TW202042197A - 顯示面板 - Google Patents

Abstract

一種顯示面板包括基板、多個畫素結構、多條第一訊號線、多條第二訊號線、多條訊號轉接線以及封膠圖案。基板具有封裝區、圍繞封裝區的顯示區與位於封裝區與顯示區間的轉接區。多個畫素結構、多條第一訊號線以及多條第二訊號線設置於顯示區中，且每一畫素結構電性連接於對應的一條第一訊號線與對應的一條第二訊號線。多條訊號轉接線設置於封裝區，且電性連接於多條第一訊號線。訊號轉接線的熱膨脹係數小於第一訊號線的熱膨脹係數。封膠圖案設置於封裝區，且重疊於訊號轉接線。一種具有熱膨脹係數介於4.8（10^-6 /K）至14.2（10^-6 /K）之間的訊號轉接線的顯示面板亦被提出。

Description

顯示面板

本發明是有關於一種顯示面板，且特別是有關於一種具有破孔的顯示面板。

隨著顯示技術的發展，除了顯示品質的提升外，也開啟了顯示面板的多元化應用。設計出可應用於不同使用情境的顯示面板已成為相關廠商的開發常態。近年來，舉凡智能手錶、運動手環、或其他可穿戴式電子裝置更能體現出顯示面板應用於日常生活中的無限可能。也因此，這類電子裝置所搭載的顯示面板除了環境耐受性的高規格要求外，攸關品味的外觀設計更成為產品開發的重要一環。為了達到不同的外觀設計，顯示面板的異形（free form）切割技術逐漸成為相關廠商的必備技術。

在產品的設計之初，為了讓顯示面板與其他構件間的配合關係達到最佳化，可於顯示區邊緣或內部設計出相應於其他構件之外形的開孔。舉例而言，應用在智能手錶的顯示面板需具有被顯示區所圍繞的破孔，方能使錶芯的指針穿設於顯示面板。然而，為了確保封裝良率，鄰設於破孔周邊的驅動電路走線需針對封裝區域進行迴避設計。如此，顯示面板的可顯示區域勢必縮減。因此，如何在確保顯示面板的封裝良率下，增加可顯示區域的範圍並提升其外觀的設計裕度為相關廠商的開發重點。

本發明提供一種顯示面板，其訊號線的可布局空間較大。

本發明提供一種顯示面板，其封裝良率高且具有較佳的操作信賴性。

本發明的顯示面板，包括基板、多個畫素結構、多條第一訊號線、多條第二訊號線、多條訊號轉接線、絕緣層以及封膠圖案。基板具有封裝區、圍繞封裝區的顯示區以及位於封裝區與顯示區之間的轉接區。多個畫素結構、多條第一訊號線以及多條第二訊號線設置於顯示區中，且每一畫素結構電性連接於對應的一條第一訊號線與對應的一條第二訊號線。多條訊號轉接線與封膠圖案設置於封裝區，且封膠圖案重疊於這些訊號轉接線。訊號轉接線的熱膨脹係數小於第一訊號線的熱膨脹係數。絕緣層設置於多條第一訊號線與多條第二訊號線之間。絕緣層具有重疊於轉接區的多個接觸窗，且多條第一訊號線透過這些接觸窗與多條訊號轉接線電性連接。

本發明的顯示面板，包括基板、多個畫素結構、第一訊號線、多條第二訊號線、訊號轉接線以及封膠圖案。基板具有封裝區與圍繞封裝區的顯示區。多個畫素結構、第一訊號線以及多條第二訊號線設置於顯示區中，且每一畫素結構電性連接於第一訊號線與對應的一條第二訊號線。訊號轉接線設置於封裝區，且電性連接於第一訊號線。訊號轉接線的熱膨脹係數介於4.8（10^-6 /K）至14.2（10^-6 /K）之間。封膠圖案設置於封裝區，且重疊於訊號轉接線。

基於上述，在本發明一實施例的顯示面板中，於封裝區設有重疊於封膠圖案的訊號轉接線，且用以驅動畫素結構的第一訊號線電性連接於訊號轉接線。據此，顯示面板可將驅動信號自顯示區的第一訊號線傳遞至位於封裝區的訊號轉接線，或者是將驅動信號自封裝區的訊號轉接線傳遞至位於顯示區的第一訊號線，以確保顯示面板的可顯示區域的最大化。另外，在本發明另一實施例的顯示面板中，透過訊號轉接線的熱膨脹係數介於4.8（10^-6 /K）至14.2（10^-6 /K）之間，可避免訊號轉接線於封裝製程中因高溫而產生剝離並導致封裝失效，有助於提升顯示面板的封裝良率與操作信賴性。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

本文使用的「約」、「近似」、「本質上」、或「實質上」包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量（即，測量系統的限制）。例如，「約」可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或例如±30%、±20%、±15%、±10%、±5%內。再者，本文使用的「約」、「近似」、「本質上」、或「實質上」可依量測性質、切割性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。

在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域等的厚度。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，「連接」可以指物理及/或電性連接。再者，「電性連接」可為二元件間存在其它元件。

此外，諸如「下」或「底部」和「上」或「頂部」的相對術語可在本文中用於描述一個元件與另一元件的關係，如圖所示。應當理解，相對術語旨在包括除了圖中所示的方位之外的裝置的不同方位。例如，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其它元件的「下」側的元件將被定向在其它元件的「上」側。因此，示例性術語「下」可以包括「下」和「上」的取向，取決於附圖的特定取向。類似地，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其它元件「下方」或「下方」的元件將被定向為在其它元件「上方」。因此，示例性術語「上面」或「下面」可以包括上方和下方的取向。

現將詳細地參考本發明的示範性實施方式，示範性實施方式的實例說明於所附圖式中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。

圖1是本發明一實施例的顯示面板的上視示意圖。圖2是圖1的顯示面板的剖面示意圖。圖3及圖4分別是圖1的顯示面板的兩局部區域的放大示意圖。特別說明的是，圖3及圖4分別對應於圖1的區域I與區域II，且為清楚呈現起見，圖1省略了圖2的基板102、第三訊號線SL3、閘絕緣層110、主動元件T、絕緣層120、絕緣層130、平坦層140、隔離結構層150、發光結構ES、間隙物PS以及共用電極CE的繪示，且圖4省略了圖1的封膠圖案200的繪示。

請參照圖1及圖2，顯示面板10包括兩基板101、102與畫素驅動層100。畫素驅動層100設置於基板101與基板102之間，且基板101具有封裝區SR與圍繞封裝區SR的顯示區DA。在本實施例中，顯示面板10還可包括貫穿兩基板101、102與畫素區動層100的破孔10a，其中顯示區DA可圍繞破孔10a，且封裝區SR位於破孔10a與顯示區DA之間。舉例來說，破孔10a於基板101上的垂直投影輪廓可以是圓形。然而，本發明不限於此，在其他實施例中，破孔於基板101上的垂直投影輪廓也可以是多邊形、或其他合適的外形。需說明的是，本實施例的破孔10a數量係以一個為例進行示範性地說明，而本發明所屬技術領域中具通常知識者應理解的是，顯示面板的破孔數量、形狀及配置關係可依實際需求而調整。

進一步而言，顯示面板10更包括封膠圖案200。封膠圖案200設置於封裝區SR，且夾設於畫素驅動層100與基板102之間。在本實施例中，封膠圖案200係圍繞顯示面板10的破孔10a，且封膠圖案200於基板101上的垂直投影可以是圓環狀，亦即，封膠圖案200鄰近於破孔10a的一側壁於基板101上的垂直投影輪廓（即內輪廓）可共形於破孔10a於基板101上的垂直投影輪廓，但本發明不以此為限。在其他實施例中，封膠圖案200於基板101上的垂直投影輪廓（例如內輪廓或外輪廓）也可不共形於破孔10a於基板101上的垂直投影輪廓。

特別說明的是，封膠圖案200的配置係用以接合畫素區動層100與基板102。在本實施例中，形成封膠圖案200的方法（即封裝製程）可包括於封裝區SR進行封膠材料層（例如玻璃料層）的塗佈以及進行高溫燒結（sintering）的步驟以形成封膠圖案200，其中高溫燒結的步驟係利用雷射光照射玻璃料層（即封膠材料層）使其固化成封膠圖案200，且燒結過程中的溫度可高達400℃以上。在本實施例中，封膠圖案200的材料例如是玻璃膠（glass frit），且玻璃膠的材質可包括氧化錳（MnOx）、氧化鋅（ZnO）與氧化鎂（MgO）。然而，本發明不限於此，在其他實施例中，封膠圖案200的材料也可包括壓克力樹脂（acrylic resin）、環氧樹脂（epoxy resin）、感光型（photo-sensitive）高分子材料、或其他合適的密封材料。

另一方面，畫素驅動層100包括多條第一訊號線SL1、多條第二訊號線SL2與多個畫素結構PX，設置於顯示區DR。每一畫素結構PX電性連接於對應的一條第一訊號線SL1與對應的一條第二訊號線SL2。在本實施例中，多條第一訊號線SL1可沿方向D1排列於基板101上，且在方向D2上延伸。多條第二訊號線SL2可沿方向D2排列於基板101上，且在方向D1上延伸。亦即，第一訊號線SL1可相交於第二訊號線SL2。另一方面，多個畫素結構PX可圍繞破孔10a而設置。然而，本發明不限於此，根據其他實施例，顯示面板也可僅在破孔的局部周邊附近設有畫素結構PX，亦即，多個畫素結構PX也可不圍繞破孔10a而設置。

在本實施例中，第一訊號線SL1例如是資料線（data line），第二訊號線SL2例如是掃描線（scan line），且基於導電性的考量，訊號線（例如第一訊號線SL1與第二訊號線SL2）的材料一般是使用金屬材料。然而，本發明不限於此，根據其他實施例，第一訊號線SL1與第二訊號線SL2也可使用其他導電材料，例如：合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或其他合適的材料、或是金屬材料與其他導電材料的堆疊層。

進一步而言，畫素驅動層100更包括多條訊號轉接線TL與絕緣層120。這些訊號轉接線TL設置於封裝區SR，且在基板101的法線方向上重疊於封膠圖案200。絕緣層120設置於第一訊號線SL1與訊號轉接線TL之間。在本實施例中，訊號轉接線TL可具有兩個直線段部TLa與一個彎曲段部TLb。彎曲段部TLb連接於兩直線段部TLa之間，且彎曲段部TLb於基板101上的垂直投影可共形於破孔10a（或者是封膠圖案200）於基板101上的垂直投影輪廓，但本發明不以此為限。在其他實施例中，訊號轉接線TL也可以具有其他合適外形的延伸路徑，且此延伸路徑在基板101上的垂直投影也可不共形於破孔10a（或者是封膠圖案200）於基板101上的垂直投影輪廓。

請參照圖2及圖3，基板101還可具有位於顯示區DR與封裝區SR之間的轉接區TR。絕緣層120具有位於轉接區TR的多個接觸窗120a，且多條第一訊號線SL1的一部分可由顯示區DR延伸至轉接區TR，並透過這些接觸窗120a與多條訊號轉接線TL電性連接。換句話說，由顯示區DR延伸至轉接區TR一側的一部分第一訊號線SL1可透過位於封裝區SR的多條訊號轉接線TL電性連接於由顯示區DR延伸至轉接區TR另一側的另一部分第一訊號線SL1。據此，可避免部分的第一訊號線SL1為了迴避破孔10a而占用額外的配置空間，導致顯示區DR的可顯示區域縮小，亦即，可確保顯示面板的可顯示區域的最大化。

在本實施例中，訊號轉接線TL與第二訊號線SL2的材質可相同；也就是說，訊號轉接線TL與第二訊號線SL2可形成於同一膜層，但本發明不以此為限。需說明的是，在本實施例中，用以將第一訊號線SL1與對應的一條訊號轉接線TL電性連接的接觸窗120a數量係以三個為例進行示範性地說明，並不代表本發明以圖式揭示內容為限。

值得一提的是，重疊於封膠圖案200的訊號轉接線TL的熱膨脹係數（coefficient of thermal expansion，CTE）小於第一訊號線SL1的熱膨脹係數。舉例來說，訊號轉接線TL的材質可包括鉬（Molybdenum）及氧化鉬（molybdenum oxide），而第一訊號線SL1的材質可包括鋁（Aluminum）。更進一步來說，訊號轉接線TL的熱膨脹係數可介於4.8（10^-6 /K）至14.2（10^-6 /K）之間。據此，可有效避免訊號轉接線TL於上述封裝製程中因高溫（例如400℃以上的溫度）而產生剝離（peeling）並導致封裝失效，有助於提升顯示面板10的封裝良率與信賴性（reliability）。

由圖4可知，訊號轉接線TL在方向D1上具有寬度W，且任兩相鄰的訊號轉接線TL之間在方向D1上都具有間距S，其中訊號轉接線TL的寬度W可介於3mm至25mm之間，任兩相鄰的訊號轉接線TL之間的間距S可介於1mm至50mm之間。在本實施例中，訊號轉接線TL的寬度W相對於任兩相鄰的訊號轉接線TL之間的間距S的比值可介於0.5至3之間。從另一觀點來說，每兩相鄰的訊號轉接線TL之間都設有縫隙TLs，且這些縫隙TLs所占區域於基板101上的垂直投影面積相對於這些縫隙TLs所占區域與定義這些縫隙TLs的多條訊號轉接線TL於基板101上的垂直投影總面積的百分比值可介於25%至60%。如此，可提高訊號轉接線TL於高溫燒結步驟中的散熱效果，並增加封膠圖案200的固化率（conversion rate），有助於進一步提升顯示面板10的封裝良率與信賴性。

請參照圖2，畫素結構PX可包括主動元件T以及電性連接於主動元件T的畫素電極PE。主動元件T包括源極SE、汲極DE、閘極G以及半導體圖案SC，其中半導體圖案SC電性連接於源極SE與汲極DE之間，且源極SE與汲極DE可分別與第一訊號線SL1與畫素電極PE電性連接。在本實施例中，畫素電極PE可以是反射式電極，反射式電極包括金屬、合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或其他合適的材料、或是金屬材料與其他導電材料的堆疊層。然而，本發明不限於此，在其他實施例中，畫素電極PE也可以是光穿透式電極，穿透式電極的材質包括金屬氧化物，例如：銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少兩者之堆疊層。

在本實施例中，主動元件T的閘極G可選擇性地設置在半導體圖案SC的上方，也就是說，主動元件T為頂部閘極型薄膜電晶體（top-gate TFT）。然而，本發明不限於此，在其他實施例中，主動元件T的閘極G也可設置在半導體圖案SC的下方，也就是說，主動元件T也可以是底部閘極型薄膜電晶體（bottom-gate TFT）。另一方面，在本實施例中，主動元件T可以是低溫多晶矽薄膜電晶體（Low Temperature Poly-Silicon Thin Film Transistor，LTPS TFT）。然而，本發明不限於此，在其他實施例中，主動元件T也可以是非晶矽薄膜電晶體（Amorphous Silicon TFT，a-Si TFT）、微晶矽薄膜電晶體（micro-Si TFT）或金屬氧化物電晶體（Metal Oxide Transistor）。

舉例而言，形成主動元件T的方法可包括以下步驟：於基板101上依序形成半導體圖案SC、閘絕緣層110、閘極G、絕緣層120、源極SE與汲極DE，其中源極SE透過形成在閘絕緣層110及絕緣層120的接觸窗115a與半導體圖案SC電性連接，汲極DE透過形成在閘絕緣層110及絕緣層120的接觸窗115b與半導體圖案SC電性連接，但本發明不以此為限。在本實施例中，閘極G、訊號轉接線TL與第二訊號線SL2（繪示於圖3）的材質可選擇性地相同，源極SE、汲極DE與第一訊號線SL1的材質可選擇性地相同；也就是說，閘極G、訊號轉接線TL與第二訊號線SL2可形成於同一膜層，源極SE、汲極DE與第一訊號線SL1可形成於同一膜層。

在本實施例中，畫素驅動層100還可包括依序堆疊於絕緣層120上的絕緣層130與平坦層140。絕緣層130可覆蓋主動元件T的源極SE、汲極DE與絕緣層120的部分表面。特別說明的是，畫素驅動層100係透過絕緣層130的上表面130s與封膠圖案200連接。另一方面，畫素電極PE設置於平坦層140上，且貫穿平坦層140與絕緣層130以電性連接主動元件T的汲極DE。在本實施例中，閘絕緣層110、絕緣層120與絕緣層130的材質可包括無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、其它合適的材料、或上述至少兩種材料的堆疊層）、有機材料、或其它合適的材料、或上述之組合。另外，平坦層140的材質例如是有機絕緣材料，有機絕緣材料可包括聚亞醯胺、聚酯、苯並環丁烯（benzocyclobutene，BCB）、聚甲基丙烯酸甲酯（polymethylmethacrylate，PMMA）、聚乙烯苯酚（poly(4-vinylphenol)，PVP）、聚乙烯醇（polyvinyl alcohol，PVA）、聚四氟乙烯（polytetrafluoroethene，PTFE）、六甲基二矽氧烷（hexamethyldisiloxane，HMDSO）。

進一步而言，顯示面板10還可包括設置在畫素驅動層100上的發光結構ES、隔離結構層150以及共用電極CE。隔離結構層150覆蓋平坦層140的部分表面與畫素電極PE的部分表面，且具有重疊於畫素電極PE的凹槽150a，其中發光結構ES可設置於凹槽150a內。另一方面，顯示面板10還可選擇性地包括多個間隙物PS。多個間隙物PS設置於隔離結構層150上，且配置用以支撐基板102。在本實施例中，隔離結構層150的材質包括無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、其它合適的材料、或上述至少二種材料的堆疊層）、有機材料（例如：聚酯類（PET）、聚烯類、聚丙醯類、聚碳酸酯類、聚環氧烷類、聚苯烯類、聚醚類、聚酮類、聚醇類、聚醛類、或其它合適的材料、或上述之組合）、或其他合適的材料、或上述之組合。

在本實施例中，發光結構ES可包括在畫素電極PE上依序堆疊的電洞注入層HIL、電洞傳輸層HTL、發光層EML以及電子傳輸層ETL。共用電極CE覆蓋隔離結構層150的部分表面與多個間隙物PS，且延伸至凹槽150a內以覆蓋電子傳輸層ETL。當顯示面板10被致能（enabled）時，畫素電極PE與共用電極CE之間因分別具有高電位與接地電位而產生電流，致使發光結構ES發出用以顯示畫面的影像光束。亦即，在本實施例中，顯示面板10可以是有機發光二極體（Organic Light Emitting Diode，OLED）面板、微發光二極體（Micro Light Emitting Diode，Micro LED）面板或次毫米發光二極體（Mini Light Emitting Diode，Mini LED）面板，但本發明不以此為限。在其他實施例中，顯示面板也可以是液晶顯示面板（Liquid Crystal Display Panel，LCD Panel）。

請參照圖1及圖3，在本實施例中，為了不佔用額外的配置空間，部分的第二訊號線SL2（即延伸路徑通過封裝區SR的第二訊號線SL2）並未針對封裝區SR（或者是破孔10a）進行迴避設計。因此，顯示面板10還可包括第一閘極驅動電路181與第二閘極驅動電路182，其中一部分的第二訊號線SL2可電性連接於第一閘極驅動電路181，而另一部分的第二訊號線SL2可電性連接於第二閘極驅動電路182。特別說明的是，在第二訊號線SL2的延伸方向（即方向D1）上，延伸路徑通過封裝區SR的一部分第二訊號線SL2（例如位於封裝區SR靠近第一閘極驅動電路181一側的第二訊號線SL2）可電性連接於第一閘極驅動電路181，而延伸路徑通過封裝區SR的另一部分第二訊號線SL2（例如位於封裝區SR靠近第二閘極驅動電路182一側的第二訊號線SL2）可電性連接於第二閘極驅動電路182。也就是說，在本實施例中，顯示面板10可採用雙邊閘極驅動的方式進行操作，以避免部分的第二訊號線SL因其延伸路徑需迴避封裝區SR（或破孔10a）而占用額外的配置空間，導致顯示區DR的可顯示區域縮小，亦即，可確保顯示面板的可顯示區域的最大化。

以下將列舉另一實施例以詳細說明本揭露，其中相同的構件將標示相同的符號，並且省略相同技術內容的說明，省略部分請參考前述實施例，以下不再贅述。

圖5是本發明另一實施例的畫素結構的等效電路圖。圖6是本發明另一實施例的顯示面板的剖面示意圖。圖7是本發明另一實施例的顯示面板的局部區域的上視示意圖。需說明的是，為清楚呈現起見，圖7僅繪示出圖6的畫素驅動層100A的訊號轉接線TL-A與金屬圖案層170。

請參照圖5及圖6，本實施例的顯示面板11與前述實施例的顯示面板10的主要差異在於：畫素結構、訊號線以及訊號轉接線的配置方式不同。在本實施例中，畫素結構PX-A可選擇性地包括三個主動元件T與一個電容器C，亦即，本實施例的畫素結構PX-A係以3T1C的架構為例進行示範性的說明，但本發明不以此為限。在其他實施例中，畫素結構也可以是1T1C的架構、2T1C的架構、3T2C的架構、4T1C的架構、4T2C的架構、5T1C的架構、5T2C的架構、6T1C的架構、或6T2C的架構、7T1C的架構或是任何可能的架構。

在本實施例中，畫素驅動層100A還可包括第三訊號線SL3、第四訊號線SL4與電源線PL，且畫素結構PX-A的三個主動元件T分別為第一主動元件T1、第二主動元件T2以及第三主動元件T3。舉例來說，第一主動元件T1例如是開關主動元件（switch TFT），第二主動元件T2例如是驅動主動元件（drive TFT），第三主動元件T3例如是感測主動元件（sense TFT）。另一方面，第三訊號線SL3例如是掃描線（scan line），第四訊號線SL4例如是感測線（sense line）。

詳細而言，第一主動元件T1可電性連接於第一訊號線SL1、第二訊號線SL2、電容器C以及第二主動元件T2。第二主動元件T2可電性連接於電容器C、第三主動元件T3以及發光結構ES，且可透過電源線PL與高電壓源（未繪示）電性連接。第三主動元件T3可電性連接於第三訊號線SL3、第四訊號線SL4、發光結構ES以及電容器C。在本實施例中，基於導電性的考量，第三訊號線SL3、第四訊號線SL4與電源線PL的材料一般是使用金屬材料。然而，本發明不限於此，根據其他實施例，第三訊號線SL3、第四訊號線SL4與電源線PL也可使用其他導電材料，例如：合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或其他合適的材料、或是金屬材料與其他導電材料的堆疊層。

進一步而言，如圖6所示，畫素驅動層100A的絕緣層120可以是第一子絕緣層121與第二子絕緣層122的堆疊層，且第三訊號線SL3設置於第一子絕緣層121與第二子絕緣層122之間。在本實施例中，訊號轉接線TL-A與第三訊號線SL3的材質可選擇性地相同；也就是說，訊號轉接線TL-A與第三訊號線SL3可形成於同一膜層，且第一訊號線SL1可透過第二子絕緣層122的接觸窗122a與訊號轉接線TL-A電性連接。值得一提的是，在本實施例中，第三訊號線SL3的材質可包括鉬（Molybdenum）及氧化鉬（molybdenum oxide）。

請參照圖6及圖7，在本實施例中，畫素驅動層100A還可選擇性地包括設置於封裝區SR的金屬圖案層170，且金屬圖案層170與閘極G可形成於同一膜層。換句話說，金屬圖案層170與訊號轉接線TL-A為不同膜層。在本實施例中，金屬圖案層170可以是沿方向D1排列的多條金屬線175，且這些金屬線175在基板101的法線方向上不重疊於多條訊號轉接線TL-A。然而，本發明不限於此，根據其他實施例，金屬圖案層在基板101的法線方向上也可部分地重疊於多條訊號轉接線。

由圖7可知，多條訊號轉接線TL-A與多條金屬線175可在方向D1上交替排列。訊號轉接線TL-A與金屬線175在方向D1上分別具有第一寬度W1與第二寬度W2，且相鄰的訊號轉接線TL-A與金屬線175之間在方向D1上具有第一間距S1，其中第一寬度W1與第二寬度W2可介於3mm至25mm之間，且第一間距S1可介於1mm至50mm之間。在本實施例中，訊號轉接線TL-A的第一寬度W1實質上可等於金屬線175的第二寬度W2，且第一寬度W1（或第二寬度W2）與第一間距S1的比值可介於0.5至3之間。

從另一觀點而言，由於任相鄰的訊號轉接線TL-A與金屬線175之間設有縫隙175s，且這些縫隙175s所占區域於基板101上的垂直投影面積相對於多條訊號轉接線TL-A、多條金屬線175與多個縫隙175s所占區域於基板101上的垂直投影總面積的百分比值可介於25%至60%。據此，可提高訊號轉接線TL-A於高溫燒結步驟中的散熱效果，並增加封膠圖案200的固化率（conversion rate），進而提升顯示面板11的封裝良率與信賴性。值得一提的是，透過金屬圖案層170的配置，可增加任兩相鄰的訊號轉接線TL-A之間在方向D1上的間距S，有助於降低任兩相鄰的訊號轉接線TL-A之間發生電性短路（或者是靜電炸傷）的風險。

綜上所述，在本發明一實施例的顯示面板中，於封裝區設有重疊於封膠圖案的訊號轉接線，且用以驅動畫素結構的第一訊號線電性連接於訊號轉接線。據此，顯示面板可將驅動信號自顯示區的第一訊號線傳遞至位於封裝區的訊號轉接線，或者是將驅動信號自封裝區的訊號轉接線傳遞至位於顯示區的第一訊號線，以確保顯示面板的可顯示區域的最大化。另外，在本發明另一實施例的顯示面板中，透過訊號轉接線的熱膨脹係數介於4.8（10^-6 /K）至14.2（10^-6 /K）之間，可避免訊號轉接線於封裝製程中因高溫而產生剝離並導致封裝失效，有助於提升顯示面板的封裝良率與操作信賴性。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10、11:顯示面板 10a:破孔 100、100A:畫素驅動層 101、102:基板 110:閘絕緣層 115a、115b、120a、122a:接觸窗 120、130:絕緣層 121、122:子絕緣層 130s:上表面 140:平坦層 150:隔離結構層 150a:凹槽 170:金屬圖案層 175:金屬線 175s、TLs:縫隙 181、182:閘極驅動電路 200:封膠圖案 C:電容器 CE:共用電極 DE:汲極 D1、D2:方向 DR:顯示區 ES:發光結構 EML:發光層 ETL:電洞傳輸層 G:閘極 HIL:電洞注入層 HTL:電洞傳輸層 PE:畫素電極 PL:電源線 PS:間隙物 PX、PX-A:畫素結構 S、S1:間距 SC:半導體圖案 SE:源極 SL1 ~ SL4:第一訊號線~第四訊號線 SR:封裝區 T、T1~T3:主動元件 TL、TL-A:訊號轉接線 TLa:直線段部 TLb:彎曲段部 TR:轉接區 W、W1、W2:寬度 I、II:區域

圖1是本發明一實施例的顯示面板的上視示意圖。 圖2是圖1的顯示面板的剖面示意圖。 圖3及圖4分別是圖1的顯示面板的兩局部區域的放大示意圖。 圖5是本發明另一實施例的畫素結構的等效電路圖。 圖6是本發明另一實施例的顯示面板的剖面示意圖。 圖7是本發明另一實施例的顯示面板的局部區域的上視示意圖。

10:顯示面板

10a:破孔

101:基板

120:絕緣層

120a:接觸窗

181、182:閘極驅動電路

200:封膠圖案

D1、D2:方向

DR:顯示區

PE:畫素電極

PX:畫素結構

SL1:第一訊號線

SL2:第二訊號線

SR:封裝區

TL:訊號轉接線

TLa:直線段部

TLb:彎曲段部

TR:轉接區

I、II:區域

Claims (20)

1. 一種顯示面板，包括： 一基板，具有一封裝區、圍繞該封裝區的一顯示區以及位於該封裝區與該顯示區之間的一轉接區； 多個畫素結構，設置於該顯示區； 多條第一訊號線與多條第二訊號線，設置於該顯示區，其中各該畫素結構電性連接於對應的一該第一訊號線與對應的一該第二訊號線； 多條訊號轉接線與一封膠圖案，設置於該封裝區，且該封膠圖案重疊於該些訊號轉接線，其中該些訊號轉接線的熱膨脹係數小於該些第一訊號線的熱膨脹係數；以及 一絕緣層，設置於該些第一訊號線與該些第二訊號線之間，其中該絕緣層具有重疊於該轉接區的多個接觸窗，且該些第一訊號線透過該些接觸窗與該些訊號轉接線電性連接。
2. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，更包括一破孔，其中該顯示區圍繞該破孔，且該封裝區位於該破孔與該顯示區之間。
3. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該些訊號轉接線與該些第二訊號線屬於同一膜層。
4. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，更包括設置於該顯示區的多條第三訊號線，該絕緣層包括一第一子絕緣層與一第二子絕緣層，其中該些第三訊號線位於該第一子絕緣層與該第二子絕緣層之間，且該些訊號轉接線與該些第三訊號線屬於同一膜層。
5. 如申請專利範圍第4項所述的顯示面板，更包括一金屬圖案層，設置於該封裝區，且該金屬圖案層位於該絕緣層與該基板之間，其中該些訊號轉接線不重疊於該金屬圖案層。
6. 如申請專利範圍第5項所述的顯示面板，且該金屬圖案層與該些第二訊號線屬於同一膜層。
7. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，更包括一第一閘極驅動電路與一第二閘極驅動電路，其中該些第二訊號線的一部分電性連接於該第一閘極驅動電路，該些第二訊號線的另一部分電性連接於該第二閘極驅動電路。
8. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該些訊號轉接線的每兩相鄰者之間都設有一縫隙，該些縫隙所占區域於該基板上的垂直投影面積相對於該些訊號轉接線與該些縫隙所占區域於該基板上的垂直投影面積的百分比值介於25%至60%之間。
9. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該些訊號轉接線的任兩相鄰者之間在一第一方向上具有一間距，各該訊號轉接線在該第一方向上具有一寬度，且各該訊號轉接線的該寬度相對於該些訊號轉接線的任兩相鄰者之間的該間距的比值介於0.5至3之間。
10. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該些訊號轉接線的材質包括鉬及氧化鉬。
11. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該些訊號轉接線的熱膨脹係數介於4.8（10^-6 /K）至14.2（10^-6 /K）之間。
12. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，更包括多個發光結構，分別與該些畫素結構電性連接，其中該些發光結構各自包括依序堆疊的一電洞注入層、一電洞傳輸層、一發光層以及一電子傳輸層。
13. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該封膠圖案的材料包括燒結溫度大於400℃的玻璃膠。
14. 一種顯示面板，包括： 一基板，具有一封裝區與圍繞該封裝區的一顯示區； 多個畫素結構，設置於該顯示區； 一第一訊號線與多條第二訊號線，設置於該顯示區，其中各該畫素結構電性連接於該第一訊號線與對應的一該第二訊號線； 一訊號轉接線，設置於該封裝區，該訊號轉接線電性連接於該第一訊號線，且該訊號轉接線的熱膨脹係數介於4.8（10^-6 /K）至14.2（10^-6 /K）之間；以及 一封膠圖案，設置於該封裝區，且該封膠圖案重疊於該訊號轉接線。
15. 如申請專利範圍第14項所述的顯示面板，更包括一破孔，其中該顯示區圍繞該破孔，且該封裝區位於該破孔與該顯示區之間。
16. 如申請專利範圍第14項所述的顯示面板，其中該訊號轉接線的材質包括鉬及氧化鉬。
17. 如申請專利範圍第14項所述的顯示面板，更包括一絕緣層，設置於該第一訊號線與該些第二訊號線之間，且該基板還具有位於該封裝區與該顯示區之間一轉接區，其中該絕緣層具有重疊於該轉接區的至少一接觸窗，且該第一訊號線透過該至少一接觸窗與該訊號轉接線電性連接。
18. 如申請專利範圍第17項所述的顯示面板，其中該訊號轉接線與該些第二訊號線屬於同一膜層。
19. 如申請專利範圍第17項所述的顯示面板，更包括設置於該顯示區的一第三訊號線，該絕緣層包括一第一子絕緣層與一第二子絕緣層，其中該第三訊號線位於該第一子絕緣層與該第二子絕緣層之間，且該訊號轉接線與該第三訊號線屬於同一膜層。
20. 如申請專利範圍第19項所述的顯示面板，更包括一金屬圖案層，設置於該封裝區，且該金屬圖案層位於該絕緣層與該基板之間，其中該訊號轉接線不重疊於該金屬圖案層，且該金屬圖案層與該些第二訊號線屬於同一膜層。

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