JP2017155298A - 薄膜形成装置 - Google Patents

Abstract

【課題】帯状の基材のシワの発生を抑え、基材上に安定した蒸着膜を形成することができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】帯状の基材２に所定の張力をかけながら基材２を所定の搬送方向に搬送させる搬送部と、搬送部により搬送される基材２の膜形成面に蒸着膜を形成する成膜部７と、基材２の搬送に関して成膜部７よりも上流にあり基材２の膜形成面の反対側の面にシート状の支持体１１を貼り付ける支持体貼り付け部１０と、を備え、支持体貼り付け部１０における基材２の周囲の圧力は、成膜部７における基材２の周囲の圧力よりも低い。
【選択図】図１

Description

本発明は、帯状の基材上に薄膜を形成するための薄膜形成装置であり、基材を搬送させながら成膜部を通過させることにより、基材上に薄膜を純度よく形成するための薄膜形成装置に関するものである。

近年では、プラスチックフィルムの表面に例えば酸化防止、水分浸入防止等を目的としたバリア膜を形成したバリアフィルムが使用されている。

このようなバリアフィルムは、下記特許文献１に示す薄膜形成装置によって形成されている。例えば図６に示すように、薄膜形成装置１００は、メインロールチャンバ１０１と、このメインロールチャンバ１０１内に収容されるメインロール１０２と、帯状の基材１０３を繰り出す巻出しロール１０４と基材１０３を巻き取る巻取りロール１０５とを備えており、巻出しロール１０４から送出された基材１０３をメインロール１０２の外周面１０２ａに沿うように当接させ、そして巻取りロール１０５によって巻き取ることにより、所定の張力をかけながら基材１０３を搬送するようになっている。そして、メインロール１０２の外径側に間仕切り部１０６を設けることにより、成膜部１０７ａおよび１０７ｂがメインロール１０２の周方向に形成され、これら成膜部１０７ａおよび１０７ｂの内部には電極が設けられており、成膜部１０７ａおよび１０７ｂに薄膜の原料ガスを供給し、各電極に高周波電圧を印加することにより、原料ガスはプラズマ状態となり、プラズマＣＶＤ法によって基材１０３に蒸着膜が形成される。このような薄膜形成装置１００において、巻出しロール１０４から供給された基材１０３がメインロール１０２の外周面１０２ａに沿わせた状態で成膜部１０７ａおよび成膜部１０７ｂを順番に通過することにより、基材１０３上に所定の蒸着膜が順次積層されて形成される。

特開２００１−３０３２４９号公報

しかし、上記の薄膜形成装置では、基材への蒸着膜の形成が不安定になるおそれがあった。具体的には、成膜部１０７ａや成膜部１０７ｂにて成膜が行われる際、プラズマの熱によりシート状の基材１０３が加熱され、変形する。この変形は、所定の張力がかけられた基材１０３には図７に示すように搬送方向に延びるシワ１０８となって現れる。このようなシワは一度発生すると最後まで製品に残るため、シワの発生後、シワが発生した部分に蒸着される蒸着膜の形成が不安定になるといった問題があった。

本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたものであり、帯状の基材のシワの発生を抑え、基材上に安定した蒸着膜を形成することができる薄膜形成装置を提供することを目的としている。

上記課題を解決するために本発明の薄膜形成装置は、帯状の基材に所定の張力をかけながら基材を所定の搬送方向に搬送させる搬送部と、前記搬送部により搬送される基材の膜形成面に蒸着膜を形成する成膜部と、基材の搬送に関して前記成膜部よりも上流にあり基材の前記膜形成面の反対側の面にシート状の支持体を貼り付ける支持体貼り付け部と、を備え、前記支持体貼り付け部における基材の周囲の圧力は、前記成膜部における基材の周囲の圧力よりも低いことを特徴としている。

上記薄膜形成装置によれば、蒸着時に帯状の基材のシワが発生することを抑えることができる。具体的には、基材の搬送に関して成膜部よりも上流にあり基材の膜形成面の反対側の面にシート状の支持体を貼り付ける支持体貼り付け部を備えていることにより、成膜部には基材に支持体が貼り付けられて補強された状態で搬送されるため、シワ発生の原因となる基材の変形を抑えることができる。また、支持体貼り付け部における基材の周囲の圧力は、成膜部における基材の周囲の圧力よりも低いことにより仮に支持体の貼り付け時に気泡が入っていたとしても成膜部内で気泡が支持体の貼り付け時よりも大きくなることを抑えることができる。

また、前記支持体貼り付け部における基材の周囲の圧力は、前記成膜部における基材の周囲の圧力の０．６倍以上０．９倍以下であると良い。

こうすることにより、成膜部内で気泡が支持体の貼り付け時よりも大きくなることを抑えかつ成膜部から支持体貼り付け部の方へパーティクルが巻き上がることを抑え、支持体の貼り付け時に基材と支持体の間にパーティクルが噛み込むことを抑えることができる。

また、前記支持体貼り付け部と前記成膜部とは離間しており、前記支持体貼り付け部と前記成膜部の間の部分における基材の周囲の圧力は前記成膜部における基材の周囲の圧力よりも高いと良い。

こうすることにより、成膜部からパーティクルが発生したとしてもこのパーティクルが支持体貼り付け部に到達することを防ぎ、支持体の貼り付け時に基材と支持体の間にパーティクルが噛み込むことを抑えることができる。

本発明の薄膜形成装置によれば、帯状の基材のシワの発生を抑え、基材上に安定した蒸着膜を形成することができる薄膜形成装置を提供することができる。

本発明の一実施形態における薄膜形成装置を表す概略図である。 本発明の薄膜形成装置によって薄膜が形成された基材の様子を示す写真である。 本発明の薄膜形成装置によって薄膜が形成された基材の様子を示す写真である。 本発明の他の実施形態における薄膜形成装置を表す概略図である。 本発明の他の実施形態における薄膜形成装置を表す概略図である。 従来の実施形態における薄膜形成装置を表す概略図である。 従来の薄膜形成装置によって薄膜が形成された基材の様子を示す写真である。

本発明に係る実施の形態を図面を用いて説明する。

図１は、本発明の一実施形態における薄膜形成装置１の概略図である。

薄膜形成装置１は、基材上に表面処理を行って薄膜を形成するためのものであり、例えば、プラスチックフィルム上に酸化防止、水分浸入防止を目的としたバリア膜を形成し、食品用の保護フィルム、フレキシブル太陽電池等に使用される。具体的には、フレキシブル太陽電池の場合には、プラスチックフィルム等の帯状基材上に各電極層及び光電変換層等で構成される太陽電池セルが形成された後、薄膜形成装置１により太陽電池セル上に薄膜を複数層形成してバリア膜を形成する。これにより、太陽電池セルに水分の浸入が効果的に防止され、酸化特性に優れたフレキシブル太陽電池を形成することができる。

この薄膜形成装置１は、基材２を送り出す巻出しロール３と、供給された基材２を巻き取る巻取りロール４と、巻出しロール３と巻取りロール４との間に配置されるメインロール５と、これらを収容するメインロールチャンバ６と、薄膜を形成する成膜部７（成膜部７ａおよび７ｂ）とを有しており、巻出しロール３から送り出された基材２をメインロール５の外周面５１に沿わせて搬送させつつ、各成膜部７を通過させることにより、基材２上に薄膜が形成され、巻取りロール４で巻き取られるようになっている。

また、薄膜形成装置１はさらにシート状の支持体１１を基材２に貼り付ける支持体貼り付け部１０を有しており、この支持体貼り付け部１０によって支持体１１が基材２の成膜される面（膜形成面）の反対側の面に貼り付けられた状態で基材２はメインロールの外周面５１に沿って搬送され、成膜される。

巻出しロール３および巻取りロール４は略円筒形状の芯部３１および芯部４１を有しており、これら芯部３１および芯部４１には基材２が巻き付けられ、これら芯部３１および芯部４１を回転駆動させることにより、基材２を送り出し、または巻き取ることができる。すなわち、図示しない制御装置により芯部３１および芯部４１の回転が制御されることにより、基材２の送り出し速度もしくは巻き取り速度を増加及び減少させることができる。具体的には、基材２が下流側から引張力を受けた状態で上流側の芯部を回転させることにより基材２が下流側に送り出され、適宜、この上流側の芯部にブレーキをかけることにより基材２が撓むことなく一定速度で送り出されるようになっている。また、下流側の芯部の回転が調節されることにより、送り出された基材２が撓むのを抑えつつ、逆に基材２が必要以上の張力がかからないようにして巻き取ることができるようになっている。

ここで、基材２は、一方向に延びる薄板状の長尺体であり、厚み０．０１ｍｍ〜０．２ｍｍ 幅５ｍｍ〜１６００ｍｍの平板形状を有する長尺体が適用される。また、材質として、特に限定しないが、たとえばＰＥＴなどの樹脂フィルムが好適に用いられる。

このように、上記の巻出しロール３と巻取りロール４とが一対となり、一方が基材２を送り出し、他方が前記送り出し速度と同じ巻き取り速度で基材２を巻き取ることによって、基材２にかかる張力を所定の値で維持しながら基材２を搬送することが可能である。

メインロール５は、成膜の際に基材２の姿勢を保ちつつ、上流側の巻出しロール３から供給された基材２を下流側の巻取りロール４に搬送するための搬送部である。メインロール５は、巻出しロール３と巻取りロール４との間に配置されており、芯部３１及び芯部４１よりも大径の略円筒形状に形成されている。メインロール５の外周面５１は、周方向に曲率が一定の曲面で形成されており、図示しない制御装置により芯部３１及び芯部４１の回転に応じて駆動制御され、巻出しロール３から送り出された基材２は、所定の張力が負荷された状態でメインロール５の外周面５１に沿って搬送される。すなわち、メインロール５の外周面５１に基材２が沿った状態でメインロール５が巻出しロール３及び巻取りロール４の回転に応じて回転することにより、基材２は、基材２全体が張った状態で、その表面が成膜部７それぞれに対向する姿勢で巻出しロール３から巻取りロール４へ搬送されるようになっている。

このように基材２が張った状態で搬送され、成膜されることにより、成膜時の基材２のばたつきを防ぐことができ、基材２に積層される薄膜の膜厚精度が向上するとともに基材２のばたつきによるパーティクルの発生を防ぐことができる。また、メインロール５の曲率半径を大きくすることにより、基材２がより平坦に近い状態で支持されながら成膜が行われるため、成膜後の基材２に反りが生じることを防ぐことができる。

なお、本実施形態の巻出しロール３、巻取りロール４、およびメインロール５のように基材２を搬送する機構を本説明では搬送部とも呼ぶ。

メインロールチャンバ６は、メインロール５を収容しチャンバ内の圧力を一定に保持するためのものである。メインロールチャンバ６には、真空ポンプ６１が接続されており、この真空ポンプ６１を作動させることにより、メインロールチャンバ６内の圧力を制御できるようになっている。本実施形態では、各成膜部７で発生したパーティクルが成膜部７の外に巻き上がることを防止するために、メインロールチャンバ６内の圧力Ｐ１は各成膜部７内の圧力Ｐ２およびＰ３よりも高圧になるように設定されている。また、各成膜部７および後述の支持体貼り付け部１０以外ではメインロールチャンバ６内の圧力は一定としており、本実施形態では成膜部７ｂより搬送方向下流側の圧力Ｐ４も成膜部７ａより上流側の圧力Ｐ１と同じとしているが、たとえば基材２から支持体１１を剥がしやすくするために圧力Ｐ４を圧力Ｐ１より低くしても良い。

なお、本実施形態では、巻出しロール３及び、巻取りロール４がメインロールチャンバ６内に収容されているが、これらをメインロールチャンバ６の外に設ける構成であってもよい。本実施形態のようにこれらをメインロールチャンバ６内に設けることで、基材２や成膜後の基材２（成膜基材）を大気に曝すことから保護することができる。

成膜部７は、蒸着法により基材２上に蒸着膜である薄膜を形成するためのものであり、本実施形態では蒸着法の一種であるプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により基材２上に薄膜を形成している。

本実施形態では、２つの成膜部７（成膜部７ａおよび７ｂ）がメインロールチャンバ６内にメインロール５に沿って連続して設けられており、本説明では基材２の搬送方向に関して上流側（巻出しロール３に近い方）を成膜部７ａ、下流側を成膜部７ｂと呼ぶ。ここで、成膜部７ａ、成膜部７ｂを区別しない場合は、単に成膜部７と呼ぶこととする。

各成膜部７は、メインロール５の外径側に間仕切り部８を配置することにより形成されている。具体的には、メインロール５の外径側に３つの間仕切り部８ａ乃至８ｃがメインロール５の外周面５１に向かって設けられていることにより、各間仕切り部８とメインロールチャンバ６の壁面とで各成膜部７の隔壁部が構成されて、メインロール５上の基材２の膜形成面（メインロール５と対向している面と反対側の面）の一部を囲み、当該膜形成面の一部との間に閉空間を形成する成膜部７ａおよび７ｂが基材２の搬送方向に連続して形成される形態となっている。ここで、各成膜部７は、その成膜部７の隔壁部の一部となる間仕切り部８を隣接する成膜部７と共有している。具体的には、たとえば間仕切り部８ｂは、成膜部７ａの隔壁部でもあり、成膜部７ｂの隔壁部でもある。

これにより、メインロール５に沿って巻出しロール３から巻取りロール４へ基材２が搬送されると、間仕切り部８ａを通過した基材２が成膜部７ａ内に搬送され、次に間仕切り部８ｂを通過した基材２が成膜部７ｂ内に搬送されることにより、それぞれの成膜部７により基材２の膜形成面側の表面に順次薄膜が形成されるようになっている。

なお、本実施形態では間仕切り部８が基材２と干渉して基材２が破損することを防ぐために、メインロール５上の基材２と間仕切り部８の端部との間には若干の隙間が設けられるように構成されている。したがって、成膜部７と基材２との間に形成される空間は厳密的には閉空間では無いが、本説明ではこのように若干の隙間がある空間であっても閉空間と呼ぶこととする。

それぞれの成膜部７には、真空ポンプ７１が接続されており、真空ポンプ７１を作動させることにより、各成膜部７内を所定の圧力に設定できるようになっている。本実施形態では、原料ガスを供給する前に所定の圧力になるまで成膜部７内を減圧する。

また、これらの成膜部７は、基材２に対する表面処理として、前述の通りプラズマＣＶＤ法を用いた成膜源が設けられている。すなわち、成膜部７には、図示しない高周波電源に接続されて成膜部７内の閉空間にプラズマを発生させるための略Ｕ字型のプラズマ電極７２が設けられるとともに、原料ガス供給手段である図示しない原料ガス配管が接続されている。これにより基材２が各成膜部７を通過する際に基材２の膜形成面側の表面に所定の薄膜が形成される。すなわち、成膜部７内に原料ガスが供給された状態で、高周波電源によってプラズマ電極７２に高周波電圧が印加されることにより、プラズマ電極７２の周辺にプラズマが発生し、このプラズマによって原料ガスが励起されて成膜部７内がプラズマ雰囲気となり、基材２の膜形成面側の表面に所定の薄膜が形成される。本実施形態では、成膜部７ａでは、原料ガスとしてＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）ガス及びアルゴンガス、水素ガスを供給することにより、密着性の高いＳｉ化合物膜（第１薄膜）が形成され、成膜部７ｂでは、原料ガスとしてＨＭＤＳ及び酸素ガスが供給されることにより、緻密でバリア性の高いＳｉＯ２膜（第２薄膜）が形成される。

以上の構成の薄膜形成装置１により、第１薄膜と第２薄膜とが交互に積層され、高いバリア性と密着性の両方を具備するバリア膜を基材２に形成させることができる。

支持体貼り付け部１０は、基材２の膜形成面の反対側の面にシート状の支持体１１を貼り付ける部位であり、成膜部７のうち搬送方向上流側の成膜部７ａよりもさらに上流側に設けられている。

支持体１１は、本実施形態では片面に粘着性を有する長尺の樹脂製のシートであり、この粘着性を有する面（粘着面）がメインロール５の近傍において基材２と対向する。支持体１１の厚みは基材２の厚みと同等以上であり、また、支持体１１の幅方向（図１におけるＹ軸方向）の寸法は基材２よりも大きい。これにより、支持体貼り付け部１０において基材２は幅方向において全体が支持体１１に貼り付けられ、このように支持体１１に貼り付いた状態下では基材２が単独である場合と比べて厚さが増すため基材２は熱変形しにくくなる。すなわち、補強される。

また、支持体１１の両端部は、巻出しロール１２と巻取りロール１３に巻かれている。巻出しロール１２と巻取りロール１３は、基材２を送り出し、巻き取る巻出しロール３および巻取りロール４と同様に回転駆動可能となっており、巻出しロール１２から送り出された支持体１１はメインロール５の外周面５１に沿うように当接して搬送され、各成膜部７を通過し、巻取りロール１３で巻き取られるようになっている。

メインロール５の外周面５１にはまず支持体１１が張られ、次にこの外周面５１に沿って張られている支持体１１の粘着面に基材２が張られることにより、支持体１１の粘着面と基材２とが密着し、貼り合わせられる。すなわち、本実施形態ではメインロール５は基材２を支持体１１に貼り付ける支持体貼り付け部１０の一部としても機能する。

ここで、巻出しロール１２および巻取りロール１３は、支持体１１の搬送速度が巻出しロール３と巻取りロール４とによる基材２の搬送速度と同一の速度となるよう、駆動制御されている。これにより、基材２は支持体１１に貼り合わせられた後、支持体１１と一体となってメインロール５の外周面５１に沿って搬送され、各成膜部７に送られる。

図２は、本発明の薄膜形成装置によって薄膜が形成された基材の様子を示す写真であり、成膜部内の基材の様子である。

従来の薄膜形成装置では、薄いフィルム状の基材に蒸着膜を形成すると、成膜時の熱により基材が変形して図７に示すように搬送方向に延びるシワ１０８が形成されてしまっていたが、本発明の薄膜形成装置では、図２に示すように各成膜部７において基材２の膜形成面に薄膜を形成させる際は基材２は支持体１１に貼り付けられた状態であるため、成膜時に基材２が加熱されても基材２に熱変形は生じにくくなり、その結果、シワの発生を防ぐことができる。

また、メインロール５の外周部５１に接触するのは支持体１１であり基材２は外周部５１に直接接触しないため、万が一メインロール５上で滑りが発生したとしても傷がつくのは支持体１１であり、基材２に傷がつくことを防ぐことができ、安定した品質を確保することができる。

このようにシワの発生を抑えつつ基材２に薄膜が形成された後は、基材２と搬送経路を異ならせるように支持体１１が引っ張られることにより、支持体１１から基材２が剥がされ、基材２および支持体１１はそれぞれ巻取りロール４、巻取りロール１３に巻き取られる。

また、本実施形態では支持体貼り付け部１０において基材２と支持体１１とが貼り合わせられる前の基材２と支持体１１との間に間仕切り部１４が設けられ、図１にハッチングで示したように間仕切り部１４と基材２と支持体１１とで略閉じた空間が形成されている。

また、間仕切り部１４には真空ポンプ１５と接続される配管が通されており、真空ポンプ１５が稼働することにより、この閉じた空間が減圧され、この閉じた空間の圧力Ｐ５、すなわち支持体貼り付け部１０における基材２の周囲の圧力Ｐ５は、各成膜部７における基材２の周囲の圧力Ｐ２およびＰ３よりも低くなっている。

図３は、本発明の薄膜形成装置によって薄膜が形成された基材の様子を示す写真であり、図３（ａ）が本発明のように支持体貼り付け部における基材の周囲の圧力を各成膜部における基材の周囲の圧力よりも低くした場合の基材の様子であり、図３（ｂ）は比較例であって支持体貼り付け部における基材の周囲の圧力を各成膜部における基材の周囲の圧力よりも高くした場合の基材の様子である。

仮に上記閉じた空間の減圧を行わず、閉じた空間の圧力Ｐ５が各成膜部７における基材２の周囲の圧力Ｐ２およびＰ３よりも高かった場合、基材２と支持体１１とが貼り合わせられた際に基材２と支持体１１との間に気泡が入り込むと、各成膜部７内で基材２および支持体１１が加熱される際に図３（ｂ）に示すようにボイル・シャルルの法則に従ってこの気泡１６の体積が増大するため、基材２にうねりが生じて安定した成膜ができなくなる。これに対し、本発明のように支持体貼り付け部１０における基材２の周囲の圧力を各成膜部７における基材２の周囲の圧力よりも低くすることにより、各成膜部７内で気泡が支持体１１の貼り付け時よりも大きくなることを抑えることができ、図３（ａ）に示すように基材２にうねりを生じさせずに成膜を行うことができる。

また、本実施形態では、支持体貼り付け部１０と成膜部７ａとは離間しており、支持体貼り付け部１０と成膜部７ａの間の部分の圧力Ｐ１は先述の通り成膜部７ａ内の圧力Ｐ２よりも大きい。これにより、仮に成膜部７ａにおける成膜の過程でパーティクルが発生したとしても成膜部７ａの外に巻き上がって支持体貼り付け部１０に到達することを防止することができ、基材２と支持体１１の貼り合わせの際にパーティクルが噛み込むことを防ぐことができる。

次に、他の実施形態における薄膜形成装置を図４および図５に示す。

図４に示す実施形態の薄膜形成装置１では、図１の実施形態と比較して巻取りロール１３は設けられておらず、基材２と支持体１１とが一体となったままで巻取りロール４に巻き取られている。このように、必ずしも成膜後に支持体１１から基材２を剥がす必要は無く、支持体１１に基材２が貼り合わされた状態を以降の工程でも活用することができる。

図５に示す実施形態の薄膜形成装置１では、図１の実施形態と比較して間仕切り部１４が設けられていない。すなわち、メインチャンバ６が貼り合わせ部として機能し、この実施形態における貼り合わせ部における基材２の周囲の圧力は、メインチャンバ６の圧力Ｐ１’を指す。

したがって、図２および図４の実施形態ではメインチャンバ内の圧力Ｐ１を各成膜部７内の圧力Ｐ２およびＰ３より大きくしていたのに対し、図５の実施形態では仮に基材２と支持体１１とが貼り合わせられた際に基材２と支持体１１との間に気泡が入り込んだ場合に各成膜部７において気泡の体積が増大しないためには、メインチャンバ６内の圧力Ｐ１’は各成膜部７内の圧力Ｐ２’およびＰ３’より小さいことが必要となる。ただし、圧力Ｐ１’が圧力Ｐ２’よりも低くなりすぎると、成膜の際に成膜部７ａもしくは７ｂで生じたパーティクルが高い確率でメインチャンバ６内に巻き上がり、このパーティクルが基材２と支持体１１の貼り合わせの際に噛み込むおそれがある。

ここで、樹脂フィルムへの成膜する際の温度範囲が６０℃以上２００℃以下であることを考慮することにより、支持体貼り付け部における基材２の周囲の圧力を各成膜部７における基材２の周囲の圧力のうち最も低い圧力の０．６倍以上０．９倍以下とすることにより、各成膜部７内で気泡が支持体１１の貼り付け時よりも大きくなることを抑えかつ成膜部７から支持体貼り付け部の方へパーティクルが巻き上がることを抑え、支持体１１の貼り付け時に基材２と支持体１１の間にパーティクルが噛み込むことを抑えることができる。

以上の薄膜形成装置により、帯状の基材のシワの発生を抑え、基材上に安定した蒸着膜を形成することが可能である。

ここで、本発明の薄膜形成装置は、図示する形態に限らず本発明の範囲内において他の形態のものであってもよい。たとえば上記の本実施形態では成膜部７が２つの場合について説明したが、成膜部７の数は２つ以外であっても構わなく、１つのみであっても良く、また、３つ以上設けられていても構わない。

また、上記の実施形態ではプラズマＣＶＤ法により蒸着膜を形成させているが、それに限らずたとえばスパッタリングや真空ＰＶＤなど基材の加熱をともなう他の蒸着法を用いて蒸着膜を形成させる場合にも好適に用いられる。

また、上記の実施形態では支持体は片面に粘着性を有するシートとしているが、常に粘着性を有さずにたとえば紫外線照射によって粘着性が発生するものであっても良く、この場合、支持体貼り付け部に紫外線照射装置を設け、基材を貼り付ける直前に支持体に粘着性を発生させると良い。また、たとえば温度によって粘着性が変化するものであっても良く、温度が低いほど粘着性が低い特性を有するのであれば、各成膜部より下流において支持体を基材から剥がす際の支持体の温度が支持体貼り付け部や各成膜部における支持体の温度より低くなるよう冷却装置を設けることによって、支持体を剥がしやすくすると良い。

また、上記の実施形態では長尺の基材全体に薄膜を形成することを想定して支持体は両端部をロールで巻くことが可能な長尺のシート状としているが、これに限らず、基材の一部のみ成膜する場合は少なくともその成膜する領域を補強することが可能な長さのシート状であっても良い。

１ 薄膜形成装置
２ 基材
３ 巻出しロール
４ 巻取りロール
５ メインロール
６ メインロールチャンバ
７ 成膜部
７ａ 成膜部
７ｂ 成膜部
８ 間仕切り部
８ａ 間仕切り部
８ｂ 間仕切り部
８ｃ 間仕切り部
１０ 支持体貼り付け部
１１ 支持体
１２ 巻出しロール
１３ 巻取りロール
１４ 間仕切り部
１５ 真空ポンプ
１６ 気泡
３１ 芯部
４１ 芯部
５１ 外周面
６１ 真空ポンプ
７１ 真空ポンプ
７２ プラズマ電極
１００ 薄膜形成装置
１０１ メインロールチャンバ
１０２ メインロール
１０２ａ 外周面
１０３ 基材
１０４ 巻出しロール
１０５ 巻取りロール
１０６ 間仕切り部
１０７ 成膜部
１０７ａ 成膜部
１０７ｂ 成膜部
１０８ シワ

Claims (3)

1. 帯状の基材に所定の張力をかけながら基材を所定の搬送方向に搬送させる搬送部と、
   前記搬送部により搬送される基材の膜形成面に蒸着膜を形成する成膜部と、
   基材の搬送に関して前記成膜部よりも上流にあり基材の前記膜形成面の反対側の面にシート状の支持体を貼り付ける支持体貼り付け部と、
   を備え、
   前記支持体貼り付け部における基材の周囲の圧力は、前記成膜部における基材の周囲の圧力よりも低いことを特徴とする、薄膜形成装置。
2. 前記支持体貼り付け部における基材の周囲の圧力は、前記成膜部における基材の周囲の圧力の０．６倍以上０．９倍以下であることを特徴とする、請求項１に記載の薄膜形成装置。
3. 前記支持体貼り付け部と前記成膜部とは離間しており、前記支持体貼り付け部と前記成膜部の間の部分における基材の周囲の圧力は前記成膜部における基材の周囲の圧力よりも高いことを特徴とする、請求項１または２に記載の薄膜形成装置。

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