TW202032172A - 偏光件及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種即便在施行了切割加工之情況下品質仍佳之偏光件。本發明偏光件具有染色部、切割加工部及形成於該染色部與該切割加工部之間的脫色部。又,本發明偏光件之製造方法包含以下步驟:對樹脂薄膜賦予偏光機能、將該經賦予偏光機能之樹脂薄膜進行脫色、及將該經脫色之部分的一部分進行切割加工。
Description
本發明涉及偏光件及其製造方法。更詳細而言,係涉及即便在施行了切割加工之情況下品質仍佳之偏光件及其製造方法。
偏光板可用於行動電話及筆記型個人電腦(PC)等各種影像顯示裝置。近年來,於智慧型手機及車載顯示器等各種用途上偏光板之需求日益漸高。於該等用途上,偏光板會被施行對應所搭載之部分之類的異形加工及設置開口部的加工。例如,專利文獻1中提出一種於對應相機之部分設置有開口部的偏光板。但於施行該等加工時,會有偏光件於加工時產生裂痕,造成偏光件品質降低之問題。
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本專利特開2014-112238號公報
發明欲解決之課題
本發明是為了解決上述以往之課題而成者,其主要目的在於提供一種即便在施行了切割加工之情況下品質仍佳之偏光件。
用以解決課題之手段
本發明偏光件具有染色部、切割加工部及形成於該染色部與該切割加工部之間的脫色部。
在一實施形態中,從上述切割加工部至上述染色部為止之距離為0.1mm以上。
在一實施形態中,上述切割加工部係雷射切割部。
在一實施形態中,上述脫色部之鹼金屬及/或鹼土族金屬含量為3.6重量%以下。
在一實施形態中,上述脫色部之硼酸含量為8重量%以下。
在一實施形態中,上述脫色部與上述偏光件之端部的最短距離為15mm以下。
在一實施形態中,上述染色部之二色性物質之含量與上述脫色部之二色性物質之含量的差為0.5重量%以上。
本發明之另一面向係提供一種偏光件之製造方法。本發明之製造方法包含以下步驟:對樹脂薄膜賦予偏光機能、將該經賦予偏光機能之樹脂薄膜進行脫色、及將該經脫色之部分的一部分進行切割加工。
在一實施形態中,上述切割加工係藉由雷射來進行。
在一實施形態中,上述脫色係藉由使接觸鹼性溶液來進行。
發明效果
根據本發明,係提供一種即便在施行了切割加工之情況下品質(例如耐裂痕性)仍佳之偏光件。本發明偏光件具有染色部、切割加工部及形成於該染色部與該切割加工部之間的脫色部。藉由於切割加工部與染色部之間形成有脫色部,即便在施行了異形加工及開口部之形成等之切割加工之情況下,仍可防止從該切割加工部產生裂痕至偏光件內部(更詳細而言為染色部)。並且,還可良好地防止水分從所產生之裂痕進入染色部而造成偏光件褪色。
又,本發明偏光件之製造方法包含以下步驟:對樹脂薄膜賦予偏光機能、將該經賦予偏光機能之樹脂薄膜進行脫色、及將該經脫色之部分進行切割加工。本發明之製造方法係將經賦予偏光機能之樹脂薄膜之經脫色之部分的一部分進行切割加工。藉由以留下所期望之脫色部之方式將樹脂薄膜之經脫色之部分進行切割加工,可更良好地防止於切割加工時加諸之應力造成裂痕產生。並且,還可抑制裂痕產生之頻率,亦能提升品質佳之偏光件的生產性。
以下說明本發明之實施形態,惟本發明不受該等實施形態限定。
A.偏光件
本發明偏光件具有染色部、切割加工部及形成於該染色部與該切割加工部之間的脫色部。偏光件代表上係藉由以二色性物質將樹脂薄膜予以染色而被賦予偏光機能。亦即,偏光件中可發揮該功能之部分為經二色性物質染色之染色部。偏光件可按用途施行異形加工及開口部之形成等之切割加工。於施行切割加工時,會從切割加工部產生裂痕,造成偏光件品質降低。並且,從裂痕進入之水分會造成染色部褪色,損害偏光件具有之偏光機能。本發明之偏光件中,於染色部與切割加工部之間形成有脫色部。藉此,可防止從偏光件之切割加工部產生裂痕。且,即便產生了裂痕,仍可防止裂痕進入染色部,而可良好地維持偏光機能。
圖1為本發明一實施形態之偏光件的概略俯視圖。圖式例之偏光件10於染色部12之內部形成有切割加工部11。圖式例中,切割加工部11為開口部。染色部12與切割加工部11之間形成有脫色部13。藉由形成有脫色部13,可防止從切割加工部11之切割部分產生裂痕。並且,即便產生了裂痕,在切割加工部11產生之裂痕會止於脫色部13,而可防止其到達染色部12。並且,還可防止從所產生之裂痕進入的水分造成染色部12褪色。此外,圖式例中,係於沿切割加工部11之周緣部整體形成有脫色部13,但只要於至少一部份形成有脫色部即可。
在另一實施形態中,可於染色部12形成多個切割加工部(例如2個以上開口部)。如該實施形態,即便在具有2個以上切割加工部之情況下,藉由於染色部與切割加工部之間形成脫色部,可良好地防止從各切割加工部產生裂痕。且,即便產生了裂痕,仍可防止裂痕進入染色部,而可良好地維持偏光機能。
偏光件10可按所用用途等設計成任意適當之形狀。偏光件10之形狀可舉例如矩形、圓形、菱形、異形等。如上述,本發明偏光件可良好地防止從切割加工部產生裂痕。且,即便產生了裂痕,仍可防止裂痕進入染色部,而可良好地維持偏光機能。因此,即便在將偏光件10製成異形偏光件之情況下,仍可提供品質優異之偏光件。
切割加工部係藉由任意適當之切割方法將樹脂薄膜進行切割加工而形成。切割方法可舉例如雷射、切刀、湯姆遜刀及尖頭刀等沖裁刀等。切割加工部宜為雷射切割部。藉由為經雷射切割之部分,切割端部之微小的裂痕會減少,從而可靠試驗後之耐裂痕性可較其他切割方法更提升。
偏光件之厚度可設定成任意適當之值。厚度代表上為0.5μm以上且80μm以下,宜為30μm以下,且宜為25μm以下,更宜為18μm以下,尤宜為12μm以下,特別宜小於8μm。厚度之下限值宜為1μm以上。藉由厚度薄,可有助於影像顯示裝置之薄型化。且,厚度愈薄,愈可良好地形成脫色部。具體來說,於使接觸後述鹼性溶液時,可以更短時間形成脫色部。且,經使接觸鹼性溶液之部分的厚度有會變得比其他部分更薄之情形。藉由厚度薄,可縮小經使接觸鹼性溶液之部分與其他部分之厚度差。且藉由雷射進行脫色時,每單位膜厚之吸光度會變高,而可有效率地進行脫色。
如上述,偏光件代表上可以碘等二色性物質將樹脂薄膜予以染色而得。形成樹脂薄膜之樹脂可使用任意適當的樹脂。較佳為使用聚乙烯醇系樹脂(以下稱為「PVA系樹脂」)。PVA系樹脂可舉例如聚乙烯醇、乙烯-乙烯醇共聚物。聚乙烯醇可藉由將聚乙酸乙烯酯皂化而得。乙烯-乙烯醇共聚物可藉由將乙烯-乙酸乙烯酯共聚物皂化而得。PVA系樹脂之皂化度通常為85莫耳%以上且小於100莫耳%,宜為95.0莫耳%~99.95莫耳%,更宜為99.0莫耳%~99.93莫耳%。皂化度可依JIS K 6726-1994而求得。藉由使用所述皂化度的PVA系樹脂,可獲得耐久性優異的偏光件。皂化度太高時,會有膠化之虞。
PVA系樹脂的平均聚合度可按目的適當選擇。平均聚合度通常為1000~10000,宜為1200~4500,更宜為1500~4300。另,平均聚合度可按JIS K 6726-1994而求得。
二色性物質可舉例如碘、有機染料等。該等可單獨使用或可將2種以上組合來使用。較佳可使用碘。其係因藉由與後述鹼性溶液接觸,可良好地形成脫色部之故。
偏光件(染色部)宜在波長380nm~780nm之範圍內顯示吸收二色性。偏光件(染色部)的單體透射率(Ts)宜為39%以上,39.5%以上較佳,40%以上更佳,40.5%以上尤佳。此外,單體透射率之理論上之上限為50%,而實際使用之上限為46%。又,單體透射率(Ts)係以JIS Z 8701之2度視野(C光源)測定並進行視感度校正所得之Y值,例如可用顯微分光系統(Lambda Vision製,LVmicro)進行測定。偏光件(染色部)之偏光度宜為99.8%以上,較宜為99.9%以上,更宜為99.95%以上。
上述脫色部之寬度(具體上為從切割加工部至染色部為止之距離,圖1之雙箭頭)宜為0.1mm以上,且宜為0.5mm以上,更宜為1.0mm以上。只要脫色部之寬度為所述範圍,便可良好地防止由切割加工部產生裂痕。且,即便產生了裂痕,仍可防止裂痕到達染色部。並且,即便水分從所產生之裂痕進入,仍可防止水分到達染色部。由確保染色部之觀點來看,脫色部之寬度例如為10mm以下,且宜為5mm以下。此外,脫色部之寬度只要至少包含有0.1mm以上之部分即可。
上述脫色部與上述偏光件之端部的最短距離(例如圖1之虛線雙箭頭)宜為15mm以下,且宜為10mm以下,更宜為5mm以下。藉由脫色部與偏光件之端部的距離為上述範圍,可緩和切割加工所致之應力,而可抑制裂痕產生。脫色部與偏光件之端部的距離例如為0.1mm以上。
脫色部之透射率(例如在23℃下以波長550nm之光測定之透射率)宜為50%以上,且宜為60%以上,更宜為75%以上,尤宜為90%以上。
如B項所記載,脫色部可以任意適當之方法形成。脫色部由與鹼性溶液接觸而形成時,脫色部之二色性物質之含量宜為1.0重量%以下,且宜為0.5重量%以下,更宜為0.2重量%以下。脫色部之二色性物質之含量只要為所述範圍,便可更良好地防止由切割加工部產生裂痕。另一方面,脫色部之二色性物質含量之下限值一般在檢測極限值以下。此外,使用碘作為二色性物質時,碘含量例如可從經螢光X射線分析測定之X射線強度,利用事先使用標準試料作成之檢量曲線來求得。
染色部之二色性物質之含量與脫色部之二色性物質之含量的差宜為0.5重量%以上,更宜為1重量%以上。只要含量的差為所述範圍,便可更良好地防止由切割加工部產生裂痕。並可形成具有所期望之透明性的脫色部。
偏光件藉由該製造過程(例如後述之交聯步驟)會包含硼酸。脫色部之硼酸含量例如為8重量%以下,宜為5重量%以下。又,脫色部之硼酸含量例如為0重量%以上。藉由脫色部之硼酸含量為上述範圍,可良好地防止從切割加工部產生裂痕。
上述脫色部之鹼金屬及/或鹼土族金屬之含量宜為3.6重量%以下,且宜為2.5重量%以下,更宜為1.0重量%以下,尤宜為0.5重量%以下。只要脫色部之鹼金屬及/或鹼土族金屬之含量為所述範圍,便可良好地維持經與後述鹼性溶液接觸所形成之脫色部的形狀(即,可防止脫色部擴大至不期望之部分)。該含量例如可從經螢光X射線分析測定之X射線強度,利用事先使用標準試料作成之檢量曲線來求得。所述含量可在與後述鹼性溶液接觸時,使接觸部之鹼金屬及/或鹼土族金屬降低來實現。
B.偏光件之製造方法
本發明偏光件可以任意適當之方法來製造。在一實施形態中,本發明偏光件之製造方法包含以下步驟:對樹脂薄膜賦予偏光機能(形成染色部)、將經賦予偏光機能之樹脂薄膜進行脫色、及將該經脫色之部分的一部分進行切割加工。
B-1.賦予偏光機能
藉由任意適當之方法,可對樹脂薄膜賦予偏光機能。代表上可藉由對樹脂薄膜施行膨潤處理、延伸處理、利用碘等二色性物質進行染色處理、交聯處理、洗淨處理、乾燥處理等各種處理來賦予偏光機能。此外,於施行對樹脂薄膜賦予偏光機能之處理時,樹脂薄膜亦可為形成於基材上之樹脂層。基材與樹脂層之積層體可藉由譬如下列方法等而得:將包含上述樹脂薄膜之形成材料的塗佈液塗佈於基材之方法、將樹脂薄膜積層於基材之方法等。
上述延伸處理中,樹脂薄膜代表上係被單軸延伸至3倍~7倍。另,延伸方向可對應所得偏光件的吸收軸方向。
染色處理代表上係使其吸附二色性物質來進行。該吸附方法可舉例如使樹脂薄膜浸漬於包含二色性物質之染色液中之方法、將該染色液塗敷於樹脂薄膜之方法、將該染色液噴霧至樹脂薄膜之方法等。較佳為使樹脂薄膜浸漬於染色液中的方法。因為可良好吸附二色性物質。關於二色性物質如上所述。
採用碘作為二色性物質時,染色液宜使用碘水溶液。碘之摻混量相對於水100重量份宜為0.04重量份~5.0重量份。為了提高碘對水的溶解度,宜於碘水溶液中摻混碘化物。碘化物宜使用碘化鉀。碘化物之摻混量相對於水100重量份宜為0.3重量份~15重量份。
B-2.脫色
接著,將經賦予偏光機能之樹脂薄膜脫色。脫色可以任意適當的方法進行。例如可舉利用雷射進行之脫色處理或藉由與包含鹼性化合物之鹼性溶液接觸進行之脫色處理等。較佳為與鹼性溶液接觸。藉由與鹼性溶液接觸來脫色,還可使經與鹼性溶液接觸之部分的硼酸含量降低,而可提升切割加工時之樹脂薄膜(經脫色之部分)的強度。且隨時間可維持經脫色之部分的透明性。
鹼性溶液之接觸方法可採用任意適當之方法。例如可舉對樹脂薄膜滴下、塗敷、噴霧鹼性溶液之方法、將樹脂薄膜浸漬於鹼性溶液之方法。
於接觸鹼性溶液時,亦可以任意適當之保護材保護偏光件(樹脂薄膜),以不使所期望之部位之外接觸鹼性溶液(以不使脫色)。具體上,作為保護材可舉表面保護薄膜。表面保護薄膜係可暫時用於偏光件之製造時者。表面保護薄膜可在任意適當之時機點從樹脂薄膜去除,故代表上係透過黏著劑層貼合於樹脂薄膜上。表面保護材之另一具體例可舉光阻劑等。
上述鹼性化合物可使用任意適當之鹼性化合物。鹼性化合物可舉例如氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鋰等鹼金屬之氫氧化物、氫氧化鈣等鹼土族金屬之氫氧化物、碳酸鈉等無機鹼金屬鹽、醋酸鈉等有機鹼金屬鹽、氨水等。其中,宜使用鹼金屬及/或鹼土族金屬之氫氧化物,更宜使用氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鋰。可有效率地將二色性物質離子化,而可更簡便地形成脫色部。該等鹼性化合物可單獨使用或可將2種以上組合來使用。
鹼性溶液之溶劑可使用任意適當之溶劑。具體上可舉水、乙醇、甲醇等醇、醚、苯、氯仿及其等之混合溶劑。其中,由經離子化之二色性物質可良好地往溶劑移動來看,宜使用水、醇。
鹼性溶液之濃度例如為0.01N~5N,宜為0.05N~3N,更宜為0.1N~2.5N。只要濃度為所述範圍,便可良好地形成所期望之脫色部。
鹼性溶液之液溫例如為20℃~50℃。樹脂薄膜與鹼性溶液之接觸時間可因應樹脂薄膜之厚度或是鹼性化合物之種類及鹼性溶液之濃度來設定,例如為5秒鐘~30分鐘。
B-3.樹脂薄膜之切割加工
接著,將樹脂薄膜之經脫色處理之部分(以下亦稱中間脫色部)之一部分進行切割加工。更詳細而言,切割加工係藉由以留下所期望之脫色部之方式將樹脂薄膜之中間脫色部進行切割來進行。藉由以留下脫色部之方式進行切割加工,即便產生了裂痕而有裂痕進入染色部,在一實施形態中,可藉由與鹼性溶液接觸來進行脫色。藉由施行與鹼性溶液接觸來進行之脫色處理,可降低樹脂薄膜(偏光件)所含硼酸含量。藉由樹脂薄膜之硼酸含量降低,可更抑制樹脂薄膜對切割加工之應力。藉由切割硼酸含量經降低之部分(中間脫色部),可防止從切割加工部產生裂痕。並且,還能提升品質佳之(例如裂痕之產生經抑制之)偏光件的生產性。較佳為以使切割加工部整體落在脫色部內之方式來進行切割加工。
圖2係本發明一實施形態之供於切割加工步驟之樹脂薄膜的概略俯視圖。圖式例中,樹脂薄膜20於周緣部具有中間脫色部14。該樹脂薄膜20係對中間脫色部14施行切割加工(圖式例之虛線部)。結果,可獲得偏光件之外緣為切割加工部,且染色部之周緣整體具有脫色部的偏光件。
切割方法可舉雷射、切刀、湯姆遜刀及尖頭刀等沖裁刀等。較佳為藉由雷射來進行切割加工。藉由使用雷射,切割端部之微小的裂痕會減少,從而可靠性試驗後之耐裂痕性可較其他切割方法更提升。
雷射可使用任意適當之雷射。例如可舉CO2
雷射等氣體雷射;YAG雷射等固態雷射;半導體雷射。宜使用CO2
雷射。雷射光之照射條件例如可因應所用雷射來設定為任意適當的條件。輸出條件宜為20W~60W,更宜為35W~45W。
B-4.鹼金屬及/或鹼土族金屬之降低
如上所述,樹脂薄膜之脫色宜藉由接觸鹼性溶液來進行。使接觸鹼性溶液來進行脫色時,於接觸部會殘存鹼金屬及/或鹼土族金屬之氫氧化物。且,藉由使樹脂薄膜接觸鹼性溶液,於接觸部會生成鹼金屬及/或鹼土族金屬之金屬鹽。該等會生成氫氧化物離子,所生成之氫氧化物離子會對存在在接觸部周圍之二色性物質(例如碘錯合物)產生作用(分解、還元),而可擴大脫色區域。因此,與上述鹼性溶液接觸後,宜於經使鹼性溶液接觸過之接觸部使樹脂薄膜所含鹼金屬及/或鹼土族金屬降低。藉由使鹼金屬及/或鹼土族金屬降低,可獲得尺寸穩定性佳之脫色部。
降低方法較佳可使用使與鹼性溶液接觸之接觸部接觸處理液之方法。根據所述方法,可使鹼金屬及/或鹼土族金屬從樹脂薄膜移動至處理液,而使其含量降低。
處理液之接觸方法可採用任意適當之方法。例如可舉對與鹼性溶液接觸之接觸部滴下、塗敷、噴霧處理液之方法、將與鹼性溶液接觸之接觸部浸漬於處理液中之方法。
於與鹼性溶液接觸時,當以任意適當之保護材保護樹脂薄膜時,宜在該狀態下使處理液接觸(尤其是在處理液之溫度為50℃以上之情況下)。根據該形態,可防止與鹼性溶液接觸之接觸部以外之部位因處理液造成偏光特性降低。
上述處理液可包含任意適當之溶劑。溶劑可舉例如水、乙醇、甲醇等醇、醚、苯、氯仿及該等之混合溶劑。其中,由使鹼金屬及/或鹼土族金屬有效率地移動之觀點來看,宜使用水、醇。水可使用任意適當之水。例如可舉自來水、純水、脫離子水等。
接觸時處理液之溫度例如為20℃以上,宜為50℃以上,且宜為60℃以上,更宜為70℃以上。只要為所述溫度,便可使鹼金屬及/或鹼土族金屬有效率地移動至處理液。具體上可使樹脂薄膜之膨潤率顯著提升,而可以物理手段去除樹脂薄膜內之鹼金屬及/或鹼土族金屬。另一方面,水的溫度實質上為95℃以下。
接觸時間可因應接觸方法、處理液(水)之溫度、樹脂薄膜之厚度等來適當調整。例如浸漬於溫水時,接觸時間宜為10秒~30分鐘,且宜為30秒~15分鐘,更宜為60秒~10分鐘。
在一實施形態中,上述處理液可使用酸性溶液。藉由使用酸性溶液,可中和殘存於樹脂薄膜中之鹼金屬及/或鹼土族金屬之氫氧化物,而可以化學手段去除樹脂薄膜內之鹼金屬及/或鹼土族金屬。
酸性溶液所含酸性化合物可使用任意適當之酸性化合物。酸性化合物可舉例如鹽酸、硫酸、硝酸、氫氟酸、硼酸等無機酸、甲酸、草酸、檸檬酸、乙酸、苯甲酸等有機酸等。酸性溶液所含酸性化合物宜為無機酸,更宜為鹽酸、硫酸、硝酸。該等酸性化合物可單獨使用或可將2種以上組合來使用。
較佳為酸性化合物可適宜使用酸性度較硼酸更強之酸性化合物。其係因亦可對鹼金屬及/或鹼土族金屬之金屬鹽(硼酸鹽)發揮作用。具體來說,從硼酸鹽使硼酸遊離,而可以化學手段去除樹脂薄膜內之鹼金屬及/或鹼土族金屬。
上述酸性度之指標例如可舉酸解離常數(pKa),宜使用較硼酸之pKa(9.2)更小之pKa的酸性化合物。具體而言,pKa宜小於9.2,且宜為5以下。pKa可用任意適當之測定裝置來測定,可參照化學便覽 基礎編 修訂第5版(日本化學會編,丸善出版)等文獻中記載之值。又,會多階段解離之酸性化合物其pKa之值會在各階段變化。於使用這種酸性化合物時,可使用各階段之pKa之值之任一者為上述範圍內者。此外,本說明書中pKa係指在25℃之水溶液中之值。
酸性化合物之pKa與硼酸之pKa的差例如為2.0以上,且宜為2.5~15,更宜為2.5~13。只要為所述範圍,便可使鹼金屬及/或鹼土族金屬有效率地移動至處理液,結果可實現脫色部之所期望之鹼金屬及/或鹼土族金屬含量。
可滿足上述pKa之酸性化合物可舉例如鹽酸(pKa:-3.7)、硫酸(pK2
:1.96)、硝酸(pKa:-1.8)、氫氟酸(pKa:3.17)、硼酸(pKa:9.2)等無機酸、甲酸(pKa:3.54)、草酸(pK1
:1.04,pK2
:3.82)、檸檬酸(pK1
:3.09,pK2
:4.75,pK3
:6.41)、乙酸(pKa:4.8)、苯甲酸(pKa:4.0)等有機酸等。
此外,酸性溶液(處理液)之溶劑如上述,而於使用酸性溶液作為處理液之本形態中,亦可進行以物理手段去除上述樹脂薄膜內之鹼金屬及/或鹼土族金屬。
上述酸性溶液之濃度例如為0.01N~5N,宜為0.05N~3N,且宜為0.1N~2.5N。
上述酸性溶液之液溫例如為20℃~50℃。使接觸酸性溶液之接觸時間可因應樹脂薄膜之厚度或是酸性化合物之種類及酸性溶液之濃度來設定,例如為5秒鐘~30分鐘。
B-5.其他步驟
本發明偏光件之製造方法包含以下步驟:對樹脂薄膜賦予偏光機能、將經賦予偏光機能之樹脂薄膜進行脫色、將經脫色之部分進行切割加工及使任意之鹼金屬及/或鹼土族金屬之含量降低,除此之外更可包含有任意適當之其他處理步驟。作為其他處理步驟可舉鹼性溶液及/或酸性溶液之去除以及洗淨等。
鹼性溶液及/或酸性溶液之除去方法的具體例可舉利用廢布等擦拭去除、吸引去除、自然乾燥、加熱乾燥、送風乾燥、減壓乾燥等。上述乾燥溫度例如為20℃~100℃。
洗淨處理可以任意適當之方法進行。洗淨處理使用之溶液可舉例如純水、甲醇、乙醇等醇、酸性水溶液及該等之混合溶劑等。洗淨處理可於任意適當之階段進行。洗淨處理亦可進行多次。
C.偏光板
本發明偏光板具有上述偏光件。本發明偏光板代表上係使保護薄膜積層於其至少單側後來使用。保護薄膜之形成材料例如可舉二醋酸纖維素、三醋酸纖維素等纖維素系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、環烯烴系樹脂、聚丙烯等烯烴系樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂等酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、該等之共聚物樹脂等。
亦可對保護薄膜之不積層偏光件之面形成有作為表面處理層之硬塗層、抗反射處理層、以擴散或防眩為目的之處理層。
保護薄膜之厚度宜為10μm~100μm。保護薄膜代表上係透過接著層(具體上為接著劑層、黏著劑層)積層在偏光件上。接著劑層代表上係以PVA系接著劑或活性化能量線硬化型接著劑形成。黏著劑層代表上係以丙烯酸系黏著劑形成。
D.影像顯示裝置
本發明影像顯示裝置具備上述偏光板。影像顯示裝置可舉例如液晶顯示裝置、有機EL器件。具體來說,液晶表示裝置具備包含液晶單元與配置於該液晶單元之單側或兩側之上述偏光件的液晶面板。有機EL器件具備於視辨側配置有上述偏光件之有機EL面板。如上述,本發明之偏光件即便在具有經切割加工之部分時,仍能防止裂痕產生,結果可防止偏光件褪色而損及偏光特性。即便形成有切割加工部仍具有優異之品質,故即便在利用異形加工及開口部之形成等加工成更複雜之形狀之情況下,仍可維持所期望之偏光特性。
實施例
以下,以實施例來具體說明本發明,惟本發明不受該等實施例限定。
[實施例1]
基材係使用長條狀、吸水率0.75%、Tg75℃之非晶質間苯二甲酸共聚聚對苯二甲酸乙二酯(IPA共聚PET)薄膜(厚度:100μm)。對基材單面施以電暈處理,並於該電暈處理面上於25℃下塗佈以9:1之比含有聚乙烯醇(聚合度4200,皂化度99.2莫耳%)及乙醯乙醯基改質PVA(聚合度1200,乙醯乙醯基改質度4.6%,皂化度99.0莫耳%以上,日本合成化學工業公司製,商品名「GOHSEFIMER Z200」)之水溶液後進行乾燥,形成厚度11μm之PVA系樹脂層,而製出積層體。
將所獲得之積層體於120℃之烘箱內在不同周速之輥件間沿縱方向(長邊方向)進行自由端單軸延伸2.0倍(空中輔助延伸)。
接著,使積層體浸漬於液溫30℃的不溶解浴(相對於水100重量份摻混4重量份之硼酸而得的硼酸水溶液)中30秒(不溶解處理)。
接著,一邊使其浸漬於液溫30℃的染色浴中一邊調整碘濃度、浸漬時間以使偏光板成為預定之透射率。本實施例係使其浸漬於相對於100重量份的水摻混0.2重量份的碘、1.5重量份的碘化鉀所得之碘水溶液中60秒(染色處理)。
接著,使其浸漬於液溫30℃的交聯浴(相對於水100重量份摻混3重量份的碘化鉀並摻混3重量份的硼酸而得之硼酸水溶液)中30秒(交聯處理)。
其後,一邊使積層體浸漬於液溫70℃之硼酸水溶液(相對於100重量份的水摻混4重量份硼酸、5重量份碘化鉀所得之水溶液)中,一邊於不同周速之輥件間沿縱方向(長邊方向)進行單軸延伸以使總延伸倍率達5.5倍(水中延伸)。
之後,使積層體浸漬於液溫30℃的洗淨浴(相對於水100重量份,摻混4重量份的碘化鉀而獲得之水溶液)中(洗淨處理)。
接著,於積層體的PVA系樹脂層表面塗佈PVA系樹脂水溶液(日本合成化學工業公司製,商品名「GOHSEFIMER(註冊商標)Z-200」,樹脂濃度:3重量%)後,貼合保護薄膜(厚度25μm),並將其以經維持於60℃的烘箱加熱5分鐘。然後,將基材從PVA系樹脂層剝離,而獲得偏光板(偏光件(透射率42.3%,厚度5μm)/保護薄膜)。
從上述所得總厚30μm之偏光板裁切出200mm×300mm之試驗片。於裁切出之偏光板之偏光件的中央部塗佈常溫鹼性溶液(氫氧化鈉水溶液,1.0mol/L(1N))並塗佈成直徑2.8mm之圓,放置60秒鐘。然後用廢布去除經塗佈之氫氧化鈉水溶液。去除氫氧化鈉水溶液後,於經使接觸鹼性溶液之部分塗佈1.0mol/L(1N)之鹽酸,放置30秒鐘。然後,用廢布去除鹽酸,而獲得形成有透明部(中間脫色部)之偏光件。透明部之鈉含量為3.6重量%以下,硼酸含量為8重量%以下。
以使切割後留下的脫色部寬度成為1mm之方式,從所形成之中間脫色部的中央利用雷射(CO2
雷射,照射條件:速度650mm/秒,頻率30kHz,輸出40W)切割出0.8mm的圓,而獲得具有寬度1mm之脫色部的偏光件。
[實施例2]
除了以使切割後留下的脫色部之寬度成為0.5mm之方式進行切割加工外,依與實施例1相同方式而獲得具有寬度0.5mm之脫色部的偏光件。
[實施例3]
除了於裁切出之試驗片之距離長邊1mm之部分形成透明部(直徑2.8mm)外,依與實施例1相同方式而獲得具有寬度1mm之脫色部的偏光件。
[實施例4]
除了將鹼性溶液塗佈成直徑20mm之圓外,依與實施例1相同方式而獲得形成有透明部(中間脫色部)之偏光件。
以使切割後留下的脫色部之寬度成為1mm之方式,從該偏光件之透明部的中央依與實施例1相同方式切割出18mm的圓,而獲得具有寬度1mm之脫色部的偏光件。
[實施例5]
除了於裁切出之試驗片之距離長邊1mm之部分形成透明部外,依與實施例4相同方式而獲得具有寬度1mm之脫色部的偏光件。
[實施例6]
於實施例1所得試驗片之偏光件的中央部用雷射(固態(YAG)雷射,照射條件:速度100mm/秒,頻率3120kHz,脈衝能:40μJ)形成直徑2.8mm之透明部。
以使切割後留下的脫色部寬度成為1mm之方式,從該透明部(中間脫色部)的中央利用雷射(CO2
雷射,照射條件:速度650mm/秒,頻率30kHz,輸出40W)切割出0.8mm的圓,而獲得具有寬度1mm之脫色部的偏光件。
[實施例7]
除了以使切割後留下的脫色部之寬度成為0.5mm之方式進行切割加工外,依與實施例6相同方式而獲得具有寬度0.5mm之脫色部的偏光件。
(比較例1)
未於試驗片形成透明部(中間脫色部)、及利用雷射形成直徑2.8mm之開口部,除此之外依與實施例1相同方式而獲得偏光件。
(比較例2)
未於試驗片形成透明部(中間脫色部)、及利用雷射形成直徑2.8mm之開口部,除此之外依與實施例3相同方式而獲得偏光件。
(比較例3)
未於試驗片形成透明部(中間脫色部)、及利用雷射形成直徑20mm之開口部,除此之外依與實施例1相同方式而獲得偏光件。
用實施例1~7及比較例1~3所得偏光件進行以下評估。將結果列於表1。
(熱循環試驗(H/S測試)後之裂痕最大長度)
於所得偏光件透過厚度23μm之黏著劑層貼合厚度1mm之玻璃,而獲得積層體。將所得積層體放置於-40℃之氣體環境下30分鐘後,於85℃之氣體環境下放置30分鐘。將該操作作為1循環。於20循環、50循環、100循環、200循環之階段取出積層體,用光學顯微鏡觀察有無裂痕,並在有產生裂痕時測定其最大長度。若200循環後之裂痕最大長度為1mm以下,則耐裂痕性佳。
(漏光)
用光學顯微鏡確認進行上述熱循環試驗200循環後之積層體之染色部有無褪色。
(裂痕數)
用光學顯微鏡觀察進行上述熱循環試驗300循環後之積層體有無裂痕。針對3個積層體進行評估,並將平均值作為裂痕數。
(染色部與脫色部之碘含量的差)
利用螢光X射線分析藉由下述條件測定各實施例及比較例之偏光件之脫色部及染色部的碘含量獲得X射線強度,並從該X射線強度用事先用標準試料作成之檢量曲線求出碘含量。從所得碘含量之值算出脫色部與染色部之碘含量的差。
二色性物質低濃度部
・分析裝置:理學電機工業製 螢光X射線分析裝置(XRF) 製品名「ZSX100e」
・對陰極:銠
・分光結晶:氟化鋰
・激發光能:40kV-90mA
・碘測定線:I-LA
・定量法:FP法
・2θ角峰:103.078deg(碘)
・測定時間:40秒
實施例1~7之偏光件於切割加工部與染色部之間具有脫色部,其即便在200循環之熱震測試後亦僅確認到極小裂痕。且,實施例1~7之偏光件於300循環之熱震測試後之偏光件其裂痕數亦少,而可穩定獲得耐裂痕性佳之偏光件。不進行脫色處理而形成開口部之(無脫色部之)比較例1~3之偏光件,其在200循環之熱震測試後確認到比實施例更大的裂痕。且,產生之裂痕數亦多,生產性仍有改善的餘地。
產業上之可利用性
本發明偏光件可適宜使用在液晶顯示裝置、有機EL器件等影像顯示裝置。
10:偏光件
11:切割加工部
12:染色部
13:脫色部
14:中間脫色部
20:樹脂薄膜
圖1為本發明一實施形態之偏光件的概略俯視圖。
圖2係本發明一實施形態中供於切割加工步驟之樹脂薄膜的概略俯視圖。
10:偏光件
11:切割加工部
12:染色部
13:脫色部
Claims (10)
- 一種偏光件,具有染色部、切割加工部及形成於該染色部與該切割加工部之間的脫色部。
- 如請求項1之偏光件,其中前述脫色部之寬度為0.1mm以上。
- 如請求項1或2之偏光件,其中前述切割加工部係雷射切割部。
- 如請求項1至3中任一項之偏光件,其中前述脫色部之鹼金屬及/或鹼土族金屬含量為3.6重量%以下。
- 如請求項1至4中任一項之偏光件,其中前述脫色部之硼酸含量為8重量%以下。
- 如請求項1至5中任一項之偏光件,其中前述脫色部與前述偏光件之端部的最短距離為15mm以下。
- 如請求項1至6中任一項之偏光件,其中前述染色部之二色性物質之含量與前述脫色部之二色性物質之含量的差為0.5重量%以上。
- 一種偏光件之製造方法,包含以下步驟: 對樹脂薄膜賦予偏光機能; 將該經賦予偏光機能之樹脂薄膜進行脫色;及 將該經脫色之部分的一部分進行切割加工。
- 如請求項8之偏光件之製造方法,其中前述切割加工部係藉由雷射來進行。
- 如請求項8或9之偏光件之製造方法,其藉由使接觸鹼性溶液來進行前述脫色。
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