閉。之後，以配置在感測器216a的下游側的感測器216b監視基板WF的位置，並以搬送輥202搬送基板WF。此時因停止器移動機構222，停止器220移動到基板WF的搬送路徑內。可在搬送輥202上被搬送的基板WF，接觸停止器220並停止基板WF。又，感測器216c配置於停止器220的位置，當以感測器216c檢測基板WF，停止搬送輥202的動作。在停止器220的位置（基板傳遞位置）停止的基板WF，經由後述的推送器230，傳遞至頂環302。
＜推送器＞ 如第五、六圖所示，搬送模組200具有推送器230。推送器230構成為可將位於複數個搬送輥202上的基板WF，提升成遠離複數個搬送輥202。又，推送器230構成為可將保持的基板WF傳遞至搬送模組200的搬送輥202。
第七圖表示一實施形態的推送器230的斜視圖。第八圖是在箭頭8方向來看第七圖所示推送器230的部分剖面圖。第八圖概略表示與推送器230一起，搬送輥202、搬送輥202上的基板傳遞位置所配置的基板WF以及接收基板WF的頂環302。第七、八圖所示的實施形態中，推送器230具備第一平台270以及第二平台232。
第二平台232是從推送器230傳遞基板WF至後述的頂環302時，用來支持頂環302的保持器部件308的平台。第二平台232具備複數個支持柱（第二支持柱）234。第九圖表示第二平台232的一個支持柱的剖面圖。如第九圖所示，支持柱234的一端部具備：平坦的支持面234a，在傳遞基板WF至頂環302時以及從頂環302接收基板WF時支持頂環302的保持器部件308；以及傾斜面234b，用來引導頂環302。在一實施形態中，位於複數個支持柱234中的四個角部的支持柱234也可以具備如第九圖所示的支持面234a及傾斜面234b。由四個角部的支持柱234所形成的凹部可定位保持器部件308。四個角部以外的支持柱234也可以僅具備支持面234a。各支持柱234的另一端部連接於共同的基座（第二基座）236。又，各支持柱234設於不干涉搬送輥202的位置，在第八圖所示的實施形態中，各支持柱234配置於搬送輥202之間。
第一平台270構成為接收搬送輥202上的基板WF。第一平台270具備複數個支持柱（第一支持柱）272。第十圖表示一實施形態的第一平台270的一個支持柱272的剖面圖。如第十圖所示，支持柱272的一端部具備：平坦的支持面272a，在傳遞基板WF至頂環302時以及從頂環302接收基板WF時支持基板WF。又，在複數個支持柱272的至少一個，形成有在支持面272a開口的吸引管路272b。吸引管路272b連通於真空源260。藉此，複數個支持柱272的至少一個，構成為從頂環302接收基板WF時，可經由吸引管路272b來吸引基板WF。各支持柱272的其他端部連接於共同的基座（第一基座）274。又，各支持柱272設於不干涉搬送輥202的位置，在第八圖所示的實施形態中，各支持柱272配置於搬送輥202之間。又，各支持柱272配置成支持基板WF的非圖案區域20。第一平台270及第二平台232如以下所詳述，分別連接於升降機構，可分別在高度方向（z方向）移動。
第二平台232構成為可在高度方向（z方向）移動。在一實施形態中，推送器230具有第二升降機構231。在一實施形態中，如第七、八圖所示，推送器230的第二升降機構231為空壓式升降機構，具備汽缸240及活塞242。活塞242的端部連接於可動台座244。汽缸240連接於固定台座246。固定台座246固定於覆蓋整個搬送模組200的殼體201或設置搬送模組200的地面等。藉由調整汽缸240內的空氣壓，活塞242移動，使可動台座244在高度方向（z方向）移動。因為可動台座244在高度方向移動，可在高度方向移動第一平台270及第二平台232。在圖示的實施形態中，在可動台座244上，搭載有XY平台248，XY平台248可在水平面內使第一平台270及第二平台232移動。XY平台248可做為公知的XY平台，公知的XY平台構成為可藉由直動導件等在垂直的兩方向移動。在圖示的實施形態中，在XY平台248上搭載有旋轉平台250。旋轉平台250構成為可在XY平面（水平面）旋轉。旋轉平台250可採用由旋轉軸承等所構成的公知旋轉平台250。
在旋轉平台250上，搭載有第一升降機構233。第一升降機構233具有汽缸252及活塞254。汽缸252連接於第二平台232的基座236。又，在汽缸252，連接有可移動的活塞254，藉由調整汽缸252內的空氣壓，可移動活塞254。在活塞254的端部，連接有第一平台270的基座274。因此，藉由調整汽缸252內的空氣壓，可使活塞254及第一平台270在高度方向（z方向）移動。藉此，第一升降機構233可構成為從頂環302接收基板WF時，使基座274上升，使支持面272a接觸基板WF，同時在經由吸引管路272b吸引基板WF的狀態下使基座274下降。再者，感測器216b可構成為檢測支持面272a上有無基板WF。在此情況下，第一升降機構233可構成為從頂環302接收基板WF時，在使基座274下降的狀態中以感測器216b檢測到無基板WF的情況下，重複基座274的升降。也就是說，在無法正常從頂環302接收基板WF時，第一升降機構233再次使基座274上升，使支持面272a接觸基板WF，在經由吸引管路272b吸引基板WF的狀態下使基座274下降。
根據上述結構，第二升降機構231使第一平台270及第二平台232兩者在高度方向（z方向）移動，第一升降機構233可使第一平台270相對於第二平台232在高度方向（z方向）移動。又，第一平台270及第二平台232可藉由XY平台248在水平面內的垂直兩方向（xy方向）移動。再者，第一平台270及第二平台232可藉由旋轉平台250在水平面內（以z軸為中心）旋轉。因此，在推送器230與後述的頂環302之間授受基板WF時，可進行推送器230與頂環302的定位。此外，在圖示的實施形態中，第一升降機構233及第二升降機構231為空壓式升降機構，但這些升降機構也可以是液壓式，也可以是使用馬達及滾珠螺桿等的電動式升降機構。藉由第二升降機構231，第二平台232及第一平台270可在下位置及上位置之間移動。
接下來，說明關於以推送器230進行的基板WF傳遞。第八圖表示第一平台270及第二平台232位於下位置時的狀態。當第一平台270及第二平台232位於下位置時，如第八圖所示，第二平台232的支持柱234的端部及第一平台270的支持柱272的端部位於比搬送輥202的支持基板WF的面更低的位置。將基板WF傳遞至頂環302時，推送器230從第八圖所示的狀態，以第二升降機構231使第一平台270及第二平台232上升，來使支持柱272的支持面272a接觸基板WF並提高基板WF，成為第十一圖所示的狀態。
第十一圖表示第一平台270及第二平台232位於上位置時的狀態。當第一平台270及第二平台232位於上位置時，第二平台232的支持柱234的端部及第一平台270的支持柱272的端部，位於比搬送輥202的支持基板的面更高的位置。也就是說，第二平台232及第一平台270從下位置移動到上位置時，以第一平台270提高並接收配置在搬送輥202上的基板WF。在第十一圖所示的狀態中，支持柱234的支持面234a支持頂環302的保持器部件308。推送器230從第十一圖所示的狀態，以第一升降機構233使第一平台270相對於第二平台232上升，成為第十二圖所示的狀態。
第十二圖表示第一平台270及第二平台232在上位置，且第一平台270在相對於第二平台232上升的位置時的狀態。當從推送器230傳遞基板WF至頂環302時，如第十二圖所示，推送器230使保持基板WF的第一平台270相對於第二平台232上升。藉此，如第十二圖所示，基板WF接觸頂環302。在此狀態下，進行對於頂環302的壓力室P1的真空吸引，基板WF被吸附於頂環302，基板WF被傳遞至頂環302。將基板WF傳遞至頂環302後，推送器230回到第八圖所示的狀態。將基板WF傳遞至頂環302時，停止真空源260進行的真空吸引。
另一方面，推送器230從頂環302接收基板WF時，推送器230從第八圖所示的狀態移到第十一圖所示的狀態。也就是說，推送器230如第十二圖所示，以第一升降機構233使基座274上升並使支持面272a接觸基板WF。在第十二圖的狀態下，停止對於頂環302的壓力室P1的真空吸引，同時開始以真空源260進行的真空吸引。藉此，基板WF經由吸引管路272b被吸附於支持面272a。推送器230在將基板WF吸附於支持面272a的狀態下，藉由以第一升降機構233使基座274下降，成為如第十一圖所示的狀態。
在第十一圖所示的狀態中，以感測器216b檢測支持面272a上有無基板WF。推送器230在判定支持面272a上沒有基板WF時，再度以第一升降機構233使基座274上升，進行基板WF接收動作。推送器230可預先設定在判定支持面272a上沒有基板WF時再進行基板WF的接收動作的重複次數。即使預先設定的次數反覆再進行基板WF的接收動作，在判定支持面272a上沒有基板WF時，可在基板處理裝置1000產生警報，來停止基板處理裝置1000。
另一方面，推送器230在判定支持面272a上有基板WF時，停止真空源260進行的真空吸引，同時藉由使用第二升降機構231使第一平台270及第二平台232下降，將基板WF置於搬送輥202上，之後成為第八圖所示的狀態。
根據本實施形態，在對於頂環302進行的基板WF傳遞及接收時，因為僅在推送器230的支持柱272的支持面272a接觸基板WF，所以可抑制推送器230與基板WF的接觸面積。藉此，可擴大基板WF的圖案區域的自由度。又，使推送器230上升至接觸基板WF為止的狀態下，頂環302接收基板WF，所以相較於基板WF掉落至推送器230的情況下，可不破損並安全地接收基板WF。再者，接收基板WF時，支持柱272所形成的吸引路272b吸引基板WF，所以推送器230可卻實地接收基板WF。
如第五、六圖所示，搬送模組200具有洗淨部。如第五、六圖所示，洗淨部具有洗淨噴嘴284。洗淨噴嘴284具有：上洗淨噴嘴284a，配置於搬送輥202的上側；以及下洗淨噴嘴284b，配置於下側。上洗淨噴嘴284a及下洗淨噴嘴284b連接於圖未顯示的洗淨液供給源。上洗淨噴嘴284a構成為供給洗淨液至搬送輥202上所搬送的基板WF的上面。下洗淨噴嘴284b構成為供給洗淨液至搬送輥202上所搬送的基板WF的下面。上洗淨噴嘴284a及下洗淨噴嘴284b，構成為具備與搬送輥202上所搬送的基板WF的寬度相同程度，或在此之上的寬度，藉由基板WF在搬送輥202上搬送，來洗淨整面基板WF。如第五、六圖所示，洗淨部位於比搬送模組200的基板傳遞區域更下流側。
如第五圖所示，在洗淨部中，在搬送輥202上配置有上搬送輥290。上搬送輥290構成為連接於動力源，並可旋轉。在一實施形態中，上搬送輥290構成為與搬送輥202一樣，被齒輪206及馬達208驅動。
第十三圖概略表示一實施形態的搬送模組的側面圖。第十四圖是從箭頭14來看第十三圖所示的搬送模組的圖。如第十三圖、第十四圖所示，上搬送輥290安裝於上輥軸（第二輥軸）291。在第十四圖所示的實施形態中，在上輥軸291安裝有3個上搬送輥290。在一實施形態中，上搬送輥290在搬送輥202上相隔特定間隔來配置。特定間隔可為與搬送的基板WF的厚度相同程度。此特定間隔可調整如後述。上搬送輥290的尺寸為任意，也可以與搬送輥202相同尺寸，也可以不同尺寸。在一實施形態中，如第十三圖、第十四圖所示，上搬送輥290的直徑比搬送輥202的直徑更小。由於上搬送輥290的直徑變小，搬送模組200整體尺寸可變小。
如第十三圖、第十四圖所示，在輥軸204安裝有齒輪282a，在上輥軸291安裝有齒輪282b。輥軸204的旋轉力經由齒輪282a、282b傳達至上輥軸291。在一實施形態中，齒輪282a、282b可為磁性齒輪，又，也可以是機械式齒輪。可調整齒輪282a、282b，變更各齒輪的尺寸及樣式，來對應搬送輥202及上搬送輥290的尺寸，使搬送輥202及上搬送輥290的旋轉速度適當。
上輥軸291的兩端部連接於支持部件292。又，在複數個上輥軸291的兩側，設有在基板WF的搬送方向延伸的基座295。在基座295的上表面與支持部件292的下表面之間設有彈簧等彈性部件296，支持部件292藉由彈性部件296向基座295推動。因此，雖然支持部件292藉由彈性部件296向基座295推動，但可以往上方向移動。
又，如第五圖所示，搬送模組200包含：厚度感測器217，測量基板WF的厚度。厚度感測器217構成為配置於搬送模組200的入口附近，測量搬入搬送模組200的基板WF的厚度。又，搬送模組200包含：驅動裝置211，對應厚度感測器217的測量結果，使搬送輥202及上搬送輥209的至少一者的位置移動，調整彼此相面對的搬送輥202及上搬送輥209之間的間隔。在第十三圖、第十四圖的實施形態中，驅動裝置211包含：螺軸210，擰入基座295；以及馬達209，旋轉驅動螺軸210。驅動裝置211藉由對應以厚度感測器217測量的基板WF的厚度，旋轉驅動馬達209，可在上下驅動基座295的位置，藉此，可調整搬送輥202與上搬送輥290之間的間隔。
例如，在驅動裝置211以厚度感測器217測量的基板WF的厚度為薄時，基座295的位置下降，搬送輥202與上搬送輥290之間的間隔變窄。另一方面，在驅動裝置211以厚度感測器217測量的基板WF的厚度為厚時，基座295的位置上升，搬送輥202與上搬送輥290之間的間隔變寬。根據本實施形態，即使在處理具有各種厚度的各式各樣基板WF時，或基板WF有翹曲時，也可將上搬送輥290的旋轉力傳達至基板WF，以搬送輥202與上搬送輥290可穩定地搬送基板WF。
除此之外，在支持部件292以彈性部件296向基座295推動的狀態下，可向上方向移動。因此，即使搬送的基板WF有凹凸時，或基板WF有翹曲時，也可以使上搬送輥290經常接觸基板WF，並將上搬送輥290的旋轉力傳達至基板WF，以搬送輥202與上搬送輥290可穩定地搬送基板WF。此外，上搬送輥290的安裝於上輥軸291的位置，可與搬送輥202一起，對應搬送的基板WF的尺寸來變更。
在一實施形態中，上述的上搬送輥290可設於基板傳遞區域以外的區域。例如可設於位在基板傳遞區域的下流的洗淨部，又，也可以設在基板傳遞區域的上流側。再者，上搬送輥290也可以設於上述的裝載模組100、後述的乾燥模組500以及卸載模組600。
如第五圖所示，感測器216d配置於洗淨部入口附近。在一實施形態中，若以感測器216d檢測到基板WF，則可從洗淨噴嘴284噴射洗淨液並開始基板WF的洗淨。又，在基板WF洗淨中，也可以將搬送輥202的旋轉數做為洗淨用速度。感測器216e配置於洗淨部內，以感測器216e監視基板WF的位置，洗淨基板WF並搬送基板WF。在第五圖的實施形態中，感測器216f配置於洗淨部出口點附近。在一實施形態中，若以感測器216f檢測到基板WF，則可結束從洗淨噴嘴284噴射洗淨液。在基板WF洗淨中，因為藉由搬送輥202及上搬送輥290夾住基板WF來搬送，所以即使在洗淨液噴射中，仍可穩定地搬送基板WF。
如第五圖所示，搬送模組200具有可開閉的出口閘門286。又，搬送模組200在出口附近具備感測器216g。在一實施形態中，若以感測器216g檢測到基板WF，則出口閘門286也可以打開，搬送基板WF至下一個模組。在一實施形態中，若以感測器216g檢測到基板WF，則出口閘門286不開，停止在搬送輥202的基板WF搬送，等待下一個模組的處理，下一個模組接受基板準備完成後，出口閘門286也可以打開，搬送基板WF至下一個模組。
以下，與附加圖式一起說明關於本發明的推送器、基板搬送裝置及基板處理裝置的實施形態。在附加圖式中，對相同或類似元件賦予相同或類似的元件符號，在各實施形態的說明中，有時會省略關於相同或類似元件的重複說明。又，各實施形態所示的特徵，在彼此不矛盾下可適用於其他實施形態。
第十五圖表示一實施形態的基板處理裝置2-1000的整體結構的平面圖。第十五圖所示的基板處理裝置2-1000具有：裝載模組2-100、搬送模組2-200、研磨模組2-300、乾燥模組2-500、以及卸載模組2-600。在圖示的實施形態中，搬送模組2-200具有兩個搬送模組2-200A、2-200B，研磨模組2-300具有兩個研磨模組2-300A、2-300B。在一實施形態中，這些模組可獨立形成。因為這些模組獨立形成，藉由任意組合各模組的數量，可簡易形成不同結構的基板處理裝置2-1000。又，基板處理裝置2-1000具備控制裝置2-900，基板處理裝置2-1000的各構成元件是被控制裝置2-900來控制。在一實施形態中，控制裝置2-900可由具備輸出入裝置、演算裝置、記憶裝置等一般電子計算機所構成。
＜裝載模組＞ 裝載模組2-100是用來將進行研磨及洗淨等處理前的基板WF引進基板處理裝置2-1000內的模組。在一實施形態中，裝載模組2-100構成為符合SMEMA（Surface Mount Equipment Manufacturers Association）的機器裝置介面規格（IPC-SMEMA-9851）。
在圖示的實施形態中，裝載模組2-100的搬送機構具有複數個搬送輥2-202（第一搬送輥）以及安裝有搬送輥2-202的複數個輥軸2-204。在第十五圖所示的實施形態中，在各輥軸2-204安裝有三個搬送輥2-202。基板WF配置於搬送輥2-202上，藉由搬送輥2-202旋轉來搬送基板WF。輥軸2-204上的搬送輥2-202的安裝位置，若為可穩定搬送基板WF的位置則可任意決定。但是，因為搬送輥2-202接觸基板WF，所以即使接觸處理對象的基板WF，也應配置成搬送輥2-202接觸沒有問題的區域。在一實施形態中，裝載模組2-100的搬送輥2-202可由導電性聚合物所構成。在一實施形態中，搬送輥2-202經由輥軸2-204等電性接地。這是為了防止基板WF帶電而損傷基板WF上的電子裝置等。又，在一實施形態中，也可以設置防止基板WF帶電的電離器（圖未顯示）於裝載模組2-100。
＜研磨模組＞ 第十六圖概略表示一實施形態的研磨模組2-300的斜視圖。第十五圖所示的基板處理裝置2-1000具備兩個研磨模組2-300A、2-300B。因為兩個研磨模組2-300A、2-300B可為相同結構，所以以下一概以研磨模組2-300來說明。
如第十六圖所示，研磨模組2-300具備研磨平台2-350與頂環2-302。研磨平台2-350被平台軸2-351所支持。研磨平台2-350藉由圖未顯示的驅動部，如箭頭AC所示，在平台軸2-351的軸心周圍旋轉。在研磨平台2-350，貼附有研磨墊2-352。頂環2-302保持基板WF並按壓至研磨墊2-352。頂環2-302被圖未顯示的驅動源旋轉驅動。基板WF藉由被保持於頂環2-302並按壓於研磨墊2-352來研磨。
如第十六圖所示，研磨模組2-300具備：研磨液供給噴嘴2-354，用來供給研磨液或修整液至研磨墊2-352。研磨液為例如漿體。修整液為例如純水。又，如第十六圖所示，在研磨平台2-350以及平台軸2-351設有用來供給研磨液的通路2-353。通路2-353連通研磨平台2-350表面的開口部2-355。在對應研磨平台2-350的開口部2-355的位置，研磨墊2-352形成有貫穿孔2-357，通過通路2-353的研磨液從研磨平台2-350的開口部2-355以及研磨墊2-352的貫穿孔2-357供給至研磨墊2-352的表面。又，研磨模組2-300具備：修整器2-356，用來進行研磨墊2-352的調節。又，研磨模組2-300具備：噴霧器2-358，用來向研磨墊2-352噴射液體或液體與氣體的混合流體。從噴霧器2-358噴射的液體為例如純水，氣體為例如氮氣。
頂環2-302被頂環軸2-304所支持。頂環2-302被圖未顯示的驅動部，如箭頭AB所示，在頂環軸2-304的軸心周圍旋轉。又，頂環軸2-304可由圖未顯示的驅動機構在上下方向移動。
基板WF藉由真空吸附保持在頂環2-302的面對研磨墊2-352的面。研磨時，從研磨液供給噴嘴2-354及/或研磨墊2-352的貫穿孔2-357，供給研磨液至研磨墊2-352的研磨面。又，在研磨時，研磨平台2-350以及頂環2-302被旋轉驅動。基板WF藉由被頂環2-302按壓至研磨墊2-352的研磨面來研磨。
如第十六圖所示，頂環軸2-304連接於臂2-360，臂2-360可以旋轉軸2-362為中心搖動。在基板WF的研磨中，也可以使臂2-360固定或搖動成頂環2-302通過研磨墊2-352的中心。又，在基板WF的研磨中，也可以使臂2-360固定或搖動成基板WF覆蓋研磨墊2-352的貫穿孔2-357。如第十五圖所示，藉由可搖動的臂2-360，頂環2-302可移動至搬送模組2-200。頂環2-302藉由移動至後述的搬送模組2-200的基板傳遞位置，頂環2-302可從後述的推送器2-230接收基板WF。又，在研磨模組2-300的基板WF研磨後，可從頂環2-302傳遞基板WF至推送器2-230。
第十七圖概略表示一實施形態的頂環2-302的結構的側剖面圖。頂環2-302連接於頂環軸2-304的下端。頂環2-302具備：大致四角狀的頭本體2-306；以及保持器部件2-308，配置於頭本體2-306的下部。頭本體2-306可由金屬或陶瓷等強度及剛性高的材料所形成。又，保持器部件2-308可由剛性高的樹脂材料或陶瓷等所形成。
在頭本體2-306以及保持器部件2-308的內側所形成的空間內，收容抵接於基板WF的彈性墊2-310。在彈性墊2-310與頭本體2-306之間，設有壓力室（氣囊）P1。壓力室P1是由彈性墊2-310與頭本體2-306所形成。壓力室P1經由流體管路2-312供給加壓空氣等加壓流體，或進行真空吸引。在第十七圖所示的實施形態中，壓力室P1是經由保持的基板WF的整個表面所形成。
基板WF的周端部被保持器部件2-308所包圍，研磨中使基板WF不會從頭本體2-306彈出。在保持器部件2-308與頭本體2-306之間，配置有彈性囊2-314，該彈性囊2-314內部形成有壓力室Pr。保持器部件2-308可藉由彈性囊2-314的膨脹/收縮，相對於頭本體2-306上下移動。在壓力室Pr連通有流體管路2-316，加壓空氣等加壓流體通過流體管路2-316被供給至壓力室Pr。壓力室Pr的內部壓力可調整。因此，獨立於對於基板WF的研磨墊2-352的按壓力，可調整保持器部件2-308的對研磨墊2-352的按壓力。
＜乾燥模組＞ 乾燥模組2-500是用來使基板WF乾燥的裝置。在第十五圖所示的基板處理裝置2-1000中，乾燥模組2-500是以研磨模組2-300研磨後，使在搬送模組2-200的洗淨機構所洗淨的基板WF乾燥。如第十五圖所示，乾燥模組2-500配置於搬送模組2-200的下流。
乾燥模組2-500具有：噴嘴2-530，用來向搬送至搬送輥2-202上的基板WF噴射氣體。氣體可為例如壓縮的空氣或氮氣。藉由以乾燥模組2-500吹掉搬送的基板WF上的水滴，可使基板WF乾燥。
＜卸載模組＞ 卸載模組2-600是用來將進行過研磨及洗淨等處理後的基板WF搬出至基板處理裝置2-1000外的模組。第十五圖所示的基板處理裝置2-1000中，卸載模組2-600接受在乾燥模組2-500乾燥後的基板。如第十五圖所示，卸載模組2-600配置在乾燥模組2-500的下流。在一實施形態中，卸載模組2-600構成為符合SMEMA（Surface Mount Equipment Manufacturers Association）的機器裝置介面規格（IPC-SMEMA-9851）。
＜搬送模組＞ 第十八圖概略表示一實施形態的搬送模組2-200的側面圖。第十五圖所示的基板處理裝置2-1000，具備兩個搬送模組2-200A、2-200B。因為兩個搬送模組2-200A、2-200B可做為相同結構，以下一概以搬送模組2-200來說明。
第十九圖表示一實施形態的搬送模組2-200的斜視圖。此外，在第十九圖中，為了圖示的明瞭化，省略上搬送輥（第二搬送輥）2-290及其驅動機構。圖示的搬送模組2-200具備用來搬送基板WF的複數個搬送輥（第一搬送輥）2-202。藉由使搬送輥2-202旋轉，可在特定方向搬送搬送輥2-202上的基板WF。搬送模組2-200的搬送輥2-202可由導電性聚合物所形成，也可由無導電性的聚合物所形成。搬送輥2-202安裝於輥軸（第一輥軸）2-204，經由齒輪2-206，被馬達2-208驅動。在一實施形態中，馬達2-208可為伺服馬達，齒輪2-206可為齒輪型，但也可為磁性齒輪。又，圖示的搬送模組2-200具備：導引輥2-212，支持搬送中的基板WF的側面。圖示的搬送模組2-200具有：感測器2-216，用來檢測在搬送輥2-202上特定位置的基板WF是否存在。感測器2-216可為任意形式的感測器，例如可為光學式感測器。第十八圖所示的實施形態中，感測器2-216在搬送模組200設有7個（2-216a～2-216g）。在一實施形態中，可對應這些感測器2-216a～2-216g進行基板WF的檢測，來控制搬送模組2-200的動作。如第十八圖所示，搬送模組2-200具有：入口閘門2-218，為了在搬送模組2-200內接受基板WF而可開閉。如第十八圖所示，在無法以推送器2-230進行基板WF傳遞的區域，在搬送輥2-202上配置有上搬送輥2-290。上搬送輥2-290構成為連接於動力源，並可旋轉。在一實施形態中，上搬送輥2-290與搬送輥2-202一樣，構成為藉由齒輪2-206及馬達2-208所驅動。
如第十八圖所示，搬送模組2-200具有停止器2-220。停止器2-220連接於停止器移動機構2-222，停止器2-220可進入在搬送輥2-202上移動的基板WF的搬送路徑內。停止器2-220位於基板WF的搬送路徑內時，在搬送輥2-202上移動的基板WF的側面接觸停止器2-220，可使移動中的基板WF在停止器2-220的位置停止。又，停止器2-220位於從基板WF的搬送路徑退避的位置時，基板WF可在搬送輥2-202上移動。因停止器2-220造成的基板WF的停止位置，是後述的推送器2-230可接收在搬送輥2-202上的基板WF的位置（基板傳遞位置）。
感測器2-216a設於搬送模組2-200的入口側。當以感測器2-216a確認基板WF的後方通過後，可使入口閘門2-218關閉。之後，以配置在感測器2-216a的下流側的感測器2-216b監視基板WF的位置，並以搬送輥2-202搬送基板WF。此時因停止器移動機構2-222，停止器2-220移動到基板WF的搬送路徑內。可在搬送輥2-202上被搬送的基板WF，接觸停止器2-220並停止基板WF。又，感測器2-216c配置於停止器2-220的位置，當以感測器2-216c檢測基板WF，停止搬送輥2-202的動作。在停止器2-220的位置（基板傳遞位置）停止的基板WF，經由推送器2-230，傳遞至頂環2-302。
如第十八、十九圖所示，搬送模組2-200具有洗淨噴嘴2-284。洗淨噴嘴2-284具有：上洗淨噴嘴2-284a，配置於搬送輥2-202的上側；以及下洗淨噴嘴2-284b，配置於下側。上洗淨噴嘴2-284a及下洗淨噴嘴2-284b連接於圖未顯示的洗淨液供給源。上洗淨噴嘴2-284a構成為供給洗淨液至搬送輥2-202上所搬送的基板WF的背面。下洗淨噴嘴2-284b構成為供給洗淨液至搬送輥2-202上所搬送的基板WF的被研磨面。上洗淨噴嘴2-284a及下洗淨噴嘴2-284b，構成為具備與搬送輥2-202上所搬送的基板WF的寬度相同程度，或在此之上的寬度，藉由基板WF在搬送輥2-202上搬送，來洗淨整面基板WF。
＜推送器＞ 如第十八、十九圖所示，搬送模組2-200具有推送器2-230。推送器2-230構成為可將位於複數個搬送輥2-202上的基板WF提升並傳遞至頂環2-302。又，推送器2-230構成為可將從頂環2-302接收的基板WF傳遞至搬送模組2-200的搬送輥2-202。
第二十圖表示一實施形態的推送器2-230的斜視圖。第二十一圖是在箭頭21方向來看第二十圖所示推送器2-230的部分剖面圖。第二十一圖概略表示與推送器2-230一起，搬送輥2-202、搬送輥2-202上的基板傳遞位置所配置的基板WF以及接收基板WF的頂環2-302。此外，在第二十、二十一圖所示的實施形態中，為了圖示的明瞭化，省略後述的楔形機構及傾斜機構。
在第二十、二十一圖所示的實施形態中，推送器2-230具備第一平台2-270以及第二平台2-232。第二平台2-232是從推送器2-230傳遞基板WF至頂環2-302時，用來支持頂環2-302的保持器部件2-308的平台。第二平台2-232具備複數個支持柱（第二支持柱）2-234。第二十二圖表示第二平台2-232的一個支持柱的剖面圖。如第二十二圖所示，支持柱2-234的一端部具備：平坦的支持面2-234a，在傳遞基板WF至頂環2-302時以及從頂環2-302接收基板WF時支持頂環2-302的保持器部件2-308；以及傾斜面2-234b，用來引導頂環2-302。在一實施形態中，位於複數個支持柱2-234中的四個角部的支持柱2-234也可以具備如第二十二圖所示的支持面2-234a及傾斜面2-234b。由四個角部的支持柱2-234所形成的凹部可定位保持器部件2-308。四個角部以外的支持柱2-234也可以僅具備支持面2-234a。各支持柱2-234的另一端部連接於共同的基座（第二基座）2-236。又，各支持柱2-234設於不干涉搬送輥2-202的位置，在第二十一圖所示的實施形態中，各支持柱2-234配置於搬送輥2-202之間。
第一平台2-270構成為接收搬送輥2-202上的基板WF。第一平台2-270具備複數個支持柱（第一支持柱）2-272。第二十三圖表示一實施形態的第一平台2-270的一個支持柱2-272的剖面圖。如第二十三圖所示，支持柱2-272的一端部具備：平坦的支持面2-272a，在傳遞基板WF至頂環2-302時以及從頂環2-302接收基板WF時支持基板WF。在支持面2-272a，設有具彈性的吸附墊2-271。支持面2-272a經由吸附墊2-271支持基板WF。此外，也可以不設有吸附墊2-271。又，在複數個支持柱2-272的至少一個，形成有在支持面2-272a開口的吸引管路2-272b。吸引管路2-272b連通於真空源2-260。藉此，複數個支持柱2-272的至少一個，構成為從頂環2-302接收基板WF時，可經由吸引管路2-272b來吸引基板WF。各支持柱2-272的其他端部連接於共同的基座（第一基座）2-274。又，各支持柱2-272設於不干涉搬送輥2-202的位置，在第二十一圖所示的實施形態中，各支持柱2-272配置於搬送輥2-202之間。又，各支持柱2-272配置成支持不形成基板WF的被研磨面的電路等圖案的非圖案區域。第一平台2-270及第二平台2-232如以下所詳述，分別連接於升降機構，可分別在高度方向（z方向）移動。
第二平台2-232構成為可在高度方向（z方向）移動。在一實施形態中，推送器2-230具有第二升降機構2-231。在一實施形態中，如第二十、二十一圖所示，推送器2-230的第二升降機構2-231為空壓式升降機構，具備汽缸（第三汽缸）2-240及活塞（第三活塞）2-242。活塞2-242的端部連接於可動台座2-244。汽缸2-240連接於固定台座2-246。固定台座2-246固定於覆蓋整個搬送模組2-200的殼體2-201或設置搬送模組2-200的地面等。藉由調整汽缸2-240內的空氣壓，活塞2-242移動，使可動台座2-244在高度方向（z方向）移動。因為可動台座2-244在高度方向移動，可在高度方向移動第一平台2-270及第二平台2-232。在圖示的實施形態中，在可動台座2-244上，搭載有XY平台2-248，XY平台2-248可在水平面內使第一平台2-270及第二平台2-232移動。XY平台2-248可做為公知的XY平台，公知的XY平台構成為可藉由直動導件等在垂直的兩方向移動。在圖示的實施形態中，在XY平台2-248上搭載有旋轉平台2-250。旋轉平台2-250構成為可在XY平面（水平面）旋轉。換句話說，旋轉平台2-250構成為可以z軸為中心旋轉。旋轉平台2-250可採用由旋轉軸承等所構成的公知旋轉平台2-250。
在旋轉平台250上，搭載有第一升降機構233。第一升降機構233具有汽缸252及活塞254。汽缸252連接於第二平台232的基座236。又，在汽缸252，連接有可移動的活塞254，藉由調整汽缸252內的空氣壓，可移動活塞254。在活塞254的端部，連接有第一平台270的基座274。因此，藉由調整汽缸252內的空氣壓，可使活塞254及第一平台270在高度方向（z方向）移動。藉此，第一升降機構2-233可構成為從頂環2-302接收基板WF時，使基座2-274上升，使支持面2-272a接觸基板WF，同時在經由吸引管路2-272b吸引基板WF的狀態下使基座2-274下降。再者，感測器2-216b可構成為檢測支持面2-272a上有無基板WF。在此情況下，第一升降機構2-233可構成為從頂環2-302接收基板WF時，在使基座2-274下降的狀態中以感測器2-216b檢測到無基板WF的情況下，重複基座2-274的升降。也就是說，在無法正常從頂環2-302接收基板WF時，第一升降機構2-233再次使基座2-274上升，使支持面2-272a接觸基板WF，在經由吸引管路2-272b吸引基板WF的狀態下使基座2-274下降。
根據上述結構，第二升降機構2-231使第一平台2-270及第二平台2-232兩者在高度方向（z方向）移動，第一升降機構2-233可使第一平台2-270相對於第二平台2-232在高度方向（z方向）移動。又，第一平台2-270及第二平台2-232可藉由XY平台2-248在水平面內的垂直兩方向（xy方向）移動。再者，第一平台2-270及第二平台2-232可藉由旋轉平台2-250在水平面內（以z軸為中心）旋轉。因此，在推送器2-230與後述的頂環2-302之間授受基板WF時，可進行推送器2-230與頂環2-302的定位。此外，在圖示的實施形態中，第一升降機構2-233及第二升降機構2-231為空壓式升降機構，但這些升降機構也可以是液壓式，也可以是使用馬達及滾珠螺桿等的電動式升降機構。藉由第二升降機構2-231，第二平台2-232及第一平台2-270可在下位置及上位置之間移動。
接下來，說明關於從推送器2-230傳遞基板WF至頂環2-302。第二十一圖表示第一平台2-270及第二平台2-232位於下位置的狀態。當基板WF傳遞至頂環2-302時，推送器2-230從第二十一圖所示的狀態，以第二升降機構2-231使第一平台2-270及第二平台2-232上升。藉此，推送器2-230使吸附墊2-271接觸基板WF，並提升基板WF，同時藉由支持柱2-234的支持面2-234a支持頂環2-302的保持器部件2-308。然後，推送器2-230藉由第一升降機構2-233使第一平台2-270相對於第二平台2-232上升，來使基板WF接觸頂環2-302。在此狀態下，藉由對於頂環2-302的壓力室P1的真空吸引，基板WF被頂環2-302吸附，傳遞至頂環2-302。以研磨模組2-300對傳遞至頂環2-302的基板WF施加研磨處理。在基板WF傳遞至頂環2-302後，推送器2-230回到第二十一圖所示的狀態。此外，在基板WF傳遞至頂環2-302時，停止真空源2-260的真空吸引。
接下來，說明關於從頂環2-302傳遞基板WF至推送器2-230。推送器2-230從頂環2-302接收基板WF時，從第二十一圖所示的狀態，以第二升降機構2-231使第一平台2-270及第二平台2-232上升，藉由支持柱2-234的支持面2-234a支持頂環2-302的保持器部件2-308。然後，推送器2-230藉由第一升降機構2-233使第一平台2-270相對於第二平台2-232上升，來使基板WF接觸吸附墊2-271。然後，推送器2-230藉由開始真空源2-260進行的真空吸引，經由吸附墊2-271吸附基板WF。另一方面，頂環2-302停止對於壓力室P1的真空吸引，經由流體管路2-312供給加壓空氣等加壓流體至壓力室P1。在此狀態下，認為藉由使推送器2-230下降，從頂環2-302剝離基板WF。但是，在基板WF與頂環2-302之間的表面張力強力作用的情況下，即使讓推送器2-230下降，也會有從頂環2-302無法剝離基板WF的問題。
＜楔形機構＞ 對此，在本實施形態中，為了提升從頂環2-302傳遞基板WF至推送器2-230的確實性，採用楔形機構。第二十四圖概略表示一實施形態的楔形機構的斜視圖。第二十四圖是擴大第二十圖的AA區域來概略表示楔形機構。第二十五圖概略表示一實施形態的楔形機構的平面圖及剖面圖。第二十五（A）圖概略表示楔形機構的平面圖。第二十五（B）圖是擴大表示第二十五（A）圖的BB區域，第二十五（C）圖表示第二十五（B）圖的C-C剖面的剖面圖。
如第二十四圖、第二十五圖所示，本實施形態的基板處理裝置具備設於支持柱2-234的兩個楔形機構2-235。兩個楔形機構2-235配置成夾著矩形基板WF的角。因為兩個楔形機構2-235具有相同結構，所以以下只說明一個楔形機構2-235做為代表。此外，在本實施形態中，以4根支持柱2-234中的一根設有兩個楔形機構2-235為例示，但不限於此，也可以在複數根支持柱2-234設有楔形機構2-235。又，楔形機構2-235也可以設於支持柱2-234以外的部件。
楔形機構2-235包含插入基板WF與頂環2-302之間的楔形部件2-238。楔形部件2-238在從頂環2-302傳遞基板WF至推送器2-230時，配置於頂環2-302的彈性墊2-310所保持的基板WF的側面。楔形部件2-238具有可插入基板WF與頂環2-302之間的楔形形狀。具體來說，楔形部件2-238具有：第一面2-238a，平行於基板WF的背面延伸；以及第二面2-238b，傾斜成面對第一面2-238a並向著基板WF方向變細。第一面2-238a與第二面2-238b的基板WF側的端部連接，以第一面2-238a與第二面2-238b形成銳角的前端2-238e。楔形部件2-238具有：第三面2-238c，連接第一面2-238a與第二面2-238b的基板WF的相反側的端部。在本實施形態中，楔形部件2-238是在以支持柱2-234的支持面2-234a支持頂環2-302的保持器部件2-308的狀態下，定位於支持柱2-234，使楔形部件2-238的銳角的前端2-238e配置於彈性墊2-310與基板WF背面的接觸面的側面。
楔形機構2-235包含：驅動部件2-237，構成為是楔形部件2-238沿著基板WF背面方向移動，並插入基板WF背面與頂環2-302的彈性墊2-310之間。驅動部件2-237在一例中是空壓式驅動機構，具備與楔形部件2-238連接的活塞以及收容活塞的汽缸，藉由調整汽缸內的空氣壓，經由活塞使楔形部件2-238沿著基板WF背面方向往返移動。但是，驅動部件2-237並不限於此，可採用公知的機構。
楔形機構2-235在從頂環2-302傳遞基板WF至推送器2-230時，如第二十五（C）圖所示，使楔形部件2-238插入基板WF背面與頂環2-302的彈性墊2-310之間。藉此，對抗基板WF與頂環2-302之間作用的表面張力，基板WF的端部可從彈性墊2-310剝離。由於基板WF的端部從彈性墊2-310剝離，周圍的氣體（空氣）容易進入基板WF與頂環2-302之間。因此，推送器2-230在經由吸附墊2-271吸附基板WF的狀態下，可藉由使第一平台2-270下降，使整個基板WF容易從彈性墊2-310剝離。根據本實施形態的基板處理裝置，可提升從頂環2-302傳遞基板WF至推送器2-230的確實性。
第二十六圖概略表示變形例的楔形機構的剖面圖。如第二十六圖所示，變形例的楔形部件2-238具有：穴2-238d，通過楔形部件2-238的內部，開口於第二面2-238b。在本實施形態中，穴2-238d形成為連通楔形部件2-238的第二面2-238b與第三面2-238c，但並不受限於此。楔形機構2-235包含：流體供給源2-239，可經由穴2-238d從第二面2-238b噴射流體（例如空氣或氮氣等氣體）。
變形例的楔形機構2-235在從頂環2-302傳遞基板WF至推送器2-230時，與上述一樣，使楔形部件2-238插入基板WF背面與頂環2-302的彈性墊2-310之間。然後，楔形機構2-235以流體供給源2-239經由穴2-238d從第二面2-238b噴射流體。根據本變形例，可藉由使楔形部件2-238插入基板WF背面與頂環2-302的彈性墊2-310之間，在基板WF的端部與彈性墊2-310之間形成空隙，同時藉由從第二面2-238b對空隙噴射流體，使整個基板WF容易從彈性墊2-310剝離。因此，推送器2-230在經由吸附墊2-271吸附基板WF的狀態下，可藉由使第一平台2-270下降，使整個基板WF容易從彈性墊2-310剝離。根據本變形例的基板處理裝置，可提升從頂環2-302傳遞基板WF至推送器2-230的確實性。此外，基板處理裝置2-1000如上述，從頂環2-302傳遞基板WF至推送器2-230時，可供給加壓空氣等加壓流體至壓力室（氣囊）P1。藉此，因為彈性墊2-310膨脹，彈性墊2-310的下表面彎曲成向下突出，所以在彈性墊2-310與基板WF的外周部背面之間，可做出為了使插入楔形部件2-238變容易的空隙。除此之外，從連通壓力室P1與彈性墊2-310的基板保持面的未圖示的複數個開口，向基板WF背面供給加壓空氣等加壓流體。結果，因為基板WF可容易從彈性墊2-310剝離，所以可提升從頂環2-302傳遞基板WF至推送器2-230的確實性與迅速性。藉由提升頂環2-302傳遞基板WF至推送器2-230的迅速性，可減少基板WF搬送時間，所以可提升基板處理裝置2-1000的產出量。
＜傾斜機構＞ 接下來，說明關於用來使推送器2-230的第一平台2-270傾斜的傾斜機構。從第二十七～三十圖概略表示一實施形態的傾斜機構的剖面圖。在第二十七～三十圖中，為了圖示的明瞭化，省略第二升降機構2-231及楔形機構2-235。第二十七圖表示從第二十一圖所示的狀態以第二升降機構2-231使第一平台2-270及第二平台2-232上升，再者，以第一升降機構2-233使第一平台2-270相對於第二平台2-232上升，基板WF接觸吸附墊2-271的狀態。
如第二十七圖所示，本實施形態的基板處理裝置，包含：傾斜機構2-251，用來使第一平台2-270傾斜。傾斜機構2-251包含：第一旋轉軸2-253，安裝於第一平台2-270的底面的中央部。第一旋轉軸2-253設於活塞2-254與第一平台2-270之間。換句話說，活塞2-254經由第一旋轉軸2-253支持第一平台2-270。傾斜機構2-251包含：軸2-256，從活塞2-254向側面延伸；第二旋轉軸2-258，安裝於第一平台2-270的底面的端部；以及活塞2-257（第二活塞），經由第二旋轉軸2-258支持第一平台2-270。又，傾斜機構2-251包含：第三旋轉軸2-259，安裝於軸2-256的上面；以及汽缸2-255（第二汽缸），構成為使活塞2-257升降。汽缸2-255經由第三旋轉軸2-259被軸2-256支持。第一旋轉軸2-253、第二旋轉軸2-258以及第三旋轉軸2-259在本實施形態是在x軸方向延伸的鉸鏈狀旋轉軸，但不受限於此。第一旋轉軸2-253、第二旋轉軸2-258、第三旋轉軸2-259、活塞2-254、軸2-256、活塞2-257以及汽缸2-255形成環機構，構成為可藉由環機構，使第一平台2-270在第一旋轉軸2-253周圍傾斜。此外，在本實施形態中，例示了第一旋轉軸2-253設於第一平台2-270的底面的中央部，第二旋轉軸2-258安裝於第一平台2-270的底面的端部，但不限於此，第一旋轉軸2-253及第二旋轉軸2-258的安裝位置為任意。
第二十八圖表示從第二十七圖所示的狀態剝離基板WF端部的狀態。如第二十八圖所示，推送器2-230構成為在從頂環2-302傳遞基板WF至推送器2-230時，用傾斜機構2-251使第一平台2-270傾斜，從頂環2-302剝離基板WF的端部。具體來說，推送器2-230使用楔形機構2-235將楔形部件2-238插入基板WF與頂環2-302之間。然後，推送器2-230藉由降低活塞2-254來下降整個第一平台2-270，並藉由降低活塞2-257使第一平台2-270以第一旋轉軸2-253為中心來順時鐘旋轉（傾斜）。根據本實施形態，藉由插入楔形部件2-238，在基板WF的端部與頂環2-302之間形成空隙。此外，藉由使第一平台2-270傾斜來剝離形成空隙的基板WF的端部，氣體容易從空隙進入整個基板WF，所以可用小力容易地從頂環2-302剝離基板WF。
第二十九圖表示如第二十八圖所示從頂環2-302剝離基板WF的端部後，使用第一升降機構2-233使第一平台2-270下降的狀態。如第二十九圖所示，推送器2-230可藉由降低活塞2-254使第一平台2-270維持傾斜的狀態下降。藉此，如第二十九圖所示，可從頂環2-302剝離整個基板WF。又，推送器2-230將楔形部件2-238插入基板WF與頂環2-302之間後，在使用傾斜機構2-251及第一升降機構2-233從頂環2-302剝離的工序的任意時機，可藉由流體供給源2-239經由穴2-238d從第二面2-238b噴射流體。藉此，在頂環2-302與基板WF之間噴射流體，兩者間的表面張力變弱，所以可進一步提升從頂環2-302傳遞基板WF至推送器2-230的確實性。
第三十圖表示從第二十九圖所示的狀態使用傾斜機構2-251使第一平台2-270成水平狀態。如第三十圖所示，推送器2-230藉由上升活塞2-257，可使第一平台2-270以第一旋轉軸2-253為中心逆時針旋轉，第一平台2-270及基板WF回到水平狀態。推送器2-230在回到第三十圖的狀態後，可藉由以第二升降機構2-231使第一平台2-270、第二平台2-232下降，將基板WF傳遞至搬送輥2-202。
以上，說明了關於一些本發明的實施形態，但上述發明的實施形態，是用來容易理解本發明，並非限定本發明。本發明在不脫離其要旨下，可變更、改良，本發明當然包含其均等物。又，在可解決至少一部分的上述問題的範圍，或達成至少一部份功能的範圍內，可任意組合或省略申請專利範圍及說明書所記載的各構成元件。
從上述實施形態，掌握至少以下技術思想。 [形態1]根據形態1，提供一種推送器，推送器包含：複數個第一支持柱，在一端部具有用來支持基板的支持面；第一基座，連接於前述複數個第一支持柱的另一端部；以及第一升降機構，使第一基座升降，其中前述支持面構成為在將前述基板傳遞至前述頂環時以及從前述頂環接收前述基板時，支持前述基板；在前述複數個第一支持柱的至少一者，形成有吸引管路，該吸引管路連通真空源並在前述支持面開口。
[形態2]根據形態2，前述複數個第一支持柱的至少一者，構成為在從前述頂環接收前述基板時，經由前述吸引管路吸引前述基板。
[形態3]根據形態3，前述第一升降機構，構成為從前述頂環接收前述基板時，使前述第一基座上升並使前述支持面接觸前述基板，在經由前述吸引管路吸引前述基板的狀態下，使前述第一基座下降。
[形態4]根據形態4，推送器更包含：感測器，用來檢測前述支持面上有無基板；前述第一升降機構，構成為在從前述頂環接收前述基板時，在使前述第一基座下降的狀態下，以前述感測器檢測到無基板時，重複前述第一基座的升降。
[形態5]根據形態5，推送器更包含：複數個第二支持柱，在一端部具有支持面，該支持面用來在將前述基板傳遞至前述頂環時以及從前述頂環接收前述基板時，支持前述頂環；第二基座，連接於前述複數個第二支持柱的另一端部；以及第二升降機構，使前述第一基座及前述第二基座升降。
[形態6]根據形態6，提供一種基板搬送裝置，用來搬送基板。基板搬送裝置具有：複數個第一搬送輥，構成為支持基板的下表面；複數個第一輥軸，安裝有前述複數個第一搬送輥；馬達，用來使前述複數個第一輥軸旋轉；以及如上述任一所述的推送器，用來提起前述複數個第一搬送輥上的基板，傳遞至前述頂環，並將從前述頂環接收的基板至於前述複數個第一搬送輥，其中前述推送器配置成前述複數個第一支持柱通過前述複數個第一輥軸之間的空隙。
[形態7]根據形態7，前述推送器配置成前述複數個第一支持柱與前述複數個第二支持柱通過前述複數個第一輥軸之間的空隙。
[形態8]根據形態8，基板搬送裝置，更包含：複數個第二搬送輥，構成為支持前述基板的上表面；以及複數個第二輥軸，安裝有前述複數個第二搬送輥，其中前述馬達構成為使前述第一輥軸與前述第二輥軸旋轉。
[形態9]根據形態9，基板搬送裝置，更包含：厚度感測器，測量前述基板的厚度；以及驅動裝置，對應前述厚度感測器的測量結果，移動前述複數個第一搬送輥以及前述複數個第二搬送輥的至少一位置來調整前述複數個第一搬送輥以及前述複數個第二搬送輥之間的間隔。
[形態10]根據形態10，提供一種基板處理裝置，更包含：彈性部件，構成為將前述第二搬送輥推向前述第一搬送輥的方向。
[形態11]根據形態11，提供一種基板處理裝置，包含：研磨模組，用來研磨基板；搬送模組，用來搬送基板；以及乾燥模組，用來使基板乾燥，其中前述搬送模組包含上述任一所述的基板搬送裝置。
[形態12]本申請案做為一實施形態，揭露一種基板處理裝置，包含：頂環，構成為在被研磨面向下方的狀態下保持基板的背面；推送器，構成為在前述頂環之間傳遞基板；以及楔形機構，包含：楔形部件，在從頂環向前述推送器傳遞前述基板時，配置於保持在前述頂環的基板的側面；以及驅動部件，構成為使前述楔形部件沿著前述基板的背面的方向移動，插入前述基板與前述頂環之間。
[形態13]再者，本申請案做為一實施形態，揭露一種基板處理裝置，其中前述楔形部件具有：第一面，平行於前述基板的背面延伸；以及第二面，傾斜成面對前述第一面並向著前述基板方向變細。
[形態14]再者，本申請案做為一實施形態，揭露一種基板處理裝置，其中前述楔形部件具有通過前述楔形部件的內部，開口於前述第二面的穴；前述楔形機構，更包含：流體供給源，可從前述第二面經由前述穴噴射流體。
[形態15]再者，本申請案做為一實施形態，揭露一種基板處理裝置，其中前述推送器包含：第一平台，用來在前述頂環之間傳遞前述基板；第一升降機構，用來使前述第一平台升降；以及傾斜機構，用來使前述第一平台傾斜。
[形態16]再者，本申請案做為一實施形態，揭露一種基板處理裝置，其中前述推送器構成為在從前述頂環傳遞前述基板至前述推送器時，藉由使用前述傾斜機構使前述第一平台傾斜，來自前述頂環剝離前述基板的端部。
[形態17]再者，本申請案做為一實施形態，揭露一種基板處理裝置，其中前述推送器構成為從前述頂環剝離前述基板的端部後，使用前述第一升降機構使前述第一平台下降，同時使用前述傾斜機構，使前述第一平台成水平。
[形態18]再者，本申請案做為一實施形態，揭露一種基板處理裝置，其中第一升降機構包含：第一活塞，支持前述第一平台的底面；以及第一汽缸，構成為使前述第一活塞升降；前述傾斜機構，包含：第一旋轉軸，設在前述第一活塞與前述第一平台之間；軸，從前述第一活塞向側面延伸；第二旋轉軸，安裝於前述第一平台的底面；第二活塞，經由前述第二旋轉軸支持前述第一平台；第三旋轉軸，安裝於前述軸的上表面；第二汽缸，構成為使前述第二活塞升降。
[形態19]再者，本申請案做為一實施形態，揭露一種基板處理裝置，其中前述第一平台包含：複數個第一支持柱，在一端部具有支持面，前述支持面用來經由吸附墊支持前述基板；以及第一基座，連接於前述複數個第一支持柱的另一端部，其中在前述複數個第一支持柱的至少一者，形成有吸引管路，前述吸引管路連通真空源並在前述支持面開口。
[形態20]再者，本申請案做為一實施形態，揭露一種基板處理裝置，更包含：第二平台，用來在前述頂環之間傳遞基板時，支持前述頂環；以及第二升降機構，用來使前述第一平台及前述第二平台升降；前述第二平台包含：複數個第二支持柱，在一端部具有支持面，前述支持面用來在前述頂環之間傳遞基板時，支持前述頂環；以及第二基座，連接於前述複數個第二支持柱的另一端部；前述楔形部件，設於前述複數個第二支持柱的至少一者。
8、14、AB、AC:箭頭 10:圖案區域 12:ID標籤 20:非圖案區域 100、2-100:裝載模組 200、200A、200B、2-200、2-200A、2-200B:搬送模組 201、2-201:殼體 202、2-202:搬送輥 204、2-204:輥軸 206、2-206、282a、282b:齒輪 208、2-208、209:馬達 210:螺軸 211:驅動裝置 212、2-212:導引輥 216、216a～216g、2-216、2-216a～2-216g:感測器 217:厚度感測器 218、2-218:入口閘門 220、2-220:停止器 222、2-222:停止器移動機構 230、2-230:推送器 231、2-231:第二升降機構 232、2-232:第二平台 233、2-233:第一升降機構 234、272、2-234、2-272:支持柱 234a、272a、2-234a、2-272a:支持面 234b、2-234b:傾斜面 2-235:楔形機構 236、274、2-236、2-274、295:基座 2-237:驅動部件 2-238:楔形部件 2-238a:第一面 2-238b:第二面 2-238c:第三面 2-238d:穴 2-238e:前端 2-239:流體供給源 240、252、2-240、2-255:汽缸 242、254、2-242、2-254、2-257:活塞 244、2-244:可動台座 246、2-246:固定台座 248、2-248:XY平台 250、2-250:旋轉平台 2-251:傾斜機構 2-253:第一旋轉軸 2-256:軸 2-258:第二旋轉軸 2-259:第三旋轉軸 260、2-260:真空源 270、2-270:第一平台 2-271:吸附墊 272b、2-272b:吸引管路 284、2-284:洗淨噴嘴 284a、2-284a:上洗淨噴嘴 284b、2-284b:下洗淨噴嘴 286:出口閘門 290、2-290:上搬送輥 291:上輥軸 292:支持部件 296:彈性部件 300、300A、300B、2-300、2-300A、2-300B:研磨模組 302、2-302:頂環 304、2-304:頂環軸 306、2-306:頭本體 308、2-308:保持器部件 310、2-310:彈性墊 312、2-312:流體管路 314、2-314:彈性氣囊 316、2-316:流體管路 350、2-350:研磨平台 351、2-351:平台軸 352、2-352:研磨墊 353、2-353:通路 354、2-354:研磨液供給噴嘴 355、2-355:開口部 356、2-356:修整器 357、2-357:貫穿孔 358、2-358:噴霧器 360、2-360:臂 362、2-362:旋轉軸 500、2-500:乾燥模組 530、2-530:噴嘴 600、2-600:卸載模組 900、2-900:控制裝置 1000、2-1000:基板處理裝置 P1、Pr:壓力室 WF:基板
[第一圖]表示一實施形態的基板處理裝置的整體結構的平面圖。 [第二圖]概略表示一實施形態的處理對象物的基板的平面圖。 [第三圖]概略表示一實施形態的研磨模組的斜視圖。 [第四圖]概略表示一實施形態的頂環結構。 [第五圖]表示一實施形態的搬送模組的側面圖。 [第六圖]表示一實施形態的搬送模組的斜視圖。 [第七圖]表示一實施形態的推送器的斜視圖。 [第八圖]在箭頭8方向來看第七圖所示推送器的部分剖面圖。 [第九圖]表示一實施形態的第二平台的一個支持柱的剖面圖。 [第十圖]表示一實施形態的第一平台的一個支持柱的剖面圖。 [第十一圖]表示第一平台及第二平台在上位置時的部分剖面圖。 [第十二圖]表示第一平台及第二平台在上位置，且第一平台在相對於第二平台上升的位置時的部分剖面圖。 [第十三圖]概略表示一實施形態的搬送模組的側面圖。 [第十四圖]在箭頭14方向來看第十三圖所示的搬送模組的圖。 [第十五圖]表示一實施形態的基板處理裝置的整體結構的平面圖。 [第十六圖]概略表示一實施形態的研磨模組的斜視圖。 [第十七圖]概略表示一實施形態的頂環結構的側剖面圖。 [第十八圖]概略表示一實施形態的搬送模組的側面圖。 [第十九圖]表示一實施形態的搬送模組的斜視圖。 [第二十圖]表示一實施形態的推送器的斜視圖。 [第二十一圖]在箭頭20的方向來看第二十圖所示的推送器的部分剖面圖。 [第二十二圖]表示一實施形態的第二平台的一個支持柱的剖面圖。 [第二十三圖]表示一實施形態的第一平台的一個支持柱的剖面圖。 [第二十四圖]概略表示一實施形態的楔形機構的斜視圖。 [第二十五圖]概略表示一實施形態的楔形機構的平面圖及剖面圖。 [第二十六圖]概略表示變形例的楔形機構的剖面圖。 [第二十七圖]概略表示一實施形態的傾斜機構的剖面圖。 [第二十八圖]概略表示一實施形態的傾斜機構的剖面圖。 [第二十九圖]概略表示一實施形態的傾斜機構的剖面圖。 [第三十圖]概略表示一實施形態的傾斜機構的剖面圖。
202:搬送輥
216b:感測器
230:推送器
231:第二升降機構
232:第二平台
233:第一升降機構
234、272:支持柱
236、274:基座
240、252:汽缸
242、254:活塞
244:可動台座
246:固定台座
248:XY平台
250:旋轉平台
260:真空源
270:第一平台
272b:吸引管路
302:頂環
308:保持器部件
WF:基板

Claims (20)

  1. 一種推送器，包含： 複數個第一支持柱，在一端部具有用來支持基板的支持面； 第一基座，連接於前述複數個第一支持柱的另一端部；以及 第一升降機構，使前述第一基座升降， 其中前述支持面構成為在將前述基板傳遞至頂環時、以及從前述頂環接收前述基板時，支持前述基板； 前述複數個第一支持柱的至少一者形成有吸引管路，前述吸引管路係連通真空源並開口於前述支持面。
  2. 如請求項1所述的推送器，其中前述複數個第一支持柱的至少一者，構成為在從前述頂環接收前述基板時，經由前述吸引管路吸引前述基板。
  3. 如請求項1或2所述的推送器，其中前述第一升降機構，構成為從前述頂環接收前述基板時，使前述第一基座上升並使前述支持面接觸前述基板，在經由前述吸引管路吸引前述基板的狀態下，使前述第一基座下降。
  4. 如請求項3所述的推送器，更包含：感測器，用來檢測前述支持面上有無基板； 前述第一升降機構，構成為當從前述頂環接收前述基板時，在使前述第一基座下降的狀態下，以前述感測器檢測到無基板時，重複前述第一基座的升降。
  5. 如請求項1～4中任一項所述的推送器，更包含： 複數個第二支持柱，在一端部具有支持面，該支持面用來在將前述基板傳遞至前述頂環時、以及從前述頂環接收前述基板時，支持前述頂環； 第二基座，連接於前述複數個第二支持柱的另一端部；以及 第二升降機構，使前述第一基座及前述第二基座升降。
  6. 一種基板搬送裝置，用來搬送基板，具有： 複數個第一搬送輥，構成為支持基板的下表面； 複數個第一輥軸，安裝有前述複數個第一搬送輥； 馬達，用來使前述複數個第一輥軸旋轉；以及 如請求項1～5中任一項所述的推送器，用來提起前述複數個第一搬送輥上的基板，傳遞至前述頂環，並將從前述頂環接收的基板置於前述複數個第一搬送輥， 其中前述推送器配置成前述複數個第一支持柱通過前述複數個第一輥軸之間的空隙。
  7. 如請求項6所述的基板搬送裝置，其中前述推送器配置成前述複數個第一支持柱與前述複數個第二支持柱通過前述複數個第一輥軸之間的空隙。
  8. 如請求項6或7所述的基板搬送裝置，更包含： 複數個第二搬送輥，構成為支持前述基板的上表面；以及 複數個第二輥軸，安裝有前述複數個第二搬送輥，其中前述馬達構成為使前述第一輥軸與前述第二輥軸旋轉。
  9. 如請求項8所述的基板搬送裝置，更包含： 厚度感測器，測量前述基板的厚度；以及 驅動裝置，對應前述厚度感測器的測量結果，移動前述複數個第一搬送輥以及前述複數個第二搬送輥中至少一者的位置，來調整前述複數個第一搬送輥以及前述複數個第二搬送輥之間的間隔。
  10. 如請求項9所述的基板搬送裝置，更包含： 彈性部件，構成為將前述第二搬送輥推向前述第一搬送輥的方向。
  11. 一種基板處理裝置，包含： 研磨模組，用來研磨基板； 搬送模組，用來搬送基板；以及 乾燥模組，用來使基板乾燥，其中前述搬送模組包含請求項6～10中任一項所述的基板搬送裝置。
  12. 一種基板處理裝置，包含： 頂環，構成為在被研磨面朝向下方的狀態下保持基板的背面； 推送器，構成為在前述頂環之間傳遞基板；以及 楔形機構，包含：楔形部件，在從頂環向前述推送器傳遞前述基板時，配置於保持在前述頂環的基板的側面；以及驅動部件，構成為使前述楔形部件沿著前述基板的背面的方向移動，插入前述基板與前述頂環之間。
  13. 如請求項12所述的基板處理裝置，其中前述楔形部件具有：第一面，平行於前述基板的背面並延伸；以及第二面，傾斜成面對前述第一面並向著前述基板方向變細。
  14. 如請求項13所述的基板處理裝置，其中前述楔形部件具有通過前述楔形部件的內部，開口於前述第二面的穴； 前述楔形機構，更包含：流體供給源，可從前述第二面經由前述穴噴射流體。
  15. 如請求項12～14中任一項所述的基板處理裝置，其中前述推送器包含：第一平台，用來在前述頂環之間傳遞前述基板；第一升降機構，用來使前述第一平台升降；以及傾斜機構，用來使前述第一平台傾斜。
  16. 如請求項15所述的基板處理裝置，其中前述推送器構成為在從前述頂環傳遞前述基板至前述推送器時，藉由使用前述傾斜機構使前述第一平台傾斜，來自前述頂環剝離前述基板的端部。
  17. 如請求項16所述的基板處理裝置，其中前述推送器構成為從前述頂環剝離前述基板的端部後，使用前述第一升降機構使前述第一平台下降，同時使用前述傾斜機構，使前述第一平台成水平。
  18. 如請求項17所述的基板處理裝置，其中第一升降機構包含：第一活塞，支持前述第一平台的底面；以及第一汽缸，構成為使前述第一活塞升降； 前述傾斜機構，包含：第一旋轉軸，設在前述第一活塞與前述第一平台之間；軸，從前述第一活塞向側面延伸；第二旋轉軸，安裝於前述第一平台的底面；第二活塞，經由前述第二旋轉軸支持前述第一平台；第三旋轉軸，安裝於前述軸的上表面；第二汽缸，構成為經由前述第三旋轉軸為前述軸所支持，而使前述第二活塞升降。
  19. 如請求項15～18中任一項所述的基板處理裝置，其中前述第一平台包含：複數個第一支持柱，在一端部具有支持面，前述支持面用來經由吸附墊支持前述基板；以及第一基座，連接於前述複數個第一支持柱的另一端部， 其中在前述複數個第一支持柱的至少一者形成有吸引管路，前述吸引管路連通真空源並在前述支持面開口。
  20. 如請求項15～19中任一項所述的基板處理裝置，更包含：第二平台，用來在前述頂環之間傳遞基板時，支持前述頂環；以及第二升降機構，用來使前述第一平台及前述第二平台升降； 前述第二平台包含：複數個第二支持柱，在一端部具有支持面，前述支持面用來在前述頂環之間傳遞基板時，支持前述頂環；以及第二基座，連接於前述複數個第二支持柱的另一端部； 前述楔形部件，設於前述複數個第二支持柱的至少一者。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN117620883B (zh) * 2024-01-24 2024-03-26 扬州群发换热器有限公司 一种opa芯片端面抛光研磨机

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2915254B2 (ja) * 1993-07-29 1999-07-05 セントラル硝子株式会社 薄板ガラスの持着具およびその搬送方法
DE10206660C1 (de) * 2002-02-12 2003-07-24 Atotech Deutschland Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Transport von flachem Behandlungsgut in Durchlaufanlagen
JP4476133B2 (ja) * 2005-02-24 2010-06-09 東京エレクトロン株式会社 処理システム
JP5155517B2 (ja) * 2005-04-21 2013-03-06 株式会社荏原製作所 ウエハ受渡装置及びポリッシング装置
JP5009101B2 (ja) 2006-10-06 2012-08-22 株式会社荏原製作所 基板研磨装置
JP5197644B2 (ja) * 2010-02-08 2013-05-15 株式会社荏原製作所 研磨装置及び研磨方法
JP5856546B2 (ja) * 2012-07-11 2016-02-09 株式会社荏原製作所 研磨装置および研磨方法
JP5524388B1 (ja) * 2013-05-07 2014-06-18 株式会社フジ機工 基板搬送装置
JP2015082586A (ja) * 2013-10-23 2015-04-27 株式会社荏原製作所 研磨装置および研磨方法
JP6427131B2 (ja) * 2016-03-18 2018-11-21 株式会社荏原製作所 研磨装置および研磨方法
JP7339755B2 (ja) 2019-03-27 2023-09-06 綜合警備保障株式会社 異常音監視システム及び異常音監視方法

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