TW202105451A - 從處理腔室移除環 - Google Patents

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Abstract

一種用於更換處理套件的方法和設備，處理套件包括在處理腔室中的邊緣環和/或支撐環。在一個實施方式中，處理套件包括多段邊緣環。多段邊緣環包括第一段、第二段和第一環形體。第一環形體包括第一上表面、與第一上表面相對的第一下表面、第一內表面和第一外表面。第一段和第二段可連接以形成第一環形體，第一下表面可操作以定位在佈置在處理腔室內的基板支座上方，且位於第一上表面和第一下表面之間的第一內表面的至少一部分的直徑大於要在處理腔室中處理的基板的直徑。

Description

從處理腔室移除環
本揭示內容總體上涉及用於替換處理套件的設備和方法，處理套件包括在處理腔室（例如在半導體處理中使用的處理腔室）中的邊緣環和/或支撐環。
在諸如蝕刻腔室之類的處理腔室中；在靜電夾持就位的同時蝕刻基板。通常，一個或多個圓形部件（稱為邊緣環、處理環、支撐環等）位於基板的外徑周圍，以保護靜電吸盤的上表面不被蝕刻劑化學腐蝕或促進基板的處理。這些環由數種不同的材料製成，並且可以具有不同的形狀，這兩個因素都會影響基板周邊附近的處理均勻性。在處理過程中，這些環會隨著時間而被蝕刻，從而導致形狀變化以及處理均勻性變化。
為了應對由於劣化而導致的處理均勻性的變化，根據時間表來更換這些環。根據傳統，為了更換這些環之一，要打開處理腔室以允許操作者存取內部的環。但是，此過程很耗時，並且由於要清潔和抽空處理腔室，可能需要多達二十四個小時才能使處理腔室恢復做好生產準備的狀態。
因此，需要用於替換處理腔室內的消耗部件的新方法和設備。
本揭示內容總體上涉及用於替換處理套件的設備和方法，處理套件包括在處理腔室（例如在半導體處理中使用的處理腔室）中的邊緣環和/或支撐環。在一個態樣中，提供了一種用於處理腔室的處理套件。處理套件包括多段邊緣環。多段邊緣環包括第一段、第二段和第一環形體。第一環形體包括第一上表面、與第一上表面相對的第一下表面、第一內表面和第一外表面。第一段和第二段可連接以形成第一環形體，第一下表面可操作以定位在佈置在處理腔室內的基板支座上方，且位於第一上表面和第一下表面之間的第一內表面的至少一部分的直徑大於要在處理腔室中處理的基板的直徑。
在另一態樣中，提供一種移除多段邊緣環的方法。方法包含將多段邊緣環從其中多段邊緣環鄰近於基板支座的位置升高，基板支座設置在保持真空壓力的處理腔室內。方法進一步包含：將其上具有載體板的機械葉片插入處理腔室中。機械葉片耦合至轉移機械手。方法進一步包含：將多段邊緣環分成多個段，這些段至少包括第一段和第二段。方法進一步包含：將多段邊緣環的第一段轉移到載體板上。方法進一步包含：在處理腔室保持真空壓力的同時，藉由使用轉移機械手從處理腔室中移除多段邊緣環的第一段和載體板。
在另一態樣中，提供了一種移除處理套件的方法。方法包含：將多段邊緣環和支撐環堆疊從其中支撐環堆疊位於處理腔室內的基板支座的表面上方的位置升高，其中支撐環堆疊的底表面位於多段邊緣環的頂表面的至少一部分上方。方法進一步包含：將機械葉片插入處理腔室，機械葉片上設置有載體，其中機械葉片耦合至轉移機械手。方法進一步包含：將支撐環堆疊轉移到承載環上。方法進一步包含：使用轉移機械手從處理腔室中移除支撐環堆疊、承載環和機械葉片。方法進一步包含：將其上具有載體板的機械葉片插入處理腔室中。方法進一步包含：將多段邊緣環分成多個段，這些段至少包括第一段和第二段。方法進一步包含：將多段邊緣環的第一段轉移到載體板上。方法進一步包含：藉由使用轉移機械手從處理腔室中移除多段邊緣環的第一段和載體板。
在又一態樣中，一種非暫態性電腦可讀取媒體在其上存儲了指令，這些指令在由處理器執行時使處理器執行上述設備和/或方法的操作。
以下揭示內容描述了用於替換處理套件的設備和方法，處理套件包括處理腔室中的邊緣環、支撐環和/或其他環。下文的說明與圖1A至圖9B闡述了特定的細節，以期通透瞭解揭示內容的各種具體實施例。下列揭示內容並未闡述說明時常相關於處理套件更換與半導體處理的習知結構與系統的其他細節，以避免不必要地使各種具體實施例的說明模糊不清。
在圖式中圖示的許多細節、尺寸、角度與其他特徵，僅用於說明特定的態樣。因此，其他態樣可具有其他的細節、部件、尺寸、角度與特徵，而並未脫離本揭示內容的精神或範圍。此外，不需下述的許多細節，即可實作揭示內容的進一步態樣。
下文將參考可在處理系統中執行而不破壞真空的環替換處理來描述本文描述的態樣。示例性處理系統包括但不限於PRODUCER® Etch 與 CENTRIS™ SYM3TM系統（由美國加州聖塔克拉拉市的應用材料公司發售）。其他能夠執行環替換處理的工具亦可經調適，以根據本文所述的具體實施例而獲益。此外，能夠使用本文描述的環替換處理的任何系統都是有利的。本文所述之設備說明為示例性的，且不應被解譯或解釋為限制本文所述態樣的範圍。
具體實施例可包含下列潛在優點之一個或多個。本揭示內容的方法和設備，可以藉由在電漿處理期間控制在諸如半導體晶圓之類的基板上形成的電漿鞘的形狀，來改善在基板表面上的蝕刻速率均勻性。可以在不排氣處理腔室的情況下更換在處理過程中緊鄰基板和/或支撐基板的處理套件硬體。可以更換處理套件硬體中的消耗部件，而處理套件硬體中的其餘部件可以長時間重複使用，而無需排氣處理腔室。通常，在電漿處理期間被腐蝕或侵蝕的消耗部件在短得多的時間段之後即需被更換，例如在處理腔室內處理大約一百個基板到大約幾千個基板後。消耗部件的更換可以使用自動更換舊部件的方法完成，而無需排氣處理腔室。換言之，當更換環時，處理腔室保持在真空下。因此，減少了在處理腔室中進行電漿處理的總成本。
首先，在下文的描述中，包括X軸、Y軸和Z軸的正交坐標系用於幫助描述所描述的各個部件的相對方向，而無意於限制本發明對於本文提供的揭示內容的範圍。
圖1A至圖1J示出了根據本揭示內容的一個或多個態樣的處理腔室100的部分示意圖，其中正移除包括多段邊緣環110的處理套件104。雖然習知處理腔室在操作者可以打開其蓋以更換諸如多段邊緣環110之類的腐蝕部件之前需要排氣至大氣壓，但是處理腔室100可操作為便於更換多段邊緣環110而無需排氣並打開處理腔室100的蓋。藉由將多段邊緣環110的段或部分傳送通過處理腔室100的基板出入口112，來避免打開處理腔室100。
處理腔室100可以是蝕刻腔室、沉積腔室（包括原子層沉積、化學氣相沉積、物理氣相沉積或其電漿增強版本）、退火腔室等等中的任何一種，在其中利用了基板支撐組件114。
處理腔室100包括腔室主體102，腔室主體102限定處理區域116。處理腔室100包括位於處理區域116中的基板支撐組件114，用於在其上接收基板118。處理腔室100還包括用於使基板118進出處理區域116的基板出入口112。處理套件104位於基板支撐組件114上，並圍繞基板118的外邊緣。儘管無意限制本文提供的揭示內容的範圍，但是在其中基板118為圓形的一些態樣中，處理套件104沿著與Z方向對準、穿過基板118中心的中心垂直軸為實質軸向對稱。
基板支撐組件114包括例如靜電吸盤（稱為圓盤122），以協助將基板吸到基板支撐組件114的上表面上。基板支撐組件114可包括附加部件，例如接地板、冷卻板和設施板，為了簡潔起見這些部件未在圖1A至圖1J中示出。
第一組複數個升舉銷180a-e（統稱為180）（在圖4A至圖4F中示出）設置在圍繞圓盤122周向定位並延伸穿過靜電吸盤基座120的各個開口中。每個升舉銷180a-e可以經由致動器（未示出）彼此獨立地垂直致動，致動器例如是步進馬達或線性致動器。第一組複數個升舉銷180a-e經定位以升高和降低多段邊緣環110。在一實例中，使用五個升舉銷來接合多段邊緣環110。儘管示出了五個升舉銷180a-e，但是應當理解，可以使用足以升高和降低多段邊緣環110的任何數量的升舉銷。
第二組複數個升舉銷188a、188b（統稱為188）位於第一組複數個升舉銷180的徑向內側。在一實例中，第二組複數個升舉銷188包括三個升舉銷。升舉銷188用於從圓盤122升高和降低基板118，以利於機械手使基板118往返基板支撐組件114。
圖1B是圖1A的一部分的局部放大圖，示出了設置在基板支撐組件114上的處理套件104的左側邊緣。在一些態樣中，如圖1B所示，基板支撐組件114包括靜電吸盤基座120，其上設有圓盤122。圓盤122被處理套件104包圍。在一些態樣中，圓盤122由氧化鋁（alumina）或氧化鋁（aluminum oxide）形成。諸如200mm、300mm或450mm的半導體晶圓之類的基板118（以虛線顯示）可以放置在圓盤122上，並經由靜電吸附固定在圓盤122上，以利於在處理腔室100的處理區域116中處理基板118。
處理套件104包括多段邊緣環110和支撐環堆疊130。多段邊緣環110可圍繞圓盤122和靜電吸盤基座120同心地定位在X-Y平面（例如水平面）中，並保護圓盤122和靜電吸盤基座120。在一個實例中，多段邊緣環110由導電材料製成，例如鋁、鋁合金、矽、碳化矽（SiC）或其他合適的材料。導電材料可以比支撐環堆疊130更導電。
支撐環堆疊130圍繞圓盤122定位。支撐環堆疊130包括內環132和中環134。內環132和中環134可以分別由諸如鋁、鋁合金、矽、碳化矽（SiC）的導電材料或諸如石英的絕緣材料分別製造。內環132接觸圓盤122。內環132位於形成在圓盤122的徑向向外和上邊緣處的階梯狀表面136中。內環132具有圍繞基板118的環形體137。內環132的環形體137包括具有徑向向內部分138和徑向向外部分140的階梯狀上表面139。徑向向內部分138凸起高於徑向向外部分140。內環132的下表面142平行於徑向向內部分138和徑向向外部分140。內環132的環形體137還包括徑向向內的側壁146和徑向向外的側壁149。在一實例中，下表面142與形成在圓盤122中的階梯狀表面136的下部144接觸。在另一個實例中，下表面142與形成在圓盤122中的階梯狀表面136的下部144接觸，並且另外，內環132的徑向向內的側壁146接觸在圓盤122周圍形成的階梯狀表面136的垂直邊緣147。
中環134具有圍繞基板118的環形體151。中環134的環形體151包括大體上彼此平行的平面上表面148和平面下表面150。中環134的平面下表面150接觸內環132的徑向向外部分140。中環134的環形體151包括徑向向內的側壁152和徑向向外的側壁154。徑向向內的側壁152接觸內環132的階梯狀上表面139。
多段邊緣環110具有定位在基板支撐組件114上的環形體159。多段邊緣環110的環形體159包括上表面160和與上表面160相對的平面下表面162。如圖1B所示，上表面160是階梯狀表面。上表面160具有徑向向內的部分164和徑向向外的部分166。徑向向外部分166凸起高於徑向向內部分164。多段邊緣環110的平面下表面162平行於徑向向內部分164和徑向向外部分166。或者，上表面160可以是平面。多段邊緣環110的環形體159進一步包括徑向向內的側壁168和徑向向外的側壁170。在一實例中，多段邊緣環110的平面下表面162與靜電吸盤基座120接觸。在另一個實例中，平面下表面162與靜電吸盤基座120接觸，並且另外，多段邊緣環110的徑向向內的側壁168與形成在圓環122周圍的階梯狀表面136的垂直邊緣147接觸。
應當注意，本文描述的特定處理套件配置實例，僅僅是根據本揭示內容的邊緣環和支撐環堆疊的一些可能實例，並且不限制根據本揭示內容的支撐環堆疊和邊緣環的可能配置、規格等。例如，邊緣環和支撐環堆疊的形狀或尺寸不限於上述實例。在一些實施方式中，邊緣環可以被多個邊緣環代替。例如，在一些實施方式中，邊緣環包括彼此堆疊的上邊緣環和下邊緣環。上邊緣環可以由諸如矽或碳化矽的電漿電阻材料製成，以防止直接電漿暴露。下邊緣環可以由諸如石英、鋁或鋁合金的材料製成。在一些實施方式中，支撐環堆疊包括單個環。
在處理期間，升舉銷180a的上端可以接合多段邊緣環110的平面下表面162，以從靜電吸盤基座120上抬起多段邊緣環110。可使用多段邊緣環110的高度來調節鄰近基板118的徑向向外邊緣的電漿鞘，例如藉由補償多段邊緣環110的腐蝕。在一實例中，多段邊緣環110可被升高多達約2毫米（mm）的距離。但是，經過一定時間後，多段邊緣環110可能會腐蝕到需要更換多段邊緣環110的程度。本揭示內容的態樣有助於透過基板出入口112移除和更換多段邊緣環110，從而不需要拆卸處理腔室100即可更換多段邊緣環110。
如圖1B所示，多段邊緣環110的內徑由多段邊緣環110的徑向向內的側壁168限定，並且小於由內環132的徑向向外的側壁149所限定的外徑。另外，多段邊緣環110的內徑小於由多段邊緣環110的徑向向外的側壁154限定的中環134的外徑。由多段邊緣環110的徑向向外的側壁170限定的多段邊緣環110的外徑，也大於基板出入口112的寬度。此外，由多段邊緣環110的徑向向外的側壁170限定的多段邊緣環110的外徑，大於內環132的外徑和中間環134的外徑。
為了移除支撐環堆疊130，並且參照圖1C所示，多段邊緣環110和支撐環堆疊130藉由升舉銷180a、180d升高到基板出入口112上方的高度，以提供用於在多段邊緣環110和支撐環堆疊130下方容納載體184（圖1D所示）的間隙。載體184尤其可以是載體板或載體環。載體184的尺寸設置成在不接觸多段邊緣環110的情況下支撐支撐環堆疊130。例如，在一些實施方式中，載體184的外徑小於由多段邊緣環110的徑向向內側壁168表示的內徑。藉由機械葉片、端效器等等（在圖1D中為了清楚而未示出）將載體184定位在支撐環堆疊130下方。
現在參考圖1E所示，一旦載體184定位在支撐環堆疊130下方（例如在基板支撐組件114上方並與其同心對齊），則第二組複數個升舉銷188a、188b垂直向上致動或延伸，以將載體184從機械葉片（為清晰起見，在圖1E中未顯示）提升。一旦升起載體184，就將機械葉片從處理腔室100中取出。第二組複數個升舉銷188a、188b位於第一組複數個升舉銷180的徑向內側。在一實例中，利用三個升舉銷在圓盤122上方接合並支撐載體184。
在載體184被支撐在升舉銷188上的情況下，升舉銷180a、180d縮回以將支撐環堆疊130移送到載體184，如圖1E所示。多段邊緣環110被支撐在升舉銷180a、180d上，該等升舉銷繼續縮回到基板支撐組件114中，同時支撐環堆疊130保持在載體184上，如圖1F所示。在升舉銷180a、180d凹進基板支撐組件114中的情況下，升舉銷188a、188b向上升高，以升高載體184和支撐環堆疊130，如圖1F所示。升舉銷188a、188b升高到一高度，此高度足以允許機械葉片（未顯示）進入載體184和圓盤122之間的處理腔室100。機械葉片位於載體184和支撐環堆疊130下方，以便於將載體184放置在機械葉片上。
一旦將機械葉片定位在載體184下方，升舉銷188a、188b縮回以將載體184定位在機械葉片上。升舉銷188a、188b的進一步向下移動，消除了機械葉片與升舉銷188a、188b之間的干擾。在升舉銷188a、188b脫離機械葉片的情況下，機械葉片以及載體184和支撐環堆疊130隨時可以透過基板出入口112從處理腔室100中取出。隨後，根據圖5的實例，使載體184移動通過機械葉片上的基板出入口112，並進行傳送。可以想到，可以藉由反向操作將新的支撐環堆疊引入處理腔室100中。
圖1A至1F示出了支撐環堆疊移除處理的一個實例。但是，也可以考慮其他實例。例如，參照圖1E，可以想到的是，在將載體184支撐在機械葉片上的同時，可以將支撐環堆疊130降低到載體184上。然後，升舉銷188a、188b可以縮回以提供間隙，並且可以通過基板出入口112從處理腔室100中移除其上具有載體184和支撐環堆疊130的機械手。
接下來，參考圖1G至1J，將多段邊緣環110從處理腔室100移除。如本文所述，多段邊緣環110的外徑大於基板出入口112的寬度。因此，多段邊緣環110塌陷或破碎成單獨的段或部分，其中多段邊緣環110的每個段通過基板出入口112獨立地從處理腔室100移除。圖1G至圖1J所示的實例展示了多段邊緣環110的一個段的移除。可以重複進行圖1G-1J的實例，以便隨後通過基板出入口112移除多段邊緣環110的每個段。
為了移除多段邊緣環110，參考圖1G至1J，使用升舉銷180a、180d將多段邊緣環110升高到基板出入口112上方的高度，以提供用於在多段邊緣環110下方容納載體板186（圖1H所示）的間隙。載體板186經調適為以將多段邊緣環110分隔成多段或多部分的方式接觸多段邊緣環110的段，每個段或部分可以分別經由基板出入口112移除。藉由機械手葉片、端效器等（在圖1H-1J中為了清楚而未示出）將載體板186定位在多段邊緣環110下方。
現在參考圖1I所示，一旦將載體板186定位在多段邊緣環110的一段下方，升舉銷180a、180d即垂直向下致動，以將多段邊緣環110的此段定位在載體板186上，載體板186由機械葉片支撐（為清晰起見，在圖1I中未顯示）。多段邊緣環110的此段、載體板186和機械葉片，通過機械葉片上的基板出入口112移動。可以想到，可以藉由反向操作將新的邊緣環引入處理腔室100。
圖2示出了根據本揭示內容的一種或多種實施方式的定位在移送機械手210上的載體板200的示意性俯視圖。載體板200可操作以從諸如處理腔室100之類的處理腔室移除邊緣環（諸如多段邊緣環110）的一段。可以使用載體板200來代替圖1H至圖1J所示的載體板186。移送機械手210包括機械手腕212和機械葉片214。移送機械手210的機械手腕212和機械葉片214位於載體板200的下方，以支撐多段邊緣環110的一段。機械手腕212橫向和旋轉地移動機械葉片214，以將多段邊緣環110的此段從處理系統內的一個位置取回、傳送和遞送。
載體板200包括由支撐表面222、底表面224和側壁226a-d（統稱為226）限定的主體220。支撐表面222被配置為支撐邊緣環的至少一段。底表面224在主體220的與支撐表面222相對的一側上。底表面224擱在機械葉片214上。側壁226a-d將支撐表面222與底表面224連接，並且大體上限定了載體板200的厚度。支撐表面222、底表面224以及主體220可以具有大體上多邊形的形狀，例如矩形。然而，可以思及的是，主體220可以替代地具有另一種形狀，例如圓形。
載體板200進一步包括從主體220延伸的複數個指狀物230a-c（共稱為230）。每個指狀物230提供可操作以支撐邊緣環的一段的接觸點。儘管示出了三個指狀物，但是應當理解，可以使用任何數量的適於支撐邊緣環的段的指狀物230。指狀物230a從側壁226a延伸，並且指狀物230b和230c從側壁226b延伸。
當將多段邊緣環110定位在處理腔室100內或從處理腔室100中替換時，機械手腕212將機械葉片214移動到處理腔室100的基板出入口112，多段邊緣環110通過此出入口進入定位在處理腔室100內或從處理腔室100中移除，而不需使處理腔室100排氣。一旦藉由移送機械手將用過的多段邊緣環110從處理腔室100中移除，就使用一個或多個硬體裝置從載體板200上卸下多段邊緣環110的一段，用新的邊緣環替換，裝載在載體板200上，並由機械葉片214通過基板出入口112移送回處理腔室100中。
圖3A示出了多段邊緣環110的示意性俯視圖。圖3B示出了圖3A的多段邊緣環110的另一示意性俯視圖。圖3C示出了沿圖3B的線3C-3C截取的多段邊緣環110的局部剖視圖。如圖1A至1J所示，可以使用多段邊緣環110。如圖3C所示，多段邊緣環110包括環形體310。環形體310可分隔成第一段312和第二段314。如圖3C所示，當第一段312和第二段314互鎖在一起時，形成環形體310。第一段312包括具有第一邊緣324和第二邊緣326的半圓形主體322。第二段314包括具有第一邊緣334和第二邊緣336的半圓形主體332。第一段312和第二段314在它們各自的邊緣處耦合在一起，以形成如圖3B所示的環形體310。
在一個實施方式中，如圖3C所示，第一段312和第二段314使用狹槽340a、340b（合稱為340）和鍵342a、342b（合稱為342）耦合在一起，以互鎖第一段312和第二段314。在圖3C的局部剖視圖中，第二段314包括與形成在第一段312中的狹槽340接合的鍵342。鍵342和狹槽340介接，以在處理期間將第一段312和第二段314互鎖在一起，同時還允許第一段312和第二段314彼此可分隔。例如，如圖4E所示，第一段312和第二段314藉由與載體板200接觸而在處理腔室100內彼此分隔。還可以思及其他互鎖或接合幾何形狀，其在處理期間將第一段312和第二段314保持在一起，並允許第一段312和第二段314彼此可分隔。另外，儘管將多段邊緣環110示出為兩段環，但是應當理解，多段邊緣環110包括多於兩個段。例如，在一些實施方式中，多段邊緣環110包括三個段（例如劃分為三份）或四個段（例如劃分為四份），或所期望的其他數量的段。
圖4A至4D示出了從諸如處理腔室100之類的處理腔室移除兩段式邊緣環（諸如多段式邊緣環110）的各個階段的示意性俯視圖。在一些實施方式中，如本文所討論的，多段邊緣環110的外徑大於基板出入口112的寬度。因此，多段邊緣環110被分隔成單獨的段（例如第一段312和第二段314），並且多段邊緣環110的每個段被通過基板出入口112獨立地從處理腔室100移除。圖4A至圖4H所示的實例展示了移除兩段式邊緣環。在多段邊緣環110包括多於兩個段的實施方式中，圖4A至圖4H所示的實例可以被修改，以用於隨後通過基板出入口112移除多段邊緣環110的額外的段。
如圖4A所示，為了移除多段邊緣環110，使用升舉銷180a-e將多段邊緣環110升高到基板出入口112上方的高度，以為由位於多段邊緣環110下方的機械葉片214支撐的載體板200提供間隙。載體板200經調適為以將多段邊緣環110分隔成第一段312與第二段314的方式接觸多段邊緣環110的段，每個段或部分可以分別經由基板出入口112移除。如圖4B所示，藉由機械手葉片214將載體板200定位在多段邊緣環110的下方。
參照圖4C至圖4D，根據本揭示內容的一個或多個實施方式，移送機械手210將載體板200定位在多段邊緣環110首先要從處理腔室100移除的段的下方。在實施方式中，如圖4D所示，載體板200位於多段邊緣環110的第一段312下方。在一些實施方式中，機械葉片214被升高以在三個接觸點處用指狀物230a-c接觸多段邊緣環110的第一段312。在一些實施方式中，升舉銷180a、180b向下致動，使得多段邊緣環110的第一段312在三個接觸點處接觸機械葉片。
圖4E示出了根據本揭示內容的一個或更多個實施方式的被分成第一段312和第二段314的多段邊緣環110的示意性側視圖。一旦載體板200被機械葉片214定位在多段邊緣環110的第一段312下方，則升舉銷180a、180b和可選的180e垂直向下致動，以將多段邊緣環110的第一段312定位到載體板200上。升舉銷180c、180d和可選的180e垂直向下致動，以將多段邊緣環110的第二段314定位為與靜電吸盤基座120相鄰。
圖4F示出了根據本揭示內容的一個或更多個實施方式的被分成第一段312和第二段314的多段邊緣環110的示意性側視圖。圖4G示出了根據本揭示內容的一個或更多個實施方式的被分成第一段312和第二段314的多段邊緣環110的示意性俯視圖。參照圖4F和圖4G，在由機械葉片214支撐的同時，第一段312相對於基板出入口112居中並且位於第二段314的一部分上方。
圖4H示出了從處理腔室100移除多段邊緣環110的第一段312的示意性俯視圖。然後，由機械葉片214經由基板出入口112將第一段312從處理腔室100移除。可以重複此處理以從處理腔室100移除多段邊緣環110的第二段314。可以想到，可以藉由反向操作將新的邊緣環引入處理腔室100。
圖5示出了根據本揭示內容的一種或多種實施方式的處理系統500的示意性俯視圖。處理系統500包括工廠介面501，複數個盒502可以耦合到工廠介面501，以將基板傳送到處理系統500中。處理系統500還包括第一真空端口503a、503b，其將工廠介面501耦合到相應的裝載閘腔室504a、504b（統稱為504）。第二真空端口505a、505b耦合到相應的裝載閘腔室504a、504b，並且設置在裝載閘腔室504a、504b和移送腔室506之間，以協助將基板傳送到移送腔室506中。移送腔室506包括圍繞移送腔室佈置並耦合到移送腔室的複數個處理腔室507。任何處理腔室507可以是圖1A至圖1J中描繪的處理腔室100。處理腔室507透過相應的端口508（例如狹縫閥）（例如處理腔室100的基板出入口112）耦合到傳送腔室506。
處理系統500進一步包括系統控制器509，系統控制器509可操作以控制處理系統500的各個態樣。系統控制器509促進整個處理腔室100的控制和自動化，並且可包括中央處理單元（CPU）、記憶體和支援電路（或I/O）。可以對軟體指令和資料進行編碼並存儲在記憶體中，以指示CPU。系統控制器509可以經由例如系統匯流排與處理系統500的一個或多個組件通信。系統控制器509可讀的程式（或電腦指令）確定哪些任務可在基板上執行。在一些實施方式中，程式是系統控制器509可讀的軟體，軟體可包括控制多段環的移除和替換的碼。儘管示出為單個系統控制器509，但是應當理解，多個系統控制器可以與本文描述的實施方式一起使用。
圖5示意性地示出了將邊緣環（例如多段邊緣環110）的一段移送到處理腔室507中。多段邊緣環110的段可以是例如圖3中描繪的第一段312和/或第二段314。根據本揭示內容的一種實施方式，經由位於工廠介面501中的工廠介面機械手511從多個盒502之一中移除多段邊緣環110的一段，或者，將其直接裝載到工廠介面501中。工廠介面機械手511通過第一真空端口503a、503b之一將多段邊緣環110的段傳送到相應的裝載閘腔室504a、504b中。位於移送腔室506中的移送腔室機械手512通過第二真空端口505a或505b從裝載閘腔室504a、504b之一中移除多段邊緣環110。移送腔室機械手512可以包括移送機械手210的部分，例如機械手腕212和機械葉片214。轉移腔室機械手512將多段邊緣環110的部分移動到轉移腔室506中，在這裡多段邊緣環110的段可以通過相應的端口508轉移到所需的處理腔室507中。儘管為清楚起見未在圖5示出，但是當多段邊緣環110的段定位在諸如載體板200的載體上時，發生多段邊緣環110的段的轉移。多段邊緣環110的段從處理腔室507中的移除以相反順序進行。
圖5示出了邊緣環轉移的一個實例，但是，也可以想到其他實例。例如，可以預期的是，多段邊緣環110的段可以被手動地加載到轉移室506中。多段邊緣環110的段可以由轉移腔室機械手512從傳輸腔室506加載到處理腔室507中。附加地或替代地，邊緣環可以被加載在支撐單元中。可以將額外的支撐單元定位成與工廠介面501通信，與所示的支撐單元相對。當利用兩個支撐單元或多個盒502時，可以思及的是，一個側面存儲盒（「SSP」）或盒502可以用於未處理的多段邊緣環110的段，而另一支撐單元或盒502可以用於接收處理後的多段邊緣環110的段。本文所述的益處包括無需拆卸腔室即可移除腔室硬體。因此，可以在減少停機時間的情況下進行預防性維護。
儘管圖5示出了多段邊緣環（例如多段邊緣環110）通過處理系統500的轉移，但是可以思及到，其他消耗部件（例如處理環、支撐環等）也可以是可移動的，以類似的方式轉移。
圖6示出了根據本揭示內容的一個或多個實施方式的方法600的流程圖。方法600將結合圖1A至圖1J、圖2與圖3討論，以進一步描述在處理腔室100中處理基板的處理。
方法600藉由加載半導體基板（諸如圖1A中所示的基板118）而在操作610處開始，經由進入端口（例如基板出入口112）進入設置在處理腔室100的處理區域116內的基板支撐組件114上，如圖1A所示。處理套件，例如處理套件104，位於基板支撐組件114上並圍繞基板118的外邊緣。處理套件104包括多段邊緣環110和支撐環堆疊130。合適的處理腔室可以包括感應耦合電漿蝕刻腔室等。
在操作620，在處理腔室100的處理區域116內處理設置在基板支撐組件114上的基板118。在基板118的處理期間，處理套件104的各段，包括例如多段邊緣環110、內環132和中、環134，暴露於電漿，這會使處理套件的部件劣化。
在處理基板118之後，在操作630，基板118由基板升舉銷升高，例如第二組複數個升舉銷188（圖1A所示），其由基板提升伺服馬達（未示出）控制，並由機械葉片（例如機械葉片214）經由基板出入口112從處理腔室100的處理區域116中移除。
在操作640，確定在處理腔室100的處理區域116內是否已經處理了第一數量的基板（例如，10、1000或甚至10,000個基板）。如果在操作640處確定尚未達到數量（「否」）（例如，已經處理的基板的數量少於第一數量），則處理返回操作640，以便可以在處理腔室100內處理另一個基板118。如果在操作640處確定達到數量（「是」）（例如已經處理了第一數量的基板），則在操作650處，將多段邊緣環110和支撐環堆疊130經由基板出入口112從處理腔室100的處理區域116移除而不需使處理腔室100排氣，並且轉移至諸如盒502（圖5所示）的存儲單元。在操作650處執行的處理至少包括圖8中所示的操作810-880，以及圖7所示的可選的操作710-780。
在操作660，將一組新的多段邊緣環110和/或支撐環堆疊裝載到處理腔室100的處理區域116中。可以在不使處理腔室100排氣的情況下執行全部操作610至660。
圖7示出了根據本揭示內容的一個或多個實施方式的方法700的流程圖。方法700包括根據本文描述的實例的在操作650期間執行的各種操作。將結合圖1A-1J、圖2、圖3和圖5討論圖7，以進一步描述用於從處理腔室100的處理區域116移除處理套件的支撐環堆疊並將處理套件存儲在諸如盒502的存儲單元中的處理。方法700可以存儲在控制器上並由控制器執行。
在操作710，通常在大氣壓環境中的工廠介面機械手511將空的載體環（例如載體184）定位在裝載閘腔室504內。在此操作期間，工廠介面機械手511將卸下位於載具502內複數個垂直隔開的架子（未示出）中的架子（未示出）上的空載體環，然後將空載體環存放到位於裝載閘腔室504內的支座（未顯示）上。
在操作720，轉移腔室機械手512拾取空的載體環，使得空的載體環被定位在耦合至轉移腔室機械手512的機械葉片214（圖2所示）上，然後從裝載閘腔室504中移除空的載體環。在操作710或操作720期間，或甚至在操作710和720之間，將裝載閘腔室504抽真空至一真空壓力，該真空壓力與在其中佈置有轉移腔室機械手512的轉移腔室506內的壓力相匹配。裝載閘腔室504和傳輸腔室506之間的壓力均衡使轉移腔室機械手512可以進出裝載閘腔室504，而不會引起氣體湧動，氣體湧動可從機械葉片214上移走載體環，並可能當分離狹縫閥（未示出）打開時，使污染物從裝載閘腔室504流入轉移腔室506。
在操作730，包括多段邊緣環110和支撐環堆疊130的處理套件104，被升舉銷180升高至處理腔室100的處理區域116內的凸起位置。如圖1C中所示，凸起位置是基板支撐組件114的頂表面上方的距離。
在操作740，轉移腔室機械手512將其上具有空的載體環（例如載體184）的機械葉片214經由基板出入口112插入到處理腔室100的處理區域116中。在操作740期間，轉移腔室機械手512使機械葉片214與空載體184一起在處理套件104下方移動。
在操作750，升舉銷180使多段邊緣環110和支撐環堆疊130下降，使得支撐環堆疊定位在載體184上。因此，載體184和機械葉片214完全支撐用過的支撐環堆疊130。
在操作760，轉移腔室機械手512經由基板出入口112從處理腔室100的處理區域116移除機械葉片214、載體184和支撐環堆疊130。
在操作770，轉移腔室機械手512將載體184和支撐環堆疊130放置在位於裝載閘腔室504內的支座（未示出）上。在操作770期間，使用一個或多個裝置從機械葉片214上卸下載體184和支撐環堆疊130，並且機械葉片214從裝載閘腔室504縮回。在操作770期間，或在執行操作770之後，將裝載閘腔室504排氣至大氣壓或與佈置有工廠介面機械手511的環境中的壓力相匹配的壓力。
在操作780，工廠介面機械手511將支撐環堆疊130和載體184轉移到位於盒502內的架子之一。存儲在盒502中的支撐環堆疊130的在處理第一批基板時已經被腐蝕的消耗部件，例如內環132和中環134，可以由使用者從盒502中取出。在一些情況下，將用過的支撐環堆疊130從載體184上取下，並用新的支撐環堆疊代替。
圖8示出了根據本揭示內容的一個或多個實施方式的方法700的流程圖。方法800包括根據本文描述的實例的在操作650期間執行的各種操作。將結合圖1A-1J、圖2、圖3、圖4A-4F和圖5討論圖8，以進一步描述用於從處理腔室100的處理區域116移除處理套件的邊緣環並將邊緣環存儲在諸如盒502的存儲單元中的處理。可以在方法700之後執行方法800。例如，可以根據方法700移除支撐環堆疊130，並且隨後可以根據方法800移除邊緣環。方法800可以存儲在控制器上並由控制器執行。
在操作810，通常在大氣壓環境中的工廠介面機械手511將空的載體板（例如載體板200）定位在裝載閘腔室504內。在此操作期間，工廠介面機械手511將卸下位於載具502內複數個垂直隔開的架子（未示出）中的架子（未示出）上的空載體板200，然後將空載體板200存放到位於裝載閘腔室504內的支座（未顯示）上。
在操作820，轉移腔室機械手512拾取空載體板200，使得空載體板200被定位在耦合至轉移腔室機械手512的機械葉片214（圖2所示）上，然後從裝載閘腔室504中移除空載體板200。在操作810或操作820期間，或甚至在操作810和820之間，將裝載閘腔室504抽真空至與在其中佈置有轉移腔室機械手512的轉移腔室506內的壓力相匹配的真空壓力。
在操作830，多段邊緣環110被升舉銷180升高到處理腔室100的處理區域116內的凸起位置。如圖1H中所示，凸起位置是基板支撐組件114的頂表面上方的距離。
在操作840，轉移腔室機械手512將其上具有空的載體板的機械葉片214經由基板出入口112插入到處理腔室100的處理區域116中。在操作840期間，轉移腔室機械手512使機械葉片214與空載體板200一起移動到多段邊緣環110下方。
在操作850，將多段邊緣環110分隔成單獨的段以從處理區域116移除。
在操作860，升舉銷180降低多段邊緣環110的段，使得邊緣環的段定位在載體板200上。載體板200和機械葉片214因此完全支撐多段邊緣環110的段。
在操作870，轉移腔室機械手512經由基板出入口112從處理腔室100的處理區域116移除機械葉片214和載體板200。
在操作880，轉移腔室機械手512將載體板200和多段邊緣環110的段放置在位於裝載閘腔室504內的支座（未示出）上。在操作880期間，使用一個或多個裝置從機械葉片214上卸下載體板200和多段邊緣環110的段，並且機械葉片214從裝載閘腔室504縮回。在操作880期間，或在執行操作880之後，將裝載閘腔室504排氣至大氣壓或與佈置有工廠介面機械手511的環境中的壓力相匹配的壓力。
工廠介面機械手511將多段邊緣環110的段和載體板200轉移到位於盒502內的架子之一。可以重複操作810至880以移除多段邊緣環110的額外的段。在處理第一批基板時已經被腐蝕的多段邊緣環110的消耗段，可以由使用者從盒502中取出。在一些情況下，將多段邊緣環110的使用過的段從載體板200上取下，並更換為新的多段邊緣環。
圖9A示出了根據本揭示內容的一種或多種實施方式的載體板900的示意性俯視圖。圖9B是圖9A的載體板900的示意性底部平面圖。載體板900被配置為從諸如處理腔室100之類的處理腔室移除諸如支撐環堆疊130之類的支撐環堆疊。可以使用載體板900代替圖1D至1F所示的載體184。載體板900是半圓形板916，半圓形板916具有由兩個平行邊緣914a、914b和耦合兩個平行邊緣914a，914b的兩個相對的彎曲邊緣915a、915b限定的周邊。彎曲的邊緣915a、915b有利於定位在其上的邊緣環的側向支撐，而兩個平行邊緣914a、914b允許將載體板900容納在最初未被設計為在其中容納載體板900的處理腔室中。例如，兩個平行邊緣914a、914b可有利於致動處理腔室內的升舉銷（例如升舉銷180），而不會在載體板900位於處理腔室內時干擾載體板900。
半圓形板916包括實心中央區域917和同心地圍繞實心中央區域917定位的一個或多個半圓形開口（示出了三個）918a-c（統稱為918）。半圓形開口918a-c有助於減輕載體板900的重量，從而允許將載體板900用於現有的傳送設備上，此傳送設備並非最初設計成用於處理超過半導體晶圓重量的重量。在一實例中，半圓形板916由一種或多種材料形成，包括碳纖維、石墨、碳化矽、石墨塗覆的碳化矽、氮化矽、氧化矽、氧化鋁等。也可以考慮其他材料。
半圓形板916還包括佈置在其中的第一組複數個接收器919a-c（統稱為919）。第一組複數個接收器919的尺寸和構造被配置為在其中接收升舉銷（例如升舉銷188），以促進在處理腔室內致動載體板900。第一組複數個接收器919各自位於距半圓形板916的中心相同的徑向距離處。在一個實例中，第一組複數個接收器919以大於半圓形開口918a-c的半徑的半徑定位。
每個容器919可以由金屬、碳化矽、石墨、氧化鋁、氮化矽、氧化矽、聚對苯二甲酸乙二醇酯或陶瓷材料中的一種或多種形成。也可以考慮其他材料。在一個實例中，接收器919由諸如Vespel®、Ultem®、乙縮醛、PTFE的軟聚合物材料或諸如碳化矽的陶瓷材料形成，以減少顆粒的產生。
半圓形板916還包括複數個支撐墊925a-e（合稱為925）（示出了五個），用於與諸如機械葉片的支撐結構接合。支撐結構與支撐墊的接合，減少或防止了在支撐板900的轉移期間支撐板900與支撐結構之間的相對運動。例如，支撐結構可以包括相應的容器，以容納複數個支撐墊925。
每個支撐墊925可以由金屬、碳化矽、石墨、氧化鋁、氮化矽、氧化矽、聚對苯二甲酸乙二醇酯或陶瓷材料中的一種或多種形成。也可以考慮其他材料。在一個實例中，支撐墊925由諸如Vespel®、Ultem®、乙縮醛、PTFE的軟聚合物材料或諸如碳化矽的陶瓷材料形成，以減少顆粒的產生。
半圓形板916還包括設置在其中的複數個支撐特徵930a-c（合稱為930）（示出了三個）。支撐特徵930均被配置為將支撐環堆疊130支撐並對準在載體板900上。半圓形板916進一步包括沿著彎曲邊緣915b定位的對準特徵940。儘管對準特徵940被描繪為矩形，但是可以思及其他形狀。支撐環堆疊130與對準特徵940和支撐特徵930的接合，減少或防止了在載體113的轉移期間載體113與支撐環堆疊130之間的相對運動。
支撐特徵930和對準特徵940中的每一個可以由金屬、碳化矽、石墨、氧化鋁、氮化矽、氧化矽、聚對苯二甲酸乙二醇酯或陶瓷材料中的一種或多種形成。也可以考慮其他材料。在一個實例中，支撐特徵930與對準特徵940由諸如Vespel®、Ultem®、乙縮醛、PTFE的軟聚合物材料或諸如碳化矽的陶瓷材料形成，以減少顆粒的產生。
本揭示內容的實施方式可以包括以下潛在優點中的一個或多個。本揭示內容的實例導致在處理腔室內被處理的基板的整個表面上電漿均勻性的提高，從而降低了製造處理套件的成本。由於電漿均勻性和處理良率之間存在直接的相關性，因此提高電漿均勻性會導致處理良率增加。此外，利用本揭示內容的邊緣環和支撐環是至少部分可重複使用的，因此降低了電漿處理的總成本。此外，藉由提高系統良率並減少人工預防性維護和放置環的方式，在不排氣處理腔室的情況下從處理腔室中裝入新的環組並從處理腔室中取出用過的環組，為客戶帶來很高的商業和經濟作用。
在本說明書中描述的具體實施例與所有功能性作業，可以在數位電子電路系統中實現，或者在電腦軟體、韌體或硬體中實現，包括本說明書中公開的結構構件及其結構性等同物（或者它們中的一個或更多個的結合）。在本說明書中描述的具體實施例，可被實施為一或更多個非暫態性電腦程式產品，亦即一或更多個電腦程式，其被有形地體現在機器可讀取存儲裝置上，以供資料處理設備（例如可編程處理器、電腦、或多個處理器或電腦）執行或控制資料處理設備的作業。
本說明書所說明的程序與邏輯流程，可被由一或更多個可編程處理器執行，這些可編程處理器執行一或更多個電腦程式以執行功能，藉由對輸入資料操作並產生輸出。程序與邏輯流程亦可由特別用途邏輯電路系統來執行（且設備亦可被實施為特別用途邏輯電路系統），例如FPGA（場可編程式閘陣列）或ASIC（特定應用積體電路）。
用詞「資料處理設備」涵蓋所有用於處理資料的設備、裝置與機器，例如包含可編程處理器、電腦、或多個處理器或電腦。除了硬體之外，設備可包含為所討論的電腦程式創建執行環境的碼，例如構成處理器韌體、協議堆疊、資料庫管理系統、作業系統、或以上之一或更多者的組合的碼。適合用於執行電腦程式的處理器，包含（例如）通用與特別用途微處理器、以及任何種類的數位電腦的任一個或更多個處理器。
適用於存儲電腦程式指令與資料的電腦可讀取媒體，包含所有形式的非暫態性記憶體、媒體與記憶體裝置，例如包括半導體記憶體裝置，例如EPROM、EEPROM和快閃記憶體裝置；磁碟，例如內部硬碟或可移除式碟片；磁光碟；和CDROM和DVD-ROM碟片。處理器與記憶體可由特別用途邏輯電路系統補充（或被併入特別用途邏輯電路系統）。
在介紹本揭示內容或本揭示內容具體實施例的示例性態樣的要素時，冠詞「一(a)」、「一(an)」、「該(the)」、「該(said)」意為表示存在一或更多個此要素。
用詞「包含」、「包括」與「具有」意為包含性的，且表示除了所列出的要素外可存在額外的要素。
雖然前述內容係關於特定具體實施例，但可發想其他與進一步的具體實施例而不脫離前述內容的基板範圍，且前述內容的範圍係由下列申請專利範圍判定。
100:處理腔室 102:腔室體 104:處理套件 110:多段邊緣環 112:基板出入口 114:基板支撐組件 116:處理區域 118:基板 120:靜電吸盤底座 122:圓盤 130:支撐環堆疊 132:內環 134:中環 136:階梯狀表面 137:環形體 138:向內部分 139:階梯狀上表面 140:向外部分 142:下表面 144:下部 146:側壁 147:垂直邊緣 148:平面上表面 149:向外側壁 150:平面下表面 151:環形體 152:向內側壁 154:向外側壁 159:環形體 160:上表面 162:平面下表面 164:向內部分 166:向外部分 168:向內側壁 170:向外側壁 180:升舉銷 180a-e:升舉銷 184:載體 186:載體板 188:升舉銷 188a:升舉銷 188b:升舉銷 200:載體板 210:移送機械手 212:機械手腕 214:機械葉片 220:主體 222:支撐表面 224:底表面 226:側壁 226a-d:側壁 230:指狀物 230a-c:指狀物 310:環形體 312:第一段 314:第二段 322:半圓形主體 324:第一邊緣 326:第二邊緣 332:半圓形主體 334:第一邊緣 336:第二邊緣 340:狹槽 340a-b:狹槽 342:鍵 342a-b:鍵 500:處理系統 501:工廠介面 502:盒 503:第一真空端口 503a-b:第一真空端口 504:裝載閘腔室 504a-b:裝載閘腔室 505:第二真空端口 505a-b:第二真空端口 506:移送腔室 507:處理腔室 508:端口 509:系統控制器 511:工廠介面機械手 512:移送腔室機械手 600:方法 610-660:操作 700:方法 710-780:操作 800:方法 810-880:操作 900:載體板 914a-b:平行邊緣 915a-b:彎曲邊緣 916:半圓形板 917:實心中央區域 918:半圓形開口 918a-c:半圓形開口 919:接收器 919a-c:接收器 925:支撐墊 925a-e:支撐墊 930:支撐特徵 930a-c:支撐特徵 940:對準特徵
可參考多個具體實施例以更特定地說明以上簡要總結的本揭示內容，以更詳細瞭解本揭示內容的上述特徵，附加圖式圖示說明了其中一些具體實施例。然而應注意到，附加圖式僅圖示說明本揭示內容的典型具體實施例，且因此不應被視為限制本揭示內容的範圍，因為揭示內容可允許其他等效的具體實施例。
圖1A至圖1J示出了根據本揭示內容的一種或多種實施方式的在從腔室移除環期間的處理腔室的局部示意圖。
圖2示出了根據本揭示內容的一種或多種實施方式的定位在機械葉片上的載體的示意性俯視圖。
圖3A示出了根據本文所述的一種或多種實施方式的邊緣環的示意性俯視圖。
圖3B示出了根據本文描述的一種或多種實施方式的圖3A的邊緣環的示意性俯視圖。
圖3C示出了根據本文描述的一種或多種實施方式的圖3A的邊緣環的部分截面圖。
圖4A至圖4H示出了根據本揭示內容的一種或多種實施方式的從處理腔室移除兩段式邊緣環的各個階段的示意圖。
圖5示出了根據本揭示內容的一種或多種實施方式的處理系統的示意性俯視圖。
圖6示出了根據本揭示內容的一個或多個實施方式的方法的流程圖。
圖7示出了根據本揭示內容的一個或多個實施方式的方法的流程圖。
圖8示出了根據本揭示內容的一個或多個實施方式的方法的流程圖。
圖9A示出了根據本揭示內容的一種或多種實施方式的載體的示意性俯視圖。
圖9B示出了根據本揭示內容的一種或多種實施方式的圖9A的載體的示意性仰視圖。
為了協助瞭解，已儘可能使用相同的元件符號標定圖式中共有的相同元件。已思及到，一個具體實施例的元件與特徵，可無需進一步的敘述即可以有益方式併入其他具體實施例中。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100:處理腔室
112:基板出入口
180a-e:升舉銷
200:載體板
210:移送機械手
212:機械手腕
214:機械葉片
230a-c:指狀物
312:第一段
314:第二段

Claims (20)

  1. 一種用於一處理腔室的一處理套件，包括： 一多段邊緣環，包括： 一第一段； 一第二段；以及 一第一環形體，包括： 一第一上表面、一第一下表面、一第一內表面和一第一外表面，該第一下表面與該第一上表面相對，其中 該第一段和該第二段可連接以形成該第一環形體， 該第一下表面可操作以定位在佈置在一處理腔室內的一基板支座上方，以及 位於該第一上表面和該第一下表面之間的該第一內表面的至少一部分的一直徑大於要在該處理腔室中處理的一基板的一直徑。
  2. 如請求項1所述之處理套件，其中位於該第一上表面和該第一下表面之間的該第一外表面的至少一部分的一直徑大於該處理腔室的一基板出入口的一寬度，該多段邊緣環要定位在該處理腔室中。
  3. 如請求項1所述之處理套件，其中該第一上表面是具有一徑向內側部分和一徑向外側部分的一階梯狀表面，該徑向外側部分凸起高於該徑向內側部分。
  4. 如請求項1所述之處理套件，該處理套件進一步包括： 一內環，該內環包括一第二環形體，該第二環形體具有一第二上表面、一第二下表面、一第二內表面和一第二外表面，其中該第二下表面位於該多段邊緣環的該第一上表面的至少一部分上。
  5. 如請求項4所述之處理套件，該處理套件進一步包括： 一中環，該中環包括一第三環形體，該第三環形體具有一平面上表面、一平面下表面、一徑向內側壁和一徑向外側壁，該平面下表面平行於該平面上表面，其中該平面下表面的至少一部分位於該內環的該第二上表面的至少一部分上方。
  6. 如請求項1所述之處理套件，其中該第一環形體包括選自矽和碳化矽的一材料。
  7. 一種移除一多段邊緣環的方法，包括： 將該多段邊緣環從其中該多段邊緣環鄰近於一基板支座的位置升高，該基板支座設置在保持在一真空壓力的一處理腔室內； 將一機械葉片插入該處理腔室，該機械葉片上設置有一載體板，其中該機械葉片耦合至一轉移機械手； 將該多段邊緣環分成多個段，該等段至少包括一第一段和一第二段； 將該多段邊緣環的該第一段轉移到該載體板上；和 在該處理腔室保持在該真空壓力的同時，藉由使用該轉移機械手從該處理腔室中移除該多段邊緣環的該第一段和該載體板。
  8. 如請求項7所述之方法，該方法進一步包含以下步驟： 從該載體板上取下該多段邊緣環的該第一段； 將其上具有該載體板的該機械葉片插入該處理腔室中； 將該多段邊緣環的該第二段轉移到該載體板上；和 藉由使用該轉移機械手從該處理腔室中移除該多段邊緣環的該第二段和該載體板，其中該第一段與該第二段可連接以形成該多段邊緣環的一環形體。
  9. 如請求項7所述之方法，其中該多段邊緣環的一外徑大於使該多段邊緣環穿過的該處理腔室的一基板出入口。
  10. 如請求項7所述之方法，其中將該多段邊緣環分隔成各段之步驟包括以下步驟：使該多段邊緣環與該載體板接觸，以分隔該多段邊緣環。
  11. 如請求項7所述之方法，該方法進一步包括以下步驟：從該機械葉片卸下該多段邊緣環和該載體板，其中該卸下之步驟發生在一裝載閘腔室中。
  12. 如請求項11所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：將該多段邊緣環和該載體板放置在位於該裝載閘腔室和該處理腔室外部的存儲器內。
  13. 如請求項11所述之方法，其中該載體板包括： 一多邊形體； 一支撐表面； 與該支撐表面相對的一底表面； 從該支撐表面延伸到該底表面的側壁，其中該支撐表面、該底表面和該等側壁限定該多邊形體；和 從該多邊形體延伸的複數個指狀物，其中每個指狀物提供可操作以支撐該多段邊緣環的一段的一接觸點。
  14. 一種移除一處理套件的方法，包括以下步驟： 將一多段邊緣環和一支撐環堆疊從其中該支撐環堆疊位於一處理腔室內的一基板支座的一表面上方的一位置升高，其中該支撐環堆疊的一底表面位於該多段邊緣環的一頂表面的至少一部分上方； 將一機械葉片插入該處理腔室，該機械葉片上設置有一承載環，其中該機械葉片耦合至一轉移機械手； 將該支撐環堆疊轉移到該承載環上； 使用該轉移機械手從該處理腔室中移除該支撐環堆疊、該承載環和該機械葉片； 將其上具有一載體板的該機械葉片插入該處理腔室中； 將該多段邊緣環分成多個段，該等段至少包括一第一段和一第二段； 將該多段邊緣環的該第一段轉移到該載體板上；和 藉由使用該轉移機械手從該處理腔室中移除該多段邊緣環的該第一段和該載體板。
  15. 如請求項14所述之方法，該方法進一步包含以下步驟： 從該載體板上取下該多段邊緣環的該第一段； 將其上具有該載體板的該機械葉片插入該處理腔室中； 將該多段邊緣環的該第二段轉移到該載體板上；和 藉由使用該轉移機械手從該處理腔室中移除該多段邊緣環的該第二段和該載體板。
  16. 如請求項15所述之方法，其中該第一段與該第二段可連接以形成該多段邊緣環的一環形體。
  17. 如請求項16所述之方法，其中該支撐環堆疊包括一第一環和設置在該第一環上方的一第二環。
  18. 如請求項14所述之方法，其中該多段邊緣環的一外徑大於該處理腔室的一基板出入口，該多段邊緣環被定位在該處理腔室中。
  19. 如請求項18所述之方法，其中將該多段邊緣環分隔成各段之步驟包括以下步驟：使該多段邊緣環與該載體板接觸，以分隔該多段邊緣環。
  20. 如請求項19所述之方法，其中該載體板包括： 一多邊形體； 一支撐表面； 與該支撐表面相對的一底表面； 從該支撐表面延伸到該底表面的側壁，其中該支撐表面、該底表面和該等側壁限定該多邊形體；和 從該多邊形體延伸的複數個指狀物，其中每個指狀物提供可操作以支撐該多段邊緣環的一段的一接觸點。
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