TW202129738A - 研磨用組成物 - Google Patents

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Abstract

提供一種研磨用組成物，其可達成兼具高的研磨率以及HLM周邊的隆起消除性。研磨用組成物包含研磨粒、鹼性化合物、pH緩衝劑及水，作為前述pH緩衝劑，包含酸解離常數(pKa)值之至少一者為9~11的範圍之鹽SL ，以及pKa值之至少一者為12以上之鹽SH 。

Description

研磨用組成物
本發明係關於研磨用組成物。本申請係主張基於2019年9月30日提出申請之日本專利申請2019-180257號及2019年12月6日提出申請之日本專利申請2019-221258號之優先權，其申請之全部內容以參照方式併入本說明書中。
以往，對於金屬或半金屬、非金屬、其氧化物等的材料表面係使用研磨用組成物進行精密研磨。例如，使用作為半導體製品的構成要件等之矽晶圓的表面，一般而言經由精磨步驟或拋光步驟完工為高等級的鏡面。上述拋光步驟，例如，包含預備拋光步驟(預備研磨步驟)與最終拋光步驟(最終研磨步驟)。上述預備拋光步驟，例如包含粗研磨步驟(一次研磨步驟)以及中間研磨步驟(二次研磨步驟)。作為關於上述預備研磨用組成物的技術文獻，例如可列舉專利文獻1~2。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利申請公開平9-306880號公報 [專利文獻2]日本專利申請公開2018-107223號公報
[發明欲解決的問題]
專利文獻1中，為了於上述拋光步驟有效地研磨矽晶圓的表面，正檢討有添加水溶性矽酸成分的研磨用組成物。再者，專利文獻2中，水溶性矽酸成分係包含於研磨用組成物時，由於研磨用組成物的安定性變差，正檢討水溶性矽酸與多價酸的併用。然而，此等的研磨用組成物中，無法滿足近年來特別冀求的研磨性能。
例如，矽晶圓因為識別等目的，又藉由在該矽晶圓的表面或背面照射雷射光，而賦予條碼、數字、記號等的標誌(硬雷射標誌(hard laser mark)；以下有表示為「HLM」的情況)。一般而言，HLM的賦予是在終止矽晶圓的精磨步驟之後，開始拋光步驟之前進行。通常，由於賦予HLM的類射光的照射，在HLM周邊的矽晶圓表面產生變質層。矽晶圓中，HLM的部分本身不使用為最終製品，但HLM賦予後的拋光步驟中，若上述變質層未被適當地研磨，則造成隆起而產率可能為超過必要的降低。然而上述變質層係因雷射光的能量使聚合矽(polysilicon)等變質而成為難以被研磨。因此，將HLM周邊的隆起(以下，亦單純地稱為「隆起」)平坦化的矽晶圓研磨用組成物為近年來特別有需求。
再者，使用如專利文獻1所示之期待研磨效率的提升之顯示高研磨率(每單位時間脂去除研磨對象物的量)之研磨用組成物而研磨已賦予HLM的矽晶圓的情況，上述HLM周邊以外之容易被研磨的部位係比該HLM周邊部之難被研磨的部位，更為選擇性地被研磨，結果難以達成隆起的消除性提升。為此，冀求關於研磨率滿足實用性的要求程度，同時消除HLM周邊的隆起之性能優異的研磨用組成物。
本發明係有鑑於相關情形者，以提供可達成兼具高的研磨率與優異的HLM周邊的隆起消除性的研磨用組成物為目的。 [用於解決問題之手段]
根據本說明書係提供研磨用組成物。此研磨用組成物，包含研磨粒、鹼性化合物、pH緩衝劑以及水，而作為前述pH緩衝劑，包含酸解離常數(pKa)值之至少一者為9~11的範圍之鹽SL ，以及pKa值之至少一者為12以上之鹽SH 。藉由相關研磨用組成物，可達成兼具實用上充分地高的研磨率及優異的HLM的隆起消除性。
又，本說明書中，消除HLM周邊的隆起，意指縮小由矽晶圓的HLM周邊的基準面(基準平面)至上述隆起的最高點為止的高度。由矽晶圓的HLM周邊的基準面至上述隆起的最高點為止的高度，例如，可經由後述實施例所記載的方法進行測定。
較佳一態樣中，對於前述鹽SL 的含量(CL )之前述鹽SH 的含量(CH )的比(CH /CL )為0.1以上、10以下。作為pH緩衝劑，經由前述鹽SL 與前述鹽SH 以相關比率使用構成之上述研磨用組成物，維持實用上充分地高的研磨率，同時可更合適地消除HLM周邊的隆起。
較佳一態樣中，作為前述鹽SH ，包含選自由矽酸、精胺酸、氮基三甲基膦酸、磷酸、及四甲基胍所成群組之化合物的鹽。藉由其等化合物的鹽作為pH緩衝劑中之前述鹽SH 而與前述鹽SL 一起使用，可更有效果地發揮HLM周邊的隆起消除效果。
較佳一態樣之相關研磨用組成物，包含碳酸鹽作為前述鹽SL 。經由包含將碳酸鹽做為pH緩衝劑與前述鹽SH 組合的構成，實用上充分高的研磨率可予以維持之同時，可適宜地消除HLM周邊的隆起。
較佳一態樣相關的研磨用組成物，作為前述pH緩衝劑，包含具有有機碳之鹽。經由此等研磨用組成物，該組成物中之研磨粒的凝集有受到抑制地傾向，提升分散安定性。前述具有有機碳的鹽，更佳係選自有機碳酸鹽及有機碳酸氫鹽。
較佳一態樣中，前述研磨粒係二氧化矽粒子。使用二氧化矽粒子作為研磨粒的研磨中，可更有效果地發揮隆起消除效果。
較佳一態樣之相關研磨用組成物，作為前述鹼性化合物，包含氫氧化四級銨類。使用氫氧化四級銨類作為鹼性化合物，則HLM周邊的隆起消除可較佳予以實現。上述組成的研磨用組成物就研磨率提升的點亦為較佳。
本文所揭示之研磨用組成物，成為隆起消除性，亦即消除HLM周邊的隆起的性能優異者。因此，上述研磨用組成物適合於研磨已HLM賦予的矽晶圓的用途。
以下，說明本發明之適合的實施形態。又，本說明書中特別述及之事項以外的情事之本發明實施必要的情事，係可作為基於所屬技術領域中的先前技術之具有通常知識者的設計事項而予以把握。本發明可基於本說明書所揭示的內容與所屬技術領域中的技術常識進行實施。
＜研磨粒＞ 本文所揭示之研磨用組成物含有研磨粒。研磨粒係於研磨對象物的表面負責進行機械性的研磨。研磨粒的材質及性狀並無特別限制，可相應於使用目的及使用態樣等而適宜選擇。研磨粒可單獨使用一種，亦可組合二種以上使用。作為研磨粒之例，可列舉無機粒子、有機粒子、以及有機無機複合粒子。作為無機粒子之具體例，可列舉二氧化矽粒子、氮化矽粒子、碳化矽粒子等矽化合物粒子，鑽石粒子等。作為有機粒子之具體例，可列舉聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)粒子、聚丙烯醯腈粒子等。其中較佳為無機粒子。
作為本文所揭示之技術中特別較佳的研磨粒，可列舉二氧化矽粒子。本文所揭示之技術，例如上述研磨粒可較佳以實質上包含二氧化矽粒子的態樣實施。本文中「實質上」，意指構成研磨粒的粒子之95重量%以上(較佳為98重量%以上，更佳為99重量%以上，亦可為100重量%)為二氧化矽粒子。
二氧化矽粒子的種類並無特別限制，可適宜選擇。二氧化矽粒子可單獨使用一種，亦可組合二種以上使用。作為二氧化矽粒子之例，可列舉膠體二氧化矽、氣相式二氧化矽、沉降二氧化矽等。由研磨對象物表面難以產生刮痕，且可發揮良好的研磨性能(使表面粗度降低的性能等)而言，特別較佳為膠體二氧化矽。膠體二氧化矽的種類並無特別限制，可適宜選擇。膠體二氧化矽可單獨使用一種，亦可組合二種以上使用。作為膠體二氧化矽之例，較佳可採用經由離子交換法之水玻璃(矽酸Na)作為原料所製作之膠體二氧化矽、以及烷醇化物法膠體二氧化矽。本文中，烷醇化物法膠體二氧化矽，係經由烷氧基矽烷的水解縮合反應所製造之膠體二氧化矽。
構成二氧化矽粒子的二氧化矽之真比重較佳為1.5以上，更佳為1.6以上、再佳為1.7以上。經由二氧化矽之真比重的增大，研磨率有變高的傾向。由該觀點，特別較佳係真比重為2.0以上(例如2.1以上)的二氧化矽粒子。二氧化矽之真比重的上限並無特別限定，例如2.3以下，例如2.2以下。作為二氧化矽之真比重，可採用使用乙醇作為置換液之液體置換法之測定值。
研磨粒之平均一次粒徑並無特別限定，例如可由10nm~200nm左右的範圍適宜選擇。由隆起消除性提升的觀點，平均一次粒徑係20nm以上為較佳，30nm以上為更佳。一些態樣中，平均一次粒徑例如可超過40nm，可超過45nm，亦可超過50nm。再者，由刮痕的發生防止的觀點，平均一次粒徑，通常，於150nm以下為有利的，120nm以下為較佳，100nm以下為更佳。一些態樣中，平均一次粒徑可為75nm以下，亦可為60nm以下。
此說明書中，研磨粒的平均一次粒徑，意指自藉由BET法所測定之比表面積(BET值)，經由平均一次粒徑(nm)=6000/(真密度)(g/cm3 )×BET值(m2 /g))之式所算出之粒徑。例如二氧化矽粒子的情況，可經由平均一次粒徑(nm)=2727/BET值(m2 /g)算出平均一次粒徑。比表面積的測定，例如，可使用Micromeritics公司製的表面積測定裝置，商品名「Flow Sorb II 2300」進行。
研磨粒的平均二次粒徑無特別限定，例如可由15nm~30nm左右的範圍適宜的選擇。由隆起消除性提升的觀點，平均二次粒徑係30nm以上為較佳，35nm以上為更佳。一些態樣中，平均二次粒徑，例如可為40nm以上，亦可為45nm以上，較佳可為50nm以上，進一步亦可為60nm以上，亦可為65nm以上(例如70nm以上)。再者，由刮痕的發生防止的觀點，平均二次粒徑，通常250nm以下為有利的，200nm以下為更佳，150nm以下為更佳。一些態樣中，平均二次粒徑可為120nm以下，亦可為100nm以下。
此說明書中，研磨粒的平均二次粒徑，意指基於動態光散射法測定之粒徑。例如，可使用日機裝公司製公司（Nanotrack(註冊商標)UPA-UT151）大塚電子公司製的型式「FPAR-1000」進行。
研磨粒的形狀(外形)，可為球形，亦可為非球形。作為成為非球形粒子的具體例，可列舉花生形狀(意即，落花生殼的形狀)、繭型形狀、金平糖形狀、橄欖球形狀等。由隆起消除性及刮痕減低的兼具的觀點，研磨粒的形狀，球型為較佳。
研磨粒的平均縱橫比並無特別限定。研磨粒的平均縱橫比，原理上為1.0以上，可為1.05以上、1.1以上。藉由平均縱橫比的增大，隆起消除性大概有提升的傾向。再者，研磨粒的平均縱橫比，由刮痕減低及研磨的安定性提升等的觀點，較佳為3.0以下，更佳為2.0以下。一些態樣中，研磨粒的平均縱橫比，例如可為1.5以下，可為1.4以下，亦可為1.3以下。
上述研磨粒的形狀(外形)及平均縱橫比，例如，可藉由電子顯微鏡獲得。作為獲得平均縱橫比之具體的順序，例如，使用掃描型電子顯微鏡(SEM)，關於可辨識獨立粒子的形狀的規定個數(例如200個)的研磨粒粒子，描繪外接於各別粒子影像的最小的長方形。然後，關於針對各粒子影像所描繪的長方形，其長邊的長度(長徑的值)以短邊的長度(短徑的值)相除之值作為長徑/短徑比(縱橫比)而算出。經由上述規定個數的粒子的縱橫比進行算術平均，可求出平均縱橫比。
研磨粒的結合度無特別限定。研磨粒的結合度，原理上為1.0以上，可為1.05以上、1.1以上。再者，研磨粒的結合度，由刮痕減低及研磨的安定性提升等的觀點，較佳為3.0以下，更佳為2.0以下。一些態樣中，研磨粒的結合度，例如可為1.8以下，亦可為1.75以下。又，此說明書中，研磨粒的集合度，意指研磨粒的平均二次粒徑/平均一次粒徑的平均值。
研磨粒的含量並無特別限定，可相應於目的而適宜設定。相對於研磨用組成物的全重量之研磨粒的含量，例如可為0.01重量%以上，可為0.05重量%以上，亦可為0.1重量%以上。藉由研磨粒的含量增大，隆起消除性有大概提升的傾向。一些態樣中，研磨粒的含量可為0.2重量%以上，亦可為0.5重量%以上，亦可為0.6重量%以上。再者，由刮痕防止及研磨粒的使用量節約的觀點，一些態樣中，研磨粒的含量，例如可為10重量%以下，可為5重量%以下，可為3重量%以下，可為2重量%以下，可為1.5重量%以下，可為1.2重量%，亦可為1.0重量%以下。此等之含量，例如，較佳可適用於供給至研磨對象物之研磨液(工作漿液)中之含量。
再者，使用於稀釋研磨之研磨用組成物(亦即濃縮液)的情況，研磨粒的含量，由保存安定性及過濾性等的觀點，通常，50重量%以下為適當，40重量%以下為更佳。再者，由作成濃縮液而活用其有利點的觀點，研磨粒的含量較佳為1重量%以上，更佳為5重量%以上。
＜鹼性化合物＞ 本文所揭示之研磨用組成物包含鹼性化合物。本文中之鹼性化合物，意指具有藉由將其添加於研磨用組成物使該組成物的pH上升之功能的化合物。鹼性化合物係將成為研磨對象的面負責進行化學性研磨，可賦予研磨率的提升。
鹼性化合物可單獨使用一種，亦可組合二種以上使用。作為鹼性化合物，可使用含氮之有機或無機的鹼性化合物，鹼金屬或鹼土金屬之氫氧化物等。例如，可列舉鹼金屬的氫氧化物、氫氧化四級銨等四級銨類、氨、胺等。作為鹼金屬氫氧化物的具體例，可列舉氫氧化鉀、氫氧化鈉等。作為四級銨類的具體例，可列舉氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨、氫氧化四丁基銨等。作為胺的具體例，可列舉甲基胺、二甲基胺、三甲基胺、乙基胺、二乙基胺、三乙基胺、乙二胺、單乙基胺、N-(β-胺基乙基)乙醇胺、六亞甲基二胺、二伸乙三胺、三伸乙四胺、無水哌嗪、哌嗪六水合物、1-(2-胺基乙基)哌嗪、N-甲基哌嗪、胍、咪唑或三唑等唑類等。
由隆起消除性提升等的觀點之作為較佳的鹼性化合物，可列舉氫氧化四級銨類。氫氧化四級銨類，可單獨使用一種，亦可組合二種以上使用。作為特別較佳使用者，可列舉氫氧化四甲基銨。
相對於研磨用組成物全量之鹼性化合物的含量，由研磨率及隆起消除性的觀點，較佳為0.01重量%以上，更佳為0.05重量%以上，再佳為0.1重量%以上。藉由鹼性化合物的含量增加，可提升安定性。上述鹼性化合物的含量的上限，以5重量%以下為適當，由表面品質等的觀點，較佳為2重量%以下，更佳為1重量%以下，進一步較佳為0.5重量%以下。又，組合使用2種以上的鹼性化合物的情況，上述含量係指稱2種以上的鹼性化合物的合計含量。此等含量，例如，較佳可適用於供給至研磨對象物之研磨液(工作漿)中的含量。
再者，使用於稀釋研磨之研磨用組成物(亦即濃縮液)的情況，鹼性化合物的含量，由保存安定性及過濾性等的觀點而言，通常係10重量%以下為適當，5重量%以下為更佳。再者，由活用作為濃縮液的有利點的觀點而言，鹼性化合物的含量，較佳為0.1重量%以上，更佳為0.5重量%以上，再佳為0.9重量%以上。
＜pH緩衝劑＞ 本文中所揭示之研磨用組成物，作為pH緩衝劑，包含酸解離常數(pKa)值之至少一者為9~11的範圍之鹽SL (以下有單純標記為「鹽SL 」)，以及pKa值之至少一者為12以上之鹽SH (以下有單純標記為「鹽SH 」)。作為pKa值，可採用公知資料所記載之在25℃的酸解離常數的值。作為pH緩衝劑藉由組合使用pKa值為前述範圍之互相不同的二種以上的鹽，維持實用上充分高的研磨率之同時，可更合適地消除HLM周邊的隆起。當實施本文所揭示之技術時，解明鹽SL 及鹽SH 賦予高研磨率的維持或隆起消除性的改善之機制非為必要，但咸信上述研磨用組成物，係如作為pH為8.0~11.8左右的工作漿被使用於研磨的情況中，經由組合pKa值為前述範圍之互相不同的二種以上的鹽，經由緩衝作用可有效果地發揮。經由此緩衝作用，相關構成的研磨用組成物，藉由所添加的鹽SH 而上升的pH於研磨中亦予以維持，促進成為研磨對象之面的化學性研磨，可賦予高研磨率的維持。另一方面，利用鹽SL 及鹽SH 組合使用，該研磨用組成物中的鹽濃度上升，研磨粒與研磨對象物表面的靜電排斥受到抑制，咸信可賦予HLM周邊的隆起的合適地消除。惟，不為僅以此機制限定解釋者。
＜鹽SL ＞ 作為上述鹽SL ，只要為pKa值之至少一者為9~11的範圍之鹽則無特別限定。鹽SL ，可單獨使用一種，亦可組合使用二種以上。作為鹽SL ，例如可使用pKa值之至少一者為9~11的範圍之無機酸的鹽或有機酸的鹽。作為無機酸，可列舉例如碳酸。作為有機酸，可列舉例如組胺酸、色胺酸、酪胺酸、4-胺基吡啶。上述鹽SL ，例如，可為上述無機酸或有機酸之鈉鹽或鉀鹽等鹼金屬鹽、銨鹽等。作為鹽SL 的適合例，可列舉碳酸鹽。作為特別較佳的鹽SL ，可列舉碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸氫鈉、碳酸氫鉀、碳酸四甲基銨、碳酸氫四烷基銨、(碳酸氫四甲基銨、碳酸氫四乙基銨、碳酸氫四丁基銨等)。其中碳酸鉀(K2 CO3 )及碳酸氫四烷基銨(例如碳酸氫四甲基銨)為較佳。
鹽SL 的含量，無特別限定，由隆起消除性等的觀點，相對於研磨用組成物的全重量，例如可為0.01重量%以上，亦可為0.02重量%以上，亦可為0.05重量%以上。再者，由研磨用組成物的分散安定性等的觀點，一些態樣中，上述含量，例如可為10重量%以下，亦可為5重量%以下，亦可為3重量%以下，亦可為1重量%以下，亦可為0.5重量%以下(例如0.2重量%以下)。此等含量，例如，可較佳適用於被供給至研磨對象物之研磨液(工作漿)中之含量。
再者，本文所揭示之研磨用組成物中之鹽SL 的含量，亦可藉由與研磨用組成物所含有的研磨粒的相對的關係而被特定。具體而言，研磨用組成物中之鹽SL 的含量，相對於研磨粒100重量份為約0.01重量份以上為適當，由隆起消除性的觀點，較佳約0.1重量份以上，更佳約1重量份以上(例如約5重量份以上)。再者，由分散安定性等的觀點，鹽SL 的含量，相對於研磨粒100重量份為約200重量份以下為適當，較佳約100重量份以下，更佳約50重量份以下(例如約40重量份以下)。
鹽SL 的含量，可利用與鹼性化合物的關係而使緩衝作用合適地發揮的方式設定。此種緩衝作用予以發揮的方式所構成之研磨用組成物，研磨中之研磨用組成物的pH變動少，由於可成為研磨能率的維持性優異者，可合適地兼具隆起消除性的提升及高研磨率的維持。本文所揭示之研磨用組成物中之鹽SL 的含量，可藉由與研磨用組成物所包含之鹼性化合物的相對關係予以特定。具體而言，研磨用組成物中之鹽SL 的含量，相對於鹼性化合物100重量份為約0.1重量份以上為適當，由隆起消除性的觀點，較佳為約1重量份以上，更佳為約5重量份以上(例如約10重量份以上)。再者，由分散安定性等的觀點，鹽SL 的含量，相對於鹼性化合物100重量份為約500重量份以下為適當，較佳為約200重量份以下，更佳為約100重量份以下(例如約80重量份以下)。
(鹽SH ) 作為上述鹽SH ，只要為pKa值之至少一者為12以上之鹽則無特別限定。鹽SH 可單獨使用一種，亦可組合使用二種以上。作為鹽SH ，例如可使用pKa值之至少一者為12以上之無機酸的鹽或有機酸的鹽。作為無機酸，例如可列舉矽酸、鍺酸以及磷酸。作為有機酸，例如可列舉精胺酸、氮基三甲基膦酸(NTPO)、以及四甲基胍。上述鹽SH ，例如，可為上述無機酸或有機酸的鈉鹽或鉀鹽等鹼金屬鹽、或銨鹽等。作為鹽SH 的合適例，可列舉矽酸鹽。作為特別較佳的鹽SH ，可列舉矽酸銨、矽酸鈉、矽酸鉀。其中矽酸鉀為較佳。
鹽SH 的含量，無特別限定，由研磨率的觀點，相對於研磨用組成物的全重量，例如可為0.01重量%以上，亦可為0.02重量%以上，亦可為0.05重量%以上。再者，由研磨用組成物的分散安定性等的觀點，一些態樣中，上述含量，例如可為20重量%以下，亦可為10重量%以下，亦可為5重量%以下，亦可為3重量%以下，亦可為1重量%以下(例如0.5重量%以下)。此等含量，例如，可較佳適用於供給至研磨對象物之研磨液(工作漿)中之含量。
再者，本文所揭示之研磨用組成物中之鹽SH 的含量，亦可藉由與研磨用組成物所包含之鹽SL 的含量的相對關係予以特定。具體而言，相對於鹽SL 的含量(CL )之鹽SH 的含量(CH )的比(CH /CL )作成0.01以上為適當，由隆起消除性及研磨率的兼具的觀點，較佳為0.1以上，更佳為0.2以上(例如0.5以上)。再者，由分散安定性等的觀點，上述比(CH /CL )作成100以下為適當，較佳50以下，更佳10以下，亦可為5以下(例如2以下)。
(具有有機碳之鹽) 本文所揭示之研磨用組成物，作為上述鹽SL 或鹽SH ，或者，除了上述鹽SL 的的至少一種與上述鹽SH 的至少一種外，作為pH緩衝劑，進一步包含具有有機碳之鹽為較佳。藉此，研磨用組成物的分散安定性提升。作為其理由，非為特別地限定解釋者，包含有機碳之鹽，相比於無機鹽具有容積高的結構的傾向，咸信其為賦予研磨粒的凝集抑制，為造成研磨用組成物的分散安定性提升者。
作為具有有機碳之鹽，使用相當於鹽SL (pKa值之至少一者為9~11的範圍的鹽)，或鹽SH (pKa值之至少一者為12以上之鹽)之任一者為較佳。使用此之具有有機碳之鹽，發揮作為鹽SL 或鹽SH 的功能之同時，可賦予分散安定性提升。其中，由兼具緩衝作用與分散安定性提升的觀點，具有有機碳之鹽，較佳為鹽SL 。
具有有機碳之鹽相當於鹽SL 的情況，具有有機碳之鹽的含量，亦包含具有有機碳之鹽以外的鹽SL ，上述鹽SL 的含量(相對於研磨用組成物的全重量，經由與研磨粒的相對關係之含量，經由與鹼性化合物的相對關係之含量)的範圍內為較佳。同樣地，具有機碳之鹽相當於鹽SH 的情況，具有機碳之鹽的含量，亦包含具有有機碳之鹽以外的鹽SH ，上述鹽SH 的含量(相對於研磨用組成物的全重量，經由與研磨粒的相對關係之含量，經由與鹼性化合物的相對關係之含量)的範圍內為較佳。
作為具有有機碳之鹽，可使用具有有機碳之各種的鹽。具有有機碳之鹽，可單獨使用一種，亦可組合二種以上使用。具有有機碳之鹽，可使用無機酸的鹽、有機酸的鹽之中，相當於具有有機碳之鹽者。構成此方式之鹽的無機酸、有機酸，可為鹽SL 或鹽SH 中所例示之無機酸、有機酸的一種或二種以上。其中，無機酸的鹽為較佳，碳酸鹽(碳酸鹽及碳酸氫鹽)為更佳。此等之鹽，由於陰離子係由無機化合物(碳酸)所成，有機碳係存在於陽離子側。此方式之碳酸鹽(碳酸鹽及碳酸氫鹽)，亦稱為有機碳酸鹽(有機碳酸鹽及有機碳酸氫鹽)。
具有有機碳之鹽的有機碳，係指構成有機基或有機化合物的碳(碳原子)，以其為限並無特別限制。典型地，可為構成有機基的碳(碳原子)。因此，具有有機碳之鹽，可為具有有機基之鹽。上述有機基並無特別限定，較佳為烴基。作為此方式之烴基，例如，可例示甲基、乙基、丙基、丁基等烷基。作為此方式之具有有機碳之鹽的合適例，可列舉烷基銨鹽或烷基鏻鹽，特別地以烷基銨鹽為較佳。作為具體例，可列舉碳酸四甲基銨、碳酸四乙基銨、碳酸四丁基銨等碳酸四烷基銨；碳酸四丁基鏻鎓等碳酸四烷基鏻鎓；碳酸氫四甲基銨、碳酸氫四乙基銨、碳酸氫四丁基銨等碳酸氫四烷基銨；碳酸氫四丁基鏻鎓等碳酸氫四烷基鏻鎓；等。其中，碳酸氫四烷基銨為較佳，碳酸氫四甲基胺為更佳。此等具有有機碳之鹽，可為氫氧化物以外的鹽(不含羥基之鹽)。再者，此等具有有機碳之鹽，可單獨使用一種，亦可組合二種以上使用。
具有有機碳之鹽為鹽SL (pKa值之至少一者為9~11的範圍之鹽)的態樣中，上述鹽SL 較佳係包含具有有機碳之鹽的至少一種，與不相當於具有有機碳之鹽(換言之為無機鹽)的至少一種。作為鹽SL ，經由併用無機鹽，與具有有機碳之鹽，易於獲得可改善研磨率、隆起消除性及分散安定性之研磨用組成物。作為上述無機鹽，可使用作為鹽SL 所例示之無機酸的鹽(例如具有無機碳之鹽)的一種或二種以上，其中，碳酸鉀等碳酸鹽為較佳。
具有有機碳之鹽為鹽SL (pKa值之至少一者為9~11的範圍之鹽)的態樣中，上述鹽SL 的合計量所占具有有機碳之鹽的比例，例如1重量%以上為適當，由分散安定性提升的觀點，較佳為10重量%以上，更佳為30重量%以上，亦可為50重量%以上，亦可為70重量%以上。再者，上述鹽SL 的合計量所占具有有機碳之鹽的比例的上限並無特別限定，亦可為100重量%，亦可為99重量%以下，由隆起消除性等的觀點，較佳為90重量%以下，亦可為80重量%以下，亦可為50重量%以下。例如，作為鹽SL ，併用無機酸的鹽(合適地為碳酸鹽)與具有有機碳之鹽(合適地為碳酸氫四甲基胺)的情況，以上述比例使用具有有機碳之鹽為較佳。
具有有機碳之鹽為鹽SH (pKa值之至少一者為12以上之鹽)的態樣中，上述鹽SH 較佳係包含具有機碳之鹽的至少一種，與不相當於具有有機碳之鹽(換言之為無機鹽)的至少一種。作為鹽SH ，經由併用無機鹽，與具有有機碳之鹽，易於獲得可改善研磨率、隆起消除性及分散安定性之研磨用組成物。作為上述無機鹽，可使用作為鹽SH 所例示之無機酸的鹽的一種或二種以上，其中，矽酸鉀等矽酸鹽為較佳。
本文所揭示之研磨用組成物，作為pH緩衝劑，亦可為包含2種的鹽(亦即一種的鹽SL 以及一種的鹽SH )者，可為包含3種以上的鹽者。例如，作為pH緩衝劑，可為包含一種的鹽SL 與一種的鹽SH ，進一步地，含有相當於鹽SL 及鹽SH 之任一者的鹽，或不相當於鹽SL 及鹽SH 之任一者的鹽之含有3種以上者。由分散安定性的觀點，其之中的一種鹽係具有有機碳之鹽為較佳。上述具有有機碳之鹽，係相當於鹽SL 及鹽SH 之任一者為較佳。
一些較佳態樣相關的研磨用組成物，包含作為鹽SL 的無機鹽(典型地為無機酸的鹽，例如具有無機碳之鹽，作為具體例為碳酸鉀等碳酸鹽)之至少一種，與作為鹽SH 的無機鹽(例如無機酸的鹽)之至少一種，與相當於鹽SL 、鹽SH 之具有有機碳之鹽的至少一種。以使用此方式組成的研磨用組成物，具有已改善的分散安定性之同時，可兼具高的研磨率以及隆起消除性。
具有有機碳之鹽為鹽SH (pKa值之至少一者為12以上之鹽)的態樣中，上述鹽SH 的合計量所占具有有機碳之鹽的比例，例如1重量%以上為適當，由分散安定性提升的觀點，較佳為10重量%以上，更佳為30重量%以上，亦可為50重量%以上，亦可為70重量%以上。再者，上述鹽SH 的合計量所占具有有機碳之鹽的比例的上限並無特別限定，亦可為100重量%，亦可為99重量%以下，由研磨率等的觀點，較佳為90重量%以下，亦可為80重量%以下，亦可為50重量%以下。
pH緩衝劑的合計量所占具有有機碳之鹽的比例，並無特別限定，例如1重量%以上為適當，由分散安定性提升的觀點，較佳為10重量%以上，更佳為30重量%以上，亦可為50重量%以上。再者，pH緩衝劑的合計量所占具有有機碳之鹽的比例，99重量%以下為適當，由隆起消除性、研磨率等的觀點，較佳為90重量%以下，更佳為70重量%以下，亦可為60重量%以下，亦可為50重量%以下，亦可為10重量%以下，亦可為3重量%以下。
具有有機碳之鹽的含量，並無特別限定，由pH緩衝作用及分散安定性提升的觀點，相對於研磨用組成物的全重量，例如可為0.01重量%以上，可為0.02重量%以上，可為0.05重量%以上。再者，由研磨用組成物的分散安定性等的觀點，一些態樣中，上述含量，例如可為10重量%以下，可為5重量%以下，可為3重量%以下，可為1重量%以下，可為0.5重量%以下(例如0.2重量%以下)。此等之含量，例如，可較佳適用於供給至研磨對象物之研磨液(工作漿)中之含量。一些態樣相關之研磨用組成物，可為實質上不包含具有有機碳之鹽者。
再者，稀釋而使用於研磨之研磨用組成物(亦即濃縮液)的情況，pH緩衝劑(例如包含鹽SL 及鹽SH ，進一步地具有有機碳之鹽))的合計含量，由保存安定性及過濾性等的觀點，相對於濃縮液的全重量，通常以20重量%以下為適當，較佳為10重量%以下，更佳為8重量%以下(例如5重量%以下)。再者，由活用作成濃縮液的有利點的觀點，上述pH緩衝劑的合計含量，較佳為0.01重量%以上，更佳為0.1重量%以上，進一步較佳為0.3重量%以上。
＜水＞ 本文揭示之研磨用組成物包含水。作為水，較佳可使用離子交換水(去離子水)、純水、超純水、蒸餾水等。使用之水，為了極力避免使研磨用組成物所含有之其他成分的功效受到阻礙，例如過渡金屬離子之合計含量較佳為100ppb以下。例如，藉由經由離子交換樹脂之不純物離子的去除、經由過濾器之異物的去除、蒸餾等的操作可提高水的純度。 本文揭示之研磨用組成物，根據需要，亦可進一步含有可與水均一地混合之有機溶劑(低級醇、低級酮等)。通常，較佳為研磨用組成物所含的溶劑之90體積%以上為水，更佳為95體積%以上(例如99~100體積%)為水。
＜其他成分＞ 本文揭示之研磨用組成物，於不顯著妨礙本發明的效果的範圍，根據需要亦可進一步含有水溶性高分子、界面活性劑、酸、螯合劑、防腐劑、防黴劑等之可使用於研磨用組成物(例如，可使用於矽晶圓的拋光步驟之研磨用組成物)之習知的添加劑。
水溶性高分子可單獨使用一種，亦可組合二種以上使用。作為上述水溶性高分子之例，可列舉纖維素衍生物、澱粉衍生物、包含氧基伸烷基單位的聚合物、含有氮原子的聚合物、乙烯醇系聚合物、包含羧酸(包含酸酐)之聚合物等。作為具體例，可列舉羥基乙基纖維素、聚三葡萄糖、環氧乙烷與環氧丙烷之無規共聚合物或嵌段共聚合物、聚乙烯醇、聚甘油、聚異戊二烯磺酸、聚乙烯磺酸、聚烯丙基磺酸、聚異戊烯磺酸、聚苯乙烯磺酸、聚丙烯酸鹽、聚醋酸乙烯酯、聚乙二醇、聚乙烯基咪唑、聚乙烯基咔唑、聚乙烯基吡咯啶酮、聚丙烯醯基嗎啉、聚乙烯基己內醯胺、聚乙烯基哌啶、烯烴-(酸酐)馬來酸共聚物、苯乙烯-(酸酐)馬來酸共聚物等。本文所揭示之研磨用組成物為實質上不包含水溶性高分子的態樣，亦即，即使至少意圖不含有水溶性高分子的態樣可較佳實施。
本文揭示之技術中，水溶性高分子的分子量並無特別限定。例如，水溶性高分子的重量平均分子量(Mw)，可為約200×104 以下，150×104 以下為適當。上述Mw，亦可為約100×104 以下，亦可為約50×104 以下。再者，由矽晶圓表面的保護性之觀點，上述Mw，通常，約0.2×104 以上，約0.5×104 以上為適當，亦可為約0.8×104 以上。
又，本說明書中，作為水溶性高分子的Mw，可採用基於水系的凝膠滲透層析(GPC)之值(水系，聚環氧乙烷換算)
界面活性劑，可單獨使用一種，亦可組合二種以上使用。作為上述界面活性劑之例，無特別限定，可列舉陰離子性界面活性劑、非離子性界面活性劑、陽離子性界面活性劑、兩性界面活性劑。藉由界面活性劑(典型地，分子量未達0.2×104 之水溶性有機化合物)的使用，可提升研磨用組成物的分散安定性。 作為界面活性劑的Mw，可採用由GPC求得的值(水系，聚乙二醇換算)或由化學式算出的值。
酸，可單獨使用一種，亦可組合二種以上使用。作為上述酸之例，可列舉鹽酸、磷酸、硫酸、膦酸、硝酸、次磷酸、硼酸等無機酸；醋酸、衣康酸、琥珀酸、酒石酸、檸檬酸、馬來酸、乙醇酸、丙二酸、甲磺酸、甲酸、蘋果酸、葡萄糖酸、丙胺酸、甘胺酸、乳酸、羥基亞乙基二膦酸(HEDP)、氮基三(亞甲基膦酸)(NTMP)、膦酸丁烷三羧酸(PBTC)等有機酸等。
上述螯合劑，可單獨使用一種，亦可組合二種以上使用。作為上述螯合劑之例，可列舉胺基羧酸系螯合劑及有機膦酸系螯合劑。胺基羧酸系螯合劑之例，包含伸乙二胺四醋酸、伸乙二胺四醋酸鈉、氮基三醋酸、氮基三醋酸鈉、氮基三醋酸銨、羥基乙基伸乙二胺三醋酸、羥基乙基伸乙二胺三醋酸鈉、二伸乙基三胺五醋酸、二伸乙三胺五醋酸鈉、三伸乙四胺六醋酸及三伸乙四胺六醋酸鈉。有機膦酸系螯合劑之例，包含2-胺基乙基膦酸、1-羥基亞乙基-1,1-二膦酸、胺基三(亞甲基膦酸)、伸乙二胺四(亞甲基膦酸)、二伸乙三胺五(亞甲基膦酸)、乙烷-1,1-二膦酸、乙烷-1,1,2-三膦酸、乙烷-1-羥基-1,1-二膦酸、乙烷-1-羥基-1,1,2-三膦酸、乙烷-1,2-二羧基-1,2-二膦酸、甲烷羥基膦酸、2-膦基丁烷-1,2-二羧酸、1-膦基丁烷-2,3,4-三羧酸及α-甲基膦基琥珀酸。其等之中更佳為有機膦酸系螯合劑。作為其中之較佳者，可列舉伸乙二胺四(亞甲基膦酸)、二伸乙三胺五(亞甲基膦酸)及二伸乙三胺五醋酸。作為特佳的螯合劑之例，可列舉伸乙二胺四(亞甲基膦酸)及二伸乙三胺五(亞甲基膦酸)。
作為上述防腐劑及防黴劑之例，可列舉異噻唑啉系化合物、對羥基苯甲酸酯類、苯氧基乙醇等。
本文揭示之研磨用組成物，較佳為實質上不含氧化劑。研磨用組成物中含氧化劑時，於將該組成物供給時，基板表面(例如矽晶圓表面)受到氧化而產生氧化膜，藉此使研磨率降低為有可能發生。本文中，研磨用組成物實質上不含有氧化劑時，稱為至少意圖性地不調配氧化劑，而可容許源自原料或製法等不可避免含有之微量的氧化劑。上述微量，意指研磨用組成物中之氧化劑的莫耳濃度為0.0005莫耳/L以下(較佳0.0001莫耳/L以下，更佳0.00001莫耳/L以下，特佳0.000001莫耳/L以下)。較佳一態樣中之研磨用組成物係不含有氧化劑。本文揭示之研磨用組成物，例如，較佳可以不含有過氧化氫、過硫酸鈉、過硫酸銨及二氯三聚氰酸鈉之任一者之態樣實施。
＜研磨用組成物＞ 本文揭示之研磨用組成物，例如係以包含該研磨用組成物之研磨液(工作漿)之形態供給至研磨對象物，使用於此研磨對象物的研磨。本文揭示之研磨用組成物，例如，可為稀釋(例如藉由水稀釋)而作為研磨液使用者，亦可直接作為研磨液使用者。亦即，本文揭示之技術中之研磨用組成物的概念中，包含供給至研磨對象物之使用於該研磨對象物之研磨的工作漿，及相關工作漿之濃縮液(原液)二者。上述濃縮液之濃縮倍率，例如，可為以體積基準之2倍~140倍左右，通常5倍~80倍左右為適當。
研磨用組成物的pH，例如8.0以上，較佳8.5以上、更佳9.0以上，再佳9.5以上，亦可為10.0以上(例如10.5以上)。pH變高時，研磨率有提升的傾向。另一方面，由防止研磨粒(例如二氧化矽粒子)的溶解，抑制因該研磨粒所致之機械性研磨作用的降低的觀點，研磨液的pH，通常，12.0以下為適當，較佳為11.8以下，更佳為11.5以下。此等之pH，較佳適用於供給至研磨對象物之研磨液(工作漿)及其濃縮液之pH之任一者。
又，研磨用組成物的pH，使用pH計(例如，堀場製作所的玻璃電極式氫離子濃度指示計(型號F-23)，以用標準緩衝液(酞酸鹽pH緩衝液pH：4.01(25℃)、中性磷酸鹽pH緩衝液pH：6.86(25℃)、碳酸鹽pH緩衝液pH：10.01(25℃))之3點校正後，將玻璃電極置入研磨用組成物，經由測定經過2分鐘以上之安定後的值而予以獲得。
本文所揭示之研磨用組成物，可為一劑型，亦可為以二劑型為始之多劑型。例如，將至少包含研磨粒的A部分，與包含剩餘成分的B部分混合，根據需要亦可於適當時間點藉由稀釋而調製研磨液的方式構成。
本文所揭示之研磨用組成物的製造方法並無特別限定。例如，亦可使用翼式攪拌機、超音波分散機、均質機等周知的混合裝置，混合研磨用組成物所包含之各成分。混合此等成分的態樣並無特別限定，例如可將全成分一次混合，亦可以適宜設定的順序混合。
＜研磨＞ 本文所揭示之研磨用組成物，可以例如以包含以下的操作的態樣，使用於研磨對象物的研磨。 亦即，準備包含本文所揭示之任一研磨用組成物之工作漿。其次，將該研磨用組成物供給至研磨對象物，經由通常的方法研磨。例如，於一般的研磨裝置裝設研磨對象物，通過該研磨裝置的研磨墊將研磨用組成物供給於該研磨對象物的表面(研磨對象面)。例如將上述研磨用組成物連續的供給，同時將研磨對象物的表面壓至研磨墊使兩者相對地移動(例如旋轉移動)。例經過相關研磨步驟而完成研磨對象物的研磨。
上述研磨步驟中所使用之研磨墊並無特別限定。例如，可使用發泡聚胺酯型、不織布型、麂皮型、包含研磨粒者、不包含研磨粒者等之任一者。再者，作為上述研磨裝置，可使用將研磨對象物的兩面同時研磨的兩面研磨裝置，亦可使用僅將研磨對象物的單面研磨的單面研磨裝置。
上述研磨用組成物，可以一旦使用於研磨則使用過即丟棄之態樣(所謂「流水式」)使用，亦可循環重複使用。作為循環使用研磨用組成物的方法之一例，可列舉將由研磨裝置排出之使用過的研磨用組成物回收至槽內，將回收的研磨用組成物供給至再度研磨裝置的方法。
＜用途＞ 本文所揭示之研磨用組成物，可適用於具有各種的材質及形狀的研磨對象物的研磨。研磨對象物的材質，例如，可為矽、鋁、鎳、鎢、銅、鉭、鈦、不鏽鋼等金屬或半金屬，或其等之合金；石英玻璃、鋁矽酸鹽玻璃、玻璃狀碳等玻璃狀物質；氧化鋁、氧化矽、藍寶石、氮化矽、氮化鉭、碳化鈦等陶瓷材料；碳化矽、氮化鎵、砷化鎵等化合物半導體基板材料；聚醯亞胺樹脂等樹脂材料等。亦可為經由該等之中複數的材質所構成之研磨對象物。
本文所揭示之研磨用組成物，適合於矽晶圓等之半導體基板的研磨。上述研磨用組成物，由於消除HLM周邊的隆起的性能(隆起消除性)優異，可較佳適用於包含HLM已賦予的表面之研磨對象面的研磨。本文所揭示之研磨用組成物，可使用於預備研磨步驟，更具體而言，拋光步驟中之最初的研磨步驟之粗研磨步驟(一次研磨步驟)，或延續其之中間研磨步驟(二次研磨步驟)。
上述矽晶圓，於使用本文所揭示之研磨用組成物之研磨步驟之前，亦可施用精磨或蝕刻、上述之HLM的賦予等適用於矽晶圓之一般性處理。 上述矽晶圓，例如，具有由矽所成之表面。此種矽晶圓，合適為單晶矽晶圓，例如，將單晶矽鑄錠切片所獲得之單晶矽晶圓。本文所揭示之研磨用組成物，適合於研磨已附有HLM的單晶矽晶圓的用途。 再者，本文所揭示之研磨用組成物，亦可合適地使用於不具有HLM之研磨對象物的研磨。 實施例
以下，雖說明關於本發明之一些實施例，但不為意圖將本發明限定於此等實施例所示者。
＜研磨用組成物的調製＞ (實施例1) 藉由混合作為研磨粒的膠體二氧化矽(平均一次粒徑：55nm，平均二次粒徑105nm，非球形)、作為鹼性化合物之氫氧化四甲基胺(TMAH)、作為pH緩衝劑之碳酸鉀及矽酸鉀、以及離子交換水，調製研磨用組成物濃縮液。所得研磨用組成物濃縮液經由以離子交換水體積比10倍稀釋，獲得包含膠體二氧化矽0.5重量%、TMAH 0.23重量%、以及pH緩衝劑的各成分如表1所示濃度之研磨用組成物。表中之wt%為重量%。再者本例相關之研磨用組成物的pH示於表1為10.94。研磨粒的平均二次粒徑係由大塚電子股份公司製「FPAR-1000」所測定之值。
(實施例2) 除了使用膠體二氧化矽(平均一次粒徑：45nm，平均二次粒徑：70nm，球形)以外，與實施例1同樣的方式調製本例相關之研磨用組成物。本例相關之研磨用組成物的pH示於表1為10.92。研磨粒的平均二次粒徑係由大塚電子股份公司製「FPAR-1000」所測定之值。
(實施例3) 作為pH緩衝劑，除了進一步使用碳酸氫四甲基銨，pH緩衝劑的各成分作成示於表1的濃度以外，與實施例2同樣的方式調製本例相關之研磨用組成物。本例相關之研磨用組成物的pH示於表1為10.93。
(比較例1) 除了不使用矽酸鉀以外，與實施例1同樣的方式調製本例相關之研磨用組成物。本例相關之研磨用組成物的pH示於表1為10.72。
(比較例2) 除了不使用矽酸鉀以外，與實施例2同樣的方式調製本例相關之研磨用組成物。本例相關之研磨用組成物的pH示於表1為10.71。
(比較例3) 除了不使用碳酸鉀以外，與實施例2同樣的方式，調製本例相關之研磨用組成物。本例相關之研磨用組成物的pH示於表1為10.92。
(比較例4) 除了不使用碳酸鉀，矽酸鉀作成示於表1的濃度以外，與實施例2同樣的方式調製本例相關之研磨用組成物。本例相關之研磨用組成物的pH示於表1為10.95。
＜性能評價＞ (矽晶圓的研磨) 將各例相關之研磨組成物直接使用作為研磨液(工作漿)，研磨對象物(試驗片)的表面以下述條件研磨。作為試驗片，使用完成精磨及蝕刻之直徑100mm的市售單晶矽晶圓(厚度：525μm，傳導型：P型，晶體方向：＜100＞，電阻率：0.1Ω・cm以上、未達100Ω・cm)。上述晶圓賦予HLM。 (研磨條件) 研磨裝置：日本Engis股份有限公司製的單面研磨裝置，型號「EJ-380IN」 研磨壓力：12kPa 定盤迴轉數：50rpm 頭迴轉數：40rpm 研磨墊：Nittahaas公司製，商品名「SUBA800」 研磨液供給速率：50mL/分(流水式使用) 研磨環境的保持溫度：約25℃ 研磨時間：17分
(HLM平坦度的評價) 關於研磨後矽晶圓，使用針觸式表面粗糙度形狀測定機(SURFCOM 1500DX，東京精密股份製)，測定HLM周邊部的表面形狀。具體而言，使上述測定機的針接觸基板的表面，藉由使HLM周邊部移動，測定不發生隆起部分(基準面)及隆起的高度。然後，將由基準面至隆起的最高點為止的高度(μm)作為「HLM平坦度」。所獲得的結果示於表1的「HLM平坦度」的欄。此HLM平坦度未達0.6μm評價為HLM平坦度優良，所使用之研磨組成物的隆起消除性為優異。再者，0.6μm以上則HLM平坦度差，評價為隆起消除性差。
(研磨率的評價) 基於上述研磨的前後之晶圓的重量差異，經由下述式(1)~(3)算出各實施例及比較例之研磨率R[cm/分]。所獲得之研磨率R，以比較例1的研磨率作為100%換算相對值(相對研磨率[%])。所獲得結果示於表1的「相對研磨率」的欄。相對研磨率為100%以上則為合格，未達100%則不合格的評價結果。 式：
Figure 02_image001
Figure 02_image003
Figure 02_image005
ΔV：研磨前後的晶圓體積變化量 W0：研磨前的晶圓重量[g] W1：研磨的晶圓重量[g] d：矽的比重(2.33)[g/cm3 ] S：晶圓表面積[cm2 ] Δx：研磨前後的晶圓厚度變化量[cm] t：研磨時間[分]
Figure 02_image007
如表1所示，使用包含研磨粒、鹼性化合物、pH緩衝劑以及水，僅包含pKa值為12以上的矽酸鉀作為pH緩衝劑的研磨用組成物之比較例3及4中，相對於使用僅包含pKa值為9~11的範圍之碳酸鉀作為pH緩衝劑之研磨用組成物的比較例1及2，雖然HLM平坦度稍微改善，但研磨率降低。另一方面，使用包含pKa值為9~11的範圍之碳酸鉀，與pKa值為12以上之矽酸鉀二者作為pH緩衝劑之研磨用組成物的實施例1~3，相對於僅包含pKa值為9~11的範圍之pH緩衝劑，與pKa值為12以上的範圍之pH緩衝劑中之一者的比較例1~4，維持實用性研磨率之同時，HLM平坦度顯著受到改善。由此等結果可知，經由包含pKa值之至少一者為9~11的範圍之鹽SL ，與pKa值之至少一者為12以上之鹽SH 來作為pH緩衝劑而成的研磨用組成物，可知可達成兼具高的研磨率與HLM周邊的優異的隆起消除性。又，作為pH緩衝劑，於進一步包含具有有機碳之鹽的實施例3的研磨組成物中，如表所示，確認於稀釋前濃縮液的狀態中，具有更優異的分散安定性。
以上，雖詳細地說明本發明之具體例，但該等僅為例示，並非限定請求的範圍者。請求的範圍所記載的技術，包含以上所例示的具體例之種種變形、變更者。

Claims (9)

  1. 一種研磨用組成物，其包含研磨粒、鹼性化合物、pH緩衝劑及水，作為前述pH緩衝劑，包含酸解離常數(pKa)值之至少一者為9~11的範圍之鹽SL ，以及pKa值之至少一者為12以上之鹽SH 。
  2. 如請求項1之研磨用組成物，其中，相對於前述鹽SL 的含量(CL )之前述鹽SH 的含量(CH )的比(CH /CL )為0.1以上、10以下。
  3. 如請求項1或2之研磨用組成物，其中，作為前述鹽SH ，包含選自由矽酸、精胺酸、氮基三(甲基膦酸)、磷酸、及四甲基胍所成群組之化合物的鹽。
  4. 如請求項1至3中任一項之研磨用組成物，其中，作為前述鹽SL ，包含碳酸鹽。
  5. 如請求項1至4中任一項之研磨用組成物，其中，作為前述pH緩衝劑，包含具有有機碳的鹽。
  6. 如請求項5之研磨用組成物，其中，前述具有有機碳的鹽為選自有機碳酸鹽及有機碳酸氫鹽。
  7. 如請求項1至6中任一項之研磨用組成物，其中，作為前述研磨粒，包含二氧化矽粒子。
  8. 如請求項1至7中任一項之研磨用組成物，其中，作為前述鹼性化合物，包含氫氧化四級銨類。
  9. 如請求項1至8中任一項之研磨用組成物，其係使用於已附加硬雷射標誌的矽晶圓的研磨步驟。
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