WO2024075562A1 - 接合装置、接合システム及び接合方法 - Google Patents

Abstract

第１基板と第２基板を接合する接合装置であって、前記第１基板を吸着保持する第１保持部と、前記第１保持部と対向する位置に配置され、前記第２基板を吸着保持する第２保持部と、前記第１保持部と前記第２保持部とを収容し、外部から隔離された処理空間を形成する処理容器と、前記第１保持部に保持された前記第１基板と前記第２保持部に保持された前記第２基板とを、近接位置と離間位置とに相対的に移動させる移動機構と、前記処理容器に接続され前記処理空間を減圧する減圧部と、前記近接位置において、前記第１基板と前記第２基板の中心部同士を接触させる押圧機構であって、少なくとも前記第１基板を押圧する押圧機構と、を備え、前記第１保持部は、前記第１基板を静電吸着する静電吸着部を備える。

Description

接合装置、接合システム及び接合方法

　本開示は、接合装置、接合システム及び接合方法に関する。

　特許文献１には、第１の基板と第２の基板を貼り合わせる方法が開示されている。かかる方法では、載置部に載置された第１の基板と間隔をあけて基板支持部に支持された第２の基板を対峙させた後、第１の基板と第２の基板を接触させて貼り合わせる。

特開２０１２－１９１０３７号公報

　本開示にかかる技術は、基板同士を接合する際の接合精度を向上させる。

　本開示の一態様は、第１基板と第２基板を接合する接合装置であって、前記第１基板を吸着保持する第１保持部と、前記第１保持部と対向する位置に配置され、前記第２基板を吸着保持する第２保持部と、前記第１保持部と前記第２保持部とを収容し、外部から隔離された処理空間を形成する処理容器と、前記第１保持部に保持された前記第１基板と前記第２保持部に保持された前記第２基板とを、近接位置と離間位置とに相対的に移動させる移動機構と、前記処理容器に接続され前記処理空間を減圧する減圧部と、前記近接位置において、前記第１基板と前記第２基板の中心部同士を接触させる押圧機構であって、少なくとも前記第１基板を押圧する押圧機構と、を備え、前記第１保持部は、前記第１基板を静電吸着する静電吸着部を備える。

　本開示によれば、基板同士を接合する際の接合精度を向上させる。

本実施形態にかかる接合処理システムの構成の概略を示す平面図である。 本実施形態にかかる接合処理システムの内部構成の概略を示す側面図である。 重合基板の構成の概略を示す側面図である。 接合装置の構成の概略を示す側面図である。 接合装置の構成の概略を示す平面図である。 第１保持部及びその周辺の構成の断面図である。 第１保持部及びその周辺の構成の断面図である。 第１保持部及びその周辺を上方から見た平面図である。 第２保持部及びその周辺の構成の断面図である。 第２保持部及びその周辺の構成の断面図である。 第１実施形態にかかる接合処理の主な工程を示すフロー図である。 第１実施形態にかかる接合処理の様子を示す説明図である。 第１実施形態にかかる接合処理の様子を示す説明図である。 第１実施形態にかかる接合処理の様子を示す説明図である。 第１実施形態にかかる接合処理の様子を示す説明図である。 第１実施形態にかかる接合処理の様子を示す説明図である。 第１実施形態にかかる接合処理の様子を示す説明図である。 第１実施形態にかかる接合処理の様子を示す説明図である。 第１実施形態にかかる接合処理の様子を示す説明図である。 比較例における接合処理の様子を示す説明図である。 第１実施形態の変形例にかかる接合処理の様子を示す説明図である。 第１実施形態の変形例にかかる接合処理の様子を示す説明図である。 第１実施形態の変形例にかかる接合処理の様子を示す説明図である。 第１実施形態の変形例にかかる接合処理の様子を示す説明図である。 第１実施形態にかかる接合処理の主な工程を示すフロー図である。 第２実施形態の変形例にかかる接合処理の様子を示す説明図である。 他の実施形態にかかる接合装置の構成の概略を示す側面図である。 他の実施形態にかかる接合装置の構成の概略を示す側面図である。 他の実施形態にかかる接合装置の構成の概略を示す側面図である。

　半導体デバイスを３次元に積層する３次元集積技術では、２枚の半導体基板（以下、「基板」という。）の接合が行われる。従来、かかる基板同士の接合を減圧雰囲気下で行う技術が知られている。

　例えば特許文献１に開示された方法では、減圧雰囲気下で第１の基板と第２の基板を貼り合わせる。具体的には、載置部に第１の基板を載置し、基板支持部の支持爪で第２の基板の周縁部を支持して、これら第１の基板と第２の基板を間隔をあけて対峙させる。その後、押圧部のパッドで第２の基板の貼り合わせ面の略中央部を押圧し、第１の基板の貼り合わせ面の一部と第２の基板の貼り合わせ面の一部とを接触させる。その後、支持爪を退避方向に移動させることで、第１の基板の貼り合わせ面と第２の基板の貼り合わせ面とが接触した部分を中央部から周縁部に向けて拡大させて、当該基板同士を貼り合わせる。

　しかしながら、上記特許文献１に開示された方法では、第２の基板において周縁部以外は支持されていないため、第１の基板に間隔をあけて対峙させる際、当該第１の基板に対して位置ずれが生じるおそれがある。また、第２の基板を第１の基板側に近接（落下）させ、第１の基板と第２の基板の接触部分を拡大させる際にも、第２の基板において周縁部以外が支持されていないため、当該第２の基板が第１の基板と適切な位置で接触しないおそれがある。したがって、従来の基板同士の接合精度には改善の余地がある。

　本開示にかかる技術は、基板同士を接合する際の接合精度を向上させる。以下、本実施形態にかかる接合装置、当該接合装置を備えた接合システム、及び接合方法について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

＜接合システム１の構成＞
　先ず、本実施形態にかかる接合システムの構成について説明する。図１は、接合システム１の構成の概略を示す平面図である。図２は、接合システム１の内部構成の概略を示す側面図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。

　接合システム１では、図３に示すように第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２を接合して重合基板Ｔを形成する。以下、第１基板Ｗ１において第２基板Ｗ２と接合される面を「接合面Ｗ１ａ」、接合面Ｗ１ａと反対側の面を「非接合面Ｗ１ｂ」という。また、第２基板Ｗ２において、第１基板Ｗ１と接合される面を「接合面Ｗ２ａ」、接合面Ｗ２ａと反対側の面を「非接合面Ｗ２ｂ」という。なお、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２は、それぞれ例えばシリコン基板などの半導体基板である。

　図１に示すように接合システム１は、例えば外部との間で複数の第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２、重合基板Ｔをそれぞれ収容可能なカセットＣｗ１、Ｃｗ２、Ｃｔが搬入出される搬入出ステーション２と、基板Ｗ１、Ｗ２、重合基板Ｔに対して所望の処理を施す各種処理装置を備えた処理ステーション３とを一体に接続した構成を有している。

　搬入出ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。カセット載置台１０には、複数、例えば４つのカセット載置板１１が設けられている。カセット載置板１１は、Ｙ軸方向に一列に並べて配置されている。これらのカセット載置板１１には、接合システム１の外部に対してカセットＣｗ１、Ｃｗ２、Ｃｔを搬入出する際に、カセットＣｗ１、Ｃｗ２、Ｃｔを載置することができる。このように、搬入出ステーション２は、複数の第１基板Ｗ１、複数の第２基板Ｗ２、複数の重合基板Ｔを保有可能に構成されている。なお、カセット載置板１１の個数は、本実施の形態に限定されず、任意に設定することができる。また、カセット載置板１１には、カセットＣｗ１、Ｃｗ２、Ｃｔ以外に、たとえば不具合が生じた基板を回収するためのカセット等が載置されてもよい。

　搬入出ステーション２には、カセット載置台１０のＸ軸正方向側において、カセット載置台１０に隣接して基板搬送領域２０が設けられている。基板搬送領域２０には、Ｙ軸方向に延伸する搬送路２１上を移動自在な基板搬送装置２２が設けられている。基板搬送装置２２は、鉛直方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、各カセット載置板１１上のカセットＣｗ１、Ｃｗ２、Ｃｔと、後述する処理ステーション３の第３処理ブロックＧ３のトランジション装置６０、６１との間で第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２、重合基板Ｔを搬送できる。

　処理ステーション３には、各種装置を備えた複数例えば３つの処理ブロックＧ１、Ｇ２、Ｇ３が設けられている。例えば処理ステーション３の正面側（図１のＹ軸負方向側）には、第１処理ブロックＧ１が設けられ、処理ステーション３の背面側（図１のＹ軸正方向側）には、第２処理ブロックＧ２が設けられている。また、処理ステーション３の搬入出ステーション２側（図１のＸ軸負方向側）には、第３処理ブロックＧ３が設けられている。

　第１処理ブロックＧ１には、基板Ｗ１、Ｗ２を接合する接合装置３０が配置されている。なお、接合装置３０の構成については後述する。

　図２に示すように第２処理ブロックＧ２は、例えば２層構造を有している。第２処理ブロックＧ２の下層には、改質装置４０、搬送室４１、ロードロック室４２が、搬入出ステーション２側からこの順で水平方向のＸ軸方向に並べて配置されている。

　改質装置４０は、基板Ｗ１、Ｗ２の接合面Ｗ１ａ、Ｗ２ａを改質する。改質装置４０では、例えば減圧雰囲気下において、処理ガスである酸素ガス又は窒素ガスが励起されてプラズマ化され、イオン化される。この酸素イオン又は窒素イオンが接合面Ｗ１ａ、Ｗ２ａに照射されて、接合面Ｗ１ａ、Ｗ２ａがプラズマ処理され、改質される。

　ロードロック室４２は、後述する基板搬送領域７０のＹ軸正方向側にゲートバルブ（図示せず）を介して隣接して配置される。ロードロック室４２は、その内部空間を、大気圧状態と真空状態とに切り替えられるように構成されている。また、ロードロック室４２の内部には、第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２を受け渡す受渡部（図示せず）が設けられる。

　搬送室４１は、ロードロック室４２のＹ軸負方向側にゲートバルブ（図示せず）を介して隣接して配置される。搬送室４１には、第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２を搬送する基板搬送装置（図示せず）が配置される。基板搬送装置は、ロードロック室４２と改質装置４０との間で第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２を搬送できる。

　第２処理ブロックＧ２の上層には、親水化装置５０、５１が、搬入出ステーション２側からこの順で水平方向のＸ軸方向に並べて配置されている。親水化装置５０、５１は、例えば純水によって基板Ｗ１、Ｗ２の接合面Ｗ１ａ、Ｗ２ａを親水化すると共に当該接合面Ｗ１ａ、Ｗ２ａを洗浄する。親水化装置５０では、例えばスピンチャック（図示せず）に保持された基板Ｗ１、Ｗ２を回転させながら、当該基板Ｗ１、Ｗ２上に純水を供給する。そうすると、供給された純水は基板Ｗ１、Ｗ２の接合面Ｗ１ａ、Ｗ２ａ上を拡散し、接合面Ｗ１ａ、Ｗ２ａが親水化される。

　第３処理ブロックＧ３には、第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２、重合基板Ｔのトランジション装置６０、６１が下から順に２段に設けられている。

　図１に示すように第１処理ブロックＧ１～第３処理ブロックＧ３に囲まれた領域には、基板搬送領域７０が形成されている。基板搬送領域７０には、例えば基板搬送装置７１が配置されている。

　基板搬送装置７１は、例えば鉛直方向、水平方向（Ｘ軸方向、Ｙ軸方向）及び鉛直軸周りに移動自在な搬送アームを有している。基板搬送装置７１は、基板搬送領域７０内を移動し、周囲の第１処理ブロックＧ１、第２処理ブロックＧ２及び第３処理ブロックＧ３内の所望の装置に第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２、重合基板Ｔを搬送できる。

　以上の接合システム１には、制御部としての制御装置８０が設けられている。制御装置８０は、例えばＣＰＵやメモリ等を備えたコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、接合システム１における基板処理を制御するプログラムが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｈから制御装置８０にインストールされたものであってもよい。また、上記記憶媒体Ｈは、一時的なものであっても非一時的なものであってもよい。

＜接合装置３０の構成＞
　次に、上述した接合装置３０の構成について説明する。図４は、接合装置３０の構成の概略を示す側面図である。図５は、接合装置３０の構成の概略を示す平面図である。

　接合装置３０は、基台１００上に各種部材が搭載された構成を有している。具体的に接合装置３０は、処理容器１１０、第１保持部１２０、及び第２保持部１３０を有している。また、接合装置３０は、処理容器１１０の周辺において、チャンバ昇降機構１４０、減圧部１５０、及びリフター１６０を有している。また、接合装置３０は、第１保持部１２０の周辺において、支持部１７０、水平移動機構１８０、鉛直移動機構１９０、及び押圧機構としてのストライカー２００を有している。以下、各構成について説明する。

（処理容器１１０及びその周辺の構成）
　先ず、処理容器１１０及びその周辺の構成について説明する。

　処理容器１１０は、内部を密閉可能な容器であり、第１保持部１２０と第２保持部１３０を収容する。処理容器１１０は２つに分割され、第１保持部１２０側（上方側）の第１チャンバ１１１、及び第２保持部１３０側（下方側）の第２チャンバ１１２を有している。第２チャンバ１１２における第１チャンバ１１１との接合面には、処理容器１１０の内部の気密性を保持するためのシール材１１３が設けられている。シール材１１３には、例えばＯリングが用いられる。そして、第１チャンバ１１１と第２チャンバ１１２を当接させることで、処理容器１１０の内部に、外部から隔離された処理空間１１０ｓが形成される。

　第１チャンバ１１１は、第１チャンバ１１１の上面に設けられた支持板１１４に支持されている。さらに支持板１１４は、チャンバ昇降機構１４０に支持されている。チャンバ昇降機構１４０は、支柱１４１と昇降部材１４２を有している。支柱１４１と昇降部材１４２はそれぞれ、支持板１１４の外周において例えば４箇所に設けられている。支柱１４１は、基台１００から鉛直上方に延伸して設けられている。昇降部材１４２は支持板１１４の外周を支持し、且つ昇降部材１４２の基端部は支柱１４１に取り付けられている。そして、昇降部材１４２は、例えばモータなどを備えた駆動部（図示せず）によって支柱１４１に沿って昇降する。かかる構成のチャンバ昇降機構１４０により、第１チャンバ１１１は昇降自在に構成されている。なお、４本の昇降部材１４２の先端部は、天板１４３に支持されている。

　なお、本実施形態では、支持板１１４の外周においてチャンバ昇降機構１４０が４つ設けられていたが、チャンバ昇降機構１４０の数はこれに限定されない。例えば支持板１１４の外周を４箇所で支持する場合、２箇所にチャンバ昇降機構１４０を設け、他の２箇所には伸縮自在のシャフトを設けてもよい。

　第２チャンバ１１２は、基台１００上に設けられた支持台１１５に支持されている。すなわち、第２チャンバ１１２は移動せず、固定されている。支持台１１５は中空に構成されている。また、第２チャンバ１１２には、処理容器１１０の処理空間１１０ｓを減圧する減圧部１５０が設けられている。減圧部１５０は、処理容器１１０に接続され当該処理容器１１０の内部の雰囲気を吸引するための吸気管１５１、及び吸気管１５１に接続された例えば真空ポンプ等の吸気装置１５２を有している。

　第２チャンバ１１２の下方には、第２保持部１３０に対して第２基板Ｗ２（又は重合基板Ｔ）を昇降させるリフター１６０が設けられる。リフター１６０は、リフターピン１６１と駆動部１６２を有している。リフターピン１６１は、例えば３本設けられている。リフターピン１６１は、駆動部１６２に接続されることで昇降可能に構成される。

（第１保持部１２０及びその周辺の構成）
　次に、第１保持部１２０及びその周辺の構成について説明する。図６及び図７は、第１保持部１２０及びその周辺の構成の断面図である。図８は、第１保持部１２０及びその周辺を上方から見た平面図である。

　第１保持部１２０は、第１基板Ｗ１を吸着保持する保持部である。第１保持部１２０の上面側には、冷却板１２１が設けられている。冷却板１２１は例えば水冷板であって、内部を冷却水が流通する。この冷却板１２１により、第１保持部１２０に保持された第１基板Ｗ１が所望温度、例えば常温に調整される。

　第１保持部１２０は、吸着領域Ｒ１～Ｒ３に区画され、当該吸着領域Ｒ１～Ｒ３毎に第１基板Ｗ１を個別に制御可能に構成されている。第１吸着領域Ｒ１は、第１保持部１２０と同心円の円形状領域である。第２吸着領域Ｒ２は、第１吸着領域Ｒ１の径方向外側の環状の領域である。第３吸着領域Ｒ３は、第２吸着領域Ｒ２の径方向外側の環状の領域である。なお、第２吸着領域Ｒ２と第３吸着領域Ｒ３はそれぞれ、本開示における第１領域と第２領域に相当する。

　第１保持部１２０は、第１基板Ｗ１を静電吸着し、すなわち静電チャックとして機能する。第１保持部１２０は、平面視において少なくとも第１基板Ｗ１より大きい径を有する誘電体部２１０を有している。

　誘電体部２１０の内部には、静電吸着部としての電極２１１～２１３が設けられている。第１電極２１１は、第１吸着領域Ｒ１に対応して設けられ、第１電源２１１ａに接続される。第１電源２１１ａから第１電極２１１に電圧を印加することによって発生する静電気力を用いて、第１保持部１２０は、第１吸着領域Ｒ１において第１基板Ｗ１を静電吸着する。第２電極２１２は、第２吸着領域Ｒ２に対応して設けられ、第２電源２１２ａに接続される。第２電源２１２ａから第２電極２１２に電圧を印加することによって発生する静電気力を用いて、第１保持部１２０は、第２吸着領域Ｒ２において第１基板Ｗ１を静電吸着する。第３電極２１３は、第３吸着領域Ｒ３に対応して設けられ、第３電源２１３ａに接続される。第３電源２１３ａから第３電極２１３に電圧を印加することによって発生する静電気力を用いて、第１保持部１２０は、第３吸着領域Ｒ３において第１基板Ｗ１を静電吸着する。以上のとおり、第１保持部１２０は、吸着領域Ｒ１～Ｒ３毎に第１基板Ｗ１を静電吸着可能に構成されている。

　また、第１保持部１２０は、第１基板Ｗ１を真空引きして吸着し、すなわち真空チャックとしても機能する。誘電体部２１０の下面には、第１基板Ｗ１の非接合面Ｗ１ｂに接触する複数のピン２１４が設けられている。複数のピン２１４は、吸着領域Ｒ１～Ｒ３に設けられている。

　また、誘電体部２１０の下面には、当該誘電体部２１０と同心円上に環状の壁部２１５～２１７が設けられている。壁部２１５～２１７は、ピン２１４と同じ高さを有し、第１基板Ｗ１の非接合面Ｗ１ｂに接触する。第１壁部２１５、第２壁部２１６、及び第３壁部２１７は、この順で径方向内側から外側に向けて配置される。上述した第１吸着領域Ｒ１は、第１壁部２１５の内側の円形状領域である。第２吸着領域Ｒ２は、第１壁部２１５と第２壁部２１６の間の環状の領域である。第３吸着領域Ｒ３は、第２壁部２１６と第３壁部２１７の間の環状の領域である。

　誘電体部２１０の下面には、第１吸着領域Ｒ１において、第１基板Ｗ１を真空引きするための第１吸引口２１８ａが形成されている。第１吸引口２１８ａは、例えば第１吸着領域Ｒ１において複数箇所に形成されている。第１吸引口２１８ａには、第１吸引管２１８ｂを介して、例えば真空ポンプ等の第１吸引装置２１８ｃが接続されている。

　誘電体部２１０の下面には、第２吸着領域Ｒ２において、第１基板Ｗ１を真空引きするための第２吸引口２１９ａが形成されている。第２吸引口２１９ａは、例えば第２吸着領域Ｒ２において複数箇所に形成されている。第２吸引口２１９ａには、第２吸引管２１９ｂを介して、例えば真空ポンプ等の第２吸引装置２１９ｃが接続されている。

　誘電体部２１０の下面には、第３吸着領域Ｒ３において、第１基板Ｗ１を真空引きするための第３吸引口２２０ａが形成されている。第３吸引口２２０ａは、例えば第３吸着領域Ｒ３において複数箇所に形成されている。第３吸引口２２０ａには、第３吸引管２２０ｂを介して、例えば真空ポンプ等の第３吸引装置２２０ｃが接続されている。

　以上のとおり、第１保持部１２０は、吸着領域Ｒ１～Ｒ３毎に第１基板Ｗ１を真空吸着可能に構成されている。

　第１保持部１２０において、誘電体部２１０の中心部には、当該誘電体部２１０を厚み方向に貫通する貫通孔２２１が形成されている。貫通孔２２１は、冷却板１２１の中心部と第１チャンバ１１１の中心部にも連続し、当該冷却板１２１と第１チャンバ１１１を厚み方向に貫通して形成される。貫通孔２２１は、第１保持部１２０に吸着保持される第１基板Ｗ１の中心部に対応している。そして貫通孔２２１には、後述するストライカー２００のシャフト２３２及びプッシャー２３３が挿通するようになっている。

　なお、本実施形態では、壁部２１５～２１７、吸引口２１８ａ～２２０ａ、吸引管２１８ｂ～２２０ｂ及び吸引装置２１８ｃ～２２０ｃが、本開示における真空吸着部を構成する。

　第１保持部１２０は、支持部１７０によって上方から吊り下げた状態で支持される。支持部１７０によって、第１保持部１２０は第１チャンバ１１１との間に隙間をあけた状態で配置される。支持部１７０は、可動板１７１と伝達シャフト１７２を有している。可動板１７１は、処理容器１１０の外部であって支持板１１４の上方に設けられている。可動板１７１の中央部は開口し、可動板１７１は円環形状を有している。

　伝達シャフト１７２は、可動板１７１の下面において、当該可動板１７１と同心円上に略均一間隔で、例えば３箇所に配置されている。各伝達シャフト１７２は、可動板１７１から鉛直下方に延伸し、支持板１１４と第１チャンバ１１１を貫通して、第１保持部１２０の冷却板１２１の上面に接続される。

　伝達シャフト１７２の外周部には、当該伝達シャフト１７２を覆うベローズ１７３が設けられている。ベローズ１７３の上端は可動板１７１の下面に接続され、ベローズ１７３の下端は支持板１１４の上面に接続される。かかるベローズ１７３により、処理容器１１０の密閉性を確保しつつ、処理容器１１０の外部から処理容器１１０の内部に設けられた第１保持部１２０を移動させることができる。

　また、支持板１１４と第１チャンバ１１１には貫通孔１７４が形成され、伝達シャフト１７２は貫通孔１７４の内部を挿通する。なお、後述するように伝達シャフト１７２は水平移動機構１８０によって水平方向に移動するため、貫通孔１７４の内径は伝達シャフト１７２の外径より十分大きい。

　可動板１７１の下面と支持板１１４の上面との間には、水平移動機構１８０が設けられている。すなわち、水平移動機構１８０は処理容器１１０の外部に設けられている。水平移動機構１８０は、可動板１７１と同心円上に略均一間隔で、例えば３箇所に配置されている。

　水平移動機構１８０には、例えばＵ軸、Ｖ軸及びＷ軸を駆動軸とするＵＶＷステージが用いられる。かかる場合、水平移動機構１８０によって、可動板１７１をＸ軸方向、Ｙ軸方向及びθ軸方向に移動させることができる。そして、可動板１７１の水平移動は、伝達シャフト１７２を介して第１保持部１２０に伝達され、当該第１保持部１２０の水平位置が調整される。なお、水平位置とは、上述したようにＸ軸方向、Ｙ軸方向及びθ軸方向の位置であり、すなわち水平方向における位置及び向きのことである。

　なお、水平移動機構１８０のＵＶＷステージには、公知のステージが用いられる。また、水平移動機構１８０の構成はこれに限定されず、例えばＸ軸、Ｙ軸及びθ軸を駆動軸とするＸＹθステージを用いてもよいし、あるいはＸＹθの駆動を一平面で行う、Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１、Ｙ２の４つの駆動軸を持つ４軸ステージを用いてもよい。

　可動板１７１の上面には、鉛直移動機構１９０が設けられている。すなわち、鉛直移動機構１９０は処理容器１１０の外部に設けられている。鉛直移動機構１９０は、可動板１７１と同心円上に略均一間隔で、例えば３箇所に配置されている。

　鉛直移動機構１９０には、例えばモータなどを備えた駆動部（図示せず）が設けられている。鉛直移動機構１９０は、伝達シャフト１７２に接続され、当該伝達シャフト１７２を昇降させる。そして、伝達シャフト１７２の昇降は第１保持部１２０に伝達され、当該第１保持部１２０の鉛直方向位置が調整される。また、３つの鉛直移動機構１９０で第１保持部１２０を昇降させることで、第１保持部１２０のチルト（水平度）が調整される。

　すなわち、鉛直移動機構１９０は、処理容器１１０の内部で第１保持部１２０を移動させる。このため、後述する離間位置Ｐ２と近接位置Ｐ３に第１保持部１２０を位置させる制御を容易に行うことができる。

　可動板１７１の中央の開口部には、ストライカー２００が挿通して設けられている。すなわち、ストライカー２００は処理容器１１０の外部に設けられている。ストライカー２００は、ソケット２３０、天板２３１、シャフト２３２、プッシャー２３３、シリンダ２３４、調整ネジ２３５、押込量管理部２３６、及び測定部２３７を有している。ストライカー２００では、ソケット２３０の上方に天板２３１が配置され、鉛直方向に延伸するシャフト２３２が天板２３１からソケット２３０を挿通して昇降自在に構成されている。

　ソケット２３０は、支持板１１４の上面中心部に係止される。ソケット２３０と支持板１１４の上面との間は、処理容器１１０の気密性を確保するために真空封止される。ソケット２３０は、さらに支持板１１４の上面から下方に延伸し、当該支持板１１４を貫通して、第１チャンバ１１１に取り付けられる。

　ソケット２３０の内部には、シャフト２３２が挿通する貫通孔２３８が形成されている。貫通孔２３８は、第１チャンバ１１１、冷却板１２１及び第１保持部１２０に形成された貫通孔２２１に連続しする位置に形成される。またソケット２３０の内部には、貫通孔２３８の周囲を囲むようにスライドブッシュ２３９と真空封止部２４０が、上方からこの順で設けられている。スライドブッシュ２３９は、シャフト２３２が昇降する際の、当該シャフト２３２の直進性を確保するために設けられる。真空封止部２４０は、貫通孔２３８、２２１を介して処理容器１１０の気密性を確保するために設けられる。

　シャフト２３２は、上端が天板２３１に取り付けられ、貫通孔２３８、２２１を挿通する。シャフト２３２の下端には、プッシャー２３３が設けられている。プッシャー２３３は、第１保持部１２０に保持された第１基板Ｗ１の非接合面Ｗ１ｂの中心部に接触する。プッシャー２３３の先端は球形状を有し、すなわち非接合面Ｗ１ｂの中心部に一点で接触する。

　シリンダ２３４は、ソケット２３０と天板２３１の間に設けられる。シリンダ２３４は、天板２３１を介して、シャフト２３２を駆動させる。すなわち、このシリンダ２３４の駆動圧を調整することで、ストライカー２００（シャフト２３２）の押込力を調整する。なお、シリンダ２３４の構成は任意であり、例えば油圧シリンダを用いてもよいし、エアシリンダ（空圧シリンダ）を用いてもよい。

　調整ネジ２３５は、ソケット２３０と天板２３１の間に設けられ、さらに天板２３１から突出して設けられる。調整ネジ２３５は、天板２３１を介して、ストライカー２００による第１基板Ｗ１の押込量を調整する。第１基板Ｗ１の押込量は、第１保持部１２０からのシャフト２３２の飛出量と同じである。

　押込量管理部２３６は、ソケット２３０と天板２３１の間に設けられる。押込量管理部２３６は、ストライカー２００が第１基板Ｗ１を押し込む量を管理する。

　測定部２３７は、押込量管理部２３６と同軸上に、天板２３１から突出して設けられる。測定部２３７は、ストライカー２００による第１基板Ｗ１の押込量を測定する。なお、測定部２３７の構成は任意であるが、例えば接触式の変位計が用いられる。

　ストライカー２００は、以上のように構成されており、シャフト２３２を下降させて、プッシャー２３３を第１基板Ｗ１の中心部に接触させ、後述するように第１基板Ｗ１の中心部を第２基板Ｗ２の中心部に押圧する。

（第２保持部１３０及びその周辺の構成）
　次に、第２保持部１３０及びその周辺の構成について説明する。図９及び図１０は、第２保持部１３０及びその周辺の構成の断面図である。

　第２保持部１３０は、第２基板Ｗ２を吸着保持する保持部である。第２保持部１３０は、第１保持部１２０に対して鉛直方向に対向配置され、第２チャンバ１１２の中央部に載置して設けられている。なお、上述した減圧部１５０の吸気管１５１は、平面視において第２保持部１３０の外側で、第２チャンバ１１２に接続されている。

　第２保持部１３０の下面側には、冷却板１３１が設けられている。冷却板１３１は例えば水冷板であって、内部を冷却水が流通する。この冷却板１３１により、第２保持部１３０に保持された第２基板Ｗ２が所望温度、例えば常温に調整される。

　第２保持部１３０は、吸着領域Ｒ４、Ｒ５に区画され、当該吸着領域Ｒ４、Ｒ５毎に第２基板Ｗ２を個別に制御可能に構成されている。第４吸着領域Ｒ４は、第２保持部１３０と同心円の円形状領域である。第５吸着領域Ｒ５は、第４吸着領域Ｒ４の径方向外側の環状の領域である。

　第２保持部１３０は、第２基板Ｗ２を静電吸着し、すなわち静電チャックとして機能する。第２保持部１３０は、平面視において少なくとも第２基板Ｗ２より大きい径を有する誘電体部２５０を有している。

　誘電体部２５０の内部には、静電吸着部としての電極２５１、２５２が設けられている。第４電極２５１は、第４吸着領域Ｒ４に対応して設けられ、第４電源２５１ａに接続される。第４電源２５１ａから第４電極２５１に電圧を印加することによって発生する静電気力を用いて、第２保持部１３０は、第４吸着領域Ｒ４において第２基板Ｗ２を静電吸着する。第５電極２５２は、第５吸着領域Ｒ５に対応して設けられ、第５電源２５２ａに接続される。第５電源２５２ａから第５電極２５２に電圧を印加することによって発生する静電気力を用いて、第２保持部１３０は、第５吸着領域Ｒ５において第２基板Ｗ２を静電吸着する。以上のとおり、第２保持部１３０は、吸着領域Ｒ４、Ｒ５毎に第２基板Ｗ２を静電吸着可能に構成されている。

　また、第２保持部１３０は、第２基板Ｗ２を真空引きして吸着し、すなわち真空チャックとしても機能する。誘電体部２５０の上面には、第２基板Ｗ２の非接合面Ｗ２ｂに接触する複数のピン２５３が設けられている。複数のピン２５３は、吸着領域Ｒ４～Ｒ５に設けられている。

　また、誘電体部２５０の下面には、当該誘電体部２５０と同心円上に環状の壁部２５４、２５５が設けられている。壁部２５４、２５５は、ピン２５３と同じ高さを有し、第２基板Ｗ２の非接合面Ｗ２ｂに接触する。第１壁部２５４は径方向内側に配置され、第２壁部２５５は径方向外側に配置される。上述した第４吸着領域Ｒ４は、第１壁部２５４の内側の円形状領域である。第５吸着領域Ｒ５は、第１壁部２５４と第２壁部２５５の間の環状の領域である。

　誘電体部２５０の上面には、第４吸着領域Ｒ４において、第２基板Ｗ２を真空引きするための第４吸引口２５６ａが形成されている。第４吸引口２５６ａは、例えば第４吸着領域Ｒ４において複数箇所に形成されている。第４吸引口２５６ａには、第４吸引管２５６ｂを介して、例えば真空ポンプ等の第４吸引装置２５６ｃが接続されている。

　誘電体部２５０の上面には、第５吸着領域Ｒ５において、第２基板Ｗ２を真空引きするための第５吸引口２５７ａが形成されている。第５吸引口２５７ａは、例えば第５吸着領域Ｒ５において複数箇所に形成されている。第５吸引口２５７ａには、第５吸引管２５７ｂを介して、例えば真空ポンプ等の第５吸引装置２５７ｃが接続されている。

　以上のとおり、第２保持部１３０は、吸着領域Ｒ４、Ｒ５毎に第２基板Ｗ２を真空吸着可能に構成されている。

　第２保持部１３０において、誘電体部２５０の中心部には、当該誘電体部２５０を厚み方向に貫通する貫通孔２５８が形成されている。貫通孔２５８は、冷却板１３１及び第２チャンバ１１２にも連続し、当該冷却板１３１及び第２チャンバ１１２を厚み方向に貫通して形成される。そして貫通孔２５８には、リフターピン１６１が挿通するようになっている。

　以上のように、第１保持部１２０は吸着領域Ｒ１～Ｒ３毎に第１基板を静電吸着でき、また真空吸着もできる。また、第２保持部１３０は吸着領域Ｒ４、Ｒ５毎に第２基板Ｗ２を静電吸着でき、また真空吸着もできる。すなわち、接合装置３０は、減圧雰囲気下又は大気雰囲気下のいずれの場合でも、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２の接合処理を行うことが可能である。以下、第１実施形態として減圧雰囲気下での接合処理について説明し、第２実施形態として大気雰囲気下での接合処理について説明する。

＜第１実施形態の接合処理＞
　第１実施形態にかかる減圧雰囲気下での第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２の接合処理について説明する。図１１は、接合処理の主な工程を示すフロー図である。

　先ず、複数枚の第１基板Ｗ１を収容したカセットＣｗ１、複数枚の第２基板Ｗ２を収容したカセットＣｗ２、及び空のカセットＣｔが、搬入出ステーション２の所望のカセット載置板１１に載置される。その後、基板搬送装置２２によりカセットＣｗ１内の第１基板Ｗ１が取り出され、処理ステーション３の第３処理ブロックＧ３のトランジション装置６０に搬送される。

　次に第１基板Ｗ１は、基板搬送装置７１によって第２処理ブロックＧ２のロードロック室４２に搬送される。その後、ロードロック室４２内が密閉され、減圧される。続いて、第１基板Ｗ１は、搬送室４１の基板搬送装置によって改質装置４０に搬送される。

　改質装置４０では、所望の減圧雰囲気下において、処理ガスである酸素ガス又は窒素ガスが励起されてプラズマ化され、イオン化される。この酸素イオン又は窒素イオンが第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ａに照射されて、当該接合面Ｗ１ａがプラズマ処理される。そして、第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ａが改質される（図１１のステップＡ１）。

　次に第１基板Ｗ１は、搬送室４１の基板搬送装置によってロードロック室４２に搬送される。その後、ロードロック室４２内が密閉され、大気開放される。続いて、第１基板Ｗ１は、基板搬送装置７１によって親水化装置５０に搬送される。

　親水化装置５０では、スピンチャックに保持された第１基板Ｗ１を回転させながら、当該第１基板Ｗ１上に純水を供給する。そうすると、供給された純水は第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ａ上を拡散し、改質装置４０において改質された第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ａに水酸基（シラノール基）が付着して当該接合面Ｗ１ａが親水化される。また、当該純水によって、第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ａが洗浄される（図１１のステップＡ２）。

　次に第１基板Ｗ１は、オリフラ又はノッチの位置を調整することで、第１基板Ｗ１の水平方向の向きが調整される。また、第１基板Ｗ１の表裏が反転され、第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ａが下方に向けられる。なお、この第１基板Ｗ１の水平方向の向き調整と表裏反転は、接合システム１に設けられた装置（図示せず）で行われる。

　次に第１基板Ｗ１は、基板搬送装置７１によって第１処理ブロックＧ１の接合装置３０に搬送される。この際、図１２に示すようにチャンバ昇降機構１４０によって第１チャンバ１１１と第２チャンバ１１２は離間し、処理容器１１０は開放されている。第１基板Ｗ１は、接合面Ｗ１ａが下方に向けられた状態で、第１保持部１２０に受け渡され吸着保持される（図１１のステップＡ３）。ステップＡ３では、第１基板Ｗ１の全面が第１保持部１２０に静電吸着される。すなわち、電源２１１ａ～２１３ａから電極２１１～２１３に電圧が印加され、吸着領域Ｒ１～Ｒ３における第１基板Ｗ１が静電吸着される。なお、ステップＡ３における第１保持部１２０及び第１基板Ｗ１の鉛直方向位置を待機位置Ｐ１という。

　第１基板Ｗ１に上述したステップＡ１～Ａ３の処理が行われている間、当該第１基板Ｗ１に続いて第２基板Ｗ２の処理が行われる。先ず、基板搬送装置２２によりカセットＣｗ２内の第２基板Ｗ２が取り出され、処理ステーション３のトランジション装置６０に搬送される。

　次に第２基板Ｗ２は、基板搬送装置７１によってロードロック室４２に搬送され、さらに搬送室４１の基板搬送装置によって改質装置４０に搬送される。改質装置４０では、第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ａが改質される（図１１のステップＡ４）。なお、ステップＡ４における第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ａの改質は、上述したステップＡ１と同様である。

　次に第２基板Ｗ２は、搬送室４１の基板搬送装置によってロードロック室４２に搬送され、さらに基板搬送装置７１によって親水化装置５０に搬送される。親水化装置５０では、第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ａが親水化される共に当該接合面Ｗ２ａが洗浄される（図１１のステップＡ５）。なお、ステップＡ５における第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ａの親水化及び洗浄は、上述したステップＡ２と同様である。

　次に第２基板Ｗ２は、オリフラ又はノッチの位置を調整することで、第１基板Ｗ１の水平方向の向きが調整される。なお、この第２基板Ｗ２の水平方向の向き調整と表裏反転は、接合システム１に設けられた装置（図示せず）で行われる。

　次に第２基板Ｗ２は、基板搬送装置７１によって接合装置３０に搬送される。接合装置３０に搬入された第２基板Ｗ２は、接合面Ｗ２ａが上方に向けられた状態で、予め第２保持部１３０より上方に待機しているリフターピン１６１に受け渡される。続いて、リフターピン１６１を下降させ、図１２に示すように第２基板Ｗ２は、第２保持部１３０に吸着保持される（図１１のステップＡ６）。ステップＡ６では、第２基板Ｗ２の全面が第２保持部１３０に静電吸着される。すなわち、電源２５１ａ、２５２ａから電極２５１、２５２に電圧が印加され、吸着領域Ｒ４、Ｒ５における第１基板Ｗ１が静電吸着される。

　次に、第１保持部１２０に保持された第１基板Ｗ１と第２保持部１３０に保持された第２基板Ｗ２の水平方向位置を調整する。位置調整の方法は任意である。例えば第１保持部１２０と第２保持部１３０に基準マークを形成し、当該基準マークの撮像画像に基づいて、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２の水平方向位置を調整してもよい。

　次に、処理容器１１０を密閉して、当該処理容器１１０の内部を所望の真空度（減圧雰囲気）まで減圧する（図１１のステップＡ７）。ステップＡ７では、図１３に示すように、チャンバ昇降機構１４０によって第１チャンバ１１１を下降させ、第１チャンバ１１１と第２チャンバ１１２を当接させる。そして、処理容器１１０の内部に密閉空間である処理空間１１０ｓが形成される。この際、第１基板Ｗ１は第２基板Ｗ２から離間して配置される。この第１保持部１２０及び第１基板Ｗ１の鉛直方向位置を離間位置Ｐ２という。その後、減圧部１５０の吸気装置１５２を作動させ、処理容器１１０の内部を減圧する。これにより、処理容器１１０の内部は、例えば１Ｐａ以下の所望の真空度の減圧雰囲気に維持される。

　次に、図１４に示すように鉛直移動機構１９０を用いて第１保持部１２０を下降させ、第１基板Ｗ１を第２基板Ｗ２に近接させる（図１１のステップＡ８）。ステップＡ８における第１保持部１２０及び第１基板Ｗ１の鉛直方向位置を近接位置Ｐ３という。この近接位置Ｐ３は、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２を接合する接合処理位置であり、当該第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２の間が所望のクリアランスに維持される。

　次に、図１５に示すようにストライカー２００のシャフト２３２とプッシャー２３３を下降させる。そしてストライカー２００によって、第１基板Ｗ１の中心部を押圧して下降させ、当該第１基板Ｗ１の中心部と第２基板Ｗ２の中心部を接触させて押圧する（図１１のステップＡ９）。

　ステップＡ９では、第１電源２１１ａから第１電極２１１への電圧の印加を停止して、第１吸着領域Ｒ１における第１基板Ｗ１の静電吸着を停止する。また、電源２１２ａ、２１３ａから電極２１２、２１３への電圧の印加を継続し、吸着領域Ｒ２、Ｒ３で第１基板Ｗ１を静電吸着する。

　第１基板Ｗ１の中心部と第２基板Ｗ２の中心部を接触させて押圧すると、当該中心部の間で接合が開始する。すなわち、第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ａと第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ａはそれぞれステップＡ１、Ａ４において改質されているため、先ず、接合面Ｗ１ａ、Ｗ２ａ間にファンデルワールス力（分子間力）が生じ、当該接合面Ｗ１ａ、Ｗ２ａ同士が接合される。さらに、第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ａと第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ａはそれぞれステップＡ２、Ａ５において親水化されているため、接合面Ｗ１ａ、Ｗ２ａ間の親水基が水素結合し（分子間力）、接合面Ｗ１ａ、Ｗ２ａ同士が接合される。このようにして、接合領域Ｊが形成される。

　次に、図１６に示すように第２電源２１２ａから第２電極２１２への電圧の印加を停止して、第２吸着領域Ｒ２における第１基板Ｗ１の静電吸着を停止する。そうすると、第２吸着領域Ｒ２から第１基板Ｗ１が落下し、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２の間で中心部から外周部に向けて接合領域Ｊが拡大する（図１１のステップＡ１０）。この際、図１７に示すように接合領域Ｊが中心部から放射状に拡大するので、接合領域Ｊは基板面内で均一に拡大する。

　次に、図１８に示すように第３電源２１３ａから第３電極２１３への電圧の印加を停止して、第３吸着領域Ｒ３における第１基板Ｗ１の静電吸着を停止する。そうすると、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２の全面に接合領域Ｊが拡大し、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２が接合される（図１１のステップＡ１１）。このように吸着領域Ｒ１～Ｒ３における第１基板Ｗ１の静電吸着をこの順で順次停止するので、接合領域Ｊを制御して、接合速度を制御することができる。こうして、重合基板Ｔが形成される。

　次に、鉛直移動機構１９０を用いて第１保持部１２０を上昇させて離間位置Ｐ２に配置し、第１保持部１２０から第１基板Ｗ１を離脱させる（図１１のステップＡ１２）。離間位置Ｐ２は図１３に示した位置である。またこの際、ストライカー２００のシャフト２３２とプッシャー２３３を上昇させ、第１基板Ｗ１の中心部の押圧を停止する。

　次に、処理容器１１０を開放し、当該処理容器１１０の内部を大気圧にする（図１２のステップＡ１３）。ステップＡ１２では、図１９に示すように、チャンバ昇降機構１４０によって第１チャンバ１１１を上昇させ、処理容器１１０を開放する。この際、鉛直移動機構１９０によって第１保持部１２０も上昇させる。すなわち、第１保持部１２０は、図１２に示した待機位置Ｐ１と同じ待機位置Ｐ１に配置される。

　次に、電源２５１ａ、２５２ａから電極２５１、２５２への電圧の印加を停止して、吸着領域Ｒ４、Ｒ５における第２基板Ｗ２（重合基板Ｔ）の静電吸着を停止する。続いて、リフターピン１６１によって重合基板Ｔを第２保持部１３０から上昇させる。その後、重合基板Ｔがリフターピン１６１から基板搬送装置７１に受け渡され、接合装置３０から搬出される。

　次に重合基板Ｔは、基板搬送装置７１によってトランジション装置６１に搬送され、その後搬入出ステーション２の基板搬送装置２２によって所望のカセット載置板１１のカセットＣｔに搬送される。こうして、一連の基板Ｗ１、Ｗ２の接合処理が終了する。

　以上の実施形態によれば、第１保持部１２０と第２保持部１３０は静電チャックとして機能する。このため、減圧雰囲気下で接合処理を行う場合でも、ステップＡ３において第１保持部１２０で第１基板Ｗ１を適切に静電吸着することができ、またステップＡ６において第２保持部１３０で第２基板Ｗ２を適切に静電吸着することができる。したがって、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２の位置ずれを抑制して所望の位置に配置することができ、その結果、当該第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２を適切に接合することができる。

　また、ステップＡ９において、ストライカー２００を用いて第１基板Ｗ１の中心部と第２基板Ｗ２の中心部を接触させて押圧する。そして、後続のステップＡ１０、Ａ１１における接合処理は、第１基板Ｗ１の中心部と第２基板Ｗ２の中心部が接触して押圧された状態で行われる。したがって、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２の位置ずれを抑制して適切に接合することができる。

　ここで、種々の要因で第１保持部と第２保持部が歪むと、第１基板と第２基板もこの歪みの影響を受ける。そして、例えば従来のように、第１基板と第２基板を面接触させて接合する場合、第１基板と第２基板が歪みの影響を受けて、接触位置が変動してしまう。この点、本実施形態のステップＡ９では、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２が所望のクリアランスで配置された状態で、第１基板Ｗ１の中心部と第２基板Ｗ２の中心部が接触するので、上述した歪みの影響を受けない。したがって、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２を適切に接合することができる。

　また、第１保持部１２０は吸着領域Ｒ１～Ｒ３毎に第１基板Ｗ１を静電吸着可能に構成されているので、各吸着領域Ｒ１～Ｒ３における第１基板Ｗ１の撓みを任意に制御することができる。そして、ステップＡ９～Ａ１１において、吸着領域Ｒ１～Ｒ３における第１基板Ｗ１の静電吸着をこの順で順次停止するので、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２を適切に接合することができる。

　また、ステップＡ９において第１基板Ｗ１の中心部と第２基板Ｗ２の中心部が接触し、すなわち、初期接触位置が固定される。したがって、接合対象の基板間差、例えば基板の撓み等による接合ずれを抑制することができる。

　ここで仮に、ステップＡ１３において処理容器１１０を大気開放する際、図２０に示すように第１保持部１２０と第１基板Ｗ１の距離が小さい場合、接合ずれが生じるおそれがある。処理空間１１０ｓが減圧雰囲気下では、処理容器１１０の外部の大気圧と内部の真空圧で均衡が取れていた。しかしながら、処理容器１１０を大気開放すると内部圧力が上昇して変動するので、処理容器１１０が歪む場合がある。また、伝達シャフト１７２は処理容器１１０の内部の第１保持部１２０に接続され、処理容器１１０の外部まで延伸するので、第１チャンバ１１１の天板が歪むと、その歪みが伝達シャフト１７２を介して第１保持部１２０に伝わる。一方、第１保持部１２０は第１基板Ｗ１を静電吸着するため、第１保持部１２０から第１基板Ｗ１を離脱させた後も、当該第１保持部１２０には電荷が残る。そうすると、残留吸着力の影響で第１基板Ｗ１は第１保持部１２０の挙動に追従し、上述した処理容器１１０の歪みの影響が第１基板Ｗ１に伝達され、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２に接合ずれが生じるおそれがある。

　また仮に、ステップＡ１３において処理容器１１０を大気開放する際、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２が接触した状態の場合、第１保持部１２０に吸着保持された第１基板Ｗ１に上述した処理容器１１０の歪みの影響が第１基板Ｗ１に伝達される。かかる場合でも、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２に接合ずれが生じるおそれがある。

　この点、本実施形態によれば、ステップＡ１３において処理容器１１０を大気開放する前に、ステップＡ１２において第１保持部１２０を上昇させて離間位置Ｐ２に配置し、第１保持部１２０から第１基板Ｗ１を離脱させる。かかる場合、第１基板Ｗ１は上述した大気開放による影響を受けないので、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２に接合ずれを抑制することができる。

　なお、離間位置Ｐ２は任意に設定できる。例えば第１基板Ｗ１が第１保持部１２０の残留吸着力の影響を受けない範囲に離間位置Ｐ２は設定される。一例として、第１保持部１２０と第１基板Ｗ１の距離は５０μｍ以上である。

（第１実施形態の変形例）
　次に、第１実施形態の減圧雰囲気下での接合処理の変形例について説明する。

　例えば図２１に示すように、ステップＡ９において第２電源２１２ａから第２電極２１２に印加される電圧を、第３電源２１３ａから第３電極２１３に印加される電圧を小さくしてもよい。かかる場合、第２吸着領域Ｒ２における第１基板Ｗ１の吸着力が、第３吸着領域Ｒ３における第１基板Ｗ１の吸着力より小さくなる。そうすると、ストライカー２００によって当該第１基板Ｗ１の中心部と第２基板Ｗ２の中心部を接触させて押圧する際、第１基板Ｗ１の撓みを小さくすることができ、第１基板Ｗ１にかかる負荷を低減することができる。

　上記実施形態では、吸着領域Ｒ１～Ｒ３毎の第１基板Ｗ１の吸着制御は、電極２１１～２１３を用いた静電吸着で行ったが、真空吸着で行ってもよい。かかる場合、ステップＡ３では吸引装置２１８ｃ～２２０ｃを作動させて吸引口２１８ａ～２２０ａから第１基板Ｗ１を真空引きし、吸着領域Ｒ１～Ｒ３における第１基板Ｗ１が真空吸着される。また、ステップＡ６では吸引装置２５６ｃ、２５７ｃを作動させて吸引口２５６ａ、２５７ａから第２基板Ｗ２を真空引きし、吸着領域Ｒ４、Ｒ５における第２基板Ｗ２が真空吸着される。

　ステップＡ９では、図２２に示すように第１吸引装置２１８ｃの動作を停止して第１吸引口２１８ａからの真空引きを停止し、第１吸着領域Ｒ１における第１基板Ｗ１の真空吸着を停止する。ステップＡ１０では、図２３に示すように第２吸引装置２１９ｃの動作を停止して第２吸引口２１９ａからの真空引きを停止し、第２吸着領域Ｒ２における第１基板Ｗ１の真空吸着を停止する。ステップＡ１１では、図２４に示すように第３吸引装置２２０ｃの動作を停止して第３吸引口２２０ａからの真空引きを停止し、第３吸着領域Ｒ３における第１基板Ｗ１の真空吸着を停止する。かかる場合、第１基板Ｗ１の吸着制御を静電吸着で行う場合と同様に、吸着領域Ｒ１～Ｒ３における第１基板Ｗ１の真空吸着をこの順で順次停止するので、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２を適切に接合することができる。しかも、真空吸着は応答性が良いため、吸着領域Ｒ１～Ｒ３毎の第１基板Ｗ１の吸着制御をより適切に行うことができる。

　なお、本実施形態のように吸着領域Ｒ１～Ｒ３毎の第１基板Ｗ１の吸着制御を真空吸着で行う場合、吸引装置２１８ｃ～２２０ｃ、２５６ｃ、２５７ｃによる真空圧力は、処理容器１１０の内部圧力より低く設定する。そうすると、真空圧力と内部圧力の差圧によって、吸引装置２１８ｃ～２２０ｃ、２５６ｃ、２５７ｃは基板Ｗ１、Ｗ２を真空引き可能になる。

　上記実施形態では、吸着領域Ｒ１～Ｒ３毎の第１基板Ｗ１の吸着制御は、静電吸着又は真空吸着で行ったが、これら両方を用いて行ってもよい。例えば、ステップＡ３、Ａ６における基板Ｗ１、Ｗ２の全面吸着保持を静電吸着と真空吸着の両方で行い、ステップＡ９～Ａ１０における吸着領域Ｒ１～Ｒ３毎の第１基板Ｗ１の吸着制御を静電吸着又は真空吸着のいずれかで行ってもよい。

＜第２実施形態の接合処理＞
　第２実施形態にかかる大気雰囲気下での第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２の接合処理について説明する。図２５は、接合処理の主な工程を示すフロー図である。

　先ず、第１基板Ｗ１に対して、接合面Ｗ１ａの改質（図２５のステップＢ１）と、接合面Ｗ１ａの親水化及び洗浄（図２５のステップＢ２）とを行う。これらステップＢ１、Ｂ２は、上記第１実施形態のステップＡ１、Ａ２と同様である。

　次に、接合装置３０において第１保持部１２０で第１基板Ｗ１の全面が真空吸着される（図２５のステップＢ３）。ステップＢ３では、吸引装置２１８ｃ～２２０ｃを作動させて吸引口２１８ａ～２２０ａから第１基板Ｗ１を真空引きし、吸着領域Ｒ１～Ｒ３における第１基板Ｗ１が真空吸着される。なお、ステップＢ３における第１保持部１２０及び第１基板Ｗ１の鉛直方向位置は、図１２に示した待機位置Ｐ１である。

　第１基板Ｗ１に上述したステップＢ１～Ｂ３の処理が行われている間、当該第１基板Ｗ１に続いて第２基板Ｗ２の処理が行われる。先ず、接合面Ｗ２ａの改質（図２５のステップＢ４）と、接合面Ｗ２ａの親水化及び洗浄（図２５のステップＢ５）とを行う。これらステップＢ４、Ｂ５は、上記第１実施形態のステップＡ４、Ａ５と同様である。

　次に、接合装置３０において第２保持部１３０で第２基板Ｗ２の全面が真空吸着される（図２５のステップＢ６）。ステップＢ６では、吸引装置２５６ｃ、２５７ｃを作動させて吸引口２５６ａ、２５７ａから第２基板Ｗ２を真空引きし、吸着領域Ｒ４、Ｒ５における第２基板Ｗ２が真空吸着される。

　次に、処理容器１１０を密閉する。チャンバ昇降機構１４０によって第１チャンバ１１１を下降させ、第１チャンバ１１１と第２チャンバ１１２を当接させる。そして、処理容器１１０の内部に密閉空間である処理空間１１０ｓが形成される。この際、吸気装置１５２を作動させず、処理容器１１０の内部は大気雰囲気に維持される。また、第１基板Ｗ１は第２基板Ｗ２から離間して配置され、第１保持部１２０及び第１基板Ｗ１は、図１３に示した離間位置Ｐ２に配置される（図２５のステップＢ７）。

　次に、鉛直移動機構１９０を用いて第１保持部１２０を下降させ、第１基板Ｗ１を第２基板Ｗ２に近接させる（図２５のステップＢ８）。ステップＢ８における第１保持部１２０及び第１基板Ｗ１の鉛直方向位置は、図１４に示した近接位置Ｐ３である。なお、ステップＢ８は、上記第１実施形態のステップＡ８と同様である。

　次に、ストライカー２００によって第１基板Ｗ１の中心部と第２基板Ｗ２の中心部を接触させて押圧する（図２５のステップＢ９）。ステップＢ９では、第１吸引装置２１８ｃの動作を停止して、第１吸着領域Ｒ１における第１基板Ｗ１の真空吸着を停止する。また、吸引装置２１９ｃ、２２０ｃの作動を継続し、吸着領域Ｒ２、Ｒ３で第１基板Ｗ１を真空吸着する。そして、上記第１実施形態のステップＡ９と同様に、図２２に示したように第１基板Ｗ１の中心部と第２基板Ｗ２の中心部が接合され、接合領域Ｊが形成される。

　次に、第２吸引装置２１９ｃの動作を停止して、第２吸着領域Ｒ２における第１基板Ｗ１の真空吸着を停止する。そして、上記第１実施形態のステップＡ１０と同様に、図２３に示したように第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２の間で中心部から外周部に向けて接合領域Ｊが拡大する（図２５のステップＢ１０）。

　次に、第３吸引装置２２０ｃの動作を停止して、第３吸着領域Ｒ３における第１基板Ｗ１の真空吸着を停止する。そして、上記第１実施形態のステップＡ１１と同様に、図２４に示したように第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２の全面に接合領域Ｊが拡大し、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２が接合される（図２５のステップＢ１１）。

　次に、チャンバ昇降機構１４０によって第１チャンバ１１１を上昇させ、処理容器１１０を開放する（図２５のステップＢ１２）。この際、上記第１実施形態のステップＡ１３と同様に、図１９に示したように鉛直移動機構１９０によって第１保持部１２０も上昇させ、待機位置Ｐ１に配置する。

　次に、吸引装置２５６ｃ、２５７ｃの動作を停止して、吸着領域Ｒ４、Ｒ５における第２基板Ｗ２（重合基板Ｔ）の真空吸着を停止する。続いて、リフターピン１６１によって重合基板Ｔを第２保持部１３０から上昇させる。その後、重合基板Ｔがリフターピン１６１から基板搬送装置７１に受け渡され、接合装置３０から搬出される。

　次に重合基板Ｔは、基板搬送装置７１によってトランジション装置６１に搬送され、その後搬入出ステーション２の基板搬送装置２２によって所望のカセット載置板１１のカセットＣｔに搬送される。こうして、一連の基板Ｗ１、Ｗ２の接合処理が終了する。

　本実施形態でも、上記第１実施形態と同様の効果を享受することができる。すなわち、第１保持部１２０と第２保持部１３０は真空チャックとして機能する。このため、大気雰囲気下で接合処理を行う場合でも、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２を適切に接合することができる。

（第２実施形態の変形例）
　次に、第２実施形態の大気雰囲気下での接合処理の変形例について説明する。

　例えば図２６に示すように、ステップＢ９において第２吸引装置２１９ｃによる第１基板Ｗ１の吸引力を、第３吸引装置２２０ｃによる第１基板Ｗ１の吸引力を小さくしてもよい。かかる場合、第２吸着領域Ｒ２における第１基板Ｗ１の吸着力が、第３吸着領域Ｒ３における第１基板Ｗ１の吸着力より小さくなる。そうすると、ストライカー２００によって当該第１基板Ｗ１の中心部と第２基板Ｗ２の中心部を接触させて押圧する際、第１基板Ｗ１の撓みを小さくすることができ、第１基板Ｗ１にかかる負荷を低減することができる。

　上記実施形態では、吸着領域Ｒ１～Ｒ３毎の第１基板Ｗ１の吸着制御は真空吸着で行ったが、静電吸着で行ってもよいし、あるいは真空吸着と静電吸着の両方で行ってもよい。

＜他の実施形態＞
　以上の第１実施形態及び第２実施形態では、ストライカー２００が第１保持部１２０を鉛直下方に押圧する例について説明したが、ストライカー２００は第２保持部１３０を鉛直上方に押圧してもよい。

　また、以上の第１実施形態及び第２実施形態では、第１保持部１２０が上方で第２保持部１３０が下方に配置された例について説明したが、これら第１保持部１２０と第２保持部１３０の配置を上下反対にしてもよい。さらに、以上の第１実施形態及び第２実施形態では、第１保持部１２０が鉛直方向に移動可能に構成されていたが、第２保持部１３０が鉛直方向に移動自在であってもよい。かかる場合、鉛直移動機構１９０は第２保持部１３０に設けられる。あるいは、第１保持部１２０と第２保持部１３０の両方が鉛直方向に移動自在であってもよい。

＜他の実施形態＞
　以上の第１実施形態及び第２実施形態では、押圧機構としてストライカー２００を用いたが、押圧機構の構成はこれに限定されない。

　例えば図２７に示すように押圧機構３００は、加圧部としての給気装置３０１と、給気装置３０１に接続される給気管３０２とを有している。また、第２保持部１３０の内部の中心部には、ガス空間３０３が形成されている。ガス空間３０３の下面中心部には、給気管３０２が接続されている。かかる場合、給気装置３０１から給気管３０２を介してガス空間３０３にガスが供給されると、当該ガス空間３０３の中心部が上方に突出するように膨張する。そうすると、第２保持部１３０の上面（基板保持面）の中心部が上方に突出する。

　また、例えば図２８に示すように押圧機構３１０は、シャフト３１１と、シャフト３１１に接続される加圧部としての駆動部３１２とを有している。シャフト３１１は鉛直方向に延伸し、第２保持部１３０の下面中心部に当接する。かかる場合、駆動部３１２によってシャフト３１１を上昇させることで、第２保持部１３０の下面中心部に外力が付加され、第２保持部１３０全体が変形する。そうすると、第２保持部１３０の上面（基板保持面）の中心部が上方に突出する。

　また、例えば図２９に示すように押圧機構３２０は、シャフト３２１と、シャフト３２１に接続される加圧部としての駆動部３２２とを有している。また、第２保持部１３０の内部の中心部には、切断面３２３が形成されている。切断面３２３は、第２保持部１３０を上部保持部１３０ａと下部保持部１３０ｂに分割する。なお、切断面３２３は第２保持部１３０を完全に分割するものではなく、上部保持部１３０ａと下部保持部１３０ｂは外周で繋がっている。また、下部保持部１３０ｂの中心部には、シャフト３２１が挿通する貫通孔３２４が形成されている。シャフト３２１は鉛直方向に延伸し、上部保持部１３０ａの下面中心部に当接する。かかる場合、駆動部３２２によってシャフト３２１を上昇させることで、上部保持部１３０ａの下面中心部に外力が付加され、上部保持部１３０ａが変形する。そうすると、第２保持部１３０の上面（基板保持面）の中心部が上方に突出する。

　かかる場合、上記実施形態のステップＡ９、Ｂ９において、押圧機構３００、３１０、３２０によって、第２基板Ｗ２の中心部を押圧して上昇させ、当該第２基板Ｗ２の中心部と第１基板Ｗ１の中心部を接触させて押圧する。なお、第２基板Ｗ２の中心部の変形度合いは特に限定されるものではないが、少なくとも第２基板Ｗ２の中心部と第１基板Ｗ１の中心部が接触すればよい。そして本実施形態においても、上記実施形態と同様の効果を享受することができる。

　なお、図２７に示した例においては、ガス空間３０３を緩やかに変形させて、第２保持部１３０の上面は側面視において均一なプロファイルで変形する。しかも、構成が簡易的であるため、押圧機構３１０の導入が容易である。また、図２８及び図２９に示した例においては、シャフト３１１、３２１で第２保持部１３０の一点を変形させ、第２保持部１３０の上面を局所的に変形させることができる。またこれにより、第２保持部１３０の加工差に応じて、第２保持部１３０の変形箇所を調整することも可能となる。

　なお、図２７～図２９に示したいずれの実施形態においても、第２保持部１３０は本開示における第１保持部に相当し、第２基板Ｗ２は第１基板に相当する。

　以上の第１実施形態及び第２実施形態では、押圧機構３００、３１０、３２０が第２保持部１３０を鉛直上方に押圧する例について説明したが、押圧機構３００、３１０、３２０は第１保持部１２０を鉛直下方に押圧してもよい。

　以上の実施形態では、押圧機構として、ストライカー２００又は押圧機構３００、３１０、３２０のいずれかを設けたが、ストライカー２００と、押圧機構３００、３１０、３２０のいずれかとを両方設けてもよい。

　今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。例えば、上記実施形態の構成要件は任意に組み合わせることができる。当該任意の組み合せからは、組み合わせにかかるそれぞれの構成要件についての作用及び効果が当然に得られるとともに、本明細書の記載から当業者には明らかな他の作用及び他の効果が得られる。

　また、本明細書に記載された効果は、あくまで説明的または例示的なものであって限定的ではない。つまり、本開示に係る技術は、上記の効果とともに、又は、上記の効果に代えて、本明細書の記載から当業者には明らかな他の効果を奏しうる。

　なお、以下のような構成例も本開示の技術的範囲に属する。
（１）第１基板と第２基板を接合する接合装置であって、
前記第１基板を吸着保持する第１保持部と、
前記第１保持部と対向する位置に配置され、前記第２基板を吸着保持する第２保持部と、
前記第１保持部と前記第２保持部とを収容し、外部から隔離された処理空間を形成する処理容器と、
前記第１保持部に保持された前記第１基板と前記第２保持部に保持された前記第２基板とを、近接位置と離間位置とに相対的に移動させる移動機構と、
前記処理容器に接続され前記処理空間を減圧する減圧部と、
前記近接位置において、前記第１基板と前記第２基板の中心部同士を接触させる押圧機構であって、少なくとも前記第１基板を押圧する押圧機構と、
を備え、
前記第１保持部は、前記第１基板を静電吸着する静電吸着部を備える、接合装置。
（２）前記移動機構は、前記処理空間の内部で前記第１基板と前記第２基板とを相対的に移動させる、前記（１）に記載の接合装置。
（３）制御部を備え、
前記第１保持部は、環状の第１領域と、前記第１領域の径方向外側に配置された環状の第２領域とを備え、
前記制御部は、前記第１領域における前記第１基板の吸着力と、前記第２領域における前記第２基板の吸着力とを個別に制御する、前記（１）又は（２）に記載の接合装置。
（４）前記制御部は、前記押圧機構によって少なくとも前記第１基板が押圧された状態で、前記第１領域から前記第２領域の順に前記第１基板の吸着保持を停止するように前記第１保持部を制御する、前記（３）に記載の接合装置。
（５）前記制御部は、前記押圧機構によって少なくとも前記第１基板が押圧する際、前記第１領域における吸着力が前記第２領域における吸着力より小さくなるように前記第１保持部を制御する、前記（３）に記載の接合装置。
（６）前記押圧機構は、前記第１基板の中心部を上方から押圧して前記第２基板に接触させるストライカーである、前記（１）～（５）のいずれかに記載の接合装置。
（７）前記ストライカーは、前記処理容器に設けられ、前記処理容器と前記第１保持部を貫通する貫通孔を挿通する、前記（６）に記載の接合装置。
（８）前記第１保持部は前記第２保持部の上方に配置される、前記（６）又は（７）に記載の接合装置。
（９）前記押圧機構は、前記第１保持部の基板保持面の中心部を前記第２保持部側に変形させる加圧部を備える、前記（１）～（８）のいずれかに記載の接合装置。
（１０）前記加圧部は、前記第１保持部の内部空間に空気を供給する、前記（９）に記載の接合装置。
（１１）前記加圧部は、前記第１保持部の基板保持面の中心部に外力を付加する、前記（９）又は（１０）に記載の接合装置。
（１２）前記第１保持部は前記第２保持部の下方に配置される、前記（９）～（１１）のいずれかに記載の接合装置。
（１３）前記第１保持部は、前記第１基板を真空引きして吸着する真空吸着部を備える、前記（１）～（１２）のいずれかに記載の接合装置。
（１４）前記第１基板と前記第２基板を接合する際の前記処理空間を、減圧雰囲気又は大気雰囲気に制御する制御部を備える、前記（１３）に記載の接合装置。
（１５）前記制御部は、減圧雰囲気下の前記処理空間において前記第１基板と前記第２基板を接合する際、前記第１保持部が前記第１基板を静電吸着するように前記静電吸着部を制御する、前記（１４）に記載の接合装置。
（１６）前記制御部は、減圧雰囲気下の前記処理空間において前記第１基板と前記第２基板を接合した後であって、前記処理空間を大気雰囲気に変更する前に、前記第１保持部と前記第２保持部を前記近接位置から前記離間位置に相対的移動させるように前記移動機構を制御する、（１４）又は（１５）に記載の接合装置。
（１７）前記制御部は、大気雰囲気下の前記処理空間において前記第１基板と前記第２基板を接合する際、前記第１保持部が前記第１基板を真空引きして吸着するように前記真空吸着部を制御する、（１４）に記載の接合装置。
（１８）第１基板と第２基板を接合する接合システムであって、
前記第１基板と前記第２基板を接合する接合装置を備えた処理ステーションと、
前記第１基板、前記第２基板又は前記第１基板と前記第２基板が接合された重合基板を、前記処理ステーションに対して搬入出する搬入出ステーションと、を有し、
前記接合装置は、
前記第１基板を吸着保持する第１保持部と、
前記第１保持部と対向する位置に配置され、前記第２基板を吸着保持する第２保持部と、
前記第１保持部と前記第２保持部とを収容し、外部から隔離された処理空間を形成する処理容器と、
前記第１保持部に保持された前記第１基板と前記第２保持部に保持された前記第２基板とを、近接位置と離間位置とに相対的に移動させる移動機構と、
前記処理容器に接続され前記処理空間を減圧する減圧部と、
前記近接位置において、前記第１基板と前記第２基板の中心部同士を接触させる押圧機構であって、少なくとも前記第１基板を押圧する押圧機構と、
を備え、
前記第１保持部は、前記第１基板を静電吸着する静電吸着部を備える、接合システム。
（１９）接合装置を用いて第１基板と第２基板を接合する接合方法であって、
前記接合装置は、
前記第１基板を吸着保持する第１保持部と、
前記第１保持部と対向する位置に配置され、前記第２基板を吸着保持する第２保持部と、
前記第１保持部と前記第２保持部とを収容し、外部から隔離された処理空間を形成する処理容器と、
前記第１保持部に保持された前記第１基板と前記第２保持部に保持された前記第２基板とを、近接位置と離間位置とに相対的に移動させる移動機構と、
前記処理容器に接続され前記処理空間を減圧する減圧部と、
前記近接位置において、前記第１基板と前記第２基板の中心部同士を接触させる押圧機構であって、少なくとも前記第１基板を押圧する押圧機構と、
を備え、
前記第１保持部は、前記第１基板を静電吸着する静電吸着部を備え、
前記接合方法は、
前記第１保持部で前記第１基板を静電吸着して保持し、前記第２保持部で前記第２基板を吸着保持する工程と、
前記減圧部によって前記処理空間を減圧雰囲気に減圧する工程と、
前記移動機構によって前記第１基板と前記第２基板を前記近接位置に相対的に移動させる工程と、
前記押圧機構によって前記第１基板と前記第２基板の中心部同士を接触させる工程と、
前記第１基板と前記第２基板の中心部同士が接触した状態で、前記第１基板の静電吸着を停止し、前記第１基板の中心部から外周部に向けて、前記第１基板と前記第２基板を順次接合する接合工程と、を含む、接合方法。

　　３０　　　接合装置
　　１１０　　処理容器
　　１１０ｓ　処理空間
　　１２０　　第１保持部
　　１３０　　第２保持部
　　１５０　　減圧部
　　２００　　ストライカー
　　２１１　　第１電極
　　２１２　　第２電極
　　２１３　　第３電極
　　１９０　　鉛直移動機構
　　Ｐ２　　　離間位置
　　Ｐ３　　　近接位置
　　Ｗ１　　　第１基板
　　Ｗ２　　　第２基板

Claims (19)

1. 第１基板と第２基板を接合する接合装置であって、
   前記第１基板を吸着保持する第１保持部と、
   前記第１保持部と対向する位置に配置され、前記第２基板を吸着保持する第２保持部と、
   前記第１保持部と前記第２保持部とを収容し、外部から隔離された処理空間を形成する処理容器と、
   前記第１保持部に保持された前記第１基板と前記第２保持部に保持された前記第２基板とを、近接位置と離間位置とに相対的に移動させる移動機構と、
   前記処理容器に接続され前記処理空間を減圧する減圧部と、
   前記近接位置において、前記第１基板と前記第２基板の中心部同士を接触させる押圧機構であって、少なくとも前記第１基板を押圧する押圧機構と、
   を備え、
   前記第１保持部は、前記第１基板を静電吸着する静電吸着部を備える、接合装置。
2. 前記移動機構は、前記処理空間の内部で前記第１基板と前記第２基板とを相対的に移動させる、請求項１に記載の接合装置。
3. 制御部を備え、
   前記第１保持部は、環状の第１領域と、前記第１領域の径方向外側に配置された環状の第２領域とを備え、
   前記制御部は、前記第１領域における前記第１基板の吸着力と、前記第２領域における前記第２基板の吸着力とを個別に制御する、請求項１に記載の接合装置。
4. 前記制御部は、前記押圧機構によって少なくとも前記第１基板が押圧された状態で、前記第１領域から前記第２領域の順に前記第１基板の吸着保持を停止するように前記第１保持部を制御する、請求項３に記載の接合装置。
5. 前記制御部は、前記押圧機構によって少なくとも前記第１基板が押圧する際、前記第１領域における吸着力が前記第２領域における吸着力より小さくなるように前記第１保持部を制御する、請求項３に記載の接合装置。
6. 前記押圧機構は、前記第１基板の中心部を上方から押圧して前記第２基板に接触させるストライカーである、請求項１に記載の接合装置。
7. 前記ストライカーは、前記処理容器に設けられ、前記処理容器と前記第１保持部を貫通する貫通孔を挿通する、請求項６に記載の接合装置。
8. 前記第１保持部は前記第２保持部の上方に配置される、請求項６に記載の接合装置。
9. 前記押圧機構は、前記第１保持部の基板保持面の中心部を前記第２保持部側に変形させる加圧部を備える、請求項１に記載の接合装置。
10. 前記加圧部は、前記第１保持部の内部空間に空気を供給する、請求項９に記載の接合装置。
11. 前記加圧部は、前記第１保持部の基板保持面の中心部に外力を付加する、請求項９に記載の接合装置。
12. 前記第１保持部は前記第２保持部の下方に配置される、請求項９に記載の接合装置。
13. 前記第１保持部は、前記第１基板を真空引きして吸着する真空吸着部を備える、請求項１に記載の接合装置。
14. 前記第１基板と前記第２基板を接合する際の前記処理空間を、減圧雰囲気又は大気雰囲気に制御する制御部を備える、請求項１３に記載の接合装置。
15. 前記制御部は、減圧雰囲気下の前記処理空間において前記第１基板と前記第２基板を接合する際、前記第１保持部が前記第１基板を静電吸着するように前記静電吸着部を制御する、請求項１４に記載の接合装置。
16. 前記制御部は、減圧雰囲気下の前記処理空間において前記第１基板と前記第２基板を接合した後であって、前記処理空間を大気雰囲気に変更する前に、前記第１保持部と前記第２保持部を前記近接位置から前記離間位置に相対的移動させるように前記移動機構を制御する、請求項１４に記載の接合装置。
17. 前記制御部は、大気雰囲気下の前記処理空間において前記第１基板と前記第２基板を接合する際、前記第１保持部が前記第１基板を真空引きして吸着するように前記真空吸着部を制御する、請求項１４に記載の接合装置。
18. 第１基板と第２基板を接合する接合システムであって、
    前記第１基板と前記第２基板を接合する接合装置を備えた処理ステーションと、
    前記第１基板、前記第２基板又は前記第１基板と前記第２基板が接合された重合基板を、前記処理ステーションに対して搬入出する搬入出ステーションと、を有し、
    前記接合装置は、
    前記第１基板を吸着保持する第１保持部と、
    前記第１保持部と対向する位置に配置され、前記第２基板を吸着保持する第２保持部と、
    前記第１保持部と前記第２保持部とを収容し、外部から隔離された処理空間を形成する処理容器と、
    前記第１保持部に保持された前記第１基板と前記第２保持部に保持された前記第２基板とを、近接位置と離間位置とに相対的に移動させる移動機構と、
    前記処理容器に接続され前記処理空間を減圧する減圧部と、
    前記近接位置において、前記第１基板と前記第２基板の中心部同士を接触させる押圧機構であって、少なくとも前記第１基板を押圧する押圧機構と、
    を備え、
    前記第１保持部は、前記第１基板を静電吸着する静電吸着部を備える、接合システム。
19. 接合装置を用いて第１基板と第２基板を接合する接合方法であって、
    前記接合装置は、
    前記第１基板を吸着保持する第１保持部と、
    前記第１保持部と対向する位置に配置され、前記第２基板を吸着保持する第２保持部と、
    前記第１保持部と前記第２保持部とを収容し、外部から隔離された処理空間を形成する処理容器と、
    前記第１保持部に保持された前記第１基板と前記第２保持部に保持された前記第２基板とを、近接位置と離間位置とに相対的に移動させる移動機構と、
    前記処理容器に接続され前記処理空間を減圧する減圧部と、
    前記近接位置において、前記第１基板と前記第２基板の中心部同士を接触させる押圧機構であって、少なくとも前記第１基板を押圧する押圧機構と、
    を備え、
    前記第１保持部は、前記第１基板を静電吸着する静電吸着部を備え、
    前記接合方法は、
    前記第１保持部で前記第１基板を静電吸着して保持し、前記第２保持部で前記第２基板を吸着保持する工程と、
    前記減圧部によって前記処理空間を減圧雰囲気に減圧する工程と、
    前記移動機構によって前記第１基板と前記第２基板を前記近接位置に相対的に移動させる工程と、
    前記押圧機構によって前記第１基板と前記第２基板の中心部同士を接触させる工程と、
    前記第１基板と前記第２基板の中心部同士が接触した状態で、前記第１基板の静電吸着を停止し、前記第１基板の中心部から外周部に向けて、前記第１基板と前記第２基板を順次接合する接合工程と、を含む、接合方法。

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