JP2015069678A - 磁気ディスクの表面欠陥検査装置及び磁気ディスクの表面欠陥検査方法 - Google Patents

Abstract

【課題】磁気ディスクの表面欠陥検査装置において、詳細観察装置の高倍率の観察視野に観察したい欠陥を容易に入れることを可能にする欠陥の位置座標情報を出力することが可能にする。
【解決手段】磁気ディスクの表面欠陥検査装置を、スピンドルとこのスピンドルを一軸方向に移動させるステージとスピンドルに搭載されて回転している磁気ディスクにレーザを照射するレーザ光源と磁気ディスクからの反射光を検出する検出器とを備えた検査光学機構系部と、検出器からの出力信号を処理して欠陥を検出する信号処理部と、検出した欠陥のデータを処理して欠陥の位置情報を含む情報を抽出するデータ処理部とを備えて構成し、データ処理部は、信号処理部で検出した欠陥のデータを処理して欠陥の位置情報として磁気ディスクのスピンドルへのセッティング誤差を補正した（Ｘ，Ｙ）座標データを出力することを特徴とする。
【選択図】 図１

Description

本発明は、磁気ディスク表面の傷や表面に付着した異物（ゴミ）などの欠陥を検査する磁気ディスクの表面欠陥検査装置及び磁気ディスクの表面欠陥検査方法に関する。

磁気ディスク又は磁気ディスク用ガラス基板の表面の欠陥は、光学的手段を用いて検査されているが、その光学的に検査を行う手段としては、特許文献１及び２に記載されているようなものがある。

特許文献１に記載された磁気ディスクの欠陥検査装置は、偏光したレーザ光を集光して垂直に磁気ディスクに照射し、磁気ディスクからの偏光したレーザ光を反射する集光光学装置と、磁気ディスクに磁場を印加する磁場発生装置と、磁気ディスクからの反射レーザ光の偏光状態を検出する検出装置と、磁気ディスクを移動し回転し任意の位置に位置決めできる回転位置決め装置を具備している。

また、特許文献２には、レーザを回転している基板に対して斜め方向から照射して、その反射光を検出した信号を処理することにより、円周状に発生した疵と島状に発生した疵及びその他の傷とを分類することが記載されている。

特開平２−８０９４８号公報 特開２０１１−１２２９９８号公報

コンピュータシステムの記録媒体に使用される磁気ディスタあるいはそのガラスサブストレート等の欠陥検査においては、最近での記録媒体の高密度化に伴い検出感度の向上が行われている。この感度向上に従い、検出される欠陥数も増加し、そのサイズも小さくなってきている。これに伴い、磁気ディスク欠陥検出装置で検出できる欠陥位置の精度も、かなり向上して生きている。

しかし、磁気ディスク欠陥検出装置で検出された欠陥に対して、その欠陥の詳細に観察して分析しようとすると、磁気ディスク欠陥検出装置では測定できない項目もあり、その時は欠陥を高倍率で観察できる走査型電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope：ＳＥＭ）や原子間力顕微鏡（Atomic Force Microscope: ＡＦＭ）などが利用される。

このＳＥＭやＡＦＭ等で磁気ディスク欠陥検出装置を用いて磁気ディスク欠陥検出装置で検出された欠陥を観察するためには、磁気ディスク欠陥検出装置にて検出した欠陥の位置座標を用いて、観察したい欠陥をＳＥＭやＡＦＭなどの詳細に観察する装置の高倍率に観察視野の中に位置決めしなければならない。

ところが、磁気ディスク欠陥検出装置で検出した欠陥の（Ｒ、θ）座標系における位置座標には、磁気ディスク欠陥検出装置に磁気ディスクを装着した際に発生する磁気ディスクの偏心などの誤差要因が含まれている。このような誤差要因を含んだ欠陥の位置座標情報を（Ｒ、θ）座標系から（Ｘ，Ｙ）座標系に変換して、観察したい欠陥をＳＥＭやＡＦＭなどの詳細に観察する装置の高倍率な観察視野の中に位置決めしようとしても、座標情報に誤差が含まれているために、観察したい欠陥が観察視野から外れてしまい、それを探すのに時間がかかってしまう。

特許文献１の磁気欠陥検査装置は、磁気ディスクを任意の位置の位置決めできる回転位置決め装置を具備して、この装置自身の位置決めを向上させている。しかし、磁気ディスクを一度この磁気欠陥検査装置から取り外してしまうと、磁気ディスクを装着した際に発生する磁気ディスクの偏心などの情報が配慮されていないので、ここで検出された欠陥位置の情報を他の装置で使用しようとしても、その欠陥位置に欠陥が存在しないことになってしまう。

一方、特許文献２に記載されている発明では、検査装置で検出した欠陥を他の観察装置で詳細に観察することについては配慮されておらず、欠陥の検査結果に対して、検査装置への取り付け誤差を含む検査データを取り付け誤差の影響を補正することについては配慮されていなかった。

本発明は、上記した従来技術の課題を解決して、ＳＥＭやＡＦＭなどの観察装置の高倍率の観察視野に観察したい欠陥を容易に入れることを可能にする欠陥の位置座標情報を出力することが可能な磁気ディスクの表面欠陥検査装置及び磁気ディスクの表面欠陥検査方法を提供するものである。

上記した課題を解決するために、本発明では、磁気ディスクの表面欠陥検査装置を、検査対象の磁気ディスクを搭載して回転可能なスピンドルとこのスピンドルを一軸方向に移動させるステージとスピンドルに搭載されて回転している磁気ディスクにレーザを照射するレーザ光源とこのレーザ光源によりレーザが照射された磁気ディスクからの反射光を検出する検出器とを備えた検査光学機構系部と、この検査光学機構系部の磁気ディスクからの反射光を検出した検出器からの出力信号を処理して欠陥を検出する信号処理部と、この信号処理部で検出した欠陥のデータを処理して欠陥の位置情報を含む情報を抽出するデータ処理部とを備えて構成し、データ処理部は、信号処理部で検出した欠陥のデータを処理して欠陥の位置情報として磁気ディスクのスピンドルへのセッティング誤差を補正した（Ｘ，Ｙ）座標データを出力することを特徴とする。

また、上記した課題を解決するために、本発明では、検査対象の磁気ディスクをスピンドルに搭載してスピンドルを回転させながら一軸方向に移動させ、回転しながら一軸方向に移動しているスピンドルに搭載した磁気ディスクにレーザを照射してレーザが照射された磁気ディスクからの反射光を検出器で検出し、磁気ディスクからの反射光を検出した検出器からの出力信号を処理して欠陥を検出し、この検出した欠陥のデータを処理して欠陥の位置情報を含む情報を出力する磁気ディスクの表面欠陥検査方法において、出力する欠陥の位置情報を含む情報が、磁気ディスクのスピンドルへのセッティング誤差を補正した（Ｘ，Ｙ）座標データを含むようにした。

本発明によれば、ＳＥＭやＡＦＭなどの観察装置の高倍率の観察視野に観察したい欠陥を容易に見ることを可能にする欠陥の位置座標情報を出力することが可能な磁気ディスクの表面欠陥検査装置及び磁気ディスクの表面欠陥検査方法が提供できる。

本発明によれば、磁気ディスクの表面欠陥検査装置の（Ｒ・θ）座標系で検出した欠陥の位置情報を、磁気ディスクの磁気ディスク欠陥検出装置へのセッティング誤差を補正した（Ｘ，Ｙ）座標系のデータとして出力することができるようになった。これにより、（Ｘ，Ｙ）座標系で処理する欠陥観察装置で欠陥を詳細に観察する場合において、欠陥位置を容易に観察視野に入れることができるようになる。

本発明の実施例における磁気ディスクの表面欠陥検査装置の構成を示すブロック図である。 本発明の実施例における磁気ディスクの表面欠陥検査装置の検査処理の流れを説明するフロー図である。 本発明の実施例における磁気ディスクの表面欠陥検査装置で検出した欠陥の（Ｒ、θ）位置情報を（Ｘ，Ｙ）座標データ情報に変換する処理の流れを説明するフロー図である。 本発明の実施例における磁気ディスクの表面欠陥検査装置で検出した欠陥の（Ｒ、θ）位置情報を（Ｘ，Ｙ）座標データ情報に変換する処理の流れの変形例を説明するフロー図である。 本発明の実施例におけるアライメントマークを形成した磁気ディスクの平面図である。 磁気ディスクの表面欠陥検査装置で検出した欠陥の（Ｒ、θ）位置情報に含まれる誤差要素を説明する磁気ディスクの平面図である。 本発明の実施例におけるアライメントマークを測定したときの（Ｒ，θ）座標の誤差補正を説明するグラフである。

本発明は、磁気ディスクの表面欠陥検査装置に関するものであって、本表面欠陥検査装置のＲθ座標系で検出した微細な欠陥を、他の高倍率な観察装置（例えばＳＥＭ、又はＡＦＭ）などのＸＹ座標系のシステムを用いて拡大して詳細に観察する場合に関する。即ち、本表面欠陥検査装置のＲθ座標系で検出した誤差を含んだ欠陥の位置情報から誤差成分を低減してＸＹ座標情報に変換できるようにして、他の高倍率な観察装置で、本発明による表面欠陥検査装置で検出した欠陥を容易に観察することができるようにしたものである。

以下に、図を用いて本発明の実施例を説明する。
図１に、本発明の一実施例における磁気ディスクの表面欠陥検査装置１００の概略の構成を示す。磁気ディスクの表面欠陥検査装置１００は、検査光学機構系部５０、信号処理部６０、データ処理部７０を備えて構成されている。

検査光学機構系部５０は、検査対象となる磁気ディスク１を搭載して回転可能なスピンドル２、スピンドル２を回転及び平面内で一軸方向（Ｒ方向）に駆動するＲθステージ３、スピンドル２に搭載された磁気ディスク１の表面にレーザを照射するレーザ光源４、レーザ光源４によりレーザが照射された磁気ディスクの表面から反射した光を検出する検出器（ＡＰＤ，ＣＣＤ等の受光素子）５、Ｒ・θステージ３に設置されてスピンドル２の磁気ディスク半径方向（Ｒ方向）の移動距離に対応する距離パルスを発生するＲエンコーダ９ａ、スピンドル２に設置されて磁気ディスク１の回転角θに対応する角度パルスを発生するθエンコーダ９ｂが設けられている。

信号処理部６０は、センサ５から発生する受光信号を増幅するアンプ６、アンプ６で増幅された信号のうち、所定の周波数範囲の信号だけを通過させるバンドバスフィルタ（ＢＰＦ）７、バンドパスフィルタ７を通過したアナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換回路８、デジタル値に変換された検出信号を所定の閾値（スレッショルドレベル）と比較して所定の閾値を越えている検出信号を欠陥と判定する欠陥判定回路１３、欠陥判定回路１３で欠陥と判定された検出信号のビットパルス、すなわち、欠陥有りで“１”、欠陥なしで“０”の欠陥ビットを入力する欠陥メモリ１４、Ｒエンコーダ９ａとθエンコーダ９ｂとからの信号を入力してポジションデータＰＯＳ（欠陥があるディスク上の位置座標のデータ）を出力するＲ・θ座標位置発生回路１１、Ｒ・θ座標位置発生回路１１からの出力信号を受けてＡ／Ｄ変換回路８と欠陥メモリ１４にクロック信号ＣＬＫを供給するサンプリングクロック発生回路１２を備えて構成される。

欠陥メモリ１４には、欠陥判定回路１３から出力された欠陥有りの欠陥ビットが“１”のときに、サンプリングクロック発生回路１２からのクロック信号ＣＬＫに同期してＲ・θ座標位置発生回路１１から出力された欠陥の位置座標を示すポジションデータＰＯＳが、欠陥ビットと一緒に欠陥メモリ１４に取込まれて欠陥メモリ１４の所定の領域に順次記憶されていく。

この場合、欠陥メモリ１４にはポジションデータＰＯＳだけが記憶されてもよく、これに加えて、欠陥ビットとこれとともに欠陥位置の受光信号の受光レベルが記憶されてもよい。なお、欠陥位置の受光信号の受光レベルは、図１に示した構成では欠陥判定回路１３から得ることになる。

欠陥メモリ１４に入力されるポジションデータＰＯＳは、レーザービームＬの現在の走査位置に対応する座標位置のデータである。このポジションデータＰＯＳは、レーザービームＬが照射するディスク１の検査領域ＳのＲとθの二次元で示されるディスク上の座標位置 (欠陥検出位置)としてＲ・θ座標位置発生回路１１から欠陥メモリ１４に入力される。

Ｒ・θ座標位置発生回路１１は、θエンコーダ９ｂからθ方向の回転量を示す角度パルスと、Ｒエンコーダ９ａからＲ方向の移動量を示す距離パルスとを受けて座標位置（Ｒ，θ）をデータとして生成する。

データ処理部７０は、欠陥の判定処理をするデータ処理装置１５と、判定処理の結果を記録するハードディスクドライブ（ＨＤＤ）２１を備えている。

データ処理装置１５は、ＭＰＵ１６とメモリ１７、モニタ（表示装置）１８、インターフェース１９を備えて構成され、これらがバス２０により相互に接続されている。

メモリ１７には、欠陥検出プログラム１７ａ、半径別・角度別ヒストグラム生成プログラム１７ｂ、半径別・角度別偏差値算出プログラム１７ｃ、欠陥形状判定プログラム１７ｄ、連続性判定プログラム１７ｅ、欠陥大きさ分類プログラム１７ｆ、座標データ補正プログラム１７ｇ、作業領域１７ｈが含まれている。

上記した構成において磁気ディスクの表面欠陥検査装置１００は、まず、検査対象の磁気ディスク１をスピンドル２に搭載した状態でＲ・θステージを駆動してスピンドル２を回転させると共に一軸方向（Ｒ方向）に移動させ、回転しながら移動している磁気ディスク１の表面にレーザ光源４からレーザＬを照射して磁気ディスク１からの反射光を検出器５で検出する。

反射光を検出した検出器５からの出力信号は、アンプ６で増幅され、バンドパスフィルタ７でノイズとなる高周波信号及び低周波信号が除去された後、Ａ／Ｄ変換回路８でデジタル信号に変換される。このデジタル変換された検出器５からの出力信号は、欠陥判定回路で予め設定された閾値レベルと比較されて、この閾値レベルを超えるレベルの信号が欠陥候補の信号として欠陥メモリ１４に送られる。

欠陥メモリ１４では、欠陥判定回路１３から入力して欠陥の信号を、サンプリングクロック発生回路１２から出力されたクロック信号ＣＬＫと同期して、Ｒ・θ座標位置発生回路１１から出力されたポジションデータＰＯＳをディスク上の座標位置 (欠陥検出位置：Ｒ・θ座標系)として関連付けて記憶する。

このポジションデータＰＯＳと関連付けて欠陥メモリ１４に記憶された欠陥の信号は、ポジションデータＰＯＳと一緒に欠陥データとして回線を介してデータ処理部７０に送られて、解析処理が行われる。

次に、データ処理部７０における欠陥データの処理について、図２のフロー図を用いて説明する。

先ず、回線を介して欠陥メモリ１４から送られてきた欠陥データは、ポジションデータと一緒にインターフェース１９を介してメモリ１７の作業領域１７ｈに格納される。これを検査光学機構系部５０で磁気ディスク１の検査領域全面の検査が終わるまで繰り返すことにより、検出された全ての欠陥データが欠陥メモリ１４からデータ処理部７０に送られてメモリ１７の作業領域１７ｈに記憶される（Ｓ２０１）。

次に、ＭＰＵ１６はメモリ１７から半径別・角度別ヒストグラム生成プログラム１７ｂを呼び出して、作業領域１７ｈに記憶された欠陥データを処理して磁気ディスク１の半径毎の欠陥数をカウントして集計し、半径別ヒストグラムのデータを生成して作業領域１７ｈに記憶する（Ｓ２０２）。

続いて、ディスク１を円周方向に等分割した扇型の領域ごとの欠陥数をカウントして集計し、角度別ヒストグラムのデータを作成して作業領域１７ｈに記憶する（Ｓ２０３）。

次に、ＭＰＵ１６は、メモリ１７から半径別・角度別偏差値算出プログラム１７ｃを呼び出して、作業領域１７ｈに記憶された半径別ヒストグラムのデータから標準偏差値σｒを、角度別ヒストグラムのデータから標準偏差値σｔを算出して、それぞれを作業領域１７ｈに記憶する（Ｓ２０４）。

次に、ＭＰＵ１６は、メモリ１７から欠陥形状判定プログラム１７ｄを呼び出して、標準偏差値σｒ、σｔを参照してメモリ１７の作業領域１７ｈに記憶された欠陥データを、円周疵欠陥検出処理、島状欠陥検出処理、その他の欠陥検出処理に区分けする（Ｓ２０５）。

次に、ＭＰＵ１６は、メモリ１７から連続性判定プログラム１７ｅを呼び出して、円周疵欠陥検出処理対象の欠陥データに対して円周疵の検出処理を行い、島状欠陥検出処理対象の欠陥データに対して島状欠陥の検出処理を行い、その他の欠陥検出処理対象の欠陥データに対して欠陥判定処理を行う（Ｓ２０６）。

次に、ＭＰＵ１６は、メモリ１７から欠陥大きさ分類プログラム１７ｆを呼び出して、連続性判定プログラム１７ｅで分類されたそれぞれの欠陥について大きさを分類する処理を実行する（Ｓ２０７）。

次にＭＰＵ１６は、メモリ１７から座標データ変換プログラム１７ｇを呼び出して、欠陥大きさ分類プログラム１７ｆで大きさを分類されたそれぞれの欠陥の（Ｒ，θ）座標データを、欠陥を詳細に観察する装置で観察するために、スピンドル２にセットした磁気ディスク１の中心のスピンドル２の回転中心に対するずれ量（偏心量）の影響を考慮して（Ｘ，Ｙ）座標系に変換する（Ｓ２０８）。

図３Ａに、Ｓ２０８の詳細なフローチャートを示す。
まず、メモリ１７から座標データ変換プログラム１７ｇを実行して、欠陥大きさ分類プログラム１７ｆで大きさを分類されたそれぞれの欠陥の（Ｒ，θ）座標データを（Ｘ，Ｙ）座標系に変換する（Ｓ３０１）。

ここで、検査対象の磁気ディスクには、図４に示すように，アライメント用のマークとして、半径方向に並んだ４つのマーク４０１ａ〜４０１ｄ、４０２ａ〜４０２ｄ、４０３ａ〜４０３ｄからなるマーク列が、円周方向に１２０度の間隔で３か所４０１，４０２，４０３形成されている。

アライメントマーク列４０１は、磁気ディスク１の中心と外周側に設けたアライメントマーク４０１ａとを結んだ線状に、アライメントマーク４０１ａから等間隔に内側に向かって３つのアライメントマーク４０１ｂ〜４０１ｄを配置する。一番中心側に位置するアライメントマーク４０１ｄは、磁気ディスク１の半径の半分よりも中心側に位置するようにするのが好ましい。これは、中心部に近くなるほど誤差が大きくなる傾向があるので、中心部に近い位置に極力アライメントマーク４０１ｄを持ってくるようにするためである。

アライメントマーク列４０２、４０３も、アライメントマーク列４０１と同じである。なお、各アライメントマーク４０１ａ〜４０１ｄ、４０２ａ〜４０２ｄ、４０３ａ〜４０３ｄの間隔は、すべて同じ間隔である。外周部にアライメントマーク４０１ａ、４０２ａ、４０３ａを配置するのは、ＳＥＭなどの欠陥を詳細に観察する装置によって、３点のアライメントマーク４０１ａ、４０２ａ、４０３ａで構成された面を高さ方向の調整に使用することができるためである。

次に、変換された（Ｘ，Ｙ）座標に対して、図５に×印で示すように、スピンドル２への磁気ディスク１の取り付け方により発生する磁気ディスク１の偏心誤差（半径方向の誤差Ｒｅと回転方向の誤差θｅ）などによる影響を（Ｒ, θ）座標自身が有しているので、その影響を取り除いて、真の（Ｒ, θ）座標の位置とのズレを補正する。

このような偏心誤差が含まれている磁気ディスク１に形成された図４に示したアライメントマークを、磁気ディスク検査装置１００で検出した一例を図６に示す。図６において、横軸は、磁気ディスク１の半径方向の位置、縦軸は、ずれ量を示す。

このプロットされたデータから、磁気ディスク１の形状の中心位置とスピンドル２で回転させたときの磁気ディスク１の回転中心位置の半径方向（Ｒ方向）の誤差を例えば最小二乗法により一次式で近似６０１して求める（Ｓ３０２）。一方、磁気ディスク１の形状の中心位置とスピンドル２で回転させたときの磁気ディスク１の回転中心位置の回転方向（θ方向）の誤差は半径方向の位置により変わるので、例えば最小二乗法により２次以上の高次式で近似して求める（Ｓ３０３）。ここで得られた誤差情報をもとに、Ｓ３０１で変換した各欠陥の（Ｘ，Ｙ）座標を補正し（Ｓ３０４）、この補正した（Ｘ，Ｙ）座標データを、Ｓ２０７で大きさを分類されたそれぞれの欠陥に関する情報と関連付けて記憶（Ｓ３０５）すると共に、その結果をモニタ１８に表示し、バス２０を介して外部に出力する。

図３Ａで説明した座標変換の処理フローでは、欠陥の（Ｒ，θ）座標データを先ず（Ｘ，Ｙ）座標データに変換してから補正量を求めて補正する手順で説明したが、図３Ｂに示すように、先に欠陥の（Ｒ，θ）座標データの補正量を求めて補正してから（Ｘ，Ｙ）座標データに変換してもよい。

即ち、図３Ｂに示した処理のフローにおいては、図６のようにプロットされたデータから、磁気ディスク１の形状の中心位置とスピンドル２で回転させたときの磁気ディスク１の回転中心位置の半径方向（Ｒ方向）の誤差を一次式で近似して求める（Ｓ３１１）。

一方、磁気ディスク１の形状の中心位置とスピンドル２で回転させたときの磁気ディスク１の回転中心位置の回転方向（θ方向）の誤差は半径方向の位置により変わるので、２次以上の高次式で近似６０２して求める（Ｓ３１２）。ここで得られた誤差情報をもとに、各欠陥の（Ｒ，θ）座標を補正し（Ｓ３１３）、この補正した（Ｒ，θ）座標データを、（Ｘ，Ｙ）座標データに座標変換し（Ｓ３１４）、Ｓ２０７で大きさを分類されたそれぞれの欠陥に関する情報と関連付けて記憶（Ｓ３１５）すると共に、その結果をモニタ１８に表示し、バス２０を介して外部に出力する。

この補正された（Ｘ，Ｙ）座標データを用いてＳＥＭやＡＦＭなどの観察装置により磁気ディスク検査装置１００で検出された欠陥を詳細に観察する場合には、ＳＥＭやＡＦＭなどの観察装置で磁気ディスク１の上の外周部に形成した３点のアライメントマーク４０１ａ、４０２ａ、４０３ａを検査して、補正された欠陥の（Ｘ，Ｙ）座標データに、ＳＥＭやＡＦＭなどの観察装置の中心座標のオフセット値を入力する。オフセット値が入力されたのち、ＳＥＭによる検査を開始すればよい。

本発明によれば、磁気ディスク欠陥検出装置の（Ｒ・θ）座標系で検出した欠陥の位置情報を、磁気ディスクの磁気ディスク欠陥検出装置へのセッティング誤差を補正した（Ｘ，Ｙ）座標系のデータとして出力することができるようになった。これにより、ＳＥＭやＡＦＭなどの（Ｘ，Ｙ）座標系で処理する欠陥観察装置で欠陥を詳細に観察する場合において、欠陥位置を容易に観察視野に入れることができるようになる。

以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。

１・・・磁気ディスク ２・・・スピンドル ３・・・ステージ ４・・・レーザ光源 ５・・・センサ (受光素子) ６・・・アンプ ７・・・バンドパスフイルタ ８・・・Ａ／Ｄ変換機 (Ａ／Ｄ） ９ａ・・・Ｒエンコーダ ９ｂ・・・θエンコーダ １００・・・磁気ディスクの表面欠陥検査装置 １１・・・Ｒ・θ座標位置発生回路 １２・・・サンプリングクロック発生回路 １３・・・欠陥判定回路 １４・・・欠陥メモリ １５・・・データ処理装置 １６・・・ＭＰＵ １７・・・メモリ １８・・・モニタ １９・・・インターフェイス ２０・・・バス ２１・・・ハードディスクドライブ（外部記憶装置）。

Claims (10)

1. 検査対象の磁気ディスクを搭載して回転可能なスピンドルと該スピンドルを一軸方向に移動させるステージと前記スピンドルに搭載されて回転している前記磁気ディスクにレーザを照射するレーザ光源と該レーザ光源によりレーザが照射された前記磁気ディスクからの反射光を検出する検出器とを備えた検査光学機構系部と、
   該検査光学機構系部の前記磁気ディスクからの前記反射光を検出した前記検出器からの出力信号を処理して欠陥を検出する信号処理部と、
   該信号処理部で検出した前記欠陥のデータを処理して該欠陥の位置情報を含む情報を抽出するデータ処理部と
   を備えた磁気ディスクの表面欠陥検査装置であって、
   前記データ処理部は、前記信号処理部で検出した前記欠陥のデータを処理して前記欠陥の位置情報として前記磁気ディスクの前記スピンドルへのセッティング誤差を補正した（Ｘ，Ｙ）座標データを出力することを特徴とする磁気ディスクの表面欠陥検査装置。
2. 請求項１記載の磁気ディスクの表面欠陥検査装置であって、前記データ処理部が出力する前記磁気ディスクの前記スピンドルへのセッティング誤差を補正した（Ｘ，Ｙ）座標データは、前記信号処理部で検出した前記欠陥のデータを処理して前記欠陥の位置情報として得られる前記磁気ディスク上の（Ｒ，θ）座標に関する位置情報を前記磁気ディスクの前記スピンドルへのセッティング誤差を補正して（Ｘ，Ｙ）座標系に変換して得たデータであることを特徴とする磁気ディスクの表面欠陥検査装置。
3. 請求項１又は２に記載の磁気ディスクの表面欠陥検査装置であって、前記データ処理部は、前記磁気ディスクの前記スピンドルへのセッティング誤差を、前記磁気ディスクに形成した複数のアライメントマークを検出して得た前記複数のアライメントマークの位置情報に基づいて求めることを特徴とする磁気ディスクの表面欠陥検査装置。
4. 請求項１乃至３の何れかに記載の磁気ディスクの表面欠陥検査装置であって、前記データ処理部は、前記磁気ディスクの前記スピンドルへのセッティング誤差として、前記磁気ディスクの形状の中心位置と前記スピンドルで回転させたときの前記磁気ディスクの回転中心位置の前記磁気ディスクの半径方向（Ｒ方向）の誤差と、前記磁気ディスクの形状の中心位置とスピンドルで回転させたときの前記磁気ディスクの回転中心位置の回転方向（θ方向）の誤差とを求めることを特徴とする磁気ディスクの表面欠陥検査装置。
5. 請求項３に記載の磁気ディスクの表面欠陥検査装置であって、前記データ処理部は、前記磁気ディスクの前記スピンドルへのセッティング誤差として、前記磁気ディスクの形状の中心位置と前記スピンドルで回転させたときの前記磁気ディスクの回転中心位置の前記磁気ディスクの半径方向（Ｒ方向）の誤差を前記磁気ディスクに形成した複数のアライメントマークを検出して得た前記複数のアライメントマークの位置ずれ量を１次式で近似して得た関数から求め、前記磁気ディスクの形状の中心位置とスピンドルで回転させたときの前記磁気ディスクの回転中心位置の回転方向（θ方向）の誤差を前記磁気ディスクに形成した複数のアライメントマークを検出して得た前記複数のアライメントマークの位置ずれ量を高次式で近似して得た関数から求めることを特徴とする磁気ディスクの表面欠陥検査装置。
6. 検査対象の磁気ディスクをスピンドルに搭載して該スピンドルを回転させながら一軸方向に移動させ、
   該回転しながら前記一軸方向に移動している前記スピンドルに搭載した磁気ディスクにレーザを照射して該レーザが照射された前記磁気ディスクからの反射光を検出器で検出し、
   前記磁気ディスクからの前記反射光を検出した前記検出器からの出力信号を処理して欠陥を検出し、
   該検出した欠陥のデータを処理して該欠陥の位置情報を含む情報を出力する
   磁気ディスクの表面欠陥検査方法であって、
   前記出力する欠陥の位置情報を含む情報が、前記磁気ディスクの前記スピンドルへのセッティング誤差を補正した（Ｘ，Ｙ）座標データを含む情報であることを特徴とする磁気ディスクの表面欠陥検査方法。
7. 請求項６記載の磁気ディスクの表面欠陥検査方法であって、前記出力する欠陥の位置情報を含む情報が、前記検出した欠陥の前記磁気ディスク上の（Ｒ，θ）座標に関する位置情報を前記磁気ディスクの前記スピンドルへのセッティング誤差を補正して（Ｘ，Ｙ）座標系に変換した情報であることを特徴とする磁気ディスクの表面欠陥検査方法。
8. 請求項６または７に記載の磁気ディスクの表面欠陥検査方法であって、前記磁気ディスクの前記スピンドルへのセッティング誤差を、前記磁気ディスクに形成した複数のアライメントマークを検出して得た前記複数のアライメントマークの位置情報に基づいて求めることを特徴とする磁気ディスクの表面欠陥検査方法。
9. 請求項６乃至８の何れかに記載の磁気ディスクの表面欠陥検査方法であって、前記磁気ディスクの前記スピンドルへのセッティング誤差として、前記磁気ディスクの形状の中心位置と前記スピンドルで回転させたときの前記磁気ディスクの回転中心位置の前記磁気ディスクの半径方向（Ｒ方向）の誤差と、前記磁気ディスクの形状の中心位置とスピンドルで回転させたときの前記磁気ディスクの回転中心位置の回転方向（θ方向）の誤差とを求めることを特徴とする磁気ディスクの表面欠陥検査方法。
10. 請求項８に記載の磁気ディスクの表面欠陥検査方法であって、前記磁気ディスクの前記スピンドルへのセッティング誤差として、前記磁気ディスクの形状の中心位置と前記スピンドルで回転させたときの前記磁気ディスクの回転中心位置の前記磁気ディスクの半径方向（Ｒ方向）の誤差を前記磁気ディスクに形成した複数のアライメントマークを検出して得た前記複数のアライメントマークの位置ずれ量を１次式で近似して得た関数から求め、前記磁気ディスクの形状の中心位置とスピンドルで回転させたときの前記磁気ディスクの回転中心位置の回転方向（θ方向）の誤差を前記磁気ディスクに形成した複数のアライメントマークを検出して得た前記複数のアライメントマークの位置ずれ量を高次式で近似して得た関数から求めることを特徴とする磁気ディスクの表面欠陥検査方法。

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