CN111791143A - 层叠膜、具备层叠膜的基板保持装置及基板处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明为层叠膜、具备层叠膜的基板保持装置及基板处理装置。不使用形状复杂的模具而制造具备多个压力室的弹性部件。根据一实施方式，提供用于基板处理装置的基板保持部的层叠膜。该层叠膜具有第一片材料，和配置在上述第一片材料的上面的第二片材料，上述第一片材料的一部分固定于上述第二片材料的一部分。

Description

层叠膜、具备层叠膜的基板保持装置及基板处理装置

相关申请的相互参照

本申请主张基于2019年4月2日申请的日本专利申请号第2019-70612号的优先权。日本专利申请号第2019-70612号的包括说明书、发明请求保护的范围、附图及摘要的全 部公开内容，通过参照而整体援引于本申请。

技术领域

本发明涉及层叠膜(日文：メンブレン)、具备层叠膜的基板保持装置及基板处理装 置。

背景技术

在半导体设备的制造中，为了使基板的表面平坦化而使用化学机械研磨(CMP)装置。 在半导体设备的制造中使用的基板在大多情况下为圆板形状。并且，不仅半导体设备，在 使CCL基板(Copper Clad Laminate基板)、PCB(Printed Circuit Board)基板、光掩 模基板、显示板等四边形的基板的表面平坦化时对平坦度的要求也在提高。并且，对于使 配置有PCB基板等电子设备的封装基板的表面平坦化的要求也在提高。

现有技术文献

专利文献

专利文献1日本特开2018-183820号公报

专利文献2日本特开2009-131946号公报

发明要解决的课题

在CMP装置中，将作为研磨对象的基板保持于顶环，一边将基板按压在配置于研磨台 上的研磨垫，一边使基板与研磨垫相对移动(例如旋转)而对基板进行研磨。有时为了将基板均匀地研磨，而针对基板的每个区域对与研磨垫的接触压力进行控制。例如，在顶环的基板保持面配置具备多个压力室的弹性部件，通过对各个压力室的压力进行控制而能够针对基板的每个区域对与研磨垫的接触压力进行控制(例如，专利文献1、2)。

发明内容

由于这样的弹性部件需要形成为具备多个压力室，因此大多成为复杂的形状。形状复 杂的弹性部件可以用具备相应形状的模具制造。但是，制作具备复杂的形状的模具会花费 费用和时间。并且，如上述那样由CMP装置研磨的基板，不仅为现有技术那样的标准化了 的固定的尺寸的半导体基板，还存在不定型的各种各样的尺寸的四边形的基板。与各种各 样的尺寸的基板对应地设计弹性部件，与各个设计对应地制作模具使费用及时间的负担非 常大。于是，不使用形状复杂的模具来制造具备多个压力室的弹性部件是有益的。

用于解决课题的技术手段

根据一实施方式，提供用于基板处理装置的基板保持部的层叠膜。该层叠膜具有第一 片材料；以及第二片材料，该第二片材料配置在上述第一片材料的上面，上述第一片材料 的一部分固定于上述第二片材料的一部分。

附图说明

图1是表示一实施方式涉及的基板处理装置的整体结构的俯视图。

图2是示意地表示一实施方式涉及的装载单元的侧面图。

图3是示意地表示一实施方式涉及的搬送单元的侧面图。

图4是概略地表示一实施方式涉及的研磨单元的结构的立体图。

图5是一实施方式涉及的保持作为研磨对象物的基板而将基板按压在研磨垫上的研磨 面上的、顶环的示意剖面图。

图6是一实施方式涉及的从研磨台侧观察的顶环的图。

图7是概略地表示一实施方式涉及的层叠膜的三张片材料的粘接区域的立体图。

图8是用来说明一实施方式涉及的制造层叠膜的方法的图。

图9是表示一实施方式涉及的制造层叠膜的方法的流程图。

图10是用来说明一实施方式涉及的制造层叠膜的方法的图。

图11是表示一实施方式涉及的制造层叠膜的方法的流程图。

图12是用来说明一实施方式涉及的制造层叠膜的方法的图。

图13是表示一实施方式涉及的制造层叠膜的方法的流程图。

图14是表示一实施方式涉及的备有层叠膜的顶环的一部分的剖面图。

图15A是概略地表示一实施方式涉及的层叠膜的粘接区域的剖面图。

图15B是概略地表示一实施方式涉及的层叠膜的粘接区域的剖面图。

图15C是概略地表示一实施方式涉及的层叠膜的粘接区域的剖面图。

图15D是概略地表示一实施方式涉及的层叠膜的粘接区域的剖面图。

图16A是概略地表示一实施方式涉及的层叠膜的粘接区域的剖面图。

图16B是概略地表示一实施方式涉及的层叠膜的粘接区域的剖面图。

符号说明

2…顶环主体

3…保持器部件

50…修整器

100…装载单元

200…搬送单元

300…研磨单元

302…顶环

303…上部件

304…中间部件

306…下部件

316b…固持器

316c…固持器

316d…固持器

320…层叠膜

320a…第一片材料

320b…第二片材料

320c…第三片材料

320d…第四片材料

320e…第五片材料

322…压力室

322a…第一压力室

322b…第二压力室

322c…第三压力室

322d…第四压力室

322e…第五压力室

325…第一膜固持器

327…第二膜固持器

328…真空吸附孔

350…研磨台

352…研磨垫

356…修整单元

360…摆臂

362…支轴

380…保持器部

500…干燥单元

600…卸载单元

900…控制装置

1000…基板处理装置

WF…基板

具体实施方式

以下，与附图一起对本发明涉及的层叠膜、层叠膜的制造方法、及具备层叠膜的基板 处理装置进行说明。在附图中，对相同或类似的要素赋予相同或类似的附图标记，在各实 施方式的说明中有时省略对相同或类似的要素的重复说明。并且，各实施方式中所示的特 征，只要不相互矛盾则也可以适用于其它的实施方式。另外，本说明书中的“基板”不仅包括半导体基板、玻璃基板、印刷电路基板，还包括磁记录介质、磁记录传感器、镜、光 学元件、微小机械元件、或部分地制作的集成电路。

图1是表示一实施方式涉及的基板处理装置1000的整体结构的俯视图。图1所示的基板处理装置1000具有装载单元100、搬送单元200、研磨单元300、干燥单元500、及 卸载单元600。在图示的实施方式中，搬送单元200具有两个搬送单元200A、200B，研磨 单元300具有两个研磨单元300A、300B。在一实施方式中，这些各单元可以独立地形成。 通过将这些单元独立地形成，可以将各单元的数量任意组合而简单地形成结构不同的基板 处理装置1000。并且，基板处理装置1000具备控制装置900，基板处理装置1000的各结 构要素通过控制装置900进行控制。在一实施方式中，控制装置900可以由具备输入输出 装置、运算装置、存储装置等的一般的计算机构成。

(装载单元)

装载单元100是用来将进行研磨及清洗等处理前的基板WF向基板处理装置1000内导 入的单元。图2是示意地表示一实施方式涉及的装载单元100的侧面图。在一实施方式中， 装载单元100具备壳体102。壳体102在接纳基板WF那侧具备入口开口104。在图2所示的实施方式中，右侧为入口侧。装载单元100从入口开口104接纳作为处理对象对基板WF。在装载单元100的上游(图2中的右侧)配置处理装置，该处理装置实施本发明涉及的基 板处理装置1000进行的基板WF的处理之前的处理工序。在图2所示的实施方式中，装载 单元100具备ID读取器106。ID读取器106读取从入口开口104接纳的基板的ID。基板 处理装置1000根据所读取的ID对基板WF进行各种处理。在一实施方式中，也可以没有 ID读取器106。在一实施方式中，装载单元100依据SMEMA(Surface Mount Equipment ManufacturersAssociation)的机械装置接口标准(IPC-SMEMA-9851)而构成。

在图2所示的实施方式中，装载单元100具备用来搬送基板WF的多个搬送辊202。通过由与后述的搬送单元中的旋转机构相同的结构使搬送辊202旋转，从而可以将搬送辊202上的基板WF向规定的方向(图2中为左方)搬送。在图示的实施方式中，装载单元100 的壳体102具有基板WF的出口开口108。装载单元100具有用来检测是否在搬送辊202上 的规定的位置存在基板WF的传感器112。传感器112可以为任意地形式的传感器，例如可 以为光学式的传感器。在图2所示的实施方式中，传感器112在壳体102内设有三个，一 个是设于入口开口104附近的传感器112a，一个是设于装载单元100的中央附近的传感器 112b，另一个是设于出口开口108附近的传感器112c。在一实施方式中，可以根据由这些 传感器112对基板WF的检测，对装载单元100的动作进行控制。例如，如果入口开口104 附近的传感器112a检测到基板WF的存在，可以使装载单元100内的搬送辊202的旋转起 动，并且也可以改变搬送辊202的旋转速度。并且，如果出口开口108附近的传感器112c 检测到基板WF的存在，也可以将作为后续的单元的搬送单元200A的入口闸门218打开。

在图示的实施方式中，装载单元100的搬送机构具有多个搬送辊202，和安装搬送辊 202的多个辊轴204。在图1所示的实施方式中，在各辊轴204上安装有三个搬送辊202。基板WF配置在搬送辊202上，通过搬送辊202旋转来搬送基板WF。辊轴204上的搬送辊 202的安装位置，只要是能够稳定地搬送基板WF的位置则可以为任意位置。但是，由于搬 送辊202与基板WF接触，因此应该配置成搬送辊202与作为处理对象的基板WF接触也没 有问题的区域进行接触。在一实施方式中，装载单元100的搬送辊202可以由导电性聚合 物构成。在一实施方式中，搬送辊202经辊轴204等电接地。这是为了防止基板WF带电 而损伤基板WF。并且，在一实施方式中，为了防止基板WF带电，也可以在装载单元100 上设置离子发生器(未图示)。

如图2所示，装载单元100在入口开口104及出口开口108的附近设有辅助辊214。辅助辊214配置在与搬送辊202相同程度的高度。辅助辊214对基板WF进行支承以使搬 送中的基板WF不在单元与其它的单元之间坠落。辅助辊214未与动力源连接，构成为能 够自由旋转。

(搬送单元)

图3是示意地表示一实施方式涉及的搬送单元200的侧面图。图1所示的基板处理装 置1000具备两个搬送单元200A、200B。两个搬送单元200A、200B可以为相同的结构，因此，以下统一作为搬送单元200进行说明。

图示的搬送单元200具备用来搬送基板WF的多个搬送辊202。通过使搬送辊202旋转， 可以将搬送辊202上的基板WF向规定的方向搬送。搬送单元200的搬送辊202可以由导电性聚合物形成，也可以由非导电性的聚合物形成。搬送辊202安装在辊轴204上，借助 齿轮206由马达208驱动。在一实施方式中，马达208可以为伺服马达。通过使用伺服马 达，可以对辊轴204及搬送辊202的旋转速度、即基板WF的搬送速度进行控制。并且， 在一实施方式中，齿轮206可以为磁性齿轮。磁性齿轮为非接触式的动力传递机构，因此 不会如接触式的齿轮那样因磨耗而产生微粒，并且，也不需要供油等维护。图示的搬送单 元200具有用来检测是否在搬送辊202上的规定的位置存在基板WF的传感器216。传感器 216可以为任意地形式的传感器，例如可以为光学式的传感器。在图3所示的实施方式中， 传感器216在搬送单元200设有七个(216a～216g)。在一实施方式中，可以根据由这些 传感器216a～216g对基板WF的检测来控制搬送单元200的动作。如图3所示，搬送单元 200为了在搬送单元200内接纳基板WF而具有能够开闭的入口闸门218。

如图3所示，搬送单元200具有止动件220。止动件220与止动件移动机构222连接，止动件220能够进入在搬送辊202上移动的基板WF的搬送路径内。当止动件220位于基 板WF的搬送路径内时，在搬送辊202上移动的基板WF的侧面与止动件220接触，可以使 移动中的基板WF停止在止动件220的位置。并且，当止动件220处于从基板WF的搬送路 径退避的位置时，基板WF可以在搬送辊202上移动。基板WF基于止动件220的停止位置， 是后述的推压件230能够接受搬送辊202上的基板WF的位置(基板交接位置)。

如图3所示，搬送单元200具有推压件230。推压件230被构成为能够将处于多个搬送辊202上面的基板WF抬起而使基板WF从多个搬送辊202离开。而且推压件230被构成 为能够将保持着的基板WF与搬送单元200的搬送辊202进行交接。

推压件230具备第一载物台232和第二载物台270。第一载物台232，是在将基板WF从推压件230向后述的顶环302交接时用来支承顶环302的保持器部件3的载物台。第一 载物台232具备用来支承顶环302的保持器部件3的多个支承柱234。第二载物台270是 用来接受搬送辊202上的基板WF的载物台。第二载物台270具备用来接受搬送辊202上 的基板WF的多个支承柱272。第一载物台232和第二载物台270能够由第一升降机构向高 度方向移动。第二载物台270还能够通过第二升降机构相对于第一载物台232向高度方向 移动。当通过第一升降机构和第二升降机构使第一载物台232和第二载物台270上升时， 第一载物台232的支承柱234和第二载物台270的支承柱272的一部分在搬送辊202及辊 轴204之间通过而来到比搬送辊202高的位置。在搬送辊202上搬送的基板WF被止动件 220停止在基板交接位置。然后，由第一升降机构使第一载物台232和第二载物台270上 升，由第二载物台270的支承柱272将搬送辊202上的基板WF抬起。然后，一边由第一 载物台232的支承柱234支承顶环302的保持器部件3，一边由第二升降机构使保持着基 板WF的第二载物台270上升。通过真空吸附等由顶环302接受并保持第二载物台270上 的基板WF。

在一实施方式中，搬送单元200具有清洗部。如图3所示，清洗部具有清洗嘴284。清洗嘴284具有配置在搬送辊202的上侧的上清洗嘴284a，和配置在下侧的下清洗嘴284b。上清洗嘴284a及下清洗嘴284b与未图示的清洗液的供给源连接。上清洗嘴284a被构成 为对在搬送辊202上搬送的基板WF的上面供给清洗液。下清洗嘴284b被构成为对在搬送 辊202上搬送的基板WF的下面供给清洗液。上清洗嘴284a及下清洗嘴284b具备与在搬 送辊202上搬送的基板WF的宽度相同程度的或其以上的宽度，构成为，通过将基板WF在 搬送辊202上搬送，从而清洗基板WF的整个面。如图3所示，清洗部位于搬送单元200 的推压件230的基板交接场所的下游侧。

(研磨单元)

图4是概略地表示一实施方式涉及的研磨单元300的结构的立体图。图1所示的基板 处理装置1000具备两个研磨单元300A、300B。两个研磨单元300A、300B可以为相同的结构，因此，以下统一作为研磨单元300进行说明。

如图4所示，研磨单元300具备研磨台350和顶环302，顶环302构成保持作为研磨对象物的基板而向研磨台350上的研磨面进行按压的研磨头。研磨台350借助台轴351与 配置在其下方的研磨台旋转马达(未图示)连结，能够绕该台轴351旋转。在研磨台350 的上面粘贴有研磨垫352，研磨垫352的表面352a构成对基板进行研磨的研磨面。在一实 施方式中，研磨垫352也可以借助用来使从研磨台350的剥离变得容易的层进行粘贴。这 样的层，例如有硅层、氟系树脂层等，例如也可以使用日本特开2014-176950号公报等记 载的层。

在研磨台350的上方设有研磨液供给喷嘴354，通过此研磨液供给喷嘴354向研磨台 350上的研磨垫352上供给研磨液。并且，如图4所示，在研磨台350及台轴351上设有 用来供给研磨液的通路353。通路353与研磨台350的表面的开口部355连通。研磨垫352 在与研磨台350的开口部355对应的位置形成有贯通孔357，通过通路353的研磨液从研 磨台350的开口部355及研磨垫352的贯通孔357向研磨垫352的表面供给。另外，研磨 台350的开口部355及研磨垫352的贯通孔357可以为一个也可以为多个。并且，研磨台 350的开口部355及研磨垫352的贯通孔357的位置为任意，但是在一实施方式中被配置 在研磨台350的中心附近。

虽然在图4中未图示，但是，在一实施方式中，研磨单元300具备用来将液体或液体与气体的混合流体向研磨垫352进行喷射的喷雾器358(参照图1)。从喷雾器358喷射的 液体，例如为纯水，气体例如为氮气。

顶环302与顶环轴18连接，此顶环轴18通过上下运动机构而相对于摆臂360上下运动。通过此顶环轴18的上下运动，顶环302的整体相对于摆臂360上下运动而进行定位。 顶环轴18通过未图示的顶环旋转马达的驱动进行旋转。通过顶环轴18的旋转，顶环302 以顶环轴18为中心进行旋转。

另外，能够从市场入手的研磨垫有各种各样的研磨垫，例如，有霓塔哈斯公司(NittaHaas(ニッタ·ハース))株式会社制造的SUBA800(“SUBA”为注册商标)、IC-1000、IC-1000/SUBA400(双层布)、Fujimi公司(日文:フジミインコーポレイテッド社)制造的Surfin xxx-5、Surfin 000等(“surfin”为注册商标)。SUBA800、Surfin xxx-5、Surfin 000是用聚氨酯树脂将纤维固定的无纺布，IC-1000是硬质的发泡聚氨酯(单层)。发泡聚 氨酯呈多孔性(多孔体状)，在其表面具有多个细微的凹坑或孔。

顶环302形成为能够在其下面保持四边形的基板。摆臂360被构成为能够以支轴362 为中心回转。顶环302通过摆臂360的回转而能够在上述搬送单元200的基板交接位置与 研磨台350的上方之间移动。通过使顶环轴18下降，可以使顶环302下降而将基板按压在研磨垫352的表面(研磨面)352a。此时，分别使顶环302及研磨台350旋转，从设于 研磨台350的上方的研磨液供给喷嘴354，及/或从设于研磨台350的开口部355向研磨垫 352上供给研磨液供给。这样，能够将基板按压在研磨垫352的研磨面352a而对基板的表 面进行研磨。在基板WF的研磨中，也能够以顶环302通过研磨垫352的中心的方式(覆 盖研磨垫352的贯通孔357的方式)将臂360固定或使摆臂360摆动。

一实施方式涉及的研磨单元300具备对研磨垫352的研磨面352a进行修整的修整单 元356。此修整单元356具备与研磨面352a滑动接触的修整器50、连结修整器50的修整器轴51、和旋转自如地支承修整器轴51的摆臂55。修整器50的下部由修整部件50a构 成，在此修整部件50a的下面附着了针状的金刚砂颗粒。

摆臂55由未图示的马达驱动，构成为能够以支轴58为中心回转。修整器轴51通过未图示的马达的驱动进行旋转，通过此修整器轴51的旋转使修整器50绕修整器轴51旋 转。并且，修整器轴51构成为能上下运动，可以借助修整器轴51使修整器50上下运动， 将修整器50以规定的按压力按压在研磨垫352的研磨面352a。

研磨垫352的研磨面352a的修整如下述那样进行。修整器50通过气缸等按压在研磨 面352a，与此同时从未图示的纯水供给喷嘴向研磨面352a供给纯水。在此状态下，修整器50绕修整器轴51旋转，使修整部件50a的下面(金刚砂颗粒)与研磨面352a滑动接 触。这样，通过修整器50切削研磨垫352，对研磨面352a进行修整。

接着，对一实施方式涉及的研磨单元300中的顶环302进行说明。图5是一实施方式涉及的对作为研磨对象物的基板进行保持而将基板按压于研磨垫上的研磨面的、顶环302的示意剖面图。在图5中，仅示意地图示了构成顶环302的主要结构要素。图6是从研磨 台350侧观察一实施方式涉及的顶环302的图。

如图5所示，顶环302具有将基板WF对研磨面352a进行按压的顶环主体2，和用来防止保持于顶环主体2的基板在研磨中从顶环主体2飞出的保持器部件3。并且，保持器 部件3也可以构成为直接对研磨面352a进行按压。并且，保持器部件3也可以构成为与 研磨面352a不接触。顶环主体2与顶环轴18连结，能随着顶环轴18的旋转而旋转。顶 环主体2也可以将多个部件组合而构成。顶环主体2由大致四边形的平板状的部件构成， 保持器部件3安装在顶环主体2的外周部。

在一实施方式中，保持器部件3如图6所示那样为细长的长方形板状的部件。在图6所示的实施方式中，保持器部件3将四根板状的部件设于四边形的顶环主体2的各边的外周部。并且，在一实施方式中，如图6所示那样，保持器部件3具备多个槽3a。图6所示 的保持器部件3形成从顶环302的内侧向外侧延伸的槽3a。另外，在一实施方式中，也可 以采用不具备槽3a的保持器部件3。顶环主体2由不锈钢(SUS)等金属、工程塑料(例 如，PEEK)等树脂形成。与基板的背面接触的弹性膜(膜)安装于顶环主体2的下面。另 外，顶环主体2也可以将多个部件结合而构成。

在一实施方式中，弹性膜(膜)是图示那样的将多个片材料层叠的层叠膜320。本发明中的“片材料”，是指在未施加力的自然状态下，去除材料的厚度而由二维结构构成的 材料。即，片材料在未施加外力的自然状态下，不具备厚度方向上的结构、形状特征。在 一实施方式中，构成层叠膜320的各片材料由乙烯丙烯橡胶(EPDM)、聚氨基甲酸乙酯橡 胶、硅橡胶等强度和耐久性优异的橡胶材料形成。

如图5所示，在层叠膜320中，邻接的片材料的一部分彼此粘接。因此，层叠膜320具备多个压力室。在图5所示的实施方式中，层叠膜320由三张片材料320a、320b、320c 形成，具备第一压力室322a、第二压力室322b、第三压力室322c。在图5所示的实施方 式中，三张片材料记载为自基板侧开始的第一片材料320a、第二片材料320b、和第三片 材料320c。在图5所示的实施方式中，第一片材料320a的端部由保持器部件3与第一膜 固持器325保持。并且，第二片材料320b的端部由第一膜固持器325和第二膜固持器327 保持。第三片材料320c的端部由第二膜固持器327及顶环主体2保持。如图所示，在第 一片材料320a与第二片材料320b之间划定第一压力室322a，在第二片材料320b与第三 片材料320c之间划定第二压力室322b，在第三片材料320c与顶环主体2之间划定第三压 力室322c。在图5所示的实施方式中，第一压力室322a与流路11连接，第二压力室322b 与流路12连接，第三压力室322c与流路13连接。各流路11、12、13能够与流体源(例 如，高压缩的空气或氮)及/或真空源连结，可以对各压力室322a、322b、322c的压力分 别独立地进行控制。

在一实施方式中，如图5所示，层叠膜320可以具备真空吸附孔328。真空吸附孔328用来将基板WF真空吸附在层叠膜320的下面。并且，真空吸附孔328也可以用于将基板 从顶环302拆卸。例如，通过从真空吸附孔328供给流体(例如空气或氮)可以将保持在 层叠膜320下面的基板WF拆卸。

图7是表示一实施方式涉及的层叠膜320的三张片材料320a、320b、320c的粘接区域的立体图。在图7所示的实施方式中，第一片材料320a配置在与基板接触的最下面， 第二片材料320b配置在第一片材料320a的上面，第三片材料320c配置在最上面。在图 示的实施方式中，第一片材料320a与第二片材料320b的影线区域粘接。并且，第二片材 料320b与第三片材料320c的影线区域粘接。并且，如图7所示，在第一片材料320a形 成四个真空吸附孔328，进而，在第二片材料320b和第三片材料320c的对应位置分别形 成真空吸附孔328。通过如图7所示那样将三张片材料320a、320b、320c粘接层叠，可以 形成图5所示的三个压力室322a、322b、322c。另外，图5、7所示的层叠膜320的结构 为一例，片材料的数量、粘接区域是任意的。

图8是用来说明一实施方式涉及的制造层叠膜320的方法的图。图9是表示一实施方 式涉及的、制造层叠膜320的方法的流程图。首先，准备层叠的片材料。在图示的例子中，准备第一片材料320a和第二片材料320b。第一片材料320a可以作为与基板接触的配置在最下面的片材料。并且，第一片材料320a和第二片材料320b例如可以为硫化后的橡胶材料。作为一例，第一片材料320a和第二片材料320b可以使用硅橡胶。另外，第二片材料 320b可以是与第一片材料320a相同的材料，也可以是与第一片材料320a不同的材料。

接着，对第一片材料320a的上表面的一部分和第二片材料320b的下表面的一部分实 施表面改性处理。表面改性处理在第一片材料320a和第二片材料320b进行粘接的区域实 施。一般情况下，橡胶材料难以通过粘接剂粘接，因此，通过将片材料的表面改性而容易通过粘接剂进行粘接。表面改性处理，例如可以为，在第一片材料320a和第二片材料320b的表面形成亲水性高的氧化硅膜。作为表面改性处理，例如可以实施框架粘合(日文：フ レイムボンド)(注册商标)。

接着，在第一片材料320a的实施了表面改性处理的区域及/或第二片材料320b的实 施了表面改性处理的区域涂覆粘接剂。粘接剂最好为弹性粘接剂，以便能够保持片材料的 弹性。

接着，在第一片材料320a的上面配置第二片材料320b，将第一片材料320a与第二片 材料320b粘接。在图示的例子中，表示将第一片材料320a和第二片材料320b粘接的方法，但是也可以按同样的方法进一步层叠更多的片材料。可以按照这样的工序对任意数量的多个片材料进行粘接层叠而形成层叠膜320。并且，在上述方法中，可以将邻接的片材 料的任意的区域粘接。并且，在上述实施方式涉及的方法中仅使用不具备复杂的三维结构 的二维结构的片材料，因此可以不使用具备复杂形状的模具而形成具备多个压力室322的 层叠膜320。

图10是用来说明一实施方式涉及的制造层叠膜320的方法的图。图11是表示一实施 方式涉及的、制造层叠膜320的方法的流程图。首先，将第一片材料320a配置在模具内。此模具只要是能够稳定地配置第一片材料320a和在其后层叠的第二片材料320b等的形状即可，可以为简单形状的模具。例如，模具可以是划定具备与第一片材料320a的外形一 致的平坦的底面的凹部的模具。第一片材料320a可以是与基板接触的配置在最下面的片 材料。并且，第一片材料320a例如可以是硫化后的橡胶材料。作为一例，第一片材料320a 可以使用硅橡胶。

接着，在第一片材料320a的上表面的一部分配置氟树脂制造的片。氟树脂制造的片 例如可以为聚四氟乙烯的片(PTFE片)。PTFE片配置在不与第二片材料320b粘接的区域。接着，在第一片材料320a的上面配置第二片材料320b。在一实施方式中，第二片材料320b可以是未硫化的橡胶材料。然后，对第二片材料320b实施硫化处理。硫化处理例如可以 是对第二片材料320b进行加压和加热。通过实施硫化处理，在配置了PTFE片的区域以外， 可以将第一片材料320a与第二片材料320b粘接。进行硫化处理后去除PTFE片。

在用图10及图11说明的方法中可以将任意数量的片材料层叠而形成层叠膜320。并 且，在上述方法中，可以将邻接的片材料的任意的区域粘接。例如，通过反复进行如下的操作：在进行了硫化处理的第二片材料320b的上面配置PTFE片、在其上面配置由未硫化 的橡胶材料构成的片材料、实施硫化处理、去除PTFE片，从而，可以将任意数量的片材 料的任意的区域粘接。在上述实施方式涉及的方法中，由于仅使用不具备复杂的三维结构 的二维结构的片材料，因此仅使用简单形状的模具而不使用具备复杂形状的模具，就可以 形成具备多个压力室322的层叠膜320。

图12是用来说明一实施方式涉及的制造层叠膜320的方法的图。图13是表示一实施 方式涉及的、制造层叠膜320的方法的流程图。首先，准备第一片材料320a和第二片材料320b。第一片材料320a可以是配置在与基板接触的最下面的片材料。第一片材料320a 和第二片材料320b，例如可以是硫化后的橡胶材料。作为一例，第一片材料320a和第二 片材料320b可以使用硅橡胶。

接着，对第一片材料320a的上表面的一部分及/或第二片材料的下表面的一部分涂覆 氟树脂涂层。氟树脂涂层，例如可以是PTFE涂层。PTFE涂层涂覆可以在第一片材料320a 中的不与第二片材料320b粘接的区域实施。并且，PTFE涂层涂覆可以在第二片材料320b 中的不与第一片材料320a粘接的区域实施。

接着，在模具内配置第一片材料320a。此模具只要是能够稳定地配置第一片材料320a 和其后层叠的第二片材料320b等的形状即可，可以是简单形状的模具。例如，模具可以 是划定具备与第一片材料320a的外形一致的平坦底面的凹部的模具。

接着，在第一片材料320a的上表面的一部分及/或第二片材料320b的下表面的一部 分配置未硫化的橡胶材料。未硫化的橡胶材料可以配置在第一片材料320a与第二片材料 320b不进行粘接的区域。然后，以使第二片材料320b的下表面与第一片材料320a的上表面不接触的方式，将第二片材料320b配置在第一片材料320a的上面。接着，实施硫化处 理，从而将第一片材料320a和第二片材料320b粘接。硫化处理例如可以通过从第二片材 料320b的上面进行加压和加热来进行。通过实施硫化处理，在涂覆了PTFE涂层的区域以 外的赋予了未硫化橡胶的区域中，第一片材料320a与第二片材料320b可以进行粘接。

在由图12及图13说明的方法中可以将任意数量的片材料层叠而形成层叠膜320。并 且，在上述方法中，可以将邻接的片材料的任意的区域粘接。并且，在上述实施方式涉及的方法中，仅使用不具备复杂的三维结构的二维结构的片材料，因此仅使用简单形状的模具而不使用具有复杂形状的模具就可以形成具备多个压力室322的层叠膜320。并且，在 图12及图13中，对两个片材料粘接的情况进行了说明，但是作为一实施方式，也可以在 邻接的片材料的粘接区域配置未硫化橡胶材料，对不进行粘接的区域涂覆PTFE涂层，而 层叠三个以上的片材料。在此情况下，通过将三个以上的全部的片材料层叠后进行硫化处 理，从而可以将全部的片材料通过一次硫化处理进行粘接。

图14是表示一实施方式涉及的、具备层叠膜320的顶环302的一部分的剖面图。在图14所示的实施方式中，顶环302具有顶环主体2及保持器部380。顶环主体2是整体为 大致四边形的形状(参照图4)，具备四边形的板状的上部件303、安装在上部件303的下 面的中间部件304、安装在中间部件304的下面的下部件306。保持器部380安装在上部 件303的外周部。上部件303通过螺栓等与顶环轴18(图4)连结。并且，中间部件304 通过螺栓等与上部件303连结。下部件306通过螺栓等与上部件303连结。上部件303、 中间部件304、及下部件306可以由金属材料、塑料材料形成。在一实施方式中，上部件 303由不锈钢(SUS)形成，中间部件304及下部件306由塑料材料形成。

如图14所示，在下部件306的下面安装与基板WF的背面接触的层叠膜320。此层叠膜320如上述那样由片材料形成。在图14所示的实施方式中，层叠膜320由四张片材料320a、320b、320c、320d形成。如图所示，与基板接触的最下面的第一片材料320a被保 持器部件3和保持器引导件416夹着而被保持。配置在第一片材料320a的上面的第二片 材料320b被固持器316b和下部件306夹着，并且，被保持器引导件416和保持器支承引 导件412夹着而被保持。配置在第二片材料320b的上面的第三片材料320c被固持器316c 和下部件306夹着而被保持。配置在第三片材料320c的上面的第四片材料320d被固持器 316d和下部件306夹着而被保持。在图14所示的实施方式中，在第一片材料320a与第二 片材料320b之间划定第一压力室322a，在第二片材料320b与第三片材料320c之间划定 第二压力室322b，在第三片材料320c与第四片材料320d之间划定第三压力室322c，在 第四片材料320d和下部件306之间划定第四压力室322d。片材料320a、320b、320c、320d 被固持器等各部件夹着，并且，成为对供给到各压力室322a、322b、322c、322d的流体 进行密封的部分。第一压力室322a、第二压力室322b、第三压力室322c、和第四压力室 322d分别与未图示的流路连通。各流路能与流体源(例如，高压缩的空气或氮)及/或真 空源连结，可以分别独立地对各压力室322a～322d的压力进行控制。因此，当研磨基板 WF时，可以按基板WF的每个区域范围来控制与研磨垫352的接触压力。

在图14所示的实施方式中，越是从靠近基板WF侧(图14的下侧)的第一片材料320a趋近远离基板WF侧(图14的上侧)的第四片材料320d则越是固定在顶环主体2的内侧 或中心侧。并且，越是从靠近基板WF侧的第一片材料320a趋近远离基板WF侧的第四片 材料320d，片材料的尺寸越小。

在图14所示的实施方式中，在上部件303的外周部设有保持器部380。如图所示，上部件303的外周部的下面与上部壳体402连结。在一实施方式中，上部壳体402可以隔着 密封垫等通过螺栓等与上部件303固定。在上部壳体402的下面具备下部壳体404。在一 实施方式中，上部壳体402及下部壳体404可以整体为四边形的环状的部件，由聚苯硫醚 (PPS)树脂形成。在下部壳体404的内部划定圆筒形的缸406。在缸406内配置有隔膜 408。在一实施方式中，隔膜408由橡胶材料形成。隔膜408被上部壳体402和下部壳体 404夹着固定。缸406的内部空间由隔膜408分割为上部空间和下部空间。在下部壳体404 的隔膜408内配置有活塞410。活塞410的一端与隔膜408的下面接触。并且，活塞410 的另一端从下部壳体404的下侧伸出，与保持器支承引导件412接触。在一实施方式中， 活塞410可以由PPS树脂形成。

在上部壳体402设有通路403。通路403与未图示的流体源连接。可以通过通路403从流体源将加压后的流体(例如空气或氮)供给到下部壳体404的缸406的上部空间内。 当流体供给到缸406的上部空间内时，隔膜408向下方鼓出而使活塞410向下方移动。通 过活塞410向下方移动，可以使保持器支承引导件412向下方移动。

在一实施方式中，如图14所示，从上部壳体402的外侧侧面到保持器支承引导件412 的外侧侧面安装有带414。带414允许保持器支承引导件412对下部壳体404位移，并且防止研磨液等浸入下部壳体404与保持器支承引导件412之间的空间。

如图所示，在保持器支承引导件412的下面安装有保持器引导件416。在一实施方式 中，如图所示，第二片材料320b的端部被保持在保持器支承引导件412和保持器引导件416之间。如图所示，在保持器引导件416的下面安装有保持器部件3。保持器支承引导 件412、保持器引导件416、及保持器部件3可以通过螺栓等固定。保持器支承引导件412 及保持器引导件416整体为适合于顶环302的整体形状的四边形的环状的部件。在一实施 方式中，保持器支承引导件412及保持器引导件416由不锈钢(SUS)形成，保持器部件3 由PPS树脂、聚氯乙烯树脂等形成。如上述那样，通过由下部壳体404内的活塞410将保 持器支承引导件412向下方移动，从而使保持器部件3向下方移动。

在一实施方式中，顶环302具备保持器引导装置，该保持器引导装置对保持器部件3 进行支承，以引导保持器部件3使其能够向上下方向位移，并禁止保持器部件向横向位移。 在一实施方式中，如图14所示，保持器支承引导件412、保持器引导件416、及保持器部件3由支承辊450支承及引导，而能在上下方向移动。如图所示，在保持器支承引导件412 的内侧侧面固定有支承垫418。如图所示，在固定于保持器支承引导件412的支承垫418 接触和支承于支承辊450的状态下，保持器支承引导件412、保持器引导件416、及保持 器部件3在上下方向移动。另外，在一实施方式中，也可以构成为在固定于保持器支承引 导件412的支承垫418与支承辊450之间稍稍留有间隙。在一实施方式中，支承垫418可 以由PPS树脂、氯乙烯树脂、PEEK树脂等形成。

在一实施方式中，在下部壳体404沿周向(与纸面垂直的方向)形成有多个缸406，在各个缸406配置有隔膜408及活塞410。通过使用相同的形状的缸406、隔膜408、活塞 410可以降低制造它们的成本。例如，即使在制造尺寸不同的顶环主体2时，也可以使用 作为相同的部件的隔膜408、活塞410，可以根据顶环主体2的大小改变使用数量而进行 设计。

如图14所示，在顶环主体2的下部件306固定着保持器支承框架420。保持器支承框架420通过螺栓等与下部件306固定。

在一实施方式中，支承辊450沿四边形的环状的保持器部380的各边设有多个。例如， 在四边形的保持器支承框架420的各边分别设有三个。在一实施方式中，将支承辊450在 各边分别设有三个，但是作为其它的实施方式也可以将支承辊450在各边各设置一个，或 分别设置两个以上。

在上述实施方式中，支承辊450可以对研磨中从基板WF受到的水平方向的载荷进行 支承。例如，在图14所示的状态下，从基板WF对保持器部件3向左方施力。在此情况下，安装在处于顶环302的右侧的保持器部380(图14)的保持器支承引导件412上的支承垫 418将支承辊450向左方推压。支承辊450的轴424固定于保持器支承框架420，保持器 支承框架420固定于下部件306。因此，当对保持器部件3施加水平方向的力时，可以防 止支承辊450受到其载荷而使保持器部件3向水平方向移动。

并且，在上述实施方式中，顶环轴18的旋转力被传递到上部件303、中间部件304、及下部件306。进而，旋转力从固定于下部件306的保持器支承框架420向支承辊450传 递，从支承辊450经支承垫418向保持器部380传递。因此，顶环302的顶环主体2的旋 转力经由支承辊450向保持器部380传递。

并且，在上述实施方式中，通过将流体通过通路403向缸406供给，由隔膜408对活塞410进行驱动，从而可以使保持器部件3向上下方向移动而对研磨垫352进行按压。并 且，可以通过供给到缸406的流体的压力，控制向保持器部件3的研磨垫352的按压压力。 在上述实施方式中，保持器部件3在上下方向移动时，被支承辊450引导着移动。因此， 可以减小支承辊450与支承垫418之间的阻力。

在图14所示的实施方式中，层叠膜320的各片部件320a、320b、320c、320d的粘接区域为任意。图15A～图15D是表示层叠膜320的粘接区域的例子的图。图15A所示的实 施方式涉及的层叠膜320层叠了四张片材料320a、320b、320c、320d。图15A所示的层叠 膜320，除了形成第一压力室322a的区域，第二片材料320b的下表面与第一片材料320a 的上表面粘接。除了形成第二压力室322b的区域，第三片材料320c的下表面与第二片材 料320b的上表面粘接。除了形成第三压力室322c的区域，第四片材料320d的下表面与 第三片材料320c的上表面粘接。另外，在图15A中，没有示出用来对基板WF进行真空吸 附的真空吸附孔328，但是，真空吸附孔可以具备、也可以不具备。在图15A所示的实施 方式中，在第一片材料320a与第二片材料320b之间划定第一压力室322a，在第二片材料 320b与第三片材料320c之间划定第二压力室322b，在第三片材料320c与第四片材料320d 之间划定第三压力室322c，在第四片材料320d和下部件306之间划定第四压力室322d。 在图15A所示的实施方式中，从外侧朝向中央划定第一压力室322a、第二压力室322b、 第三压力室322c、和第四压力室322d。因此，通过控制各压力室322a、322b、322c、322d 的压力，可以按每一区域控制被保持在层叠膜320下的基板WF向研磨垫352的按压力。

在图15B所示的实施方式中，层叠膜320层叠了四张片材料320a、320b、320c、320d。图15B所示的层叠膜320的第二片材料320b的下侧表面的一部分与第一片材料320a的上 表面的一部分连接。图15B所示的粘接区域沿片材料的周向延伸。因此，在图15B所示的 实施方式中，第一片材料320a与第二片材料320b的连接区域使第一压力室322a具有边 界。在图15B所示的实施方式中，第二片材料320b、第三片材料320c、和第四片材料320d 之间没有进行粘接。并且，在图15B所示的实施方式中，层叠膜320不具备用来对基板WF 进行真空吸附的真空吸附孔。

在图15B所示的实施方式中，研磨中，基板WF被保持在第一片材料320a的表面侧的表面(下侧表面)。研磨中，只要控制为从基板的中心侧向外侧以第四压力室322d、第三 压力室322c、第二压力室322b的顺序加大压力室内的压力，即使片材料之间未粘接，也 可以按每一压力室对基板WF向研磨垫352的按压力进行控制。另一方面，当基板WF的研 磨结束，将基板WF从研磨垫352分离开时，也可以通过对第一压力室322a赋予正压力、 对第二压力室322b、第三压力室322c、和第四压力室322d赋予负压力，从而如吸盘那样 将基板WF保持在第一片材料320a下，从研磨垫352将基板WF分离开。

在图15C所示的实施方式中，层叠膜320层叠四张片材料320a、320b、320c、320d。图15C所示的层叠膜320设有将第二片材料320b与第一片材料320a贯通的真空吸附孔 328。在图15C的实施方式中，在真空吸附孔328的周围，第二片材料320b与第一片材料 320a粘接。在图15C的实施方式中，通过将第二压力室322b抽真空，可以将基板WF保持 在层叠膜320下面。进而，在一实施方式中，如图15C所示，在成为第二压力室322b与 第三压力室322c的边界的区域，如图所示，第三片材料320c与第二片材料320b沿周向 粘接。在将第二压力室322b抽真空了时，该粘接可以防止包括泥浆等的液体从真空吸附 孔328进入第二压力室322b内，进而浸入第三片材料320c与第二片材料320b之间。

在图15C所示的实施方式中，在研磨中，基板WF被保持在第一片材料320a的表面侧的表面。在研磨中，只要控制为从基板的中心侧向外侧以第四压力室322d、第三压力室322c、第二压力室322b、第一压力室322a的顺序加大压力室内的压力，就可以按每一压 力室对将基板WF向研磨垫352的按压力进行控制。另一方面，当基板WF的研磨结束，将 基板WF从研磨垫352分离开时，通过对包括第二压力室322b的全部压力室施加负压，就 可以通过真空吸附将基板WF保持在第一片材料320a下面，从研磨垫352将基板WF分离 开。另外，当将基板WF从研磨垫352分离开时，只要对第二压力室322b赋予负压即可， 第一压力室322a、第三压力室322c、和第四压力室322d为大气压也可以。

在图15D所示的实施方式中，层叠膜320层叠四张片材料320a、320b、320c、320d。图15D所示的层叠膜320设有将第二片材料320b与第一片材料320a贯通的真空吸附孔 328。在图15D的实施方式中，第二片材料320b与第一片材料320a在真空吸附孔328周 围粘接。并且，如图15D所示，在成为第二压力室322b与第三压力室322c的边界的区域， 如图所示，第三片材料320c与第二片材料320b沿周向粘接。进而，如图15D所示，在成 为第二压力室322b与第一压力室322a的边界的区域中，如图所示，第二片材料320b与 第一片材料320a粘接。图15D所示的实施方式也可以说是图15B和图15C的实施方式组 合而成的实施方式。

在图15D所示的实施方式中，研磨中，基板WF被保持在第一片材料320a的表面侧的表面。在研磨中，只要使第四压力室322d的压力大于第三压力室322c的压力，即使第四 片材料320d与第三片材料320c之间无粘接层，也可以按每一圧力室对将板WF向研磨垫 352的按压力进行控制。另一方面，当基板WF的研磨结束，将基板WF从研磨垫352分离 开时，通过对第一压力室322a赋予正压，对第二压力室322b、第三压力室322c、和第四 压力室322d赋予负压，就可以将基板WF真空吸附并且如吸盘那样将基板WF保持在第一 片材料320a下，将基板WF从研磨垫352分离开。另外，当将基板WF从研磨垫352分离 开时，第三压力室322c和第四压力室322d为大气压也可以。

图16A是表示一实施方式涉及的、层叠膜320的粘接区域的例子的图。图16A所示的实施方式涉及的层叠膜320层叠了多个片材料320a、320b、320c、320d、320e。如图16A 所示，第一片材料320a的上表面的一部分与第二片材料320b的下表面的一部分粘接。因 此，由第一片材料320a和第二片材料320b划定第一压力室322a。并且，如图16A所示， 第一片材料320a的上表面的一部分与第三片材料320c的下表面的一部分粘接。因此，由 第一片材料320a、第二片材料320b、和第三片材料320c划定第二压力室322b。图16A所 示的粘接区域沿片材料的圆周方向延伸。另外，如图16A所示，第二压力室322b与第一 压力室322a邻接，第二压力室322b位于第一压力室322a的内侧。如图16A所示，在第 一片材料320a的中心附近，在第一片材料320a的上侧配置有第四片材料320d。如图所示， 由第一片材料320a、第三片材料320c、和第四片材料320d划定第三压力室322c。另外， 第一片材料320a与第四片材料320d和未粘接。如图16A所示，在第一片材料320a和第 四片材料320d的中心附近，在第四片材料320a的上侧配置有第五片材料320e。如图所示， 由第四片材料320d、和第五片材料320e划定第四压力室322d。并且，如图所示，由第五 片材料320e划定第五压力室322e。另外，第四片材料320d与第五片材料320e未粘接。 如图16A所示，在划定第二压力室322b的第一片部件320a的一部分设有真空吸附孔328。

图16B是表示一实施方式涉及的、层叠膜320的粘接区域的例子的图。图16B所示的实施方式涉及的层叠膜320层叠了多个片材料320a、320b、320c、320d、320e。如图16B 所示，第一片材料320a的上表面的一部分与第二片材料320b的下表面的一部分粘接。因 此，由第一片材料320a和第二片材料320b划定第一压力室322a。并且，如图16B所示， 由第二片材料320b和第三片材料320c划定第二压力室322b。另外，第二片材料320b和 第三片材料320c也可以为相同的片材料，在图16B所示的例子中，从粘接区域靠外侧的 部分为第二片材料320b，从粘接区域靠内侧的部分为第三片材料320c。如图16B所示， 第一片材料320a的上表面的一部分与第四片材料320d的下表面的一部分粘接。因此，由 第一片材料320a、第三片材料320c、和第四片材料320d划定第三压力室322c。另外，图 16B所示的粘接区域沿片材料的圆周方向延伸。如图16B所示，在第一片材料320a的中心 附近，在第一片材料320a的上侧配置有第五片材料320e。如图所示，由第一片材料320a、 第四片材料320d、和第五片材料320e划定第四压力室322d。另外，第一片材料320a与 第五片材料320e未粘接。并且，如图所示，由第五片材料320e划定第五压力室322e。如 图16B所示，在划定第三压力室322c的第一片部件320a的一部分设有真空吸附孔328。

以上，根据几个例子对本发明的实施方式进行了说明，但是上述发明的实施方式是用 来易于理解本发明，的不用来对本发明进行限定。本发明在不脱离其主旨的情况下当然可 以进行变更、改进，并且本发明当然也包括其等同发明。并且，在可以解决上述课题的至 少一部分的范围，或能取得效果的至少一部分的范围中，可以将发明请求保护的范围和说 明书中记载的各结构要素任意组合，或省略。另外，在上述中，对作为保持四边形的基板的顶环进行了说明，并且对作为与四边形的基板对应的形状的层叠膜进行了图示和说明，但是，顶环也可以是对圆形的基板进行保持的顶环，层叠膜的形状也可以与圆形的基板对应。

从上述实施方式至少可把握以下的技术思想。

形态1：根据形态1，提供一种用于基板处理装置的基板保持部的层叠膜，该层叠膜具有第一片材料；以及第二片材料，该第二片材料配置在上述第一片材料的上面，上述第一片材料的一部分固定于上述第二片材料的一部分。

形态2：根据形态2，在基于形态1的层叠膜中，上述第一片材料的一部分通过粘接剂固定于上述第二片材料的一部分。

形态3：根据形态3，在基于形态1的层叠膜中，上述第一片材料的一部分通过硫化粘接而固定于上述第二片材料的一部分。

形态4：根据形态4，提供一种基板处理装置的基板保持部，该基板保持部具有形态1～ 形态3中的任意一个形态的层叠膜，上述层叠膜构成为在基板保持面保持基板。

形态5：根据形态5，在基于形态4的基板保持部中，具有用来对上述第一片材料进行定位的第一固持器，和用来对上述第二片材料进行定位的第二固持器，在上述第一片材料与上述第二片材料之间划定第一压力室。

形态6：根据形态6，提供一种用于基板处理装置的基板保持部的层叠膜的制造方法， 该制造方法包括：准备第一片材料和第二片材料的步骤；对上述第一片材料的上表面的一 部分及上述第二片材料的下表面的一部分进行表面改性处理的步骤；在上述第一片材料的 上述上表面的一部分及/或上述第二片材料的上述下表面的一部分配置粘接剂的步骤；以 及将上述第二片材料的上述下表面配置在上述第一片材料的上述上表面上的步骤。

形态7：根据形态7，提供一种用于基板处理装置的基板保持部的层叠膜的制造方法， 该制造方法具有：将第一片材料配置在规定层叠膜的外形的模具内的步骤；在上述第一片 材料的上表面的一部分配置氟树脂片的步骤；在上述第一片材料的上述上表面上配置包括 未硫化橡胶的第二片材料的步骤；对上述第二片材料实施硫化处理的步骤；以及

将上述氟树脂片去除的步骤。

形态8：根据形态8，提供一种用于基板处理装置的基板保持部的层叠膜的制造方法， 该制造方法具有：对第一片材料及/或第二片材料的一部分涂覆氟树脂涂层的步骤；将上 述第一片材料配置在规定层叠膜的外形的模具内的步骤；在上述第一片材料的上表面的一 部分及/或第二片材料的下表面的一部分配置未硫化橡胶的步骤；以及

在配置了上述未硫化橡胶的上述第一片材料的上面配置上述第二片材料的步骤；和对 上述未硫化橡胶实施硫化处理的步骤。

形态9：根据形态9，提供一种基板处理装置，该基板处理装置具有能够旋转的台，以及在形态4或形态5中记载的基板保持部，该基板处理装置构成为，在使配置在上述台 上的研磨垫与保持于上述基板保持部的基板接触的状态下，使上述台旋转，从而对基板进 行研磨。

Claims (6)

1.一种层叠膜，所述层叠膜用于基板处理装置的基板保持部，其特征在于，具有：

第一片材料；以及

第二片材料，该第二片材料配置在所述第一片材料的上面，

所述第一片材料的一部分固定于所述第二片材料的一部分。

2.如权利要求1所述的层叠膜，其特征在于，

所述第一片材料的一部分通过粘接剂固定于所述第二片材料的一部分。

3.如权利要求1所述的层叠膜，其特征在于，

所述第一片材料的一部分通过硫化粘接而固定于所述第二片材料的一部分。

4.一种基板保持部，所述基板保持部为基板处理装置的基板保持部，其特征在于，

所述基板保持部具有权利要求1所述的层叠膜，

所述基板保持部构成为在所述层叠膜的基板保持面保持基板。

5.如权利要求4所述的基板保持部，其特征在于，具有：

第一固持器，所述第一固持器用来对所述第一片材料进行定位；以及

第二固持器，所述第二固持器用来对所述第二片材料进行定位，

在所述第一片材料与所述第二片材料之间划定有第一压力室。

6.一种基板处理装置，其特征在于，具有：

能够旋转的台；以及

权利要求4所述的基板保持部，

所述基板处理装置构成为，在使配置在所述台上的研磨垫与保持于所述基板保持部的基板接触状态下，使所述台旋转，从而对基板进行研磨。

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