KR20210015716A - 기판 처리 방법 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 661
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 170
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 95
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 698
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 58
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 46
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 42
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 35
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 33
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 29
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 29
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 26
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 16
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 15
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 9
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 138
- 239000000463 material Substances 0.000 description 64
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 61
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 61
- 230000008569 process Effects 0.000 description 59
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 35
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 23
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 21
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 8
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 8
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 8
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 7
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 6
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 6
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 229920001748 polybutylene Polymers 0.000 description 6
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 6
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 6
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 4
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 230000003090 exacerbative effect Effects 0.000 description 2
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 241001050985 Disco Species 0.000 description 1
- 229910000976 Electrical steel Inorganic materials 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- QUQFTIVBFKLPCL-UHFFFAOYSA-L copper;2-amino-3-[(2-amino-2-carboxylatoethyl)disulfanyl]propanoate Chemical compound [Cu+2].[O-]C(=O)C(N)CSSCC(N)C([O-])=O QUQFTIVBFKLPCL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
Description
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 방법에서 지지 부재 상의 보호막을 통해 유지 프레임에 의해 유지되는 기판을 배치하는 단계를 도시하는 단면도이다;
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 방법에서 검사 장치에 의해 보호막에 부착된 기판의 면을 검사하는 단계를 도시하는 단면도이다;
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 방법에서 보호막을 통해 유지 프레임에 의해 유지되는 기판을 도시하는 단면도이다;
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 방법에서 지지 부재 상의 보호막을 통해 유지 프레임에 의해 유지되는 기판을 배치하는 단계를 도시하는 단면도이다;
도 5는 도 4에 도시된 단계의 결과를 도시하는 단면도이다;
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 방법의 변형예에 대하여 도 4에 도시된 단계의 결과를 도시하는 단면도이다;
도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 방법에서 기판을 분리하는 단계의 결과를 도시하는 단면도이다;
도 8은 본 발명의 제5 실시예에 따른 방법에서 기판을 처리하는 단계를 도시하는 단면도이다;
도 9는 본 발명의 제6 실시예에 따른 방법에서 보호 시트를 통해 유지 프레임에 의해 유지되는 기판을 도시하는 단면도이다;
도 10은 본 발명의 제7 실시예에 따른 방법에서 보호 시트를 통해 유지 프레임에 의해 유지되는 기판을 도시하는 단면도이다;
도 11은 본 발명의 제8 실시예에 따른 방법에서 보호 시트를 통해 유지 프레임에 의해 유지되는 기판을 도시하는 단면도이다; 그리고
도 12는 본 발명의 제9 실시예에 따른 방법에서 보호 시트를 통해 유지 프레임에 의해 유지되는 기판을 도시하는 단면도이다.
Claims (12)
- 제1 면(4) 및 상기 제1 면(4)의 반대측의 제2 면(6)을 갖는 기판(2)을 처리하는 방법에 있어서,
전면(12) 및 상기 전면(12)의 반대측의 배면(14)을 갖는 보호막(8)을 제공하는 단계;
상기 기판(2)을 유지하기 위한 유지 프레임(10)을 제공하는 단계로서, 상기 유지 프레임(10)은 중앙 개구(16)를 갖는 것인 단계;
상기 보호막(8)에 의해 상기 유지 프레임(10)의 상기 중앙 개구(16)를 폐쇄하도록 상기 유지 프레임(10)을 상기 보호막(8)의 상기 배면(14)에 부착하는 단계;
상기 기판(2)의 상기 제1 면(4) 또는 상기 기판(2)의 상기 제2 면(6)을 상기 보호막(8)의 상기 전면(12)에 부착하는 단계; 및
상기 보호막(8)의 상기 전면(12)에 부착된 상기 기판(2)의 측부와 반대측의 상기 기판의 측부로부터 상기 기판(2)을 처리하는 단계와 상기 보호막(8)의 상기 전면(12)에 부착된 상기 기판(2)의 측부로부터 상기 기판(2)을 처리하는 단계 중 하나 이상의 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. - 제1항에 있어서,
상기 기판(2)의 상기 제1 면(4) 또는 상기 기판(2)의 상기 제2 면(6)을 상기 보호막(8)의 상기 전면(12)에 부착하는 단계는:
적어도 상기 보호막(8)의 상기 전면(12)의 중앙 영역이 상기 기판(2)의 상기 제1 면(4) 또는 상기 기판(2)의 상기 제2 면(6)과 직접 접촉하도록 상기 기판(2)의 상기 제1 면(4) 또는 상기 기판(2)의 상기 제2 면(6)에 상기 보호막(8)을 대는(apply) 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. - 제2항에 있어서,
상기 기판(2)의 상기 제1 면(4) 또는 상기 기판(2)의 상기 제2 면(6)을 상기 보호막(8)의 상기 전면(12)에 부착하는 단계는:
상기 기판(2)의 상기 제1 면(4) 또는 상기 기판(2)의 상기 제2 면(6)이 상기 보호막(8)의 상기 전면(12)에 부착되도록, 상기 기판(2)의 상기 제1 면(4) 또는 상기 기판(2)의 상기 제2 면(6)에 상기 보호막(8)을 대는 단계 동안, 또는 상기 기판(2)의 상기 제1 면(4) 또는 상기 기판(2)의 상기 제2 면(6)에 상기 보호막(8)을 대는 단계 후에, 또는 이들 양 단계에서 상기 보호막(8)에 외부 자극을 인가하는 단계
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유지 프레임(10)을 상기 보호막(8)의 상기 배면(14)에 부착하는 단계는:
상기 보호막(8)의 상기 배면(14)이 상기 유지 프레임과 직접 접촉하도록 상기 보호막(8)을 상기 유지 프레임(10)에 대는 단계, 및
상기 유지 프레임(10)이 상기 보호막(8)의 상기 배면(14)에 부착되도록, 상기 보호막(8)을 상기 유지 프레임(10)에 인가하는 단계 동안, 또는 상기 보호막(8)을 상기 유지 프레임(10)에 인가하는 단계 후에, 또는 이들 양 단계에서 상기 보호막(8)에 외부 자극을 인가하는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. - 제3항에 있어서,
상기 보호막(8)에 상기 외부 자극을 인가하는 단계는, 상기 보호막(8)을 가열하는 단계, 상기 보호막(8)을 냉각하는 단계, 상기 보호막(8)에 진공을 인가하는 단계, 및 상기 보호막(8)을 광으로 조사하는(irradiating) 단계 중 하나 이상의 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
적어도 하나의 분리 라인이 상기 기판(2)의 상기 제1 면(4) 상에 형성되고,
상기 기판(2)의 상기 제1 면(4)은 상기 보호막(8)의 상기 전면(12)에 부착되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
지지 표면(20)을 갖는 지지 부재(18)를 제공하는 단계, 및
상기 보호막(8)의 상기 배면(14)이 상기 지지 표면(20)과 접촉하도록, 상기 지지 부재(18)의 상기 지지 표면(20) 상에 상기 보호막(8)의 상기 전면(12)에 부착된 상기 기판(2)을 배치하는 단계
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
검사 장치(22)를 제공하는 단계, 및
상기 보호막(8)을 통해 상기 검사 장치(22)에 의해 상기 보호막(8)의 상기 전면(12)에 부착된 상기 기판(2)의 측부를 검사하는 단계
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 보호막(8)에 접착제층이 제공되고,
상기 접착제층은 상기 보호막(8)의 상기 전면(12)의 주변 영역에만 제공되고, 그리고
상기 접착제층이 상기 기판(2)의 상기 제1 면(4) 또는 상기 기판(2)의 상기 제2 면(6)의 주변 부분과만 접촉하도록, 상기 기판(2)의 상기 제1 면(4) 또는 상기 기판(2)의 상기 제2 면(6)이 상기 보호막(8)의 상기 전면(12)에 부착되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판(2)은 상기 보호막(8)의 상기 전면(12)에 부착된 상기 기판(2)의 측부와 반대측의 상기 기판(2)의 측부로부터 처리되고, 그리고
상기 보호막(8)의 상기 전면(12)에 부착된 상기 기판(2)의 측부와 반대측의 상기 기판(2)의 측부로부터 상기 기판(2)을 처리하는 단계는, 상기 보호막(8)의 상기 전면(12)에 부착된 상기 기판(2)의 측부와 반대측의 상기 기판(2)의 측부로부터 상기 기판(2)에 대해 절단(cutting), 연삭(grinding), 및 연마(polishing) 중 하나 이상을 실행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판(2)은 상기 보호막(8)의 상기 전면(12)에 부착된 상기 기판(2)의 측부로부터 처리되고,
상기 보호막(8)의 상기 전면(12)에 부착된 상기 기판(2)의 측부로부터 상기 기판(2)을 처리하는 단계는 상기 보호막(8)의 상기 전면(12)에 부착된 상기 기판(2)의 면으로부터 방사선(radiation)으로 상기 기판(2)을 조사(irradiating)하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. - 제1 면(4) 및 상기 제1 면(4)의 반대측의 제2 면(6)을 갖는 기판(2)을 처리하는 방법에 있어서,
전면(12) 및 상기 전면(12)의 반대측의 배면(14)을 갖는 보호 시트(sheeting)(8)를 제공하는 단계;
상기 기판(2)을 유지하기 위한 유지 프레임(10)을 제공하는 단계로서, 상기 유지 프레임(10)은 중앙 개구(16)를 갖는 것인 단계;
상기 보호 시트(8)에 의해 상기 유지 프레임(10)의 상기 중앙 개구(16)를 폐쇄하도록 상기 유지 프레임(10)을 상기 보호 시트(8)의 상기 전면(12) 또는 상기 배면(14)에 부착하는 단계;
상기 기판(2)의 상기 제1 면(4) 또는 상기 기판(2)의 상기 제2 면(6)을 상기 보호 시트(8)의 상기 전면(12)에 부착하는 단계; 및
상기 보호 시트(8)의 상기 전면(12)에 부착된 상기 기판(2)의 측부와 반대측의 상기 기판의 측부로부터 상기 기판(2)을 처리하는 단계 및 상기 보호 시트(8)의 상기 전면(12)에 부착된 상기 기판(2)의 측부로부터 상기 기판(2)을 처리하는 단계 중 하나 이상의 단계
를 포함하고,
상기 유지 프레임(10)을 상기 보호 시트(8)의 상기 전면(12) 또는 상기 배면(14)에 부착하는 단계는:
상기 보호 시트(8)의 상기 전면(12) 또는 상기 배면(14)이 상기 유지 프레임(10)과 직접 접촉하도록 상기 보호 시트(8)를 상기 유지 프레임(10)에 대는 단계, 및
상기 유지 프레임(10)이 상기 보호 시트(8)의 상기 전면(12) 또는 상기 배면(14)에 부착되도록, 상기 보호 시트(8)를 상기 유지 프레임(10)에 대는 단계 동안. 또는 상기 보호 시트(8)를 상기 유지 프레임(10)에 인가하는 단계 후에, 또는 이들 양 단계에서 상기 보호 시트(8)에 외부 자극을 인가하는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102019211540.3A DE102019211540A1 (de) | 2019-08-01 | 2019-08-01 | Verfahren zum bearbeiten eines substrats |
DE102019211540.3 | 2019-08-01 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20210015716A true KR20210015716A (ko) | 2021-02-10 |
KR102593404B1 KR102593404B1 (ko) | 2023-10-23 |
Family
ID=74165549
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020200096047A KR102593404B1 (ko) | 2019-08-01 | 2020-07-31 | 기판 처리 방법 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11823941B2 (ko) |
JP (2) | JP7332095B2 (ko) |
KR (1) | KR102593404B1 (ko) |
CN (1) | CN112309906B (ko) |
DE (1) | DE102019211540A1 (ko) |
TW (1) | TWI790454B (ko) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE102021209979A1 (de) | 2021-09-09 | 2023-03-09 | Disco Corporation | Verfahren zur bearbeitung eines substrats |
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- 2019-08-01 DE DE102019211540.3A patent/DE102019211540A1/de active Pending
-
2020
- 2020-06-30 JP JP2020112773A patent/JP7332095B2/ja active Active
- 2020-07-02 TW TW109122429A patent/TWI790454B/zh active
- 2020-07-24 CN CN202010727443.6A patent/CN112309906B/zh active Active
- 2020-07-27 US US16/939,987 patent/US11823941B2/en active Active
- 2020-07-31 KR KR1020200096047A patent/KR102593404B1/ko active IP Right Grant
-
2022
- 2022-06-29 JP JP2022104582A patent/JP2022130603A/ja not_active Withdrawn
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Also Published As
Publication number | Publication date |
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KR102593404B1 (ko) | 2023-10-23 |
DE102019211540A1 (de) | 2021-02-04 |
JP2022130603A (ja) | 2022-09-06 |
US11823941B2 (en) | 2023-11-21 |
TW202107613A (zh) | 2021-02-16 |
US20210035846A1 (en) | 2021-02-04 |
JP2021027336A (ja) | 2021-02-22 |
TWI790454B (zh) | 2023-01-21 |
CN112309906B (zh) | 2024-07-02 |
CN112309906A (zh) | 2021-02-02 |
JP7332095B2 (ja) | 2023-08-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20200731 |
|
PA0201 | Request for examination | ||
PG1501 | Laying open of application | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20220316 Patent event code: PE09021S01D |
|
AMND | Amendment | ||
PE0601 | Decision on rejection of patent |
Patent event date: 20230227 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PE06012S01D Patent event date: 20220316 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PE06011S01I |
|
AMND | Amendment | ||
PX0701 | Decision of registration after re-examination |
Patent event date: 20230729 Comment text: Decision to Grant Registration Patent event code: PX07013S01D Patent event date: 20230720 Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event code: PX07012R01I Patent event date: 20230227 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PX07011S01I Patent event date: 20220816 Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event code: PX07012R01I |
|
X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20231019 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20231019 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration |