TW202044386A - 積層膜、具備積層膜的基板保持裝置及基板處理裝置 - Google Patents

Abstract

本發明為積層膜、具備積層膜的基板保持裝置及基板處理裝置。不使用形狀複雜的模具而製造具備多個壓力室的彈性部件。根據一實施方式，提供用於基板處理裝置的基板保持部的積層膜。該積層膜具有第一片材料，和配置在上述第一片材料的上面的第二片材料，上述第一片材料的一部分固定於上述第二片材料的一部分。

Description

積層膜、具備積層膜的基板保持裝置及基板處理裝置

本發明關於積層膜（日文：メンブレン，英文：membrane）、具備積層膜的基板保持裝置及基板處理裝置。本申請主張基於2019年4月2日申請的日本專利申請號第2019-70612號的優先權。日本專利申請號第2019-70612號的包括說明書、發明保護的請求範圍、附圖及摘要的全部公開內容，通過參照而整體援引於本申請。

在半導體設備的製造中，為了使基板的表面平坦化而使用化學機械研磨（CMP）裝置。在半導體設備的製造中使用的基板在大多情況下為圓板形狀。並且，不僅半導體設備，在使CCL基板（Copper Clad Laminate基板）、PCB（Printed Circuit Board）基板、光掩膜基板、顯示板等四邊形的基板的表面平坦化時對平坦度的要求也在提高。並且，對於使配置有PCB基板等電子設備的封裝基板的表面平坦化的要求也在提高。

先前技術文獻 [專利文獻] [專利文獻1]日本特開2018-183820號公報 [專利文獻2]日本特開2009-131946號公報

在CMP裝置中，將作為研磨對象的基板保持於頂環，一邊將基板按壓在配置於研磨臺上的研磨墊，一邊使基板與研磨墊相對移動（例如旋轉）而對基板進行研磨。有時為了將基板均勻地研磨，而針對基板的每個區域對與研磨墊的接觸壓力進行控制。例如，在頂環的基板保持面配置具備多個壓力室的彈性部件，通過對各個壓力室的壓力進行控制而能夠針對基板的每個區域對與研磨墊的接觸壓力進行控制（例如，專利文獻1、2）。

由於這樣的彈性部件需要形成為具備多個壓力室，因此大多成為複雜的形狀。形狀複雜的彈性部件可以用具備相應形狀的模具製造。但是，製作具備複雜的形狀的模具會花費費用和時間。並且，如上述那樣由CMP裝置研磨的基板，不僅為現有技術那樣的標準化了的固定的尺寸的半導體基板，還存在不定型的各種各樣的尺寸的四邊形的基板。與各種各樣的尺寸的基板對應地設計彈性部件，與各個設計對應地製作模具使費用及時間的負擔非常大。於是，不使用形狀複雜的模具來製造具備多個壓力室的彈性部件是有益的。 [用於解決課題的技術手段]

根據一實施方式，提供用於基板處理裝置的基板保持部的積層膜。該積層膜具有第一片材料；以及第二片材料，該第二片材料配置在上述第一片材料的上面，上述第一片材料的一部分固定於上述第二片材料的一部分。

以下，與附圖一起對本發明關於的積層膜、積層膜的製造方法、及具備積層膜的基板處理裝置進行說明。在附圖中，對相同或類似的要素賦予相同或類似的附圖標記，在各實施方式的說明中有時省略對相同或類似的要素的重複說明。並且，各實施方式中所示的特徵，只要不相互矛盾則也可以適用於其它的實施方式。另外，本說明書中的“基板”不僅包括半導體基板、玻璃基板、印刷電路基板，還包括磁記錄介質、磁記錄感測器、鏡、光學元件、微小機械元件、或部分地製作的積體電路。

圖1是表示關於基板處理裝置1000的整體結構一實施方式的俯視圖。圖1所示的基板處理裝置1000具有裝載單元100、搬送單元200、研磨單元300、乾燥單元500、及卸載單元600。在圖示的實施方式中，搬送單元200具有兩個搬送單元200A、200B，研磨單元300具有兩個研磨單元300A、300B。在一實施方式中，這些各單元可以獨立地形成。通過將這些單元獨立地形成，可以將各單元的數量任意組合而簡單地形成結構不同的基板處理裝置1000。並且，基板處理裝置1000具備控制裝置900，基板處理裝置1000的各結構要素通過控制裝置900進行控制。在一實施方式中，控制裝置900可以由具備輸入輸出裝置、運算裝置、存儲裝置等的一般的計算機構成。 （裝載單元）

裝載單元100是用來將進行研磨及清洗等處理前的基板WF向基板處理裝置1000內導入的單元。圖2是示意地表示關於裝載單元100一實施方式的側面圖。在一實施方式中，裝載單元100具備殼體102。殼體102在接納基板WF那側具備入口開口104。在圖2所示的實施方式中，右側為入口側。裝載單元100從入口開口104接納作為處理對象對基板WF。在裝載單元100的上游（圖2中的右側）配置處理裝置，該處理裝置實施本發明關於的基板處理裝置1000進行的基板WF的處理之前的處理工序。在圖2所示的實施方式中，裝載單元100具備ID讀取器106。ID讀取器106讀取從入口開口104所接納的基板的ID。基板處理裝置1000根據所讀取的ID對基板WF進行各種處理。在一實施方式中，也可以沒有ID讀取器106。在一實施方式中，裝載單元100依據SMEMA（Surface Mount Equipment Manufacturers Association）的機械裝置介面標準（IPC-SMEMA-9851）而構成。

在圖2所示的實施方式中，裝載單元100具備用來搬送基板WF的多個搬送輥202。通過由與後述的搬送單元中的旋轉機構相同的結構使搬送輥202旋轉，從而可以將搬送輥202上的基板WF向規定的方向（圖2中為左方）搬送。在圖示的實施方式中，裝載單元100的殼體102具有基板WF的出口開口108。裝載單元100具有用來檢測是否在搬送輥202上的規定的位置存在基板WF的感測器112。感測器112可以為任意地形式的感測器，例如可以為光學式的感測器。在圖2所示的實施方式中，感測器112在殼體102內設有三個，一個是設於入口開口104附近的感測器112a，一個是設於裝載單元100的中央附近的感測器112b，另一個是設於出口開口108附近的感測器112c。在一實施方式中，可以根據由這些感測器112對基板WF的檢測，對裝載單元100的動作進行控制。例如，如果入口開口104附近的感測器112a檢測到基板WF的存在，可以使裝載單元100內的搬送輥202的旋轉起動，並且也可以改變搬送輥202的旋轉速度。並且，如果出口開口108附近的感測器112c檢測到基板WF的存在，也可以將作為後續的單元的搬送單元200A的入口閘門218打開。

在圖示的實施方式中，裝載單元100的搬送機構具有多個搬送輥202，和安裝搬送輥202的多個輥軸204。在圖1所示的實施方式中，在各輥軸204上安裝有三個搬送輥202。基板WF配置在搬送輥202上，通過搬送輥202旋轉來搬送基板WF。輥軸204上的搬送輥202的安裝位置，只要是能夠穩定地搬送基板WF的位置則可以為任意位置。但是，由於搬送輥202與基板WF接觸，因此應該配置成搬送輥202與作為處理物件的基板WF接觸也沒有問題的區域進行接觸。在一實施方式中，裝載單元100的搬送輥202可以由導電性聚合物構成。在一實施方式中，搬送輥202經輥軸204等電接地。這是為了防止基板WF帶電而損傷基板WF。並且，在一實施方式中，為了防止基板WF帶電，也可以在裝載單元100上設置離子發生器（未圖示）。

如圖2所示，裝載單元100在入口開口104及出口開口108的附近設有輔助輥214。輔助輥214配置在與搬送輥202相同程度的高度。輔助輥214對基板WF進行支承以使搬送中的基板WF不在單元與其它的單元之間墜落。輔助輥214未與動力源連接，構成為能夠自由旋轉。 （搬送單元）

圖3是示意地表示關於搬送單元200一實施方式的側面圖。圖1所示的基板處理裝置1000具備兩個搬送單元200A、200B。兩個搬送單元200A、200B可以為相同的結構，因此，以下統一作為搬送單元200進行說明。

圖示的搬送單元200具備用來搬送基板WF的多個搬送輥202。通過使搬送輥202旋轉，可以將搬送輥202上的基板WF向規定的方向搬送。搬送單元200的搬送輥202可以由導電性聚合物形成，也可以由非導電性的聚合物形成。搬送輥202安裝在輥軸204上，借助齒輪206由馬達208驅動。在一實施方式中，馬達208可以為伺服馬達。通過使用伺服馬達，可以對輥軸204及搬送輥202的旋轉速度、即基板WF的搬送速度進行控制。並且，在一實施方式中，齒輪206可以為磁性齒輪。磁性齒輪為非接觸式的動力傳遞機構，因此不會如接觸式的齒輪那樣因磨耗而產生微粒，並且，也不需要供油等維護。圖示的搬送單元200具有用來檢測是否在搬送輥202上的規定的位置存在基板WF的感測器216。感測器216可以為任意地形式的感測器，例如可以為光學式的感測器。在圖3所示的實施方式中，感測器216在搬送單元200設有七個（216a～216g）。在一實施方式中，可以根據由這些感測器216a～216g對基板WF的檢測來控制搬送單元200的動作。如圖3所示，搬送單元200為了在搬送單元200內接納基板WF而具有能夠開閉的入口閘門218。

如圖3所示，搬送單元200具有止動件220。止動件220與止動件移動機構222連接，止動件220能夠進入在搬送輥202上移動的基板WF的搬送路徑內。當止動件220位於基板WF的搬送路徑內時，在搬送輥202上移動的基板WF的側面與止動件220接觸，可以使移動中的基板WF停止在止動件220的位置。並且，當止動件220處於從基板WF的搬送路徑退避的位置時，基板WF可以在搬送輥202上移動。基板WF基於止動件220的停止位置，是後述的推壓件230能夠接受搬送輥202上的基板WF的位置（基板交接位置）。

如圖3所示，搬送單元200具有推壓件230。推壓件230被構成為能夠將處於多個搬送輥202上面的基板WF抬起而使基板WF從多個搬送輥202離開。而且推壓件230被構成為能夠將保持著的基板WF與搬送單元200的搬送輥202進行交接。

推壓件230具備第一載物台232和第二載物台270。第一載物台232，是在將基板WF從推壓件230向後述的頂環302交接時用來支承頂環302的保持器部件3的載物台。第一載物台232具備用來支承頂環302的保持器部件3的多個支承柱234。第二載物台270是用來接受搬送輥202上的基板WF的載物台。第二載物台270具備用來接受搬送輥202上的基板WF的多個支承柱272。第一載物台232和第二載物台270能夠由第一升降機構向高度方向移動。第二載物台270還能夠通過第二升降機構相對於第一載物台232向高度方向移動。當通過第一升降機構和第二升降機構使第一載物台232和第二載物台270上升時，第一載物台232的支承柱234和第二載物台270的支承柱272的一部分在搬送輥202及輥軸204之間通過而來到比搬送輥202高的位置。在搬送輥202上搬送的基板WF被止動件220停止在基板交接位置。然後，由第一升降機構使第一載物台232和第二載物台270上升，由第二載物台270的支承柱272將搬送輥202上的基板WF抬起。然後，一邊由第一載物台232的支承柱234支承頂環302的保持器部件3，一邊由第二升降機構使保持著基板WF的第二載物台270上升。通過真空吸附等由頂環302接受並保持第二載物台270上的基板WF。

在一實施方式中，搬送單元200具有清洗部。如圖3所示，清洗部具有清洗嘴284。清洗嘴284具有配置在搬送輥202的上側的上清洗嘴284a，和配置在下側的下清洗嘴284b。上清洗嘴284a及下清洗嘴284b與未圖示的清洗液的供給源連接。上清洗嘴284a被構成為對在搬送輥202上搬送的基板WF的上面供給清洗液。下清洗嘴284b被構成為對在搬送輥202上搬送的基板WF的下面供給清洗液。上清洗嘴284a及下清洗嘴284b具備與在搬送輥202上搬送的基板WF的寬度相同程度的或其以上的寬度，構成為，通過將基板WF在搬送輥202上搬送，從而清洗基板WF的整個面。如圖3所示，清洗部位於搬送單元200的推壓件230的基板交接場所的下游側。 （研磨單元）

圖4是概略地表示關於研磨單元300的結構一實施方式的立體圖。圖1所示的基板處理裝置1000具備兩個研磨單元300A、300B。兩個研磨單元300A、300B可以為相同的結構，因此，以下統一作為研磨單元300進行說明。

如圖4所示，研磨單元300具備研磨台350和頂環302，頂環302構成保持作為研磨對象物的基板而向研磨台350上的研磨面進行按壓的研磨頭。研磨台350借助台軸351與配置在其下方的研磨台旋轉馬達（未圖示）連結，能夠繞該台軸351旋轉。在研磨台350的上面粘貼有研磨墊352，研磨墊352的表面352a構成對基板進行研磨的研磨面。在一實施方式中，研磨墊352也可以借助用來使從研磨台350的剝離變得容易的層進行粘貼。這樣的層，例如有矽層、氟系樹脂層等，例如也可以使用日本特開2014-176950號公報等記載的層。

在研磨台350的上方設有研磨液供給噴嘴354，通過此研磨液供給噴嘴354向研磨台350上的研磨墊352上供給研磨液。並且，如圖4所示，在研磨台350及台軸351上設有用來供給研磨液的通路353。通路353與研磨台350的表面的開口部355連通。研磨墊352在與研磨台350的開口部355對應的位置形成有貫通孔357，通過通路353的研磨液從研磨台350的開口部355及研磨墊352的貫通孔357向研磨墊352的表面供給。另外，研磨台350的開口部355及研磨墊352的貫通孔357可以為一個也可以為多個。並且，研磨台350的開口部355及研磨墊352的貫通孔357的位置為任意，但是在一實施方式中被配置在研磨台350的中心附近。

雖然在圖4中未圖示，但是，在一實施方式中，研磨單元300具備用來將液體或液體與氣體的混合流體向研磨墊352進行噴射的噴霧器358（參照圖1）。從噴霧器358噴射的液體，例如為純水，氣體或例如為氮氣。

頂環302與頂環軸18連接，此頂環軸18通過上下運動機構而相對於擺臂360上下運動。通過此頂環軸18的上下運動，頂環302的整體相對於擺臂360上下運動而進行定位。頂環軸18通過未圖示的頂環旋轉馬達的驅動進行旋轉。通過頂環軸18的旋轉，頂環302以頂環軸18為中心進行旋轉。

另外，能夠從市場入手的研磨墊有各種各樣的研磨墊，例如，有霓塔哈斯公司(NittaHaas（ニッタ・ハース）)株式會社製造的SUBA800（“SUBA”為註冊商標）、IC-1000、IC-1000／SUBA400（雙層布）、Fujimi公司(日文:フジミインコーポレイテッド社)製造的Surfin  xxx-5、Surfin  000等（“surfin”為註冊商標）。SUBA800、Surfin  xxx-5、Surfin  000是用聚氨酯樹脂將纖維固定的無織布，IC-1000是硬質的發泡聚氨酯（單層）。發泡聚氨酯呈多孔性（多孔體狀），在其表面具有多個細微的凹坑或孔。

頂環302形成為能夠在其下面保持四邊形的基板。擺臂360被構成為能夠以支軸362為中心回轉。頂環302通過擺臂360的回轉而能夠在上述搬送單元200的基板交接位置與研磨台350的上方之間移動。通過使頂環軸18下降，可以使頂環302下降而將基板按壓在研磨墊352的表面（研磨面）352a。此時，分別使頂環302及研磨台350旋轉，從設於研磨台350的上方的研磨液供給噴嘴354，及/或從設於研磨台350的開口部355向研磨墊352上供給研磨液供給。這樣，能夠將基板按壓在研磨墊352的研磨面352a而對基板的表面進行研磨。在基板WF的研磨中，也能夠以頂環302通過研磨墊352的中心的方式（覆蓋研磨墊352的貫通孔357的方式）將臂360固定或使擺臂360擺動。

關於研磨單元300一實施方式具備對研磨墊352的研磨面352a進行修整的修整單元356。此修整單元356具備與研磨面352a滑動接觸的修整器50、連結修整器50的修整器軸51、和旋轉自如地支承修整器軸51的擺臂55。修整器50的下部由修整部件50a構成，在此修整部件50a的下面附著了針狀的金剛砂顆粒。

擺臂55由未圖示的馬達驅動，構成為能夠以支軸58為中心回轉。修整器軸51通過未圖示的馬達的驅動進行旋轉，通過此修整器軸51的旋轉使修整器50繞修整器軸51旋轉。並且，修整器軸51構成為能上下運動，可以借助修整器軸51使修整器50上下運動，將修整器50以規定的按壓力按壓在研磨墊352的研磨面352a。

研磨墊352的研磨面352a的修整如下述那樣進行。修整器50通過氣缸等按壓在研磨面352a，與此同時從未圖示的純水供給噴嘴向研磨面352a供給純水。在此狀態下，修整器50繞修整器軸51旋轉，使修整部件50a的下面（金剛砂顆粒）與研磨面352a滑動接觸。這樣，通過修整器50切削研磨墊352，對研磨面352a進行修整。

接著，對關於的研磨單元300中的頂環302一實施方式進行說明。圖5是關於對作為研磨物件物的基板進行保持而將基板按壓於研磨墊上的研磨面的、頂環302一實施方式的示意剖面圖。在圖5中，僅示意地圖示了構成頂環302的主要結構要素。圖6是從研磨台350側觀察一關於頂環302實施方式的圖。

如圖5所示，頂環302具有將基板WF對研磨面352a進行按壓的頂環主體2，和用來防止保持於頂環主體2的基板在研磨中從頂環主體2飛出的保持器部件3。並且，保持器部件3也可以構成為直接對研磨面352a進行按壓。並且，保持器部件3也可以構成為與研磨面352a不接觸。頂環主體2與頂環軸18連結，能隨著頂環軸18的旋轉而旋轉。頂環主體2也可以將多個部件組合而構成。頂環主體2由大致四邊形的平板狀的部件構成，保持器部件3安裝在頂環主體2的外周部。

在一實施方式中，保持器部件3如圖6所示那樣為細長的長方形板狀的部件。在圖6所示的實施方式中，保持器部件3將四根板狀的部件設於四邊形的頂環主體2的各邊的外周部。並且，在一實施方式中，如圖6所示那樣，保持器部件3具備多個槽3a。圖6所示的保持器部件3形成從頂環302的內側向外側延伸的槽3a。另外，在一實施方式中，也可以採用不具備槽3a的保持器部件3。頂環主體2由不銹鋼（SUS）等金屬、工程塑料（例如，PEEK）等樹脂形成。與基板的背面接觸的彈性膜（膜）安裝於頂環主體2的下面。另外，頂環主體2也可以將多個部件結合而構成。

在一實施方式中，彈性膜（膜）是圖示那樣的將多個片材料層疊的積層膜320。本發明中的“片材料”，是指在未施加力的自然狀態下，去除材料的厚度而由二維結構構成的材料。即，片材料在未施加外力的自然狀態下，不具備厚度方向上的結構、形狀特徵。在一實施方式中，構成積層膜320的各片材料由乙烯丙烯橡膠（EPDM）、聚氨基甲酸乙酯橡膠、矽橡膠等強度和耐久性優異的橡膠材料形成。

如圖5所示，在積層膜320中，鄰接的片材料的一部分彼此粘接。因此，積層膜320具備多個壓力室。在圖5所示的實施方式中，積層膜320由三張片材料320a、320b、320c形成，具備第一壓力室322a、第二壓力室322b、第三壓力室322c。在圖5所示的實施方式中，三張片材料記載為自基板側開始的第一片材料320a、第二片材料320b、和第三片材料320c。在圖5所示的實施方式中，第一片材料320a的端部由保持器部件3與第一膜固持器325保持。並且，第二片材料320b的端部由第一膜固持器325和第二膜固持器327保持。第三片材料320c的端部由第二膜固持器327及頂環主體2保持。如圖所示，在第一片材料320a與第二片材料320b之間劃定第一壓力室322a，在第二片材料320b與第三片材料320c之間劃定第二壓力室322b，在第三片材料320c與頂環主體2之間劃定第三壓力室322c。在圖5所示的實施方式中，第一壓力室322a與流路11連接，第二壓力室322b與流路12連接，第三壓力室322c與流路13連接。各流路11、12、13能夠與流體源（例如，高壓縮的空氣或氮）及/或真空源連結，可以對各壓力室322a、322b、322c的壓力分別獨立地進行控制。

在一實施方式中，如圖5所示，積層膜320可以具備真空吸附孔328。真空吸附孔328用來將基板WF真空吸附在積層膜320的下面。並且，真空吸附孔328也可以用於將基板從頂環302拆卸。例如，通過從真空吸附孔328供給流體（例如空氣或氮）可以將保持在積層膜320下面的基板WF拆卸。

圖7是表示關於積層膜320的三張片材料320a、320b、320c的粘接區域一實施方式的立體圖。在圖7所示的實施方式中，第一片材料320a配置在與基板接觸的最下面，第二片材料320b配置在第一片材料320a的上面，第三片材料320c配置在最上面。在圖示的實施方式中，第一片材料320a與第二片材料320b的影線區域粘接。並且，第二片材料320b與第三片材料320c的影線區域粘接。並且，如圖7所示，在第一片材料320a形成四個真空吸附孔328，進而，在第二片材料320b和第三片材料320c的對應位置分別形成真空吸附孔328。通過如圖7所示那樣將三張片材料320a、320b、320c粘接層疊，可以形成圖5所示的三個壓力室322a、322b、322c。另外，圖5、7所示的積層膜320的結構為一例，片材料的數量、粘接區域是任意的。

圖8是用來說明一實施方式關於的製造積層膜320的方法的圖。圖9是表示一實施方式關於的、製造積層膜320的方法的流程圖。首先，準備層疊的片材料。在圖示的例子中，準備第一片材料320a和第二片材料320b。第一片材料320a可以作為與基板接觸的配置在最下面的片材料。並且，第一片材料320a和第二片材料320b例如可以為硫化後的橡膠材料。作為一例，第一片材料320a和第二片材料320b可以使用矽橡膠。另外，第二片材料320b可以是與第一片材料320a相同的材料，也可以是與第一片材料320a不同的材料。

接著，對第一片材料320a的上表面的一部分和第二片材料320b的下表面的一部分實施表面改性處理。表面改性處理在第一片材料320a和第二片材料320b進行粘接的區域實施。一般情況下，橡膠材料難以通過粘接劑粘接，因此，通過將片材料的表面改性而容易通過粘接劑進行粘接。表面改性處理，例如可以為，在第一片材料320a和第二片材料320b的表面形成親水性高的氧化矽膜。作為表面改性處理，例如可以實施框架黏合（日文：フレイムボンド）（註冊商標）。

接著，在第一片材料320a的實施了表面改性處理的區域及/或第二片材料320b的實施了表面改性處理的區域塗覆粘接劑。粘接劑最好為彈性粘接劑，以便能夠保持片材料的彈性。

接著，在第一片材料320a的上面配置第二片材料320b，將第一片材料320a與第二片材料320b粘接。在圖示的例子中，表示將第一片材料320a和第二片材料320b粘接的方法，但是也可以按同樣的方法進一步層疊更多的片材料。可以按照這樣的工序對任意數量的多個片材料進行粘接層疊而形成積層膜320。並且，在上述方法中，可以將鄰接的片材料的任意的區域粘接。並且，在上述實施方式關於的方法中僅使用不具備複雜的三維結構的二維結構的片材料，因此可以不使用具備複雜形狀的模具而形成具備多個壓力室322的積層膜320。

圖10是用來說明關於製造積層膜320一實施方式的方法的圖。圖11是表示關於製造積層膜320一實施方式的方法的流程圖。首先，將第一片材料320a配置在模具內。此模具只要是能夠穩定地配置第一片材料320a和在其後層疊的第二片材料320b等的形狀即可，可以為簡單形狀的模具。例如，模具可以是劃定具備與第一片材料320a的外形一致的平坦的底面的凹部的模具。第一片材料320a可以是與基板接觸的配置在最下面的片材料。並且，第一片材料320a例如可以是硫化後的橡膠材料。作為一例，第一片材料320a可以使用矽橡膠。

接著，在第一片材料320a的上表面的一部分配置氟樹脂製造的片。氟樹脂製造的片例如可以為聚四氟乙烯的片（PTFE片）。PTFE片配置在不與第二片材料320b粘接的區域。接著，在第一片材料320a的上面配置第二片材料320b。在一實施方式中，第二片材料320b可以是未硫化的橡膠材料。然後，對第二片材料320b實施硫化處理。硫化處理例如可以是對第二片材料320b進行加壓和加熱。通過實施硫化處理，在配置了PTFE片的區域以外，可以將第一片材料320a與第二片材料320b粘接。進行硫化處理後去除PTFE片。

在用圖10及圖11說明的方法中可以將任意數量的片材料層疊而形成積層膜320。並且，在上述方法中，可以將鄰接的片材料的任意的區域粘接。例如，通過反復進行如下的操作：在進行了硫化處理的第二片材料320b的上面配置PTFE片、在其上面配置由未硫化的橡膠材料構成的片材料、實施硫化處理、去除PTFE片，從而，可以將任意數量的片材料的任意的區域粘接。在上述實施方式關於的方法中，由於僅使用不具備複雜的三維結構的二維結構的片材料，因此僅使用簡單形狀的模具而不使用具備複雜形狀的模具，就可以形成具備多個壓力室322的積層膜320。

圖12是用來說明關於製造積層膜320一實施方式的方法的圖。圖13是表示關於製造積層膜320一實施方式的方法的流程圖。首先，準備第一片材料320a和第二片材料320b。第一片材料320a可以是配置在與基板接觸的最下面的片材料。第一片材料320a和第二片材料320b，例如可以是硫化後的橡膠材料。作為一例，第一片材料320a和第二片材料320b可以使用矽橡膠。

接著，對第一片材料320a的上表面的一部分及/或第二片材料的下表面的一部分塗覆氟樹脂塗層。氟樹脂塗層，例如可以是PTFE塗層。PTFE塗層塗覆可以在第一片材料320a中的不與第二片材料320b粘接的區域實施。並且，PTFE塗層塗覆可以在第二片材料320b中的不與第一片材料320a粘接的區域實施。

接著，在模具內配置第一片材料320a。此模具只要是能夠穩定地配置第一片材料320a和其後層疊的第二片材料320b等的形狀即可，可以是簡單形狀的模具。例如，模具可以是劃定具備與第一片材料320a的外形一致的平坦底面的凹部的模具。

接著，在第一片材料320a的上表面的一部分及/或第二片材料320b的下表面的一部分配置未硫化的橡膠材料。未硫化的橡膠材料可以配置在第一片材料320a與第二片材料320b不進行粘接的區域。然後，以使第二片材料320b的下表面與第一片材料320a的上表面不接觸的方式，將第二片材料320b配置在第一片材料320a的上面。接著，實施硫化處理，從而將第一片材料320a和第二片材料320b粘接。硫化處理例如可以通過從第二片材料320b的上面進行加壓和加熱來進行。通過實施硫化處理，在塗覆了PTFE塗層的區域以外的賦予了未硫化橡膠的區域中，第一片材料320a與第二片材料320b可以進行粘接。

在由圖12及圖13說明的方法中可以將任意數量的片材料層疊而形成積層膜320。並且，在上述方法中，可以將鄰接的片材料的任意的區域粘接。並且，在上述實施方式關於的方法中，僅使用不具備複雜的三維結構的二維結構的片材料，因此僅使用簡單形狀的模具而不使用具有複雜形狀的模具就可以形成具備多個壓力室322的積層膜320。並且，在圖12及圖13中，對兩個片材料粘接的情況進行了說明，但是作為一實施方式，也可以在鄰接的片材料的粘接區域配置未硫化橡膠材料，對不進行粘接的區域塗覆PTFE塗層，而層疊三個以上的片材料。在此情況下，通過將三個以上的全部的片材料層疊後進行硫化處理，從而可以將全部的片材料通過一次硫化處理進行粘接。

圖14是表示關於具備積層膜320的頂環302的一部分一實施方式的剖面圖。在圖14所示的實施方式中，頂環302具有頂環主體2及保持器部380。頂環主體2是整體為大致四邊形的形狀（參照圖4），具備四邊形的板狀的上部件303、安裝在上部件303的下面的中間部件304、安裝在中間部件304的下面的下部件306。保持器部380安裝在上部件303的外周部。上部件303通過螺栓等與頂環軸18（圖4）連結。並且，中間部件304通過螺栓等與上部件303連結。下部件306通過螺栓等與上部件303連結。上部件303、中間部件304、及下部件306可以由金屬材料、塑膠材料形成。在一實施方式中，上部件303由不銹鋼（SUS）形成，中間部件304及下部件306由塑膠材料形成。

如圖14所示，在下部件306的下面安裝與基板WF的背面接觸的積層膜320。此積層膜320如上述那樣由片材料形成。在圖14所示的實施方式中，積層膜320由四張片材料320a、320b、320c、320d形成。如圖所示，與基板接觸的最下面的第一片材料320a被保持器部件3和保持器引導件416夾著而被保持。配置在第一片材料320a的上面的第二片材料320b被固持器316b和下部件306夾著，並且，被保持器引導件416和保持器支承引導件412夾著而被保持。配置在第二片材料320b的上面的第三片材料320c被固持器316c和下部件306夾著而被保持。配置在第三片材料320c的上面的第四片材料320d被固持器316d和下部件306夾著而被保持。在圖14所示的實施方式中，在第一片材料320a與第二片材料320b之間劃定第一壓力室322a，在第二片材料320b與第三片材料320c之間劃定第二壓力室322b，在第三片材料320c與第四片材料320d之間劃定第三壓力室322c，在第四片材料320d和下部件306之間劃定第四壓力室322d。片材料320a、320b、320c、320d被固持器等各部件夾著，並且，成為對供給到各壓力室322a、322b、322c、322d的流體進行密封的部分。第一壓力室322a、第二壓力室322b、第三壓力室322c、和第四壓力室322d分別與未圖示的流路連通。各流路能與流體源（例如，高壓縮的空氣或氮）及/或真空源連結，可以分別獨立地對各壓力室322a～322d的壓力進行控制。因此，當研磨基板WF時，可以按基板WF的每個區域範圍來控制與研磨墊352的接觸壓力。

在圖14所示的實施方式中，越是從靠近基板WF側（圖14的下側）的第一片材料320a趨近遠離基板WF側（圖14的上側）的第四片材料320d則越是固定在頂環主體2的內側或中心側。並且，越是從靠近基板WF側的第一片材料320a趨近遠離基板WF側的第四片材料320d，片材料的尺寸越小。

在圖14所示的實施方式中，在上部件303的外周部設有保持器部380。如圖所示，上部件303的外周部的下面與上部殼體402連結。在一實施方式中，上部殼體402可以隔著密封墊等通過螺栓等與上部件303固定。在上部殼體402的下面具備下部殼體404。在一實施方式中，上部殼體402及下部殼體404可以整體為四邊形的環狀的部件，由聚苯硫醚（PPS）樹脂形成。在下部殼體404的內部劃定圓筒形的缸406。在缸406內配置有隔膜408。在一實施方式中，隔膜408由橡膠材料形成。隔膜408被上部殼體402和下部殼體404夾著固定。缸406的內部空間由隔膜408分割為上部空間和下部空間。在下部殼體404的隔膜408內配置有活塞410。活塞410的一端與隔膜408的下面接觸。並且，活塞410的另一端從下部殼體404的下側伸出，與保持器支承引導件412接觸。在一實施方式中，活塞410可以由PPS樹脂形成。

在上部殼體402設有通路403。通路403與未圖示的流體源連接。可以通過通路403從流體源將加壓後的流體（例如空氣或氮）供給到下部殼體404的缸406的上部空間內。當流體供給到缸406的上部空間內時，隔膜408向下方鼓出而使活塞410向下方移動。通過活塞410向下方移動，可以使保持器支承引導件412向下方移動。

在一實施方式中，如圖14所示，從上部殼體402的外側側面到保持器支承引導件412的外側側面安裝有帶414。帶414允許保持器支承引導件412對下部殼體404位移，並且防止研磨液等浸入下部殼體404與保持器支承引導件412之間的空間。

如圖所示，在保持器支承引導件412的下面安裝有保持器引導件416。在一實施方式中，如圖所示，第二片材料320b的端部被保持在保持器支承引導件412和保持器引導件416之間。如圖所示，在保持器引導件416的下面安裝有保持器部件3。保持器支承引導件412、保持器引導件416、及保持器部件3可以通過螺栓等固定。保持器支承引導件412及保持器引導件416整體為適合於頂環302的整體形狀的四邊形的環狀的部件。在一實施方式中，保持器支承引導件412及保持器引導件416由不銹鋼（SUS）形成，保持器部件3由PPS樹脂、聚氯乙烯樹脂等形成。如上述那樣，通過由下部殼體404內的活塞410將保持器支承引導件412向下方移動，從而使保持器部件3向下方移動。

在一實施方式中，頂環302具備保持器引導裝置，該保持器引導裝置對保持器部件3進行支承，以引導保持器部件3使其能夠向上下方向位移，並禁止保持器部件向橫向位移。在一實施方式中，如圖14所示，保持器支承引導件412、保持器引導件416、及保持器部件3由支承輥450支承及引導，而能在上下方向移動。如圖所示，在保持器支承引導件412的內側側面固定有支承墊418。如圖所示，在固定于保持器支承引導件412的支承墊418接觸和支承於支承輥450的狀態下，保持器支承引導件412、保持器引導件416、及保持器部件3在上下方向移動。另外，在一實施方式中，也可以構成為在固定於保持器支承引導件412的支承墊418與支承輥450之間稍稍留有間隙。在一實施方式中，支承墊418可以由PPS樹脂、氯乙烯樹脂、PEEK樹脂等形成。

在一實施方式中，在下部殼體404沿周向（與紙面垂直的方向）形成有多個缸406，在各個缸406配置有隔膜408及活塞410。通過使用相同的形狀的缸406、隔膜408、活塞410可以降低製造它們的成本。例如，即使在製造尺寸不同的頂環主體2時，也可以使用作為相同的部件的隔膜408、活塞410，可以根據頂環主體2的大小改變使用數量而進行設計。

如圖14所示，在頂環主體2的下部件306固定著保持器支承框架420。保持器支承框架420通過螺栓等與下部件306固定。

在一實施方式中，支承輥450沿四邊形的環狀的保持器部380的各邊設有多個。例如，在四邊形的保持器支承框架420的各邊分別設有三個。在一實施方式中，將支承輥450在各邊分別設有三個，但是作為其它的實施方式也可以將支承輥450在各邊各設置一個，或分別設置兩個以上。

在上述實施方式中，支承輥450可以對研磨中從基板WF受到的水準方向的載荷進行支承。例如，在圖14所示的狀態下，從基板WF對保持器部件3向左方施力。在此情況下，安裝在處於頂環302的右側的保持器部380（圖14）的保持器支承引導件412上的支承墊418將支承輥450向左方推壓。支承輥450的軸424固定於保持器支承框架420，保持器支承框架420固定於下部件306。因此，當對保持器部件3施加水準方向的力時，可以防止支承輥450受到其載荷而使保持器部件3向水準方向移動。

並且，在上述實施方式中，頂環軸18的旋轉力被傳遞到上部件303、中間部件304、及下部件306。進而，旋轉力從固定於下部件306的保持器支承框架420向支承輥450傳遞，從支承輥450經支承墊418向保持器部380傳遞。因此，頂環302的頂環主體2的旋轉力經由支承輥450向保持器部380傳遞。

並且，在上述實施方式中，通過將流體通過通路403向缸406供給，由隔膜408對活塞410進行驅動，從而可以使保持器部件3向上下方向移動而對研磨墊352進行按壓。並且，可以通過供給到缸406的流體的壓力，控制向保持器部件3的研磨墊352的按壓壓力。在上述實施方式中，保持器部件3在上下方向移動時，被支承輥450引導著移動。因此，可以減小支承輥450與支承墊418之間的阻力。

在圖14所示的實施方式中，積層膜320的各片部件320a、320b、320c、320d的粘接區域為任意。圖15A～圖15D是展示積層膜320的粘接區域的例子的圖。圖15A所示的實施方式關於積層膜320層疊了四張片材料320a、320b、320c、320d。圖15A所示的積層膜320，除了形成第一壓力室322a的區域，第二片材料320b的下表面與第一片材料320a的上表面粘接。除了形成第二壓力室322b的區域，第三片材料320c的下表面與第二片材料320b的上表面粘接。除了形成第三壓力室322c的區域，第四片材料320d的下表面與第三片材料320c的上表面粘接。另外，在圖15A中，沒有示出用來對基板WF進行真空吸附的真空吸附孔328，但是，真空吸附孔可以具備、也可以不具備。在圖15A所示的實施方式中，在第一片材料320a與第二片材料320b之間劃定第一壓力室322a，在第二片材料320b與第三片材料320c之間劃定第二壓力室322b，在第三片材料320c與第四片材料320d之間劃定第三壓力室322c，在第四片材料320d和下部件306之間劃定第四壓力室322d。在圖14A所示的實施方式中，從外側朝向中央劃定第一壓力室322a、第二壓力室322b、第三壓力室322c、和第四壓力室322d。因此，通過控制各壓力室322a、322b、322c、322d的壓力，可以按每一區域控制被保持在積層膜320下的基板WF向研磨墊352的按壓力。

在圖15B所示的實施方式中，積層膜320層疊了四張片材料320a、320b、320c、320d。圖15B所示的積層膜320的第二片材料320b的下側表面的一部分與第一片材料320a的上表面的一部分連接。圖15B所示的粘接區域沿片材料的周向延伸。因此，在圖15B所示的實施方式中，第一片材料320a與第二片材料320b的連接區域使第一壓力室322a具有邊界。在圖15B所示的實施方式中，第二片材料320b、第三片材料320c、和第四片材料320d之間沒有進行粘接。並且，在圖15B所示的實施方式中，積層膜320不具備用來對基板WF進行真空吸附的真空吸附孔。

在圖15B所示的實施方式中，研磨中，基板WF被保持在第一片材料320a的表面側的表面（下側表面）。研磨中，只要控制為從基板的中心側向外側以第四壓力室322d、第三壓力室322c、第二壓力室322b的順序加大壓力室內的壓力，即使片材料之間未粘接，也可以按每一壓力室對基板WF向研磨墊352的按壓力進行控制。另一方面，當基板WF的研磨結束，將基板WF從研磨墊352分離開時，也可以通過對第一壓力室322a賦予正壓力、對第二壓力室322b、第三壓力室322c、和第四壓力室322d賦予負壓力，從而如吸盤那樣將基板WF保持在第一片材料320a下，從研磨墊352將基板WF分離開。

在圖15C所示的實施方式中，積層膜320層疊四張片材料320a、320b、320c、320d。圖15C所示的積層膜320設有將第二片材料320b與第一片材料320a貫通的真空吸附孔328。在圖15C的實施方式中，在真空吸附孔328的周圍，第二片材料320b與第一片材料320a粘接。在圖15C的實施方式中，通過將第二壓力室322b抽真空，可以將基板WF保持在積層膜320下面。進而，在一實施方式中，如圖15C所示，在成為第二壓力室322b與第三壓力室322c的邊界的區域，如圖所示，第三片材料320c與第二片材料320b沿周向粘接。在將第二壓力室322b抽真空了時，該粘接可以防止包括泥漿等的液體從真空吸附孔328進入第二壓力室322b內，進而浸入第三片材料320c與第二片材料320b之間。

在圖15C所示的實施方式中，在研磨中，基板WF被保持在第一片材料320a的表面側的表面。在研磨中，只要控制為從基板的中心側向外側以第四壓力室322d、第三壓力室322c、第二壓力室322b、第一壓力室322a的順序加大壓力室內的壓力，就可以按每一壓力室對將基板WF向研磨墊352的按壓力進行控制。另一方面，當基板WF的研磨結束，將基板WF從研磨墊352分離開時，通過對包括第二壓力室322b的全部壓力室施加負壓，就可以通過真空吸附將基板WF保持在第一片材料320a下面，從研磨墊352將基板WF分離開。另外，當將基板WF從研磨墊352分離開時，只要對第二壓力室322b賦予負壓即可，第一壓力室322a、第三壓力室322c、和第四壓力室322d為大氣壓也可以。

在圖15D所示的實施方式中，積層膜320層疊四張片材料320a、320b、320c、320d。圖15D所示的積層膜320設有將第二片材料320b與第一片材料320a貫通的真空吸附孔328。在圖15D的實施方式中，第二片材料320b與第一片材料320a在真空吸附孔328周圍粘接。並且，如圖15D所示，在成為第二壓力室322b與第三壓力室322c的邊界的區域，如圖所示，第三片材料320c與第二片材料320b沿周向粘接。進而，如圖15D所示，在成為第二壓力室322b與第一壓力室322a的邊界的區域中，如圖所示，第二片材料320b與第一片材料320a粘接。圖15D所示的實施方式也可以說是圖15B和圖15C的實施方式組合而成的實施方式。

在圖15D所示的實施方式中，研磨中，基板WF被保持在第一片材料320a的表面側的表面。在研磨中，只要使第四壓力室322d的壓力大於第三壓力室322c的壓力，即使第四片材料320d與第三片材料320c之間無粘接層，也可以按每一圧力室對將板WF向研磨墊352的按壓力進行控制。另一方面，當基板WF的研磨結束，將基板WF從研磨墊352分離開時，通過對第一壓力室322a賦予正壓，對第二壓力室322b、第三壓力室322c、和第四壓力室322d賦予負壓，就可以將基板WF真空吸附並且如吸盤那樣將基板WF保持在第一片材料320a下，將基板WF從研磨墊352分離開。另外，當將基板WF從研磨墊352分離開時，第三壓力室322c和第四壓力室322d為大氣壓也可以。

圖16A是表示關於積層膜320的粘接區域一實施方式的例子的圖。圖16A所示的實施方式關於積層膜320層疊了多個片材料320a、320b、320c、320d、320e。如圖16A所示，第一片材料320a的上表面的一部分與第二片材料320b的下表面的一部分粘接。因此，由第一片材料320a和第二片材料320b劃定第一壓力室322a。並且，如圖16A所示，第一片材料320a的上表面的一部分與第三片材料320c的下表面的一部分粘接。因此，由第一片材料320a、第二片材料320b、和第三片材料320c劃定第二壓力室322b。圖16A所示的粘接區域沿片材料的圓周方向延伸。另外，如圖16A所示，第二壓力室322b與第一壓力室322a鄰接，第二壓力室322b位於第一壓力室322a的內側。如圖16A所示，在第一片材料320a的中心附近，在第一片材料320a的上側配置有第四片材料320d。如圖所示，由第一片材料320a、第三片材料320c、和第四片材料320d劃定第三壓力室322c。另外，第一片材料320a與第四片材料320d和未粘接。如圖16A所示，在第一片材料320a和第四片材料320d的中心附近，在第四片材料320a的上側配置有第五片材料320e。如圖所示，由第四片材料320d、和第五片材料320e劃定第四壓力室322d。並且，如圖所示，由第五片材料320e劃定第五壓力室322e。另外，第四片材料320d與第五片材料320e未粘接。如圖16A所示，在劃定第二壓力室322b的第一片部件320a的一部分設有真空吸附孔328。

圖16B是表示關於積層膜320的粘接區域一實施方式的例子的圖。圖16B所示的實施方式關於積層膜320層疊了多個片材料320a、320b、320c、320d、320e。如圖16B所示，第一片材料320a的上表面的一部分與第二片材料320b的下表面的一部分粘接。因此，由第一片材料320a和第二片材料320b劃定第一壓力室322a。並且，如圖16B所示，由第二片材料320b和第三片材料320c劃定第二壓力室322b。另外，第二片材料320b和第三片材料320c也可以為相同的片材料，在圖16B所示的例子中，從粘接區域靠外側的部分為第二片材料320b，從粘接區域靠內側的部分為第三片材料320c。如圖16B所示，第一片材料320a的上表面的一部分與第四片材料320d的下表面的一部分粘接。因此，由第一片材料320a、第三片材料320c、和第四片材料320d劃定第三壓力室322c。另外，圖16B所示的粘接區域沿片材料的圓周方向延伸。如圖16B所示，在第一片材料320a的中心附近，在第一片材料320a的上側配置有第五片材料320e。如圖所示，由第一片材料320a、第四片材料320d、和第五片材料320e劃定第四壓力室322d。另外，第一片材料320a與第五片材料320e未粘接。並且，如圖所示，由第五片材料320e劃定第五壓力室322e。如圖16B所示，在劃定第三壓力室322c的第一片部件320a的一部分設有真空吸附孔328。

以上，根據幾個例子對本發明的實施方式進行了說明，但是上述發明的實施方式是用來易於理解本發明，的不用來對本發明進行限定。本發明在不脫離其主旨的情況下當然可以進行變更、改進，並且本發明當然也包括其等同發明。並且，在可以解決上述課題的至少一部分的範圍，或能取得效果的至少一部分的範圍中，可以將發明請求保護的範圍和說明書中記載的各結構要素任意組合，或省略。另外，在上述中，對作為保持四邊形的基板的頂環進行了說明，並且對作為與四邊形的基板對應的形狀的積層膜進行了圖示和說明，但是，頂環也可以是對圓形的基板進行保持的頂環，積層膜的形狀也可以與圓形的基板對應。 [從上述實施方式至少可把握以下的技術思想]

[形態1]：根據形態1，提供一種用於基板處理裝置的基板保持部的積層膜，該積層膜具有第一片材料；以及第二片材料，該第二片材料配置在上述第一片材料的上面，上述第一片材料的一部分固定於上述第二片材料的一部分。

[形態2]：根據形態2，在基於形態1的積層膜中，上述第一片材料的一部分通過粘接劑固定於上述第二片材料的一部分。

[形態3]：根據形態3，在基於形態1的積層膜中，上述第一片材料的一部分通過硫化粘接而固定於上述第二片材料的一部分。

[形態4]：根據形態4，提供一種基板處理裝置的基板保持部，該基板保持部具有形態1～形態3中的任意一個形態的積層膜，上述積層膜構成為在基板保持面保持基板。

[形態5]：根據形態5，在基於形態4的基板保持部中，具有用來對上述第一片材料進行定位的第一固持器，和用來對上述第二片材料進行定位的第二固持器，在上述第一片材料與上述第二片材料之間劃定第一壓力室。

[形態6]：根據形態6，提供一種用於基板處理裝置的基板保持部的積層膜的製造方法，該製造方法包括：準備第一片材料和第二片材料的步驟；對上述第一片材料的上表面的一部分及上述第二片材料的下表面的一部分進行表面改性處理的步驟；在上述第一片材料的上述上表面的一部分及/或上述第二片材料的上述下表面的一部分配置粘接劑的步驟；以及將上述第二片材料的上述下表面配置在上述第一片材料的上述上表面上的步驟。

[形態7]：根據形態7，提供一種用於基板處理裝置的基板保持部的積層膜的製造方法，該製造方法具有：將第一片材料配置在規定積層膜的外形的模具內的步驟；在上述第一片材料的上表面的一部分配置氟樹脂片的步驟；在上述第一片材料的上述上表面上配置包括未硫化橡膠的第二片材料的步驟；對上述第二片材料實施硫化處理的步驟；以及 將上述氟樹脂片去除的步驟。

[形態8]：根據形態8，提供一種用於基板處理裝置的基板保持部的積層膜的製造方法，該製造方法具有：對第一片材料及/或第二片材料的一部分塗覆氟樹脂塗層的步驟；將上述第一片材料配置在規定積層膜的外形的模具內的步驟；在上述第一片材料的上表面的一部分及/或第二片材料的下表面的一部分配置未硫化橡膠的步驟；以及 在配置了上述未硫化橡膠的上述第一片材料的上面配置上述第二片材料的步驟；和對上述未硫化橡膠實施硫化處理的步驟。

[形態9]：根據形態9，提供一種基板處理裝置，該基板處理裝置具有能夠旋轉的台，以及在形態4或形態5中記載的基板保持部，該基板處理裝置構成為，在使配置在上述臺上的研磨墊與保持於上述基板保持部的基板接觸的狀態下，使上述台旋轉，從而對基板進行研磨。

11、12、13:流路 2:頂環主體 3:保持器部件 50:修整器 100:裝載單元 200:搬送單元 300:研磨單元 302:頂環 303:上部件 304:中間部件 306:下部件 316b:固持器 316c:固持器 316d:固持器 320:積層膜 320a:第一片材料 320b:第二片材料 320c:第三片材料 320d:第四片材料 320e:第五片材料 322:壓力室 322a:第一壓力室 322b:第二壓力室 322c:第三壓力室 322d:第四壓力室 322e:第五壓力室 325:第一膜固持器 327:第二膜固持器 328:真空吸附孔 350:研磨台 352:研磨墊 356:修整單元 360:擺臂 362:支軸 380:保持器部 500:乾燥單元 600:卸載單元 900:控制裝置 1000:基板處理裝置 WF:基板 352a:研磨墊的表面

圖1是表示關於基板處理裝置的整體結構一實施方式的俯視圖。 圖2是示意地表示關於裝載單元一實施方式的側面圖。 圖3是示意地表示關於搬送單元一實施方式的側面圖。 圖4是概略地表示關於研磨單元的結構一實施方式的立體圖。 圖5是關於保持作為研磨物件物的基板而將基板按壓在研磨墊上的研磨面上的、頂環一實施方式的示意剖面圖。 圖6是關於從研磨台側觀察的頂環一實施方式的圖。 圖7是概略地表示關於積層膜的三張片材料的粘接區域一實施方式的立體圖。 圖8是用來說明關於製造積層膜一實施方式的方法的圖。 圖9是表示關於製造積層膜一實施方式的方法的流程圖。 圖10是用來說明關於製造積層膜一實施方式的方法的圖。 圖11是表示關於製造積層膜一實施方式的方法的流程圖。 圖12是用來說明關於製造積層膜一實施方式的方法的圖。 圖13是表示關於製造積層膜一實施方式的方法的流程圖。 圖14是表示關於備有積層膜的頂環的一部分一實施方式的剖面圖。 圖15A是概略地表示關於積層膜的粘接區域一實施方式的剖面圖。 圖15B是概略地表示關於積層膜的粘接區域一實施方式的剖面圖。 圖15C是概略地表示關於積層膜的粘接區域一實施方式的剖面圖。 圖15D是概略地表示關於積層膜的粘接區域一實施方式的剖面圖。 圖16A是概略地表示關於積層膜的粘接區域一實施方式的剖面圖。 圖16B是概略地表示關於積層膜的粘接區域一實施方式的剖面圖。

11、12、13:流路

2:頂環主體

3:保持器部件

302:頂環

320a:第一片材料

320b:第二片材料

320c:第三片材料

322a:第一壓力室

322b:第二壓力室

322c:第三壓力室

325:第一膜固持器

327:第二膜固持器

328:真空吸附孔

352a:研磨墊的表面

WF:基板

Claims (6)

1. 一種積層膜，用於基板處理裝置的基板保持部，具有： 第一片材料；以及 第二片材料，配置在所述第一片材料的上面，所述第一片材料的一部分固定於所述第二片材料的一部分。
2. 如請求項1所述的積層膜，其中： 所述第一片材料的一部分通過粘接劑固定於所述第二片材料的一部分。
3. 如請求項1所述的積層膜，其中： 所述第一片材料的一部分通過硫化粘接而固定於所述第二片材料的一部分。
4. 一種基板保持部，所述基板保持部為基板處理裝置的基板保持部，其中： 所述基板保持部具有請求項1所述的積層膜； 所述基板保持部構成為在所述積層膜的基板保持面保持基板。
5. 如請求項4所述的基板保持部，具有： 第一固持器，用來對所述第一片材料進行定位；以及 第二固持器，用來對所述第二片材料進行定位，在所述第一片材料與所述第二片材料之間劃定有第一壓力室。
6. 一種基板處理裝置，具有： 能夠旋轉的台；以及 請求項4所述的基板保持部； 所述基板處理裝置構成為，在使配置在所述臺上的研磨墊與保持於所述基板保持部的基板接觸狀態下，使所述台旋轉，從而對基板進行研磨。

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