TW202104627A - 噴嘴單元、坩堝、蒸發源以及蒸鍍裝置 - Google Patents

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菅原由季
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日商佳能特機股份有限公司
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Abstract

[課題]提供能夠抑制液體狀或固體狀的蒸鍍材料到達基板的蒸鍍面之噴嘴單元、坩堝、蒸發源以及蒸鍍裝置。 [解決手段]具備：噴嘴構件(210)，係具有噴嘴部(212)；以及中板構件(220)，係設於比噴嘴構件(210)更靠坩堝的容器本體的內部側；中板構件(220)，係具有蒸鍍材料通過的複數個貫穿孔(223c)，並且，從作為藉由蒸鍍材料所蒸鍍的蒸鍍面上的任意位置的第1點，至作為複數個貫穿孔(223c)內的任意位置的第2點之全部線段，係被構成噴嘴單元(200)的複數個構件當中至少任一個構件所遮擋。

Description

噴嘴單元、坩堝、蒸發源以及蒸鍍裝置
本發明，係關於用以進行真空蒸鍍的噴嘴單元、坩堝、蒸發源以及蒸鍍裝置。
於真空蒸鍍中，會產生坩堝內的蒸鍍材料因突沸而以液體狀或固體狀的狀態跳出坩堝之外之稱為飛濺的現象。如此，若液體狀或固體狀的蒸鍍材料到達作為蒸鍍對象的基板，則成膜當中的膜(金屬膜、有機膜以及密封膜等)會破損而成為不良品。因此，作為如此情事之對策，已知有於坩堝的容器本體之開口部設置中板的技術。參照圖8，針對以往例之坩堝進行說明。圖8係以往例之坩堝的概略構成圖。
以往例之坩堝500，係具備容器本體510、設於容器本體510的開口部的中板520。為了使蒸發了的蒸鍍材料通過，於中板520設有複數個貫穿孔521。依據如此構成之坩堝500，即便產生飛濺，液體狀或固體狀的蒸鍍材料亦會被中板520阻擋，故能夠抑制該蒸鍍材料到達基板。
然而，即便是前述之坩堝500，在產生飛濺之際，亦會有液體狀或固體狀的蒸鍍材料S直線地穿過貫穿孔521(參照圖中箭號X)而到達基板之情事。並且，為了極力減少如此現象，亦有減少貫穿孔521的數目或使貫穿孔521的開口面積縮小之方法。然而，以如此手法而言，內部的壓力容易變得比中板520更高，或者，一般而言中板520容易冷卻，故會有蒸鍍材料容易附著於中板520之情事。此時，會有附著於貫穿孔521附近的蒸鍍材料產生飛濺而往基板釋出之情事(參照圖中箭號Y)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2011-21223號公報
[發明所欲解決之問題]
本發明之目的，係在於提供能夠抑制液體狀或固體狀的蒸鍍材料到達基板的蒸鍍面之噴嘴單元、坩堝、蒸發源以及蒸鍍裝置。 [解決問題之技術手段]
為解決前述課題，本發明係採用以下手段。
亦即，本發明之噴嘴單元，係構成為： 一種噴嘴單元，係裝設於坩堝的容器本體的開口部；其特徵為：具備： 噴嘴構件，係具有釋出蒸鍍材料的噴嘴部；以及 中板構件，係設於比前述噴嘴構件更靠前述容器本體的內部側； 前述中板構件，係具有蒸鍍材料通過的複數個貫穿孔，並且， 從作為藉由前述蒸鍍材料所蒸鍍的蒸鍍面上的任意位置的第1點，至作為前述複數個貫穿孔內的任意位置的第2點之全部線段，係被構成噴嘴單元的複數個構件當中至少任一個構件所遮擋。
另外，本發明之其他噴嘴單元，係構成為： 一種噴嘴單元，係裝設於坩堝的容器本體的開口部；其特徵為：具備： 噴嘴構件，係具有設有釋出蒸鍍材料的釋出口的噴嘴部；以及 中板構件，係設於比前述噴嘴構件更靠前述容器本體的內部側； 前述中板構件，係具有蒸鍍材料通過的複數個貫穿孔，並且， 從作為前述釋出口的前端面上的任意位置的第3點，至作為前述複數個貫穿孔內的任意位置的第2點之全部線段，係被構成噴嘴單元的複數個構件當中至少任一個構件所遮擋。
另外，本發明之噴嘴單元，係構成為： 一種噴嘴單元，係裝設於坩堝的容器本體的開口部；其特徵為：具備： 噴嘴構件，係具有釋出蒸鍍材料的噴嘴部；以及 中板構件，係設於比前述噴嘴構件更靠前述容器本體的內部側； 前述中板構件，係具有凸出形狀部，並且， 於前述凸出形狀部的側壁，係設有蒸鍍材料通過的複數個貫穿孔。 [發明之效果]
如以上所說明般，依據本發明，能夠抑制液體狀或固體狀的蒸鍍材料到達基板的蒸鍍面。
以下，參照圖式，根據實施例例示性地詳細說明用以實施此發明的形態。然而，於此實施例記載之構成零件的尺寸、材質、形狀相對配置等，若無特別限定性記載，則並非將此發明之範圍限定於該等者。
(實施例) 參照圖1至圖7，說明本發明之實施例之噴嘴單元、坩堝、蒸發源以及蒸鍍裝置。圖1係蒸鍍裝置的概略構成圖。圖2係本發明之實施例之蒸發源的概略構成圖，並剖面性表示蒸發源的概略構成。圖3係本發明之實施例之噴嘴單元的概略構成圖，且基板與位置關係亦藉由示意圖表示。圖4係表示本發明之實施例之噴嘴構件的圖。又，該圖(a)係噴嘴構件的俯視圖，該圖(b)係圖(a)中之A-A剖面圖。圖5係表示本發明之實施例之連接構件的圖。又，該圖(a)係連接構件的俯視圖，該圖(b)係圖(a)中之B-B剖面圖。圖6係表示本發明之實施例之中板構件的圖。又，該圖(a)係中板構件的俯視圖，該圖(b)係圖(a)中之C-C剖面圖。圖7係表示本發明之變形例之噴嘴構件的圖。又，該圖(a)係噴嘴構件的俯視圖，該圖(b)係圖(a)中之AX-AX剖面圖。
＜蒸鍍裝置＞ 參照圖1，簡單說明蒸鍍裝置1。蒸鍍裝置1，係具備：腔室20，係構成為藉由真空泵浦30使內部成為接近真空的狀態(減壓環境)；以及蒸發源10，係配置於腔室20的內部。蒸發源10，係藉由將欲蒸鍍於基板40的物質的材料(蒸鍍材料)加熱而使該材料蒸發或昇華。藉由該蒸發源10蒸發或昇華的物質會附著於設置在腔室20的內部之基板40的蒸鍍面(蒸發源10側的表面)，藉此於基板40形成薄膜。
＜蒸發源＞ 參照圖2，說明本實施例之蒸發源10的整體構成。蒸發源10，係具備：坩堝10X，係收容蒸鍍於基板40的物質的材料；以及加熱體10Y，係以包圍坩堝10X的方式設置，並加熱坩堝10X。又，亦有具備以包圍加熱體10Y的方式設置並隔絕熱的隔熱構造體(反射器)。加熱坩堝10X的方式可採用各種構成。例如，在採用通電加熱方式的情形，加熱體10Y係相當於通電了的金屬線。另外，在採用高頻感應加熱方式的情形，加熱體10Y係相當於加熱線圈。
並且，本實施例之坩堝10X，係具備容器本體100、裝設於容器本體100的開口部的噴嘴單元200。容器本體100，係由收容有蒸鍍材料M的有底圓筒部110及設於有底圓筒部110的上端的凸緣部111構成。該容器本體100，係由氮化硼(PBN)等之材料構成。噴嘴單元200，係由噴嘴構件210、設於比噴嘴構件210更靠容器本體100的內部側的中板構件220、設於噴嘴構件210與中板構件220之間的連接構件230構成。該等噴嘴構件210、中板構件220及連接構件230，係由Mo、Ta、W等之高熔點的金屬材料構成。
＜噴嘴單元＞ 特別是，參照圖3至圖6，更為詳細說明噴嘴單元200。噴嘴單元200，係如前述般，由噴嘴構件210、中板構件220、連接構件230構成。
噴嘴構件210，係具備圓筒部211、以從圓筒部211的下端往上方縮徑的方式延伸的噴嘴部212、設於圓筒部211的上端之凸緣部213。圓筒部211，係作為用以充分接受來自容器本體100之有底圓筒部110側的熱之受熱用的筒狀部。該圓筒部211，係沿著容器本體100的內周面(有底圓筒部110的內周面)設置。又，圓筒部211的外徑，係設定為比有底圓筒部110的內徑更小數%為佳。例如，在使圓筒部211的外徑為60mm的情形，可將有底圓筒部110的內徑設定為61mm以上62mm以下。藉此，能夠維持受熱功能，且能夠抑制圓筒部211與有底圓筒部110摩擦。並且，能夠抑制兩者因熱膨脹而密接以致產生大的應力之情事。
噴嘴部212，係用以將蒸發或昇華了的蒸鍍材料往基板40釋出。於該噴嘴部212的前端，設有釋出蒸鍍材料的釋出口212a。該噴嘴部212，係如前述般，由以從圓筒部211的下端往上方縮徑的方式延伸的推拔狀的部分構成，並發揮將蒸鍍材料往釋出口212a引導的引導壁之功能。於該噴嘴部212的外周面側，如前述般，設有作為沿著容器本體100的內周面設置的受熱用之筒狀部的圓筒部211。又，於圖示之例中，雖表示噴嘴部212僅由推拔狀的部分構成的情形，然而本發明不限於如此之形狀，例如，如圖7所示之變形例之噴嘴構件210X般，於推拔狀的部分的前端進一步設置圓筒狀的部分212X亦可。又，噴嘴構件210X，相對於前述噴嘴構件210的構成，僅在進一步設有圓筒狀的部分212X之處有所不同。於圖7中，對於與噴嘴構件210相同的構成部分，係附加相同的符號，並省略其說明。
使如以上般構成之噴嘴構件210之凸緣部213，載置於容器本體100之凸緣部111，藉此於容器本體100的開口部裝設噴嘴單元200。
中板構件220，係由圓筒部221、以連接至圓筒部221的上端的方式設置的平板部222、設於平板部222的中央的凸出形狀部223構成。於本實施例中，凸出形狀部223係於噴嘴構件210側突出。該凸出形狀部223，係由圓錐台形狀的部分構成。亦即，凸出形狀部223，係由前端側的圓板狀的頂板部223a、錐狀的側壁223b構成。並且，於側壁223b設有蒸鍍材料通過的複數個貫穿孔223c。複數個貫穿孔223c的開口面積的總和，係設定為噴嘴構件210之釋出口212a的開口面積以上。
於如以上般構成之噴嘴構件210與中板構件220之間，設有：連接構件230，係藉由分別與該等噴嘴構件210及中板構件220接合而連接噴嘴構件210與中板構件220。作為噴嘴構件210與連接構件230之接合方法，以及中板構件220與連接構件230之接合方法，能夠採用鉚合或焊接等之各種方法。並且，連接構件230，係具備圓筒部231、設於圓筒部231的前端之推拔狀部232。連接構件230之圓筒部231的內周面側，係與中板構件220之圓筒部221的外周面側接合。並且，連接構件230之推拔狀部232的外周面側，係與噴嘴構件210之噴嘴部212的內周面側接合。
在此，於連接構件230中，設於中板構件220的外周面側的圓筒部231，係與前述之噴嘴構件210之圓筒部211相同，係作為用以充分接受來自容器本體100之有底圓筒部110側的熱之受熱用的筒狀部。就該圓筒部231沿著容器本體100的內周面(有底圓筒部110的內周面)設置之點，以及圓筒部231的外徑的尺寸設定而言，係與噴嘴構件210之圓筒部211的情形相同。連接構件230之圓筒部231的上下長度係設定為相對於坩堝(容器本體100)的全長為4%以上(例如，在坩堝的全長為185mm的情形，係8mm左右)為佳。圓筒部231的上下長度，雖視填充於坩堝的蒸鍍材料M的填充量(對於坩堝的全長之填充比例)而定，然而能夠為坩堝的全長之4%以上28%以下。具體而言，從確保充分的材料填充量或噴嘴構件210的尺寸等的觀點而言，圓筒部231的上下長度係相對於坩堝的全長為4%以上8%以下為佳。藉此，受熱功能充分受到發揮，而能夠充分加熱中板構件220。
說明在將具備如以上般之構成的噴嘴單元200之蒸發源10設置於蒸鍍裝置1的狀態下，噴嘴單元200與設置於蒸鍍裝置1的基板40之位置關係。於圖3中，在將蒸發源10與基板40設置於蒸鍍裝置1的狀態下，示意性表示噴嘴單元200與基板40的位置關係。然而，為了方便，比例於圖1至圖3中並未統一。
於本實施例之蒸鍍裝置1中，係構成為使通過噴嘴單元200之中板構件220的貫穿孔223c的蒸鍍材料不致直線性地到達基板40的蒸鍍面。針對該點更為詳細地進行說明。
將藉由蒸鍍材料所蒸鍍之蒸鍍面上的任意位置作為「第1點」。又，「蒸鍍面」係相當於基板40之蒸發源10側的表面。因此，「蒸鍍面上的任意位置」係相當於圖3中的範圍P上的任意位置(點)。並且，將中板構件220之複數個貫穿孔223c內的任意位置作為「第2點」。「貫穿孔223c內的任意位置」係例如相當於圖3中的範圍Q上的任意位置(點)。如此，於本實施例之蒸鍍裝置1中，從第1點至第2點之全部線段，係被構成噴嘴單元200的複數個構件當中至少任一個構件所遮擋。例如，在著眼於圖3中之貫穿孔223cX時，「從第1點至第2點之全部線段」所能夠通過的區域，係相當於圖中之區域R。自該圖中，可知從第1點至第2點之全部線段，係被噴嘴構件210、中板構件220及連接構件230當中至少任一個構件所遮擋。
藉由以上之構成，在幾何學上，通過中板構件220的貫穿孔223c的蒸鍍材料不致直線性地到達基板40。
＜本實施例之噴嘴單元、坩堝、蒸發源以及蒸鍍裝置之優點＞ 依據本實施例之噴嘴單元200，以及具備其之坩堝10X、蒸發源10及蒸鍍裝置1，通過噴嘴單元200之中板構件220的貫穿孔223c的蒸鍍材料不致直線性地到達基板40的蒸鍍面。因此，於坩堝10X內，即便產生飛濺，亦能夠抑制液體狀或固體狀的蒸鍍材料到達基板40的蒸鍍面。藉此，能夠抑制成膜當中的膜發生破損之情事。
並且，於本實施例中，設於中板構件220之複數個貫穿孔223c的開口面積的總和，係設定為噴嘴構件210之釋出口212a的開口面積以上。因此，能夠妥善地使蒸發粒子往釋出口212a移動(擴散)，而能夠抑制蒸發粒子停滯於貫穿孔223c附近之情事。藉此，能夠抑制內部側的壓力比中板構件220更為上升之情事。並且，因凸出形狀部223於噴嘴構件210側突出，故更加能夠抑制內部側的壓力變得比中板構件220更高之情事。
並且，於本實施例中，噴嘴構件210之圓筒部211及連接構件230之圓筒部231，係作為用以充分接受來自有底圓筒部110側的熱之受熱用的筒狀部。藉此，能夠抑制中板構件220冷卻之情事。特別是，連接構件230之圓筒部231的上下長度係設定為相對於坩堝的全長為4%以上，藉此能夠充分抑制中板構件220的溫度降低之情事。
如此，因能夠抑制內部側的壓力變得比中板構件220更高之情事，且能夠抑制中板構件220的溫度降低之情事，故能夠有效地抑制蒸鍍材料附著於中板構件220之情事。因此，亦能夠抑制於中板構件220之貫穿孔223c的左右產生飛濺之情事。
(其他) 就蒸鍍裝置1而言，係構成為使通過噴嘴單元200之中板構件220的貫穿孔223c的蒸鍍材料不致直線性地通過釋出口212a跳出為佳。針對該點，參照圖3更為詳細地說明。
將釋出口212a的前端面上的任意位置作為「第3點」。「釋出口212a的前端面上的任意位置」，係相當於圖3中的範圍PX上的任意位置(點)。如此，於圖3所示之蒸鍍裝置1中，從第3點至第2點之全部線段，係被構成噴嘴單元200的複數個構件當中至少任一個構件所遮擋。例如，在著眼於圖3中之貫穿孔223cY時，「從第3點至第2點之全部線段」所能夠通過的區域，係相當於圖中之區域RX。自該圖中，可知從第3點至第2點之全部線段，係被中板構件220所遮擋。
藉由以上之構成，在幾何學上，通過中板構件220的貫穿孔223c的蒸鍍材料不致直線性地通過釋出口212a而跳出。依據該構成，無論基板40的配置位置的關係，通過貫穿孔223c的蒸鍍材料皆不致直線性地到達基板40的蒸鍍面。
於前述實施例中，係表示噴嘴單元200由噴嘴構件210、中板構件220、連接構件230構成之情形。如此，由3構件構成噴嘴單元200，係根據製法上的理由。然而，視各構件的材料等，若於製法上沒有問題，則不必由3構件構成噴嘴單元。例如，將具有噴嘴構件210的主要構成部及連接構件230的主要構成部之構件作為1個構件，並將該構件與中板構件220連接，藉此能夠構成噴嘴單元200。當然，由4構件以上之構件構成噴嘴單元200亦可。
於前述實施例中，係表示設於中板構件220之凸出形狀部223於噴嘴構件210側突出的情形之構成。然而，於本發明中，亦能夠包含凸出形狀部於與噴嘴構件側為相反側突出的情形之構成。此時，雖有內部側的壓力變得比中板構件更高之虞，然而藉由適當設定設於中板構件220之複數個貫穿孔223c的開口面積的總和與噴嘴構件210之釋出口212a的開口面積的關係，能夠抑制內部側的壓力變得比中板構件更高之情事。
在此，伴隨飛濺之產生而成膜當中的膜發生破損之問題，特別會在成膜材料為金屬材料之情形造成困擾。因此，本實施例之噴嘴單元、坩堝、蒸發源以及蒸鍍裝置，在蒸鍍材料為金屬材料的情形特別有用。然而，在其他材料之情形亦有效果，乃不言自明。
又，於前述實施例中，係說明在幾何學上，通過中板構件220的貫穿孔223c的蒸鍍材料不致直線性地到達基板40之情形的構成。然而，若採用於中板設置凸出形狀部，並於該凸出形狀部的側壁設置蒸鍍材料所通過的複數個貫穿孔之構成，則能夠獲得抑制因產生飛濺而生之液體狀或固體狀的蒸鍍材料到達基板40的蒸鍍面之效果。因此，即便在從前述之第1點至第2點之全部線段當中，其中一部分未被構成噴嘴單元200的構件所遮擋的情形，亦能夠獲得某種程度的效果。
1:蒸鍍裝置 10:蒸發源 10X:坩堝 10Y:加熱體 20:腔室 30:真空泵浦 40:基板 100:容器本體 110:有底圓筒部 111:凸緣部 200:噴嘴單元 210,210X:噴嘴構件 211:圓筒部 212:噴嘴部 212a:釋出口 212X:圓筒狀的部分 213:凸緣部 220:中板構件 221:圓筒部 222:平板部 223:凸出形狀部 223a:頂板部 223b:側壁 223c,223cX,223cY:貫穿孔 230:連接構件 231:圓筒部 232:推拔狀部 500:坩堝 510:容器本體 520:中板 521:貫穿孔 M:蒸鍍材料 S:蒸鍍材料
[圖1]圖1係蒸鍍裝置的概略構成圖。 [圖2]圖2係本發明之實施例之蒸發源的概略構成圖。 [圖3]圖3係本發明之實施例之噴嘴單元的概略構成圖。 [圖4]圖4係表示本發明之實施例之噴嘴構件的圖。 [圖5]圖5係表示本發明之實施例之連接構件的圖。 [圖6]圖6係表示本發明之實施例之中板構件的圖。 [圖7]圖7係表示本發明之變形例之噴嘴構件的圖。 [圖8]圖8係以往例之坩堝的概略構成圖。
40:基板
200:噴嘴單元
210:噴嘴構件
211:圓筒部
212:噴嘴部
212a:釋出口
213:凸緣部
220:中板構件
221:圓筒部
222:平板部
223:凸出形狀部
223a:頂板部
223b:側壁
223cX,223cY:貫穿孔
230:連接構件
231:圓筒部
232:推拔狀部
P,PX,Q:範圍
R,RX:區域

Claims (13)

  1. 一種噴嘴單元，係裝設於坩堝的容器本體的開口部；其特徵為：具備： 噴嘴構件，係具有釋出蒸鍍材料的噴嘴部；以及 中板構件，係設於比前述噴嘴構件更靠前述容器本體的內部側； 前述中板構件，係具有蒸鍍材料通過的複數個貫穿孔，並且， 從作為藉由前述蒸鍍材料所蒸鍍的蒸鍍面上的任意位置的第1點，至作為前述複數個貫穿孔內的任意位置的第2點之全部線段，係被構成噴嘴單元的複數個構件當中至少任一個構件所遮擋。
  2. 一種噴嘴單元，係裝設於坩堝的容器本體的開口部；其特徵為：具備： 噴嘴構件，係具有設有釋出蒸鍍材料的釋出口的噴嘴部；以及 中板構件，係設於比前述噴嘴構件更靠前述容器本體的內部側； 前述中板構件，係具有蒸鍍材料通過的複數個貫穿孔，並且， 從作為前述釋出口的前端面上的任意位置的第3點，至作為前述複數個貫穿孔內的任意位置的第2點之全部線段，係被構成噴嘴單元的複數個構件當中至少任一個構件所遮擋。
  3. 如請求項1或2所述之噴嘴單元，其中， 前述中板構件，係具有凸出形狀部，並且， 於前述凸出形狀部的側壁，設有前述複數個貫穿孔。
  4. 如請求項3所述之噴嘴單元，其中， 前述凸出形狀部，係於前述噴嘴構件側突出。
  5. 一種噴嘴單元，係裝設於坩堝的容器本體的開口部；其特徵為：具備： 噴嘴構件，係具有釋出蒸鍍材料的噴嘴部；以及 中板構件，係設於比前述噴嘴構件更靠前述容器本體的內部側； 前述中板構件，係具有凸出形狀部，並且， 於前述凸出形狀部的側壁，設有蒸鍍材料通過的複數個貫穿孔。
  6. 如請求項5所述之噴嘴單元，其中， 前述凸出形狀部，係於前述噴嘴構件側突出。
  7. 2、5或6所述之噴嘴單元，其中， 前述噴嘴構件，係具備：引導壁，係將蒸鍍材料往釋出該蒸鍍材料的釋出口引導。
  8. 2、5或6所述之噴嘴單元，其中， 前述複數個貫穿孔的開口面積的總和，係前述噴嘴構件之釋出口的開口面積以上。
  9. 2、5或6所述之噴嘴單元，其中， 於前述噴嘴構件，在前述噴嘴部的外周面側，設有沿著前述容器本體的內周面設置之受熱用的筒狀部。
  10. 2、5或6所述之噴嘴單元，其中， 於前述噴嘴構件與中板構件之間，設有：連接構件，係藉由分別與該等噴嘴構件及中板構件接合而連接該等噴嘴構件及中板構件； 於前述連接構件，在前述中板構件的外周面側，設有沿著前述容器本體的內周面設置之受熱用的筒狀部。
  11. 一種坩堝，係具備： 容器本體，以及 裝設於前述容器本體的開口部之請求項1至10中任一項所述之噴嘴單元。
  12. 一種蒸發源，係具備： 請求項11所述之坩堝，以及 加熱前述坩堝的加熱體。
  13. 一種蒸鍍裝置，係具備： 腔室，以及 具備於前述腔室內且對於設置在前述腔室內的基板的蒸鍍面進行蒸鍍之請求項12所述之蒸發源。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6237529B1 (en) * 2000-03-03 2001-05-29 Eastman Kodak Company Source for thermal physical vapor deposition of organic electroluminescent layers
JP4004777B2 (ja) 2001-11-15 2007-11-07 株式会社アルバック 蒸発源
JP2005060788A (ja) * 2003-08-15 2005-03-10 Stanley Electric Co Ltd 成膜用蒸発源
KR100646961B1 (ko) * 2005-01-06 2006-11-23 삼성에스디아이 주식회사 증착시스템의 증착원의 제어방법
JP4779363B2 (ja) 2005-01-11 2011-09-28 コニカミノルタエムジー株式会社 放射線像変換パネルの製造方法
KR100696531B1 (ko) * 2005-09-07 2007-03-19 삼성에스디아이 주식회사 가열용기와 이를 이용한 증착장치
KR100691025B1 (ko) * 2005-12-16 2007-03-09 두산디앤디 주식회사 유기박막 증착용 도가니 장치
JP2008174803A (ja) * 2007-01-19 2008-07-31 Seiko Epson Corp 蒸着用蒸気流放出装置、および蒸着装置
WO2008120589A1 (ja) * 2007-03-29 2008-10-09 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. 気相蒸着用蒸発源、放射線画像変換パネル、および放射線画像変換パネルの製造方法
KR101015336B1 (ko) * 2008-08-22 2011-02-16 삼성모바일디스플레이주식회사 내부 플레이트 및 이를 구비한 증착용 도가니 장치
JP4782219B2 (ja) 2009-07-02 2011-09-28 三菱重工業株式会社 真空蒸着装置
JP5609031B2 (ja) 2009-07-15 2014-10-22 コニカミノルタ株式会社 蒸着装置及び成膜方法
KR20180016693A (ko) * 2016-08-05 2018-02-19 삼성디스플레이 주식회사 선형 증착원 및 이를 포함하는 증착 장치

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