TW202046399A - 基板處理方法、基板處理裝置及電腦可讀取之記錄媒體 - Google Patents

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Abstract

本發明係基於區域最終使用時刻,自複數個處理區域中選擇1個處理區域。區域最終使用時刻係屬於相同處理區域之複數個處理單元之單元最終使用時刻或修正單元最終使用時刻中最早之時刻。修正單元最終使用時刻係自單元最終使用時刻減去搬送時間後之時刻。並且,自屬於所選擇之處理區域之複數個處理單元中選擇1個處理單元。其後,將基板藉由基板搬送系統,自裝載埠上之載具搬送至所選擇之處理單元。

Description

基板處理方法、基板處理裝置及電腦可讀取之記錄媒體
本申請案係基於2018年5月11日提出之日本專利申請案第2018-092485號而主張優先權,該申請案之全部內容於本文藉由引用而併入。
本發明係關於處理基板之基板處理方法及基板處理裝置,以及藉由基板處理裝置所具備之控制裝置執行之電腦程式。處理對象之基板包含例如半導體晶圓、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板、液晶顯示裝置或有機EL(electroluminescence,電致發光)顯示裝置等之FPD(Flat Panel Display,平板顯示器)用基板等。
半導體裝置或液晶顯示裝置等之製造步驟中,使用處理半導體晶圓或液晶顯示裝置用玻璃基板等基板之基板處理裝置。於專利文獻1中,揭示有用於具備複數個處理單元之基板處理裝置之排程。
專利文獻1記載之排程中,將複數個處理單元基於搬送路徑長或搬送時間,分類成複數個處理區域。製作處理基板之排程表時,自複數個處理區域中選擇1個處理區域。其後,自屬於所選擇之處理區域之複數個處理單元中選擇1個處理單元。排程表係以由所選擇之處理單元處理基板之方式製作。藉由執行該排程表,而實際搬送及處理基板。
又,專利文獻1記載之排程中,揭示有基於區域使用率之大小關係選擇處理區域,於存在區域使用率相等之複數個處理區域之情形時,基於區域最終使用時刻選擇處理區域。區域使用率係用以處理基板所需要之時間除以處理該基板之處理區域中之有效(可利用)處理單元之數的值。
於專利文獻1之段落0059中,記載有「將屬於該處理區域PZ之處理單元MPC之單元最終時刻中最晚者作為區域最終使用時刻登錄於記憶部63」。於專利文獻1之段落0099中,記載有「對區域使用率賦予第1優先順序,於區域最終使用時刻賦予第2優先順序,對區域編號(搬送距離或搬送時間)賦予第3優先順序。但,亦可使區域最終使用時刻與區域使用率之優先順序相反」。
[先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2017-183545號公報
[發明所欲解決之問題]
專利文獻1所記載之排程藉由基於區域使用率之大小關係選擇處理區域,而均等地選擇複數個處理區域,以普遍使用基板處理裝置所具備之所有處理單元之方式製作排程表。
但,根據本發明者之研究可知,以專利文獻1記載之排程,無法判斷各處理區域之基板之投入狀況,因此,儘管於其他處理區域存在空的處理單元,所有處理單元仍選擇使用中之處理區域之情形。
具體而言,可知於基板之處理時間減少之情形時,選擇如此之處理區域。例如,如圖17所示,即使第1處理區域PZ1及第2處理區域PZ1中有空的處理單元MPC,亦以屬於第3處理區域PZ3之處理單元MPC17處理第6片基板W6。該情形時,需要延緩基板W6之搬送直至處理單元MPC17空出為止,導致基板處理裝置運轉率減低。因此,專利文獻1記載之發明有改善之餘地。
因此,本發明之目的之一係提供一種可普遍使用基板處理裝置所具備之所有處理單元,且提高基板處理裝置之運轉率之基板處理方法、基板處理裝置及電腦程式。 [解決問題之技術手段]
本發明之一實施形態提供一種基板處理方法,其係藉由以基板搬送系統將上述基板自裝載埠上之載具搬送至處理基板之複數個處理單元之基板處理裝置而執行者,其包含如下步驟:所屬確認步驟,其確認上述複數個處理單元之各者係屬於基於自上述裝載埠上之上述載具對上述處理單元搬送上述基板所需要之搬送時間、或表示自上述裝載埠至上述處理單元之距離之搬送距離所分類之複數個處理區域之哪一者;單元最終使用時刻取得步驟,其對於上述複數個處理單元之各者,取得表示上述處理單元用以處理上述基板最後使用之時刻之單元最終使用時刻;修正單元最終使用時刻計算步驟,其基於上述單元最終使用時刻取得步驟中取得之複數個上述單元最終使用時刻與關於上述複數個處理單元之上述搬送時間,對於上述複數個處理單元之各者,計算表示相同之上述處理單元中自上述單元最終使用時刻減去上述搬送時間後之時刻之修正單元最終使用時刻;區域最終使用時刻特定步驟,其基於上述修正單元最終使用時刻計算步驟中所得之複數個上述修正單元最終使用時刻,對於上述複數個處理區域之各者,特定出表示屬於相同之上述處理區域之複數個上述處理單元之上述修正單元最終使用時刻中最早時刻之區域最終使用時刻;區域選擇步驟,其基於上述區域最終使用時刻特定步驟中特定出之複數個上述區域最終使用時刻,自上述複數個處理區域中,選擇上述區域最終使用時刻最早之1個上述處理區域;單元選擇步驟,其自屬於上述區域選擇步驟中選擇之上述處理區域之複數個上述處理單元中,選擇1個上述處理單元;及基板搬送步驟,其以上述搬送系統將上述基板自上述裝載埠上之上述載具搬送至上述單元選擇步驟中選擇之上述處理單元。
根據該構成,並非基於區域使用率之大小關係選擇處理區域,而基於區域最終使用時刻,自複數個處理區域中選擇1個處理區域。並且,自屬於所選擇之處理區域之複數個處理單元中選擇1個處理單元。其後,將基板藉由基板搬送系統,自裝載埠上之載具搬送至所選擇之處理單元。因此,不僅於基板之處理時間未變化之情形,於基板之處理時間減少之情形亦可均等地選擇複數個處理區域,可普遍使用基板處理裝置所具備之所有處理單元。藉此,可提高基板處理裝置之運轉率。
並且,區域最終使用時刻並非基於最早的單元使用時刻,而係基於最早的修正單元最終時刻而特定。修正單元最終使用時刻係自表示處理單元用以處理基板最後使用之時刻之單元最終使用時刻,減去自裝載埠上之載具對處理單元搬送基板所需要之搬送時間後之時刻。因此,可減少複數個處理區域間之搬送時間差,可避免僅選擇靠近裝載埠之處理區域。藉此,可進而均等地選擇複數個處理區域。
本發明之其他實施形態提供一種基板處理方法,其係藉由以基板搬送系統將上述基板自裝載埠上之載具搬送至處理基板之複數個處理單元之基板處理裝置而執行者,其包含如下步驟:所屬確認步驟,其確認上述複數個處理單元之各者屬於基於自上述裝載埠上之上述載具對上述處理單元搬送上述基板所需要之搬送時間、或表示自上述裝載埠至上述處理單元之距離之搬送距離所分類之複數個處理區域之哪一者;單元最終使用時刻取得步驟,其對於上述複數個處理單元之各者,取得表示上述處理單元用以處理上述基板最後使用之時刻之單元最終使用時刻;區域最終使用時刻特定步驟,其基於上述單元最終使用時刻取得步驟中取得之複數個上述單元最終使用時刻,對於上述複數個處理區域之各者,特定出表示屬於相同之上述處理區域之複數個上述處理單元之上述單元最終使用時刻中最早時刻之區域最終使用時刻;區域選擇步驟,其基於上述區域最終使用時刻特定步驟中特定出之複數個上述區域最終使用時刻,自上述複數個處理區域中選擇上述區域最終使用時刻最早之1個上述處理區域;單元選擇步驟,其自屬於上述區域選擇步驟中選擇之上述處理區域之複數個上述處理單元中,選擇1個上述處理單元;及基板搬送步驟,其以上述搬送系統將上述基板自上述裝載埠上之上述載具搬送至上述單元選擇步驟中選擇之上述處理單元。
根據該構成,並非基於區域使用率之大小關係選擇處理區域,而基於區域最終使用時刻,自複數個處理區域中選擇1個處理區域。並且,自屬於所選擇之處理區域之複數個處理單元中,選擇1個處理單元。其後,將基板藉由基板搬送系統,自裝載埠上之載具搬送至所選擇之處理單元。因此,不僅於基板之處理時間未變化之情形,於基板之處理時間減少之情形,亦可均等地選擇複數個處理區域,可普遍使用基板處理裝置所具備之所有處理單元。藉此,可提高基板處理裝置之運轉率。
基板處理之開始時刻可為基板搬入至處理單元內之時刻,亦可為基板開始旋轉之時刻,亦可為其以外之時刻。基板處理之結束時刻,即,單元最終使用時刻可為將基板自處理單元搬出之時刻,亦可為基板停止旋轉之時刻,亦可為其以外之時刻。將基板搬入至處理單元內之時刻及自處理單元搬出之時刻例如亦可為開閉設置於處理單元之處理腔室之開口之擋閘開始向打開位置(開口打開位置)移動之時刻。
上述2個實施形態中,以下特徵之至少一者亦可加入於上述基板處理方法中。
上述基板處理方法於上述修正單元最終使用時刻計算步驟前,進而包含搬送時間登錄步驟,其登錄相同值作為用以屬於相同之上述處理區域之複數個上述處理單元之上述搬送時間。
根據該構成,對於屬於相同處理區域之複數個處理單元,登錄相同值作為搬送時間。即使係屬於相同處理區域之複數個處理單元,搬送距離亦嚴格不同,故搬送時間亦嚴格不同。但,若所屬之處理區域相同,則搬送時間差極小,搬送時間於該等處理單元間大致相等。因此,若對於屬於相同處理區域之複數個處理單元登錄相同值作為搬送時間,則可減少該等處理區域間之搬送時間差,且簡化搬送時間之設定。
上述區域選擇步驟包含如下步驟:第1檢索步驟,其於上述複數個處理區域中,檢索上述區域最終使用時刻最早之上述處理區域;第2檢索步驟,其於上述第1檢索步驟中見到複數個上述處理區域為候補區域之情形時,於上述候補區域所含之複數個上述處理區域中,檢索上述單元最終使用時刻最早之上述處理單元之數最大之上述處理區域;及選擇步驟,其自上述第2檢索步驟中見到之至少1個上述處理區域中,選擇1個上述處理區域。
根據該構成,有區域最終使用時刻最早之複數個處理區域之情形時,自該等處理區域中,選擇單元最終使用時刻最早之處理單元數最大之處理區域。對所選擇之處理單元搬送基板前,或對所選擇之處理單元搬送基板時,於該處理單元發生異常之情形時,需要重新選擇其他處理單元。如此之情形時,若係於相同處理區域中有單元最終使用時刻最早之其他處理單元,則可選擇該處理單元作為新的處理單元。因此,可以比較簡單之變更設定基板之新的搬送路徑。
上述區域選擇步驟亦可進而包含第3檢索步驟,其於上述第2檢索步驟中見到複數個上述處理區域之情形時,於上述第2檢索步驟中見到之複數個上述處理區域中,檢索上述搬送時間或搬送距離最小之上述處理區域。該情形時,上述選擇步驟亦可為自上述第3檢索步驟中見到之至少1個上述處理區域中選擇1個上述處理區域之步驟。
上述基板處理方法於上述單元最終使用時刻取得步驟之前,亦可進而包含最終使用時刻初始化步驟,其將所有上述處理單元之上述單元最終使用時刻變更為相同值(例如0)。
上述基板處理方法進而包含基板處理步驟,其以比搬送至上述複數個處理單元之任一者之最近的基板處理時間短之處理時間,於上述基板搬送步驟後,以上述單元選擇步驟中選擇之上述處理單元處理上述基板。
根據該構成,基板之處理時間比最近之基板更減少。如此之情形時,亦基於區域最終使用時刻,自複數個處理區域中選擇1個處理區域,故與基於區域使用率之大小關係選擇處理區域之情形相比,可均等地選擇複數個處理區域。因此,即使基板之搬送路徑或處理時間不同之情形,亦可普遍使用所有處理單元,可進而提高基板處理裝置之運轉率。
本發明之進而其他實施形態提供一種基板處理裝置,其具備:裝載埠,其載置收納基板之載具;複數個處理單元,其處理自上述裝載埠上之上述載具搬送來之上述基板;基板搬送系統,其於上述裝載埠上之上述載具與上述複數個處理單元間搬送上述基板;及控制裝置,其控制上述基板搬送系統。
上述控制裝置執行如下步驟:所屬確認步驟,其確認上述複數個處理單元之各者係屬於基於自上述裝載埠上之上述載具對上述處理單元搬送上述基板所需要之搬送時間、或表示上述裝載埠至上述處理單元之距離之搬送距離所分類之複數個處理區域之哪一者;單元最終使用時刻取得步驟,其對於上述複數個處理單元之各者,取得表示上述處理單元用以處理上述基板最後使用之時刻之單元最終使用時刻;修正單元最終使用時刻計算步驟,其基於上述單元最終使用時刻取得步驟中取得之複數個上述單元最終使用時刻與關於上述複數個單元之上述搬送時間,對於上述複數個處理單元之各者,計算表示相同之上述處理單元中自上述單元最終使用時刻減去上述搬送時間後之時刻之修正單元最終使用時刻;區域最終使用時刻特定步驟,其基於上述修正單元最終使用時刻計算步驟中所得之複數個上述修正單元最終使用時刻,對於上述複數個處理區域之各者,特定出表示屬於相同之上述處理區域之複數個上述處理單元之上述修正單元最終使用時刻中最早時刻之區域最終使用時刻;區域選擇步驟,其基於上述區域最終使用時刻特定步驟中特定出之複數個上述區域最終使用時刻,自上述複數個處理區域中選擇上述區域最終使用時刻最早之1個上述處理區域;單元選擇步驟,其自屬於上述區域選擇步驟中選擇之上述處理區域之複數個上述處理單元中,選擇1個上述處理單元;及基板搬送步驟,其以上述基板搬送系統將上述基板自上述裝載埠上之上述載具搬送至上述單元選擇步驟中選擇之上述處理單元。根據該構成,可發揮與上述效果相同之效果。
本發明之進而其他實施形態提供一種基板處理裝置,其具備:裝載埠,其載置收納基板之載具;複數個處理單元,其處理自上述裝載埠上之上述載具搬送來之上述基板;基板搬送系統,其於上述裝載埠上之上述載具與上述複數個處理單元間搬送上述基板;及控制裝置,其控制上述基板搬送系統。
上述控制裝置執行如下步驟:所屬確認步驟,其確認上述複數個處理單元之各者係屬於基於自上述裝載埠上之上述載具對上述處理單元搬送上述基板所需要之搬送時間、或表示自上述裝載埠至上述處理單元之距離之搬送距離所分類之複數個處理區域之哪一者;單元最終使用時刻取得步驟,其對於上述複數個處理單元之各者,取得表示上述處理單元用以處理上述基板最後使用之時刻之單元最終使用時刻;區域最終使用時刻特定步驟,其基於上述單元最終使用時刻取得步驟中取得之複數個上述單元最終使用時刻,對於上述複數個處理單元之各者,特定出表示屬於相同之上述處理區域之複數個上述處理單元之上述單元最終使用時刻中最早時刻之區域最終使用時刻;區域選擇步驟,其基於上述區域最終使用時刻特定步驟中特定出之複數個上述區域最終使用時刻,自上述複數個處理區域中,選擇上述區域最終使用時刻最早之1個上述處理區域;單元選擇步驟,其自屬於上述區域選擇步驟中選擇之上述處理區域之複數個上述處理單元中,選擇1個上述處理單元;及基板搬送步驟,其以上述基板搬送系統將上述基板自上述裝載埠上之上述載具搬送至上述單元選擇步驟中選擇之上述處理單元。根據該構成,可發揮與上述效果相同之效果。
上述2個實施形態中,以下特徵之至少一者亦可加入於上述基板處理裝置中。
上述控制裝置於上述修正單元最終使用時刻計算步驟前,進而執行搬送時間登錄步驟,其登錄相同值作為用以屬於相同之上述處理區域之複數個上述處理單元之上述搬送時間。根據該構成,可發揮與上述效果相同之效果。
上述區域選擇步驟包含如下步驟:第1檢索步驟,其於上述複數個處理區域中檢索上述區域最終使用時刻最早之上述處理區域;第2檢索步驟,其於上述第1檢索步驟中見到複數個上述處理區域為候補區域之情形時,於上述候補區域所含之複數個上述處理區域中,檢索上述單元最終使用時刻最早之上述處理單元之數最大之上述處理區域;及選擇步驟,其自上述第2檢索步驟中見到之至少1個上述處理區域中,選擇1個上述處理區域。根據該構成,可發揮與上述效果相同之效果。
上述控制裝置進而執行基板處理步驟,其以比搬送至上述複數個處理單元之任一者之最近的基板處理時間短之處理時間,於上述基板搬送步驟後,以上述單元選擇步驟中選擇之上述處理單元處理上述基板。根據該構成,可發揮與上述效果相同之效果。
本發明之進而其他實施形態提供一種電腦程式,其係藉由以基板搬送系統將上述基板自裝載埠上之載具搬送至處理基板之複數個處理單元之基板處理裝置所具備之控制裝置而執行者,且係以使作為上述控制裝置之電腦執行上述基板處理方法之至少一者之方式組入步驟群之電腦程式。上述電腦程式亦可記錄於電腦可讀取之記錄媒體。記錄媒體可為如雷射碟片等之光碟,亦可為記憶卡等半導體記憶體。
本發明之上述或進而其他目的、特徵及效果係參照隨附圖式,由以下敘述之實施形態之說明而明確。
圖1係本發明之一實施形態之基板處理裝置1之模式性俯視圖。圖2係顯示沿圖1所示之切斷線Ⅱ-Ⅱ線之鉛垂剖面之基板處理裝置1之模式性剖視圖。
基板處理裝置1係逐片處理半導體晶圓等圓板狀基板W之單片式裝置。基板處理裝置1包含載具保持部2、分度器部3及處理部4。
載具保持部2包含分別保持可收納複數片基板W之基板收納容器即載具C之複數個裝載埠LP。裝載埠LP係保持載具C之載具保持單元。裝載埠LP係將載具C投入於基板處理裝置1之位置。載具C藉由裝載埠LP開閉。
分度器部3包含分度器機器人IR。分度器機器人IR執行:將未處理之基板W自載置於載具保持部2上之載具C取出,交付給處理部4之搬入動作;及自處理部4接收已處理之基板W,收納於保持於載具保持部2之載具C之收納動作。
處理部4包含:複數個處理單元MPC1~MPC24(以下總稱時稱為「處理單元MPC」)、第1主搬送機器人CR1、第2主搬送機器人CR2、第1交接單元PASS1、第2交接單元PASS2。分度器機器人IR、第1主搬送機器人CR1及第2主搬送機器人CR2構成於載具保持部2與保持單元MPC間搬送基板W之基板搬送系統TS1。
於處理部4內,於俯視時,形成自分度器部3直線狀延伸之搬送路徑5。於該搬送路徑5內,自分度器部3側起依序配置有第1交接單元PASS1、第1主搬送機器人CR1、第2交接單元PASS2及第2主搬送機器人CR2。第1交接單元PASS1係中介分度器機器人IR與第1主搬送機器人CR1間之基板W交接之單元。第2交接單元PASS2係中介第1主搬送機器人CR1與第2主搬送機器人CR2間之基板W交接之單元。第1及第2交接單元PASS1、PASS2具備暫時保持基板W之複數個基板載置台15。
複數個處理單元MPC形成複數個塔TW1~TW6(以下總稱時稱為「塔TW」。)。各塔TW包含於上下積層之複數個處理單元MPC(例如4個處理單元MPC)。複數個塔TW係沿搬送路徑5排列。3個塔TW1、TW3、TW5係配置於搬送路徑5之一側。其餘3個塔TW2、TW4、TW6係配置於搬送路徑5之另一側。
複數個處理單元MPC形成隔著搬送路徑5對向之3對塔TW。具體而言,塔TW1及塔TW2係隔著搬送路徑5對向。同樣地,塔TW3及塔TW4係隔著搬送路徑5對向,塔TW5及塔TW6係隔著搬送路徑5對向。
分度器部3至塔TW1之距離與分度器部3至塔TW2之距離相等或大致相等。因此,自分度器部3對塔TW1搬送基板W所需要之搬送時間,與自分度器部3對塔TW2搬送基板W所需要之搬送時間相等或大致相等。即,各對塔(TW1與TW2、TW3與TW4、TW5與TW6)係配置於與分度器部3之距離相等或大致相等之位置,自分度器部3對各對塔TW搬送基板W所需要之搬送時間相等或大致相等。
3對塔(TW1與TW2、TW3與TW4、TW5與TW6)分別形成3個處理區域PZ1、PZ2、PZ3(以下總稱時稱為「處理區域PZ」)。即,於最靠近分度器部3之位置隔著搬送路徑5對向之一對塔TW1、TW2形成第1處理區域PZ1。接著,於靠近分度器部3之位置隔著搬送路徑5對向之一對塔TW3、TW4形成第2處理區域PZ2。接著,於靠近分度器部3之位置隔著搬送路徑5對向之一對塔TW5、TW6形成第3處理區域PZ3。
於第1處理區域PZ1與分度器部3間,配置有第1交接單元PASS1。對第1交接單元PASS1,於分度器3之相反側,配置有第1主搬送機器人CR1。第1主搬送機器人CR1於俯視時配置於一對塔TW1、TW2之間。對第1主搬送機器人CR1,於第1交接單元PASS1之相反側配置有第2交接單元PASS2。第1主搬送機器人CR1係以與第1交接單元PASS1、第1處理區域PZ1之塔TW1、TW2及第2交接單元PASS2對向之方式配置。
對第2交接單元PASS2,於第1主搬送機器人CR1之相反側配置有第2主搬送機器人CR2。第2主搬送機器人CR2於俯視時配置於一對塔TW3、TW4之間,於俯視時配置於一對塔TW5、TW6之間。第2主搬送機器人CR2係以與第2交接單元PASS2及塔TW3~TW6對向之方式配置。
分度器機器人IR於該實施形態中係水平多關節臂型機器人。分度器機器人IR包含:保持基板W之手11、與手11耦合之多關節臂12、使多關節臂12繞鉛垂之旋轉軸線13旋轉之臂旋轉機構(未圖示)、及使多關節臂12上下移動之臂昇降機構(未圖示)。藉由如此之構成,分度器機器人IR使手11對保持於任意裝載埠LP之載具C及第1交接單元PASS1存取,對該存取端搬入/搬出基板W。藉此,分度器機器人IR於處理部4(更正確而言,係第1交接單元PASS1)與任意載具C之間搬送基板W。
對於第1主搬送機器人CR1及第2主搬送機器人CR2,可使用具有大致相同構成之基板搬送機器人。如此之基板搬送機器人較佳包含:一對手21、22,其保持基板W;一對手進退機構23、24,其使一對手21、22分別於水平方向進退;手旋轉機構(未圖示),其使一對手進退機構23、24繞鉛垂之旋轉軸線25旋轉;及手昇降機構(未圖示),其使手進退機構23、24上下移動。
藉由如此之構成,第1主搬送機器人CR1及第2主搬送機器人CR2可以一手21、22將基板W自存取端取出,以另一手21、22對存取端搬入基板W。藉由將如此構成之基板搬送機器人應用於第1主搬送機器人CR1,第1主搬送機器人CR1係可使手21、22對於第1交接單元PASS1、形成塔TW、TW2之複數個處理單元MPC、及第2交接單元PASS2直接存取,可對該存取端搬入/搬出基板W。又,藉由將如上述構成之基板搬送機器人應用於第2主搬送機器人CR2,第2主搬送機器人CR2係可使手21、22對於第2交接單元PASS2、及形成塔TW3~TW6之複數個處理單元MPC直接存取,對該存取端搬入/搬出基板W。
另,圖2係顯示分度器機器人IR具備1隻手11之例,但分度器機器人IR亦可具備2隻手11。該情形時,第1主搬送機器人CR1亦可具備4隻手21、22。同樣地,第2主搬送機器人CR2亦可具備4隻手21、22。分度器機器人IR具備2隻手11之情形時,分度器機器人IR可使用2隻手11同時保持2片基板W。因此,分度器機器人IR可對裝載埠LP上之載具C或第1交接單元PASS1,進行同時搬出2片基板W之同時搬出動作,及同時搬入2片基板W之同時搬入動作。
圖3係用於說明處理單元MPC之構成例之模式性剖視圖。圖3所示之處理單元MPC係以藥液洗淨基板表面之表面洗淨單元。處理單元MPC包含:設有供基板W通過之開口31a之處理腔室31、配置於處理腔室31內之處理杯32、及配置於處理杯32內之旋轉夾盤33。處理腔室31包含設有開口31a之隔板31b,及開閉開口31a之擋閘31c。
處理單元MPC進而包含對基板W供給藥液之藥液噴嘴34,及對基板W供給清洗液(純水等)之清洗液噴嘴35。旋轉夾盤33一面水平保持1片基板W,一面繞通過基板W之中央部之鉛垂的旋轉軸線36旋轉。藥液噴嘴34及清洗液噴嘴35預先配置於處理腔室31內,向保持於旋轉夾盤33之基板W之上面分別噴出藥液及清洗液。藉由如此構成,可執行對基板W之上面供給藥液,以該藥液處理基板W之上面之藥液處理(基板處理步驟);以清洗液洗掉基板W上面之藥液(基板處理步驟);及以離心力甩掉基板W上之液滴之旋轉乾燥處理(基板處理步驟)。
圖4係用以說明處理單元MPC之其他構成例之模式性剖視圖。圖4所示之處理單元MPC係刷洗基板W之周端面之端面洗淨單元。處理單元MPC包含處理腔室31、配置於處理腔室31內之旋轉夾盤33、藥液噴嘴34、及刷洗基板W之端面之刮擦構件37。
旋轉夾盤33一面水平保持1片基板W,一面饒通過基板W之中央部之鉛垂的旋轉軸線36旋轉。藥液噴嘴34對保持於旋轉夾盤33之基板W表面供給藥液。若旋轉夾盤33於使基板W旋轉之狀態下將刮擦構件37按壓於基板W之周端面,則刮擦構件37擦過基板W之周端面全周。藉此,刷洗基板W之周端面全周(基板處理步驟)。
圖5係用以說明基板處理裝置1之電性構成之方塊圖。基板處理裝置1具備作為控制裝置之電腦60。電腦60控制處理單元MPC1~MPC24、主搬送機器人CR1、CR2及分度器機器人IR。電腦60亦可為個人電腦(FA個人電腦)。
電腦60具備控制部61、輸入輸出部62及記憶部63。控制部61包含CPU等運算單元。輸入輸出部62包含顯示單元等輸出機器、鍵盤、指向裝置、及觸控面板等輸入機器。再者,輸入輸出部62包含用以與外部電腦即主機電腦64通信之通信模組。記憶部63包含固體記憶體裝置、硬碟驅動器等記憶裝置。
控制部61包含排程功能部65,及處理執行指示部66。排程功能部65將基板W自載具C搬出,以處理單元MPC1~MPC24中之一個以上處理該基板W後,為了將該處理後之基板W收納於載具C,而製作用以使基板處理裝置1之資源遵循時間序列作動之計劃(排程表)。處理執行指示部66遵循藉由排程功能部65製作之排程表,使基板處理裝置1之資源動作。所謂資源,係基板處理裝置1所具備之用以處理基板所使用之各種單元。具體而言,處理單元MPC1~MPC24、分度器機器人IR、主搬送機器人CR1、CR2及該等構成要素包含於基板處理裝置1之資源中。
記憶部63記憶各種資料等。記憶於記憶部63之資料中,包含控制部61執行之程式70、自主機電腦64接收之製程工作資料(製程工作資訊)80、藉由排程功能部65製作之排程表資料81、各處理單元MPC及各處理區域PZ之使用履歷資料82、及各處理區域PZ之搬送時間資料83。
記憶於記憶部63之程式70包含:用以使控制部61作為排程功能部65作動之排程表製作程式71,及用以使控制部61作為處理執行指示部66作動之處理執行程式72。程式70可為預先安裝於電腦60者,亦可為自記錄媒體M送往記憶部63者,亦可為通過輸入輸出部62之通信模組送往記憶部63者。記錄媒體M例如係雷射碟片等之光碟或記憶卡等半導體記憶體。記錄媒體M係非暫時性有形媒體(non-transitory tangible media)之一例。
製程工作資料80包含賦予各基板W之製程工作(PJ)碼,及對應於製程工作碼之製程。製程係定義基板處理內容之資料,包含基板處理條件及基板處理順序。更具體而言,包含基板種類資訊、並行處理單元資訊、使用處理液資訊、及處理時間資訊等。基板種類資訊係表示處理對象之基板W之種類之資訊。基板W之種類之具體例係用以完成製品所使用之製品基板、用以維護處理單元MPC所使用、於製品製造中不使用之非製品基板等。所謂並行處理單元資訊,係指定可使用之處理單元MPC之處理單元指定資訊,可藉由指定之處理單元MPC進行並行處理。即,只要以指定處理單元中任一者處理基板W即可。所謂使用處理液資訊,係指定用以處理基板所使用之處理液之種類之資訊。具體例係指定藥液之種類及藥液之溫度之資訊。所謂處理時間資訊,係供給處理液之持續時間等。使用處理液資訊及處理時間資訊係處理條件資訊之一例。
所謂製程工作,是指為實施共通處理而對1片或複數片基板W進行之該處理。所謂製程工作碼,係用以識別製程工作之識別資訊(基板群識別資訊)。即,對賦予共通之製程工作碼之複數片基板W,實施利用與該製程工作碼建立對應之製程之共通處理。例如,對處理順序(自載具C取出之順序)連續之複數片基板W實施共通處理時,對該等複數片基板W賦予共通之製程工作碼。但,亦可能有對應於不同製程工作碼之基板處理內容(製程)為相同之情形。
控制部61自主機電腦64經由輸入輸出部62取得對於各基板W之製程工作資料,並記憶於記憶部63。製程工作資料之取得及記憶只要較對各基板W執行排程前進行即可。例如,亦可於將載具C保持於裝載埠LP1~LP4後,立即自主機電腦64對控制61賦予對應於收納於該載具C之基板W之製程工作資料。
排程功能部65基於存儲於記憶部63之製程工作資料80,計劃各製程工作,將表示該計劃之排程表資料81存儲於記憶部63。處理執行指示部66基於存儲於記憶部63之排程表資料81,控制分度器機器人IR、主搬送機器人CR1、CR2及處理單元MPC1~MPC24,藉此以基板處理裝置1執行製程工作。
圖6係用以說明藉由排程功能部65執行之處理例之流程圖。更具體而言,表示藉由電腦60之控制部61執行排程表製作程式71,而以特定之控制週期重複執行之處理。換言之,於排程表製作程式71,以使電腦60執行圖6所示之處理之方式,組入步驟群。
主機電腦64對控制部61賦予製程工作資料,由控制部61指示開始藉由該製程工作資料定義之製程工作,即,開始基板處理(步驟S1)。控制部61接收該製程工作資料,並存儲於記憶部63。排程功能部65使用該製程工作資料,進行用以執行製程工作之排程。製程工作之開始亦可由作業者操作輸入輸出部62之操作部而指示。
排程功能部65對經賦予製程工作資料所含之製程工作(PJ)碼之1片以上基板W,逐片依序執行排程。首先,排程功能部65參照對應於製程工作資料之製程,基於該製程之並行處理單元資訊,特定出用以處理基板W可使用之1個以上處理單元MPC(步驟S2)。接著,排程功能部65執行用以選擇應使用於基板處理之1個處理區域PZ之處理區域選擇處理(步驟S3)。處理區域選擇處理之細節於下文敘述。
接著,排程功能部65製作用以處理1片基板W之臨時時間表(步驟S4)。例如,處理區域選擇處理中,選擇第1處理區域PZ1,於對應於製程工作資料之製程之並行處理單元資訊中,包含第1處理區域PZ1之所有處理單元MPC1~MPC8。即,考慮遵循該製程之基板處理於8個處理單元MPC1~MPC8之任一者中均可執行之情形。該情形時,該基板W通過之路徑為8個。即,用以處理該基板W可選擇之路徑為通過處理單元MPC1~MPC8之任一者之8個路徑。因此,排程功能部65對該1片基板W製作對應於該8個路徑之臨時時間表。
圖7A係顯示對應於通過處理單元MPC1之路徑之臨時時間表。該臨時時間表包含:表示藉由分度器機器人IR自載具C搬出(Get)基板W之區塊;表示藉由分度器機器人IR向第1交接單元PASS1搬入(Put)該基板W之區塊;表示藉由第1主搬送機器人CR1自第1交接單元PASS1搬出(Get)該基板W之區塊;表示藉由第1主搬送機器人CR1向處理單元MPC1搬入(Put)該基板W之區塊;表示藉由處理單元MPC1對該基板W之處理之處理區塊;表示藉由第1主搬送機器人CR1自處理單元MPC1搬出(Get)已處理之基板W之區塊;表示藉由第1主搬送機器人CR1向第1交接單元PASS1搬入(Put)該基板W之區塊;表示藉由分度器機器人IR自第1交接單元PASS1搬出(Get)該基板W之區塊;及表示藉由分度器機器人IR向載具C搬入(Put)該基板W之區塊。排程功能部65藉由以時間軸上不互相重疊之方式依序配置該等區塊,而製作臨時時間表。
若製作使用處理單元MPC1之臨時時間表,則排程功能部65對相同基板W製作對應於分別通過處理單元MPC2~MPC8之7條路徑之相同的7個臨時時間表(將處理區塊分別配置於處理單元MPC2~MPC8之臨時時間表)。如此,對1片基板W製作合計8個臨時時間表。並且,所製作之臨時時間表作為排程表資料81之一部分存儲於記憶部63。於臨時時間表之製作階段,未考慮與其他基板W相關之區塊之干涉(時間軸上之互相重疊)。
若排程功能部65結束製作對應於1片基板W之所有臨時時間表(步驟S5),則執行主排程(步驟S6~S9)。所謂主排程,係以不使製作之臨時時間表之區塊與各資源之其他區塊重複之方式,將其配置於時間軸上。將藉由主排程製作之排程表資料存儲於記憶部63。
若進而具體說明,則排程功能部65選擇製作完之複數個臨時時間表中之一者,取得一個構成該臨時時間表之區塊(步驟S6)。此時取得之區塊係未配置之區塊中配置於臨時時間表之時間軸上最早位置之區塊。再者,排程功能部65檢索可配置該取得之區塊之位置(步驟S7),於該檢索出之位置配置該區塊(步驟S8)。各區塊係配置為同一資源於相同時間不重複使用,且於時間軸上最早位置。同樣動作對於構成所選擇之臨時時間表之所有區塊重複執行(步驟S9)。如此,藉由配置構成所選擇之臨時時間表之所有區塊,而完成對應於該臨時時間表之主排程。該主排程係對製作之所有臨時時間表執行(步驟S10)。即,有可以8個處理單元MPC1~MPC8之任一者處理基板W之情形時,執行8個主排程。
若結束該8個主排程,則進行單元選擇處理(步驟S11)。單元選擇處理中,選擇1個主排程,即,選擇通過1個處理單元MPC之主排程,藉此選擇處理1片基板W之處理單元MPC。單元選擇處理中,處理該基板W,選擇返回至載具C之時刻最早之1個主排程(步驟S11,單元選擇步驟)。
若存在基板W返回至載具C之時刻相等之複數個主排程時(步驟S12:是),則選擇使用自上次使用後經過時間最長之處理單元MPC,即單元最終使用時刻最早之處理單元MPC之主排程(步驟S13,單元選擇步驟)。藉此,可以均等地使用1個處理區域PZ內之處理單元MPC之方式,選擇處理單元MPC。
存在複數個使用單元最終時刻最早之處理單元MPC之主排程時(步驟S14:是),選擇使用編號較小(即預先附加之優先順序較高)之處理單元MPC之主排程(步驟S15,單元選擇步驟)。例如,留有使用處理單元MPC1之主排程及使用處理單元MPC2之主排程作為候補之情形時,由於處理單元MPC1較處理單元MPC2末尾之編號更小,故選擇使用處理單元MPC1之主排程。
如此,若選擇對應於1個臨時時間表之1個主排程,則結束對該1片基板W之排程(步驟S16)。並且,將表示所選擇之主排程之排程資料存儲於記憶部63。處理執行指示部66於其後之任意時點,實際開始對該基板W之處理(步驟S17,基板搬送步驟及基板處理步驟)。即,開始藉由分度器機器人IR將基板W自載具C搬出,藉由主搬送機器人CR1、CR2向處理單元MPC搬送基板W之基板搬送動作。
若排程功能部65結束對於1片基板W之排程,則將處理該基板W之處理單元MPC之單元最終使用時刻登錄於記憶部63(步驟S18)。再者,排程功能部65求出該處理單元MPC所屬之處理區域PZ之可投入率,並登錄於記憶部63(步驟S19)。可投入率之細節於下文敘述。單元最終使用時刻及可投入率係使用履歷資料82(參照圖5)之一例。並且,自步驟S3至步驟S20之一連串動作係對構成製程工作之所有基板W依序執行(步驟S20)。
處理區域選擇步驟(步驟S3)中,若選擇第2處理區域PZ2,則排程功能部65對1片基板W製作對應於分別通過處理單元MPC9~MPC16之8條路徑之8個臨時時間表(將處理區塊分別配置於處理單元MPC9~MPC16之臨時時間表)。藉此,對1片基板W製作合計8個臨時時間表。
圖7B係顯示對應於通過處理單元MPC9之路徑之臨時時間表。該臨時時間表包含:表示藉由分度器機器人IR自載具C搬出(Get)基板W之區塊;表示藉由分度器機器人IR向第1交接單元PASS1搬入(Put)該基板W之區塊;表示藉由第1主搬送機器人CR1自第1交接單元PASS1搬出(Get)該基板W之區塊;表示藉由第1主搬送機器人CR1向第2交接單元PASS2搬入(Put)該基板W之區塊;表示藉由第2主搬送機器人CR2自第2交接單元PASS2搬出(Get)該基板W之區塊;表示藉由第2主搬送機器人CR2向處理單元MPC9搬入(Put)該基板W之區塊;表示藉由處理單元MPC9對該基板W之處理之處理區塊;表示藉由第2主搬送機器人CR2自處理單元MPC9搬出(Get)已處理之基板W之區塊;表示藉由第2主搬送機器人CR2向第2交接單元PASS2搬入(Put)該基板W之區塊;表示藉由第1主搬送機器人CR1自第2交接單元PASS2搬出(Get)該基板之區塊;表示藉由第1主搬送機器人CR1向第1交接單元PASS1搬入(Put)該基板W之區塊;表示藉由分度器機器人IR自第1交接單元PASS1搬出(Get)該基板W之區塊;及表示藉由分度器機器人IR向載具C搬入(Put)該基板W之區塊。排程功能部65藉由以時間軸上不互相重疊之方式依序配置該等區塊,而製作臨時時間表。
處理區域選擇處理(步驟S3)中,若選擇第3處理區域PZ3,則排程功能部65對1片基板W製作對應於分別通過處理單元MPC17~MPC24之8條路徑之8個臨時時間表(將處理區域分別配置於處理單元MPC17~MPC24之臨時時間表)。藉此,對1片基板W製作合計8個臨時時間表。圖7C係顯示對應於通過處理單元MPC17之路徑之臨時時間表。該臨時時間表與圖7B之臨時時間表大致相同。
圖8係用以說明處理區域選擇處理(圖6之步驟S3)之一例之流程圖。圖9A及圖9B係顯示記憶於記憶部63(參照圖5)之處理區域資料之一例。圖10A~圖10E係顯示記憶於記憶部63之可投入率、區域最終使用時刻、最舊腔室數及有效腔室數之一例。
有效腔室數係屬於相同處理區域PZ之複數個處理單元MPC中可使用(有效)之處理單元MPC之數量。最舊腔室數係屬於相同處理區域PZ之複數個處理單元MPC中單元最終使用時刻最早之有效處理單元MPC之數量。可投入率係表示同一處理區域PZ之最舊腔室數相對於有效腔室數之比例之百分率((最舊腔室數/有效腔室數)×100)。處理區域資料、可投入率、區域最終使用時刻、最舊腔室數及有效腔室數作為使用履歷資料82記憶於每個處理區域。
於記憶部63,如圖9A所示,對於所有處理單元MPC,登錄有表示處理區域PZ之設定之處理區域資料。該例中,對於處理單元MPC1~MPC8,登錄表示屬於第1處理區域PZ1之處理區域資料「1」。又,對於處理單元MPC9~MPC16,登錄表示屬於第2處理區域PZ2之處理區域資料「2」。再者,對於處理單元MPC17~MPC24,登錄表示屬於第3處理區域PZ3之處理區域資料「3」。
任一處理單元MPC為了維護等而無法利用於基板處理時,如圖9B所示,替代識別處理區域PZ之資料(編號),而登錄表示無效之資料(例如,表示「維護中」之資料等)。所謂維護,例如係定期計劃之處理單元MPC之洗淨等。
排程功能部65選擇應處理各基板W之處理區域PZ時,基於記憶於記憶部63(參照圖5)之處理區域資料,判定各處理單元MPC是屬於哪一處理區域PZ,及是否存在無效之處理單元MPC(圖8之步驟S31,所屬確認步驟)。並且,排程功能部65自記憶部63讀出所有處理單元MPC1~MPC24之單元最終使用時刻(圖8之步驟S32,單元最終使用時刻取得步驟)。
再者,排程功能部65對於所有處理單元MPC1~MPC24,自記憶部63讀出自裝載埠LP上之載具C對處理單元MPC搬送基板W所需要之搬送時間。其後,排程功能部65對於各個處理單元MPC,自單元最終使用時刻減去搬送時間,將所得值(時刻)作為修正單元最終使用時刻,登錄於記憶部63(圖8之步驟S33,修正單元最終使用時刻計算步驟)。修正單元最終使用時刻包含於使用履歷資料82中。修正單元最終使用時刻之細節於下文敘述。
圖10A~圖10E係顯示於所有處理單元MPC1~MPC24可使用(有效)且初始化之狀態下,進行應用相同製程之複數片基板W之排程之情形之記憶部63內之使用履歷資料82之變遷之一例。
如圖10A所示,於進行第1片基板W之排程前,各處理區域PZ之可投入率(最舊腔室數/有效腔室數×100)為100%,各處理區域PZ之區域最終使用時刻為初始值(圖10中為0),各處理區域PZ之最舊腔室數為8。各處理區域PZ之有效腔室數為8。應用於複數片基板W之製程中,指定所有處理單元MPC1~MPC24作為並行處理單元。
若將基板處理裝置1初始化,則所有單元最終使用時刻亦初始化,登錄初始值(例如0)作為所有處理單元MPC1~MPC24之單元最終使用時刻。單元最終使用時刻為初始值以外值之情形時,使用搬送時間修正單元最終使用時刻,但單元最終時刻為初始值之情形時,登錄初始值作為修正單元最終使用時刻。圖10A所示例中,由於所有處理單元MPC1~MPC24之修正單元最終使用時刻為初始值,故所有區域最終使用時刻為初始值(圖10A中為0)。
選擇處理第1片基板W之處理區域PZ時,排程功能部65檢索所有處理區域PZ1~PZ3中區域最終使用時刻最早之處理區域PZ,確認複數個處理區域PZ是否包含於候補區域中(圖8之步驟S34,第1檢索步驟)。候補區域為1個之情形時,即,僅見到1個區域最終使用時刻最早之處理區域PZ之情形時(圖8之步驟S34:否),用於第1片基板W而選擇該處理區域PZ(圖8之步驟S35,區域選擇步驟)。圖10A所示例中,由於所有區域最終使用時刻為初始值,故所有處理區域PZ1~PZ3相當於區域最終使用時刻最早之處理區域PZ。
見到複數個區域最終使用時刻最早之處理區域PZ之情形時(圖8之步驟S34:是),排程功能部65於候補區域所含之複數個處理區域PZ中,檢索可投入率((最舊腔室數/有效腔室數)×100)最大之處理區域PZ,確認相當於該檢索條件之複數個處理區域PZ是否包含於候補區域中(圖8之步驟S36,第2檢索步驟)。見到之處理區域PZ為1個之情形時,即,可投入率最大之處理區域PZ為1個之情形時(圖8之步驟S36:否),用於第1片基板W而選擇該處理區域PZ(圖8之步驟S37,區域選擇步驟及選擇步驟)。圖10A所示例中,由於所有單元最終使用時刻為初始值,故所有處理區域PZ1~PZ3相當於可投入率最大之處理區域PZ。
見到複數個可投入率最大之處理區域PZ之情形時(圖8之步驟S36:是),排程功能部65用於第1片基板W而選擇候補區域所含之複數個處理區域PZ中區域編號最小(即,預先附加之優先順序最高)之處理區域PZ(圖8之步驟S38,區域選擇步驟、第3檢索步驟及選擇步驟)。圖10A所示例中,選擇區域編號最小之第1處理區域PZ1,作為處理第1片基板W之處理區域PZ。因此,如圖10B所示,第1處理區域PZ1之最舊腔室數自8減少至7,第1處理區域PZ1之可投入率減少至87.5%((7/8)×100)。
若對第1片基板W之排程結束,則排程功能部65推測第1片基板W結束之時刻,將推測之時刻作為處理第1片基板W之處理單元MPC之單元最終使用時刻,登錄於記憶部63。其後,排程功能部65自處理第1片基板W之處理單元MPC之單元最終使用時刻,減去搬運至該處理單元MPC之搬送時間,將所得值(時刻)作為修正單元最終使用時刻登錄於記憶部63。即,對於處理第1片基板W之處理單元MPC,將新的單元最終使用時刻及修正單元最終使用時刻登錄於記憶部63。對於第2片之後的基板W,亦係若排程結束,則對用於以處理基板W而選擇之處理單元MPC,將新的單元最終使用時刻及修正單元最終使用時刻登錄於記憶部63。
若對於第1片基板W之排程結束,則將處理第1片基板W之處理單元MPC之單元最終使用時刻及修正單元最終使用時刻變更為初始值以外之值。區域最終使用時刻係屬於相同處理區域PZ之所有處理單元MPC之修正單元最終使用時刻中最早之時刻。即使變更處理第1片基板W之處理單元MPC之修正單元最終使用時刻,與該處理單元MPC屬於相同處理區域PZ之其他處理單元MPC之修正單元最終使用時刻仍為初始值。因此,處理第1片基板W之處理單元MPC所屬之處理區域PZ之區域最終使用時刻仍為初始值不變。
選擇處理第2片基板W之處理區域PZ時,與上述同樣地,選擇3個處理區域PZ中之任一者。圖10B所示例中,各處理區域PZ之區域最終使用時刻為初始值,但由於第2處理區域PZ2及第3處理區域PZ3相當於可投入率最大之處理區域PZ,故用於第2片基板W而選擇區域編號最小之第2處理區域PZ2。因此,如圖10C所示,第2處理區域PZ2之最舊腔室數自8減少至7,第2處理區域PZ2之可投入率減少至87.5%((7/8)×100)。
選擇處理第3片基板W之處理區域PZ時,亦與上述同樣地,選擇3個處理區域PZ中之任一者。圖10C所示例中,各處理區域PZ之區域最終使用時刻為初始值,但由於第3處理區域PZ3之可投入率最高,故用於第3片基板W而選擇第3處理區域PZ3。因此,如圖10D所示,第3處理區域PZ3之最舊腔室數自8減少至7,第3處理區域PZ3之可投入率減少至87.5%((7/8)×100)。
選擇處理第4片基板W之處理區域PZ時,亦與上述同樣地,選擇3個處理區域PZ中之任一者。圖10D所示例中,各處理區域PZ之區域最終使用時刻為初始值,由於可投入率於3個處理區域PZ之間相等,故用於第4片基板W而選擇區域編號最小之第1處理區域PZ1。因此,如圖10E所示,第1處理區域PZ1之最舊腔室數自7減少至6,第1處理區域PZ1之可投入率減少至75%((6/8)×100)。
處理第5片以後之基板W之處理區域PZ亦與上述同樣地,選擇3個處理區域PZ中之任一者。若製作使用屬於相同處理區域PZ之所有處理單元MPC之排程表,則對於屬於該處理區域PZ之各個處理單元MPC,將單元最終使用時刻及修正單元最終使用時刻變更為初始值以外的值。該情形時,排程功能部65將屬於該處理區域PZ之所有處理單元MPC之修正單元最終使用使用中最早之時刻,作為區域最終使用時刻,登錄於記憶部63。藉此,將區域最終使用時刻變更為初始值以外的值。
圖11A~圖11E係顯示如圖9B所示為了維護而將屬於第1處理區域PZ1之4個處理單元MPC5~MPC8設為無效(不可使用),於其他所有處理單元MPC1~MP4及MPC9~MPC24可使用(有效)且初始化之狀態下,進行應用相同製程之複數片基板W之排程之情形之記憶部63內之使用履歷資料82之變遷之一例。
如圖11A所示,於進行第1片基板W之排程前,各處理區域PZ之可投入率為100%,各處理區域PZ之區域最終使用時刻為初始值(圖11中為0),第1處理區域PZ1之最舊腔室數為4,第2處理區域PZ2及第3處理區域PZ3之最舊腔室數為8。第1處理區域PZ1之有效腔室數為4,第2處理區域PZ2及第3處理區域PZ3之有效腔室數為8。應用於複數片基板W之製程中,指定所有處理單元MPC1~MPC24作為並行處理單元。
選擇處理第1片基板W之處理區域PZ時,如圖11A所示,區域最終使用時刻於任一處理區域PZ皆為初始值,可投入率於3個處理區域PZ之間相等,故排程功能部65選擇區域編號最小之第1處理區域PZ1,作為處理第1片基板W之處理區域PZ,進行以第1處理區域PZ1處理第1片基板W之排程。因此,如圖11B所示,第1處理區域PZ1之最舊腔室數自4減少至3,第1處理區域PZ1之可投入率減少至75%((3/4)×100)。
選擇處理第2片基板W之處理區域PZ時,如圖11B所示,區域最終使用時刻於任一處理區域PZ皆為初始值,由於第2處理區域PZ2及第3處理區域PZ3之可投入率最高,故排程功能部65用於第2片基板W而選擇區域編號最小之第2處理區域PZ2。因此,如圖11C所示,第2處理區域PZ2之最舊腔室數自8減少至7,第2處理區域PZ2之可投入率減少至87.5%((7/8)×100)。
選擇處理第3片基板W之處理區域PZ時,如圖11C所示,區域最終使用時刻於任一處理區域PZ皆為初始值,由於第3處理區域PZ3之可投入率最高,故排程功能部65用於第3片基板W而選擇第3處理區域PZ3。因此,如圖11D所示,第3處理區域PZ3之最舊腔室數自8減少至7,第3處理區域PZ3之可投入率減少至87.5%((7/8)×100)。
選擇處理第4片基板W之處理區域PZ時,如圖11D所示,區域最終使用時刻於任一處理區域PZ皆為初始值,由於第2處理區域PZ2及第3處理區域PZ3之可投入率最高,故排程功能部65用於第4片基板W而選擇區域編號最小之第2處理區域PZ2。因此,如圖11E所示,第2處理區域PZ2之最舊腔室數自7減少至6,第2處理區域PZ2之可投入率減少至75%((6/8)×100)。
選擇處理第5片基板W之處理區域PZ時,如圖11E所示,區域最終使用時刻於任一處理區域PZ皆為初始值,由於第3處理區域PZ3之可投入率最高,故排程功能部65用於第4片基板W而選擇第3處理區域PZ3。因此,如圖11F所示,第3處理區域PZ3之最舊腔室數自7減少至6,第3處理區域PZ3之可投入率減少至75%((6/8)×100)。
圖12係顯示所有單元最終使用時刻變更為初始值以外之值後之單元最終使用時刻、搬送時間及修正單元最終使用時刻之一例。
圖12係顯示第1~3片基板W依處理單元MPC1、處理單元MPC9、處理單元MPC17之順序,搬入至該等處理單元MPC1、MPC9及MPC17之例。圖12所示例中,處理單元MPC1之單元最終使用時刻為12點00分00秒,處理單元MPC9之單元最終使用時刻為12點00分15秒,處理單元MPC17之單元最終使用時刻為12點00分30秒。
又,圖12係顯示第1處理區域PZ1之搬送時間為10秒,第2處理區域PZ2之搬送時間為15秒,第3處理區域PZ3之搬送時間為15秒之例。各處理區域PZ之搬送時間登錄於搬送時間資料83(參照圖5)(搬送時間登錄步驟)。處理單元MPC1及處理單元MPC2雖屬於第1處理區域PZ1,但自裝載埠LP至處理單元MPC1之距離嚴格而言,與自裝載埠LP至處理單元MPC2之距離不同。因此,基板W搬送至處理單元MPC1之搬送時間嚴格而言,與基板W搬送至處理單元MPC2之搬送時間不同。但,圖12所示例中,若係屬於相同處理區域PZ之處理單元MPC,則視為搬送時間大致相等,將1個搬送時間登錄於屬於相同處理區域PZ之所有處理單元MPC。
排程功能部65自處理單元MPC1之單元最終使用時刻減去第1處理區域PZ1之搬送時間,登錄所得值(時刻)作為處理單元MPC1之修正單元最終使用時刻。具體而言,排程功能部65將11點59分50秒(12點00分00秒-10秒)登錄為處理單元MPC1之修正單元最終使用時刻。同樣地,排程功能部65將12點00分00秒(12點00分15秒-15秒)登錄為處理單元MPC9之修正單元最終使用時刻,將12點00分15秒(12點00分30秒-15秒)登錄為處理單元MPC17之修正單元最終使用時刻。
接著,排程功能部65將屬於相同處理區域PZ之所有有效處理單元MPC之修正單元最終使用時刻中最早之時刻,作為該處理區域PZ之區域最終使用時刻,登錄於記憶部63(區域最終使用時刻特定步驟)。圖12所示例之情形時,處理單元MPC1之修正單元最終使用時刻於處理單元MPC1~MPC8之修正單元最終使用時刻中最早。又,圖12所示例之情形時,處理單元MPC9之修正單元最終使用時刻於處理單元MPC9~MPC16之修正單元最終使用時刻中最早,處理單元MPC17之修正單元最終使用時刻於處理單元MPC17~MPC24之修正單元最終使用時刻中最早。因此,排程功能部65登錄處理單元MPC1之修正單元最終使用時刻,作為第1處理區域PZ1之區域最終使用時刻,登錄處理單元MPC9之修正單元最終使用時刻,作為第2處理區域PZ2之區域最終使用時刻,登錄處理單元MPC17之修正單元最終使用時刻,作為第1處理區域PZ1之區域最終使用時刻。
圖13A~圖13E係顯示所有單元最終使用時刻變更為初始值以外的值後,進行應用相同製程之複數片基板W之排程之情形之記憶部63內之使用履歷資料82之變遷之一例。
如圖13A所示,於進行第1片基板W之排程前,各處理區域PZ之可投入率為12.5((1/8)×100),各處理區域PZ之區域最終使用時刻係初始值以外之各不相同的值,各處理區域PZ之最舊腔室數為1。各處理區域PZ之有效腔室數為8。應用於複數片基板W之製程中,指定所有處理單元MPC1~MPC24作為並行處理單元。
圖13A係顯示第1處理區域PZ1之區域最終使用時刻為12點00分00秒,第2處理區域PZ2之區域最終使用時刻為12點00分30秒,第3處理區域PZ3之區域最終使用時刻為12點01分00秒。選擇處理第1片基板W之處理區域PZ時,如圖13A所示,由於第1處理區域PZ1之區域最終使用時刻最早,故排程功能部65選擇第1處理區域PZ1,作為處理第1片基板W之處理區域PZ。
圖13B係顯示對屬於第1處理區域PZ1之所有處理單元MPC1~MPC8中,以修正單元最終使用時刻最早之處理單元MPC,處理第1片基板W之例。因此,第1處理區域PZ1之區域最終使用時刻變更為與進行第1片基板W之排程前之時刻不同之時刻。圖13B係顯示第1處理區域PZ1之區域最終使用時刻自12點00分00秒變更為12點01分30秒之例。
選擇處理第2片基板W之處理區域PZ時,如圖13B所示,由於第2處理區域PZ2之區域最終使用時刻(12點00分30秒)最早,故排程功能部65選擇第2處理區域PZ2,作為處理第2片基板W之處理區域PZ,製作以屬於第2處理區域PZ2之所有處理單元MPC9~MPC16中,修正單元最終使用時刻最早之處理單元MPC處理基板W之排程表。因此,如圖13C所示,第2處理區域PZ2之區域最終使用時刻自12點00分30秒更新為12點02分00秒。
選擇處理第3片基板W之處理區域PZ時,如圖13C所示,由於第3處理區域PZ3之區域最終使用時刻(12點01分00秒)最早,故排程功能部65選擇第3處理區域PZ3,作為處理第3片基板W之處理區域PZ,製作使屬於第3處理區域PZ3之所有處理單元MPC17~MPC24中,修正單元最終使用時刻最早之處理單元MPC處理基板W之排程表。因此,如圖13D所示,第3處理區域PZ3之區域最終使用時刻自12點01分00秒更新為12點02分30秒。
選擇處理第4片基板W之處理區域PZ時,如圖13D所示,由於第1處理區域PZ1之區域最終使用時刻(12點01分30秒)最早,故排程功能部65選擇第1處理區域PZ1,作為處理第4片基板W之處理區域PZ,製作以屬於第1處理區域PZ1之所有處理單元MPC1~MPC8中,修正單元最終使用時刻最早之處理單元MPC處理基板W之排程表。因此,如圖13E所示,第1處理區域PZ1之區域最終使用時刻自12點01分30秒更新為12點03分00秒。
處理第5片以後之基板W之處理區域PZ亦與上述同樣地,自3個處理區域PZ中選擇區域最終使用時刻最早之處理區域PZ。但若有複數個區域最終使用時刻最早之處理區域PZ之情形時,自其中選擇可投入率最大之處理區域PZ。但是,依然剩餘複數個處理區域PZ之情形時,則選擇剩餘之複數個處理區域PZ中區域編號最小之處理區域PZ。
接著,針對基板W之處理時間減少之情形之排程進行說明。
首先,參照圖14A~圖14F及圖15A~圖15B,針對第1實施形態之排程進行說明,其後,參照圖16A~圖16F及圖17,針對第1比較例之排程進行說明。
圖14A~圖14F係顯示第1實施例之可投入率、區域最終使用時刻、最舊腔室數及有效腔室數之一例之表。圖14A~圖14F係顯示進行應用第1時間處理基板W之第1製程之複數片基板W之排程後,進行應用比第1處理時間短之第2處理時間處理基板W之第2製程之複數片基板W之排程之情形,記憶部63內之使用履歷資料82之變遷之一例。
如圖14A所示,於進行第1片基板W之排程前,各處理區域PZ之可投入率為100%((8/8)×100),各處理區域PZ之區域最終使用時刻為初始值(圖14A中為0),各處理區域PZ之最舊腔室數為8。各處理區域PZ之有效腔室數為8。各單元最終使用時刻為初始值。第1製程及第2製程中,指定所有處理單元MPC1~MPC24作為並行處理單元。於第1製程指定之第1處理時間例如為240秒,於第2製程指定之第2處理時間例如為60秒。
選擇處理應用第1製程之第1片基板W之處理區域PZ時,如圖14A所示,由於區域最終使用時刻於任一處理區域PZ皆為初始值,可投入率於3個處理區域PZ之間相等,故排程功能部65選擇區域編號最小之第1處理區域PZ1,作為處理第1片基板W之處理區域PZ。因此,如圖14B所示,第1處理區域PZ1之最舊腔室數自8減少至7,第1處理區域PZ1之可投入率減少至87.5%((7/8)×100)。
選擇處理應用第1製程之第2片基板W之處理區域PZ時,如圖14B所示,由於區域最終使用時刻於任一處理區域PZ皆為初始值,第2處理區域PZ2及第3處理區域PZ3之可投入率最高,故排程功能部65用於第2片基板W而選擇區域編號最小之第2處理區域PZ2。因此,如圖14C所示,第2處理區域PZ2之最舊腔室數自8減少至7,第2處理區域PZ2之可投入率減少至87.5%((7/8)×100)。
選擇處理應用處理時間與第1製程不同之第2製程之第3片基板W之處理區域PZ時,如圖14C所示,由於區域最終使用時刻於任一處理區域PZ皆為初始值,第3處理區域PZ3之可投入率最高,故排程功能部65用於第3片基板W而選擇第3處理區域PZ3。因此,如圖14D所示,第3處理區域PZ3之最舊腔室數自8減少至7,第3處理區域PZ3之可投入率減少至87.5%((7/8)×100)。
選擇處理應用第2製程之第4片基板W之處理區域PZ時,如圖14D所示,由於區域最終使用時刻於任一處理區域PZ皆為初始值,可投入率於3個處理區域PZ之間相等,故排程功能部65選擇區域編號最小之第1處理區域PZ1,作為處理第4片基板W之處理區域PZ。因此,如圖14E所示,第1處理區域PZ1之最舊腔室數自7減少至6,第1處理區域PZ1之可投入率減少至75%((6/8)×100)。
選擇處理應用第2製程之第5片基板W之處理區域PZ時,如圖14E所示,由於區域最終使用時刻於任一處理區域PZ皆為初始值,第2處理區域PZ2及第3處理區域PZ3之可投入率最高,故排程功能部65用於第5片基板W而選擇區域編號最小之第2處理區域PZ2。因此,如圖14F所示,第2處理區域PZ2之最舊腔室數自7減少至6,第2處理區域PZ2之可投入率減少至75%((6/8)×100)。
圖15A及圖15B係顯示第1實施例之排程表之時序圖。圖15A係顯示進行應用第1處理時間處理基板W之第1製程之第1~2片基板W1~W2之排程後之排程表之一例。圖15A所示例中,以由第1處理區域PZ1之處理單元MPC1處理第1片基板W1,由第2處理區域PZ2之處理單元MPC9處理第2片基板W2之方式,製作排程表。
圖15B係顯示進行應用第2處理時間處理基板W之第2製程之第3~6片基板W3~W6之排程後之排程表之一例。圖15B所示例中,以由第3處理區域PZ3之處理單元MPC17處理第3片基板W3,由第1處理區域PZ1之處理單元MPC2處理第4片基板W4之方式,製作排程表。又,圖15B所示例中,以由第2處理區域PZ2之處理單元MPC10處理第5片基板W5,由第3處理區域PZ3之處理單元MPC18處理第6片基板W6之方式,製作排程表。
如圖15B所示,若使表示屬於相同處理區域PZ之所有處理單元MPC之修正單元最終使用時刻中最早時刻之區域最終使用時刻最初優先,選擇處理區域PZ,則不僅於基板W之處理時間不變化之情形,於基板W之處理時間減少之情形時,亦可均等地選擇所有處理區域PZ1~PZ3,可有效選擇空的處理單元MPC。因此,與使如後述之區域使用率最初優先,選擇處理區域PZ之情形相比,可提高基板處理裝置1之運轉率。
接著,參照圖16A~圖16F及圖17,針對第1比較例之排程進行說明。
以下,針對並非基於區域最終使用時刻,而基於區域使用率為基準,選擇處理基板W之處理區域PZ之例進行說明。區域使用率係用以處理基板W所需要之時間除以處理該基板W之處理區域PZ之有效(可利用)處理單元MPC之數的值。若用以處理基板W所需要之時間為240秒,屬於處理該基板W之處理區域PZ之有效處理單元MPC之數為3,則區域使用率為80(=240/3)。
圖16A~圖16F所示之區域最終使用時刻並非意指屬於某處理區域PZ之所有處理單元MPC之修正單元最終使用時刻中最早之時刻,而意指屬於某處理區域PZ之所有處理單元MPC之單元最終使用時刻中最晚時刻。因此,若製作以屬於某處理區域PZ之1個處理單元MPC處理基板W之排程表,則屬於該處理區域PZ之其他處理單元MPC之單元最終使用時刻即使為初始值,該處理區域PZ之區域最終使用時刻亦變更為處理基板W之處理單元MPC之單元最終使用時刻。
圖16A~圖16F係顯示第1比較例之區域使用率、區域最終使用時刻、有效腔室數之一例之表。圖16A~圖16F係顯示進行應用第1時間處理基板W之第1製程之複數片基板W之排程後,進行應用比第1處理時間短之第2處理時間處理基板W之第2製程之複數片基板W之排程之情形之記憶部63內之使用履歷資料82之變遷之一例。
如圖16A所示,於進行第1片基板W之排程前,各處理區域PZ之區域使用率為0,區域最終使用時刻為初始值(圖16A中為0),各處理區域PZ之有效腔室數為3。第1製程及第2製程中,指定所有處理單元MPC1~MPC24作為並行處理單元。以第1製程指定之第1處理時間例如為240秒,以第2製程指定之第2處理時間例如為60秒。
選擇處理應用第1製程之第1片基板W之處理區域PZ時,如圖16A所示,由於區域使用率於任一處理區域PZ皆為0,區域最終使用時刻於任一處理區域PZ皆為初始值,故排程功能部65選擇區域編號最小之第1處理區域PZ1,作為處理第1片基板W之處理區域PZ。因此,如圖16B所示,第1處理區域PZ1之區域使用率增加。圖16B係顯示第1處理時間為240秒,第1處理區域PZ1之區域使用率自0增加至80(=240/3)之例。
選擇處理應用第1製程之第2片基板W之處理區域PZ時,如圖16B所示,由於第2處理區域PZ2及第3處理區域ZP3之區域使用率為0,第2處理區域PZ2及第3處理區域PZ3之區域最終使用時刻為初始值,故排程功能部65選擇區域編號最小之第2處理區域PZ2,作為處理第2片基板W之處理區域PZ。因此,如圖16C所示,第2處理區域PZ2之區域使用率增加。圖16C係顯示第1處理時間為240秒,第2處理區域PZ2之區域使用率自0增加至80(=240/3)之例。
選擇處理應用處理時間與第1製程不同之第2製程之第3片基板W之處理區域PZ時,如圖16C所示,由於第3處理區域PZ3之區域使用率最小,故排程功能部65選擇第3處理區域PZ3,作為處理第3片基板W之處理區域PZ。因此,如圖16D所示,第3處理區域PZ3之區域使用率增加。圖16D係顯示第2處理時間為60秒,第2處理區域PZ2之區域使用率自0增加至20(=60/3)之例。
選擇處理應用第2製程之第4片基板W之處理區域PZ時,如圖16D所示,由於第3處理區域PZ3之區域使用率仍然最小,故排程功能部65選擇第3處理區域PZ3,作為處理第4片基板W之處理區域PZ。因此,如圖16E所示,第3處理區域PZ3之區域使用率增加。圖16E係顯示第2處理區域PZ2之區域使用率增加至40(=120/3)之例。
選擇處理應用第2製程之第5片基板W之處理區域PZ時,如圖16E所示,由於第3處理區域PZ3之區域使用率仍然最小,故排程功能部65選擇第3處理區域PZ3,作為處理第5片基板W之處理區域PZ。因此,如圖16F所示,第3處理區域PZ3之區域使用率增加。圖16F係顯示第2處理區域PZ2之區域使用率增加至60(=180/3)之例。
選擇處理應用第2製程之第6片基板W之處理區域PZ時,如圖16F所示,由於第3處理區域PZ3之區域使用率仍然最小,故排程功能部65選擇第3處理區域PZ3,作為處理第6片基板W之處理區域PZ。因此,第3處理區域PZ3之區域使用率增加。具體而言,第2處理區域PZ2之區域使用率增加至80(=240/3)。藉此,第3處理區域PZ3之區域使用率與第1處理區域PZ1及第2處理區域PZ2之區域使用率相等。
圖17係顯示以區域使用率最初優先,選擇處理區域PZ,進行第3~6片基板W3~W6之排程後之排程表之時序圖。
如上述,基於區域使用率選擇處理區域PZ之情形時,用於第6片基板W6而選擇第3處理區域PZ3。因此,如圖17所示,即使於第1處理區域PZ1及第2處理區域PZ2有空的處理單元MPC,亦以由屬於第3處理區域PZ3之處理單元MPC17處理第6片基板W6之方式,製作排程表。因此,以第1處理區域PZ1或第2處理區域PZ2處理第6片基板W6之情形時,雖可馬上開始第6片基板W6之搬送,但以第3處理區域PZ3處理第6片基板W6之情形時,必須延遲開始搬送,直至處理單元MPC17結束處理第3片基板W3。
如由比較圖17及圖15B可知,任一情形時,第3片基板W3皆以由處理單元MPC17處理之方式被排程,但圖15B所示例中,以由處理單元MPC2處理第4片基板W4,由處理單元MPC10處理第5片基板W5之方式,製作排程表。再者,圖15B所示例中,以由處理單元MPC17處理第6片基板W6之方式,製作排程表。因此,圖15B所示例中,由於有效地選擇空的處理單元MPC,故可防止如圖17所示之搬送延遲,可提高基板處理裝置1之運轉率。
接著,針對以所有有效處理單元MPC排程基板W之處理後,基板W之處理時間減少之情形之排程進行說明。
首先,針對第2實施例之排程進行說明,其後,針對第2比較例之排程進行說明。
圖18係顯示第2實施例之單元最終使用時刻、搬送時間及修正單元最終使用時刻之一例之表。圖19A~圖19D係顯示第2實施形態之排程表之時序圖。
圖19A~圖19B係顯示進行應用第1處理時間處理基板W之第1製程之第1~11片基板W1~W11之排程後之排程表之一例。圖19A係顯示直至第1片基板W1之處理結束之時刻之排程表,圖19B係顯示接續圖19A。
圖19C係顯示進行應用第2處理時間處理基板W之第2製程之第12片基板W12之排程後之排程表之一例。圖19D係顯示進行應用第2處理時間處理基板W之第2製程之第13~15片基板W13~W15之排程後之排程表之一例。
圖19A~圖19D係顯示處理單元MPC1、MPC2、MPC3、MPC9、MPC10、MPC11、MPC17、MPC18及MPC19為有效處理單元MPC之例。因此,各處理區域PZ之有效腔室數為3。第1製程及第2製程中,指定有所有處理單元MPC1~MPC24作為並行處理單元。以第1製程指定之第1處理時間例如為240秒,以第2製程指定之第2處理時間例如為60秒。
於進行第1片基板W之排程前,各處理區域PZ之可投入率為100%((3/3)×100),各處理區域PZ之區域最終使用時刻為初始值,各處理區域PZ之最舊腔室數為3。進行第1片基板W之排程前之狀況與參照圖10A~圖10E說明之例大致相同。因此,第1~11片基板W1~W11之排程與參照圖10A~圖10E說明之例同樣地進行。
具體而言,如圖19A所示,以由處理單元MPC1處理第1片基板W1,由處理單元MPC9處理第2片基板W2,由處理單元MPC17處理第3片基板W3之方式,製作排程表。又,以由處理單元MPC2處理第4片基板W4,由處理單元MPC10處理第5片基板W5,由處理單元MPC18處理第6片基板W6之方式,製作排程表。具又,以由處理單元MPC1處理第7片基板W7,由處理單元MPC9處理第8片基板W8,由處理單元MPC17處理第9片基板W9之方式,製作排程表。
又,如圖19B所示,以由處理單元MPC1處理第10片基板W10,由處理單元MPC9處理第11片基板W11之方式,製作排程表。即,以處理單元MPC1處理第1片基板W1後,以處理單元MPC1處理第10片基板W10。以處理單元MPC9處理第2片基板W2後,以處理單元MPC9處理第11片基板W11。如此,製作處理第1~11片基板W1~W11之排程表。
圖19B之下部係顯示製作處理第11片基板W11之排程表後之各處理單元MPC之單元最終使用時刻(時刻T1~T7)。製作處理第11片基板W11之排程表之時點之處理單元MPC1之單元最終使用時刻係時刻T6,該時點之處理單元MPC2之單元最終使用時刻係時刻T1,該時點之處理單元MPC3之單元最終使用時刻係時刻T3。該等之中最早之時刻係時刻T1。
圖18係顯示製作處理第11片基板W11之排程表之時點之所有有效處理單元MPC之單元最終使用時刻、搬送時間及修正單元最終使用時刻。處理單元MPC1、MPC2及MPC3所屬之第1處理區域PZ1之搬送時間係搬送時間t1。因此,處理單元MPC1之修正單元最終使用時刻係時刻T6-搬送時間t1,處理單元MPC2之修正單元最終使用時刻係時刻T1-搬送時間t1,處理單元MPC3之修正單元最終使用時刻係時刻T3-搬送時間t1。該等之中最早之時刻係時刻T1-搬送時間t1。
處理單元MPC9之單元最終使用時刻係時刻T7,處理單元MPC10之單元最終使用時刻係時刻T2,處理單元MPC11之單元最終使用時刻係時刻T4。如圖19B所示,該等之中最早之時刻係時刻T2。處理單元MPC9、處理單元MPC10及處理單元MPC11所屬之第2處理區域PZ2之搬送時間係搬送時間t2。因此,處理單元MPC9之修正單元最終使用時刻係時刻T7-搬送時刻t2,處理單元MPC10之修正單元最終使用時刻係時刻T2-搬送時間t2,處理單元MPC11之修正單元最終使用時刻係時刻T4-搬送時間t2。該等之中最早之時刻係時刻T2-搬送時間t2。
處理單元MPC17之單元最終使用時刻係時刻T1,處理單元MPC18之單元最終使用時刻係時刻T3,處理單元MPC19之單元最終使用時刻係時刻T5。如圖19B所示,該等之中最早之時刻係時刻T2。處理單元MPC17、處理單元MPC18及處理單元MPC19所屬之第2處理區域PZ2之搬送時間係搬送時間t2。因此,處理單元MPC17之修正單元最終使用時刻係時刻T1-搬送時間t2,處理單元MPC18之修正單元最終使用時刻係時刻T3-搬送時間t2,處理單元MPC19之修正單元最終使用時刻係時刻T5-搬送時間t2。該等之中最早之時刻係時刻T1-搬送時間t2。
如圖18所示,製作處理第11片基板W11之排程表之時點之第1處理區域PZ1之區域最終使用時刻係時刻T1-搬送時間t1。該時點之第2處理區域PZ2之區域最終使用時刻係時刻T2-搬送時間t2。該時點之第3處理區域PZ3之區域最終使用時刻係時刻T1-搬送時間t2。如圖19A之左端附近所示,搬送時間t1短於搬送時間t2。因此,第3處理區域PZ3之區域最終使用時刻(T1-S2)於3個處理區域PZ之區域最終使用時刻之中最早。
由於第3處理區域PZ3之區域最終使用時刻於3個處理區域PZ之區域最終使用時刻之中最早,故排程功能部65用於第12片基板W12而選擇第3處理區域PZ3。圖19C係顯示以由屬於第3處理區域PZ3之處理單元MPC17處理第12片基板W12之方式進行排程之例。該例之情形,若製作處理第12片基板W12之排程表,則處理單元MPC17之單元最終使用時刻及修正單元最終使用時刻更新,第3處理區域PZ3之區域最終使用時刻更新。
如觀察圖19C可知,第12片基板W12之處理時間(第2處理時間)短於第1~11片基板W1~W11之處理時間(第1處理時間)。即,對第12片基板W12,應用比第1處理時間短之第2處理時間處理基板W之第2製程。同樣地,亦對第13~15片基板W13~W15應用第2製程。圖19D係顯示以由處理單元MPC2處理第13片基板W13,由處理單元MPC10處理第14片基板W14,由處理單元MPC18處理第15片基板W15之方式進行排程之例。
接著,參照圖20,針對第2比較例之排程進行說明。
圖20係顯示第2比較例之排程表之時序圖,係顯示以區域使用率最初優先,選擇處理區域PZ,進行第12~15片基板W12~W15之排程後之排程表之一例。
第2比較例中,各處理區域PZ之有效腔室數或並行處理單元與第2實施例相同。對第1~11片基板W1~W11應用第1製程,對第12~15片基板W12~W15應用第2製程。至第11片基板W11為止之排程表與第2實施例相同。
如圖20所示,若選擇不基於區域最終使用時刻,而基於區域使用率為基準選擇之處理區域PZ,則與第2實施例同樣地,以由第3處理區域PZ3處理第12片基板W12之方式,製作排程表。圖20係顯示以由處理單元MPC17處理第12片基板W12之方式進行排程之例。
另一方面,於用於第13片基板W13,而開始選擇處理區域PZ之時點,空的處理單元MPC(例如,處理單元MPC2及處理單元MPC10)存在於第1處理區域PZ1及第2處理區域PZ2,但以由屬於第3處理區域PZ3之處理單元MPC18處理第13片基板W13之方式進行排程。同樣地,以由屬於第3處理區域PZ3之處理單元MPC19處理第14片基板W14,以由屬於第3處理區域PZ3之處理單元MPC17處理第15片基板W15之方式進行排程。
圖20係顯示分度器機器人IR(參照圖1)將第14~15片基板W14~W15自裝載埠LP上之載具C同時搬出,將第14~15片基板W14~W15同時搬入於裝載埠LP上之載具C之例。對於圖19A~圖19D亦相同。圖19D所示例中,將第14~15片基板W14~W15於搬出時刻X1自載具C搬出,於搬入時刻Y1搬入至載具C。圖20所示例中,將第14~15片基板W14~W15於搬出時刻X2自載具C搬出,於搬入時刻Y2搬入至載具C。
第2實施例及第2比較例中,儘管於相同條件下以複數個處理單元MPC處理第12~15片基板W12~W15,但亦如圖19D所示,第2實施例之搬出時刻X1較第2比較例之搬出時刻X2僅早時間Z1,第2實施例之搬入時刻Y1較第2比較例之搬入時刻Y2僅早時間Z1。因此,第2實施例中,可均等地選擇3個處理區域PZ,不僅可提高基板處理裝置1之運轉率,與第2比較例相比亦可增加每單位時間之基板W之處理片數。藉此,可提高基板處理裝置1之處理量。
如上所述,本實施形態中,並非基於區域使用率之大小關選擇處理區域PZ,而是基於區域最終使用時刻,自複數個處理區域PZ中選擇1個處理區域PZ。並且,自屬於所選擇之處理區域PZ之複數個處理單元MPC中選擇1個處理單元MPC。其後,將基板W藉由基板搬送系統TS1所含之分度器機器人IR、第1主搬送機器人CR1及第2主搬送機器人CR2,自裝載埠LP上之載具C搬送至所選擇之處理單元MPC。因此,不僅於基板W之處理時間不變化之情形,於基板W之處理時間減少之情形,亦可均等地選擇複數個處理區域PZ,可  普遍使用基板處理裝置1所具備之所有處理單元MPC1~MPC24。藉此,可提高基板處理裝置1之運轉率。
並且,區域最終使用時刻並非基於最早單元最終使用時刻,而基於最早修正單元最終使用時刻而特定出。修正單元最終使用時刻係自表示處理單元MPC用於處理基板W最後使用之時刻之單元最終使用時刻,減去自裝載埠LP上之載具C對處理單元MPC搬送基板W所需要之搬送時間後之時刻。因此,可減少複數個處理區域PZ間之搬送時間差,可避免僅選擇靠近裝載埠LP之處理區域PZ。藉此,可進而均等地選擇複數個處理區域PZ。
本實施形態中,對於屬於相同處理區域PZ之複數個處理單元MPC,登錄相同值作為搬送時間。即使係屬於相同處理區域PZ之複數個處理單元MPC,搬送距離亦嚴格不同,故搬送時間亦嚴格不同。但,若所屬之處理區域PZ相同,則搬送時間差極小,搬送時間於該等處理單元MPC之間大致相等。因此,若對於屬於相同處理區域PZ之複數個處理單元MPC登錄相同值作為搬送時間,則可減少該等處理區域PZ間之搬送時間差,且簡化搬送時間之設定。
本實施形態中,有區域最終使用時刻最早之複數個處理區域PZ之情形時,自該等處理區域PZ中選擇可投入率最大之處理區域PZ。此意指於大多情況下,係選擇單元最終使用時刻最早之處理單元MPC之數最大之處理區域PZ。對所選擇之處理單元MPC搬送基板W前,或對所選擇之處理單元MPC搬送基板W時,於該處理單元MPC產生異常之情形時,需要重新選擇其他處理單元MPC。如此之情形時,若於相同處理區域PZ中有單元最終使用時刻最早之其他處理單元MPC,則可選擇該處理單元MPC作為新的處理單元MPC。因此,可以比較簡單之變更設定基板W之新的搬送路徑。
本實施形態中,由於可普遍使用所有處理單元MPC,故可均等地使用旋轉夾盤33或刮擦構件37等之處理單元MPC所具備之裝置等,或對藥液噴嘴34送入藥液之泵等之與處理單元MPC關聯之裝置等。因此,可將該等消耗品之消耗程度平均化,可減少維護之頻率。藉此,可進而提高基板處理裝置1之運轉率。
第1及第2實施例中,針對基板W之處理時間自第1處理時間減少為第2處理時間之例進行了說明。如此之情形時,由於亦基於區域最終使用時刻,自複數個處理區域PZ中選擇1個處理區域PZ,故與基於區域使用率之大小關係選擇處理區域PZ之情形相比,可均等地選擇複數個處理區域PZ。因此,即使基板W之搬送路徑或處理時間不同之情形,亦可普遍使用所有處理單元MPC,可進而提高基板處理裝置1之運轉率。
其他實施形態
本發明不限定於上述實施形態之內容,可進行各種變更。
例如,處理區域PZ亦可不基於搬送時間,而基於搬送距離進行分類。
屬於相同處理區域PZ之處理單元MPC之數量亦可於3個處理區域PZ間不同。
設置於基板處理裝置1之處理區域PZ之數量亦可為2個或5個以上。例如,亦可將第2處理區域PZ2及第3處理區域PZ3作為1個處理區域PZ處理。或者,亦可省略第3處理區域PZ3。
省略第3處理區域PZ3之情形時,第1主搬送機器人CR1亦可對屬於第1處理區域PZ1及第2處理區域PZ2之所有處理單元MPC進行基板W之搬入及搬出。該情形時,無需第2主搬送機器人CR2及第2交接單元PASS2。
第2處理區域PZ2之搬送時間亦可與第3處理區域PZ3之搬送時間不同,亦可與第1處理區域PZ1之搬送時間相等。
亦可並非對屬於相同處理區域PZ之複數個處理單元MPC登錄相同值作為搬送時間,而是對每處理單元MPC登錄搬送時間。即,對屬於相同處理區域PZ之複數個處理單元MPC登錄之搬送時間亦可互相不同。
見到複數個區域最終使用時刻最早之處理區域之情形時(圖8之步驟S34:是),排程功能部亦可於候補區域所含之複數個處理區域中,檢索最舊腔室數最大之處理區域PZ,而並非檢索可投入率最大之處理區域PZ。
見到複數個區域最終使用時刻最早之處理區域之情形時(圖8之步驟S34:是),亦可基於區域編號選擇處理區域PZ,而並非基於可投入率選擇處理區域PZ。或者,亦可自區域最終使用時刻最早之複數個處理區域PZ中選擇任意處理區域PZ。
亦可替代修正單元最終使用時刻,而使用單元最終使用時刻。或者,亦可替代單元最終使用時刻,而使用修正單元最終使用時刻。例如,區域最終使用時刻並非基於最早修正單元最終使用時刻,而是基於最早單元最終使用時刻而特定出。選擇處理基板W之處理單元MPC時,亦可以最早修正單元最終使用時刻最初優先,而非以最早區域最終使用時刻最初優先。
處理單元MPC3不限於圖3所示之表面洗淨單元及圖4所示之端面洗淨單元,亦可為以刮擦構件洗淨基板W之表面之表面刷洗單元、洗淨基板W之背面之背面洗淨單元等其他種類之處理單元。複數種處理單元亦可具備於1個基板處理裝置1中。
亦可組合上述所有構成中之2個以上。亦可組合上述所有步驟中之2個以上。
雖已針對本發明之實施形態進行詳細說明,但該等僅為用以明確本發明之技術性內容之具體例,本發明並非限定解釋於該等具體例,本發明之精神及範圍僅藉由隨附之申請專利範圍限定。
1:基板處理裝置 2:載具保持部 3:分度器部 4:處理部 5:搬送路徑 11:手 12:多關節臂 13:旋轉軸線 15:基板載置台 21:手 22:手 23:手進退機構 24:手進退機構 25:旋轉軸線 31:處理腔室 31a:開口 31b:隔板 31c:擋閘 32:處理杯 33:旋轉夾盤 34:藥液噴嘴 35:清洗液噴嘴 36:旋轉軸線 37:刮擦構件 60:電腦 61:控制部 62:輸入輸出部 63:記憶部 64:主機電腦 65:排程功能部 66:處理執行指示部 70:程式 71:排程表製作程式 72:處理執行程式 80:製程工作資料 81:排程表資料 82:使用履歷資料 83:搬送時間資料 C:載具 CR1:第1主搬送機器人 CR2:第2主搬送機器人 IR:分度器機器人 LP:裝載埠 LP1~LP4:裝載埠 M:記錄媒體 MPC:處理單元 MPC1~24:處理單元 PASS1:交接單元 PASS2:交接單元 PZ:處理區域 PZ1:第1處理區域 PZ2:第2處理區域 PZ3:第3處理區域 S1~S20:步驟 S31~S38:步驟 t1:搬送時間 t2:搬送時間 TS1:基板搬送系統 TW:塔 TW1~6:塔 W:基板 W1~15:基板 X1:搬出時刻 X2:搬出時刻 Y1:搬入時刻 Y2:搬入時刻
圖1係本發明之一實施形態之基板處理裝置之模式性俯視圖。 圖2係顯示沿圖1所示之切斷線Ⅱ-Ⅱ線之鉛垂剖面之基板處理裝置之模式性剖視圖。 圖3係用以說明處理單元之構成例之模式性剖視圖。 圖4係用以說明處理單元之其他構成例之模式性剖視圖。 圖5係用以說明基板處理裝置之電性構成之方塊圖。 圖6係用以說明藉由基板處理裝置所具備之電腦執行之處理例之流程圖。 圖7A係顯示排程時製作之臨時時間表之時序圖。 圖7B係顯示排程時製作之臨時時間表之時序圖。 圖7C係顯示排程時製作之臨時時間表之時序圖。 圖8係用以說明處理區域選擇處理(圖6之步驟S3)之一例之流程圖。 圖9A係顯示記憶於電腦之記憶部之處理區域資料之一例之表。 圖9B係顯示記憶於電腦之記憶部之處理區域資料之一例之表。 圖10A係顯示製作第1片基板之排程表時之可投入率、區域最終使用時刻、最舊腔室數、及有效腔室數之一例之表。 圖10B係顯示製作第2片基板之排程表時之可投入率、區域最終使用時刻、最舊腔室數、及有效腔室數之一例之表。 圖10C係顯示製作第3片基板之排程表時之可投入率、區域最終使用時刻、最舊腔室數、及有效腔室數之一例之表。 圖10D係顯示製作第4片基板之排程表時之可投入率、區域最終使用時刻、最舊腔室數、及有效腔室數之一例之表。 圖10E係顯示製作第5片基板之排程表時之可投入率、區域最終使用時刻、最舊腔室數、及有效腔室數之一例之表。 圖11A係顯示屬於第1處理區域之4個處理單元無效之狀態下,製作第1片基板之排程表時之可投入率、區域最終使用時刻、最舊腔室數、及有效腔室數之一例之表。 圖11B係顯示屬於第1處理區域之4個處理單元無效之狀態下,製作第2片基板之排程表時之可投入率、區域最終使用時刻、最舊腔室數、及有效腔室數之一例之表。 圖11C係顯示屬於第1處理區域之4個處理單元無效之狀態下,製作第3片基板之排程表時之可投入率、區域最終使用時刻、最舊腔室數、及有效腔室數之一例之表。 圖11D係顯示屬於第1處理區域之4個處理單元無效之狀態下,製作第4片基板之排程表時之可投入率、區域最終使用時刻、最舊腔室數、及有效腔室數之一例之表。 圖11E係顯示屬於第1處理區域之4個處理單元無效之狀態下,製作第5片基板之排程表時之可投入率、區域最終使用時刻、最舊腔室數、及有效腔室數之一例之表。 圖11F係顯示屬於第1處理區域之4個處理單元無效之狀態下,製作第6片基板之排程表時之可投入率、區域最終使用時刻、最舊腔室數、及有效腔室數之一例之表。 圖12係顯示製作使用所有處理單元之排程表後之單元最終使用時刻、搬送時間、及修正單元最終使用時刻之一例之表。 圖13A係顯示製作使用所有處理單元之排程表後,製作第1片基板之排程表時之可投入率、區域最終使用時刻、最舊腔室數、及有效腔室數之一例之表。 圖13B係顯示製作使用所有處理單元之排程表後,製作第2片基板之排程表時之可投入率、區域最終使用時刻、最舊腔室數、及有效腔室數之一例之表。 圖13C係顯示製作使用所有處理單元之排程表後,製作第3片基板之排程表時之可投入率、區域最終使用時刻、最舊腔室數、及有效腔室數之一例之表。 圖13D係顯示製作使用所有處理單元之排程表後,製作第4片基板之排程表時之可投入率、區域最終使用時刻、最舊腔室數、及有效腔室數之一例之表。 圖13E係顯示製作使用所有處理單元之排程表後,製作第5片基板之排程表時之可投入率、區域最終使用時刻、最舊腔室數、及有效腔室數之一例之表。 圖14A係顯示第1實施形態之可投入率、區域最終使用時刻、最舊腔室數、及有效腔室數之一例之表,係顯示製作第1片基板之排程表前之狀態。 圖14B係顯示第1實施形態之可投入率、區域最終使用時刻、最舊腔室數、及有效腔室數之一例之表,係顯示製作第2片基板之排程表前之狀態。 圖14C係顯示第1實施形態之可投入率、區域最終使用時刻、最舊腔室數、及有效腔室數之一例之表,係顯示製作第3片基板之排程表前之狀態。 圖14D係顯示第1實施形態之可投入率、區域最終使用時刻、最舊腔室數、及有效腔室數之一例之表,係顯示製作第4片基板之排程表前之狀態。 圖14E係顯示第1實施形態之可投入率、區域最終使用時刻、最舊腔室數、及有效腔室數之一例之表,係顯示製作第5片基板之排程表前之狀態。 圖14F係顯示第1實施形態之可投入率、區域最終使用時刻、最舊腔室數、及有效腔室數之一例之表,係顯示製作第6片基板之排程表前之狀態。 圖15A係顯示第1實施例之排程表之時序圖,係顯示進行應用第1處理時間處理基板之第1製程之第1~2片基板之排程後之排程表之一例。 圖15B係顯示第1實施例之排程表之時序圖,係顯示進行應用第2處理時間處理基板之第2製程之第3~6片基板之排程後之排程表之一例。 圖16A係顯示製作第1比較例之區域使用率、區域最終使用時刻、有效腔室數之一例之表,係顯示製作第1片基板之排程表前之狀態。 圖16B係顯示製作第1比較例之區域使用率、區域最終使用時刻、有效腔室數之一例之表,係顯示製作第2片基板之排程表前之狀態。 圖16C係顯示製作第1比較例之區域使用率、區域最終使用時刻、有效腔室數之一例之表,係顯示製作第3片基板之排程表前之狀態。 圖16D係顯示製作第1比較例之區域使用率、區域最終使用時刻、有效腔室數之一例之表,係顯示製作第4片基板之排程表前之狀態。 圖16E係顯示製作第1比較例之區域使用率、區域最終使用時刻、有效腔室數之一例之表,係顯示製作第5片基板之排程表前之狀態。 圖16F係顯示製作第1比較例之區域使用率、區域最終使用時刻、有效腔室數之一例之表,係顯示製作第6片基板之排程表前之狀態。 圖17係顯示第1比較例之排程表之時序圖,係顯示以區域使用率最初優先,選擇處理區域,進行第3~6片基板之排程後之排程表之一例。 圖18係顯示第2實施例之單元最終使用時刻、搬送時間及修正單元最終使用時刻之一例之表。 圖19A係顯示第2實施例之排程表之時序圖,係顯示進行應用第1處理時間處理基板之第1製程之第1~11片基板之排程後之排程表之一例。 圖19B係顯示第2實施例之排程表之時序圖,係顯示接續圖19A。 圖19C係顯示第2實施例之排程表之時序圖,係顯示進行應用第2處理時間處理基板之第2製程之第12片基板之排程後之排程表之一例。 圖19D係顯示第2實施例之排程表之時序圖,係顯示進行應用第2處理時間處理基板之第2製程之第13~15片基板之排程後之排程表之一例。 圖20係顯示第2比較例之排程表之時序圖,係顯示以區域使用率最初優先,選擇處理區域,進行第12~15片基板之排程後之排程表之一例。
S31~S38:步驟

Claims (11)

  1. 一種基板處理方法,其係藉由基板處理裝置而執行者,該基板處理裝置具備複數個處理單元,使基板搬送系統將基板自裝載埠上之載具搬送至上述複數個處理單元,上述複數個處理單元係:形成有與上述裝載埠之距離相異之複數個處理區域,而處理基板;該基板處理方法包含如下步驟: 單元最終使用時刻取得步驟,其就上述複數個處理單元之各者,取得表示上述處理單元為了處理上述基板被最後使用之時刻之單元最終使用時刻; 修正單元最終使用時刻計算步驟,其基於上述單元最終使用時刻取得步驟中取得之複數個上述單元最終使用時刻、及將上述基板自上述裝載埠上之上述載具搬送至上述處理單元所需之上述複數個處理單元之搬送時間,就上述複數個處理單元之各者,計算表示相同之上述處理單元中自上述單元最終使用時刻減去上述搬送時間後之時刻之修正單元最終使用時刻; 區域最終使用時刻特定步驟,其基於上述修正單元最終使用時刻計算步驟中所得之複數個上述修正單元最終使用時刻,就上述複數個處理區域之各者,特定出表示屬於相同之上述處理區域之複數個上述處理單元之上述修正單元最終使用時刻中,最早時刻的區域最終使用時刻; 區域選擇步驟,其基於上述區域最終使用時刻特定步驟中特定出之複數個上述區域最終使用時刻,自上述複數個處理區域中,選擇上述區域最終使用時刻最早之1個上述處理區域; 單元選擇步驟,其自屬於上述區域選擇步驟中選擇之上述處理區域之複數個上述處理單元中,選擇1個上述處理單元;及 基板搬送步驟,其使上述搬送系統將上述基板,自上述裝載埠上之上述載具,搬送至上述單元選擇步驟中選擇之上述處理單元。
  2. 一種基板處理方法,其係藉由基板處理裝置而執行者,該基板處理裝置具備複數個處理單元,使基板搬送系統將基板自裝載埠上之載具搬送至上述複數個處理單元,上述複數個處理單元係:形成有與上述裝載埠之距離相異之複數個處理區域,而處理基板;該基板處理方法包含如下步驟: 單元最終使用時刻取得步驟,其就上述複數個處理單元之各者,取得表示上述處理單元為了處理上述基板被最後使用之時刻之單元最終使用時刻; 區域最終使用時刻特定步驟,其基於上述單元最終使用時刻取得步驟中取得之複數個上述單元最終使用時刻,就上述複數個處理區域之各者,特定出表示屬於相同之上述處理區域之複數個上述處理單元之上述單元最終使用時刻中最早時刻之區域最終使用時刻; 區域選擇步驟,其基於上述區域最終使用時刻特定步驟中特定出之複數個上述區域最終使用時刻,自上述複數個處理區域中選擇上述區域最終使用時刻最早之1個上述處理區域; 單元選擇步驟,其自屬於上述區域選擇步驟中選擇之上述處理區域之複數個上述處理單元中,選擇1個上述處理單元;及 基板搬送步驟,其使上述搬送系統將上述基板,自上述裝載埠上之上述載具,搬送至上述單元選擇步驟中選擇之上述處理單元。
  3. 如請求項1之基板處理方法,其中於上述修正單元最終使用時刻計算步驟之前,進而包含搬送時間登錄步驟,其登錄相同值作為用於屬於相同之上述處理區域之複數個上述處理單元之上述搬送時間。
  4. 如請求項1至3中任一項之基板處理方法,其中上述區域選擇步驟包含如下步驟:第1檢索步驟,其於上述複數個處理區域中,檢索上述區域最終使用時刻最早之上述處理區域;第2檢索步驟,其於上述第1檢索步驟中找到複數個上述處理區域作為候補區域之情形時,於上述候補區域所含之複數個上述處理區域中,檢索上述單元最終使用時刻最早之上述處理單元之數最大之上述處理區域;及選擇步驟,其自上述第2檢索步驟中所找到之至少1個上述處理區域中,選擇1個上述處理區域。
  5. 如請求項1至3中任一項之基板處理方法,其進而包含基板處理步驟,其以比搬送至上述複數個處理單元之任一者之最近的基板處理時間短之處理時間,於上述基板搬送步驟後,使上述單元選擇步驟中選擇之上述處理單元處理上述基板。
  6. 一種基板處理裝置,其包含: 裝載埠,其載置收納基板之載具; 複數個處理單元,其形成有與上述裝載埠之距離相異之複數個處理區域,處理自上述裝載埠上之上述載具搬送來之上述基板; 基板搬送系統,其於上述裝載埠上之上述載具與上述複數個處理單元間搬送上述基板;及 控制裝置,其控制上述基板搬送系統,且 上述控制裝置執行如下步驟: 單元最終使用時刻取得步驟,其就上述複數個處理單元之各者,取得表示上述處理單元為了處理上述基板被最後使用之時刻之單元最終使用時刻; 修正單元最終使用時刻計算步驟,其基於上述單元最終使用時刻取得步驟中取得之複數個上述單元最終使用時刻、及將上述基板自上述裝載埠上之上述載具搬送至上述處理單元所需之上述複數個處理單元之搬送時間,就上述複數個處理單元之各者,計算表示相同之上述處理單元中自上述單元最終使用時刻減去上述搬送時間後之時刻之修正單元最終使用時刻; 區域最終使用時刻特定步驟,其基於上述修正單元最終使用時刻計算步驟中所得之複數個上述修正單元最終使用時刻,就上述複數個處理區域之各者,特定出表示屬於相同之上述處理區域之複數個上述處理單元之上述修正單元最終使用時刻中最早時刻之區域最終使用時刻; 區域選擇步驟,其基於上述區域最終使用時刻特定步驟中特定出之複數個上述區域最終使用時刻,自上述複數個處理區域中選擇上述區域最終使用時刻最早之1個上述處理區域; 單元選擇步驟,其自屬於上述區域選擇步驟中選擇之上述處理區域之複數個上述處理單元中,選擇1個上述處理單元;及 基板搬送步驟,其使上述基板搬送系統將上述基板,自上述裝載埠上之上述載具,搬送至上述單元選擇步驟中選擇之上述處理單元。
  7. 一種基板處理裝置,其包含: 裝載埠,其載置收納基板之載具; 複數個處理單元,其形成有與上述裝載埠之距離相異之複數個處理區域,處理自上述裝載埠上之上述載具搬送來之上述基板; 基板搬送系統,其於上述裝載埠上之上述載具與上述複數個處理單元間搬送上述基板;及 控制裝置,其控制上述基板搬送系統,且 上述控制裝置執行如下步驟: 單元最終使用時刻取得步驟,其就上述複數個處理單元之各者,取得表示上述處理單元為了處理上述基板被最後使用之時刻之單元最終使用時刻; 區域最終使用時刻特定步驟,其基於上述單元最終使用時刻取得步驟中取得之複數個上述單元最終使用時刻,就上述複數個處理區域之各者,特定出表示屬於相同之上述處理區域之複數個上述處理單元之上述單元最終使用時刻中最早時刻之區域最終使用時刻; 區域選擇步驟,其基於上述區域最終使用時刻特定步驟中特定出之複數個上述區域最終使用時刻,自上述複數個處理區域中,選擇上述區域最終使用時刻最早之1個上述處理區域; 單元選擇步驟,其自屬於上述區域選擇步驟中選擇之上述處理區域之複數個上述處理單元中,選擇1個上述處理單元;及 基板搬送步驟,其使上述基板搬送系統將上述基板,自上述裝載埠上之上述載具,搬送至上述單元選擇步驟中選擇之上述處理單元。
  8. 如請求項6之基板處理裝置,其中上述控制裝置於執行上述修正單元最終使用時刻計算步驟前,進而執行搬送時間登錄步驟,其登錄相同值作為用於屬於相同之上述處理區域之複數個上述處理單元之上述搬送時間。
  9. 如請求項6至8中任一項之基板處理裝置,其中上述區域選擇步驟包含如下步驟:第1檢索步驟,其於上述複數個處理區域中檢索上述區域最終使用時刻最早之上述處理區域;第2檢索步驟,其於上述第1檢索步驟中找到複數個上述處理區域作為候補區域之情形時,於上述候補區域所含之複數個上述處理區域中,檢索上述單元最終使用時刻最早之上述處理單元之數最大之上述處理區域;及選擇步驟,其自上述第2檢索步驟中找到之至少1個上述處理區域中,選擇1個上述處理區域。
  10. 如請求項6至8中任一項之基板處理裝置,其中上述控制裝置進而執行基板處理步驟,其以比搬送至上述複數個處理單元之任一者之最近的基板處理時間短之處理時間,於上述基板搬送步驟後,使上述單元選擇步驟中選擇之上述處理單元處理上述基板。
  11. 一種電腦可讀取之記錄媒體,其係記錄有電腦程式者,該電腦程式係藉由包含於基板處理裝置之控制裝置而執行,該基板處理裝置具備複數個處理單元,使基板搬送系統將基板自裝載埠上之載具搬送至上述複數個處理單元,上述複數個處理單元係:形成有與上述裝載埠之距離相異之複數個處理區域,而處理基板, 該電腦程式係以使作為上述控制裝置之電腦執行如請求項1至3中任一項之基板處理方法之方式,編入步驟群者。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW202137380A (zh) * 2019-12-13 2021-10-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
JP7311553B2 (ja) * 2021-03-29 2023-07-19 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
CN113299587B (zh) * 2021-05-21 2022-04-26 无锡亚电智能装备有限公司 一种晶圆清洗工艺任务排列方法及装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2982038B2 (ja) * 1994-04-01 1999-11-22 東京エレクトロン株式会社 被処理体の処理のスケジューリング方法及びその装置
JPH10335415A (ja) * 1997-05-30 1998-12-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理時間の設定方法
JPH11163087A (ja) * 1997-12-01 1999-06-18 Toshiba Microelectronics Corp 基板処理装置及び搬送スケジューリング方法
EP1255294A4 (en) * 2000-01-17 2009-01-21 Ebara Corp SEMI-SLIDE TRANSPORT CONTROL APPARATUS AND METHOD OF TRANSPORTING SEMICONDUCTED DISCS
JP2001351848A (ja) * 2000-06-07 2001-12-21 Tokyo Electron Ltd 基板処理システム及び基板処理方法
JP2003224174A (ja) * 2002-01-30 2003-08-08 Seiko Epson Corp 半導体製造装置及び制御方法
JP4428717B2 (ja) * 2006-11-14 2010-03-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理システム
JP5282021B2 (ja) * 2009-12-14 2013-09-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体処理システム及び半導体処理方法
JP5392190B2 (ja) * 2010-06-01 2014-01-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び基板処理方法
JP6105982B2 (ja) * 2012-09-21 2017-03-29 株式会社Screenホールディングス スケジュール作成装置、基板処理装置、スケジュール作成プログラム、スケジュール作成方法、および基板処理方法
JP6538436B2 (ja) * 2015-06-18 2019-07-03 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6626392B2 (ja) * 2016-03-30 2019-12-25 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

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