TW202043545A - 真空成膜裝置及真空成膜方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種在與冷卻罐輥的外周面接觸的長條樹脂膜面等上不易產生劃痕傷的真空成膜裝置及真空成膜方法。一種真空成膜裝置，包括：捲出室100，捲出捲繞在捲出輥110上的長條樹脂膜1；成膜室400，在自捲出室供給的長條樹脂膜的第一面側進行金屬膜的成膜；以及捲取室500，將成膜有金屬膜的長條樹脂膜捲取至捲取輥541，並且成膜室具有將由輥對輥搬運的長條樹脂膜纏繞至外周面以進行冷卻的旋轉驅動的冷卻罐輥431、及沿著該冷卻罐輥的外周面配置的伴隨熱負荷的成膜機構432～成膜機構435，所述真空成膜裝置的特徵在於，在所述捲出室與成膜室之間設置有使保護膜301與搬運中的長條樹脂膜的第二面側重合而在冷卻罐輥與長條樹脂膜之間夾設保護膜的保護膜重合室300。

Description

真空成膜裝置及真空成膜方法
本發明是有關於一種將由輥對輥（roll to roll）搬運的長條樹脂膜纏繞在冷卻罐輥（can roll）的外周面上，在不與冷卻罐輥的外周面接觸的長條樹脂膜的表面側進行金屬膜的成膜的真空成膜裝置及真空成膜方法，特別是有關於一種在與冷卻罐輥的外周面接觸的長條樹脂膜面或金屬膜面上不易產生劃痕傷的真空成膜裝置及真空成膜方法的改良。
液晶面板、筆記本個人電腦、數位相機、行動電話等中使用有多種可撓性配線基板。該可撓性配線基板的材料中使用有在耐熱性樹脂膜的單面或雙面形成有金屬膜的帶金屬膜的樹脂膜，藉由對該帶金屬膜的樹脂膜應用光微影術或蝕刻等薄膜加工技術，可得到具有規定的配線圖案的可撓性配線基板。由於可撓性配線基板的配線圖案近年來越來越微細化、高密度化，因此帶金屬膜的樹脂膜的金屬膜中無針孔等缺陷變得更加重要。
作為此種帶金屬膜的樹脂膜的製造方法，利用接著劑將金屬箔貼附在耐熱性樹脂膜上來製造的方法（稱為3層基板的製造方法）、在金屬箔上塗佈耐熱性樹脂溶液後，使其乾燥來製造的方法（稱為澆鑄法）、藉由真空成膜法在耐熱性樹脂膜上進行金屬膜的成膜的方法、或者藉由真空成膜法在耐熱性樹脂膜上進行金屬膜的成膜且藉由濕式鍍敷法在該金屬膜上形成濕式鍍敷層來製造的方法（稱為金屬化（Metallizing）法）等先前已為人所知。而且，金屬化法中的真空成膜法有真空蒸鍍法、濺射法、離子鍍法、離子束濺射法等。
作為所述金屬化法，專利文獻1中揭示了在聚醯亞胺絕緣層上濺射鉻後，濺射銅而在聚醯亞胺絕緣層上形成導體層的方法。而且，專利文獻2中揭示了一種可撓性電路基板用材料，其是藉由將藉由以銅鎳合金為靶的濺射而形成的第一金屬薄膜、與藉由以銅為靶的濺射而形成的第二金屬薄膜依次積層在聚醯亞胺膜上而得到。另外，在對如聚醯亞胺膜般的耐熱性樹脂膜（基板）進行真空成膜的情況下，一般使用濺射網塗機（sputtering web coater）。
近年來，作為高密度配線基板，製造有基於所述金屬化法的單面或雙面帶金屬膜的樹脂膜。若具體說明，則在具有耐熱性的長條樹脂膜的單面或雙面藉由濺射等真空成膜法進行作為基底的金屬膜（稱為金屬種（metal seed））的成膜，並在該金屬膜（金屬種）上藉由濕式鍍敷法形成濕式鍍敷層，而製造了單面或雙面帶金屬膜的樹脂膜。另外，金屬膜（金屬種）是使用濺射網塗機等真空成膜裝置來成膜，濕式鍍敷層是使用濕式鍍敷裝置而形成，因此基於金屬化法的單面或雙面帶金屬膜的樹脂膜經由製造裝置不同的兩個階段的步驟而製造。即，藉由真空成膜裝置而在單面或雙面成膜有金屬膜（金屬種）的長條樹脂膜暫時在真空成膜裝置內捲繞成輥狀後，自真空成膜裝置搬出而搬入至濕式鍍敷裝置的濕式鍍敷槽內，從而在長條樹脂膜的金屬膜（金屬種）上形成有濕式鍍敷層。
並且，作為在長條樹脂膜的單面上進行金屬膜（金屬種）的成膜的此種真空成膜裝置，先前已知有如圖1所示般的濺射網塗機（真空成膜裝置）。即，如圖1所示，已知有一種濺射網塗機（真空成膜裝置），其包括：捲出室10，捲出捲繞在捲出輥11上的長條樹脂膜1；成膜室30，在自捲出室10供給的長條樹脂膜1的第一面側進行金屬膜（金屬種）的成膜；以及捲取室40，將成膜有金屬膜（金屬種）的長條樹脂膜1捲取至捲取輥41，並且所述成膜室30具有將由輥對輥搬運的長條樹脂膜1纏繞至外周面以進行冷卻的旋轉驅動的冷卻罐輥31、及沿著該冷卻罐輥31的外周面配置的伴隨熱負荷的成膜機構32、成膜機構33、成膜機構34、成膜機構35。
藉由使用圖1所示的濺射網塗機（真空成膜裝置），在自捲出室10供給的長條樹脂膜1的第一面1α（參照圖2的（a））側進行金屬膜m（參照圖2的（b））的成膜，並以在長條樹脂膜1的所述金屬膜m側重合有襯紙43的狀態（參照圖2的（c））收容於捲取輥41。另外，圖1中的符號42表示捲出被收容於捲取輥41的長條樹脂膜1的層間所夾入的長條的襯紙43（用於防止長條樹脂膜1經由所成膜的金屬膜m而貼附在一起的黏連（blocking）的襯紙）的長條襯紙捲出輥。而且，圖2的（a）所示的長條樹脂膜1的剖面圖與圖1中符號（a）所示的長條樹脂膜1的剖面對應，圖2的（b）所示的長條樹脂膜1的剖面圖與圖1中符號（b）所示的長條樹脂膜1的剖面對應，圖2的（c）所示的長條樹脂膜1的剖面圖與圖1中符號（c）所示的捲取於捲取輥41的長條樹脂膜1的剖面對應。
而且，當使用圖1所示的濺射網塗機（真空成膜裝置）在長條樹脂膜1的雙面進行金屬膜（金屬種）m的成膜時，暫時取出在所述第一面1α上成膜有金屬膜（金屬種）m且捲取在捲取輥41上的長條樹脂膜1，再次在濺射網塗機（真空成膜裝置）的捲出輥11上設置所述長條樹脂膜1，之後，將在第一面1α上成膜有金屬膜（金屬種）m的長條樹脂膜1自捲出室10搬入至成膜室30，藉此可在長條樹脂膜1的第二面1β上亦進行金屬膜（金屬種）m的成膜。在該情況下，來自所述捲出輥11的紙張通道（root）為捲出室10中所示的虛線。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平2-98994號公報 [專利文獻2]日本專利特開平6-97616號公報
[發明所欲解決之課題] 且說，在圖1所示的濺射網塗機（真空成膜裝置）中，由於使長條樹脂膜1與所述冷卻罐輥31的外周面密接的關係，成膜室30內的長條樹脂膜1的搬運張力被設定得比其他捲出室10或捲取室40內的長條樹脂膜1的搬運張力高。因此，在成膜室30內搬運的長條樹脂膜1與設置在成膜室30內的冷卻罐輥31或馬達驅動輥36、馬達驅動輥37的外周面強力接觸，因此，在與該些外周面接觸的長條樹脂膜1側為未成膜的膜面的情況下，容易在未成膜的膜面上產生劃痕傷，在與所述外周面接觸的長條樹脂膜1側為成膜後的金屬膜的情況下，容易在該金屬膜上產生劃痕傷。並且，當在未成膜的膜面上產生劃痕傷時，會在之後成膜的金屬膜面上形成凹凸，當在金屬膜上產生劃痕傷時，會在金屬膜上形成缺損部，因此，存在容易在帶金屬膜的樹脂膜上產生針孔等缺陷的問題。
本發明是著眼於此種問題點而完成，其課題在於提供一種在與冷卻罐輥的外周面接觸的長條樹脂膜面或金屬膜面上不易產生劃痕傷的真空成膜裝置及真空成膜方法。 [解決課題之手段]
即，本發明的第一發明是 一種真空成膜裝置，包括：捲出室，捲出捲繞在捲出輥上的長條樹脂膜；成膜室，在自捲出室供給的長條樹脂膜的第一面側進行金屬膜的成膜；以及捲取室，將成膜有金屬膜的長條樹脂膜捲取至捲取輥，並且所述成膜室具有將由輥對輥搬運的長條樹脂膜纏繞至外周面以進行冷卻的旋轉驅動的冷卻罐輥、及沿著該冷卻罐輥的外周面配置的伴隨熱負荷的成膜機構，所述真空成膜裝置的特徵在於， 在所述捲出室與成膜室之間設置有使保護膜與搬運中的長條樹脂膜的第二面側重合而在冷卻罐輥與長條樹脂膜之間夾設保護膜的保護膜重合室。
而且，第二發明是 如第一發明所述的真空成膜裝置，其特徵在於， 所述保護膜包括聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚碳酸酯、聚苯硫醚、聚醚醚酮、聚醚碸、聚芳醯胺、聚醯亞胺、三乙酸酯的單體或貼合該些而成的複合體； 第三發明是 如第一發明所述的真空成膜裝置，其特徵在於， 伴隨熱負荷的所述成膜機構是磁控濺射（magnetron sputtering）。
其次，本發明的第四發明是 一種真空成膜方法，具有： 膜捲出步驟，捲出捲繞在捲出輥上的長條樹脂膜； 成膜步驟，將捲出的長條樹脂膜纏繞在冷卻罐輥上，並且利用沿著所述冷卻罐輥的外周面配置的伴隨熱負荷的成膜機構在長條樹脂膜的第一面側進行金屬膜的成膜；以及 膜捲取步驟，將成膜有金屬膜的長條樹脂膜捲取至捲取輥， 所述真空成膜方法的特徵在於，在自所述膜捲出步驟至成膜步驟之間，使保護膜與長條樹脂膜的第二面側重合而在冷卻罐輥與長條樹脂膜之間夾設保護膜。
而且，第五發明是 如第四發明所述的真空成膜方法，其特徵在於， 所述保護膜包括聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚碳酸酯、聚苯硫醚、聚醚醚酮、聚醚碸、聚芳醯胺、聚醯亞胺、三乙酸酯的單體或貼合該些而成的複合體； 第六發明是 如第四發明所述的真空成膜方法，其特徵在於， 伴隨熱負荷的所述成膜機構是磁控濺射。 [發明的效果]
根據本發明的真空成膜裝置及真空成膜方法， 由於在被搬入至成膜室的前階段將保護膜與長條樹脂膜的第二面側重合，因此，在成膜室內，長條樹脂膜以夾設有保護膜的狀態纏繞在冷卻罐輥的外周面上。
並且，即便在成膜室內長條樹脂膜與冷卻罐輥的外周面強力接觸，亦因長條樹脂膜與冷卻罐輥之間夾設的保護膜而不易在長條樹脂膜的第二面上產生劃痕傷，因此，具有如下效果：在長條樹脂膜的第二面側為未成膜的膜面的情況下，不易在未成膜的膜面上產生劃痕傷，在所述第二面側為金屬膜的情況下，不易在金屬膜面上產生劃痕傷。
以下，針對本發明的實施形態的真空成膜裝置，與現有例的真空成膜裝置及其問題點一起詳細地進行說明。
1.現有例的真空成膜裝置 （1）現有例的真空成膜裝置的構成 首先，參照圖1來對現有例的真空成膜裝置進行詳細的說明。
另外，在圖1中，由馬達驅動的輥標注M（馬達（Motor））的記號，張力測定輥標注TP（張力拾取器（TensionPickup））的記號，自由輥標注F（自由（Free））的記號。
如圖1所示，現有例的真空成膜裝置包括捲出室10、乾燥室20、成膜室30以及捲取室40。而且，亦有時在所述乾燥室20與成膜室30之間加入進行電漿照射或離子束照射來提高膜與金屬膜的密接力的「表面處理室」。
在所述捲出室10中配置有捲繞有未成膜或單面成膜有金屬膜（金屬種）的長條樹脂膜1的捲出輥11，，構成為：自捲出輥11捲出的長條樹脂膜1經由自由輥12、張力測定輥13以及自由輥14而被搬出至乾燥室20。另外，膜（film）的捲出張力由張力測定輥13測定，並構成為被反饋控制至捲出輥11。
在所述乾燥室20中配置有膜乾燥用的加熱器22，構成為：自捲出室10搬入的長條樹脂膜1被進行乾燥處理，並且經由馬達驅動輥21、自由輥23、張力測定輥24、自由輥25以及自由輥26而被搬出至成膜室30。另外，膜的乾燥張力由張力測定輥24測定，並構成為被反饋控制至所述馬達驅動輥21。
在所述成膜室30內配置有濺射陰極32、濺射陰極33、濺射陰極34、濺射陰極35，構成為：在自乾燥室20搬入的長條樹脂膜1的單面（第一面1α：參照圖2的（a））上進行金屬膜（金屬種）m的成膜（參照圖2的（b）），並且經由馬達驅動輥36、張力測定輥38、罐輥31、張力測定輥39以及馬達驅動輥37而被搬出至捲取室40。而且，罐輥31上游的膜張力（搬入張力）由張力測定輥38測定，並構成為被反饋控制至馬達驅動輥36，罐輥下游的膜張力（搬出張力）由張力測定輥39測定，並構成為被反饋控制至馬達驅動輥37。另外，圖1中的符號3P表示遮蔽板，構成為防止自濺射陰極的靶叩出的濺射粒子脫離規定的行進路徑而朝向乾燥室20或捲取室40等。而且，成膜室30內的膜張力（搬入、搬出張力）被設定得比捲出室10內的膜捲出張力、乾燥室20的膜乾燥張力、捲取室40內的膜捲取張力高2倍～4倍左右。
在所述捲取室40內配置有捲取輥41及長條襯紙捲出輥42，構成為：自成膜室30搬入的具有金屬膜（金屬種）的長條樹脂膜1一邊經由自由輥47將自長條襯紙捲出輥42捲出的長條襯紙43夾入至膜的層間，一邊經由自由輥44、張力測定輥45以及自由輥46而被捲取至捲取輥41。另外，膜的捲取張力由張力測定輥45測定，並構成為被反饋控制至捲取輥41。如此，通過所述捲出室10、乾燥室20以及成膜室30，並成膜有金屬膜的長條樹脂膜1一邊在其層間夾入長條襯紙43，一邊被捲取至捲取室40的捲取輥41。
且說，當使用所述真空成膜裝置在長條樹脂膜1的雙面進行金屬膜的成膜時，如上所述暫時取出在第一面1α上成膜有金屬膜m且捲取在捲取輥41上的長條樹脂膜1，再次在真空成膜裝置的捲出輥11上設置所述長條樹脂膜1，之後，將在第一面1α上成膜有金屬膜m的長條樹脂膜1自捲出室10搬入至成膜室30，藉此可在長條樹脂膜1的第二面1β上亦進行金屬膜m的成膜。在該情況下，來自所述捲出輥11的紙張通道為捲出室10中所示的虛線。而且，當將在第二面1β上成膜有金屬膜的長條樹脂膜1直接捲取到捲取輥41上時，會發生第一面1α與第二面1β側各自所成膜的金屬膜在真空中強力接觸，並貼附在一起的的黏連現象，因此，與在單面（第一面1α）側進行金屬膜的成膜的情況相同，一邊將自所述長條襯紙捲出輥42捲出的長條襯紙43夾入至膜的層間，一邊將長條樹脂膜1捲取至捲取室40的捲取輥41即可。另外，在圖1中，僅記載了用於說明真空成膜裝置的最低限度的輥，亦存在未圖示的輥。
而且，構成捲出室10、乾燥室20、成膜室30以及捲取室40的各真空室具備排氣設備，特別是在成膜室30中，為了濺射成膜而進行減壓直至到達壓力10-4 Pa左右，並且藉由其後的濺射氣體導入進行0.1 Pa～10 Pa左右的壓力調整。濺射氣體是使用氬氣等公知的氣體，並根據目的進一步添加氧氣等氣體。各真空室的形狀或材質只要能夠承受此種減壓狀態，則無特別限定，可使用各種形狀或材質。為了將各真空室內減壓並維持其狀態，設置有未圖示的乾式泵、渦輪分子泵、低溫線圈（Cryocoil）等各種裝置。
而且，在進行金屬膜（金屬種）的濺射成膜的情況下，如圖1所示使用板狀的靶，但在使用板狀的靶的情況下，有時會在靶上產生結塊（nodule）（異物的生長）。當這會成為問題時，較佳為使用不會產生結塊、靶的使用效率亦高的圓筒形旋轉靶。而且，在圖1的真空成膜裝置中圖示了磁控濺射陰極，但在使用CVD（化學蒸鍍，chemical vapor deposition）或蒸鍍處理等其他真空成膜裝置的情況下，加入其他真空成膜機構來代替板狀靶。
（2）現有例的真空成膜裝置的問題點 在圖1所示的現有例的真空成膜裝置中，由於使長條樹脂膜1與冷卻罐輥31的外周面密接的關係，成膜室30內的長條樹脂膜1的搬運張力如上所述被設定得比捲出室10內的膜捲出張力、乾燥室20的膜乾燥張力、捲取室40內的膜捲取張力高2倍～4倍左右。因此，在成膜室30內搬運的長條樹脂膜1與設置在成膜室30內的冷卻罐輥31或馬達驅動輥36、馬達驅動輥37的外周面強力接觸，在與該些外周面接觸的長條樹脂膜1側為未成膜的膜面的情況下，容易在未成膜的膜面產生劃痕傷，在與所述外周面接觸的長條樹脂膜1側為成膜後的金屬膜的情況下，容易在該金屬膜上產生劃痕傷。
並且，當在未成膜的膜面上產生劃痕傷時，會在其後成膜的金屬膜面上形成凹凸，當在金屬膜上產生劃痕傷時，會在金屬膜上形成缺損部，因此，存在容易在帶金屬膜的樹脂膜上產生針孔等缺陷的問題。
2.本發明的實施形態的真空成膜裝置 （1）本發明的實施形態的真空成膜裝置的構成 其次，參照圖3來對本發明的實施形態的真空成膜裝置進行具體的說明。在圖3中亦為，由馬達驅動的輥標注M（馬達（Motor））的記號，張力測定輥標注TP（張力拾取器（TensionPickup））的記號，自由輥標注F（自由（Free））的記號。
如圖3所示，本實施形態的真空成膜裝置包括捲出室100、乾燥室200、保護膜重合室300、成膜室400以及捲取室500。另外，與現有例的裝置相同，亦有時在所述乾燥室200與保護膜重合室300之間加入進行電漿照射或離子束照射來提高膜與金屬膜的密接力的「表面處理室」。
在所述捲出室100中配置有捲繞有未成膜或在單面成膜有金屬膜（金屬種）的長條樹脂膜1的捲出輥110、與分離並回收自捲出輥110捲出長條樹脂膜1時被夾入至長條樹脂膜1的層間的長條襯紙101的長條襯紙捲取輥120，構成為：自捲出輥110捲出的長條樹脂膜1經由自由輥111、張力測定輥112以及自由輥113而被搬出至乾燥室200，並且構成為自長條樹脂膜1分離出的長條襯紙101經由自由輥121、張力測定輥122以及自由輥123而被回收至長條襯紙捲取輥120。而且，來自捲出輥110的膜捲出張力[例如，100牛頓（N）]由張力測定輥112測定，並構成為被反饋控制至捲出輥110，長條襯紙的捲取張力由張力測定輥122測定，並構成為被反饋控制至長條襯紙捲取輥120。而且，對於所述長條襯紙101，在雙面未成膜的長條樹脂膜中，亦有時為了防止膜面之間的黏連而夾入至膜層間（參照圖4的（A）），在單面成膜有金屬膜（金屬種）的長條樹脂膜中，為了防止金屬膜引起的黏連而夾入至膜層間。
在所述乾燥室200中配置有膜乾燥用的加熱器222，構成為：自捲出室100搬入的長條樹脂膜1（參照圖4的（B））被進行乾燥處理，並且經由馬達驅動輥221、自由輥223、張力測定輥224、自由輥225、自由輥226以及自由輥227而被搬出至保護膜重合室300。而且，膜的乾燥張力[例如50牛頓（N）]由張力測定輥224測定，並構成為被反饋控制至所述馬達驅動輥221。
而且，在所述保護膜重合室300中配置有捲出保護膜301的保護膜捲出輥310，構成為：自保護膜捲出輥310捲出的保護膜301經由自由輥311與張力測定輥312而被搬運至自由輥313上，另一方面，自所述乾燥室200經由自由輥227與保護膜重合室300的自由輥314而向所述自由輥313上搬運長條樹脂膜1，在該自由輥313上，在長條樹脂膜1的第二面1β側重合保護膜301（參照圖4的（C））。而且，來自保護膜捲出輥310的保護膜捲出張力由張力測定輥312測定，並構成為反饋控制至保護膜捲出輥310。
其次，在所述成膜室400內配置有濺射陰極432、濺射陰極433、濺射陰極434、濺射陰極435，構成為：在自保護膜重合室300搬入且在第二面1β側重合有保護膜301的長條樹脂膜1的單面（第一面1α：參照圖4的（C））進行金屬膜（金屬種）m的成膜（參照圖4的（D）），並且經由自由輥401、馬達驅動輥436、張力測定輥438、罐輥431、張力測定輥439、馬達驅動輥437以及自由輥402而被搬出至捲取室500。而且，罐輥431上游的膜張力[搬入張力：例如200牛頓（N）]由張力測定輥438測定，並構成為被反饋控制至馬達驅動輥436，罐輥下游的膜張力[搬出張力：例如200牛頓（N）]由張力測定輥439測定，並構成為被反饋控制至馬達驅動輥437。另外，圖3中的符號400P表示遮蔽板，構成為防止自濺射陰極的靶叩出的濺射粒子脫離規定的行進路徑而朝向保護膜重合室300或捲取室500等。
在所述捲取室500內配置有捲取輥541及長條襯紙捲出輥542，構成為：自成膜室400搬入的具有金屬膜（金屬種）的長條樹脂膜1一邊將自長條襯紙捲出輥542捲出的長條襯紙43經由自由輥501、張力測定輥502以及自由輥547而夾入至膜的層間（參照圖4的（E）），一邊經由自由輥544、張力測定輥545以及自由輥546被捲取至捲取輥541。而且，長條樹脂膜的捲取張力[例如100牛頓（N）]由張力測定輥545測定，並構成為被反饋控制至捲取輥541，且來自長條襯紙捲出輥542的長條襯紙捲出張力由張力測定輥502測定，並構成為被反饋控制至長條襯紙捲出輥542。
並且，通過所述捲出室100、乾燥室200、保護膜重合室300以及成膜室400，並成膜有金屬膜的長條樹脂膜1一邊在其層間夾入長條襯紙43一邊被捲取至捲取室500的捲取輥541。
而且，當使用本實施形態的真空成膜裝置在長條樹脂膜1的雙面進行金屬膜的成膜時，與使用現有例的真空成膜裝置的情況相同，暫時取出在第一面1α上成膜有金屬膜m且在第二面1β上重合有保護膜，並且捲取在捲取輥541上的長條樹脂膜1，再次在真空成膜裝置的捲出輥110上設置所述長條樹脂膜1，之後，在自在第一面1α上成膜有金屬膜m的長條樹脂膜1分離所述保護膜而使第二面1β露出的狀態下自捲出室100向成膜室400搬入長條樹脂膜1，藉此可在長條樹脂膜1的第二面1β上亦進行金屬膜的成膜。另外，與使用現有例的真空成膜裝置的情況相同，為了防止黏連現象，較佳為一邊將自長條襯紙捲出輥542捲出的長條襯紙43夾入至膜的層間，一邊將長條樹脂膜1捲取至捲取輥541。
而且，構成所述捲出室100、乾燥室200、保護膜重合室300、成膜室400以及捲取室500的各真空室具備排氣設備，特別是在成膜室400中，為了濺射成膜而進行減壓直至到達壓力10-4 Pa左右，並且藉由其後的濺射氣體導入進行0.1 Pa～10 Pa左右的壓力調整。濺射氣體是使用氬氣等公知的氣體，並根據目的進一步添加氧氣等氣體。各真空室的形狀或材質只要能夠承受此種減壓狀態，則無特別限定，可使用各種形狀或材質。為了將各真空室內減壓並維持其狀態，設置有未圖示的乾式泵、渦輪分子泵、低溫線圈（Cryocoil）等各種裝置。
而且，在進行金屬膜（金屬種）的濺射成膜的情況下，如圖3所示，使用板狀的靶，但在使用板狀的靶的情況下，有時會在靶上產生結塊（nodule）（異物的生長）。當這會成為問題時，較佳為使用不會產生結塊、靶的使用效率亦高的圓筒形旋轉靶。而且，在圖3的真空成膜裝置中圖示了磁控濺射陰極，但在使用CVD（化學蒸鍍）或蒸鍍處理等其他真空成膜裝置的情況下，加入其他真空成膜機構來代替板狀靶。
（2）本發明的實施形態的真空成膜裝置的效果 根據本實施形態的真空成膜裝置，由於在被搬入至成膜室400的前階段將保護膜301與長條樹脂膜1的第二面1β（參照圖4的（C））側重合，因此，在成膜室400內，長條樹脂膜1以夾設有保護膜301的狀態纏繞在冷卻罐輥431的外周面上。
並且，即便在成膜室400內長條樹脂膜1與冷卻罐輥431的外周面、馬達驅動輥436以及馬達驅動輥437的各外周面強力接觸，亦因長條樹脂膜1與該些輥之間夾設的保護膜301而不易在長條樹脂膜1的第二面1β上產生劃痕傷，因此在長條樹脂膜1的第二面1β側為未成膜的膜面的情況下，不易在未成膜的膜面上產生劃痕傷，在所述第二面1β側為金屬膜的情況下，不易在金屬膜面上產生劃痕傷，因此，具有可製造在金屬膜（金屬種）上形成的濕式鍍敷層上無針孔等的高品質帶金屬膜的樹脂膜的這一顯著效果。
（3）膜的材質 （3-1）長條樹脂膜 作為應用於帶金屬膜的樹脂膜的長條樹脂膜，可例示選自聚醯亞胺系膜、聚醯胺系膜、聚酯系膜、聚四氟乙烯系膜、聚苯硫醚系膜、聚萘二甲酸乙二酯系膜或液晶聚合物系膜的耐熱性的樹脂膜等。這是因為使用該些樹脂膜得到的帶金屬膜的樹脂膜在所述可撓性配線基板所要求的柔軟性、實用上所需的強度、適合作為配線材料的電絕緣性方面優異。
（3-2）保護膜 作為所述保護膜，可例示聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚碳酸酯、聚苯硫醚、聚醚醚酮、聚醚碸、聚芳醯胺、聚醯亞胺、三乙酸酯的單體或貼合該些而成的複合體。
（3-3）長條襯紙 作為被夾入至長條樹脂膜的層間的所述長條襯紙，可例示選自聚醯亞胺系膜、聚醯胺系膜、聚酯系膜、聚四氟乙烯系膜、聚苯硫醚系膜、聚萘二甲酸乙二酯系膜或液晶聚合物系膜的樹脂膜等。 [實施例]
以下，對本發明的實施例進行具體說明。
[金屬膜（金屬種）的成膜] 使用圖3所示的真空成膜裝置（濺射網塗機）將在長條樹脂膜的第一面1α上成膜有金屬膜且在第一面1α側成膜有金屬膜的長條樹脂膜再次設置在真空成膜裝置的捲出輥上，在長條樹脂膜的雙面（第一面1α與第二面1β）上進行金屬膜（金屬種）的成膜。另外，圖3所示的長條樹脂膜1是使用寬度600 mm、長度1000 m、厚度25 μm的宇部興產股份有限公司製造的耐熱性聚醯亞胺膜「尤皮萊庫斯（Upilex）（註冊商標）」，在長條樹脂膜1的第一面1α與第二面1β上成膜的金屬膜（金屬種）是在第一層的Ni-Cr膜上進行第二層的Cu膜的成膜者。
即，成膜室400的磁控濺射陰極432的靶是使用Ni-Cr靶，磁控濺射陰極433、磁控濺射陰極434、磁控濺射陰極435的靶是使用Cu靶。並且，在該狀態下，使用多台乾式泵將成膜室400內的空氣排氣至5 Pa後，進而使用多台渦輪分子泵與低溫線圈排氣至3×10-3 Pa。
其次，啟動濺射網塗機的旋轉驅動裝置，一邊以搬運速度5 m/分鐘搬運長條樹脂膜1，一邊以300 sccm導入氬氣，並且對Ni-Cr靶的磁控濺射陰極施加20 kW、對Cu靶的磁控濺射陰極施加30 kW的電離，進行作為第一層的Ni-Cr膜25 nm、作為第二層的Cu膜100 nm的成膜。
然後，將在第一面1α與第二面1β上成膜有所述金屬膜（金屬種）的長條樹脂膜1搬入至捲取室500內，為了不發生黏連，一邊在長條樹脂膜1的層間夾入長條襯紙43，一邊將長條樹脂膜1捲取至捲取輥541。
另外，與搬運中的長條樹脂膜1的第二面1β側重合的保護膜301及所述長條襯紙43是應用厚度10 μm的聚對苯二甲酸乙二酯（Polyethylene Terephthalate，PET）膜，所述真空成膜裝置（濺射網塗機）中的捲出室100的膜捲出張力設定為100牛頓（N），乾燥室200的膜乾燥張力設定為50牛頓（N），成膜室400的罐輥431上游的膜張力[搬入張力]與罐輥下游的膜張力[搬出張力]分別設定為200牛頓（N），且捲取室500的膜捲取張力設定為100牛頓（N）。
[濕式鍍敷層的形成] 針對在雙面成膜有包括Ni-Cr層與Cu層的金屬膜（金屬種）且在膜層間夾入有防止黏連用的長條襯紙43的長條樹脂膜1，自「濕式鍍敷裝置」的捲出輥一邊分離所述長條襯紙43一邊捲出，並且在向鍍敷槽搬入長條樹脂膜1的前階段，利用「大氣壓電漿清洗裝置」清洗金屬膜（金屬種）表面，然後，以搬運速度3 m/分鐘向「濕式鍍敷裝置」的鍍敷槽內搬入長條樹脂膜1，在金屬膜（金屬種）上鍍敷1 μm的Cu層（濕式鍍敷層）。
[評價方法] 針對得到的帶金屬膜的樹脂膜，評價了有無針孔。首先，遮蔽（masking）單面的金屬層[金屬種與濕式鍍敷層]，藉由蝕刻除去相反面的金屬層，其後，利用透射顯微鏡拍攝5.6 mm×4.2 mm視野範圍的針孔，藉由圖像解析計數並評價直徑3 μm以上的針孔。
其結果，與使用現有例的真空成膜裝置的情況相比，確認到在本實施例中得到的帶金屬膜的樹脂膜中針孔顯著降低。 [產業上之可利用性]
根據本發明，由於能夠以高的良率來製造無針孔等的高品質帶金屬膜的樹脂膜，因此具有可應用作筆記本個人電腦、數位相機、行動電話等可撓性配線基板中所使用的帶金屬膜的樹脂膜的製造裝置的這一產業上之可利用性。
m:金屬膜（金屬種） 1:長條樹脂膜 1α:第一面 1β:第二面 10:捲出室 11:捲出輥 12:自由輥 13:張力測定輥 14:自由輥 20:乾燥室 21:馬達驅動輥 22:加熱器 23:自由輥 24:張力測定輥 25:自由輥 26:自由輥 3P:遮蔽板 30:成膜室 31:罐輥 32:濺射陰極 33:濺射陰極 34:濺射陰極 35:濺射陰極 36:馬達驅動輥 37:馬達驅動輥 38:張力測定輥 39:張力測定輥 40:捲取室 41:捲取輥 42:長條襯紙捲出輥 43:長條襯紙 44:自由輥 45:張力測定輥 46:自由輥 47:自由輥 100:捲出室 101:長條襯紙 110:捲出輥 111:自由輥 112:張力測定輥 113:自由輥 120:長條襯紙捲取輥 121:自由輥 122:張力測定輥 123:自由輥 200:乾燥室 221:馬達驅動輥 222:加熱器 223:自由輥 224:張力測定輥 225:自由輥 226:自由輥 227:自由輥 300:保護膜重合室 301:保護膜 310:保護膜捲出輥 311:自由輥 312:張力測定輥 313:自由輥 314:自由輥 400P:遮蔽板 400:成膜室 401:自由輥 402:自由輥 431:罐輥 432:濺射陰極 433:濺射陰極 434:濺射陰極 435:濺射陰極 436:馬達驅動輥 437:馬達驅動輥 438:張力測定輥 439:張力測定輥 500:捲取室 501:自由輥 502:張力測定輥 541:捲取輥 542:長條襯紙捲出輥 544:自由輥 545:張力測定輥 546:自由輥 547:自由輥 M:馬達驅動的輥 TP:張力測定輥 F:自由輥
圖1是在長條樹脂膜的單面上進行金屬膜的成膜的現有例的濺射網塗機（真空成膜裝置）的構成說明圖。 圖2的（a）是圖1中符號（a）所示的長條樹脂膜的剖面圖，圖2的（b）是圖1中符號（b）所示的長條樹脂膜的剖面圖，並且圖2的（c）是圖1中符號（c）所示的捲取於捲取輥的長條樹脂膜的剖面圖。 圖3是在長條樹脂膜的單面上進行金屬膜的成膜的本發明的實施形態的濺射網塗機（真空成膜裝置）的構成說明圖。 圖4的（A）是圖3中符號（A）所示的捲繞在捲出輥上的長條樹脂膜的剖面圖，圖4的（B）是圖3中符號（B）所示的長條樹脂膜的剖面圖，圖4的（C）是圖3中符號（C）所示的長條樹脂膜的剖面圖，圖4的（D）是圖3中符號（D）所示的長條樹脂膜的剖面圖，並且圖4的（E）是圖3中符號（E）所示的捲取於捲取輥的長條樹脂膜的剖面圖。
1:長條樹脂膜
43:長條襯紙
100:捲出室
101:長條襯紙
110:捲出輥
111:自由輥
112:張力測定輥
113:自由輥
120:長條襯紙捲取輥
121:自由輥
122:張力測定輥
123:自由輥
200:乾燥室
221:馬達驅動輥
222:加熱器
223:自由輥
224:張力測定輥
225:自由輥
226:自由輥
227:自由輥
300:保護膜重合室
301:保護膜
310:保護膜捲出輥
311:自由輥
312:張力測定輥
313:自由輥
314:自由輥
400P:遮蔽板
400:成膜室
401:自由輥
402:自由輥
431:罐輥
432:濺射陰極
433:濺射陰極
434:濺射陰極
435:濺射陰極
436:馬達驅動輥
437:馬達驅動輥
438:張力測定輥
439:張力測定輥
500:捲取室
501:自由輥
502:張力測定輥
541:捲取輥
542:長條襯紙捲出輥
544:自由輥
545:張力測定輥
546:自由輥
547:自由輥
M:馬達驅動的輥
TP:張力測定輥
F:自由輥

Claims (6)

  1. 一種真空成膜裝置，包括：捲出室，捲出捲繞在捲出輥上的長條樹脂膜；成膜室，在自捲出室供給的長條樹脂膜的第一面側進行金屬膜的成膜；以及捲取室，將成膜有金屬膜的長條樹脂膜捲取至捲取輥，並且所述成膜室具有將由輥對輥搬運的長條樹脂膜纏繞至外周面以進行冷卻的旋轉驅動的冷卻罐輥、及沿著所述冷卻罐輥的外周面配置的伴隨熱負荷的成膜機構，所述真空成膜裝置的特徵在於， 在所述捲出室與所述成膜室之間設置有使保護膜與搬運中的長條樹脂膜的第二面側重合而在所述冷卻罐輥與長條樹脂膜之間夾設保護膜的保護膜重合室。
  2. 如請求項1所述的真空成膜裝置，其中所述保護膜包括聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚碳酸酯、聚苯硫醚、聚醚醚酮、聚醚碸、聚芳醯胺、聚醯亞胺、三乙酸酯的單體或貼合該些而成的複合體。
  3. 如請求項1所述的真空成膜裝置，其中伴隨熱負荷的所述成膜機構是磁控濺射。
  4. 一種真空成膜方法，具有： 膜捲出步驟，捲出捲繞在捲出輥上的長條樹脂膜； 成膜步驟，將捲出的長條樹脂膜纏繞在冷卻罐輥上，並且利用沿著所述冷卻罐輥的外周面配置的伴隨熱負荷的成膜機構在長條樹脂膜的第一面側進行金屬膜的成膜；以及 膜捲取步驟，將成膜有金屬膜的長條樹脂膜捲取至捲取輥， 所述真空成膜方法的特徵在於，在自所述膜捲出步驟至所述成膜步驟之間，使保護膜與長條樹脂膜的第二面側重合而在所述冷卻罐輥與長條樹脂膜之間夾設保護膜。
  5. 如請求項4所述的真空成膜方法，其中所述保護膜包括聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚碳酸酯、聚苯硫醚、聚醚醚酮、聚醚碸、聚芳醯胺、聚醯亞胺、三乙酸酯的單體或貼合該些而成的複合體。
  6. 如請求項4所述的真空成膜方法，其中伴隨熱負荷的所述成膜機構是磁控濺射。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5922931A (ja) * 1982-07-30 1984-02-06 Teijin Ltd 薄膜の製造方法及び装置
JPH0298994A (ja) 1988-10-06 1990-04-11 Ibiden Co Ltd ポリイミド絶縁層上への導体層形成方法
JP3447070B2 (ja) 1992-09-17 2003-09-16 三井化学株式会社 フレキシブル回路基板用材料
JP5483919B2 (ja) * 2009-04-14 2014-05-07 国立大学法人信州大学 導電体被覆装置
JP2012026024A (ja) * 2010-07-28 2012-02-09 Gunze Ltd 成膜装置及び成膜方法
JP5659807B2 (ja) * 2011-01-17 2015-01-28 住友金属鉱山株式会社 ロール・トゥ・ロール方式真空両面成膜装置および両面金属ベース層付樹脂フィルム製造装置
JP2012169358A (ja) * 2011-02-10 2012-09-06 Toyota Motor Corp 金属化フィルムの製造方法および金属化フィルムの製造装置
WO2012117878A1 (ja) * 2011-03-02 2012-09-07 富士フイルム株式会社 機能性フィルムの製造方法
JP6546930B2 (ja) * 2014-02-21 2019-07-17 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 薄膜処理用途のための装置及び方法
WO2017037338A1 (en) * 2015-09-02 2017-03-09 Beneq Oy Apparatus and method for providing a coating to a surface of a substrate
JP6465011B2 (ja) * 2015-12-14 2019-02-06 住友金属鉱山株式会社 長尺フィルムの真空成膜装置
JP2017155298A (ja) * 2016-03-03 2017-09-07 東レエンジニアリング株式会社 薄膜形成装置
CN206127418U (zh) * 2016-11-03 2017-04-26 成都捷翼电子科技有限公司 一种用于柔性电子元件的卷对卷高真空溅镀系统
JP6642686B2 (ja) * 2018-11-26 2020-02-12 住友金属鉱山株式会社 長尺フィルムの真空成膜方法

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