TW202042411A

TW202042411A - 發光元件封裝結構及其製作方法

Info

Publication number: TW202042411A
Application number: TW108115278A
Authority: TW
Inventors: 謝欣珀
Original assignee: 光感動股份有限公司
Priority date: 2019-05-02
Filing date: 2019-05-02
Publication date: 2020-11-16
Also published as: TWI779188B

Abstract

本發明公開一種發光元件封裝結構及其製作方法。發光元件封裝結構包括：一基板單元、一發光單元以及一導電接合單元。基板單元包括一基板本體以及一設置在基板本體上的圍繞框體。圍繞框體具有一第一預定高度。發光單元設置在基板本體上，且發光單元耦接於基板本體。發光單元設置在由圍繞框體所形成的一圍繞空間中。發光單元具有一第二預定高度。圍繞框體的第一預定高度小於發光單元的第二預定高度。導電接合單元耦接於基板單元與發光單元之間。

Description

發光元件封裝結構及其製作方法

本發明涉及一種封裝結構及其製作方法，特別是涉及一種發光元件封裝結構及其製作方法。

首先，現有技術中雖然有多種不同的提供發光二極體的封裝結構及其製作方法，然而，其製程效率仍有待改善。例如，TW I464920號專利案所揭露的“多晶片封裝結構及其製作方法”中，主要是先將發光元件設置在基板本體上，接著，再塗佈一圍繞發光元件的圍繞式膠材於基板本體上。最後，再形成一封裝膠體於基板本體且覆蓋發光元件。

但是，TW I464920號專利案中，先將發光元件設置在基板本體上，再塗佈一圍繞式膠材於基板本體上的步驟，容易導致圍繞式膠材塗佈過程中影響到已經設置在基板本體上的發光元件。再者，TW I464920號專利案的製程效率仍有待改善。藉此，如何提出一種提升發光元件封裝結構的生產效率的發光元件封裝結構及其製作方法，來克服上述的缺陷，已成為該項事業所欲解決的重要課題之一。

本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種發光元件封裝結構及其製作方法。

為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是，提供一種發光元件封裝結構，其包括：一基板單元、一發光單元以及一導電接合單元。所述基板單元包括一基板本體以及一設置在所述基板本體上的圍繞框體，其中，所述圍繞框體具有一第一預定高度。所述發光單元設置在所述基板本體上，所述發光單元耦接於所述基板本體，且所述發光單元設置在由所述圍繞框體所形成的一圍繞空間中，其中，所述發光單元具有一第二預定高度，所述圍繞框體的所述第一預定高度小於所述發光單元的所述第二預定高度。所述導電接合單元耦接於所述基板單元與所述發光單元之間。

為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外一技術方案是，提供一種發光元件封裝結構的製作方法，其包括：提供一基板單元，所述基板單元包括一基板本體以及一設置在所述基板本體上的圍繞框體，其中，所述圍繞框體具有一第一預定高度；設置一發光單元於所述基板本體上且位於由所述圍繞框體所形成的一圍繞空間中，其中，所述發光單元具有一第二預定高度，所述圍繞框體的所述第一預定高度小於所述發光單元的所述第二預定高度；以及進行一加熱加壓接合製程，以將所述發光單元耦接於所述基板本體且固定於所述基板本體上。

本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的發光元件封裝結構及其製作方法，其能通過“所述圍繞框體的所述第一預定高度小於所述發光單元的所述第二預定高度”的技術方案，以提升發光元件封裝結構的生產效率。

為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。

以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“發光元件封裝結構及其製作方法”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。

應當可以理解的是，雖然本文中可能會使用到“第一”、“第二”、“第三”等術語來描述各種元件，但這些元件不應受這些術語的限制。這些術語主要是用以區分一元件與另一元件。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。

[第一實施例]

首先，參閱圖1至圖4所示，圖1為本發明第一實施例的發光元件封裝結構的其中一立體組合示意圖，圖2為圖1的II-II剖面的剖面示意圖，圖3及圖4分別為本發明第一實施例的發光元件封裝結構的立體分解示意圖。本發明提供一種發光元件封裝結構U及發光元件封裝結構U的製作方法，第一實施例將先介紹發光元件封裝結構U的整體架構，發光元件封裝結構U的製作方法於後續實施例再行說明。

承上述，請復參閱圖1至圖4所示，發光元件封裝結構U包括一基板單元1、一發光單元2以及一導電接合單元3。基板單元1可包括一基板本體11以及一設置在基板本體11上的圍繞框體12。發光單元2可設置在基板本體11上，發光單元2可耦接於基板本體11，且發光單元2設置在由圍繞框體12所形成的一圍繞空間120中。導電接合單元3可耦接於基板單元1與發光單元2之間，且基板單元1與發光單元2通過導電接合單元3而彼此耦接。另外，基板本體11可包括一表面110，發光單元2及圍繞框體12可設置在基板本體11的表面110上，也就是說，發光單元2及圍繞框體12設置在基板本體11的同一個表面上。另外，須說明的是，本發明全文中的耦接可以是直接電性連接或者是間接電性連接，本發明不以此為限。

承上述，舉例來說，發光單元2可以是一發光二極體(Light emitting diode，LED。此外，基板本體11可以是一印刷電路板(Printed circuit board，PCB)、一陶瓷基板、環氧樹酯模壓材料(Epoxy Molding Compound，EMC)基板、矽膠模壓材料(Silicone Molding Compound，SMC)基板。此外，可以利用塗佈的方式，將圍繞框體12設置在基板本體11上，因此，圍繞框體12可以是一設置在基板本體11的膠材經固化之後所形成的框體(dam)。此外，在其他實施態樣中，圍繞框體12也可是與基板本體11一體成型的設置。此外，圍繞框體12的材質可為環氧樹脂(Epoxy)、矽膠(Silicone)、壓克力或金屬材料。此外，導電接合單元3的材質可為異方性導電膠材(Anisotropic Conductive Adhesive)、異方性導電膜(Anisotropic Conductive Film，ACF)、錫、金錫、導電金屬或導電合金。然而，須說明的是，上述所舉的例子只是其中一可行的實施態樣而並非用以限定本發明。此外，本發明不以圍繞框體12的設置方式為限制。

接著，請復參閱圖2所示，以本發明而言，設置在基板本體11上的圍繞框體12可具有一第一預定高度H1，設置在基板本體11上的發光單元2可具有一第二預定高度H2，圍繞框體12的第一預定高度H1的尺寸小於發光單元2的第二預定高度H2的尺寸。此外，可以利用塗佈的方式，將圍繞框體12設置在基板本體11上。另外，值得說明的是，第一預定高度H1的計算位置可以是由基板本體11的表面110至圍繞框體12的頂面之間的高度；第二預定高度H2的計算位置可以是發光單元2設置在基板本體11的表面110時，由基板本體11的表面110至發光單元2的頂面之間的高度，即，第二預定高度H2包括導電接合單元3的厚度及發光單元2的厚度。另外，在其他實施態樣中，也可以是第二預定高度H2也可以僅是發光單元2的厚度。

接著，請復參閱圖3及圖4所示，基板本體11可包括至少一設置在表面110上的第一導電墊111(pad)，發光單元2包括至少一面向基板本體11的表面110的第二導電墊21(pad)，藉此，第一導電墊111與第二導電墊21彼此相對。此外，導電接合單元3可耦接於基板本體11的第一導電墊111與發光單元2的第二導電墊21之間，以使得基板本體11的第一導電墊111與發光單元2的第二導電墊21彼此耦接。藉此，發光單元2可耦接於基板本體11。另外，須說明的是，本發明的圖中是以異方性導電膜作為舉例說明，因此，可利用異方性導電膜的特性，使得基板本體11上的兩個第一導電墊111不會短路，同時，也使得發光單元2上的兩個第二導電墊21不會短路。

接著，請復參閱圖1至圖4所示，發光元件封裝結構U，還進一步包括一透光單元4，透光單元4可設置在基板單元1上，且覆蓋發光單元2。舉例來說，以圖1至圖4的實施態樣而言，透光單元4可為一透鏡，透鏡的材質為玻璃、石英或塑膠，然本發明不以此為限。進一步來說，透光單元4可設置在基板單元1的圍繞框體12上，然本發明不以此為限。

接著，請參閱圖5所示，圖5為本發明第一實施例的發光元件封裝結構的另外一立體組合示意圖。由圖5與圖4的比較可知，圖5與圖4最大的差別在於，以圖5的實施態樣而言，透光單元4為一封裝膠體。進一步來說，封裝膠體的材質可為環氧樹脂(Epoxy)或矽氧樹脂(Silicone)，然本發明不以此為限。另外，舉例來說，圍繞框體12的材質與透光單元4的材質可以相異，然而，須說明的是，在其他實施態樣中，圍繞框體12的材質與透光單元4的材質也可以相同。此外，值得說明的是，可以利用塗佈的方式，將封裝膠體設置在圍繞框體12所形成的圍繞空間120中。藉此，在圖5的實施態樣中，圍繞框體12可作為用於局限封裝膠體的限位框體。

[第二實施例]

首先，請參閱圖5、圖6A至圖6D、圖7A及圖7B所示，圖6A、圖6B、圖6C及圖6D為本發明第二實施例的發光元件封裝結構的製造過程的示意圖，圖7A為本發明第二實施例的發光元件封裝結構的製作方法的其中一流程圖，圖7B為本發明第二實施例的發光元件封裝結構的製作方法的步驟S102的流程圖。另外，值得說明的是，第二實施例所提供的發光元件封裝結構的製作方法中的各元件特徵，都與前述實施例相仿，在此不再贅述。

接著，請復參閱圖6A、圖7A及圖7B所示，如步驟S102所示，提供一基板單元1，基板單元1包括一基板本體11以及一設置在基板本體11上的圍繞框體12。圍繞框體12可相對於基板本體11的表面110呈凸出設置。進一步來說，在其中一實施態樣中，如步驟S1022所示，可先提供基板本體11。此外，基板本體11上可包括一第一導電墊111。接著，如步驟S1024所示，再設置圍繞框體12在基板本體11上。舉例來說，在步驟S1022及步驟S1024的實施態樣中，可利用塗佈方式將一膠材設置在基板本體11上，且待膠材固化之後能形成圍繞框體12。另外，在其他實施態樣中，基板本體11與圍繞框體12也可以是一體成型，本發明不以圍繞框體12的設置方式為限制。

接著，請復參閱圖6B及圖7A所示，如步驟S104所示，設置一發光單元2於基板本體11上且位於由圍繞框體12所形成的一圍繞空間120中。進一步來說，發光單元2可包括一第二導電墊21，且發光單元2的第二導電墊21對應於基板本體11的第一導電墊111。此外，基板本體11的第一導電墊111與發光單元2的第二導電墊21之間可設置一導電接合單元3。另外，在其他實施方式中，也可以同時設置多個發光單元2於基板本體11上且位於由圍繞框體12所形成的一圍繞空間120中(圖中未示出)，且基板本體11還可包括多個第一導電墊111，已分別耦接於多個發光單元2的第二導電墊21。

接著，請復參閱圖6C及圖7A所示，進行一加熱加壓接合製程，以將發光單元2耦接於基板本體11且固定於基板本體11上。進一步來說，以本發明而言，由於本發明是利用加熱加壓接合製程將發光單元2設置在基板單元1上，因此，圍繞框體12可具有一第一預定高度H1，發光單元2可具有一第二預定高度H2，且圍繞框體12的第一預定高度H1小於發光單元2的第二預定高度H2。藉此，在一優選實施方式中，可以利用熱加壓接合製程而一次將多個發光單元2同時耦接於基板本體11且固定於基板本體11上。

接著，請一併參閱圖7C所示，7C為本發明第二實施例的發光元件封裝結構的製作方法的步驟S106的流程圖。如步驟S1062所示，提供一已加熱的熱壓單元P。舉例來說，熱壓單元P可包括一熱壓座本體P1以及一設置在熱壓座本體P1上的緩衝層P2，熱壓座本體P1與緩衝層P2的材質相異，緩衝層P2的硬度小於熱壓座本體P1的硬度，緩衝層P2可具有彈性。接著，如步驟S1064所示，將已加熱的熱壓單元P抵壓在發光單元2上，以間接加熱加壓於一設置在發光單元2與基板本體11之間的導電接合單元3，而耦接發光單元2與基板本體11。藉此，通過設置在熱壓座本體P1上的緩衝層P2，可以在熱壓單元P抵壓在發光單元2上的過程中，先利用緩衝層P2的形變，而能夠避免發光單元2因熱壓單元P的抵壓產生位移。所以，能夠避免因發光單元2錯位而導致短路的問題產生。另外，舉例來說，熱壓座本體P1的材質可為金屬，緩衝層P2的材質可為聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)。然而，須說明的是，在其他實施方式中，也可以不設置緩衝層P2。最後，請參閱圖6D所示，如步驟S1066所示，移開抵壓在發光單元2上的熱壓單元P，藉此，可形成一發光元件封裝結構U。

承上述，在其他實施態樣中，在步驟S1062提供一已加熱的熱壓單元P的步驟中，還進一步包括加熱基板本體11。藉此，可進一步增加設置在發光單元2與基板本體11之間的導電接合單元3的熔融速度或固化速度。

接著，請復參閱圖1及圖5所示，並請一併參閱圖7D所示，圖7D為本發明第二實施例的發光元件封裝結構的製作方法的另外一流程圖。由圖7D與圖7A的比較可知，在圖7D的實施態樣中，發光元件封裝結構U的製作方法，還可進一步包括步驟S108。進一步來說，如步驟S108所示，設置一透光單元在基板單元1上，以覆蓋發光單元2。舉例來說，如圖1所示，透光單元4可為一透鏡，且透光單元4可設置在基板單元1的圍繞框體12上。另外，如圖5所示，透光單元4可為一封裝膠體，且封裝膠體是利用塗佈的方式設置在由圍繞框體12所形成的一圍繞空間120中且覆蓋發光單元2。

[第三實施例]

首先，請參閱圖8、圖9A及圖9B所示，圖8為本發明第二實施例的發光元件封裝結構的製造過程的示意圖，圖9A為本發明第三實施例的發光元件封裝結構的製作方法的流程圖，圖9B為本發明第三實施例的發光元件封裝結構的製作方法的步驟S206的流程圖。由圖8與圖6C的比較以及圖9A與圖7A的比較可知，第三實施例與第一實施例最大的差別在於可以同時將多個發光單元2利用加熱加壓接合製程而設置在基板單元1上。另外，值得說明的是，第三實施例所提供的發光元件封裝結構的製作方法中的各元件特徵及發光元件封裝結構的製作步驟，都與前述實施例相仿，在此不再贅述。

接著，如步驟S202所示，提供一基板單元1，基板單元1可包括一基板本體11、一設置在基板本體11上的圍繞框體12及另外一設置在基板本體11上的圍繞框體12。換句話說，基板本體11上可包括多個圍繞框體12。藉此，在其中一實施態樣中，可以先提供一基板本體11，接著，再設置多個圍繞框體12在基板本體11上。另外，在另外一實施態樣中，基板本體11與多個圍繞框體12也可以是一體成型的，本發明不以圍繞框體12的設置方式為限制。

接著，如步驟S204所示，設置一發光單元2於基板本體11上且位於由圍繞框體12所形成的一圍繞空間120中，且設置另外一發光單元2於基板本體11上且位於由另外一圍繞框體12所形成的另外一圍繞空間120中。換句話說，可以分別設置多個發光單元2在其所對應的圍繞空間120中。另外，值得說明的是，請參閱圖10所示，圖10為本發明第二實施例的發光元件封裝結構的製造過程的另外一示意圖。在其他實施方式中，也可以同時設置多個發光單元2於基板本體11上且位於由圍繞框體12所形成的一圍繞空間120中，也就是說，如圖10所示，一圍繞空間120中可設置有多個發光單元2。

接著，如步驟S206所示，進行一加熱加壓接合製程，以將發光單元2及另外一發光單元2耦接於基板本體11且固定於基板本體11上。更進一步來說，如步驟S2062所示，可先提供一已加熱的熱壓單元P。接著，如步驟S2064所示，將已加熱的熱壓單元P抵壓在發光單元2與另外一發光單元2上，以間接加熱加壓於一設置在發光單元2與基板本體11之間的導電接合單元3以及一設置在另外一發光單元2與基板本體11之間的導電接合單元3，而耦接發光單元2與基板本體11且耦接另外一發光單元2與基板本體11。藉此，如圖8所示，可利用一個熱壓單元P同時加熱加壓於多個發光單元2，而同時將多個發光單元2耦接於基板本體11且固定於基板本體11上，以提升發光元件封裝結構U的生產效率。最後，如步驟S2066所示，移開抵壓在發光單元2及另外一發光單元2上的熱壓單元P。此外，值得說明的是，通過設置在熱壓座本體P1上的緩衝層P2，可以在熱壓單元P抵壓在多個發光單元2上的過程中，先利用緩衝層P2的形變，而使得熱壓單元P施加在多個發光單元2上的壓力能夠平均。

另外，值得說明的是，第三實施例所提供的發光元件封裝結構的製作方法，還可進一步包括設置一透光單元在基板單元1上，以覆蓋發光單元2及另外一發光單元2。接著，再利用一切割製程，分離相鄰的兩個發光元件封裝結構U，而形成多個分離的發光元件封裝結構U。

[實施例的有益效果]

本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的發光元件封裝結構及其製作方法，其能通過“圍繞框體12的第一預定高度H1小於發光單元2的第二預定高度H2”的技術方案，以提升發光元件封裝結構的生產效率。

更進一步來說，本發明能利用加熱加壓接合製程將至少一發光單元2或多個發光單元2設置在基板單元1上，進一步地，能利用一個熱壓單元P同時加熱加壓於多個發光單元2，而同時將多個發光單元2耦接於基板本體11且固定於基板本體11上，以提升發光元件封裝結構U的生產效率。

更進一步來說，本發明能先提供一包括圍繞框體12的基板單元1，再利用加熱加壓接合製程將發光單元2耦接於基板本體11且固定於基板本體11上的順序，而能夠提升發光元件封裝結構U的生產效率。

以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。

U:發光元件封裝結構 1:基板單元 11:基板本體 110:表面 111:第一導電墊 12:圍繞框體 120:圍繞空間 2:發光單元 21:第二導電墊 3:導電接合單元 4:透光單元 P:熱壓單元 P1:熱壓座本體 P2:緩衝層 H1:第一預定高度 H2:第二預定高度

圖1為本發明第一實施例的發光元件封裝結構其中一立體組合示意圖。

圖2為圖1的II-II剖面的剖面示意圖。

圖3為本發明第一實施例的發光元件封裝結構的其中一立體分解示意圖。

圖4為本發明第一實施例的發光元件封裝結構的另外一立體分解示意圖。

圖5為本發明第一實施例的發光元件封裝結構另外一立體組合示意圖。

圖6A、圖6B、圖6C及圖6D為本發明第二實施例的發光元件封裝結構的製造過程的示意圖。

圖7A為本發明第二實施例的發光元件封裝結構的製作方法的其中一流程圖。

圖7B為本發明第二實施例的發光元件封裝結構的製作方法的步驟S102的流程圖。

圖7C為本發明第二實施例的發光元件封裝結構的製作方法的步驟S106的流程圖。

圖7D為本發明第二實施例的發光元件封裝結構的製作方法的另外一流程圖。

圖8為本發明第二實施例的發光元件封裝結構的製造過程的其中一示意圖。

圖9A為本發明第三實施例的發光元件封裝結構的製作方法的流程圖。

圖9B為本發明第三實施例的發光元件封裝結構的製作方法的步驟S206的流程圖。

圖10為本發明第二實施例的發光元件封裝結構的製造過程的另外一示意圖。

U:發光元件封裝結構

1:基板單元

11:基板本體

111:第一導電墊

110:表面

12:圍繞框體

120:圍繞空間

2:發光單元

21:第二導電墊

3:導電接合單元

4:透光單元

H1:第一預定高度

H2:第二預定高度

Claims

一種發光元件封裝結構，其包括：一基板單元，所述基板單元包括一基板本體以及一設置在所述基板本體上的圍繞框體，其中，所述圍繞框體具有一第一預定高度；一發光單元，所述發光單元設置在所述基板本體上，所述發光單元耦接於所述基板本體，且所述發光單元設置在由所述圍繞框體所形成的一圍繞空間中，其中，所述發光單元具有一第二預定高度，所述圍繞框體的所述第一預定高度小於所述發光單元的所述第二預定高度；以及一導電接合單元，所述導電接合單元耦接於所述基板單元與所述發光單元之間。
如申請專利範圍第1項所述的發光元件封裝結構，其中，所述基板本體包括一第一導電墊，所述發光單元包括一第二導電墊，所述導電接合單元耦接於所述第一導電墊與所述第二導電墊之間。
如申請專利範圍第1項所述的發光元件封裝結構，其中，所述導電接合單元的材質為異方性導電膠材、異方性導電膜、錫、金錫、導電金屬或導電合金。
如申請專利範圍第1項所述的發光元件封裝結構，還進一步包括：一透光單元，所述透光單元設置在所述基板單元上，且覆蓋所述發光單元。
如申請專利範圍第4項所述的發光元件封裝結構，其中，所述圍繞框體的材質與所述透光單元的材質相異。
如申請專利範圍第4項所述的發光元件封裝結構，其中，所述透光單元為一封裝膠體，所述封裝膠體的材質為環氧樹脂或矽膠。
如申請專利範圍第4項所述的發光元件封裝結構，其中，所述透光單元為一透鏡，所述透鏡的材質為玻璃、石英或塑膠。
一種發光元件封裝結構的製作方法，其包括：提供一基板單元，所述基板單元包括一基板本體以及一設置在所述基板本體上的圍繞框體，其中，所述圍繞框體具有一第一預定高度；設置一發光單元於所述基板本體上且位於由所述圍繞框體所形成的一圍繞空間中，其中，所述發光單元具有一第二預定高度，所述圍繞框體的所述第一預定高度小於所述發光單元的所述第二預定高度；以及進行一加熱加壓接合製程，以將所述發光單元耦接於所述基板本體且固定於所述基板本體上。
如申請專利範圍第8項所述的發光元件封裝結構的製作方法，其中，在進行所述加熱加壓接合製程的步驟中，包括：提供一已加熱的熱壓單元；將已加熱的所述熱壓單元抵壓在所述發光單元上，以間接加熱加壓於一設置在所述發光單元與所述基板本體之間的導電接合單元，而耦接所述發光單元與所述基板本體；以及移開抵壓在所述發光單元上的所述熱壓單元。
如申請專利範圍第9項所述的發光元件封裝結構的製作方法，其中，所述熱壓單元包括一熱壓座本體以及一設置在所述熱壓座本體上的緩衝層，所述熱壓座本體與所述緩衝層的材質相異，且所述緩衝層的硬度小於所述熱壓座本體的硬度。
如申請專利範圍第9項所述的發光元件封裝結構的製作方法，其中，在提供已加熱的所述熱壓單元的步驟中，還進一步包括加熱所述基板本體。
如申請專利範圍第9項所述的發光元件封裝結構的製作方法，其中，在設置所述發光單元於所述基板本體上的步驟中，還進一步包括：設置另外一發光單元於所述基板本體上且位於由另外一圍繞框體所形成的另外一圍繞空間中。
如申請專利範圍第12項所述的發光元件封裝結構的製作方法，其中，在將已加熱的所述熱壓單元抵壓在所述發光單元上的步驟中，同時將已加熱的所述熱壓單元抵壓在所述發光單元以及另外一所述發光單元上。
如申請專利範圍第8項所述的發光元件封裝結構的製作方法，其中，在提供所述基板單元的步驟中包括：提供所述基板本體；以及設置所述圍繞框體在所述基板本體上。
如申請專利範圍第8項所述的發光元件封裝結構的製作方法，還進一步包括：設置一透光單元在所述基板單元上，以覆蓋所述發光單元。