TW202132103A - 層積構造體 - Google Patents

Abstract

本發明之層積構造體(10)，具備：基材(11)，與被形成於此基材(11)的一面之層積膜(20)，前述層積膜(20)，具有：銀或銀合金構成的銀膜(21)，與鄰接於此銀膜(21)的一方之面及另一方之面而被層積的介電質膜(23)，鄰接於前述銀膜(21)而被層積的前述介電質膜(23)之至少一方，為包含Ga,Ti,Zn的GaTiZn氧化物膜，前述GaTiZn氧化物膜，被形成於前述層積膜(20)的最表層以外的部分。

Description

層積構造體

本發明係關於例如用於顯示器或觸控面板，或者隔熱玻璃或隔熱膜等的具備銀膜與介電質膜之層積構造體。 本發明根據2019年11月15日於日本提出申請之特願2019-206934號專利申請案，及2020年10月26日於日本提出申請之特願2020-179053號專利申請案主張優先權，於此援用其內容。

例如，於液晶顯示器或有機EL顯示器、觸控面板等，作為配線，例如專利文獻1~5所示，適用具有由透明導電氧化物膜與銀或銀合金構成的銀膜被層積之層積構造的層積膜。此層積膜，要求可見光區域的光的透過率高，而且電阻要低。 此外，低輻射玻璃等，例如於專利文獻6所揭示的，具有具備玻璃，與被形成於玻璃表面的層積膜(隔熱膜)的構造，在層積膜，被層積銀合金膜與透明介電質膜。用於此低輻射玻璃等的層積膜，要求紅外線的反射率高，而且可見光的透過率高。

然而，最近，在顯示器或觸控面板等，進而發展配線及電極的細微化，進而，由於大畫面化使得配線及電極的長度變長。作為透明導電配線膜或透明電極，比從前更加要求電阻降低，而且可見光區域的透過率優異的層積膜。亦即，於此層積膜，要求優異的電氣特性及光學特性。 此外，作為隔熱膜使用的場合，要求透過可見光同時反射紅外線的光學特性。

然而，從前的層積膜，有可能會因為微粒(空中微粒子)或指紋等附著於膜上或膜端部，因氯的緣故發生銀膜的凝集，產生斑點等缺陷。 特別是為了提高透過率而使銀膜薄化的場合，銀容易凝集，所以有容易發生前述缺陷的傾向。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開平07-325313號公報 [專利文獻2]日本特開平09-123337號公報 [專利文獻3]日本特開平09-232278號公報 [專利文獻4]日本特開2001-328198號公報 [專利文獻5]日本特開2009-252576號公報 [專利文獻6]日本特開2007-070146號公報

[發明所欲解決之課題]

本發明係有鑑於前述情形而完成之發明，目的在於提供藉著抑制氯所導致的銀膜的凝集，而抑制斑點等缺陷的發生，而且電氣特性及光學特性優異之層積構造體。 [供解決課題之手段]

為了解決前述課題，相關於本發明之一態樣之層積構造體，具備：基材，與被形成於此基材的一面之層積膜，前述層積膜，具有：銀或銀合金構成的銀膜，與臨接於此銀膜的一方之面及另一方之面而被層積的介電質膜，鄰接於前述銀膜而被層積的前述介電質膜之至少一方，為包含Ga,Ti,Zn的GaTiZn氧化物膜，前述GaTiZn氧化物膜，被形成於前述層積膜的最表層以外的部分。

根據相關於本發明之一態樣之層積構造體，具有鄰接於銀膜的一方之面及另一方之面而被層積的介電質膜，此介電質膜之至少一方，為包含Ga,Ti,Zn的GaTiZn氧化物膜。因此，介電質膜與銀膜之親和性高，提高密接性。因此，藉著妨礙銀的原子移動可以抑制銀膜之銀的凝集，可以抑制缺陷的發生。 此外，前述GaTiZn氧化物膜的耐氯性差，但是前述GaTiZn氧化物膜，被形成於前述層積膜的最表層以外的部分，所以可以確保層積膜全體之耐氯性。

在此，相關於本發明之一態樣之層積構造體，前述GaTiZn氧化物膜，為金屬成分與氧構成的氧化物，前述金屬成分，相對於所有金屬成分100原子%(原子百分比)，Ga含有0.5原子%以上20.0原子%以下，Ti含有0.5原子%以上20.0原子%以下，餘部為Zn及不可避免的不純物為佳。 在此場合，前述GaTiZn氧化物膜的組成如前所述地被規定著，所以介電質膜與銀膜之親和性確實變高，進而可以抑制銀膜之銀的凝集，可以進而抑制缺陷的發生。

此外，於相關於本發明之一態樣之層積構造體，前述GaTiZn氧化物膜的厚度以5nm以上為佳。 在此場合，前述GaTiZn氧化物膜的厚度為5nm以上，所以介電質膜與銀膜之密接性進而提高，進而可以抑制銀膜之銀的凝集，可以進而抑制缺陷的發生。

進而，於相關於本發明之一態樣之層積構造體，前述銀膜含有由In,Sn,Cu,Ge,Sb,Au,Pt,Pd,Mg,Ca,Ti選擇的1種或2種以上合計在0.01原子%以上20.0原子%以下之範圍內，餘部為銀及不可避免的不純物為佳。 在此場合，銀膜含有由In,Sn,Cu,Ge,Sb,Au,Pt,Pd,Mg, Ca,Ti選擇的1種或2種以上合計在0.01原子%以上20.0原子%以下之範圍內，所以可確保光學特性，同時可以提高耐熱性。

此外，於相關於本發明之一態樣之層積構造體，前述銀膜的厚度在5nm以上20nm以下之範圍內為佳。 在此場合，銀膜的厚度在5nm以上，所以可充分確保膜的耐久性。另一方面，銀膜的厚度在20nm以下，所以可充分確保光學特性。

進而，於相關於本發明之一態樣之層積構造體，於前述銀膜之與前述基材相反面側，被配設AlSiZn氧化物膜，前述AlSiZn氧化物膜，係由金屬成分與氧構成的氧化物，前述金屬成分含Al,Si，餘部為Zn及不可避免的不純物亦可。 在此場合，於前述銀膜之與前述基材相反面側，被配設金屬成分含Al,Si，餘部為Zn及不可避免的不純物的AlSiZn氧化物膜，所以提高障壁性，可以抑制銀膜的劣化。

此外，於相關於本發明之一態樣之層積構造體，前述AlSiZn氧化物膜之前述金屬成分，相對於所有金屬成分100原子%，Al含有0.5原子%以上20.0原子%以下，Si含有0.5原子%以上40.0原子%以下，餘部為Zn及不可避免的不純物為佳。 在此場合，前述AlSiZn氧化物膜的組成如前所述地被規定著，所以可進而提高障壁性，可以進而抑制銀膜的劣化。

進而，於相關於本發明之一態樣之層積構造體，前述AlSiZn氧化物膜的厚度在10nm以上為佳。 在此場合，前述AlSiZn氧化物膜的厚度為10nm以上，所以可進而提高障壁性，可以進而抑制銀膜的劣化。 [發明之效果]

根據本發明之一態樣，可以提供藉著抑制氯所導致的銀膜的凝集，而抑制斑點等缺陷的發生，電氣特性及光學特性優異之層積構造體。

以下，針對本發明之一實施型態之層積構造體，參照附圖具體說明。又，本實施型態之層積構造體，構成各種顯示器及觸控面板的透明導電配線膜或者透明電極，或者低輻射玻璃(Low-E玻璃)之隔熱膜。

本實施型態之層積構造體10，如圖1所示，具備：基材11，與被形成於此基材11之一面的層積膜20。 在此，作為基材11，例如可以使用玻璃基板、樹脂基板、樹脂膜等。在本實施型態，基材11為玻璃基板，其厚度在0.1mm以上2mm以下之範圍內。

層積膜20，係具有由銀或銀合金構成的銀膜21、與鄰接於該銀膜21的一方的面(圖1中的上面，也稱為第1面)及另一方的面(圖1中的下面，也稱為第2面)而被層積之介電質膜23。 以下，銀膜21及介電質膜23的第1面，係與基材11相反的面，稱為朝向外側的面。銀膜21及介電質膜23的第2面，稱為朝向基材11的面。鄰接於銀膜21的第1面而被層積之介電質膜23稱為第1介電質膜23。鄰接於銀膜21的第2面而被層積之介電質膜23稱為第2介電質膜23。 再者，本實施型態，係於銀膜21的一方的面(圖1中的上面、第1面)側，配設著鄰接於介電質膜23的與銀膜21相反的面(第1面)而被層積之障壁膜25。詳細而言，於銀膜21的與基材11相反的面(第1面)側，以與介電質膜23的與銀膜21相反的面(第1面)直接相接之方式設著障壁膜25。亦即，以與第1介電質膜23的第1面直接相接之方式設著障壁膜25。

此處，鄰接於銀膜21而被層積的介電質膜23之至少一方，為包含Ga,Ti,Zn的GaTiZn氧化物膜。 本實施型態，如圖1所示，係以分別鄰接於銀膜21的一方的面及另一方的面之方式形成介電質膜23，且該介電質膜23是由GaTiZn氧化物膜所構成。詳細而言，設有直接接於銀膜21的第1面之第1介電質膜23、與直接接於銀膜21的第2面之第2介電質膜23，且兩者介電質膜23為GaTiZn氧化物膜。 又，該GaTiZn氧化物膜被形成於層積膜20的最表層以外的部分。本實施型態中，障壁膜25被形成作為層積膜20的最表層，且在該障壁膜25的下層形成GaTiZn氧化物膜。詳細而言，在基材11上依序層積第2介電質膜23、銀膜21、第1介電質膜23、及障壁膜25。

此處，構成介電質膜23的GaTiZn氧化物膜，係由金屬成分與氧構成的氧化物與不可避免的不純物所構成，金屬成分係包含Ga,Ti，餘部為Zn及不可避免的金屬為佳。此外，GaTiZn氧化物膜之金屬成分中，相對於所有金屬成分100原子%，鎵的含量0.5原子%以上20.0原子%以下、鈦的含量0.5原子%以上20.0原子%以下，餘部為鋅及不可避免的金屬為佳。金屬成分，可以含有由Mg、Nb、In、Sn、Si、Al、Mn、Fe、Co、Ni、Ge、Mo、W、Ta、Hf、Ce、Y、及Cu選擇的1種以上之任意元素。相對於所有金屬成分100原子%，任意元素的合計量為0.1~5.0原子%佳。 此處，不可避免的不純物為氧與金屬成分以外的元素。此外，不可避免的金屬，為前述含量被特定的元素與鋅以外之金屬元素。 此外，介電質膜23的厚度為5nm以上佳。

銀膜21係由銀或銀合金所構成。在本實施型態，銀膜21含有由In,Sn,Cu,Ge,Sb,Au,Pt,Pd,Mg,Ca,Ti選擇的1種或2種以上合計在0.01原子%以上20.0原子%以下之範圍內，餘部為銀及不可避免的不純物為佳。 此處，不可避免的不純物，為前述含量被特定的元素與銀以外之元素。 此外，銀膜21的厚度在5nm以上20nm以下之範圍內為佳。

障壁膜25係AlSiZn氧化物膜。AlSiZn氧化物膜，係由金屬成分與氧構成的氧化物與不可避免的不純物所構成，金屬成分係包含鋁、矽，餘部為鋅及不可避免的金屬。 此處，構成障壁膜25之AlSiZn氧化物膜之金屬成分中，相對於所有金屬成分100原子%，鋁的含量0.5原子%以上20.0原子%以下、矽的含量0.5原子%以上40.0原子%以下，餘部為鋅及不可避免的金屬為佳。 此處，不可避免的不純物為氧與金屬成分以外的元素。此外，不可避免的金屬，為前述含量被特定的元素與鋅以外之金屬元素。 此外，障壁膜25的厚度為10nm以上佳。

此處，如前述規定之理由，說明本實施型態之層積構造體10中，介電質膜23之組成及厚度、銀膜21之組成及厚度、障壁膜25之組成及厚度。 以下，介電質膜23的組成及障壁膜25的組成中之金屬元素含量，係相對於所有金屬成分100原子%之量。

(介電質膜23) 構成與銀膜21鄰接而被層積的介電質膜23之GaTiZn氧化物膜，與銀膜21的密接性高，阻礙銀的原子移動。因此，GaTiZn氧化物膜係具有抑制銀膜21中銀凝集之作用。

鎵(Ga)，藉由被添加到鋅氧化物，而具有改善與銀的密接性之作用效果。 此處，藉著相對於所有金屬成分100原子%在0.5原子%以上20.0原子%以下的範圍內含有鎵，可以確實地提升介電質膜23與銀的密接性。 又，構成介電質膜23的GaTiZn氧化物膜的鎵含量之下限為2.0原子%以上為佳，5.0原子%以上更佳。另一方面，構成介電質膜23的GaTiZn氧化物膜的鎵含量之上限為18.0原子%以下為佳，15.0原子%以下更佳。

鈦(Ti)，藉由被添加到鋅氧化物，而具有改善鋅氧化物的耐氯性之作用效果。 此處，藉著相對於所有金屬成分100原子%在0.5原子%以上的範圍內含有鈦，可以充分地提升介電質膜23之鋅氧化物的耐氯性。另一方面，藉著將介電質膜23中的鈦含量相對於所有金屬成分100原子%限制在20.0原子%以下，可以提升介電質膜23與銀之密接性。 又，構成介電質膜23的GaTiZn氧化物膜中的鈦含量之下限為1.0原子%以上為佳，2.0原子%以上更佳。另一方面，構成介電質膜23的GaTiZn氧化物膜中的鈦含量之上限為15.0原子%以下為佳，10.0原子%以下更佳。

此外，藉著介電質膜23(GaTiZn氧化物膜)之厚度為5nm以上，可以進而提升與銀膜21之密接性。 又，介電質膜23的厚度之下限在10nm以上為佳，20nm以上更佳。另一方面，介電質膜23的厚度的上限並沒有特別限制，但在100nm以下為佳，50nm以下更佳。

(銀膜21) 層積構造體10中的銀膜21，係具有優異的導電性，而且有效率地反射紅外線。 In,Sn,Cu,Ge,Sb,Au,Pt,Pd,Mg,Ca,Ti等元素，會提升銀的耐熱性，且具有改善熱濕環境下的安定性之作用效果。 此處，藉著由In,Sn,Cu,Ge,Sb,Au,Pt,Pd,Mg,Ca,Ti選擇的1種或2種以上之合計含量在0.01原子%以上，可以充分地提升銀膜21的耐熱性。另一方面，藉著由In,Sn,Cu,Ge, Sb,Au,Pt,Pd,Mg,Ca,Ti選擇的1種或2種以上之合計含量在20.0原子%以下，可以抑制銀膜21的光學特性劣化。 又，由In,Sn,Cu,Ge,Sb,Au,Pt,Pd,Mg,Ca,Ti選擇的1種或2種以上之合計含量的下限為0.1原子%以上佳，為0.5原子%以上更佳。另一方面，由In,Sn,Cu,Ge,Sb,Au,Pt,Pd,Mg, Ca,Ti選擇的1種或2種以上之合計含量的上限為10.0原子%以下佳，為8.0原子%以下更佳。

此外，藉著銀膜21的厚度在5nm以上，可以充分地確保銀膜21的耐久性。另一方面，藉著銀膜21的厚度在20nm以下，可以維持銀膜21的高光學特性。 又，銀膜21的厚度之下限在6nm以上為佳，7nm以上更佳。另一方面，銀膜21的厚度的上限在15nm以下為佳，10nm以下更佳。

(障壁膜25) 於銀膜21的一方的面(第1面)側，以與介電質膜23的與銀膜21相反的面(第1面)鄰接而層積之方式設著障壁膜25。亦即，以與第1介電質膜23的第1面鄰接而層積之方式設著障壁膜25。構成該障壁膜25的AlSiZn氧化物膜，具有優異的障壁性，且抑制銀膜21的劣化。

鋁(Al)，藉由被添加到鋅氧化物，而具有改善鋅氧化物的障壁性之作用效果。 此處，藉著相對於所有金屬成分100原子%在0.5原子%以上20.0原子%以下的範圍內障壁膜25含有鋁，可以確實地提升障壁性。 又，構成障壁膜25的AlSiZn氧化物膜中的鋁含量之下限為1.0原子%以上為佳，2.0原子%以上更佳。另一方面，構成障壁膜25的AlSiZn氧化物膜中的鋁含量之上限為15.0原子%以下為佳，12.0原子%以下更佳。

矽(Si)，藉由被添加到鋅氧化物，而具有改善鋅氧化物的障壁性之作用效果。 此處，藉著相對於所有金屬成分100原子%在0.5原子%以上40.0原子%以下的範圍內障壁膜25含有矽，可以確實地提升障壁性。 又，構成障壁膜25的AlSiZn氧化物膜中的矽含量之下限為2.0原子%以上為佳，5.0原子%以上更佳。另一方面，構成障壁膜25的AlSiZn氧化物膜中的矽含量之上限為30.0原子%以下為佳，25.0原子%以下更佳。

此外，藉著障壁膜25的厚度在10nm以上，可以充分地確保障壁性，且可以進而確實地抑制銀膜21的劣化。 又，障壁膜25的厚度之下限在20nm以上為佳，30nm以上更佳。另一方面，障壁膜25的厚度的上限並沒有特別限制，但在150nm以下為佳，100nm以下更佳。

本實施型態之層積構造體10，可以例如藉由使用各種濺鍍靶之濺鍍法而進行製造。

在具有如前述的構成之本實施型態之層積構造體10中，層積構造體10係具有3層以上或4層以上的膜，具有鄰接於銀膜21的一方之面及另一方之面而被層積的介電質膜23，此介電質膜23之至少一方，為包含Ga,Ti,Zn的GaTiZn氧化物膜。因此，介電質膜23與銀膜21之親和性高，密接性提升。因而，藉著妨礙銀的原子移動可以抑制銀膜21中的銀的凝集。 此外，GaTiZn氧化物膜的耐氯性差。但是，GaTiZn氧化物膜，由於被形成於層積膜20的最表層以外的部分，而可以確保層積膜20全體之耐氯性。

此外，在本實施型態，於構成介電質膜23的GaTiZn氧化物膜之金屬成分中，相對於所有金屬成分100原子%，鎵的含量0.5原子%以上20.0原子%以下、鈦的含量0.5原子%以上20.0原子%以下，餘部為鋅及不可避免的不純物之場合，介電質膜23與銀膜21之親和性確實更高，且可以進而抑制銀膜21中的銀的凝集。

再者，於本實施型態，介電質膜23的厚度為5nm以上之場合，介電質膜23與銀膜21之密接性進而提升，可以確實地抑制銀膜21中的銀的凝集。

此外，在本實施型態中，銀膜21含有由In, Sn,Cu,Ge,Sb,Au,Pt,Pd,Mg,Ca,Ti選擇的1種或2種以上合計在0.01原子%以上20.0原子%以下之範圍內，餘部為銀及不可避免的不純物之場合，可以確保銀膜21的光學特性，而且可以提高耐熱性。

再者，本實施型態中，銀膜21的厚度為5nm以上20nm以下的範圍內之場合，可以充分地確保銀膜21的耐久性，而且可以充分地確保銀膜21的光學特性。

此外，本實施型態，係於被層積於銀膜21的一方的面(第1面)側之介電質膜23層積由AlSiZn氧化物膜構成的障壁膜25，AlSiZn氧化物膜的金屬成分係包含鋁、矽，餘部為鋅及不可避免的不純物。因此，可以提升障壁性、且抑制銀膜21的劣化。

此處，在本實施型態，構成障壁膜25之AlSiZn氧化物膜之金屬成分中，相對於所有金屬成分100原子%，鋁的含量0.5原子%以上20.0原子%以下、矽的含量0.5原子%以上40.0原子%以下，餘部為鋅及不可避免的不純物之場合，可以進而提升障壁膜25的障壁性，且可進而抑制銀膜21的劣化。

再者，本實施型態中，障壁膜25的膜厚為10nm以上之場合，可以進而提升障壁性，可進而抑制銀膜21的劣化。

以上說明了本發明之實施型態，但本實施型態並不以此為限，在不逸脫本發明的技術要件的範圍可以適當地變更。 例如，本實施型態係說明了具備被形成於玻璃基板上的層積膜之層積構造體，但並不以此為限，於樹脂基板或樹脂片等基材上形成本實施型態之層積膜亦可。

此外，本實施型態，如圖1所示，說明了於銀膜21的一方的面(第1面)側，於介電質膜23上層積由AlSiZn氧化物膜構成的障壁膜25之層積構造體，但並不以此為限，亦可不形成前述障壁膜25。該場合，例如，可以設置障壁膜25以外之其他組成的膜作為最表層。作為其他組成的膜，可列舉ITO(氧化銦錫，tin-doped indium oxide)膜等的透明導電膜。此外，設置GaTiZn氧化物膜以作為第2介電質膜23，設置GaTiZn氧化物膜以外之其他組成的介電質膜以作為第1介電質膜23，且第1介電質膜23為最表層亦可。作為其他組成的介電質膜，可列舉ITO膜、AlSiZn氧化物膜等。障壁膜25之AlSiZn氧化物膜亦可用作為介電質膜23。

再者，在本實施型態，說明了鄰接於銀膜21的一方的面及另一方的面而被形成之第1,2介電質膜23兩者為GaTiZn氧化物膜之層積構造體，但並不以此為限，鄰接於銀膜21的一方的面及另一方的面之第1,2介電質膜23之至少一方為前述GaTiZn氧化物膜即可。 亦即，鄰接於銀膜21的一方的面及另一方的面之第1,2介電質膜23之至少一方為前述GaTiZn氧化物膜，另一方為ITO膜等之其他組成的介電質膜亦可。第2介電質膜23為GaTiZn氧化物膜、第1介電質膜23為其他組成的介電質膜之場合，可以不設置障壁膜25，第1介電質膜23可以是最表層。第1介電質膜23為GaTiZn氧化物膜之場合，可以設置障壁膜25或其他組成的膜作為最表層。亦即，可以與第1介電質膜23的第1面鄰接而設置障壁膜25或其他組成的膜。 [實施例]

以下，說明供確認本實施型態的有效性之確認實驗的結果。

將各種組成的4吋大小濺鍍靶、接合在由無氧銅構成的背板。將此安裝於基板搬送式濺鍍裝置，而於基板進行成膜，製作出具備表1~4所示的層積膜之層積構造體。詳細而言，於基板上，依序層積第1層、第2層、第3層、及第4層。各種組成的膜係在下列條件下進行成膜。又，濺鍍膜，係在同一真空室內連續地進行成膜。此外，ITO膜係使用In₂ O₃ -10mass%SnO₂ 的組成的濺鍍靶進行成膜。 作為基板，係使用5cm正方的玻璃基板(康寧(股)公司製造 EAGLE XG)。

(銀膜之成膜條件) 成膜開始真空度：7.0×10^-4 Pa以下 濺鍍氣體：高純度氬氣 真空室內濺鍍氣壓：0.4Pa 直流電力：100W

(ITO膜之成膜條件) 成膜開始真空度：7.0×10^-4 Pa以下 濺鍍氣體：高純度氬氣99vol%+高純度氧1vol% 真空室內濺鍍氣壓：0.4Pa 直流電力：100W

(ZnO膜之成膜條件) 成膜開始真空度：7.0×10^-4 Pa以下 濺鍍氣體：高純度氬氣99vol%+高純度氧1vol% 真空室內濺鍍氣壓：0.4Pa 交流電力：200W

(GaTiZn氧化物膜之成膜條件) 成膜開始真空度：7.0×10^-4 Pa以下 濺鍍氣體：高純度氬氣99vol%+高純度氧1vol% 真空室內濺鍍氣壓：0.4Pa 交流電力：200W

(AlSiZn氧化物膜之成膜條件) 成膜開始真空度：7.0×10^-4 Pa以下 濺鍍氣體：高純度氬氣98vol%+高純度氧2vol% 真空室內濺鍍氣壓：0.4Pa 交流電力：200W

又，針對膜的組成，係將各種膜的單層形成厚度500nm，且將該單層的膜的組成利用ICP發光分光分析法進行分析。將分析結果顯示於表1~4。 此外，以下列方式算出表1~4所示的膜厚。 首先，針對在各靶進行一定時間放電而被形成的膜，用臺階儀(Bruker(股)公司製造 DEKTAK-XT)進行測定膜厚。藉著將膜厚除以放電時間而算出濺鍍率(在每單位時間的放電下被形成的膜厚)。 其次，在預定放電時間進行成膜以使之形成各目的(目標)膜厚，且利用下列關係式算出膜厚。 (膜厚：nm)=(濺鍍率：nm/s)×(放電時間：s)

針對前述作法獲得的層積構造體，以下列方式進行評估光學特性、耐氯性、耐熱濕性。

(光學特性) 用分光光度計( Hitachi High-Tech Corporation製造 U-4100)進行測定層積構造體的透過率。把評價結果顯示於表5~8。表中，記載波長380nm至780nm之透過率的平均值。

(耐氯性) 將層積構造體在常溫下浸漬於濃度5mol%的NaCl水溶液中24小時，其次，取出層積構造體並用純水進行洗淨/乾燥，獲得評估用樣本。用光學顯微鏡觀察樣本並以下列方式進行評估。如圖2A所示方式將全面地觀察到變色部者評估為「C」(poor)。如圖2B所示方式將局部地觀察到變色部者評估為「B」(fair)。如圖2C所示方式將未觀察到變色部者評估為「A」(good)。把評價結果顯示於表5~8。

(耐熱濕性) 使用恆溫恆濕槽，並將層積構造體保持在溫度85℃、相對濕度85%的環境下250小時，以實施恆溫恆濕試驗。用分光光度計( Hitachi High-Tech Corporation製造 U-4100)進行測定試驗後的層積構造體的透過率。藉下列數式而算出試驗前後的透過率的變化量，利用該透過率的變化量進行評估耐熱濕性。把評價結果顯示於表5~8。 (透過率的變化量)=(試驗後的透過率(%))-(試驗前的透過率(%))

在比較例1，ITO膜鄰接於銀膜的雙面而形成。於比較例1，耐鹽水性為「C」。此外，熱濕試驗前後的透過率的變化量大到-3.0%，耐熱濕性不足。推測是由於無法抑制銀的凝集的緣故。 在比較例2，ZnO膜鄰接於銀膜的下面而形成，且ITO膜鄰接於銀膜的上面而形成。於比較例2，耐鹽水性為「C」。此外，熱濕試驗前後的透過率的變化量大到-2.4%，耐熱濕性不足。推測是由於無法抑制銀的凝集的緣故。 在比較例3，ZnO膜鄰接於銀膜的雙面而形成。於比較例3，耐鹽水性為「C」。此外，熱濕試驗前後的透過率的變化量大到-2.6%，耐熱濕性不足。推測是由於無法抑制銀的凝集的緣故。

相對地，在本發明例1~57，GaTiZn氧化物膜鄰接於銀膜而形成。於本發明例1~57，耐鹽水性為「B」~「A」。 此外，在本發明例2~57，作為銀膜，形成含有由In,Sn,Cu,Ge,Sb,Au,Pt,Pd,Mg,Ca,Ti選擇的1種或2種以上合計在0.01原子%以上20.0原子%以下之範圍內，餘部為銀及不可避免的不純物之膜。於本發明例2~57，熱濕試驗前後的透過率的變化量小，耐熱濕性足夠。 再者，本發明例23~29，係於與銀膜的基材相反的面側形成AlSiZn氧化物膜。AlSiZn氧化物膜的金屬成分係包含鋁、矽，餘部為鋅及不可避免的不純物。於本發明例23~29，耐鹽水性全為「A」，耐鹽水性特別優異。

因此，根據本發明例，確認可以提供藉著抑制氯所導致的銀膜的凝集，而抑制斑點等缺陷的發生，並且電氣特性及光學特性優異之層積構造體。 [產業上利用可能性]

本實施型態之層積構造體，可以適宜地用於液晶顯示器、有機電致發光顯示器、觸控面板等的透明導電配線膜或者透明電極，或者低輻射玻璃(Low-E玻璃)或隔熱薄膜等隔熱膜。

10:層積構造體 11:基材 20:層積膜 21:銀膜 23:介電質膜 25:障壁膜

[圖1]係本發明的實施型態之層積構造體之剖面說明圖。 [圖2A]係比較例1之耐鹽水性試驗後的層積構造體的外觀觀察結果之相片。 [圖2B]係本發明例2之耐鹽水性試驗後的層積構造體的外觀觀察結果之相片。 [圖2C]係本發明例23之耐鹽水性試驗後的層積構造體的外觀觀察結果之相片。

10:層積構造體

11:基材

20:層積膜

21:銀膜

23:介電質膜

25:障壁膜

Claims (8)

1. 一種層積構造體，具備：基材，與被形成於此基材的一面之層積膜，前述層積膜，具有：銀或銀合金構成的銀膜，與鄰接於此銀膜的一方之面及另一方之面而被層積的介電質膜，鄰接於前述銀膜而被層積的前述介電質膜之至少一方，為包含Ga,Ti,Zn的GaTiZn氧化物膜，前述GaTiZn氧化物膜，被形成於前述層積膜的最表層以外的部分。
2. 如請求項1之層積構造體，其中前述GaTiZn氧化物膜，為金屬成分與氧構成的氧化物，前述金屬成分，相對於所有金屬成分100原子%(原子百分比)，Ga含有0.5原子%以上20.0原子%以下，Ti含有0.5原子%以上20.0原子%以下，餘部為Zn及不可避免的不純物。
3. 如請求項1或2之層積構造體，其中前述GaTiZn氧化物膜的厚度為5nm以上。
4. 如請求項1至3之任一之層積構造體，其中前述銀膜含有由In,Sn,Cu,Ge,Sb,Au,Pt,Pd,Mg,Ca,Ti選擇的1種或2種以上合計在0.01原子%以上20.0原子%以下之範圍內，餘部為銀及不可避免的不純物。
5. 如請求項1至4之任一之層積構造體，其中前述銀膜的厚度在5nm以上20nm以下之範圍內。
6. 如請求項1至5之任一之層積構造體，其中於前述銀膜之與前述基材相反面側，被配設AlSiZn氧化物膜，前述AlSiZn氧化物膜，係由金屬成分與氧構成的氧化物，前述金屬成分含Al,Si，餘部為Zn及不可避免的不純物。
7. 如請求項6之層積構造體，其中前述AlSiZn氧化物膜之前述金屬成分，相對於所有金屬成分100原子%，Al含有0.5原子%以上20.0原子%以下，Si含有0.5原子%以上40.0原子%以下，餘部為Zn及不可避免的不純物。
8. 如請求項6或7之層積構造體，其中前述AlSiZn氧化物膜的厚度為10nm以上。

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