TW202101486A - 複合磁性體及使用該複合磁性體的電感器 - Google Patents

Abstract

本發明提供能夠實現更高磁導率和更優異的直流重疊特性這兩者的磁性體材料及電感器。本發明涉及一種包含金屬磁性體粒子的複合磁性體，金屬磁性體粒子包含中值粒徑D₅₀ 為1.3μm以上5.0μm以下的第1粒子、和中值粒徑D₅₀ 比第1粒子大的第2粒子，第1粒子和第2粒子包括由金屬磁性體材料構成的核部、和設置於核部的表面的絕緣性被膜，第2粒子的絕緣性被膜的平均厚度為40nm以上100nm以下，第1粒子的絕緣性被膜與第2粒子的絕緣性被膜相比平均厚度小。

Description

複合磁性體及使用該複合磁性體的電感器

本發明涉及複合磁性體及使用該複合磁性體的電感器。

作為電感器等線圈部件的素體材料，可使用複合磁性體。專利文獻1中記載了：一種磁性粉末混合樹脂材料，是將軟磁性粉末分散於樹脂中混合而成的磁性粉末混合樹脂材料，其特徵在於，軟磁性粉末由形成具有2個波峰的細微性分佈的多個軟磁性粒子構成，將具有2個波峰中細微性大的第1波峰的粒徑的軟磁性粒子作為第1粒子，將具有2個波峰中細微性小的第2波峰的粒徑的軟磁性粒子作為第2粒子時，第1粒子被非磁性被膜覆蓋，第2粒子不被非磁性被膜覆蓋或者被薄於覆蓋第1粒子的非磁性被膜相的非磁性被膜進行覆蓋。 [現有技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本特開2016-162764號公報。

作為電感器等線圈部件所需求的磁特性，有磁導率和直流重疊特性。然而，發明人等發現同時實現更高磁導率和更優異的直流重疊特性這兩者是很困難的。

本發明的目的在於提供一種能夠實現更高磁導率和更優異的直流重疊特性這兩者的磁性體材料及電感器。

本發明人等發現通過在含有由金屬磁性體材料構成的大粒子和小粒子的複合磁性體中，對小粒子的粒徑以及小粒子和大粒子所具有的絕緣性被膜的厚度進行控制，能夠實現更高磁導率和更優異的直流重疊特性這兩者，從而完成了本發明。

根據本發明的第1主旨，提供一種複合磁性體，其是含有金屬磁性體粒子的複合磁性體， 金屬磁性體粒子含有中值粒徑D₅₀ 為1.3μm以上5.0μm以下的第1粒子、和中值粒徑D₅₀ 比第1粒子大的第2粒子， 第1粒子和第2粒子包括由金屬磁性體材料構成的核部、和設置於核部的表面的絕緣性被膜， 第2粒子的絕緣性被膜的平均厚度為40nm以上100nm以下， 第1粒子的絕緣性被膜的平均厚度小於第2粒子的絕緣性被膜。

根據本發明的第2主旨，提供一種使用上述複合磁性體的電感器。

本發明所涉及的複合磁性體及電感器通過具有上述特徵，能夠實現更高磁導率和更優異的直流重疊特性這兩者。

以下，參照圖式對本發明的實施方式詳細進行說明。其中，以下所示的實施方式以例示為目的，本發明並不限於以下的實施方式。

［複合磁性體］ 本發明的一個實施方式所涉及的複合磁性體含有金屬磁性體粒子。金屬磁性體粒子包括中值粒徑D₅₀ 為1.3μm以上5.0μm以下的第1粒子、和中值粒徑D₅₀ 比第1粒子大的第2粒子。應予說明，本說明書中，“中值粒徑D₅₀ ”是指體積基準的中值粒徑，“第1粒子的中值粒徑D₅₀ ”和“第2粒子的中值粒徑D₅₀ ”分別是將存在於第1粒子和第2粒子表面的絕緣性被膜的厚度包括在內的值。第2粒子具有平均厚度為40nm以上100nm以下的絕緣性被膜。第1粒子具有平均厚度比第2粒子的絕緣性被膜小的絕緣性被膜。應予說明，本說明書中，絕緣性被膜的“平均厚度”廣義上是指在金屬磁性體粒子（第1粒子或第2粒子）的截面以多個點測定而得的絕緣性被膜的厚度的平均值，狹義上是指按照以下說明步驟匯出的值。利用STEM／EDX，對每1個粒子以3個視野拍攝金屬磁性體粒子（第1粒子或第2粒子）的截面，對於各個EDX圖像，在等間隔的任意4個點進行設定並測定絕緣性被膜的厚度。針對3個粒子進行上述的測定，將根據在全部的點（3視野×4點×3個＝36點）測定而得的絕緣性被膜的厚度求出的平均值定義為“平均厚度”。對於絕緣性被膜的厚度的解析方法的詳細內容如後所述。本實施方式所涉及的複合磁性體通過這樣設定金屬磁性體粒子的粒徑和被膜的厚度，能夠如下詳述地實現更高磁導率和更優異的直流重疊特性這兩者。

金屬磁性體粒子含有第1粒子（小粒子）、和中值粒徑D₅₀ 比第1粒子大的第2粒子（大粒子）。本實施方式所涉及的複合磁性體含有小粒子和大粒子，因此金屬磁性體粒子的密度和填充率提高，能夠提高磁導率。另外，第1粒子（小粒子）如後所述還具有使第2粒子（大粒子）彼此分離的作用。

第1粒子和第2粒子包括由金屬磁性體材料構成的核部、和設置於核部的表面的絕緣性被膜。通過在第1粒子和第2粒子的表面存在絕緣性被膜，能夠防止核部彼此直接接觸，其結果，能夠提高複合磁性體的絕緣性。應予說明，在本說明書中，被膜是否具有“絕緣性”可以以體積電阻率作為基準進行判定。例如，作為粉體電阻測定器，使用Mitsubishi Chemical Analytech公司製的高電阻電阻率計（Hiresta（註冊商標）-UX MCP-HT800），將具有絕緣性被膜的金屬磁性體粒子的樣品量設為10g，在荷重20kN下測定的體積電阻率為10⁶ Ωcm以上的情況下，能夠判定為被膜具有“絕緣性”。

第2粒子的絕緣性被膜的平均厚度為40nm以上100nm以下。通過如此設定存在於第2粒子表面的絕緣性被膜的厚度，能夠兼得更優異的直流重疊特性和更高磁導率。通過控制第2粒子的絕緣性被膜的厚度能夠兼得更優異的直流重疊特性和更高磁導率的理由不限於特定的理論，但推測是基於以下的機制。通過在第2粒子設置絕緣性被膜，能夠隔開構成第2粒子的核部（由金屬磁性體構成的部分）彼此的間隔。若第2粒子的絕緣性被膜的厚度為40nm以上，則核部彼此分離，由此施加外部磁場時在第2粒子間產生的磁通的集中被緩和，第2粒子的磁通密度降低。其結果，抑制第2粒子內的磁飽和，能夠提高直流重疊特性。並且，若第2粒子的絕緣性被膜的厚度為100nm以下，則能夠提高複合磁性體的磁性體的密度，因此能夠實現更高磁導率和更高電感（L值）。

第1粒子的中值粒徑D₅₀ 為1.3μm以上5.0μm以下。通過如此設定第1粒子的中值粒徑D₅₀ ，能夠兼得更優異的直流重疊特性和更高磁導率。通過控制第1粒子的中值粒徑D₅₀ 而能夠兼得更優異的直流重疊特性和更高磁導率的理由不限於特定的理論，但可推測為基於以下說明的機制。若第1粒子的中值粒徑D₅₀ 為1.3μm以上，則能夠使第2粒子彼此分離。其結果，在施加外部磁場時能夠抑制磁通在複合磁性體集中，第2粒子的磁通密度降低。第2粒子的粒徑比第1粒子大，因此其對複合磁性體的磁特性的貢獻大。因此，通過使第2粒子彼此分離，複合磁性體全體的磁飽和得到緩和，能夠進一步提高直流重疊特性。另外，若第1粒子的中值粒徑D₅₀ 為1.3μm以上，則能夠抑制磁性體對磁場的磁化的增大，因此能夠抑制施加低磁場時的磁飽和。另一方面，若第1粒子的中值粒徑D₅₀ 為5.0μm以下，則由複合磁性體形成成型體時能夠高密度地填充金屬磁性體粒子，因此金屬磁性體粒子的密度增大，其結果，磁導率提高。

第1粒子具有平均厚度比第2粒子的絕緣性被膜小的絕緣性被膜。通過在第1粒子的表面存在絕緣性被膜，能夠防止第1粒子的核部彼此直接接觸。若核部彼此直接接觸，則磁通容易在接觸部集中。通過使第1粒子的核部彼此分離，使磁通的集中得到緩和，能夠抑制第1粒子的磁飽和，其結果，能夠提高直流重疊特性。另外，若第1粒子的絕緣性被膜的平均厚度小於第2粒子的絕緣性被膜的平均厚度，則複合磁性體的磁性體密度高，能夠實現更高磁導率。

第1粒子的絕緣性被膜的平均厚度較佳為10nm以下，更佳為3nm以上10nm以下。第1粒子的絕緣性被膜的平均厚度為10nm以下、更佳為3nm以上10nm以下時，能夠進一步提高磁導率和直流重疊特性。

本實施方式所涉及的複合磁性體如上所述通過控制第1粒子和第2粒子的中值粒徑D₅₀ 和絕緣性被膜厚度，能夠實現更高磁導率和更優異的直流重疊特性這兩者。

複合磁性體的磁導率可以使用阻抗分析儀進行測定。複合磁性體的直流重疊特性的評價可以使用LCR測試儀並按照以下說明的步驟進行。首先，製成由複合磁性體構成的環狀的成型體，用銅線捲繞於該成型體。對該銅線施加直流電流（例如0～30A的直流電流）而獲得電感（L值）。由L值計算磁導率（μ值），求出從電流為零時的μ值降低到80％的μ值時的電流值（I_sat ）。根據I_sat 、成型體的尺寸和銅線的捲繞數，計算μ值成為80％的磁場（H_sat ）。該H_sat 的值是評價直流重疊特性的指標。H_sat 的值越大，直流重疊特性越優異。

第1粒子與第2粒子的體積比率可以根據所希望的磁導率和直流重疊特性進行調整。較佳第1粒子與第2粒子的體積比率在6：34與6：9之間的範圍。若第1粒子相對於第2粒子的體積比率在6／34＝0.18以上，則金屬磁性體粒子的填充率增大。另一方面，若第1粒子相對於第2粒子的體積比率為6／9＝0.67以下，則對複合磁性體的磁導率貢獻大的第2粒子的量增多。因此，通過將第1粒子相對於第2粒子的體積比率設定在上述範圍內，能夠進一步提高複合磁性體的磁導率。

第2粒子的中值粒徑D₅₀ 較佳為第1粒子的中值粒徑D₅₀ 的3.8倍以上40倍以下。若第2粒子的中值粒徑D₅₀ 為第1粒子的中值粒徑D₅₀ 的3.8倍以上，則第1粒子進入存在於第2粒子間的空隙，由此金屬磁性體粒子的填充率更高，其結果，能夠進一步提高複合磁性體的磁導率。若第2粒子的中值粒徑D₅₀ 為第1粒子的中值粒徑D₅₀ 的40倍以下，則在使用複合磁性體進行製造的電子部件中，能夠提高由複合磁性體構成的素體的絕緣性，特別是將電子部件小型化時能夠實現高絕緣性。在將電子部件小型化時，若在素體內存在的第2粒子的中值粒徑D₅₀ 過大，則有可能在內部電極與電子部件的表面之間或在內部電極與外部電極之間僅配置有1個第2粒子。此時，與在內部電極與電子部件的表面之間或在內部電極與外部電極之間配置有多個粒子的情況相比，粒子表面彼此接觸而形成的介面的數量減少。粒子表面間的介面具有發揮絕緣性的功能，因此介面的數量減少時有可能無法確保素體的絕緣性。通過使第2粒子的中值粒徑D₅₀ 為第1粒子的中值粒徑D₅₀ 的40倍以下，能夠防止在內部電極與電子部件的表面之間或在內部電極與外部電極之間僅配置1個第2粒子，能夠確保素體的絕緣性。

第2粒子的中值粒徑D₅₀ 具體而言較佳為20.0μm以上30.0μm以下。若第2粒子的中值粒徑D₅₀ 為20.0μm以上，則第1粒子進入存在於第2粒子之間的空隙，由此金屬磁性體粒子的填充率變得更高，其結果，能夠進一步提高複合磁性體的磁導率。若第2粒子的中值粒徑D₅₀ 為30.0μm以下，則能夠防止在內部電極與電子部件的表面之間或在內部電極與外部電極之間僅配置1個第2粒子，其結果，在使用複合磁性體進行製造的電子部件中，能夠提高由複合磁性體構成的素體的絕緣性，特別是將電子部件小型化時能夠實現高絕緣性。

構成第1粒子和第2粒子的核部的金屬磁性體材料的種類沒有特別限定，可以根據所希望的特性和用途、以及形成在表面的絕緣性被膜的組成和絕緣性被膜的形成方法等適當地選擇。金屬磁性體材料可以為晶體系材料、非晶形系材料、或者晶體相（包括奈米晶體相在內）和非晶形相混合存在的混合系材料（包括奈米晶體系材料在內）中的任一種。第1粒子和第2粒子可以由同種材料構成，或者也可以由不同種類的材料構成。第1粒子和第2粒子的核部除了包含金屬磁性體材料之外還可以包含微量的雜質，較佳為第1粒子和第2粒子的核部僅由金屬磁性體材料構成。

構成第1粒子和第2粒子的核部的金屬磁性體材料例如可以是FeSi系合金、FeSiCr系合金、FeSiAl系合金、FeSiBCuNb系合金、FeSiCrNbBPCu系合金、FeCo系合金、FeCoV系合金、FeNi系合金；含有Fe和選自Nb、Hf、Zr、Ta、Ti、Mo、W和V中的至少1種以及B、Si、Cd，且進一步含有Co和Ni中的至少1種和／或選自Al、Mn、Ag、Zn、Sn、As、Sb、Bi、N、O和稀土類元素中的至少1種的合金；含有Fe、B、P、Cu、且進一步含有Si和／或C的合金；含有Fe、Cu、Si、B、以及選自Nb、W、Ta、Zr、Hf和Mo中的至少1種，且進一步含有選自V、Cr、Mn、鉑系列元素、Sc、Y、Au、Zn、Sn和Re中的至少1種和／或選自C、P、Ge、Ga、Sb、In、Be和As中的至少1種的合金；以及FeSiCrBC系非晶形合金和FeSiCrNbBPCu系非晶形合金等Fe系非晶形合金等，但並不限於上述的材料。

第1粒子的核部較佳由選自由FeSi系合金、FeSiCr系合金、FeSiAl系合金、FeCo系合金和Fe系非晶形合金構成之群中的至少1種合金或Fe（羰基鐵粉等）構成。另外，第1粒子的核部可以是含有選自由FeSi系合金、FeSiCr系合金、FeSiAl系合金和FeCo系合金構成之群中的至少1種合金或Fe（羰基鐵粉等）的晶體系材料。第2粒子的核部較佳為由選自由FeSi系合金、FeSiCr系合金、FeSiAl系合金、FeCo系合金、FeNi系合金和Fe系非晶形合金構成之群中的至少1種合金構成。另外，第2粒子的核部可以是含有選自由FeSi系合金、FeSiCr系合金、FeSiAl系合金、FeCo系合金和FeNi系合金構成之群中的至少1種合金的晶體系材料。

構成第1粒子和第2粒子的絕緣性被膜的絕緣性材料的種類沒有特別限定，可以根據所希望的特性和用途、核部的組成、絕緣性被膜的形成方法、成型時的加熱溫度（樹脂的固化溫度或燒成溫度等）等適當地選擇。第1粒子的絕緣性被膜和第2粒子的絕緣性被膜可以由同種材料構成，或者可以由不同種類的材料構成。第1粒子的絕緣性被膜和第2粒子的絕緣性被膜除了含有絕緣性材料之外還可以含有微量的雜質，較佳為第1粒子的絕緣性被膜和第2粒子的絕緣性被膜僅由絕緣性材料構成。

第1粒子的絕緣性被膜較佳為具有與第2粒子的絕緣性被膜不同的組成。第1粒子的絕緣性被膜的組成與第2粒子的絕緣性被膜的組成不同的情況下，第1粒子的表面電位與第2粒子的表面電位不同，因此能夠在第1粒子和第2粒子不凝聚的情況下均勻地分散。由此，能夠在第2粒子（大粒子）彼此間均勻地配置第1粒子（小粒子），其結果，直流重疊特性進一步提高，並且磁導率進一步提高。具體而言，能夠第1粒子的絕緣性被膜和第2粒子的絕緣性被膜中的任一方含有Si（矽），另一方不含Si。此時，不含Si的絕緣性被膜例如可以含有P（磷）。這樣通過設定第1粒子和第2粒子的絕緣性被膜的組成，能夠進一步提高直流重疊特性，並且能夠進一步提高磁導率。

第1粒子的絕緣性被膜和第2粒子的絕緣性被膜中的至少一方較佳為非磁性。若絕緣性被膜為非磁性，則能夠進一步有效地緩和第2粒子間的磁通的集中，能夠進一步有效地抑制磁飽和。其結果，可進一步提高直流重疊特性。更佳第1粒子的絕緣性被膜和第2粒子的絕緣性被膜這兩方均為非磁性。第1粒子的絕緣性被膜和第2粒子的絕緣性被膜這兩方均由非磁性材料構成時，可進一步提高直流重疊特性。

作為構成第1粒子和第2粒子的絕緣性被膜的絕緣性材料，例如可舉出二氧化矽、磷酸玻璃、以及有機矽樹脂被膜、酚醛樹脂被膜、環氧樹脂被膜、聚醯胺樹脂被膜以及聚醯亞胺樹脂被膜等樹脂被膜等，構成絕緣性被膜的材料並不限於上述的物質。使用磷酸玻璃作為絕緣性被膜時，作為以磷酸玻璃為代表的磷氧化合物，可以使用磷酸鈣、磷酸鉀、磷酸銨、磷酸鈉、磷酸鎂、磷酸鋁、亞磷酸鹽、次亞磷酸鹽等磷酸鹽，其中，較佳為使用磷酸鈣。

本實施方式所涉及的複合磁性體較佳還含有樹脂。複合磁性體除了含有金屬磁性體粒子之外還含有樹脂時，通過使樹脂固化，能夠製造由複合磁性體構成的成型體。由複合磁性體構成的成型體也能夠如後所述利用燒成而製造，較佳為利用樹脂的固化而製造。樹脂的固化溫度具有比金屬磁性體粒子的燒結溫度低的趨勢，因此通過使用樹脂能夠以比較低的溫度製造成型體。因此，容易將成型時的加熱溫度設定為充分低於絕緣性被膜的熔點的溫度，容易防止因加熱導致絕緣性被膜受損傷。另外，通過使用樹脂，還具有不需要燒結所需的添加劑的優點。樹脂的種類沒有特別限定，可以根據所希望的特性和用途等適當地選擇。樹脂例如可以為環氧系樹脂、矽系樹脂、酚醛系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂以及聚苯硫醚系樹脂等，但並不限於上述的材料。樹脂的含量以複合磁性體整體的重量作為基準較佳為1.5重量％以上5.0重量％以下，更佳為2.0重量％以上5.0重量％以下。若樹脂的含量為1.5重量％以上，則能夠減少成型體內的空隙，能夠提高成型體的強度和耐候性。在利用加熱成型製造成型體時該效果特別顯著。若樹脂的含量為5.0重量％以下，則能夠抑制樹脂在成型體中的偏析，另外，可以抑制因樹脂從成型模具滲出而產生毛邊(burr)。其結果，能夠得到進一步適宜的成型體。

本實施方式所涉及的複合磁性體除了含有第1粒子、第2粒子以及根據情況添加的樹脂，還可以含有1種以上的具有與第1粒子和第2粒子不同的中值粒徑D₅₀ 的金屬磁性體粒子。然而，複合磁性體較佳為僅含有第1粒子和第2粒子作為金屬磁性體粒子。複合磁性體含有樹脂時，複合磁性體可以僅由第1粒子、第2粒子和樹脂構成。複合磁性體可以進一步含有潤滑劑等添加劑。通過添加潤滑材料，在成型時容易從模具脫模，能夠提高生產率。作為潤滑劑，例如可使用如硬脂酸鋅、硬脂酸鈣和硬脂酸鋰等的金屬皂、如蠟等的長鏈烴、以及矽油等。

［複合磁性體的製造方法］ 接下來，對本實施方式所涉及的複合磁性體的製造方法進行說明。但是，以下說明的方法僅是一個例子，本實施方式所涉及的複合磁性體的製造方法並不限於以下的方法。

首先，準備成為第1粒子和第2粒子的核部的金屬磁性體材料的粒子。核部的組成如上所述。接下來，在第1粒子的核部的表面和第2粒子的核部的表面，分別形成絕緣性被膜。絕緣性被膜的組成如上所述。絕緣性被膜的形成方法沒有特別限定，可以根據核部的組成和粒徑以及所形成的絕緣性被膜的組成和厚度等適當地選擇。 絕緣性被膜例如可以利用機械化學法或溶膠-凝膠法(sol-gel method)形成。其中，機械化學法的成本低，是在具有較大粒徑的核部的表面，形成厚度較大的絕緣性被膜時特別適宜的方法。使用機械化學法來形成絕緣性被膜時，絕緣性被膜的厚度可以通過控制絕緣性材料的添加量進行控制。溶膠-凝膠法可以應用於範圍廣的組成和尺寸的核部，能夠形成厚度較小的絕緣性被膜，另外，能夠形成熔點較高的絕緣性被膜。使用溶膠-凝膠法來形成絕緣性被膜時，絕緣性被膜的厚度例如可以通過調整溶膠-凝膠反應的時間、金屬醇鹽和溶劑的添加量等進行控制。通過這樣在核部的表面形成絕緣性被膜，能夠得到第1粒子和第2粒子。

以成為規定的體積比率的方式稱量得到的第1粒子和第2粒子，將它們進行混合得到金屬磁性體粒子。向該金屬磁性體粒子以規定的比例添加樹脂材料，進行混合而得到漿料。樹脂的組成如上所述。作為樹脂材料，例如可以使用含有作為樹脂固體成分的環氧系樹脂、作為溶劑的丙酮或乙二醇系溶劑的清漆(Varnish)。應予說明，在本實施方式所涉及的複合磁性體中，樹脂並不是必需成分。

將得到的漿料成型為片狀。成型方法沒有特別限定，可以適當地採用公知的方法。例如可以利用刮刀法，以使片厚度成為規定的厚度的方式，在PET膜等基材上應用漿料而形成片。為了容易從基材剝離片，使片進行乾燥並使溶劑蒸發。乾燥溫度和時間可以根據溶劑的種類和含量等適當地設定。干燥后，從基材剝離片。

將從基材剝離的片加工為規定的形狀後，通過層疊多片，進行加壓和加熱，能夠得到複合磁性體的成型體。作為一個例子，形成環狀的成型體的情況下，將從基材剝離的片加工成規定尺寸的環狀，將多個環狀片層疊在環狀的模具內並進行成型。利用模具進行的成型可以通過例如在80℃和7MPa的條件下對模具加壓10分鐘後，在170℃和4.3MPa的條件下加壓30分鐘而進行。如此，能夠得到環狀的複合磁性體的成型體。

應予說明，在上述的製造方法中，雖然通過對樹脂進行加熱固化而進行成型體的製造，但也能夠利用燒成進行成型體的製造。此时，不需要樹脂。利用燒成進行成型體的製造的情況下，向金屬磁性體粒子加入PVA（聚乙烯醇）等黏合劑進行混合，得到金屬磁性體材料糊料。利用刮刀法等將該金屬磁性體材料糊料成型，通過將得到的成型體在規定的溫度下進行燒成，能夠得到由複合磁性體構成的成型體。燒成溫度設定為比絕緣性被膜的熔點低且可進行金屬磁性體粒子的燒結的溫度。此外，利用燒成進行成型體的製造時，第1粒子和第2粒子的絕緣性被膜較佳為二氧化矽等高熔點的膜。

［絕緣性被膜的平均厚度的解析方法］ 第1粒子和第2粒子的絕緣性被膜的平均厚度可以按照以下說明的步驟求出。絕緣性被膜的平均厚度的測定可以使用STEM／EDX（掃描穿透式電子顯微鏡／能量色散X射線分析）進行。首先，將測定的粒子樹脂填埋進行研磨，利用FIB（聚焦離子束）加工製成STEM／EDX觀察用樣品。利用STEM／EDX，以倍率400k倍得到包含於絕緣性被膜的元素的EDX像。對每一個粒子以3個視野拍攝EDX圖像，對於各個EDX圖像，在核部的表面上30nm等間隔的4個點進行設定並測定絕緣性被膜的厚度。針對3個粒子進行上述的測定，將根據在全部的點（3視野×4點×3個＝36點）測定而得的絕緣性被膜的厚度計算出的平均值作為絕緣性被膜的平均厚度。應予說明，第1粒子和第2粒子的絕緣性被膜的厚度也可以通過在由複合磁性體構成的成型體的斷面，按照與上述的方法相同的步驟利用STEM／EDX進行解析而求出。可以認為絕緣性被膜的厚度在成型前後是幾乎相同的值。

［第1粒子與第2粒子的體積比率和中值粒徑D₅₀ 的解析方法］ 本實施方式所涉及的複合磁性體中含有的第1粒子與第2粒子的體積比率、以及第2粒子和第1粒子的中值粒徑D₅₀ 可以通過對拍攝由複合磁性體構成的成型體的截面而得的SEM（掃描型電子顯微鏡）圖像進行解析而求出。

首先，利用線鋸等切出成型體的截面，使其單片化。使用銑削裝置等將截面加工為平坦後，利用SEM獲得300倍像和1000倍像的反射電子圖像各5個視野。應予說明，取得300倍像（低倍率圖像）和1000倍像（高倍率圖像）這兩方的理由是為了精度良好地解析第1粒子（小粒子）的粒徑和第2粒子（大粒子）的粒徑。接下來，使用圖像解析軟體，進行取得的SEM圖像的二值化處理，求出粒子截面的圓當量直徑。對通過圖像解析求出的圓當量直徑頻度進行計數，得到長條圖。在300倍像與1000倍像之間，存在由倍率差導致的頻度之差。為了使1000倍像的頻度與300倍像的頻度同步，將1000倍像的頻度乘以（1000／300）的平方。並且，求出1000倍像的長條圖的不均程度比300倍像的長條圖的不均程度大的粒徑的值，對於粒徑為該粒徑以上的頻度採用300倍像的值，對於粒徑比該粒徑小的頻度採用1000倍像的值，繪出1個長條圖。

為了使長條圖的頻度成為體積基準的分佈，基於計量形態學，進行將頻度與根據粒徑區間算出的體積乘積，除以粒徑的計算（參考文獻：R.T.DeHoff，F.N.Rhines著，牧島邦夫，筱原靖忠，小森尚志譯，“計量形態學（Quantitative microscopy）”，內田老鶴花圃新公司，1972年，167～203頁）。上述的計算基於較小截面積的粒子出現的頻度高的計量形態學的研究。這裡，以頻度的總和成為1的方式，利用各區間的頻度除以頻度的總和而使其標準化。

對於這樣求得的體積基準的長條圖，通過利用2個對數正態分佈的和（第1粒子的對數正態分佈與第2粒子的對數正態分佈的和）進行擬合，計算第1粒子和第2粒子各自的中值粒徑D₅₀ 、以及第1粒子與第2粒子的體積比率（配合比率）。對數正態分佈的概率密度函數由下述的式給出。

上述式中，變數x對應於資料區間、σ對應於分散、μ對應於平均值。由於該概率密度函數是針對第1粒子和第2粒子中的每一個表示的，因此變數分別為x1、x2、σ1、σ2、μ1、μ2。應予說明，各變數的末尾的1表示第1粒子，2表示第2粒子。並且，為了將第1粒子的概率密度函數和第2粒子的概率密度函數作為1個概率密度函數表示，將規定的比例（設為p1、p2）乘以各個概率密度函數並將它們相加。將如此得到的、第1粒子和第2粒子合成而得的概率密度函數以能夠與體積基準的長條圖擬合的方式標準化。

概率密度函數的變數中，資料區間x1和x2由體積基準的長條圖的資料區間給出。因此，為了利用所合成的概率密度函數擬合體積基準的長條圖，將方差σ1和σ2、平均μ1和μ2、以及比例p1和p2作為變數，利用最小二乘法使變數最優化，以使兩者的差異最小。根據以這樣最優化的變數給出的第1粒子和第2粒子各自的概率密度函數，累計標準化的密度函數而求出成為0.5的資料區間的值，得到第1粒子和第2粒子各自的中值粒徑D₅₀ 。並且，根據最優化的p1與p2的比率，得到第1粒子與第2粒子的體積基準的配合比率（體積比率）。

上述的解析方法也可以用於從市售的電感器等製品的晶片截面求出第1粒子與第2粒子的體積比率以及第1粒子和第2粒子的中值粒徑D₅₀ 的情況。

［電感器］ 接下來，以下對本發明的一個實施方式所涉及的電感器進行說明。本實施方式所涉及的電感器是使用了本發明的複合磁性體的電感器。本實施方式所涉及的電感器能夠實現更高磁導率和更優異的直流重疊特性這兩者。以下例示電感器的構成例，但本實施方式所涉及的電感器並不限於以下的構成例。

圖1中示出了本實施方式所涉及的電感器的構成例。圖1所示的構成中，電感器1具備由複合磁性體構成的素體2、設置於素體2的表面的外部電極5、以及設置於素體2的內部的線圈導體3。

圖1所示的電感器1例如可以按照以下說明的方法進行製造。首先，將導體捲繞而形成線圈導體3。捲繞方式可以是α繞組、不均勻繞組、扁平繞組或對準繞組等中的任一種。

接下來，在線圈導體3塗布熱固化性組合物後，通過熱處理形成覆蓋體，該覆蓋體在線圈的導體3的表面形成有被膜。熱固化性組合物的塗布例如可以利用浸塗或噴塗進行，也可以將它們組合進行。通過進行浸塗或噴塗，能夠容易調整為所希望的塗布量。噴塗可以以1次噴霧進行，也可以分多次噴霧進行。並且，通過對塗布有熱硬化性組合物的線圈導體3進行熱處理，使熱固化性組合物中含有的熱固化性化合物中的至少一部分例如進行交聯反應，從而形成被膜。這裡，利用熱處理形成的被膜可以部分地含有未固化部分，也可以整體被固化。被膜的固化狀態例如可以利用示差熱分析(differential thermal analysis)、熱重量分析等熱分析進行推斷。

通過對熱固化性組合物進行塗布和熱處理而形成被膜可以根據需要進行多次。通過以所希望的次數進行被膜形成，能夠更為均勻地形成具有所希望厚度的被膜，可進一步提高耐電壓特性。

在熱固化性組合物的塗布後且熱處理前，可以進行將熱固化性組合物中含有的液體介質中的至少一部分除去的乾燥處理。乾燥處理可以與熱處理獨立地進行，也可以連續進行。乾燥處理可以在常壓下和減壓下中的任一種進行，可以施加熱。乾燥處理的溫度和時間等處理條件可以根據熱固化性組合物的組成和塗布量等適當地選擇。

熱固化性組合物的塗布量可以適當地調整以得到具有所希望的厚度的固化物。另外，熱處理的溫度和時間等處理條件可以根據熱固化性組合物的組成和塗布量等適當地選擇。例如在構成線圈導體3的導體由熱塑性樹脂覆蓋的情況下，熱處理的溫度可以為80℃以上250℃以下。

在線圈導體3塗布熱固化性組合物前，可以利用乙醇和丙酮等有機溶劑清洗線圈導體3的表面，並且可以使用耦合劑和密合性促進劑等表面處理劑、或紫外線和酶等離子體等自由基進行表面處理。由此，被膜對線圈導體3的密合性進一步提高，得到更良好的特性。

接下來，通過將得到的覆蓋體埋設於由複合磁性體構成的素體2中，進行加壓，從而得到線圈導體3配置於內部而成的素體2。將覆蓋體埋設於素體2中進行加壓時的條件可以應用在該技術領域中常用的條件。

外部電極5例如可以形成於埋設有覆蓋體後的素體2。此時，例如可以在埋設有覆蓋體後的素體2的兩端，塗布外部電極5用的導體糊料後，通過進行熱處理來設置外部電極5。另外，外部電極5也可以通過在埋設有覆蓋體後的素體2的兩端，塗布外部電極5用的導體糊料後，通過進行燒焊處理，對經燒焊的導體實施鍍覆而設置。此時，為了防止鍍液浸入素體2中可能存在的空隙，可以預先將樹脂浸入素體2中存在的空隙。如此能夠得到電感器1。

圖2中示出本實施方式所涉及的電感器的其它的構成例。圖2所示的構成中，電感器10具備由複合磁性體構成的素體20、設置於素體20的表面的外部電極50、設置於素體20的內部的線圈導體30、將外部電極50與線圈導體30電連接的引出導體40。

圖2所示的電感器10例如可以按照以下說明的方法進行製造。首先，準備第1粒子和第2粒子。在該第1粒子和第2粒子加入PVA（聚乙烯醇）等黏合劑並混煉，得到金屬磁性體材料糊料。並且，另行準備形成線圈導體30的導體糊料。通過將該金屬磁性體材料糊料與導體糊料交替印刷成層狀，得到層疊成型體。通過對該層疊成型體在大氣中以規定溫度進行脫黏合劑處理和熱處理，得到素體20。外部電極50例如可以形成於熱處理後的素體20。此時，例如可以在熱處理後的素體20的兩端，塗布外部電極50用的導體糊料後，通過進行熱處理來設置外部電極50。另外，外部電極50也可以通過在熱處理後的素體20的兩端，塗布外部電極50用的導體糊料後，通過進行燒焊處理，對經燒焊的導體實施鍍覆而設置。此時，為了防止鍍液浸入素體20中可能存在的空隙，可以預先將樹脂浸入素體20中存在的空隙。如此能夠得到電感器10。 [實施例]

（第1粒子的準備） 作為第1粒子的核部，使用羰基鐵粉。通過氣流分級，分級成中值粒徑D₅₀ 分別為1.06μm、1.36μm、1.56μm、4.56μm、5.06μm以及5.6μm的粒子。通過對經分級的羰基鐵粉分別進行溶膠-凝膠處理，在粒子的表面形成二氧化矽的絕緣性被膜。如此得到粒徑不同的第1粒子A1～A6。

（第2粒子的準備） 作為第2粒子的核部，使用中值粒徑D₅₀ 為26μm的FeSiCrBC非晶形粒子。利用機械化學法，在非晶形粒子的表面形成磷酸玻璃的絕緣性被膜。通過調節磷酸玻璃的添加量而調整絕緣性被膜的厚度，得到磷酸玻璃的絕緣性被膜的厚度不同的第2粒子B1～B8。

對於得到的第1粒子A1～A6和第2粒子B1～B8中的每一個，測定絕緣性被膜的平均厚度。絕緣性被膜的平均厚度的測定可以通過使用STEM／EDX（Hitachi High-Technologies公司製HD-2300A／EDAX公司製GENESIS XM4）進行。首先，將試樣用樹脂填埋進行研磨，利用FIB加工製成STEM／EDX觀察用樣品。利用STEM／EDX，以400k倍得到Fe（鐵）元素和P（磷）元素或Si（矽）元素的EDX像。將第1粒子A4和第2粒子B5的EDX圖像作為例子示於圖3和4。在第1粒子的絕緣性被膜的平均厚度測定中，對每1個第1粒子以3個視野拍攝EDX圖像，對於各個EDX圖像，在羰基鐵粉表面上30nm等間隔的4個點進行設定並測定由Si元素形成的絕緣性被膜的厚度。對於3個第1粒子進行上述的測定，將根據在全部的點（3視野×4點×3個＝36點）測定的絕緣性被膜的厚度計算出平均值作為第1粒子的絕緣性被膜的平均厚度。在第2粒子的絕緣性被膜的平均厚度測定中，通過與第1粒子相同的步驟在非晶形粒子表面上測定由P元素形成的絕緣性被膜的厚度，求出平均厚度。將第1粒子A1～A6和第2粒子B1～B8的絕緣性被膜的平均厚度的測定結果示於表1。

［實驗例1］ 使用第1粒子A4和絕緣性被膜的厚度不同的第2粒子B1～B8，製成以下說明的實施例1～5和比較例1～3的成型體，進行物性評價。

（配合） 以使第1粒子與第2粒子的體積比率成為30：70的方式稱量第1粒子和第2粒子，進行混合而得到金屬磁性體粒子。各實施例和比較例中使用的粒子的種類如表3所示。將含有作為樹脂固體成分的環氧系樹脂、作為溶劑的乙二醇系溶劑的清漆用作樹脂的原料。清漆中的清漆固體成分含量（樹脂固體成分／（樹脂固體成分＋溶劑））為50重量％。以漿料固體成分含量（樹脂固體成分／（金屬磁性體粒子＋樹脂固體成分＋溶劑））成為4.0重量％的方式稱量金屬磁性體粒子和清漆，進行混合而得到漿料。

（片形成） 利用刮刀法，以片厚度成為300μm的方式在PET膜上應用漿料而形成片。使片在95℃乾燥60分鐘並使溶劑蒸發後，從PET膜剝離片。

（環成型） 將從PET膜剝離的片加工成外徑13mm、內徑9mm的環狀。將多個環狀片層疊在外徑13mm、內徑9mm的模具內進行成型。利用模具進行的成型通過在80℃和7MPa的條件下對模具加壓10分鐘後，在170℃和4.3MPa的條件下加壓30分鐘進行。如此得到環狀的成型體。

（第1粒子與第2粒子的體積比率和中值粒徑D₅₀ 的匯出） 構成成型體的磁性體材料中含有的第1粒子與第2粒子的體積比率、以及第2粒子和第1粒子的中值粒徑D₅₀ 可以通過對拍攝成型體的截面而成的SEM圖像進行解析而匯出。對於解析方法的詳細內容，以下以另行製成的試樣的解析作為例子進行說明。

作為圖像解析用的試樣，以體積比率18：82配合第1粒子A2和第2粒子B5，按照與上述的實施例1～5和比較例1～3相同的步驟製成環狀的成型體。

接下來，用線鋸切出成型體的截面，進行單片化。使用研磨(milling)裝置（日立High-Technologies公司製IM4000）將截面加工成平坦後，利用SEM（日立High-Technologies公司製SU1510）獲得300倍像和1000倍像的反射電子圖像各5個視野。將300倍像和1000倍像的反射電子圖像分別示於圖5和6。應予說明，獲得300倍像（低倍率圖像）和1000倍像（高倍率圖像）這兩方的理由是為了精度良好地解析第2粒子的粒徑和第1粒子的粒徑這兩者。在僅解析300倍像的情況下，能夠大量提取第2粒子的粒徑，但難以將第1粒子的粒徑精度良好地定量。另一方面，在僅解析1000倍像的情況下，能夠精度良好地提取第1粒子的粒徑，但第2粒子的頻度少，因此難以將第2粒子的粒徑精度良好地定量。

使用圖像解析軟體（A像君（A-zou kun）（註冊商標），Asahi Kasei Engineering株式會社製），進行所獲得的SEM圖像的二值化處理，求出粒子截面的圓當量直徑。將從圖5以及圖6的反射電子圖像除去尺規的區域並將二值化而得的二值化圖像分別示於圖7和8。

接下來，為了得到細微性分佈的長條圖，將資料區間如以下的表2進行定義。對於根據圖像解析求出的圓當量直徑，以在表2所示的區間設定的範圍對頻度進行計數，得到長條圖。計得的數在300倍像中為21263個，在1000倍像中為13600個。

在300倍像與1000倍像之間，存在有由倍率差導致的頻度之差。為了使1000倍像的頻度與300倍像的頻度一致，將1000倍像的頻度乘以（1000／300）的平方。製成長條圖時，對於粒徑為20.2μm以上的頻度採用300倍像的值，對於粒徑比20.2μm小的頻度採用1000倍像的值，繪製1個長條圖。應予說明，將粒徑20.2μm作為邊界的理由是因為在該粒徑以上時1000倍像的長條圖的不均程度比300倍像的長條圖的不均程度大。

為了使長條圖的頻度成為體積基準的分佈，基於計量形態學，進行將頻度乘以從粒徑區間算出的體積，並除以粒徑的計算。這裡，以使頻度的總和成為1的方式，利用各區間的頻度除以頻度的總和並使其標準化。

對於如此求出的體積基準的長條圖，通過利用2個對數正態分佈之和（第1粒子的對數正態分佈與第2粒子的對數正態分佈之和）進行擬合，算出第1粒子和第2粒子各自的中值粒徑D₅₀ 、以及第1粒子與第2粒子的體積比率（配合比率）。對數正態分佈的概率密度函數由下述式給出。

上述式中，變數x對應於資料區間，σ對應於分散，μ對應於平均值。由於該概率密度函數是針對第1粒子和第2粒子中的每一個表示的，因此變數分別為x1、x2、σ1、σ2、μ1、μ2。應予說明，各變數的末尾的1表示第1粒子，2表示第2粒子。並且，為了將第1粒子的概率密度函數和第2粒子的概率密度函數作為1個概率密度函數表示，將規定的比例（設為p1、p2）乘以各個概率密度函數並將它們相加。將如此得到的、第1粒子和第2粒子合成的概率密度函數以能夠與體積基準的長條圖擬合的方式進行了標準化。

概率密度函數的變數中，資料區間x1和x2由體積基準的長條圖的資料區間給出。因此，為了利用所合成的概率密度函數擬合體積基準的長條圖，將方差σ1和σ2、平均μ1和μ2、以及比例p1和p2作為變數，利用最小二乘法使變數最優化，以使兩者的差異最小。將擬合結果示於圖9。根據以這樣最優化的變數給出的第1粒子和第2粒子各自的概率密度函數，累計標準化的密度函數而求出成為0.5的資料區間的值，得到第1粒子和第2粒子各自的中值粒徑D₅₀ 。並且，根據最優化的p1與p2的比率，得到第1粒子與第2粒子的體積基準的配合比率（體積比率）。

進行上述解析之後，其結果第1粒子與第2粒子的體積比率為第1粒子：第2粒子＝18：82，第1粒子的中值粒徑D₅₀ 為1.4μm，第2粒子的中值粒徑D₅₀ 為23.2μm（包括絕緣性被膜的厚度在內）。根據成型前的第1粒子和第2粒子的中值粒徑D₅₀ 以及配合時的第1粒子與第2粒子的體積比率、與利用解析得到的第1粒子和第2粒子的中值粒徑D₅₀ 以及第1粒子與第2粒子的體積比率的值的比較，可知中值粒徑D₅₀ 以及體積比率在成型前後幾乎沒有變化，得到幾乎相同的值。因此，可以認為成型體的第1粒子和第2粒子的中值粒徑D₅₀ 以及第1粒子與第2粒子的體積比率是與第1粒子和第2粒子的核部的中值粒徑D₅₀ 以及配合時的第1粒子與第2粒子的體積比率相同的值。

應予說明，上述的解析方法並不限於應用在環截面的解析，也可以應用於根據商購製品的晶片截面計算中值粒徑D₅₀ 和體積比率時。

（評價） 對於實施例1～5和比較例1～3的成型體各自進行相對磁導率測定和重疊測定。首先，測定成型的環的尺寸（內徑、外徑和厚度）後，進行相對磁導率測定和重疊測定。相對磁導率測定通過使用阻抗分析儀（Keysight公司製E4991A）進行。相對磁導率測定中採用1MHz的值。重疊測定通過使用LCR測試儀（Keysight公司製4284A）進行。重疊測定中，用銅線卷線成環。銅線使用直徑0.35mm的線，捲繞數為24。對銅線施加0～30A的直流電流而獲得電感（L值）。根據L值計算相對磁導率（μ值），得到從電流為零時的μ值降低至80％的μ值時的電流值（I_sat ）。根據I_sat 、環的尺寸和銅線的捲繞數，算出μ值成為80％的磁場（H_sat ）。將結果示於表3。應予說明，本實施例中，相對磁導率為22.0以上時判斷為能夠實現作為電感器所希望的L值，H_sat 為13.0kA／m以上時判斷為能夠實現作為電感器所希望的直流重疊特性。

根據表3所示的結果，可知有如下趨勢：由磁性體材料構成的成型體的相對磁導率隨著第2粒子的絕緣性被膜的厚度變小而增加，H_sat 隨著第2粒子的絕緣性被膜的厚度變大而增加。在第2粒子的絕緣性被膜的厚度小於40nm的比較例1和2中，雖然相對磁導率是22.0以上的高值，但H_sat 小於13.0kA／m，不滿足作為電感器所希望的直流重疊特性。另一方面，在第2粒子的絕緣性被膜的厚度大於100nm的比較例3中，雖然H_sat 是13.0kA／m以上的高值，但相對磁導率小於22.0，不滿足作為電感器所希望的L值。

與此相對，在第2粒子的絕緣性被膜的厚度為40nm以上100nm以下的實施例1～5中，能夠實現22.0以上的高相對磁導率和13.0kA／m以上的高H_sat 這兩方。因此，可以說實施例1～5的成型體實現了作為電感器所希望的L值和直流重疊特性。

［實驗例2］ 使用中值粒徑D₅₀ 不同的第1粒子A1～A6、和第2粒子B5，製成實施例6～8和比較例4～5的成型體，進行物性評價。成型體的製成按照與上述的實施例1～5和比較例1～3相同的步驟進行。各實施例和比較例中使用的粒子的種類如表4所示。對於得到的成型體，分別按照與上述的實施例1～5和比較例1～3相同的步驟進行物性評價。將結果示於表4。應予說明，表4所示的第1粒子的中值粒徑D₅₀ 是針對形成絕緣性被膜前的羰基鐵粉（核部）測定的值，但如表1所示第1粒子的絕緣性被膜的厚度是非常小的值，約為羰基鐵粉的中值粒徑D₅₀ 的1／100以下，因此認為包括絕緣性被膜的第1粒子的中值粒徑D₅₀ 是與絕緣性被膜形成前的羰基鐵粉的中值粒徑D₅₀ 幾乎相同的值。

根據表4所示的結果，可知有如下趨勢：由磁性體材料構成的成型體的相對磁導率隨著第1粒子的中值粒徑D₅₀ 變小而增加，H_sat 隨著第1粒子的中值粒徑D₅₀ 變大而增加。在第1粒子的中值粒徑D₅₀ 小於1.3μm的比較例4中，雖然相對磁導率是22.0以上的高值，但H_sat 小於13.0kA／m，不滿足作為電感器所希望的直流重疊特性。另一方面，在第1粒子的中值粒徑D₅₀ 大於5.0μm的比較例5中，雖然H_sat 為13.0kA／m以上的高值，但相對磁導率小於22.0，不滿足作為電感器所希望的L值。

與此相對，在第1粒子的中值粒徑D₅₀ 為1.3μm以上5.0μm以下的實施例3和6～8中，能夠實現22.0以上的高相對磁導率和13.0kA／m以上的高H_sat 這兩者。因此，可以說實施例1～5的成型體實現了作為電感器所希望的L值和直流重疊特性。

本發明包括以下的方式，但並不限於這些方式。 （方式1） 一種複合磁性體，是含有金屬磁性體粒子的複合磁性體， 金屬磁性體粒子含有中值粒徑D₅₀ 為1.3μm以上5.0μm以上的第1粒子、和中值粒徑D₅₀ 比第1粒子大的第2粒子， 上述第1粒子和上述第2粒子包括由金屬磁性體材料構成的核部、和設置於該核部的表面的絕緣性被膜， 第2粒子的絕緣性被膜的平均厚度為40nm以上100nm以上， 第1粒子的絕緣性被膜的平均厚度小於第2粒子的絕緣性被膜的平均厚度。 （方式2） 根據方式1所述的複合磁性體，其中，第1粒子的絕緣性被膜的平均厚度為10nm以下。 （方式3） 根據方式1或2所述的複合磁性體，其中，第1粒子與第2粒子的體積比率在6：34與6：9之間的範圍。 （方式4） 根據方式1～3中任一項所述的複合磁性體，其中，第2粒子的中值粒徑D50為第1粒子的中值粒徑D50的3.8倍以上40倍以下。 （方式5） 根據方式1～4中任一項所述的複合磁性體，其中，第2粒子的中值粒徑D₅₀ 為20.0μm以上30.0μm以下。 （方式6） 根據方式1～5中任一項所述的複合磁性體，其中，第1粒子的核部由選自由FeSi系合金、FeSiCr系合金、FeSiAl系合金、FeCo系合金和Fe系非晶形合金構成之群中的至少1種合金或Fe構成。 （方式7） 根據方式1～6中任一項所述的複合磁性體，其中，第2粒子的核部由選自由FeSi系合金、FeSiCr系合金、FeSiAl系合金、FeCo系合金、FeNi系合金和Fe系非晶形合金構成之群中的至少1種合金構成。 （方式8） 根據方式1～7中任一項所述的複合磁性體，其中，第1粒子的絕緣性被膜具有與第2粒子的絕緣性被膜不同的組成。 （方式9） 根據方式8所述的複合磁性體，其中，第1粒子的絕緣性被膜和第2粒子的絕緣性被膜中的一方含有Si，另一方不含有Si。 （方式10） 根據方式1～9中任一項所述的複合磁性體，其中，第1粒子的絕緣性被膜和第2粒子的絕緣性被膜中的至少一方為非磁性。 （方式11） 根據方式1～10中任一項所述的複合磁性體，其中，還含有樹脂。 （方式12） 一種電感器，使用方式1～11中任一項所述的複合磁性體。 [產業上的可利用性]

使用本發明所涉及的複合磁性體而製造的電子部件能夠同時實現更高磁導率和更優異的直流重疊特性這兩者，因此能夠寬度廣泛地利用於各種用途。

1、10:電感器 2、20:素體 3、30:線圈導體 40:引出導體 5、50:外部電極

[圖1]是本發明的一個實施方式所涉及的電感器的構成例。 [圖2]是本發明的一個實施方式所涉及的電感器的其它構成例。 [圖3]是第1粒子A4的STEM／EDX圖像。 [圖4]是第2粒子B5的STEM／EDX圖像。 [圖5]是由複合磁性體構成的成型體的截面的300倍的反射電子圖像。 [圖6]是由複合磁性體構成的成型體的截面的1000倍的反射電子圖像。 [圖7]是圖5所示的反射電子圖像的二值化圖像。 [圖8]是圖6所示的反射電子圖像的二值化圖像。 [圖9]是通過對圖5和6進行圖像解析而得到的細微性分佈和對數正態分佈的擬合結果。

1:電感器

2:素體

3:線圈導體

5:外部電極

Claims (12)

1. 一種複合磁性體，是含有金屬磁性體粒子的複合磁性體， 所述金屬磁性體粒子含有中值粒徑D₅₀ 為1.3μm以上5.0μm以下的第1粒子、和中值粒徑D₅₀ 比該第1粒子大的第2粒子， 所述第1粒子和所述第2粒子包括由金屬磁性體材料構成的核部、和設於該核部的表面的絕緣性被膜， 所述第2粒子的絕緣性被膜的平均厚度為40nm以上100nm以下， 所述第1粒子的絕緣性被膜的平均厚度小於所述第2粒子的絕緣性被膜的平均厚度。
2. 如請求項1所述的複合磁性體，其中，所述第1粒子的絕緣性被膜的平均厚度為10nm以下。
3. 如請求項1或2所述的複合磁性體，其中，所述第1粒子與所述第2粒子的體積比率在6：34與6：9之間的範圍。
4. 如請求項1或2所述的複合磁性體，其中，所述第2粒子的中值粒徑D₅₀ 為所述第1粒子的中值粒徑D₅₀ 的3.8倍以上40倍以下。
5. 如請求項1或2所述的複合磁性體，其中，所述第2粒子的中值粒徑D₅₀ 為20.0μm以上30.0μm以下。
6. 如請求項1或2所述的複合磁性體，其中，所述第1粒子的核部由選自由FeSi系合金、FeSiCr系合金、FeSiAl系合金、FeCo系合金和Fe系非晶形合金構成之群中的至少1種合金或Fe構成。
7. 如請求項1或2所述的複合磁性體，其中，所述第2粒子的核部由選自由FeSi系合金、FeSiCr系合金、FeSiAl系合金、FeCo系合金、FeNi系合金和Fe系非晶形合金構成之群中的至少1種合金構成。
8. 如請求項1或2所述的複合磁性體，其中，所述第1粒子的絕緣性被膜具有與所述第2粒子的絕緣性被膜不同的組成。
9. 如請求項8所述的複合磁性體，其中，所述第1粒子的絕緣性被膜和所述第2粒子的絕緣性被膜中的一方含有Si，另一方不含有Si。
10. 如請求項1或2所述的複合磁性體，其中，所述第1粒子的絕緣性被膜和所述第2粒子的絕緣性被膜中的至少一方為非磁性。
11. 如請求項1或2所述的複合磁性體，其中，還含有樹脂。
12. 一種電感器，使用請求項1～11中任一項所述的複合磁性體。

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