TW202119517A - 雷射表面檢查裝置的座標位置特定準確度校正方法及半導體晶圓的評價方法 - Google Patents

雷射表面檢查裝置的座標位置特定準確度校正方法及半導體晶圓的評價方法 Download PDF

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Abstract

提供用以提高雷射表面檢查裝置的LPD檢測準確度之新手段。 雷射表面檢查裝置的座標位置特定準確度校正方法，旋轉半導體晶圓的同時，透過對晶圓表面入射掃描雷射光，檢測上述表面的LPD(光點缺陷)。包括：分別利用校正對象的雷射表面檢查裝置以及根據二次元直交座標系求出COP(Crystal Originated Particle：結晶引起的微粒)的X座標位置以及Y座標位置的校正用裝置，檢測參考晶圓表面的上述COP；以參考晶圓表面上校正對象的雷射表面檢查裝置求出的檢測位置與校正用裝置求出的檢測位置之位置差異在臨界範圍內，作為判定各裝置檢測的COP是同一COP之判定基準，決定以校正對象的雷射表面檢查裝置與校正用裝置檢測為同一COP的COP；以及作為決定為同一COP的COP的X座標位置以及Y座標位置，採用校正用裝置求出的X座標位置以及Y座標位置作為真值，校正校正對象的雷射表面檢查裝置的座標位置特定準確度。

Description

雷射表面檢查裝置的座標位置特定準確度校正方法及半導體晶圓的評價方法
本發明係有關於雷射表面檢查裝置的座標位置特定準確度校正方法及半導體晶圓的評價方法。
作為半導體晶圓的缺陷或表面上附著的異物的評價方法，廣泛使用根據雷射表面檢查裝置檢測的光點(LPD：Light Point Defect(光點缺陷)) 之方法(例如參照專利文獻1、2)。此評價方法，對評價對象的半導體晶圓表面入射光，透過檢測來自此表面的放射光(散射光及反射光)，評價半導體晶圓的缺陷．異物的有無、尺寸。 [先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利公開第2016－39374號公報 [專利文獻2]日本專利公開第2018－6658號公報
[發明所欲解決的課題]
半導體晶圓缺陷或表面上附著的異物，影響製作半導體晶圓為基板的元件特性。因此，為了提供具有優異特性的元件，最好使用備置顯微鏡的裝置形態觀察雷射表面檢查裝置檢測為LPD的缺陷或表面上附著的異物，根據此觀察結果，明確指定發生原因。但是，因為顯微鏡的觀察視野通常數百nm (毫微米)〜數十μm (微米)，雷射表面檢查裝置的LPD檢測準確度低時，由於觀察對象的LPD脫離顯微鏡的視野等，或者以顯微鏡觀察不同於觀察對象的LPD，應觀察的LPD的形態觀察變得困難。
有鑑於上述，本發明的一形態，目的在於提供用以提高雷射表面檢查裝置的LPD檢測準確度之新手段。 [用以解決課題的手段]
本發明的一形態，係關於雷射表面檢查裝置的座標位置特定準確度校正方法(以下，也只記載為「校正方法」)，其中，旋轉半導體晶圓的同時，透過對晶圓表面入射掃描雷射光，檢測上述表面的LPD(光點缺陷)，上述校正方法包括： 分別利用校正對象的雷射表面檢查裝置以及根據二次元直交座標系求出上述COP(Crystal Originated Particle：結晶引起的微粒)的X座標位置以及Y座標位置的校正用裝置，檢測參考晶圓表面的COP； 以參考晶圓表面上校正對象的雷射表面檢查裝置求出的檢測位置與校正用裝置求出的檢測位置之位置差異在臨界範圍內，作為判定各裝置檢測的COP是同一COP之判定基準，決定以校正對象的雷射表面檢查裝置與校正用裝置檢測為同一COP的COP；以及 作為決定為同一COP的COP的X座標位置以及Y座標位置，採用校正用裝置求出的X座標位置以及Y座標位置作為真值，校正校正對象的雷射表面檢查裝置的座標位置特定準確度。
之前所示的專利公開第2016－39374號公報(專利文獻1)、專利公開第2018－6658號公報(專利文獻2)中，完全沒記載應校正雷射表面檢查裝置明確指定的LPD(光點缺陷)座標位置。 相對於此，本發明者們重複研討中，考慮到雷射表面檢查裝置中，旋轉半導體晶圓的同時，透過對晶圓表面入射掃描雷射光，雖然具有可以迅速檢測晶圓表面的LPD(光點缺陷)的優點，但是關於雷射表面檢查裝置求出的LPD檢測位置，晶圓旋轉方向(圓周方向)的偏移大，即明確指定LPD位置的準確度低。本發明者認為這是雷射表面檢查裝置的LPD檢測準確度低的原因，再重複專心研討的結果，新發現包括以採用二次元直交座標系的測量裝置作為校正用裝置校正雷射表面檢查裝置明確指定的LPD座標位置之上述校正方法。
一形態中，上述位置的差異在臨界值範圍內，可以說是根據以下式1： [數1] (式1)
Figure 02_image001
求出的位置偏移量在臨界值以下。式1中，X1 及Y1 ，係校正用裝置檢出的檢出位置中X座標位置及Y座標位置，X2 及Y2 ，係校正對象的雷射表面檢查裝置檢測的檢測位置中X座標位置及Y座標位置。
一形態中，上述校正用裝置，可以是裝載共焦點雷射顯微鏡的表面缺陷檢查裝置。
一形態中，上述座標位置特定準確度校正，可以包含決定校正對象的雷射表面檢查裝置檢測的檢測位置中X座標位置及Y座標位置之補正值。
又，本發明的一形態，係關於半導體晶圓的評價方法(以下，也只記載為「評價方法」)， 上述評價方法包括： 旋轉半導體晶圓的同時，透過對晶圓表面入射掃描雷射光，檢測上述表面的LPD(光點缺陷)之雷射表面檢查裝置的座標位置特定準確度 ，利用上述校正方法校正； 上述校正後的雷射表面檢查裝置中，旋轉評價對象的半導體晶圓的同時，透過對晶圓表面入射掃描雷射光，檢測評價對象的半導體晶圓表面的LPD；以及 關於上述檢測的LPD，實行顯微鏡的形態觀察； 其中，上述形態觀察的觀察位置決定中，採用上述校正後的雷射表面檢查裝置決定的X座標位置及Y座標位置。
一形態中，上述顯微鏡，可以是原子力顯微鏡或掃描電子顯微鏡。 [發明效果]
根據本發明的一形態，可以提高雷射表面檢查裝置的LPD座標位置特定準確度。還有，藉此，也可以使顯微鏡檢測為LPD的缺陷、異物的形態觀察變得容易。
[雷射表面檢查裝置的座標位置特定準確度校正方法] 本發明的一形態，係關於雷射表面檢查裝置的座標位置特定準確度校正方法，其中，旋轉半導體晶圓的同時，透過對晶圓表面入射掃描雷射光，檢測上述表面的LPD(光點缺陷)，上述校正方法包括： 分別利用校正對象的雷射表面檢查裝置以及根據二次元直交座標系求出COP(Crystal Originated Particle：結晶引起的微粒)的X座標位置以及Y座標位置的校正用裝置，檢測參考晶圓表面的上述COP(以下，也記載為「COP檢測步驟」)； 以參考晶圓表面上校正對象的雷射表面檢查裝置求出的檢測位置與校正用裝置求出的檢測位置之位置差異在臨界範圍內，作為判定各裝置檢測的COP是同一COP之判定基準，決定以校正對象的雷射表面檢查裝置與校正用裝置檢測為同一COP的COP(以下，也記載為「同一COP決定步驟」)；以及 作為決定為同一COP的COP的X座標位置以及Y座標位置，採用校正用裝置求出的X座標位置以及Y座標位置作為真值，校正校正對象的雷射表面檢查裝置的座標位置特定準確度(以下，也記載為「校正步驟」)。
[校正對象的雷射表面檢查裝置] 利用上述校正方法實行座標位置特定準確度校正的校正對象裝置，係旋轉半導體晶圓的同時，透過對晶圓表面入射掃描雷射光，檢測晶圓表面的LPD(光點缺陷)之雷射表面檢查裝置。如此的雷射表面檢查裝置，可以是也稱作光散射式表面檢查裝置、面檢機、微粒計數器等的眾所周知的構成之雷射表面檢查裝置。雷射表面檢查裝置，通常以雷射光掃描評價對象的半導體晶圓表面，以放射光(散射光或反射光)檢測晶圓表面的缺陷．異物作為LPD。又，透過測量來自LPD的放射光，可以辨識缺陷．異物的尺寸、位置。作為雷射光，可以使用紫外光、可見光等，其波長不特別限定。所謂的紫外光，係指未達400nm的波長區的光，所謂的可見光，係指400〜600nm的波長區的光。雷射表面檢查裝置的解析部，通常，根據標準粒子的尺寸與標準粒子造成的LPD尺寸的相關式，轉換雷射表面檢查裝置檢測的LPD尺寸為缺陷．異物尺寸。實行這樣的轉換的解析部，通常，包含裝載轉換軟體的PC(Personal Computer個人電腦)，解析部的構成是眾所周知的。作為市售的雷射表面檢查裝置的具體例，可以舉出KLA TENCOR公司製Surfscan系列SP1、SP2、SP3、SP5。但這些裝置是例示，也可以使用其它雷射表面檢查裝置。雷射表面檢查裝置中，作為用以決定檢出為LPD的缺陷．異物位置之座標系，通常，採用極座標系，轉換以極座標系決定的位置為二次元直交座標系，求出LPD的X座標位置以及Y座標位置。
＜校正用裝置＞ 上述雷射表面檢查裝置，旋轉半導體晶圓的同時，因為根據得到的資訊明確指定LPD，如先前的記載，關於檢測的LPD座標位置，特別考慮晶圓旋轉方向，即圓周方向的偏移變大。相對於此，上述校正方法中，使用根據二次元直交座標系求出檢測的缺陷．異物位置即X座標位置以及Y座標位置之裝置作為校正用裝置。本發明及本說明書中，所謂「根據二次元直交座標系求出X座標位置以及Y座標位置之裝置」以及「採用二次元直交座標系的裝置」，係指不是經過根據其它座標系的轉換，而是根據二次元直交座標系求出X座標位置以及Y座標位置之裝置。這樣，使用採用二次元直交座標系的校正用裝置，透過校正校正對象的雷射表面檢查裝置的座標位置特定準確度，可以提高雷射表面檢查裝置的LPD檢測準確度，詳細說來是位置的特定準確度。
作為上述校正用裝置，可以使用採用二次元直交座標系的各種裝置。作為具體例，可以舉出裝載共焦點雷射顯微鏡的表面缺陷檢查裝置、AFM(原子力顯微鏡)、SEM(掃描電子顯微鏡)等。根據可以掃描與校正對象的雷射表面檢查裝置同等面積的觀點，作為校正用裝置，最好是裝載共焦點雷射顯微鏡的表面缺陷檢查裝置。作為裝載共焦點雷射顯微鏡的表面缺陷檢查裝置之具體裝置，例如，可以舉出Lasertec公司製晶圓缺陷檢查/Review裝置MAGICS。
＜參考晶圓＞ 上述校正方法中，為了校正對象的雷射表面檢查裝置的座標位置特定準確度校正，作為參考晶圓，使用表面上具有COP的晶圓。COP，通常尺寸是10nm左右〜數百nm左右(例如10 nm左右〜500nm左右)，可以利用雷射表面檢查裝置檢測作為1個LPD。又，利用可使用作為裝載共焦點雷射顯微鏡的表面缺陷檢查裝置等的校正用裝置之各種裝置，也可以檢測作為1個LPD。還有，COP，因為是空洞缺陷，沒有像微粒生塵污染裝置內的擔憂的點也是理想的。參考晶圓，例如可以是矽晶圓等半導體晶圓，作為其製作方法可以採用眾所周知的方法。關於製作方法，例如，可以參照專利公開第2018－6658號公報(專利文獻2)的段落0031〜0049、圖1及圖2。
其次，說明關於上述校正方法中包含的「COP檢測步驟」、「同一COP決定步驟」以及「校正步驟」。
[COP檢測步驟] COP檢測步驟中，關於同一參考晶圓表面，利用校正對象的雷射表面檢查裝置及校正用裝置，分別實行COP的檢測。COP的檢測，關於各裝置為了檢測缺陷．異物，可以採用通常採用的測量條件實施。
＜同一COP決定條件＞ 如先前記載，考慮雷射表面檢查裝置求出的座標位置偏移很大，關於某同一COP，雷射表面檢查裝置求出的座標位置與採用二次元直交座標系的校正用裝置求出的座標位置，通常不同。上述校正方法中，為了採用校正用裝置求出的座標位置作為真值，從校正對象的雷射表面檢查裝置檢測的COP中，實行決定判定為與校正用裝置檢測的COP同一COP的COP(同一COP決定步驟)。
同一COP決定步驟中，以參考晶圓表面上校正對象的雷射表面檢查裝置求出的檢測位置與校正用裝置求出的檢測位置之位置差異在臨界範圍內，作為判定各裝置檢測的COP是同一COP之判定基準，可以決定以校正對象的雷射表面檢查裝置與校正用裝置檢測為同一COP的COP。
關於上述位置的差異，在一形態中，根據以下式1： [數2] (式1)
Figure 02_image001
求出的位置偏移量可以作為指標。詳細說來，由於以式1求出的位置偏移量在臨界值以下，可以判定以上各裝置檢測的COP是同一COP。式1中，X1 及Y1 ，係以校正用裝置求出的X座標位置以及Y座標位置，X2 及Y2 ，係以校正對象的雷射表面檢查裝置求出的X座標位置以及Y座標位置。這些點，關於之後敘述的X1 、Y1 、X2 、Y2 也相同。上述位置偏移量臨界值，例如可以設定在10μm〜300μm左右的範圍內。但是，上述位置偏移量的臨界值，只要考慮使用的裝置之座標位置特定準確度等決定即可，不限定於上述例示的範圍內。根據位置偏移量臨界值的同一COP的決定，例如，可以使用眾所周知的解析軟體實行。 又，另一形態中，根據以下式2： [數3] (式2)
Figure 02_image003
求出的位置偏移量可以作為指標。詳細說來，由於以式2求出的位置偏移量在臨界值以下，可以判定以上各裝置檢測的COP是同一COP。 又，再另一形態中，只有關於X座標位置以各裝置求出的檢測位置座標位置偏移距離(例如「X2 －X1 」或「X1 －X2 」)，只有關於Y座標位置以各裝置求出的檢測位置座標位置偏移距離(例如「Y2 －Y1 」或「Y1 －Y2 」)，或者關於X座標位置以各裝置求出的檢測位置座標位置偏移距離以及關於Y座標位置以各裝置求出的檢測位置座標位置偏移距離作為指標，設定這些座標位置偏移距離的臨界值，由於臨界值以下，可以決定以校正對象的雷射表面檢查裝置與校正用裝置檢測為同一COP的COP。
根據上述，關於參考晶圓表面的COP，可以決定以校正對象的雷射表面檢查裝置以及校正用裝置的兩裝置檢測為同一COP的複數COP。
＜校正步驟＞ 如上述，以不同的裝置檢測參考晶圓表面的COP，根據分別以兩裝置得到的COP檢測結果，決定同一COP。校正步驟中，作為決定為同一COP之COP的X座標位置以及Y座標位置，不是以校正對象的雷射表面檢查裝置求出的座標位置，而採用以校正用裝置求出的X座標位置以及Y座標位置作為真值。於是，使用此真值，校正校正對象的雷射表面檢查裝置的座標位置特定準確度。作為座標位置特定準確度校正的具體形態，例如，可以舉出決定以校正對象的雷射表面檢查裝置求出的檢測位置之X座標位置以及Y座標位置的補正值。補正值，關於同一COP可以根據校正對象的雷射表面檢查裝置求出的座標與校正用裝置求出的座標位置(真值)的座標位置偏移距離決定。例如，關於決定為同一COP的某1個COP，根據校正用裝置求出的X座標位置X1 以及Y座標位置Y1 、校正對象的雷射表面檢查裝置求出的X座標位置X2 以及Y座標位置Y2 ，可以利用以下式： X座標位置偏移距離＝(X2 －X1 ) Y座標位置偏移距離＝(Y2 －Y1 ) 算出座標位置偏移距離。例如，關於複數COP求出X座標位置偏移距離以及Y座標位置偏移距離，可以採用這些代表值(例如，平均值、最頻值、中央值等)作為補正值。關於補正值決定方法的具體例，可以參照之後敘述的實施例。
根據以上說明的校正方法，可以提高雷射表面檢查裝置的LPD座標位置特定準確度。
[半導體晶圓的評價方法] 本發明的一形態，係關於半導體晶圓的評價方法，包括：旋轉半導體晶圓的同時，透過對晶圓表面入射掃描雷射光，檢測上述表面的LPD(光點缺陷)之雷射表面檢查裝置的座標位置特定準確度，以上述校正方法校正；上述校正後的雷射表面檢查裝置中，旋轉評價對象的半導體晶圓的同時，透過對晶圓表面入射掃描雷射光，檢測評價對象半導體晶圓表面的LPD(光點缺陷)；以及關於上述檢測的LPD，實行顯微鏡的形態觀察；其中，上述形態觀察的觀察位置決定中，採用上述校正後的雷射表面檢查裝置決定的X座標位置及Y座標位置。 以下，關於上述評價方法，更詳細說明。
上述評價方法，利用之前詳述的校正方法校正雷射表面檢查裝置的座標位置特定準確度。結果，利用校正後的雷射表面檢查裝置，可以高準確度地決定應以顯微鏡形態觀察的缺陷．異物之座標位置。
關於上述評價方法中使用的雷射表面檢查裝置以及其座標位置特定準確度校正，與之前記載的相同。又，關於根據校正後的雷射表面檢查裝置的評價對象的半導體晶圓表面的LPD檢出，也可以參照之前的記載。這樣，利用校正後的雷射表面檢查裝置，檢出缺陷．異物作為LPD，也明確指定其座標位置。
其次，關於檢測的LPD，實行顯微鏡的形態觀察。此形態觀察的觀察位置決定中，透過採用上述校正後的雷射表面檢查裝置決定的X座標位置以及Y座標位置，以顯微鏡確認應形態觀察的缺陷．異物，可以形態觀察。作為顯微鏡，可以使用可形態觀察的各種顯微鏡。作為具體例，例如，可以舉出AFM(原子力顯微鏡)、SEM(掃描電子顯微鏡)等。又，作為SEM，透過使用SEM－EDS(Scanning Electron Microscope－Energy Dispersive X－ray Spectroscopy(掃描型電子顯微鏡－能量分散型X光分光法)，除了形態觀察也可以實行元素分析。
作為利用上述半導體晶圓的評價方法評價的半導體晶圓，可以舉出矽晶圓等各種半導體晶圓。矽晶圓，例如可以是單結晶矽晶圓。更詳細地，可以舉出對單結晶矽晶圓施行研磨處理的經拋光晶圓(polished wafer)、單結晶矽晶圓上利用回火處理形成改質層的回火晶圓、單結晶矽晶圓上具有磊晶層的磊晶晶圓、具有熱氧化膜的單結晶矽晶圓等的各種矽晶圓等。 [實施例]
以下，根據實施例再說明本發明。但是，本發明不限定於實施例所示的實施形態。
以下，作為雷射表面檢查裝置，使用KLA TENCOR公司製Surfscan系列SP5或KLA TENCOR公司製Surfscan系列SP2。SP5及SP2，係雷射表面檢查裝置，旋轉半導體晶圓的同時，透過對晶圓表面入射掃描雷射光，檢測晶圓表面的LPD(光點缺陷)。以下，使用上述2種雷射表面檢查裝置，分別對參考晶圓的一方表面全區掃描入射光檢測COP作為LPD，而且根據LPD的尺寸，在上述雷射表面檢查裝置備置的解析部中實行尺寸轉換，算出COP的尺寸(檢測尺寸)。關於檢測尺寸，SP5的檢測下限值為19nm，SP2的檢測下限值為35nm。SP5及SP2，係作為用以決定檢測作為LPD的缺陷．異物位置之座標系，採用極座標系，轉換以極座標系決定的位置為二次元直交座標系，求出LPD的X座標位置以及Y座標位置之裝置。
作為校正用裝置，係使用Lasertec公司製MAGICS(M5640)。MAGICS，裝載共焦點雷射顯微鏡的表面缺陷檢查裝置(採用二次元直交座標系的裝置)。
(1) SP5及MAGICS的COP檢測結果的對比 作為參考晶圓，準備晶圓全面存在COP的單結晶矽晶圓。此晶圓，係從COP在結晶徑方向的大致全區高密度存在的結晶部位切割的晶圓。 以已知的方法洗淨上述參考晶圓後，實施SP5及MAGICS的測量。 其次，對比SP5的座標位置資料與MAGICS的座標位置資料，根據以各個裝置求出的COP的X座標位置以及Y座標位置，利用之前所示的式1求出位置偏移量。這樣求出的位置偏移量在2.0μm以下的話，判定其COP是同一COP。
根據上述測量，以SP5檢測出約1萬點，以MAGICS檢測出約6萬點的COP。其中，決定為同一COP的COP，約9800個(參照表1)。
[表1] 表1 SP5、MAGICS檢測出COP數
SP5檢測出COP數 MAGICS檢測出COP數 SP5、MAGICS 同一COP數
10288 60473 9878
圖1中，顯示以上述兩裝置決定為同一COP的COP的面內分布。又，圖2中，顯示以上述兩裝置決定為同一COP的COP根據SP5測量的尺寸分布。根據圖1，關於存在於晶圓全面的COP，可以確認可決定是同一COP。根據圖2，關於各種尺寸的COP，可以確認可決定是同一COP。
(2) SP2(校正對象裝置)的座標位置特定準確度校正 以SP2測量上述(1)中使用的參考晶圓。 其次，對比決定作為上述真值的座標資料與根據SP2的座標資料，根據以各個裝置求出的COP的X座標位置以及Y座標位置，利用先前所示的式1求出位置偏移量。這樣求出的位置偏移量在150μm以內的話，判定其COP是同一COP。 關於這樣決定為同一COP的COP，以決定作為真值的座標位置(即以MAGICS檢測的位置座標)為(X1 , Y1 )，以SP2檢測的座標為(X2 , Y2 )，假設X座標位置偏移距離＝X2 －X1 ，以及Y座標位置偏移距離＝Y2 －Y1 ，關於決定為同一COP的複數COP，算出各個座標位置偏移距離。圖3中顯示X座標位置偏移距離以及Y座標位置偏移距離的柱狀圖。採用圖3所示的柱狀圖的最頻值作為補正值，決定X座標位置的補正值為「＋60μm」、Y座標位置的補正值為「－10μm」。
(3) 根據顯微鏡的形態觀察 參考晶圓表面上，關於利用SP2檢測作為LPD的一個COP得到的上述校正後的X座標及Y座標的位置，以AFM觀察後，如圖4所示可以補捉COP至視野內，可以實行其形態觀察(實施例)。 相對於此，關於上述COP，以SP2檢測的校正前的X座標及Y座標的位置，以AFM觀察後，如圖5所示可以確認COP(比較例)。 以上的結果顯示，根據上述校正，可以提高雷射表面檢查裝置的LPD座標位置特定準確度，又，藉此可以利用顯微鏡形態觀察以雷射表面檢查裝置檢測的LPD。 [產業上的利用可能性]
本發明的一形態，在矽晶圓等各種半導體晶圓的技術分野中有用。
無。
[圖1]係顯示實施例中KLA TENCOR公司製Surfscan系列SP5與Lasertec公司製MAGICS(M5640)決定為同一COP的COP之面內分布； [圖2]係關於實施例中KLA TENCOR公司製Surfscan系列SP5與Lasertec公司製MAGICS(M5640)決定為同一COP的COP，顯示SP5測量的尺寸分布； [圖3]係關於實施例中得到決定為同一COP的COP，決定作為真值的座標位置與KLA TENCOR公司製Surfscan系列SP2檢測的座標位置之座標位置偏移距離柱狀圖； [圖4]係顯示實施例中的顯微鏡觀察結果；以及 [圖5]係顯示比較例中的顯微鏡觀察結果。

Claims (6)

  1. 一種雷射表面檢查裝置的座標位置特定準確度校正方法，其中，旋轉半導體晶圓的同時，透過對晶圓表面入射掃描雷射光，檢測上述表面的LPD(光點缺陷)，包括： 分別利用校正對象的雷射表面檢查裝置以及根據二次元直交座標系求出上述COP的X座標位置以及Y座標位置的校正用裝置，檢測參考晶圓表面的LPD； 以參考晶圓表面上校正對象的雷射表面檢查裝置求出的檢測位置與校正用裝置求出的檢測位置之位置差異在臨界範圍內，作為判定各裝置檢測的COP是同一COP之判定基準，決定以校正對象的雷射表面檢查裝置與校正用裝置檢測為同一COP的COP；以及 作為決定為同一COP的COP的X座標位置以及Y座標位置，採用校正用裝置求出的X座標位置以及Y座標位置作為真值，校正校正對象的雷射表面檢查裝置的座標位置特定準確度。
  2. 如請求項1之雷射表面檢查裝置的座標位置特定準確度校正方法，其中，上述位置的差異在臨界值範圍內，係 根據 [數 1] (式1)
    Figure 03_image001
    求出的位置偏移量在臨界值以下，式1中，X1 及Y1 ，係校正用裝置求出的X座標位置及Y座標位置，X2 及Y2 ，係校正對象的雷射表面檢查裝置求出的X座標位置及Y座標位置。
  3. 如請求項2之雷射表面檢查裝置的座標位置特定準確度校正方法，其中， 上述校正用裝置，係裝載共焦點雷射顯微鏡的表面缺陷檢查裝置。
  4. 如請求項1或2之雷射表面檢查裝置的座標位置特定準確度校正方法，其中， 上述座標位置特定準確度校正，包含決定校正對象的雷射表面檢查裝置求出的X座標位置及Y座標位置之補正值。
  5. 一種半導體晶圓的評價方法，包括： 旋轉半導體晶圓的同時，透過對晶圓表面入射掃描雷射光，檢測上述表面的LPD(光點缺陷)之雷射表面檢查裝置的座標位置特定準確度 ，利用請求項1～4中任一項之雷射表面檢查裝置的座標位置特定準確度校正方法校正； 上述校正後的雷射表面檢查裝置中，旋轉評價對象的半導體晶圓的同時，透過對晶圓表面入射掃描雷射光，檢測評價對象的半導體晶圓表面的LPD；以及 關於上述檢測的LPD，實行顯微鏡的形態觀察； 其中，上述形態觀察的觀察位置決定中，採用上述校正後的雷射表面檢查裝置決定的X座標位置及Y座標位置。
  6. 如請求項5之半導體晶圓的評價方法，其中 上述顯微鏡，係原子力顯微鏡或掃描電子顯微鏡。
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