TW202107613A - 加工基材之方法 - Google Patents

加工基材之方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202107613A
TW202107613A TW109122429A TW109122429A TW202107613A TW 202107613 A TW202107613 A TW 202107613A TW 109122429 A TW109122429 A TW 109122429A TW 109122429 A TW109122429 A TW 109122429A TW 202107613 A TW202107613 A TW 202107613A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
protective film
holding frame
front surface
protective
Prior art date
Application number
TW109122429A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI790454B (zh
Inventor
卡爾 Ｈ 普雷瓦瑟
Original Assignee
日商迪思科股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商迪思科股份有限公司 filed Critical 日商迪思科股份有限公司
Publication of TW202107613A publication Critical patent/TW202107613A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI790454B publication Critical patent/TWI790454B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54426—Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54453—Marks applied to semiconductor devices or parts for use prior to dicing
    • H01L2223/5446—Located in scribe lines

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

本發明係關於加工具有一第一側及與該第一側相對之一第二側的一基材之方法。特別是，本發明係關於一種包含提供具有一前表面及與該前表面相對之一後表面的一保護膜及提供用於固持該基材之一固持框之方法。該固持框具有一中心開口。該方法進一步包含將該固持框附著至該保護膜之該後表面，以便藉由該保護膜閉合該固持框之該中心開口，及將該基材之該第一側或該基材之該第二側附著至該保護膜之該前表面。此外，該方法包含自該基材之與附著至該保護膜之該前表面的該基材之該側相對的該側加工該基材，及/或自該基材之附著至該保護膜之該前表面的該側加工該基材。

Description

加工基材之方法
發明領域
本發明係關於一種加工一基材之方法，諸如，一晶圓，例如，一半導體晶圓。
發明背景
諸如晶圓之基材之加工需要該基材之安全且可靠的處置及運輸，例如，在加工步驟之間及期間。舉例而言，在一裝置製造製程中，例如，用於生產半導體裝置，將諸如晶圓之基材劃分成個別晶片或晶粒，該基材具有具通常由多個劃分線分割之多個裝置之一裝置區。此製造製程通常包含用於調整基材厚度之一研磨步驟，及沿著該等劃分線切割基材以獲得個別晶片或晶粒之一切割步驟。自該基材之與基材前側相對的後側執行研磨步驟，在該基材前側上形成裝置區。此外，亦可對基材之後側進行其他加工步驟，諸如，拋光及/或蝕刻。基材可經沿著劃分線自其前側或其後側切割。
為了保護基材，特別是，形成於基材上之裝置，例如，在基材之加工期間免受破壞、變形及/或因碎片、研磨水或切割水之污染，可在加工前將一保護膜或片施加至基材之前側。
又，在加工前可將一保護膜或片施加至基材之後側，以便保護基材，例如，免受破壞、變形及/或因碎片之污染，例如，在切割基材之步驟期間。
為了有助於基材之處置及運輸，例如，在以上加工步驟之間及/或期間，可使用用於固持基材之一固持框。習知地，藉由黏著劑將此固持框附著至在膜之與基材相同的側上之保護膜。通常地，將相同黏著層用於將基材及固持框附著至保護膜。
在保護膜之同一側上配置基材及固持框的以上識別之已知方法可在基材加工期間造成問題。特別是，固持框可至少部分阻礙或阻止加工裝備(諸如，切割、研磨或拋光構件)對基材之接取，因此干擾基材加工。另外，存在此裝備歸因於與固持框之非故意接觸而受到損壞之風險。
為了減輕此等問題，可夾緊固持框以便移動遠離待加工的基材之表面。然而，此方法需要使用夾緊機構用於該框，此消耗空間且致使基材加工相當地更麻煩且複雜。此外，保護膜必須展現用於實現框之充分夾緊的高度可擴大性，因此顯著限制了可使用保護膜之範圍。
又，為了允許在夾緊製程期間固持框相對於基材之所需量的移動，保護膜之顯著大的部分必須存在於框之內圓周與基材之外圓周之間。因此，必須使用具有大內直徑之框，由此加重了以上空間消耗問題且限制可使用固持框之範圍。
以上識別之問題對於具有大厚度之固持框特別顯著，例如，塑膠框。在此情況中，必須在尤其高之程度上夾緊該等框，以便確保其不干擾加工該基材。
另外，使用黏著層按以上識別之習知方式將固持框附著至保護膜可造成另外問題。特別是，在保護膜拆卸框時，框可受到黏著層之黏著力損壞及/或受到黏著劑殘餘物污染。此等黏著劑殘餘物可能必須自框移除，以便允許重新使用框，因此進一步使基本加工程序複雜化。
因此，存在對於加工基材之簡單且高效方法之需求。
發明概要
因此，本發明之一目標為提供一種加工一基材之簡單且高效方法。此目標係藉由一種具有技術方案1之技術特徵的基材處理方法及由一種具有技術方案12之技術特徵的基材加工方法達成。本發明之較佳實施例自附屬技術方案得來。
本發明提供一種加工一基材之方法，該基材具有一第一側(例如，一前側)及與該第一側相對之一第二側(例如，一後側)。該方法包含提供具有一前表面及與該前表面相對之一後表面的一保護膜或薄片，及提供用於固持該基材之一固持框。該固持框具有一中心開口。該方法進一步包含將該固持框附著至該保護膜或薄片之該後表面，以便藉由該保護膜或薄片閉合該固持框之該中心開口，及將該基材之該第一側或該基材之該第二側附著至該保護膜或薄片之該前表面。此外，該方法包含自該基材之與附著至該保護膜或薄片之該前表面的該基材之該側相對的該側加工該基材，及/或自該基材之附著至該保護膜或薄片之該前表面的該側加工該基材。
在本發明之方法中，該固持框附著至該保護膜之該後表面，且該基材之該第一側或該第二側附著至該保護膜之該前表面。因此，該固持框及該基材附著至該保護膜之相對側。因此，可可靠地確保，該固持框不干擾基材加工。可藉由加工裝備(諸如，切割、研磨或拋光構件)來自由地接取該基材。另外，可可靠地消除此裝備歸因於與該固持框之非故意接觸而受到損壞之任何風險。
因此，不需要在基材加工期間的該框之夾緊，使得可以一特別簡單且高效方式加工該基材。因此，由於不需要夾緊機構，因此本發明之方法允許在有限加工空間內之基材加工。舉例而言，不同於空間消耗直列式裝備，單獨加工設備可用於此目的。
此外，不必使用具有高可擴大性之保護膜或具有大內直徑之固持框。因此，保護膜及固持框之一寬泛範圍可適用於本發明之該加工方法。
因此，本發明提供一種加工一基材之簡單且高效方法。
可在將該基材之該第一側或該基材之該第二側附著至該保護膜之該前表面前或後或與此同時將該固持框附著至該保護膜之該後表面。較佳地，在將該基材之該第一側或該第二側附著至該保護膜之該前表面前將該固持框附著至該保護膜之該後表面。以此方式，可進一步改良該保護膜及該基材之該處置。
該固持框可由一剛性材料製成。舉例而言，該固持框可由一金屬或一塑膠製成。
該固持框可具有任一類型之形狀。舉例而言，該固持框可為一環形框。替代地，該固持框可具有例如一多邊形形狀，諸如，一正方形或矩形形狀，具有一中心開口。
該固持框之該中心開口可具有任一類型之形狀。舉例而言，該固持框之該中心開口可具有一圓形形狀或一多邊形形狀，諸如，一正方形或矩形形狀。
該固持框可為一半導體大小之固持框。本文中，術語「半導體大小之固持框」指具有用於固持一半導體晶圓的一固持框之尺寸(標準化之尺寸)、特別是內直徑(標準化之內直徑)的一固持框。
用於固持半導體晶圓的固持框之該等尺寸，特別是該等內直徑，亦在SEMI標準中定義。舉例而言，用於300 mm晶圓的帶框之尺寸定義於SEMI標準SEMI G74中，且用於300 mm的塑膠帶框之尺寸定義於SEMI標準SEMI G87中。該固持框可具有用於固持具有例如3英吋、4英吋、5英吋、6英吋、8英吋、12英吋或18英吋之大小的半導體大小之晶圓之框大小。
該固持框可具有在1 mm至5 mm之範圍中或在1.2 mm至4 mm之範圍中或在1.5 mm至3 mm之範圍中或在1.8 mm至2.5 mm之範圍中的一厚度。
該基材可例如由半導體、玻璃、藍寶石(Al2 O3 )、陶瓷(諸如，氧化鋁陶瓷)、石英、氧化鋯、PZT (鋯鈦酸鉛)、聚碳酸酯、金屬(例如，銅、鐵、不銹鋼、鋁或類似者)或金屬化之材料、鐵氧體、光學晶體材料或類似者製成。
特別是，該基材可例如由碳化矽(SiC)、矽(Si)、砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)、磷化鎵(GaP)、砷化銦(InAs)、磷化銦(InP)、氮化矽(SiN)、鉭酸鋰(LT)、鈮酸鋰(LN)、氮化鋁(AlN)、二氧化矽(SiO2 )或類似者製成。
該基材可為一單晶基材、一玻璃基材、一化合物基材(諸如，一化合物半導體基材)或一多晶基材(諸如，一陶瓷基材)。
該基材可為一晶圓。舉例而言，該基材可為一半導體大小之晶圓。本文中，術語「半導體大小之晶圓」指具有一半導體晶圓之尺寸(標準化之尺寸)、特別是直徑(標準化之直徑) (亦即，外直徑)的一晶圓。半導體晶圓之該等尺寸、特別是該等直徑(亦即，外直徑)定義於SEMI標準中。舉例而言，經拋光單晶矽(Si)之尺寸定義於SEMI標準M1及M76中。該半導體大小之晶圓可為一3英吋、4英吋、5英吋、6英吋、8英吋、12英吋或18英吋晶圓。
該基材可為一半導體晶圓。舉例而言，該基材可為碳化矽(SiC)晶圓、矽(Si)晶圓、砷化鎵(GaAs)晶圓、氮化鎵(GaN)晶圓、磷化鎵(GaP)晶圓、砷化銦(InAs)晶圓、磷化銦(InP)晶圓、氮化矽(SiN)晶圓、鉭酸鋰(LT)晶圓、鈮酸鋰(LN)晶圓、氮化鋁(AlN)晶圓、二氧化矽(SiO2 )晶圓或類似者。
該基材可具有任一類型之形狀。在關於其之一俯視圖中，該基材可具有例如一圓形形狀、一卵形形狀、一橢圓形形狀或一多邊形形狀(諸如，矩形形狀或一正方形形狀)。
該基材可具有具多個裝置之一裝置區。該裝置區可形成於該基材之該第一側上。該裝置區中之該等裝置可為例如半導體裝置、電力裝置、光學裝置、醫療裝置、電組件、MEMS裝置或其組合。該等裝置可包含或為例如電晶體(諸如，MOSFET或絕緣閘極雙極電晶體(IGBT))或二極體(例如，肖特基障壁二極體)。
該基材可例如在其第一側上進一步具有一周邊邊際區，該周邊邊際區不具有裝置且形成於該裝置區周圍。
該保護膜可由一單一材料、特別是一單一均質材料製成。
該保護膜可由一塑膠材料(諸如，一聚合物)製成。特別較佳地，該保護膜由一聚烯烴製成。舉例而言，該保護膜可由聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)或聚丁烯(PB)製成。
該保護膜可具有在5 µm至500 µm、較佳地5 µm至200 µm、更佳地8 µm至100 µm、甚至更佳地10 µm至80 µm且又甚至更佳地12 µm至50 µm之範圍中的一厚度。特別較佳地，該保護膜具有在80 µm至150 µm之範圍中的一厚度。
該保護膜可具有任一類型之形狀。在關於其之一俯視圖中，該保護膜可具有例如一圓形形狀、一卵形形狀、一橢圓形形狀或一多邊形形狀(諸如，矩形形狀或一正方形形狀)。
將該基材之該第一側或該基材之該第二側附著至該保護膜之該前表面可包含將該保護膜施加至該基材之該第一側或該基材之該第二側，使得該保護膜之該前表面之至少一中心區與該基材之該第一側或該基材之該第二側直接接觸。在此情況中，在該保護膜之該前表面之至少該中心區與該基材之該第一側或該基材之該第二側之間不存在材料，特別是，不存在黏著劑。該保護膜之該前表面之該中心區可對應於該基材之一裝置區。
藉由將該保護膜施加至該基材之該第一側或該第二側使得該保護膜之該前表面之至少一中心區與該基材之該第一側或該第二側直接接觸，可顯著減小或甚至消除對該基材之一可能污染或損壞(例如，歸因於一黏著層之一黏著力或在該基材上之黏著劑殘餘物)之風險。
可將該保護膜施加至該基材之該第一側或該基材之該第二側，使得在該保護膜之該前表面與該基材之該第一側或該基材之該第二側接觸之全部區域中，該保護膜之該前表面與該基材之該第一側或該基材之該第二側直接接觸。因此，在該保護膜之該前表面與該基材之該第一側或該基材之該第二側之間不存在材料，特別是，不存在黏著劑。
以此方式，可可靠地消除對該基材之一可能污染或損壞(例如，歸因於一黏著層之一黏著力或在該基材上之黏著劑殘餘物)之風險。
該保護膜之該全部前表面可無黏著劑。
將該基材之該第一側或該基材之該第二側附著至該保護膜之該前表面可進一步包含在將該保護膜施加至該基材之該第一側或該基材之該第二側期間及/或之後將一外部刺激施加至該保護膜，使得該基材之該第一側或該基材之該第二側附著至該保護膜之該前表面。
藉由以此方式施加該外部刺激，產生保護膜與基材之間的一附著力，從而將該保護膜固持於其在該基材上之位置中。因此，無必要有額外黏著劑材料用於將該保護膜附著至該基材之該第一側或該基材之該第二側。
特別是，藉由將該外部刺激施加至該保護膜，一形式配合(諸如，一正配合)及/或一材料結合(諸如，一黏著劑結合)可形成於該保護膜與該基材之間。術語「材料結合」及「黏著劑結合」定義保護膜與基材之間的一附著或連接，其係歸因於作用於此等兩個組件之間的原子及/或分子力。
術語「黏著劑結合」係關於此等原子及/或分子力之存在，該等力作用以便將該保護膜附著至該基材，且並不暗示一額外黏著劑在保護膜與基材之間的存在。相反地，在以上詳述之實施例中，該保護膜之該前表面之至少該中心區與該基材之該第一側或該基材之該第二側直接接觸。
將該外部刺激施加至該保護膜可包含以下各者或由以下各者組成：加熱該保護膜，及/或冷卻該保護膜，及/或將一真空施加至該保護膜，及/或用輻射(諸如，光)輻照該保護膜，例如，藉由使用一雷射束。
該外部刺激可包含或為化學化合物及/或電子或電漿輻照及/或機械處理，諸如，壓力、摩擦或超音施加，及/或靜電。
特別較佳地，將該外部刺激施加至該保護膜包含加熱該保護膜或由加熱該保護膜組成。舉例而言，將該外部刺激施加至該保護膜可包含以下各者或由以下各者組成：加熱該保護膜及將一真空施加至該保護膜。在此情況中，可在加熱該保護膜期間及/或前及/或之後將該真空施加至該保護膜。
若將該外部刺激施加至該保護膜包含加熱該保護膜或由加熱該保護膜組成，則該方法可進一步包含允許該保護膜在該加熱製程後冷卻。特別是，可允許該保護膜冷卻至其初始溫度，亦即，至其在該加熱製程前之溫度。在自該基材之與附著至該保護膜之該前表面的該基材之該側相對的該側加工該基材，及/或自該基材之附著至該保護膜之該前表面的該側加工該基材前，可允許該保護膜冷卻，例如，至其初始溫度。
經由該加熱製程產生保護膜與基材之間的一附著力。該保護膜至該基材之該附著可在該加熱製程自身中及/或在允許該保護膜冷卻之一隨後製程中引起。
該保護膜可藉由該加熱製程軟化，例如，以便與該保護膜施加至該基材表面一致，例如，吸收該基材形貌。在冷卻例如至其初始溫度後，該保護膜可重新硬化，例如，以便創造至該基材之一形式配合及/或一材料結合。
該保護膜可耐熱高達180℃或更高之一溫度，較佳地高達220℃或更高之一溫度，更佳地高達250℃或更高之一溫度，且甚至更佳地高達300℃或更高之一溫度。
可將該保護膜加熱至在30℃至250℃、較佳地50℃至200℃、更佳地60℃至150℃且甚至更佳地70℃至110℃之範圍中的一溫度。特別較佳地，可將該保護膜加熱至大致80℃之一溫度。
可在將該保護膜施加至該基材之該第一側或該基材之該第二側期間及/或之後在30秒至10分鐘、較佳地1分鐘至8分鐘、更佳地1分鐘至6分鐘、甚至更佳地1分鐘至4分鐘且又更佳地1分鐘至3分鐘之範圍中的一持續時間上加熱該保護膜。
若將該外部刺激施加至該保護膜包含加熱該保護膜或由加熱該保護膜組成，則可直接及/或間接加熱該保護膜。
該保護膜可藉由直接將熱量施加至其來加熱，例如，使用一熱施加構件(諸如，一加熱滾筒、一加熱模具或類似者)或一熱輻射構件。可將該保護膜及該基材置放於一容器或腔室(諸如，一真空腔室)中，且可加熱該容器或腔室之一內容積，以便加熱該保護膜。該容器或腔室可具備一熱輻射構件。
該保護膜可經間接地加熱，例如，藉由在將該保護膜施加至該基材之該第一側或該基材之該第二側前及/或期間及/或之後加熱該基材。舉例而言，可藉由將該晶圓置放於一支撐構件或載體(諸如，一夾盤臺)上且加熱該支撐構件或載體來加熱該基材。
舉例而言，可將該支撐構件或載體(諸如，一夾盤臺)加熱至在30℃至250℃、較佳地50℃至200℃、更佳地60℃至150℃且甚至更佳地70℃至110℃之範圍中的一溫度。特別較佳地，可將該支撐構件或載體加熱至大致80℃之一溫度。
亦可組合此等方法，例如，藉由使用一熱量施加構件(諸如，一加熱滾筒或類似者)或一熱輻射構件用於直接加熱該保護膜，及亦經由該基材間接加熱該保護膜。
若將該外部刺激施加至該保護膜包含加熱該保護膜或由加熱該保護膜組成，則較佳地，該保護膜當處於其經加熱狀態中時易彎、彈性、可撓、可伸縮、軟及/或可壓縮。以此方式，可特別可靠地確保，該保護膜與該保護膜施加至的該基材之該側上之該基材表面一致，例如，吸收該基材形貌。若沿著該基材之一厚度方向突起之突起(諸如，表面不平度或粗糙度、凸塊、光學元件或類似者)存在於此基材表面上，則此尤其有利。
較佳地，該保護膜至少在一定程度上在冷卻後硬化或變硬，以便在該經冷卻狀態中變得較剛性及/或穩固。以此方式，可確保該基材在其隨後加工(諸如，切割、研磨及/或拋光)期間特別可靠之保護。
該方法可進一步包含在將該保護膜施加至該基材之該第一側或該第二側期間及/或之後，將壓力施加至該保護膜之該後表面。以此方式，抵靠該基材之該第一側或該第二側按壓該保護膜之該前表面。因此，可特別高效地確保，該保護膜可靠地附著至該基材。
若將該外部刺激施加至該保護膜包含加熱該保護膜，則可在加熱該保護膜前及/或期間及/或之後將該壓力施加至該保護膜之該後表面。可在加工該基材前將該壓力施加至該保護膜之該後表面。
該壓力可藉由一壓力施加構件(諸如，一滾筒、一模具、一膜片或類似者)施加至該保護膜之該後表面。
特別較佳地，可使用一組合熱量與壓力施加構件，諸如，一加熱滾筒或一加熱模具。在此情況中，可將壓力施加至該保護膜之該後表面，同時加熱該保護膜。
可在一真空腔室中將該壓力施加至該保護膜之該後表面。
可在一減小之壓力氣氛中，特別是，在一真空下，將該保護膜施加及/或附接至該基材之該第一側或該第二側。以此方式，可可靠地確保無空隙及/或氣泡存在於該保護膜與該基材之間。因此，避免了在基材之加工期間在其上的任何應力或應變，例如，歸因於在該加熱製程中之此等氣泡擴大。
若將該外部刺激施加至該保護膜包含加熱該保護膜或由加熱該保護膜組成，則特別較佳地，使用由一聚烯烴製成之一保護膜。舉例而言，該保護膜可由聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)或聚丁烯(PB)製成。
聚烯烴膜具有對於在本發明之基材加工方法中使用尤其有利之材料性質，特別是，若將外部刺激施加至該保護膜包含加熱該保護膜或由加熱該保護膜組成。當在一經加熱狀態中時，例如，當加熱至在60℃至150℃之範圍中的一溫度時，聚烯烴易彎、可伸展且軟。因此，可特別可靠地確保，該保護膜與該保護膜施加至之該基材表面一致，例如，吸收基材形貌。若此基材表面形成有自該基材之平表面突起之突起或突出部，則此特別有益。
另外，聚烯烴膜在冷卻後硬化及變硬，以便在該經冷卻狀態中變得較剛性且穩固。因此，可確保該基材在其隨後加工(諸如，切割、研磨及/或拋光該基材)期間特別可靠之保護。
將該固持框附著至該保護膜之該後表面可包含將該保護膜施加至該固持框，使得該保護膜之該後表面與該固持框直接接觸。在此情況中，在該保護膜之該後表面與該固持框之間不存在材料，特別是，不存在黏著劑。
以此方式，可可靠地消除對該固持框之一可能污染或損壞(例如，歸因於一黏著層之一黏著力或在該固持框上之黏著劑殘餘物)之風險。
該保護膜之該全部後表面可無黏著劑。
將該固持框附著至該保護膜之該後表面可進一步包含在將該保護膜施加至該固持框期間及/或之後將一外部刺激施加至該保護膜，使得該固持框附著至該保護膜之該後表面。
藉由以此方式施加該外部刺激，產生保護膜與固持框之間的一附著力，從而將該保護膜固持於其在該固持框上之位置中。因此，無必要有額外黏著劑材料用於將該保護膜附著至該固持框。
特別是，藉由將該外部刺激施加至該保護膜，一形式配合(諸如，一正配合)及/或一材料結合(諸如，一黏著劑結合)可形成於該保護膜與該固持框之間。術語「材料結合」及「黏著劑結合」定義保護膜與固持框之間的一附著或連接，其係歸因於作用於此等兩個組件之間的原子及/或分子力。
該外部刺激可如上所詳述。可至少實質上以與以上所描述相同的方式將該外部刺激施加至該保護膜。
替代地，可藉由一黏著劑將該固持框附著至該保護膜之該後表面。舉例而言，可藉由一熱封或一熱戳將該黏著劑塗覆至該固持框及/或至該保護膜之該後表面。可在將該固持框附著至該保護膜前將該黏著劑塗覆至該固持框及/或至該保護膜之該後表面。較佳地，該黏著劑可僅塗覆至該保護膜之該後表面之一部分，特別是，至該保護膜之該後表面之一周邊區。
一緩衝層可附著至該保護膜之與其該前表面相對的該後表面。
若突起、突出部、凹座及/或溝槽(諸如，表面不平度或粗糙度、凸塊、例如光學透鏡之光學元件、其他結構或類似者)自該基材之該保持性膜施加至的該側沿著該基材之厚度方向突起、延伸或突出，則此方法特別有利。在此情況中，該等突起或突出部界定該各別基材側之一表面結構或形貌，從而致使其側不平。
若該緩衝層附著至該保護膜之該後表面，則此等突出及/或凹座可內嵌於該緩衝層中。因此，可消除自該等突起之存在引起的該表面不平度對後續基材加工步驟(諸如，切割、研磨及/或拋光)之任何負面影響。特別是，該緩衝層可顯著對在一切割、研磨及/或拋光製程期間達成壓力之一特別均勻且均質分佈有貢獻。
藉由在該緩衝層中內嵌該等突起，該等突起(諸如，光學元件或其他結構)被可靠地保護免受在基材加工期間之任何損壞，例如，在一後續切割、研磨及/或拋光步驟中。
該緩衝層之材料不受特別限制。特別是，該緩衝層可由允許沿著該基材之該厚度方向突起的突起內嵌於其中之任一類型之材料形成。舉例而言，該緩衝層可由一樹脂、一黏著劑、一凝膠或類似者形成。
該緩衝層可藉由一外部刺激固化，諸如，UV輻射、熱量、電場及/或化學試劑。在此情況中，該緩衝層在該外部刺激施加至其後至少在一定程度上硬化。舉例而言，該緩衝層可由一可固化樹脂、一可固化黏著劑、一可固化凝膠或類似者形成。
該緩衝層可經組配以便在其固化後展現一定程度之可壓縮性、彈性及/或可撓性，亦即，以在固化後可壓縮、彈簧及/或可撓。舉例而言，該緩衝層可使得藉由固化使其至一橡膠狀狀態。替代地，該緩衝層可經組配以便在固化後達到一剛性、硬狀態。
用於用作本發明之方法中之緩衝層的UV可固化樹脂之較佳實例為DISCO公司之ResiFlat及DENKA之TEMPLOC。
該方法可進一步包含將該外部刺激施加至該緩衝層，以便在加工(例如，切割、研磨及/或拋光)該基材前固化該緩衝層。以此方式，可進一步改良在加工期間的該基材之保護及加工準確度。
該緩衝層可耐熱高達180℃或更高之一溫度，較佳地高達220℃或更高之一溫度，更佳地高達250℃或更高之一溫度，且甚至更佳地高達300℃或更高之一溫度。
該緩衝層可具有在10 µm至300 µm、較佳地20 µm至250 µm且更佳地50 µm至200 µm之範圍中的一厚度。
在將該保護膜施加至該基材之該第一側或該第二側前，該緩衝層可附著至該保護膜之該後表面。
在此情況中，該保護膜及該緩衝層可首先經層壓，從而形成一保護片，該保護片包含該緩衝層及附著至該緩衝層之該保護膜。以此方式形成之該保護片可隨後施加至該基材之該第一側或該第二側，例如，使得自該基材之該平表面突起之突起或突出部由該保護膜覆蓋且內嵌於該保護膜及該緩衝層中。該保護片可經施加使得該緩衝層之該後表面實質上平行於該基材之與施加至該保護膜之該前表面的該基材之該側相對的該側。因此，當加工(例如，切割、研磨及/或拋光)該基材時，可將一合適的反壓力施加至該緩衝層之該後表面，例如，藉由將此後表面置放於一夾盤臺上。
當將該保護片施加至該基材之該第一側或該第二側時，將該保護膜之該前表面施加至該基材之該第一側或該第二側。
以此方式，可以一特別簡單且高效方式進行該基材加工方法。舉例而言，該保護片可經提前製備，儲存供稍後使用，且在需要時用於基材加工。該保護片可因此大量地製造，從而就時間及成本兩者而言，致使其生產特別高效。
在將該保護膜施加至該基材之該第一側或該第二側後，該緩衝層可附著至該保護膜之該後表面。
在此情況中，首先將該保護膜施加至該基材之該第一側或該第二側，且隨後將具有施加至其之該保護膜的該基材之該第一側或該第二側附著至該緩衝層之該前表面，例如，使得自該基材之該平表面突起的突起或突出部內嵌於該保護膜及該緩衝層中，且該緩衝層之該後表面實質上平行於該基材之與施加至該保護膜之該前表面的該基材之該側相對的該側。此方法允許該保護膜按一特別高之準確度附著至該基材之該第一側或該第二側，特別是，相對於自該基材之該平表面突起的突起或突出部。
在將該保護膜附著至該基材之該第一側或該第二側前及/或期間及/或之後，該緩衝層可附著至該保護膜之該後表面。
該方法可進一步包含自該基材移除該保護膜及該緩衝層。可在加工該基材後自該基材移除該保護膜及該緩衝層。
該緩衝層及該保護膜可個別地移除，亦即，一個接一個地。舉例而言，可首先移除該緩衝層，跟著是該保護膜之移除。替代地，該緩衝層與該保護膜可一起移除。
較佳地，若存在一緩衝層，則該固持框直接附著至該保護膜之該後表面。在此情況中，該緩衝層不存在於該固持框與該保護膜之該後表面之間的該固持框附著至該保護膜之該後表面的區中。舉例而言，該緩衝層可具有一側向延伸，例如，一直徑，其小於該保護膜之一側向延伸，例如，一直徑。該緩衝層之該側向延伸(例如，該直徑)可實質上與該基材之一側向延伸(例如，一直徑)相同，或比該基材之一側向延伸(例如，一直徑)大，例如，稍大。該緩衝層可不存在於該保護膜之一周邊部分中。該緩衝層可僅存在於該保護膜之一中心部分中。該保護膜之該周邊部分可圍繞該保護膜之該中心部分配置，亦即，以便包圍該保護膜之該中心部分。該基材可在該保護膜之該中心部分中附著至該保護膜之該前表面。
替代地，若存在一緩衝層，則可藉由將該固持框附著至該緩衝層之該後表面來將該固持框附著至該保護膜之該後表面。
該保護膜與該緩衝層一起形成一保護片。該保護片之該前表面可由該保護膜之該前表面形成。該保護片之該後表面可由該緩衝層之該後表面形成，或較佳地，由該保護膜之該後表面及該緩衝層之該後表面形成。該保護片之該後表面可由該緩衝層之該後表面形成於該保護片之一中心部分中。該保護片之該後表面可由該保護膜之該後表面形成於該保護片之一周邊部分中。該保護片之該周邊部分可圍繞該保護片之該中心部分配置，亦即，以便包圍該保護片之該中心部分。該保護片之該中心部分可對應於該保護膜之該中心部分。該保護片之該周邊部分可對應於該保護膜之該周邊部分。可將該固持框附著至該保護片之該後表面。
將該固持框附著至該保護片之該後表面，亦即，直接附著至該保護膜之該後表面，或替代地，附著至該緩衝層之該後表面，可包含將該保護片施加至該固持框，使得該保護片之該後表面與該固持框直接接觸。在此情況中，在該保護片之該後表面與該固持框之間不存在材料，特別是，不存在黏著劑。
該保護片之該全部後表面可無黏著劑。
將該固持框附著至該保護片之該後表面可進一步包含在將該保護片施加至該固持框期間及/或之後將一外部刺激施加至該保護片，使得該固持框附著至該保護片之該後表面。
藉由以此方式施加該外部刺激，產生保護片與固持框之間的一附著力，從而將該保護片固持於其在該固持框上之位置中。因此，無必要有額外黏著劑材料用於將該保護片附著至該固持框。
該外部刺激可如上所詳述。可至少實質上以與以上所描述相同的方式將該外部刺激施加至該保護片。
一基底薄片可附著至該緩衝層之與其附著至該保護膜之該前表面相對的該後表面。
該基底薄片之材料不受特別限制。該基底薄片可由軟或易彎材料製成，諸如，聚合物材料，例如，聚氯乙烯(PVC)、乙烯乙酸乙烯酯(EVA)或聚烯烴。
替代地，該基底薄片可由一剛性或硬材料製成，諸如，聚對苯二甲酸乙二酯(PET)及/或矽及/或玻璃及/或不銹鋼(SUS)。
舉例而言，若該基底薄片由聚對苯二甲酸乙二酯(PET)或玻璃製成且該緩衝層可藉由一外部刺激固化，則該緩衝層可藉由可經由聚對苯二甲酸乙二酯(PET)或玻璃透射之輻射(例如，UV輻射)固化。若該基底薄片由矽或不銹鋼(SUS)製成，則提供一有成本效率之基底薄片。
又，該基底薄片可由以上列出的該等材料之一組合形成。
該基底薄片可耐熱高達180℃或更高之一溫度，較佳地高達220℃或更高之一溫度，更佳地高達250℃或更高之一溫度，且甚至更佳地高達300℃或更高之一溫度。
該基底薄片可具有在30 µm至1500 µm、較佳地40 µm至1200 µm且更佳地50 µm至1000 µm之範圍中的一厚度。
在將該保護膜施加至該基材之該第一側或該第二側前或後，該緩衝層及該基底薄片可附著至該保護膜之該後表面。特別是，該保護膜、該緩衝層及該基底薄片可首先經層壓，從而形成包含一保護片，該保護片包含該基底薄片、該緩衝層及附著至該緩衝層之該保護膜。以此方式形成之該保護片可隨後施加至該基材。
該基底薄片之該前表面可與該緩衝層之該後表面接觸，且該基底薄片之與其該前表面相對的一後表面可實質上平行於該基材之與施加至該保護膜之該前表面的該基材之該側相對之該側。因此，當加工(例如，切割、研磨及/或拋光)該基材時，可將一合適的反壓力施加至該基底薄片之該後表面，例如，藉由將此後表面置放於一夾盤臺上。
該方法可進一步包含自該基材移除該保護膜、該緩衝層及該基底薄片。可在加工該基材後自該基材移除該保護膜、該緩衝層及該基底薄片。
該保護膜、該緩衝層及該基底薄片可個別地移除，亦即，一個接一個地。舉例而言，可首先移除該基底薄片，跟前為該緩衝層之移除，及隨後，該保護膜之移除。替代地，該基底薄片、該緩衝層與該保護膜可一起移除。
較佳地，若存在一緩衝層及一基底薄片，則該固持框直接附著至該保護膜之該後表面。在此情況中，該緩衝層及該基底薄片不存在於該固持框與該保護膜之該後表面之間的該固持框附著至該保護膜之該後表面的區中。舉例而言，該緩衝層及該基底薄片可具有側向延伸，例如，直徑，其小於該保護膜之一側向延伸，例如，一直徑。該緩衝層之該側向延伸(例如，該直徑)可實質上與該基材之一側向延伸(例如，一直徑)相同，或比該基材之一側向延伸(例如，一直徑)大，例如，稍大。該基底薄片之該側向延伸(例如，該直徑)可實質上與該基材之該側向延伸(例如，該直徑)相同，或比該基材之該側向延伸(例如，該直徑)大，例如，稍大。該緩衝層之該側向延伸(例如，該直徑)可實質上與該基底薄片之該側向延伸(例如，該直徑)相同。該緩衝層及該基底薄片可不存在於該保護膜之一周邊部分中。該緩衝層及該基底薄片可僅存在於該保護膜之一中心部分中。該保護膜之該周邊部分可圍繞該保護膜之該中心部分配置，亦即，以便包圍該保護膜之該中心部分。該基材可在該保護膜之該中心部分中附著至該保護膜之該前表面。
替代地，若存在一緩衝層及一基底薄片，則可藉由將該固持框附著至該基底薄片之該後表面來將該固持框附著至該保護膜之該後表面。
該保護膜、該緩衝層與該基底薄片一起形成一保護片。該保護片之該前表面可由該保護膜之該前表面形成。該保護片之該後表面可由該基底薄片之該後表面形成，或較佳地，由該保護膜之該後表面及該基底薄片之該後表面形成。該保護片之該後表面可由該基底薄片之該後表面形成於該保護片之一中心部分中。該保護片之該後表面可由該保護膜之該後表面形成於該保護片之一周邊部分中。該保護片之該周邊部分可圍繞該保護片之該中心部分配置，亦即，以便包圍該保護片之該中心部分。該保護片之該中心部分可對應於該保護膜之該中心部分。該保護片之該周邊部分可對應於該保護膜之該周邊部分。可將該固持框附著至該保護片之該後表面。
將該固持框附著至該保護片之該後表面，亦即，直接附著至該保護膜之該後表面，或替代地，附著至該基底薄片之該後表面，可包含將該保護片施加至該固持框，使得該保護片之該後表面與該固持框直接接觸。在此情況中，在該保護片之該後表面與該固持框之間不存在材料，特別是，不存在黏著劑。
該保護片之該全部後表面可無黏著劑。
將該固持框附著至該保護片之該後表面可進一步包含在將該保護片施加至該固持框期間及/或之後將一外部刺激施加至該保護片，使得該固持框附著至該保護片之該後表面。
藉由以此方式施加該外部刺激，產生保護片與固持框之間的一附著力，從而將該保護片固持於其在該固持框上之位置中。因此，無必要有額外黏著劑材料用於將該保護片附著至該固持框。
該外部刺激可如上所詳述。可至少實質上以與以上所描述相同的方式將該外部刺激施加至該保護片。
至少一個劃分線可形成於該基材之該第一側上。多個劃分線可形成於該基材之該第一側上。該等多個劃分線可以一晶格配置提供於該基材之該第一側上，亦即，經配置以便相互交叉或相交，例如，以實質上90°之角度。該一或多個劃分線可分割形成於該裝置區中之該等裝置。
該至少一個分割線之寬度可在20 µm至200 µm、較佳地30 µm至150 µm且更佳地30 µm至100 µm之範圍中。
該基材之該第一側可附著至該保護膜之該前表面。替代地，該基材之該第二側可附著至該保護膜之該前表面。
本發明之方法可進一步包含提供具有一支撐表面之一支撐構件。此外，該方法可包含將附著至該保護膜之該前表面的該基材置放於該支撐構件之該支撐表面上，使得該保護膜之該後表面與該支撐表面接觸。在此情況中，該基材之與附著至該保護膜之該前表面的該基材之該側相對的該側經暴露，例如，面向上，使得可以一特別簡單且高效方式自此側加工該基材。
替代地，附著至該保護膜之該前表面的該基材可置放於該支撐構件之該支撐表面上，使得該基材之與附著至該保護膜之該前表面的該基材之該側相對的該側與該支撐表面接觸。在此情況中，可以一特別簡單且高效方式自該基材之附著至該保護膜之該前表面的該側加工該基材。
可在加工該基材前將該基材置放於該支撐構件之該支撐表面上。可在將該基材置放於該支撐構件之該支撐表面上時對其加工。
在該支撐表面之平面中的該支撐構件之一外直徑可小於該固持框之該中心開口之一直徑，亦即，小於該固持框之一內直徑。本文中，表達「在該支撐表面之平面中的該支撐構件之外直徑」定義在該支撐構件之徑向方向上的該支撐構件之該外直徑。
該支撐構件可呈一支撐臺之形式，例如，在該支撐表面之平面中具有一圓形橫截面。舉例而言，該支撐構件可為一平盤臺。該支撐構件可具有一連續支撐表面。
當附著至該保護膜之該基材置放於該支撐構件之該支撐表面上時，附著至該保護膜的該基材之至少一部分可擱置於該支撐表面上，例如，其中該保護膜配置於基材與支撐表面之間。附接至該保護膜之該全部基材可擱置於該支撐表面上，例如，其中該保護膜配置於基材與支撐表面之間。
該支撐構件可具備用於將該基材固持於該支撐表面上之一固持構件。該支撐構件可為用於在吸力下將該基材固持於該支撐表面上之一抽吸構件。
本發明之方法可進一步包含提供用於支撐該固持框之一支撐構件。該支撐構件可例如配置於該支撐構件之圓周周圍。該支撐構件可經組配以支撐該固持框，以便將其固持於其相對於該支撐構件之位置中。
該方法可包含將該固持框置放於該支撐構件上，使得該固持框之至少一部分擱置於該支撐構件上。該全部固持框可擱置於該支撐構件上。
該固持框可在加工該基材前置放於該支撐構件上。可在將該固持框置放於該支撐構件上時加工該基材。
本發明之方法可進一步包含提供一檢驗裝置。該檢驗裝置可經組配以檢驗及/或偵測形成於該基材之一表面上的對準標記。特別是，該檢驗裝置可經組配以檢驗及/或偵測形成於該基材之一表面上的一或多個劃分線。舉例而言，該檢驗裝置可包含或為一相機、一偵測器或類似者。
該方法可包含經由該保護膜藉由該檢驗裝置檢驗該基材之附著至該保護膜之該前表面的該側。此檢驗裝置可包含檢驗及/或偵測形成於該基材之此側上的對準標記或由檢驗及/或偵測形成於該基材之此側上的對準標記組成。特別是，該檢驗製程可包含檢驗及/或偵測形成於該基材之此側上的一或多個劃分線或由檢驗及/或偵測形成於該基材之此側上的一或多個劃分線組成。
該基材之附著至該保護膜之該前表面的該側可在加工該基材前經由該保護膜藉由該檢驗裝置檢驗。
藉由按以上識別之方式檢驗及/或偵測形成於該基材側上之對準標記(例如，一或多個劃分線)，可達成該基材之用於其後續加工的精確且高效對準。
舉例而言，一或多個劃分線可形成於該基材之該第一側上。該基材之該第一側可附著至該保護膜之該前表面。經由該保護膜藉由該檢驗裝置檢驗及/或偵測該一或多個劃分線允許該或該等劃分線之特別精確且高效檢測及/或偵測，使得可準確地對準該基材。此特別適用於自第二基材側檢測及/或偵測形成於第一基材側上之對準標記(例如，藉由一紅外線(IR)相機)困難或甚至不可能之基材，諸如，在第二側上具有一金屬層之基材、高度摻雜之晶圓、厚基材、結合之基材及在第二側上具有高度表面粗糙度之基材。
若該方法包含經由該保護膜藉由該檢驗裝置檢驗該基材之附著至該保護膜之該前表面的該側，則特別較佳地，將該基材附著至該保護膜之該前表面，使得該保護膜之該前表面之至少一中心區與該基材直接接觸。在此情況中，在該保護膜之該前表面之至少該中心區與該基材之間不存在材料，特別是，不存在黏著劑。因此，歸因於不存在此材料(特別是，一黏著劑)，可按一特別高之精確度經由該保護膜檢測及/或偵測形成於該基材上之對準標記。
該方法可包含經由該支撐構件藉由該檢驗裝置檢驗該基材之附著至該保護膜之該前表面的該側。該支撐構件可至少部分對由該檢驗裝置使用之輻射(諸如，可見光)透明。舉例而言，該支撐構件可至少部分或全部由一透明材料製成，或包含一開口或窗口，該檢驗裝置可經由該開口或窗口檢驗該基材。該檢驗裝置可配置於該支撐構件上或處，或至少部分在該支撐構件內或內部。
該保護膜可具備一黏著層。該黏著層可僅提供於該保護膜之該前表面之一周邊區中。該保護膜之該前表面之該周邊區可經配置以便包圍該保護膜之該前表面之該中心區。
該基材之該第一側或該基材之該第二側可附著至該保護膜之該前表面，使得該黏著層僅與該基材之該第一側或該基材之該第二側的一周邊部分接觸。該基材之該第一側或該第二側之該周邊部分可為或對應於該基材之一周邊邊際區。
藉由使用此黏著層，可進一步改良該保護膜至該基材之該附著。此外，由於該黏著層僅提供於該保護膜之該前表面之該周邊區中，因此如與一黏著層提供於該保護膜之該全部前表面上之一情況相比，保護膜與基材由該黏著層相互附著之區顯著減小。因此，該保護膜可更易於自該基材拆開，且對該基材(特別是，對形成於其上之裝置)之損壞的風險相當大地減小。
該黏著層之該黏著劑可藉由一外部刺激固化，諸如，熱量、UV輻射、電場及/或化學試劑。以此方式，該保護膜可特別易於在加工後自該基材移除。可將該外部刺激施加至該黏著劑，以便降低其黏著力，因此允許該保護膜之一容易移除。
舉例而言，該黏著層可具有一實質上環形形狀、一開口矩形形狀或一開口正方形形狀，亦即，分別一矩形或正方形形狀，在該黏著層之中心具有一開口。
該保護膜可為可擴大的。該保護膜可在施加至該基材之該第一側或該第二側時經擴大。若突起及/或凹座存在於該基材之各別側上，則該保護膜可在施加至該基材之該側時經擴大，以便緊密或至少部分遵循此等突起之輪廓。
特別是，該保護膜可擴大至其原始大小之兩倍或更大，較佳地，其原始大小之三倍或更大，且更佳地，其原始大小之四倍或更大。以此方式，特別是，對於擴大至其原始大小之三倍或四倍或更大之情況，可可靠地確保該保護膜遵循該等突起之該等輪廓。
若該保護膜可擴大，則其可用於將形成於該基材上之裝置相互分開，如以下將進一步詳述。特別是，該方法可進一步包含在加工該基材後，徑向擴大該保護膜以便將該等裝置相互分開。
舉例而言，該基材可經充分劃分，例如，藉由一機械切割製程、一雷射切割製程及/或一電漿切割製程，或藉由一研磨前切塊製程。隨後，可藉由徑向擴大該保護膜將可呈晶片或晶粒之形式的該等充分劃分之裝置遠離彼此移動，由此增大鄰近裝置之間的距離。
可自該基材之與附著至該保護膜之該前表面的該基材之該側相對的該側加工該基材。
自該基材之與附著至該保護膜之該前表面的該基材之該側相對的該側加工該基材可包含自該基材之與附著至該保護膜之該前表面的該基材之該側相對的該側切割及/或研磨及/或拋光該基材。
特別是，可沿著一或多個劃分線(例如，形成於附著至該保護膜之該前表面的該基材之該側上之一或多個劃分線)自該基材之與附著至該保護膜之該前表面的該基材之該側相對的該側切割該基材。
在該切割製程中，可沿著貫穿該基材之全部厚度的該至少一個劃分線移除基材材料。在此情況中，可藉由該基材材料移除製程沿著該至少一個劃分線將該基材劃分成多個晶片或晶粒。
替代地，可沿著沿著該基材之該厚度之僅部分的該至少一個劃分線移除該基材材料。舉例而言，可沿著該基材之該厚度之20%或更大、30%或更大、40%或更大、50%或更大、60%或更大、70%或更大、80%或更大或90%或更大移除該基材材料。
在此情況中，可例如藉由採用一破壞製程、將一外部力施加至該基材(例如，使用一膨脹膠帶)，或藉由採用再一切割或切塊製程(諸如，一機械切割或切塊製程、一雷射切割或切塊製程或一電漿切割或切塊製程)，進行劃分(亦即，充分劃分)該基材之一製程。舉例而言，可藉由徑向擴大該保護膜，亦即，藉由將該保護膜用作一膨脹膠帶來將一外部力施加至該基材。另外，亦可使用此等製程中之兩者或多者之一組合。
可沿著該至少一個劃分線機械移除該基材材料。特別是，可藉由沿著該至少一個劃分線機械切割該基材(例如，藉由刀片切塊或鋸切)來沿著該至少一個劃分線移除該基材材料。
替代地或另外，可藉由雷射切割及/或藉由電漿切割沿著該至少一個劃分線移除該基材材料。
可在一單一機械切割步驟、一單一雷射切割步驟或一單一電漿切割步驟中切割該基材。替代地，可藉由一連串機械切割及/或雷射切割及/或電漿切割步驟來切割該基材。
可例如藉由燒蝕雷射切割及/或藉由匿蹤雷射切割來執行雷射切割，亦即，藉由在該基材內形成修改之區域(藉由一雷射束之施加)，如將在以下進一步詳述，及/或藉由在該基材中形成多個孔洞區域(藉由一雷射束之施加)。此等孔洞區域中之各者可由一修改之區域及朝向該基材之一表面的在該修改之區域中之一空間構成。
藉由具有附著至基材之該保護膜，可確保在該切割步驟期間施加之壓力在切割期間貫穿該基材均勻且均質地分佈，因此減小或甚至最小化在該切割步驟中對該基材之損壞之任何風險，例如，該等所得晶片或晶粒之側壁之開裂。
在一匿蹤雷射切割製程中，將具有允許一雷射束穿過該基材之透射的一波長之該雷射束施加至該基材。因此，該基材由對該雷射束透明之一材料製成。至少在沿著該至少一個劃分線之多個位置中將該雷射束施加至該基材，以便沿著該至少一個劃分線在該基材中形成多個修改之區域，例如，在該基材之塊體內部或內。
該雷射束可為一脈衝式雷射束。該脈衝式雷射束可具有一脈衝寬度，例如，在1 fs至1000 ns之範圍中。
該等修改之區域為該基材之已藉由該雷射束之該施加修改的區域。該等修改之區域可為該基材之已修改該基材材料之結構的區域。該等修改之區域可為該基材之該基材已受到損壞的區域。
藉由形成此等修改之區域，該基材在其形成該等修改之區域的區中之強度減小。因此，極大地有助於已形成該等多個修改之區域的沿著該至少一個劃分線的該基材之劃分。在此基材劃分製程中，獲得在該基材之一裝置區中提供之個別裝置，作為晶片或晶粒。
該等修改之區域可包含非晶區域或形成裂縫之區域，或可為非晶區域或形成裂縫之區域。在特別較佳實施例中，該等修改之區域包含或為非晶區域。
各修改之區域可包含在該基材材料內部之一空間(例如，一空腔)，該空間由一非晶區域或形成裂縫之一區域包圍。
各修改之區域可各由該基材材料內部之一空間(例如，一空腔)及包圍該空間的一非晶區域或形成裂縫之一區域構成。
若該等修改之區域包含或為形成裂縫(亦即，已形成裂縫)之區域，則該等裂縫可為微裂縫。該等裂縫可具有在μm範圍中之尺寸，例如，長度及/或寬度。舉例而言，該等裂縫可具有在5 μm至100 μm之範圍中的寬度，及/或在100 μm至1000 μm之範圍中的長度。
該方法可進一步包含在於該基材中形成該等多個修改之區域後沿著該至少一個劃分線劃分該基材。可以各種方式進行劃分該基材之製程，例如，藉由採用一破壞製程、將一外部力施加至該基材(例如，使用一膨脹膠帶)，或藉由採用一切割或切塊製程(諸如，一機械切割或切塊製程、一雷射切割或切塊製程或一電漿切割或切塊製程)。舉例而言，可藉由徑向擴大該保護膜，亦即，藉由將該保護膜用作一膨脹膠帶來將一外部力施加至該基材。另外，亦可使用此等製程中之兩者或多者之一組合。
自該基材之與附著至該保護膜之該前表面的該基材之該側相對的該側加工該基材可進一步包含自該基材之與附著至該保護膜之該前表面的該基材之該側相對的該側研磨該基材，以便調整該基材厚度。此研磨控制可在切割該基材前及/或後執行。
舉例而言，本發明之方法可包含一研磨前切塊製程。特別是，在將該基材之該第一側或該第二側附著至該保護膜之該前表面前，可自待附著至該保護膜之該基材側部分切割該基材，亦即，沿著其厚度之僅部分切割。隨後，此基材側可附著至該保護膜，且可沿著該基材之該厚度之一其餘部分研磨該相對基材側，其中在該部分切割製程中尚未移除基材材料，以便劃分該基材，例如，沿著該至少一個劃分線。
自該基材之與附著至該保護膜之該前表面的該基材之該側相對的該側加工該基材可進一步包含自該基材之與附著至該保護膜之該前表面的該基材之該側相對的該側拋光該基材。若該基材亦經受一研磨製程，則較佳地在研磨後拋光該基材。
自該基材之與附著至該保護膜之該前表面的該基材之該側相對的該側拋光該基材之製程可包含以下各者或由以下各者組成：化學機械拋光(CMP)、乾式拋光(DP)及/或其他類型之拋光製程。
自該基材之與附著至該保護膜之該前表面的該基材之該側相對的該側加工該基材可進一步包含自該基材之與附著至該保護膜之該前表面的該基材之該側相對的該側蝕刻(例如，電漿蝕刻)該基材。
可自該基材之附著至該保護膜之該前表面的該側加工該基材。
自該基材之附著至該保護膜之該前表面的該側加工該基材可包含自該基材之附著至該保護膜之該前表面的該側藉由輻射(諸如，光)輻照該基材，例如，藉由使用一雷射束。可經由該保護膜藉由光輻照該基材，例如，藉由使用一雷射束。
特別是，該基材可經受經由該保護膜之一匿蹤雷射切割製程。在此製程中，將具有允許一雷射束穿過該保護膜及穿過該基材之透射的一波長之該雷射束施加至該基材，以便在該基材中形成多個修改之區域，如已在上文詳述。
本發明亦提供加工具有一第一側及與該第一側相對之一第二側的一基材之再一方法。該方法包含提供具有一前表面及與該前表面相對之一後表面的一保護片，及提供用於固持該基材之一固持框。該固持框具有一中心開口。該方法進一步包含將該固持框附著至該保護片之該前表面或該後表面，以便藉由該保護片閉合該固持框之該中心開口，及將該基材之該第一側或該基材之該第二側附著至該保護片之該前表面。此外，該方法包含自該基材之與附著至該保護片之該前表面的該基材之該側相對的該側加工該基材，及/或自該基材之附著至該保護片之該前表面的該側加工該基材。將該固持框附著至該保護片之該前表面或該後表面包含將該保護片施加至該固持框，使得該保護片之該前表面或該後表面與該固持框直接接觸，及在將該保護片施加至該固持框期間及/或之後將一外部刺激施加至該保護片，使得該固持框附著至該保護片之該前表面或該後表面。
以上針對本發明之第一方法提供的所有特徵及解釋亦適用於本發明之此第二方法。
基材及固持框可具有以上詳細描述之性質、特性及特徵。
保護片可包含以上詳細描述之保護膜。該保護片之該前表面可由該保護膜之該前表面形成。
保護片可由以上詳細描述之保護膜組成。在此情況中，保護片之前表面為保護膜之前表面，且保護片之後表面為保護膜之後表面。
保護片可包含以上詳細描述之保護膜及緩衝層。
保護片可由以上詳細描述之保護膜及緩衝層組成。
該保護片之該前表面可由該保護膜之該前表面形成。該保護片之該後表面可由該緩衝層之該後表面形成，或較佳地，由該保護膜之該後表面及該緩衝層之該後表面形成。該保護片之該後表面可由該緩衝層之該後表面形成於該保護片之一中心部分中。該保護片之該後表面可由該保護膜之該後表面形成於該保護片之一周邊部分中。該保護片之該周邊部分可圍繞該保護片之該中心部分配置，亦即，以便包圍該保護片之該中心部分。可在保護片之周邊部分中將固持框附著至保護片。
舉例而言，該緩衝層可具有一側向延伸，例如，一直徑，其小於該保護膜之一側向延伸，例如，一直徑。該緩衝層之該側向延伸(例如，該直徑)可實質上與該基材之一側向延伸(例如，一直徑)相同，或比該基材之一側向延伸(例如，一直徑)大，例如，稍大。該緩衝層可不存在於該保護膜之一周邊部分中。該緩衝層可僅存在於該保護膜之一中心部分中。該保護膜之該周邊部分可圍繞該保護膜之該中心部分配置，亦即，以便包圍該保護膜之該中心部分。基材可在保護膜之中心部分中附著至保護片之前表面。
保護片可包含以上詳細描述之保護膜、緩衝層及基底薄片。
保護片可由以上詳細描述之保護膜、緩衝層及基底薄片組成。
該保護片之該前表面可由該保護膜之該前表面形成。該保護片之該後表面可由該基底薄片之該後表面形成，或較佳地，由該保護膜之該後表面及該基底薄片之該後表面形成。該保護片之該後表面可由該基底薄片之該後表面形成於該保護片之一中心部分中。該保護片之該後表面可由該保護膜之該後表面形成於該保護片之一周邊部分中。該保護片之該周邊部分可圍繞該保護片之該中心部分配置，亦即，以便包圍該保護片之該中心部分。可在保護片之周邊部分中將固持框附著至保護片。
舉例而言，該緩衝層及該基底薄片可具有側向延伸，例如，直徑，其小於該保護膜之一側向延伸，例如，一直徑。該緩衝層之該側向延伸(例如，該直徑)可實質上與該基材之一側向延伸(例如，一直徑)相同，或比該基材之一側向延伸(例如，一直徑)大，例如，稍大。該基底薄片之該側向延伸(例如，該直徑)可實質上與該基材之該側向延伸(例如，該直徑)相同，或比該基材之該側向延伸(例如，該直徑)大，例如，稍大。該緩衝層之該側向延伸(例如，該直徑)可實質上與該基底薄片之該側向延伸(例如，該直徑)相同。該緩衝層及該基底薄片可不存在於該保護膜之一周邊部分中。該緩衝層及該基底薄片可僅存在於該保護膜之一中心部分中。該保護膜之該周邊部分可圍繞該保護膜之該中心部分配置，亦即，以便包圍該保護膜之該中心部分。基材可在保護膜之中心部分中附著至保護片之前表面。
固持框可以與以上針對將固持框附著至保護膜或片之後表面所詳述相同的方式附著至保護片之前表面或後表面。
該基材之該第一側或該基材之該第二側可以與以上針對將基材之第一側或第二側附著至保護膜之前表面所詳述相同的方式附著至保護片之前表面。
特別是，將該基材之該第一側或該基材之該第二側附著至該保護片之該前表面可包含將該保護片施加至該基材之該第一側或該基材之該第二側，使得該保護片之該前表面之至少一中心區與該基材之該第一側或該基材之該第二側直接接觸。在此情況中，在該保護片之該前表面之至少該中心區與該基材之該第一側或該基材之該第二側之間不存在材料，特別是，不存在黏著劑。該保護片之該前表面之該中心區可對應於該基材之一裝置區。
可將該保護片施加至該基材之該第一側或該基材之該第二側，使得在該保護片之該前表面與該基材之該第一側或該基材之該第二側接觸之全部區域中，該保護片之該前表面與該基材之該第一側或該基材之該第二側直接接觸。因此，在該保護片之該前表面與該基材之該第一側或該基材之該第二側之間不存在材料，特別是，不存在黏著劑。
將該基材之該第一側或該基材之該第二側附著至該保護片之該前表面可進一步包含在將該保護片施加至該基材之該第一側或該基材之該第二側期間及/或之後將一外部刺激施加至該保護片，使得該基材之該第一側或該基材之該第二側以與以上針對將該基材之該第一側或該第二側附著至該保護膜之該前表面所詳述相同的方式附著至該保護片之該前表面。
該保護片可具備一黏著層。該黏著層可僅提供於該保護片之該前表面之一周邊區中。該保護片之該前表面之該周邊區可經配置以便包圍該保護片之該前表面之該中心區。
該基材之該第一側或該基材之該第二側可附著至該保護片之該前表面，使得該黏著層僅與該基材之該第一側或該基材之該第二側的一周邊部分接觸。該基材之該第一側或該第二側之該周邊部分可為或對應於該基材之一周邊邊際區。
黏著層可具有以上詳細描述之性質、特性及特徵。
以與以上詳述相同的方式，自該基材之與附著至該保護片之該前表面的該基材之該側相對的該側加工該基材，及/或自該基材之附著至該保護片之該前表面的該側加工該基材。
外部刺激及將外部刺激施加至保護片之過程可具有以上詳細描述之性質、特性及特徵。
在本發明之本方法中，將固持框附著至保護片之前表面或後表面包含將該保護片施加至該固持框，使得該保護片之前表面或後表面與該固持框直接接觸。因此，在該保護片之前表面或後表面與該固持框之間不存在材料，特別是，不存在黏著劑。
以此方式，可可靠地消除對該固持框之一可能污染或損壞(例如，歸因於一黏著層之一黏著力或在該固持框上之黏著劑殘餘物)之風險。
該保護片之全部前表面及/或後表面可無黏著劑。
將固持框附著至保護片之前表面或後表面進一步包含在將該保護片施加至該固持框期間及/或之後將一外部刺激施加至該保護片，使得該固持框附著至該保護片之前表面或後表面。
藉由以此方式施加該外部刺激，產生保護片與固持框之間的一附著力，從而將該保護片固持於其在該固持框上之位置中。因此，無必要有額外黏著劑材料用於將該保護片附著至該固持框。
特別是，藉由將該外部刺激施加至該保護片，一形式配合(諸如，一正配合)及/或一材料結合(諸如，一黏著劑結合)可形成於該保護片與該固持框之間。術語「材料結合」及「黏著劑結合」定義保護片與固持框之間的一附著或連接，其係歸因於作用於此等兩個組件之間的原子及/或分子力。
因此，本發明提供再一種加工一基材之簡單且高效方法。
特別是，當自保護片拆卸固持框時，可靠地避免由黏著層之黏著力對框之任何損壞或由黏著劑殘餘物對框之任何污染。因此，無黏著劑殘餘物必須自固持框移除，以便允許重新使用框，因此進一步增強基材加工之效率。
固持框與基材可附著至保護片之同一表面，亦即，至保護片之前表面。
替代地，該固持框與該基材可附著至該保護片之相對表面。具體言之，可將該固持框附著至該保護片之該後表面。
該方法可進一步包含如上所詳述提供及使用一支撐構件。
該方法可進一步包含如上所詳述提供及使用一支撐構件。
該方法可進一步包含如上所詳述提供及使用一檢驗裝置。
該保護片可為可擴大的。該保護片可在施加至該基材之該第一側或該第二側時經擴大。若突起存在於該基材之各別側上，則該保護片可在施加至該基材之該側時經擴大，以便緊密或至少部分遵循此等突起之輪廓。
特別是，該保護片可擴大至其原始大小之兩倍或更大，較佳地，其原始大小之三倍或更大，且更佳地，其原始大小之四倍或更大。以此方式，特別是，對於擴大至其原始大小之三倍或四倍或更大之情況，可可靠地確保該保護片遵循該等突起之該等輪廓。
若該保護片可擴大，則其可用於將形成於該基材上之裝置相互分開。特別是，該方法可進一步包含在加工該基材後，徑向擴大該保護片以便將該等裝置相互分開。
舉例而言，該基材可經充分劃分，例如，藉由一機械切割製程、一雷射切割製程及/或一電漿切割製程，或藉由一研磨前切塊製程。隨後，可藉由徑向擴大該保護片將可呈晶片或晶粒之形式的該等充分劃分之裝置遠離彼此移動，由此增大鄰近裝置之間的距離。
較佳實施例之詳細說明
現將參看隨附圖式描述本發明之較佳實施例。較佳實施例係關於加工一基材之方法。
在下文中，將參看圖1及圖2描述本發明之第一實施例。
在第一實施例中，對一基材2執行本發明之方法(見圖1及圖2)。該基材2可為晶圓，諸如，半導體晶圓。然而，可使用不同類型之基材，及特別是，不同基材材料，如已在上文詳述。
如在圖1中展示，基材2具有一第一表面或第一側4 (亦即，前表面或前側)，及與第一側4相對之一第二表面或第二側6 (亦即，後表面或後側)。第一側4與第二側6實質上相互平行。
在基材2之第一側4上，形成具有多個裝置之一裝置區(未展示)。該等裝置由亦形成於第一側4上之多個劃分線(未展示)分割。劃分線可至少實質上以晶格圖案配置。
在本實施例中，基材2展現實質上圓形形狀。然而，基材2之形狀不受特別限制。在其他實施例中，該基材2可具有例如卵形形狀、橢圓形形狀或多邊形形狀(諸如，矩形形狀或正方形形狀)。
提供一保護膜8及一固持框10 (見圖1及圖2)。保護膜8具有一前表面12及與前表面12相對之一後表面14。固持框10經組配用於經由保護膜8固持基材2。該固持框10具有一中心開口16。
固持框10由諸如金屬或塑膠之剛性材料製成。在本實施例中，固持框10為具有一實質上圓形中心開口16之一環形框。該固持框10可為一半導體大小之固持框。然而，任一類型之形狀可用於固持框10及中心開口16。舉例而言，在其他實施例中，該固持框10可具有一多邊形形狀，諸如，一正方形或矩形形狀。中心開口16可具有一多邊形形狀，諸如，一正方形或矩形形狀。固持框10可具有在1 mm至5 mm之範圍中的厚度。
在本實施例中，保護膜8由單一材料製成，諸如，聚合物材料，較佳地，聚烯烴，例如，聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)或聚丁烯(PB)。保護膜8可耐熱高達180℃或更高之一溫度。該保護膜8可擴大。保護膜8可具有在5 µm至200 µm之範圍中、較佳地在80 µm至150 µm之範圍中的一厚度。保護膜8在其俯視圖上具有一實質上圓形形狀。然而，保護膜8之形狀不受特別限制。在其他實施例中，保護膜8在其俯視圖中可具有例如卵形形狀、橢圓形形狀或多邊形形狀(諸如，矩形形狀或正方形形狀)。
保護膜8具有一外直徑，其大於基材2之外直徑且大於固持框10之一內直徑，亦即，中心開口16之直徑(見圖1)。保護膜8之外周邊部分附著至固持框10，如將在下文詳述。
在本實施例中，保護膜8之前表面12及後表面14無黏著劑。
將保護膜8施加至固持框10，使得保護膜8之後表面14與固持框10直接接觸，亦即，使得在後表面14與固持框10之間不存在材料，特別是，不存在黏著劑。在將保護膜8施加至固持框10期間及/或之後，將外部刺激施加至保護膜8，使得固持框10附著至保護膜8之後表面14。藉由施加該外部刺激，產生保護膜8與固持框10之間的一附著力，從而將該保護膜8固持於其在該固持框10上之位置中。固持框10附著至保護膜8之後表面14，以便藉由保護膜8閉合固持框10之中心開口16，如在圖1中展示。
該外部刺激可如上所詳述。可以與以上所描述相同的方式將外部刺激施加至保護膜8。
舉例而言，將該外部刺激施加至該保護膜8可包含加熱該保護膜8或由加熱該保護膜8組成。可直接及/或間接加熱保護膜8。
該保護膜8可藉由直接將熱量施加至其來加熱，例如，使用諸如加熱滾筒、加熱模具或類似者之一熱施加構件(未展示)或一熱輻射構件(未展示)。可將保護膜8及固持框10置放於諸如真空腔室之一容器或腔室(未展示)中，且可加熱該容器或腔室之一內容積，以便加熱該保護膜8。該容器或腔室可具備一熱輻射構件。
可間接加熱保護膜8，例如，藉由在將保護膜8施加至固持框10前及/或期間及/或之後加熱固持框10。舉例而言，可藉由將固持框10置放於一支撐件或載體(未展示)上且加熱該支撐件或載體來加熱固持框10。
在其他實施例中，可藉由一黏著劑將該固持框10附著至該保護膜8之該後表面14。可在將該固持框10附著至該保護膜8前將該黏著劑塗覆至該固持框10及/或至該保護膜8之該後表面14。較佳地，該黏著劑可僅塗覆至該保護膜之該後表面14之一部分，特別是，至該後表面14之一周邊區。
藉由以此方式將固持框10附著至保護膜8之後表面14，形成包含保護膜8及固持框10之一固持單元。
在將固持框10附著至保護膜8之後表面14後，將保護膜8施加至基材2之第一側4，使得在保護膜8之前表面12與基材2之第一側4接觸之全部區域中，保護膜8之前表面12與第一側4直接接觸。因此，在保護膜8之前表面12與基材2之第一側4之間不存在材料，特別是，不存在黏著劑。將保護膜8施加至基材2之第一側4，以便覆蓋在裝置區中形成之裝置。因此，可靠地保護此等裝置免受在隨後基材加工、處置及運輸步驟期間之損壞及污染。
在將保護膜8施加至基材2之第一側4期間及/或之後，將外部刺激施加至保護膜8，使得基材2之第一側4附著至保護膜8之前表面12。藉由施加該外部刺激，產生保護膜8與基材2之間的一附著力，從而將該保護膜8固持於其在該基材2上之位置中。
該外部刺激可如上所詳述。可以與以上所描述相同的方式將外部刺激施加至保護膜8。
舉例而言，將該外部刺激施加至該保護膜8可包含加熱該保護膜8或由加熱該保護膜8組成。可直接及/或間接加熱保護膜8。
該保護膜8可藉由直接將熱量施加至其來加熱，例如，使用諸如加熱滾筒、加熱模具或類似者之一熱施加構件(未展示)或一熱輻射構件(未展示)。可將保護膜8及基材2置放於諸如真空腔室之一容器或腔室(未展示)中，且可加熱該容器或腔室之一內容積，以便加熱該保護膜8。該容器或腔室可具備一熱輻射構件。
可間接加熱保護膜8，例如，藉由在將保護膜8施加至基材2前及/或期間及/或之後加熱基材2。舉例而言，可藉由將基材2置放於一支撐構件或載體(諸如，一夾盤臺)上且加熱該支撐構件或載體來加熱該基材2。
在其他實施例中，可藉由一黏著劑將該基材2附著至該保護膜8之該前表面12。在此情況中，保護膜8可具備一黏著層，其僅配置於保護膜8之前表面12之一周邊區中，如已在上文詳述。此周邊區經配置以便包圍保護膜8之前表面12之無黏著劑的中心區。基材2之第一側4附著至保護膜8之前表面12，使得該黏著層僅與第一側4之一周邊部分接觸。保護膜8之前表面12之中心區與基材2之第一側4直接接觸。
藉由將基材2之第一側4附著至保護膜8之前表面12，形成包含保護膜8、固持框10及基材2之一基材單元(見圖1)，從而極大地有助於基材2之後續加工、處置及運輸。
提供具有一連續支撐表面20之一支撐構件18 (見圖1)。在本實施例中，支撐構件18為在支撐表面20之平面中具有一實質上圓形橫截面之一夾盤臺。在支撐表面20之平面中的支撐構件18之外直徑小於固持框10之內直徑。
另外，提供用於檢驗基材2之第一側4的一檢驗裝置22。檢驗裝置22配置於支撐構件18內，如在圖2中展示。在本實施例中，檢驗裝置22為使用可見遜色之相機。支撐構件18對於可見光透明，因此允許檢驗裝置22經由支撐構件18檢驗基材2之第一側4。檢驗裝置22可相對於支撐構件18在平行於支撐表面20之方向上移動，如由圖2中之虛線箭頭指示。
在加工基材2前，將基材單元置放於支撐構件18之支撐表面20上，使得保護膜8之後表面14與支撐表面20接觸(見圖2)。因此，基材2配置於支撐構件18上，使得基材2之第二側6經暴露，亦即，面向上。因此，可以一特別簡單且高效方式自第二側6加工基材2。全部基材2擱置於支撐表面20上，其中該保護膜8配置於基材2與支撐表面20之間。在將基材2置放於支撐表面20上時對其加工。
如已在上文詳述，固持框10與基材2附著至保護膜8之相對側，亦即，分別至後表面14及前表面12。因此，如在圖2中展示，固持框10配置於置放於支撐表面20上的基材2之第一側4下方。因此，可可靠地確保，固持框10不干擾自基材之第二側6加工基材2。可藉由加工裝備(諸如，切割、研磨、蝕刻及拋光構件)來自由地接取該基材2。另外，可可靠地消除此裝備歸因於與該固持框10之非故意接觸而受到損壞之任何風險。
因此，不需要在基材加工期間的固持框10之夾緊，使得可以一特別簡單且高效方式加工該基材2。因此，由於不需要夾緊機構，因此本發明之方法允許在有限加工空間內之基材加工。舉例而言，不同於空間消耗直列式裝備，單獨加工設備可用於此目的。
在一些實施例中，可提供用於支撐固持框10之一支撐構件(未展示)。該支撐構件可例如配置於支撐構件18之圓周周圍。該支撐構件可經組配以自下方支撐該固持框10，以便將其固持於其相對於該支撐構件18之位置中。舉例而言，支撐構件可為一實質上環形支撐臺，固持框10擱置於該支撐臺上。
在將該基材單元置放於支撐構件18之支撐表面20上後，基材2之第一側4藉由檢驗裝置22經由支撐構件18及保護膜8來檢驗。特別是，形成於第一側4上之劃分線由檢驗裝置22檢測。為此目的，檢驗裝置22可相對於支撐構件18在平行於支撐表面20之方向上移動(見圖2中之虛線箭頭)。基於此檢測過程，對準基材2，用於其後續加工。
在本實施例之方法中，保護膜8之前表面12與基材2之第一側4直接接觸。因此，在保護膜8之前表面12與第一側4之間不存在材料，特別是，不存在黏著劑，如上文已詳述。歸因於不存在此材料(特別是，黏著劑)，可按一特別高之精確度經由保護膜8偵測形成於第一側4上之劃分線。
在以此方式對準基材2後，加工基材2，如下文將進一步詳述。
首先，基材2之第二側6經研磨以調整基材厚度。由於固持框10附著至保護膜8之後表面14，因此可以一簡單且高效方式執行研磨製程，而無歸因於與固持框10之非故意接觸對研磨裝備(未展示)的損壞之任何風險。
研磨製程可任擇地跟著為拋光及/或蝕刻基材2之第二側6。拋光第二側6之製程可包含以下各者或由以下各者組成：化學機械拋光(CMP)、乾式拋光(DP)及/或其他類型之拋光製程。蝕刻製程可包含電漿蝕刻製程或由電漿蝕刻製程組成。亦可以簡單且高效方式進行拋光及/或蝕刻製程，而無歸因於與固持框10之非故意接觸對使用之加工裝備(未展示)的損壞之任何風險。
在研磨且任擇地拋光及/或蝕刻基材2之第二側6後，自第二側6切割基材2。在本實施例中，沿著形成於基材2之第一側4上的劃分線切割基材2。由於劃分線已由檢驗裝置22偵測，因此可按高準確度執行此切割製程，如已在上文詳述。
可藉由機械切割(例如，藉由刀片切塊或鋸切)及/或藉由雷射切割及/或藉由電漿切割將基材2自其第二側6切割，如已在上文詳述。可在一單一機械切割步驟、一單一雷射切割步驟或一單一電漿切割步驟中切割該基材2。替代地，可藉由一連串機械切割及/或雷射切割及/或電漿切割步驟來切割該基材2。可例如藉由燒蝕雷射切割及/或藉由匿蹤雷射切割來執行雷射切割，亦即，藉由在基材2內形成修改之區域(藉由雷射束(未展示)之施加)，及/或藉由在基材2中形成多個孔洞區域(藉由雷射束之施加)。
可沿著劃分線充分切割基材2，亦即，沿著其全部厚度切割。在此情況中，可沿著劃分線將基材2劃分成包含裝置區之裝置的多個晶片或晶粒。隨後，可藉由徑向擴大保護膜8將該等充分劃分之晶片或晶粒遠離彼此移動，由此增大鄰近晶片或晶粒之間的距離。
替代地，基材2可經沿著其厚度之僅部分切割。在此情況中，可例如藉由採用一破壞製程、將一外部力施加至該基材2 (例如，使用一膨脹膠帶(未展示))，或藉由採用再一切割或切塊製程(諸如，一機械切割或切塊製程、一雷射切割或切塊製程或一電漿切割或切塊製程)，進行劃分(亦即，充分劃分)該基材2之一製程。舉例而言，可藉由徑向擴大該保護膜8，亦即，藉由將該保護膜8用作一膨脹膠帶來將一外部力施加至該基材2。另外，亦可使用此等製程中之兩者或多者之一組合。
歸因於固持框10在保護膜8之後表面14上的配置，可以一簡單且高效方式執行切割製程，而無歸因於與固持框10之非故意接觸對切割裝備(未展示)的損壞之任何風險。
此外或作為一替代例，在一些實施例中，可自基材2之附著至保護膜8之前表面12的第一側4加工(例如，切割)基材2，如將在下文針對本發明之方法之第五實施例進一步詳述。
在於切割製程中劃分基材2後，可自保護膜8拾取所得晶片或晶粒，例如，藉由使用一拾取裝置(未展示)。由於在保護膜8之前表面12與晶片或晶粒之間不存在黏著劑(如上已詳述)，因此可以一特別簡單且高效方式拾取該等晶片或晶粒。為了更進一步簡化拾取製程，可徑向擴大保護膜8，以便增大鄰近晶片或晶粒之間的距離。
如自以上給出之解釋得出結論，可在基材2由固持框10經由保護膜8固持時執行加工基材2之所有步驟。因此，僅需要將基材2安裝至一框之一個步驟。包含保護膜8、固持框10及基材2之基材單元實現基材2之可靠且安全加工、處置及運輸。因此，不需要空間消耗之直列式裝備用於保證基材運輸及處置，而是可將單獨加工設備用於此目的。因此，可以一特別簡單且高效方式進行該基材加工方法。
舉例而言，習知地，在研磨後或在拋光及/或蝕刻後，將一運輸墊用於運輸基材2。運輸墊部分或完全接觸經研磨或拋光之基材表面，因此造成污染問題。此等問題可由本方法可靠地避免，其中貫穿加工，經由固持框10處置及運輸基材2。
在第一實施例中，保護膜8構成僅由保護膜8組成之一保護片。然而，在其他實施例中，可使用由保護膜8及一緩衝層(未展示)組成或包含保護膜8及一緩衝層或由保護膜8、一緩衝層及一基底薄片(未展示)組成或包含保護膜8、一緩衝層及一基底薄片之一保護片。可以與以上在第一實施例之方法中針對保護膜8所詳述相同的方式使用此等保護片。以下將參看圖9至圖12進一步詳細論述使用由保護膜8及一緩衝層組成或由保護膜8、一緩衝層及一基底薄片組成之保護片的本發明之實施例。
在第一實施例中，基材2之第一側4附著至保護膜8之前表面12。然而，在其他實施例中，基材2之第二側6可附著至保護膜8之前表面12。
在下文中，將參看圖3描述本發明之第二實施例。
第二實施例之方法與第一實施例之方法不同之處僅在於，固持框10附著至保護膜8之前表面12，亦即，至保護膜8之與基材2相同的一側。
固持框10以與針對以上用於將固持框10附著至保護膜8之後表面14之第一實施例所詳述相同的方式附著至保護膜8之前表面12。
具體言之，將保護膜8施加至固持框10，使得保護膜8之前表面12與固持框10直接接觸，亦即，使得在前表面12與固持框10之間不存在材料，特別是，不存在黏著劑。在將保護膜8施加至固持框10期間及/或之後，將外部刺激施加至保護膜8，使得固持框10附著至保護膜8之前表面12。藉由施加該外部刺激，產生保護膜8與固持框10之間的一附著力，從而將該保護膜8固持於其在該固持框10上之位置中。固持框10附著至保護膜8之前表面12，以便藉由保護膜8閉合固持框10之中心開口16，如在圖3中展示。
該外部刺激可如上所詳述。可以與以上所描述相同的方式將外部刺激施加至保護膜8。舉例而言，將該外部刺激施加至該保護膜8可包含加熱該保護膜8或由加熱該保護膜8組成。可直接及/或間接加熱保護膜8，如以上已針對第一實施例詳述。
由於保護膜8與固持框10之間的附著力係藉由施加外部刺激產生，因此無額外黏著劑材料有必要用於將保護膜8附著至固持框10。
另外，當自保護膜8拆卸固持框10時，可靠地避免由黏著層之黏著力對固持框10之任何損壞或由黏著劑殘餘物對固持框10之任何污染。因此，無黏著劑殘餘物必須自固持框10移除，以便允許重新使用固持框10。
因此，第二實施例亦提供一種加工基材2之簡單且高效方法。
可以與以上針對第一實施例所詳述相同的方式修改第二實施例之方法。
在下文中，將參看圖4至圖6描述本發明之第三實施例。
第三實施例之方法與第一實施例之方法不同之處僅在於，使用一不同類型之支撐構件18。特別是，第三實施例之支撐構件18具備用於將基材2固持於支撐表面20上之一固持構件(未展示)。支撐構件18具有一空氣可滲透部分24 (見圖4)，其允許空氣穿過其。舉例而言，空氣可滲透部分24可由多孔陶瓷製成。該固持構件為用於經由空氣可滲透部分24在吸力下將該基材2固持於支撐表面20上之一抽吸構件。
在已知方法中，常使用具有大致與基材2之直徑相同且小於空氣可滲透部分24之直徑的一直徑之保護膜。因此，污染物(諸如，研磨或切割水及研磨或拋光灰塵)可經由保護膜之外圓周與空氣可滲透部分24之間的間隙進入至空氣可滲透部分24內。此等污染物可堵塞空氣可滲透部分24，例如，其中提供之孔，且因此相當大地影響基材2之抽吸固持。另外，頻繁清潔空氣可滲透部分24之所得需求顯著降低了基材加工之效率。
若選擇空氣可滲透部分24之較小直徑以便避免以上識別之問題，則藉由經由空氣可滲透部分24之抽吸可達成之抽吸力可能不夠用於在基材加工期間可靠且緊固地將基材2固持於其在支撐表面20上之位置中，特別是，在基材2之外邊緣處。
習知地，已在努力藉由將保護膜附著至一框且在基材2之加工(特別是，研磨)期間夾緊該框來克服以上問題。然而，此已知方法帶來已在上文詳細論述之問題。特別是，需要夾緊機構之使用，此消耗空間且致使基材加工相當地更麻煩且複雜。此外，保護膜必須展現用於實現框之充分夾緊的高度可擴大性，因此顯著限制了可使用保護膜之範圍。
又，為了允許在夾緊製程期間框相對於基材2之所需量的移動，保護膜之顯著大的部分必須存在於框之內圓周與基材之外圓周之間。因此，必須使用具有大內直徑之框，由此加重了以上空間消耗問題且限制可使用框之範圍。
以上識別之問題已藉由本發明解決。
特別是，如在圖5中展示，可選擇保護膜8以便具有足夠大以覆蓋全部空氣可滲透部分24之一直徑，由此可靠地避免污染物進入其中。因此，無關於空氣可滲透部分24之直徑的限制適用。根據本發明，儘管使用了具有大直徑之一保護膜8及一固持框10，但不需要固持框10之夾緊，此係由於固持框10及基材2附著至保護膜8之相對側(見圖4及圖5)。因此，由於不需要夾緊機構，因此本發明之方法允許在有限加工空間內之基材加工。
此外，在本發明之方法中，可更進一步減小所需加工空間，如由圖6中展示之第三實施例之修改繪示。由於不需要固持框10之夾緊，因此不必將固持框10相對於支撐表面20向下移動。因此，若在固持框10之內圓周與基材2之外圓周之間存在保護膜8之僅一小部分，則完全足夠。因此，如與圖4及圖5中繪示之第三實施例之方法比較，可使用具有甚至更小內及外直徑之固持框10，如在圖6中展示。以此方式，可節省在支撐構件18周圍之區域中的較多空間。
另外，亦可將支撐構件18自身之直徑最小化。
可以與以上針對第一實施例所詳述相同的方式修改第三實施例之方法。
在下文中，將參看圖7描述本發明之第四實施例。
第四實施例之方法與第一實施例之方法不同之處僅在於，基材2係在研磨製程前藉由切塊充分劃分。具體言之，在將基材2之第一側4附著至保護膜8之前表面12前，沿著劃分線自第一側4部分切割基材2，亦即，沿著其厚度之僅部分切割。隨後，第一側4附著至保護膜8之前表面12，且沿著基材2之厚度之其餘部分研磨第二側6，其中在部分切割製程中尚未移除基材材料。以此方式，沿著劃分線將基材2劃分成多個晶片或晶粒26 (見圖7)。
任擇地，經劃分之基材2之第二側6可在研磨後拋光。拋光第二側6可包含以下各者或由以下各者組成：化學機械拋光(CMP)、乾式拋光(DP)及/或其他類型之拋光製程。
在劃分基材2後，可自保護膜8拾取所得晶片或晶粒26，例如，藉由使用一拾取裝置。由於在保護膜8之前表面12與晶片或晶粒26之間不存在黏著劑，因此可以一特別簡單且高效方式拾取該等晶片或晶粒26。為了更進一步簡化拾取製程，可徑向擴大保護膜8，以便增大鄰近晶片或晶粒26之間的距離。
可以與以上針對第一實施例所詳述相同的方式修改第四實施例之方法。
在下文中，將參看圖8描述本發明之第五實施例。
第五實施例之方法與第一實施例之方法不同之處僅在於，基材2係自其第一側4加工。將基材2置放於支撐構件18之支撐表面20上，使得基材2之第二側6與支撐表面20接觸(見圖8)。因此，基材2配置於支撐構件18上，使得基材2之第一側4面向上。
如在圖8中繪示，該基材2經受經由保護膜8之一匿蹤雷射切割製程。在此製程中，將具有允許一雷射束LB穿過保護膜8及穿過基材2之透射的一波長之雷射束LB施加至基材2，以便在該基材2中形成多個修改之區域(未展示)，如已在上文詳述。沿著劃分線形成修改之區域，因此減小了基材2沿著劃分線之強度。
該雷射束LB可為一脈衝式雷射束。該脈衝式雷射束可具有一脈衝寬度，例如，在1 fs至1000 ns之範圍中。
該方法可進一步包含在於該基材2中形成多個修改之區域後沿著劃分線劃分該基材2。可以各種方式進行劃分該基材2之製程，例如，藉由採用一破壞製程、將一外部力施加至該基材2 (例如，使用一膨脹膠帶)，或藉由採用一切割或切塊製程(諸如，一機械切割或切塊製程、一雷射切割或切塊製程或一電漿切割或切塊製程)。舉例而言，可藉由徑向擴大該保護膜8，亦即，藉由將該保護膜8用作一膨脹膠帶來將一外部力施加至該基材2。另外，亦可使用此等製程中之兩者或多者之一組合。
可以與以上針對第一實施例所詳述相同的方式修改第五實施例之方法。
在下文中，將參看圖9描述本發明之第六實施例。
第六實施例之方法實質上與第一實施例之方法不同之處僅在於，使用一不同類型之保護片。具體言之，在第六實施例之方法中使用的保護片由保護膜8及一緩衝層28 (見圖9)組成。緩衝層28附著至保護膜8之後表面14。
基材2之第一側4上存在的突起及/或凹座(未展示)可內嵌於該緩衝層28中。因此，可消除自該等突起及/或凹座之存在引起的表面不平度對後續基材加工步驟(諸如，切割、研磨及/或拋光)之任何負面影響。特別是，該緩衝層28可顯著對在一切割、研磨及/或拋光製程期間達成壓力之一特別均勻且均質分佈有貢獻。
緩衝層28可具有以上詳細描述之特徵、性質及特性。
該緩衝層28之材料不受特別限制。特別是，該緩衝層28可由允許在基材2之第一側4上存在的突起及/或凹座內嵌於其中之任一類型之材料形成。該緩衝層28可藉由一外部刺激固化，諸如，UV輻射、熱量、電場及/或化學試劑。
如在圖9中展示，緩衝層28具有小於保護膜8之直徑的一直徑。緩衝層28僅存在於保護膜8之中心部分中，而不存在於保護膜8之周邊部分中。保護膜8之周邊部分圍繞保護膜8之中心部分配置，亦即，以便包圍保護膜8之中心部分。
固持框10在保護膜8之周邊部分中附著至保護膜8之後表面14 (見圖9)。因此，緩衝層28不存在於固持框10與保護膜8之後表面14之間的該固持框10附著至保護膜8之後表面14的區中。
基材2在保護膜8之中心部分中附著至保護膜8之前表面12。緩衝層28之直徑稍大於基材2之直徑(見圖9)。因此，可特別可靠地確保，在基材2之第一側4上存在的突起及/或凹座內嵌於緩衝層28中。
可實質上以與第一實施例之方法相同的方式執行第六實施例之方法。
在加工基材2前，將具有附著至其之保護片的基材2置放於一支撐構件之一支撐表面上，諸如，支撐構件18 (見圖1及圖2)，使得緩衝層28之後表面30 (見圖9)與支撐表面接觸。因此，基材2配置於支撐構件上，使得基材2之第二側6經暴露，亦即，面向上。因此，可以一特別簡單且高效方式自第二側6加工基材2。在將基材2置放於支撐表面上時對其加工。
可以與以上針對第一實施例所詳述相同的方式修改第六實施例之方法。
在下文中，將參看圖10描述本發明之第七實施例。
第七實施例之方法實質上與第六實施例之方法不同之處僅在於緩衝層28之直徑。具體言之，在第七實施例之方法中，緩衝層28之直徑實質上與保護膜8之直徑相同。保護片之後表面因此由緩衝層28之後表面30形成。固持框10附著至保護片之後表面，亦即，至緩衝層28之後表面30，如在圖10中展示。
可以與以上針對第一實施例所詳述相同的方式修改第七實施例之方法。
在下文中，將參看圖11描述本發明之第八實施例。
第八實施例之方法實質上與第六實施例之方法不同之處僅在於，基底薄片32附著至緩衝層28之後表面30 (見圖9)。在第八實施例之方法中使用的保護片因此由保護膜8、緩衝層28及基底薄片32 (見圖11)組成。
基底薄片32可具有以上詳細描述之特徵、性質及特性。
該基底薄片32之材料不受特別限制。該基底薄片32可由軟或易彎材料製成，諸如，聚合物材料，例如，聚氯乙烯(PVC)、乙烯乙酸乙烯酯(EVA)或聚烯烴。替代地，該基底薄片32可由一剛性或硬材料製成，諸如，聚對苯二甲酸乙二酯(PET)及/或矽及/或玻璃及/或不銹鋼(SUS)。
如在圖11中展示，基底薄片32具有實質上與緩衝層28之直徑相同的一直徑。因此，緩衝層28及基底薄片32僅存在於保護膜8之中心部分中，而不存在於保護膜8之周邊部分中。
固持框10在保護膜8之周邊部分中附著至保護膜8之後表面14 (見圖11)。因此，緩衝層28及基底薄片32不存在於固持框10與保護膜8之後表面14之間的該固持框10附著至保護膜8之後表面14的區中。基材2在保護膜8之中心部分中附著至保護膜8之前表面12。
可實質上以與第一實施例之方法相同的方式執行第八實施例之方法。
在加工基材2前，將具有附著至其之保護片的基材2置放於一支撐構件之一支撐表面上，諸如，支撐構件18 (見圖1及圖2)，使得基底薄片32之後表面34 (見圖11)與支撐表面接觸。因此，基材2配置於支撐構件上，使得基材2之第二側6經暴露。因此，可以一特別簡單且高效方式自第二側6加工基材2。在將基材2置放於支撐表面上時對其加工。
可以與以上針對第一實施例所詳述相同的方式修改第八實施例之方法。
在下文中，將參看圖12描述本發明之第九實施例。
第九實施例之方法實質上與第八實施例之方法不同之處僅在於緩衝層28及基底薄片32之直徑。具體言之，在第九實施例之方法中，緩衝層28之直徑及基底薄片32之直徑實質上與保護膜8之直徑相同。保護片之後表面因此由基底薄片32之後表面34形成。固持框10附著至保護片之後表面，亦即，至基底薄片32之後表面34，如在圖12中展示。
可以與以上針對第一實施例所詳述相同的方式修改第九實施例之方法。
2:基材 4:基材之第一側 6:基材之第二側 8:保護膜 10:固持框 12:保護膜之前表面 14:保護膜之後表面 16:中心開口 18:支撐構件 20:支撐表面 22:檢驗裝置 24:空氣可滲透部分 26:晶片或晶粒 28:緩衝層 30:緩衝層之後表面 32:基底薄片 34:基底薄片之後表面 LB:雷射束
下文，參看圖式解釋本發明之非限制實例，其中： 圖1為繪示在根據本發明之一第一實施例之一方法中的將由一固持框經由一保護膜固持之一基材置放於一支撐構件上之一步驟之橫截面圖； 圖2為繪示在根據本發明之第一實施例之方法中的藉由一檢驗裝置檢驗基材之附著至保護膜的側之一步驟之橫截面圖； 圖3為展示在根據本發明之一第二實施例之一方法中的由一固持框經由一保護膜固持之一基材之橫截面圖； 圖4為繪示在根據本發明之一第三實施例之一方法中的將由一固持框經由一保護膜固持之一基材置放於一支撐構件上之一步驟之橫截面圖； 圖5為展示圖4中繪示之步驟之結果之橫截面圖； 圖6為展示針對根據本發明之第三實施例的方法之一修改的圖4中繪示之步驟之結果之橫截面圖； 圖7為展示在根據本發明之第四實施例之方法中的劃分一基材之一步驟之結果之橫截面圖； 圖8為展示在根據本發明之第五實施例之方法中的加工一基材之一步驟之橫截面圖； 圖9為展示在根據本發明之一第六實施例之一方法中的由一固持框經由一保護片固持之一基材之橫截面圖； 圖10為展示在根據本發明之一第七實施例之一方法中的由一固持框經由一保護片固持之一基材之橫截面圖； 圖11為展示在根據本發明之一第八實施例之一方法中的由一固持框經由一保護片固持之一基材之橫截面圖；以及 圖12為展示在根據本發明之一第九實施例之一方法中的由一固持框經由一保護片固持之一基材之橫截面圖。
2:基材
4:基材之第一側
6:基材之第二側
8:保護膜
10:固持框
12:保護膜之前表面
14:保護膜之後表面
18:支撐構件
22:檢驗裝置

Claims (12)

  1. 一種加工具有一第一側及與該第一側相對之一第二側的一基材之方法，該方法包含： 提供具有一前表面及與該前表面相對之一後表面的一保護膜； 提供用於固持該基材之一固持框，其中該固持框具有一中心開口； 將該固持框附著至該保護膜之該後表面，以便藉由該保護膜閉合該固持框之該中心開口； 將該基材之該第一側或該基材之該第二側附著至該保護膜之該前表面；以及 自該基材之與附著至該保護膜之該前表面的該基材之該側相對的該側加工該基材，及/或自該基材之附著至該保護膜之該前表面的該側加工該基材。
  2. 如請求項1所述之方法，其中將該基材之該第一側或該基材之該第二側附著至該保護膜之該前表面包含： 將該保護膜施加至該基材之該第一側或該基材之該第二側，使得該保護膜之該前表面之至少一中心區與該基材之該第一側或該基材之該第二側直接接觸。
  3. 如請求項2所述之方法，其中將該基材之該第一側或該基材之該第二側附著至該保護膜之該前表面進一步包含： 在將該保護膜施加至該基材之該第一側或該基材之該第二側期間及/或之後將一外部刺激施加至該保護膜，使得該基材之該第一側或該基材之該第二側附著至該保護膜之該前表面。
  4. 如請求項1至3中任一項所述之方法，其中將該固持框附著至該保護膜之該後表面包含： 將該保護膜施加至該固持框，使得該保護膜之該後表面與該固持框直接接觸，以及 在將該保護膜施加至該固持框期間及/或之後將一外部刺激施加至該保護膜，使得該固持框附著至該保護膜之該後表面。
  5. 如請求項3或4所述之方法，其中將該外部刺激施加至該保護膜包含加熱該保護膜及/或冷卻該保護膜及/或將一真空施加至該保護膜及/或用光輻照該保護膜。
  6. 如請求項1至5中任一項所述之方法，其中 至少一個劃分線係形成於該基材之該第一側上，且 該基材之該第一側係附著至該保護膜之該前表面。
  7. 如請求項1至6中任一項所述之方法，進一步包含： 提供具有一支撐表面之一支撐構件，以及 將附著至該保護膜之該前表面的該基材置放於該支撐構件之該支撐表面上，使得該保護膜之該後表面與該支撐表面接觸。
  8. 如請求項1至7中任一項所述之方法，進一步包含： 提供一檢驗裝置，以及 經由該保護膜藉由該檢驗裝置檢驗該基材之附著至該保護膜之該前表面的該側。
  9. 如請求項1至8中任一項所述之方法，其中 該保護膜具備一黏著層， 該黏著層僅提供於該保護膜之該前表面之一周邊區中，且 該基材之該第一側或該基材之該第二側係附著至該保護膜之該前表面，使得該黏著層僅與該基材之該第一側或該基材之該第二側的一周邊部分接觸。
  10. 如請求項1至9中任一項所述之方法，其中 自該基材之與附著至該保護膜之該前表面的該基材之該側相對的該側加工該基材，且 自該基材之與附著至該保護膜之該前表面的該基材之該側相對的該側加工該基材包含自該基材之與附著至該保護膜之該前表面的該基材之該側相對的該側切割及/或研磨及/或拋光該基材。
  11. 如請求項1至10中任一項所述之方法，其中 自該基材之附著至該保護膜之該前表面的該側加工該基材，且 自該基材之附著至該保護膜之該前表面的該側加工該基材包含自該基材之附著至該保護膜之該前表面的該側藉由輻射輻照該基材。
  12. 一種加工具有一第一側及與該第一側相對之一第二側的一基材之方法，該方法包含： 提供具有一前表面及與該前表面相對之一後表面的一保護片； 提供用於固持該基材之一固持框，其中該固持框具有一中心開口； 將該固持框附著至該保護片之該前表面及該後表面，以便藉由該保護片閉合該固持框之該中心開口； 將該基材之該第一側或該基材之該第二側附著至該保護片之該前表面；以及 自該基材之與附著至該保護片之該前表面的該基材之該側相對的該側加工該基材，及/或自該基材之附著至該保護片之該前表面的該側加工該基材， 其中將該固持框附著至該保護片之該前表面或該後表面包含： 將該保護片施加至該固持框，使得該保護片之該前表面或該後表面與該固持框直接接觸，以及 在將該保護片施加至該固持框期間及/或之後將一外部刺激施加至該保護片，使得該固持框附著至該保護片之該前表面或該後表面。
TW109122429A 2019-08-01 2020-07-02 加工基材之方法 TWI790454B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102019211540.3 2019-08-01
DE102019211540.3A DE102019211540A1 (de) 2019-08-01 2019-08-01 Verfahren zum bearbeiten eines substrats

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202107613A true TW202107613A (zh) 2021-02-16
TWI790454B TWI790454B (zh) 2023-01-21

Family

ID=74165549

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109122429A TWI790454B (zh) 2019-08-01 2020-07-02 加工基材之方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11823941B2 (zh)
JP (2) JP7332095B2 (zh)
KR (1) KR102593404B1 (zh)
CN (1) CN112309906A (zh)
DE (1) DE102019211540A1 (zh)
TW (1) TWI790454B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102021209979A1 (de) * 2021-09-09 2023-03-09 Disco Corporation Verfahren zur bearbeitung eines substrats

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04180650A (ja) * 1990-11-15 1992-06-26 Nec Kyushu Ltd フルカットダイシング用テープ
JP2001345300A (ja) * 2000-05-31 2001-12-14 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウエーハ加工体および半導体ウエーハ加工体を保持するチャックテーブルを備えた加工装置
JP2002270560A (ja) * 2001-03-07 2002-09-20 Lintec Corp ウエハの加工方法
JP2005191297A (ja) * 2003-12-25 2005-07-14 Jsr Corp ダイシングフィルム及び半導体ウェハの切断方法
JP2005222989A (ja) * 2004-02-03 2005-08-18 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP2005332982A (ja) * 2004-05-20 2005-12-02 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP4830740B2 (ja) * 2005-11-16 2011-12-07 株式会社デンソー 半導体チップの製造方法
US20070111480A1 (en) * 2005-11-16 2007-05-17 Denso Corporation Wafer product and processing method therefor
JP4698519B2 (ja) * 2006-07-31 2011-06-08 日東電工株式会社 半導体ウエハマウント装置
JP5591852B2 (ja) * 2012-03-19 2014-09-17 株式会社東芝 半導体装置の検査方法、半導体装置の製造方法、検査用治具
JP6054234B2 (ja) * 2013-04-22 2016-12-27 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
US20140339673A1 (en) * 2013-05-14 2014-11-20 Texas Instruments Incorporated Wafer processing
TWI661935B (zh) * 2014-06-13 2019-06-11 日商富士軟片股份有限公司 暫時接著用積層體、暫時接著用積層體的製造方法以及帶有元件晶圓的積層體
CN113921447A (zh) * 2014-12-29 2022-01-11 株式会社迪思科 保护片、保护片布置、半导体尺寸晶片的处理系统和方法
GB2551732B (en) 2016-06-28 2020-05-27 Disco Corp Method of processing wafer
JP6814613B2 (ja) * 2016-11-28 2021-01-20 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
DE112017007411T5 (de) * 2017-04-07 2019-12-19 Mitsubishi Electric Corporation Halbleiter-Herstellungsverfahren
TW201901847A (zh) * 2017-05-11 2019-01-01 日商三井化學東賽璐股份有限公司 零件製造用具以及零件製造方法
DE112017007552T5 (de) * 2017-05-18 2020-01-30 Disco Corporation Schutzabdeckung für eine Verwendung bei einer Bearbeitung eines Wafers, Handhabungssystem für einen Wafer und eine Kombination aus einem Wafer und einer Schutzabdeckung
DE102017208405B4 (de) 2017-05-18 2024-05-02 Disco Corporation Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers und Schutzfolie
JP2019021808A (ja) * 2017-07-19 2019-02-07 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
DE102018200656A1 (de) * 2018-01-16 2019-07-18 Disco Corporation Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers
US11508606B2 (en) * 2019-11-05 2022-11-22 Nxp B.V. Technique for handling diced wafers of integrated circuits

Also Published As

Publication number Publication date
US20210035846A1 (en) 2021-02-04
KR102593404B1 (ko) 2023-10-23
JP2022130603A (ja) 2022-09-06
CN112309906A (zh) 2021-02-02
KR20210015716A (ko) 2021-02-10
DE102019211540A1 (de) 2021-02-04
TWI790454B (zh) 2023-01-21
US11823941B2 (en) 2023-11-21
JP2021027336A (ja) 2021-02-22
JP7332095B2 (ja) 2023-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI724020B (zh) 處理晶圓的方法及用於該方法的保護片
KR102351842B1 (ko) 웨이퍼 처리 방법
TWI718633B (zh) 加工基板的方法
KR20210025034A (ko) 웨이퍼를 처리하는 방법
TWI790454B (zh) 加工基材之方法
TW202307947A (zh) 加工基板的方法和用於加工基板的系統
TWI822316B (zh) 加工基板的方法
TWI804947B (zh) 處理基板的方法