TW202112218A - 基板貼合裝置 - Google Patents

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田村裕宣
小野良治
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日商鎧俠股份有限公司
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Abstract

根據實施形態,提供一種具有第1吸附台子及第2吸附台子之基板貼合裝置。第1吸附台子吸附第1基板。第2吸附台子與第1基板對向配置。第2吸附台子吸附第2基板。第1吸附台子具有第1台子基座、複數個第1圓筒狀構件、及複數個第1驅動機構。複數個第1驅動機構相互獨立地驅動複數個第1圓筒狀構件。進而,基板貼合裝置具有相互獨立地控制複數個第1圓筒狀構件中之空間之壓力狀態之第1壓力控制機構。

Description

基板貼合裝置
實施形態係關於一種基板貼合裝置。
基板貼合裝置係使2個吸附台子吸附2片基板,且使2個吸附台子相互靠近,由此將2片基板貼合。此時,期望能使2片基板高精度地貼合。
實施形態提供一種能夠使2片基板高精度地貼合之基板貼合裝置。
根據實施形態,提供一種具有第1吸附台子及第2吸附台子之基板貼合裝置。第1吸附台子吸附第1基板。第2吸附台子與第1基板對向配置。第2吸附台子吸附第2基板。第1吸附台子具有第1台子基座、複數個第1圓筒狀構件及複數個第1驅動機構。複數個第1驅動機構相互獨立地驅動複數個第1圓筒狀構件。進而,基板貼合裝置具有相互獨立地控制複數個第1圓筒狀構件中之空間之壓力狀態之第1壓力控制機構。
以下,參照隨附圖式,對實施形態之基板貼合裝置詳細地進行說明。再者,本發明並不受該等實施形態限定。
(第1實施形態) 第1實施形態之基板貼合裝置係使2個吸附台子吸附2片基板(例如2片晶圓)而使2片基板貼合。例如,藉由將2片基板之電極彼此接合,構成半導體積體電路,能夠使半導體積體電路高密度化、高功能化。即,於成對之2片基板各自之表面形成接合電極,使2片基板重疊將電極彼此接合,從而完成基板積層。此時,為了將2片基板之電極彼此接合,適當地構成半導體積體電路,而期望能使2片基板高精度地貼合。即,於以空隙視角觀察2片基板貼合時,期望接合之表面彼此被活化,以無氣泡之方式貼合。又,於以對準視角觀察2片基板貼合時,期望以配置於各基板上之成對之電極彼此亦不產生位置偏移之方式,以亞微米級對準接合。
例如,對於基板級之積體化,進行例如以三維記憶體(例如三維快閃記憶體)為代表之三維電路圖案積層而成之高積體化,以代替二維下之精細化。其結果存在如下情形,即,因高積層化導致之各向異性應力應變而產生基板級之較大翹曲,於利用吸附台子吸附基板時,基板之表面形狀成為複雜形貌。於此情形時,期望將形貌與基板面內之位置偏移這兩者同時校正,但將此種具有較大翹曲之基板彼此於無氣泡且基板面內無電極偏移之情形時貼合極為困難。
對此,考慮於載台上複數個部位地設置調溫功能,利用溫度分佈使一基板較另一基板更熱膨脹,實施應變校正。於此情形時,擔心因蓄熱導致基板上之尺寸倍率變動,於2片基板間,電極位置不再對準,而且擔心於貼合時,另一基板亦產生熱膨脹,導致基板之應變差未被消除。期望不依賴熱膨脹地進行被貼合之2片基板之應變校正。
因此,本實施形態之目的在於:於基板貼合裝置中,利用自2個吸附台子中之一吸附台子於靠近另一吸附台子之方向突出之複數個圓筒狀構件吸附基板,並進行多點支持,進行複數個圓筒狀構件之個別之驅動控制與複數個圓筒狀構件中之空間之個別壓力控制中之至少一種控制,藉此,物理性地校正基板應變。
具體而言,基板貼合裝置1可如圖1所示般構成。圖1係表示基板貼合裝置1之構成之圖。
基板貼合裝置1具有吸附台子10、吸附台子20、壓力控制機構30、壓力控制機構40及控制器60。
吸附台子10及吸附台子20以使用時相互對向之方式配置。吸附台子10包含具有大致平板狀外形之台子基座11,吸附台子20包含具有大致平板狀外形之台子基座21。台子基座11於與台子基座21對向之側具有主面11a,台子基座21於與台子基座11對向之側具有主面21a。以下,將與台子基座21之主面21a垂直之方向設為Z方向,將在與Z方向垂直之面內相互正交之2個方向設為X方向及Y方向。
吸附台子10除具有台子基座11以外,亦具有複數個圓筒狀構件12-1~12-5、複數個驅動機構13-1~13-5及驅動機構14。吸附台子10利用複數個圓筒狀構件12-1~12-5吸附保持基板,並利用驅動機構14共同地驅動複數個圓筒狀構件12-1~12-5,利用複數個驅動機構13-1~13-5相互獨立地驅動複數個圓筒狀構件12-1~12-5。複數個圓筒狀構件12-1~12-5自台子基座11之主面11a朝-Z側突出,且具有於Z方向上貫通之孔12a,藉由將孔12a控制為減壓狀態而能夠利用其-Z側之前端吸附保持基板。複數個圓筒狀構件12-1~12-5於XY方向上互不相同之位置支持基板。藉此,基板被多點支持。驅動機構14按照控制器60之控制,於XYZ方向上驅動台子基座11,藉此使複數個圓筒狀構件12-1~12-5共同地整體移動,複數個驅動機構13-1~13-5按照控制器60之控制,使複數個圓筒狀構件12-1~12-5個別地移動。
台子基座11具有於XY方向上延伸之平板形狀,且於-Z側具有主面11a,於+Z側具有主面11b。台子基座11具有於Z方向上延伸且將台子基座11上自主面11a貫通至主面11b之複數個孔11c。
複數個圓筒狀構件12-1~12-5配置於主面11a上,且於XY方向上排列。複數個驅動機構13-1~13-5與複數個圓筒狀構件12-1~12-5相互對應。各驅動機構13配置於對應之圓筒狀構件12之周圍。
相互對應之圓筒狀構件12及驅動機構13例如如圖2A及圖2B所示般構成。圖2A係表示圓筒狀構件12及驅動機構13之構成之側視圖,圖2B係表示圓筒狀構件12及驅動機構13之構成之俯視圖。
圓筒狀構件12具有大致圓筒狀形狀,且具有孔12a。孔12a於Z方向上延伸,且貫通圓筒狀構件12。圓筒狀構件12具有大徑部121、小徑部122及緩衝部123。
大徑部121以包圍孔12a之方式圓筒狀地延伸。大徑部121之直徑大於小徑部122之直徑。大徑部121配置於小徑部122之+Z側,且連接於小徑部122之+Z側之端部。大徑部121於YZ剖視下隔著孔12a配置於+Y側及-Y側,且於XY俯視下以包圍孔12a之方式圓狀地延伸。
小徑部122以包圍孔12a之方式圓筒狀地延伸。小徑部122之直徑小於大徑部121之直徑。小徑部122配置於大徑部121之-Z側,且連接於小徑部122之-Z側之端部。小徑部122於YZ剖視下隔著孔12a配置於+Y側及-Y側,且於XY俯視下以包圍孔12a之方式圓狀地延伸。
緩衝部123係利用圓筒狀構件12保持基板時基板相接之部分,且配置於小徑部122之-Z側,連接於小徑部122之-Z側之端部。緩衝部123可由橡膠等具有彈性之材料形成。緩衝部123以包圍孔12a之方式圓筒狀地延伸。緩衝部123之直徑與小徑部122之直徑大致相等。
驅動機構13配置於圓筒狀構件12之周圍,能夠於XYZ方向上驅動圓筒狀構件12。驅動機構13具有複數個驅動部13x、13y、13z。
驅動部13x能夠按照來自控制器60之控制,於X方向上驅動圓筒狀構件12。驅動部13x具有一對驅動元件13x1、13x2,且藉由使一對驅動元件13x1、13x2聯動,而使圓筒狀構件12於X方向上驅動。驅動元件13x1、13x2例如為壓電元件、馬達、螺線管等。如圖2B中虛線箭頭所示般,驅動元件13x1之凸部朝+X方向收縮且驅動元件13x2之凸部朝+X方向伸出,藉此使圓筒狀構件12朝+X方向移動。驅動元件13x1之凸部朝-X方向伸出且驅動元件13x2之凸部朝-X方向收縮,藉此使圓筒狀構件12朝-X方向移動。
驅動部13y能夠按照來自控制器60之控制,於Y方向上驅動圓筒狀構件12。驅動部13y具有一對驅動元件13y1、13y2,藉由使一對驅動元件13y1、13y2聯動而使圓筒狀構件12於Y方向上驅動。驅動元件13y1、13y2例如為壓電元件、馬達、螺線管等。如圖2A、圖2B中虛線箭頭所示,驅動元件13y1之凸部朝+Y方向收縮,驅動元件13y2之凸部朝+Y方向伸出,藉此使圓筒狀構件12朝+Y方向移動。驅動元件13y1之凸部朝-Y方向伸出,驅動元件13y2之凸部朝-Y方向收縮,藉此使圓筒狀構件12朝-Y方向移動。
驅動部13z能夠按照來自控制器60之控制,於Z方向上驅動圓筒狀構件12。驅動部13z具有驅動元件13z1,藉由驅動元件13z1使圓筒狀構件12於Z方向上驅動。驅動元件13z1例如為壓電元件、馬達、螺線管等。如圖2A中虛線箭頭所示,利用驅動元件13z1之凸部朝+Z方向收縮而使圓筒狀構件12朝+Z方向移動。利用驅動元件13z1之凸部朝-Z方向伸出而使圓筒狀構件12朝-Z方向移動。
又,驅動部13z具有孔13a。孔13a於Z方向上延伸,且貫通驅動部13z。驅動部13z之孔13a於-Z側與圓筒狀構件12之孔12a連通,且於+Z側與台子基座11之孔11a連通。
圖1所示之吸附台子20之台子基座21具有於XY方向上延伸之平板形狀,且於+Z側具有主面21a,於-Z側具有主面21b。台子基座21具有於Z方向上延伸且將台子基座21自主面21a貫通至主面21b之複數個孔21c。
壓力控制機構30按照控制器60之控制,相互獨立地控制複數個圓筒狀構件12-1~12-5中之空間之壓力狀態。壓力控制機構30具有複數個管31、複數個壓力產生裝置39-1~39-3及切換部38。
複數個管31與複數個圓筒狀構件12-1~12-5中之空間連通。各管31之內側空間經由孔11c及孔13a而與圓筒狀構件12之孔12a連通。
各管31具有主管310及分支管311~313。主管310係一端連接於吸附台子10,另一端經由分支節點314連接於各分支管311~313之一端。複數個分支管311~313之另一端分別經由切換部38連接於複數個壓力產生裝置39-1~39-3。
複數個壓力產生裝置39-1~39-3產生互不相同之壓力狀態。例如,壓力產生裝置39-1係真空泵等減壓裝置,且按照控制器60之控制,對氣體賦予負壓,產生減壓狀態。壓力產生裝置39-2係大氣開放裝置,且按照控制器60之控制,將氣體大氣開放而產生大氣壓狀態。壓力產生裝置39-3係壓縮機等加壓裝置,且按照控制器60之控制,對氣體賦予正壓而產生加壓狀態。
切換部38按照控制器60之控制,將複數個管31分別連接於複數個壓力產生裝置39-1~39-3之任一者。切換部38能夠個別地切換各管31與複數個壓力產生裝置39-1~39-3之連接,按照控制器60之控制,將各管31個別地連接於複數個壓力產生裝置39-1~39-3之任一者。
切換部38具有開閉閥32、開閉閥33、減壓管(減壓管線)35、大氣管(大氣開放管線)36及加壓管(加壓管線)37。開閉閥32按照控制器60之控制,將管31(分支管311)與減壓管35之連接予以開啟及關閉。當開閉閥32為開啟狀態時,壓力產生裝置(減壓裝置)39-1可經由孔11c、孔13a、管31及減壓管35,將圓筒狀構件12之孔12a進行真空排氣,設為減壓狀態。開閉閥33按照控制器60之控制,將管31(分支管311)與大氣管36之連接予以開啟及關閉。當開閉閥33為開啟狀態時,壓力產生裝置(大氣開放裝置)39-2可經由孔11c、孔13a、管31及減壓管35,將圓筒狀構件12之孔12a大氣開放而設為大氣壓狀態。當開閉閥34為開啟狀態時,壓力產生裝置(加壓裝置)39-3可經由孔11c、孔13a、管31及減壓管35,對圓筒狀構件12之孔12a進行供氣而設為加壓狀態。
吸附台子20除具有台子基座21以外,亦具有驅動機構24。吸附台子20利用台子基座21吸附保持基板,利用驅動機構24驅動台子基座21。台子基座21具有於XY方向上延伸之平板形狀,且於+Z側具有主面21a,於-Z側具有主面21b。台子基座21具有於Z方向上延伸且將台子基座21自主面21a貫通至主面21b之複數個孔21c。台子基座21可藉由將孔21c控制為減壓狀態而利用該主面21a吸附保持基板。驅動機構24按照控制器60之控制,於XYZ方向上驅動台子基座21。
壓力控制機構40按照控制器60之控制,相互獨立地控制台子基座21中之空間之壓力狀態。壓力控制機構40具有複數個管41、複數個壓力產生裝置49-1~49-2及切換部48。
複數個管41與台子基座21中之空間連通。各管41之內側空間與台子基座21之孔21c連通。
各管41具有主管410及分支管411~412。主管410係一端連接於吸附台子20,另一端經由分支節點414連接於各分支管411~412之一端。複數個分支管411~412之另一端分別經由切換部48連接於複數個壓力產生裝置49-1~49-2。
複數個壓力產生裝置49-1~49-2產生互不相同之壓力狀態。例如,壓力產生裝置49-1係真空泵等減壓裝置,且按照控制器60之控制,對氣體賦予負壓而產生減壓狀態。壓力產生裝置49-2係大氣開放裝置,且按照控制器60之控制,將氣體大氣開放而產生大氣壓狀態。
切換部48按照控制器60之控制,將複數個管41之各者連接於複數個壓力產生裝置49-1~49-2之任一者。切換部48能夠個別地切換各管41與複數個壓力產生裝置49-1~49-2之連接,且按照控制器60之控制,將各管41個別地連接於複數個壓力產生裝置49-1~49-2之任一者。
切換部48具有開閉閥42、開閉閥43、減壓管(減壓管線)45及大氣管(大氣開放管線)46。開閉閥42按照控制器60之控制,將管41(分支管411)與減壓管45之連接予以開啟及關閉。當開閉閥42為開啟狀態時,壓力產生裝置(減壓裝置)49-1經由管41及減壓管45,將台子基座21之孔21c真空排氣而設為減壓狀態。開閉閥43按照控制器60之控制,將管41(分支管411)與大氣管46之連接予以開啟及關閉。當開閉閥43為開啟狀態時,壓力產生裝置(大氣開放裝置)49-2可經由管41及減壓管45,將台子基座21之孔21c大氣開放而設為大氣壓狀態。
控制器60於與應由吸附台子10吸附之基板W1對應之基板W3(參照圖4A)及與應由吸附台子20吸附之基板W2對應之基板W4(參照圖4A)已準備之情形時,對於基板W3相對於基板W4之應變,預先取得應變校正量。基板W3相對於基板W4之應變校正量被視為表示基板W1相對於基板W2之應變校正量。控制器60根據基板W3之應變校正量(即基板W1之應變校正量),於利用複數個圓筒狀構件12-1~12-5吸附有基板W1之狀態下,控制複數個驅動機構13-1~13-5與壓力控制機構30中之至少一者而校正基板W1之應變。
例如,對於基板W1之應變校正,進行如圖3所示之動作。圖3係表示基板貼合裝置1之動作之圖。
於基板貼合裝置1中,控制器60於正式接合(S20)之前進行條件設定(S10),求出基板W3之應變校正量(即基板W1之應變校正量)。
具體而言,控制器60使基板W3與基板W4以相互對向之方式配置(S11)。基板W3對應於應於正式接合中使用之基板W1,且例如具有與基板W1相同之形狀、突出量、材質、厚度。基板W4對應於應於正式接合中使用之基板W2,且例如具有與基板W2相同之形狀、突出量、材質、厚度。
例如,如圖4A所示,將吸附台子10之複數個圓筒狀構件12-1~12-5之孔12a控制為減壓狀態,利用複數個圓筒狀構件12-1~12-5之-Z側之前端吸附基板W3,將基板W4吸附到吸附台子20之主面21a。此後,控制器60以兩基板W3、W4之電極墊一致之方式,使吸附台子10、20(台子基座11、21)相對地於XY方向上驅動。圖4A係表示與基板W1校正相關之動作之圖。
控制器60以基板W3之中央部朝向基板W4側凸起之方式,使基板W3一面變形一面接觸於基板W4,使基板W3及基板W4貼合(S12)。
例如,控制器60控制與基板W3之中央部對應之驅動機構13(圖4A中為驅動機構13-3),使圓筒狀構件12(圖4A中為驅動機構12-3)朝-Z方向移動,藉此,以基板W3之中央部朝向基板W4側凸起之方式使基板W3變形。控制器60控制複數個驅動機構13-1~13-5,使複數個圓筒狀構件12-1~12-5藉由朝-Z方向移動而接觸於基板W4。控制器60控制壓力控制機構30,自基板W3之中央部朝外側依序(圖4A中為12-3→12-2、12-4→12-1、12-5之順序)解除複數個圓筒狀構件12-1~12-5中之空間(孔12a)之減壓狀態,使基板W3及基板W4貼合。
控制器60測量基板W3及基板W4之貼合位置偏移之量、方向(S13)。即,控制器60對於基板W3之複數個電極墊及基板W4之複數個電極墊,測量基板W3之電極墊之位置和與之對應之基板W4之電極墊之位置之偏移。
例如,控制器60拍攝基板W3之電極墊,藉由圖像處理進行位置對準,識別電極墊之中心(例如,電極墊之重心)作為電極墊之位置。同樣地,控制器60拍攝基板W4之電極墊,藉由圖像處理識別電極墊之中心作為電極墊之位置。
而且,如圖4A中以虛線包圍所示,控制器60藉由圖像處理,確定於基板W3之-Y側之區域中已產生位置偏移,且分別求出基板W3之電極墊位置相對於基板W4之電極墊位置之偏移G1~G3。偏移G1~G3可作為具有大小及方向之矢量掌握。例如,偏移G1~G3分別具有自外側向基板W3之中央部靠近之方向(圖4A中向右)。
控制器60求出與S13中測量所得之應變位置及應變校正對應之校正量(S14)。例如,控制器60求出與S13中測量所得之電極墊位置之偏移及反方向上大小均等之XY方向之驅動量。
例如,控制器60於S13之測量中基板W3之電極墊位置在基板W3之-Y側之區域中較基板W4之電極墊位置更朝中央部側偏移時(參照圖4A),以消除該偏移之方式決定圓筒狀構件12之移動量。即,可將圓筒狀構件12-1之移動量設為ΔY1=-G3,將圓筒狀構件12-2之移動量設為ΔY2=-G1。
而且,控制器60使用條件設定(S10)中求出之校正量,進行使2個基板貼合之正式接合(S20)。
具體而言,控制器60使基板W1與基板W2以相互對向之方式配置(S21)。例如,如圖4A所示,將吸附台子10之複數個圓筒狀構件12-1~12-5之孔12a控制為減壓狀態,利用複數個圓筒狀構件12-1~12-5之-Z側之前端吸附基板W1,將基板W2吸附至吸附台子20之主面21a。此後,控制器60以兩基板W1、W2之電極墊一致之方式,使吸附台子10、20(台子基座11、21)相對地於XY方向上驅動。
控制器60根據S14中決定之應變校正量,控制複數個驅動機構13-1與壓力控制機構30中之至少一者,校正基板W1之應變。
例如,如圖4B所示,控制器60使圓筒狀構件12-1以移動量ΔY1=-G3朝-Y方向移動,使圓筒狀構件12-2以移動量ΔY2=-G1朝-Y方向移動。此時,因圓筒狀構件12-3之位置固定,故可對基板W1中之圓筒狀構件12-3之吸附位置與圓筒狀構件12-2之吸附位置之間,作用以單點鏈線所示之彈性應變模式下之應力。而且,因使圓筒狀構件12-1及圓筒狀構件12-2兩者均移動,故可對基板W1中之圓筒狀構件12-2之吸附位置與圓筒狀構件12-1之吸附位置之間,作用以兩點鏈線所示之強制應變模式下之應力。由此,藉由在應變較大之部位一面以彈性應變模式改變任意兩點間之距離一面進行應變校正,同時於應變較小之部位一面以強制應變模式維持任意兩點間之距離一面進行校正等,能夠校正基板W1之應變。
控制器60以基板W1之中央部朝向基板W2側凸起之方式使基板W1一面變形一面接觸於基板W2,使基板W1及基板W2貼合(S23)。
例如,控制器60控制與基板W1之中央部對應之驅動機構13(圖4B中為驅動機構13-3),使圓筒狀構件12(圖4B中為驅動機構12-3)朝-Z方向移動,藉此,以基板W3之中央部朝基板W4側凸起之方式使基板W3變形。控制器60控制複數個驅動機構13-1~13-5,使複數個圓筒狀構件12-1~12-5朝-Z方向移動而接觸於基板W4。控制器60控制壓力控制機構30,自基板W1之中央部朝向外側依序(圖4A中為12-3→12-2、12-4→12-1、12-5之順序)解除複數個圓筒狀構件12-1~12-5中之空間(孔12a)之減壓狀態,使基板W1及基板W2貼合。
如上所述,本實施形態係於基板貼合裝置1中,利用自吸附台子10於靠近吸附台子20之方向突出之複數個圓筒狀構件12-1~12-5將基板W1吸附而進行多點支持,進行複數個圓筒狀構件12-1~12-5之個別驅動控制與複數個圓筒狀構件12-1~12-5中之空間之個別壓力控制中之至少一種。藉此,能夠物理性地校正基板W1之應變,因此,能夠避免熱膨脹影響,從而能夠確實地校正基板之應變差。又,於基板形貌複雜之情形時,能夠校正因基板形貌導致之應變。結果,能夠使2片基板W1、W2高精度地貼合。
再者,於圖4A及圖4B中,例示了藉由複數個圓筒狀構件12-1~12-5之個別驅動控制進行基板W1之應變校正之動作,但亦可藉由複數個圓筒狀構件12-1~12-5之個別驅動控制與複數個圓筒狀構件12-1~12-5中之空間之個別壓力控制之組合,進行基板W1之應變校正。
例如,於已產生圖4A所示之偏移G1~G3之情形時,亦可如圖5所示,使圓筒狀構件12-1以移動量ΔY1=-G3朝-Y方向移動,將圓筒狀構件12-2中之空間(孔12a)大氣開放而設為大氣壓狀態。圖5係表示與第1實施形態之第1變化例中之校正相關之動作之圖。圖5中,以無箭頭虛線表示大氣壓狀態。此時,於吸附台子10上,圓筒狀構件12-3之位置被固定,因此,可對基板W1中之圓筒狀構件12-3之吸附位置與圓筒狀構件12-1之吸附位置之間,作用以單點鏈線所示之彈性應變模式下之應力。藉此,亦能夠物理性地校正基板W1之應變。
或者,有時根據基板中應變之產生方式,於貼合前有意地使基板彎曲之校正較為有效。
例如,於預先根據條件設定等,已知貼合時在基板W5中與圓筒狀構件12-2對應之位置處已產生+Z方向之彎曲之情形時,亦可如圖6所示,於利用複數個圓筒狀構件12-1~12-5吸附有基板W5之狀態下,使圓筒狀構件12-2以移動量ΔZ2(<0)朝-Z方向移動。圖6係表示與第1實施形態之第2變化例中之校正相關之動作之圖。藉此,可於貼合前使基板W5中與圓筒狀構件12-2對應之位置以朝向-Z側凸起之方式變形,從而能夠校正貼合時之基板W6之+Z方向之彎曲。結果,能夠抑制於2片基板之貼合界面形成氣泡(空隙)。
又,於預先根據條件設定等,已知貼合時在基板W6中與圓筒狀構件12-2對應之位置處已產生-Z方向之彎曲之情形時,亦可如圖7所示,於利用複數個圓筒狀構件12-1~12-5吸附有基板W6之狀態下,使圓筒狀構件12-2以移動量ΔZ2(>0)朝+Z方向移動。圖7係表示與第1實施形態之第3變化例中之校正相關之動作之圖。藉此,可於貼合前使基板W6中與圓筒狀構件12-2對應之位置以朝向+Z側凹陷之方式變形,從而能夠校正貼合時之基板W6之-Z方向之彎曲。結果,能夠抑制於2片基板之貼合界面形成氣泡(空隙)。
又,於預先根據條件設定等,已知貼合時在基板W5中與圓筒狀構件12-2對應之位置處已產生+Z方向之彎曲之情形時,亦可如圖8所示,解除圓筒狀構件12-2之吸附。圖8係表示與第1實施形態之第4變化例中之校正相關之動作之圖。若於利用複數個圓筒狀構件12-1~12-5吸附有基板W5之狀態下,將圓筒狀構件12-2中之空間(孔12a)控制為加壓狀態,則圓筒狀構件12-2對基板W5之吸附被解除,於圓筒狀構件12-1之吸附位置與圓筒狀構件12-3之吸附位置之間,形成能夠加壓之加壓室(加壓空間)SP1。圓筒狀構件12-2中之空間之加壓狀態被傳遞至該加壓室SP1,從而基板W5中與圓筒狀構件12-2對應之位置可彎曲成與加壓室SP1之壓力(正壓)相應之形狀。藉此,亦能夠於貼合前使基板W5中與圓筒狀構件12-2對應之位置以朝-Z側凸起之方式變形,從而能夠校正貼合時基板W6之+Z方向之彎曲。結果,能夠抑制於2片基板之貼合界面形成氣泡(空隙)。
又,於預先根據條件設定等,已知貼合時在基板W6中與圓筒狀構件12-2對應之位置處已產生-Z方向之彎曲之情形時,亦可如圖9所示,解除圓筒狀構件12-2之吸附。圖9係表示與第1實施形態之第5變化例中之校正相關之動作之圖。若於利用複數個圓筒狀構件12-1~12-5吸附有基板W6之狀態下,將圓筒狀構件12-2中之空間(孔12a)大氣開放而控制為大氣壓狀態,則圓筒狀構件12-2對基板W5之吸附被解除,於圓筒狀構件12-1之吸附位置與圓筒狀構件12-3之吸附位置之間,形成能夠減壓之減壓室(減壓空間)SP2。若於該狀態下使圓筒狀構件12-2以移動量ΔZ2(>0)朝+Z方向移動,將圓筒狀構件12-2中之空間(孔12a)控制為減壓狀態,則該減壓狀態被傳遞至該減壓室SP2,基板W6中與圓筒狀構件12-2對應之位置可彎曲成與減壓室SP2之壓力(負壓)相應之形狀。藉此,能夠於貼合前以基板W6中與圓筒狀構件12-2對應之位置朝+Z側凹陷之方式變形,從而能夠校正貼合時之基板W6之-Z方向之彎曲。結果,能夠抑制於2片基板之貼合界面形成氣泡(空隙)。
(第2實施形態) 繼而,對第2實施形態之基板貼合裝置進行說明。以下,以與第1實施形態不同部分為中心進行說明。
於第1實施形態中,例示了利用2個吸附台子中之一者一面將基板多點支持一面物理性校正基板應變之構成,但於第2實施形態中,利用2個吸附台子一面將基板多點支持一面物理性校正基板應變。
具體而言,基板貼合裝置201可如圖10所示般構成。圖10係表示基板貼合裝置201之構成之圖。
基板貼合裝置201具有吸附台子220、壓力控制機構240及控制器260,取代吸附台子20、減壓控制機構40及控制器60(參照圖1)。
吸附台子220除了具有台子基座21及驅動機構24以外,亦具有複數個圓筒狀構件22-1~22-5、複數個驅動機構23-1~23-5。吸附台子20係利用複數個圓筒狀構件22-1~22-5吸附保持基板,利用驅動機構24共同地驅動複數個圓筒狀構件22-1~22-5,利用複數個驅動機構23-1~23-5相互獨立地驅動複數個圓筒狀構件12-1~12-5。複數個圓筒狀構件22-1~22-5自台子基座21之主面21a朝+Z側突出,且具有於Z方向上貫通之孔22a,藉由將孔22a控制為減壓狀態,而能夠利用該+Z側之前端吸附保持基板。複數個圓筒狀構件22-1~22-5於XY方向上互不相同之位置處支持基板。藉此,基板被多點支持。驅動機構24按照控制器260之控制,於XYZ方向上驅動台子基座21,藉此,使複數個圓筒狀構件22-1~22-5共同地整體移動,且複數個驅動機構23-1~23-5按照控制器260之控制,使複數個圓筒狀構件22-1~22-5個別移動。
複數個圓筒狀構件22-1~22-5配置於主面11a上,且於XY方向上排列。複數個驅動機構23-1~23-5與複數個圓筒狀構件22-1~22-5相互對應。各驅動機構23配置於對應之圓筒狀構件22之周圍。
壓力控制機構240按照控制器260之控制,相互獨立地控制複數個圓筒狀構件22-1~22-5中之空間之壓力狀態。壓力控制機構240具有切換部248取代了切換部48(參照圖1),亦具有壓力產生裝置49-3。壓力產生裝置49-3係壓縮機等加壓裝置,且按照控制器260之控制,對氣體賦予正壓而產生加壓狀態。
切換部248按照控制器260之控制,將複數個管41之各者連接於複數個壓力產生裝置49-1~49-3之任一者。切換部248能夠個別切換各管41與複數個壓力產生裝置49-1~49-3之連接,且按照控制器260之控制,將各管41個別地連接於複數個壓力產生裝置49-1~49-3之任一者。
切換部248具有開閉閥42、開閉閥43、減壓管(減壓管線)45、大氣管(大氣開放管線)46及加壓管(加壓管線)47。開閉閥42按照控制器60之控制,將管41(分支管411)與減壓管45之連接予以開啟及關閉。當開閉閥42為開啟狀態時,壓力產生裝置(減壓裝置)49-1可經由孔11c、孔13a、管41及減壓管45,將圓筒狀構件12之孔12a真空排氣設為減壓狀態。開閉閥43按照控制器260之控制,將管41(分支管411)與大氣管46之連接予以開啟及關閉。當開閉閥43為開啟狀態時,壓力產生裝置(大氣開放裝置)49-2可經由孔11c、孔13a、管41及減壓管45,將圓筒狀構件12之孔12a大氣開放設為大氣壓狀態。當開閉閥44為開啟狀態時,壓力產生裝置(加壓裝置)49-3可經由孔11c、孔13a、管41及減壓管45,對圓筒狀構件12之孔12a供氣而設為加壓狀態。
控制器260於與應由吸附台子10吸附之基板W1對應之基板W3(參照圖4A)及與應由吸附台子220吸附之基板W2對應之基板W4(參照圖4A)已準備之情形時,對於基板W3及基板W4之間之應變,將應變校正量分配給基板W3及基板W4。控制器260分別預先取得被分配之基板W3之應變校正量及基板W4之應變校正量。基板W3之應變校正量被視為基板W1之應變校正量,基板W4之應變校正量被視為基板W2之應變校正量。控制器260根據基板W3之應變校正量(即基板W1之應變校正量),於利用複數個圓筒狀構件12-1~12-5吸附有基板W1之狀態下,控制複數個驅動機構13-1~13-5與壓力控制機構30中之至少一者而校正基板W1之應變。隨此,控制器260根據基板W4之應變校正量(即基板W2之應變校正量),於利用複數個圓筒狀構件22-1~22-5吸附有基板W2之狀態下,控制複數個驅動機構23-1~23-5與壓力控制機構240中之至少一者而校正基板W2之應變。
例如,於條件設定中,如圖11A中以虛線包圍所示,藉由圖像處理確定於基板W3之-Y側區域已產生位置偏移,且分別求出基板W3之電極墊位置相對於基板W4之電極墊位置之偏移G11~G13。偏移G11~G13可作為具有大小及方向之矢量掌握。例如,偏移G11~G13分別具有自基板W3之中央部朝向外側離開之方向(圖11A中向左)。
此時,控制器260以消除偏移G11~G13之方式,分別決定圓筒狀構件12及圓筒狀構件22之移動量,且分別決定圓筒狀構件12中之空間及圓筒狀構件22中之空間之壓力控制。即,能夠將圓筒狀構件12-1之移動量設為ΔY1=-G13×k(k為大於0且小於1之數),將圓筒狀構件12-2之移動量作為ΔY2=-G11,將圓筒狀構件22-1之移動量設為ΔY11=-G13×(1-k)。又,設為應將圓筒狀構件22中之空間設為大氣開放狀態。
而且,於正式接合中,如圖11B所示,控制器260使圓筒狀構件12-1以移動量ΔY1=-G13×k朝+Y方向移動,使圓筒狀構件12-2以移動量ΔY2=-G11朝+Y方向移動,使圓筒狀構件22-1以移動量ΔY11=-G13×(1-k)朝-Y方向移動。並且,將圓筒狀構件22-2中之空間(孔12a)大氣開放而設為大氣壓狀態。此時,因圓筒狀構件12-3之位置被固定而能夠對基板W1中之圓筒狀構件12-3之吸附位置與圓筒狀構件12-2之吸附位置之間,作用以單點鏈線所示之彈性應變模式下之應力。由於使圓筒狀構件12-1及圓筒狀構件12-2兩者均移動,故能夠對基板W1中之圓筒狀構件12-2之吸附位置與圓筒狀構件12-1之吸附位置之間,作用以兩點鏈線所示之強制應變模式下之應力。又,因圓筒狀構件22-1、22-3之位置被固定而能夠對基板W2中之圓筒狀構件22-3之吸附位置與圓筒狀構件22-1之吸附位置之間,作用以單點鏈線所示之彈性應變模式下之應力。由此,藉由在應變較大之部位一面以彈性應變模式改變任意兩點間之距離一面進行應變校正,同時於應變較小之部位一面以強制應變模式維持任意兩點間之距離一面進行校正,便可校正基板W1之應變,並且,藉由在應變較大之部位一邊以彈性應變模式改變任意兩點間之距離一邊進行應變校正,便可校正基板W2之應變。
如上所述,於基板貼合裝置201中,一面將基板多點支持一面利用2個吸附台子10、220兩者進行基板之物理性應變校正。藉此,能夠將2片基板W1、W2之應變校正量分配給2片基板W1、W2進行物理性校正,因此,能夠更確實地校正基板之應變差,從而於基板形貌更複雜之情形時,能夠校正因基板形貌所致之應變。結果,能夠使2片基板W1、W2更高精度地貼合。
再者,亦可如圖12A~圖14B所示地進行2片基板W1、W2之應變校正及貼合。圖12A~圖14B係表示第2實施形態之變化例之基板貼合裝置201之動作之圖。圖12A~圖14B所示之動作於將具有複雜形貌之基板彼此校正後進行貼合之情形時較為有效。
如圖12A所示,分別利用吸附台子10、220之複數個圓筒狀構件12-1~12-5、22-1~22-5固持具有互不相同之凹凸之基板W11、W12。
繼而,如圖12B所示,使存在於吸附洩漏之圓筒狀構件12-3、22-2、22-4周邊之圓筒狀構件12-2、12-4、22-1、22-5進行XY驅動,如圖12C所示,使洩漏之圓筒狀構件12-1~12-5、22-1~22-5進行Z驅動,實施各基板W11、W12之全面固持。再者,圖12B所示之XY驅動與圖12C所示之Z驅動可分階段進行,亦可同時進行。
繼而,如圖13A所示,於利用複數個圓筒狀構件12-1~12-5吸附有基板W11,且利用複數個圓筒狀構件22-1~22-5吸附有基板W12之狀態下,將確定之圓筒狀構件12-1、12-3、12-5、22-2、22-4進行XYZ驅動,同時校正凹凸及電極錯位。
此後,如圖13B所示,以避免校正偏差之方式,而且以避免氣泡進入之方式,使複數個圓筒狀構件12-1~12-5及複數個圓筒狀構件22-1~22-5進行Z驅動,使基板W11及基板W12以於Z方向上成為線對稱之方式應變。藉此,使基板W11及基板W12對向成為凸型形狀。
此後,如圖13C所示,使吸附台子10朝-Z方向下降,或者使吸附台子220朝+Z方向上升,使基板W11、W12之中央部相互接觸。藉此,自基板W11、W12之中央部開始進行貼合。於超過貼合開始閾值負載之後,結束貼合之部分之圓筒狀構件12、22切換為流體加壓,以避免貼合面之2片基板W11、W12所成之角度變化之方式進行控制,將該圓筒狀構件12、22朝向自基板W11、W12離開之方向進行Z驅動。
如圖14A所示,貼合係於基板W11、W12之面內放射方向上進展,同時,圓筒狀構件12、22自基板W11、W12離開後切換為加壓,以貼合面之基板W11、W12所成之角度逐漸變小之方式亦控制加壓力。
如圖14B所示,貼合結束後,將吸附台子10之各圓筒狀構件12-1~12-5進行大氣開放,從而吸附台子220之各圓筒狀構件22-1~22-5吸附,保持被貼合之基板W11及基板W12之積層體SST。
如此,藉由在應變校正後使2片基板彎曲成剖視下相互成為線對稱之凸狀,便可一面使基板間之氣體有效地逸出,一面使基板分階段貼合,從而能夠抑制貼合面上產生氣泡。
上述本發明之實施形態亦可以如下附註1~10表達。
(附註1) 一種基板貼合裝置,其具備: 第1吸附台子,其吸附第1基板;及 第2吸附台子,其與上述第1基板對向配置,吸附第2基板; 上述第1吸附台子具有: 第1台子基座,其具有朝向上述第2吸附台子之第1主面; 複數個第1圓筒狀構件,其等配置於上述第1主面上,且於平面方向上排列,分別自自上述第1主面於靠近上述第2吸附台子之方向突出,能夠吸附上述第1基板;及 複數個第1驅動機構,其等相互獨立地驅動上述複數個第1圓筒狀構件; 上述基板貼合裝置進而具備相互獨立地控制上述複數個第1圓筒狀構件中之空間之壓力狀態之第1壓力控制機構。
(附註2) 如附註1之基板貼合裝置,其中 上述第2吸附台子具有: 第2台子基座,其具有朝向上述第1吸附台子之第2主面; 複數個第2圓筒狀構件,其等在上述第2主面上以平面方向排列,分別自上述第2主面於靠近上述第1吸附台子之方向突出,能夠吸附上述第2基板;及 複數個第2驅動機構,其等相互獨立地驅動上述複數個第2圓筒狀構件; 上述基板貼合裝置進而具備相互獨立地控制上述複數個第2圓筒狀構件中之空間之壓力狀態之第2壓力控制機構。
(附註3) 如附註1之基板貼合裝置,其中 上述第1壓力控制機構具有: 複數個第1管,其等與上述複數個第1圓筒狀構件中之空間連通; 複數個第1壓力產生裝置,其等產生互不相同之壓力狀態;及 第1切換部,其將上述複數個第1管之各者連接於上述複數個第1壓力產生裝置之任一者。
(附註4) 如附註2之基板貼合裝置,其中 上述第1壓力控制機構具有: 複數個第1管,其等與上述複數個第1圓筒狀構件中之空間連通; 複數個第1壓力產生裝置,其等產生互不相同之壓力狀態;及 第1切換部,其將上述複數個第1管之各者連接於上述複數個第1壓力產生裝置之任一者; 上述第2壓力控制機構具有: 複數個第2管,其等與上述複數個第2圓筒狀構件中之空間連通; 複數個第2壓力產生裝置,其等產生互不相同之壓力狀態;及 第2切換部,其將上述複數個第2管之各者連接於上述複數個第2壓力產生裝置之任一者。
(附註5) 如附註3之基板貼合裝置,其中 上述複數個第1壓力產生裝置包含第1減壓裝置、第1大氣開放裝置、及第1加壓裝置。
(附註6) 如附註4之基板貼合裝置,其中 上述複數個第1壓力產生裝置包含第1減壓裝置、第1大氣開放裝置、及第1加壓裝置, 上述複數個第2壓力產生裝置包含第2減壓裝置、第2大氣開放裝置、及第2加壓裝置。
(附註7) 如附註1之基板貼合裝置,其進而具備控制器,該控制器根據上述第1基板之應變校正量,於利用上述複數個第1圓筒狀構件吸附有上述第1基板之狀態下,控制上述複數個第1驅動機構與上述第1壓力控制機構中之至少一者,校正上述第1基板之應變。
(附註8) 如附註2之基板貼合裝置,其進而具備控制器,該控制器根據上述第1基板之應變校正量,於利用上述複數個第1圓筒狀構件吸附有上述第1基板之狀態下,控制上述複數個第1驅動機構與上述第1壓力控制機構中之至少一者,校正上述第1基板之應變,並且根據上述第2基板之應變校正量,於利用上述複數個第2圓筒狀構件吸附有上述第2基板之狀態下,控制上述複數個第2驅動機構與上述第2壓力控制機構中之至少一者,校正上述第2基板之應變。
(附註9) 如附註8之基板貼合裝置,其中 上述控制器進而控制上述複數個第1驅動機構,以經上述校正之上述第1基板之中央部朝向上述第2基板之側凸起之方式,使上述第1基板變形,並控制上述複數個第2驅動機構,以經上述校正之上述第2基板之中央部朝向上述第1基板之側凸起之方式,使上述第2基板變形,使上述第1基板及上述第2基板相互接觸,並且控制上述第1壓力控制機構,自上述第1基板之中央部向外側依序解除上述複數個第1圓筒狀構件對上述第1基板之吸附,控制上述第2壓力控制機構,自上述第2基板之中央部向外側依序解除上述複數個第2圓筒狀構件對上述第2基板之吸附。
(附註10) 如附註9之基板貼合裝置,其中上述控制器控制上述複數個第1驅動機構及上述複數個第2驅動機構,使上述第1基板與上述第2基板於剖視下相互對稱地變形。
已對本發明之若干實施形態進行了說明,但該等實施形態係作為示例而提出,並不意圖限定發明範圍。該等新穎之實施形態能夠以其他各種形態實施,且能夠於不脫離發明主旨之範圍內進行各種省略、替換、變更。該等實施形態或其變化包含於發明之範圍或主旨中,並且包含於申請專利範圍所記載之發明及其均等之範圍內。
相關申請案 本申請案享有2019年9月13日提出申請之日本專利申請號2019-167671之優先權之權益,該日本專利申請案之全部內容被引用至本申請案中。
1:基板貼合裝置 10:吸附台子 11:台子基座 11a:主面 11b:主面 11c:孔 12:圓筒狀構件 12a:孔 12-1~12-5:複數個圓筒狀構件 13:驅動機構 13a:孔 13x:驅動部 13x1,13x2:驅動元件 13y:驅動部 13y1,13y2:驅動元件 13z:驅動部 13z1:驅動元件 13-1~13-5:複數個驅動機構 14:驅動機構 20:吸附台子 21:台子基座 21a:主面 21b:主面 21c:孔 22-1~22-5:複數個圓筒狀構件 23-1~23-5:複數個驅動機構 24:驅動機構 30:壓力控制機構 31:管 32:開閉閥 33:開閉閥 34:開閉閥 35:減壓管 36:大氣管 37:加壓管 38:切換部 39-1:減壓裝置 39-2:大氣開放裝置 39-3:加壓裝置 40:壓力控制機構 41:管 42:開閉閥 43:開閉閥 45:減壓管 46:大氣管 47:加壓管 48:切換部 49-1:減壓裝置 49-2:大氣開放裝置 49-3:加壓裝置 60:控制器 121:大徑部 122:小徑部 123:緩衝部 201:基板貼合裝置 220:吸附台子 240:壓力控制機構 248:切換部 260:控制器 310:主管 311~313:分支管 314:分支節點 410:主管 411~412:分支管 414:分支節點 G1~G3:偏移 G11~G13:偏移 SP1:加壓室 SP2:減壓室 SST:積層體 W1:基板 W2:基板 W3:基板 W4:基板 W5:基板 W6:基板 W11:基板 W12:基板
圖1係表示第1實施形態之基板貼合裝置之構成之圖。 圖2A及圖2B係表示第1實施形態中之圓筒狀構件及驅動機構之構成之圖。 圖3係表示第1實施形態之基板貼合裝置之動作之流程圖。 圖4A及圖4B係表示第1實施形態中與校正相關之動作之圖。 圖5係表示第1實施形態之第1變化例中與校正相關之動作之圖。 圖6係表示第1實施形態之第2變化例中與校正相關之動作之圖。 圖7係表示第1實施形態之第3變化例中與校正相關之動作之圖。 圖8係表示第1實施形態之第4變化例中與校正相關之動作之圖。 圖9係表示第1實施形態之第5變化例中與校正相關之動作之圖。 圖10係表示第2實施形態之基板貼合裝置之構成之圖。 圖11A及圖11B係表示第2實施形態中與校正相關之動作之圖。 圖12A~圖12C係表示第2實施形態之變化例之基板貼合裝置之動作之圖。 圖13A~圖13C係表示第2實施形態之變化例之基板貼合裝置之動作之圖。 圖14A及圖14B係表示第2實施形態之變化例之基板貼合裝置之動作之圖。
1:基板貼合裝置
10:吸附台子
11:台子基座
11a:主面
11b:主面
11c:孔
12a:孔
12-1:圓筒狀構件
12-5:圓筒狀構件
13a:孔
13-1:驅動機構
13-5:驅動機構
14:驅動機構
20:吸附台子
21:台子基座
21a:主面
21b:主面
21c:孔
24:驅動機構
30:壓力控制機構
31:管
32:開閉閥
33:開閉閥
34:開閉閥
35:減壓管
36:大氣管
37:加壓管
38:切換部
39-1:減壓裝置
39-2:大氣開放裝置
39-3:加壓裝置
40:壓力控制機構
41:管
42:開閉閥
43:開閉閥
45:減壓管
46:大氣管
48:切換部
49-1:減壓裝置
49-2:大氣開放裝置
60:控制器
310:主管
311~313:分支管
314:分支節點
410:主管
411~412:分支管
414:分支節點

Claims (20)

  1. 一種基板貼合裝置,其具備: 第1吸附台子,其吸附第1基板;及 第2吸附台子,其與上述第1基板對向配置,吸附第2基板; 上述第1吸附台子具有: 第1台子基座,其具有朝向上述第2吸附台子之第1主面; 複數個第1圓筒狀構件,其等配置於上述第1主面,且於平面方向上排列,分別自上述第1主面於靠近上述第2吸附台子之方向突出,能夠吸附上述第1基板;及 複數個第1驅動機構,其等相互獨立地驅動上述複數個第1圓筒狀構件; 上述基板貼合裝置進而具備相互獨立地控制上述複數個第1圓筒狀構件中之空間之壓力狀態之第1壓力控制機構。
  2. 如請求項1之基板貼合裝置,其中 上述第2吸附台子具有: 第2台子基座,其具有朝向上述第1吸附台子之第2主面; 複數個第2圓筒狀構件,其等在上述第2主面上沿著平面方向排列,分別自上述第2主面於靠近上述第1吸附台子之方向突出,能夠吸附上述第2基板;及 複數個第2驅動機構,其等相互獨立地驅動上述複數個第2圓筒狀構件; 上述基板貼合裝置進而具備相互獨立地控制上述複數個第2圓筒狀構件中之空間之壓力狀態之第2壓力控制機構。
  3. 如請求項1之基板貼合裝置,其中 上述第1壓力控制機構具有: 複數個第1管,其等與上述複數個第1圓筒狀構件中之空間連通; 複數個第1壓力產生裝置,其等產生互不相同之壓力狀態;及 第1切換部,其將上述複數個第1管之各者連接於上述複數個第1壓力產生裝置之任一者。
  4. 如請求項2之基板貼合裝置,其中 上述第1壓力控制機構具有: 複數個第1管,其等與上述複數個第1圓筒狀構件中之空間連通; 複數個第1壓力產生裝置,其等產生互不相同之壓力狀態;及 第1切換部,其將上述複數個第1管之各者連接於上述複數個第1壓力產生裝置之任一者; 上述第2壓力控制機構具有: 複數個第2管,其等與上述複數個第2圓筒狀構件中之空間連通; 複數個第2壓力產生裝置,其等產生互不相同之壓力狀態;及 第2切換部,其將上述複數個第2管之各者連接於上述複數個第2壓力產生裝置之任一者。
  5. 如請求項3之基板貼合裝置,其中 上述複數個第1壓力產生裝置包含第1減壓裝置、第1大氣開放裝置、及第1加壓裝置。
  6. 如請求項4之基板貼合裝置,其中 上述複數個第1壓力產生裝置包含第1減壓裝置、第1大氣開放裝置、及第1加壓裝置, 上述複數個第2壓力產生裝置包含第2減壓裝置、第2大氣開放裝置、及第2加壓裝置。
  7. 如請求項1之基板貼合裝置,其進而具備控制器,該控制器根據上述第1基板之應變校正量,於利用上述複數個第1圓筒狀構件吸附有上述第1基板之狀態下,控制上述複數個第1驅動機構與上述第1壓力控制機構中之至少一者,校正上述第1基板之應變。
  8. 如請求項7之基板貼合裝置,其中 上述控制器根據上述第1基板之應變校正量,控制上述第1圓筒狀構件之平面方向之移動量。
  9. 如請求項7之基板貼合裝置,其中 上述控制器根據上述第1基板之應變校正量,控制上述第1圓筒狀構件之平面方向之移動量,並經由上述第1壓力控制機構,控制上述第1圓筒狀構件中之空間之壓力狀態。
  10. 如請求項7之基板貼合裝置,其中 上述控制器根據上述第1基板之應變校正量,控制上述第1圓筒狀構件之與上述第1主面大致垂直之方向之移動量。
  11. 如請求項7之基板貼合裝置,其中 上述控制器根據上述第1基板之應變校正量,經由上述第1壓力控制機構,控制上述第1圓筒狀構件中之空間之壓力狀態。
  12. 如請求項7之基板貼合裝置,其中 上述控制器根據上述第1基板之應變校正量,控制上述第1圓筒狀構件之與上述第1主面大致垂直之方向之移動量,並經由上述第1壓力控制機構,控制上述第1圓筒狀構件中之空間之壓力狀態。
  13. 如請求項2之基板貼合裝置,其進而具備控制器,該控制器根據上述第1基板之應變校正量,於利用上述複數個第1圓筒狀構件吸附有上述第1基板之狀態下,控制上述複數個第1驅動機構與上述第1壓力控制機構中之至少一者,校正上述第1基板之應變,並且根據上述第2基板之應變校正量,於利用上述複數個第2圓筒狀構件吸附有上述第2基板之狀態下,控制上述複數個第2驅動機構與上述第2壓力控制機構中之至少一者,校正上述第2基板之應變。
  14. 如請求項13之基板貼合裝置,其中 上述控制器根據上述第1基板之應變校正量,控制上述第1圓筒狀構件之平面方向之移動量,並且根據上述第2基板之應變校正量,控制上述第2圓筒狀構件之平面方向之移動量。
  15. 如請求項13之基板貼合裝置,其中 上述控制器根據上述第1基板之應變校正量,控制上述第1圓筒狀構件之平面方向之移動量,並經由上述第1壓力控制機構,控制上述第1圓筒狀構件中之空間之壓力狀態,並且根據上述第2基板之應變校正量,控制上述第2圓筒狀構件之平面方向之移動量,並經由上述第2壓力控制機構,控制上述第2圓筒狀構件中之空間之壓力狀態。
  16. 如請求項13之基板貼合裝置,其中 上述控制器根據上述第1基板之應變校正量,控制上述第1圓筒狀構件之與上述第1主面大致垂直之方向之移動量,並根據上述第2基板之應變校正量,控制上述第2圓筒狀構件之與上述第2主面大致垂直之方向之移動量。
  17. 如請求項13之基板貼合裝置,其中 上述控制器根據上述第1基板之應變校正量,經由上述第1壓力控制機構,控制上述第1圓筒狀構件中之空間之壓力狀態,並且根據上述第2基板之應變校正量,經由上述第2壓力控制機構,控制上述第2圓筒狀構件中之空間之壓力狀態。
  18. 如請求項13之基板貼合裝置,其中 上述控制器根據上述第1基板之應變校正量,控制上述第1圓筒狀構件之與上述第1主面大致垂直之方向之移動量,並經由上述第1壓力控制機構,控制上述第1圓筒狀構件中之空間之壓力狀態,並且根據上述第2基板之應變校正量,控制上述第2圓筒狀構件之與上述第2主面大致垂直之方向之移動量,並經由上述第2壓力控制機構,控制上述第2圓筒狀構件中之空間之壓力狀態。
  19. 如請求項13之基板貼合裝置,其中 上述控制器進而控制上述複數個第1驅動機構,以經上述校正之上述第1基板之中央部朝向上述第2基板之側凸起之方式使上述第1基板變形,並控制上述複數個第2驅動機構,以經上述校正之上述第2基板之中央部朝向上述第1基板之側凸起之方式使上述第2基板變形,使上述第1基板及上述第2基板相互接觸,並且控制上述第1壓力控制機構,自上述第1基板之中央部朝向外側依序解除上述複數個第1圓筒狀構件對上述第1基板之吸附,並控制上述第2壓力控制機構,自上述第2基板之中央部朝向外側依序解除上述複數個第2圓筒狀構件對上述第2基板之吸附。
  20. 如請求項19之基板貼合裝置,其中 上述控制器控制上述複數個第1驅動機構及上述複數個第2驅動機構,使上述第1基板與上述第2基板於剖視下相互對稱地變形。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230268312A1 (en) * 2022-02-18 2023-08-24 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Soft touch eutectic solder pressure pad

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3251362B2 (ja) * 1993-01-11 2002-01-28 三菱電機株式会社 露光装置及び露光方法
JPH0766093A (ja) * 1993-08-23 1995-03-10 Sumitomo Sitix Corp 半導体ウエーハの貼り合わせ方法およびその装置
JP5272348B2 (ja) 2007-08-14 2013-08-28 株式会社ニコン ウェハ接合装置
JP5682106B2 (ja) 2009-09-11 2015-03-11 株式会社ニコン 基板処理方法、及び基板処理装置
US8408262B2 (en) 2009-10-08 2013-04-02 International Business Machines Corporation Adaptive chuck for planar bonding between substrates
FR2965398B1 (fr) 2010-09-23 2012-10-12 Soitec Silicon On Insulator Procédé de collage par adhésion moléculaire avec réduction de desalignement de type overlay
EP2656378B1 (de) 2010-12-20 2015-03-18 Ev Group E. Thallner GmbH Aufnahmeeinrichtung zur halterung von wafern
JP5558452B2 (ja) 2011-10-21 2014-07-23 東京エレクトロン株式会社 貼り合わせ装置
JP2015088590A (ja) 2013-10-30 2015-05-07 キヤノン株式会社 基板吸着装置および基板平面度補正方法
JP5865475B2 (ja) 2014-12-16 2016-02-17 株式会社東芝 基板保持装置及びパターン転写装置並びにパターン転写方法
JP5837247B1 (ja) 2015-03-31 2015-12-24 株式会社日立製作所 基板組立装置とそれを用いた基板組立方法
JP6554651B2 (ja) * 2015-04-08 2019-08-07 ユニパルス株式会社 圧力エア測定装置及びこれを用いた工作機械システム
JP6737575B2 (ja) * 2015-09-30 2020-08-12 Aiメカテック株式会社 基板組立システム、そのシステムに用いる基板組立装置、及び、そのシステムを用いた基板組立方法
KR20230167447A (ko) 2016-03-22 2023-12-08 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 기판을 결합하기 위한 방법 및 장치
JP2018010925A (ja) 2016-07-12 2018-01-18 東京エレクトロン株式会社 接合装置
JP6727069B2 (ja) * 2016-08-09 2020-07-22 東京エレクトロン株式会社 接合装置および接合システム
CN108602342B (zh) * 2016-10-17 2020-06-12 信越工程株式会社 贴合器件的真空贴合装置
JP6925160B2 (ja) * 2017-05-02 2021-08-25 東京エレクトロン株式会社 接合装置
KR102455415B1 (ko) * 2017-12-18 2022-10-17 삼성전자주식회사 기판 접합 장치 및 이를 이용한 기판의 접합 방법

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