CN112309906A - 处理基板的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及处理基板(2)的方法，该基板具有第一侧面(4)、和与第一侧面(4)相反的第二侧面(6)。具体地，本发明涉及一种方法，该方法包括设置具有前表面(12)、和与前表面(12)相反的后表面(14)的保护膜(8)；且提供用于保持基板(2)的保持框架(10)。保持框架(10)具有中心开口(16)。该方法还包括：将保持框架(10)附接到保护膜(8)的后表面(14)，以便通过保护膜(8)闭合保持框架(10)的中心开口(16)；以及将基板(2)的第一侧面(4)或基板(2)的第二侧面(6)附接到保护膜(8)的前表面(12)。此外，该方法包括：从基板(2)的、与基板(2)的附接至保护膜(8)的前表面(12)的侧面相反的侧面来处理基板(12)，和/或从基板(2)的、附接到保护膜(8)的前表面(12)的侧面来处理基板(2)。

Description

处理基板的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年8月1日提交德国专利商标局的、申请号为10 2019 211540.3的德国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本发明涉及一种处理基板的方法，该基板诸如是晶圆、例如半导体晶圆。
背景技术
诸如晶圆的基板的处理需要例如在处理步骤之间和在处理步骤期间对基板进行安全可靠的处理和运输。例如，在例如为了生产半导体设备的设备制造工艺中，将具有设备区域的基板、例如晶圆分割成单独芯片或裸片(individual chip or die)，该设备区域具有通常由多条分割线划分的多个设备。这种制造工艺通常包括用于调节基板厚度的磨削步骤以及沿着分割线切割基板以获得单个芯片或裸片的切割步骤。从基板的、与形成有设备区域的基板前侧面相反的后侧面执行磨削步骤。而且，也可能在基板的后侧面上执行诸如抛光和/或蚀刻的其他处理步骤。基板可以沿分割线从其前侧面或其后侧面进行切割。
为了基板的处理期间保护基板(特别是形成在基板上的设备)例如免受碎片、磨削水或切割水的破坏、变形和/或污染，在处理之前，可以将保护膜或保护片材施加到基板的前侧面。
另外，在处理之前，可以将保护膜或保护片材施加到基板的后侧面，以便保护基板例如免受例如在切割基板的步骤期间的碎片的破坏、变形和/或污染。
为了便于例如在上述处理步骤之间和/或处理步骤期间、基板的处理和运输，可以使用用于保持基板的保持框架。通常，这种保持框架借助于粘合剂在膜的、与基板相同的侧面被附接至保护膜。通常，相同的粘合层用于将基板和保持框架附接至保护膜。
在保护膜的相同侧上布置基板和保持框架的上述已知方法可能在基板处理期间引起问题。特别地，保持框架可能至少部分地阻挡或阻碍诸如切割、磨削或抛光装置的处理装备对基板的接近，从而干扰基板处理。此外，存在由于与保持框架的意外接触而损坏该装备的风险。
为了减轻这些问题，保持框架可以向下夹紧，以远离待处理的基板的表面。然而，这种方法需要使用用于框架的夹紧机构(clamp down mechanism)，该夹紧机构很费空间并且使基板处理相当麻烦和复杂。此外，保护膜必须表现出高度的可延展性，以使框架能够充分地夹持，从而显著限制了可用保护膜的范围。
而且，为了在夹持工艺期间允许保持框架相对于基板的所需移动量，在框架的内周与基板的外周之间必须存在足够大部分的保护膜。因此，必须使用具有大内径的框架，从而加剧了上述空间消耗问题并限制了可用的保持框架的范围。
对于具有大厚度的框架、例如塑料框架，上述问题特别明显。在这种情况下，框架必须夹紧至特别高的程度，以确保它们不会干扰基板的处理。
此外，使用粘合层，以上述常规方式将保持框架附接至保护膜可能引起进一步的问题。特别地，当从保护膜上分离框架时，框架可能被粘合层的粘合力损坏和/或被粘合剂残留物污染。为了使框架重复使用，可能必须从框架上去除这种粘合剂残留物，从而进一步使基板处理过程复杂化。
因此，仍然需要一种简单且有效的处理基板的方法。
发明内容
因此，本发明的目的是提供一种简单且有效的处理基板的方法。该目标通过使用权利要求1的技术特征的基板处理方法、以及通过使用权利要求12的技术特征的基板处理方法来实现。本发明的优选实施方案来自从属权利要求。
本发明提供了一种处理基板的方法，该基板具有第一侧面、例如前侧面，和与第一侧面相反的第二侧面、例如后侧面。该方法包括设置具有前表面、和与该前表面相反的后表面的保护膜或片材，以及设置用于保持基板的保持框架。保持框架具有中心开口。该方法还包括：将保持框架附接到保护膜或片材的后表面，以便通过保护膜或片材闭合保持框架的中心开口；以及将基板的第一侧面或基板的第二侧面附接到保护膜或片材的前表面。此外，所述方法包括：从所述基板的、与所述基板的附接至所述保护膜或片材的所述前表面的侧面相反的侧面来处理所述基板，和/或从所述基板的、附接到所述保护膜或片材的所述前表面的侧面来处理所述基板。
在本发明的方法中，将保持框架附接至保护膜的后表面，并且将基板的第一侧面或第二侧面附接至保护膜的前表面。因此，保持框架和基板附接到保护膜的相反侧。因此，可以可靠地确保保持框架不干扰基板处理。可以通过诸如切割、磨削或抛光装置的处理装备自由地接近(access)基板。此外，可以可靠地消除由于与保持框架的意外接触而损坏该装备的任何风险。
因此，在基板处理期间不需要夹紧框架，使得基板可以以特别简单和有效的方式来处理。因此，由于不需要夹紧机构，因此本发明的方法允许在有限的处理空间内进行基板处理。例如，代替耗费空间的在线装备，可以将独立的处理装置用于此目的。
此外，不必使用具有高扩张性的保护膜或具有大内径的保持框架。因此，宽范围的保护膜和保持框架适用于本发明的处理方法。
因此，本发明提供一种简单且有效的处理基板的方法。
可以在将基板的第一侧面或基板的第二侧面附接到保护膜的前表面之前或之后或同时，将保持框架附接到保护膜的后表面。优选地，在将基板的第一侧面或第二侧面附接至保护膜的前表面之前，将保持框架附接至保护膜的后表面。这样，可以进一步改善保护膜和基板的操作。
保持框架可以由刚性材料制成。例如，保持框架可以由金属或塑料制成。
保持框架可以具有任意类型的形状。例如，保持框架可以是环形框架。可替代地，保持框架可以具有例如带有中心开口的多边形形状、诸如正方形或矩形。
保持框架的中心开口可以具有任意类型的形状。例如，保持框架的中心开口可以具有圆形形状或多边形形状、例如正方形或矩形形状。
保持框架可以是半导体尺寸的保持框架(semiconductor-sized holdingframe)。在本文中，术语“半导体尺寸的保持框架”是指具有用于保持半导体晶圆的保持框架的尺寸(标准尺寸)，特别是，内径(标准内径)的保持框架。
用于保持半导体晶圆的保持框架的尺寸、特别是内径也在SEMI标准中定义。例如，用于300mm晶圆的带框架(tape frame)的尺寸在SEMI标准SEMI G74中定义，并且用于300mm晶圆的塑料带框架的尺寸在SEMI标准SEMI G87中定义。保持框架可具有用于保持半导体尺寸的晶圆(semiconductor-sized wafer)的框架尺寸，该半导体尺寸的晶圆的尺寸为例如3英寸、4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸或18英寸。
保持框架的厚度可以在1mm至5mm的范围内、或在1.2mm至4mm的范围内、或在1.5mm至3mm的范围内、或在1.8mm至2.5mm的范围内。
基板可以例如由半导体、玻璃、蓝宝石(Al2O3)、诸如氧化铝陶瓷的陶瓷、石英、氧化锆、锆钛酸铅(lead zirconate titanate，PZT)、聚碳酸酯、金属(例如铜、铁、不锈钢、铝等)或金属化材料(metalised material)、铁氧体、光学晶体材料、树脂等制成。
具体地，基板可以例如由碳化硅(SiC)、硅(Si)、砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)、磷化镓(GaP)、砷化铟(InAs)、磷化铟(InP)、氮化硅(SiN)、钽酸锂(LT)、铌酸锂(LN)、氮化铝(AlN)、或氧化硅(SiO2)等制成。
基板可以为单晶基板、玻璃基板、诸如化合物半导体基板的化合物基板、或诸如陶瓷基板的多晶基板。
基板可以为晶圆。例如，基板可以为半导体尺寸的晶圆。在本文中，术语“半导体尺寸的晶圆”是指：具有半导体晶圆的尺寸(标准化尺寸)、特别是直径(标准化直径)、即外径的晶圆。半导体晶圆的尺寸、特别是直径(即外径)在SEMI标准中定义。例如，抛光单晶硅(Si)晶圆的尺寸在SEMI标准M1和M76中定义。该半导体尺寸的晶圆可以是3英寸、4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸或18英寸晶圆。
基板可以为半导体晶圆。例如，基板可以是碳化硅(SiC)晶圆、硅(Si)晶圆、砷化镓(GaAs)晶圆、氮化镓(GaN)晶圆、磷化镓(GaP)晶圆、砷化铟(InAs)晶圆、磷化铟(InP)晶圆、氮化硅(SiN)晶圆、钽酸锂(LT)晶圆、铌酸锂(LN)晶圆、氮化铝(AlN)晶圆、氧化硅(SiO2)晶圆等。
基板可以具有任意类型的形状。在其上的俯视图中，基板可以具有例如圆形、卵形、椭圆形或多边形(例如矩形或正方形)的形状。
基板可以具有带有多个设备的设备区域。设备区域可以形成在基板的第一侧面上。设备区域中的设备可以是例如半导体设备、功率设备、光学设备、医疗设备、电子组件、MEMS设备或其组合。设备可以包括、或者可以为，例如晶体管，诸如金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFETs)，或绝缘栅双极型晶体管(insulated-gate bipolar transistor，IGBTs)，或二极管、例如肖特基势垒二极管(Schottky barrier diodes)。
基板例如在其第一侧面上还可以具有周边边缘区域(peripheral marginalarea)，该周边边缘区域不具有设备并且形成在设备区域周围。
保护膜可以由单一材料、特别单一均匀材料制成。
保护膜可以由塑料材料、诸如聚合物制成。特别优选地，保护膜由聚烯烃(polyolefin)制成。例如，保护膜可以由聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、或聚丁烯(PB)制成。
保护膜可以具有5至500μm、优选地5至200μm、更优选地8至100μm、更优选10至80μm、更优选12至50μm范围内厚度。特别优选地，保护膜具有80至150μm范围内的厚度。
保护膜可以具有任意类型的形状。在其上的俯视图中，保护膜可以具有例如圆形、卵形、椭圆形或多边形(例如矩形或正方形)的形状。
将基板的第一侧面或基板的第二侧面附接至保护膜的前表面可包括将保护膜施加到基板的第一侧面或基板的第二侧面，使得至少保护膜的前表面的中心区域与基板的第一侧面或基板的第二侧面直接接触。在这种情况下，至少在保护膜的前表面的中心区域与基板的第一侧面或基板的第二侧面之间不存在材料，尤其是不存在粘合剂。保护膜的前表面的中心区域可以对应于基板的设备区域。
通过将保护膜施加到基板的第一侧面或第二侧面，使得至少保护膜的前表面的中心区域与基板的第一侧面或第二侧面直接接触，可以显著地减少甚至消除例如由于粘合层的粘合力或基板上的粘合剂残留物而可能污染或损坏基板的风险。
可以将保护膜施加到基板的第一侧面或基板的第二侧面，使得在保护膜的前表面与基板的第一侧面或基板的第二侧面接触的整个区域中，保护膜的前表面与基板的第一侧面或基板的第二侧面直接接触。因此，在保护膜的前表面与基板的第一侧面或基板的第二侧面之间不存在材料，尤其是不存在粘合剂。
因此，可以可靠消除例如由于残留在基板上的粘合层或粘合剂的粘合力而可能污染或损害基板的风险。
保护膜的整个前表面可以没有粘合剂。
将基板的第一侧面或基板的第二侧面附接到保护膜的前表面可以进一步包括在将保护膜施加到基板的第一侧面、或基板的第二侧面期间和/或之后，将外部刺激施加到保护膜，使得基板的第一侧面或基板的第二侧面附接到保护膜的前表面。
通过这种方式施加外部刺激，在保护膜与基板之间产生附接力，该附接力将保护膜保持在其在基板上的位置。因此，不需要额外的粘合剂材料来将保护膜附接到基板的第一侧面或基板的第二侧面。
特别地，通过将外部刺激施加至保护膜，可以在保护膜与基板之间形成诸如正配合(positive fit)的形式配合，和/或诸如粘合剂结合的材料结合。术语“材料结合”和“粘合剂结合”定义了由于在这两个组件之间作用的原子力和/或分子力而在保护膜与基板之间的附接或连接。
术语“粘合剂结合”涉及这些原子力和/或分子力的存在，其作用是将保护膜附接或粘附到基板，并不意味着在保护膜与基板之间存在另外的粘合剂。而是，在以上详细描述的实施例中，至少保护膜的前表面的中心区域与基板的第一侧面或基板的第二侧面直接接触。
将外部刺激施加至保护膜可以包括加热保护膜、和/或冷却保护膜、和/或将真空施加保护膜、和/或利用诸如光的辐射、例如通过使用激光束来照射保护膜，或者由加热保护膜、和/或冷却保护膜、和/或将真空施加保护膜、和/或利用诸如光的辐射、例如通过使用激光束来照射保护膜，而组成。
外部刺激可以包括或者是化合物和/或电子或等离子体照射、和/或机械处理，诸如压力、摩擦力或超声应用、和/或静电。
特别优选地，将外部刺激施加到保护膜可以包括加热保护膜，或者由加热保护膜组成。例如，将外部刺激施加到保护膜可以包括加热保护膜和将真空施加到保护膜，或者由加热保护膜和将真空施加到保护膜组成。在这种情况下，可以在加热保护膜期间和/或之前和/或之后，将真空施加到保护膜。
如果将外部刺激施加至保护膜包括加热保护膜，或者由加热保护膜组成，则该方法可以进一步包括在加热工艺之后，使保护膜冷却。特别地，可以使保护膜冷却至其初始温度，即，至其加热工艺之前的温度。从基板的、与基板的附接至保护膜的前表面的侧面相反的侧面来处理基板，和/或从基板的、附接到保护膜的前表面的侧面来处理基板之前，可以使保护膜冷却至例如其初始温度。
通过加热工艺在保护膜与基板之间产生附接力。保护膜在基板上的附接可以在加热工艺本身中和/或在使保护膜冷却的后续工艺中发生。
保护膜可以通过加热处理而软化，例如，以使其与施加有保护膜的基板表面一致，例如吸收基板的形貌。在冷却、例如至其初始温度时，保护膜可以再硬化，例如，以产生与基板的形状配合和/或材料结合。
保护膜可以耐热高达180℃或者更高的温度、优选高达220℃或者更高的温度、更优选高达250℃或者更高的温度、且甚至更优选高达300℃或者更高的温度。
保护膜可以被加热到30℃至250℃、优选50℃至200℃、更优选60℃至150℃，甚至更优选70℃至110℃的范围内的温度。特别优选地，保护膜可以加热至约80℃的温度。
在将保护膜施加至基板的第一侧面、或基板的第二侧面期间和/之后，保护膜可以在30sec(秒)至10min(分钟)、优选1min至8min，更优选1min至6min，甚至更优选1min至4min，还更优选1min至3min范围的持续时间内加热。
如果将外部刺激施加至保护膜包括加热保护膜或由加热保护膜组成，则保护膜可以直接和/或间接加热。
保护膜可以通过直接向其施加热量来加热，例如使用诸如加热辊、加热模(stamp)等加热装置或热辐射装置。可以将保护膜和基板放置在诸如真空腔室的容器或腔室中，并且可以加热容器或腔室的内部容积，以加热保护膜。容器或腔室可以设置有热辐射装置。
在将保护膜施加到基板的第一侧面或基板的第二侧面之前和/或期间和/或之后，可以例如通过加热基板来间接地加热保护膜。例如，可以通过将晶圆放置在诸如卡盘台的支承构件或载体上，并且加热该支承构件或载体来加热基板。
例如，可以将诸如卡盘台的支承构件或载体加热到30℃至250℃，优选50℃至200℃，更优选60℃至150℃，甚至更优选70℃至110℃的范围内的温度。特别优选地，可以将支承构件或载体加热至约80℃的温度。
这些方法也可以例如通过使用诸如加热辊等加热装置、或用于直接加热保护膜以及还有通过基板间接加热保护膜的热辐射装置进行组合。
如果将外部刺激施加至保护膜施包括加热保护膜或由加热保护膜组成，则优选的是，保护膜在处于加热状态时是柔韧的、弹性的、柔性的、可拉伸的、柔软的和/或可压缩的。这样，可以特别可靠地确保保护膜与基板的、施加保护膜的侧面上的基板表面相符合，例如吸收基板的形貌。如果在该基板表面上存在沿着基板的厚度方向突出的诸如表面不平坦或粗糙的突起、凸块(bump)、光学元件等，则这是特别有利的。
优选地，保护膜至少在某种程度上在冷却时硬化或变硬，以在冷却状态下变得更加刚性和/或坚固。这样，可以确保在基板的诸如切割、磨削和/或抛光的后续工艺期间对基板的特别可靠的保护。
该方法还可以包括在将保护膜施加到基板的第一侧面或第二侧面期间和/或之后，将压力施加至保护膜的后表面。以这种方式，将保护膜的前表面按压在基板的第一侧面或第二侧面上。因此，可以特别有效地确保将保护膜可靠地附接到基板。
如果将外部刺激施加到保护膜包括加热保护膜，则可以在加热保护膜之前和/或期间和/或之后，将压力施加到保护膜的后表面。可以在处理基板之前，将压力施加至保护膜的后表面。
可以通过诸如辊、冲头、膜等的压力施加装置，将压力施加至保护膜的后表面。
特别优选地，可以使用热压组合施加装置、例如加热辊或加热冲头。在这种情况下，压力可以被施加到保护膜的后表面，同时加热保护膜。
可以在真空腔室中，将压力施加至保护膜的后表面。
可以在减压气氛中，更具体地，在真空下，将保护膜施加和/或附接到基板的第一侧面或第二侧面。这样，可以可靠地确保在保护膜与基板之间不存在空隙和/或气泡。因此，避免了在基板处理期间，例如由于这种气泡在加热工艺中膨胀而在基板上产生的任何应力或应变。
如果将外部刺激施加至保护膜包括加热保护膜或由加热保护膜组成，则特别优选使用由聚烯烃制备的保护膜。例如，保护膜可以由聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、或聚丁烯(PB)制成。
聚烯烃膜具有特别有利于在本发明的基板处理方法中使用的材料性能，特别是如果将外部刺激施加到保护膜上或由加热保护膜组成。当处于加热状态时，例如当加热至60℃至150℃范围内的温度时，聚烯烃膜是柔韧的、可伸展的和柔软的。因此，可以特别可靠地确保保护膜与施加保护膜的基板表面相适应，例如、吸收基板的形貌。如果这样的基板表面形成有从基板的平面突出的突起或突出，则这是特别有益的。
此外，聚烯烃膜在冷却时硬化并变硬，以在冷却状态下变得更加刚性和坚固。因此，可以确保在基板的诸如切割、磨削和/或抛光的后续工艺期间对基板进行特别可靠的保护。
将保持框架附接至保护膜的后表面可包括将保护膜施加至保持框架，使得保护膜的后表面与保持框架直接接触。在此情况下，在保护膜的后表面与保持框架之间不存在任何材料、特别是不存在粘合剂。
因此，可以可靠消除例如由于残留在保持框架上的粘合层或粘合剂的粘合力而可能污染或损害保持框架的风险。
保护膜的整个后表面可以没有粘合剂。
将保持框架附接至保护膜的后表面可进一步包括在将保护膜施加至保持框架的过程中和/或之后，将外部刺激施加至保护膜，从而将保持框架附接至保护膜的后表面。
通过这种方式施加外部刺激，在保护膜与保持框架之间产生附接力，该附接力将保护膜保持在其在保持框架上的位置。因此，不需要额外的粘合材料来将保护膜附接到保持框架。
特别地，通过将外部刺激施加至保护膜，可以在保护膜与保持框架之间形成诸如正配合(positive fit)的形式配合，和/或诸如粘合剂结合的材料结合。术语“材料结合”和“粘合剂结合”定义了由于在这两个组件之间作用的原子力和/或分子力而在保护膜与保持框架之间的附接或连接。
外部刺激可以为如上所述的。外部刺激可以至少基本上以上述相同的方式施加至保护膜。
可替代地，保持框架可以借助于粘合剂被附接到保护膜的后表面。例如，可以通过热封或热冲压将粘合剂施加到保持框架和/或保护膜的后表面。在将保持框架附接至保护膜之前，可将粘合剂施加至保持框架和/或保护膜的后表面。优选地，粘合剂可以仅施加到保护膜的后表面的一部分，特别是施加到保护膜的后表面的周边区域(peripheral area)。
缓冲层可以附接至保护膜的、与其前表面相反的后表面。
如果诸如表面不平坦或粗糙的突起、突出、凹部和/或沟槽(trenche)，凸块，光学元件(例如光学透镜)，其他结构等从基板的施加保护膜的侧面、沿基板的厚度方向突出、延伸或凸出，则该方法特别有利。在这种情况下，突起或突出限定了相应基板侧的表面结构或形貌，使得该侧不平坦。
如果缓冲层被附接至保护膜的后表面，则突起和/或凹部可以嵌入缓冲层中。因此，可以消除由于突起的存在而引起的表面不平坦对随后的基板处理步骤(例如切割、磨削和/或抛光)的任何负面影响。特别地，例如在切割、磨削和/或抛光期间，缓冲层可以显着地有助于实现压力的特别均匀和一致的分布。
通过将突起嵌入缓冲层中，例如在随后的切割、磨削和/或抛光步骤中，在基板处理期间可靠地保护突起、例如光学元件或其他结构免受任何损坏。
缓冲层的材料不受特别限制。特别地，缓冲层可以由允许沿基板厚度方向突出的突出物嵌入缓冲层的任何类型的材料形成。例如，缓冲层可由树脂、粘合剂、凝胶等形成。
缓冲层可通过外部刺激、诸如UV辐射、热、电场和/或化学试剂来固化。在此情况下，当向缓冲层施加外部刺激时，缓冲层至少在某种程度上硬化。例如，缓冲层可由可固化树脂、可固化粘合剂、可固化凝胶等形成。
缓冲层可以配置为在其固化之后呈现出一定程度的可压缩性、弹性和/或柔性，即，在固化之后为可压缩的、弹性的和/或柔性的。例如，缓冲层可使得其通过固化而进入橡胶状态。替代地，缓冲层可以配置为在固化之后达到刚性、坚硬状态。
在本发明的方法中用作缓冲层的UV固化树脂的优选实施例是DISCO公司的ResiFlat、以及DENKA的TEMPLOC。
该方法可以进一步包括在处理(例如切割、磨削和/或抛光)基板之前，将外部刺激施加到缓冲层以固化缓冲层。这样，可以进一步改善处理期间基板的保护和处理精度。
缓冲层可以耐热高达180℃或更高的温度、优选高达220℃或更高的温度、更优选高达250℃或更高的温度、且甚至更优选高达300℃或更高的温度。
缓冲层可具有10至300μm、优选20至250μm、更优选50至200μm的范围内的厚度。
在将保护膜施加到基板的第一侧面或第二侧面之前，可以将缓冲层附接到保护膜的后表面。
在这种情况下，可以首先层压保护膜和缓冲层，形成包括缓冲层和附接到缓冲层的保护膜的保护片材。以此方式形成的保护片材可以随后施加到基板的第一侧面或第二侧面，例如，使得从基板的平表面突出的突起或突出被保护膜覆盖并嵌入保护膜和缓冲层。可以施加保护片材，使得缓冲层的后表面基本上平行于基板的侧面，该侧面与基板的、施加到保护膜的前表面的侧面相反。因此，当处理(例如切割、磨削和/或抛光)基板时，合适的反压力可以例如通过将缓冲层的后表面放置在卡盘台上而施加到该后表面。
当将保护片材施加到基板的第一侧面或第二侧面时，将保护膜的前表面施加至基板的第一侧面或第二侧面。
这样，可以以特别简单和有效的方式执行基板处理方法。例如，保护片材可以预先制备、存储以备后用，并在需要时用于基板处理。因此可以大量地制造保护片材，从而使得其生产在时间和成本上都尤为有效。
在将保护膜施加到基板的第一侧面或第二侧面之后，可以将缓冲层附接到保护膜的后表面。
在这种情况下，首先将保护膜施加到基板的第一侧面或第二侧面，然后将基板的、其上施加有保护膜的第一侧面或第二侧面附接到缓冲层的前表面，例如，使得从基板的平表面突出的突起或突出嵌入保护膜和缓冲层中，以及使得缓冲层的后表面基本上平行于基板的侧面，该侧面与基板的、施加到保护膜的前表面的侧面相反。这种方法允许将保护膜以特别高的精度，特别是相对于从基板的平表面突出的突起或突出，附接到基板的第一侧面或第二侧面。
在将保护膜施加到基板的第一侧面或第二侧面之前、和/或期间、和/或之后，可以将缓冲层施加到保护膜的后表面。
该方法可以进一步包括从基板去除保护膜和缓冲层。在处理基板之后，可以从基板去除保护膜和缓冲层。
缓冲层和保护膜可以单独地、即，一个接一个地去除。例如，可以首先去除缓冲层，然后去除保护膜。可替代地，缓冲层和保护膜可以一起去除。
优选地，如果存在缓冲层，则将保持框架直接附接到保护膜的后表面。在这种情况下，在保持框架附接到保护膜的后表面的区域中，在保持框架与保护膜的后表面之间不存在缓冲层。例如，缓冲层可具有横向延伸部、例如直径，其小于保护膜的横向延伸部、例如直径。缓冲层的横向延伸部(例如直径)可以与基板的横向延伸部(例如，直径)基本相同或更大、例如略大。缓冲层可以不存在于保护膜的周边部(peripheral portion)中。缓冲层可以仅存在于保护膜的中心部中。保护膜的周边部可以布置在保护膜的中心部周围，即，以便围绕该中心部。基板可以在保护膜的中心部中附接到保护膜的前表面。
可替代地，如果存在缓冲层，则可以通过将保持框架附接到缓冲层的后表面来将保持框架附接到保护膜的后表面。
保护膜和缓冲层一起形成保护片材。保护片材的前表面可以由保护膜的前表面形成。保护片材的后表面可以由缓冲层的后表面形成，或者优选地、由保护膜的后表面和缓冲层的后表面形成。在保护片材的中心部，保护片材的后表面可以由缓冲层的后表面形成。在保护片材的周边部，保护片材的后表面可以由保护膜的后表面形成。保护片材的周边部可以布置在保护片材的中心部周围，即，以便围绕该中心部。保护片材的中心部可以对应于保护膜的中心部。保护片材的周边部可以对应于保护膜的周边部。保持框架可以附接到保护片材的后表面。
将保持框架附接至保护片材的后表面、即优选地直接附接至保护膜的后表面或可替代地附接至缓冲层的后表面可包括：将保护片材施加至保持框架，使得保护片材的后表面与保持框架直接接触。在此情况下，在保护片材的后表面和保持框架之间不存在任何材料、特别是不存在粘合剂。
保护片材的整个后表面可以没有粘合剂。
将保持框架附接至保护片材的后表面可进一步包括在将保护片材施加至保持框架期间、和/或之后，将外部刺激施加至保护片材，使得保持框架附接至保护片材的后表面。
通过这种方式施加外部刺激，在保护片材与保持框架之间产生附接力，该附接力将保护片材保持在其在保持框架上的位置。因此，不需要额外的粘合材料来将保护片材附接到保持框架。
外部刺激可以为如上所述的。外部刺激可以至少基本上以上述相同的方式施加至保护片材。
基片(base sheet)可以附接至缓冲层的、与缓冲层的附接至保护膜的前表面相反的后表面。
基片的材料不受特别限制。基片可以由柔软的或柔韧的材料制成，诸如，例如聚合物材料、如聚氯乙烯(PVC)、乙烯醋酸乙烯酯(EVA)或聚烯烃。
可替代地，基片可以由刚性或硬质材料制成，诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、和/或硅、和/或玻璃、和/或不锈钢(SUS)。
例如，如果基片由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或玻璃制成、并且缓冲层通过外部刺激可固化，则可利用可透射穿过聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或玻璃的辐射(例如，UV辐射)来使缓冲层固化。如果基片由硅或不锈钢(SUS)制成，则提供具有成本效益的基片。
而且，基片可以由以上列出的材料的组合形成。
基片可以耐热高达180℃或更高的温度、优选高达220℃或更高的温度、更优选高达250℃或更高的温度、且甚至更优选高达300℃或更高的温度。
基片可以具有30至1500μm、优选40至1200μm、更优选50至1000μm范围内的厚度。
在将保护膜施加到基板的第一侧面或第二侧面之前或之后，可以将缓冲层和基片附接到保护膜的后表面。特别地，可以首先层压保护膜、缓冲层和基片，形成包括基片、缓冲层和附接到缓冲层的保护膜的保护片材。以这种方式形成的保护片材可以随后被施加到基板。
基片的前表面可以与缓冲层的后表面接触，并且基片的、与基片的前表面相反的后表面可以基本平行于基板的、与基板的施加至保护膜的前表面的侧面相反的侧面。因此，当处理(例如切割、磨削和/或抛光)基板时，合适的反压力可以例如通过将基片的后表面放置在卡盘台上而施加到该后表面。
该方法可以进一步包括从基板去除保护膜、缓冲层和基片。在处理基板之后，可以从基板去除保护膜、缓冲层和基片。
基片、缓冲层和保护膜可以单独地、即，一个接一个地去除。例如，可以首先去除基片，随后去除缓冲层，然后去除保护膜。可替代地，基片、缓冲层和保护膜可以一起去除。
优选地，如果存在缓冲层和基片，则将保持框架直接附接到保护膜的后表面。在这种情况下，在保持框架附接到保护膜的后表面的区域中，在保持框架与保护膜的后表面之间不存在缓冲层和基片。例如，缓冲层和基片可具有横向延伸部、例如直径，其小于保护膜的横向延伸部、例如直径。缓冲层的横向延伸部(例如直径)可以与基板的横向延伸部(例如，直径)基本相同或更大、例如略大。基片的横向延伸部(例如直径)可以与基板的横向延伸部(例如，直径)基本相同或更大、例如略大。缓冲层的横向延伸部(例如直径)可以与基片的横向延伸部(例如，直径)基本相同。缓冲层和基片可以不存在于保护膜的周边部中。缓冲层和基片可以仅存在于保护膜的中心部中。保护膜的周边部可以布置在保护膜的中心部周围，即，以便围绕该中心部。基板可以在保护膜的中心部中附接到保护膜的前表面。
可替代地，如果存在缓冲层和基片，则可以通过将保持框架附接到基片的后表面来将保持框架附接到保护膜的后表面。
保护膜、缓冲层和基片一起形成保护片材。保护片材的前表面可以由保护膜的前表面形成。保护片材的后表面可以由基片的后表面形成，或者优选地，由保护膜的后表面和基片的后表面形成。在保护片材的中心部，保护片材的后表面可以由基片的后表面形成。在保护片材的周边部，保护片材的后表面可以由保护膜的后表面形成。保护片材的周边部可以布置在保护片材的中心部周围，即，以便围绕该中心部。保护片材的中心部可以对应于保护膜的中心部。保护片材的周边部可以对应于保护膜的周边部。保持框架可以附接到保护片材的后表面。
将保持框架附接至保护片材的后表面、即优选地直接附接至保护膜的后表面或可替代地附接至基片的后表面可包括：将保护片材施加至保持框架，使得保护片材的后表面与保持框架直接接触。在此情况下，在保护片材的后表面和保持框架之间不存在任何材料、特别是不存在粘合剂。
保护片材的整个后表面可以没有粘合剂。
将保持框架附接至保护片材的后表面可进一步包括：在将保护片材施加至保持框架期间、和/或之后，将外部刺激施加至保护片材，使得保持框架附接至保护片材的后表面。
通过这种方式施加外部刺激，在保护片材与保持框架之间产生附接力，该附接力将保护片材保持在其在保持框架上的位置。因此，不需要额外的粘合材料来将保护片材附接到保持框架。
外部刺激可以为如上所述的。外部刺激可以至少基本上以上述相同的方式施加至保护片材。
至少一条分割线可以形成在基板的第一侧面上。多条分割线可以形成在基板的第一侧面上。多条分隔线可以设置为以格状布置在基板的第一侧面上，即，例如以大致90°的角度、布置成彼此交叉或相交。一条或多条分割线可以分隔形成在设备区域中的设备。
至少一条分割线的宽度可以在20μm至200μm、优选地30μm至150μm、且更优选地30μm至100μm的范围内。
基板的第一侧面附接到保护膜的前表面。可替代地，基板的第二侧面可以附接到保护膜的前表面。
本发明的方法可以进一步包括提供具有支承表面的支撑构件。此外，该方法包括：将附接至保护膜的前表面的基板放置在支承构件的支承表面上，使得保护膜的后表面与支承表面接触。在这种情况下，基板的、与基板的附接至保护膜的前表面的侧面相反的侧面暴露、例如面向上，使得基板可以从该侧面以特别简单和有效的方式来处理。
替代地，附接至保护膜的前表面的基板可以放置在支承构件的支承面上，使得基板的、与基板的附接至保护膜的前表面的侧面相反的侧面与支承表面接触。在这种情况下，基板可以从基板的、附接至保护膜的前表面的侧面以特别简单且有效的方式来处理。
在处理基板之前，可以将基板放置在支承构件的支承表面上。在将基板放置在支承构件的支承表面上的情况下，处理基板。
支承构件的、在支承表面的平面中的外径可以小于保持框架的中心开口的直径，即小于保持框架的内径。在本文中，表述“支承构件的、在支承表面的平面中的外径”限定了在支承构件的径向上的支承构件的外径。
支承构件可以是支承台的形式，例如，在支承表面的平面中具有圆形横截面。例如，支承构件可以是卡盘台。支承构件可具有连续的支承表面。
当将附接至保护膜的基板放置在支承构件的支承表面上时，基板的、附接至保护膜的至少一部分可以搁置在支承表面上，例如，保护膜布置在基板与支承表面之间。附接至保护膜的整个基板可以搁置在支承表面上，例如，保护膜布置在基板与支承表面之间。
支承构件可以设置有用于将基板保持在支承表面上的保持装置。保持装置可以是用于在抽吸下将基板保持在支承表面上的抽吸装置。
本发明的方法可以进一步包括提供用于支承保持框架的支承装置。支承装置可以例如围绕支承构件的圆周布置。支承装置可配置成支承保持框架，以将其相对于支承构件保持在其位置。
该方法可以包括将保持框架放置在支承装置上，使得保持框架的至少一部分搁置在支承装置上。整个保持框架可以搁置在支承装置上。
在处理基板之前，可以将保持框架放置在支承装置上。可以在将保持框架放置在支承装置上的情况下，处理基板。
本发明的方法可以进一步包括提供检查设备。检查设备可以配置为检查和/或检测在基板的表面上形成的对准标记。特别地，检查设备可以配置为检查和/或检测在基板的表面上形成的一条或多条分割线。例如，检查设备可以包括或者是照相机、检测器等。
该方法可以包括借助于所述检查设备、穿过保护膜，检查基板的、附接在保护膜的前表面的侧面。该检查工艺可以包括检查和/或检测在基板的该侧面上形成的对准标记，或者由检查和/或检测在基板的该侧面上形成的对准标记组成。特别地，检查工艺可以包括检查和/或检测在基板的该侧面上形成的一条或多条分割线，或者由检查和/或检测在基板的该侧面上形成的一条或多条分割线组成。
在处理基板之前，可以借助于检查设备、穿过保护膜，检查基板的、附接在保护膜的前表面的侧面。
以上述方式通过检查和/或检测在基板侧形成的对准标记、例如一条或多条分割线，可以实现基板的精确和有效的对准以用于后续的处理。
例如，一条或多条分割线可以形成在基板的第一侧面上。基板的第一侧面附接到保护膜的前表面。借助于检查设备、穿过保护膜，检查和/或检测一条或多条分割线允许对一条或多条分割线进行特别精确和有效的检查和/或检测，从而可以精确地对准基板。这特别适用于难于或甚至不可能例如借助于红外(IR)照相机、从第二基板侧面检查和/或检测形成在第一基板侧面上的对准标记的基板，例如在第二侧面上具有金属层的基板、高掺杂晶圆、厚基板、键合基板和在第二侧面上具有高表面粗糙度的基板。
如果该方法包括借助于检查设备、穿过保护膜来检查基板的、附接到保护膜的前表面的侧面，则特别优选将基板附接到保护膜的前表面，使得保护膜的前表面的至少中心区域与基板直接接触。在这种情况下，至少在保护膜的前表面的中心区域与基板之间不存在材料，尤其是不存在粘合剂。因此，由于不存在这种材料，特别是不存在粘合剂，因此，可以以特别高的精度，穿过保护膜检查和/或检测形成在基板上的对准标记。
该方法可以包括借助于所述检查设备、穿过支承构件，检查基板的、附接到保护膜的前表面的侧面。支承构件对于检查设备所使用的辐射(例如可见光)可以至少是部分透明的。例如，支承构件可以至少部分或全部由透明材料制成，或者包括开口或窗口，检查设备可以通过该开口或窗口检查基板。检查设备可以布置在支承构件上或支承构件处，或者至少部分地布置在支承构件内或内部。
保护膜可以设置有粘合层。粘合层可以仅设置在保护膜的前表面的周边区域中。保护膜的前表面的周边区域可以布置为围绕保护膜的前表面的中心区域。
基板的第一侧面、或基板的第二侧面可以附接到保护膜的前表面，使得粘合层仅与基板的第一侧面、或基板的第二侧面的周边部接触。基板的第一侧面或第二侧面的周边部可以是或对应于基板的周边边缘区域。
通过使用这样的粘合层，可以进一步改善保护膜到基板的附接性。另外，由于粘合层仅设置在保护膜的前表面的周边区域，因此与粘合层设置在保护膜的整个前表面的情况相比，保护膜与基板通过粘合层彼此附接的区域被显著地减少。因此，保护膜可以更容易地从基板上分离，并且相当的降低了损坏基板、特别是损坏形成在基板上的设备的风险。
粘合层可通过外部刺激、诸如UV辐射、电场和/或化学试剂来固化。这样，在处理之后保护膜可以特别容易地从基板上去除。外部刺激可以施加到粘合剂上，以降低其粘合力，从而允许容易地去除保护膜。
例如，粘合层可以具有大致的环形形状、敞开的矩形形状或敞开的正方形形状，即在粘合层的中心分别具有开口的矩形或正方形形状。
保护膜可以是可延伸的。当将保护膜施加到基板的第一侧面或第二侧面时，保护膜可以延伸。如果在基板的相应侧面上存在突起和/或凹部，则当将保护膜施加到基板的侧面时，保护膜可以延伸，从而紧密地或至少部分地追随这些突起的轮廓。
特别地，保护膜可延伸至其原始尺寸的两倍或以上，优选地为其原始尺寸的三倍或以上，并且更优选地为其原始尺寸的四倍或以上。以这种方式，特别是在延伸到其原始尺寸的三倍或四倍或以上的情况下，可以可靠地确保保护膜追随突起的轮廓。
如果保护膜是可延伸的，如将在下面进一步详细描述的，则其可以用于将在基板上形成的设备彼此分离。特别地，该方法可以进一步包括在处理基板之后，径向延伸保护膜，以使设备彼此分离。
例如，基板可以例如通过机械切割工艺、激光切割工艺和/或等离子切割工艺，或者通过在磨削工艺之前划切来完全分割。随后，完全分割的设备(可以是芯片或裸片的形式)可以通过径向延伸保护膜而彼此远离，从而增加相邻设备之间的距离。
可以从基板的、与基板的附接至保护膜的前表面的侧面相反的侧面来处理基板。
从基板的、与基板的附接至保护膜的前表面的侧面相反的侧面来处理基板可以包括：从基板的、与基板的附接到保护膜的前表面的侧面相反的侧面来切割和/或磨削和/或抛光基板。
特别地，可以沿着一条或多条分割线、例如，形成在基板的附接至保护膜的前表面的侧面上的一条或多条分割线，从基板的、与基板的附接至保护膜的前表面的侧面相反的侧面来切割基板。
在切割工艺中，可以沿着至少一条分割线、穿过基板的整个厚度去除基板材料。在这种情况下，通过基板材料去除工艺，基板沿着至少一条分割线被分割成多个芯片或裸片。
可替代地，可以沿着至少一条分割线、仅沿着基板的厚度的一部分去除基板材料。例如，可以沿基板的厚度的20％或以上、30％或以上、40％或以上、50％或以上、60％或以上、70％或以上、80％或以上、90％或以上去除基板材料。
在这种情况下，可以例如通过采用断裂工艺、例如使用延伸带而将外力施加至基板，或采用其他切割或划切工艺、例如机械切割或划切工艺，激光切割或划切工艺或等离子切割或划切工艺来进行分割、即完全分割基板的工艺。例如，可以通过径向延伸保护膜、即通过使用保护膜作为延伸带而将外力施加至基板。此外，也可以采用这些工艺中的两个或更多个的组合。
可以沿至少一条分割线机械去除基板材料。特别地，可以沿至少一条分割线、通过机械切割基板(例如通过刀片划切或锯切)，来沿至少一条分割线去除基板材料。
替代地或另外地，可以沿着至少一条分割线、通过激光切割和/或通过等离子体切割去除基板材料。
可以在单个机械切割步骤、单个激光切割步骤或单个等离子体切割步骤中切割基板。可替代地，可以通过一系列机械切割和/或激光切割和/或等离子体切割步骤来切割基板。
例如，如将在下面进一步详细说明的，可以通过烧蚀激光切割和/或通过隐形激光切割来执行激光切割，即、通过施加激光束在基板内形成修饰区域(modified area)，和/或通过施加激光束在基板中形成多个孔区域来执行激光切割。这些孔区域中的每个可以由修饰区域和稀释区域中的向基板表面敞开的空间组成。
通过具有附接至基板的保护膜，可以确保在切割步骤期间、施加的压力在切割期间在整个基板上更一致和均匀地分布，从而减少甚至最小化在切割步骤中基板损坏(例如，所得到的芯片或裸片的侧壁破裂)的任何风险。
在隐形激光切割工艺中，将具有允许激光束透射通过基板的波长的激光束施加到基板。因此，基板可以由对激光束透明的材料制成。沿至少一条分割线、至少在多个位置上将激光束施加到基板上，以沿着至少一条分割线、在基板中(例如在基板的大部分内部或里面)形成多个修饰区域。
激光束可以为脉冲激光束。脉冲激光束可以具有例如在1fs至1000ns范围内的脉冲宽度。
修饰区域是通过激光束的施用已被修饰的基板区域。修饰区域可以为在其中已经修饰了基板材料的结构的基板区域。修饰区域可以为在其中基板已经损坏的基板区域。
通过形成这些修饰区域，降低了在形成修饰区域的区域中基板的强度。因此，极大地促进了沿着形成多个修饰区域的至少一条分割线的基板的分割。在这种基板分割工艺中，基板的设备区中设置的单独设备获得为芯片或裸片。
修饰区域可以包括非晶区域或其中形成裂纹的区域，或者可以是非晶区域或其中形成裂纹的区域。在特别优选的实施方案中，修饰区域包括或为非晶区域。
各修饰区域可以包括基板材料内部的空间，例如腔，该空间由非晶区域或在其中形成有裂纹的区域包围。
各修饰区域可以由基板材料和非晶区域或围绕该空间形成有裂纹的区域内部的空间，例如腔组成。
如果修饰区域包括或者是其中形成有裂纹、即已经形成裂纹的区域，则裂纹可以为微裂纹(microcracks)。该裂纹可以具有例如在微米(μm)范围内的长度和/或宽度的尺寸。例如，裂纹可具有5μm至100μm范围内的宽度，和/或100μm至1000μm范围内的长度。
该方法可以进一步包括在基板中形成多个修饰区域之后，沿着至少一条分割线分割基板。可以例如通过采用断裂工艺、例如使用延伸带将外力施加至基板，或采用其他切割或划切工艺、例如机械切割或划切工艺，激光切割或划切工艺或等离子切割或划切工艺的各种方式来进行分割基板的工艺。例如，可以通过径向延伸保护膜、即通过使用保护膜作为延伸带而将外力施加至基板。此外，也可以采用这些工艺中的两个或更多个的组合。
从基板的、与基板的附接至保护膜的前表面的侧面相反的侧面来处理基板可以进一步包括：从基板的、与基板的附接到保护膜的前表面的侧面相反的侧面来磨削基板，以调节基板的厚度。可以在切割基板之前和/或之后执行这样的磨削工艺。
例如，本发明的方法可以包括在磨削工艺之前划切。具体地，在将基板的第一侧面或第二侧面附接到保护膜的前表面之前，从待附接至保护膜的基板的侧面来部分地切割基板、即仅沿着其厚度的一部分切割基板。随后，该基板侧面可以附接到保护膜，并且相反基板侧面可以沿基板厚度的剩余部分进行磨削，以便例如沿着至少一条分割线来分割基板；在该剩余部分中在部分切割工艺中没有去除基板材料。
从基板的、与基板的附接至保护膜的前表面的侧面相反的侧面来处理基板可以进一步包括：从基板的、与基板的附接到保护膜的前表面的侧面相反的侧面来抛光基板。如果基板还经受磨削工艺，则优选在磨削之后对基板进行抛光。
从基板的、与基板的附接到保护膜的前表面的侧面相反的侧面抛光基板的工艺可以包括化学机械抛光(CMP)、干法抛光(DP)和/或其他类型的抛光工艺，或者由化学机械抛光(CMP)、干法抛光(DP)和/或其他类型的抛光工艺组成。
从基板的、与基板的附接至保护膜的前表面的侧面相反的侧面来处理基板可以进一步包括：从基板的、与基板的附接到保护膜的前表面的侧面相反的侧面来蚀刻基板、例如等离子体蚀刻基板。
可以从基板的、附接至保护膜的前表面的侧面来处理基板。
从基板的、附接至保护膜的前表面的侧面处理基板可包括：从基板的、附接至保护膜的前表面的侧面，用例如光的辐射(例如，通过使用激光束)来照射基板。可以用光(例如，通过使用激光束)穿过保护膜照射基板。
特别地，基板可以穿过保护膜经受隐形激光切割工艺。在该工艺中，将具有允许激光束透射通过保护膜和透射通过基板的波长的激光束施加到基板，以在基板中形成多个修饰区域，如上面已经详细描述的。
本发明还提供处理基板的另一种方法，所述基板具有第一侧面、和与所述第一侧面相反的第二侧面。该方法包括设置具有前表面、和与该前表面相反的后表面的保护片材，以及设置用于保持基板的保持框架。保持框架具有中心开口。该方法还包括：将保持框架附接到保护片材的前表面或后表面，以便通过保护片材闭合保持框架的中心开口；以及将基板的第一侧面或基板的第二侧面附接到保护片材的前表面。此外，该方法包括：从基板的、与基板的附接至保护片材的前表面的侧面相反的侧面来处理基板，和/或从基板的、附接到保护片材的前表面的侧面来处理基板。将保持框架附接至保护片材的前表面或后表面包括将保护片材施加至保持框架，使得保护片材的前表面或后表面与保持框架直接接触；和在将保护片材施加到保持框架期间和/或之后，将外部刺激施加到保护片材，使得保持框架附接到保护片材的前表面或后表面。
以上针对本发明的第一方法提供的所有特征和解释也适用于本发明的该第二方法。
基板和保持框架可以具有以上详细描述的性能、特性和特征。
保护片材可以包括以上详细描述的保护膜。保护片材的前表面可以由保护膜的前表面形成。
保护片材可以由以上详细描述的保护膜组成。在这种情况下，保护片材的前表面为保护膜的前表面，并且保护片材的后表面为保护膜的后表面。
保护片材可以包括以上详细描述的保护膜和缓冲层。
保护片材可以由以上详细描述的保护膜和缓冲层组成。
保护片材的前表面可以由保护膜的前表面形成。保护片材的后表面可以由缓冲层的后表面形成，或者优选地、由保护膜的后表面和缓冲层的后表面形成。在保护片材的中心部，保护片材的后表面可以由缓冲层的后表面形成。在保护片材的周边部，保护片材的后表面可以由保护膜的后表面形成。保护片材的周边部可以布置在保护片材的中心部周围，即，以便围绕该中心部。保持框架可以在保护片材的周边部中附接到保护片材。
例如，缓冲层可具有横向延伸部、例如直径，其小于保护膜的横向延伸部、例如直径。缓冲层的横向延伸部(例如直径)可以与基板的横向延伸部(例如，直径)基本相同或更大、例如略大。缓冲层可以不存在于保护膜的周边部中。缓冲层可以仅存在于保护膜的中心部中。保护膜的周边部可以布置在保护膜的中心部周围，即，以便围绕该中心部。基板可以在保护膜的中心部中附接到保护片材的前表面。
保护片材可以包括以上详细描述的保护膜、缓冲层和基片。
保护片材可以由以上详细描述的保护膜、缓冲层和基片组成。
保护片材的前表面可以由保护膜的前表面形成。保护片材的后表面可以由基片的后表面形成，或者优选地、由保护膜的后表面和基片的后表面形成。在保护片材的中心部，保护片材的后表面可以由基片的后表面形成。在保护片材的周边部，保护片材的后表面可以由保护膜的后表面形成。保护片材的周边部可以布置在保护片材的中心部周围，即，以便围绕该中心部。保持框架可以在保护片材的周边部中附接到保护片材。
例如，缓冲层和基片可具有横向延伸部、例如直径，其小于保护膜的横向延伸部、例如直径。缓冲层的横向延伸部(例如直径)可以与基板的横向延伸部(例如，直径)基本相同或更大、例如略大。基片的横向延伸部(例如直径)可以与基板的横向延伸部(例如，直径)基本相同或更大、例如略大。缓冲层的横向延伸部(例如直径)可以与基片的横向延伸部(例如，直径)基本相同。缓冲层和基片可以不存在于保护膜的周边部中。缓冲层和基片可以仅存在于保护膜的中心部中。保护膜的周边部可以布置在保护膜的中心部周围，即，以便围绕该中心部。基板可以在保护膜的中心部中附接到保护片材的前表面。
保持框架可以以与以上将保持框架附接到保护膜或保护片材的后表面相同的方式附接到保护膜或保护片材的前表面或后表面。
基板的第一侧面或基板的第二侧面可以以与以上将基板的第一侧面或第二侧面附接到保护膜的前表面相同的方式附接到保护膜的前表面。
特别地，将基板的第一侧面或基板的第二侧面附接至保护片材的前表面可包括：将保护片材施加到基板的第一侧面或基板的第二侧面，使得至少保护片材的前表面的中心区域与基板的第一侧面或基板的第二侧面直接接触。在这种情况下，至少在保护片材的前表面的中心区域与基板的第一侧面或基板的第二侧面之间不存在材料，尤其是不存在粘合剂。保护片材的前表面的中心区域可以对应于基板的设备区域。
可以将保护片材施加到基板的第一侧面或基板的第二侧面，使得在保护片材的前表面与基板的第一侧面或基板的第二侧面接触的整个区域中，保护片材的前表面与基板的第一侧面或基板的第二侧面直接接触。因此，在保护片材的前表面与基板的第一侧面或基板的第二侧面之间不存在材料，尤其是不存在粘合剂。
将基板的第一侧面或基板的第二侧面附接到保护片材的前表面可以进一步包括：在将保护片材施加到基板的第一侧面、或基板的第二侧面期间和/或之后，将外部刺激施加到保护片材，使得基板的第一侧面或基板的第二侧面、以与上述将基板的第一侧面或第二侧面附接到保护膜的前表面相同的方式附接到保护片材的前表面。
保护片材可以设置有粘合层。粘合层可以仅设置在保护片材的前表面的周边区域中。保护片材的前表面的周边区域可以布置为围绕保护片材的前表面的中心区域。
基板的第一侧面、或基板的第二侧面可以附接到保护片材的前表面，使得粘合层仅与基板的第一侧面、或基板的第二侧面的周边部接触。基板的第一侧面或第二侧面的周边部可以是或对应于基板的周边边缘区域。
粘合层可以具有以上详细描述的性能、特性和特征。
可以以与以上相同的方式，从基板的、与基板的附接至保护片材的前表面的侧面相反的侧面来处理基板，和/或从基板的、附接到保护片材的前表面的侧面来处理基板。
外部刺激和将外部刺激施加到保护片材的工艺可以具有上面详细描述的性能、特性和特征。
在本发明的本方法中，将保持框架附接至保护片材的前表面或后表面包括将保护片材施加至保持框架，使得保护片材的前表面或后表面与保持框架直接接触。因此，在保护片材的前表面或后表面与保持框架之间不存在任何材料、特别是粘合剂。
以此方式，可以可靠消除例如由于粘合层的粘合力或残留在保持框架上的粘合剂而可能污染或损害保持框架的风险。
保护片材的整个前表面和/或后表面可以没有粘合剂。
将保持框架附接至保护片材的前表面或后表面进一步包括在将保护片材施加至保持框架期间、和/或之后，将外部刺激施加至保护片材，使得保持框架附接至保护片材的前表面或后表面。
通过这种方式施加外部刺激，在保护片材与保持框架之间产生附接力，该附接力将保护片材保持在其在保持框架上的位置。因此，不需要额外的粘合材料来将保护片材附接到保持框架。
特别地，通过将外部刺激施加至保护片材，可以在保护片材与保持框架之间形成诸如正配合的形式配合，和/或诸如粘合剂结合的材料结合。术语“材料结合”和“粘合剂结合”限定了由于在这两个组件之间作用的原子力和/或分子力而在保护片材和保持框架之间的附接或连接。
因此，本发明提供一种更简单且有效的处理基板的方法。
特别地，当从保护片材上分离保持框架时，可靠地避免了由于粘合层的粘结力对框架的任何损害或由于粘合剂残留物对框架的污染。因此，为了使框架重复使用，不需要从保持框架去除粘合剂残留物，从而进一步提高基板处理效率。
保持框架和基板可以附接到保护片材的相同表面，即，附接到保护片材的前表面。
可替代地，保持框架和基板可以附接到保护片材的相反侧。具体地，保持框架可以附接到保护片材的后表面。
该方法可以进一步包括设置和使用如上所述的支承构件。
该方法可以进一步包括设置和使用如上所述的支承装置。
该方法可以进一步包括设置和使用如上所述的检查设备。
保护片材可以是可延伸的。当将保护片材施加到基板的第一侧面或第二侧面时，保护片材可以延伸。如果在基板的相应侧面上存在突起，则当将保护片材施加到基板的侧面时，保护片材可以延伸，从而紧密地或至少部分地追随这些突起的轮廓。
特别地，保护片材可延伸至其原始尺寸的两倍或以上，优选地为其原始尺寸的三倍或以上，并且更优选地为其原始尺寸的四倍或以上。以这种方式，特别是在延伸到其原始尺寸的三倍或四倍或以上的情况下，可以可靠地确保保护片材追随突起的轮廓。
如果保护片材是可延伸的，则其可以用于将在基板上形成的设备彼此分离。特别地，该方法可以进一步包括在处理基板之后，径向延伸保护片材，以使设备彼此分离。
例如，基板可以例如通过机械切割工艺、激光切割工艺和/或等离子切割工艺，或者通过在磨削工艺之前划切来完全分割。随后，完全分割的设备(可以是芯片或裸片的形式)可以通过径向延伸保护片材而彼此远离，从而增加相邻设备之间的距离。
附图说明
在下文中，参照附图解释本发明的非限制性实施例，其中：
图1为示出了在根据本发明第一实施方式的方法中、将通过保持框架经由保护膜保持的基板放置在支承构件的步骤的截面图；
图2为示出了在根据本发明第一实施方式的方法中、通过检查设备对附接至保护膜的基板的侧面进行检查的步骤的截面图；
图3为示出了在根据本发明第二实施方式的方法中通过保持框架经由保护膜保持的基板的截面图；
图4为示出了在根据本发明第三实施方式的方法中、将通过保持框架经由保护膜保持的基板放置在支承构件的步骤的截面图；
图5为示出了图4中所示的步骤的结果的截面图；
图6为示出了根据本发明第三实施方式的方法的修改的、图4中所示的步骤的结果的截面图；
图7为示出了在根据本发明第四实施方式的方法中分隔基板的步骤的结果的截面图；
图8为示出了在根据本发明第五实施方式的方法中处理基板的步骤的截面图；
图9为示出了在根据本发明第六实施方式的方法中通过保持框架经由保护片保持的基板的截面图；
图10为示出了在根据本发明第七实施方式的方法中通过保持框架经由保护片保持的基板的截面图；
图11为示出了在根据本发明第八实施方式的方法中通过保持框架经由保护片保持的基板的截面图；以及
图12为示出了在根据本发明第九实施方式的方法中通过保持框架经由保护片保持的基板的截面图。
具体实施方式
现将参照附图描述本发明的优选实施方案。优选的实施方案涉及处理基板的方法。
在下文中，将参照图1和图2描述本发明的第一实施方案。
在第一实施方案中，在基板2上执行本发明的方法(参见图1和图2)。基板2可以为晶圆、诸如半导体晶圆。然而，如以上已经详述的，可以使用不同类型的基板、并且特别是可以使用不同的基材。
如图1所示，基板2具有第一表面或第一侧面4、即前表面或前侧面，和与第一侧面4相反的第二表面或第二侧面6、即后表面或后侧面。第一侧面4和第二侧面6基本上彼此平行。
在基板2的第一侧面4上，形成有带有多个设备的设备区域(未示出)。通过也形成在第一侧面4上的多条分割线(未示出)分隔设备。分割线可以至少基本上以格子图案(lattice pattern)布置。
在本实施方式中，基板2呈基本上的圆形形状。然而，基板2的形状不受特别限制。在其他实施方案中，基板2可以具有例如卵形(oval shape)、椭圆形或多边形(例如矩形或正方形)的形状。
设置了保护膜8和保持框架10(见图1和2)。保护膜8具有前表面12和与前表面12相反的后表面14。保持框架10配置为经由保护膜8保持基板2。保持框架10具有中心开口16。
保持框架10由诸如金属或塑料的刚性材料制成。在本实施方式中，保持框架10是具有大致圆形的中心开口16的环形框架。保持框架10可以是半导体尺寸的保持框架。然而，保持框架10和中心开口16可以使用任何类型的形状。例如，在其他实施方式中，保持框架10可以具有多边形形状、例如正方形或矩形形状。中心开口16可以具有多边形形状、例如正方形或矩形形状。保持框架10可具有1mm至5mm范围内的厚度。
在本实施方式中，保护膜8由单一材料制成，例如聚合物材料，优选地为聚烯烃，例如：聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)或聚丁烯(PB)。保护膜8可以为在高达180℃或更高的温度耐热的。保护膜8是可膨胀的。保护膜8可具有5至200μm、优选80至150μm范围内的厚度。保护膜8在其上的俯视图中具有大致圆形的形状。然而，保护膜8的形状不受特别限制。在其他实施方案中，保护膜8在其上的俯视图中可以具有例如卵形(oval shape)、椭圆形或多边形(例如矩形或正方形)的形状。
保护膜8具有比基板2的外径大、且比保持框架10的内径(即中心开口16的直径)大的外径(参见图1)。更具体地，保护膜8的外周部(outer peripheral portion)附接到保持框架10，如下将详细说明的。
在本实施方式中，保护膜8的前表面12和后表面14没有粘合剂。
将保护膜8施加到保持框架10，使得保护膜8的后表面14与保持框架10直接接触，即，使得在后表面14与保持框架10之间不存在任何材料，特别是不存在粘合剂。在将保护膜8施加到保持框架10期间和/或之后，将外部刺激(external stimulus)施加到保护膜8，使得保持框架10附接到保护膜8的后表面14。通过施加外部刺激，在保护膜8与保持框架10之间产生附接力，该附接力将保护膜8保持在其在保持框架10上的位置。如图1所示，将保持框架10附接到保护膜8的后表面14，以通过保护膜8闭合保持框架10的中心开口16。
外部刺激可以为如上所述的。外部刺激可以以上述方式施加至保护膜8。
例如，将外部刺激施加到保护膜8可以包括加热保护膜8或由加热保护膜8组成。保护膜8可以被直接和/或间接地加热。
保护膜8可以通过直接向其施加热量来加热，例如使用诸如加热辊、加热模等的加热装置(未示出)或热辐射装置(未示出)。保护膜8和保持框架10可以放置在诸如真空腔室的容器或腔室(未示出)中，并且可以加热容器或腔室的内部容积，以加热保护膜8。容器或腔室可以设置有热辐射装置。
例如在将保护膜8施加到保持框架10之前和/或期间和/或之后、可以通过加热保持框架10来间接地加热保护膜8。例如，可以通过将保持框架10放置在支承件或载体(未示出)上、并加热该支承件或载体来加热保持框10。
在其他实施方式中，保持框架10可以通过粘合剂的方式附接到保护膜8的后表面14。在将保持框架10附接至保护膜8之前，可将粘合剂施加至保持框架10和/或保护膜8的后表面14。优选地，粘合剂可以仅施加到保护膜的后表面14的一部分，特别是施加到后表面14的周边区域(peripheral area)。
通过以这种方式将保持框架10附接到保护膜8的后表面14，形成了包括保护膜8和保持框架10的保持单元。
在将保持框架10附接到保护膜8的后表面14上之后，保护膜8施加到基板2的第一侧面4上，使得在保护膜8的前表面12与基板2的第一侧面4接触的整个区域中，保护膜8的前表面12与第一侧面4直接接触。因此，在保护膜8的前表面12与基板2的第一侧面4之间不存在材料，特别是不存在粘合剂。保护膜8施加至基板2的第一侧面4，以便覆盖形成在设备区中的设备。因此，在随后的基板处理、操作和运输步骤中，可靠地保护了这些设备免受损坏和污染。
在将保护膜8施加到基板2的第一侧面4期间和/或之后，将外部刺激施加到保护膜8，使得基板2附接到保护膜8的后表面12。通过施加外部刺激，在保护膜8与基板2之间产生附接力，该附接力将保护膜8保持在其在基板2上的位置。
外部刺激可以为如上所述的。外部刺激可以以上述方式施加至保护膜8。
例如，将外部刺激施加到保护膜8可以包括加热保护膜8或由加热保护膜8组成。保护膜8可以被直接和/或间接地加热。
保护膜8可以通过直接向其施加热量来加热，例如使用诸如加热辊、加热模等的加热装置(未示出)或热辐射装置(未示出)。保护膜8和基板2可以放置在诸如真空腔室的容器或腔室(未示出)中，并且可以加热容器或腔室的内部容积，以加热保护膜8。容器或腔室可以设置有热辐射装置。
例如在将保护膜8施加到基板2之前和/或期间和/或之后，可以通过加热基板2来间接地加热保护膜8。例如，可以通过将基板2放置在诸如卡盘台的支承构件或载体上，并且加热该支承构件或载体来加热基板2。
在其他实施方式中，基板2可以通过粘合剂的方式附接到保护膜8的前表面12。在这种情况下，保护膜8可以设置有粘合层，该粘合层仅布置在保护膜8的前表面12的周边区域中，如以上已经描述的。该周边区域布置成围绕保护膜8的前表面12的没有粘合剂的中心区域。基板2的第一侧面4附接到保护膜8的前表面12，使得粘合层仅与第一侧面4的周边部接触。保护膜8的前表面12的中心区域与基板2的第一侧面4直接接触。
通过将基板2的第一侧面4附接到保护膜8的前表面12，形成了包括保护膜8、保持框架10和基板2的基板单元(见图1)，极大地方便了基板2的后续处理、操作和运输。
提供具有连续支承表面20的支承构件18(见图1)。在本实施方式中，支承构件18是在支承表面20的平面中具有大致圆形横截面的卡盘台。在支撑表面20的平面中支承构件18的外径小于保持框架10的内径。
另外，设置有用于检查基板2的第一侧面4的检查设备22。如图2所示，检查设备22布置在支承构件18内。在本实施方式中，检查设备22是使用可见光的照相机。支承构件18对于可见光是透明的，因此允许检查设备22通过支承构件18检查基板2的第一侧面4。如图2中的虚线箭头所示，检查设备22可相对于支承构件18在平行于支承表面20的方向上移动。
在处理基板2之前，将基板单元放置在支承构件18的支承表面20上，使得保护膜8的后表面14与支承表面20接触(见图2)。因此，基板2布置在支承构件18上，使得基板2的第二侧面6被暴露、即，面向上。因此，可以以特别简单和有效的方式从第二侧面6处理基板2。整个基板2搁置在支承表面20上，保护膜8布置在基板2与支承表面20之间。在将基板2放置在支承表面20上的情况下，处理基板2。
如上面已经详细描述的，保持框架10和基板2附接到保护膜8的相反侧，即分别附接到后表面14和前表面12。因此，如图2所示，保持框架10布置在基板2的放置在支承表面20上的第一侧面4的下方。因此，可以可靠地确保保持框架10不会干扰从其第二侧面6处理基板2。可以通过诸如切割、磨削、蚀刻和抛光装置的处理装备自由地接近基板2。此外，可以消除由于与保持框架10的意外接触而损坏该设备的任何风险。
因此，在基板处理期间不需要夹紧保持框架10，使得基板2可以以特别简单和有效的方式来处理。因此，由于不需要夹紧机构，因此本发明的方法允许在有限的处理空间内进行基板处理。例如，代替耗费空间的在线装备，可以将独立的处理装置用于此目的。
在一些实施方式中，可以提供用于支承保持框架10的支承装置(未示出)。支承装置可以例如围绕支承构件18的圆周布置。支承装置可构造成从下方支承保持框架10，以将其相对于支承构件18保持在其位置。例如，支承装置可以是保持框架10搁置在其上的大致环形的支承台。
在将基板单元放置在支承构件18的支承表面20上之后，基板2的第一侧面4通过支撑构件18和保护膜8、经由检查设备22来检查。特别地，形成在第一侧面4上的分割线由检查设备22检测。为此，检查设备22可相对于支承构件18在平行于支承表面20的方向上移动(参见图2中的虚线箭头)。基于该检测过程，对准基板2以对其进行后续处理。
在本实施方式的方法中，保护膜8的前表面12与基板2的第一侧面4直接接触。因此，如上所述，在保护膜8的前表面12与第一侧面4之间不存在材料，特别是不存在粘合剂。由于不存在这种材料，特别是不存在粘合剂，因此，形成在第一侧面4上的分割线可以以特别高的精度通过保护膜8来检测。
在以这种方式对准基板2之后，处理基板2，这将在下面进一步详细描述。
首先，磨削基板2的第二侧面6以调节基板的厚度。由于将保持框架10附接到保护膜8的后表面14，因此能够以简单且有效的方式进行磨削处理，而没有因与保持框架10的无意接触而损坏磨削装备(未图示)的风险。
磨削工艺可以可选地在抛光和/或蚀刻基板2的第二侧面6之后。抛光第二侧面6的工艺可以包括由化学机械抛光(chemical mechanical polishing，CMP)、干法抛光(drypolishing，DP)和/或其他类型的抛光工艺，或由化学机械抛光(CMP)、干法抛光(DP)和/或其他类型的抛光工艺组成。蚀刻工艺可以包括或由等离子体蚀刻工艺组成。而且，抛光和/或蚀刻工艺可以以简单且有效的方式进行，而没有因与保持框架10的无意接触而损坏使用的抛光装备(未图示)的风险。
在磨削、并且可选地抛光和/或蚀刻基板2的第二侧面6之后，从第二侧面6切割基板2。在本实施方式中，沿着形成在基板2的第一侧面4上的分割线切割基板2。如上所述，由于分割线已经由检查设备22检测到，因此可以高精度地执行该切割工艺。
如上所述，可以通过例如刀片划切(blade dicing)或锯切(sawing)的机械切割、和/或通过激光切割、和/或通过等离子切割从基板2的第二侧面6切割基板2。可以在单个机械切割步骤、单个激光切割步骤或单个等离子体切割步骤中切割基板2。可选地，可以通过一系列机械切割和/或激光切割和/或等离子体切割步骤来切割基板2。例如，可以通过烧蚀激光切割和/或通过隐形激光切割来执行激光切割，即、通过施加激光束在基板2内形成修饰区域(modified area)，和/或通过施加激光束(未示出)在基板2中形成多个孔区域来执行激光切割。
基板2可以沿着分割线被完全切割，即沿着其整个厚度被切割。在这种情况下，基板2沿着分割线被分割成包括设备区域的设备的多个芯片或裸片。随后，完全分隔的芯片或裸片可以通过径向扩张保护膜8而彼此远离，从而增加相邻芯片或裸片之间的距离。
可替代地，可以仅沿基板2的厚度的一部分来切割基板2。在这种情况下，可以例如通过采用断裂工艺、例如使用扩张带(未示出)而将外力施加至基板2，或采用其他切割或划切工艺、例如机械切割或划切工艺，激光切割或划切工艺或等离子切割或划切工艺来进行分割、即完全分割基板2的工艺。例如，可以通过径向扩张保护膜、即通过使用保护膜作为扩张带而将外力施加至基板2。此外，也可以采用这些工艺中的两个或更多个的组合。
由于保护膜8的后表面14上保持框架10的布置，因此能够以简单且有效的方式进行切割工艺，而没有因与保持框架10的无意接触而损坏切割装备(未图示)的风险。
另外或作为替代，在一些实施方案中，如以下将对本发明方法的第五实施方案进一步详细描述的，可从附接至保护膜8的前表面12的基板2的第一侧面4对基板2进行处理、例如切割。
在以这种切割工艺分割基板2之后，得到的芯片或裸片可以通过使用拾取设备(未示出)从保护膜8拾取。如上所述，由于在保护膜8的前表面12、与芯片或裸片之间不存在粘合剂，因此可以以特别简单和有效的方式拾取芯片或裸片。为了进一步简化拾取工艺，可以径向扩张保护膜8，以增加相邻芯片或裸片之间的距离。
从以上给出的说明可以得出，当基板2经由保护膜8通过保持框10保持的情况下、可以执行处理基板2的所有步骤。因此，仅需要将基板2安装到框架的一个步骤。包括保护膜8、保持框架10和基板2的基板单元能够可靠、安全地处理、操作和运输基板2。因此，不需要为了保护基板运输和操作的耗费空间的在线装备，但是可以将独立处理装置用于此目的。因此，可以以特别简单和有效的方式执行基板处理方法。
例如，通常，在磨削之后、或在抛光和/或蚀刻之后，使用输送垫(transportationpad)来输送基板2。输送垫部分或完全接触地面或抛光的基板表面，从而导致污染问题。通过本方法可以可靠地避免这些问题，在该方法中，在整个处理过程中，基板2通过保持框架10来处理和输送。
在第一实施方式中，保护膜8构成保护片材，该保护片材仅由保护膜8组成。然而，在其他实施方式中，如上所述，可以使用包括或由保护膜8和缓冲层(未示出)组成的、或包括或由保护膜8、缓冲层和基片(未示出)组成的保护片材。这种保护片材可以以与在第一实施例的方法中对于保护膜8详述的相同方式来使用。下面将参考附图9至图12更详细地讨论本发明的实施方式，其中，使用由保护膜8和缓冲层组成的、或由保护膜8、缓冲层和基片组成的保护片材。
在第一实施方式中，基板2的第一侧面4附接到保护膜8的前表面12。然而，在其他实施方式中，基板2的第二侧面6可以附接到保护膜8的前表面12。
下面，将参照图3描述本发明的第二实施方式。
第二实施方式的方法与第一实施方式的方法的不同之处仅在于：保持框架10附接到保护膜8的前表面12，即被附接到保护膜8的与基板2相同的一侧。
保持框架10以与上述第一实施方式中将保持框架10附接到保护膜8的后表面14相同的方式，附接到保护膜8的前表面12。
具体地，将保护膜8施加到保持框架10，使得保护膜8的前表面12与保持框架10直接接触，即，使得在前表面12与保持框架10之间不存在任何材料，特别是不存在粘合剂。在将保护膜8施加到保持框架10期间和/或之后，将外部刺激施加到保护膜8，使得保持框架10附接到保护膜8的前表面12。通过施加外部刺激，在保护膜8与保持框架10之间产生附接力，该附接力将保护膜8保持在其在保持框架10上的位置。如图3所示，将保持框架10附接到保护膜8的前表面12，以通过保护膜8闭合保持框架10的中心开口16。
外部刺激可以为如上所述的。外部刺激可以以上述方式施加至保护膜8。例如，将外部刺激施加到保护膜8可以包括加热保护膜8或由加热保护膜8组成。如上面对第一实施方式所详细描述的，保护膜8可以被直接和/或间接地加热。
由于保护膜8与保持框架10之间的附接力是通过施加外部刺激而产生的，因此不需要额外的粘结剂材料来将保护膜8附接至保持框架10。
此外，当从保护膜8拆卸保持框架10时，可靠地避免了由于粘合层的粘结力对保持框架10的任何损害或由于粘合剂残留物对保持框架10的污染。因此，不需要从保持框架10去除粘合剂残留物，以允许重复使用保持框架10。
因此，第二实施方式还提供了一种简单且有效的处理基板2的方法。
第二实施方式的方法可以以与上面针对第一实施方式详述的相同的方式进行修改。
在下文中，将参照图4至图6描述本发明的第三实施方案。
第三实施方式的方法与第一实施方式的方法的不同之处仅在于使用了不同类型的支承构件18。特别地，第三实施例的支承构件18设置有用于将基板2保持在支承表面20上的保持装置(未示出)。支承构件18具有透气部24(见图4)，其允许空气从中穿过。例如，透气部24可以由多孔陶瓷制成。保持装置是用于通过透气部24在抽吸下将基板2保持在支承表面20上的抽吸装置。
在已知的方法中，通常使用的保护膜的直径与基板2的直径近似相同，并且小于透气部24的直径。因此，诸如磨削或切割水、和磨削或抛光粉尘的污染物可通过保护膜和透气部24的外圆周之间的间隙进入透气部24。这样的污染物会堵塞透气部24、例如设置在其中的孔，从而非常地影响基板2的抽吸保持。此外，结果需要频繁地清洁透气部24，这显著地降低了基板处理的效率。
在基板处理期间，特别是在基板2的外边缘处，如果为了避免上述问题而选择较小直径的透气部24，则通过透气部24的抽吸可实现的抽吸力可能不足以将基板2可靠且牢固地保持在支承表面20上的其位置上。
传统上，已经尝试通过在基板2的处理期间、特别是在磨削期间，将保护膜附接到框架并夹紧框架来克服上述问题。但是，这种已知方法引起了上面已经详细讨论的问题。具体地，需要使用夹紧机构(clamp down mechanism)，该夹紧机构很费空间并且使基板处理相当麻烦和复杂。此外，保护膜必须表现出高度的可延展性，以使框架能够充分地夹持，从而显著限制了可用保护膜的范围。
而且，为了在夹紧工艺期间允许框架相对于基板2的所需移动量，在框架的内周与基板的外周之间必须存在足够大部分的保护膜。因此，必须使用具有大内径的框架，从而加剧了上述空间消耗问题并限制了可用框架的范围。
本发明已经解决了上述问题。
具体地，如图5所示，可以选择保护膜8，使其具有足够大的直径以覆盖整个透气部24，从而可靠地避免污染物进入其中。因此，对透气部24的直径没有限制。根据本发明，尽管使用了具有大直径的保护膜8和保持框架10，但是由于保持框架10和基板2附接到保护膜8的相反侧，因此不需要夹紧保持框架10(见图4和图5)。因此，由于不需要夹紧机构，因此本发明的方法允许在有限的处理空间内进行基板处理。
而且，在本发明的方法中，如图6所示的第三实施方式的修改所示，可以进一步减少所需的处理空间。由于不需要夹紧保持框架10，因此保持框架10不必相对于支承表面20向下移动。因此，如果在保持框架10的内圆周与基板2的外圆周之间仅存在小部分保护膜8就完全足够了。因此，与图4和图5所示的第三实施方式的方法相比，如图6所示，可以使用具有甚至更小的内径和外径的保持框架10。这样，可以节省支承构件18周围的区域中的更多空间。
此外，支承构件18本身的直径也可以最小化。
第三实施方式的方法可以以与上面针对第一实施方式详述的相同的方式进行修改。
下面，将参照图7描述本发明的第四实施方式。
第四实施方式的方法与第一实施方式的方法的不同之处仅在于，在磨削工艺之前通过划切将基板2完全分割。具体地，在将基板2的第一侧面4附接到保护膜8的前表面12之前，从第一侧面4沿着分割线部分地切割基板2，即，仅沿着其厚度的一部分切割基板2。随后，将第一侧面4附接到保护膜8的前表面12，并且第二侧面6沿着基板2的厚度的剩余部分而磨削，在基板2的厚度的剩余部分中在部分切割工艺中没有去除基板材料。以这种方法，基板2沿着分割线被分割成多个芯片或裸片26(参见图7)。
可选地，在磨削之后，可以抛光分割的基板2的第二侧面6。抛光第二侧面6可以包括化学机械抛光(CMP)、干法抛光(DP)和/或其他类型的抛光工艺，或由化学机械抛光(CMP)、干法抛光(DP)和/或其他类型的抛光工艺组成。
在分割基板2之后，得到的芯片或裸片26可以通过使用拾取设备从保护膜8拾取。由于在保护膜8的前表面12、与芯片或裸片26之间不存在粘合剂，因此可以以特别简单和有效的方式拾取芯片或裸片26。为了进一步简化拾取工艺，可以径向扩张保护膜8，以增加相邻芯片或裸片26之间的距离。
第四实施方式的方法可以以与上面针对第一实施方式详述的相同的方式进行修改。
下面，将参照图8描述本发明的第五实施方式。
第五实施方式的方法与第一实施方式的方法的不同之处仅在于：从基板2的第一侧面4对其进行处理。基板2放置在支承构件18的支承表面20上，使得基板2的第二侧面6与支承表面20接触(见图8)。因此，基板2布置在支承构件18上，使得基板2的第一侧面4面向上。
如图8所示，基板2通过保护膜8经受隐形激光切割工艺。在该工艺中，将具有允许激光束LB透射通过保护膜8和基板2的波长的激光束LB施加到基板2，以在基板2上形成多个修饰区域(未示出)，如上面已经详细描述的。沿着分割线形成修饰区域，从而沿着分割线降低了基板2的强度。
激光束LB可以为脉冲激光束。脉冲激光束可以具有例如在1fs至1000ns范围内的脉冲宽度。
该方法可以进一步包括在基板2中形成多个修饰区域之后，沿着分割线分割基板2。可以例如通过采用断裂工艺、例如使用扩张带将外力施加至基板2，或采用其他切割或划切工艺、例如机械切割或划切工艺，激光切割或划切工艺或等离子切割或划切工艺的各种方式来进行分割基板2的工艺。例如，可以通过径向扩张保护膜、即通过使用保护膜作为扩张带而将外力施加至基板。此外，也可以采用这些工艺中的两个或更多个的组合。
第五实施方式的方法可以以与上面针对第一实施方式详述的相同的方式进行修改。
下面，将参照图9描述本发明的第六实施方式。
第六实施方式的方法与第一实施方式的方法的基本不同之处仅在于使用了不同类型的保护片材。具体地，在第六实施方式的方法中使用的保护片材包括保护膜8和缓冲层28(见图9)。缓冲层28被附接至保护膜8的后表面14。
存在于基板2的第一侧面4上的突起和/或凹部(未示出)可以嵌入在缓冲层28中。因此，可以消除由于突起和/或凹部的存在而引起的表面不平坦对随后的基板处理步骤(例如切割、磨削和/或抛光)的任何负面影响。特别地，例如在切割、磨削和/或抛光期间，缓冲层28可以显著地有助于实现压力的特别均匀和一致的分布。
缓冲层28可以具有以上详述的特征、性能和特性。
然而，缓冲层28的材料不受特别限制。具体地，缓冲层28可以由允许存在于基板2的第一侧面4上的突起和/或凹部嵌入其中的任何类型的材料形成。缓冲层28可通过外部刺激(例如，UV辐射、热、电场和/或化学试剂)是可固化的。
如图9所示，缓冲层28的直径小于保护膜8的直径。缓冲层28仅存在于保护膜8的中心部，而不存在于保护膜8的周边部。保护膜8的周边部布置在保护膜8的中心部周围，即，以便围绕该中心部。
保持框架10在保护膜8的周边部中附接到保护膜8的后表面14(参见图9)。因此，在保持框架10附接到保护膜8的后表面14的区域中，在保持框架10与保护膜8的后表面14之间不存在缓冲层28。
基板2在保护膜8的中心部中附接到保护膜8的前表面12。缓冲层28的直径略大于基板2的直径(见图9)。因此，可以特别可靠地确保存在于基板2的第一侧面4上的突起和/或凹部嵌入缓冲层28中。
第六实施方式的方法可以以与第一实施方式的方法大体上相同的方式来执行。
在处理基板2之前，将其上附接有保护片材的基板2放置在支承构件(例如支承构件18)的支承表面上，(见图1和图2)，以使得缓冲层28的后表面30(见图9)与支承表面接触。因此，基板2布置在支承构件上，使得基板2的第二侧面6被暴露、即，面向上。因此，可以以特别简单和有效的方式从第二侧面6处理基板2。在将基板2放置在支承表面上的情况下，处理基板2。
第六实施方式的方法可以以与上面针对第一实施方式详述的相同的方式进行修改。
下面，将参照图10描述本发明的第七实施方式。
第七实施方式的方法与第六实施方式的方法的主要区别仅在于缓冲层28的直径。具体地，在第七实施方式的方法中，缓冲层28的直径与保护膜8的直径基本相同。保护片材的后表面因此可以由缓冲层的后表面30形成。如图10所示，将保持框架10附接到保护片材的后表面，即附接到缓冲层28的后表面30。
第七实施方式的方法可以以与上面针对第一实施方式详述的相同的方式进行修改。
下面，将参照图11描述本发明的第八实施方式。
第八实施方式的方法与第六实施方式的方法的主要不同之处仅在于将基片32附接到缓冲层28的后表面30(见图9)。在第八实施方式的方法中使用的保护片材因此由保护膜8、缓冲层28和基片32组成(见图11)。
基片32可以具有以上详述的特征、性能和特性。
基片32的材料不受特别限制。基片32可以由柔软的或柔韧的材料制成，诸如，例如聚合物材料、如聚氯乙烯(PVC)、乙烯醋酸乙烯酯(EVA)或聚烯烃。替代地，基片32可以由刚性或坚硬的材料制成，例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和/或硅和/或玻璃和/或不锈钢(SUS)。
如图11所示，基片32具有与保护膜28的直径基本相同的直径。因此，缓冲层28和基片32仅存在于保护膜8的中心部，而不存在于保护膜8的周边部。
保持框架10在保护膜8的周边部中附接到保护膜8的后表面14(参见图11)。因此，在保持框架10附接到保护膜8的后表面14的区域中，在保持框架10与保护膜8的后表面14之间不存在缓冲层28和基片32。基板2在保护膜8的中心部中附接到保护膜8的前表面12。
第八实施方式的方法可以以与第一实施方式的方法大体上相同的方式来执行。
在处理基板2之前，将其上附接有保护片材的基板2放置在支承构件(例如支承构件18)的支承表面上(见图1和图2)，以使得基片32的后表面34(见图11)与支承表面接触。因此，基板2布置在支承构件上，使得基板2的第二侧面6被暴露。因此，可以以特别简单和有效的方式从第二侧面6处理基板2。在将基板2放置在支承表面上的情况下，处理基板2。
第八实施方式的方法可以以与上面针对第一实施方式详述的相同的方式进行修改。
下面，将参照图12描述本发明的第九实施方式。
第九实施方式的方法与第八实施方式的方法的主要区别仅在于缓冲层28和基片2的直径。具体地，在第九实施方式的方法中，缓冲层28的直径和基片32的直径大体上与保护膜8的直径相同。保护片材的后表面因此可以由基片32的后表面34形成。如图12所示，将保持框架10附接到保护片材的后表面，即基片32的后表面34。
第九实施方式的方法可以以与上面针对第一实施方式详述的相同的方式进行修改。

Claims (12)

1.一种处理基板(2)的方法，所述基板(2)具有第一侧面(4)、和与所述第一侧面(4)相反的第二侧面(6)，所述方法包括：
设置具有前表面(12)、和与所述前表面(12)相反的后表面(14)的保护膜(8)；
设置用于保持所述基板(2)的保持框架(10)，其中，所述保持框架(10)具有中心开口(16)；
将所述保持框架(10)附接到所述保护膜(8)的所述后表面(14)，以通过所述保护膜(8)闭合所述保持框架(10)的所述中心开口(16)；
将所述基板(2)的所述第一侧面(4)或所述基板(2)的所述第二侧面(6)附接至所述保护膜(8)的所述前表面(12)；和
从所述基板(2)的、与所述基板(2)的附接至所述保护膜(8)的所述前表面(12)的侧面相反的侧面来处理所述基板(2)，和/或从所述基板(2)的附接到所述保护膜(8)的所述前表面(12)的侧面来处理所述基板(2)。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述基板(2)的所述第一侧面(4)或所述基板(2)的所述第二侧面(6)附接至所述保护膜(8)的所述前表面(12)包括：
将所述保护膜(8)施加到所述基板(2)的所述第一侧面(4)或所述基板(2)的所述第二侧面(6)，使得至少所述保护膜(8)的所述前表面(12)的中心区域与所述基板(2)的所述第一侧面(4)或所述基板(2)的所述第二侧面(6)直接接触。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，将所述基板(2)的所述第一侧面(4)或所述基板(2)的所述第二侧面(6)附接至所述保护膜(8)的所述前表面(12)还包括：
在将所述保护膜(8)施加到所述基板(2)的所述第一侧面(4)、或所述基板(2)的所述第二侧面(6)期间和/或之后，将外部刺激施加到所述保护膜(8)，使得所述基板(2)的所述第一侧面(4)或所述基板(2)的所述第二侧面(6)附接到所述保护膜(8)的所述前表面(12)。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，将所述保持框架(10)附接到所述保护膜(8)的所述后表面(14)包括：
将所述保护膜(8)施加到所述保持框架(10)，使得所述保护膜(8)的所述后表面(14)与所述保持框架(10)直接接触，以及
在将所述保护膜(8)施加到所述保持框架(10)期间和/或之后，将外部刺激施加到所述保护膜(8)，使得所述保持框架(10)附接到所述保护膜(8)的所述后表面(14)。
5.根据权利要求3或4所述的方法，其中，将所述外部刺激施加到所述保护膜(8)包括：加热所述保护膜(8)、和/或冷却所述保护膜(8)、和/或将真空施加到所述保护膜(8)、和/或用光照射所述保护膜(8)。
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，
在所述基板(2)的所述第一侧面(4)上形成至少一条分割线，和
所述基板(2)的所述第一侧面(4)附接到所述保护膜(8)的所述前表面(12)。
7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其还包括：
设置具有支承表面(20)的支承构件(18)，和
将附接至所述保护膜(8)的所述前表面(12)的所述基板(2)放置在所述支承构件(18)的所述支承表面(20)上，使得所述保护膜(8)的所述后表面(14)与所述支承表面(20)接触。
8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其还包括：
设置检查设备(22)，以及
借助于所述检查设备(22)、穿过所述保护膜(8)，检查所述基板(2)的附接到所述保护膜(8)的所述前表面(12)的侧面。
9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，
所述保护膜(8)设置有粘合层，
所述粘合层仅设置在所述保护膜(8)的所述前表面(12)的周边区域中，以及
所述基板(2)的所述第一侧面(4)、或所述基板(2)的所述第二侧面(6)被附接到所述保护膜(8)的所述前表面(12)，使得所述粘合层仅与所述基板(2)的所述第一侧面(4)、或所述基板(2)的所述第二侧面(6)的周边部接触。
10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，
从所述基板(2)的、与所述基板(2)的附接至所述保护膜(8)的所述前表面(12)的侧面相反的侧面来处理所述基板(2)，以及
从所述基板(2)的、与所述基板(2)的附接至所述保护膜(8)的所述前表面(12)的侧面相反的侧面来处理所述基板(2)包括：从所述基板(2)的、与所述基板(2)的附接到所述保护膜(8)的所述前表面(12)的侧面相反的侧面来切割和/或磨削和/或抛光所述基板(2)。
11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，
从所述基板(2)的、附接至所述保护膜(8)的所述前表面(12)的侧面来处理所述基板(2)，以及
从所述基板(2)的、附接至所述保护膜(8)的所述前表面(12)的侧面来处理所述基板(2)包括：使用辐射从所述基板(2)的、附接到所述保护膜(8)的所述前表面(12)的侧面来照射所述基板(2)。
12.一种处理基板(2)的方法，所述基板(2)具有第一侧面(4)、和与所述第一侧面(4)相反的第二侧面(6)，所述方法包括：
设置具有前表面(12)、和与所述前表面(12)相反的后表面(14)的保护片材(8)；
设置用于保持所述基板(2)的保持框架(10)，其中，所述保持框架(10)具有中心开口(16)；
将所述保持框架(10)附接到所述保护片材(8)的所述前表面(12)或所述后表面(14)，以便通过所述保护片材(8)闭合所述保持框架(10)的所述中心开口(16)；
将所述基板(2)的所述第一侧面(4)或所述基板(2)的所述第二侧面(6)附接至所述保护片材(8)的所述前表面(12)；和
从所述基板(2)的、与所述基板(2)的附接至所述保护片材(8)的所述前表面(12)的侧面相反的侧面来处理所述基板(2)，和/或从所述基板(2)的、附接到所述保护片材(8)的所述前表面(12)的侧面来处理所述基板(2)，
其中，将所述保持框架(10)附接到所述保护片材(8)的所述前表面(12)或所述后表面(14)包括：
将所述保护片材(8)施加到所述保持框架(10)，使得所述保护片材(8)的所述前表面(12)或所述后表面(14)与所述保持框架(10)直接接触，以及
在将所述保护片材(8)施加到所述保持框架(10)期间和/或之后，将外部刺激施加到所述保护片材(8)，使得所述保持框架(10)附接到所述保护片材(8)的所述前表面(12)或所述后表面(14)。
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